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CN112736096B - 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 - Google Patents

一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 Download PDF

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CN112736096B CN202110057134.7A CN202110057134A CN112736096B CN 112736096 B CN112736096 B CN 112736096B CN 202110057134 A CN202110057134 A CN 202110057134A CN 112736096 B CN112736096 B CN 112736096B
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Abstract

本申请提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括：柔性衬底；设置在柔性衬底一侧的第一辅助电极，第一辅助电极与第一电源线连接；设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的像素单元，像素单元包括：设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的多个薄膜晶体管、绝缘层和第二辅助电极，第二辅助电极与第二电源线连接；其中，多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，驱动晶体管的源极与第一辅助电极连接，漏极与发光器件的第一电极连接，发光器件的第二电极与第二辅助电极连接。本申请技术方案，通过增大第一辅助电极与第二辅助电极之间的距离，可以降低发生短路不良的概率，有助于提升产品良率和可靠性。

Description

一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管驱动LED(Light Emitting Diode)的显示技术中，由于LED显示需要的驱动电流敏感度较高，辅助电极的压降对驱动电流的影响较大，因此需要在LED显示基板中制作较大面积的VDD辅助电极和VSS辅助电极，从而降低走线电阻，降低走线压降。
然而，在实际制作过程中，较大面积的VDD辅助电极和VSS辅助电极之间极易发生短路，短路导致整个面板无法正常显示，严重影响显示产品的良率和可靠性。
发明内容
本发明提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，以提升产品良率和可靠性。
为了解决上述问题，本发明公开了一种显示基板，所述显示基板包括：
柔性衬底；
设置在所述柔性衬底一侧的第一金属层，所述第一金属层包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与第一电源线连接；
设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的像素单元，所述像素单元包括：设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在所述多个薄膜晶体管背离所述柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，所述绝缘层靠近所述柔性衬底设置，所述第二辅助电极与第二电源线连接；
其中，所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与所述第一辅助电极连接，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一电极连接，所述发光器件的第二电极与所述第二辅助电极连接。
在一种可选的实现方式中，在所述柔性衬底与所述像素单元之间层叠设置有第二金属层和平坦层，所述第二金属层靠近所述柔性衬底设置，所述第二金属层包括跨接电极，所述跨接电极与所述第一辅助电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接，所述跨接电极还与所述驱动晶体管的源极连接。
在一种可选的实现方式中，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述跨接电极在所述柔性衬底上的正投影。
在一种可选的实现方式中，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影面积与所述跨接电极在所述柔性衬底上的正投影面积相等。
在一种可选的实现方式中，所述平坦层的厚度大于或等于2微米且小于或等于3微米。
在一种可选的实现方式中，所述第一金属层还包括绑定电极，所述第二金属层还包括信号引线，所述信号引线与所述绑定电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接。
在一种可选的实现方式中，所述驱动晶体管包括：层叠设置在所述平坦层背离所述柔性衬底一侧的阻挡层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层以及源漏电极；
其中，所述阻挡层靠近所述柔性衬底设置，所述绝缘层设置在所述源漏电极背离所述柔性衬底的一侧，所述源漏电极包括所述驱动晶体管的源极和漏极，所述驱动晶体管的源极与所述跨接电极通过设置在所述层间介质层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层、所述阻挡层以及所述平坦层上的过孔连接。
在一种可选的实现方式中，所述遮光层在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管的有源层在所述柔性衬底上的正投影。
在一种可选的实现方式中，所述多个薄膜晶体管还包括功能晶体管，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述功能晶体管的有源层在所述柔性衬底上的正投影。
在一种可选的实现方式中，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二辅助电极在所述衬底基板上的正投影有交叠。
在一种可选的实现方式中，所述第一辅助电极用于传输VDD信号，所述第二辅助电极用于传输VSS信号；或者，所述第一辅助电极用于传输VSS信号，所述第二辅助电极用于传输VDD信号。
在一种可选的实现方式中，所述发光器件为LED、Mini LED、Micro LED或OLED。
为了解决上述问题，本发明公开了一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
为了解决上述问题，本发明公开了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：
在柔性衬底的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与第一电源线连接；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元，所述像素单元包括：设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在所述多个薄膜晶体管背离所述柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，所述绝缘层靠近所述柔性衬底设置，所述第二辅助电极与第二电源线连接；
其中，所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与所述第一辅助电极连接，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一电极连接，所述发光器件的第二电极与所述第二辅助电极连接。
在一种可选的实现方式中，在柔性衬底的一侧形成第一金属层的步骤，包括：
提供硬质衬底；
在所述硬质衬底上形成所述第一金属层；
在所述第一金属层背离所述硬质衬底的一侧形成所述柔性衬底；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤之后，还包括：
剥离所述硬质衬底，得到所述显示基板。
在一种可选的实现方式中，所述第一金属层还包括绑定电极，在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤之前，还包括：
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧依次层叠形成第二金属层和平坦层，所述第二金属层包括跨接电极和信号引线，所述跨接电极与所述第一辅助电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接，所述跨接电极还与所述驱动晶体管的源极连接，所述信号引线与所述绑定电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤，包括：
在所述平坦层背离所述柔性衬底的一侧形成所述像素单元。
现有技术相比，本发明包括以下优点：
本申请技术方案提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括：柔性衬底；设置在柔性衬底一侧的第一金属层，第一金属层包括第一辅助电极，第一辅助电极与第一电源线连接；设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的像素单元，像素单元包括：设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在多个薄膜晶体管背离柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，绝缘层靠近柔性衬底设置，第二辅助电极与第二电源线连接；其中，多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，驱动晶体管的源极与第一辅助电极连接，驱动晶体管的漏极与发光器件的第一电极连接，发光器件的第二电极与第二辅助电极连接。本申请技术方案，通过将第一辅助电极和第二辅助电极设置在柔性衬底、薄膜晶体管以及绝缘层的两侧，增大了第一辅助电极与第二辅助电极之间的距离，从而可以大大降低第一辅助电极与第二辅助电极之间发生短路不良的概率，有助于提升产品良率和可靠性。另外，通过将第一辅助电极设置在柔性衬底背离第二辅助电极的一侧，与现有结构相比，至少可以减少一道绝缘层的制作工艺，简化工艺流程，进一步提升产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了相关技术中一种显示基板的剖面结构示意图；
图2示出了本申请实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图；
图3示出了本申请实施例提供的一种第一辅助电极的平面结构示意图；
图4示出了本申请实施例提供的一种第二辅助电极的平面结构示意图；
图5示出了本申请实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；
图6示出了本申请实施例提供的另一种显示基板的剖面结构示意图；
图7示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
相关技术中，一般会制作大面积的VDD辅助电极和VSS辅助电极，以降低信号压降对LED电流的影响。其中，VDD辅助电极与VDD信号走线连接，VSS辅助电极与VSS信号走线连接。如图1所示，大面积的VDD辅助电极和VSS辅助电极之间只设置有较薄的一层绝缘层(PLN2/PVX2)，导致VDD辅助电极和VSS辅助电极之间极易发生短路，进而导致整个面板无法点亮，影响产品良率和可靠性。
为了解决上述问题，本申请一实施例提供了一种显示基板，参照图2示出了本实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图，该显示基板包括：柔性衬底21；设置在柔性衬底21一侧的第一金属层22，第一金属层22包括第一辅助电极221，第一辅助电极221与第一电源线连接，如图3所示；设置在柔性衬底21背离第一金属层22一侧的至少一个像素单元，至少一个像素单元包括：设置在柔性衬底21背离第一金属层22一侧的多个薄膜晶体管(图2中示例性示出了两个薄膜晶体管25和29)，以及层叠设置在多个薄膜晶体管背离柔性衬底21一侧的绝缘层23和第二辅助电极24，绝缘层23靠近柔性衬底21设置，第二辅助电极24与第二电源线连接，如图4所示。
参照图2，多个薄膜晶体管包括驱动晶体管25，驱动晶体管25用于驱动发光器件26发光，驱动晶体管25的源极S1与第一辅助电极221连接，驱动晶体管25的漏极D1与发光器件26的第一电极261连接，发光器件26的第二电极262与第二辅助电极24连接。
本实施例中，第一电源线可以与第一辅助电极221的材料相同且同层设置。参照图3示出了一种第一辅助电极分布的平面结构示意图，第一金属层22可以包括多个第一辅助电极221。各第一辅助电极221连接至第一电源线，所有的第一辅助电极221通过第一电源线连通在一起，确保电压的均一性。
各第一辅助电极221与像素单元之间的对应关系可以有多种。例如，可以一个像素单元对应设置一个第一辅助电极221(如图3所示)，还可以多个像素单元对应设置一个第一辅助电极221，等等。在实际应用中，当多个像素单元共用一个第一辅助电极221时，该多个像素单元的驱动晶体管的源极之间可以相互连接，从而确保工作电压的均一性，同时可以减少打孔数量。
需要说明的是，第一辅助电极221的形状并不仅局限于图3所示出的矩形，第一辅助电极221的形状可以根据实际需求进行设计，例如可以是规则的多边形、圆形等，还可以是其它不规则的形状，可以是实心或者镂空的等等，本实施例对第一辅助电极221的具体形状不作限定。
本实施例中，第二电源线可以与第二辅助电极24的材料相同且同层设置。参照图4示出了一种第二辅助电极分布的平面结构示意图，每个像素单元可以对应设置一个第二辅助电极24，各第二辅助电极24连接至第二电源线。所有的第二辅助电极24通过第二电源线连通在一起，确保电压的均一性。
本实施例中，第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影可以与第二辅助电极24在柔性衬底21上的正投影有交叠。参照图5示出了一种显示基板的平面结构示意图。采用本实施例提供的显示基板，即使第一辅助电极221与第二辅助电极24在柔性衬底21上的正投影有交叠，由于第一辅助电极221与第二辅助电极24之间的距离增大，因此可以降低第一辅助电极221与第二辅助电极24之间的短路风险。
驱动晶体管25的源极S1与第一辅助电极221之间的连接可以有多种实现方式，例如可以通过设置在驱动晶体管25的源极S1与第一辅助电极221之间膜层(包括柔性衬底21)上的过孔连接。在实际应用中，驱动晶体管25的源极S1与第一辅助电极221之间的连接方式可以根据驱动晶体管25的实际结构确定。驱动晶体管25的结构可以为顶栅结构、底栅结构、双栅结构等，本实施例对驱动晶体管25的具体结构不作限定。后续实施例会结合驱动晶体管25的具体结构进行详细介绍。
驱动晶体管25的漏极D1与发光器件26的第一电极261之间的连接可以有多种实现方式，例如当发光器件26的第一电极261与第二辅助电极24同层设置时，发光器件26的第一电极261与驱动晶体管25的漏极D1之间可以通过设置在绝缘层23上的过孔连接。
发光器件26的第二电极262与第二辅助电极24之间的连接可以有多种实现方式。例如，当发光器件26的第二电极262与第二辅助电极24同层设置时，发光器件26的第二电极262与第二辅助电极24之间可以直接接触连接。
为了降低压降，第一金属层22和第二辅助电极24的材料可以选用电阻率较小的金属材料，如铝或铝合金、铜或铜合金等。
本实施例提供的显示基板，通过将第一辅助电极和第二辅助电极设置在柔性衬底、薄膜晶体管以及绝缘层的两侧，增大了第一辅助电极与第二辅助电极之间的距离，从而可以降低第一辅助电极与第二辅助电极之间的短路风险，提升产品良率和可靠性。
另外，图1所示现有技术的显示基板，在薄膜晶体管之上需要设置：位于薄膜晶体管与VDD之间的绝缘层PLN/PVX、金属层VDD、位于VDD金属层和金属层VSS之间的绝缘层PLN2/PVX2以及金属层VSS，也就是需要在薄膜晶体管之上设置两层金属层和两层绝缘层，制作工序较为复杂，工艺时间长。而本实施例提供的显示基板，通过将第一辅助电极211设置在柔性衬底21背离第二辅助电极24的一侧，如图2所示，在薄膜晶体管之上设置一层绝缘层23和一层金属层(第二辅助电极24)，即可实现与图1相同的功能。
因此，通过将第一辅助电极设置在柔性衬底背离第二辅助电极的一侧，与现有结构相比，至少可以减少一道绝缘层的制作工艺，从而简化工艺流程，进一步提升产品良率，降低成本。当第一辅助电极与显示基板背面的绑定电极同层形成时(后续实施例会详细介绍)，这样还可以减少一道金属层的制作工艺，进一步简化工艺流程，提升产品良率，降低成本。
在一种可选的实现方式中，第一电源线可以为VDD(高电位的工作电压)信号线，第二电源线为VSS(低电位的公共电压)信号线。本实现方式中，第一辅助电极221用于传输VDD信号，第二辅助电极24用于传输VSS信号。发光器件26的第一电极261为阳极，发光器件26的第二电极262为阴极。
在另一种可选的实现方式中，第一电源线可以为VSS(低电位的公共电压)信号线，第二电源线为VDD(高电位的工作电压)信号线。本实现方式中，第一辅助电极221用于传输VSS信号，第二辅助电极24用于传输VDD信号。发光器件26的第一电极261为阴极，发光器件26的第二电极262为阳极。
本实施例中，发光器件26可以为LED、Mini LED、Micro LED或OLED。
在一种可选的实现方式中，参照图2，在柔性衬底21与像素单元之间层叠设置有第二金属层27和平坦层28，第二金属层27靠近柔性衬底21设置，第二金属层27包括跨接电极271，跨接电极271与第一辅助电极221通过设置在柔性衬底21上的过孔连接，跨接电极271还与驱动晶体管25的源极S1连接。
本实现方式，通过跨接电极271连接第一辅助电极221和驱动晶体管25的源极S1，可以降低接触电阻，降低压降，另外还可以减小过孔深度，降低工艺难度。
为了进一步降低压降，第二金属层27的材料可以选用电阻率较小的金属材料，如铝或铝合金、铜或铜合金等。
其中，第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影可以覆盖跨接电极271在柔性衬底21上的正投影。即跨接电极271在柔性衬底21上的正投影位于第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影范围内。
为了进一步降低压降，如图6所示，第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影面积与跨接电极271在柔性衬底21上的正投影面积可以相等。这样，通过增大跨接电极271的面积，使得第一辅助电极221所传输的信号由跨接电极271和第一辅助电极221两层金属共同传输，从而降低信号传输路径上的电阻，降低信号压降。
其中，第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影与跨接电极271在柔性衬底21上的正投影可以部分交叠或完全交叠(如图6所示出的)，本实施例不作限定。
当第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影面积与跨接电极271在柔性衬底21上的正投影面积相同时，为了避免跨接电极271与薄膜晶体管中的金属层之间产生寄生电容或发生电极耦合，平坦层28的厚度可以大于或等于2微米且小于或等于3微米。通过增大平坦层28的厚度，来增大跨接电极271与薄膜晶体管中的各金属层之间的距离，从而避免寄生电容或电极耦合的影响。
在一种可选的实现方式中，参照图2，驱动晶体管25可以包括：层叠设置在平坦层28背离柔性衬底21一侧的阻挡层251、遮光层252、缓冲层253、有源层254、栅极绝缘层255、栅极256、层间介质层257以及源漏电极258；其中，阻挡层251靠近柔性衬底21设置，绝缘层23设置在源漏电极258背离柔性衬底21的一侧，源漏电极258包括驱动晶体管25的源极S1和漏极D1，驱动晶体管25的源极S1与跨接电极271可以通过设置在层间介质层257、栅极绝缘层255、缓冲层253、阻挡层251以及平坦层28上的过孔连接。
具体地，参照图2，驱动晶体管25的源极S1可以通过层间介质层257上的过孔连接至栅极金属层210，该栅极金属层210通过栅极绝缘层255和缓冲层253上的过孔连接至遮光层金属211，该遮光层金属211再通过阻挡层251和平坦层28上的过孔连接至跨接电极271。这种驱动晶体管25的源极S1与跨接电极271之间的连接方式可以降低接触电阻，降低压降，另外还可以减小过孔深度，降低工艺难度。
其中，栅极金属层210可以与栅极256材料相同且同步形成，遮光层金属211可以与遮光层252材料相同且同步形成。
为了保护驱动晶体管25的有源层254不受光照影响，遮光层252在柔性衬底21上的正投影可以覆盖驱动晶体管25的有源层254在柔性衬底21上的正投影。这样，遮光层252可以保护驱动晶体管25不受光照影响，进一步提高产品可靠性。
需要说明的是，驱动晶体管25结构中的阻挡层251、遮光层252以及缓冲层253不是必须的，可以根据实际需求选择性设置其中的一层或几层。
为了保护其它薄膜晶体管的有源层不受光照影响，在一种可选的实现方式中，参照图2，多个薄膜晶体管还可以包括功能晶体管29，第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影可以覆盖功能晶体管29的有源层291在柔性衬底21上的正投影。这样，第一辅助电极221可以保护功能晶体管29的有源层不受光照影响，进一步提高产品可靠性。
其中，像素单元的驱动电路可以包括多个薄膜晶体管，如开关晶体管、补偿晶体管、复位晶体管和驱动晶体管等晶体管中的至少一种。
本实施例中，功能晶体管29可以包括驱动电路所包含薄膜晶体管中的一个或多个，也就是功能晶体管29可以包括开关晶体管、补偿晶体管、复位晶体管和驱动晶体管等晶体管中的一个或多个。
在具体实现中，发明人还发现，AM LED(Active Matrix Light Emitting Diode)拼接技术分为两类：侧向弯曲连接技术和柔性背板打孔技术。其中，侧向弯曲连接技术是在玻璃的正面制作薄膜晶体管，在玻璃的背面制作电极走线及绑定电极，最后再对薄膜晶体管和电极走线进行侧向连接，这种工艺不仅在制作背面的过程中会对正面有影响，而且侧向工艺需要在玻璃切割之后进行，工艺难度较大。
因此，为了进一步降低工艺难度，在一种可选的实现方式中，参照图2，第一金属层22还可以包括绑定电极222，第二金属层27还可以包括信号引线272，信号引线272与绑定电极222通过设置在柔性衬底21上的过孔连接。
其中，信号走线272可以为数据信号、栅极信号、VDD信号或VSS信号等信号的走线。
本实施例中，如图3所示，柔性衬底21可以划分为中间区域以及位于中间区域外围的周边区域。第一金属层22中的第一辅助电极221在柔性衬底21上的正投影可以位于中间区域，第一金属层22中的绑定电极222在柔性衬底21上的正投影可以位于周边区域。当然，第一辅助电极221和绑定电极222的具体位置可以根据实际情况设置，本实施例对此不作限定。
在该实现方式中，采用的是柔性背板打孔技术，即在玻璃基板上先制作第一金属层22，第一金属层22包括绑定电极222和第一辅助电极221，然后在第一金属层22上依次制作柔性衬底21、第二金属层27、平坦层28以及像素单元，第二金属层27包括信号引线272和跨接电极271，信号引线272与绑定电极222通过设置在柔性衬底21上的过孔连接，跨接电极271与第一辅助电极221通过设置在柔性衬底21上的另一过孔连接；当像素单元和LED的电极制作完成后，还可以涂覆一层平坦层使LED的电极裸露；之后剥离玻璃基板，露出第一辅助电极221和绑定电极222，再进行后续的绑定和组装工艺。采用柔性背板打孔技术不需要双面工艺和侧向连接，工艺难度较低，可行性高，而且可以实现无边框显示。
本申请另一实施例还提供了一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有2D或3D显示功能的产品或部件。
本申请另一实施例还提供了一种显示基板的制备方法，参照图7，该制备方法包括：
步骤701：在柔性衬底的一侧形成第一金属层，第一金属层包括第一辅助电极，第一辅助电极与第一电源线连接。
步骤702：在柔性衬底背离第一金属层的一侧形成像素单元，像素单元包括：设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在多个薄膜晶体管背离柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，绝缘层靠近柔性衬底设置，第二辅助电极与第二电源线连接；其中，多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，驱动晶体管的源极与第一辅助电极连接，驱动晶体管的漏极与发光器件的第一电极连接，发光器件的第二电极与第二辅助电极连接。
在一种可选的实现方式中，步骤701具体可以包括：首先提供硬质衬底；然后在硬质衬底上形成第一金属层；之后在第一金属层背离硬质衬底的一侧形成柔性衬底。该实现方式中，在步骤702之后还可以包括：剥离硬质衬底，得到显示基板。
在一种可选的实现方式中，在步骤702之前还可以包括：在柔性衬底背离第一金属层的一侧依次层叠形成第二金属层和平坦层，第二金属层包括跨接电极和信号引线，跨接电极与第一辅助电极通过设置在柔性衬底上的过孔连接，跨接电极还与驱动晶体管的源极连接，信号引线与绑定电极通过设置在柔性衬底上的过孔连接；相应地，步骤702具体可以包括：在平坦层背离柔性衬底的一侧形成像素单元。
具体地，可以首先在硬质衬底如玻璃基板上图案化形成第一金属层，第一金属层包括绑定电极和第一辅助电极；然后在第一金属层上依次制作柔性衬底如PI(聚酰亚胺，Polyimide)和第二金属层，第二金属层包括信号引线和跨接电极，信号引线与绑定电极通过设置在柔性衬底上的过孔连接，跨接电极与第一辅助电极通过设置在柔性衬底上的另一过孔连接；之后在第二金属层上制作平坦层以及像素单元；当像素单元以及LED的电极制作完成后，还可以涂覆一层平坦层使LED的电极裸露；之后剥离玻璃基板，露出第一辅助电极和绑定电极，再进行绑定和组装工艺。
采用本实施例提供的制备方法可以制备得到上述任一实施例所述的显示基板，制备得到的显示基板的结构和有益效果可以参照前述实施例的描述，这里不再赘述。
本申请实施例提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，其中显示基板包括：柔性衬底；设置在柔性衬底一侧的第一金属层，第一金属层包括第一辅助电极，第一辅助电极与第一电源线连接；设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的像素单元，像素单元包括：设置在柔性衬底背离第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在多个薄膜晶体管背离柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，绝缘层靠近柔性衬底设置，第二辅助电极与第二电源线连接；其中，多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，驱动晶体管的源极与第一辅助电极连接，驱动晶体管的漏极与发光器件的第一电极连接，发光器件的第二电极与第二辅助电极连接。本申请技术方案，通过将第一辅助电极和第二辅助电极设置在柔性衬底、薄膜晶体管以及绝缘层的两侧，增大了第一辅助电极与第二辅助电极之间的距离，从而可以大大降低第一辅助电极与第二辅助电极之间发生短路不良的概率，有助于提升产品良率和可靠性。另外，通过将第一辅助电极设置在柔性衬底背离第二辅助电极的一侧，与现有结构相比，至少可以减少一道绝缘层的制作工艺，简化工艺流程，进一步提升产品良率。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (16)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
柔性衬底；
设置在所述柔性衬底一侧的第一金属层，所述第一金属层包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与第一电源线连接；
设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的像素单元，所述像素单元包括：设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在所述多个薄膜晶体管背离所述柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，所述绝缘层靠近所述柔性衬底设置，所述第二辅助电极与第二电源线连接；
其中，所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与所述第一辅助电极连接，所述驱动晶体管的漏极与发光器件的第一电极连接，所述发光器件的第二电极与所述第二辅助电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述柔性衬底与所述像素单元之间层叠设置有第二金属层和平坦层，所述第二金属层靠近所述柔性衬底设置，所述第二金属层包括跨接电极，所述跨接电极与所述第一辅助电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接，所述跨接电极还与所述驱动晶体管的源极连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述跨接电极在所述柔性衬底上的正投影。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影面积与所述跨接电极在所述柔性衬底上的正投影面积相等。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层的厚度大于或等于2微米且小于或等于3微米。
6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一金属层还包括绑定电极，所述第二金属层还包括信号引线，所述信号引线与所述绑定电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接。
7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管包括：层叠设置在所述平坦层背离所述柔性衬底一侧的阻挡层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层以及源漏电极；
其中，所述阻挡层靠近所述柔性衬底设置，所述绝缘层设置在所述源漏电极背离所述柔性衬底的一侧，所述源漏电极包括所述驱动晶体管的源极和漏极，所述驱动晶体管的源极与所述跨接电极通过设置在所述层间介质层、所述栅极绝缘层、所述缓冲层、所述阻挡层以及所述平坦层上的过孔连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述遮光层在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述驱动晶体管的有源层在所述柔性衬底上的正投影。
9.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述多个薄膜晶体管还包括功能晶体管，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影覆盖所述功能晶体管的有源层在所述柔性衬底上的正投影。
10.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极在所述柔性衬底上的正投影与所述第二辅助电极在所述柔性衬底上的正投影有交叠。
11.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一辅助电极用于传输VDD信号，所述第二辅助电极用于传输VSS信号；或者，所述第一辅助电极用于传输VSS信号，所述第二辅助电极用于传输VDD信号。
12.根据权利要求1至8任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件为LED、MiniLED、Micro LED或OLED。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在柔性衬底的一侧形成第一金属层，所述第一金属层包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与第一电源线连接；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元，所述像素单元包括：设置在所述柔性衬底背离所述第一金属层一侧的多个薄膜晶体管，以及层叠设置在所述多个薄膜晶体管背离所述柔性衬底一侧的绝缘层和第二辅助电极，所述绝缘层靠近所述柔性衬底设置，所述第二辅助电极与第二电源线连接；
其中，所述多个薄膜晶体管包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极与所述第一辅助电极连接，所述驱动晶体管的漏极与所述发光器件的第一电极连接，发光器件的第二电极与所述第二辅助电极连接。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在柔性衬底的一侧形成第一金属层的步骤，包括：
提供硬质衬底；
在所述硬质衬底上形成所述第一金属层；
在所述第一金属层背离所述硬质衬底的一侧形成所述柔性衬底；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤之后，还包括：
剥离所述硬质衬底，得到所述显示基板。
16.根据权利要求14或15所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层还包括绑定电极，在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤之前，还包括：
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧依次层叠形成第二金属层和平坦层，所述第二金属层包括跨接电极和信号引线，所述跨接电极与所述第一辅助电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接，所述跨接电极还与所述驱动晶体管的源极连接，所述信号引线与所述绑定电极通过设置在所述柔性衬底上的过孔连接；
在所述柔性衬底背离所述第一金属层的一侧形成像素单元的步骤，包括：
在所述平坦层背离所述柔性衬底的一侧形成所述像素单元。
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