KR20150137684A - 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 - Google Patents
레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150137684A KR20150137684A KR1020140065974A KR20140065974A KR20150137684A KR 20150137684 A KR20150137684 A KR 20150137684A KR 1020140065974 A KR1020140065974 A KR 1020140065974A KR 20140065974 A KR20140065974 A KR 20140065974A KR 20150137684 A KR20150137684 A KR 20150137684A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- laser
- carrier wafer
- carrier
- debonding
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 캐리어 웨이퍼에 본딩된 디바이스 웨이퍼를 디본딩하기 위한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저를 이용하여 디본딩 공정을 수행하여 디바이스 웨이퍼의 손상을 방지하고, 디본딩 공정 시간을 단축시킨 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 캐리어 웨이퍼에 본딩된 디바이스 웨이퍼를 디본딩하기 위한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저를 이용하여 디본딩 공정을 수행하여 디바이스 웨이퍼의 손상을 방지하고, 디본딩 공정 시간을 단축시킨 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 전자 기기의 소형화 및 박형화에 따라 인쇄회로기판에 형성된 회로의 고밀도화가 진전되고 있으며, 인접하는 전극과의 간격과 전극의 폭이 배우 좁아지고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 박형화나 소형화에 대한 요구도 높아지고 있다
반도체 웨이퍼 역시 두께는 가능한 한 얇으면서 기계적 강도는 저하되지 않도록 하는 기술의 개발이 진행되고 있다. 따라서 반도체 웨이퍼를 보다 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면을 연삭하는 이른바 백그라인드가 행해지고 있으며, 반도체 장치의 제조 공정은 번잡해지고 있다. 따라서 반도체 제조 공정의 간략화에 적합한 방법으로서 백그라인드 시에 반도체 웨이퍼를 유지하는 기능과 언더필 기능을 겸비하는 수지의 제안이 요구되고 있다.
이를 실현하기 위해서는, 반도체 회로가 형성된 기판의 비회로 형성면("이면"이라고도 함)을 연삭하고, 이면에 TSV를 포함하는 전극 형성을 행하는 공정이 필요하다. 실리콘 기판의 이면 연삭 공정에서는, 연삭면의 반대측에 이면 보호 테이프를 붙여 연삭시의 웨이퍼 파손을 방지하고 있다. 그러나 이 테이프는 유기수지 필름을 기재로 사용하고 있는데, 유기수지 필름 기재는 유연성이 있는 반면 강도나 내열성이 불충분하기 때문에 이면에서의 배선층 형성 공정을 행하기에는 적합하지 않다. 따라서 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착제를 통해 접합함으로써, 이면 연삭, 이면 전극 형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다.
여기서 중요한 문제는 기판을 지지체에 접합할 때의 접착제 및 접착 방법 이다. 특히, 접착제는 기판을 지지체에 간극 없이 접합할 수 있으며, 이후의 공정에 견딜 수 있을 만큼의 충분한 내구성이 필요하고, 최후에 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편하게 박리할 수 있어야 한다. 웨이퍼와 지지체는 최후에 박리되므로, 접착제는 임시 접착제라 불리기도 한다.
종래의 박리 방법으로서는, 열 용융성의 탄화수소 계 화합물을 접착제에 사용하여 가열 용융 상태에서 접합/박리를 행하는 기술이 공지된 바 있으며, 도 1에는 종래의 열을 이용한 디본딩 과정을 도시한 공정도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 종래의 열을 이용한 디본딩 방법은, 접착층(20)에 마이크로웨이브(100)를 인가하여 접착층(20)에 열을 발생시키는 단계와, 접착층(20)에 발생된 열로 접착층(20) 인자의 결합력이 감소하는 단계와, 디바이스 웨이퍼(40)로부터 캐리어 웨이퍼(10)를 물리적으로 분리하여 이탈시키는 단계를 포함하여 구성된다.
상술한 기술은 디본딩 공정을 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200 ℃를 초과하는 고온에서 열 안정성이 불충분하기 때문에 디바이스 웨이퍼의 손상이 우려되어 적용 범위가 좁아진 단점이 있다.
디바이스 웨이퍼의 손상을 방지하기 위한 디본딩 기술로 광 흡수성 물질을 포함하는 접착제를 사용하고 여기에 레이저와 같은 고강도의 빛을 조사하여 접착제층을 분해함으로써, 지지체로부터 접착제층을 박리하는 기술이 공지된 바 있으나, 레이저의 조사범위가 국부로 제한되기 때문에 광범위의 접착제층을 분해하는데 많은 시간이 걸려 공정 시간이 길어지는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼를 회전 시킨 상태에서 본딩 부에 레이저를 조사하여 국부적으로 조사되는 레이저의 조사 범위를 빠르게 확대하여 레이저 디본딩 공정 시간을 단축시킨 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법을 제공함에 있다.
또한, 캐리어 웨이퍼를 회전 시킨 후 레이저를 웨이퍼의 반경 방향으로 이동시켜 디본딩 공정을 수행하거나, 레이저를 선형 빔으로 굴절시키기 위한 렌즈를 구비하여 레이저 디본딩 공정 시간을 단축시킨 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 디본딩 장치는, 타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩 되도록 점착면이 형성되며, 레이저가 투과 가능한 재질로 이루어진 캐리어 웨이퍼; 상기 캐리어 웨이퍼의 일면을 투과하여 상기 점착면에 레이저가 조사되도록 상기 캐리어 웨이퍼의 일면 일측으로 이격 배치되는 레이저 조사기; 및 상기 캐리어 웨이퍼가 거치되며, 상기 캐리어 웨이퍼를 평면 방향에 직교하는 축을 회전축으로 하여 회전 시키는 회전부; 를 포함한다.
또한, 상기 점착면은, 상기 캐리어 웨이퍼의 둘레에서 내측으로 일정거리 영역에만 형성되며, 상기 캐리어 웨이퍼 상의 상기 점착면을 제외한 나머지 영역은 비점착면 또는 저점착면으로 이루어진다.
또한, 상기 레이저 조사기는, 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 이동시켜 조사하기 위한 반사부; 를 포함한다.
다른 실시 예로, 상기 디본딩 장치는, 상기 회전부의 타측에 구비되며, 상기 회전부를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 이동시키는 스테이지; 를 포함한다.
또 다른 실시 예로, 상기 레이저 조사기는, 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 형성되는 선형, 타원형, 원형 또는 각형으로 굴절하여 조사하기 위한 굴절부; 를 포함하며, 상기 레이저는, 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향 폭이 상기 점착면의 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향 폭과, 대응되도록 형성된다.
본 발명의 제1 실시 예에 따른 디본딩 방법은, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서, 타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하는 단계; 상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계; 및 상기 캐리어 웨이퍼가 1회전 한 후 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 반경 방향으로 이동시키는 단계; 를 포함하며, 상기 레이저의 반경방향 이동 거리는, 조사되는 상기 레이저의 직경보다 짧은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시 예에 따른 디본딩 방법은, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서, 타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하는 단계; 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 반경 방향을 따라 왕복 이동시키는 단계; 및 상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계; 를 포함하며, 상기 레이저가 반경방향 1회 왕복 시 상기 레이저의 원주방향 이동 거리는 레이저의 직경보다 짧은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 실시 예에 따른 디본딩 방법은, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서, 타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하되, 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 형성되는 선형, 타원형, 원형 또는 각형으로 굴절하여 조사는 단계; 및 상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계; 를 포함한다.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법은 화학적 디본딩 공정에 비해 공정 시간이 단축되며, 열 용융 디본딩 공정 시 열에 의해 발생될 수 있는 디바이스 웨이퍼의 손상을 최소화한 효과가 있다. 또한 캐리어 웨이퍼를 회전시킨 상태에서 레이저를 조사하여 디본딩 공정을 수행하기 때문에 종래의 레이저 조사부위를 이동시켜 디본딩하는 레이저 디본딩 공정에 비해 공정속도가 향상된 효과가 있다.
도 1은 종래의 디본딩 방법 공정도
도 2는 본 발명의 디본딩 장치 개략 사시도
도 3은 본 발명의 디본딩 공정을 도시한 단면도
도 4는 본 발명의 제1 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 5는 본 발명의 제2 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 6은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 7은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 장치에 따른 레이저 조사 형상을 도시한 부분평면도
도 8은 본 발명의 제1 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
도 9는 본 발명의 제2 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
도 10은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
도 2는 본 발명의 디본딩 장치 개략 사시도
도 3은 본 발명의 디본딩 공정을 도시한 단면도
도 4는 본 발명의 제1 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 5는 본 발명의 제2 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 6은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 장치 개략 사시도
도 7은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 장치에 따른 레이저 조사 형상을 도시한 부분평면도
도 8은 본 발명의 제1 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
도 9는 본 발명의 제2 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
도 10은 본 발명의 제3 실시 예의 디본딩 방법 부분 평면도
이하, 상기와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2에는 본 발명의 일실시 예에 따른 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치(1000, 이하 디본딩 장치)의 개략 사시도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 디본딩 장치(1000)는, 레이저 조사기(100), 캐리어 웨이퍼(200) 및 회전부(300)를 포함하여 구성된다. 레이저 조사기(100)는, 디바이스 웨이퍼(W)가 본딩된 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면에 레이저(L)를 조사하여 접착제층을 분해하고, 캐리어 웨이퍼(200)로부터 디바이스 웨이퍼(W)를 디본딩하기 위해 구성된다. 레이저 조사기(100)는 통상의 레이저(L)를 조사하기 위한 레이저 조사기가 적용될 수 있으므로 상세 설명은 생략한다.
캐리어 웨이퍼(200)는 디바이스 웨이퍼(W)의 강도를 보강하기 위한 구성으로 타면에 디바이스 웨이퍼(W)가 본딩 되며, 디바이스 웨이퍼(W)의 기계적 강도가 요구되는 제조 공정이 완료된 후 디바이스 웨이퍼(W)에서 디본딩 된다. 캐리어 웨이퍼(200)는 일정한 강도를 갖도록 두께가 있는 원판 형으로 이루어지며, 디바이스 웨이퍼(W)의 형상에 대응되도록 구성된다. 캐리어 웨이퍼(200)는 일면으로 조사되는 레이저가 투과하여 타면의 점착면에 전달되도록 투명 재질로 이루어질 수 있다. 일예로 유리 또는 투명아크릴이 적용될 수 있다.
회전부(300)는 디본딩 공정 시 캐리어 웨이퍼(200)를 거치하며, 디본딩 공정 속도를 빠르게 하기 위해 캐리어 웨이퍼(200)를 평면에 수직한 방향을 회전축으로 하여 회전시키도록 구성된다. 따라서 회전부(300)는 일면에 캐리어 웨이퍼(200)의 타면이 거치되는 거치대(310)와 거치대(310)를 회전시키기 위한 회전판(320)과 회전축(330)으로 구성될 수 있다. 회전축(330)을 회전시키기 위한 수단으로는 전기 또는 유압에 의해 회전하는 다양한 실시 예의 모터가 적용될 수 있는바 상세 설명은 생략한다.
상기와 같은 구성의 디본딩 장치(1000)를 이용한 디본딩 공정을 도면을 참조하여 간단히 설명하기로 한다. 도 3에는 본 발명의 일실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)를 이용한 디본딩 공정을 도시한 디본딩 장치(1000)의 단면도가 도시되어 있다.
도 3a를 참조하면, 캐리어 웨이퍼(200)의 타면에는 접착 부재를 통해 디바이스 웨이퍼(W)를 본딩하기 위한 점착면(220)이 형성된다. 이때 점착면(220)은 디본딩 공정 시간을 단축시키기 위해 캐리어 웨이퍼(200)의 둘레면에서 중심방향으로 일정거리에만 형성되도록 하며, 점착면(220)을 제외한 나머지 부에는 비점착면(210) 또는 저점착면이 형성된다.
도 3b에 도시된 바와 같이 점착면(220)에 레이저(L)를 조사하면, 점착면(220) 상에 도포된 접착부재가 분해되어 점착면(220)의 점착력이 감소거나 제거되며, 디바이스 웨이퍼(W)가 캐리어 웨이퍼(200)에서 분리 가능한 상태가 된다. 따라서 도 3c에 도시된 바와 같이 물리적인 힘을 가하여 캐리어 웨이퍼(200)로부터 디바이스 웨이퍼(W)를 분리하게 되며, 추가적인 공정을 통해 디바이스 웨이퍼(W)에 남아있는 접착 부재(B)를 제거함으로써 디본딩 공정이 완료된다.
상술된 바와 같은 본 발명의 디본딩 공정을 구현하기 위한 본 발명의 세부 실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
- 장치 실시 예 1(레이저 이동 형)
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)는, 레이저 조사기(100), 캐리어 웨이퍼(200) 및 회전부(300) 이외에 레이저 조사기(100)에 구비된 반사부(110)를 더 포함할 수 있다. 본실시 예의 레이저(L)는 점의 형태로 조사되는 제1 레이저(L1)로 가정하여 설명하기로 한다. 반사부(110)는 레이저 조사기(100)에서 조사되는 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 반경 방향으로 이동시켜 조사하기 위해 구성된다. 반사부(110)는 제1 레이저(L1)를 반사하여 위치가 변경된 제1 레이저(L1)를 조사하기 위한 미러가 적용될 수 있다.
이는 제1 레이저(L1)의 반경 방향 폭이 점착면(220, 도 3 참조)의 반경 방향 폭보다 작기 때문에 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면 중 어느 한 곳에 조사한 상태에서 회전부(300)를 통해 캐리어 웨이퍼(200)를 조사한다 하더라도, 점착면 전 역역에 레이저를 조사할 수 없다. 따라서 캐리어 웨이퍼(200)를 회전 시킨 상태에서 반사부(110)를 통해 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 반경 방향으로 서서히 이동시켜 점착면 전 역역에 레이저가 조사될 수 있도록 구성된다.
제1 레이저(L1)를 점착면 전 영역에 조사하기 위한 세부 구성은 디본딩 방법의 구체적인 실시 예에서 설명하기로 한다.
- 장치 실시 예 2(스테이지 이동 형)
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)는, 레이저 조사기(100), 캐리어 웨이퍼(200) 및 회전부(300) 이외에 회전부(300)의 하측에 구비된 스테이지(400)를 더 포함할 수 있다. 본실시 예의 레이저(L)는 점의 형태로 조사되는 제1 레이저(L1)로 가정하여 설명하기로 한다. 스테이지(400)는 레이저 조사기(100)를 통해 캐리어 웨이퍼(200)의 어느 한 부분에 고정되어 조사되는 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 반경 방향으로 이동시켜 조사하기 위해 구성된다. 스테이지(400)는 회전부(300)의 하측에 구비되어 회전부(300)를 캐리어 웨이퍼(200)의 반경 방향으로 이동시키기 위한 구성으로 회전부(300)를 직선 슬라이드 운동시키기 위한 레일 형 스테이지가 적용될 수 있다.
이는 제1 레이저(L1)의 반경 방향 폭이 점착면(220, 도 3 참조)의 반경 방향 폭보다 작기 때문에 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면 중 어느 한 곳에 조사한 상태에서 회전부(300)를 통해 캐리어 웨이퍼(200)를 조사한다 하더라도, 점착면 전 역역에 레이저를 조사할 수 없다. 따라서 캐리어 웨이퍼(200)를 회전 시킨 상태에서 반사부(110)를 통해 제1 레이저(L1)를 캐리어 웨이퍼(200)의 반경 방향으로 서서히 이동시켜 점착면 전 역역에 레이저가 조사될 수 있도록 구성된다.
제1 레이저(L1)를 점착면 전 영역에 조사하기 위한 세부 구성은 디본딩 방법의 구체적인 실시 예에서 설명하기로 한다.
- 장치 실시 예 3(선형 조사 형)
도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)는, 레이저 조사기(100), 캐리어 웨이퍼(200) 및 회전부(300) 이외에 레이저 조사기(100)에 구비된 굴절부(500)를 더 포함할 수 있다. 굴절부(500)는 레이저(L)를 다양한 형상의 제2 레이저(L2)로 굴절시켜 캐리어 웨이퍼(200)에 조사하기 위한 렌즈가 적용될 수 있다.
즉 레이저(L)를 반경 방향 폭이 증가된 제2 레이저(L2)의 형태로 굴절시켜 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면(220)에 조사하도록 하여 캐리어 웨이퍼(200)의 회전수를 줄여 디본딩 공정 시간을 단축시키기 위해 구성된다. 제2 레이저(L2)는 반경방향을 따라 형성되도록 하며, 세부 형상은 도 7에 도시된 바와 같이 선형, 타원형, 각형 또는 원형으로 이루어질 수 있다.
특히 제2 레이저(L2)의 반경방향 폭이 점착면(220)의 반경방향 폭에 대응되도록 구성할 경우 제2 레이저(L2)를 점착면(220)의 폭에 대응되도록 조사한 상태에서 캐리어 웨이퍼(200)를 한 번만 회전시키기 되면, 점착면 전 역역에 레이저가 조사되어 디본딩 공정 시간이 획기적으로 줄어들게 된다.
이하에서는 상기와 같이 구성된 본 발명의 일실시 예에 따른 디본딩 장치(1000)를 이용한 디본딩 방법의 다양한 실시 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
- 실시 예 1 (반경 이동 형 1)
도 8에 도시된 바와 같이 점착면(220)의 반경방향 최내측의 어느 한 부분에 제1 레이저(L1)를 조사한 상태에서 캐리어 웨이퍼(200)를 회전 시키면, 제1 레이저(L1)는 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면(220) 상에 원을 이루며 조사되게 된다. (A, B) 캐리어 웨이퍼(200)가 1회전 한 상태에서 제1 레이저(L1)를 반경방향 외측으로 이동 시킨 후(C), 캐리어 웨이퍼(200)를 회전 시키면, 제1 레이저(L1)는 상술된 원보다 큰 직경을 갖는 원을 이루며 조사하게 된다. (D, E) 상기 과정을 반복하게 되면, 점착면(220) 전 영역에 제1 레이저(L1) 조사가 이루어지게 된다. (F, G, H)
이때 제1 레이저(L1)의 반경 방향 이동 시 레이저가 점착면(220)에 조사되지 않는 영역이 없어야 하므로, 제1 레이저(L1)의 반경방향 이동 폭은, 조사되는 제1 레이저(L1)의 직경보다 짧게 구성될 수 있다.
- 실시 예 2 (반경 이동 형 2)
도 9에 도시된 바와 같이 점착면(220)의 반경방향 최내측의 어느 한 부분에 제1 레이저(L1)를 조사한 상태에서 캐리어 웨이퍼(200)를 회전시키고, 제1 레이저(L1)를 반경 방향으로 외측과 내측으로 번갈아 가며 왕복 운동시키게 되면, 도면에 도시된 바와 같이 점착면(220)을 원주방향을 따라 제1 레이저(L1)가 지그재그 형태로 이동하며 조사하게 되어 점착면(220) 전 영역에 제1 레이저(L1) 조사가 이루어지게 된다. (A, B, C, D, E, F)
이때, 캐리어 웨이퍼(200)의 점착면 전 영역에 레이저가 조사되어야 하므로 제1 레이저(L1)가 반경방향 1회 왕복 시 제1 레이저(L1)의 원주방향 이동 거리는 레이저의 직경보다 짧게 구성될 수 있다. 이는 제1 레이저(L1)의 반경방향 이동속도 및 캐리어 웨이퍼(200)의 회전 속도 조절을 통해 구현이 가능할 것이다.
- 실시 예 3 (선형 조사 형)
도 10에 도시된 바와 같이 점착면(220)의 반경방향 폭에 대응되는 선형의 제2 레이저(L2)를 조사한 상태에서 캐리어 웨이퍼(200)를 1회전 시키는 과정만으로 점착면(220) 전 영역에 레이저(L2) 조사가 이루어지게 된다.
본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안 된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.
1000 : 디본딩 장치
100 : 레이저 조사기 110 : 반사부
120 : 굴절부
200 : 캐리어 웨이퍼 210 : 비점착면
220 : 점착면
300 : 회전부 310 : 거치대
320 : 회전판 330 : 회전축
L : 레이저 L1 : 제1 레이저
L2 : 제2 레이저 W : 디바이스 웨이퍼
100 : 레이저 조사기 110 : 반사부
120 : 굴절부
200 : 캐리어 웨이퍼 210 : 비점착면
220 : 점착면
300 : 회전부 310 : 거치대
320 : 회전판 330 : 회전축
L : 레이저 L1 : 제1 레이저
L2 : 제2 레이저 W : 디바이스 웨이퍼
Claims (11)
- 타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩 되도록 점착면이 형성되며, 레이저가 투과 가능한 재질로 이루어진 캐리어 웨이퍼;
상기 캐리어 웨이퍼의 일면을 투과하여 상기 점착면에 레이저가 조사되도록 상기 캐리어 웨이퍼의 일면 일측으로 이격 배치되는 레이저 조사기; 및
상기 캐리어 웨이퍼가 거치되며, 상기 캐리어 웨이퍼를 평면 방향에 직교하는 축을 회전축으로 하여 회전 시키는 회전부;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 점착면은,
상기 캐리어 웨이퍼의 둘레에서 내측으로 일정거리 영역에만 형성되며, 상기 캐리어 웨이퍼 상의 상기 점착면을 제외한 나머지 영역은 비점착면 또는 저점착면으로 이루어진, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 레이저 조사기는,
상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 이동시켜 조사하기 위한 반사부;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 디본딩 장치는,
상기 회전부의 타측에 구비되며, 상기 회전부를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 이동시키는 스테이지;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 제 2항에 있어서,
상기 레이저 조사기는,
상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 형성되는 선형, 타원형, 원형 또는 각형으로 굴절하여 조사하기 위한 굴절부;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 제 5항에 있어서,
상기 레이저는, 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향 폭이
상기 점착면의 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향 폭과, 대응되도록 형성된, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치.
- 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서,
타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하는 단계;
상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계; 및
상기 캐리어 웨이퍼가 1회전 한 후 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 반경 방향으로 이동시키는 단계;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법.
- 제 7항에 있어서,
상기 레이저의 반경방향 이동 거리는, 조사되는 상기 레이저의 직경보다 짧은 것을 특징으로 하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법.
- 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서,
타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하는 단계;
상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 반경 방향을 따라 왕복 이동시키는 단계; 및
상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법.
- 제 9항에 있어서,
상기 레이저가 반경방향 1회 왕복 시 상기 레이저의 원주방향 이동 거리는 레이저의 직경보다 짧은 것을 특징으로 하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법.
- 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법에 있어서,
타면에 디바이스 웨이퍼가 본딩된 캐리어 웨이퍼의 점착면에 레이저를 조사하되, 상기 레이저를 상기 캐리어 웨이퍼의 중심에서 둘레 방향을 따라 형성되는 선형, 타원형, 원형 또는 각형으로 굴절하여 조사는 단계; 및
상기 캐리어 웨이퍼를 평면방향에 수직한 축을 회전축으로 하여 회전시키는 단계;
를 포함하는, 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140065974A KR20150137684A (ko) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140065974A KR20150137684A (ko) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150137684A true KR20150137684A (ko) | 2015-12-09 |
Family
ID=54873581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140065974A KR20150137684A (ko) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20150137684A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200085056A (ko) | 2019-01-04 | 2020-07-14 | (주)에이텍솔루션 | 실리콘 관통 전극 공정에서 사용되는 캐리어 웨이퍼 재생 방법 |
| KR102323999B1 (ko) | 2020-07-10 | 2021-11-09 | 주식회사 에이치와이씨코리아 | 웨이퍼 박리 장치 |
| WO2021230637A1 (ko) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 양진석 | 전자 소자의 디본딩 장치 및 방법 |
-
2014
- 2014-05-30 KR KR1020140065974A patent/KR20150137684A/ko active Search and Examination
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200085056A (ko) | 2019-01-04 | 2020-07-14 | (주)에이텍솔루션 | 실리콘 관통 전극 공정에서 사용되는 캐리어 웨이퍼 재생 방법 |
| WO2021230637A1 (ko) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | 양진석 | 전자 소자의 디본딩 장치 및 방법 |
| KR102323999B1 (ko) | 2020-07-10 | 2021-11-09 | 주식회사 에이치와이씨코리아 | 웨이퍼 박리 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI446420B (zh) | 用於半導體製程之載體分離方法 | |
| TWI355687B (ko) | ||
| EP2904636B1 (en) | Method and system for providing a releasable substrate on a carrier | |
| CN101930943B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| US9006085B2 (en) | Adhesive and protective member used in a wafer processing method | |
| JP2017079291A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP6189700B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| KR20080055505A (ko) | 웨이퍼 후면 액상접착제 도포를 이용한 반도체 패키지 제조용 인라인 시스템 | |
| TWI767022B (zh) | 基板處理方法及基板處理系統 | |
| JP2019514199A (ja) | ２枚の基板を接合する方法および装置 | |
| JP2016147342A (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
| JP2018200913A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| KR20150137684A (ko) | 레이저를 이용한 웨이퍼의 디본딩 장치 및 방법 | |
| TWI587426B (zh) | A manufacturing method of a semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP6506662B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP7217585B2 (ja) | 分割方法 | |
| TWI813624B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| JP2014204089A (ja) | ウェーハ搬送機構及びウェーハの加工方法 | |
| JP2016100346A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2018032777A (ja) | パッケージデバイスチップの製造方法 | |
| JPWO2020174529A1 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2004281659A (ja) | 保持部材及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2015095547A (ja) | ウェーハの分割方法 | |
| JP6808295B2 (ja) | 分割方法 | |
| KR102181999B1 (ko) | 확장 시트, 확장 시트의 제조 방법 및 확장 시트의 확장 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment |