TWI551897B - 偏光薄膜之製造方法 - Google Patents

Description

偏光薄膜之製造方法 發明領域

本發明係有關於一種使一聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面與另一聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面重合且使其界面雷射熔接之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法，及一種使用連結2片以上之聚乙烯醇系樹脂薄膜之原料薄膜製作偏光薄膜之偏光薄膜之製造方法。

發明背景

以往，聚乙烯醇系樹脂(PVA)薄膜作為顯示比較高吸水性之樹脂薄膜是已知的，且該聚乙烯醇系樹脂薄膜係使用於偏光薄膜之原料等。

液晶顯示裝置等之影像顯示裝置中係使用高品質之偏光薄膜，且該種偏光薄膜之製造方法係使聚乙烯醇系樹脂薄膜浸漬於膨潤浴或染色浴中，且實施在延伸浴中進行延伸處理等各種處理。

例如，由成為原料之帶狀聚乙烯醇系樹脂薄膜捲繞成卷狀之原料卷送出聚乙烯醇系樹脂薄膜(原料薄膜)，且往其長邊方向搬送原料薄膜並連續浸漬在膨潤浴或染色浴中後，在延伸浴中前後2處藉前述軋輥夾持原料薄膜，且藉由賦予送出速度差施加張力在原料薄膜上而使之延伸，藉此方法製造該種偏光薄膜。

但是，在如此之製造方法中，每次重新交換原料卷 且將新的原料薄膜捲掛在軋輥等上而設置在裝置上非常煩雜且浪費時間。因此，將在先行之原料薄膜之終端部上接合由下一原料卷送出之原料薄膜之前端部而連結之2原料薄膜，依序連續地供給至上述裝置。

以往，此時之接合方法採用膠帶及接著劑等之接著接合方法，藉鉚釘及線等之縫合接合方法，藉熱封器等之加熱熔融接合方法等。

但是，在如上述之方法中分別具有如下所述之問題。

．膠帶及接著劑等之接著接合之問題

在使原料薄膜浸漬於膨潤浴、染色浴等中之步驟中，接著劑之成分等溶出至藥液中，因此污染藥液，且可成為異物附著於製品之主要原因。此外，接著劑溶解於藥液或因藥液之成分膨潤，因此接合強度降低，且恐有在延伸步驟中達到所欲延伸倍率前在連結部產生斷裂之虞。

．藉鉚釘及線等之縫合接合的問題

在該方法中，在原料薄膜中穿設為了通過鉚釘及線等之孔，因此當在連結部施加張力時，恐有產生以前述孔為起點之斷裂之虞。

如果為了防此這種情形減少孔數以擴大地確保孔之間隔，則在施加張力時，恐有容易產生皺摺而在搬送時成為困擾之主要原因之虞。

．藉熱封器等之加熱熔融接合的問題

藉如下述專利文獻1及2等所示之熱封器接合之方法作為可謀求解決如上所述之接著接合及縫合接合等之問題的接合 方法是已知的。

該方法係直接接合接合之構件彼此，因此與接著接合比較，可在污損藥液之可能性低之情形下接合。又，與縫合接合比較，可使接合部呈均質之狀態，因此可防止皺摺等形成。

藉由如此進行藉熱封器之接合，與接著接合及縫合接合等比較，可在進行浸漬處理時抑制因藥液等產生之污損。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-171897號公報

專利文獻2：日本特開2010-8509號公報

發明概要

但是，藉熱封器之接合中，有熔接部之接合部及其周邊在熔接時因受熱而變性，且與未加熱之區域比較呈硬化狀態之傾向。因此，製造如上所述之偏光薄膜時，如果藉由熱封器接合由聚乙烯醇系樹脂薄膜構成之原料薄膜後，為賦予高偏光機能而以5.25倍以上之延伸倍率連續實施延伸處理，恐有應力集中在上述硬化區域及未硬化區域之邊界部份，且產生斷裂之虞。

因此，以往，亦考慮採用利用於樹脂製構件彼此接合等之雷射熔接的接合，取代如上述之熱封器。

習知之雷射熔接中，利用具有紅外或近紅外區域之波長的雷射光。又，在接合之2片薄膜之界面配置包含酞青系顏料等 之光吸收劑並使其重合，且進行在該重合處照射前述雷射光。

由於如此之雷射熔接選擇性地加熱界面部之極小區域，故可抑制在如上所述之接合部及其周邊之硬化，因此，可形成可耐受高延伸倍率之延伸處理的接合體。

但是，恐有殘存在熔接處周圍之光吸收劑污損藥液等之虞。

即，習知接合方法中，有形成具有適合進行浸漬在藥液等中之處理之接合部，且可耐受高延伸倍率之延伸之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合體很困難的問題。

有鑑於上述問題，本發明之課題在於提供一種可形成具有適合進行浸漬於藥液等中之處理之接合部，且可耐受高延伸倍率之延伸之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合體的聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法，及一種使用該聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合體的偏光薄膜之製造方法。

為解決上述課題之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法的本發明係使第一聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面重合且接合之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法，該方法係使前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜中至少一者之成為聚乙烯醇系樹脂薄膜之重合部份之區域的界面側吸水，以使相對於乾燥狀態之前述區域之厚度，吸水後之前述區域之厚度成為101%以上且110%以下，在該吸水後，重合前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜， 將在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光照射在前述吸水區域上，且使存在該吸水區域中之水吸收前述雷射光，而將前述重合部份之界面雷射熔接。

在此，乾燥狀態之前述區域之厚度係指在83℃之環境下放置1小時且重量呈平衡狀態時之前述區域的厚度。又，吸水後之厚度係指成為上述重合部份之區域吸水後，該區域之厚度呈平衡狀態時之前述區域的厚度。

又，本發明之偏光薄膜之製造方法係以藥液浸漬且延伸連結2以上之聚乙烯醇系樹脂薄膜之原料薄膜，藉此製作偏光薄膜之偏光薄膜之製造方法，且前述原料薄膜之前述連結係藉由如申請專利範圍第1項之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法實施。

1‧‧‧聚乙烯醇系樹脂薄膜薄膜

1a‧‧‧末端部

1b‧‧‧前端部

1ba‧‧‧膨潤部份；吸水區域

3‧‧‧原料薄膜供給部

4‧‧‧浸漬浴

4a‧‧‧膨潤浴

4b‧‧‧染色浴

4c‧‧‧交聯浴

4d‧‧‧延伸浴

4f‧‧‧洗淨浴

9‧‧‧軋輥

9a‧‧‧卷延伸部；夾持軋輥

10‧‧‧捲取部

11‧‧‧乾燥裝置；乾燥機

12‧‧‧積層用薄膜

20‧‧‧吸水部

30‧‧‧塗黑部；熔接部

40‧‧‧台座

50‧‧‧加壓構件

D1‧‧‧厚度

R‧‧‧雷射光

圖1是顯示用於實施形態之偏光薄膜之製造方法之裝置的概略立體圖。

圖2是顯示連結原料薄膜且供給至偏光薄膜之製造裝置之情形的概略立體圖。

圖3是顯示用以連結原料薄膜之連結裝置之主要部份之機構之概略正面圖。

圖4是顯示使原料薄膜吸水之情形之概略側面截面圖。

用以實施發明之形態

以下，舉適用於偏光薄膜之製造方法之實例，說明有關本發明之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法的實施形態。

更具體而言，一面舉例一面說明連結帶狀聚乙烯醇系樹脂薄膜彼此，且連續供給該等帶狀聚乙烯醇系樹脂薄膜至延伸裝置並製造偏光薄膜之情形。

首先，一面參照圖式一面說明用以實施本實施形態之偏光薄膜之製造方法的較佳延伸裝置。

本實施形態之延伸裝置包含：由帶狀聚乙烯醇系樹脂薄膜(以下亦稱為「原料薄膜」，或僅稱為「薄膜」)捲繞成卷狀之原料卷送出原料薄膜1之原料薄膜供給部3；用以將送出之原料薄膜1浸漬於預定藥液中之多數浸漬浴4；限制原料薄膜1之移動路徑，使原料薄膜1通過該浸漬浴4內之多數軋輥9；在該移動路徑中延伸原料薄膜1之延伸部；及，以浸漬於多數浸漬浴4中且延伸之薄膜作為偏光薄膜並捲取成卷狀之偏光薄膜捲取部10。

圖1、圖2是顯示較佳延伸裝置之一態樣的概略立體圖。

如圖1所示，由薄膜之流動方向上游側開始依序於延伸裝置中設置5種浸漬浴4作為多數浸漬浴4，即，貯存有使聚乙烯醇系樹脂薄膜膨潤之膨潤液的膨潤浴4a，貯存有將膨潤之薄膜染色之染色液的染色浴4b，貯存有使構成薄膜之樹脂之分子鏈交聯之交聯劑液的交聯浴4c，用以在浴內延伸薄膜之延伸浴4d，及，貯存有洗淨通過該延伸浴4d之薄膜之洗淨液的洗淨浴4f。

又，本態樣之延伸裝置，在薄膜之移動路徑中之洗淨浴4f的下游側且在捲取部10的上游側，具有使附著於薄膜之 洗淨液乾燥之乾燥裝置11，具體而言，乾燥烘箱。

此外，在本態樣之延伸裝置中，在以前述乾燥裝置11乾燥之薄膜之兩面側分別配置有捲繞成卷狀之表面保護薄膜(例如，三乙醯纖維素薄膜及環烯烴聚合物薄膜等)等的積層用薄膜12。又，具有用以使積層用薄膜12積層在乾燥後之薄膜之兩面的積層裝置(未圖示)。

前述延伸部係採用所謂卷延伸部9a。即，採用在前述移動路徑中，配置多數組構造成將薄膜夾持於其間且向流動方向下游側送出之成對夾持軋輥9a，且，流動方向下游側之組的圓周速度比上游側高速之構造。

此外，本延伸裝置具有，如圖2所示，在原料薄膜1之末端部1a通過限制之移動路徑之前，具體而言，通過浸漬浴4之前，用以藉雷射熔接連結原料薄膜1之末端部1a及在該原料薄膜1之後通過移動路徑內之新原料薄膜1之前端部1b的連結裝置(未顯示在圖2中)。

又，在圖2中，以塗黑部30顯示藉雷射照射而連結之部份。

接著，參照圖3說明較佳連結裝置。

該圖3係顯示藉雷射熔接接合原料薄膜彼此且藉此連結之連結裝置的概略構造圖。

圖3顯示由其側面向TD方向(寬度方向)觀看連結之新舊原料薄膜之連結裝置的正面圖。

如該圖3所示，前述連結裝置包括有平坦上面部之台座40；配置於該台座40上方，且配置成可往上下方向移動之加壓構件50；及，配置於該加壓構件50上方之雷射光源(圖未顯示)。 又，前述連結裝置係構造成使先行原料薄膜(第一聚乙烯醇系樹脂薄膜)1之末端部1a及與其連結之新原料薄膜1(第二聚乙烯醇系樹脂薄膜)之前端部1b在前述台座40上上下地重合，且一面以前述加壓構件50加壓該重合部份，一面由前述雷射光源照射雷射光R，藉此可使前述末端部1a與前述前端部1b之界面部加熱熔融而熔接。前述加壓構件50係以具有優異雷射光R透過性之透明構件構成。

又，前述連結裝置在面接於前述界面部之前述末端部1a或前述前端部1b中之任一表面(或兩面)設有用以預先吸收水分之吸水部，以便提高前述末端部1a與前述前端部1b之界面部之雷射光R的光吸收性，且可更有效率地實施熔接。

與採用用以在使雷射光向前述界面透過之上側薄膜(在圖3中係先行之原料薄膜(末端部1a))之下面吸水的吸水部比較，該吸水部採用用以在接合該薄膜之下側原料薄膜(前端部1b)之上面吸水的吸水部20(參照圖4)是特別理想的。

又，該吸水部可以用以塗布水之一般裝置構成，且可採用，例如，分配器，噴墨印刷器，網版印刷機，2流體式、1流體式或超音波式噴霧器，打印機，塗布器等作為該塗布裝置。

例如，採用超音波式噴霧器時，藉由適當設定光點(mmΦ)、噴霧量(mL/分)、掃描速度(mm/秒)、掃描次數(次)，可調整吸水之量(吸水量)。

又，使成為上述重合部份之區域吸水之方法除了可採用如上所述地藉由塗布水而吸水之方法以外，亦可採用藉由 調節進行雷射熔接之室內等之濕度環境，使原料薄膜表面全體吸水，藉此使末端部1a或前端部1b之界面側吸水的方法。如此，使上述重合部份吸水之水亦可為水蒸氣。

又，在該連結裝置中使用之雷射光係藉在新舊原料薄膜之重合部中間(界面)中吸收之水而被吸收，且具有使其發熱之功能。又，使用之雷射光宜具有對水之吸收感度高的波長。由該觀點來看，可採用在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長的雷射光。又雷射光源之種類是可產生如此之雷射光者，沒有特別限制。例如，用以照射如此雷射光之雷射可使用摻銩光纖雷射、摻釙YAG雷射及InGaAs半導體雷射。

由避免原料薄膜之分解且促進該原料薄膜之熔融之觀點來看，連續波之CW雷射比瞬間投入高能量之脈衝雷射好。

雷射光之輸出(功率)、光束尺寸及形狀、照射次數、及掃描速度等，只要對成為對象之聚乙烯醇系樹脂薄膜之吸水狀態及光吸收率之類的光學特性及構成原料薄膜之聚合物熔點、玻璃轉移溫度(Tg)之類的熱特性等之差異適當地最適化即可。例如，為了在雷射照射之部份中使聚乙烯醇系樹脂有效率地流動化而得到強固之接合，照射雷射光之功率密度係在200W/cm²至10,000W/cm²之範圍內為佳，在300W/cm²至5,000W/cm²之範圍內更佳，且在1,000W/cm²至3,500W/cm²之範圍內特佳。

此外，雷射光之累計照射量係在5J/cm²至400J/cm²之範圍內為佳，在10J/cm²至300J/cm²之範圍內更佳，且在30J/cm²至150J/cm²之範圍內特佳。

因此，最好在連結裝置中採用可滿足該等條件之雷射。

又，在連結裝置中使用之雷射光源宜可在新舊原料薄膜之界面以預定大小之光點徑(照射寬度)照射雷射光。

該光點徑(照射寬度)在滿足前述照射雷射密度之功率時，宜為新舊原料薄膜重合寬度之1/10以上且3倍以下。

小於重合寬度之1/10時，重合部之未接合部大，且接合後搬運時薄膜抖動，恐有妨礙薄膜之良好搬運性之虞。

又，當以超過3倍之寬度照射雷射光時，雖然不影響接合及延伸特性，但是由能量利用效率之觀點來看是不理想的。

較佳地，前述光點徑係前述重合寬度之1/5以上且2倍以下。

此外，新舊原料薄膜之重合寬度宜為0.1mm以上且小於50mm，並且0.5mm以上且小於30mm更佳。

這是因為重合寬度小於0.1mm時，重覆精度佳地重合配置大寬度之原料薄膜是困難的，且在50mm以上時，未接合區域變大，恐有接合後搬運時產生薄膜抖動之虞。

又，在新舊原料薄膜之重合部中，各原料薄膜之前端部之充分區域接合，藉此兩前端部在搬運中不抖動，在實現薄膜之良好搬運性方面是理想的。考慮該觀點時，在新舊原料薄膜之重合部份中未接合部之寬度宜為5mm以下，2mm以下更佳，且0mm(重合部份之全面接合)又更佳。

又，雷射光束之形狀可為圓形，且由得到更高功率密度之觀點來看，亦可為線狀。

在本實施形態中，前述連結裝置宜構造成沿重合之新舊原料薄膜之重合部份實施雷射熔接，以便可形成線狀之熔接部。例如，前述連結裝置宜具有用以藉聚光透鏡將經聚光成 所欲光束尺寸之點光束沿重合部份掃描的機構；藉使用圓柱透鏡及繞射光學元件之類的光學構件，將線狀之雷射光束整形且照射在原料薄膜之重合部份上的機構；及進一步沿重合部份配置多數雷射光源，藉無掃描同時照射整批熔融加熱接合之機構等。

在台座上加壓照射如此雷射光時重合之前述新舊原料薄膜(舊原料薄膜之末端部1a與新原料薄膜之前端部1b)的加壓構件50可使用對使用之雷射光顯示高透明性之玻璃製構件。

雷射光照射時之加壓強度宜在0.5至100kgf/cm²之範圍內，且在10至70kgf/cm²之範圍內更佳。

因此，在前述連結裝置中較佳地採用之加壓構件50只要是可以如此強度加壓之構件即可，且該玻璃構件之形狀沒有特別地限定，可使用，例如，平板、圓筒、球狀者。

玻璃構件之厚度未特別地限制，但是過薄時會因應變而無法良好地加壓，且過厚時雷射光之利用效率下降，因此雷射光透過方向之厚度宜為3mm以上且小於30mm，並且5mm以上且小於20mm更佳。

加壓構件50之材質可舉例如：石英玻璃、無鹼玻璃、TMEPAX、PYREX(註冊商標)、硼矽酸耐熱玻璃(vycol)、D263、OA10、AF45等。

為了提高雷射光R之利用效率，作為加壓構件利用之玻璃製構件宜對使用之雷射光波長具有高透明性，且宜具有50%以上之光透過率，並且具有70%以上之光透過率更佳。

又，使用如上述玻璃製構件構成加壓構件50時，可 在與聚乙烯醇系樹脂薄膜連接之部份形成緩衝性比前述玻璃製構件更優異之緩衝層，以便更均一地加壓更廣面積而可在全區域進行良好之接合。

即，可採用包含光透過性良好之橡膠片及具有良好緩衝性之透明樹脂片等之加壓構件50，例如，可採用背面側以玻璃製構件構成，且與聚乙烯醇系樹脂薄膜連接之前面側以透明橡膠片構成之加壓構件50。

為了形成前述緩衝層，例如，可使用矽橡膠、胺基甲酸脂橡膠等橡膠系材料及聚乙烯等之樹脂材料等。

該緩衝層之厚度宜為50μm以上且小於5mm，並且1mm以上且小於3mm更佳。

小於50μm時缺少緩衝性，且5mm以上時，因該緩衝層產生雷射光之吸收及散射，且恐有使到達前述末端部1a與前端部1b之接觸界面部之雷射光能量降低之虞。

該緩衝層對使用之雷射光波長宜具有30%以上之光透過率，且50%以上更佳。

關於與上述加壓構件合作加壓原料薄膜之重合部份之台座40，其材質沒有特別地限定，但是，例如，可採用以金屬、玻璃、橡膠、陶瓷等形成其上面部者。

但是，疊接(接合)大寬度之原料薄膜時，為了面內均一地加壓而在全區域中達成良好接合之目的，宜採用以硬度比較低，且具有緩衝性之橡膠系、樹脂系之材料形成上面部者。

又，亦可在台座40上面配置與上述緩衝層同樣之緩衝層。在台座40上配置時，用以形成緩衝層之材料之光學特性，即光 透過性等沒有特別限制，且除了如上述之矽橡膠以外，亦可使用例如，聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、降冰片烯樹脂、環烯烴聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、三乙醯纖維素等。

此外，雖然在此未詳述，但是如上述之連結裝置可採用一般雷射熔接裝置及在其周邊機器中利用之種種機構。

接著，就利用具有如此連結裝置之延伸裝置製造偏光薄膜的方法加以說明。

在本實施形態之偏光薄膜之製造方法中，實施使前述原料薄膜浸漬在膨潤浴4a中使其膨潤之膨潤步驟，使經膨潤之薄膜浸漬在染色浴4b中染色之染色步驟，使經染色之薄膜浸漬在交聯浴4c中而使構成薄膜之樹脂之分子鏈交聯的交聯步驟，在延伸浴4d內延伸該交聯步驟後之薄膜的延伸步驟，以洗淨浴4f洗淨該延伸步驟後之薄膜的洗淨步驟，在乾燥裝置11中使該經洗淨薄膜乾燥之乾燥步驟，在該乾燥後之薄膜上積層表面保護薄膜的積層步驟。

又，本實施形態之偏光薄膜之製造方法係藉由將一個原料薄膜裝設在前述原料薄膜供給部3上，且由該原料薄膜供給部3連續地送出原料薄膜，並在其移動路徑中實施上述步驟且實施將最後結束積層步驟之製品在偏光薄膜捲取部10中捲取成卷狀的捲取步驟來進行，且另外實施在前述原料卷終了之前，由新原料卷放出原料薄膜，並將該新原料薄膜之前端部1b連結在先行之原料卷之末端部1a上的連結步驟，藉此，繼續由該新原料卷供給原料薄膜至延伸裝置且連續地製造偏光薄膜。

此外，可採用如以下者作為供應至如此步驟之原料 薄膜(帶狀之聚乙烯醇系樹脂薄膜)。

在本實施形態之偏光薄膜之製造方法中使用之原料薄膜係藉吸收水而膨潤之樹脂薄膜，且可使用由作為偏光薄膜之原材料使用之聚乙烯醇系高分子樹脂材料構成之薄膜。具體而言，例如，可使用聚乙烯醇薄膜、部分皂化聚乙烯醇薄膜或聚乙烯醇之脫水處理薄膜等。

通常，該等原料薄膜係在如上述地捲繞成卷狀之原料卷之狀態下使用。

前述聚乙烯醇系樹脂薄膜之形成材料之聚合物的聚合度一般是500至10,000，且宜在1,000至6,000之範圍內，並且在1,400至4,000之範圍內更佳。

此外，若是部分皂化聚乙烯醇薄膜，其皂化度係，例如，由對水之溶解性來看，宜為75莫耳%以上，98%莫耳%以上更佳，且在98.3至99.8莫耳%之範圍內又更佳。

前述聚乙烯醇系樹脂薄膜可適當地使用以將溶解在水或有機溶劑中之原液流延成膜之流延法、鑄造法、擠壓法等任意方法成膜者。

原料薄膜之相位差值宜為5nm至100nm。

又，為了得到面內均一之偏光薄膜，聚乙烯醇系樹脂薄膜面內之相位差偏差宜儘可能小，且作為原料薄膜之聚乙烯醇系樹脂薄膜之面內相位差偏差在測定波長1000nm中宜為10nm以下，且5nm以下更佳。

又，聚乙烯醇系樹脂薄膜之厚度宜為20至100μm。由於該厚度為20至100μm，可更確實地接合聚乙烯醇系樹脂薄 膜彼此。

通常，該聚乙烯醇系樹脂薄膜之含水率多半是0.6質量%。即，通常，在後述吸水前，聚乙烯醇系樹脂薄膜之含水率為0.6質量%以下。又，雷射熔接時之聚乙烯醇系樹脂薄膜之吸水狀態將在以下說明。

接著，就以前述延伸裝置使上述原料薄膜延伸以便加工偏光薄膜之各步驟加以說明。

(膨潤步驟)

在該步驟中，例如，藉前述軋輥9將由原料薄膜供給部3送出之原料薄膜一面維持一定之移動速度一面引導至以水充滿之膨潤浴4a中，使前述原料薄膜浸漬在水中。

藉此可水洗原料薄膜，且洗淨原料薄膜表面之污垢及堵塞防止劑，同時可期待藉以水使原料薄膜膨潤來防止染色不均等不均一性的效果。

在前述膨潤浴4a中之膨潤液中，除了水以外，亦可適當添加甘油及碘化鉀等，且添加該等甘油及碘化鉀時，其濃度係甘油宜為5質量%以下，且碘化鉀宜為10質量%以下。

膨潤液之溫度宜為20至45℃之範圍，且25至40℃更佳。

前述原料薄膜浸漬於前述膨潤液中之浸漬時間宜為2至180秒，10至150秒更佳，且30至120秒特佳。

又，在該膨潤浴中亦可使聚乙烯醇系樹脂薄膜往長邊方向延伸，此時之延伸倍率亦包含因膨潤之伸展且宜為1.1至3.5倍左右。

(染色步驟)

使經過前述膨潤步驟之薄膜，與膨潤步驟同樣地藉軋輥9浸漬在貯存在染色浴4b中之染色液中且實施染色步驟。

例如，可採用將經過膨潤步驟之聚乙烯醇系樹脂薄膜浸漬在含有碘等之二色性物質之染色液中，藉此使上述二色性物質吸附在該薄膜上之方法實施前述染色步驟。

前述二色性物質可使用以往習知之物質，且可舉碘及有機染料等為例。

有機染料可使用，例如，紅BR、紅LR、紅R、粉紅LB、玉紅BL、棗紅GS、天藍LG、檸檬黃、藍BR、藍2R、海軍藍、天藍LG、紫LB、紫B、黑H、黑B、黑GSP、黃3G、黃R、橙LR、橙3R、緋紅KGL、剛果紅、亮紫BK、超藍(Supra Blue)G、超藍GL、超橙GL、直接(direct)天藍、直接耐曬(direct fast)橙S、耐曬黑等。

該等二色性物質可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

使用前述有機染料時，例如，由謀求可見光區域之中和化方面來看，宜組合兩種以上。

具體例可舉剛果紅與超藍G、超橙GL與直接天藍之組合，或直接天藍與耐曬黑之組合為例。

前述染色浴之染色液可使用將前述二色物質溶解於溶劑中之溶液。

前述溶劑一般可使用水，亦可再添加具有與水相溶性之有機溶劑使用。

該染色液中之二色性物質之濃度宜為0.010至10質量%之範圍，0.020至7質量%之範圍更佳，且0.025至5質量%之範圍特 佳。

此外，使用碘作為前述二色性物質時，可更進一步提高染色效率，因此宜再添加碘化物。

該碘化物可舉碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等為例。

該等碘化物之添加比例，在前述染色浴中，宜為0.010至10質量%，且以0.10至5質量%更佳。

在該等碘化物中，添加碘化鉀特別理想，且碘與碘化鉀之比例(質量比)宜為1：5至1：100之範圍，1：6至1：80之範圍更佳，且1：7至1：70之範圍特佳。

薄膜在前述染色浴中之浸漬時間未特別限定，但是宜為0.5至20分之範圍，且1至10分之範圍更佳。又，染色浴之溫度宜為5至42℃之範圍，且10至35℃之範圍更佳。

又，在該染色浴中亦可使薄膜往長邊方向延伸，且此時之累積總延伸倍率宜為1.1至4.0倍左右。

此外，除了如前述之浸漬在染色浴中的方法以外，染色步驟亦可採用，例如，將含有二色性物質之水溶液塗布或噴霧在前述薄膜上之方法。

又，在本發明中，亦可採用不進行染色步驟，以預先混合二色性物質之聚合物原料成膜之薄膜。

(交聯步驟)

接著，將經過染色步驟之薄膜導入貯存交聯劑液之交聯浴4c，且將薄膜浸漬在前述交聯劑液中而實施交聯步驟。

前述交聯劑可使用以往習知之物質。

例如，可使用硼酸、硼砂等硼化合物，乙二醛，及戊二醛等。

該等物質可僅使用一種，亦可併用兩種以上。

併用兩種以上時，例如，硼酸與硼砂之組合是理想的，又，其添加比例(莫耳比)宜為4：6至9：1之範圍，5.5：4.5至7：3之範圍更佳，且6：4最佳。

前述交聯浴之交聯劑液可使用將前述交聯劑溶解於溶劑中者。

前述溶劑，例如，可使用水，但是亦可再併用具有與水相溶性之有機溶劑。前述交聯劑液中之交聯劑的濃度未特別限定，但是宜為1至10質量%之範圍，且2至6質量%更佳。

前述交聯浴之交聯劑液中亦可添加碘化物以便在偏光薄膜上賦予面內均一特性。

該碘化物可舉碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等為例。添加該等碘化物時之碘化物含量宜為0.05至15質量%，且0.5至8質量%更佳。

交聯劑與碘化物之組合宜為硼酸與碘化鉀之組合，且硼酸與碘化鉀之比例(質量比)宜為1：0.1至1：3.5之範圍，且1：0.5至1：2.5之範圍更佳。

通常，前述交聯浴中之交聯劑液的溫度宜為20至70℃之範圍。通常，聚乙烯醇系樹脂薄膜之浸漬可為1秒至15分之範圍內之任一時間，且宜為5秒至10分。

該交聯步驟中，在交聯浴中亦可使薄膜往長邊方向延伸， 且此時之累積總延伸倍率宜為1.1至5.0倍左右。

又，交聯步驟，與染色步驟同樣地，亦可藉塗布或噴霧含有交聯劑溶液之方法，取代浸漬於交聯劑液中之處理方法來實施。

(延伸步驟)

前述延伸步驟係將經染色、交聯之薄膜往其長邊方向延伸，例如，使其累積總延伸倍率為2至8倍左右的步驟，在濕式延伸法中，在將薄膜浸漬在貯存於延伸浴中之溶液中的狀態下在其長邊方向上施加張力來實施延伸。

貯存於延伸浴中之溶液沒有特別限制，但是，例如，可使用添加各種金屬鹽、碘、硼或鋅之化合物的溶液。

該溶液之溶劑可適當地使用水、乙醇或各種有機溶劑。

特別理想的是使用分別添加硼酸及/或碘化鉀2至18質量%左右之溶液。

同時使用該硼酸與碘化鉀時，含有比例(質量比)宜使用1：0.1至1：4左右之比例，且更佳地是使用1：0.5至1：3左右之比例。

前述延伸浴中之溶液溫度，例如，宜為40至67℃之範圍，且50至62℃更佳。

(洗淨步驟)

該洗淨步驟係，例如，使前述原料薄膜通過貯存水等洗淨液之洗淨浴，藉此清洗藉在此之前之處理附著之硼酸等不需要殘存物的洗去步驟。

在前述水中宜添加碘化物，例如，宜添加碘化鈉或碘化鉀。

使用將碘化鉀添加至水中之水溶液作為洗淨浴時，其濃度通常為0.1至10質量%，且宜為3至8質量%。

此外，洗淨液之溫度宜為10至60℃，且15至40℃更佳。

又，洗淨處理之次數，即，浸漬於洗淨液後，由洗淨液撈起之重覆次數沒有特別限制而可為多數次，亦可在多數洗淨浴中貯存添加物之種類及濃度等不同的水溶液，且使薄膜通過該等水溶液，藉此實施洗淨步驟。

此外，使薄膜由各步驟中之浸漬浴撈起時，為了防止產生液垂落之情形，亦可使用以往習知之夾輥等切液輥，或藉空氣刀削落液等之方法，藉此去除多餘水分。

(乾燥步驟)

在前述洗淨步驟中進行洗淨之薄膜可導入前述乾燥裝置11，且以自然乾燥、風乾燥、加熱乾燥等適當之最適合方法乾燥而實施該乾燥步驟。

其中，如果實施藉加熱乾燥之乾燥步驟，則加熱乾燥之條件宜為加熱溫度20至80℃左右，乾燥時間1至10分鐘左右。

此外，乾燥溫度係以不論前述方法為何都可防止薄膜之劣化為目的且宜儘可能為低溫。

更佳的是60℃以下，且45℃以下特佳。

(積層步驟)及(捲取步驟)

在本實施形態中，實施藉偏光薄膜捲取部10捲取捲取經過如上之步驟之原料薄膜的捲取步驟，藉此可得到經捲繞成卷狀之偏光薄膜。

此外，在本實施形態中，亦可在實施使藉乾燥步驟乾燥之 偏光薄膜表面單側或兩側上積層適當表面保護用薄膜等之積層步驟後，實施捲取步驟。

如此製造之偏光薄膜之最終總延伸倍率宜為相對於原料薄膜，在5.25至8.0倍之範圍內之任一延伸倍率，且在6.0至7.0倍之範圍內之任一延伸倍率更佳。

如上述之延伸倍率是理想的原因是最終總延伸倍率小於5.25倍時，難以得到具有高偏光特性之偏光薄膜，且當超過8.0倍時，恐有在薄膜上產生斷裂之虞。

(連結步驟)

藉橫跨原料卷之全長地實施如上述之步驟，可更有效率地連續製造偏光薄膜。又，在本實施形態中，在該原料卷全部供給至延伸裝置之前，再由下一原料卷放出聚乙烯醇系樹脂薄膜(原料薄膜)，實施連結該新原料薄膜之前端部1b與藉延伸裝置實施各步驟之原料卷之末端部1a的連結步驟。

使末端部1a及前端部1b中至少一端部之成為重合部份之區域的界面側吸水，且將雷射光照射在藉由上述吸水膨潤之區域上，並使存在該吸水區域中之水吸收前述雷射光且進行雷射熔接，藉此實施該連結步驟。因此，可使上述吸水區域發熱且使該區域中之分子運動活潑化，並且產生界面相熔，且熔接重合部份。

又，雷射光係將在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光照射在上述吸水區域上，且使存在該吸水區域中之水吸收上述雷射光並實施上述雷射熔接。

此外，在該吸水時，使末端部1a及前端部1b中至少 一端部之成為重合部份之區域的上述界面側吸水，以使相對於乾燥狀態之上述區域之厚度(D2)，吸水後之上述區域之厚度(D1)為101%以上且110%以下。

乾燥狀態之厚度D2係在83℃之環境下放置1小時且重量呈平衡狀態時之上述區域的厚度，且吸水後之厚度D1係成為上述重合部份之區域吸水後，該區域之厚度呈平衡狀態時之該區域的厚度。

該乾燥狀態之厚度D2、吸水後之厚度D1(參照圖4)可以實施例記載之方法測量。又，在圖3、4中，模式地顯示在前端部1b之上述界面側之藉吸水膨潤之部份的一例(符號1ba)。

使上述成為重合部份之區域之上述界面側吸水，以使相對於乾燥狀態之厚度D2，吸水後之厚度D1小於101%時，存在上述吸水區域，即膨潤區域之水所吸收之雷射光量會過少。因此，無法產生用以使重合部份之界面熔接之足夠熱，且恐有2片原料薄膜無法充分熔接之虞。又，恐有因此雷射光之吸收效率降低，且製造效率亦降低之虞。

相對於此，藉由吸水而使相對於乾燥狀態之厚度D2，吸水後之厚度D1為101%以上時，可使存在成為上述重合部份之區域之水所吸收之雷射光量足夠多。因此，可產生用以熔接重合部份之界面之足夠熱，且充分地熔接2片區域。又，因此，可提高雷射光之吸收效率。考慮該等觀點時，宜吸水而使相對於乾燥狀態之厚度D2，吸水後之厚度D1為103%以上，且吸水成為105%以上更佳。

又，吸水使相對乾燥狀態之厚度D2，吸水後之厚度 D1為超過110%時，存在上述吸水區域之水所吸收之雷射光量會過多。因此，會產生過多之熱，故在前端部1b或末端部1a中，因發熱而非晶質化之區域由界面往厚度方向過度擴大，所以恐有接合部之機械強度降低之虞。由於如此接合部之機械強度降低，在上述延伸裝置中以5.25倍以上之延伸倍率延伸接合部時，恐有產生裂斷，無法連續製造偏光薄膜之虞。又，由於末端部1a或前端部1b往厚度方向過度膨潤，故在與相反側之前端部1b或末端部1a重合時，恐有兩者之位置容易產生偏差且定位會困難之虞。

如上述地吸水使相對於乾燥狀態之厚度D2，吸水後之厚度D1為101%以上且110%以下時，上述吸水區域之含水率宜為3質量%以上且40質量%以下，且5質量%以上且20質量%以下更佳。含水率小於3質量%時，恐有相對於存在上述吸水區域之水，充分地吸收雷射光是困難的，且導致雷射光之吸收效率及雷射熔接之熔接效率降低之虞。另一方面，超過40質量%時，恐有上述吸水區域過度膨潤且使末端部1a與前端部1b重合時，位置偏差變大之虞。

如上述之連結方法，具體而言，可如下地實施。例如，在先行薄膜之末端部1a與新薄膜之前端部1b內，配置於下側之前端部1b表面上，藉由具有超音波式噴霧器之吸水部20塗布水，且使其吸水。此時，使該表面吸水，以使相對於乾燥狀態之前端部1b之厚度，膨潤之前端部1b(參照圖4)之厚度為101%以上且110%以下。然後，在台座40上上下重合配置新觀原料薄膜，使末端部1a與前端部1b之重合部之寬度為0.1mm以 上且小於50.0mm。又，一面以前述加壓構件50加壓該重合部份，一面將在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光照射在上述吸水區域上，且使存在該區域中之水吸收。因此，如上所述，在薄膜界面使樹脂互相相熔且形成熔接部30。如此，可連結原料薄膜。

習知之雷射熔接係藉如使用酞青系之顏料及萘酞青系之顏料，且照射在800nm至1200nm之範圍內具有峰波長之雷射光的常規實施。但是，本實施例係，如上所述地，利用在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光並且利用水作為吸收劑取代如上述之顏料。

因此，可不使用酞青系顏料及萘酞青系顏料之類的高價光吸收劑，或即使使用亦極力減低其使用量且可實施聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合。因此，可減少原料成本。又，不使用光吸收劑時，可不需要用以實施該光吸收劑之塗布步驟之設備或因採用該塗布步驟產生之工程管理負擔，因此可減少工程上之成本。

此外，由於可如上所述地抑制光吸收劑之使用，故可提供污損藥液之可能性低者作為偏光薄膜之原料薄膜。又，由於如此污損藥液之可能性低，故可謀求減少藥液淨化所需之工夫，且可防止顏料附著於連結部以外之作為偏光薄膜利用之部份而使產率降低。

又，如本實施形態實施雷射熔接時，即使就延伸倍率方面而言，與藉熱封器之熔接相比亦是有利的。

以下就此具體地說明。例如，將藉由以熱封器連結形成接 合部及在其周邊之大硬化區域之原料薄膜供給至上述延伸裝置，且令總延伸倍率為延伸到5.25倍左右時，應力會集中在該硬化區域與不硬化之間的邊界部份。結果，在該邊界部份中，會在延伸時產生原料薄膜之斷裂。

另一方面，在本實施形態中由於如上所述地進行雷射熔接，故在新舊原料薄膜之重合部份中只使界面及其附近選擇地(局部地)發熱且加熱後，因為是局部的，所以可使其急冷，因此可防止接合部及其周邊硬化。藉此，可抑制受熔接之熱影響之區域的硬化，且可使該受熱影響之區域與與未受熱影響之區域之延伸性近似，因此可抑制原料薄膜之斷裂且實施高延伸倍率之延伸。

如此在本實施形態之連結步驟中，即使以為了賦予高偏光機能所需要之5.25倍以上之高延伸倍率延伸，亦可形成斷裂之可能性低之聚乙烯醇系樹脂薄膜接合體。此外，即使如此以高延伸倍率延伸亦可抑制斷裂，因此即使在延伸接合部及其周邊時亦可不變更延伸條件，連續地延伸2以上之原料薄膜。因此，製造偏光薄膜時，可得到提高作業效率、提高生產性、提高產率及削減材料損失之效果。

如上所述，在實施形態中，具有適合進行浸漬於藥液等之處理之接合部，且可形成可耐受高延伸倍率之延伸之聚乙烯醇系樹脂薄膜的接合體。又，可有效率地製造偏光薄膜。

此外，藉本實施形態中舉例說明之製造方法製造之偏光薄膜的厚度未特別地限定，但是宜為5至40μm。

若厚度為5μm以上則機械強度不會降低，且若厚度為40μm 以下則光學特性不會降低，即使使用於影像顯示裝置亦可實施薄型化。

藉本實施形態製造之偏光薄膜可使用於液晶顯示裝置等作為積層在液晶單元基板上之偏光薄膜等。又，除了液晶顯示裝置以外，該偏光薄膜可作為電致發光顯示裝置、電漿顯示器及場發射顯示器等之各種影像顯示裝置中的偏光薄膜使用。

又，在實際使用時，可將各種光學層積層在上述偏光薄膜之兩面或單面上作為光學薄膜，或施加各種表面處理，且使用在液晶顯示裝置等之影像顯示裝置中。

前述光學層只要滿足所要求之光學特性即可，沒有特別限制，但是，例如，除了以保護偏光薄膜為目的之透明保護層，以視覺補償為目的之配向液晶層，用以積層其他薄膜之黏著層以外，亦可使用用於形成偏光轉換元件、反射板、半透過板、相位差板(包含1/2及1/4等波長板(λ板))、視覺補償薄膜、亮度提高薄膜等之影像顯示裝置等的薄膜。

前述表面處理可舉硬塗層處理、防止反射處理、以防止沾黏或擴散或防眩光為目的之表面處理為例。

如上所述，本實施形態之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法係使第一聚乙烯醇系樹脂薄膜1之表面及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜1之表面重合且接合之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法，且使前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜1中至少一者之成為聚乙烯醇系樹脂薄膜之重合部份之區域的界面側吸水，以使相對於乾燥狀態之前述區域之厚度D2，吸水後之前述區域之厚度D1為101%以上且110%以下，且在該吸水後，重合 前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜1，又，將在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光R照射在前述吸水區域(在本實施形態中為1ba)上，且使存在該吸水區域中之水吸收前述雷射光R，並雷射熔接前述重合部份之界面。

如此，藉由使第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜1中至少一者之成為上述重合部份之區域的上述界面側吸水，可膨潤成為該重合部份之區域。又，在該吸水後，重合第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜1，且將雷射光R照射在上述吸水區域上，使存在該吸水區域中之水吸收前述雷射光R，藉此可使上述吸水區域發熱且使該區域中之分子運動活潑化，因此，可熔接重合部份。

因此，可抑制以往為了吸收雷射光所使用之光吸收劑的使用。因此，可形成具有適於進行浸漬於藥液等之處理之接合部的樹脂薄膜接合體。

又，藉由使上述成為重合部份之區域吸水膨潤，使相對於乾燥狀態之厚度，吸水後之上述區域之厚度為101%以上且110%以下，可使存在上述吸水區域之水所吸收之雷射光量為適當量。因此，可產生使重合部份之界面熔接之適當熱，且適當地熔接該重合部份。

因此，可抑制接合部及其周邊之硬化。

此外，藉由使用在1.9μm至2.2μm之範圍內具有峰波長之雷射光，可提高雷射光對水之吸收感度，因此可使聚乙烯醇系樹脂薄膜有效率地發熱。

因此，可形成具有適合進行浸漬於藥液等之處理之接合 部，且可耐受高延伸倍率之延伸之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合體。

又，本實施形態之偏光薄膜之製造方法係以藥液浸漬且延伸連結2以上之聚乙烯醇系樹脂薄膜之原料薄膜，藉此製作偏光薄膜之偏光薄膜之製造方法，且前述原料薄膜之前述連結係藉由如申請專利範圍第1項之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法實施。

如此，藉由以藉上述接合方法接合之聚乙烯醇系樹脂薄膜1作為原料薄膜且製作偏光薄膜，可在浸漬於藥液4中時抑制該藥液之污損。又，可抑制施行高延伸倍率之延伸時原料薄膜之斷裂。此外，由於即使如此施行高延伸倍率之延伸亦可抑制斷裂，故不需要只在延伸接合部及其周邊時降低延伸倍率進行延伸以避免斷裂之類的煩雜操作，因此可有效率地製作偏光薄膜。

此外，在本實施形態中係舉出使用用以製造偏光薄膜之原料薄膜且接合聚乙烯醇系樹脂薄膜之情形的實例，但是本發明之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法不一定受限於如上述之原料薄膜之接合方法。又，本發明之偏光薄膜之製造方法亦不受限於上述實施例顯示之製造方法。此外，本發明之聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法及偏光薄膜之製造方法亦不受限於上述之作用效果。

實施例

以下舉實施例進一步詳細說明本發明，但是不發明不受限於該等說明。

(基本條件) ．原料薄膜：

聚乙烯醇系樹脂(PVA)薄膜(KURARAY(股)公司製，30mm，製造商標示厚度75μm)

．重合寬度

1.5mm寬度

(加熱熔融接合手段) ．水塗布方式：

超音波式噴霧器(光點徑5mmΦ，流量0.4mL/分，掃描速度10mm/秒，塗布次數1次)

．雷射：

摻銩光纖雷射(波長2μm，功率100W，光點徑2mmΦ，功率密度3,183W/cm²，掃描速度50mm/秒，塗布次數1次，累計照射量127.3J/cm²，頂帽型光束)

．加壓構件：

石英玻璃板(10mm厚)

．加壓條件：

以加重50kgf/cm²壓在原料薄膜重合部上

(原料薄膜厚度之測量方法) ．乾燥狀態之厚度

將PVA薄膜切成1mm寬×7mm長之薄長方形狀且製作試驗片。使用乾燥機(三洋電機公司製)，且將試驗片放置在83℃之環境下1小時，使其重量呈平衡狀態。由該乾燥機取出試驗片後快速地固定在固定夾具上且使其浸漬並凍結在液態氮中。接 著，切斷凍結之試驗片，且利用Cryo FIB SEM(FEI公司製，Helios Nano Lab 600)進行斷面觀察，並且測量試驗片(PVA薄膜)之乾燥狀態之厚度。又，Cryo FIB SEM之條件為加速電壓1kV，觀察倍率500倍及1000倍。

．吸水後之厚度

將與用以製造者同樣之PVA薄膜切成1mm寬×50mm長之薄長方形狀且製作試驗片。使用與上述水之塗布方法同樣之條件及下述各條件，使試驗片吸水。如此使試驗片吸水後，固定在固定夾具上，且在吸水結束後1分鐘後浸漬在液態氮中，使試驗片凍結。接著，切斷試驗片，且以與上述相同之條件利用Cryo FIB SEM進行斷面觀察，並且測量試驗片(PVA薄膜)之吸水後之厚度。

(實施例1)

藉由超音波式噴霧器將水塗布在重合配置之2片PVA薄膜之原料薄膜內之下側原料薄膜上。即，以包含在下側原料薄膜中上側之成為原料薄膜之界面之部份的方式，以上述基本條件塗布水，藉此使下側之原料薄膜之界面側吸水膨潤。

此時，PVA薄膜中之乾燥狀態之厚度為74μm，吸水後之厚度為76μm。由該等值，藉由將吸水後之厚度對乾燥狀態之厚度(吸水後之厚度/乾燥狀態之厚度)×100算出為103%。

又，使上側之原料薄膜與如上述地吸水之下側原料薄膜重合，且由上述之原料薄膜上方以上述基本條件照射雷射光，並且接合兩原料薄膜。結果，未使用特別之光吸收劑，且確認良好之接合性。又，將得到之接合體之接合部浸漬在30℃ 之水中1分鐘，結果確認沒有如由接合部溶出之異物。

此外，在得到之接合部中將接合部前後切出大約50mm長度，且延伸成使總延伸倍率在膨潤浴中為2.6倍，在染色浴中為3.4倍，在交聯浴中為3.6倍，在延伸浴中為5.5倍，且進一步浸漬在洗淨浴中，並且批式地製造偏光薄膜。結果，可沒有斷裂地製造偏光薄膜。由此可知，可使用2以上之原料薄膜，連續地製造偏光薄膜。

(實施例2)

除了超音波式噴霧器之流量為0.3mL/分，且塗布次數(掃描次數)為2次以外，以上述基本條件，將水塗布在下側之原料薄膜上。又，除了雷射光之功率為80W，功率密度為2,546W/cm²，且累計照射量為101.9J/cm²以外，與實施例1同樣地，接合上側之原料薄膜與下側之原料薄膜。此時，PVA薄膜中之乾燥狀態之厚度為60μm，吸水後之厚度為63μm。由該等值，藉由將吸水後之厚度對乾燥狀態之厚度(吸水後之厚度/乾燥狀態之厚度)×100算出為105%。

如此接合之結果是未使用特別之光吸收劑，且確認良好之接合性。又，將得到之接合體之接合部與實施例1同樣地浸漬在水中，結果確認沒有起因於接合部之異物。

此外，使用得到之接合部，與實施例1同樣地批式製造偏光薄膜，結果可沒有斷裂地製造偏光薄膜。由此可知，可使用2以上之原料薄膜，連續地製造偏光薄膜。

(實施例3)

除了超音波式噴霧器之流量為0.3mL/分以外，以上述基本 條件，將水塗布在下側之原料薄膜上。又，以與實施例1同樣之條件接合上側之原料薄膜與下側之原料薄膜。此時，PVA薄膜中之乾燥狀態之厚度為75μm，吸水後之厚度為78μm。由該等值，藉由將吸水後之厚度對乾燥狀態之厚度(吸水後之厚度/乾燥狀態之厚度)×100算出為104%。

如此接合之結果是未使用特別之光吸收劑，且確認良好之接合性。又，將得到之接合體之接合部與實施例1同樣地浸漬在水中，結果確認沒有起因於接合部之異物。

此外，使用得到之接合部，與實施例1同樣地批式製造偏光薄膜，結果可沒有斷裂地製造偏光薄膜。由此可知，可使用2以上之原料薄膜，連續地製造偏光薄膜。

(實施例4)

除了塗布次數為2次以外，以上述基本條件，將水塗布在下側之原料薄膜上。又，以與實施例1同樣之條件接合上側之原料薄膜與下側之原料薄膜。此時，PVA薄膜中之乾燥狀態之厚度為73μm，吸水後之厚度為79μm。由該等值，藉由將吸水後之厚度對乾燥狀態之厚度(吸水後之厚度/乾燥狀態之厚度)×100算出為108%。

如此接合之結果是未使用特別之光吸收劑，且確認良好之接合性。又，將得到之接合體之接合部與實施例1同樣地浸漬在水中，結果確認沒有起因於接合部之異物。

此外，使用得到之接合部，與實施例1同樣地批式製造偏光薄膜，結果可沒有斷裂地製造偏光薄膜。由此可知，可使用2以上之原料薄膜，連續地製造偏光薄膜。

(比較例1)

除了使用商品名「Clearweld LD120C」(美國Gentex公司製，溶劑丙酮)之近紅外光吸收劑作為光吸收劑取代水，及掃描速度為200mm/秒以外，以上述基本條件，與實施例1同樣地接合上側之原料薄膜與下側之原料薄膜。

結果，確認良好之接合性。但是，將得到之接合體之接合部與實施例1同樣地浸漬在水中，結果以目視確認有起因於光吸收劑接合部之異物由接合部溶出之情況。

由以上亦可知，依據本發明，可形成具有適合進行浸漬於藥液等中之處理之接合部，且可耐受高延伸倍率之延伸之聚乙烯醇系樹脂薄膜的接合體。

雖然如以上地說明了本發明之實施形態及實施例，但是適當組合各實施形態及實施例之特徵亦是由當初預定的。又，應考慮此次揭示之實施形態及實施例全部是舉例說明而非限制者。本發明之範圍不是上述實施形態及實施例而是藉由申請專利範圍表示，且意圖包含與申請專利範圍均等之意思及在範圍內之全部變更。

1‧‧‧聚乙烯醇系樹脂薄膜；原料薄膜

3‧‧‧原料薄膜供給部

4a‧‧‧膨潤浴

4b‧‧‧染色浴

4c‧‧‧交聯浴

4d‧‧‧延伸浴

4f‧‧‧洗淨浴

9‧‧‧軋輥

9a‧‧‧卷延伸部；夾持軋輥

10‧‧‧捲取部

11‧‧‧乾燥裝置；乾燥機

12‧‧‧積層用薄膜

Claims (1)

1. 一種偏光薄膜之製造方法，係以藥液浸漬且延伸已連結2以上之聚乙烯醇系樹脂薄膜之原料薄膜，藉此製作偏光薄膜，且前述原料薄膜之前述連結係藉由聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法實施者；前述聚乙烯醇系樹脂薄膜之接合方法，係使第一聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜之表面重合且接合者，該接合方法係使前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜中至少一者之成為聚乙烯醇系樹脂薄膜之重合部份之區域的界面側吸水，以使相對於乾燥狀態之前述區域之厚度，吸水後之前述區域之厚度成為101%以上且110%以下；在該吸水後，重合前述第一及第二聚乙烯醇系樹脂薄膜；將在1.9μm至2.2μm範圍內具有峰波長之雷射光照射在前述吸水區域上，且使存在該吸水區域中之水吸收前述雷射光，而將前述重合部份之界面雷射熔接。