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TWI434443B - 發光裝置封裝件 - Google Patents

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TWI434443B
TWI434443B TW100105921A TW100105921A TWI434443B TW I434443 B TWI434443 B TW I434443B TW 100105921 A TW100105921 A TW 100105921A TW 100105921 A TW100105921 A TW 100105921A TW I434443 B TWI434443 B TW I434443B
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Inventor
Hye Young Kim
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Lg Innotek Co Ltd
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Description

發光裝置封裝件
本發明主張於2010年03月09日所申請之韓國專利申請案號10-2010-0020647的優先權，此全文將併入本案以作為參考。
本發明係關於一種發光裝置封裝件及包含上述發光裝置封裝件之一照明系統。
發光二極體(Light Emitting Diode,LED)係為一種半導體發光裝置，可將電流轉變成光。近年來，LED發出之光的亮度不斷提升，所以它更加廣泛地被使用於顯示裝置、交通工具、或照明裝置中作為光源。另外，藉由使用螢光材料或結合發出不同顏色之LED，可實現一具有高效率且發出白光之LED。
為求增進LED之亮度及表現，各種不同的研究都在尋求更佳的方法來改善如取光結構(light extraction structure)、一主動層之結構、電流擴散、一電極結構、及一LED封裝件結構。
本發明之實施例提供一種具有一新型取光結構(light extraction structure)之發光裝置封裝件。
本發明之實施例提供一種發光裝置封裝件，其係包含一電極層，該電極層具有複數個第二突出物(protrusions)於一本體之上。
本發明之實施例提供一種發光裝置封裝件，其係包含一電極 層，該電極層具有一第一突出物低於一本體之頂面，以及一第二突出物高於該本體之頂面。
本發明之實施例提供一種發光裝置封裝件，其係可改善一發光裝置封裝件與一照明系統之可靠度。
在一實施例中，一種發光裝置封裝件係包括：一本體，其係包含有複數個凹陷(pits)；複數個電極層於該本體之上，且係包含有多個第一突出物設置於該些凹陷中，以及多個第二突出物以與該些第一突出物相反之方向突伸；一發光裝置於該些電極層其中至少一者之上；以及一模製件於該發光裝置之上。
在另一實施例中，一種發光裝置封裝件係包括：一本體，其係包含有向上開放之一凹穴(cavity)以及複數個凹陷(pits)於該凹穴之一底面上；一絕緣層於該本體之一表面上；複數個電極層於該絕緣層之上，且該複數個電極層係包含有多個第一突出物設置於該些凹陷中，以及多個第二突出物以與該些第一突出物相反之方向突伸；一發光裝置於該些電極層其中至少一者之上；以及一模製件於該發光裝置之上。
在又一實施例中，一種照明系統係包括：複數個發光裝置封裝件；設置有該些發光裝置封裝件之一基板；以及一光學部件於該基板之上。其中，該發光裝置封裝件係包括：一本體，其係包含有複數個凹陷(pits)；複數電極層於該本體之上，且該複數電極層係包含有多個第一突出物設置於該些凹陷中，以及多個第二突出物以與該些第一突出物相反之方向突伸；一發光裝置於該些 電極層其中至少一者之上；以及一模製件於該發光裝置之上。
一或多個實施例之細節陳述於附圖及下文之描述中，且自該描述與附圖，以及自申請專利範圍可明顯看出其它特徵。
在下文中，將根據本發明之實施例配合圖示詳細描述與說明本發明之揭示內容與實例。
另外，應予理解，當提及「第一」及「第二」之用語時，其於組成元件之應用係可為選擇性的或可替換的。在圖示中，為清楚與方便說明，各層厚度及尺寸可能被加以誇大。另，組成元件的尺寸亦不完全反映實際元件之大小。圖示中出現之組成元件並非全數包含並限定於本發明之實施例；除了本發明實施例所述及之主要元件外，其餘之組成元件可被添加或被刪除。又，在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一基板、一層(或膜)、一區域、一電極墊、或一圖案「之上」或「之上方」，則其可以是直接或間接在另一基板、層(或膜)、區域、或圖案「之上」或「之上方」，或者存在一或多個介入層。另，在實施例的描述中，應予理解，當提及一層(或膜)、一區域、一圖案、或一結構是在另一基板、一層(或膜)、一區域、一電極墊、或一圖案「之下」或「之下方」，則其可以是直接或間接在另一基板、層(或膜)、區域、或圖案「之下」或「之下方」，或者存在一或多個介入層。因此，應參照本發明實施例之精神來判斷「之上/下」或「之上方/下方」的意義。
圖1係為一第一實施例中一種發光裝置封裝件之平面圖。圖2係為圖1之沿A-A線側視剖面圖。
參閱圖1、2，其中一發光裝置封裝件100係包括：一本體(body)110，其係包含有複數個凹陷(pits)120；第一及第二電極層141、142，其係包含有第一突出物144以及第二突出物145；一絕緣層130；一發光裝置150；以及一模製件160。
本體110可包括一導電材料如矽(silicon,Si)。本體110亦可包括除了矽以外之材料，如樹脂、半導體、金屬、或陶瓷材料；但實施例並不限制於此。
本體110可以一體蝕刻處理(bulk etching method)於其上進行蝕刻。該蝕刻方法可包括濕蝕刻、乾蝕刻、雷射鑽孔(laser drilling)、或上述方法之組合。如一深反應離子蝕刻(Deep Reactive Ion Etching)可作為乾蝕刻之代表。
向上開放之一凹穴115可形成於本體110中。凹穴115可於距本體110頂面之一特定深度形成。凹穴115之一凹部或洞可具有底管形狀(base tube shape)、多角形、或圓形其中至少一者，但不限制於此。凹穴115可由圖案化(patterning)一光罩(mask)，然後使用非均向性(anisotropic)之溼蝕刻劑(wet etchant)如氫氧化鉀(KOH)溶液、TMAH、及EDP來形成。
本體110可使用高反射樹脂材料如PPA來射出成型(injection-molded)。一電極層可以一電鍍方法(electroplating method)形成於本體110之表面上，但不限制於此。本體110之凹 穴115可由一射出成型方法來形成，但不限制於此。
凹穴115可不被形成。在此情況下，本體110之表面可具有一平坦表面，但不限制於此。
本體110之凹穴115之側面103可為以一特定角度傾斜，或對應於本體110之下表面的垂直軸線彎曲。在一實施例中，本體110之凹穴115之側面103可為垂直於本體110之下表面，但不限制於此。
本體110係具有：一第一側面，其對應於本體110之頂面以一特定角度傾斜；以及一第二側面，其對應於本體110之下表面以一特定角度傾斜。該第一面及該第二側面彼此相連。該第一及第二側面間的內角可為約30°至約80°。
本體110可包含有複數個凹陷120於其頂面之至少一部分上。該頂面之至少一部分可包括一沒有裝設發光裝置之區域。複數個凹陷120可形成於凹穴115之底面之上，除了有一凹部(recess)117之外。該複數個凹陷120可形成於本體110之頂面之下；較佳地，是於凹穴115之底面，但不限制於此。凹部117可不需形成。
當以一俯視角度觀之，該凹陷120可為一圓形，或可為一多角形或任意形狀。
該複數個凹陷120可具有方向為凹穴115之底面至本體110之下表面的一特定深度D2。深度D2可為約1μm至約30μm之範圍。
凹陷120可為一圓柱形或錐形，其一上端之寬度大於一下端之寬度。凹陷120之上端寬度D1可為凹陷120最寬之處。凹陷120之至少一表面可為向本體110之下表面傾斜。
該些凹陷120其中至少一者可具有一寬度D1以及一深度D2。舉例而言，D1與D2之比可為約1：1至約1：3。
該複數個凹陷120可為規則地或不規則地配置。該些凹陷120可具有不同之深度、寬度、及尺寸，但實施例並不限制於此。
凹穴115之凹部117係設置有發光裝置150之一區域，且可相對於凹穴115之底面具有一階梯狀結構(Stepped Structure)。凹部117與本體110下表面之間的厚度可為本體110之厚度最薄之處。也就是說，在凹穴115底面上，設有發光裝置150之一區域相較於沒有凹陷120之一區域，係較靠近本體110下表面者。依此，發光裝置150之放電效率(discharging efficiency)可被改善。在另一實施例中，凹部117可與凹穴115之底面處於相同之平面上，但並不限制於此。
絕緣層130可被設置於本體110之表面，且可延伸至其頂面、側面及下表面。絕緣層130可被設置於電極層141、142與本體110之間，且可避免電極層141、142與本體110相的接觸。
絕緣層130可包括SiO2、SixOy、AlOx、Si3N4、SixNy、SiOxNy、AlN、及Al2O3其中至少一者，但並不限制於此。
絕緣層130可延伸至各凹陷120之表面，以防止本體110中之電極層141、142與本體110相接觸。在一實施例中，當本體110 係以一絕緣材料形成時，絕緣層130可不形成於凹陷120中。
至少一電極層可形成於絕緣層130之上。然而，為求敘述之方便，複數個電極層141、142可被形成。
該複數個電極層141、142可形成於至少一使用金屬材料之層中，但在一實施例中，可形成於多層之金屬中。該複數個電極層141、142可包含有Ti、Cr、Ta、Cu、Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti合金、Cr合金、Cu合金、Ag合金、及Al合金，但並不限制於此。
另一方面，該些電極層141、142可延伸至本體110之頂面、側面及下表面。該些電極層141、142可被一開放區域112分隔於本體110之上方，亦可被開放區域112分隔於本體110之下方。
該些電極層141、142可形成於凹穴115底面及側面除開放區域112外之整體區域。依此，凹穴115內之反射效率(reflection efficiency)可被改善。
該些電極層141、142可被設置於本體110之頂面上，以反射入射於本體110頂面之光。
該些電極層141、142其中至少一者可包含有一第一突出物144及一第二突出物145。第二突出物145可被設置於凹穴115中，並自凹穴115之底面突伸，其突伸方向可與本體110之厚度方向相同。
該些電極層141、142中的第二突出物145可為複數個。該些第二突出物145可以一規則或不規則之間距來配置。該些第二突出物145可具有一規則或不規則之尺寸大小。該些第二突出物145 可被配置於電極層141、142頂面上之一突出圖案(prominent pattern)，以作為一取光結構(light extraction structure)。
第一突出物144可被設置於至少一凹陷120中，電極層141、142可延伸至的部分。第一突出物144可被設置於各個凹陷120中，且可被設於絕緣層130上。第二突出物145之下端的寬度D3可大於第一突出物144之上端的寬度D1。換言之，第一突出物144之上部分的面積可大於第一突出物144之下部分的面積。
第二突出物145之下部分的面積可大於第一突出物144之上部分或凹陷120的面積。第二突出物145可對應於凹陷120，自凹陷120突伸。第一突出物144具有一柱狀形狀，其上部分之面積係大於其下部分之面積。
第二突出物145之側面部分可具有一凸透鏡形狀、半球形狀、圓頂形狀、及多角形狀。第二突出物145之寬度D3可為約1μm至約30μm之範圍。第二突出物145之高度可自電極層141、142之平坦頂面突起約1μm至約30μm。第二突出物145彼此之間的間距可對應於凹陷120彼此之間的間距。
發光裝置150可被設置於第一電極層141上。在一實施例中，發光裝置150可被設置於第二電極層142上，或可被裝設於第一及第二電極層141、142之上。發光裝置150可被設置於凹穴115之底面上，但不限制於此。在下文中，為求敘述之簡便，將以在其第一電極層141上之凹部117設有發光裝置150之一結構作為實例加以說明。
發光裝置150可以膠漿(paste)(未圖示)或一晶粒接著方法(die-attach method)來與第一電極層141黏合。在此處，發光裝置150可發出一具有特定波長之光；舉例而言，可包含有可發出一可見光之一LED晶片如藍光LED晶片、綠光LED晶片、紅光LED晶片、及黃光LED晶片，或可包含有可發出紫外光帶(ultraviolet band)之一LED晶片。
發光裝置150可包含III-V族化合物半導體材料，如化學式為InxAlyGa1-x-yN(0x1,0y1,0x+y1)之半導體材料。
發光裝置150在凹穴115中之設置可為單個或複數個，但不限制於此。
發光裝置150可與第一及第二電極層141、142電性連接。發光裝置150可由打線(wire)來連接第一及第二電極層141、142。在一實施例中，發光裝置150可由一接合方法(bonding method)如一打線、晶粒(die)、及覆晶方法(flip method)來與第一及第二電極層141、142連接。
一模製件160可設於凹穴115中。模製件160可使用透光性樹脂或玻璃來形成；較佳地如矽或環氧樹脂(epoxy)。模製件160可覆蓋發光裝置150，且其厚度可與凹穴115相同。
模製件160的上表面可包括突起、平坦、及凹陷形狀其中至少一者，且一取光結構如一不均勻結構可進一步被設置其中。
至少一種螢光物質可被添加於模製件160中，且該螢光物質可選擇性地包括有紅、綠、黃色之物質，但不限制於此。該螢光 物質可包含有釔鋁石榴石(YAG)、鋱鋁石榴石(TAG)、矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物基材料其中至少一者。
該螢光物質可被塗佈於發光裝置150之頂面上，或可被塗佈於模製件160之表面上，但不限制於此。又，一螢光膜(fluorescent film)可設於模製件160之上方或下方，但不限制於此。
模製件160可為多層，其中至少一層可為不具有螢光物質之一透明樹脂層，而其它層可具有螢光物質。
一透鏡(未圖示)可被設於凹穴115之上。該透鏡係具有一凸透鏡形狀於模製件160之上。該透鏡與模製件160可為分離或為一體者。
第一及第二電極層141、142之第二突出物145可擴散反射直接或間接地入射至凹穴115之光，進而改善取光效率。
另一方面，當本體110係以矽形成時，其可包含有至少一個摻雜區域。該摻雜區域可為一植入或擴散有至少一種導電型摻雜物(conductive-type dopant)之區域。該摻雜區域可與第一及第二電極層141、142其中至少一者電性連接，以植入於一保護裝置如齊納二極體(Zener diode)或一切換裝置(switching device)如薄膜電晶體(TFT)。
該摻雜區域可被設於本體110之頂面之上及/或下表面之上。該導電型摻雜物可包含極性(polarity)與本體110相反之摻雜物。
該些電極層141、142可為一多層；在下文中將詳細敘述之。
參閱圖3，該些電極層141、142可包含有一晶種層(seed layer)M1、一導電層(conductive layer)M2、一阻障層(barrier layer)M3、一接合層(bonding layer)M4、一黏著層(adhesive layer)M5、以及一反射層(reflection layer)M6。
該些電極層141、142可堆疊不同金屬層於各區域中。舉例而言，一第一區域A1可為一反射區域，且可為未裝設發光裝置之一區域。一第二區域A2可為裝設有發光裝置或設有一焊膏(solder paste)之一區域。
晶種層M1可由一沉積方法(deposition method)，例如濺鍍方法(sputtering method)或電子束沉積方法(E-beam deposition method)，形成於絕緣層130之上。導電層M2、阻障層M3、接合層M4、黏著層M5、以及反射層M6可由一電鍍(plating/electroplating)方法來形成。
在第一及第二電極層141、142之形成過程中，一光阻(photoresist)可被塗佈、然後被曝光(exposed)、顯影(developed)、及圖案化(patterned)以暴露一選定區域，然後形成各金屬層；或者，圖案成形處理(patterning process)可於各金屬層形成後再進行。此處之光阻處理(photoresist process)可於本發明之精神及範圍之內做修正。
晶種層M1可為一單層或一多層，其係包含與其他絕緣層及金屬層具有絕佳接著力之材料如Ti、Cr、及Ta。晶種層M1可具有一厚度為約900ű200Å。
一中介晶種層可被設置於晶種層M1與導電層M2之間。該中 介晶種層可由Au或Cu形成。依此，晶種層M1可包含有一Cr/Au、Cr/Cu、Ti/Au、Ta/Cu、或Ta/Ti/Cu結構。此處，該中介晶種層可由一物理沉積法(physical deposition method)來形成，其厚度約為6000ű500Å。
導電層M2可被設於晶種層M1之上。導電層M2可較其它金屬層厚。導電層M2可由一電鍍方法來形成。該電鍍方法可以減輕在沉積方法中沉積之晶種層M1之上的應力，由此可抑制導電層M2之表面粗糙度之增長。也就是說，導電層M2可抑制因晶種層M1使用不同形成方法所造成之應力。
導電層M2可由一具有絕佳熱傳導性及散熱性之一金屬，如Cu，所形成。導電層M2可具有一厚度為數十微米(micrometers)或更小，例如30μm或更小；較佳地，為10μm或更小。又，導電層M2可由非Cu之一金屬如Ag、Au、及Al形成，且可包含有Cu合金及Ag合金。
導電層M2可被設置於凹穴115之區域、本體110之頂面、側面及下表面，以將發光裝置150所產生之熱能有效地向外散熱。
阻障層M3可被設置於導電層M2之上。阻障層M3可被設置於導電層M2與接合層M4之間，以阻隔接合層M4之電性質被導電層M2降低。阻障層M3可由使用Pt及Ni之一電鍍方法形成，且其厚度可為約3000ű500Å。
接合層M4可被設置於阻障層M3之上。接合層M4可由使用Au之一電鍍方法形成，且具有一厚度為約5000ű500Å。
當導電層M2、阻障層M3與接合層M4係分別由Cu、Ni、及Au所形成時，堆疊結構可選自：Cr/Au/Cu/Ni/Au、Cr/Cu/Cu/Ni/Au、Ti/Au/Cu/Ni/Au、Ta/Cu/Cu/Ni/Au、及Ta/Ti/Cu/Cu/Ni/Au。
黏著層M5及反射層M6係設置於接合層M4之上。黏著層M5係可作為兩鄰近金屬間之接點(junction)。接合層M4可由Ti、Cr、或Ta所形成，且具有一厚度為約900ű100Å。黏著層M5可不形成。
反射層M6可被設置於黏著層M5之上。反射層M6可由具有絕佳反射性之金屬或其一合金所形成，例如Al、Ag、或其一合金。因為反射層M6係形成於凹穴115中，故光反射效率可被改善。反射層M6可具有一厚度為約1500ű300Å。
電極層141、142於凹穴115中可有不同之堆疊結構。
第二區域A2可包含有複數個第一金屬層M1至M4，而第一區域A1可進一步包含有複數個第二金屬層M5、M6於第一金屬層M1至M4之上。第一區域A1可為與第二區域A2不同之區域。第二區域A2可為圖1中凹部117內第一電極層141之區域的一部分。第二區域A2可包含有至少四金屬層，且可不包括該凹陷與該第二突出物。
第一區域A1可包含有至少六金屬層，且可包括複數個凹陷與第二突出物。在第二區域A2中，用作接合點之一金屬層可被暴露，而除第二區域A2外之第一區域A1中，一具有絕佳反射性質之金屬層可被暴露。
凹穴115中的第二區域A2可包含有晶種層M1、導電層M2、阻障層M3、與接合層M4之一堆疊結構。第一區域A1，作為一反射區域，可包含有一堆疊結構，其中黏著層M5以及反射層M6係堆疊在接合層M4之上。
接合層M4可以一光罩圖案(mask pattern)被設置於凹穴115中的第二區域A2，而發光裝置150可被裝設於接合層M4之上。
在此處，接合層M4之表面粗糙度之密度及厚度可小於反射層M6之表面粗糙度。依此，可改善接合層M4與膠漿間的接著力。當接合層M4之表面粗糙度提升時，其熱傳導性可因空氣流入一接合介面而降低。接合層M4之表面粗糙度可從數奈米(nanometers)至數十奈米之範圍，進而得以改善接合性質與熱傳導性。
圖4至圖7係繪示有一第一實施例中一種發光裝置封裝件之製造方法。
參閱圖4和圖5，一光罩圖案可形成於一本體110頂面之一區域，除一蝕刻區域外之區域上，然後對沒有形成光罩圖案之區域進行蝕刻。一凹穴115可由上述之蝕刻處理形成。本體110可由一矽基材料形成，或可使用包含有例如樹脂、半導體、金屬及陶瓷材料之一基板來形成；然而，實施例並不限制於此。
凹穴115可為向上開放，且其深度可為一發光裝置之厚度的兩倍或更多。凹穴115可具有底管、多角形、及圓形形狀其中一者，但不限制於此。凹穴115之形成方法可包括有形成一光罩圖案；然後使用一化學蝕刻方法如以四甲基氫氧化氨(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)或乙二胺鄰苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)，及一濕蝕刻劑如氫氧化鉀(KOH)溶液來對一基底材料(body material)之一晶圓(wafer)進行蝕刻處理。在化學蝕刻方法中，可使用等向性蝕刻(isotropic etching)，其不論晶圓之材料的結晶面方向為何，均可顯示均勻之蝕刻性質；或可使用非等向性蝕刻(anisotropic etching)，其係根據晶圓之材料的結晶面方向不同，而顯示不同之蝕刻性質。
在一實施例中，本體110可由使用高反射樹脂材料如PPA來射出成型。凹穴115可不形成，但不限制於此。
參閱圖5和圖6，複數個凹陷120可形成於本體110之頂面之一特定區域。舉例而言，該些凹陷120可由一蝕刻處理形成於凹穴115之底面上。
該些凹陷120之形成係可為先由一光微影處理(photo-lithography process)塗佈一光阻，曝光、顯影之，然後進行一乾蝕刻或濕蝕刻製程於一選定區域。
該些凹陷120可形成於凹穴115之底面之上，除一凹部117外之處；亦即一裝設有發光裝置之區域。
該些凹陷120可具有一特定深度，其方向係自凹穴115之底面至本體110之下表面。該凹陷120之深度D2可從1μm至30μm的範圍。該凹陷120之深度D2可大於其寬度D1。舉例而言，深度D2對寬度D1之比可為約1：1至約1：3之範圍。寬度D1可為各凹陷120之上端之寬度，而可大於各凹陷120之下端之寬度。
當以俯視角度觀之時，凹陷120可為一圓形或多角形，但不限制於此。
該些凹陷120可為均勻或不均勻地配置。凹陷120之寬度可為彼此一致或不同。
凹穴115之凹部117相對於凹穴115之底面可具有一階梯狀結構。本體110之厚度T1可於凹部117為最小。依此，發光裝置之散熱效率可被改善。在一實施例中，凹部117可與凹穴115之底面處於相同之平面上，但並不限制於此。
參閱圖6和圖7，一絕緣層130可形成於本體110之表面。絕緣層130可由一沉積方法形成，例如濺鍍或電子束沉積方法。舉例而言，絕緣層130可由絕緣材料如矽熱氧化物(silicon thermal oxide)(SiO2、SixOy等)、氧化鋁(aluminum oxide)(AlOx)、氮化矽(silicon nitride)(Si3N4、SixNy、SiOxNy等)、礬土(alumina)(AlN)、及Al2O3；但並不限制於此。在本體110有形成一絕緣材料時，絕緣層130可被省略。
該些電極層141、142可形成於絕緣層130之上。該些電極層141、142可包含有金屬層組成之多層，例如，如圖3所示之晶種層M1、導電層M2、阻障層M3、接合層M4、黏著層M5以及反射層M6之一堆疊結構。
晶種層M1可由一物理沉積方法，例如濺鍍或電子束沉積方法，形成於絕緣層130之上。導電層M2、阻障層M3、接合層M4、黏著層M5、以及反射層M6可由一電鍍方法來形成。
在第一及第二電極層141、142之形成過程中，一光阻可被塗佈、然後被曝光、顯影以暴露一選定之金屬層區域，然後形成各金屬層。在一實施例中，於各金屬層形成後，可進行一圖案成形處理以形成一開放區域。此處之光阻處理可於本發明之精神及範圍之內做修正。
晶種層M1可為一單層或一多層，其係包含與絕緣層130及其它金屬層具有絕佳接著力之材料如Ti、Cr、及Ta。
一中介晶種層可被設置於晶種層M1之上。該中介晶種層可由Au或Cu形成。依此，晶種層M1可包含有一Cr/Au、Cr/Cu、Ti/Au、Ta/Cu、或Ta/Ti/Cu結構。
導電層M2可被設於晶種層M1之上。導電層M2可由一電鍍方法來形成。該電鍍方法可以減輕在沉積方法中沉積之晶種層M1之上的應力，由此可抑制導電層M2之表面粗糙度之增長。也就是說，導電層M2可抑制因晶種層M1使用不同形成方法所造成之應力。
導電層M2之電鍍方法可包括有將供給之一脈衝交替的變換為順向與逆向之方向；在下文中將詳細說明之。
導電層M2可由一具有絕佳熱傳導性及散熱性之一金屬，如Cu，所形成。導電層M2可具有一厚度為例如30μm或更小；較佳地，為10μm或更小。又，當導電層M2之厚度為數微米或更大時，導電層M2之表面粗糙度可為約1μm至約30μm的範圍。當導電層M2之厚度為約10μm至30μm時，其熱輻射及表面粗糙度可被改善。
導電層M2可自凹穴115之底面延伸至本體110之下表面，且可有效地傳導發光裝置150所生成之熱能。
阻障層M3可形成於導電層M2之上。阻障層M3可阻隔接合層M4之電氣性質在一高溫環境下被導電層M2降低。阻障層M3可由使用Pt及Ni之一電鍍方法形成。
接合層M4可形成於阻障層M3之上。接合層M4可由使用Au之一電鍍方法形成。
黏著層M5及反射層M6可被堆疊在接合層M4之上。黏著層M5可由Ti、Cr、和Ta所形成，且具有一厚度為約900ű100Å。
反射層M6可形成於黏著層M5之上。反射層M6可由反射性之金屬或其一合金所形成。因為反射層M6係形成於凹穴115之底面及側面，故光反射效率可被改善。反射層M6可具有一厚度為約1500ű300Å。
接合層M4與反射層M6之表面粗糙度可對應於導電層M2之表面粗糙度，且為約1nm至約30nm的範圍。
在導電層M2之電鍍製程中，當其係使用導電層M2之一材料如Cu電鍍溶液時，一電流可被交替地以順向脈衝與逆向脈衝之形式施加。該Cu電鍍溶液可被鍍於凹陷120之下部分，而凹陷120之內部可以超填塞(super filling)之方式完全填充。在電鍍完成後，第二突出物145可自各凹陷120突伸。
逆向脈衝的電流，而非順向脈衝，其施加係為強烈且短促的。在此情況下，當於凹陷120中晶種層M1進行電鍍後，導電層M2 可自凹陷120內向上突伸。在此處，電極層141、142可包含有第一突出物144形成於各凹陷120中。第一突出物144可以以與第二突出物145相反之一方向突伸。第一突出物144可為約1μm至約30μm之範圍。其深度與直徑之比為約1：1至約1：3之範圍。
該電鍍處理係可於約40至60g/L銅(Cu)濃度之一電鍍溶液中進行。又，該電鍍處理係可於順向脈衝/逆向脈衝為約90ms/10ms之脈衝週期(pulse period)下進行，且順向/逆向之電流密度為約1ASD/2ASD。本發明實施例中上述之情況可隨著凹陷的深度與寬度、電鍍溶液、以及電流狀況而變動。
在此處，導電層M2可自凹陷120中向上突伸過凹穴115之底面。由此，阻障層M3與接合層M4可形成於凹陷120外側而非其內部，且較佳地可形成於一高於凹穴115之底面的位置。
第二突出物145可以一規則或不規則之間距配置，且其尺寸可為常數或任意大小。
第二突出物145之高度及形狀可隨著電流之大小與週期而變動。第二突出物145可具有一透鏡形狀、半球形狀、圓頂形狀、或多角形狀。其高度或直徑可為約1μm至約30μm之範圍。第二突出物145可於其下部分具有最大之直徑。
第二突出物145之形狀、高度及直徑可隨著凹陷120之形狀而變動。舉例而言，當凹陷120之一直徑為約1μm且其一長度為約30μm，第二突出物145之一寬度可大於凹陷120之上端的寬度。
此處，在該些電極層141、142之形成過程中，施加一電流於 一順向方向與一逆向方向之一電鍍方法可於導電層、接合層、黏著層、與反射層中之導電層上進行，且一典型之電鍍方法、濺鍍、或沉積方法可於其它層上進行；然而，並不限定於此。
另一方面，至少一摻雜區域可於絕緣層130形成前/後形成於本體110中，且該摻雜區域可為一植入或擴散有導電型摻雜物至本體110的上表面及/或下表面。該摻雜區域可與第一及第二電極層141、142其中至少一者電性連接，其被實現於一保護裝置如一齊納二極體(Zener diode)或一定流裝置(constant current device)。
參閱圖7，發光裝置150可被設置於第一電極層141及/或第二電極層142之上。發光裝置150亦可被設置於本體110或絕緣層130之上。在下文中，為求敘述之簡便，將以在其第一電極層141上之凹部117設有發光裝置150之一結構作為一實例加以說明。
發光裝置150可使用膠漿(未圖示)或一晶粒接著方法與凹部117之第一電極層141之接合層相接合。此處，發光裝置150可包括可發出一可見光之一LED晶片如藍光LED晶片、綠光LED晶片、紅光LED晶片、及黃光LED晶片，或可包含有可發出紫外光(UV)之一LED晶片。此處，發光裝置150之類型與數量並非限定。
發光裝置150可使用，例如，至少一引線(wire)152、晶粒接合、或覆晶接合方法來與第一及第二電極層141、142電性連接；然而，本發明實施例可在本發明之精神及範圍內作不同之修正。
一模製件160係形成於凹穴115中，且可包括透光性樹脂，例如，矽與環氧樹脂等樹脂材料。模製件160之表面可具有一突起、平坦、及凹陷形狀其中至少一者。模製件160可包含有至少一種螢光物質，其可選擇性地包含有紅、綠、黃色之螢光物質，但不限制於此。
一透鏡(未圖示)可形成於凹穴115之上。該透鏡係具有一凸透鏡形狀於模製件160之上。該透鏡與模製件160可為分離或為一體者。為了取光效率，該透鏡可被修改(modification)。包含有至少一種螢光物質之螢光膜(fluorescent film)可被設置於凹穴115之上，但不限制於此。
第一及第二電極層141、142之第二突出物145可被設置以環繞發光裝置150，且可將入射光擴散反射，進而改善光效率。
圖8係繪示有根據一第二實施例之一種發光裝置封裝件之側視剖面圖。為說明第二實施例，與第一實施例中相同之組成部件將以第一實施例中為準。
參閱圖8，一種發光裝置封裝件100A可包含有複數個凹陷120於一本體110A之一凹穴區域115中。複數個電極層141、142可被設於本體110A之表面上。本體110A可由一絕緣樹脂材料形成，且圖1中之絕緣層可被去除。
在此處，本體110A之凹穴115可藉由射出成型而形成，或可藉由一矽材料之蝕刻處理來形成；但不限制於此。
發光裝置150A可以晶粒接合之方法與第一電極層141接合於 第一及第二電極層141、142之上，且可與第二電極層142以一引線連接。發光裝置150A可具有一結構，其中電極係垂直設置。
該些電極層141、142可包含有第二突出物145於各凹陷120之上，以及第一突出物144於各凹陷120之上，且形成在凹陷120中的第一突出物144係與第二突出物145之方向相反。藉由在一電鍍處理過程中施加順向及逆向電流，以及控制電流之大小與密度，第二突出物145可自各凹陷120突伸出來。其詳細之說明可以第一實施例中的說明代替。
圖9係繪示有根據一第三實施例之一種發光裝置封裝件。為說明第三實施例，與第一實施例中相同之組成部件將以第一實施例中為準。
參閱圖9，一種發光裝置封裝件100B可包含有貫孔結構(via structures)於一本體110B之中，而如圖1中之一凹穴可不形成。
發光裝置封裝件100B可包含有複數個孔道148、149，其係與本體110B之頂面及下表面呈垂直。發光裝置封裝件100B可包括至少兩孔道148、149，其係為貫孔結構連接本體110B之頂面及下表面。絕緣層130可形成於孔道148、149周圍。第一及第二電極層141、142可經由孔道148、149與設於本體110B之下方的引線電極(lead electrodes)P1、P2相連接。引線電極P1、P2可為彼此電性隔離或彼此相隔而設，且可提供電力。
一透鏡160A可被設置於本體110B之上。透鏡160A可由一透光材料製成，例如一樹脂或玻璃模製件。透鏡160A可被設置於發 光裝置150之上，以呈一凸透鏡形狀。
第一及第二電極層141、142之第二突出物145可被設置於發光裝置150之周圍，但不限制於此。
圖10係繪示有根據一第四實施例之一種發光裝置封裝件的側剖面圖。
參閱圖10，至少一摻雜區域可被設置於一本體110中。設置有第一及第二摻雜區域105、107之一結構將被作為範例加以說明。
第一及第二摻雜區域105、107可被添加一極性與本體110相反之摻雜物。第一導電型摻雜物及/或第二導電型摻雜物可被選擇性擴散或植入於第一及第二摻雜區域105、107中。摻雜有導電型與本體110相同之摻雜物的一摻雜區域可進一步形成於該摻雜區域，但不限制於此。
當本體110係為一N型半導體時，第一及第二摻雜區域105、107可為一P型半導體區域，且係摻雜有P型摻雜物。第一摻雜區域105可與一第一電極層141電性連接，而第二摻雜區域107可與一第二電極層142電性連接。
第一及第二摻雜區域105、107可由一N-P接面與本體110相連接，其係可以一齊納二極體來實現。該齊納二極體可反向地(inversely)與發光裝置150相連接，且可保護發光裝置150，使其不受異常電壓之影響。
第一及第二電極層141、142可包含有晶種層M1、導電層M2、阻障層M3、接合層M4、黏著層M5、以及反射層M6之一堆疊結構。
晶種層M1可被設置於絕緣層130之上。導電層M2可被設置於晶種層M1之上。導電層M2之一下部分可被形成一第一突出物144於一凹陷120中，而導電層M2之一上部分可自一凹穴115之底面突伸出去。依此，凹陷120之深度可小於導電層M2之厚度，但不限制於此。
阻障層M3、接合層M4、黏著層M5、以及反射層M6可堆疊於導電層M2之上。堆疊在導電層M2之上的阻障層M3、接合層M4、黏著層M5、以及反射層M6之該堆疊結構可突伸至高於凹穴115之底面。
圖11係繪示有根據一第五實施例之一種發光裝置封裝件的側剖面圖。
參閱圖11，一散熱架(heat radiation frame)170可被設置於本體110之下表面上。散熱架170可與一發光裝置150之下表面呈垂直設置。散熱架170可與本體110之下表面有直接接觸。一絕緣層130可被設置於散熱架170與本體110之間，但不限制於此。
散熱架170之面積可大於發光裝置150之下表面之面積。
發光裝置150所產生之熱能可被引導至電極層141、142與本體110。而被引導至本體110之熱能可被散熱架170散發。
散熱架170可和第一及第二電極層141、142為電性開路(electrically open)，且可與本體110之下表面有接觸。
一透鏡160B可被設置於本體110之上，且可以一半球形狀突 伸。透鏡160B可與一模製件160之頂面相接觸，且可被設置於在本體110上的第一及第二電極層141、142之上，進而防止第一及第二電極層141、142受到損壞。
雖然此處係揭露一俯視型(top-view type)之發光裝置封裝件，但本發明實施例之封裝件亦可以一側視型(side-view type)來實現，以顯示改善之散熱性、導電性及反射性之效果。當封裝件被應用於使用俯視型或側視型之一發光裝置封裝件的指示裝置、照明裝置、及顯示裝置，其散熱效率可以提升其可靠度。
<照明系統>
本發明實施例之發光裝置封裝件係可被應用於一照明系統。該照明系統包括一結構，其係包含有複數個發光裝置封裝件配置排列於其中，且可包含照明燈、交通號誌燈、交通工具頭燈、以及電子顯示板。
該照明系統可包含有如圖12和圖13所繪示之顯示裝置、圖14所繪示之照明裝置、照明燈、信號燈、車輛頭燈、電子顯示裝置等等。
圖12係為本發明一實施例中顯示裝置之立體分解圖。
參閱圖12，顯示裝置1000包含一導光板(light guide plate)1041；一發光模組1031，其係提供光給導光板1041；一反射部件1022於導光板1041之下；一光學片(optical sheet)1051於導光板1041之上；一顯示面板(display panel)1061位於光學片1051之上；以及一底蓋1011，其係容納有導光板1041、發光 模組1031、以及反射部件1022。但不限制於此。
底蓋1011、反射部件1022、導光板1041、及光學片1051可組成一發光單元1050。
導光板1041係可擴散來自發光模組1031之光以匯聚成一表面光源。導光板1041可由透明材料構成；舉例而言，導光板1041可包含下述其中一種的丙烯醯基樹脂(acrylic resin)：聚甲基丙烯酸甲脂(polymethyl methacrylate；PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylenc terephthalate；PET)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、環狀烯烴共聚物(COC)、及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)樹脂。
發光模組1031係設置於導光板1041之一側以提供光給導光板1041之至少一側，且最終係作為該顯示裝置之一光源。
至少一發光模組1031係被提供於此，以便直接或間接地從導光板1041之一側提供光。發光模組1031可包括有一基板1033及根據上述實施例之發光裝置封裝件30。發光裝置封裝件30係以一預設間隔彼此相隔而設於基板1033之上。
基板1033可為一印刷電路板(PCB)其包含線路圖案(未圖示)。又，除典型之印刷電路板外，基板1033亦可包括有金屬芯印刷電路板(MCPCB)及軟性印刷電路板(FPCB)，且不限制於此。當發光裝置封裝件30係安裝於底蓋1011之側邊或於一散熱板之上時，此情形下基板1033可被省略。該散熱板之一部分可與底蓋1011之一上表面相接觸。
複數個發光裝置封裝件30可被安裝於基板1033之上，以將一發光表面(light-emitting surface)自導光板1041以一預設距離分離，且不限制於此。發光裝置封裝件30可直接地或間接地提供光給一入光部(light-entering part)，例如導光板1041之一側，且不限制於此。
反射部件1022可被設置於導光板1041之下方。反射部件1022係將入射到導光板1041之下表面的光向上反射，以使發光單元1050之亮度獲得改善。舉例而言，反射部件1022可由材料如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)樹脂來形成，但不限制於此。反射部件1022可作為底蓋1011之上表面，但不限制於此。
底蓋1011可容納導光板1041、發光模組1031、以及反射部件1022。為達此目的，底蓋1011具有一貯存單元(storing unit)1012，其係為一頂面呈開放之盒狀；但不限制於此。底蓋1011可與一頂蓋結合，但不限制於此。
底蓋1011可由金屬材料或樹脂材料，利用一沖壓製程(press process)或一擠壓模製(extrusion molding)來製造。另外，底蓋1011可包括具良好熱傳導性之金屬或非金屬材料，但不限制於此。
顯示面板1061可為例如一LCD面板，且係包括有透明的第一及第二基板，以及一設置在該第一及第二基板之間之液晶層(liquid crystal layer)。一偏光板(polarizing plate)可連接於顯示面板1061之至少一側上；然而，其連接的結構並不限制於 此。顯示面板1061藉由通過光學片1051的光來顯示資訊。顯示裝置1000可被應用於不同的行動電話、筆記型電腦螢幕、電腦螢幕及電視螢幕等。
光學片1051係設置於顯示面板1061及導光板1041之間，且包括至少一透明片(translucent sheet)。光學片1051可包括，例如，一擴散片(diffusion sheet)、水平及垂直稜鏡片(horizontal and vertical prism sheets)、及一增光片(brightness enhancement sheet)其中至少一者。該擴散片係可擴散(diffuse)入射光。該水平或/及垂直稜鏡片係可集中該入射光至一顯示區域。該增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。另外，一保護片可被設置於顯示面板1061上，但不限制於此。
此處，在發光模組1031之光路徑上，導光板1041及光學片1051可作為其中之光學部件；然而，並不限制於此。
圖13係為依據本發明實施例之一顯示裝置。
參閱圖13，一顯示裝置1100係包括有一底蓋1152、一基板1120、一光學部件1154、及一顯示面板1155。在此處，上述之發光裝置封裝件30係排列於基板1120之上。
基板1120及發光裝置封裝件30可組成一發光模組1060。底蓋1152、至少一發光模組1060、及光學部件1154可被定義為一發光單元。
底蓋1152可具有一貯存單元1153，但不限制於此。
此處，光學部件1154可具有至少以下一者：一透鏡(lens)、 一導光板、一擴散片、水平及垂直稜鏡片、及一增光片。該導光板可由PC材料或PMMA(Poly methyl methacrylate)材料形成，且導光板可被省略。該擴散片係可擴散入射光。該水平或/及垂直稜鏡片係可集中該入射光至顯示區域。該增光片係可重新使用逸失的光以增強亮度。
光學部件1154係設置於發光模組1060上。光學部件1154係可將發光模組1060所發出之光轉換為表面光源，或可擴散或匯集光。
圖14係為本發明實施例中一照明裝置之立體圖。
參閱圖14，照明裝置1500包括有一外殼1510、一發光模組1530安裝於外殼1510中、以及一連接終端1520安裝於外殼1510中，且接收一外部電源提供之電力。
較佳地，外殼1510係以具有良好散熱性之材料製成。舉例而言，外殼1510可以一金屬材料或一樹脂材料製成。
發光模組1530可包括有一基板1532及安裝於基板1532上之發光裝置封裝件30。發光裝置封裝件30可以一矩陣形式配置或彼此以預設間格相隔而設。
基板1532可為一絕緣體，其中印刷有一電路圖案。舉例而言，基板1532可包括有印刷電路板(PCB)、金屬芯印刷電路板(MCPCB)、軟性印刷電路板(FPCB)、陶瓷電路板、及FR-4基板。
基板1532亦可包括能夠有效反射光線之材料，或其表面可塗覆有如一白色或一銀色之顏色，以有效反射光線。
至少一發光裝置封裝件30可被安裝於基板1532之上。各個發光裝置封裝件30可包括有至少一發光二極體(light emitting diode,LED)晶片。該發光二極體晶片係可包括有一可見光發光二極體，如紅、綠、藍、或白光或者一紫外光(Ultra Violet,UV)發光二極體，其係可發出紫外光。
發光裝置封裝件30可以不同的組合配置被設置於發光模組1530中，以取得不同之色調及亮度。舉例而言，為得到高顯色性指數(Color Rendering Index,CRI)，一白光發光二極體、一紅光發光二極體、以及一綠光發光二極體可被組合配置。
連接終端1520可與發光模組1530電性連接以提供電力給發光模組1530。連接終端1520係以一牙槽方法(socket method)，螺接(screwed)外部電源，但不限制於此。舉例而言，連接終端1520可為一插針(pin)形狀，以將連接終端1520插入該外部電源內或利用一打線連接至該外接電源。
根據本發明實施例，一種發光裝置封裝件製造方法可包括：形成複數個凹陷於一本體之一上部分；形成一電極層，其係包含有一晶種層與一導電層於該本體之上，與一第二突出物於該凹陷之上；以及設置至少一發光裝至於該電極層之上。
根據本發明實施例，對於一發光裝置所發出之光，可藉由以一電鍍處理來形成一具有複數凹部圖案之電極層來改善其取光效率。又，一用以形成一具有複數凹部圖案之電極層的製程係可被簡化，且一發光裝置封裝件之光效率可被改善。
在本說明書中所提到的“一實施例”、“實施例”、“範例實施例”等任何的引用，代表本發明之至少一實施例中包括關於該實施例的一特定特徵、結構或特性。此類用語出現在文中多處但不盡然要參考相同的實施例。此外，在特定特徵、結構或特性的描述關係到任何實施例中，皆認為在熟習此技藝者之智識範圍內其利用如此的其他特徵、結構或特徵來實現其它實施例。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技藝者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100‧‧‧發光裝置封裝件
100A‧‧‧發光裝置封裝件
100B‧‧‧發光裝置封裝件
103‧‧‧側面
105‧‧‧第一摻雜區域
107‧‧‧第二摻雜區域
110‧‧‧本體
110A‧‧‧本體
110B‧‧‧本體
112‧‧‧開放區域
115‧‧‧凹穴
117‧‧‧凹部
120‧‧‧凹陷
130‧‧‧絕緣層
141‧‧‧第一電極層
142‧‧‧第二電極層
144‧‧‧第一突出物
145‧‧‧第二突出物
148‧‧‧孔道
149‧‧‧孔道
150‧‧‧發光裝置
150A‧‧‧發光裝置
152‧‧‧引線
160‧‧‧模製件
160A‧‧‧透鏡
160B‧‧‧透鏡
170‧‧‧散熱架
1000‧‧‧顯示裝置
1011‧‧‧底蓋
1012‧‧‧貯存單元
1022‧‧‧反射部件
1031‧‧‧發光模組
1033‧‧‧基板
1041‧‧‧導光板
1050‧‧‧發光單元
1051‧‧‧光學片
1061‧‧‧顯示面板
1100‧‧‧顯示裝置
1120‧‧‧基板
1152‧‧‧底蓋
1153‧‧‧貯存單元
1154‧‧‧光學部件
1155‧‧‧顯示面板
1500‧‧‧照明裝置
1510‧‧‧外殼
1520‧‧‧連接終端
1530‧‧‧發光模組
1532‧‧‧基板
A1‧‧‧第一區域
A2‧‧‧第二區域
D1‧‧‧寬度
D2‧‧‧深度
D3‧‧‧寬度
M1‧‧‧晶種層
M2‧‧‧導電層
M3‧‧‧阻障層
M4‧‧‧接合層
M5‧‧‧黏著層
M6‧‧‧反射層
P1‧‧‧引線電極
P2‧‧‧引線電極
T1‧‧‧厚度
圖1係繪示有根據一第一實施例中一種發光裝置封裝件之平面圖；圖2係為圖1之沿A-A線之側視剖面圖；圖3係為圖1之一電極層的細部剖面圖；圖4至圖7係繪示有圖1之一種發光裝置封裝件製造方法；圖8係繪示有根據一第二實施例之一種發光裝置封裝件之側視剖面圖；圖9係繪示有根據一第三實施例之一種發光裝置封裝件之側視剖面圖；圖10係繪示有根據一第四實施例之一種發光裝置封裝件之側視剖 面圖；圖11係繪示有根據一第五實施例之一種發光裝置封裝件之側視剖面圖；圖12係為依據本發明一實施例中一顯示裝置之圖示；圖13係為依據本發明一實施例中另一顯示裝置；以及圖14係為依據本發明一實施例中一照明裝置。
110‧‧‧發光裝置封裝件
103‧‧‧側面
110‧‧‧本體
115‧‧‧凹穴
117‧‧‧凹部
120‧‧‧凹陷
130‧‧‧絕緣層
141‧‧‧第一電極層
142‧‧‧第二電極層
144‧‧‧第一突出物
145‧‧‧第二突出物
150‧‧‧發光裝置
152‧‧‧引線
160‧‧‧模製件
D1‧‧‧寬度
D2‧‧‧深度
D3‧‧‧寬度
T1‧‧‧厚度

Claims (15)

  1. 一種發光裝置封裝件，包括：一本體，包含複數個凹陷；複數個電極層於該本體之上，該些電極層係包含有複數個第一突出物於該些凹陷中，以及複數個第二突出物以與該些第一突出物相反之方向突伸；一發光裝置設置於該些電極層其中至少一者之上；以及一模製件設置於該發光裝置之上，其中各第二突出物對應於各本體之各凹陷，其中該些第二突出物從該些電極層之一平坦頂面上突伸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中該些電極層係彼此相隔而設於該本體之一頂面上，且該些電極層各自延伸至該本體之下表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其進一步包含有一絕緣層於該本體與各電極層之間，且該本體係包含有一導電材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝件，其中該些凹陷其中至少一者具有一寬深比在1：1至1：3的範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1至3項任一者所述之發光裝置封裝件，其中各凹陷之一周緣部分具有一傾斜側表面。
  6. 如申請專利範圍第1至3項任一者所述之發光裝置封裝件，其中該些凹陷其中至少一者具有一寬度為約1μm至約30μm。
  7. 如申請專利範圍第1至3項任一者所述之發光裝置封裝件，其中該電極層之該第二突出物之一下端之一寬度係大於該第一突出物之一上端之一寬度。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之發光裝置封裝件，其中該些電極層其中一者係包含有一第一區域以及一第二區域，該第一區域係包括複數個第一金屬層，而該第二區域係包括該些第一金屬層與複數個第二金屬層於該些第一金屬層之上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置封裝件，其中該發光裝置係設置於該些電極層其中一者之該第一區域中，而該些凹陷與該第二突出物係設置於該第二區域中。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置封裝件，其中該些第一金屬層係包含：一晶種層於該絕緣層之上；一導電層於該晶種層之上；一阻障層於該導電層之上；一接合層於該阻障層之上，而該些第二金屬層係包含有一黏著層於該接合層之上；以及一反射層於該黏著層之上。
  11. 如申請專利範圍第1至3項任一者所述之發光裝置封裝件，其中該本體係包括向上開放之一凹穴，且該些凹陷係設置於該凹穴之一底面上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝件，其中各凹陷 具有一深度低於該凹穴之該底面。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝件，其中該些電極層係包含有一導電層，其包括Cu、Al、Au、及Ag其中至少一者，且該導電層自該凹陷中該第一突出物突伸至該第二突出物之一部分。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝件，其中該第一突出物具有一柱狀形狀，且該第一突出物之一上部分具有一面積大於該第一突出物之一下部分之面積，而該第二突出物具有一半球形狀。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝件，其中該本體係包含有一矽基材料。
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