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TWI486092B - 有機電激發光裝置及其製造方法 - Google Patents

有機電激發光裝置及其製造方法 Download PDF

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TWI486092B
TWI486092B TW098131240A TW98131240A TWI486092B TW I486092 B TWI486092 B TW I486092B TW 098131240 A TW098131240 A TW 098131240A TW 98131240 A TW98131240 A TW 98131240A TW I486092 B TWI486092 B TW I486092B
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Makoto Utumi
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Sharp Kk
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Description

有機電激發光裝置及其製造方法
本發明係關於在顯示器之用途中有用之有機EL裝置及其製造方法。更詳細而言，係關於防止外在環境之水分侵入，且長期間下顯示優異之發光效率之有機EL裝置及其製造方法。
近年來，顯示器用途中，使用自發光型之有機EL元件之有機EL裝置之研究正廣泛盛行。有機EL裝置被寄望實現高的發光亮度及發光效率。理由是可在低電壓下實現高的電流密度。尤其，多色顯示，特別是可全彩顯示之高精細多色發光有機EL裝置之實用化在顯示器之技術領域中備受期待。
以有機EL裝置作為彩色顯示器在實用化上之重要課題為除實現高精細度以外，亦須具有包含色再現性之長期安定性。然而，多色發光有機EL裝置會有因一定期間之驅動使發光特性(電流-亮度特性)顯著降低之缺點。
該發光特性降低之原因之代表者為暗點之成長。所謂的「暗點」意指發光缺陷點。該暗點被認為係由於元件中之氧或水分，使驅動時及儲存中之有機EL元件之構成層之材料進行氧化或凝集所產生。暗點之成長不僅在通電中、而且在儲存中進行。尤其，暗點之成長被認為是(1)因元件周圍之外在環境中存在之氧或水分而加速，(2)於構成層中以吸附物存在之氧或水份之影響，以及(3)裝置之製造中所用之零件中吸附之水分或製造時水分侵入之影響。其若繼續成長，則暗點會廣泛分布在有機EL裝置之發光面整面上。
過去，作為防止水分侵入有機EL元件之構成層之手段，進行有使用金屬罐、玻璃板封裝有機EL元件之方法，或者於封裝有機EL元件之空間內配置乾燥劑之方法。然而，為了產生輕量且薄型之有機EL裝置之特徵，因此關注在不使用乾燥劑而以薄膜封裝之技術。
封裝用薄膜係使用氮化矽、氧化氮化矽等。然而，為了抑制該等材料在製膜時對發光層之損傷，因此須減少製膜面之溫度上升且抑制在發光層之玻璃轉移溫度以下。據此，對於有機EL裝置並不適用以半導體製程開發之製膜方法，且有無法形成具有充分防濕性之封裝用薄膜之課題。
對此，特開2005-209356號公報中提出藉由濺鍍法或電漿CVD法形成之氧化氮化矽膜做為可適用於有機EL裝置中之封裝用薄膜(參照專利文獻1)。專利文獻1揭示為使高的氣體隔離性與高的透光率兼具，而使用使組成連續且傾斜地變化之傾斜氧化氮化矽膜，或者使用氧化氮化矽膜與氮化矽膜之二層層合膜。
又，特開2005-222778號公報中提出具有壓縮應力之氮化矽膜與具有拉伸應力之氮化矽膜之層合膜作為有機EL裝置可適用之封裝用薄膜(參照專利文獻2)。專利文獻2中揭示藉由於氮化矽膜中形成之Si-H鍵之數，可控制壓縮應力及伸張應力之大小以及氮化矽膜之折射率，然而，由於形成層合膜之氮化矽膜中之主鍵為Si-N，因此各層間之晶格常數之變化小，而繼續引發底層之層的缺陷，而存在形成包含缺陷之氮化矽膜之問題點。
專利文獻1：特開2005-209356號公報
專利文獻2：特開2005-222778號公報
近年來，為了提高主動式矩陣型之有機EL裝置之開口率，因此製作包含TFT等之切換電路並自基板之相反側取出光，主要成為所謂上部發射型構造之裝置。該構造係在有機EL層上形成透明電極及封裝膜，使有機EL層發出之光通過封裝膜朝外部發射出。作為上部電極使用之ITO或IZO之折射率約為2，於外氣或光取出方向所形成之接著層與保護基板之折射率差大。專利文獻1之封裝膜由於並未規定對光行進方向之折射率，故有透過率低之缺點。
又，於保護膜之製膜過程中連續使製膜氣體之比率變化之方法由於原子排列之不整齊點，或因段差部等處產生之膜之成長方向不一致所形成之界面等之膜缺陷連續成長，故由於該膜缺陷有引起局部防濕性降低之可能性。
本發明之目的係提供一種藉由使用具有高的可見光透過率及優異之防濕性之保護層，而提供具有長期安定性之有機EL裝置。本發明之另一目的係提供一種如前述之有機EL裝置之製造方法。
本發明之有機EL裝置包含基板、與在前述基板上形成之有機EL元件、以及有機EL元件上透過接著層貼合的保護基板，其特徵為前述有機EL元件係由下部電極、有機EL層、上部電極以及保護層所構成，前述保護層為從靠近上部電極之一側起算，由第1層至第n層構成之層合體，在此n為3以上之整數，保護層中各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層中之相鄰2層具有相異的化學組成，保護層之第1層具有比上部電極小之折射率，保護層之第n層具有比接著層大之折射率，以及關於2至n之各個整數k，保護層之第k層的折射率(k)滿足折射率(k-1)＞折射率(k)之關係。
本發明之有機EL裝置包含基板、與在前述基板上形成之有機EL元件、以及有機EL元件上透過接著層貼合的保護基板，其特徵為前述有機EL元件係由下部電極、有機EL層、上部電極以及保護層所構成，前述保護層為從靠近上部電極之一側起算，由第1層至第n層構成之層合體，在此n為3以上之整數，保護層中之各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層中之相鄰2層具有相異的化學組成，關於2至n之各個整數k，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第k層的Si-O鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比Si-O/Si-N面積比(k)滿足Si-O/Si-N面積比(k-1)<Si-O/Si-N面積比(k)之關係，保護層中第n層的Si-O/Si-N面積比(n)為0.8以下，以及關於1至n之各個整數m，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第m層的N-H鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比N-H/Si-N面積比(m)未達0.1。
本發明之有機EL裝置之製造方法為製造前述有機EL裝置之方法，包含在基板上，依序形成下部電極、有機EL層、上部電極以及保護層，以形成有機EL元件之步驟，與透過接著層，對該有機EL元件貼合保護基板之步驟，形成前述保護層之各層，係藉由使用四氫化矽、氨、一氧化二氮(N2 O)以及氮作為原料氣體，且氨氣體對四氫化矽氣體之流量比為0.5以上且未達1.0，且一氧化二氮氣體對四氫化矽氣體之流量比在0以上但未達0.8之電漿CVD法所形成，以及關於2至n之各個整數k，形成保護層第k層時的一氧化二氮氣體之流量(k)滿足流量(k-1)＜流量(k)之關係。
本發明之有機EL裝置之製造方法中，關於2至n之各個整數k，在保護層中第k-1層之形成完畢時停止放電以及氣體之導入，並進行第k層形成用氣體之導入，再開始放電。
近年來在要求發光效率更高之有機EL顯示器之開發之狀況下，本發明可藉由使用具有優異之防濕性之保護層，提供維持長期間優異之發光效率之有機EL裝置。另外，本發明之保護層由於具有高的可見光透過率，因此本發明之構成尤其在上部發射型有機EL裝置中為有效。
圖1顯示本發明之有機EL裝置之一例。本發明之有機EL裝置包含基板10、於基板10上形成之有機EL元件20及透過接著層50貼合於有機EL元件20上之保護基板30，其特徵為有機EL元件20係由下部電極21、有機EL層22、上部電極23及保護層24所構成，保護層24為從靠近上部電極23之一側起算，由第1層至第n層構成之層合體，在此n為3以上之整數，保護層24中之各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層24中之相鄰2層具有相異的化學組成，保護層24之第1層具有比上部電極23小之折射率，保護層24之第n層具有比接著層50大之折射率，以及關於2至n之各個整數k，保護層24之第k層的折射率(k)滿足折射率(k-1)＞折射率(k)之關係。再者，圖1係顯示使用載置色轉換彩色層40之保護基板30，使有機EL元件20與色轉換彩色層40處於對向之位置之例。
又，本發明之有機EL裝置包含基板10、與在前述基板10上形成之有機EL元件20、以及有機EL元件20上透過接著層50貼合的保護基板30，其特徵為前述有機EL元件20係由下部電極21、有機EL層22、上部電極23以及保護層24所構成，前述保護層24為從靠近上部電極23之一側起算，由第1層至第n層構成之層合體，在此n為3以上之整數，保護層24中之各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層24中之相鄰2層具有相異的化學組成，關於2至n之各個整數k，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層24中之第k層的Si-O鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比Si-O/Si-N面積比(k)滿足Si-O/Si-N面積比(k-1)＜Si-O/Si-N面積比(k)之關係，關於保護層24中第n層的Si-O/Si-N面積比(n)為0.8以下，以及關於1至n之各個整數m，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層24中之第m層的N-H鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比N-H/Si-N面積比(m)未達0.1。
前述有機EL裝置可藉由包含在基板10上，依序形成下部電極21、有機EL層22、上部電極23以及保護層24，以形成有機EL元件20之步驟，與透過接著層50，對該有機EL元件20貼合保護基板30之步驟之方法製造。該方法中，形成保護層24之各層，係藉由使用四氫化矽、氨、一氧化二氮(N2 O)以及氮作為原料氣體，且氨氣體對四氫化矽氣體之流量比為0.5以上且未達1.0，且一氧化二氮氣體對四氫化矽氣體之流量比在0以上但未達0.8之電漿CVD法所形成。該方法中關於2至n之各個整數k，形成保護層24之第k層時的一氧化二氮氣體之流量(k)滿足流量(k-1)＜流量(k)之關係。
另外，前述方法中，關於2至n之各個整數k，在保護層中第k-1層之形成完畢時停止放電以及氣體之導入，並進行第k層形成用氣體之導入，再開始放電，以期望使保護層中鄰接之二層間之界面明確。
本發明之基板10可使用可耐形成其他構成層所用之各種條件(例如，使用之溶劑、溫度等)之任意材料所形成。又，基板10較好具有優異之尺寸安定性。用於形成基板10之透明材料包含玻璃，或者聚烯烴、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂及聚醯亞胺樹脂等樹脂。使用前述之樹脂時，基板10為剛直性或亦可為可撓性。或者，尤其是圖1所示之上部發射型有機EL裝置時，亦可使用矽、陶瓷等不透明材料形成基板10。可使用可維持絕緣性及有機EL發光元件之形態之具有剛性之平坦材料形成。
基板10亦可進一步在其表面上含有複數個切換元件(TFT等)及電路等。此構成於具有複數個獨立發光部之主動矩陣驅動型有機EL裝置之製作方面為有效。
位在基板10與有機EL層22之間之下部電極21，及位在有機EL層22之與基板10相反側之上部電極23具有對有機EL層22注入載體及與外部驅動電路導通之功能。下部電極21及上部電極23亦可分別為陽極(電洞注入電極)或陰極(電子注入電極)之任一種。下部電極21及上部電極23之任一方為陽極，另一方為陰極。圖1所示之上部發射型構造中，下部電極21較好為反射電極，上部電極23為透明電極。
作為下部電極21使用之反射電極可使用高反射率之金屬(鋁、銀、鉬、鎢、鎳、鉻等)或其合金，或者無定型合金(NiP、NiB、CrP或CrB等)。就對於可見光可獲得80%以上之反射率之觀點而言，最佳之材料包含銀合金。可使用之銀合金為銀與包含選自由第10族之鎳或白金、第1族之銣及第14族之鉛所組成群組之至少一種金屬之合金，或者包含銀與選自由第2族之鎂及鈣所組成群組之至少一種金屬之合金。
作為上部電極23使用之透明電極可使用SnO2 、In2 O3 、In-Sn氧化物、In-Zn氧化物、ZnO、或Zn-Al氧化物等之導電性金屬氧化物形成。透明電極由於成為用以自有機EL層22之發光取出至外部之路徑，因此以在波長400~800nm之範圍內具有50%，較好85%以上之透過率較適當。
下部電極21及上部電極23可使用電阻加熱方式或電子束加熱方式之蒸鍍法，或濺鍍法形成。蒸鍍法之情況下，可在1.0x10-4 Pa以下之壓力下，以0.1~10nm/秒之成膜速度進行成膜。另一方面，在DC磁控濺鍍法等之濺鍍法之情況下，可使用Ar等惰性氣體作為濺鍍氣體，在0.1~2.0Pa左右之壓力下進行成膜。以濺鍍法形成上部電極23時，為了防止成為被成膜基板表面之有機EL層22之劣化，因此較好不對有機EL層22直接照射形成於標靶附近之電漿。
有機EL層22係位在下部電極21與上部電極23之間，且與個別之電極接觸。發光部之中核是作為層。有機EL層22至少包含發光層，依據需要包含電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層及/或電子注入層。例如，有機EL層22可具有如下之層構造：
(1)陽極/發光層/陰極
(2)陽極/電洞注入層/發光層/陰極
(3)陽極/發光層/電子注入層/陰極
(4)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
(5)陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
(6)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
(7)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
再者，前述(1)~(7)之各構成中，陽極及陰極分別為下部電極21或上部電極23之任一種。
發光層可使用習知之材料形成。用以獲得藍色至藍綠色之發光之材料較好使用例如苯并噻唑系化合物、苯并咪唑系化合物或苯并噁唑系化合物等螢光增白劑；以參(8-羥基喹啉基)鋁錯合物(Alq3 )為代表之鋁錯合物之金屬螯合化鋨化合物；如4,4’-雙(二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)之苯乙烯基苯系化合物；芳香族二甲川系化合物；縮合芳香環化合物；環集合化合物；及哺啉(porphyrin)系化合物等。
或者，藉由將摻合物添加於主體化合物中，可形成發出各種波長域之光之發光層。該情況下，可使用二苯乙烯基芳烯系化合物、N,N’-二甲苯基-N,N’-二苯基聯苯胺(TPD)、Alq3 等作為主體化合物。另一方面，摻合物可使用芘(藍紫色)、香豆素6(藍色)、喹吖啶酮(Quinacridone)系化合物(藍綠色~綠色)、紅熒烯(Rubrene)(黃色)、4-二氰基亞甲基-2-(對-二甲胺基苯乙烯基)-6-甲基-4H-吡喃(DCM，紅色)、白金八乙基哺啉錯合物(PtOEP，紅色)等。
電洞輸送層可使用具有三芳基胺部分構造、咔唑部分構造或噁二唑部分構造之材料形成。電洞輸送層之較佳材料包含TPD、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)、MTDAPB(鄰-、間-、對-)、間-MTDATA等。至於電洞注入層之材料可使用包含銅酞花菁錯合物(CuPc)等之酞花青(Pc)類、陰丹士林(indanthrene)系化合物等材料形成。
電子輸送層可使用如Alq3 之鋁錯合物、如PBD或TPOB之噁二唑衍生物、如TAZ之三唑衍生物、三嗪衍生物、苯基喹噁啉類、如BMB-2T之噻吩衍生物等之材料形成。電子注入層可使用如Alq3 之鋁錯合物，或亦可使用摻雜鹼金屬或鹼土類金屬之鋁之喹啉錯合物等材料形成形成。
除如前述之各構成層以外，亦可視情況在有機EL層22與作為陰極使用之下部電極21或上部電極23之任一者之間任意選擇地形成進一步提高載體注入效率之緩衝層(未圖示)。緩衝層可使用鹼金屬、鹼土類金屬或該等之合金、或稀土類金屬、或該等金屬之氟化物等之電子注入性材料形成。
另外，為了緩和上部電極23在有機EL層22之上表面上形成時之損傷，因此亦較好形成由MgAg等所構成之損傷緩和層(未圖示)。
構成有機EL層22之各層重要的是具有充分實現所需特性之膜厚。本發明中較好為發光層、電洞輸送層、電子輸送層及電子注入層具有2~50nm之膜厚，且電洞注入層具有2~200nm之膜厚。且任意選擇之緩衝層就降低驅動電壓及提高透明性之觀點而言，較好具有10nm以下之膜厚。
有機EL層22之各構成層、緩衝層及損傷緩和層可使用蒸鍍(電阻加熱蒸鍍或電子束加熱蒸鍍)等該技術中已知之任意手段製作。
保護層24為防止自外在環境或擔心會含有水分之層之水分侵入電極及/或有機EL層22之層。保護層24係由三層以上之無機膜所構成，該無機膜分別為氮化矽膜或氧化氮化矽膜。保護層中鄰接之二層無機膜(層)具有相異化學組成。因此，構成上部電極23、保護層24之無機膜及接著層50之折射率較好自上部電極23朝向接著層50越來越小。換言之，保護層24為從靠近上部電極23之一側起算，由第1層至第n層(n為3以上之整數)構成之層合體，且第k層之折射率為折射率(k)時，折射率較好滿足以下之關係：
(1)　(上部電極23之折射率)>折射率(1)；
(2)　折射率(n)>(接著層50之折射率)；以及
(3)　關於自2之n之各整數，折射率(k-1)>折射率(k)。
因此，構成保護層24之無機膜之折射率係在自接著層50之折射率(通常為1.6左右)至上部電極23之折射率(通常為2.1左右)之範圍內。
構成保護層24之無機膜為了防止膜剝離，因此較好具有小的應力。本發明中不管是收縮性或拉伸性之任一種，無機膜之應力較好具有20MPa以下之絕對值。應力可由例如在Si晶圓上形成無機膜，且自無機膜形成前後之Si晶圓之翹曲之變化量求得。
尤其，如圖1所示之上部發射型構造中，由於保護層24位於自有機EL層之光朝外部發出之路徑上，因而較好具有高的可見光透過率。具體而言，波長400~800nm之範圍內膜的衰減係數以小於0.001較適當。
構成保護層24之氮化矽膜及氧化氮化矽膜可使用化學氣相成長(CVD)法形成。尤其，以使用四氫化矽、氨、一氧化二氮及氮作為原料氣體，且施加高頻電力之電漿CVD法較適當。其中，形成氮化矽膜時不使用一氧化二氮。為了獲得前述之折射率，而將氨氣體相對於四氫化矽氣體之流量設定成0.5以上未達1.0。未使用一氧化二氮而形成氮化矽膜之情況下，若使用前述之氨/四氫化矽流量比，則可獲得具有約1.8至1.9之折射率之氮化矽膜。為了降低折射率，而以相對於四氫化矽氣體為0至0.8之流量比導入一氧化二氮氣體。使用一氧化二氮之情況下形成氧化氮化矽膜，隨著一氧化二氮/四氫化矽氣體流量比之增大，所得氧化氮化矽膜之折射率下降。圖2中顯示一氧化二氮/四氫化矽流量比之比率與於波長450nm之折射率之關係(參照製造例1)。
為了獲得防濕性高之氮化矽膜及氧化氮化矽膜，較好將高頻電力之頻率設定成25MHz以上50MHz以下。更好使用27.12MHz或40.68MHz之頻率之高頻電力。另外，較好使高頻電力之電力密度成為0.1~2W/cm2 。就避免在基板10或基板10上早已形成之層受損之觀點而言，較好在70℃以下之基板溫度下進行氮化矽膜或氧化氮化矽膜之形成。
又，本發明中構成保護膜24之各層重要的是維持明確的界面。換言之，在保護層24中鄰接之二層(氮化矽膜或氧化氮化矽膜)具有相異化學組成相當重要。明確之界面就成為對水分擴散之抵抗，提高防濕性之觀點而言為有效。為此，每形成一層完成後，停止放電及原料氣體之導入，且進行形成下一層之新的原料氣體導入，並經放電較適當。例如，使保護層24成為從靠近上部電極23之一側起算，自第1層至第n層(n為3以上之整數)之層合體時，關於2至n之各個整數k，形成保護層中之第k-1層完畢時停止放電及原料氣體之導入，且進行第k層形成用原料氣體(與第k-1層形成用之氣體具有相異成分或相異流量比)之導入，再開始放電較適當。
本發明中，所謂構成保護層24之氮化矽膜及氧化氮化矽膜之「化學組成」並非指膜中之Si、N及O之莫耳比，而是指Si-N鍵結、Si-O鍵結及N-H鍵結之峰面積之比。使本發明中之保護層24成為從靠近上部電極23之一側起算，自第1層至第n層(n為3以上之整數)之層合體時，關於2至n之各個整數k，係經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第k層的Si-O鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比Si-O/Si-N面積比(k)較好滿足Si-O/Si-N面積比(k-1)＜Si-O/Si-N面積比(k)之關係。又，第n層的Si-O/Si-N面積比(n)較好為0.8以下。換言之，1至n之各個整數m中，滿足Si-O/Si-N面積比(m)≦0.8為較佳。除此之外，關於1至n之各個整數m，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第m層的N-H鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比N-H/Si-N面積比(m)以未達0.1較佳。
為了達成以上說明之折射率及化學組成之關係，本發明中保護層24成為從靠近上部電極23之一側起算，自第1層至第n層(n為3以上之整數)之層合體時，關於2至n之各個整數k，形成第k層時之一氧化二氮之流量(k)較好滿足流量(k-1)<流量(k)之關係。
對本發明中Si-O/Si-N面積比之決定法加以說明。最初，測定氧化氮矽膜之IR光譜。本發明中之IR光譜係使用伸張模式之吸收。該模式之吸收由於強度強且峰分離容易故而較佳。又，作為橫軸係使用波數(單位：cm-1 )之線形軸表示之沒有部分擴大之光譜。其中，為了排除背景之吸收，因此較好測定形成有氧化氮化矽膜之被成膜基板，及未形成氧化氮化矽膜之被成膜基板之IR光譜，減掉其差光譜。
所得IR光譜包含膜中因光干涉造成之吸光度變動等。為了排除該吸光度之變動，而使用基準線進行修正。圖3為說明該修正步驟之圖，且顯示所測定原樣之IR光譜100、基準線110及基準線修正後之IR光譜120。對本發明中之氧化氮化矽膜之基準線係藉由以直線連結於以下規定之波數中之IR光譜100之吸光度所獲得。
400,612,1500,1650,2030,2330,2900,3200,3550,4000(cm-1 )
接著，各波數中，自IR光譜100之吸光度減掉基準線110之吸光度，獲得基準線修正後之IR光譜120。
接著，對基準線修正後之IR光譜120進行峰分離。峰分離係藉由以式(I)表示各峰之高斯函數Gn 表現而進行。
[數1]
G n =A n exp(-B n (x-C n ) 2 ) 　(I)
式中，An 為各峰之吸光度之極大值，Cn 為使各峰之吸光度成為極大之波數(單位：cm-1 )，x為波數，Bn 為變數。接著，使用最小二乘法，求得有關各峰之Bn 。亦即，以使各峰之高斯函數Gn 之和，與基準線修正後之IR光譜120之吸光度之差之二乘方和成為最小值之方式，將各峰分離。圖4中顯示圖3之基準線修正後之IR光譜120進行峰分離之結果。
本發明中係以在830~870cm-1 具有極大之峰作為顯示Si-N鍵結之伸張模式之峰，以在970~1070cm-1 具有極大之峰作為Si-O鍵結之伸張模式之峰，以在3250~3400cm-1 具有極大之峰作為顯示N-H鍵結之伸張模式之峰。
最後，將藉由峰分離獲得之各峰高斯函數積分，求得Si-N鍵結、Si-O鍵結、N-H鍵結之吸收面積，藉此決定Si-O/Si-N面積比、N-H/Si-N面積比。
保護基板30可使用例如諸如聚烯烴、聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯等之聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、或聚醯亞胺樹脂之樹脂形成。使用樹脂時，保護基板30可為剛直性，亦可為可撓性。
色轉換彩色層40為用以調整來自有機EL層22發出之光之色相之層。本發明中之「色轉換彩色層」為彩色層、色轉換層、及彩色層及色轉換層之層合體之總稱。色轉換彩色層40可考慮設置於圖1所示之保護基板30之內側，亦可設置於保護基板30之外側之構造。
彩色層為使特定波長域之光透過之層。彩色層具有提高來自有機EL層22或色轉換層之光之色純度之功能。彩色層可使用市售之平板顯示器用彩色材料(例如，富士薄膜電子材料(股)製造之COLOR MOSAIC等)形成。彩色層之形成可使用旋轉塗佈、輥塗佈、澆鑄、浸漬塗佈等塗佈法。又，亦可藉由微影蝕刻法使藉塗佈法形成之膜圖型化，形成具有期望圖型之彩色層。
色轉換層為吸收特定波長域之光進行波長分布轉換，放出不同波長域之光之層。色轉換層至少包含螢光色素，亦可依據需要包含基質樹脂。螢光色素為吸收來自有機EL層22之光，且放射出所需波長域(例如，紅色領域、綠色領域或藍色領域)之光。
吸收藍色至藍綠色領域之光，發射出紅色領域之螢光之螢光色素包含例如若丹明(Rhodamine) B、若丹明6G、若丹明3B、若丹明101、若丹明110、磺基若丹明、鹼性紫11、鹼性紅2等之若丹明系色素；花青素系色素；1-乙基-2-[4-(對-二甲胺基苯基)-1,3-丁二烯基]-吡啶鎓-全氯化物(吡啶1)等之吡啶系色素；以及噁唑啶系色素。或者，亦可使用具有如前述螢光性之各種染料(直接染料、酸性染料、鹼性染料、分散染料等)。
吸收藍色至藍綠色領域之光，發出綠色領域之螢光之螢光色素包含例如3-(2’-苯并噻唑啉)-7-二乙胺基香豆素(香豆素6)、3-(2’-苯并咪唑啉)-7-二乙胺基香豆素(香豆素7)、3-(2’-N-甲基苯并咪唑啉)-7-二乙胺基香豆素(香豆素30)、2,3,5,6-1H,4H-四氫-8-三氟甲基喹啉啶(9,9a,1-gh)香豆素(香豆素153)等之香豆素系色素；溶劑黃-11、溶劑黃-116等之萘醯亞胺系色素；以及鹼性黃-51等之香豆素色素系染料等。或者，亦可使用具有如前述螢光性之各種染料(直接染料、酸性染料、鹼性染料、分散染料等)。
至於色轉換層之基質樹脂，可使用丙烯酸樹脂、各種矽氧烷聚合物、或者可代替該等之任意材料。例如，可使用直鏈型矽氧聚合物、改質樹脂型矽氧聚合物作為基質樹脂。
色轉換層可使用旋轉塗佈、輥塗佈、澆鑄、浸漬塗佈等塗佈法，或者蒸鍍法形成。使用複數種之螢光色素形成色轉換層時，亦可混合特定比率之複數種螢光色素以及基質樹脂形成預混合物，且使用該預混合物進行蒸鍍。或者，亦可使用共蒸鍍法形成色轉換層。共蒸鍍法係藉由使複數種之螢光色素各與基質樹脂混合藉此形成複數種之蒸鍍用混合物，且將該等蒸鍍用混合物配置於個別之加熱部位上，接著，藉由個別加熱蒸鍍用混合物而進行。尤其，複數種之螢光色素之特性(蒸鍍速度及/或蒸汽壓等)有極大差異時，使用共蒸鍍法較有利。
使用包含色轉換層之色轉換彩色層40時，為了防止色轉換層特定之劣化，亦可以覆蓋色轉換彩色層40全部之方式形成鈍化層(未圖示)。鈍化層可使用絕緣性氧化物(SiOx 、TiO2 、ZrO2 、AlOx 等)、絕緣性氮化物(AlNx 、SiNx 等)形成。鈍化層可使用如電漿CVD法之方法形成。由防止色轉換劣化之觀點而言，形成鈍化層時，較好使色轉換彩色層40成為最上層，且使被成膜基板之溫度成為100℃以下。
接著層50為用以貼合基板10與保護基板30之層。接著層50可使用例如熱硬化型接著材、UV硬化型接著劑、UV熱倂用硬化型接著劑等形成。可用之接著劑包含環氧樹脂系接著劑等。其中，前述接著劑亦包含用以畫定基板10與保護基板30之距離之隔離粒子。可使用之隔離粒子包含玻璃珠等。藉由於基板10或保護基板30之任一表面上之特定位置上塗佈接著劑，貼合基板10及保護基板30，接著使接著劑硬化，藉此可形成接著層50。接著層之折射率範圍較好大於1.5，小於1.8。
圖1為顯示具備單一發光部之有機EL裝置之例。然而，本發明之有機EL裝置亦可具備獨立控制之複數個發光部。例如，使下部電極及上部電極二者作為由複數條長條狀電極所構成之電極群，使構成下部電極之長條狀電極之延伸方向與構成上部電極之長條狀電極之延伸方向交叉，亦可形成所謂的被動式矩陣驅動之有機EL裝置。其中，在任意的顯示畫像及/或文字之顯示器用途中，以使構成下部電極之長條狀電極之延伸方向與構成上部電極之長條狀電極之延伸方向成垂直較佳。或者，將下部電極分割成複數個部份電極，使複數個部份電極各1對1導通於在基板上形成之切換元件，使上部電極作為一體型共通電極，亦可形成所謂的主動式矩陣驅動之有機EL裝置。
再者，於被動式矩陣驅動型裝置及主動式矩陣驅動型裝置任一種情況下，亦較好在構成下部電極之複數個部份電極之間設置絕緣膜。絕緣膜可使用絕緣性氧化物(SiOx 、TiO2 、ZrO2 、AlOx 等)、絕緣性氮化物(AlNx 、SiNx 等)、或高分子材料形成。
再者，在具有獨立控制之複數個發光部之構成中，可使用複數種色轉換層形成可多色顯示之有機EL裝置。例如，可使用紅色、綠色及藍色之色轉換層，構成紅色、綠色及藍色之副像素，以3色副像素作為一組以矩陣狀排列像素，藉此形成可全彩顯示之有機EL裝置。
實施例 <製造例1>
本製造例中，使四氫化矽流量設為100sccm，氮氣流量設為2000sccm，氨流量固定在80sccm，且使一氧化二氮之流量在0~160sccm之範圍內變化。此時，混合氣體之壓力設為100Pa。又，使用頻率27.12MHz及電力密度0.5W/cm2 之高頻電力，在50℃之被膜基板上形成氮化矽膜或氧化氮化矽膜。本製造例中，氮化矽膜及氧化氮化矽膜總稱為「SiNOx 膜」。
(1) Si-O/Si-N面積比、N-H/Si-N面積比
使用厚度0.5mm之Si晶圓作為被成膜基板，形成膜厚1μm之SiNOx 膜。使用透過型傅利葉轉換紅外線分光測定器測定所得SiNOx 膜之IR光譜。為了去除因Si晶圓造成之背景吸收，使用同一批號之Si晶圓作為參考，測定SiNOx 膜/Si晶圓層合體與Si晶圓之差光譜。接著，如前述般進行基準線決定，基準線之修正。圖5中顯示光譜形狀。隨後進行峰之分離，求得Si-N鍵結、Si-O鍵結、N-H鍵結之吸收面積，分別決定Si-O/Si-N面積比、N-H/Si-N面積比。結果列於第1表。
(2)　折射率及衰減係數之測定
使用Si晶圓作為被成膜基板，形成膜厚1μm之SiNOx 。使用分光橢圓對稱儀(VASE，JA WOOLAM公司製造)，測定所得SiNOx 膜之折射率及衰減係數。於波長475nm之折射率之變化顯示於圖2。隨著一氧化二氮之添加折射率下降，且於流量100sccm約成為1.68。
(3)　防濕性
以覆蓋膜厚100nm之鈣膜之方式，形成膜厚3μm之SiNOx 膜。將所得之樣品放置於95℃、50%RH之恆溫槽中1000小時，測定鈣膜之變質面積，評價各膜之防濕性。
鈣膜一開始為不透明。然而，若主要氛圍中之水分與鈣膜反應時，生成氫氧化鈣，使反應部份之膜變為透明。進行500μm×500μm範圍之照相攝影，對所攝影之照片進行「透明」及「不透明」之二值化，計算出未透明化之非變質部份之面積之百分比。攝影區域設於膜厚之變異最少之樣品中央部份。該等結果列於第1表。
(4)　膜應力
使用直徑4英吋(約10.2cm)之Si晶圓作為被成膜基板。在成膜前，測定Si晶圓之翹曲。接著，形成膜厚3μm之SiNOx 膜，測定成膜後之Si晶圓之翹曲。由成膜前後之Si晶圓之翹曲變化量計算出SiNOx 膜之膜應力。結果列於第1表。
[表1]
由第1表可見到一氧化二氮之添加量為0~20sccm之膜之防濕性幾乎相同，但當一氧化二氮之添加量進一步增加時，防濕性有下降之傾向。一氧化二氮之添加量超過20sccm時，由於N-H/Si-N面積比變大，故推測關於防濕性之控制，在膜中之N-H鍵結比變小之製膜條件下有必要形成保護膜。認為在非變質部份之面積維持在90%以上之領域適合作為保護膜。
<實施例1>
本實施例中係製備畫素數2×2，畫素寬度0.3mmx0.3mm之紅色發光有機EL裝置。
準備融合玻璃(康寧製造之1737玻璃，50×50×1.1mm)作為基板10。使用濺鍍法，將膜厚100nm之Ag膜堆積在基板10上。藉由微影蝕刻法使所得Ag膜圖型化，形成由寬度0.3mm之兩條長條狀電極構成之下部電極21。
接著，將形成下部電極21之基板10設置於電阻加熱蒸鍍裝置內。使用遮罩藉由蒸鍍法，在下部電極21上形成由膜厚1.5nm之Li構成之緩衝層。接著，使用蒸鍍法，形成由電子輸送層/發光層/電洞輸送層/電洞注入層之4層構成之有機EL層22。電子輸送層為膜厚20nm之Alq3 ，發光層為膜厚30nm之DPVBi，電洞輸送層為膜厚10nm之α-NPD，電洞注入層為膜厚100nm之CuPc。有機EL層22成膜之際，將裝置之真空槽之內壓設為1x10-4 Pa，以0.1nm/s之成膜速度形成各層。接著，使用蒸鍍法，形成膜厚5nm之MgAg膜，以形成損傷緩和層。
接著，將形成損傷緩和層之層合體移動至真空未破壞之對向濺鍍裝置。藉由使用金屬遮罩之濺鍍法，堆積膜厚100nm之IZO，形成透明之上部電極23。上部電極23係由與下部電極21之長條狀電極垂直之方向延伸之具有0.3mm寬度之兩條長條狀電極所構成。上部電極23於波長475nm中具有2.10之折射率。
接著，將形成上部電極23之層合體移動至電漿CVD裝置，形成三層構成之保護層24。第一層係使用四氫化矽100sccm、氨80sccm及氮2000sccm之混合氣體作為原料，施加頻率27.12MHz及電力密度0.5W/cm2 之高頻電力，形成膜厚500nm之氮化矽膜(製造例1之樣品1)。此時，成膜時之裝置內壓力設為100Pa，支撐被成膜基板之支撐台溫度設為50℃。第二層為在第一層之形成條件下追加10sccm之一氧化二氮，形成膜厚500nm之氧化氮化矽膜(製造例1之樣品2)。第三層為在第一層之形成條件下追加20sccm之一氧化二氮，形成膜厚500nm之氧化氮化矽膜(製造例1之樣品4)。藉由以上之步驟，在基板10之上形成由下部電極21/有機EL層22/上部電極23/保護層24組成之有機EL元件20。將所得有機EL元件20移動至內部環境調整成氧濃度5ppm以下及水分濃度5ppm以下之貼合裝置內。
[表2]
另外，準備融合玻璃(康寧製造之1737玻璃，50×50×1.1mm)作為保護基板30。在保護基板30上塗佈紅色彩色材料(COLOR MOSAIC CR7001(富士薄膜電子材料製造)，進行圖型化，在相當於有機EL元件20之像素之位置處形成由具有0.5mm×0.5mm尺寸之四部份所構成之紅色彩色層。紅色彩色層具有1.5μm之膜厚。
接著，將形成紅色彩色層之保護基板30設置於電阻加熱蒸鍍裝置中。使用蒸鍍法，將包含香豆素6及DCM-2之具有300nm膜厚之紅色轉換層堆積於紅色彩色層上。香豆素6及DCM-2分別在個別坩鍋內加熱，將香豆素6之蒸鍍速度設為0.3nm/s，DCM-2之蒸鍍速度設為0.005nm/s。紅色轉換層中之香豆素6：DCM-2之莫耳比為49：1。藉由以上之步驟，形成具有紅色轉換彩色層40之保護基板30。將所得保護基板30移動至前述貼合裝置中。
接著，在貼合裝置內，於保護基板30之形成紅色轉換彩色層40之表面之外周部分滴加環氧系UV硬化型接著劑，於紅色轉換彩色層40上滴加熱硬化型接著劑(OGUSOL SI-20(大阪氣體化學製造)。使紅色轉換彩色層40與有機EL元件20成對向，且以使紅色轉換彩色層40位置對應於有機EL元件20之像素之方式，使形成有機EL元件20之基板10及形成紅色彩色層40之保護基板30暫時接著。接著，將貼合裝置內減壓至約10MPa，使基板10與保護基板30貼合。貼合完成後，將貼合裝置內之壓力上升至大氣壓。
接著，使用遮罩僅對保護基板30之外周部之UV硬化型接著劑照射紫外線，使接著劑暫時硬化。接著，使貼合體在加熱爐內於1小時內加熱至80℃，使接著劑硬化，形成接著層50，獲得有機EL裝置。加熱結束後，在加熱爐內於30分鐘使有機EL裝置自然冷卻，並自加熱爐取出。由熱硬化型接著劑(OGUSOL SI-20(大阪氣體化學製造))形成之有機EL元件20上的接著層50具有1.60之折射率。
<比較例1>
除形成膜厚1500nm之氮化矽膜(製造例1之樣品1)作為保護層24以外，其餘重複實施例1之步驟，形成有機EL裝置。亦即，使用四氫化矽100sccm、氨80sccm及氮2000sccm之混合氣體作為原料，施加頻率27.12MHz及電力密度0.5W/cm2 之高頻電力，製膜成膜厚1500nm之氮化矽膜，進行有機EL裝置之形成。
<比較例2>
除形成膜厚1500nm之氧化氮化矽膜(製造例1之樣品4)作為保護層24以外，其餘重複實施例1之步驟，形成有機EL裝置。亦即，使用四氫化矽100sccm、氨80sccm、一氧化二氮20sccm及氮2000sccm之混合氣體作為原料，施加頻率27.12MHz及電力密度0.5W/cm2 之高頻電力，製膜成氧化氮化矽膜，進行有機EL裝置之形成。
<比較例3>
除使構成保護層24之三層之形步驟序與實施例1相反順序以外，其餘重複實施例1之步驟，形成有機EL裝置。亦即，從上部電極23之側起，形成膜厚500nm之氧化氮化矽膜(製造例1之樣品4)、膜厚500nm之氧化氮化矽膜(製造例1之樣品2)及膜厚500nm之氮化矽膜(製造例1之樣品1)。本比較例之保護層24之膜厚為1500nm。
將實施例1及比較例1~3獲得之有機EL裝置配置在60%、90%RH之環境中，使電流密度0.1A/cm2 之電流流過，連續驅動達1000小時，測定此時之電壓及亮度。將亮度除以電流值，求得發光效率。以實施例1之有機EL裝置之發光效率設為1，求得實施例1及比較例之有機EL裝置之初期發光效率及連續驅動1000小時後之發光效率。結果列於第3表。
[表3]
由第3表可了解，比較例1~3之裝置在初期顯示出比實施例1之裝置差之發光效率。該等為被認為是比較例1~3之裝置之保護層24與接著層50之折射率差，比實施例1中之折射率差大所導致。其結果，認為是有機EL層22發光之一部分被保護層24反射，使發光效率降低。
又，可知比較例1及2之裝置相較於實施例1在連續驅動1000小時後之發光效率顯著下降。比較例之裝置中，認為是由於保護層24為單層，水分通過保護層24並侵入，而使發光效率降低。
10．．．基板
11．．．透明支撐體
20．．．有機EL元件
21．．．下部電極
22．．．有機EL層
23．．．上部電極
24．．．保護層
30．．．保護基板
40．．．色轉換彩色層
50．．．接著層
圖1為顯示本發明之有機EL裝置之一例之剖面圖。
圖2為顯示一氧化二氮氣體對四氫化矽氣體之流量比與折射率之變化圖。
圖3為顯示用以決定氮化矽膜中之Si-N鍵與Si-O鍵之比之IR光譜圖。
圖4為顯示用以決定氫化矽膜中之Si-N鍵及Si-O鍵之比，而施行峰分離之IR光譜之圖。
圖5為顯示一氧化二氮氣體之流量比與紅外線吸收光譜之變化圖。

Claims (3)

  1. 一種有機EL裝置，其係包含基板、與在前述基板上形成之有機EL元件、以及有機EL元件上透過接著層貼合的保護基板之有機EL裝置，其特徵為：前述有機EL元件係由下部電極、有機EL層、上部電極以及保護層所構成，前述保護層為層合體，從靠近上部電極之一側起算，由第1層至第n層構成，在此n為3以上之整數，保護層中之各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層中之相鄰2層具有相異的化學組成，關於2至n之各個整數k，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第k層的Si-O鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比Si-O/Si-N面積比(k)滿足Si-O/Si-N面積比(k-1)<Si-O/Si-N面積比(k)之關係，保護層中第n層的Si-O/Si-N面積比(n)為0.8以下，以及關於1至n之各個整數m，經紅外線吸收光譜測求得的保護層中之第m層的N-H鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比N-H/Si-N面積比(m)未達0.1。
  2. 一種有機EL裝置之製造方法，係包含在基板上，依序形成下部電極、有機EL層、上部電極以及保護層，以形成有機EL元件之步驟、與透過接著層，對該有機EL元件貼合保護基板之步驟，前述保護層為層合體，從靠近上部電極之一側起算， 由第1層至第n層構成，在此n為3以上之整數，保護層中之各層係以氧化氮化矽或氮化矽所構成，保護層中之相鄰2層具有相異的化學組成，關於2至n之各個整數k，經紅外線吸收光譜測定求得的保護層中之第k層的Si-O鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比Si-O/Si-N面積比(k)滿足Si-O/Si-N面積比(k-1)<Si-O/Si-N面積比(k)之關係，保護層中第n層的Si-O/Si-N面積比(n)為0.8以下，以及關於1至n之各個整數m，經紅外線吸收光譜測求得的保護層中之第m層的N-H鍵結對Si-N鍵結之於伸張模式下的波峰面積比N-H/Si-N面積比(m)未達0.1，前述有機EL裝置之製造方法之特徵為：形成前述保護層之各層係藉由使用四氫化矽、氨、一氧化二氮(N2 O)以及氮作為原料氣體，且氨氣體對四氫化矽氣體之流量比為0.5以上且未達1.0，一氧化二氮氣體對四氫化矽氣體之流量比在0以上且未達0.8之電漿CVD法所形成，以及關於2至n之各個整數k，形成保護層第k層時的一氧化二氮氣體之流量(k)滿足流量(k-1)<流量(k)之關係。
  3. 如請求項2之有機EL裝置之製造方法，其中，關於2至n之各個整數k，在保護層中第k-1層之形成完畢時停止放電以及氣體之導入，並進行第k層形成用氣體之導入，再開始放電。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9397318B2 (en) * 2012-09-04 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
TWI578592B (zh) * 2013-03-12 2017-04-11 應用材料股份有限公司 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法
JP6133173B2 (ja) * 2013-08-29 2017-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP6055789B2 (ja) * 2014-02-21 2016-12-27 富士フイルム株式会社 有機機能層付き基板およびその製造方法
EP3254313B1 (en) * 2015-02-04 2020-09-16 Merck Patent GmbH Electronic element and display
DE102016103821A1 (de) * 2016-03-03 2017-09-07 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Verhinderung der Analyse der Materialzusammensetzung eines organischen optoelektronischen Bauelements
EP3642168A1 (en) * 2017-06-23 2020-04-29 Sinmat, Inc. Film for applying compressive stress to ceramic materials
CN108333648A (zh) * 2018-02-09 2018-07-27 广州奥翼电子科技股份有限公司 电泳显示器的保护膜、电泳显示器及其封装方法
CN110890376B (zh) * 2018-09-11 2022-08-02 长鑫存储技术有限公司 半导体器件的制备方法
CN111628098A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 三星显示有限公司 显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002017689A1 (fr) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
JP2005209356A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子及びカラーフィルター
JP2005222778A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Shimadzu Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2007123173A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3326663B2 (ja) * 1994-04-05 2002-09-24 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003203771A (ja) 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子、表示装置及び照明装置
JP4492167B2 (ja) * 2004-03-22 2010-06-30 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP4564773B2 (ja) 2004-04-07 2010-10-20 株式会社 日立ディスプレイズ 発光素子及びその表示装置
JP4906033B2 (ja) * 2004-05-20 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4106076B2 (ja) * 2005-09-29 2008-06-25 松下電器産業株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2007123174A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007184251A (ja) 2005-12-07 2007-07-19 Sony Corp 表示装置
JP2007220646A (ja) 2006-01-19 2007-08-30 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7696683B2 (en) 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
JP5135753B2 (ja) * 2006-02-01 2013-02-06 セイコーエプソン株式会社 光学物品
JP2007273094A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2008153004A (ja) 2006-12-15 2008-07-03 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002017689A1 (fr) * 2000-08-23 2002-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Afficheur electroluminescent organique
JP2005209356A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子及びカラーフィルター
JP2005222778A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Shimadzu Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2007123173A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置

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