[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI446575B - 光電半導體晶片及其製造方法 - Google Patents

光電半導體晶片及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI446575B
TWI446575B TW098125457A TW98125457A TWI446575B TW I446575 B TWI446575 B TW I446575B TW 098125457 A TW098125457 A TW 098125457A TW 98125457 A TW98125457 A TW 98125457A TW I446575 B TWI446575 B TW I446575B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
active region
growth
semiconductor wafer
optoelectronic semiconductor
Prior art date
Application number
TW098125457A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201013993A (en
Inventor
Stephan Lutgen
Christoph Eichler
Marc Schillgalies
Desiree Queren
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Publication of TW201013993A publication Critical patent/TW201013993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI446575B publication Critical patent/TWI446575B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2018—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers
    • H01S5/2031—Optical confinement, e.g. absorbing-, reflecting- or waveguide-layers characterized by special waveguide layers, e.g. asymmetric waveguide layers or defined bandgap discontinuities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3213—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities asymmetric clading layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
    • H01S5/3215—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities graded composition cladding layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

光電半導體晶片及其製造方法
本發明涉及一種光電半導體晶片及其製造方法。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2008 035 784.7之優先權，其已揭示的整個內容在此一倂作為參考。
為了產生波長在短波長的可見光譜區或紫外線光譜區中的輻射，則由氮化物化合物半導體所構成的半導體晶片由於氮化物化合物半導體之較大的能帶間隙而特別適合。
半導體晶片內部中例如生長基板和已生成的層之間的晶格缺陷調整會造成應力，其在含有銦之氮化物化合物半導體中會造成銦之空間抖動，這樣對該半導體晶片之晶體品質有不良的影響。
在文件US 2006/0060833 A1中描述一種發出輻射之具有活性區之光電組件。該活性區具有一種量子井結構，其包括至少一第一氮化物化合物半導體材料，其中該量子井結構生長在一包含至少一第二氮化物化合物半導體材料之非平面結構之至少一側面多角形平面上。此一非平面結構藉助於遮罩層而產生，該遮罩層例如包含氧化矽或氮化矽。藉由在一側面多角形平面上生長該量子井結構，則可使晶體缺陷調整所造成的壓電場下降而使該量子井結構之均勻性獲得改良。
本發明的目的是提供一種晶體品質已改良的光電半導體晶片。
上述目的藉由申請專利範圍第1項所述的光電半導體晶片來達成。
本發明的另一目的是提供一種有效的方法以製造上述之光電半導體晶片。
此目的藉由申請專利範圍第12項所述之製造方法來達成。
光電半導體晶片及其製造方法之有利的佈置和其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。
依據一較佳的實施形式，該光電半導體晶片包括一非平面之生長層，其含有：至少一第一氯化物化合物半導體材料；一活性區，其含有至少一第二氮化物化合物半導體材料且配置在該生長基板上；以及一覆蓋層，其配置在該活性區上，其中該生長基板在面向該活性區之生長表面上具有結構元件。
可連續地形成該生長層或該生長層具有中斷區。例如，該生長層可藉由一平坦層之結構化而製成。所產生的結構元件可由與該生長層相同的材料來形成且包含至少一第一氮化物化合物半導體材料，其與該活性區中所含有的第二氮化物化合物半導體材料不同。
該活性區之生長可在各結構元件上進行及/或在各結構元件之間的中間區中進行。目前所述之非平坦之生長層之生長表面大於一非平坦層之表面。藉由已擴大的生長表面，則可使應力下降且因此使缺陷減少，這樣又可使非輻射式的重組現象更少而使光效益提高。
該覆蓋層可包含一種半導體材料，例如，AlGaAs。
在一較佳的實施形式中，該覆蓋層包含一透明的導電氧化物或由其構成。藉由此種由透明的導電氧化物所構成的覆蓋層，則相對於一由半導體材料所構成的層的應力將變小且因此使材料品質獲得改進。
透明的導電氧化物(簡稱TCO)是透明的導電材料，通常是金屬氧化物，例如，氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或氧化銦錫(ITO)。二元的金屬氧化物包括ZnO,SnO2 ,In2 O3 ，三元的金屬氧化物包括Zn2 SnO4 ,CdSnO3 ,ZnSnO3 ,MgIn2 O4 ,GaInO3 ,Zn2 In2 O5 或In4 Sn3 O12 。這些二元或三元的金屬氧化物、或不同的透明導電氧化物之混合物都屬於TCOs之族群。此外，TCOs在化學計量上未必對應於此種組成而是亦可被p-或n-摻雜。
藉由較佳是包含透明之導電氧化物之覆蓋層，則活性區中所產生的輻射可由半導體晶片中發出。此外，藉由此種覆蓋層可使電流注入至光電半導體晶片中。特別是該覆蓋層配置在半導體晶片之p-摻雜的側面上。
該覆蓋層可蒸鍍或濺鍍在第一半導體區之該覆蓋層下方之層上。第一半導體區配置在該活性區和該覆蓋層之間且較佳是具有一種介於至少2奈米和最多300奈米之間的厚度。第一半導體區之較小的厚度可使該半導體晶片中之應力下降。
在雷射二極體晶片之情況下，該覆蓋層例如用作外罩層，其取代一種由半導體材料構成的外罩層。藉由此一外罩層，則光波可在雷射二極體晶片中傳送且同時由雷射二極體晶片之上側上具有高消光係數(extinction coefficient)的金屬接觸區所遮蔽。因此，該雷射二極體晶片之內部損耗可下降。
較佳是選取一種折射率小於第一半導體區之透明導電氧化物(TCO)以作為該覆蓋層之材料，以藉由該覆蓋層來確保金屬接觸區可達成一種良好的波導和遮蔽作用。
在由半導體材料來生長傳統之覆蓋層或p-摻雜的外罩層時，典型上需要大於1000℃之較高的溫度以及大於1小時的較長的生長時間。這在該活性區中有高的銦含量時會造成銦的擴散且因此使晶體品質下降以及使波長發生變化。有利的方式是藉由使用一種含有TCO之覆蓋層來使生長時的溫度下降以及使生長時間縮短而使該活性區的退化度(degradation)下降。特別是可在最高溫度為950℃，較佳為900℃，特別佳時為300℃時由TCO來製成該覆蓋層。
生長層之非平坦的幾何形式較佳是持續至該活性區中，即，該活性區特別是具有一種由該生長層或結構元件所決定的非平坦外形。該生長層可直接鄰接於該活性區或藉由中間層而與該活性區相隔開。有利的方式是一方面選取足夠大的距離，以便藉由結構元件使該活性區不會有受損的危險，且另一方面選取足夠小的距離，使非平坦的幾何形式持續至該活性區。該活性區為連續的層時是有利的，其覆蓋上述之生長表面。典型上該活性區包括多個部份層。
該生長層在該生長表面上具有結構元件且因此在該生長表面之此側上不是成平坦狀時，則該生長層較佳是平坦地形成在與該生長表面相面對的此側上。
由於該生長表面之非平坦的幾何形式，則配置在該生長表面上的活性區亦具有非平坦的幾何形式。特別是該活性區之與該生長表面相面對的一表面以及該活性區之遠離該生長表面之一表面都以非平坦方式來形成。
該活性區具有一種pn-接面以產生輻射。此pn-接面在最簡單的情況下可藉由一種p-導電和一種n-導電之半導體層來形成，此二個半導體層直接相鄰。較佳是在該p-導電和該n-導電之半導體層之間形成一種可產生特定輻射的結構，其大致上是一種摻雜的-或未摻雜的量子結構之形式。此量子結構可由單一量子井結構(SQW-結構)或多量子井結構(MQW-結構)或量子線或量子點結構來形成。
依據一較佳的實施形式，包含在該活性區中的氮化物化合物半導體材料是一種In1-x-y Alx Gay N，其中0≦x＜1,0≦y＜1且1-x-y≧0.15。至少15%之銦含量可產生一種波長在可見光之短波長光譜區中的輻射。特別是由該活性區所發出的輻射具有435奈米或更長的波長λ。目前所述的光電半導體晶片可特別有利地用來發出綠光。
包含在該生長層中的第一氮化物半導體材料較佳是In1-x-y Alx Gay N，其中0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1。該生長層所具有的銦含量特別是小於該活性區的銦含量。該生長層用的材料較佳是氮化鎵或氮化銦鎵。
結構元件的高度可以是數奈米至數百奈米。結構元件的寬度可以是數奈米至數微米的數量級。
在上述光電半導體晶片之一種有利的佈置中，各結構元件所具有的高度和寬度是在λ/n之範圍中，較佳是最多為λ/n。於是，該活性區和該生長基板之間的界面上的光學散射損耗可有利地下降。
所謂”高度”是指垂直方向(即，平行於生長方向)中一種結構元件之最長的尺寸。所謂”寬度”是指垂直於生長方向的第一橫向中一種結構元件之最長的尺寸。
在圓形的橫切面中，第一橫向中最長的尺寸等於直徑。各結構元件亦可縱向延伸，例如，縱向延伸成為矩形狀。矩形的結構元件可具有一種介於1微米和20微米之間的寬度和一種介於320微米和1000微米之間的長度。此處，各結構元件的”長度”等於第二橫向(其垂直於第一橫向)中最長的尺寸。此處，較佳的長度亦位於λ/n之範圍中，較佳是最多為λ/n。
折射率n是一種平均折射率，其由位於半導體晶片中之材料之不同的折射率算出。
各結構元件可以規則的或不規則的距離而分佈在該生長表面上。分佈的形式可藉由用來製造各結構元件之方法來預設。例如，藉由光學微影術可產生一種規則的結構，但藉由自然的微影術則可製成不規則的結構，該自然的微影術中隨機分佈的飛濺之小球用作遮罩。
與分佈的形式無關的情況下，則當各結構元件之間的距離未超過”數奈米至數微米”之值時是有利的。
典型上，在該活性區配置在該生長層上之前，該生長層本身生長在一種基板上。該生長層較佳是配置在該活性區和該基板之間。
生長該生長層和該活性區用之適當基板特別是GaN-,AlN-,SiC-或藍寶石基板。在銦含量至少15%時，會發生至少2%之晶格缺陷調整率f。其它適當的基板例如包括InGaN或ZnO或由其組成。此處，在銦含量至少15%時會發生最多2%之晶格缺陷調整率f。
晶格缺陷調整率f由下式計算而得：f={晶格常數(活性區)一晶格常數(基板)}/晶格常數(基板)。
上述的生長基板在生長表面上具有結構元件，藉由此種生長基板，則可有利地對抗具有干擾性的晶體缺陷，其在生長層未結構化時是由晶格缺陷調整率f所造成。藉由該生長層的結構化，則該活性區可不平坦地以二維空間來生長。反之，該生長表面可藉由結構化來擴大且可使該活性區達成一種三維之無應力的生長。
基板和活性區之間的晶格缺陷調整率f越大，則結構元件之密度應越大且結構元件之寬度應選取成越小。
若基板和活性區之間的晶格缺陷調整率f小於2%，例如，在使用InGaN-樣板-基板或ZnO-基板時，則結構元件的密度可下降且其寬度可變大。在極端情況下，當晶格缺陷調整率f小於0.5%時，各結構元件可以一種寬度來形成，使該生長表面近似於平坦狀。
目前較佳是使用一種基板，其中基板和活性區之間的晶格缺陷調整率f至少是0.5%。
本專利申請案包括所有形式的電致發光二極體，其發出同調的輻射及/或非同調的輻射。電致發光二極體包括發光二極體(LEDs)和例如VECSEL,VCSEL或邊緣發射器之類的雷射二極體晶片。
在雷射二極體晶片的情況中，與該活性區相鄰之第一波導層可設有多個結構元件。
依據上述光電半導體晶片之製造方法的一較佳的方式，須形成一種非平坦的生長層，其包含至少一第一氮化物化合物半導體材料且在生長表面上具有多個結構元件。此外，活性區包括至少一第二氮化物化合物半導體材料且配置在該生長層上。又，形成一含有透明導電氧化物之覆蓋層。
為了製造非平坦之生長層，較佳是使一平坦的半導體層結構化，其包含至少一第一氮化物化合物半導體材料。特別有利的是以光微影術、自然的微影術、電子束微影術、奈米-壓印(nano-imprint)、濕式化學蝕刻或乾式蝕刻等來進行上述的結構化。這樣所產生的結構元件可規則地或不規則地分佈在該生長表面上。各結構元件特別是可以為凸起，其例如可具有半球形、圓柱形、稜錐體或長方形之形狀。然而，各結構元件亦可以是凹口，其例如可以是孔洞、凹陷或溝渠。
在另一較佳的形式中，以下述方式來產生非平坦的生長層，即：在最多為850℃時的較低之生長溫度下施加一種氮化物化合物半導體材料，例如，GaN或InGaN。在此種較小的生長溫度下，不會形成像傳統之磊晶沈積之類的近似平滑之層，而是形成一種具有粗糙表面結構之層。因此，該生長層之結構化是在較小的生長溫度下在沈積時達成且不需另外進行結構化。
該生長層和活性區在基板上之生長可藉由金屬有機氣相磊晶(MOVPE)或分子束磊晶(MBE)方式來進行。
以下將以第1圖至第9圖來說明上述光電半導體晶片及其製造方法。
各圖式中相同或作用相同的元件設有相同的元件符號。
第1圖顯示生長層之生長表面3之第一實施例的放大的一部份。此處，該生長表面3所具有的結構元件4具有半球形的外形。
各別的結構元件4之高度H和寬度B是在λ/n之範圍中且較佳是不超過此值。例如，在圖示的情況下，B≒174奈米且H≒62奈米。各結構元件4不規則地分佈於該生長表面3上。此種分佈例如藉由使用自然的微影術來達成，其中將聚苯乙烯小球施加在一待結構化的層上。聚苯乙烯小球不規則地分佈在該層的表面上。在各小球之間的中間區中對該層進行蝕刻。因此，在聚苯乙烯小球下方形成不規則分佈的結構元件4。
各結構元件4之間的距離較佳是不大於數奈米至不大於數微米。
第2圖顯示一種生長表面3之另一實施例。各結構元件4形成圓柱形或平截頭稜錐體形。寬度B大約是290奈米且高度H大約是88奈米。
第1圖和第2圖所示的結構元件4都可使該生長層之表面擴大，於是可在該生長層上沈積多個銦含量足夠的層，其應力很小且因此具有較小的缺陷密度。
第3圖顯示光電半導體晶片1之層構造。基板6上配置一生長層2，其在面對該基板6之此側上是平坦的且在遠離該基板6之此側上所具有的生長表面3具有多個結構元件4。活性區5配置在該生長層2上，活性區5特別是具有一種量子井結構。
基板6例如可含有GaN,AlN,SiC或藍寶石或由其所構成。該生長層2包含至少一上述形式的第一氮化物化合物半導體材料，較佳是GaN及/或InGaN。該活性區5包括至少一第二氮化物化合物半導體材料，其銦成份至少有15%。此種銦成份可產生一種波長在可見的短波長之光譜區中的輻射，特別是波長大於435奈米之綠色光譜區中的輻射。
該活性區5可直接沈積在該生長層2上。然而，亦可在該生長層2和該活性區5之間配置至少一個層。一方面須將該活性區5和該生長層2之間的距離選擇成足夠大，使該活性區5不會由於各結構元件4而有受損的危險性，且另一方面須將該距離選擇成足夠小，使非平坦的幾何形式持續至該活性區5。
由第4圖中可知，該生長層2之非平坦的幾何形式可使該活性區5在面對該生長層2之此側上以及遠離該生長層2之此側上都具有非平坦的表面。藉由已擴大的表面可使壓縮性的應力消除。
該活性區5未具有中斷區。同樣，該生長層2以連續的方式來形成。晶體多角形平面可在特定的角度中超過整個生長表面3而形成。
第3圖所示之實施例中，首先在基板6上沈積第一外罩層8和第一波導層2，該第一波導層2較佳是含有GaN或InGaN且為n-摻雜，該第一外罩層8較佳是含有GaN,AlGaN或AlInGaN且為n-摻雜。第一外罩層8之折射率小於第一波導層2之折射率。
第一波導層在表面上被結構化，以形成各結構元件4。第一波導層2然後亦形成該生長層2。
然後，在該生長層2上進行生長，以沈積該活性區5、第二波導層9和一接觸層12，其中第二波導層9較佳是含有GaN或InGaN且為p-摻雜。
第一半導體區包括波導層9和該接觸層12。第二半導體區包括該生長層2和該外罩層8。在第一半導體區上施加一覆蓋層7，其較佳是用來取代一由半導體材料構成的外罩層。覆蓋層7可有利地包含一種TCO，這樣在與一種由半導體材料構成的外罩層相比較時可使晶體品質獲得改良且使製造時間縮短。
最後，一種金屬接觸區10配置在該覆蓋層7上。
總之，全部的措施(例如，形成該生長層2，其具有多個結構元件4和由TCO所構成的該覆蓋層7)都可使應力下降。這樣除了可使品質獲得改良以外亦具有壓電位障(piezo-barrier)較小的優點。由於壓電位障較小，則亦可在極化的晶體方向(例如，c-軸)中進行一種生長。
第5圖和第6圖顯示一種雷射二極體晶片在不同的設計時模擬之垂直光學模式。雷射二極體晶片依據第3圖所示的原理來構成。當然，波導亦能以不同的方式而最佳化。
曲線I顯示出模擬的垂直光學模式，曲線II顯示折射率n之外形。
第5圖之圖形是以雷射二極體晶片為依據而繪出，該雷射二極體晶片具有一由n-GaN構成的基板6和一配置在該基板6上的第一外罩層8，其包含n-GaN及/或n-AlGaN。該折射率n小於活性區5或相鄰的波導層2中的折射率。
該波導層2具有大約400奈米的厚度D以及一種空間中可變化的、特別是階梯形式的折射率n。波導層2可包含InGaN，其銦含量隨著空間而變化。該波導層2較佳是n-摻雜。
活性區5在該波導層2之後形成，活性區5之厚度D大約是25奈米且具有一種交變的折射率n。該活性區5特別是具有一種量子結構。
活性區5之後形成第二波導層9，以及一接觸層12和一覆蓋層7，該第二波導層9中配置一種電子停止層11。
波導層9具有大約400奈米的厚度D以及一種空中可變化的折射率n，其朝向該接觸層12而變小。該波導層9較佳是p-摻雜且包含InGaN/GaN。
厚度D是50奈米之該接觸層12較佳是含有p-GaN且具有折射率n，其小於該波導層9中的折射率。
該覆蓋層7特別是含有TCO且用作外罩層，該覆蓋層7中折射率n較小。這樣可達成一種良好的波導以及使該金屬接觸區10受到良好的遮蔽(請參閱第3圖)。在該覆蓋層7有足夠小的接觸電阻(大約10-4 Ohm/cm2 )和層電阻時，由於操作時較小的損耗功率而可使壽命和輸出功率較具有由半導體材料構成的外罩層之傳統式雷射二極體晶片者更高。
第6圖之雷射二極體晶片與上述各實施例的不同處主要在於第二波導層9之厚度D。此厚度D選擇成較薄。p-側的製造是在一種可促使銦由活性區擴散而出時的溫度中進行。此種製造因此較不費時間。於是，藉由受限的熱負載，可使該活性區之品質獲得改良。此種優點可補償較小的填充因素的缺點。
總之，就第5圖和第6圖而言，雷射二極體晶片中主要是使用含有InGaN之波導層，其折射率較GaN者還高。這樣可有利地使用GaN-外罩層或較薄的AlGaN-外罩層且避免了應力的問題，應力會在較厚的AlGaN-外罩層中產生，較厚的AlGaN-外罩層使用在以GaN為主的傳統式雷射結構中。
第7圖至第9圖顯示光電半導體晶片1之不同的實施例。所有的實施例都是雷射二極體晶片，其較佳是發出綠光。
光電半導體晶片1特別是具有一種如第3圖，5和6所示的層結構。
第7圖至第9圖之光電半導體晶片1中設有一種在中央處中斷的鈍化層13，其限制了一種狹窄條形區上的電流的流動。
在第7圖之實施例中，在整面上形成波導層9和接觸層12。鈍化層13配置在波導層9和接觸層12上且由含有TCO之覆蓋層7所覆蓋，此覆蓋層7另外填滿該條形區。一種整面之金屬接觸區10配置在該覆蓋層7上。
上述之雷射二極體晶片可操作成增益(gained)導引式雷射。然而，藉由選取該鈍化層13，其折射率小於該覆蓋層7，則亦可達成一種橫向之折射率導引作用，這樣可使雷射門限(threshold)和輻射特性獲得改良。
第8圖所示的雷射二極體晶片具有一種階梯形式之蝕刻而成的波導層9和接觸層12，其側面由鈍化層13所覆蓋。活性區5不必蝕刻。然後，藉由選取鈍化層13，其折射率小於該覆蓋層7，該覆蓋層7配置在鈍化層13上且配置在該條形區中，則可進行一種足夠良好的橫向之折射率導引作用。該覆蓋層7上塗佈一種整面的金屬接觸區10。
第9圖之雷射二極體晶片中，該金屬接觸區10在該條形區中敞開。這樣可使用一種薄的覆蓋層7而不會有在其上方的金屬接觸區10上造成吸收現象的危險性。此種設計可另外對該雷射二極體晶片達成光學上的泵送作用，其中泵光可有效地在活性區5和波導層2、9中被吸收。光學泵送可有利地使電荷載體有效地注入至活性區5中，特別是在發出線光之雷射二極體晶片中更有效，以避免垂直的電荷載體輸送時的注入問題。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
1．．．光電半導體晶片
2．．．生長層
3．．．生長表面
4．．．結構元件
5．．．活性區
6．．．基板
7．．．覆蓋層
8．．．第一外罩層
9．．．第二波導層
10．．．金屬接觸區
11．．．電子停止層
12．．．接觸層
13．．．鈍化層
B．．．寬度
H．．．高度
第1圖顯示一種生長表面之第一實施例的REM-容納區。
第2圖顯示一種生長表面之第二實施例的REM-容納區。
第3圖顯示光電半導體晶片之一種層構造之分解圖。
第4圖顯示第3圖中所示的層構造之一部份的橫切面圖。
第5圖顯示雷射二極體晶片之第一實施例中一種模擬的垂直光學模式之圖解。
第6圖顯示雷射二極體晶片之第二實施例中一種模擬的垂直光學模式之圖解。
第7圖顯示雷射二極體晶片之第一種設計之橫切面圖。
第8圖顯示雷射二極體晶片之第二種設計之橫切面圖。
第9圖顯示雷射二極體晶片之第三種設計之橫切面圖。
1．．．光電半導體晶片
2．．．生長層
3．．．生長表面
4．．．結構元件
5．．．活性區
6．．．基板
7．．．覆蓋層
8．．．第一外罩層
9．．．第二波導層
10．．．金屬接觸區
12．．．接觸層

Claims (13)

  1. 一種光電半導體晶片(1)，包括-一非平坦的生長層(2)，其包含至少一第一氮化物化合物半導體材料，-一活性區(5)，其包含至少一第二氮化物化合物半導體材料且配置在該生長層(2)上，以及-一覆蓋層(7)，其配置在該活性區(5)上，其中該生長層(2)在面對該活性區(5)之生長表面(3)上具有多個結構元件(4)，其中該覆蓋層(7)包含透明導電氧化物。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該第二氮化物化合物半導體材料是In1-x-y Alx Gay N，其中0≦x<1,0≦y<1且1-x-y≧0.15。
  3. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該活性區(5)發出一種波長λ是435奈米或更長的輻射。
  4. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中各結構元件(4)具有最多是λ/n的高度(H)和寬度(B)，其中n是折射率且λ是由活性區(5)所發出的輻射之波長。
  5. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該第一氮化物化合物半導體材料是In1-x-y Alx Gay N，其中0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1。
  6. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該活性區(5)具有一種由各結構元件(4)所決定之非平坦的形式。
  7. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該生長層(2)配置在該活性區(5)和基板(6)之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之光電半導體晶片(1)，其中該基板(6)和活性區(5)之間的晶格缺陷調整率f至少是0.5%。
  9. 如申請專利範圍第7項之光電半導體晶片(1)，其中該基板(6)含有GaN,AlN,SiC，藍寶石，InGaN或ZnO。
  10. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中一第一半導體區配置在該活性區(5)和該覆蓋層(7)之間，此第一半導體區具有介於至少2奈米和最多300奈米之間的厚度。
  11. 一種如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之光電半導體晶片(1)之製造方法，包括以下各步驟：-形成一非平坦的生長層(2)，其包含至少一第一氮化物化合物半導體材料且在生長表面(3)上具有多個結構元件(4)，-配置一活性區(5)，其包含至少一第二氮化物化合物半導體材料且配置在該生長層(2)上，以及-形成一覆蓋層(7)，其中該覆蓋層(7)包含透明導電氧化物。
  12. 如申請專利範圍第11項之製造方法，其中該生長層(2)在小於850℃之溫度中製成。
  13. 如申請專利範圍第11項之製造方法，其中各結構元件(4)藉由光微影術、自然的微影術、電子束微影術、奈米-壓印(nano-imprint)、濕式化學蝕刻或乾式蝕刻來製成。
TW098125457A 2008-07-31 2009-07-29 光電半導體晶片及其製造方法 TWI446575B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008035784A DE102008035784A1 (de) 2008-07-31 2008-07-31 Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201013993A TW201013993A (en) 2010-04-01
TWI446575B true TWI446575B (zh) 2014-07-21

Family

ID=41351569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098125457A TWI446575B (zh) 2008-07-31 2009-07-29 光電半導體晶片及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9397262B2 (zh)
EP (1) EP2313934B1 (zh)
DE (1) DE102008035784A1 (zh)
TW (1) TWI446575B (zh)
WO (1) WO2010012266A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014116999A1 (de) * 2014-11-20 2016-05-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102017113389B4 (de) 2017-06-19 2021-07-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaserdiode

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6377596B1 (en) 1995-09-18 2002-04-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor materials, methods for fabricating semiconductor materials, and semiconductor devices
US6078064A (en) * 1998-05-04 2000-06-20 Epistar Co. Indium gallium nitride light emitting diode
TW518767B (en) * 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP4595198B2 (ja) * 2000-12-15 2010-12-08 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP3548735B2 (ja) * 2001-06-29 2004-07-28 士郎 酒井 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US7348600B2 (en) * 2003-10-20 2008-03-25 Nichia Corporation Nitride semiconductor device, and its fabrication process
DE102005005635A1 (de) 2004-08-31 2006-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
FI118196B (fi) 2005-07-01 2007-08-15 Optogan Oy Puolijohderakenne ja puolijohderakenteen valmistusmenetelmä
JP2007056164A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Univ Nagoya 発光層形成用基材、発光体及び発光物質
US7781791B2 (en) 2006-02-28 2010-08-24 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting element
DE102006043400A1 (de) 2006-09-15 2008-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102006046037B4 (de) 2006-09-28 2024-05-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
US20080149946A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light

Also Published As

Publication number Publication date
US20110260202A1 (en) 2011-10-27
WO2010012266A1 (de) 2010-02-04
TW201013993A (en) 2010-04-01
DE102008035784A1 (de) 2010-02-11
EP2313934B1 (de) 2018-01-17
EP2313934A1 (de) 2011-04-27
US9397262B2 (en) 2016-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5908979B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
KR100896576B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN101316026B (zh) 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法
JP5963004B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
US8242532B2 (en) Semiconductor light-emitting device
JP2005277374A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2011228628A (ja) 垂直型の光抽出メカニズムを備える発光素子及びその製造方法
JP2006135311A (ja) 窒化物半導体を用いた発光ダイオード
JP2011119730A (ja) 発光素子及びその製造方法
KR20170018802A (ko) 발광 소자의 제조 방법 및 발광 소자
KR100616591B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20160028980A (ko) 수직형 자외선 발광소자 및 그 제조 방법
US9412904B2 (en) Structured substrate for LEDs with high light extraction
KR100794121B1 (ko) 발광 다이오드
TWI446575B (zh) 光電半導體晶片及其製造方法
CN110838538B (zh) 一种发光二极管元件及其制备方法
KR101600783B1 (ko) 고효율 발광다이오드의 제조방법
US11276800B2 (en) Method of manufacturing light emitting diodes and light emitting diode
US10381515B2 (en) Optoelectronic semiconductor chip and method of producing an optoelectronic semiconductor chip
JP2011082248A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
KR100650990B1 (ko) 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
JP2007250714A (ja) 発光素子
US20230070171A1 (en) Light emitting diode and method of fabricating the same
JP7428564B2 (ja) 半導体発光素子
KR102724445B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법