TWI322754B - Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold - Google Patents

Description

1322754 九、發明說明： 【相關申靖案之交互資訊】 本申請案主張美國臨時申請案第6〇/8〇1，265號，申請曰 為2006年5月18日’名稱為，，資料儲存基材用之基材固持裝 5置及方法’，，及美國臨時申請案第60/827,128號，申請曰為 2006年9月27日，名稱為”雙側壓印，，之優先權，以及美國專 利申請案第11/565,393號，申請日為2006年11月30日，名稱 為”用於排出位於基材及鑄模間的氣體之方法”的部分繼續 案之優先權’ s亥部分繼續案是主張美國臨時申請案第 10 60/748,380號，申請曰為2005年12月8曰，名稱為，，與預成形 模板及/或光可固化液體壓印用之方法及裝置”之優先權，且 是美國專利申請案第11/389,731號，申請曰為2〇〇6年3月27 日，名稱為”調整基材形狀用之壓印微影基材製程工具”的 繼續案，該美國專利申請案是美國專利申請案第10/293,224 15 號，目前為美國專利第7,019,819號，申請日為2002年11月 13日，名稱為”調整基材形狀用之夾合系統”的繼續案，以 上所有在此皆結合併入參考。 【明/屬 3 發明領域 20 本發明是槪有關於一種結構的奈米製造。更詳言之， 本發明是有關於一種用於排出位於基材及鑄模間的氣體之 方法及系統。 發明背景 5 奈米製造涉及非常小結構的製造，例如具有屬於奈米 或更小的特徵。奈米製造具有相當大衝擊的其中一領域是 在積體電路的製程。當半導體製程工業持續致力於大量生 產而增加形成於一基材上各單元面積的電路時，奈米製造 日漸重要。奈米製造提供更佳的製程控制而容許所形成結 構的最小特徵尺寸可減小。其他奈米製造已有的發展領域 包含生物科技、光學科技、機械系統等。 一種奈米製造技術的實例通常是以壓印微影技術為 例。例示壓印微影製程在許多公開資料有詳細說明，例如 美國專利申請公開2004/0065976，美國專利申請號 10/264,960 ’名稱為”於一基材上排設特徵以複製具有最小 維度變異性的特徵之方法及模件”；美國專利申請公開 20(M/0065252，美國專利申請號1〇/264,926，名稱為，，在基 材上形成膜層以助於度量衡標準之方法”；及美國專利號碼 6,936，194 ’名稱為”壓印微影製程用之功能圖案材料”，以 上所有專利案皆讓渡予本發明的受讓人。 上述各美國專利申請公開案及美國專利所揭露之基本 主要壓印微影技術包括於一可聚合膜層形成凸版圖案，及 對應於該凸版圖案轉印一圖案於一底層基材内。該基材可 定位於一運動階台上’以達到所要位置而可助於其圖案 化。為此目的，可與該基材間隔設置一模板，使可成形液 體设於該模板與該基材之間。該液體被固化而形成一固化 層，其内記錄有一圖案，其是與該模具與該液體相接觸的 表面之形狀一致。然後該模板再自該固化層分離，以致於 該模板與該基材被間隔開。然後該基材與該固化層再被獅 予加工處理，而將一對應於該固化層内的圖案之凸版圖像 轉印於該基材内。 為此目的，氣體可能會出現於該模板與該基材之間及 在該可成形液體之中，如此可能導致，尤其是該固化層的 圖案扭曲變形、形成於固化層上的特徵低精確度，及固化 層上的殘留層的厚度不一致，這些皆是不佳的。因此，為 此原因’即存在提供一種用於排出位於基材及鑄模間的氣 體之方法及系統的需要。 【項?'明内溶1 圖式簡單說明 第1圖是一種微影系統之簡化側視圖，其具有一與基材 相間隔的圖案裝置，該圖案裝置包括一模板及一鑄模； 第2圖是如第1圖所示該基材的俯仰視圖，該基材具有 内、中及外徑； 第3圖是如第1圖所示該基材耦接於一基材夾合座之側 視圖， 弟4圖是如第3圖所示該基材夾合座之由底向上十面 SI · 園， 第5圖是如第1圖所示該模板以一鑄模與其耦接之俯仰 視圖； 第6圖是如第1圖所示該模板輻接於一模板夹合座之側 視圖； 第7圖是如第6圖所示該模板失合座之由底向上平面 1322754 第8圖是顯示如第丨圖所示定位於該基材的一區域上壓 印材料的液滴陣列之俯仰視圖； 第9圖是如第1圖所示該基材的簡化側視圖，具有一圖 : 5 案層位於其上； _· 第10圖是顯示於第一實施例中，如第1圖所示的基材形 成圖案的方法之流程圖； φ 第11圖是如第1圖所示的圖案裝置已改變形狀之側視 圖； 10 第12圖疋如第11圖所示圖案裝置之側視圖，其與第8圖 所示的壓印材料的液滴的一部分接觸； 第13 -15圖是顯示第8圖所示該等液滴的壓縮情形之俯 仰視圖，其設置如第8圖所示已改變形狀的模板； 第16圖是顯示於第二實施例中，如第丨圖所示的基材的 15 一區域形成圖案的方法之流程圖； φ 第17圖是如第1圖所示的基材已改變形狀之侧視圖； 第18圖是一銷施加一力於第1圖所示的圖案裝置上以 " 改變其形狀之側視圖；及 — 第19圖是如第1圖所示的系統之側視圖，其中有氣體引 20 入於該圖案裝置與該鑄模之間。 【實施方式3 較佳實施例之詳細說明 如第1及2圖所示，是顯示將一凸版圖案形成於一基材 12上之系統10。基材12可具有圓形形狀；然而，於另一實 .f g 施例中，基材12可具有任何幾何峡。於本實例中， 12可具有盤形，其具有一内徑土 η。進-步地，界定於内徑ri及外徑r2之間是—中間半〜 中間半徑r3是位於與内徑ri及外徑⑽質上相等距離。： 如第1圖所示’基材12可與-基材夹合座Μ輕接。如圖 所不基材夾合祕為-真空夾合座，⑼，基材夾合座μ 可為任何夾合座，包括但不限制為，真空式、銷式、槽式， 或電磁式’如美國娜，873，⑽7，名稱為，，壓印微影製程用 之高精密度導向對準及_㈣階台,，所述，在此參考併 入。基材12與基材夹合座14可被支揮於一階台处。進一 步地，基材12、基材夾合座14 ’及階台啊被定位於一基 座（圖中未顯示）上。階台16可具有於第一及第二轴的運 動，該第一及第二軸是相互垂直，即又及丫軸。 15 如第1、3及4圖所示，基材夾合座μ包含第一及第二相 對側18及2 0。一側或緣表面2 2延伸於第一侧丨8與第二側2 〇 之間。第一側18包含一第一凹部20、一第二凹部22，及一 第三凹部24，界定第一、第二、第三及第四相間隔支撐區 域26,28,30,32。第一支撐區域26環繞第二、第三及第四支 20 樓區域，及第一、第二及第三凹部2〇,22,24。第二支撐區域 28環繞第三及第四支撐區域30,32，及第二及第三凹部 22,24。第三支撐區域3〇環繞第四支撐區域32及第三凹部 24。第三凹部24環繞第四支撐區域32。於另一實施例中， 第一、第二、第三及第四支撐區域26,28,30,32可由依從性 材質所形成。第一、第二、第三及第四支撐區域26,28,30,32

+C S 可具有圓形形狀；然而，於另〆實施例中’第一、第二、 第三及第四支撐區域26,28,30,32可包含任何所要的幾何形 狀。 基材夾合座14内形成有通道34及36 ’然而，基材夾合 5座14可包括任何數量的通道。通道34使第一及第三凹部2〇 及24與側表面22流體連通，然而’於另一實施例中，必須 瞭解的是通道34可使第一及第三凹部20及24與基材夾合座 14的任何表面流體連通。通道36使第二凹部22與側表面22 流體連通，然而，於另一實施例中，必須瞭解的是通道36 10 可使第二凹部22與基材夾合座14的任何表面流體連通。此 外，通道34是為了助於使第一及第三凹部20及24，及通道 36是為了助於使第二凹部22與一壓力控制系統，例如一泵 系統38流體連通。 泵系統38可包含一或多個泵’以控制近第一、第二及 15第三凹部20、22及24的壓力。為此目的，當基材12與基材 夾合座14耦接時，基材12靜靠於第一、第二、第三及第四 支樓區域26、28、30及32上，蓋住第一、第二及第三凹部 20、22及24。第一凹部2〇與基材12的一部分40a重疊，而界 定一第一腔室42。第二凹部22與基材12的一部分40b重疊， 20而界定一第二腔室44。第三凹部24與基材12的一部分40c重 疊，而界定一第三腔室46。泵系統38可作動以控制第一、 第二及第三腔室42、44及46内的壓力。 如第1及5圖所示，與基材12相間隔設置是一圖案裝置 48。圖案裝置48包括一模板50，其具有一凸台52自其延伸 1322754 向基材12而其上具有一圖案表面54。進一步地，凸台52可 被視為一鑄模52。於另一實施例中，模板50可實質上沒有 鑄模52。形成模板50及/或鑄模52的材質可包括，但不限制 為，熔融石英、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、 硼酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬，及硬化藍寶石。如圖所 示，圖案表面54包含由數個相間隔凹部56與凸部58所界定 的特徵。然而，於另一實施例中，圖案表面54可為實質上 呈平滑狀及/或平坦狀。圖案表面54可界定一原始圖案，其 為要形成於基材12上的圖案所需的成形基礎。 15 如第1、6及7圖所示，模板5〇可與一模板夾合座60耦 接，模板夾合座60可為任何失合座，包括但不限制為，真 空式、銷式、槽式，或電磁式，如美國專利6 873 〇87，名 稱為壓印微影製程用之高精密度導向對準及間隙控制階 台所述。模板夾合座60包含第—及第二相對側62,64。一側 或邊緣表面66延伸於第一側62與第二側料之間。第一側62 包含-第-凹部68、-第二凹部7〇,及一第三凹部72,而 界疋相間隔的第-、第二，及第三支樓區域74,76,78。第一 支揮區域74環繞第二及第三切區_ 78，及第一、二及 20 -凹相，7G，72。第—支標區域％環繞第三支撐區域及第 -及一凹。P70,72 °第二支擇區域78環繞第三凹部72。於另 —實施例中’第― ' 第二及第三支標區域74,76,78可由依從 眭材貝所开/成帛、第二及第三支撐區域Αν可為圓 形形狀；然而’於另一實摊备丨占 I她例中，第一、第二及第三支撐 區域74,76,78可為任何所要的幾何形狀。 11 1322754 模板失合座60内形成有通道8〇及82，然而，模板夫合 座6〇可包括任何數量的通道。通道⑽使第__及第三凹部二 及72與第二側64流體連通’然而，於另—實施例中，必須 瞭解的是通道⑽可使第-及第三凹部68及72與模板夾合座、 60的任何表面流體連通^通桃使第二凹㈣與第二驗

㈣«’然而’於另―實施例中’必須瞭解的是通獅 可使第二凹部70與模板夾合座6〇的任何表面流體連通。此 外，通道8G是為了助於使第—及第三凹部财72，且通道 10 82是為了助於使第二凹部7〇與—虔力控制系統例如一泵 系統84流體連通。

果系統84可包含-或多個泵，以控制近第一、第二及 第三凹部68’7G’72的壓力。為此目的，#模板5()與模板央合 座60麵接時，模板5〇靜靠於第―、第二及第三支撑區域 74’76及78上’蓋住第-、第二及第三凹部68 7〇及72。第一 15凹部68與模板50的一部分86a重疊，而界定一第一腔室88。 第二凹部70與模板50的一部分86b重疊，而界定一第二腔室 92。第三凹部72與模板50的一部分86c重疊，而界定一第三 腔室96。泵系統84可作動以控制第一、第二及第三腔室 88,92,96内的壓力。又，模板夾合座6〇可耦接於一壓印頭 20 97 ’以助於圖案裝置48的移動。 如第1圖所示，系統10進一步包括一流體分配系統98。 流體分配系統98可與基材12流體連通以在其上沈積聚合材 料100。流體分配系統98内可包括多數個分配單元。需瞭解 的是聚合材料10 0可使用任何習用技術沈積，例如液滴分配 12 法、旋轉塗佈、浸泡式塗佈、化學汽相沈積(CVD)、物理汽 相沈積（PVD)、薄膜沈積、厚膜沈積等。一般而言，聚合 材料100是在鑄模52與基材12之間界定所要容積之前，設置 於基材12上。然而，聚合材料1〇〇可在已獲得所要容積之後 再填滿於該容積。如第8圖所示’聚合材料1〇〇可沈積於基 材12上作為數相間隔的液滴1〇2，而界定一矩陣陣列1〇4。 舉例來說’液滴102的各液滴可具有約卜1〇微微升的單位體 積。液滴102可成任何二維配置狀態配置於基材12上。 如第1及9圖所示，系統10進一步包括一能量108的來源 106 ’其輕接以沿一路徑11〇導引能量1〇8。壓印頭97及階台 ^是構形成可分別配置鑄模52及基材12以使其重疊且設置 於路徑110上。壓印頭97或階台16其中之一或兩者可改變鑄 模52與基材12之間的距離，以界定其間所要的容量以供聚 合材料100填滿。在所要容量填滿聚合材料1〇〇之後，來源 106會產生能量1〇8，例如寬頻紫外光線，其使聚合材料1〇〇 固化且/或交聯’以配合基材12的一表面112與圖案表面54 的形狀，以將一圖案層114界定於基材12上。圖案層114可 包括一殘留層116及數個特徵，其顯示為凸部U8與凹部 120。此製程的控制可以一處理器122進行調節，該處理器 122是與階台16、泵系統38及84、壓印頭97、流體分配系統 98及來源106具資料通訊，在一儲存於一記憶體124内的電 腦可讀程式上操作。 如第1圖所示’系統10進一步包含一銷126耦接於階台 M。銷126可於一與該第一及第二軸垂直之第三軸移動，即 1322754 沿2轴。藉此，銷I26可接觸鑄模&以改變其形狀，以下將 進一步說明。銷126可為習知任何力或位移致動器，尤其包 含氣動、壓電、磁致伸縮、線性，及音圈。於另_實施例 中，銷126可為高解析壓力調節器及清淨系列空氣活塞，其 -* 5中心銷包括-真空源’可排出圖錄置48與基材12的界 面之間的空氣。 如第卜8及9圖所示，如上所提，鑄模52與基材12之間 φ 的距離可改變，以致於可界定所要容積以供聚合材料100填 滿。此外，在固化之後，聚合材料100會配合基材12的表面 10 U2與圖案表面54的形狀，而在基材12上界定圖案層114。 為此目的，於矩陣陣列104的液滴1〇2之間所界定的容積中 存在有氣體，且矩陣陣列104中的液滴1〇2會分佈於基材12 上，以若不能防止時，可避免氣體及/或氣穴陷入於基材12 與鑄模52之間及圖案層ι14中。該等氣體及/或氣穴可為， 15彳一不限制為空氣、氮氣、二氧化碳，及氦氣。於基材12與 • 鑄模52之間及圖案層U4中的氣體及/或氣穴尤其可能導致 形成於圖案層114上的特徵的圖案扭曲變形、形成於圖案層 114上的特徵低精確度，及遍佈圖案層1丨4上的殘留層us的 厚度不致，這些皆是不佳的。為此目的，以下將說明一 2〇種方法及系統，用以若不能防止時，可使氣體及/或氣穴陷 • 於基材丨2與鑄模52之間及圖案層114中達到最低。 如第1及_所示，於第-實施例中，是顯示將基材12 與鱗模52之間的氣體排出的方法。更具體來說，於步驟 200如上所挺，可藉液滴分配法、旋轉塗佈、浸泡式塗佈、 14 1322754 化學汽相沈積（CVD)、物理汽相沈積（PVD)、薄膜沈積、 厚膜沈積等’將聚合材料1〇〇定位於基材12上。於另一實施 例中，聚合材料100可定位於鑄模52上。 如第6、7、10及11圖所示，於步驟202，圖案裝置48的

5形狀可改變。更具體而言，圖案裝置48的形狀可改變，以 致於在基材12的中間半徑η處鑄模52與基材12之間所界定 的距離di ’如第2圖所示’較在禱模52的其他部分處禱模52 與基材12之間所界定的距離小。舉例來說，距離山小於一

距離距離4是由鑄模52的一邊緣處所界定。於另一實施 10例中’距離山可由鑄模52的任一所要位置處所界定。圖案 裝置48的形狀可藉控制第一及第三腔室68及72中的壓力來 改變。更具體來說，如上所提，泵系統84可作動以控制第 一及第三腔室68及72中的壓力。為此目的，泵系統84可經 由通道80於第一及第三腔室68及72中形成真空，以致於模 板50的部分86a及86c可弓彎遠離基材12且弓彎向模板夾合 座60 °由於模板50的部分86a及86c遠離基材12之弓彎，模 &50的邹分86b會弓彎向基材12而遠離模板夾合座60。 2〇 如第10、12及13圖所示，於步驟204 ’如上所述參考第 ^ 壤印頭97 (如第1圖所示）或階台16其中之一或兩去 义矩離山，如第11圖所示，以致於鑄模52的一部分可 觸夜滴102的一次部分。如圖所示，在鑄模52的其他部分 接觸液滴102的其餘液滴之前，鑄模52與基材12的中間半徑 ^重疊的部分，如第2圖所示，會先接觸液滴102的一次部 然而，於另一實施例中，鑄模52的任一部分可在轉模 15 1322754 52的其他部分之刖先接觸液滴1〇2。為此目的，却圖所示， 鑄模52可實質上同時接觸與基材12的中間半徑η重疊之所 有液滴102，如第2圖所示。如此會使液滴丨〇2擴散且產生一 連續聚合材料100的液態片體13〇。液態片體13〇的邊緣132 _* 5界定一液氣態界面134，其功能是將容積128内的氣體推向 基材12的邊緣136。液滴102之間的容積128界定氣道，氣體 可經由氣道被推至邊緣136。藉此，液氣態界面134與氣道 φ 結合，可於若不能防止時，減少氣體陷於液態片體13〇内。 如第7、10及14圖所示，於步驟206 ,圖案裝置48的形 10狀可被改變，以使铸模52與基材12之間界定所要的容積， 可供聚合材料100填滿，如上所述參考第1圖所示。更具體 而言，圖案裝置48的形狀的改變可藉由結合控制第一及第 三腔室88及96中的壓力，與壓印頭97 (如第1圖所示）及/ 或階台16因與聚合材料1〇〇及鑄模52接觸所施加的力。更具 15 體而言’如上所提，泵系統84可作動以控制第一及第三腔 φ 室88及96中的壓力。為此目的，泵系統84可經由通道8〇減 少在第一及第三腔室88及96中形成的真空大小，以使與液 滴10 0環繞基材12的中間半徑η (如第2圖所示）的後續次集 合相關連的聚合材料100會擴散成包含於連續液態片體 20 130，如第14圖所示。圖案裝置48的形狀繼續被改變，以致 於鑄模52接著會與其他液滴102接觸，以使與其關連的聚合 材料100會擴散成包含於連續片體130，如第15圖所示。由 圖可見，界面134已移動向邊緣136，因此對其他殘留容積 128内的氣體，如第8圖所示，具有暢通的路徑可供移動。 16 1322754 如此使容積128内的氣體，如第8圖所示，可自鑄模52與基 材12之間面向邊緣136跑出。以此方式，使陷於基材12與鑄 模52之間及圖案層114中之氣體及/或氣穴若不能防止時， 如第9圖所示，可達到最低。於另一實施例中，圖案裝置48 5 的形狀可與減少該距離山的同時改變，如上所提參考第11 圖所示。 如第7及12圖所示，於另一實施例中，為促進圖案裝置 48的形狀的改變，可控制第二腔室92中的壓力。更具體而 言，如上所提，泵系統84可作動以控制第二腔室92中的壓 10 力。為此目的，泵系統84可經由通道82形成第二腔室92中 的壓力，使模板50的部分86c可弓彎向基材12而弓彎遠離模 板夾合座60。又，在第二腔室92中的壓力，可與如上所提， 第一及第三腔室88及96的真空狀態同時形成。 如第1及10圖所示，於步驟208，如上所提參考第1圖所 15 示，之後聚合材料100可被固化且/或交聯，以界定圖案層 114,如第9圖所示。接著，於步驟210，鑄模52可自圖案層 114分離，如第9圖所示。 如第1及16圖所示，是顯示本發明的另一實施例。更具 體而言，於步驟300，類似於上述相對於步驟200，如第10 20 圖所示，聚合材料100可定位於基材12或鑄模52上。 如第3、4、16及17圖所示，於步驟302 ’類似於上述相 對於步驟202，如第10圖所示，圖案裝置48的形狀可被改 變。此外，與圖案裝置48的形狀改變的同時，基材12的形 狀可被改變。更具體而言，基材12的形狀可藉由控制第一 17 / i: 1322754 及第三腔室42及46中的壓力來改變。更具體而言，如上所 提，泵系統38可作動以控制第一及第三腔室42及46中的壓 力。為此目的，泵系統38可經由通道36於第一及第三腔室 42及46中形成真空，以致於基材12的部分40a及40c可弓彎 . 5 遠離基材夾合座14且弓彎向鑄模52，如第17圖所示。由於 基材12的部分40a及40c遠離基材夹合座14之弓彎，基材12 的部分40b會弓彎向鑄模52而遠離基材夾合座14。如第11、 13及16圖所示，於步驟304 ’類似於上述相對於步驟204， 如第10圖所示，壓印頭97或階台16其中之一或兩者可改變 10 距離山，如第11圖所示，以致於鑄模52的一部分可接觸液 滴102與基材12的中間半徑η重疊的一次部分，如第2圖所 示’以實質上同時製造聚合材料100的連續液態片體丨3〇。 如第4、12及16圖所示，於步驟306，類似於上述相對 於步驟206，如第1〇圖所示，圖案裝置48的形狀可被改變， 15以使鑄模52與基材12之間界定所要的容積，可供聚合材料 • 100填滿。此外，與改變圖案裝置48的形狀的同時，可改變 基材12的形狀。更具體而言，如上所提，泵系統38可作動 以控制第—及第三腔室42及46中的壓力。為此目的 ，在如 .- 上所提於步驟2〇4，如第1〇圖所示改變圖案裝置48的形狀的 20同時，泵系統38可經由通道36減少在第一及第三腔室42及 46申形成的真空大小，以使與液滴1〇〇環繞基材12的中間半 徑Γ3 (如第2圖所示）相關連的聚合材料1〇〇會擴散成包含於 連續液態片體130，如第14圖所示。基材q的形狀可與改變 圖案裝置48的形狀的同時進一步被改變，以致於鑄模52接 18 1322754 著會與其他液m〇2接觸，以使與其關連的聚合材料ι〇〇合 擴散成包含於連續片㈣〇，如第15圖所示。容積128㈣ 氣體，如第8圖所示，可以實質上與上提步驟206，如第1〇 圖所示相同的方&，自铸模52與基材12之間面向邊緣说跑 5 出。 • 如第3及4圖所示，為促進基材12的形狀的改變，可控 制第二腔室44中的壓力。更具體而言，如上所提，泵系統 鲁 38可作動以控制第二腔室44中的壓力》為此目的’泉系統 38可經由通道34形成第二腔室料中的壓力，使模板5〇的部 1〇分4〇b可弓彎向鑄模52而弓彎遠離基材夾合座14。又，在第 一腔室44中的壓力，可與如上所提，第一及第三腔室们及 46的真空狀態同時形成。 如第1及10圖所示，於步驟308,如上所提參考第丨圖所 不，之後聚合材料1〇〇可被固化且/或交聯，以界定圖案層 15 U4，如第9圖所示。接著，於步驟310，鑄模52可自圖案層 • 丨14分離，如第9圖所示》 如第6及18圖所示，於另一實施例中，為促進圖案裝置 48的形狀改變，可設置一銷丨26。更具體而言，銷丨26可施 - 加—力於圖案裝置48上，於本實施例中是施加於模板50的 20 货_ 弟二部分86c上。藉此，圖案裝置48可包括上述所要改變的 形狀，且可以上述的任何方法實施。亦可設置銷126以促進 鑄模52與基材12的分離，分別如上所述相對於步驟2〇8及 3〇8，如第1〇及16圖所示。此外，在圖案層114成形之後， 如第9圖所示，銷126可移動遠離圖案裝置48，以致於圖案 19 裝置48可呈實質上平坦狀。銷126可與處理器122連通以致 於銷126可使用力反饋(fwee feedback)技術來決定該力的大

如第19圖所示’為進一步促進鑄模52與基材12分離， 5可1^由銷126弓丨入氣體148於基材12與鎮模52之間。更具體 而β銷126可包括一通道150，其具有孔洞152與一壓力控 制系統流體連通，例如一泉系統38。於另-實施例中’銷 I26可包括任何數量的孔洞。孔洞152可定位於將氣體148引 入於鑷极52與基材12之間。氣體148施加-力於鑄模52與基 ίο 材 12 物 λ* 將鑄模52以运離基材12的方向推動，且將基材 12以通離碡模52的方向推動。如圖所示，當銷126靠近於模 板5〇時，氣體148即可被引入於鑄模52與基材12之間；然 而，於另一^ 、 貫允例中，氣體148可於銷126在任何位置時被 引入於鑄模52與基材I2之間。

^上述本發明的實施例是用以舉例說明。可對以上的揭 露作許多改變及變更’而仍在本發明的範圍中。因此，本 發明的須不是由上述所限制，而必須參考以下申請 專利範圍’以及其等效的全部範圍所決定》 【陶式簡單說明】 第1圖是一種微影系統之簡化側視圖，其具有一與基材 相門隔的圖案裝置，該圖案裝置包括一模板及一鑄模； 第2圖是如第丨圖所示該基材的俯仰視圖，該基材具有 内、中及外徑； 八 第3圖X如第1圖所示該基材耦接於一基材夾合座之側 20 第4圖是如第3圖所示該基材央_合座之由底向上平面 圖 第5圖是如第1圖所示該模板以一鑄模與其耦接之俯仰 視圖； 第6圖是如第1圖所示該模板耗接於一模板夾合座之側 視圖； 第7圖是如第6圖所示該模板夾合座之由底向上平面 fpt| · 圖， 第8圖是顯示如第1圖所示定位於該基材的一區域上壓 印材料的液滴陣列之俯仰視圖； 第9圖是如第1圖所示該基材的簡化側視圖，具有一圖 案層位於其上； 第10圖是顯示於第一實施例中，如第1圖所示的基材形 成圖案的方法之流程圖； 第11圖是如第1圖所示的圖案裝置已改變形狀之側視 回 · 圖， 第12圖是如第11圖所示圖案裝置之側視圖，其與第8圖 所示的壓印材料的液滴的一部分接觸； 第13-15圖是顯示第8圖所示該等液滴的壓縮情形之俯 仰視圖’其設置如第8圖所示已改變形狀的模板； 第16圖是顯示於第二實施例中，如第1圖所示的基材的 一區域形成圖案的方法之流程圖； 第Π圖是如第1圖所示的基材已改變形狀之側視圖； 1322754 第18圖是一銷施加一力於第1圖所示的圖案裝置上以 改變其形狀之側視圖；及 第19圖是如第1圖所示的系統之側視圖，其中有氣體引 入於該圖案裝置與該鑄模之間。 【主要元件符號說明】

10…系統 56,58···凹部，凸部 12…級 60…模板夾合座 14…基材炎合座 62,64…第一，二側 16…階台 66···側表面 18,20…第一，二側 68,70,72…第一，二，三凹部 22···側表面 74,76,78···第一，二，三支樓區域 20,22,24…第一，二，三凹部 80,82…通道 26,28…第一，二支撐區域 84…泵系統 30,32…第三，四支樓區域 86^8613,86(:…模板的部分 34,36…通道 88,92,96.··第一，二,三腔室 38…泵系統 97…壓印頭 4〇Μ(^，40ο…基材的部分 98…流體分配系統 42,44,46…第一，二，三腔室 100…聚合材料 48…圖案裴置 102…液滴 50…模板 104…矩陣陣列 52…鑄模(凸台） 106…來源 54…圖案表面 108…能量 22 1322754 110…路徑 130···液態片體 112…表面 132…邊緣 114...圖案層 134…液氣態界面 116…殘留層 136…邊緣 118,120…凸部，凹部 148…氣體 122.··處理器 150…通道 124…記憶體 152···孔洞 126…銷 128.··容積 / έ h •· cS9 ^ 23

Claims (1)

1322754 十、申請專利範圍： 1. 一種用於排出位於基材及鑄模總成間的氣體之方法，該 基材及該鑄模總成進一步具有液體位於其間，該方法包 括以下步驟： 5 定位該鑄模總成及該基材，以使該鑄模總成靠近該 基材，該鑄模總成具有一第一區域、一第二區域，及一 第三區域，該第二區域環繞該第一區域且該第三區域環 繞該第一及第二區域； 改變該鑄模總成的形狀，其藉使該第一及第三區域 10 弓彎遠離該基材，以致於該第二區域弓彎向該基材，以 減少該鑄模總成的第二區域與該基材之間所界定的間 隙；及 將該液體的一次部分與該鑄模總成的第二區域接 觸，以使該氣體可自該基材與該鑄模總成之間排出且該 15 液體可填滿於該鑄模總成與基材之間所界定的容積。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中改變該形狀之步 驟進一步包括形成一於一第一腔室與一第二腔室之間的 第一壓力差，以及形成一於第二腔室與一第三腔室之間 的第二壓力差之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於該 20 鑄模總成的夾合座的一部分與該鑄模總成的第一區域之 間，該第二腔室是界定於該夹合座的一部分與該鑄模總 成的第二區域之間，該第三腔室是界定於一耦接於該鑄 模總成的夾合座的一部分與該鑄模總成的第三區域之 間。 24 1322754 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中改變該形狀之步 驟進一步包括將一第一腔室及一外加腔室形成真空狀態 之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於該鑄模總成的夾 合座的一部分與該鑄模總成的第一區域之間，該外加腔 5 室是界定於耦接於該鑄模總成的該夾合座的一部分與該 鑄模總成的第三區域之間。 4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中接觸該次部分之 步驟進一步包括接觸該液體與該鑄模總成的第二區域重 疊的區域之步驟。 10 5.如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包含施加一壓 力於該基材與該鑄模總成之間而與該鑄模總成的該第一 區域重疊，以將該鑄模總成自該基材上的該液體分離。 6.如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包括將光化能 衝擊於該液體上以將之固化的步驟。 15 7. —種用於排出位於基材及鑄模總成間的氣體之方法，該 基材及該鑄模總成進一步具有液體位於其間，該方法包 括以下步驟： 定位該鑄模總成及該基材，以使該鑄模總成靠近該 基材，該鑄模總成具有一第一區域、一第二區域，及一 20 第三區域，該第二區域環繞該第一區域且該第三區域環 繞該第一及第二區域； 改變該鑄模總成的形狀，其藉使該第一及第三區域 弓彎遠離該基材，以致於該第二區域弓彎向該基材，以 減少該鑄模總成的第二區域與該基材之間所界定的間 25 1322754 隙，該第一區域是藉施加一力於該鑄模總成面向該基材 的表面上而被弓彎；及 將該液體的一次部分與該鑄模總成的第二區域接 觸，以使該氣體可自該基材與該鑄模總成之間排出且該 5 液體可填滿於該鑄模總成與基材之間所界定的容積。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法，其中改變該形狀之步 驟進一步包括形成一於一第一腔室與一第二腔室之間的 第一壓力差，以及形成一於第二腔室與一第三腔室之間 的第二壓力差之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於該 10 鑄模總成的夾合座的一部分與該鑄模總成的第一區域之 間，該第二腔室是界定於該夾合座的一部分與該鑄模總 成的第二區域之間，該第三腔室是界定於一耦接於該鑄 模總成的夾合座的一部分與該鑄模總成的第三區域之 間。 15 9.如申請專利範圍第7項所述之方法，其中改變該形狀之步 驟進一步包括將一第一腔室及一外加腔室形成真空狀態 之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於該鑄模總成的夾 合座的一部分與該鑄模總成的第一區域之間，該外加腔 室是界定於耦接於該鑄模總成的該夾合座的一部分與該 20 鑄模總成的第三區域之間。 10. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中接觸該次部分 之步驟進一步包括接觸該液體與該鑄模總成的第二區域 重疊的區域之步驟。 11. 如申請專利範圍第7項所述之方法，進一步包含施加一 26

壓力於該基材與賴_成之間模總成的該第 -區域重疊，以將贿模總成自絲材上_液體分離。 12.如申請專利範圍第7項所述之方法，進—牛勺 能衝擊於該液體上以將之固化的步驟。•“化 5 13·-制於排纽於基材及鑄模總成間的氣體之方法，該 基材及該鑄_錢-步具有㈣位於㈣，該方法包 括以下步驟： 10 15 20 定位該鳞模總成及該基材，以使__成靠近該 基材，該鑄模總成具有—第—區域、—第二區域，及一 第三區域’該第二區域環繞該第—區域且該第三區域環 繞該第一及第二區域； 改變該基㈣職，以致於該基材與輯模總成的 第一區域重疊之一區域弓彎向該鑄模總成； 改變該鑄模總成的形狀，其藉使該第一及第三區域 弓彎遠離該基材’以致於該第二區域弓彎向該基材以 減少該鑄模總成的第二區域與該基材與其重疊之該區域 之間所界定的間隙；及 將s亥液體的一次部分與該鑄模總成的第二區域接 觸’以使該氣體可自該基材與該鑄模總成之間排出且該 液·體可填滿於該鑄模總成與基材之間所界定的容積。 14.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中改變該基材的 形狀之步驟進一步包括於一耦接於該基材的基材夾合座 的一部分與該基材的該區域之間所界定的一第一容積產 生一壓力之步驟。 27 15.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中改變該基材的 形狀之步驟進—步包括於〆耦接於該基材的基材夾合座 的一部分與該基材的該區威之間所界定的一第一容積， 與輕接於該基材的該基材夹合座的一部分與該基材的一 5 外加區域之間所界定的一第二容積之間產生壓力差之步 - 驟，該外加區域是環繞於該區域。 16·如申請專利範圍第13項所述之方法，其中改變該形狀之 φ 步驟進一步包括形成一於〆第一腔室與一第二腔室之間 的第一壓力差，以及形成，於第二腔室與一第三腔室之 1〇 間的第二壓力差之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於 »亥鵠模總成的炎合座的一部分與該鑄模總成的第一區域 之間，該第二腔室是界定於該夾合座的一部分與該鑄模 總成的第二區域之間，該第三腔室是界定於一耦接於該 鑄模總成的夾合座的一部分與該鋒模總成的第三區域之 15 間。 • 17·如申請專利範圍第13項所述之方法，其中改變該形狀之 步驟進一步包括將_第一腔室及一外加腔室形成真空狀 態之步驟，該第一腔室是界定於一耦接於該鑄模總成的 • 夾合座的一部分與該鑄模總成的第一區域之間，該外加 2〇 腔室是界定於耦接於該鑄模總成的該夾合座的一部分與 該鱗模總成的第三區域之間。 18.如申請專利範圍第13項所述之方法，其中接觸該次部分 之步驟進一步包括將該液體位於與該基材的該區域重疊 者’與該鑄模總成的第二區域接觸之步驟。 28 1322754 19. 如申請專利範圍第13項所述之方法，進一步包含施加一 壓力於該基材與該鑄模總成之間而與該鑄模總成的該第 一區域重疊，以將該鑄模總成自該基材上的該液體分離。 20. 如申請專利範圍第13項所述之方法，進一步包括將光化 5 能衝擊於該液體上以將之固化的步驟。