TWI262292B

TWI262292B - Method and apparatus for inspecting a mura defect, and method of manufacturing a photomask

Info

Publication number: TWI262292B
Application number: TW094117430A
Authority: TW
Inventors: Teruaki Yoshida
Original assignee: Hoya Corp
Priority date: 2004-05-28
Filing date: 2005-05-27
Publication date: 2006-09-21
Also published as: KR100792216B1; KR20060048093A; JP4480002B2; CN1721987B; US20050271262A1; TW200612076A; JP2005338621A; CN1721987A; US7443498B2

Description

1262292 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關一種壞點檢查方法，一種壞點檢查裝置，以及一種光罩製造方法。【先前技術】

於半導體裝置、成像裝置、或顯示裝置製造方法中，形成圖案所使用之光罩具有一種組配結構，其中由鉻等製成之不透明薄膜被部分去除，而於諸如玻璃板之透明基板上形成為預定圖案。光罩係以下述方法製造。不透明薄膜形成於透明基板上，以及，抗蝕劑薄膜形成於該不透明薄膜上。然後，經由使用電子束或雷射進行寫入程序，而讓預定圖案曝光於該抗蝕劑薄膜上。隨後，寫入部分及未寫入部分被選擇性去除，來形成抗蝕劑圖案。不透明薄膜係使用抗蝕劑圖案作為光罩蝕刻，來形成不透明薄膜圖案。最後，殘留抗蝕劑被去除，以及獲得光罩。使用電子束或雷射而利用掃描直接對抗蝕劑圖案施加寫入程序之微影術裝置，被粗略分成光栅掃描系統及向量掃描系統。於光柵掃描系統，射束（電子束或雷射）掃描於全部寫入區，當射束到達圖案部分時，射束被轉成Ο N (啟動）而繪圖圖案。射束於Y方向以恆定掃描寬度掃描。當Y方向之掃描操作結束時，射束被饋於X方向。此等操作重複進行，來掃描全體寫入區。另一方面，於向量掃描系統，於多數個掃描區（寫入單元） 6 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 1262292 之各區射束只掃描欲形成圖案部分。當一個圖案之掃描操作結束時，射束被轉成 0 F F (關閉），然後移動至同一個掃描區之下一個欲形成圖案部分。射束再度被轉成ON，以及掃描該部分。當掃描區之全部圖案皆已經被寫入時，射束經由移動X - Y平台而被移動至下一個掃描區。

當採用前述任一種寫入系統時，由於射束掃描寬度或由於射束直徑，存在有寫入接合處，因而出現問題，即，於各個寫入單元定期引發錯誤，該錯誤係由於此種接合處出現寫入失敗（諸如邊界錯誤）所造成。於一個具有重複圖案之構件中，該重複圖案係根據例如像素圖案而規則排列，成像裝置諸如固態成像裝置（例如 CCD、CMOS等）、顯示裝置諸如液晶顯示面板等顯示裝置之製造用之光罩，於規則重複圖案上出現週期性錯誤，該錯誤係由於前文說明之寫入失敗所造成。即使各個錯誤的尺寸小至於微米級而不可見（例如數十奈米），但該錯誤由於連續之線性誤差結果變成為可見。結果，於敏感度上或於顯示上出現諸如壞點，而造成裝置之效能降低問題。如同如上實例，於規則配置之圖案中非預期而出現之規則錯誤稱作為「壞點（ni u r a defect)」。習知圖案尺寸檢查、圖案缺陷檢查、及顆粒檢查通常係用來確保光罩品質的檢查。但此等檢查係檢查光罩之局部缺陷，因而幾乎無法檢測出只有在光罩之寬廣區才可辨識的壞點或缺陷。因此，壞點係由屬於主觀檢查之視覺檢查來檢查。 7 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430

1262292 另一方面，例如，日本專利公開案J P - A - 1 Ο - 3 Ο Ο 4 4 7揭一種影像裝置基板（例如TF Τ液晶基板）之壞點檢查裝置於該壞點檢查裝置中，基板表面照光，觀察表面上所形之圖案緣部之散射光，藉此檢查壞點。但，於此種壞點之視覺檢查，檢查結果因檢查工作人而各異。由於此等理由故，無法準確檢查光罩之壞點。果，有裝置之良率降低問題。於使用光罩而製造之裝置，考慮裝置壞點不僅係由光所引起，同時也由於光罩之縫綴曝光等理由所引起。 J Ρ - A - 1 0 - 3 0 0 4 4 7所揭示之壞點檢查裝置，難以識別被檢得之壞點起因。 J P - A - 1 0 _ 3 0 0 4 4 7所揭示之壞點檢查裝置可檢測壞點。該裝置無法定量評估壞點。例如，該裝置無法區別需要查之壞點與無需檢查之壞點，該裝置無法基於缺陷強度定量評估一壞點。【發明内容】有鑑於前文討論之情況而完成本發明。本發明之目的一係提供一種壞點檢查方法，其中，出現於欲檢查構件重複圖案中之一壞點可被定性與定量評估，因而可準確測壞點。本發明之其它目的之一係提供一種壞點檢查裝置，其定性與定量評估出現於欲檢查構件之重複圖案中之壞點以及準確檢測該壞點。本發明又一步目的係提供一種光罩之製造方法，該光 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 示〇成員結罩於測但檢來之之檢可罩 8 1262292 允許定性評估及定量評估於欲評估之光罩重複圖案中出現之壞點，以及準確檢測壞點。根據本發明之第一方面，提供一種壞點之檢查方法，其係檢查出現於一欲檢查構件上之重複圖案中之壞點，而該重複圖案具有大量規則排列的單元圖案，此方法包含下列步驟：檢測出現於欲檢查構件之重複圖案中之壞點；以及

經由比較於檢測步驟中所檢測得之壞點檢測資料與多數虛擬壞點檢測資料，來評估欲檢查構件之壞點，其中，針對個別種類之壞點，該虛擬壞點檢測資料分別與多數虛擬壞點交互關聯，而出現於一預定重複圖案中之壞點強度，對該等虛擬壞點係以步進改變方式配置。根據第二方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，該虛擬壞點檢測資料之獲得方式，係藉由檢測形成於一壞點檢查遮罩上之多數虛擬壞點，而該壞點檢查遮罩具有經由一不透明薄膜而形成於一基板上的預定重複圖案，以及，針對個別種類之壞點，出現於該預定重複圖案中之壞點強度，對該多數虛擬壞點係以步進改變方式配置。根據第三方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，於該評估步驟中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測程度來評估，以及該檢測程度係根據壞點之分類強度而設定，該分類強度係相對於一裝置上形成之壞點而被界定，而此等壞點係經 9 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-09/941 ] 743〇 1262292 由將具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。根據第四方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，於該評估步驟中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測臨限值來評估，以及該檢測臨限值係根據該壞點之容許強度而設定，該容許強度係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經由將具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。

根據第五方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，該壞點種類屬於下列之至少一者：一 CD壞點：基於重複圖案中之單元圖案之臨界尺寸異常之壞點；一節距壞點：基於重複圖案中之單元圖案之間隔距離異常之壞點；一邊界壞點：基於重複圖案中之單元圖案之位置錯位之壞點；以及一缺陷壞點：基於重複圖案中之單元圖案之圖案缺陷之壞點。根據第六方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，該欲檢查構件為一影像裝置或一製造該影像裝置用之光罩。根據本發明之第七方面，提供一種壞點之檢查裝置，其係用來檢查出現於一欲檢查構件上之重複圖案中之壞點，而該重複圖案有大量規則排列的單元圖案，此裝置包含： 10 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 1262292 一-檢測單元，其係用來檢測於該欲檢查構件之重複圖案中出現之壞點；以及一評估單元，其係經由比較於檢測步驟中所檢測得之該欲檢查構件之壞點之壞點檢測資料與多數個虛擬壞點檢測資料，用來評估該欲檢查構件之壞點，其中，針對個別種類之壞點，該虛擬壞點檢測資料分別與多數虛擬壞點交互關聯，而出現於一預定重複圖案中之壞點強度，對該等虛擬壞點係以步進改變方式配置。

根據第八方面，如本發明之第七方面所陳述，較佳者，於該評估單元中：使用一壞點檢查遮罩，其中有多數重複圖案係形成於一基板上，各個重複圖案具有多數虛擬壞點，針對個別種類之壞點，出現於一預定重複圖案中之壞點強度，對該多數虛擬壞點係以步進改變方式配置，以及虛擬壞點檢測資料，其係與該虛擬壞點交互相關，並且係於檢測付壞點檢查遮罩之虛擬壞點時所獲付，该虛擬壞點檢測資料，係與藉該檢測單元檢測而得之欲檢查構件之壞點之壞點檢測資料相比較。根據第九方面，如本發明之第七方面所陳述，較佳者，於該評估單元中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測程度來評估，以及該檢測程度係根據壞點之分類強度而設定，該分類強度係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經由將 11 312XP/發明說明書(補件)/94-09/9411 M3 0 1262292 具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。根據第十方面，如本發明之第七方面所陳述，較佳者，於該評估單元中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測臨限值來評估，以及該檢測臨限值係根據該壞點之容許強度而設定，該容許強度係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經由將具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。

根據第十一方面，如本發明之第七方面所陳述，較佳者，該壞點種類屬於下列之至少一者：一 C D壞點：基於重複圖案中之單元圖案之臨界尺寸異常之壞點；一節距壞點：基於重複圖案中之單元圖案之間隔距離異常之壞點；一邊界壞點：基於重複圖案中之單元圖案之位置錯位之壞點；以及一缺陷壞點：基於重複圖案中之單元圖案之圖案缺陷之壞點。根據第十二方面，如本發明之第七方面所陳述，較佳者，該欲檢查構件為一影像裝置或一製造該影像裝置用之光罩。根據第十三方面，如本發明之第一方面所陳述，較佳者，該方法係用於製造具有預定不透明薄膜圖案於透明基板上之光罩， 12 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/9(09/94117430 1262292 其中該不透明薄膜圖案係經由一重複圖案組配而成，於該重複圖案中有大量單元圖案規則排列。

欲檢查構件上之重複圖案之壞點之壞點檢測資料，係與該多數虛擬壞點檢測資料相比較，藉此評估欲檢查構件之壞點，而針對個別種類之壞點，該虛擬壞點檢測資料分別與多數虛擬壞點交互關聯，而出現於一預定重複圖案中之壞點強度，對該等虛擬壞點係以步進改變方式配置。因此，欲檢查構件之壞點可針對個別種類之壞點而被定性評估，以及，根據壞點強度而被定量評估。結果，可準確檢測欲檢查構件之壞點。【實施方式】後文將參照隨附之内容來說明執行本發明之最佳模式。圖1為透視圖，顯示根據本發明之壞點檢查裝置之一具體例之組態；以及，圖2為平面圖，顯示圖1之光罩中之晶片之重複圖案。圖1所示壞點檢查裝置1 0可檢測形成於光罩5 0表面之重複圖案5 1中出現之壞點（圖2 )，光罩5 0為欲檢查之構件，此裝置之組配結構為一平台1 1、一光源1 2、一光接收器1 3、一分析裝置1 4及一用作為評估手段的評估裝置1 5。光接收器1 3及分析裝置1 4係對應於檢測單元。分析裝置 1 4及評估裝置 1 5係由相同或相異之個人電腦來實施。光罩5 0為影像裝置之製造用之曝光遮罩。影像裝置為其中多數像素圖案最終接受影像處理或影像顯示之裝置。此種裝置之實例為成像裝置及顯示裝置。成 13 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430

1262292 像裝置之典型例為固態成像裝置如c C D、C Μ 0 S及V Μ Π 及，顯示裝置之典型例為液晶顯示裝置、電漿顯示裝 EL顯示裝置、LED顯示裝置及DMD顯示裝置。因此特另; 形成一成像裝置之成像面之像素圖案，為形成 CCD、等之光接收部分之重複圖案；以及，形成一顯示裝置示面之像素圖案，為例如薄膜電晶體、相對基板、或顯示器裝置之彩色濾光片之重複圖案。於光罩5 0，由鉻等製成之不透明薄膜設置於由玻璃 φ 成之透明基板5 2上，不透明薄膜係藉預定重複圖案被去除（圖2 )。重複圖案5 1用來藉微影術方法轉印多像裝置之像素圖案，且係藉由根據像素圖案規則排列圖案5 3組配而成。圖1中之參考號碼5 5表示藉由形複圖案5 1組配成之晶片。晶片係以約5 X 5之數目設置罩50。一種製造光罩5 0之方法具有：一不透明薄膜圖案形驟，其係形成由重複圖案5 1所形成之一不透明薄膜廣於重複圖案5 1中，多數單元圖案5 3規則排列；以及點檢查步驟，其係使用壞點檢查裝置1 0來實施該壞點方法，來檢查於重複圖案5 1中出現之壞點。於該不透明薄膜圖案形成步驟中，首先，不透明圖成於透明基板5 2上，抗蝕劑薄膜形成於不透明薄膜上次，經由使用寫入裝置電子束或雷射束照射該薄膜，該抗蝕劑薄膜施加寫入程序，因而讓抗蝕劑薄膜曝光定圖案。然後，寫入部分或未寫入部分被選擇性去除 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 ;;以置、 |J地， CMOS 之顯液晶等製 5 1而數影 vtf — 早兀成重於光成步 1案，，壞檢查案形。豆來對於預來形 14

1262292 成抗蝕劑圖案。隨後，不透明薄膜係使用該抗蝕劑圖案為遮罩來蝕刻，而形成一經由多數單元圖案5 3組構而成重複圖案5 1。結果，形成不透明薄膜圖案。於該不透明薄膜形成步驟中，當藉由掃描電子束或雷束來對該抗蝕劑薄膜施用寫入程序時，造成一種情況，其中，寫入時因掃描射束寬度或掃描直徑出現接合處，及，於各個寫入單元可能週期性引發因寫入失敗所造成錯誤。如此導致壞點的發生。此等壞點之典型實例為CD 點、節距壞點、邊界壞點及缺陷壞點。如圖3 A及3 B所示，C D壞點5 6係基於重複圖案5 1中單元圖案53之臨界尺寸異常，且係藉由因寫入裝置之射強度變化，造成單元圖案5 3變細或變粗現象所引起。如圖3 C及圖3 D所示，節距壞點5 7係基於重複圖案中之單元圖案5 3之排列間隔異常，且係藉由寫入接合處現位置錯位，因而造成重複圖案5 1之單元圖案5 3之間有部分差異所引起。如圖 4 A及圖4 B所示，邊界壞點 5 8係基於於重複圖 5 1中之單元圖案5 3之位置錯位。邊界壞點5 8為經由重圖案51中之某個單元圖案53之位置，由於於射束寫入合處發生位置錯位，因而相對於另一單元圖案5 3有偏差引起之壞點（外部圖案邊界壞點），或為於同一個單元圖 5 3出現偏差情況所引起的壞點（内部圖案邊界壞點）。如圖4 C及圖4 D所示，缺陷壞點5 9係基於重複圖案中之單元圖案 53存在於射束寫入接合處以及接合處彼 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 作之射在以的壞之束 5 1 出隔案複接所案 5 1 此 15 1262292 重疊造成過度曝光現象所引起的壞點（凸部），或為經由接合處彼此分開而造成曝光不足現象所引起的壞點（凹部）。圖1所示壞點檢查裝置1 0可檢測被要求檢測之前述四種典型壞點（C D壞點5 6、節距壞點 5 7、邊界壞點 5 8及缺陷壞點5 9 )。壞點檢查裝置1 0之平台1 1為置放光罩5 0之平台。光源1 2設置於平台1 1之一側上方，而由斜向上方照射於光罩50表面上之重複圖案51。光接收器1 3係設置於平台1 1之另一側上方，光接收器 φ 1 3接收來自光罩5 0之重複圖案5 1之反射光，特別係接收來自重複圖案5 1之單元圖案5 3之緣部之散射光，且將該光轉成接收光資料。舉例言之，使用諸如CCD線感測器或 C C D面感測器之成像感測器作為光接收器1 3。當壞點出現於光罩5 0之重複圖案5 1時，由光接收器所轉換之接收光資料的規則性受到干擾。分析裝置1 4分析該接收得之光資料，來產生壞點檢測資料，以及檢測壞點。於光罩5 0之製造方法之壞點檢查步驟中，壞點檢查裝置 ® 1 0之光源1 2照明光罩5 0之重複圖案5 1。光接收器1 3接收由重複圖案5 1之單元圖案5 3緣部之散射光。分析裝置 1 4分析接收得之光資料來檢測壞點。評估裝置1 5係使用壞點檢查裝置1 0來實施該壞點檢查方法，其中該評估裝置 1 5如後文說明評估壞點，藉此檢查（檢測）出現於光罩 50 之重複圖案5 1中之壞點。壞點檢查裝置1 0之檢測靈敏度係由光接收器1 3及分析裝置1 4測定，經由藉壞點檢查裝置1 0檢測圖5至圖8所 16 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430

1262292 示壞點檢查遮罩 1 b、1 7、i 8、i 9之虛擬壞點 6 6、6 7、 6 9，來確定檢測靈敏度是否足夠。當檢測靈敏度不足於確定後調整檢測靈敏度來讓檢測靈敏度變適足。壞查遮罩為 C D壞點檢查遮罩1 6 (圖5 )、節距壞點檢查 1 7 (圖6 )、邊界壞點檢查遮罩1 8 (圖7 )及缺陷壞點檢罩1 9 (圖8 )。各個壞點檢查遮罩 1 6、1 7、1 8、1 9係經由於透明 6 2上形成晶片6 5來組構。於晶片6 5，對各種可能以重複圖案出現之壞點，形成多數個重複圖案6 1，其各有多數個虛擬壞點 6 6、6 7、6 8或 6 9，對該等虛擬壞壞點強度係以步進改變方式配置。重複圖案6 1係於透板6 2上成形為鉻等製成之不透明薄膜。圖5顯示之C D壞點檢查遮罩1 6為壞點檢查遮罩，中如圖3 A及3 B所示且要求檢查之C D壞點5 6係以虛式產生。於C D壞點檢查遮罩1 6中，多數個晶片6 5各含一重複圖案6 1，於該重複圖案中排列多數單元圖案而此等晶片6 5係橫向及縱向置於透明基板6 2上。虛點 6 6被嵌入橫向排列之晶片6 5，而在虛擬壞點中，複圖案6 1中之單元圖案6 3之線寬度之變化量α分別 (力口寬）成為 αΐ、α2、α3、oc4 及 α5(α1<α2<α3<α4<α5，· 奈米）。虛擬壞點 6 6被嵌入一縱向排列之晶片6 5，而在虛點中，嵌入列數（嵌入面積）數目係步進改變（增加）成 a 2、a 3、a 4 及 a 5 ( a 1 < a 2 < a 3 < a 4 < a 5 )。由於虛擬壞點 312XP/發明說明書(補件)/94-09/9411743〇 6 8〜時，點檢遮罩查遮基板預定自具點，明基在其擬方自包 63，擬壞於重改變赛位：擬壞 al、 66之 17 1262292 尺寸αΐ、α2、α3、α4及α5以及欲入列數al、a2、a3、a4 及a 5之差異，C D壞點檢查遮罩1 6中之虛擬壞點6 6強度係以步進改變方式配置。例如，當嵌入列數之數目為 a 5 時，嵌入列數之平方可作為各個晶片6 5之平方之三分之一或二分之一。圖6所示節距壞點檢查遮罩1 7為在其中圖3 C及圖3 D所示之要求檢查之節距壞點 5 7係以虛擬方式產生之壞點檢查遮罩。於節距壞點檢查遮罩1 7中，多數晶片6 5也各自包含一重複圖案6 1，其中排列多數單元圖案6 3，而此等晶片6 5係橫向或縱向置於透明基板6 2上。虛擬壞點6 7被嵌入晶片 6 5且橫向配置，而在虛擬壞點中，於重複圖案 61 中之單元圖案6 3之排列間距偏差量β分別以β 1、β 2、β 3、β 4 及β5(β1<β2<β3<β4<β5，單位：奈米）步進改變。在其中嵌入列數（嵌入區）係步進改變（步進增加）至b 1、 b2、b3、b4 及 b5(bl<b2<b3<b4<b5)的虛擬壞點 67，被嵌入縱向排列的晶片6 5。由於虛擬壞點6 7之尺寸β 1、β 2、β 3、 04及05以及嵌入列數131、匕2、匕3、64及匕5之差異，節距壞點檢查遮罩1 7上之虛擬壞點6 7之強度係以步進改變方式配置。例如，當數目為b5時，嵌入列數之平方可作為各個晶片65之平方之三分之一或二分之一。圖7所示邊界壞點檢查遮罩18為在其中圖4A及圖4B所示之要求檢查之邊界壞點 5 8係以虛擬方式產生之壞點檢查遮罩。於邊界壞點檢查遮罩1 8中，多數晶片6 5也各自包含一重複圖案61，其中配置多數單元圖案63，而此等晶 18 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94 7430

1262292 片6 5係橫向或縱向排列於透明基板6 2上。外部圖虛擬壞點6 8嵌入各個晶片6 5上半，而内部圖案邊壞點6 8則嵌入各個晶片6 5下半。對外部虛擬壞點部虛擬壞點6 8各自而言，在其中重複圖案61中之案6 3之位置錯位量γ分別係步進改變為γ 1、γ 2、γ 3 γ5(γ1<γ2<γ3<γ4<γ5，單位：奈米）之虛擬壞點68，係片6 5且橫向配置。在其中嵌入重複圖案6 1之週期c係步進改變（虛間之間隔縮小）成為cl、c2、c3、c4及c5(cl>c2>c3) 之外部及内部虛擬壞點6 8，係嵌入晶片6 5且為縱冷由於虛擬壞點 68之尺寸丫1、丫2、丫3、74及丫5與嵌 cl、c2、c3、c4及c5間之差異，於邊界壞點檢查之虛擬壞點6 8之強度係以步進方式改變配置。圖8所示之缺陷壞點檢查遮罩1 9為在其中圖4 C 所示之要求檢查之缺陷壞點 5 9係以虛擬方式產生檢查遮罩。於缺陷壞點檢查遮罩1 9中，多數晶片包含一重複圖案61，其中多個單元圖案6 3係橫向縱向排列於透明基板6 2上。二列分別有凸部及凹部元圖案 6 3之圖案缺陷，係橫向嵌入各晶片6 5。在凸部及凹部之大小δ係分另ij以δΐ 、 δ2 、 δ3 、 δ5(δ1<δ2<δ3<δ4<δ5，單位：奈米）步進改變（步進增；擬壞點6 9，係嵌入晶片6 5且橫向排列。考慮影響缺陷壞點 5 9之反射率，於縱向配置之中，單元圖案 6 3之間隔 d設定為步進改變（步進： 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-09/94117430 案邊界界虛擬 68及内單元圖、γ 4及甘欠入晶擬壞點 > c 4 > c 5 ) ]排列。入週期遮罩1 8 及圖4D 之壞點 65各自排列及而為單其中各 δ4 及々口）之虛晶片6 5 墙小）成 19 1262292 d 1、d 2、d 3及d 4 ( d 1 > d 2 > d 3 > d 4，單位：微来）。由於虛擬壞點 69之凸部與凹部之尺寸δΐ、δ2、δ3、δ4及δ5與單元圖案6 3之距離d 1、d 2、d 3及d 4之差異，故於缺陷壞點檢查遮罩1 9中之虛擬壞點6 9之強度係配置成步進改變。前文說明之壞點檢查遮罩具有可模擬主要經由寫入失敗而出現之壞點之虛擬壞點。可增加壞點檢查遮罩，而該遮罩係模擬因抗蝕劑顯影以及不透明薄膜蝕刻所造成之 CD 壞點。

因抗蝕劑顯影及不透明薄膜蝕刻所造成之CD壞點，主要係由於下述現象所引起，例如，接受加工處理之基板相對於該顯影劑及蝕刻劑之濕潤性有部分差異，因而於該部分出現臨界尺寸誤差（C D誤差）。圖9所示C D壞點檢查遮罩2 0為在其中由於抗蝕劑顯影及不透明薄膜蝕刻造成之 CD誤差係以虛擬方式產生之壞點檢查遮罩。於C D壞點檢查遮罩2 0中，包含其中配置多個單元圖案6 3之重複圖案6 1的多數晶片6 5，係橫向及縱向排列於透明基板6 2上。虛擬壞點7 0被嵌入各個橫向排列之晶片6 5中。虛擬壞點7 0係於圖案之中央圓形區71產生。於圓形區7 1中，單元圖案63之尺寸X(亦即線寬度）被改變，而不改變單元圖案6 3之中心位置，且線寬度之總改變量ε係改變ε 1、ε 2、ε 3、 ε4及ε5(ε1<ε2<ε3<ε4<ε5，單位：奈米）。圓形區71有五區（區 1至區5 )係經由於徑向方向均等分割為五個部分形成。線寬度改變，使線寬度之改變量係以等距離由區1朝向區5 20 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-09/94 ] Π430 1262292 步進增加，最大改變量C區5之改變量）係等於總改變量ε。於縱向設置之晶片6 5中，圓形區71之直徑e係以步進改變（增加）設定為61、62、€3、64及65(61<€2<63<€4<65)。由於造成重複圖案6 1中之虛擬壞點7 0的圓形區7 1之線寬度改變量與圓形區7 1之尺寸（直徑e)之差異，於C D壞點檢查遮罩2 0中之虛擬壞點6 7之強度係以步進改變方式配置。圖1顯示之壞點檢查裝置1 0之評估裝置1 5，可定性及 φ 定量評估出現於光罩5 0之重複圖案5 1中之壞點（圖2 )，而該壞點係由光接收器1 3及分析裝置1 4檢測。評估裝置1 5首先識別可能於光罩5 0製造程序的抗蝕劑薄膜寫入步驟中出現的C D壞點5 6 (圖3 )、節距壞點5 7、邊界壞點 5 8 (圖4 )、缺陷壞點5 9，以及，一 C D壞點係經由抗蝕劑顯影及不透明薄膜蝕刻所造成（後文將此種C D壞點稱作為「顯影/蝕刻CD壞點」），作為要求藉壞點檢查裝置1 0檢查之壞點種類。製備C D壞點檢查遮罩1 6 (圖5 )、 ®節距壞點檢查遮罩1 7 (圖6 )、邊界壞點檢查遮罩1 8 (圖7 )、缺陷壞點檢查遮罩1 9 (圖8 )及C D壞點檢查遮罩2 0 (圖9 )，其中壞點係如前文說明以虛擬方式產生。其次，當藉由壞點檢查裝置1 0檢測得C D壞點檢查遮罩1 6、節距壞點檢查遮罩1 7、邊界壞點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9、及C D壞點檢查遮罩2 0之虛擬壞點6 6、6 7、6 8、6 9、7 0時，評估裝置1 5獲得虛擬壞點檢測資料。虛擬壞點檢測資料被儲存，且與C D壞點檢查遮罩1 6之虛擬壞點6 6、節距壞點 21 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 1262292 檢查遮罩1 7之虛擬壞點6 7、邊界壞點檢查遮罩1 8之虛擬壞點6 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9之虛擬壞點6 9、及C D壞點檢查遮罩2 0之虛擬壞點7 0各自交互關聯。然後，評估裝置1 5比較經由光接收器1 3及分析裝置1 4 檢測得之光罩5 0壞點之壞點檢測資料，與如前文說明所儲存之虛擬壞點檢測資料，識別壞點種類（C D壞點 5 6、節距壞點5 7、邊界壞點5 8、缺陷壞點5 9、顯影/蝕刻C D壞點或此等壞點以外之壞點）來定性評估壞點，以及，測定壞點 φ 強度來定量評估壞點。特別是，評估裝置1 5藉由使用檢測程度A、B及C來評估壞點強度，或使用設定於壞點檢查遮罩1 6、1 7、1 8、1 9、 2 0上之檢測臨限值W來評估壞點強度。檢測程度A、B及C之設定方式，係於有重複圖案6 1轉印於其上的轉印圖案被形成在一影像裝置上時，使用影像裝置之預定壞點之分類強度來設定檢測程度。重複圖案6 1 具有分別位於C D壞點檢查遮罩1 6、節距壞點檢查遮罩1 7、 ®邊界壞點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9及C D壞點檢查遮罩20上之虛擬壞點66、67、68、69、70。例如，檢測程度A、B及C係以下述方式設定。於圖5所示C D壞點檢查遮罩1 6中，在其中大小為α 1及α 2且嵌入列數為排序a 1及a 2的虛擬壞點6 6之強度，設定為檢測程度 A。在其中大小為α3及α4且嵌入列數為排序a3及a4的虛擬壞點 6 6之強度，設定為檢測程度 B。在其中大小為α 5 且嵌入列數為a 5的虛擬壞點6 6之強度，設定為檢測程度 22 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/9109/94117430

1262292 C。以與前述對C D壞點檢查遮罩1 6相同之方式，檢測 A、B及C係相對於節距壞點檢查遮罩1 7、邊界壞點檢罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9及C D壞點檢查遮罩2 0 定。評估裝置1 5比較藉由光接收器1 3及分析裝置1 4檢得之光罩 5 0之壞點（C D壞點 5 6、節距壞點 5 7、邊界 5 8、缺陷壞點5 9、或顯影/蝕刻C D壞點）之壞點檢測資與分別在C D壞點檢查遮罩1 6、節距壞點檢查遮罩1 7 φ 界壞點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9及C D壞點遮罩2 0上之虛擬壞點6 6、6 7、6 8、6 9、7 0交互關聯擬壞點檢測資料。此評估裝置使用檢測程度A、B及C 指標，判定且評估檢測所得之C D壞點5 6、節距壞點邊界壞點5 8、缺陷壞點5 9、或顯影/蝕刻C D壞點之檢度0 當C D壞點5 6、節距壞點5 7、邊界壞點5 8、缺陷壞點或顯影/蝕刻 C D壞點檢測得之強度係於檢測程度 A 時，評估裝置1 5判定壞點屬於檢測程度A。當強度係檢測程度A而屬於檢測程度B以内時，該壞點被判定於檢測程度 B ;以及，當強度係大於檢測程度 B而屬測程度C以内時，該壞點被判定為屬於檢測程度C。檢測臨限值W之設定方式，係當重複圖案6 1所轉印印圖案被形成於一影像裝置上時，使用該影像裝置之壞點之容許強度作為參考值來設定。重複圖案6 1具有位於C D壞點檢查遮罩1 6、節距壞點檢查遮罩1 7、邊 312XP/發明說明書(補件)/94-09/941Π430 程度查遮而設測而壞點料，、邊檢查之虛作為 57 > 測強 59 > 以内大於為屬於檢之轉預定分別界壞 23

1262292 點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9及C D壞點檢查 2 0上之虛擬壞點6 6、6 7、6 8、6 9、7 0。例如，檢測臨 W係以下述方式設定。於圖 5所示之CD壞點檢查遮. 中，虛擬壞點6 6之大小設定為α 3至α 4之間，虛擬壞之般入列數係設定為a 3至a 4之間。以與前述對C D壞查遮罩1 6相同情況之方式，檢測臨限值W係相對於節點檢查遮罩1 7、邊界壞點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查 1 9及C D壞點檢查遮罩2 0而設定。評估裝置1 5比較藉由光接收器1 3及分析裝置1 4檢得之光罩 5 0之壞點（C D壞點 5 6、節距壞點5 7、邊界 5 8、缺陷壞點5 9、或顯影/蝕刻C D壞點）之壞點檢測責與分別在C D壞點檢查遮罩1 6、節距壞點檢查遮罩1 7 界壞點檢查遮罩1 8、缺陷壞點檢查遮罩1 9及C D壞點遮罩20上之虛擬壞點66、67、68、69、70交互關聯擬壞點檢測資料。此評估裝置使用檢測臨限值 W作標，判定所檢測之C D壞點5 6、節距壞點5 7、邊界壞點缺陷壞點5 9、或顯影/蝕刻C D壞點之強度。換言之，測之壞點強度係以下述方式評估。當 C D壞點 5 6、節點 5 7、邊界壞點 5 8、缺陷壞點 5 9、或顯影/蝕刻 C D 之強度係小於檢測臨限值W時，評估裝置1 5判定「該為良好」；以及，當強度係大於檢測臨限值W時，評置1 5判定「該壞點為不良」。於如此組配之具體例中，壞點檢查裝置 1 0 之評估 1 5係針對出現於壞點檢查遮罩1 6、1 7、1 8、1 9、2 0 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 遮罩限值罩1 6 點6 6 點檢距壞遮罩測而壞點料，、邊檢查之虛為指 58 ' 所檢距壞壞點壞點估裝裝置上之 24 1262292 預定重複圖案6 1中之每一壞點種類，藉由比較以光接收器 1 3及分析裝置1 4檢測而得之出現於光罩5 0之重複圖案5 1 中之壞點（C D壞點5 6、節距壞點5 7、邊界壞點5 8、缺陷壞點 5 9、或顯影/蝕刻 C D壞點等）之壞點檢測資料與多數虛擬壞點檢測資料，得以評估光罩5 0之壞點，而該等多數虛擬壞點檢測資料係分別與壞點強度以步進方式改變配置的該等多數虛擬壞點6 6、6 7、6 8、6 9、7 0交互相關。因此，光罩 5 0之壞點可對各種壞點（C D壞點 5 6、節距壞點5 7、 φ 邊界壞點5 8、缺陷壞點5 9、顯影/蝕刻C D壞點或此等壞點以外之壞點）定性評估。此外，壞點可例如使用檢測程度A、 B及C或檢測臨限值W，根據壞點強度來定量評估。因此，可準確檢測光罩5 0之壞點。壞點檢查裝置1 0檢測於壞點檢查遮罩1 6、1 7、1 8、1 9、 2 0上個別之多數虛擬壞點6 6、6 7、6 8、6 9、7 0，藉此，可確定檢測靈敏度，或先確定然後調整檢測靈敏度。因此，於壞點檢查裝置1 0中，檢測靈敏度係設定為於壞點檢查遮 —罩1 6、1 7、1 8、1 9、2 0上之多數個虛擬壞點6 6、6 7、6 8、 6 9、7 0可被碟切檢測的位準，因此可準確檢測出現於光罩 5 0之重複圖案51中之壞點（C D壞點5 6、節距壞點5 7、邊界壞點5 8、缺陷壞點5 9、或顯影/蝕刻C D壞點）。前文已經基於具體例說明本發明。但本發明非僅囿限於此。例如，曾經描述，重複圖案6 1係形成於各個晶片6 5上，且彼此以某個間隔區隔開。但，重複圖案可形成於連續不 25 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 1262292 透明薄膜上。此外，多種虛擬壞點可形成於一梢端上。此外，曾經描述，光接收器1 3接收來自光罩5 0上之重複圖案5 1之單元圖案5 3緣部之散射光。另外，光接收器接收來自光罩50之重複圖案51之單元圖案53緣部之透射光，特別為單元圖案5 3緣部繞射之繞射光。

於前文已經說明具體例，其中欲檢查之構件為光罩5 0，而壞點檢查裝置1 0檢測於用來製造影像裝置之光罩5 0中之重複圖案5 1上所出現之壞點。另外，欲檢查之構件可為諸如成像裝置或顯示裝置等影像裝置。另外，壞點檢查裝置 1 0 可檢測於形成成像裝置之成像面之像素圖案（特別是，形成CCD、CMOS等之光接收部分的重複圖案）之壞點，或是，壞點檢查裝置1 0可檢測出現於形成顯示裝置之顯示面之像素圖案（特別為重複圖案例如薄膜電晶體、相對基板、或液晶顯示裝置之彩色濾光片）中之壞點。已經描述虛擬壞點為CD壞點、節距壞點、邊界壞點及缺陷壞點。另外，虛擬壞點可為其它類別之虛擬壞點。強度之配置方式非僅限於該具體例。雖然已經就本發明之較佳具體例作說明，但熟諳此技術人士顯然可未悖離本發明做出多項變化及修改，因此，隨附之申請專利範圍涵蓋全部落入本發明之精髓及範圍内之此等變4匕及修改。【圖式簡單說明】圖1為顯示根據本發明之壞點檢查裝置之一具體例之組 26 312XP/發明說明書(補件)/94-09/941 ] 7430 1262292 態之透視圖；圖2為顯示於圖1之光罩中之晶片上之重複圖案之平面圖圖3 A至圖3 D為顯示出現於圖2之重複圖案中之壞點（C D 壞點（3 A、3 B )及節距壞點（3 C、3 D ))之平面圖；圖4 A至圖4 D為顯示出現於圖2之重複圖案中之壞點（邊界壞點（4 A、4 B )及缺陷壞點（4 C、4 D ))之平面圖；

圖5 A至圖5 C為顯示用於圖1之壞點檢查裝置中之C D壞點檢查遮罩之前視圖；圖6A至圖6C為顯示用於圖1之壞點檢查裝置中之節距壞點檢查遮罩之前視圖；圖7A至圖7C為顯示用於圖1之壞點檢查裝置中之邊界壞點檢查遮罩之前視圖；圖8 A至圖8 C為顯示用於圖1之壞點檢查裝置中之缺陷壞點檢查遮罩之前視圖；以及圖9 A至圖9 D為顯示用於圖1之壞點檢查裝置中之C D壞點檢查遮罩之前視圖。【主要元件符號說明】 10 壞點之檢查裝置 11 平台 12 光源 13 光接收器 14 分析裝置 15 評估裝置 27 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 1262292 16 17 18 19 20 50 5 1 52 φ 53 55 56 57 58 59 61 62

65 66 6 7 6 8 69 70 7 1 CD壞點檢歪遮罩節距壞點檢查遮罩邊界壞點檢查遮罩缺陷壞點檢查遮罩 CD壞點檢查遮罩光罩重複圖案透明基板單元圖案晶片 CD壞點節距壞點邊界壞點缺陷壞點重複圖案透明基板單元圖案晶片（晶片早元）虛擬壞點虛擬壞點虛擬壞點虛擬壞點虛擬壞點中央圓形區 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94 ] 1743〇 28

Claims

1262292 十、申請專利範圍： 1 . 一種壞點之檢查方法，其係檢查出現於一欲檢查上之重複圖案中之壞點，而該重複圖案具有大量規則的單元圖案，此方法包含下列步驟：檢測出現於欲檢查構件之重複圖案中之壞點；以及經由比較於檢測步驟中所檢測得之壞點檢測資料與虛擬壞點檢測資料，來評估欲檢查構件之壞點，其中，針對個別種類之壞點，該虛擬壞點檢測資料與多數虛擬壞點交互關聯，而出現於一預定重複圖案壞點強度，對該等虛擬壞點係以步進改變方式配置。 2. 如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中擬壞點檢測資料之獲得方式，係藉由檢測形成於一壞查遮罩上之多數虛擬壞點，而該壞點檢查遮罩具有經不透明薄膜而形成於一基板上的預定重複圖案，以及對個別種類之壞點，出現於該預定重複圖案中之壞度，對該多數虛擬壞點係以步進改變方式配置。 3. 如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中該評估步驟中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測程度估，以及該檢測程度係根據壞點之分類強度而設定，該分類係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。 4 .如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 構件排列多數分別中之 5玄虛點檢由一，針點強，於來評強度由將，於 29 1262292 該評估步驟中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測臨限值來評估，以及該檢測臨限值係根據該壞點之容許強度而設定，該容許強度係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經由將具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。 5. 如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中該壞點種類屬於下列之至少一者：

一 C D壞點：基於重複圖案中之單元圖案之臨界尺寸異常之壞點；一節距壞點：基於重複圖案中之單元圖案之間隔距離異常之壞點；一邊界壞點：基於重複圖案中之單元圖案之位置錯位之壞點；以及一缺陷壞點：基於重複圖案中之單元圖案之圖案缺陷之壞點。 6. 如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中該欲檢查構件為一影像裝置或一製造該影像裝置用之光罩。 7 . —種壞點之檢查裝置，其係用來檢查出現於一欲檢查構件上之重複圖案中之壞點，而該重複圖案有大量規則排列的單元圖案，此裝置包含：一檢測單元，其係用來檢測於該欲檢查構件之重複圖案中出現之壞點；以及一評估單元，其係經由比較於檢測步驟中所檢測得之該 30 312XP/發明說明書(補件)/9109/94117430

1262292 欲檢查構件之壞點之壞點檢測資料與多數個虛擬壞點檢資料，用來評估該欲檢查構件之壞點，其中，針對個別種類之壞點，該虛擬壞點檢測資料分與多數虛擬壞點交互關聯，而出現於一預定重複圖案中壞點強度，對該等虛擬壞點係以步進改變方式配置。 8 .如申請專利範圍第7項之壞點之檢查裝置，其中，該評估單元中：使用一壞點檢查遮罩，其中有多數重複圖案係形成於 φ 基板上，各個重複圖案具有多數虛擬壞點，針對個別種之壞點，出現於一預定重複圖案中之壞點強度，對該多虛擬壞點係以步進改變方式配置，以及虛擬壞點檢測資料，其係與該虛擬壞點交互相關，並係於檢測得壞點檢查遮罩之虛擬壞點時所獲得；該虛擬點檢測資料，係與藉該檢測單元檢測而得之欲檢查構件壞點之壞點檢測資料相比較。 9 .如申請專利範圍第7項之壞點之檢查裝置，其中，該評估單元中：欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測程度來估，以及該檢測程度係根據壞點之分類強度而設定，該分類強係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係經由具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。 1 0 .如申請專利範圍第7項之壞點之檢查裝置，其中，該評估單元中： 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94117430 測別之於類數且壞之於評度將於 31

1262292 欲檢查構件之壞點強度係使用一指數作為檢測臨限值評估，以及該檢測臨限值係根據該壞點之容許強度而設定，該容強度係相對於一裝置上之壞點而被界定，而此等壞點係由將具有虛擬壞點之重複圖案轉印至此裝置上而形成。 π .如申請專利範圍第7項之壞點之檢查裝置，其中該點種類屬於下列之至少一者：一 C D壞點：基於重複圖案中之單元圖案之臨界尺寸異 φ之壞點；一節距壞點：基於重複圖案中之單元圖案之間隔距離常之壞點；一邊界壞點：基於重複圖案中之單元圖案之位置錯位壞點；以及一缺陷壞點：基於重複圖案中之單元圖案之圖案缺陷壞點。 1 2.如申請專利範圍第7項之壞點之檢查裝置，其中該檢查構件為一影像裝置或一製造該影像裝置用之光罩。 1 3.如申請專利範圍第1項之壞點之檢查方法，其中該法係用於製造具有預定不透明薄膜圖案於透明基板上之罩，其中該不透明薄膜圖案係經由一重複圖案組配而成，該重複圖案中有大量單元圖案規則排列。 312XP/發明說明書(補件)/94-09/94 η 7430 來許經壞常異之之欲方光於 32