[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TWI260724B - Coating-film forming apparatus and manufacture managing device - Google Patents

Coating-film forming apparatus and manufacture managing device Download PDF

Info

Publication number
TWI260724B
TWI260724B TW094114307A TW94114307A TWI260724B TW I260724 B TWI260724 B TW I260724B TW 094114307 A TW094114307 A TW 094114307A TW 94114307 A TW94114307 A TW 94114307A TW I260724 B TWI260724 B TW I260724B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
coating film
mentioned
film forming
data
Prior art date
Application number
TW094114307A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200608506A (en
Inventor
Daisuke Kawamura
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of TW200608506A publication Critical patent/TW200608506A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI260724B publication Critical patent/TWI260724B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1619Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1628Specific elements or parts of the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1260724 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 製造管理裝置以及半導體 本發明係關於塗膜形成裝置 裝置之製造方法。 【先前技術】 於兀件製造中’作為絕緣層之S〇G(SPin 〇n Glass,旋轉 塗布玻璃)膜、微影_步驟中所使用之防反射膜以及光阻 膜等,使用有藥液之塗膜形成仍用於較多步驟中。如此之 藥液大夕曰ik時間之推移而惡化m @ ^ 特定性能,且一部分為確 、 — 保上之女全性,而由藥液製 &者:疋樂液保管條件以及品質保證期限。 當藥液之使用量充分多於藥液容器之容量, 内之藥液會迅速消耗之情形時,其品質保⑽ 之情形將極為少見。秋而& ㈣座生問喊 多數量少之生產由於製造物件之元件為品種 一 印,故藥液之使用量較少之情形時,如若 :生產線由於某種情況而停止,或者該元件之 步驟中之處理出現長砗、表k 品質保證期限之情況^止’則亦可能出現超過藥液之 為b β於土膜形成裂置中使用藥液時,以 期限為基準而更換藥液 古 一貝保§豆 而逐次確認是否已超過σ質::Ά過定期人工確認 、巧口口貝保證期限之方法以外, 採用二下品質管理裳置,該裝置於將藥液裝填入塗布= …又’將自條碼等獲取其製造曰期之資料,並於達到上 述品質保證期限之階段會發出警告。 、達]上 101455.doc 1260724 上述先前技術之問題點中’作為無論 限擧、凉突突认w θ 土 疋否已起過品質期 洛液…繼•連接於製造裝置之 兩點。第-’當依賴於人工定期確認 ::舉下述 二戈者_不,可能會繼續裝填已超 限之藥液。第二,即便於藉由:…旦/ 限之邈A # +人+ 寻知出起過品質保證期 吕’亦會存在操作者錯誤判定之情形。 於=:即便藥液容器内之藥品於品質保證期限内,殘留 於k膜形成裝置内部之配 士 m pe ,, 之条液有B寸亦會超過品 =。即便採用於更換藥液容器後全部廢 液的規則,亦存在因操作 内之糸 情形。 κ錯决判疋而並未完全廢棄之 如上所述於現有技術中 之藥液的可能性。 在使用有已起過品質保證期限 :,即使於品質保證期限内,自藥液之製 f膜形成裝置為止之藥液的保管狀態、尤其是溫度二 :tr情形時,即便於品質保證期限内,藥液亦仍會 ^ / 存在僅品質保證期限之管理並不充分之 个月形。 、、 卩使自上述藥液之製造直至裝填入塗膜形成穿置 為止t期間的溫度管理較為合理,而上述塗膜形成裝置内 之配:溫度為不合理之情形時,則即便於品質保證期限 ^ t 1述配f内藥液仍會不斷惡化。例如,相當於上述 ㈣之保管條件為低溫,而另一方面,塗膜形成裝置内之 配管係於室溫下放置之情形。 10M55.doc 1260724 另外,當所使用之藥液價格非常高之情形時,減少i 用量可有效降低元件之製造成本。—般而言,藥液 對於所提供之藥液,會預計一定程度之安全率並提示k 質保證期限。因此,當僅通過品質保證期限加以管理t 形時,可能會出現雖然藥液依然可使用然而卻 =月 情況。 』&棄之 【發明内容】 根據本發明之第一態樣, 本發明係提供一種塗膜形成裝置,其特徵在於: 其係通過使用藥液而於基板上形成塗膜者,且含有 相關貝料作成部’其自至少含有所裝填之 度資料以及施加於所裝填之藥液的遵力資料中 '之任:管溫 =與=述藥液之特性相關之資料,製作作為相關於藥:品 貝之 料的相關資料,以及 、口口 判定部,其根據上勒„料,敎上㈣ 有所期望之品質。 A保持 根據本發明之第二態樣, 本發明係提供一種半導體裝置 其係具備通過使用荜液而於其板^7’其特徵在於·· 形成塗膜之上述方法包括: 会者, 自至少含有所裝填之藥液之保管溫 ;填之藥液之…料中之"、且與上述 :關:及資料,作為相關於藥液品質之資料的相:; I0l455.doc 1260724 很像上述相關資料, + 品質。 述樂液是否保持有所期望之 根據本發明之第三態樣, 本發明係提供一箱制、主& i传對… 官理裝置’其特徵在於: “對於通過使用藥液而於基 部塗膜形成裝置tμ之禝數個外 傷相關資料作4❹_成裳置具 度資㈣及Λ 至少含有所裝填之藥液之保管溫 、及轭加於所裝填之藥液之壓力資料t之任桐 且盥上诚Μ、v > 貝了十〒之任一個、 ^ ’文之特性相關之資料,作作A ;te Μ ^ » 質之資料的相關次h 、 十衣作作為相關於藥液品 判定 、W,以及判定部,其根據上述相關資料, 裝置樂液是否保持有所期望之品質,而上述製造管理 判==上述外部塗膜形成裝置之上述判定機構而獲得之 =果’針對各個塗膜形成裝置判定由上述藥液之上述 果初期品質而產生之裕度,並自上述裕度之判定結 呆決疋上述塗膜形成裝置間的優先順序, 上述分配係根據已決定之上述優先順序而實行。 根據本發明之第四態樣, 本發明係提供上述製造管理裝置’其特徵在於·· 其係可連接於通過使用藥液並以產品批量單位而於基板 上形成塗膜之外部複數個塗膜形Μ置者,上述塗膜 裝置具備: 相關資料作成部,該相關資料作成部自至少含有所裝填 之藥液之保管溫&資料以及施加於所裝填《藥液之麼力資 101455.doc 1260724 ;斗令之任個、且與上述藥液之特性相 一〜只々、丁 ’翟作作 -目關於藥液品質之資料的相關資米斗,以及判定部,該判 定:根據上述相關資n,判定上述藥液是否保持有所期望 品質, 自上述塗膜形成裝置之上述判定部的判定結I, 個塗膜形成裝置,判定由上述藥液之上述所期望之品質而 上述裕度之判定結果決定上述塗膜形成 :間的“順序,並且依據已決定之優先 批篁分配至各塗膜形成裝置。 根據本發明之第五態樣, 本發明係提供一種製造管理裝置,其特徵在於: 其係可連接於通過使用藥液而於基板上 塗膜形成裝置者,μ、+、☆时, 观土腰之外口Ρ ,,、入女 述塗膜形成裳置具備僧測部,其自至 V 3所裝填之藥液之保管溫度資料 藥液之塵力資料中之任 》於所為之 資料,偵、>丨柞且,、上述樂液之特性相關之 而上述二 述藥液品質之資料的相關資料, 而上述製造管理裝置具備 貝了十 判疋部’其根據自上述外部塗膜 相關資料,判定上述藥液是否放置所&取之上述 指入邻,甘+ 疋舍保持有所期望之品質, ^ /、相應於上述判定部之判定a s 藥液更換之信於,1之^疋結果形成促使上述 … 並供給至上述外部塗膜f置。 【實施方式】 土媒展置。 關於本發明之實施形態,參 半導體裝置f ^ + pϋ以說明。以下以將 “步驟巾之微步驟巾所㈣之光阻 101455.doc 1260724 成1 $多層防反射膜之—部分而使用之S O G膜加以 _: 形為示例加以說明。再者,以下各圖巾,對於相 5二軚^同—翏照編號’僅在必要時加以其之重複說明。 (1)第一實施形態之塗膜形成襞置 圖】係表示本實施形態之塗臈形成裝置之概略構成的方 ▲圖。该圖中所示之塗膜形成裝置2具備輸入裂置22、記憶 體MR 1、運瞀部1 4 企丨— ^ u14、判疋部12、以及警告信號產生部16。 月'J入裝置22將輸入塗膜中所使用之藥液溫度歷程或者用於 運算之特定運算參數。本實施形態中之藥液温度歷程,例 1應於與藥液之特性相關之資料。記憶體廳1將儲存已 輸入之溫度歷程資料、運算參數以及後述之臨限值的資 一再者如下所述,臣品限值有時亦利用記憶體MR1内之 貧料a由運算部14計算出。並且,記憶體则亦可以設定擋 案之態樣儲存後述之塗膜形成方法之一系列操作順序。^ 算部⑽本實施形態下,例如對應於相關資料作成機構, 自記,體MR1抽取溫度歷程資料以及運算參數後實行特定
的運算處理。該運算結果例如對應於相關資料。判定部U 自記憶體MR1取出臨限值資訊,並對運算部12之運算結果 與上述臨限值加以比對,判定所使用之藥液之特定特性是 否具有所期望之能力,並輸出其狀結果。當該判定結$ 為否定之情形時,警告信號產生部16將收到判定結果,並 產生且輸出督促操作者更換特定纟器或者特《區間之藥液 的警告信號。 μ / (2)比較例 101455.doc -10- 1260724 就圖i所示之塗膜形成裝置2之操作加以說明之前 於本貫施形態之比較例加以描述。圖2之方塊圖係表 導體7C件形成步驟中之微影蝕刻步驟中所使用之光 =㈣技術之塗膜爾置之情形時之藥液操作順:的 上述光阻溶液由光阻製造商以製造日為起點,
保管條件下之品質保證期限。例如,室溫下為6個月,而: 他示例中為5。(:下3個月(方塊B2、B92)。 將運來之上述光阻藥液容器安裝於光阻塗布•顯像 '方塊B4、B6) ’並開始加以使用(方塊B94)。於安裳時,、 藥液容器上所標註之品質保證期限記錄於特定之記錄用紙 (士方塊B 1 〇)。當採用使用有條碼等之品質管理裝置之情形 日守’藉由特定方法輸入品質保證期限。 ^ 4藉由定期核對上述記錄用紙以及藥液容器,而逐次確認 二、疋否已起過⑽質保證期限(方塊B96)。當通過確認,已 超過上述品質保證期限之情形時,將藥液容器更換為品質 保也期限内者(方塊B98、B6)。此時,當採用使用有條碼等 之品質管理裝置之情形時,會向操作者發出警告(方塊 B34)。此時,業者希望不僅將容器,而且將塗膜形成裝置 内之配管中超過上述品質保證期限的藥液廢棄,並以 液加以更換。 μ 、吊大夕數藥液種類係於超過品質保證期限之前、# > 然而,當使用量較少時、或者忽視定期核對時等, 將仍然為裝填有已超過品質保證期限之藥液,故將形成性 101455.doc 1260724 步驟,或者 能惡化之光阻膜,因此將重新實施微影蝕刻 導致製造不良。 " (3)第一實施形態之處理順序 圖3以及圖 其次,就圖1所示之塗膜形成裝置2之操作參照 4加以說用。 、市/從烯孖於可變形 器内而使用之情形加以說明。藉由向如此之容器施加
u ’谷益中之上述藥液將不接觸於加壓氣體而被麗出。 =,作為預處理之順序,關於用於目標為光阻膜之成 膜之先阻溶液因時間性變化而惡化之特定特性 狻取對於保管溫度以及經歷的時 2 j同 < 貝杆,並事弈钟曾 未實現上述特定特性之條件。 ^ 問衣不以保管溫度為參 = 自上述藥液製造開始所經歷之天數與光阻之特性值 …目關關係的一示例。圖3所示之特 。 之保管條件於室溫、且於半導體裝置製造之潔;室二 :: 為2。C〜25t之情形時,則自製造開始?: 為重要。而另一士 I 丨’,皿度歷私較 將…Γ 自圖3所示之特性,自製造開始直至 將耒液衣填入塗布裝置為 為之情形時,伴管中Jr及搬運中的保管條件 之影響將合非常, 斤經歷之天數對溶液之特定特性 天數。另二Γ ’可實際上忽略保管中所經歷之 面,於樂液之搬運中、保管中以及 布乂置以後,若保管溫度達到高於-lGt:之高溫時,、則土 間之溫度歷程將較為重要。 恤、、“〆期 於上述光阻溶液因丰 因㈣性fc化而惡化之特性中,例如除 】〇M55.doc 1260724 特定之曝光條件下之特定圖案之曝光㈣性之外,還包括 特定之曝光條件下之光阻形狀的變化(通過特定方法所獲 取之測疋i側壁角度等立體性資訊中一個以上資訊)、塗 布缺陷產生數、顯像缺陷產生數。 其次,如圖4所示,將經過製造、搬運之藥液(方塊B2、 B4)容器安裝於塗布裝置(方塊B6)。於安裳後,於藥液處 於待機狀態期間(方塊Β8),關於上述光阻溶液,將持續記 錄製造開始以後之溫度歷程(方塊Bi2)。再者,即便藥液 處於使用狀態下’亦將持續記錄製造開始以後之溫度歷 程。 進而’介以輸入裝置22將自製造直至藥液連接到塗 、 ·-〜仏〜工狀71 夕
成衣置2為止之光阻藥液的溫度歷程或上述特定的運算參 數,輸人至塗膜形縣置2的記憶體蘭。於光阻藥液之使 用(方塊謂)、即塗膜形成處理(方塊B32)之前,塗膜形 ^之運算部14將自溫度歷程資料以及運算參數進行上述 運鼻處理(方塊B13)。衫部12收到該運算結果後,將 所使用之藥液之特定特性是否具有所期望之 =3:判定結果為肯定時,將直接轉入至塗膜形成處理 置2之以3方面’當判定結果為否定時,塗膜形成裝 置之警告信號產生部16將收到該判定結果,並形成輸出督 促插作者更換特定容器或者特定區間的藥液之擎主 (方塊B34),並且通過未圖示 :^ 者必須更換資訊,由該操作"通知操作 液(方塊B36)。 #者更換«器或者該區間之藥 10M55.doc 1260724 -般而言’藥液特性之時間性變化為溫度以及時間之函 數,但可認為該函數形態會根據反應機構而不同。作為最 單一之機構,引起光阻溶液中之時間性變化之組合物的反 2係數對溫度具有依存性,但反應性組合物之濃度對於反 心速度幾乎沒有影響。於該情形時,考慮到反應係數之一 次展開,上述組合物之變化量,與溫度以及經歷時間的區 t求積法成比例。由此,當判定藥液之特性具有特定性能 時,可對於溫度以及經歷時間之區分求積法設定臨限值, 並以該臨限值為基準實施判定。 f =複雜之情形時,可對於上述溫度以及經歷 限值。、相關貝料作又5又輪型函數’並對於該模型函數設定臨 又,當存在複數個上述隨時間而惡化之特性時,或 數個反應機構時’藉由相對於各個判定之邏輯積 只仃判疋。此時’亦可省略並非主要之判定。 進而,間接性表示上述光m特性之變化的特性中,包含 黏度或者特定序列下之塗布膜厚、光阻樹脂之平均分子量 (以及分子量分佈)、或者氧化分解性官能基 =高精度並且再現性優良地測定該等物理特性或= 地=並且獲得與上述光阻特性之相關性時,則可對間接 也表不該等光阻特性之值的測定結果加以判定。 此處’例示性描述幾個記錄溫度歷程之方法。 百先’ 6兄明將由複數個溫度測定裝置而獲得之 貧訊進行整入 _ ^ 』疋、口果 口之方法。5亥等資訊的具體例中,自製造開始 101455.doc • J4- 1260724 直至注入至藥液容器為止,包含製造方之管理規定所規定 之溫度、或者該注入裝置之溫度歷程;針對藥液容器製造 方之保官期間’該保管地點之溫度歷程記錄、或者管理規 定所規定之度對自製造方搬運至半導體元件製造者 之過程中’搬運車輛之搬運庫内之溫度歷程、或者存在管 理規疋溫度時之管理規定溫度;以及,半導體元件製造者 保吕在扃庫中日夺’倉庫内之溫度歷程、或者存在管理規定 度時之官理規定溫度。於安裝至塗膜裝置後,使用保管 有孩曝光衣置之潔淨室内的溫度、或者潔淨室的管理規定 、㈤ 再纟Μ於將上述藥液容器連接至塗膜裝置為止的 溫度歷程’亦可自輸入裝置22直接輸入當時為止之溫度與 、 、並逐人將連接後之溫度歷程與經歷時間之積相 力σ 0 、 作為簡便方法,考慮有利用近年來受 所關注之1C標籤。 呆 t作為1c標籤之第-利用形態,具有以下兩種方法:每移 二二tr管地點’將到此為止之保管地點之溫度歷程 的方:。了s之積相加的方法;或者’保持特定之運算結果 作為1C標籤之第二利用 ,…货、y儿知鐵上至少裝備 有利用熱阻器或者夷目古兮虛夕〜从 衣猶 一、 i貝克效應之兀件等的溫度測定單元、 ;/、早Γ、M及計時單元。使計時單元所規定之每一定間 ^ ^ 者度之積分值或特定運曾俏 或者特定運算值之相加值保存至記 ^運开值 u环早兀。於該第二利用 ⑼ 455.doc 15 1260724 形態下’可使用藥液容器自身之溫度歷程 判定藥液對於特定之特性是否具有所期望之性#同精度 根據本實施形態,關於隨時間而惡化之藥r::可 確預計發揮所期望之特性的期間。進一步具體而古,神 2之效果存在兩種類型’作為第一種效果,藉由猶: 件之製造良率。作為第二種效果!:二進而可提高元 矣一 種政果备即便已超過製造者所 :品:辑限亦仍具有所期望之特性時,將允許繼 、,使用’猎此可降低藥液之成本以及廢液處理之成本。 制t上述第1效果加以更詳細說明。針對上述藥液,當自复 f::直至由塗膜形成裝置形成塗膜為止之期間,存; 。里之g理步驟時’即便處於品質保證期限 、’、會存在無法滿足特定之特性的情況。例如,夏 搬運車輛或保管倉庫等出 ^电 "料出現事故時,可能會使得藥液之保 二ΐ上升。即便於該情形下,藉由本實施形態之塗膜形 :政置2,並根據溫度歷程判定該藥液不具有所期望之特 或者通過廢棄已惡化之藥液,可防止因使用如此之已 =之樂液而導致元件特性惡化或特性欠佳,故而可提高 艮率。 第二效果加以更詳細說明。當藥液製造者對安全 :數進仃某種程度的估計然後設定出上述品質保證期限之 ’月形時’通過品質保證期限所進行之管理可能會將尚能表 :出所期望之特性的藥液廢棄’針對該等部分,則將導致 曰加樂液成本以及廢液成本。藉由本實施形態,以預先所 10H55.doc -16 - 1260724 獲取之資料為基礎,利用藥液之溫度歷程,判定上述藥液 為具有特定特性時,可通過繼續使用可使用之藥液而降低 成本。本效果於使用高價藥液之情形時尤為顯著。 (4)弟二實施形態 其次’就本發明之第二實施形態參照圖5加以說明。 本實施形態與上述第一實施形態不同,以使用物件之藥 液裝於藉由施加壓力之氣體(例如已除去氮或者氯化物之 空氣)而使藥液流出之容器内的情況加以說明。 本實施形態下,亦可使用圖〗所示之塗膜形成裝置2。作 為運算部14所執行之、用以記錄藥液特性之時間性變化之 特定運算,其係使用第一實施形態中最簡便的方法、即利 用咖度以及經歷時間之間之區分求積值而執行運算的。 汾當使用本實施形態下所設想之藥液瓶時,光阻液裝配於 土膜衣置、亚且依存於與施加上述壓力之氣體相接觸之經 歷犄間’ ϋ導致其性能惡化。惡化之性能的典型示例為解 析:限性。該情形了,希望亦考慮上述裝配後之時間,並 wj疋上述光阻對於特定特性是否具有特定性能。 / Μ形下,藉由與上述施加壓力氣體相接觸之時間、、旧 f (例如對應於與藥液特性相關之資料),獲取可求^阻= :惡化之關係的資料(例如對應於相關資料),並以與第—者 乂〜、相同之方法計算出對於藥液溫度與經歷時間之 總和之臨限值(圖5,方塊B22、B24、B26)。 、 塗膜形成裝置2之運算部14計算出裝入後之藥液容器溫 又乂及I歷時間之乘積總和,而判定部以判定是否為臨限 101455.doc 1260724 值。判定基準與第一實施形態相同。 其中’本實施形態中,係將藥品製造方或者元件製造者 之保管溫度經過高溫或長時間、或者高溫以及長時間之情 形作為典型示例’並亦可通過與上述第一實施形態相同之 方法,考慮自藥液製造開始後之溫度歷程。本實施形態中, 將利用對於使用以藥液製造為起點之溫度隸之運算值的 判定(方塊B 16)與使用α藥液容器之裝入為起點之溫度歷 馨程之運算值的判定(方塊Β26)的邏輯積(LC2)而實行判定。 即,當上述兩個判定均為肯定時,則判定為肯定。 (5)第三實施形態 其次,就本發明之第三實施形態,參照圖6以及圖7加以 說明。 圖6係表示本實施形態之塗膜形成裝置之概略構成的方 塊圖。將其與圖丨進行比對可明顯看出,圖6所示之塗膜形 成裝置4除具有圖丨之構成以外,進而具備藥液廢棄指令部 • 18。塗膜形成裝置4之其他構成與第一實施形態之塗膜形成 裝置2實質上相同。 圖6所示之塗膜形成裝置4中,當判定部12之判定結果為 否定時,藥液廢棄指令部18將產生廢棄指令信號,並送至 f圖示之閥Η開關裝置,藉此,將自動廢棄殘留於自藥液 容器之藥液排出口(參照圖8)起、直至對基板之排放喷嘴 ΝΖ(參照圖8)為止之藥液(圖7,方塊β42)。 本實施形態下,必須準確把握塗膜形成裝置4所具備之各 配管之各區間中的藥液的殘留容量。 101455.doc ~ 18- 1260724 當廢棄藥液時’如以上第一以及第二實施形態中所述, 亦可與廢棄指令同時發出督促更換藥液容器之指示(方塊 扪4),並於該容器更換結束後(方塊B36),執行廢棄殘留藥 液之控制。 根據本實施形態,判^位於配管内之各部位之藥液是否 2有特定特性’當判定為否定之情形時,可更加準確計算 、、應廢棄之藥液量。藉此,可確實防止對性能已惡化之藥 液判断錯誤並繼續使用之,$报 ., Λ便用之丨月形,由此可降低廢液處理成 本,進而,可減少已更換之藥液流向配管内之流量,從而 可降低藥液成本。 (6)第四實施形態 本實施形態之特徵在於·苴於 — u在於.其於具備稷數個塗膜形成裝置 庫卢 ’可關直至所關注之塗卿成褒置中 =處理之製造批量(LGt)之處理預定時刻為止的溫度 抑制元件特性之不二,液疋否具有所期望之特性,藉此 :般性半導體生產線上,對於生產線上之裝置設 接有賢訊之上部的產品製造計晝系統,自該產品 $ 糸統,各塗膜形成壯罢士 十旦 將n 衣置中所應處理之批量之預定到達時間 ==下部之各個塗膜形成裝置。於如此之塗膜形成 、’對所關左之製造批量之處理、 測自判定虛拽廢a n士 丨而曰]糸/夜,將預 R處理夺刻開始直至該製造批量之 始時料止之藥液容器的溫度 5 / 第二實施形態中所述方法相同之方、广,以與弟-或者 在相同之方法,使用上述製造批量 101455.doc -19- 1260724 之預定處理時刻中夕自制 τ之自版仏開始之經歷時間與含有上述預 〆、之溫度歷程、以及、筚六 条液谷為連接於上述塗膜裝置開始 歷時間與含有上述預測之溫度歷程中之至少任何— 二匈定藥液對於特定之特性是否具有所期望之特性。者 =出T定之情形時,則於上述塗膜形成裝置中向: I出督促更換相關區間 甘曰庶L 匕間之耒液配官内的藥液的信號, 亚且使上述塗膜形成裝置 的m六 ⑨扃置具備靶夠自動廢棄該區間配管内 的上述樂液之機構。 吕Π 其結果,關於上述特性,廢畢 可防止使用已惡化之㈣。^ ^否疋之樂液,藉此 批!到達該塗膜裝置前,尤其是以確保一定程… 時間而並非於晶圓4 &見裕 防止…… …之方式更換該藥液,因此可 止而笼w ⑽㈣塗膜形成裝置产 止而4待時間之情形。進而, 戒置停 上述判定,從而可於f迕批二“批量為單位進行 間隙期進行賡辛處理,、里人氣造批量之廢棄處理間之 丁曆棄處理,因此,可抑制 之複數個基板的處理途中因更換上述寧 ^批量 間之塗膜特性變化、甚至元件特性之㈣以造批量 預測直至上述批量處理為止之溫度歷程之 可考慮以下三種方法: /中’例如 1) 通過外插而預測判定開 法; 于間之别的溫度歷程之方 2) 使用所關注之塗膜形成裝置處 “ 環境的管理基準溫度作為規定值之方法仃恶時之潔淨室 10I455.doc - 20- 1260724 3)使用上述潔淨室之溫度記錄的方法。 當然,如若穩妥可靠亦可採用除此以外的方、去 ⑺第五實施开乂態 ’方法 參照圖6、圖8以及圖9 其次,就本發明之第五實施形態 加以說明。 本實施形態之特徵在於:於圖6所示之塗膜形成裝置4, 其構成為於藥液所通過之配管之每個區間判定部 ,具有所期望之特性,當存在判定結果為否定的區間 日守,糟由來自樂液廢棄指令部18之指令信號,自動廢棄大 致相當於直至上述判定灶吴為不 八 1列疋…果為否疋之區間與噴嘴前端為止 之配管容量之藥液。 圖8表示本實施形態之塗膜形成裝置5之主要部分。洩槽 DT2、DT4,篩檢程式?中設有未圖示之閥門開關裝置,於 自藥液廢棄指令部18(參照圖6)傳送指令信號之情形時,各 閥門將會打開,因此可廢棄殘留於配管内之藥液。又,當 塗膜形成裝置5之判定部12(參照圖6)之判定結果為肯定之 !月形時,如圖8之箭頭AR所示,以排放喷嘴Nz位於晶圓w 上之方式搬送配管P 1 〇,並且將藥液塗布於晶圓w上。 本實施形態中,由於所使用之藥液為液體,因此即便存 在於配管内之同一位置之藥液,嚴袼而言亦混合有熱歷程 不同之藥液。從而於假設藥液之混合的方法中,例如可考 慮下述兩種方法。 1)於判定之時,以與藥液容器間之距離進行判定,對於 判定為否定之位置開始直至噴嘴前端為止的配管容量, 101455.doc -21 - 1260724 1或固定比率、或者固定量以及固定比率實施廢 案0 2)假設以所關注之判定位罟 置為中心之固疋距離内混合有 条液者,以對於判定最為不利 卜π之位置上之樂液(實質上,較 之所關注之判定位置靠近嘖 1 、 ^ 非巩贺^刖端側之特定位置)實行判 定’並廢棄自判定位置或者 \可奴之判定位置以上述一 罪,樂液容器側之位置開始直至嘴嘴前端為止的配管容量 之藥液(圖9,方塊Β46)。 根據本貫施形態,盘h 结 一 心,、上述弟四實施形態相比,可進一步 降低樂液廢棄量。 (8)第六實施形態 於設有第四實施形態中所採用之上部產品製造計晝系統 之半導體生產線上,當向上述複數個塗膜形成配繁 造批量處理時,對於穿右補、Μ ώ 1 ^ 哀有通過自上述所關注之用於塗膜形 成之藥液的製造日期開始的經 止丁u 及目衮填入裝置開 始之經歷時間,或者,自萝 ㈢Ik日期開始之經歷時間以及自 衣真入4置開始之經歷時間與溫度歷程而々 結果與特定之臨限值間之裕声…从“ 特疋運异 r徂间之裕度為最小的藥液之裝置,優先 分配使用上述所關注之藥 里 丹、、果,可進而 降低上述複數個塗膜形成裝 曰 衣甲之上述樂液的廢棄 量0 ο (9)第七實施形態 圖10係說明本發明之筮^^ ▲ 〜今知月之弟七I施形恶的方塊圖。該圖表示 塗膜形成系統,JL且借·你力 么 /、/、備·作為上部糸統之製造管理裝置7, 101455.doc -22- 1260724 以及作為連接於該製造管理裝置7之下部系統的塗膜形成 裝置FF1〜FFN(N為自然數)。 各塗膜形成裝置FF1〜FFN分別具備偵測器DR1〜DRN, 其測定所裝填之藥液的溫度、以及根據需要測定施加壓 力,並且將測定結果與自裝填開始之經歷時間的資訊一同 供給至製造管理裝置7。
製造管理裝置7中具備:能夠傳遞塗膜形成裝置FF1〜 FFN間之貢訊的介面34、記憶體MR1、運算部14、判定部12、 ^廢棄指令部18、以及用以顯示判定部12之判定、,;果的 顯不部32 °本實施形態中之藥液廢棄指令部18,例如對鹿 於指令機構。製造管理裝置7以由各塗膜形成裝置 :FN所供給之測定值為依據,並以與第—以及第二實施形 恶中之上述方法相同的方法,計算出藥液之溫度歷程或者 壓力歷程,㈣每個裝置並且針對每個具 判定各塗膜形«置中所裝填之藥液是否具有己户= ^品質’並將該判定結果顯示於顯示部32中。 梦 造管理裝置7夕V- r- 4 ^ ”,嘗 廢棄指令部18則根據判定部12之判定 二二母個塗膜,成褒置、以及每個裳置之配管區間, 門之配:vr曰不是否應該廢棄並更換某個裝置之某個區 門之配g内的藥液,且將 〜FFN。收到节it人户 谷土膜形成裝置FF1 令―令,執行藥液之廢棄·更換操作據“廢-指 根據本貫施开彡能 已惡化之藥液;'T實且系統地防止使用品質·性能 另-方m統地實現繼續使用可用之 101455.doc -23 - 1260724 藥液,因此可提供-種能夠以高良率且低製造成本形成塗 膜之塗膜形成系統。 土 (1 0)半導體裝置之製造方法 可藉由使用具備上述一系列處理順序之塗膜形成方法製 造半導體裝置’而以高良率及低製造成本製造半導體裝置。 以上說明有本發明之幾個實施形態,然而顯然本發明並 非僅限於上述實施形態者,而可於其技術範圍内加以多種 又开V而貝把。例如上述實施形態中已說明關於適用於半導 體元件之情形,但本發明所使用之元件並非僅限於半導體 元件,亦可適用於製造中形成塗膜之液晶元件、介電質元 件、、光學元件、有機元件等。又’關於藥液之種類,當然 亦並非僅限疋於光阻膜、上述S0G膜’亦適用於例如一般 之塗布型防反射膜或層間絕緣膜'彩色篩檢程式材料等。 例如作為塗布型防反射膜中產生時間性惡化之特性,且有 複折射率(由此而產生之防反射性能)、塗布缺陷數、财之 酸性物質濃度(由此而產生之光阻形狀變化)、蝕刻速度(由 此而產生之加工後圖案形狀變化)等。層間絕緣膜中產生時 間性惡化之:性係與介電質、膜密度等絕緣性相關之數值。 又以將藥液就特定特十生具有所期望之特性判斷為 之U形為基準實行判定,但亦可使用判定式以及處理大體 相同之處理,例如換位法。 _ 【圖式簡單說明】 所附圖式中: 圖1係表示本發明之第-實施形態中之塗膜形成袭置的 101455.doc -24- 1260724 概略構成的方塊圖; 圖2係表示作為比較例之先前 -示例的方塊圖; 之形成順序的 = 表示以保管溫度為參數、且自藥液製造開始 數與光阻特性值之間的相關關係之-示例的圖表; 圖圖4係表示圖1所示之塗膜形成裝置的操作順序之方塊
圖5係表示本發明之第二實施形態之概略順序的方塊圖; 圖6係表示本發明之第三實施形態之塗膜形成裝置的概 略構成之方塊圖; 圖7係表示圖6所示之塗膜形成裝置之操作順序的方塊 圖; 圖8係表示本發明之第五實施形態之塗膜形成裝置的主 要部分之圖; 圖9係表示本發明之第五實施形態之概略順序的方塊圖; 圖10係表示本發明之第七實施形態之製造管理裝置、以 及與其連接之塗膜形成裝置的方塊圖。 【主要元件符號說明】 2, 4, 5, 7 塗膜形成裝置 12 判定部 14 運算部 16 警告信號產生部 18 藥液廢棄指令部 22 輸入裝置 101455.doc -25- 1260724 MR1 記憶體 DT2、DT4 洩槽 P 配管 NZ 排放噴嘴 AR 箭頭 F 師檢程式 W 晶圓 32 顯不部 34 介面 FF1〜FFN 塗膜形成裝置 DR1 〜DRN 偵測器 101455.doc 26-

Claims (1)

1260724 、申請專利範圍: -種塗膜形成裝置,其係使用藥液而於基板上形成塗膜 者,其特徵在於具備: 、 相關 料作成部,其自至少含 、、w 日芏乂 3有所裝填之樂液的保管 -度貢料以及施加於所褒填之藥液的麼力資料中之任— =絲據上述藥液之特性相關之資料,製作作為與藥 /之口σ質相關之資料的相關資料,以及 ,、 :定部’其根據上述相關資料,判定上述藥液 持有所期望之品質。 /、 2· —種半導體裳置之製造方法,其特徵在於·· =具備使㈣液而於基板上形成塗膜之方法 成塗膜之上述方法包括以下處理: ^ ::少:有所裳填之藥液的保管溫度資料 =樂液的厂堅力資料中任-者、且根據上述藥液I 特性相關之資料,掣 — 關資料,以及、〜、樂液品質相關之資料的相 之品:亡这相關貝料’判定上述藥液是否保持有所期望 3·如請求項1之塗膜形成裝置,其中 與上述藥液之特性相關 始直至使用上、” 貝枓中’含有自任意時期開 使用上述樂液為止之上 歷程資料。 4保^皿度的經過之溫度 4. 如凊求項3之塗膜形成裝置,其中 上述任思時期係裝填有上述藥液之時期。 W1455.doc 1260724 5·如請求項1之塗膜形成裝置,其中 與上述藥液特性相關之資料進而包含上述藥液受上述 壓力之施加之時間資料。 6·如請求項丨之塗膜形成裝置,其具備將上述藥液導入上述 基板之配管, 且對應於上述配管内之任意位置而作成上述相關資 料, 、 上述判定部針對上述任意位置判定上述藥液是否保持 有所期望之品質。 明求項1之塗膜形成裝置,其具備將上述藥液導入上述 土板,且可劃分為複數個區間之配管, 上述相關資料係針對上述每個區間而作成, 持有上=;對上述每個㈣…藥液是否保 8·如請求項1之塗膜形成裝置,其中 ❿ 上述藥液係使用於將來之特定時期, 上述判定機構預先判定於上述 述藥液是否保持有所期望之品質。之特疋日守期中,上 9·如請求们之塗膜形成裝 部,該尊生俨轳$ & 進而具備警告信號產生 。σ 4諕產生部根據上述 生:促更換上述藥液之警告信號。。之判定結果,產 部二I】二二:形成裝置’其進而具備藥液廢棄指令 上述藥液廢棄令部根據上述判定部之判定結果而使 101455.doc 1260724 11 · 一種製造管理裝置,1牲 . /寺欲在於:其對通過使用藥液而 ”比… 複數個外部塗膜形成裝置,分配產 口口批里’而上述塗膜形⑼置具備相關資料作成部 相關責料作成部自至少含有 —、 μ 料以及施加於所裝填之羊& 、之樂液之保管溫度資 所忒填之樂液之壓力資料中任 上述藥液純相關之資料中,製作作為與 = 相關之資料的相關資料,以及判定部,該判定=;二 迷相關資料,判定上述藥液是否保持有所期望之Λ, 而上述製造營踩驻罢π主心口口貝, 、表仏吕理4置自通過上述外 述判定機構而獲得^置之上 …ά 之判疋結果,針對各個塗臈形成裝置 判疋來自上述荜液夕μ、+ 我置 札条液之上述所期望之初期品質之 根據上述裕度之判定纟士罢 、 又並 先順序, 〜上述塗膜形成裝置間之優 』上述分配係以所決定之上述優先順序而實行的。 12·如凊求項11之製造管理裝置,其中 , :上述藥液之特性相關之資料包含作為自任 。直至使用上述藥液為止的上述保…’ 歷程資料。 之過私的溫度 13·如請求項12之製造管理裝置,其中 ;上述任意時期係裝填有上述藥液之時期。 14. 如請求項1〗之製造管理裝置,其中 與上述藥液之特性相關之資料進 述壓力施加的時間之資料。 述本液受上 15. 如請求項丨丨之製造管理裝置,其中 101455.doc 1260724 上述藥液使用於將來之特定時期, 而具備有上述塗膜开彡+ # $ > , 於μ ^成衷置之上述判定機構預先判定 方、上述將來之特定時期中 口所 力Τ上述条液疋否保持有所期望之 口 C2 員 〇 •萃…裝置’其特徵在於:其可連接於通過使用 個^而^品批量為單絲基板上形成塗膜之 個塗膜形成裝置,且上述塗膜形成裝置具備: 相關資料作成部,該相關資料作成部自至少含有所裝 液:管溫度資料以及施加於所裝填之藥液之麼: ' +者且與上述藥液特性相關之資料中,製作 作為與樂液品質相關之"的相關資料,以及判定部, :::定部根據上述相關資料,判定上述藥液是否保持有 :期望…,而上述製造管理裝置自上述塗膜形成裝 … < 判定°卩的判定結果,針對每個塗膜形成裝置判 疋來自上述藥液之上述所期望的品質之裕度,並自上述 裕度之判定結果決定上述塗膜形成裝置間之優先順序, 並以所決定之優先順序為依據將產品批量分配至各塗膜 形成裝置。 A :種製造f理裝置’其特徵在於··其可連接於通過使用 :,而於基板上形成塗膜之外部塗膜形成裝置,而上述 塗臈形成裝置具備偵測部,該偵測部自至少含有所裝填 椠液之保官溫度資料以及施加於所裝填之藥液之壓力 次;斗中任者、且與上述藥液之特性相關之資料中,偵 測作為與上述藥液品質相關之資料的相關資料,而上述 101455.doc 1260724 製造管理裝置具備: 判疋。卩,該判定部以自上述外部塗膜形成裝置 =述相關資料為依據,判定上述藥液是否保持有二 望之品質,以及 有所期 指令部,該指令部根據上述判定部之判 & 促更換上述藥液之信號,並將該信號供給至! 膜裴置。 至上述外部塗 18.如請求項17之製造管理裝置,其中 與上述藥液之特性相關之資料包含自任意時期開始直 =用上述藥液為止之上述保管溫度的過程之溫度歷程 19·如請求項18之製造管理裝置,其中 上述任意時期為襞填有上述藥液之時期。 20·如請求項17之製造管理裝置,其中 、,上述藥液之特性相關之資料進而包含上述藥液受上 述壓力施加之時間的資料。 I01455.doc
TW094114307A 2004-05-07 2005-05-03 Coating-film forming apparatus and manufacture managing device TWI260724B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004138378A JP4382569B2 (ja) 2004-05-07 2004-05-07 塗膜形成装置、塗膜形成方法および製造管理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200608506A TW200608506A (en) 2006-03-01
TWI260724B true TWI260724B (en) 2006-08-21

Family

ID=35423806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094114307A TWI260724B (en) 2004-05-07 2005-05-03 Coating-film forming apparatus and manufacture managing device

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7638001B2 (zh)
JP (1) JP4382569B2 (zh)
TW (1) TWI260724B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6879876B2 (en) 2001-06-13 2005-04-12 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid handling system with electronic information storage
JP2007103800A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Toshiba Corp 薬液塗布装置制御方法および薬液塗布装置
TWI598759B (zh) 2006-07-10 2017-09-11 恩特葛瑞斯股份有限公司 用於將儲存在液體儲存容器中的液體供應至基板的材料管理系統及方法
JP5465954B2 (ja) * 2008-09-29 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法
JP5469966B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5439097B2 (ja) * 2009-09-08 2014-03-12 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5639816B2 (ja) * 2009-09-08 2014-12-10 東京応化工業株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP6403431B2 (ja) * 2013-06-28 2018-10-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、流量監視方法及び半導体装置の製造方法並びに流量監視プログラム
CN118192456B (zh) * 2024-03-14 2024-12-17 山东玖旺新材料科技有限公司 一种用于薄膜生产的胶水自动添加方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6161164A (ja) 1984-08-31 1986-03-28 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性平版印刷版自動現像装置の現像補充液補充方法
JPH0632675Y2 (ja) 1989-04-13 1994-08-24 日本電信電話株式会社 半導体製造用塗布装置
CA2052699A1 (en) * 1990-10-19 1992-04-20 Stephen L. Merkel Method and apparatus for monitoring parameters of coating material dispensing systems and processes by analysis of swirl pattern dynamics
JPH05312747A (ja) 1992-05-13 1993-11-22 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂塗膜の劣化判定試験方法
US5408405A (en) * 1993-09-20 1995-04-18 Texas Instruments Incorporated Multi-variable statistical process controller for discrete manufacturing
US6445969B1 (en) * 1997-01-27 2002-09-03 Circuit Image Systems Statistical process control integration systems and methods for monitoring manufacturing processes
TW383414B (en) * 1997-03-05 2000-03-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system and evaluation method and processing apparatus for photoresist agent film
US6466881B1 (en) * 1999-04-22 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method for monitoring the quality of a protective coating in a reactor chamber
KR100311077B1 (ko) * 1999-10-23 2001-11-02 윤종용 선행공정의 결과에 따라 최적의 후행공정장비 및/또는 후행공정조건을 가변적으로 적용하는 로트 디스패칭방법 및 이를 위한 시스템
KR100393289B1 (ko) * 2001-06-26 2003-07-31 주식회사 실리콘 테크 포토레지스트 토출 감시장치
DE10209466B4 (de) * 2002-03-05 2004-03-11 Sita Messtechnik Gmbh Vorrichtung zum fortlaufenden Überwachen und Regeln von Prozesslösung
JP3986854B2 (ja) 2002-03-14 2007-10-03 富士通株式会社 薬液塗布装置及びその薬液管理方法
US6715514B2 (en) * 2002-09-07 2004-04-06 Worldwide Liquids Method and apparatus for fluid transport, storage and dispensing
US6912438B2 (en) * 2002-10-21 2005-06-28 Advanced Micro Devices, Inc. Using scatterometry to obtain measurements of in circuit structures

Also Published As

Publication number Publication date
US7638001B2 (en) 2009-12-29
JP2005322726A (ja) 2005-11-17
JP4382569B2 (ja) 2009-12-16
US8122848B2 (en) 2012-02-28
US20050263067A1 (en) 2005-12-01
TW200608506A (en) 2006-03-01
US20100116204A1 (en) 2010-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI260724B (en) Coating-film forming apparatus and manufacture managing device
Efremov et al. Glass transition in ultrathin polymer films: calorimetric study
Siepmann et al. Diffusion controlled drug delivery systems
Daykin Application of mass transfer theory to the problem of respiration of fish eggs
CN106996513A (zh) 气体控制系统以及用于气体控制系统的控制方法
US6732945B2 (en) Chemical solutions methods for processing semiconductor materials
TW410366B (en) Cleaning method and apparatus
Eliassen et al. Reproductive factors and family history of breast cancer in relation to plasma prolactin levels in premenopausal and postmenopausal women
TW200407251A (en) Container for storage and transport of liquid chemicals
CN102336996B (zh) 一种时间-温度变色指示器及其应用和使用方法
TW200409083A (en) Using scatterometry to obtain measurements of in circuit structures
Wilson et al. Velocity profiles near a vertical ice surface melting into fresh water
TWI402499B (zh) 加襯槽的非破壞檢查方法
JPS5935043A (ja) ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用容器
Schock et al. Effect of container type on pH and alkalinity stability
TW200530767A (en) The management method and apparatus of controlling a developer for photoresist
TWI330386B (en) Etching apparatus for semiconductor processing apparatus and method thereof for recycling etchant solutions
JP2000147785A (ja) 現像装置
TW200404994A (en) Apparatuses and methods for delivering liquid chemical products
CN209623664U (zh) 镀膜系统
TW442429B (en) Container for high purity liquid chemicals
US6170235B1 (en) Wafer packaging method
Campion et al. A study of weighing techniques used in radionuclide standardization
TW200534395A (en) Method and system of coating polymer solution on surface of a substrate
Compton Microfabrication and modeling of a tool for thermodynamic characterization of micro-samples

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees