[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

TW201504464A - 蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法 - Google Patents

蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201504464A
TW201504464A TW103107583A TW103107583A TW201504464A TW 201504464 A TW201504464 A TW 201504464A TW 103107583 A TW103107583 A TW 103107583A TW 103107583 A TW103107583 A TW 103107583A TW 201504464 A TW201504464 A TW 201504464A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
vapor
inner cylinder
outer cylinder
cylinder
outlet
Prior art date
Application number
TW103107583A
Other languages
English (en)
Inventor
Shih-Wei Chen
Original Assignee
Tsmc Solar Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsmc Solar Ltd filed Critical Tsmc Solar Ltd
Publication of TW201504464A publication Critical patent/TW201504464A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一種蒸氣分配裝置，包括一歧管、一內圓筒及一外圓筒。歧管係連接於一蒸氣源，並且具有複數個噴嘴。外圓筒含有內圓筒，具有一空間被界定於該外圓筒與該內圓筒之間。內圓筒或外圓筒之一個係相對於內圓筒或外圓筒之另一個旋轉。外圓筒具有連接於歧管之一入口，以接收來自於複數個噴嘴之蒸氣。外圓筒具有用於分配蒸氣之一出口。

Description

蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法
本發明是有關於一種薄膜太陽能電池之製程，特別是有關於一種蒸氣分配裝置。
太陽能電池係為用於來自於陽光之電流直接產生的光伏元件。多數的太陽能電池是被提供於一底材之上。在此，底材可以是一太陽能電池底材、一太陽能面板或一太陽能模組。太陽能電池底材係擷取來自於陽光之能量。在陽光中之光子係撞擊太陽能電池，並且係被一吸收物層所吸收。在此，吸收物層包括有Cu(In,Ga,)Se2(CIGS)等材料。帶負電之電子係從它們的原子被釋出，因而會造成一電位差異。電流係開始流經太陽能電池材料以取消電位差異，並且電力是被擷取。由多個太陽能電池所產生之電力是被控制以及連接於一電力傳送媒介(例如，一電纜)。
多晶矽薄膜吸收物薄膜(例如，CuInSe2(CIS)、Cu(In,Ga)Se2(CIGS)以及CdTe化合半導體)在光伏太陽能電池中是重要的，因為它們的高效率、長時間穩定表現以及低成本生產之潛力。在成型一CIGS吸收物之過程中，成功地沉積硒是重要的，因為硒通量係支配最後之黃銅礦相成型以及結晶化品質。對於大規模沉積於一整個太陽能電池模組或太陽光伏面板 之上而言，硒均勻度是很困難去維持的。非均勻之硒分佈會影響吸收物層之品質。
本發明基本上採用如下所詳述之特徵以為了要解決上述之問題。
本發明之一實施例提供一種蒸氣分配裝置，其包括一歧管，連接於一蒸氣源，其中，該歧管具有複數個噴嘴；一內圓筒；以及一外圓筒，含有該內圓筒，具有一空間被界定於該外圓筒與該內圓筒之間，其中，該內圓筒或該外圓筒之一個係相對於該內圓筒或該外圓筒之另一個旋轉，該外圓筒具有連接於該歧管之一入口，以接收來自於該等噴嘴之蒸氣，以及該外圓筒具有用於分配蒸氣之一出口。
根據上述之實施例，該出口係為一細長狹縫。
根據上述之實施例，該出口係為一可調整矩形窗洞。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括一馬達，係用以使該內圓筒或該外圓筒旋轉。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括至少一加熱器，係用以加熱該內圓筒或該外圓筒。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括一加熱器控制器，係用以維持該外圓筒之一溫度大於該內圓筒之一溫度。
根據上述之實施例，該出口係為270度遠離於該入口。
根據上述之實施例，該內圓筒係為可旋轉的，以及該外圓筒係為靜止的。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括一傳送帶，係用以傳送一太陽能面板底材經過該外圓筒之該出口。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括一可旋轉底材固持器，係用以固持一太陽能面板底材以及使該太陽能面板底材移動經過該外圓筒之該出口。
本發明之另一實施例提供一種蒸氣分配裝置，其包括一歧管，連接於一蒸氣源，其中，該歧管具有複數個噴嘴；一圓筒形重分佈容器，具有連接於該歧管之一入口以接收來自於該等噴嘴之蒸氣，並且具有用於分配蒸氣之一出口；以及一器具，係固持一太陽能面板底材，並且係使該太陽能面板底材移動通過該出口。
根據上述之實施例，該圓筒形重分佈容器包括有一可旋轉內圓筒；一靜止外圓筒，包含有該可旋轉內圓筒，具有一空間被界定於該靜止外圓筒與該可旋轉內圓筒之間，其中，該靜止外圓筒包括有該入口以及構成該出口之一可調整矩形窗洞；以及一馬達，係用以驅使該可旋轉內圓筒旋轉。
根據上述之實施例，該蒸氣分配裝置更包括至少一加熱器，係用以加熱該可旋轉內圓筒或該靜止外圓筒；以及一加熱器控制器，係用以維持該靜止外圓筒之一溫度大於該可旋轉內圓筒之一溫度。
本發明之又一實施例提供一種成型太陽能面板之方法，其包括：從一歧管之複數個噴嘴進給蒸氣至一重分佈容 器之一入口之中，其中，該重分佈容器具有一出口；混合位於該重分佈容器內之蒸氣，以使得位於該出口處之蒸氣之一密度比起位於該入口處之蒸氣之一密度更為均勻；以及從該重分佈容器之該出口分配蒸氣至一太陽能面板底材之上。
根據上述之實施例，該重分佈容器具有一可旋轉內圓筒及一外圓筒，具有一空間位於該可旋轉內圓筒與該外圓筒之間，混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟係被執行於該空間之中，以及混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟包括旋轉該可旋轉內圓筒。
根據上述之實施例，該重分佈容器具有一可旋轉內圓筒及一外圓筒，具有一空間位於該可旋轉內圓筒與該外圓筒之間，混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟係被執行於該空間之中，以及更包括加熱該可旋轉內圓筒或該外圓筒。
根據上述之實施例，加熱該可旋轉內圓筒或該外圓筒之步驟包括維持該外圓筒之一溫度大於該可旋轉內圓筒之一溫度。
根據上述之實施例，該成型太陽能面板之方法更包括：調整該出口之一外觀比例。
根據上述之實施例，該出口具有一細長窗洞，以及調整該出口之一外觀比例之步驟包括滑動一板以部分地覆蓋或完全開啟該細長窗洞。
根據上述之實施例，該成型太陽能面板之方法更包括：使該太陽能面板底材移動經過該出口，其中，該出口具有一細長狹縫或窗洞，係被定位橫切於該太陽能面板底材之一 移動方向。
為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例並配合所附圖式做詳細說明。
100‧‧‧蒸氣沉積(分佈)裝置
100a、100b、100c‧‧‧蒸氣分佈裝置
101‧‧‧室
102‧‧‧歧管
103‧‧‧分配噴嘴
104‧‧‧蒸鍍源、蒸氣源
106‧‧‧氣體導管
108‧‧‧入口
110‧‧‧同心圓筒組件、蒸氣分佈裝置、重分佈容器
112‧‧‧圓筒、內圓筒
113‧‧‧空間
114‧‧‧縱長軸心
115‧‧‧間隔
116‧‧‧馬達
117‧‧‧真空埠
118‧‧‧控制器
120、142‧‧‧加熱器
121‧‧‧溫度感測器
122‧‧‧加熱器控制器、加熱控制單元
130‧‧‧圓筒、圓筒形重分佈容器、外圓筒
134‧‧‧窗洞、出口
136‧‧‧蒸氣、蒸氣通量
144‧‧‧滑動板、板
150‧‧‧底材、太陽能面板底材
180‧‧‧傳送帶
200、300‧‧‧傳送帶式系統、裝置
400‧‧‧裝置
402‧‧‧旋轉盤
1101‧‧‧葉片
1200‧‧‧側邊表面
1300、1400‧‧‧蒸氣分佈裝置
1302、1512‧‧‧內圓筒
1516‧‧‧蒸氣入口
1520‧‧‧蒸氣分佈噴嘴
1622‧‧‧被分佈蒸氣
1518‧‧‧第二蒸氣源、蒸氣
第1圖係顯示根據本發明之一些實施例之使用於製造一光伏太陽能電池之一蒸氣沉積系統之示意圖；第2圖係顯示根據第1圖之內圓筒之示意圖；第3圖係顯示根據第1圖之外圓筒之示意圖；第4圖係顯示根據第3圖之外圓筒之一變異之示意圖；第5A圖及第5B圖係顯示在第1圖中之入口及出口之相對位置之兩個範例；第6圖係顯示根據第1圖之裝置，在具有一傳送帶之一系統之中；第7圖係顯示根據第6圖之系統之一變異，用於藉由蒸氣沉積去沉積兩個不同之材料；第8圖係顯示具有第1圖之裝置之一旋轉式太陽能面板沉積系統；第9圖係顯示第1圖中之多個蒸氣沉積裝置之配置；第10圖係顯示使用第1圖之裝置之一方法之一實施例之流程圖；第11A圖及第11B圖係顯示根據第1圖之內圓筒之一變異之示意圖；第12圖係顯示包括有第1圖之內圓筒之另一變異之示意 圖；第13圖係顯示具有一非圓形內圓筒之一蒸氣分佈裝置之一實施例之平面示意圖；第14圖係顯示具有兩個分別蒸氣源之一蒸氣分佈裝置之一實施例之示意圖；以及第15圖係顯示具有蒸氣源及分佈噴嘴之一內圓筒之一實施例之示意圖。
茲配合圖式說明本發明之較佳實施例。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
為了使用蒸氣沉積改善太陽能光伏面板薄膜均勻度，一裝置(第1圖之110)是被提供用於使一非均勻蒸氣沉積更為同質的。在一些實施例之中，蒸氣是被進給至位於兩個同心圓式之圓筒112、130間之一空間113之中，並且蒸氣是從一孔隙或窗洞134所發出。同心圓筒組件110之構造是適合去促進在空間113內之蒸氣密度的同質性。
第1圖係顯示一蒸氣沉積(分佈)裝置100之示意圖。蒸氣沉積裝置100包括有一室101以及至少一底材150。室101係含有至少一歧管102。歧管102具有至少一分配噴嘴103。底材150是以從分配噴嘴103分配之蒸氣所塗佈。雖然一圓筒之 蒸發歧管102是被顯示，但具有其他構造之歧管(例如，具有一或多個平坦表面)亦能夠被使用。
在一些實施例之中，底材150係為一薄膜太陽能電池或具有複數個薄膜太陽能電池之一面板。如此之太陽能電池或面板150包括有一光伏薄膜，其係做為光吸收物材料，被成型於一底材之上。對於下方底材之適當的材料包括有玻璃(例如，鈉鈣玻璃)、陶瓷、金屬(例如，不鏽鋼及鋁之薄片)或聚合物(例如，聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸、聚合烴、纖維素聚合物、聚碳酸酯、聚醚等)。吸收物薄膜是被成型於底材之上。
在一些實施例之中，吸收物材料係為銅銦鎵硒(CIGS)、由銅、銦、鎵及硒所構成之一第I-III-V12族半導體材料。CIGS係銅銦硒與銅鎵硒之一固體溶液。CIGS係為一四面接合之半導體，有著黃銅礦晶體結構以及一帶隙。帶隙係以x從大約1.0eV(對於銅銦硒)連續變化至大約1.7eV(對於銅鎵硒)。
在一實施例之中，光伏可以包括有一p-型式材料。舉例來說，吸收物層能夠是一p-型式硫系材料。在一實施例之中，吸收物層能夠是一CIGS Cu(In,Ga)Se2材料。在其他實施例之中，硫系材料包括有(但不限於)Cu(In,Ga)(Se,S)2或“CIGSS”、CuInSe2、CuGaSe2、CuInS2及Cu(In,Ga)S2。能夠被使用於成型吸收物層之適當之p-型式摻雜物包括有硼(B)或週期表之第II族或第III族之其他元素。在另一實施例之中，吸收物層可以包括有一n-型式材料，其包括有硫化鎘(CdS)。
在其他實施例之中，光伏材料係為無定形矽(a-Si)、protocrystalline、奈米晶(nc-Si or nc-Si：H)、黑矽或其他薄膜矽(TF-Si)、碲化鎘(CdTe)或染料敏化太陽能電池(DSC)或其他有機太陽能材料。
舉例來說，在一些實施例之中，具有一初始鉬(Mo)雙層之一背電極是先被濺鍍至一玻璃、金屬薄片或聚合物底材之上做為第一電極層。一P1微管道是被刻劃於Mo層之中。接著，光伏(吸收物)層是被沉積於Mo層之上。在一些實施例之中，一鈉層是從一蒸鍍源被沉積於背電極之上。在一些實施例之中，一或多個吸收物CIGS前驅物是藉由共蒸鍍從一或多個蒸鍍源104被沉積至室101之中。然後，CdS、AnS或InS之一緩衝層是藉由濺鍍、原子層沉積(ALD)或化學浴沉積(CBD)來被成型。P2微管道是被刻劃。接著，第二電極層(例如，氧化鋅等)是被濺鍍於緩衝層之上。P3刻線接著是被成型。在一些實施例之中，在P3刻劃之後，蒸鍍方法能夠被使用去沉積一抗反射塗佈，例如，氟化鎂。
沉積所發生之室101是藉由一適當之真空幫浦(未顯示)被維持於真空之下。一真空埠117是被提供用於從室101徹空空氣。蒸氣沉積裝置100是適合於處理底材150，其係比起歧管102之截面具有較大之表面積。因此，在一大底材之情況之中，材料不是被同時沉積於底材150之整個表面積之上。在一些實施例之中，底材150是被攜載通過室101於一傳送帶180(第6圖及第7圖)之上。在其他實施例之中，底材150是被置於一旋轉式裝置(第8圖)之上。在一些實施例之中，材料是被沉 積於底材150之每一個區域之上，當區域通過一蒸氣噴灑136時。
在一些實施例之中，如第1圖所示，歧管102具有複數個噴嘴103，用於傳遞一蒸氣通過對應於太陽能電池底材之一寬度之一線。寬度方向是正交於傳送帶180之運動，其係傳送底材150經過歧管102。在一些實施例之中，噴嘴103之直徑是介於大約1.5mm與大約3mm之間，以及在噴嘴103間之距離是介於大約2.5cm與3cm之間。
蒸氣是從一蒸鍍源104被供應。在一些實施例之中，蒸鍍源104包括有一不鏽鋼槽，其具有被鈦塗佈之一內表面。小噴嘴103之直線結構在此是被指涉為一”線源”。在一些實施例之中，一可控制之氣體閥門(未顯示)是被提供於氣體導管106之中，以控制來自於蒸鍍源104之蒸氣分配速率。
一氣體導管106係連接歧管102於蒸鍍源104。在一些實施例之中，氣體導管106具有一加熱器(未顯示)，以加熱氣體導管106至位於蒸氣之溶點上之一溫度。
倘若線源是被定位使得噴嘴103直接噴灑於太陽能面板底材150之上以達成大規模沉積，則在噴嘴103間之流率之均勻性(或非均勻性)能夠影響被沉積之層的均勻性。對於一大規模噴灑系統而言，在歧管102中之每一個噴嘴103係展現一不同之噴灑行為，由於不同之局部壓力分佈於歧管102之內。舉例來說，倘若蒸氣是被進給至歧管102之一端之中，壓力一般是最大的對於靠近供應端之噴嘴，以及壓力是最小的對於位於歧管102之相對端處之噴嘴。再者，隨著時間之一或多個噴 嘴103之部分阻塞能夠造成流動中之偏向，如此一來，蒸氣之密度能夠非線性的變化於歧管102之供應端與相對端之間，如第2圖所示。
如第1圖至第5B圖所示，一蒸氣分佈裝置110包括有一圓筒形重分佈容器130以及一出口134。圓筒形重分佈容器130具有連接於歧管102之一入口108，以接收來自於噴嘴103之蒸氣。出口134係用於分散蒸氣136。
在一些實施例之中，蒸氣分佈裝置110包括有一內圓筒112及一外圓筒130。外圓筒130含有內圓筒112，其中，一空間是被界定於外圓筒130與內圓筒112之間。在一些實施例之中，內圓筒112是相對於外圓筒130轉動。外圓筒130具有連接於歧管102之一入口108，以接收來自於噴嘴103之蒸氣。外圓筒130具有用於分配蒸氣136之一出口134。
在一些實施例之中，內圓筒112以及外圓筒130包括有熱阻抗性質之材料以避免蒸氣之凝結。內圓筒112以及外圓筒130能夠包括有不鏽鋼、石墨複合物、碳複合物或其他材料。在一些實施例之中，內圓筒112以及外圓筒130具有一塗佈層。
內圓筒112以及外圓筒130可以具有任何的尺寸。在一些實施例之中，內圓筒112以及外圓筒130之高度是至少與線源之長度一樣大。具有複數個噴嘴103之歧管102的尺寸係為一主要因素於選擇內圓筒112以及外圓筒130之尺寸。舉例來說，在一實施例之中，歧管102之長度係為60cm，而內圓筒112以及外圓筒130之高度係為50cm至70cm。
如第1圖所示，重分佈容器具有一馬達116去使內圓筒112或外圓筒130繞著一縱長軸心114旋轉。馬達116可以是一AC馬達、一DC有刷馬達或一DC步進馬達。
一控制器118係控制馬達之運作去使得內圓筒112旋轉。控制器118能夠做為一處理器(例如，一嵌入式處理器或一外部微電腦)，其能控制室101之運作。
控制器118係控制內圓筒112之旋轉，以促進蒸氣之混合以及改善在內圓筒112與外圓筒130間之空間113內之蒸氣密度的均勻度。
控制器(處理器)118能夠控制內圓筒112之旋轉，以控制是否在入口108與出口134間之空間113中之蒸氣流動是層流或紊流。流動是否是層流或紊流亦係取決於在內圓筒112與外圓筒130間之間隔。一狹窄之間隔及/或較低的旋轉速度係提供具有更為同質蒸氣行為之層流，但將會提供較低的蒸氣通量136離開出口134及沉積於底材150之上。在另一方面，一較寬的間隔及/或較快的旋轉速度係提供相對較高的蒸氣通量。在一些實施例之中，一較寬的間隔及/或較快的旋轉速度係導致紊流。
在內圓筒112與外圓筒130間之間隔115一般是固定的。因此，當層流是被需要時，在內圓筒112與外圓筒130間之一狹窄的間隔115是被選擇。或者，當紊流是被需要時，在內圓筒112與外圓筒130間之一較寬的間隔115是被選擇。在運作過程中，控制器118係調整旋轉速度，取決於哪一個製程或通量是被需要。
如果紊流是被需要，額外的技術是可得的去增加流動之紊亂度。舉例來說，在內圓筒112與外圓筒130之壁間之一大溫度差異能夠造成紊流。當內圓筒112之壁比起外圓筒130之壁具有一較低的溫度時，蒸氣會傾向更為稠密的於內壁處。此將會有助於分子重分佈。在一些實施例之中，內圓筒112與外圓筒130之溫度皆是大於要被沉積之材料的蒸發溫度。在一些實施例之中，內圓筒112之溫度是大約與外圓筒130之溫度相同或稍微低於外圓筒130之溫度。
在一些實施例之中，至少一加熱器120(第2圖)是被提供於內圓筒112之上，以加熱內圓筒112。在一些實施例之中，至少一加熱器142(第4圖)是被提供於外圓筒130之上，以加熱外圓筒130。加熱器120及142能夠具有多種型態以促進從空間113之上部至空間113之下部的均勻加熱。舉例來說，在一些實施例之中，加熱器120及142是從空間113之上部延伸至空間113之下部。在一些實施例之中，加熱器120及/或142是繞著內圓筒112或外圓筒130之整個周圍延伸360度。在其他實施例之中，加熱器120及/或142是繞著內圓筒112或外圓筒130之周圍延伸90度或180度。
在一些實施例之中，一加熱器控制器122是被提供去維持外圓筒130之一溫度大於內圓筒112之一溫度。一溫度感測器121係感測內圓筒112及外圓筒130之表面的溫度，並且溫度感測器121係提供溫度回授訊號至加熱器控制器122。加熱器控制器122會比較所感測之溫度於設定點，並且加熱器控制器122會因此調整傳遞至加熱器120及/或142之電流。溫度控制能 夠是加熱器之一簡單的on/off控制。在一些實施例之中，被提供之電流是正比於在設定點與所感測溫度之間的距離。在其他實施例之中，比例積分(proportional-integral)、比例微分(proportional derivative)或比例積分微分(proportional-integral-derivative)是被使用的。
在一些實施例之中，一單一加熱控制單元122係控制加熱器120、142(分別如第2圖及第4圖所示)。舉例來說，在一些實施例之中，加熱控制單元122具有一個別的預定設定點溫度對於內圓筒加熱器120及外圓筒加熱器142。對於封閉迴圈控制而言，內圓筒112及外圓筒130之溫度是在蒸氣沉積過程中被感測，以及加熱控制單元122係控制電流之供給至加熱器，以維持溫度於設定點處。在一些實施例之中，加熱控制單元122亦係控制額外的加熱器(未顯示)，以控制歧管102及其噴嘴103之溫度。
在一些實施例之中，加熱控制單元122係為一程式化通用目的處理器。在其他實施例之中，加熱控制單元122係為一嵌入式微控制器、微處理器或可編程是邏輯控制器(PLC)。
在其他實施例之中，兩個分別的加熱控制單元(未顯示)是被提供去分別控制加熱器120、142。
在其他實施例之中，加熱器120、142是被相同之處理器118(第1圖)所控制。
在其他實施例之中，其他的器具是被提供用於引起紊流於空間113之中。舉例來說，內圓筒112及/或外圓筒130之表面能夠是具有特定結構的(例如，有脊狀線的或有凸邊 的)，以促進紊流以及改善混合。
在一些實施例之中，出口134係為一固定的孔隙，以一細長狹縫的形式呈現，如第3圖所示。出口134可以大約與入口108具有相同之尺寸，但在出口134處之蒸氣密度之均勻性是大於在入口108處之蒸氣密度之均勻性。
在其他實施例之中，如第4圖所示，出口134係為一可調整之矩形窗洞。舉例來說，一滑動板144能夠部分地覆蓋一矩形孔隙。藉由使板子滑動向左或向右，矩形孔隙之外觀比例可以被調整。當窗洞是被開啟時，出口134之外觀比例會降低，以及蒸氣是被提供於底材150之一較大區域之上。
雖然範例顯示內圓筒112係旋轉以及外圓筒130係為靜止的，但在其他實施例之中，外圓筒130是相對於內圓筒112旋轉。因為外圓筒130之出口134係面對底材以為了要沉積材料，故外圓筒130不是連續地旋轉360度。舉例來說，外圓筒能夠具有一往復旋轉運動跨越一狹窄角度，如此一來，出口是從底材150之一端到另一端前後掃動。在具有一往復外圓筒130之實施例之中，外圓筒130係被配備有一步進馬達以提供精確的往復運動於一所需範圍之內。
在其他實施例之中，內圓筒112具有一第一馬達用於連續旋轉，以及外圓筒130具有一分別之馬達(未顯示)用於往復運動。
第1圖之蒸氣沉積裝置100亦是適合於沉積材料至其他型式及尺寸之底材之上，其包括有半導體晶圓。
出口134是被定位於入口108之一距離處，以允許 良好之混合於出口134與入口108之間。舉例來說，在一些實施例之中，如第5A圖所示，出口134是大約180度遠離於入口。在其他實施例之中，如第5B圖所示，出口134是大約270度遠離於入口。倘若內圓筒112係緩慢地旋轉(例如，為了引起層流)，則一較大之角度會提供更多的混合於出口134與入口108之間。
蒸氣分佈裝置110能夠被包含於具有多種型態之蒸氣沉積系統之中。
第6圖至第8圖係顯示各種器具用於固持一太陽能面板底材150以及移動太陽能面板底材150經過蒸氣沉積裝置100之出口134。第6圖及第7圖係顯示傳送帶式系統200及300用於蒸氣沉積於太陽能面板底材之上。為了清楚起見，其他的元件(例如，室101)是被省略的。
第6圖係顯示具有一單一傳送帶180及一單一蒸氣沉積裝置100之裝置200，用於傳送一太陽能面板底材150經過蒸氣沉積裝置100之外圓筒130之出口134。在一些實施例之中，此裝置能夠被使用於連續地沉積一單一材料之蒸氣。在其他實施例之中，第6圖之裝置能夠被使用於依序施加來自於多個不同蒸氣源104之蒸氣。第一材料之蒸氣之流動是被關掉，以及第二材料之蒸氣之流動是被打開。倘若裝置是被使用去施加多個材料於相同之太陽能面板底材150，則太陽能面板底材150能夠從傳送帶之右側返回至其左側，而不需改變傳送帶方向，或傳送帶方向能夠被反轉用於施加第二材料。
第7圖係顯示具有一單一傳送帶180與多個蒸氣沉積裝置100之裝置300。每一個裝置100是連接於一分別不同之 蒸氣源104(未顯示於第7圖之中)。在一些實施例之中，每一個裝置100具有個別之加熱器控制器122。在其他實施例之中，一單一之加熱器控制器122係控制加熱器120、142，但每一個加熱器120、142具有其自身的設定點溫度。第7圖之裝置300係提供來自於兩蒸氣源104之依序沉積，而不需打斷傳送帶180之運動或蒸氣之流動。
第8圖係顯示一批次式裝置400，其具有一旋轉盤402做為底材固持器，以固持一太陽能面板底材150以及移動太陽能面板底材150經過外圓筒130之出口134。在一些實施例之中，一單一蒸氣沉積裝置100是被提供。在一些實施例之中，圍繞旋轉盤402之其他站(未顯示)能夠包括有額外的蒸氣沉積裝置100以同時沉積一或多個額外材料於一或多個分別額外之底材之上。在一些實施例之中，圍繞旋轉盤402之其他站(未顯示)能夠執行其他的功能(例如，濺鍍)。
第9圖係顯示三個蒸氣分佈裝置100a-100c之另一配置500，用於同時沉積三個材料於相同之底材150之上。可選擇地，三個蒸氣分佈裝置100a-100c能夠繞著旋轉盤402被間隔，用以同時沉積三個不同之材料於三個不同之底材之上。
第10圖係顯示根據一些實施例之蒸氣沉積之一方法之流程圖。在一實施例之中，裝置是被使用於沉積來自於一蒸氣源104之硒。根據硒(221℃)及硫(115℃)之熔點以及硒(685℃)及硫(444℃)之沸點，硒蒸氣源之溫度是被維持於大約300℃至大約400℃。在一些實施例之中，歧管102及噴嘴103是被維持於大約450℃至大約550℃。
在步驟1000，出口134之窗洞之一外觀比例是被調整，如此一來，出口134會具有一所需之寬度。在一些實施例之中，出口134包括有一細長窗洞，以及調整包括有使一板144滑動以部分地覆蓋或完全開啟窗洞。在一些實施例之中，板144是被致動去使窗洞變寬或變窄。在一些實施例之中，調整係為人工進行的。在其他實施例之中，一致動器(未顯示)係移動板144。處理器118能夠根據被沉積材料之型式去控制板144之再定位。
在步驟1002，蒸氣是從歧管102之複數個噴嘴103進給至一重分佈容器110之一入口108之中。重分佈容器110具有一出口134。
在步驟1004，內圓筒是被旋轉。
在步驟1006，內圓筒112或外圓筒130之至少一個是被加熱，以加熱位於一邊界層內之氣體。在一些實施例之中，外圓筒130之溫度是被維持比內圓筒112之溫度來得高。
在步驟1008，蒸氣是被混合於重分佈容器110之空間113之內，如此一來，在出口134處之蒸氣密度比起在入口108處之蒸氣密度是更為均勻的。
在步驟1010，蒸氣136是從重分佈容器110之出口134被分配至一太陽能面板底材150之上。
在步驟1012，太陽能面板底材150是被移動經過出口134，其中，出口134包括有一細長狹縫或窗洞，被定位橫過太陽能面板之一運動方向。
雖然第10圖係顯示在一次序中之步驟，但第10圖 之次序是不以此為限的，並且步驟能夠被執行於其他的次序之中。此外，一些步驟能夠被同時地執行。舉例來說，在一些實施例之中，步驟1002至1012全都是被同時執行的。
雖然蒸氣分佈裝置100是被使用於沉積硒，但其可以被使用於任何之蒸氣源，以改善分佈之同質性。舉例來說，裝置可以被使用於銦、鎵、硫、蒸氣、金屬前驅物於一金屬氧化化學蒸氣沉積(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition)製程之中。
第11A圖及第11B圖係顯示根據第1圖之內圓筒112之一變異之示意圖。如第11A圖及第11B圖所示，複數個葉片1101是被提供於內圓筒112之側邊表面之上，以促進混合。葉片1101可以具有多種形狀及尺寸。此外，雖然第11A圖係顯示葉片全都向下傾斜以及平行於彼此，但葉片能夠以相對傾斜被定位(例如，一向上傾斜葉片以及一向下傾斜葉片)。
第12圖係顯示具有第1圖之內圓筒112之另一變異之示意圖，其中，內圓筒112之側邊表面1200是具有特定結構的，以促進紊流以及更佳的混合。舉例來說，在一些實施例之中，側邊表面1200係具有隆起脊部。在其他實施例之中，側邊表面1200係為有凸邊的。
第13圖係顯示一蒸氣分佈裝置1300之一實施例之平面示意圖，其中，內圓筒1302係具有表面曲率變異，以促進在內圓筒1302與外圓筒130間之蒸氣的混合。在第13圖之範例之中，內圓筒1302係為橢圓形的。在其他實施例之中，內圓筒可以具有一蛋形之截面。在其他實施例之中，內圓筒之曲率能 夠以不規則之方式變化。
第14圖係顯示一蒸氣分佈裝置1400之另一實施例，其具有兩個分別之歧管102。每一個歧管102具有一個別組之噴嘴103。蒸氣分佈裝置1400能夠被使用於從蒸氣源104同時混合及分配兩個不同之材料。
第15圖係顯示具有分別之蒸氣入口1516及一組蒸氣分佈噴嘴1520之內圓筒1512之一實施例之示意圖。蒸氣1518係進入蒸氣入口1516以及係被分佈於各種蒸氣分佈噴嘴1520之間。來自於蒸氣分佈噴嘴1520之被分佈蒸氣1622的密度可以是大於在噴嘴處之被分佈蒸氣1622的密度。內圓筒1512相對於外圓筒130之相對旋轉係促進蒸氣之混合，如此一來，離開外圓筒130之窗洞134之蒸氣的密度會比起離開蒸氣分佈噴嘴1520之蒸氣的密度來得更為均勻。
在一些實施例之中，內圓筒1512(具有其自身之蒸氣入口1516)是被取代於第1圖中之內圓筒112，以提供一第二蒸氣源1518。在一些實施例之中，供應蒸氣1518至內圓筒1512之蒸氣入口1516的蒸氣源係分配一不同之材料，相較於進給外圓筒之歧管102之蒸氣源104。此係允許多個前驅物之混合於內圓筒1512與外圓筒間之空間之中。在一些實施例之中，第15圖之內圓筒1512是與第14圖之外圓筒1400被使用，因而允許三個不同前驅物之混合。在其他實施例之中，內圓筒及外圓筒係分配相同之材料。
在各種實施例之中，一蒸氣分配裝置能夠包括有被顯示於第1圖、第4圖、第5A圖、第5B圖或第14圖中之任何 的外圓筒構造，與被顯示於第1圖、第11A圖、第11B圖、第12圖、第13圖或第15圖中之任何的內圓筒構造結合，以及能夠包括有被顯示於第2圖或第4圖中之任何的溫度控制。再者，任何的這些蒸氣分配裝置能夠被包括於被顯示於第6圖、第7圖、第8圖或第9圖中之任何的系統之中。各種所揭露之實施例包括所有如此之結合。
雖然本發明已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧蒸氣沉積(分佈)裝置
101‧‧‧室
102‧‧‧歧管
103‧‧‧分配噴嘴
104‧‧‧蒸鍍源、蒸氣源
106‧‧‧氣體導管
108‧‧‧入口
110‧‧‧同心圓筒組件、蒸氣分佈裝置、重分佈容器
112‧‧‧圓筒、內圓筒
113‧‧‧空間
114‧‧‧縱長軸心
115‧‧‧間隔
116‧‧‧馬達
117‧‧‧真空埠
118‧‧‧控制器
130‧‧‧圓筒、圓筒形重分佈容器、外圓筒
134‧‧‧窗洞、出口
136‧‧‧蒸氣
150‧‧‧底材、太陽能面板底材

Claims (10)

  1. 一種蒸氣分配裝置，包括：一歧管，連接於一蒸氣源，其中，該歧管具有複數個噴嘴；一內圓筒；以及一外圓筒，含有該內圓筒，具有一空間被界定於該外圓筒與該內圓筒之間，其中，該內圓筒或該外圓筒之一個係相對於該內圓筒或該外圓筒之另一個旋轉，該外圓筒具有連接於該歧管之一入口，以接收來自於該等噴嘴之蒸氣，以及該外圓筒具有用於分配蒸氣之一出口。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蒸氣分配裝置，其中，該出口係為一細長狹縫或一可調整矩形窗洞。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之蒸氣分配裝置，更包括：一馬達，係用以使該內圓筒或該外圓筒旋轉；至少一加熱器，係用以加熱該內圓筒或該外圓筒；一加熱器控制器，係用以維持該外圓筒之一溫度大於該內圓筒之一溫度；一傳送帶，係用以傳送一太陽能面板底材經過該外圓筒之該出口；以及一可旋轉底材固持器，係用以固持一太陽能面板底材以及使該太陽能面板底材移動經過該外圓筒之該出口。
  4. 一種蒸氣分配裝置，包括：一歧管，連接於一蒸氣源，其中，該歧管具有複數個噴嘴；一圓筒形重分佈容器，具有連接於該歧管之一入口以接收來自於該等噴嘴之蒸氣，並且具有用於分配蒸氣之一出口； 以及一器具，係固持一太陽能面板底材，並且係使該一太陽能面板底材移動通過該出口。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之蒸氣分配裝置，其中，該圓筒形重分佈容器包括：一可旋轉內圓筒；一靜止外圓筒，含有該可旋轉內圓筒，具有一空間被界定於該靜止外圓筒與該可旋轉內圓筒之間，其中，該靜止外圓筒具有該入口以及構成該出口之一可調整矩形窗洞；以及一馬達，係用以驅使該可旋轉內圓筒旋轉。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之蒸氣分配裝置，更包括：至少一加熱器，係用以加熱該可旋轉內圓筒或該靜止外圓筒；以及一加熱器控制器，係用以維持該靜止外圓筒之一溫度大於該可旋轉內圓筒之一溫度。
  7. 一種成型太陽能面板之方法，包括：從一歧管之複數個噴嘴進給蒸氣至一重分佈容器之一入口之中，其中，該重分佈容器具有一出口；混合位於該重分佈容器內之蒸氣，以使得位於該出口處之蒸氣之一密度比起位於該入口處之蒸氣之一密度更為均勻；以及從該重分佈容器之該出口分配蒸氣至一太陽能面板底材之上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之成型太陽能面板之方法，其 中，該重分佈容器具有一可旋轉內圓筒及一外圓筒，具有一空間位於該可旋轉內圓筒與該外圓筒之間，混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟係被執行於該空間之中，以及混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟包括旋轉該可旋轉內圓筒。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之成型太陽能面板之方法，其中，該重分佈容器具有一可旋轉內圓筒及一外圓筒，具有一空間位於該可旋轉內圓筒與該外圓筒之間，混合位於該重分佈容器內之蒸氣之步驟係被執行於該空間之中，以及更包括加熱該可旋轉內圓筒或該外圓筒。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之成型太陽能面板之方法，其中，加熱該可旋轉內圓筒或該外圓筒之步驟包括維持該外圓筒之一溫度大於該可旋轉內圓筒之一溫度。
TW103107583A 2013-07-19 2014-03-06 蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法 TW201504464A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/946,231 US20150024538A1 (en) 2013-07-19 2013-07-19 Vapor dispensing apparatus and method for solar panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201504464A true TW201504464A (zh) 2015-02-01

Family

ID=52319696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107583A TW201504464A (zh) 2013-07-19 2014-03-06 蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150024538A1 (zh)
CN (1) CN104300038A (zh)
TW (1) TW201504464A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180245206A1 (en) * 2015-07-13 2018-08-30 Applied Materials, Inc. Evaporation source
CN106868457B (zh) * 2017-03-22 2019-03-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种蒸镀组件及蒸镀设备
JP6533601B2 (ja) * 2018-02-26 2019-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 蒸発源

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL287577A (zh) * 1962-01-16
US4325986A (en) * 1979-05-29 1982-04-20 University Of Delaware Method for continuous deposition by vacuum evaporation
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
US7780787B2 (en) * 2004-08-11 2010-08-24 First Solar, Inc. Apparatus and method for depositing a material on a substrate
EP1752555A1 (de) * 2005-07-28 2007-02-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Verdampfervorrichtung
JP5013591B2 (ja) * 2006-12-15 2012-08-29 キヤノントッキ株式会社 真空蒸着装置
FR2956412B1 (fr) * 2010-02-16 2012-04-06 Astron Fiamm Safety Vanne d'obturation a volume constant d'une source de depot en phase vapeur
FR2956411B1 (fr) * 2010-02-16 2012-04-06 Astron Fiamm Safety Systeme de chauffage d'une source de depot en phase vapeur
CN103270189B (zh) * 2010-12-24 2015-09-23 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104300038A (zh) 2015-01-21
US20150024538A1 (en) 2015-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9673348B2 (en) Buffer layer deposition for thin-film solar cells
US7972899B2 (en) Method for fabricating copper-containing ternary and quaternary chalcogenide thin films
JP5502069B2 (ja) 薄膜太陽電池セルを製造するための装置および方法
TWI557249B (zh) 蒸鍍設備及其方法
CN102534491B (zh) 高转化效率铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的制备设备及制备方法
US8163090B2 (en) Methods structures and apparatus to provide group VIA and IA materials for solar cell absorber formation
US20110059231A1 (en) Methods and devices for processing a precursor layer in a group via environment
US20140273335A1 (en) METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITING COPPER-INDIUM-GALLIUM SELENIDE (CuInGaSe2-CIGS) THIN FILMS AND OTHER MATERIALS ON A SUBSTRATE
JP5738600B2 (ja) 緩衝層蒸着のための加熱
CN102194925A (zh) 制造薄膜光吸收层的方法及使用其制造薄膜太阳能电池的方法
JP2014523479A (ja) インライン式の化学気相成長の方法及びシステム
TW201504464A (zh) 蒸氣分配裝置及成型太陽能面板之方法
TWI422045B (zh) Ｃｉｇｓ太陽能電池製程之設備及方法
US20130157407A1 (en) APPARATUS FOR INLINE PROCESSING OF Cu(In,Ga)(Se,S)2 EMPLOYING A CHALCOGEN SOLUTION COATING MECHANISM
Ming et al. Study of Ar+ O 2 deposition pressures on properties of pulsed laser deposited CdTe thin films at high substrate temperature
US20120017983A1 (en) Buffer layer formation
CN104716227A (zh) Czts薄膜太阳电池吸收层的制备方法
CN110444619A (zh) 一种制备大面积硒化锑薄膜的设备及其方法和应用
US8603575B1 (en) Thin-film absorber formation method
TW201822291A (zh) 流體均佈裝置