TW201343863A - 黏著片 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種階差追隨性優異之黏著片。本發明之黏著片具備黏著劑層及基材層，該黏著劑層於70℃下之彈性模數E'與厚度之積為0.7N/mm以下，且該基材層於70℃下之彈性模數E'為1.0MPa以下。藉由製成上述具備基材層及黏著劑層之黏著片，可提供貼附時與被黏附體之密接性提高、階差追隨性優異之黏著片。

Description

黏著片

本發明係關於一種黏著片。

半導體晶圓係以大直徑狀態製造，於表面形成圖案後研磨背面，通常使晶圓之厚度變薄直至40 μm~600 μm左右為止。繼而，將經研磨之半導體晶圓切割分離(dicing)為元件小片，進而轉移至安裝步驟中。於研磨半導體晶圓背面之步驟(背面研磨步驟)中，為了保護半導體晶圓之圖案面而使用黏著片。以此種目的使用之黏著片最終會自半導體晶圓剝離。因此，該等黏著片需要於背面研磨步驟中不會剝離之程度之黏著力。另一方面，需要於背面研磨步驟後進行剝離時可容易地剝離且不損壞半導體晶圓之程度的較低之黏著力。

作為調節黏著劑之黏著力之方法，例如進行了將發揮黏著力之作用不同之多種樹脂成分混合之研究(例如，專利文獻1)。此種黏著劑為了發揮良好之黏接性、剝離性、以及防止糊劑於被黏附體上之殘餘之作用而具有較高之彈性模數。因此，存在對設置於半導體晶圓表面之圖案面之階差的追隨性降低之情形。於黏著劑層之階差追隨性較低之情形時，黏著劑層與晶圓表面之間的密接性變得不充分。其結果，例如會於背面研磨步驟中產生研磨水浸入切割線並損傷晶圓之問題。尤其是於進行晶圓研磨以使得研磨後之厚度變得極薄時，存在水浸入切割線之風險變高之問題。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2009-275209號公報

本發明係為了解決上述先前之問題而成者，其目的在於提供一種階差追隨性優異之黏著片。

本發明等人反覆進行研究，結果發現，藉由製成具備於70℃下之彈性模數E'與厚度之積(以下，亦稱為彈性值)為0.7 N/mm以下之黏著劑層及於70℃下之彈性模數E'為1.0 MPa以下之基材層的黏著片，可解決上述問題。

即，本發明之黏著片係具備黏著劑層及基材層，該黏著劑層於70℃下之彈性模數E'與厚度之積為0.7 N/mm以下，且該基材層於70℃下之彈性模數E'為1.0 MPa以下。

於較佳之實施方式中，上述黏著劑層包含聚烯烴系樹脂。

於較佳之實施方式中，上述聚烯烴系樹脂包含非晶質聚丙烯系樹脂。

於較佳之實施方式中，上述聚烯烴系樹脂進而包含晶質聚丙烯系樹脂。

於較佳之實施方式中，上述基材層包含聚乙烯系樹脂。

於較佳之實施方式中，本發明之黏著片係用於半導體晶圓加工。

本發明之黏著片係黏著劑層之彈性值為0.7 N/mm以下，基材層於70℃下之彈性模數E'為1 MPa以下。本發明之黏著片具有此種特性，藉此例如於黏著片與半導體晶圓之貼附步驟中，黏著片與半導體 晶圓表面之凹凸(例如，切割線)的階差追隨性進一步提高。因此，例如於用作半導體晶圓之背面研磨步驟中所使用之保護片之情形時，可防止研磨水對切割線之浸入並防止半導體晶圓之裂紋之產生。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

100‧‧‧黏著片

200‧‧‧被黏附體

圖1係本發明之較佳之實施方式的黏著片之概略剖面圖。

圖2係對成為本發明之黏著片之階差追隨性之指標的「隆起寬度」進行說明之模式圖。

A.黏著片之整體構成

圖1係本發明之較佳之實施方式的黏著片之概略剖面圖。本發明之黏著片100具備黏著劑層10及基材層20。上述黏著劑層10係黏著劑層之厚度與70℃下之黏著劑層之彈性模數E'之積即彈性值為0.7 N/mm以下。上述基材層20係於70℃下之彈性模數E'為1 MPa以下。黏著劑層及基材層具備此種特性，藉此於黏著片與被黏附體之貼合步驟中，本發明之黏著片可發揮對被黏附體之優異之密接性。因此，本發明黏著片之階差追隨性優異。

本發明之黏著片亦可具備任意之適宜之其他層。作為其他層，例如可列舉位於基材層之與黏著劑層相反之一側並可對黏著片賦予耐熱性之表面層。

黏著片100之厚度較佳為90 μm~285 μm，更佳為105 μm~225 μm，進而較佳為110 μm~205 μm。

黏著劑層10之厚度可根據黏著劑層於70℃下之彈性模數E'而適當設定以使得黏著劑層之彈性值成為0.7 N/mm以下。黏著劑層10之厚度例如為3 μm~200 μm，較佳為5 μm~100 μm。

基材層20之厚度較佳為20 μm~200 μm，更佳為25 μm~150 μm。

於本發明說明書中，使用「隆起寬度」作為黏著片之階差追隨 性之指標。「所謂隆起寬度」，如圖2所示，係指將黏著片100貼附於具有階差x之被黏附體200上時，該黏著片隆起而不與被黏附體200連接之部分之寬度a。較佳為使用該隆起寬度相對於成為被黏附體之半導體晶圓上之切割線寬度而達到特定範圍之黏著片。藉此，例如於將本發明之黏著片用作半導體晶圓之背面研磨步驟中所使用之保護片之情形時，可防止研磨水對切割線之浸入並防止半導體晶圓之裂紋之產生。

關於將本發明之黏著片剛貼附於半導體晶圓後(1小時後)之隆起寬度，相對於6 μm之階差(即，圖2之x為6 μm)，較佳為設置於成為被黏附體之半導體晶圓表面上的切割線寬度之1/2以下，更佳為該切割線寬度之1/3以下。若隆起寬度於上述範圍內，則可使本發明之黏著片較佳地追隨切割線並於背面研磨中防止研磨水對切割線之浸入。具體而言，於將本發明之黏著片用於具有深度6 μm、寬度100 μm之切割線的半導體晶圓之情形時，上述隆起寬度較佳為50 μm以下，更佳為33 μm以下。

關於將本發明之黏著片與半導體晶圓貼合併於溫度23℃、濕度50%之條件下放置24小時後之隆起寬度，相對於6 μm之階差，較佳為設置於成為被黏附體之半導體晶圓表面上的切割線寬度之1/2以下，更佳為該切割線寬度之1/3以下。若與半導體晶圓貼合併放置24小時後之黏著片之隆起寬度為上述範圍內，則可獲得即便放置後亦可維持優異之階差追隨性之黏著片。

本發明之黏著片可利用隔離膜加以保護而提供。本發明之黏著片可以利用隔離膜加以保護之狀態捲取成輥狀。隔離膜具有保護黏著片直至供於實際應用之保護材料之功能。作為隔離膜，例如可列舉使用矽系剝離劑、氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET，Polyethylene terephthalate)、聚乙烯、聚丙烯等)膜、不織布或紙等。

關於本發明之黏著片，例如於未利用隔離膜加以保護之情形時，亦可對與黏著劑層相反之一側之最外層進行背面處理。背面處理例如可使用矽系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑而進行。本發明之黏著片藉由進行背面處理而變得容易捲取成輥狀。

B.黏著劑層

上述黏著劑層係上述彈性值為0.7 N/mm以下。於本發明中，以黏著劑層之彈性值成為0.7 N/mm以下之方式進行設計，藉此可提供階差追隨性優異之黏著片。上述彈性值較佳為0.01 N/mm~0.7 N/mm，更佳為0.01 N/mm~0.25 N/mm。

關於上述黏著劑層於70℃下之彈性模數E'(儲存模數E')，只要彈性值為0.7 N/mm以下之值即可，可根據黏著劑層之厚度而設定為任意之適當值。上述黏著劑層於70℃下之彈性模數E'較佳為基材層於70℃下之彈性模數E'以上之值。藉由將黏著劑層之彈性模數E'設為上述範圍，可提高黏著片之階差追隨性。黏著劑層於70℃下之彈性模數例如為1 MPa以上，較佳為1 MPa~25 MPa。於本說明書中，黏著劑層於70℃下之彈性模數E'係指利用動態黏彈性測定裝置而測得之值。

上述黏著劑層於23℃下之彈性模數E'較佳為3 MPa以上，更佳為3 MPa~100 MPa，進而較佳為3 MPa~75 MPa。若黏著劑層於23℃下之彈性模數E'於上述範圍內，則即便於與被黏附體貼合後放置之情形時，黏著劑層亦可維持貼附時之形態。因此，可防止黏著片貼附於被黏附體後之經時性隆起之擴大。另外，若於23℃下之彈性模數E'為上述範圍內，則亦可防止剝離黏著片後之被黏附體上之糊劑殘餘。先前，雖然使用彈性模數較低之黏著劑層改善追隨性，但於該情形時存在產生黏著片之經時性隆起並產生剝離黏著片後之被黏附體上之糊劑殘餘之問題。藉由黏著劑層於23℃下具備如上所述之彈性模數E'，亦 可消除此種問題。於本說明書中，黏著劑層於23℃下之彈性模數E'係指利用動態黏彈性測定裝置而測得之值。

上述黏著劑層只要為上述彈性值成為0.7 N/mm以下之層即可，可藉由任意之適當黏著劑而構成。該黏著劑層較佳為包含聚烯烴系樹脂。作為聚烯烴系樹脂之具體例，可列舉：低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、低結晶聚丙烯、非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯-馬來酸酐共聚物、乙烯-甲基丙烯酸縮水甘油酯共聚物等乙烯共聚物，或者聚烯烴改性聚合物等。該黏著劑層更佳為包含非晶質聚丙烯系樹脂，進而較佳為包含非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物。若為此種黏著劑層，則可獲得階差追隨性更優異之黏著片。再者，本說明書中，「非晶質」係指不具有如晶質般明確之熔點之性質。

黏著劑所包含之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之含有比率可進行適當調整以使得黏著劑層之彈性值成為0.7 N/mm以下。黏著劑所包含之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之含有比率以重量比計，較佳為10重量%~100重量%，更佳為10重量%~95重量%。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物較佳為可藉由使用茂金屬觸媒使丙烯與1-丁烯聚合而獲得。更詳細而言，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物例如可藉由進行使用茂金屬觸媒使丙烯與1-丁烯聚合之聚合步驟並於該聚合步驟後進行殘留觸媒去除步驟、異物去除步驟等後處理步驟而獲得。非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物係經由此種步驟而以例如粉末狀、顆粒狀等形狀獲得。作為茂金屬觸媒，例如可列舉：包含茂金屬化合物及鋁氧烷之茂金屬均勻混合觸媒、於微粒狀載體上載持有茂金屬化合物之茂金屬載持型觸媒等。

如上所述般使用茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物顯示出狹窄之分子量分佈。上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之 分子量分佈(Mw/Mn)較佳為3以下，更佳為2以下，進而較佳為1.1~2，尤佳為1.2~1.9。分子量分佈狹窄之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物由於低分子量成分較少，因此若使用此種非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物，則可獲得可防止由低分子量成分之滲出所導致的被黏附體之污染之黏著片。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中之來自丙烯之結構單元之含有比例較佳為80莫耳%~99莫耳%，更佳為85莫耳%~99莫耳%，進而較佳為90莫耳%~99莫耳%。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物中之來自1-丁烯之結構單元之含有比率較佳為1莫耳%~20莫耳%，更佳為1莫耳%~15莫耳%，進而較佳為1莫耳%~10莫耳%。若為上述範圍，則可獲得韌性及柔軟性之平衡性優異之黏著片。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可為嵌段共聚物，亦可為無規共聚物。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)較佳為200000以上，更佳為200000~500000，進而較佳為200000~300000。若非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之重量平均分子量(Mw)為上述範圍，則與通常之苯乙烯系熱塑性樹脂、丙烯酸系熱塑性樹脂(Mw為100000以下)相比，可獲得低分子量成分較少並可防止被黏附體之污染之黏著片。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物於230℃、2.16 kgf下之熔體流動速率較佳為1 g/10 min~50 g/10 min，更佳為5 g/10 min~30 g/10 min，進而較佳為5 g/10 min~20 g/10 min。若非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物之熔體流動速率為上述範圍，則可藉由共擠出成形而無加工不良地形成厚度均勻之黏著劑層。熔體流動速率可利用依據JISK7210之方法而測定。

上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物亦可於不損害本發明之效果之範圍內進而包含來自其他單體之結構單元。作為其他單體，例如可列舉乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴等。

上述黏著劑層較佳為進而包含晶質聚丙烯系樹脂。藉由含有晶質聚丙烯系樹脂，可將黏著劑層於70℃下之彈性模數E'調整為所期望之值。晶質聚丙烯系樹脂之含有比率可根據所期望之彈性模數E'而設定為任意之適宜之比率。關於晶質聚丙烯系樹脂之含有比率，相對於上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物與該晶質聚丙烯系樹脂之總重量，較佳為0重量%~90重量%，更佳為5重量%~90重量%。

上述晶質聚丙烯系樹脂可為聚丙烯均聚物，亦可為藉由丙烯及可與丙烯共聚合之單體而獲得之共聚物。作為可與丙烯共聚合之單體，例如可列舉乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴等。於上述晶質聚丙烯系樹脂為藉由丙烯及可與丙烯共聚合之單體而獲得之共聚物之情形時，可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。

上述晶質聚丙烯系樹脂較佳為與上述非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物同樣地藉由使用茂金屬觸媒進行聚合而獲得。若使用以此種方式獲得之晶質聚丙烯系樹脂，則可防止由低分子量成分之滲出所導致的被黏附體之污染。

上述晶質聚丙烯系樹脂之結晶度較佳為10%以上，更佳為20%以上。關於結晶度，有代表性的是，藉由示差掃描熱量分析(DSC，Differential scanning caloric analysis)或X射線繞射而求出。

較佳為上述黏著劑層實質上不包含F^-、Cl^-、Br^-、NO₂ ^-、NO₃ ^-、SO₄ ^2-、Li⁺、Na⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、NH₄ ⁺。其原因在於，可防止該離子污染被黏附體。具備此種黏著劑層之黏著片例如於用於半導體晶圓 加工用途之情形時，不會產生電路之斷線或短路等。不包含上述離子之黏著劑層例如可藉由如上所述般使用茂金屬觸媒對該黏著劑層所包含之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物進行溶液聚合而獲得。於上述使用茂金屬觸媒之溶液聚合中，非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物可使用與聚合溶劑不同之不良溶劑反覆進行析出分離(再沈澱法)而純化，因此可獲得不包含上述離子之黏著劑層。再者，本說明書中，「實質上不包含F^-、Cl^-、Br^-、NO₂ ^-、NO₃ ^-、SO₄ ^2-、Li⁺、Na⁺、K⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、NH₄ ⁺」係指於標準之離子色譜分析(例如，使用DIONEX K.K.製造之商品名為「DX-320」、「DX-500」之離子色譜分析)中未達檢測極限。具體而言，係指相對於1 g黏著劑層，F^-、Cl^-、Br^-、NO₂ ^-、NO₃ ^-、SO₄ ^2-及K⁺分別為0.49 μg以下，Li⁺及Na⁺分別為0.20 μg以下，Mg²⁺及Ca²⁺分別為0.97 μg以下，NH₄ ⁺為0.5 μg以下之情況。

上述黏著劑層之儲存模數(G')較佳為0.5×106 Pa~1.0×10⁸ Pa，更佳為0.8×10⁶ Pa~3.0×10⁷ Pa。若上述黏著劑層之儲存模數(G')為上述範圍，則可獲得可兼顧對表面具有凹凸之被黏附體之充分之黏著力及適當之剝離性的黏著片。另外，於將具備此種儲存模數(G')之上述黏著劑層之黏著片用於半導體晶圓加工用途之情形時，可有助於實現晶圓之背面研磨中之優異之研磨精度。再者，本發明中之儲存模數(G')可藉由動態黏彈性光譜測定而測得。

上述黏著劑層亦可於不損害本發明效果之範圍內進而包含其他成分。作為其他成分，例如可列舉抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑、抗靜電劑等。其他成分之種類及用量可根據目的而適當地選擇。

C.基材層

上述基材層於70℃下之彈性模數E'為1 MPa以下。藉由基材層於70℃下之彈性模數E'為1 MPa以下，可獲得階差追隨性優異之黏著 片。基材層於70℃下之彈性模數E'較佳為0.01 MPa~1 MPa，更佳為0.1 MPa~1 MPa。就本發明之黏著片而言，藉由將黏著劑層之彈性值設為0.7 N/mm以下並且將基材層於70℃下之彈性模數E'設為1 MPa以下，可提高黏著片之階差追隨性。

上述基材層於23℃下之彈性模數E'較佳為5 MPa以上，更佳為5 MPa~50 MPa。若基材層於23℃下之彈性模數E'為上述範圍內，則即便於將黏著片貼附於被黏附體後放置之情形時，亦可維持黏著片貼附時之形狀。尤其是於上述黏著劑層於23℃下之彈性模數E'為3 MPa以上之情形時，可協同地發揮貼附黏著片時之形狀維持效果。進而，藉由基材層於23℃下之彈性模數為上述範圍，可提高剝離黏著片時之處理性。

上述基材層只要為於70℃下之彈性模數E'為1 MPa以下之層即可，可使用任意之適當樹脂。上述基材層較佳為乙烯系樹脂。作為上述乙烯系樹脂，例如可列舉乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(EMMA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)、低分子量聚乙烯(LDPE)等。

上述基材層亦可於不損害本發明效果之範圍內進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與可包含於上述B項中說明之黏著劑層中之其他成分相同之成分。

D.可賦予耐熱性之表面層

本發明之黏著片亦可進而具備可賦予耐熱性之表面層。可於上述基材層之與黏著劑層相反之一側具備該表面層。藉由具備該表面層，可保護基材層及黏著劑層使其免受晶圓加工時受到之熱之損害。該表面層較佳為包含聚丙烯系樹脂。

上述表面層之厚度可設定為任意之適當值。表面層之厚度較佳為5 μm~50 μm。

上述聚丙烯系樹脂較佳為藉由使用茂金屬觸媒之聚合而獲得。更詳細而言，聚丙烯系樹脂例如可藉由進行使用茂金屬觸媒使包含丙烯之單體組合物聚合之聚合步驟並於該聚合步驟後進行殘留觸媒去除步驟、異物去除步驟等後處理步驟而獲得。聚丙烯系樹脂係經由上述步驟而例如以粉末狀、顆粒狀等形狀獲得。作為茂金屬觸媒，例如可列舉上述例示之茂金屬觸媒。

上述聚丙烯系樹脂之熔點較佳為110℃~200℃，更佳為120℃~170℃，進而較佳為125℃~160℃。若為上述範圍，則可獲得耐熱性優異之黏著片。此種黏著片於接觸加熱之情形時尤其有用。例如，於使用黏著片作為半導體晶圓加工用黏著片之情形時，黏著片表面不易熔接於半導體製造裝置之加熱台上，可防止加工不良。進而，該實施形態之黏著片不僅耐熱性優異，而且如上所述般柔軟性亦優異。此種耐熱性及柔軟性之平衡性優異之黏著片例如作為半導體晶圓加工用黏著片而較為有用。更具體而言，作為於線內(in-line)進行自背面研磨步驟直至切割步驟結束之步驟之製造方式(所謂2 in 1製造方式)中所使用之半導體晶圓加工用黏著片而較為有用。於此種製造方式中，黏著片可連續供於背面研磨步驟及切割步驟。若使用本發明之黏著片作為2 in 1製造方式中之半導體晶圓加工用黏著片，則於附有黏著片之半導體晶圓之背面貼附切割膜(或切割附模組膠膜(Dicing Die Attach Film))時，即便黏著片與加熱台(例如100℃)接觸，亦可防止黏著片表面熔接於加熱台上，並且可防止由與該黏著片之接觸所導致的半導體晶圓之損傷。

上述聚丙烯系樹脂亦可於不損害本發明效果之範圍內進而包含來自其他單體之結構單元。作為其他單體，例如可列舉乙烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、4-甲基-1-戊烯、3-甲基-1-戊烯等α-烯烴。於包含來自其他單體之結構單元之情形時，可為嵌段共聚物，亦 可為無規共聚物。

上述聚丙烯系樹脂亦可使用市售品。作為市售品之聚丙烯系樹脂之具體例，可列舉Japan Polypropylene股份有限公司製造之商品名「WINTEC」、「WELNEX」系列等。

上述表面層亦可於不損害本發明效果之範圍內進而包含其他成分。作為該其他成分，例如可使用與可包含於上述B項中所說明之黏著劑層中之其他成分相同之成分。

E.黏著片之製造方法

本發明之黏著片可使用任意之適當之方法而製造。本發明之黏著片較佳為可藉由共擠出成形而形成。藉由共擠出成形形成黏著片，可以較少之步驟數且於不使用有機溶劑之情況下製造層間黏接性良好之黏著片。於上述共擠出成形中，上述黏著劑層及上述基材層之形成材料可使用利用任意之適當之方法將上述各層之成分混合而成之材料。

作為上述共擠出成形之具體方法，例如可列舉：對與模具連接之至少兩台擠出機中之一台供給黏著劑層形成材料、對另一台供給基材層形成材料，熔融後擠出，利用接觸輥成形法進行拉取而形成積層體之方法。於擠出時，各形成材料合流之部分係越接近模具出口(模唇)越好。其原因在於模具內部不易產生各形成材料之合流不良。因此，作為上述模具，可較佳地使用多歧管形式之模具。各形成材料之熔融中所使用之擠出機之螺桿類型可為單軸，亦可為雙軸。擠出機亦可為三台以上。於擠出機為三台以上之情形時，亦可進一步供給其他層(例如，可賦予耐熱性之表面層)之形成材料。

上述共擠出成形之成形溫度較佳為160℃~220℃，更佳為170℃~200℃。若為上述範圍，則成形穩定性優異。

上述黏著劑層形成材料與上述基材層形成材料於溫度180℃、剪 切速度100 sec^-1下之剪切黏度之差(黏著劑層形成材料-基材層形成材料)較佳為-150 Pa．s~600 Pa．s，更佳為-100 Pa．s~550 Pa．s，進而較佳為-50 Pa．s~500 Pa．s。若為上述範圍，則上述黏著劑層形成材料及基材層形成材料於模具內之流動性接近，可防止合流不良之產生。再者，剪切黏度可使用雙毛細管型拉伸黏度計進行測定。

實施例

以下，藉由實施例對本發明進行具體地說明，但本發明不受該等實施例之任何限制。另外，份係指重量份。

實施例1

作為黏著劑層形成材料，將利用茂金屬觸媒進行聚合而成之非晶質丙烯-(1-丁烯)共聚物(住友化學公司製造，商品名「TAFTHREN H5002」：來自丙烯之結構單元90莫耳%/來自1-丁烯之結構單元10莫耳%、Mw=230000、Mw/Mn=1.8)60份及利用茂金屬觸媒進行聚合而成之晶質聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene股份有限公司製造，商品名「WINTEC WFX4」)40份混合而使用。

作為基材層形成材料，使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井杜邦公司製造，商品名「EVAFLEX V523」)。

作為形成可賦予耐熱性之表面層之材料，使用利用茂金屬觸媒進行聚合而成之晶質聚丙烯系樹脂(Japan Polypropylene股份有限公司製造，商品名「WINTEC WSX02」)。

將上述黏著劑層形成材料100份、基材層形成材料100份及表面層形成材料100份投入各自之擠出機中，進行T型模熔融共擠出(擠出機：GM Engineering公司製造、商品名「GM30-28」/T型模：夾鉗式送料機構(feed block)方式，擠出溫度：180℃)而獲得黏著劑層厚度30 μm、基材層厚度70 μm、表面層厚度30 μm之黏著片。再者，各層之厚度係藉由T型模出口之形狀而控制。

實施例2~13

使用表1所記載之材料作為黏著劑層形成材料、基材層形成材料及表面層形成材料，並且以所獲得之黏著片之各層厚度成為表1所記載之厚度之方式進行共擠出成形，除此以外，以與實施例相同之方式獲得黏著片。

比較例1~3

使用表1所記載之材料作為黏著劑層形成材料、基材層形成材料及表面層形成材料，並且以獲得之黏著片之各層厚度成為表1所記載之厚度之方式進行共擠出成形，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著片。

評價

將實施例及比較例中所獲得之黏著片供於以下之評價。將結果示於表2。

(1)彈性模數(E')

對於形成實施例及比較例之黏著片之黏著劑層或基材層之材料，使用動態黏彈性測定裝置(TA Instrument製造，商品名：RSAIII)測定23℃及70℃下之彈性模數(E')。再者，形成可賦予耐熱性之表面層之材料(Japan Polypropylene股份有限公司製造，商品名「WINTEC WSX02」)於23℃下之彈性模數(E')為446.1 MPa，於70℃下之彈性模數(E')為118.8 MPa。

(2)階差追隨性試驗(隆起寬度)

將厚度6 μm之膠帶以與黏著片貼合方向相垂直之方式貼合於半導體晶圓上而製作試驗用之設置有階差之半導體晶圓。將實施例及比較例中所獲得之黏著片貼合於該試驗用之設置有階差之半導體晶圓上，測定隆起寬度。半導體晶圓與各黏著片之貼合係使用貼附膠帶之裝置(日東精機公司製造，商品名「DR-3000II」)，於壓力0.5 MPa、平台溫度70℃、速度10 mm/min之條件下進行。利用光學顯微鏡(250倍)對貼合之半導體晶圓及黏著片進行觀察並測定黏著片之隆起寬度(圖2之a)。

測定隆起寬度後，將半導體晶圓與黏著片之積層體於溫度23℃、濕度50%之條件下放置24小時。對於放置24小時後之積層體，同樣利用光學顯微鏡(250倍)進行觀察並測定隆起寬度。

若為隆起寬度為50 μm以下之黏著片，則階差追隨性優異。

關於黏著劑層之彈性值為0.7 N/mm以下且基材層於70℃下之彈性模數為1 MPa以下之實施例1~13之黏著片，隆起寬度較小，具有優異之階差追隨性(對切割線之追隨性)。因此，使用實施例1~13之黏著片作為背面研磨步驟時之半導體晶圓之保護片之情形時，可防止研磨水對切割線之浸入。另外，實施例1~13之黏著片即便於保存24小時後，亦未觀察到隆起寬度之變化。

另一方面，關於黏著劑層之彈性值超過0.7 N/mm及/或基材層於70℃下之彈性模數超過1 MPa之比較例1~3，隆起寬度均較大。因此，將該等黏著片用於半導體晶圓之背面研磨步驟之情形時，研磨水會浸入切割線，可產生半導體晶圓之裂紋。

[產業上之可利用性]

本發明之黏著片例如可較佳地用於半導體裝置製造時之工件(半導體晶圓等)之保護。

10‧‧‧黏著劑層

20‧‧‧基材層

100‧‧‧黏著片

Claims (7)

1. 一種黏著片，其係具備黏著劑層及基材層者，該黏著劑層於70℃下之彈性模數E'與厚度之積為0.7 N/mm以下，且該基材層於70℃下之彈性模數E'為1.0 MPa以下。
2. 如請求項1之黏著片，其中上述黏著劑層包含聚烯烴系樹脂。
3. 如請求項2之黏著片，其中上述聚烯烴系樹脂包含非晶質聚丙烯系樹脂。
4. 如請求項2或3之黏著片，其中上述聚烯烴系樹脂進而包含晶質聚丙烯系樹脂。
5. 如請求項1至3中任一項之黏著片，其中上述基材層包含聚乙烯系樹脂。
6. 如請求項4之黏著片，其中上述基材層包含聚乙烯系樹脂。
7. 如請求項1之黏著片，其係用於半導體晶圓加工。