[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SU1621817A3 - Мощный полевой транзистор с изолированным затвором - Google Patents

Мощный полевой транзистор с изолированным затвором Download PDF

Info

Publication number
SU1621817A3
SU1621817A3 SU792835965A SU2835965A SU1621817A3 SU 1621817 A3 SU1621817 A3 SU 1621817A3 SU 792835965 A SU792835965 A SU 792835965A SU 2835965 A SU2835965 A SU 2835965A SU 1621817 A3 SU1621817 A3 SU 1621817A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
source
sources
channel
region
polygonal
Prior art date
Application number
SU792835965A
Other languages
English (en)
Inventor
Лидов Александер
Герман Томас
Руменник Владимир
Original Assignee
Интернэшнл Ректифиер Корпорейшн (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26715426&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SU1621817(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Интернэшнл Ректифиер Корпорейшн (Фирма) filed Critical Интернэшнл Ректифиер Корпорейшн (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1621817A3 publication Critical patent/SU1621817A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1095—Body region, i.e. base region, of DMOS transistors or IGBTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate

Landscapes

  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

1
(21)2835965/25
(22)11.10.79
(31)951310; 38662
(32)13.10Л8; 01.05.79
(33)US
(46) 15.01.91. Бгап. 9 2
(71)Интернэшнл Ректифиер Корпорейшн (US)
(72)Александер Лндов, Томас Герман и Владимир Руменник (US)
(53)621.382(088.8)
(56)Патент США № 4115793, кл. Н 01 L 29/78, 1978.
Патент США Р 4072975, кл. Н 01 L 29/78, 1978.
(54)МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
(57)Изобретение относитс  к высокомощным полевым МОП-транзисторам, в частности к структуре полевого МОП- транзистора, котора  позвол ет использовать его в высокомощных устройствах с относительно высоким обратным
Изобретение относитс  к высокомощному устройству полевого МОП-транзистора , в частности к структуре дл  устройства полевого МОП-транзистора , котора  позвол ет использовать его в высокомощных устройствах с относительно высоким обратным напр жением и низким сопротивлением включенного состо ни .
напр жением и низким сопротивлением включенного состо ни . Целью изобретени   вл етс  повышение мощности полевого транзистора. В мощном ПОЛР- вом транзисторе с изолированным затвором , содержащем в вькокоомной пластине базовые области, в каждой из которых сформированы области истока противоположного им типа проводимости, затвор, сформированный между базовыми област ми, и область стока на противоположной стороне, область пластины между базовыми област ми выполнена с проводимостью не менее чем в 2 раза большей проводимости высокоомной пластины, что уменьшает сопротивление включенного состо ни  на единицу площади устройства более чем вдвое. Области истока имеют форму многоугольника , в частности форму шестиугольника , дл  получени  посто нного промежутка по основным длинам истоков, что обеспечивает высокую способность пропускани  больших токов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Целью изобретени   вл етс  повышение мощности полевого транзистора.
На фиг. 1 изображен чип полевого МДП-транэистора, вид в плане; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1.
Мощный полевой транзистор имеет два электрода 1 и 2 истока, которые , разделены металлизированным электро- цом 3 затвора, отнесенным от
(Л
о ю
СР
см
поверхности полупроводниковой пластины при помоги сло  4 диоксида кремни . Серпантинова  траектори  5, следующа  за диоксидом кремни  затво- ра, имеет длину 50 см и 667 неровностей , которые изображены на фиг.1. Может быть также использована друга  ширина каналов. Электроды 1 и 2 истока могут быть продлены в боковом направлении, чтобы служить в качестве палевых плат дл  облегчени  распространени  области обеднени , создаваемой во врем  приложени  обратного напр жени . Каждый из электродов 1 .. и 2 истока подает ток к общему электроду стока 6, который крепитс  на нижней части чипа 7. Кремниевый чип 7 формируетс  на nf-подложке 8, котора  может иметь толщину пор дка 14 милей (0,356 мм). Эпитаксиальный слой 9 наг носитс  на подложку 8,  вл етс  коомным п -типа проводимости и имеет толщину и удельное сопротивление в зависимости от требуемого обратного на- пр жени . Все переходы формируютс  на этом эпитаксиальном слое, который может иметь относительно высокое удельное сопротивление. В предлагаемом транзисторе эпитаксиальнын слой 9 име- ет толщину пор дка 35 мкм и удельное сопротивление пор дка 20 Ом/см. Предпочтительна выт нута  серпантинова  р -область под каждым из электродов 1 и 2 истока, котора  таким образом проходит вокруг серпантинового пути, показанного на фиг. 1. Эти р -облас- ти 10 и 11, показанные на фиг. 2, име . ют максимальную глубину, котора  сильно увеличиваетс  дл  того, чтобы об- разовать большой радиус кривизны. Это позвол ет устройству выдерживать более высокие обратные напр жени . Глубина областей 10 и 11 предпочтительно равна 4 мкм в месте обозначени  на фиг. 2 индексом X и 3 мкм в месте, .обозначенном индексом Y.
Использу  D-МОП технологию две
п -области 12 и 13 формируютс  под электродами 1 и 2 истока соответственно и в месте с р -област ми 10 и 11 определ ют области каналов п-типа - области 14 и 15 соответственно. Облас- ти 14 и 15 каналов располагаютс  под слоем 4 диоксида кремни  затвора 3 и могут быть инвертированы соответствующим прикладыванием сигнала сме «
5
щени  к затвору 3 дл  того, чтобы обеспечить проводимость от истока 1 и истока 2 через инверсионные слои в центральную область, расположенную под затвором 3 и затем к электроду стока 6. Области 14 и 15 каналов могут иметь каждый длину пор дка 1 мкм. Значительна  часть этой центральной области изготавливаетс  высокопровод щей и содержит п -область 16, расположенную непосредственно под слоем 4 диоксида кремни  затвора, при этом п -область имеет глубину пор дка 4 мкм (предел изменени  глубины - 3-6 мкм). В то врем , как ее точна  удельна  проводимость неизвестна н измен етс  по глубине, она  вл етс  высокой относительно п -области, расположенной под ней. В частности, область 16 имеет высокую удельную проводимость , котора  определ лась бы общей дозой введенных ионов пор дка 1x10 - 1x1 атомов фосфора на см2 при 50 кВ вслед за возбуждением диффузий при температурах от 1150°до 1250°С в течение 30 - 240 мин. Формиру  область 16 из относительно высокопровод щего п -материала посредством диффузии или другой операции значительно улучшаютс  характеристики устройства и пр мое сопротивление включенного состо ни  устройства снижаетс  вдвое.
Наличие области 16 высокой удельной проводимости не вли ет на характеристики обратного напр жени  устройства . Дела  область под слоем 4 оксида затвора и между област ми 14 и 15 каналов более высокопровод щей, значительно снижаетс  пр мое сопротивление включенного состо ни  высокомощного переключающего устройства.
Предполагаетс , что провод щие каналы области 14 и 15 изготавливаютс  из р -материала и инвертируютс  в проводимость n-типа дл  обеспечени  получени  канала проводимости на основ- ных носител х от истоков 1 и 2 в центральную область 16 при прикладывании соответствующего напр жени  затвора. Однако все эти типы проводимости могут быть изменены на обратные, следовательно , устройство будет работать в качестве устройства р-канала, а не устройства п-канала.
Два истока помещаютс  на одной и той же поверхности полупроводникового
516
чипа и раздел ютс  в поперечном направлении друг относительно друга. Электрод затвора, нанесенный на обычный затворный оксид, располагаетс  между истоками. Два канала проводимости р-типа располагаютс  по затворам и раздел ютс  друг относительно друга основной областью n-типа проводимости . Ток от каждого истока может протекать через его соответствующий канал (после создани  инверсионного сло , определ ющего канал). Таким образом, проводимость основного носител  может протекать через основную область через чип к электроду стока. Электрод стока может располагатьс  на противоположной стороне чипа или на области, отнесенной в боковом направлении от электродов истока. Така  конфигураци  изготавливаетс  с использованием необходимой технологии изготовлени  МОП-устройства типа D, котора  позвол ет точно производить выравнивание различных электродов и ка- налов и использовать крайне небольшие длины каналов.
Ланное устройство формируетс  в n-подложке, котора  имеет относительно высокое удельное сопротивление, ко торое необходимо дл  получени  требуемой способности обратного напр же- ни  устройства. Например, дл  четырехсотвольтного устройства n-область будет иметь удельное сопротивление по- р дка 20 Ом/см. Однако та же сама  необходима  характеристика удельного сопротивлени  обусловлена сравнительно высоким значением сопротивлени  включени  устройства полевого МОП- транзистора при era использовании в качестве мощного переключател .
В верхней части центральной основ-; ной области, к которой два инверсионных сло  подают ток к электроду сто- ка, из материала с относительно низким удельным сопротивлением может быт образована центральна  область сразу же под оксидом кремни  затвора, например , путем диффузии п+ в область это- го канала без отрицательного воздействи  на характеристики обратного напр жени  устройства.
Этот общий канал будет иметь верхнюю часть под оксидом кремни  затвора и еще ниже основную часть, проход щую в направлении электрода стока. Эта нижн   часть имеет высокое удельное сопротивление, необходимое дл  вы76
рабатывани  способности выдерживать высокое обратное напр жение, и глубину , завис щую от необходимого обратного напр жени  дл  данного устройства. Таким образом, дл  400 В-ного устройства нижн   п -область может иметь глубину пор дка 35 мкм, в то врем  как дл  90 В-ного устройства она имеет глубину пор дка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напр жени  устройства дл  обеспечени  получени  необходимой более толстой области истощени ., требуемой дл  предотвращени  пробо  во врем  состо ни  подачи обг ратного напр жени . Более верхнюю часть общего канала делают относительно высокспровод щей п4 -области до глубины пор дка от 3 до 6 мкм, Это не вли ет на способность устройства выдерживать обратные напр жени , однако уменьшает сопротивление вклю- ченного состо ни  на единицу площади устройства более чем вдвое.
Кажда  из индивидуально разнесенных областей истока  вл етс  много-, угольной по конфигурации, предпочтительно шестиугольной, дл  обеспечени  получени  посто нного промежутка по основным длинам истоков, расположен- ных на поверхности тела. Крайне большое число небольших шестиугольных элементов истока может быть образовано на одной и той же поверхности полупроводника дл  заданного устройства. Например, в чипе, имеющем размеры пор дка 100x140 мил может быть образовано 6600 шестиугольных областей истока дл  получени  ширины эффективного канала пор дка 22000 мил (558,8мм), таким образом, устройство получает очень высокую способность пропускани  больших токов.
Промежуток между соседними истоками может содержать структуру поли- силиконового затвора или структуру любого другого затвора, где структура затвора контактирует по поверхности устройства при помощи выт нутых контактных пальцев затвора, которые гарантируют получение хорошего контакта по всей поверхности устройства.
Кажда  из многоугольных областей истока г имеет контакт при помощи однородного провод щего сло , который взаимодействует с индивидуальными г многоугольными истоками через отверс ти  в изолирующем слое, покрывающем
области истока, причем эти отверсти  могут быть сформированы при помощи стандартной фотолитографической техники изготовлени  МОП-устройства типа D. Затем обеспечиваетс  получение области контакта подушки истока дл  проводника истока и области соединени  подушки затвора дл  выт нутых пальцев затвора. Область соединени  стока изготавливаетс  на обратной поверхности полупроводникового устройства .
Множество таких устройств может быть сформировано на одной единствен- ной полупроводниковой панели и отдельные элементы могут быть отделены друг от друга методом процарапывани  или любым другим подход щим способом
Область р-типа проводимости, кото- ра  определ ет канал под оксидом кремни  затвора, имеет относительно глубокую диффузионную часть под истоком. Таким образом, область диффузии р-типа будет иметь большой радиус кривизны в эпитаксиальном , формирующем тело устройства. Эта более глубока  диффузи  или более глубокий переход улучшает градиент напр жени  на кра х устройства и поз- вол ет использовать устройства с более высокшм обратными напр жени ми
0
5
0 0
5

Claims (3)

1.Мощный полевой транзистор с изолированным затвором, сформированный в полупроводниковой высокоомной пластине, содержащей на основной верхности по крайней мере одну пару сформированных на рассто нии одна от другой базовых областей первого типа проводимости, в каждой из которых выполнены высоколегированные области истока второго типа проводимости, затвор над основной поверхностью между базовыми област ми и область стока, включающую высоколегированный слой второго типа проводимости с электродом , сформированные на другой поверхности высокоомной полупроводниковой пластины, отличающийс  тем, что, с целью повышени  мощности, область пластины, ограниченна  базовыми област ми и основной поверхностью, выполнена с проводимостью, не менее чем в два раза большей проводимости высокоомной пластины и глубиной 3 6 мкм.
2.Транзистор по п. 1, отличающийс  тем, что области истока имеют форму многоугольника.
3.Транзистор по пп. 1 и 2, о т- личающийс  тем, что области истока имеют форму шестиугольника.
5 г
фиё-i
1
Л /1// t ХЧУЧУч
л(
Ј%% #ff%# l
| j р.- „« YVj 1 /|
у.: ,v, Я4 UT j .+
i x// ;v/74 1 /;
JLJ
//
Л
, А-А
1
1/
уК
C
Фиг. 2
SU792835965A 1978-10-13 1979-10-11 Мощный полевой транзистор с изолированным затвором SU1621817A3 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US95131078A 1978-10-13 1978-10-13
US3866279A 1979-05-14 1979-05-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1621817A3 true SU1621817A3 (ru) 1991-01-15

Family

ID=26715426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792835965A SU1621817A3 (ru) 1978-10-13 1979-10-11 Мощный полевой транзистор с изолированным затвором

Country Status (19)

Country Link
JP (2) JP2622378B2 (ru)
AR (1) AR219006A1 (ru)
BR (1) BR7906338A (ru)
CA (2) CA1123119A (ru)
CH (2) CH642485A5 (ru)
CS (1) CS222676B2 (ru)
DE (2) DE2940699C2 (ru)
DK (3) DK157272C (ru)
ES (1) ES484652A1 (ru)
FR (1) FR2438917A1 (ru)
GB (1) GB2033658B (ru)
HU (1) HU182506B (ru)
IL (1) IL58128A (ru)
IT (1) IT1193238B (ru)
MX (1) MX147137A (ru)
NL (1) NL175358C (ru)
PL (1) PL123961B1 (ru)
SE (2) SE443682B (ru)
SU (1) SU1621817A3 (ru)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4593302B1 (en) * 1980-08-18 1998-02-03 Int Rectifier Corp Process for manufacture of high power mosfet laterally distributed high carrier density beneath the gate oxide
DE3040775C2 (de) * 1980-10-29 1987-01-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Steuerbares MIS-Halbleiterbauelement
US4412242A (en) 1980-11-17 1983-10-25 International Rectifier Corporation Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions
GB2111745B (en) * 1981-12-07 1985-06-19 Philips Electronic Associated Insulated-gate field-effect transistors
CA1188821A (en) * 1982-09-03 1985-06-11 Patrick W. Clarke Power mosfet integrated circuit
US4532534A (en) * 1982-09-07 1985-07-30 Rca Corporation MOSFET with perimeter channel
DE3346286A1 (de) * 1982-12-21 1984-06-28 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. Hochleistungs-metalloxid-feldeffekttransistor- halbleiterbauteil
JPS59167066A (ja) * 1983-03-14 1984-09-20 Nissan Motor Co Ltd 縦形ｍｏｓｆｅｔ
JPS6010677A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Nissan Motor Co Ltd 縦型ｍｏｓトランジスタ
JPH0247874A (ja) * 1988-08-10 1990-02-16 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法
US5766966A (en) * 1996-02-09 1998-06-16 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
IT1247293B (it) * 1990-05-09 1994-12-12 Int Rectifier Corp Dispositivo transistore di potenza presentante una regione ultra-profonda, a maggior concentrazione
US5404040A (en) * 1990-12-21 1995-04-04 Siliconix Incorporated Structure and fabrication of power MOSFETs, including termination structures
US5304831A (en) * 1990-12-21 1994-04-19 Siliconix Incorporated Low on-resistance power MOS technology
IT1250233B (it) * 1991-11-29 1995-04-03 St Microelectronics Srl Procedimento per la fabbricazione di circuiti integrati in tecnologia mos.
DE59208987D1 (de) * 1992-08-10 1997-11-27 Siemens Ag Leistungs-MOSFET mit verbesserter Avalanche-Festigkeit
JPH06268227A (ja) * 1993-03-10 1994-09-22 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
US5798287A (en) * 1993-12-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno Method for forming a power MOS device chip
EP0660402B1 (en) * 1993-12-24 1998-11-04 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Power semiconductor device
DE69321965T2 (de) * 1993-12-24 1999-06-02 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania MOS-Leistungs-Chip-Typ und Packungszusammenbau
EP0665597A1 (en) * 1994-01-27 1995-08-02 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe IGBT and manufacturing process therefore
DE69429913T2 (de) * 1994-06-23 2002-10-31 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauteils in MOS-Technik
US5817546A (en) * 1994-06-23 1998-10-06 Stmicroelectronics S.R.L. Process of making a MOS-technology power device
EP0697728B1 (en) * 1994-08-02 1999-04-21 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device chip and package assembly
US5798554A (en) * 1995-02-24 1998-08-25 Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno MOS-technology power device integrated structure and manufacturing process thereof
EP0772242B1 (en) * 1995-10-30 2006-04-05 STMicroelectronics S.r.l. Single feature size MOS technology power device
DE69533134T2 (de) * 1995-10-30 2005-07-07 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Leistungsbauteil hoher Dichte in MOS-Technologie
US6228719B1 (en) 1995-11-06 2001-05-08 Stmicroelectronics S.R.L. MOS technology power device with low output resistance and low capacitance, and related manufacturing process
EP0782201B1 (en) * 1995-12-28 2000-08-30 STMicroelectronics S.r.l. MOS-technology power device integrated structure
DE69839439D1 (de) 1998-05-26 2008-06-19 St Microelectronics Srl MOS-Technologie-Leistungsanordnung mit hoher Integrationsdichte
EP1126527A4 (en) * 1999-04-09 2007-06-13 Shindengen Electric Mfg HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE
JP4122113B2 (ja) * 1999-06-24 2008-07-23 新電元工業株式会社 高破壊耐量電界効果型トランジスタ
US6344379B1 (en) 1999-10-22 2002-02-05 Semiconductor Components Industries Llc Semiconductor device with an undulating base region and method therefor
JP4845293B2 (ja) * 2000-08-30 2011-12-28 新電元工業株式会社 電界効果トランジスタ
JP2006295134A (ja) 2005-03-17 2006-10-26 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US9484451B2 (en) 2007-10-05 2016-11-01 Vishay-Siliconix MOSFET active area and edge termination area charge balance
US9431249B2 (en) 2011-12-01 2016-08-30 Vishay-Siliconix Edge termination for super junction MOSFET devices
US9614043B2 (en) 2012-02-09 2017-04-04 Vishay-Siliconix MOSFET termination trench
US9842911B2 (en) 2012-05-30 2017-12-12 Vishay-Siliconix Adaptive charge balanced edge termination
US9530844B2 (en) 2012-12-28 2016-12-27 Cree, Inc. Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same
US10115815B2 (en) * 2012-12-28 2018-10-30 Cree, Inc. Transistor structures having a deep recessed P+ junction and methods for making same
JP5907097B2 (ja) * 2013-03-18 2016-04-20 三菱電機株式会社 半導体装置
US9508596B2 (en) 2014-06-20 2016-11-29 Vishay-Siliconix Processes used in fabricating a metal-insulator-semiconductor field effect transistor
US9887259B2 (en) 2014-06-23 2018-02-06 Vishay-Siliconix Modulated super junction power MOSFET devices
US9882044B2 (en) 2014-08-19 2018-01-30 Vishay-Siliconix Edge termination for super-junction MOSFETs
US10615274B2 (en) 2017-12-21 2020-04-07 Cree, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness
US11489069B2 (en) 2017-12-21 2022-11-01 Wolfspeed, Inc. Vertical semiconductor device with improved ruggedness

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015278A (en) * 1974-11-26 1977-03-29 Fujitsu Ltd. Field effect semiconductor device
JPS52106688A (en) * 1976-03-05 1977-09-07 Nec Corp Field-effect transistor
JPS52132684A (en) * 1976-04-29 1977-11-07 Sony Corp Insulating gate type field effect transistor
US4055884A (en) * 1976-12-13 1977-11-01 International Business Machines Corporation Fabrication of power field effect transistors and the resulting structures
JPS5374385A (en) * 1976-12-15 1978-07-01 Hitachi Ltd Manufacture of field effect semiconductor device
US4148047A (en) * 1978-01-16 1979-04-03 Honeywell Inc. Semiconductor apparatus
JPH05185381A (ja) * 1992-01-10 1993-07-27 Yuum Kogyo:Kk 替刃式鋸用ハンドル

Also Published As

Publication number Publication date
PL218878A1 (ru) 1980-08-11
IT1193238B (it) 1988-06-15
HU182506B (en) 1984-01-30
DK512488A (da) 1988-09-15
SE8503615L (sv) 1985-07-26
SE8503615D0 (sv) 1985-07-26
SE443682B (sv) 1986-03-03
MX147137A (es) 1982-10-13
SE7908479L (sv) 1980-04-14
NL175358C (nl) 1984-10-16
CH642485A5 (de) 1984-04-13
DK157272B (da) 1989-11-27
JP2622378B2 (ja) 1997-06-18
NL175358B (nl) 1984-05-16
GB2033658A (en) 1980-05-21
IT7926435A0 (it) 1979-10-11
JPS6323365A (ja) 1988-01-30
IL58128A (en) 1981-12-31
SE465444B (sv) 1991-09-09
DK512388A (da) 1988-09-15
CA1136291A (en) 1982-11-23
JPH07169950A (ja) 1995-07-04
CH660649A5 (de) 1987-05-15
FR2438917A1 (fr) 1980-05-09
DK350679A (da) 1980-04-14
DK512488D0 (da) 1988-09-15
AR219006A1 (es) 1980-07-15
PL123961B1 (en) 1982-12-31
DK512388D0 (da) 1988-09-15
CS222676B2 (en) 1983-07-29
DE2940699A1 (de) 1980-04-24
FR2438917B1 (ru) 1984-09-07
CA1123119A (en) 1982-05-04
DE2954481C2 (de) 1990-12-06
DK157272C (da) 1990-04-30
DE2940699C2 (de) 1986-04-03
NL7907472A (nl) 1980-04-15
BR7906338A (pt) 1980-06-24
JP2643095B2 (ja) 1997-08-20
GB2033658B (en) 1983-03-02
ES484652A1 (es) 1980-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1621817A3 (ru) Мощный полевой транзистор с изолированным затвором
JP2968222B2 (ja) 半導体装置及びシリコンウエハの調製方法
US6051850A (en) Insulated gate bipolar junction transistors having built-in freewheeling diodes therein
US4705759A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US4376286A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US4959699A (en) High power MOSFET with low on-resistance and high breakdown voltage
US5008725A (en) Plural polygon source pattern for MOSFET
US5757033A (en) Bidirectional thyristor with MOS turn-off capability with a single gate
US4414560A (en) Floating guard region and process of manufacture for semiconductor reverse conducting switching device using spaced MOS transistors having a common drain region
US6111297A (en) MOS-technology power device integrated structure and manufacturing process thereof
US6051862A (en) MOS-technology power device integrated structure
US4639762A (en) MOSFET with reduced bipolar effects
US5886384A (en) Semiconductor component with linear current to voltage characteristics
US20050116284A1 (en) Semiconductor devices
US4574208A (en) Raised split gate EFET and circuitry
US4571606A (en) High density, high voltage power FET
US5381031A (en) Semiconductor device with reduced high voltage termination area and high breakdown voltage
EP0164867A2 (en) An integrated field controlled thyristor structure with grounded cathode
US5079607A (en) Mos type semiconductor device
GB2305777A (en) Base resistance controlled thyristor structure with high density layout for increased current capacity
CN100442537C (zh) 半导体器件的端子结构及其制造方法
KR19990006170A (ko) 수평 바이폴라형 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
EP0222326A2 (en) Method of fabricating an improved insulated gate semiconductor device
JPH0855860A (ja) 半導体装置
US5757036A (en) Semiconductor device with improved turn-off capability