[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SK50522006A3 - Zariadenie a spôsob na čistenie, leptanie, aktiváciu a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 - Google Patents

Zariadenie a spôsob na čistenie, leptanie, aktiváciu a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 Download PDF

Info

Publication number
SK50522006A3
SK50522006A3 SK5052-2006A SK50522006A SK50522006A3 SK 50522006 A3 SK50522006 A3 SK 50522006A3 SK 50522006 A SK50522006 A SK 50522006A SK 50522006 A3 SK50522006 A3 SK 50522006A3
Authority
SK
Slovakia
Prior art keywords
layer
glass
sio
coated
plasma
Prior art date
Application number
SK5052-2006A
Other languages
English (en)
Other versions
SK287455B6 (sk
Inventor
Mirko �Ern�K
Original Assignee
Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Ho
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Ho filed Critical Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Ho
Priority to SK5052-2006A priority Critical patent/SK287455B6/sk
Priority to PCT/SK2007/050013 priority patent/WO2007142612A1/en
Priority to EP07748765.0A priority patent/EP2033207B1/en
Priority to CN2007800211547A priority patent/CN101473404B/zh
Priority to US12/303,482 priority patent/US20090194507A1/en
Publication of SK50522006A3 publication Critical patent/SK50522006A3/sk
Publication of SK287455B6 publication Critical patent/SK287455B6/sk

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

Vynález sa týka zariadenia a spôsobu na rýchle a bezpečné čistenie, leptanie a aktiváciu povrchu skla, a povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou S1O2 účinkom difúznej elektrickej plazmy generovanej pri tlakoch blízkych atmosférickému pomocou koplanárnych povrchových barierových výbojov a následné povrchové úpravy takto očistených a povrchovo aktivovaných materiálov.
Doterajší stav techniky
Povrch skla a iných materiálov pokrytých vrstvou S1O2, ako napríklad kremíkových dosiek používaných v elektronickom priemysle pokrytých prirodzenou alebo umelo vytvorenou vrstvou S1O2, polymérnych fólií pokrytých barierovou vrstvou obsahujúcou S1O2, povrch plechov a iných kovových materiálov pokrytých ochrannou vrstvou na báze SiO2, povrch keramických materiálov pokrytých glazúrou na báze S1O2 a podobne, často nemá vhodné vlastnosti pre použitie a následné povrchové úpravy. Môže byt napríklad znečistený organickými nečistotami, ako sú napríklad oleje a molekuly uhľovodíkov absorbované z okolitej atmosféry, ako i biologickým materiálom, ako sú napríklad baktérie alebo vírusy. Môže byť pokrytý vrstvou fotorezistu alebo ochrannou polymérnou vrstvou napríklad pri výrobe plochých obrazoviek a displayov. Často je takéto znečistenie alebo pokrytie povrchu potrebné odstrániť pri použití takýchto materiálov, ako i pri ich následnom spracovaní a povrchových úpravách ako je napríklad lepenie, farbenie, pokovenie, laminácia a podobne.
Ako je opísané napríklad vW.R. Birch: “Coatings: An introduction to the cleaning procedures“ The Sol-Gel Gateway, June 2000, www.solgel.com, a v US patentovej prihláške 20010008229, na čistenie a povrchu skla a iných materiálov pokrytých SiO2 sa používajú mokré metódy s využitím organických rozpúšťadiel, ako napríklad izopropylalkohol, agresívne vodné roztoky kyselín a lúhov, horúca voda a čistenie ultrazvukom vo vodnom prostredí.
Z environmentálnych i technologických dôvodov je výhodné čistiť povrch skla a iných materiálov pokrytých SiO2 suchými metódami ako napríklad ohrevom obvykle na teplotu vyššiu než 300°C v čase dlhšom než 30 min, pôsobením ozónu i v kombinácií s ultrafialových žiarením, ako je opísané napríklad v US prihláške patentu 20050076934, účinkom laserového žiarenia ako je opísané napríklad v D. R. Halfpenny kol.: Applied Physics A: Materials Science & Processing71(2000) 147 151 a elektrickou plazmou ako je opísané napríklad v US Patente 5,028,453, v S. Tada a kol.: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 6553-6556, A. Nakahira a kol.: Science and Engineering of Composite Materials 8(1999)129-136, E. Kondoh a kol.: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 18(2000)1276-1280, M. Syed a kol.: Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41(2002)263-269., KB Lím a D-Ch. Lee. Surface and Interface Analysis 36(2004)254-258, O. Sneh a kol.: J. Phys. Chem. 99(1995)4639-4647, B.J. Larson a kol.: Biosensors and Bioelectronics 21 (2005) 796-801, R. Winter a kol.: Surface and Coatings Technology 93(1997), 134-141(8) US prihláške patentu 20040265505.
Ako je uvedené v Cleaning and Degreasing Process Changes, United States Environmental Protection Agency, EPAI625/R-93/017, February 1994, princíp plazmového čistenia je rovnaký, ako princíp plazmového leptania. Pod čistením, podobne ako je uvedené napríklad v C.H. Yi, Y.H. Lee, G.Y. Yeom:“ The study of atmospheric pressure plasma for surface cleaning“ Surface and Coatings Technology 171 (2003) 237-240 budeme preto rozumieť i odstránenie organických nečistôt a vrstiev polymérnych materiálov, včítane napríklad vrstvy fotorezistu.
Pri väčšine aplikácií, predovšetkým pri následnom naviazaní molekúl iných materiálov na povrch skla a SiO2 pokrytých materiálov je okrem očistenia a leptania povrchu potrebné uskutočniť i jeho aktiváciu, čím sa rozumie, ako je opísané napríklad v US prihláške patentu 20050000248, hydroxylácia povrchu, čiže zmena inertných siloxanových povrchových skupín na reaktívne hydratované silanolové SiOH povrchové skupiny, čím sa i významne zvýši povrchová energia materiálu. Ako je uvedené v A.V. Ghorokovki a kol.: Journal of Adhesion Sci. and Technol. 14 (2000) 1657-1664 podobná aktivácia povrchu, čiže zvýšene koncentrácie polárnych skupín na povrchu a zvýšenie povrchovej energie, je výhodná i pre spevnené sklo a termálne sklo, ktorého povrch je čiastočne alebo úplne pokrytý oxidmi kovov. Ako je uvedené v Chung-Kyung Jung a kol.: Surface & Coating Technology 200 (2005) 1320 použitie plazmy je výhodné i na povrchové čistenie a aktiváciu skla pokrytého vrstvou TÍO2.
Z tohoto hľadiska je, na rozdiel napríklad s čistením pomocou ohrevu skla alebo laserom, aplikácia plazmy veľmi výhodná, keďže pri vhodne zvolených podmienkach možno súčasne dosiahnuť očistenie i aktiváciu povrchu. V súhlase s definíciou uvedenou v H. Hermann: Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 - www.gpd.fi, pp.1-3, budeme preto všetky vyššie opísané účinky plazmy nazývať plazmovým opracovaním alebo opracovaním plazmou.
Nevýhodou väčšiny známych zariadení na plazmové opracovanie skla, skla pokrytého kysličníkmi kovov i S1O2 pokrytých materiálov je však, že sa v nich plazma generuje pri tlakoch nižších než 1 kPa, čím sa zvyšujú náklady, požiadavky na kvalifikovaný obsluhujúci personál, nie je možné opracovať materiály kontinuálnym spôsobom a je nákladné opracovať materiály s veľkými rozmermi. Čistenie, leptanie a aktivácia plazmou pri nízkych tlakoch sú tiež pomalé, keďže vyžadujú expozičné doby niekoľko minút.
Na odstránenie tých nedostatkov boli vyvinuté zariadenia použiteľné na plazmovú úpravu skla a S1O2 pokrytých materiálov plazmou generovanou za atmosférického tlaku. Väčšina z nich, ako je opísané napríklad v T. Yamamoto a kol.: Plasma Chemistry and Plasma Processing 24(2004)1-12 a Ch. Wang a X. He: “ Preparation of hydrophobic coating on glass surface by dielectric barrier discharge using a 16 kHz power supply“ Applied Surface Science (2006) ako i zariadenie SPOX-C vyrábané OTB Obeerflaechentechnik, Nemecko a zariadenie AT 2000 vyrábané ITM Inc., Južná Kórea, využíva na generáciu plazmy objemový barierový výboj, niekedy tiež nazývaný korónou, alebo tichým výbojom, kedy sa opracovávaný materiál vkladá medzi dve elektródy, na ktoré sa privádza striedavé elektrické napätie, takže pri tomto riešení prúdočiary striedavým napätím generovaného posuvného prúdu prechádzajú opracovávaným materiálom. Plazma môže byť generovaná pri atmosférickom tlaku prakticky v ľubovolnom plyne, včítane vzduchu a kyslíka. Nevýhodou tohoto riešenia je, že charakteristiky výboja a takto generovanej plazmy závisia od hrúbky opracovávaného materiálu, takže nie možné opracovávať materiály o ľubovolnej hrúbke. Ďalšou nevýhodou tohoto riešenia je, že objemový výkon takto generovanej plazmy je nízky, takže na čistenie, leptanie, alebo povrchov aktivácia sú potrebné expozičné časy desiatky sekúnd až minúty. Ďalšou nevýhodou tohoto spôsobu je, že so zvyšovaním výkonu privádzaného do plazmy narastá jej filamentácia a teplota plynu, takže dochádza k nerovnomernému opracovaniu a zdrsneniu povrchu skla, spevneného skla a SiO2 pokrytých materiálov.
Na odstránenie nehomogénneho opracovania povrchu skla a SiO2 pokrytých materiálov plazmou, ako i zvýšenie výkonu, ktorý možno priviesť do plazmy a tým skrátiť čas opracovania, boli navrhnuté zariadenia generujúce difúznu plazmu bez nežiadúcich plazmových filamentov i za atmosférického tlaku. Takéto zaradenia, ktoré využívajú typ výboja nazývaný tlecí výboj za atmosférického tlaku (Atmospheric Pressure Glow Discharge) a ich použitie na čistenie a aktiváciu skla a SiO2 pokrytých materiálov sú opísané napríklad v C.H. Yi a kol.: Surface and Coatings Technology 171 (2003) 237-240, v B. Das: J. Adhes. Sci. Technol. 10(1996)1371-1382 a v US patentovej prihláške 20050045103. Tento princíp sa využíva i v zariadení Atomflo™ vyrábanom firmou Surfx Technologies, APIS-F™ vyrábaným firmou Radiiontech. Podobný princíp nazývaný plasma-jet a jeho využitie pri povrchových úpravách skla je opísaný v H. Hermann /‘Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 -www.gpd.fi, str. 1-3.
Ako je uvedené v posledne uvedenej publikácií, spoločnou nevýhodou týchto zariadení je, že na zabránenie filamentácie plazmy a ohrevu pracovného plynu, čiže na generáciu difúznej neizotermickej plazmy bez filamentov využívajú pracovný plyn s obsahom hélia. Hélium má stabilizujúci účinok, čím umožňuje generovať difúznu neizotermickú plazmu, je však drahé a jeho použitie významne zvyšuje plazmového opracovania povrchu skla a SiO2 pokrytých materiálov. Ďalšou nevýhodou týchto zariadení je, že na stabilizáciu plazmy a zabránenie prehriatia plynu je potrebné generovať plazmu v prúdiacom pracovnom plyne, čo zvyšuje spotrebu pracovného plynu a tým i cenu opracovania plazmou. Ďalšou nevýhodou týchto zariadení je, že plazma je generovaná vo vzdialenosti väčšej než 1 mm od povrchu opracovaného skla. Táto skutočnosť, ako i prípadné prúdenie pracovného plynu má za následok že podstatná časť aktívnych častíc rekombinuje, alebo inak zanikne v objeme plazmy pred kontaktom s opracovaným povrchom, takže len malý podiel aktívnych častíc generovaných v plazme dopadne na povrch skla, čo vedie k nízkej energetickej účinnosti takýchto zariadení. Ďalšou nevýhodou väčšiny týchto zariadení, ako napríklad zariadení opísaných v US patentovej prihláške 20050045103 je, že plazma je v kontakte s povrchom kovovej elektródy, čo má za následok eróziu a oxidáciu kovovej elektródy a z toho vyplývajúcu obmedzenú životnosť zariadenia. Ďalšou nevýhodou takýchto zariadení, mimo zariadenia opísaného v H. Hermann :“Atmospheric Pressure Plasma Jet for Glass Processing“ GLASS PROCESSING DAYS 2005 - www.gpd.fi , str. 1-3 a ako je diskutované napríklad vA.P. Napatovich: Plasmas and Polymér 6 (2001)1-14, je že energetická hustota plazmy je len rádu 1 až 10 W/cm3, čo má za následok dlhé doby expozície rádu desiatok sekúnd pri čistení a aktivácií povrchu skla. Ďalšou nevýhodou takto generovanej plazmy je, že obvykle nie je bezpečná pri náhodnom kontakte s povrchov ľudského tela.
Podstata vynálezu
Nedostatky vyššie uvedeného spôsobov a zariadení sú odstránené zariadením podľa vynálezu, kde sa povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2 pôsobí tenkou, s výhodou tenšou než 1 mm a hrubšou než 0,05 mm, difúznou vrstvou silne neizotermickej elektrickej plazmy generovanou na časti povrchu dielektrického materiálu, s výhodou keramického materiálu, alebo skla s výhodou nad povrchom vodivých elektród uložených v tomto dielektrickom materiáli. Plazmou opracovaný povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2 sa nachádza v blízkosti, s výhodou vo vzdialenosti väčšej než 0,05 mm a menšej než 1 mm, od povrchu dielektrického materiálu na ktorom sa generuje tenká vrstva plazmy.
Plazma sa generuje v ľubovolnou pracovnom plyne, s výhodou v pracovnom plyne neobsahujúcom hélium a obsahujúcom molekuly N2, O2, H2O, CO2 alebo halogénuhľovodíkov. Zariadenie podľa vynálezu môže pracovať v širokom rozsahu tlakov pracovného plynu rádové od 1 kPa do 1000 kPa, s výhodou pri atmosférickom tlaku a pri rýchlosti prúdenia plynu menšej než 10 m/s.
Difúzna plazma sa generuje na povrchu dielektrického materiálu oddeľujúceho elektricky vodivé elektródy zariadenia umiestnené v objeme tohoto dielektrika, v tenkej vrstve s výhodou v oblasti nad vodivými elektródami, pričom vodivé elektródy nie sú v kontakte s plazmou. Medzi elektródy sa privádza striedavé alebo periodické elektrické napätie o frekvencii 50 Hz až 1 GHz o amplitúde 100 V až 100 kV. Minimálna vzdialenosť elektród na ktoré sa privádza striedavé napätie je menšia než 2 mm a väčšia než 0,05 mm.
Elektródy sú usporiadané tak, že významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25% veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu pretekajúceho medzi elektródami oddelenými vrstvou dielektrického materiálu, ktoré sú napájané striedavým elektrickým napätím, neprechádza cez plazmu ani cez plazmou opracovávaný povrch materiálu.
Prekvapujúco bolo zistené, že spôsobom podľa vynálezu je nad povrchom vodivých elektród, uložených opísaným spôsobom v dielektrickom materiáli, možné generovať difúznu plazmu s vysokým objemovým výkonom až rádu 100 W/cm3 vhodnú na rýchle čistenie a aktiváciu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2 i pri dobách opracovania rádu 0.1 s až 1 s. Výhodou riešenia podľa vynálezu je, že takúto difúznu plazmu je možné generovať i bez prúdenia pracovného plynu a použitia pracovného plynu obsahujúceho hélium. Prekvapujúco bolo zistené že homogenita takto generovanej plazmy, na rozdiel od všetkých známych plazmových zariadení doteraz testovaných k vyššie uvedenému účelu, narastá s rastúcim elektrickým výkonom privádzaným do plazmy.
Ďalším prekvapujúcim poznatkom je, že difúznosť a homogenita plazmy je vyššia ak sa vo vzdialenosti 0,05 mm až 1 mm, s výhodou pri 0,2 až 0,3 mm, od povrchu dielektrického materiálu na ktorom sa generuje plazmy nachádza povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého SiO2. Ďalším prekvapujúcim poznatkom je, že takto generovaná plazma je bezpečná pri kontakte s povrchom ľudského tela. Ďalším prekvapujúcim zistením je, že takto generovaná plazma pri dobách opracovania menších než 10 s nespôsobuje zdrsnenie povrchu o drsnosti väčšej než 10 nm
Prehľad obrázkov na výkresoch
Príklady elektródových systémov podľa vynálezu sú schematicky znázornené na priložených obrázkoch. Na obrázkoch sú zobrazené len elektródové systémy rovinného tvaru. Obr. 1 predstavuje v reze elektródový systém ako súčasť zariadenia slúžiaceho na plazmové opracovanie povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2 bez pomocnej elektródy. Opracovávaný materiál sa nachádza vo vzdialenosti maximálne 1 mm od elektródového systému.
Obr.2 zobrazuje súčasť zariadenia slúžiaceho na plazmové opracovanie povrchu skla, a povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a iných materiálov pokrytých vrstvou SiO2s pomocnou elektródou.
Príklady uskutočnenia vynálezu
Príklad 1
Zariadenie a metóda podľa vynálezu boli použité na povrchovú aktiváciu skla za účelom zlepšenia adhézie polymérnej vrstvy nanesenej na povrch skla extrúznym spôsobom. Na povrch 10 mm hrubého bezalkalického bórosilikátového skla upraveného spôsobom podľa vynálezu pôsobením plazmy generovanej v laboratórnom vzduchu v trvaní 0,5 s pri výkone 10 W/cm2 pri bola extrúznym spôsobom pri teplote 120°C nanesená 2 mm hrubá vrstva elastického tesniaceho materiálu Dow Corning® Instant Glaze. Adhézia tohoto materiálu k povrchu skla stanovená spôsobom podľa ASTM C-794 bola 16 kN/m. Pre porovnanie bola rovnakým spôsobom nanesená rovnaká vrstva Dow Corning® Instant Glaze na povrch skla očisteného štandardným spôsobom izopropylakoholom. V tomto prípade bola zmeraná hodnota adhéznej pevnosti 8,5 kN/m.
Priklad 2
Zariadene a metóda podľa vynálezu boli použité na aktiváciu povrchu okrajov tabuľového skla za účelom následného pokrytia takto aktivovaného povrchu spevňujúcou vrstvou epoxidovej živice. Cieľom bolo zlepšiť pevnosť skla úpravou jeho okrajov.
Z tabuľového skla o hrúbke 10 mm boli narezané pásy o dĺžke 400 mm a šírke 40 mm. Hrany boli v smere kolmom na povrch skla zabrúsené diamantovým brusným nástrojom o priemere 175 mm, veľkosti zŕn 70 mikrónov a otáčkach 3000 ot/min. Okrajová časť skla bola očistená izopropylakoholom.
Pevnosť skla na ohyb bola meraná 3 bodovou metódou s opísanou F.A.Veer a J . Zuidema: „The Strength of Glass, Effect of Edge Quality“ Glass Processing Days 2003, 106-109. Stredná pevnosť skla so zabrúsenými okrajmi bola 54 MPa. Keď bola na okrajovú časť zabrúseného a očisteného skla nanesená vrstva epoxidovej živice o hrúbke 0,25 mm, stredná pevnosť skla bola zvýšená na 98 MPa. Po aktivácii okrajov zbrúseného a očisteného skla v trvaní 2 s na každej z troch okrajových rovín a následným pokrytím vrstvou epoxidovej živice bola dosiahnutá stredná pevnosť
132 MPa.
Príklad 3
Doska z monokryštalického kremíka s prirodzenou vrstvou SiO2 bola očistená izopropylalkoholom. Na povrch takto očistenej dosky bol vo forme aerosólu nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode. V dôsledku nízkej povrchovej energie takto očisteného povrchu roztok nepokryl povrch rovnomerne, ale vytvoril na povrchu kvapky. Pri ďalšom pokuse bol na povrch dosky rovnakým spôsobom nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode s prídavkom surfaktantu, pričom sa na povrchu vytvorila len nesúvislá vrstva roztoku s otvormi. Keď bol na povrch dosky bez predchádzajúceho očistenia izopropylalkoholom opracovaný spôsobom podľa vynálezu v plazme kyslíka za atmosférického tlaku v trvaní 3 s pri výkone 5 W/cm2, vo forme aerosólu nanesený 3 % roztok H3PO4 v destilovanej vode vytvoril na povrchu súvislú vrstvu bez použitia surfaktantu.
Príklad 4
Magnetrónovým naprašovaním bola na povrchu skla pripravená 150 nm hrubá vrstva zmesi kysličníkov india a cínu (ITO). Povrch skla s vrstvou ITO bol očistený deionizovanou vodou s prídavkom detergentu a následne i acetónom. Takto očistený povrch skla pokrytého vrstvou ITO bol v čase 3 s opracovaný spôsobom podľa vynálezu v plazme CO2 za atmosférického tlaku pri výkone 5 W/cm2. Takto plazmou opracovaný povrch skla pokrytého TiO2 bol s výhodou použitý na výrobu svetlo emitujúcej organickej vrstvy spôsobom opísaným v C. C. Wu a kol.: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3117.
Príklad 5
Vrstva SiO2 o hrúbke 3.106 m bola pripravená na povrchu Si(100) kombináciou termickej oxidácie a CVD depozície zo zmesi plynov SiH4 a O2. Takto pripravená vrstva bola následne očistená v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pôsobením plazmy generovanej v zmesi O2 s nasýtenými parami H2O pri atmosférickom tlaku, výkone 5 W/cm2 a v trvaní 30 s. Takto opracovaný materiál bol zahriaty na teplotu 900 °C, čím bola na povrchu Si(100) vytvorená kvalitná vrstva čistého sklovitého SiO2.
Príklad 6
Kremíková doska o priemere 4 inch pokrytá prirodzenou vrstvou SiO2 o hrúbke 0,6 nm, s povrchovou energiou stanovenou meraním kontaktného uhla o hodnote 52 mN/m bola opracovaná metódou podľa vynálezu. Cieľom opracovania bolo zvýšiť povrchovú energiu, čiže hydrofilnosť, a aktivovať povrch kremíkovej dosky, čiže zvýšiť koncentráciu povrchových OH skupín, a tým zlepšiť vlastnosti jej povrchu pri priamom lepení kremíkových dosiek bez použitia adhezivnej vrstvy.
Doska bola opracovaná za atmosférického tlaku v plazme O2 v trvaní 3 s pri vzdialenosti od povrchu elektródového elementu 0,4 mm. Po opracovaní bola povrchová energia zvýšená na 61 mN/m. Opracovanie dosky štandardnou mokrou metódou RCA-1 malo za následok zvýšenie povrchovej energie len na 55 mN/m. Následne boli dve dosky skontaktované opracovanými stranami a priamo, čiže bez použitia odhezívneho materiálu, lepené 3 hod. v laboratórnom vzduchu v čistom priestore pri teplote 220°C a zaťažení silou 50 N. Energia väzby stanovená štandardnou metódou „crack opening“ opísanou napr. v W.P. Maszara a kol.: J. Appl. Phys. 64 (1988) 4943 bola 1,4 J/m2 pre dosku opracovanú plazme O2 a 0,65 J/m2 pre dosku aktivovanú mokrou metódou RCA-1.
Príklad 7
Dve dosky z monokryštalického kremíka s prirodzenou vrstvou SiO2 o hrúbke 0.6 nm boli a) leptané v trvaní 10 min. v 10% roztoku HF v deionizovanej vode a b) opracované spôsobom podľa vynálezu v plazme H2 v trvaní 10 s. Po oboch typoch opracovania boli dosky 10 minút oplachované deionizovanou vodou a následne osušené prúdom dusíka. Pri oboch spôsoboch opracovania bola odstránená prirodzená vrstva SiO2 a povrch dosiek sa stal hydrofóbnym s kontaktným uhlom približne 70 °. Takto opracované dosky boli ihneď po opracovaní privedené do mechanického kontaktu a týmto spojené. Pevnosť spojenia dosiek opracovaných podľa spôsobu b) bola približne dvakrát vyššia než pri ich povrchovej úprave spôsobom a).
Príklad 8
Za účelom pokrytia skla súvislou hydrofilnou vrstvou TiO2 hrubšou než 100 nm bola pripravená zmes etanolu a kyseliny octovej do ktorej bol pridaný titan-tetraizopropoxid a roztok sa nechal odstáť v čase 3 hod. Povrch skla bol očistený a aktivovaný pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu v laboratórnom vzduchu v trvaní 0,5 s pri výkone 10 W/cm2 . Na takto plazmou upravený povrch bol vo forme aerosólu nanesený vyššie opísaný roztok bez prídavku surfaktantu. Následne bola vzorka termicky upravená pri teplote 400°C v trvaní 1 hod. Takto pripravená vrstva TiO2 o hrúbke 50 nm však nemala požadované vlastnosti a nebola dobre zmáčatelná vyššie uvedeným roztokom v dôsledku zbytkových alkoxylových skupín. Na zlepšenie vlastností takto TiO2 pokrytého skla bolo T1O2 pokryté sklo očistené a aktivované pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku v trvaní 3 s pri výkone 10 W/cm2. Na takto plazmou upravený povrch skla bolo možné opakovaním vyššie uvedeného postupu naniesť ďalšie vrstvy TiO2 s dobrými mechanickými vlastnosťami a bez trhlín.
Príklad 9
Na povrchu skla bola magnetrónovým naprašovaním pripravená vrstva TiO2 na o hrúbke 300 nm. Po expozícií takto pripraveného skla pokrytého vrstvou TiO2 bol kontaktný uhol kvapky vody na povrchu 66°. Následne bol tento materiál aktivovaný pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku v trvaní 2 s pri výkone 10 W/cm2. Hodnota kontaktného uhla sa týmto zmenšila na približne 10°, čím povrch získal žiadúcu hydrofilnosť a lepšie katalytické vlastnosti.
Príklad 10
Kremíková doska o priemere 4 inch s prirodzenou vrstvou Si02 o hrúbke 0,6 nm, bola pokrytá metódou spin coating pri otáčkach 4000/min. v trvaní 30 s vrstvou fotorezistu AZ1512. Následne bola takto pripravená vrstva tepelne spracovaná pri teplote 120°C v trvaní 30 min. Takto pripravená vrstva fotorezistu bola následne leptaná pôsobením plazmy generovanej v zariadení a spôsobom podľa vynálezu pri atmosférickom tlaku v kyslíku pri výkone 20 W/cm2, pričom bola dosiahnutá rýchlosť leptania 220 nm/min.

Claims (13)

1. Zariadenie na čistenie, leptanie a aktiváciu povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov alebo vrstvou organického materiálu, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúce sa tým, že obsahuje elektródový systém (1) pozostávajúci zo sústav elektricky vodivých elektród (2) a (3) uložených vo vnútri telesa z dielektrického materiálu (4) v minimálnej vzájomnej vzdialenosti elektród (2) a (3) menšej než 2 mm a väčšej než 0,05 mm, nachádzajúcich sa na tej istej strane povrchu skla, skla pokrytého vrstvou kysličníkov kovov alebo vrstvou organického materiálu, alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2 , alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu (5), pričom sa na elektródy (2) a (3) privádza periodické elektrické napätie, pričom vrstva difúznej elektrickej plazmy (6) je generovaná na časti povrchu dielektrického telesa (4) s výhodou nad povrchom elektricky vodivých elektród (2) a (3), pričom významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25% veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu pretekajúceho medzi elektródami (2) a (3) neprechádza plazmou (6) ani povrchom opracovaného materiálu (5), ktorý je v kontakte s plazmou (6), pričom vzdialenosť časti povrchu dielektrického telesa (4) na ktorom je generovaná plazma od opracovávaného povrchu (5) je menšia než 1 mm a pričom vrstva plazmy (6) nie je v kontakte s elektricky vodivými elektródami (2) a (3).
2. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že frekvencia napätia privádzaného medzi sústavy vodivých elektród (2) a (3) je v intervale 50 Hz až 1 MHz.
3. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že amplitúda napätia privádzaného medzi sústavy vodivých elektród (2) a (3) je v intervale 0,5 kV až 100 kV.
4. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že obsahuje ďalšiu pomocnú sústavu elektród (7), uloženú vo vnútri telesa z dielektrického materiálu (4), ktorá je časťou elektródového systému (1) a ktorá je na elektrickom potenciáli odlišnom od iných elektród (2) a (3).
5. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že povrch dielektrického telesa (4) na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6) sa nachádza v pracovnom plyne o tlaku 1 kPa až 500 kPa.
6. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že povrch dielektrického telesa (4) na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6) má tvar roviny, konkávne zakrivenej roviny, alebo konvexné zakrivenej roviny.
7. Zariadenie podľa nároku 1. vyznačujúce sa tým, že povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého vrstvou SiO2 (5), sa pohybuje vzhľadom na povrch dielektrického telesa (4) na ktorom sa generuje vrstva plazmy (6) v minimálnej vzdialenosti menšej než 1 mm.
8. Spôsob na čistenie, leptanie a aktiváciu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa na povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 , alebo materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu pôsobí elektrickou plazmou generovanou pomocou sústav elektricky vodivých elektród uložených vo vnútri telesa z dielektrického materiálu a nachádzajúcich sa na tej istej strane skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, a materiálov pokrytých vrstvou SiO2, pričom významná časť Maxwellowho posuvného prúdu, ktorá je väčšia než 25% veľkosti celkového Maxwellowho posuvného prúdu tečúceho medzi elektródami neprechádza plazmou a ani povrchom opracovaného materiálu, na ktorý sa pôsobí plazmou, pričom je vrstva elektrickej plazmy generovaná na časti povrchu tohoto dielektrického telesa bez kontaktu s elektricky vodivými elektródami, pri minimálnej vzdialenosti časti povrchu dielektrického telesa na ktorom je generovaná plazma od povrchu skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, alebo materiálu pokrytého vrstvou S1O2 menšej než 1 mm.
9. Spôsob na povrchovú úpravu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou S1O2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa na povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne nanesie vodu obsahujúci roztok, vodu obsahujúca suspenzia, alebo vodu obsahujúca emulzia iného materiálu vo forme aerosólu, elektricky nabitého aerosólu, peny, potlačou, alebo náterom.
10.Spôsob na povrchovú úpravu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou S1O2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne pôsobí plynným prostredím obsahujúcim pary monoméru.
11. Spôsob na povrchovú úpravu povrchu skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou S1O2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa na povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne nanesie vrstva polymérneho materiálu extrúziou, lamináciou, potlačou, náterom, sprayovaním, alebo elektrostaticky vo forme prášku.
12. Spôsob na povrchovú úpravu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou S1O2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8 následne privedie do kontaktu s povrchom ďalšieho materiálu upraveného spôsobom podľa nároku 8.
13. Spôsob na povrchovú úpravu povrch skla, skla pokrytého vrstvu kysličníkov kovov, materiálov pokrytých vrstvou SiO2 a materiálov pokrytých vrstvou SiO2 na ktorej sa nachádza vrstva organického materiálu vyznačujúci sa tým, že sa povrch materiálu upraveného spôsobom podfa nároku 8 následne privedie do kontaktu s povrchom iného pevného materiálu.
SK5052-2006A 2006-06-08 2006-06-08 Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2 SK287455B6 (sk)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SK5052-2006A SK287455B6 (sk) 2006-06-08 2006-06-08 Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2
PCT/SK2007/050013 WO2007142612A1 (en) 2006-06-08 2007-06-07 Apparatus and method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other sio2-coated materials
EP07748765.0A EP2033207B1 (en) 2006-06-08 2007-06-07 Method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other sio2-coated materials
CN2007800211547A CN101473404B (zh) 2006-06-08 2007-06-07 对玻璃表面，涂有金属氧化物的玻璃表面，和其他SiO2涂覆材料的表面进行清洗、蚀刻、活化和后续处理的装置和方法
US12/303,482 US20090194507A1 (en) 2006-06-08 2007-06-07 Apparatus and method for cleaning, etching, activation and subsequent treatment of glass surfaces, glass surfaces coated by metal oxides, and surfaces of other si02-coated materials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SK5052-2006A SK287455B6 (sk) 2006-06-08 2006-06-08 Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SK50522006A3 true SK50522006A3 (sk) 2008-02-05
SK287455B6 SK287455B6 (sk) 2010-10-07

Family

ID=38519777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SK5052-2006A SK287455B6 (sk) 2006-06-08 2006-06-08 Zariadenie a spôsob čistenia, leptania, aktivácie a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20090194507A1 (sk)
EP (1) EP2033207B1 (sk)
CN (1) CN101473404B (sk)
SK (1) SK287455B6 (sk)
WO (1) WO2007142612A1 (sk)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SK51082006A3 (sk) * 2006-12-05 2008-07-07 Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzitfakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Hoy Komensk�Ho Zariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloZariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovkovov a nitridov metaloidovkovov a nitridov metaloidov
TW201109285A (en) * 2009-09-10 2011-03-16 Applied Vacuum Coating Technologies Co Ltd Method of strengthening glass plate
JP2012033689A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 半導体装置の製造方法
US10161934B2 (en) 2011-08-26 2018-12-25 Aviana Molecular Technologies, Llc Biocoated piezoelectric biosensor platform for point-of-care diagnostic use
GB201202307D0 (en) * 2012-02-10 2012-03-28 Univ Bangor Low temperture sintering of dye-sensitised solar cells using metal peroxide
CN103500804B (zh) * 2013-08-28 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法、发光显示器件
US10703653B2 (en) * 2016-02-17 2020-07-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Liquid treatment device utilizing plasma
TWI620228B (zh) 2016-12-29 2018-04-01 財團法人工業技術研究院 電漿處理裝置與電漿處理方法
EP3585136A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-25 Masarykova Univerzita A method and device for generating low-temperature electrical water-based plasma at near-atmospheric pressures and its use
EP3831792A4 (en) * 2018-08-02 2022-05-11 BYD Company Limited GLASS COMPOSITE, HOUSING, DISPLAY DEVICE AND TERMINAL DEVICE
CN112758887B (zh) * 2021-01-05 2024-09-13 墨光新能科技(苏州)有限公司 一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法
CN117510097A (zh) * 2023-12-29 2024-02-06 核工业西南物理研究院 一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US265505A (en) * 1882-10-03 Eaphael josia
US8229A (en) * 1851-07-15 Improvement in
US45103A (en) * 1864-11-15 Morris wells
US248A (en) * 1837-06-30 Lamps and lamp-torches
US161433A (en) * 1875-03-30 Improvement in coal-hods
US145174A (en) * 1873-12-02 Improvement in drawing-board trestles
US76394A (en) * 1868-04-07 brock
GB8909685D0 (en) * 1989-04-27 1989-06-14 British Petroleum Co Plc Method for reducing fouling
US5792517A (en) * 1996-04-25 1998-08-11 Japan Vilene Company Process for treating the outer-inner surfaces of a porous non-conductor
US6441553B1 (en) 1999-02-01 2002-08-27 Sigma Technologies International, Inc. Electrode for glow-discharge atmospheric-pressure plasma treatment
EP1073091A3 (en) * 1999-07-27 2004-10-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus
SK6292001A3 (en) * 2001-05-04 2002-11-06 Mirko Cernak Method and device for the treatment of textile materials
FR2836157B1 (fr) * 2002-02-19 2004-04-09 Usinor Procede de nettoyage de la surface d'un materiau enduit d'une susbstance organique, generateur et dispositif de mise en oeuvre
FR2836158B1 (fr) * 2002-02-19 2005-01-07 Usinor Procede de nettoyage par plasma de la surface d'un materiau enduit d'une substance organique, et installation de mise en oeuvre
WO2005062338A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Fuji Photo Film B. V. Method of and arrangement for removing contaminants from a substrate surface using an atmospheric pressure glow plasma
EP1548795A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-29 Fuji Photo Film B.V. Method and apparatus for stabilizing a glow discharge plasma under atmospheric conditions

Also Published As

Publication number Publication date
EP2033207B1 (en) 2017-11-01
CN101473404B (zh) 2012-06-20
CN101473404A (zh) 2009-07-01
WO2007142612A1 (en) 2007-12-13
US20090194507A1 (en) 2009-08-06
WO2007142612B1 (en) 2008-01-31
SK287455B6 (sk) 2010-10-07
EP2033207A1 (en) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SK50522006A3 (sk) Zariadenie a spôsob na čistenie, leptanie, aktiváciu a následné úpravy povrchu skla, povrchu skla pokrytého kysličníkmi kovov a povrchu iných materiálov pokrytých SiO2
JP4571217B2 (ja) 耐食性部材およびその製造方法
AU695099B2 (en) Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
US20100015358A1 (en) Apparatus and method for surface finishing of metals and metalloids, metal oxides and metalloid oxides, and metal nitrides and metalloid nitrides
EP2200829B1 (en) Ambient plasma treament of printer components
EP2024108B1 (en) Cleaning of electrostatic chucks using ultrasonic agitation and applied electric fields
EP1913996A1 (en) Surface modified member, surface treating method and surface treating system
US20130084457A1 (en) Method for fixation onto layer comprising amorphous carbon film, and laminate
EP2665091A2 (en) Equipment for substrate surface treatment
JP5798747B2 (ja) 積層体の製造方法
JP2002509852A (ja) ガラス表面の水蒸気プラズマ処理
JP4728306B2 (ja) 静電チャック部材およびその製造方法
JP2018202308A (ja) シランカップリング剤処理方法、シランカップリング剤処理基材の製造方法および積層体の製造方法
WO2010058648A1 (ja) マイクロプラズマを用いた表面改質処理方法及び接合方法
WO2004028220A1 (en) Method and apparatus for generating and maintaining a plasma
JP2006236747A (ja) 透明電極及び透明電極の製造方法
JP6953823B2 (ja) 液体塗布装置、および液体塗布方法。
Okubo Hydrophobic Treatments for Plastic, Glass, and Metal Surfaces and Their Applications
Medvecka et al. Possibility of Wafer Direct Bonding Using Low-temperature Atmospheric Pressure Plasma
GB2458256A (en) Surface activation and direct bonding of semiconductor wafers
JP2021169210A (ja) 積層体及びその製造方法
JP2003303697A (ja) 放電プラズマ処理方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of maintenance fees

Effective date: 20230608