RU2774636C1 - Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 SOLID SOLUTIONS OF N- AND P-TYPES OF CONDUCTIVITY WITH INCREASED MECHANICAL STRENGTH - Google Patents
Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 SOLID SOLUTIONS OF N- AND P-TYPES OF CONDUCTIVITY WITH INCREASED MECHANICAL STRENGTH Download PDFInfo
- Publication number
- RU2774636C1 RU2774636C1 RU2021131291A RU2021131291A RU2774636C1 RU 2774636 C1 RU2774636 C1 RU 2774636C1 RU 2021131291 A RU2021131291 A RU 2021131291A RU 2021131291 A RU2021131291 A RU 2021131291A RU 2774636 C1 RU2774636 C1 RU 2774636C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dopant
- thermoelectric material
- thermoelectric
- germanium
- solid solution
- Prior art date
Links
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 229910002899 Bi2Te3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- AZFMNKUWQAGOBM-UHFFFAOYSA-N Bismuth(III) telluride Chemical compound [Te-2].[Te-2].[Te-2].[Bi+3].[Bi+3] AZFMNKUWQAGOBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 3
- 210000001847 Jaw Anatomy 0.000 description 2
- 230000000996 additive Effects 0.000 description 2
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- ZSIZJCNPPZMOQY-UHFFFAOYSA-N Antimony triselenide Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[SbH3+3].[SbH3+3] ZSIZJCNPPZMOQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY
Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии, в частности к термоэлектрическому материалу в виде твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 n- и р-типов проводимости, содержащих легирующие добавки.The invention relates to the field of thermoelectric energy conversion, in particular to a thermoelectric material in the form of solid solutions of Bi 2 Te 3 -Sb 2 Te 3 -Sb 2 Se 3 -Bi 2 Se 3 n- and p-types of conductivity containing alloying additives.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND OF THE INVENTION
Основными материалами, применяемыми в термоэлектричестве для прямого преобразования энергии (в холодильниках и генераторных модулях), являются полупроводниковые материалы на основе твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 {1}, прототип.The main materials used in thermoelectricity for direct energy conversion (in refrigerators and generator modules) are semiconductor materials based on solid solutions of Bi 2 Te 3 -Sb 2 Te 3 -Sb 2 Se 3 -Bi 2 Se 3 {1}, prototype.
Недостатком указанного полупроводникового материала является невысокая механическая прочность материала.The disadvantage of this semiconductor material is the low mechanical strength of the material.
Поскольку термоэлементы из этих материалов работают в условиях значительных перепадов температур от 30°С до 130°С, а значит термомеханических напряжений, поэтому важной характеристикой термоэлектрических материалов является их механическая прочность. Основным направлением улучшения механических свойств сейчас является переход от крупнокристаллических материалов, полученных плавлением, к поликристаллам, получаемых методами порошковой металлургии {2}.Since thermoelements made of these materials operate under conditions of significant temperature differences from 30°C to 130°C, and hence thermomechanical stresses, therefore, an important characteristic of thermoelectric materials is their mechanical strength. The main direction of improving the mechanical properties now is the transition from coarse-grained materials obtained by melting to polycrystals obtained by powder metallurgy {2}.
Легирование {3} является одним из методов изменения электрофизических и механических свойств материалов. Оно заключается в замещении атомов в кристаллической решетке основного материала атомами легирующего элемента. Это ведет к искажению кристаллической решетки, поскольку радиусы ионов легирующих элементов отличаются от радиусов атомов основного материала, что может повышать твердость и прочность основного материала с сохранением его пластичности. Зачастую легирование проводят, вводя несколько элементов одновременно. В полупроводниках легирование используют в основном для настройки оптимальной, сточки зрения получения нужного физического эффекта, концентрации носителей тока, что не исключает изменения механических свойств полупроводника.Alloying {3} is one of the methods for changing the electrical and mechanical properties of materials. It consists in replacing atoms in the crystal lattice of the base material with atoms of the alloying element. This leads to a distortion of the crystal lattice, since the radii of the ions of the alloying elements differ from the radii of the atoms of the base material, which can increase the hardness and strength of the base material while maintaining its ductility. Doping is often carried out by introducing several elements at the same time. In semiconductors, doping is mainly used to adjust the optimal concentration of current carriers from the point of view of obtaining the desired physical effect, which does not exclude changes in the mechanical properties of the semiconductor.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯDISCLOSURE OF THE INVENTION
Задачей заявленного изобретения является разработка термоэлектрических материалов, обладающими высокими механическим характеристиками.The objective of the claimed invention is the development of thermoelectric materials with high mechanical characteristics.
Техническим результатом изобретения является повышение физико-механической прочности термоэлектрических материалов n- и р-типов.The technical result of the invention is to increase the physical and mechanical strength of n- and p-type thermoelectric materials.
Указанный технический результат достигается за счет того, что термоэлектрический материал, являющейся полупроводниковым материалом n-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b, где а=86-94, b=5,9-14, содержит легирующие добавки, выбранные из группы:, хлор, бром, йод, германий.The specified technical result is achieved due to the fact that the thermoelectric material, which is an n-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi 2 Te 3 ) a -(Bi 2 Se 3 ) b , where a=86-94, b=5.9 -14, contains alloying additives selected from the group: chlorine, bromine, iodine, germanium.
Указанный технический результат достигается за счет того, что термоэлектрический материал, являющейся полупроводниковым материалом n-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b.(Sb2Se3)c, где а=86-94, b=5,9-14, с=0,1-1; содержит легирующие добавки, выбранные из группы: хлор, бром, йод, германий.This technical result is achieved due to the fact that the thermoelectric material, which is an n-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b.(Sb2Se3)c, where a=86-94, b=5.9- 14, s=0.1-1; contains alloying additives selected from the group: chlorine, bromine, iodine, germanium.
Количественное содержание легирующей добавки хлора, брома или йода составляет 0,01-0,19 мас %.The quantitative content of the dopant chlorine, bromine or iodine is 0.01-0.19 wt%.
Количественное содержание легирующей добавки германия составляет 0,01-0,12 мас.%.The quantitative content of the dopant germanium is 0.01-0.12 wt.%.
Указанный технический результат достигается также за счет того, что термоэлектрический материал, являющейся полупроводниковым материалом р-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)a-(Sb2Te3)b, где а=15-30, b=60-85, содержит легирующие добавки, выбранные из группы германий, свинец.The specified technical result is also achieved due to the fact that the thermoelectric material, which is a p-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b , where a=15-30, b=60- 85 contains alloying additives selected from the group of germanium, lead.
Указанный технический результат достигается за счет того, что термоэлектрический материал, являющейся полупроводниковым материалом р-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)a-(Sb2Te3)b-(Sb2Se3)c, где а=15-30, b=60-85, с=0,5-10 содержит легирующие добавки, выбранные из группы германий, свинец.This technical result is achieved due to the fact that the thermoelectric material, which is a p-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b -(Sb 2 Se 3 ) c , where a=15 -30, b=60-85, c=0.5-10 contains alloying additives selected from the group of germanium, lead.
Количественное содержание легирующей добавки свинца составляет 0-0,1 мас.%.The quantitative content of the dopant lead is 0-0.1 wt.%.
Количественное содержание легирующей добавки германия составляет 0,01-0,12 мас.%.The quantitative content of the dopant germanium is 0.01-0.12 wt.%.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Изобретение будет более понятным из описания, не имеющего ограничительного характера и приводимого со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:The invention will be better understood from the description, which is not restrictive and given with reference to the accompanying drawings, which show:
Фиг. 1 - Зависимость коэффициента мощности (α2σ) термоэлектрического материала в виде твердого раствора р-типа (Sb2Te3)66,5⋅(Sb2Se3)5⋅(Bi2Te3)28,5 от концентрации легирующей добавки: 1 - Pb; 2 - Ge.Fig. 1 - Dependence of the power factor (α 2 σ) of thermoelectric material in the form of p-type solid solution (Sb 2 Te 3 ) 66.5 ⋅ (Sb 2 Se 3 ) 5 ⋅ (Bi 2 Te 3 ) 28.5 on the dopant concentration : 1 - Pb; 2 - Ge.
Фиг. 2 - Зависимость термоэлектрической эффективности (Z) термоэлектрического материала в виде твердого раствора р-типа (Sb2Te3)66,5⋅(Sb2Se3)5⋅(Bi2Te3)28,5 от концентрации легирующей добавки: 1 - Pb; 2 - Ge.Fig. 2 - Dependence of thermoelectric figure of merit (Z) of thermoelectric material in the form of p-type solid solution (Sb 2 Te 3 ) 66.5 ⋅(Sb 2 Se 3 ) 5 ⋅(Bi 2 Te 3 ) 28.5 on dopant concentration: 1 -Pb; 2 - Ge.
Фиг. 3 - Влияние добавок на прочность (Р) термоэлектрического материала в виде твердого раствора р-типа (Sb2Te3)66,5⋅(Sb2Se3)5⋅(Bi2Te3)28,5.Fig. 3 - Influence of additives on the strength (Р) of thermoelectric material in the form of p-type solid solution (Sb 2 Te 3 ) 66.5 ⋅(Sb 2 Se 3 ) 5 ⋅(Bi 2 Te 3 ) 28.5 .
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯIMPLEMENTATION OF THE INVENTION
Для улучшения механических свойств твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 в термоэлектрический материал, являющейся полупроводниковым материалом n-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b или твердого раствора (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b-(Sb2Se3)c, где а=86-94, b=5,9-14, с=0-1,0. добавляют легирующую добавку германия в количестве 0,01-0,12 мас.% от содержания указанного термоэлектрического материала и легирующую добавку хлора, брома или йода в количестве 0,01-0,14 мас %.To improve the mechanical properties of Bi 2 Te 3 -Sb 2 Te 3 -Sb 2 Se 3 -Bi 2 Se 3 solid solutions into a thermoelectric material, which is an n-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi 2 Te 3 ) a - (Bi 2 Se 3 ) b or solid solution (Bi 2 Te 3 ) a -(Bi 2 Se 3 ) b -(Sb 2 Se 3 ) c , where a=86-94, b=5.9-14, c=0- 1.0. a germanium dopant is added in an amount of 0.01-0.12 wt.% of the content of the specified thermoelectric material and a chlorine, bromine or iodine dopant in an amount of 0.01-0.14 wt.%.
Для получения заявленных термоэлектрических материалов n-типа в виде твердых растворов (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b, где а=86-94, b=5,9-14 или (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b·(Sb2Se3)c, где а=86-94, b=5,9-14, с=0-1,0 и сохранения эффекта упрочнения материала за счет мелкозернистого поликристаллического состояния, совместно синтезируется термоэлектрический материал с легирующей добавкой хлора, брома или йода, а также металлическим германием. Синтезированный материал в виде слитков загружают в щековую дробилку, где происходит дробление слитков до размеров частиц 2 мм, затем дробленная смесь указанных материалов загружается в ударно-вихревую мельницу, где происходит измельчение до размеров частиц 0,005-0,75 мм. Полученный порошок брикетировали с последующим получением заявленного материала с помощью горячей экструзии. В результате получили плотные термоэлектрические материалы в виде твердых растворов (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b, где а=86-94, b=5,9-14 с легирующей добавкой германия в количестве 0,01-0,12 мас.% и с легирующей добавкой хлора, брома или йода в количестве 0,01-0,19 мас %, а также (Bi2Te3)a-(Bi2Se3)b·(Sb2Se3)c, где а=86-94, b=5,9-14, с=0-1,0 с легирующей добавкой германия в количестве 0,01-0,12 мас.% и с легирующей добавкой хлора, брома или йода в количестве 0,01-0,14 мас %, Кристаллиты твердых растворов в полученных материалах составляли 5-10 мкм.To obtain the claimed n-type thermoelectric materials in the form of solid solutions (Bi 2 Te 3 ) a -(Bi 2 Se 3 )b, where a=86-94, b=5.9-14 or (Bi 2 Te 3 ) a -(Bi 2 Se 3 ) b (Sb 2 Se 3 ) c , where a=86-94, b=5.9-14, c=0-1.0 and maintaining the effect of strengthening the material due to the fine-grained polycrystalline state, a thermoelectric material is jointly synthesized with a dopant of chlorine, bromine or iodine, as well as metallic germanium. The synthesized material in the form of ingots is loaded into a jaw crusher, where the ingots are crushed to a particle size of 2 mm, then the crushed mixture of these materials is loaded into a shock-vortex mill, where it is crushed to a particle size of 0.005-0.75 mm. The resulting powder was briquetted, followed by obtaining the claimed material using hot extrusion. As a result, dense thermoelectric materials were obtained in the form of solid solutions (Bi 2 Te 3 ) a -(Bi 2 Se 3 ) b , where a=86-94, b=5.9-14 with a dopant of germanium in the amount of 0.01- 0.12 wt.% and with a dopant of chlorine, bromine or iodine in the amount of 0.01-0.19 wt%, as well as (Bi 2 Te 3 ) a - (Bi 2 Se 3 ) b (Sb 2 Se 3 ) c , where a=86-94, b=5.9-14, c=0-1.0 with germanium doping in the amount of 0.01-0.12 wt.% and with chlorine, bromine or iodine doping in the amount of 0.01-0.14 wt %, Crystallites of solid solutions in the obtained materials were 5-10 microns.
Для улучшения механических свойств твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 в термоэлектрический материал, являющийся полупроводниковым материалом р-типа в виде твердого раствора (Bi2Te3)а-(Sb2Te3)b или твердого раствора (Bi2Te3)а-(Sb2Te3)b-(Sb2Se3)c, где а=15-30, b=60-85, с=0-10 добавляют легирующую добавку германия в количестве 0,01-0,12 мас.% от содержания указанного термоэлектрического материала и легирующую добавку свинца в количестве 0-0,1 мас %.To improve the mechanical properties of Bi 2 Te 3 -Sb 2 Te 3 -Sb 2 Se 3 -Bi 2 Se 3 solid solutions into a thermoelectric material, which is a p-type semiconductor material in the form of a solid solution (Bi 2 Te 3 ) a - (Sb 2 Te 3 ) b or solid solution (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b -(Sb 2 Se 3 ) c , where a=15-30, b=60-85, c=0-10 add germanium alloying additive in the amount of 0.01-0.12 wt.% of the content of the specified thermoelectric material and lead alloying additive in the amount of 0-0.1 wt.%.
Для получения заявленных термоэлектрических материалов р-типа в виде твердых растворов (Bi2Te3)a-(Sb2Te3)b или (Bi2Te3)a-(Sb2Te3)b-(Sb2Se3)c, где а=15-30, b=60-85 с=0-10, сохранения эффекта упрочнения материала за счет мелкозернистого поликристаллического состояния, совместно синтезируется термоэлектрический материал, металлический германий, металлический свинец или только металлический германий, в необходимых количествах. Синтезированный материал в виде слитков загружают в щековую дробилку, где происходит дробление слитков до размеров частиц 2 мм, затем дробленная смесь указанных материалов загружается в ударно-вихревую мельницу, где происходит измельчение указанных материалов до размеров частиц 0,005-0,55 мм. Полученный порошок брикетировали с последующим получением заявленного материала с помощью горячей экструзии. В результате получили плотный термоэлектрический материал в виде твердых растворов (Bi2Te3)а-(Sb2Te3)b, где а=15-30, b=60-85, и (Bi2Te3)a-(Sb2Te3)b-(Sb2Se3)c, где а=15-40, b=60-85 с=0-10, с легирующей добавкой германия в количестве 0,01-0,12 мас.% и с легирующей добавкой свинца в количестве 0-0,1 мас.%. Кристаллиты твердых растворов в полученных материалах составляли 5-10 мкм.To obtain the claimed p-type thermoelectric materials in the form of solid solutions (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b or (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b -(Sb 2 Se 3 ) c , where a=15-30, b=60-85 c=0-10, maintaining the effect of strengthening the material due to the fine-grained polycrystalline state, thermoelectric material, metallic germanium, metallic lead or only metallic germanium, in the required quantities, is jointly synthesized. The synthesized material in the form of ingots is loaded into a jaw crusher, where the ingots are crushed to a particle size of 2 mm, then the crushed mixture of these materials is loaded into a shock-vortex mill, where these materials are crushed to a particle size of 0.005-0.55 mm. The resulting powder was briquetted, followed by obtaining the claimed material using hot extrusion. As a result, a dense thermoelectric material was obtained in the form of solid solutions (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b , where a=15-30, b=60-85, and (Bi 2 Te 3 ) a -(Sb 2 Te 3 ) b -(Sb 2 Se 3 )c, where a=15-40, b=60-85 c=0-10, with a dopant of germanium in the amount of 0.01-0.12 wt.% and c dopant lead in the amount of 0-0.1 wt.%. Crystallites of solid solutions in the obtained materials were 5–10 μm.
Физико-механические свойства термоэлектрического материала, содержащего полупроводниковый материал р-типа в виде твердого раствора (Sb2Te3)66,5⋅(Sb2Se3)5⋅(Bi2Te3)28,5 представлены на фиг. 1-3. В таблице 1 и 2 представлены физико-механические свойства заявленного термоэлектрического материала в зависимости от содержания каждого твердого раствора в материале и количества легирующей добавки.The physical and mechanical properties of a thermoelectric material containing a p-type semiconductor material in the form of a solid solution (Sb 2 Te 3 ) 66.5 ⋅ (Sb 2 Se 3 ) 5 ⋅ (Bi 2 Te 3 ) 28.5 are shown in Fig. 1-3. Tables 1 and 2 present the physical and mechanical properties of the claimed thermoelectric material depending on the content of each solid solution in the material and the amount of dopant.
Изобретение было раскрыто выше со ссылкой на конкретный вариант его осуществления. Для специалистов могут быть очевидны и иные варианты осуществления изобретения, не меняющие его сущности, как оно раскрыто в настоящем описании. Соответственно, изобретение следует считать ограниченным по объему только нижеследующей формулой изобретения.The invention has been described above with reference to a specific embodiment. For specialists, other embodiments of the invention may be obvious, without changing its essence, as it is disclosed in the present description. Accordingly, the invention is to be considered limited in scope by the following claims only.
Список литература:References:
1 - Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. «Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3», Издательство «Наука», 1972.1 - Goltsman B.M., Kudinov V.A., Smirnov I.A. "Semiconductor thermoelectric materials based on Bi2Te3", Nauka Publishing House, 1972.
2 - Gupta R., Sharp J. «lnfluence of grain size on the flexible strength of (Bi, Sb)2Te3 and Bi2(TeSb)3 alloys». 36th International Conference on Thermoelectrics. 2017, Pasadena, USA.2 - Gupta R., Sharp J. "Influence of grain size on the flexible strength of (Bi, Sb)2Te3 and Bi2(TeSb)3 alloys". 36th International Conference on Thermoelectrics. 2017, Pasadena, USA.
3 - Гуляев А.П. «Металловедение», изд-во «Металлургия», 1986.3 - Gulyaev A.P. "Metallurgy", publishing house "Metallurgy", 1986.
Claims (8)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2774636C1 true RU2774636C1 (en) | 2022-06-21 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7723607B2 (en) * | 2004-04-14 | 2010-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High performance thermoelectric materials and their method of preparation |
| RU2457583C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-07-27 | Сименс Акциенгезелльшафт | Thermoelectric nanocomposite, method of making nanocomposite and use of nanocomposite |
| RU2470414C1 (en) * | 2011-06-28 | 2012-12-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | METHOD OF PRODUCING p-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL BASED ON SOLID SOLUTIONS OF Bi2Te3-Sb2Te3 |
| US9620697B2 (en) * | 2012-02-24 | 2017-04-11 | Kyushu Institute Of Technology | Thermoelectric conversion material |
| WO2017082558A1 (en) * | 2015-11-09 | 2017-05-18 | Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation | Thermoelectric material, thermoelectric module and thermoelectric device including the same |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7723607B2 (en) * | 2004-04-14 | 2010-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High performance thermoelectric materials and their method of preparation |
| RU2457583C2 (en) * | 2008-02-29 | 2012-07-27 | Сименс Акциенгезелльшафт | Thermoelectric nanocomposite, method of making nanocomposite and use of nanocomposite |
| RU2470414C1 (en) * | 2011-06-28 | 2012-12-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | METHOD OF PRODUCING p-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL BASED ON SOLID SOLUTIONS OF Bi2Te3-Sb2Te3 |
| US9620697B2 (en) * | 2012-02-24 | 2017-04-11 | Kyushu Institute Of Technology | Thermoelectric conversion material |
| WO2017082558A1 (en) * | 2015-11-09 | 2017-05-18 | Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation | Thermoelectric material, thermoelectric module and thermoelectric device including the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mao et al. | Thermoelectric properties of n-type ZrNiPb-based half-Heuslers | |
| Jian et al. | Significant band engineering effect of YbTe for high performance thermoelectric PbTe | |
| JP2009277735A (en) | Method of manufacturing thermoelectric material | |
| CN102887488B (en) | Cu-Ga-Sb-Te quaternary thermoelectric semiconductor with chalcopyrite structure, and preparation process for Cu-Ga-Sb-Te quaternary thermoelectric semiconductor | |
| Wolańska et al. | Enhanced thermoelectric power factor of half-Heusler solid solution Sc1-xTmxNiSb prepared by high-pressure high-temperature sintering method | |
| KR20130127317A (en) | Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same | |
| CN101082114A (en) | Middle-low temperature pseudo-binary electrothermal alloy and preparation process | |
| CN109671840B (en) | Antimony tellurium selenium matrix alloy construction method for thermoelectric material and antimony tellurium selenium matrix thermoelectric material | |
| Jung et al. | Synthesis and thermoelectric properties of n-Type Mg 2 Si | |
| US3090207A (en) | Thermoelectric behavior of bismuthantimony thermoelements | |
| Chauhan et al. | Facile fabrication of p-and n-type half-Heusler alloys with enhanced thermoelectric performance and low specific contact resistance employing spark plasma sintering | |
| CN103864026B (en) | Cu-In-Zn-Te quaternary p-type thermoelectric semiconductor and preparation technology thereof | |
| CN100375792C (en) | Bi-Te base thermoelectric material and process for preparing the same | |
| RU2774636C1 (en) | Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3-Bi2Se3 SOLID SOLUTIONS OF N- AND P-TYPES OF CONDUCTIVITY WITH INCREASED MECHANICAL STRENGTH | |
| CN107010609B (en) | A kind of p-type Cu4Ga6Te11Base medium temperature thermoelectric semiconductor | |
| Prokofieva et al. | Optimum composition of a Bi 2 Te 3− x Se x alloy for the n-type leg of a thermoelectric generator | |
| Isoda et al. | Effects of Al/Sb double doping on the thermoelectric properties of Mg 2 Si 0.75 Sn 0.25 | |
| CN104843654A (en) | P-type Ga-Cd-S-Te quaternary compound medium-temperature thermoelectric alloy and preparation process thereof | |
| CN101752496B (en) | External electric field-type thermoelectric generation thermopile battery and refrigeration device thereof | |
| Ivanova et al. | Extruded thermoelectric materials based on Bi 2 Te 3-Bi 2 Se 3 solid solutions | |
| Zhang et al. | Optimization of the thermoelectric performance of α-MgAgSb-based materials by Zn-doping | |
| CN109776093B (en) | Preparation method of nano composite thermoelectric material | |
| US3050574A (en) | Thermoelectric elements having graded energy gap | |
| CN102234842A (en) | Ga2Te3-based thermoelectric semiconductor used at intermediate temperature and preparation method | |
| US5831286A (en) | High mobility p-type transition metal tri-antimonide and related skutterudite compounds and alloys for power semiconducting devices |