RU2698739C2 - Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры - Google Patents
Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2698739C2 RU2698739C2 RU2017131189A RU2017131189A RU2698739C2 RU 2698739 C2 RU2698739 C2 RU 2698739C2 RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A RU 2698739 C2 RU2698739 C2 RU 2698739C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- agglomerates
- layer
- sequence
- layers
- component
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 22
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 10
- -1 iodide ions Chemical class 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920000831 ionic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 7
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 4
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 claims description 3
- 150000004804 polysaccharides Polymers 0.000 claims description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 claims description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 claims description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 claims description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 claims description 2
- 241000416162 Astragalus gummifer Species 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002261 Corn starch Polymers 0.000 claims description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 241000206572 Rhodophyta Species 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001615 Tragacanth Polymers 0.000 claims description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008272 agar Substances 0.000 claims description 2
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010418 carrageenan Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000679 carrageenan Substances 0.000 claims description 2
- 229920001525 carrageenan Polymers 0.000 claims description 2
- 229940113118 carrageenan Drugs 0.000 claims description 2
- 239000008120 corn starch Substances 0.000 claims description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229940035535 iodophors Drugs 0.000 claims description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 2
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000001814 pectin Substances 0.000 claims description 2
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 claims description 2
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001592 potato starch Polymers 0.000 claims description 2
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 claims description 2
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;silicate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000196 tragacanth Substances 0.000 claims description 2
- 235000010487 tragacanth Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940116362 tragacanth Drugs 0.000 claims description 2
- UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L zinc;1-(5-cyanopyridin-2-yl)-3-[(1s,2s)-2-(6-fluoro-2-hydroxy-3-propanoylphenyl)cyclopropyl]urea;diacetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCC(=O)C1=CC=C(F)C([C@H]2[C@H](C2)NC(=O)NC=2N=CC(=CC=2)C#N)=C1O UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 abstract 1
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical group 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N Benzyne Chemical compound C1=CC#CC=C1 KLYCPFXDDDMZNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229920000591 gum Polymers 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 description 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000013384 organic framework Substances 0.000 description 1
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
- H01G9/2009—Solid electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2095—Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02601—Nanoparticles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Недостаток традиционных напечатанных пленочных PV-элементов заключается в том, что получение этих элементов часто требует дорогих этапов вакуумной подготовки и термического закаливания или запекания, причем тонкие легированные вакуумные пленки чрезвычайно подвержены коррозии и загрязнению. Таким образом, настоящее изобретение обеспечивает преодоление этих недостатков и получение подходящего способа и соответствующей пленочной PV-структуры. Этот результат достигают посредством осуществляемого при комнатной температуре способа, при котором водные дисперсии наносят посредством печати на подложку и отверждают с помощью сопутствующей реакции. Сопутствующая реакция формирует градиенты, а также наноразмерные структуры на границах пленки, что обеспечивает PV-активную пленку, обладающую стандартной производительностью и более высокой стабильностью. Можно достичь постоянной эффективности, составляющей приблизительно 10%, и без ухудшения характеристик в начальный период эксплуатации при испытании в климатической камере и на протяжении 20-летнего периода испытаний постоянно с небольшим изменением. Способ не включает этапов закаливания или запекания, позволяет применять технически чистые преимущественные исходные материалы и обеспечивает пленочную PV-структуру в виде завершенного крайне гибкого элемента при лишь части обычных вложений в производство или распространение. Впервые пленочные PV-структуры можно получать полностью аналогично производству печатной продукции. Следовательно, настоящее изобретение может предложить чрезвычайно разностороннюю применимость в отношении как производства, так и применения во всех отраслях, в которых имеющиеся в настоящее время тонкие PV-пленки ранее были отвергнуты как слишком дорогие или слишком нестабильные. 5 н. и 14 з.п. ф-лы.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение в целом можно отнести к области электротехнических тонких пленок. Область техники практически обозначена в документе DE 10 2015 102 801, в создании которого авторы настоящего изобретения принимали участие. Известные средства, признаки и способы могут быть взяты из этой заявки и предшествующего уровня техники, цитируемого в ней.
ОПИСАНИЕ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к последовательности PV-слоев, полученной с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и к осуществляемому при комнатной температуре способу получения последовательности PV-слоев согласно ограничительной части независимых пунктов формулы изобретения.
С коммерческой точки зрения важным аспектом является то, что получение осуществляют при комнатной температуре. Это заметно сокращает затраты на технологический процесс и обеспечивает существенное преимущество при получении. Однако это также означает, что в последовательности PV-слоев не могут присутствовать слои, точно спеченные при повышенной температуре или целенаправленно спрессованные. В то же время, целенаправленно отрегулированная плоскостность в наномасштабе фотоэлектрически активного слоистого композита является определяющим для производительности признаком известных PV-систем: в этом случае PV-слои часто точно регулируют с помощью вакуумно-плазменных способов для обеспечения достаточного выхода энергии. При осуществляемых при комнатной температуре способах образования тонких слоев, т.е. твердых непрерывных последовательностей слоев, посредством способа печати, нанесения покрытия поливом или нанесения покрытия центрифугированием, т.е. посредством механических воздействий, часто нельзя отрегулировать плоскостность в нанометровом диапазоне контролируемым образом. Слои являются неровными и часто плоскими только в микрометровом диапазоне. Недостаток неровных слоев, которые являются плоскими только в микрометровом диапазоне, заключается в том, что для них можно применять поверхностный PV-переход, установленный на наномасштабе посредством легирования, с генерированием энергии только с существенными потерями. Изобретатели настоящего изобретения полагают, что это объясняет, почему в области технологии коммерческого получения фотоэлектрических элементов лишь крайне малое число документов и подходов серьезно затрагивают способы получения при комнатной температуре (к. т. = комнатная температура).
В документе 042 49 379 А описано PV-устройство и способ его получения, в котором посредством способов CVD (CVD - осаждение из паровой фазы, т.е. газовая фаза способствует прохождению химической реакции) при отрицательном давлении осуществляют различные реакции, включающие процессы осаждения и травления, для изначального формирования базовой поверхностной PV-структуры с высокой плоскостностью. В этом случае недостаток заключается в том, что вакуумная реакционная камера требует дорогой серийной обработки: в вакуумной реакционной камере всегда находится лишь определенное число подложек, которые могут быть загружены, затем вынуты и необязательно высушены и, наконец, после покрытия в атмосфере реакционного газа снова удалены. Другой недостаток заключается в том, что подложки, подлежащие покрытию, необходимо выдерживать при точно отрегулированных температурах во время нанесения покрытия, так чтобы всегда с помощью реакции получать образование слоя с одинаковым типом и толщиной. Кроме того, в этом документе раскрывают последующую печать с помощью медной электродной пасты, которую необходимо запекать, т.е. слоистый композит должен быть подвергнут воздействию высоких температур в контексте осуществления контакта, причем как слои PV-активного слоя, так и слои, предназначенные для формирования электродов, прессуют и спекают с получением в достаточной мере электропроводящей и в целом пригодной для приведения в контакт ячейки. Это именно невыгодный этап термического прессования, который приводит к высоким затратам и недостаткам, поскольку при температурах спекания, при которых медные пасты спекаются в проводящую дорожку, примеси и мельчайшие загрязнения также подвергаются диффузии. В результате при таких способах получения необходимо использовать дорогие высокочистые реактивы, которые даже на конечном этапе спекания не содержат примесей, поскольку иначе примеси в итоге диффундируют в PV-активный слой и ухудшают его свойства или даже полностью разрушают указанный слой.
Подобным образом, в документе СА 2 467 690 А1 предлагают пригодную для печати термоплавкую адгезивную смесь, которая может быть нанесена на последовательности электротехнических тонких слоев, в частности, на последовательности PV-слоев, в качестве структуры электрода и/или контакта. Электропроводная паста содержит проводящие частицы из свинцового стекла, которые на своей поверхности несут серебряные или алюминиевые хлопья; эта основная смесь фиксируется термопластичной матрицей. Однако в этом случае недостаток также заключается в том, что все органические фракции должны быть в итоге спечены при 650°С - 900°С, поскольку иначе не обеспечиваются ни достаточная проводимость, ни стабильность слоя.
В документе CN 10 329 3600 А, в его реферате раскрыт способ формирования оптических слоев, которые обеспечивают целевое прохождение света внутрь или наружу и являются подходящими для PV-устройств или дисплейных устройств. В этом случае, полимерный слой печатают согласно желаемым расположению и пространственной конфигурации на полиимидном слое и затем нагревают до температуры полимеризации. Путем целенаправленного расположения и модификации молекулярных цепей показатель преломления оптического слоя можно направленно регулировать так, что оптический верхний слой не требует конечного травления или структурирования. В этом случае, недостаток также заключается в том, что предусмотрено конечное нагревание для обеспечения полной полимеризации. Кроме того, в этом документе не представлены указания на то, можно ли и как такие методы применять к завершенному композиту из PV-слоев, в частности, в отношении PV-активного слоя или комбинации слоев.
Подобным образом, в документе TW 2014 42 271 А, в его реферате раскрыта уплотнительная система для PV-модулей, где завершенный PV-модуль располагают на подложке и с помощью установки для струйной печати покрывают затвердевающим под воздействием УФ адгезивным веществом различных цветов при комнатной температуре и одновременно герметизируют в надежном соединении с подложкой. В этом случае недостаток также заключается в применении обычного известного PV-активного слоя в качестве модуля, т.е. способ получения обеспечивающего ток PV-активного слоя осуществляют известным и дорогим образом, обладающим ранее описанными недостатками.
В документе CN 10 321 434 0 А, в его реферате раскрыта триптиценовая система, которая может быть предоставлена в виде наноразмерной водной дисперсии посредством золь-гель процесса. Водная дисперсия может обеспечивать агломераты триптицена размером от 50 нм до 200 мкм и, следовательно, обеспечивать полупроводниковые свойства, которые являются пригодными для печати на заранее определенные области с применением водной дисперсии.
Термин «пригодный для печати» охватывает, также и в контексте настоящего изобретения, обычные системы печати, такие как печатающие головки с распылителем, печатающие головки для струйной печати, нанесение красок или цветных пигментов распылением в электростатическом поле, тампонную печать, литографическую печать, флексографическую печать, офсетную печать вплоть до термической сублимационной печати, которая может наносить пигментные краски с помощью плавкой термопластической основы.
Недостаток заключается в том, что триптицен содержит бензольные группы; его получают из дегидробензола и антрацена. Такие системы часто содержат побочные продукты, которые со временем медленно в виде газа выходят из матрицы основного продукта. Следовательно, такие органические электротехнические тонкие слои часто не демонстрируют долгосрочной стабильности, проявляют сильное изначальное ухудшение электротехнических свойств в отношении своих коррозионных характеристик и содержат подлежащие декларации компоненты, такие как бензол, которые в виде газа выходят из слоистого композита как летучие органические компоненты, часто указываемые аббревиатурой VOC, подвергают опасности присутствующих и могут дополнительно повредить или даже разрушить смежные слои.
В документе CN 103 839 605 А, в его реферате раскрыта электропроводная дисперсия на основе серебра и графена, причем эта основа диспергирована в органической смоле со сшивающими средствами и разбавителями и, таким образом, представлена в виде пригодной для печати органической пасты. Недостаток заключается в том, что смолы лишь приблизительно характеризуются средней молярной массой; они часто содержат фракции VOC и часто потенциально канцерогенные бензолы и их производные. В дополнение, адгезивные вещества, содержащие разбавители, представляют собой дисперсионные адгезивные вещества: они отвердевают при испарении разбавителей/растворителя, что не может происходить быстро и полностью при комнатной температуре и, таким образом, влечет за собой продолжительное и непрерывное испарение растворителей. Неполное затвердевание и опасность продолжительного высвобождения VOC являются известными и типичными недостатками таких систем на основе смол.
Задача, решаемая настоящим изобретением, соответственно, состоит в преодолении недостатков предыдущего уровня техники и обеспечении способа и электротехнического тонкого слоя, полученного согласно способу, который, несмотря на выполнение промышленного процесса при комнатной температуре и масштабного производства, может обеспечить тонкие слои, содержащие PV-активный слой в завершенном контактном слоистом композите.
Решение этой задачи обеспечивают согласно признакам независимых пунктов формулы изобретения. Предпочтительные варианты осуществления будут очевидны из зависимых пунктов формулы изобретения и последующего описания.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В настоящем изобретении предусмотрена последовательность PV-слоев, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, при котором последовательность PV-слоев наносили посредством способа печати в виде последовательности тонких пленок, содержащих по меньшей мере контактные электроды, с помощью непрерывного способа печати при комнатной температуре, при этом по меньшей мере один водный раствор и/или смесь, содержащие электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты, наносили посредством печати и посредством сопутствующей химической реакции отверждали с получением PV-активного слоя, при этом, в свою очередь, в ходе реакции в последовательности PV-слоев образовывались наноразмерные структуры, предусматривающие по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепей, сетей, сетей-трубочек, вакансий, пор.
Соответствующий осуществляемый при комнатной температуре способ получения электротехнических тонких PV-слоев, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, характеризуется тем, что отверждение осуществляют при комнатной температуре и отверждение ускоряют посредством обработки по меньшей мере одним реагентом с образованием последовательности PV-слоев.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ И ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ПРИЗНАКОВ
Последовательность PV-слоев согласно настоящему изобретению является получаемой с помощью заявляемого в данном документе способа. Способ уже был представлен изобретателями настоящего изобретения в контексте DE 10 2015 102 801 А, инженерное изложение способа которого также заявляется в данном документе в качестве приоритета. В непрерывном развитии способа изобретатели настоящего изобретения также нашли дополнительные продукты, представляющие ценность. Они, как описано в DE 10 2015 01 54 35 А1 и в DE 10 2015 015 600 А1, также заявлены для настоящего способа получения в контексте дополняющего способа технических средств.
Последовательность PV-слоев согласно настоящему изобретению получают с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа. Под «комнатной температурой» понимают диапазон, приемлемый и привычный для людей, т.е. может быть приблизительно указан как от 0 градусов Цельсия до 60 или 70 градусов Цельсия, и в Европейском регионе составляет приблизительно от 25 градусов Цельсия до +- 5 градусов Цельсия. Последовательность PV-слоев формируют в виде тонкослойной последовательности при данной температуре.
«Тонкий слой» в контексте настоящего изобретения подразумевает слои в микрометровом диапазоне, чья толщина слоя может быть в основном представлена в микрометрах и может отклоняться не более чем на два порядка величины.
Последовательность PV-слоев, содержащих по меньшей мере контактные электроды, наносят посредством способа печати при комнатной температуре с помощью непрерывного способа печати. Это образует завершенную последовательность PV-слоев, которая только требует подключения к существующей системе, чтобы иметь возможность принимать и использовать фотоэлектрический ток.
В контексте способа получения по меньшей мере один водный раствор и/или смесь, содержащие электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты, наносят посредством печати и посредством сопутствующей химической реакции отверждают с получением PV-активного слоя. Нанесение посредством способа печати реакционного раствора или смеси приводит к чрезвычайному сокращению времени отверждения, и в первый раз становятся доступными сроки получения, которые известны из области промышленной печати. Кроме того, изобретатели настоящего изобретения полагают, что отверждение обычно происходит наиболее быстро на поверхности тонкого слоя и, следовательно, создает градиент в самом тонком слое, что может разумно объяснить электротехнические свойства: градиент вакансий и/или продуктов реакции может обеспечивать электрохимическую движущую силу для проводящих и/или полупроводящих агломератов, которая может разумно объяснить то, что слои, полученные таким образом, разделяют заряды лучше, поддерживают PV-эффекты в P-N переходах и также могут демонстрировать подобные диоду свойства. В дополнение, в тонком PV-слое в последовательности PV-слоев в ходе реакции образуются наноразмерные структуры, предусматривающие по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепей, сетей, сетей-трубочек, вакансий, пор. В данном случае особо преимущественным является то, что как осуществляемое с помощью реакции отверждение, так и реакцию, образующую наноразмерные структуры, осуществляют одновременно. Это позволяет обеспечивать не только градиенты наноразмерных структур, но также концентрационные градиенты и распределения по размерам для наноразмерных элементов, и настоящие изобретатели полагают, что это объясняет то, почему измеряемые электротехнические свойства указывают на множество процессов возбуждения в пределах запрещенной зоны. Низкая температура получения также обеспечивает дополнительное преимущество: даже для реактивов только чистоты технической категории (чистота от 95% до 99%, предпочтительно 99% +- 0,5% при крупномасштабном промышленном производстве) могут быть получены функционирующие стабильные последовательности PV-слоев, поскольку P-N переходы, напечатанные и/или химически созданные в ходе получения, не разрушаются диффундированием примесей в результате последующего спекания. Кроме того, неорганическая базовая структура агломератов, которые по существу формируют последовательность слоев, может объяснить повышенную стабильность: созданные таким образом последовательности слоев после окончательной несколько кислотной герметизации при температурах приблизительно 160 градусов Цельсия демонстрировали обычные рабочие характеристики, которые при испытании в климатической камере не демонстрировали никакого ухудшения свойств в начальный период эксплуатации; на протяжении более 1000 часов конкретные образцы последовательности PV-слоев демонстрировали стабильную производительность, что изобретатели настоящего изобретения объясняют стабильной матрицей из неорганических агломератов. Получаемые таким образом последовательности PV-слоев, следовательно, доступны как на требующейся производственной площадке, так и в отношении затрат на необходимые материалы за долю обычных производственных затрат и в сравнении демонстрируют заметно лучшую долгосрочную стабильность без ухудшения свойств в начальный период эксплуатации.
Последовательность тонких слоев, содержащая последовательность PV-слоев согласно настоящему изобретению, предпочтительно содержит активный PV-слой, который в диапазоне от длинноволновой области до видимой области спектра, предпочтительно в области спектра выше 1200 нм, особенно предпочтительно в диапазоне от 1500 нм до 4000 нм, генерирует по меньшей мере 4% своего напряжения холостого хода, предпочтительно от 5% до 18% своего напряжения холостого хода, особо предпочтительно 10 +- 4% своего напряжения холостого хода. Если P-N переход образован посредством сопутствующей реакции, как описано выше в данном документе, наноструктуры могут дополнительно модифицировать запрещенную зону непосредственно в переходе. Длинные, от полупроводящих до проводящих, наноструктуры можно рассматривать как дополнительные приспособленные для длинных волн квантовые точки или ямы, которые образуют дополнительные уровни в пределах запрещенной зоны. Изобретатели настоящего изобретения отрицают, что уже было возможно обеспечить получение последовательностей тонких слоев, как раскрыто в документе DE 10 2015 015 600 А1, которые генерируют энергию в диапазоне от длинноволновой до видимой области спектра. Средства и соответствующие продукты, которые по меньшей мере частично обеспечивают возможность последовательности PV-слоев использовать такие длинноволновые диапазоны, также заявляются в данном документе.
Последовательность тонких слоев, содержащая последовательность PV-слоев, предпочтительно характеризуется тем, что завершенная последовательность тонких слоев не содержит летучих органических компонентов, не содержит токсичных тяжелых металлов, предпочтительно не содержит селена, мышьяка, свинца, кадмия, индия, галлия в качестве добавки или легирующей добавки, при этом последовательность PV-слоев обладает эффективностью в земных условиях по меньшей мере 10 +- 4%, и последовательность PV-слоев пригодна для наложения поверх бумагоподобного гибкого носителя.
Летучие органические компоненты предусматривают пластифицирующие добавки, длинноцепоченые спирты и поликонъюгированные углеводороды, которые, в виде длинноцепочечных молекул и тяжелых молекул, выходят в виде газа и могут поражать как ячейку, так и любых присутствующих людей.
Неорганические агломераты предпочтительно не содержат токсичных тяжелых металлов, в частности, в качестве добавки или легирующей присадки отсутствуют селен, мышьяк, свинец, кадмий, индий, галлий.
Конкретные образцы полученных таким образом особенно предпочтительных последовательностей PV-слоев продемонстрировали эффективность в земных условиях по меньшей мере 10 +- 4%. Посредством применения смесей и технологий нанесения, известных из области печати, нанесение на бумагу является самым простым и быстрым вариантом для изготовления первых тестовых образцов. Эти образцы демонстрируют гибкость и стабильность, которые в других случаях характерны только для печатной продукции. Поскольку такая печатная продукция также может быть напечатана на пленках для переноса и/или этикеточных пленках и только затем в конечном итоге быть наложена поверх фактического носителя, последовательность PV-слоев может таким же образом быть образована с возможностью наложения поверх бумагоподобного гибкого носителя. Соответствующие самоклеящиеся пленки, имеющие электротехнические тонкие слои, уже были получены.
Осуществляемый при комнатной температуре способ получения электротехнических PV-тонких слоев по настоящему изобретению, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, характеризуется тем, что отверждение осуществляют при комнатной температуре и отверждение ускоряют посредством воздействия на него по меньшей мере одним реагентом, при этом формируется последовательность PV-слоев.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что PV-активный слой формируют на несущем слое, на который жидкотекучую смесь или раствор помещают, наносят тонким слоем, предпочтительно наносят посредством печати, и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, осуществляемой с помощью по меньшей мере одного средства, при этом по меньшей мере одно средство выбрано из группы, состоящей из воздействия УФ-излучения, воздействия CO2, воздействия кислых газов, воздействия основных газов, воздействия окислительных газов, воздействия восстановительных газов, воздействия хлорангидридов, воздействия растворов мочевины, воздействия дисперсии металлов, воздействия карбонилов металлов, воздействия металлокомплексных соединений, воздействия металлосодержащих соединений, воздействия солей металлов, воздействия воды, воздействия осушающих веществ, воздействия сушильного газа, воздействия инертного газа, воздействия осушающего воздуха.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что PV-активный слой по меньшей мере частично располагают на несущем слое, имеющем по меньшей мере одну область, содержащую по меньшей мере один слой, выбранный из группы, состоящей из проводящего слоя меди, проводящего слоя из агломерата на основе графита, проводящего слоя из агломерата на основе серебра, проводящего слоя из агломерата на основе золота, проводящего слоя из агломерата на основе оксида металла, проводящего слоя из агломерата на основе стекла, проводящего графенового слоя, проводящего CNT-слоя, проводящего SWCNT-слоя, проводящего MWCNT-слоя.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что способ осуществляют в печатной машине.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что PV-активный слой содержит неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что неорганическая матрица содержит по меньшей мере один тип агломерата, предпочтительно агломерат окисленного типа, выбранный из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе брома, агломератов на основе йода, агломератов на основе галогена, агломератов на основе углерода, агломератов на основе кремния, агломератов на основе германия, агломератов на основе олова, агломератов на основе свинца, агломератов на основе бора, агломератов на основе алюминия, агломератов на основе галлия, агломератов на основе индия, агломератов на основе фосфора, агломератов на основе мышьяка, агломератов на основе сурьмы, агломератов на основе серы, агломератов на основе селена, агломератов на основе теллура, агломератов на основе висмута.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что органическая матрица содержит по меньшей мере один сшитый компонент, выбранный из группы, состоящей из полиамидного компонента, полиакрилатного компонента, полиольного компонента, полиэфирного компонента, полигексозного компонента, полиаминокислотного компонента, способного к набуханию полигексозного компонента, экстракта красных водорослей, агара, кукурузного крахмала, картофельного крахмала, крахмала, каррагенана, трагаканта, способного к набуханию полисахарида, аравийской камеди, альгинатов, пектина, способного к набуханию полипептида, желатина, карбоксиметилцеллюлозы, гидроксиэтилцеллюлозы, полиакрилатов, поликарбоновых кислот, полиэфиров, полиамидов, полиимидов, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метилакриловой кислоты, органосилоксана.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что в качестве сопутствующей реакции осуществляют по меньшей мере одну реакцию, которую выбирают из группы, состоящей из окисления галогеном, окисления под воздействием УФ-излучения, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн менее 385 нм, окисления под воздействием УФ-излучения дейтериевой лампы, окисления под воздействием УФ-излучения УФ-LED при 365 нм, окисления атмосферным кислородом, окисления под воздействием УФ-излучения ртутной газоразрядной лампы, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 254 нм, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 185 нм, сшивания и окисления под воздействием УФ-излучения, высвобождения органических кислот при конденсации, высвобождения органических спиртов при конденсации, высвобождения спиртов при образования оксидов.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что перед отверждением или во время него вводят наноразмерные полиионы, причем полиионы предусматривают по меньшей мере один тип полиионов, выбранный из группы, состоящей из ионов полигалогенидов, ионов интергалогенидов, ионов полисульфидов, ионов полийод-йодида, ионов сопряженного углерода, ионов графена, CNT-ионов.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что длина полиионов, предпочтительно цепочечного типа, отрегулирована до средней длины цепи.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере частично некоторый тип несущей молекулы, при этом несущая молекула выбрана из группы, состоящей из акцептирующих ионы каркасных полимеров, акцептирующих ионы лития каркасных полимеров, ионообменных смол, ионообменных полимеров, ионообменных стекол, галоген-ионообменных стекол, галоген-ионообменных силикатов, йодофоров.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере один дополнительный сенсибилизатор.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что сопутствующая реакция PV-активного слоя, наносимого на проводящий компонент, включает поверхностное окисление металлического компонента.
Способ предпочтительно характеризуется тем, что окисление включает по меньшей мере одну реакцию, выбранную из группы, состоящей из образования CuI в компоненте из медных частиц, образования Cu2O в компоненте из медных частиц, образования Ag2O в проводящем компоненте, образования ZnS в металлическом компоненте, образования SnO в металлическом компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), в проводящем компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), с примесью оксида низковалентного металла.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СО ССЫЛКОЙ НА ИЛЛЮСТРАТИВНЫЕ ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
В преимущественном варианте осуществления осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических активных тонких PV-слоев, при котором электрически проводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, характеризуется тем, что
- отверждение осуществляют при комнатной температуре,
- отверждение ускоряют посредством воздействия по меньшей мере одним реагентом,
- способ осуществляют в печатной машине,
- формируют последовательность PV-слоев, при этом, в свою очередь,
- PV-активный слой формируют на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- смесь или раствор содержит по меньшей мере один тип неорганического агломерата, который выбран из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе галогена, агломератов на основе йода, предпочтительно из комбинации агломерата на основе диоксида кремния, имеющего отрегулированное значение рН, и агломерата на основе галогена,
- при этом смесь или раствор содержит в качестве дополнительного составляющего компонента по меньшей мере один сшиваемый органический компонент, сшиваемый фрагмент которого предусматривает по меньшей мере один фрагмент, выбранный из группы, состоящей из лактамного фрагмента, акрилового фрагмента, полисахаридного фрагмента, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метакриловой кислоты, органосилоксана, органосилилацетата, и
- смесь или раствор наносят посредством печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, осуществляемой с помощью воздействия УФ-излучения и воздействия сушильного газа, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
В дополнительном преимущественном варианте осуществления осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических активных тонких PV-слоев, при котором электрически проводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, характеризуется тем, что
- последовательность PV-слоев формируют в печатной машине, при этом, в свою очередь,
- PV-активный слой формируют на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- составляют смесь или раствор со взаимно реагирующими компонентами, наносят посредством печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают путем продолжения реакции, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью, содержащей образующие поперечные связи связующие мостики.
В дополнительном преимущественном варианте осуществления последовательность PV-слоев согласно настоящему изобретению получают следующим образом: при комнатной температуре в контексте способа печати на флексографической печатной машине с самоклеящейся двухслойной этикетной бумагой в качестве носителя и с несколькими печатными устройствами, сначала по меньшей мере частично металлический тонкий слой, в данном случае слой меди и/или слой серебра, формируют на восстановительном графитном углеродном слое на бумаге как описано в DE 2015 01 54 35 А1.
В качестве дополнительной печатной пасты для вышеупомянутой машины или смеси, содержащей электрически проводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты в дисперсии, составляли следующее: в качестве второго составляющего компонента частично сшиваемые полисахаридные эфиры крахмала доводят до низкого значения рН с помощью смеси аскорбиновой кислоты с соляной кислотой в дисперсии. За значением рН наблюдают посредством добавленного цветового индикатора. Затем при постоянном перемешивании остающееся твердое вещество растворяют в дистиллированной воде и смешивают с сахаридом, содержащим долю декстрана, для регулирования вязкости. Кислотный или сильно кислотный раствор смешивают с диоксидом кремния в качестве основного составляющего компонента и доводят с помощью гидроксида натрия до сильно основного значения рН, т.е. до изменения цвета индикатора, при перемешивании. Это приводит к коагуляции/осаждению диоксида кремния и образованию неорганических агломератов. Сильно основную дисперсию восстанавливают путем добавления растворимого в основании металла, в данном случае малого количества полностью растворимого алюминия вместе с аналогичным количеством йода в йодиде калия. Йодид калия претерпевает соответствующее растворение с образованием окрашенного комплекса и позволяет отслеживать кинетику раствора водной дисперсии как визуально, так и с помощью измерения проводимости смеси. Водную, со все еще проходящей реакцией и восстановительную дисперсию переносят в качестве печатной пасты на последующее печатное устройство флексографической печатной машины. Затем, непосредственно после печати слоя металлов, восстановительную пасту наносят посредством печати. После нанесения посредством способа печати восстановительной дисперсии свежую все еще влажную пасту высушивают под воздействием УФ-излучения ртутной газоразрядной лампы и воздействием осушающего воздуха. Воздействие УФ-излучения по меньшей мере частично снова обесцвечивает йодный комплекс, т.е. элементарный йод высвобождается и во время отверждения претерпевает сопутствующую реакцию с окружающей матрицей и присутствующими ионами хлора. Кроме того, йод, а также хлор, может вступать в реакцию со слоем металла, ранее напечатанным снизу. Изобретатели настоящего изобретения полагают, что таким образом P-N переходы образуются непосредственно в слое металла, и в то же время вдоль неорганических агломератов соответствующие переходы могут быть образованы из растворенного металла, в данном случае алюминия, и высвобожденных галогенов. Весь способ осуществляют во флексографической печатной машине. PV-активный слой формируют на несущем слое, содержащем по меньшей мере частично слой металла. Изменение количества соляной кислоты, йодида калия и восстанавливающего растворенного металла оказывает существенное влияние на эффективность и производительность PV-активного слоя и позволяет оптимизировать характеристики. Смесь или раствор в качестве дополнительного составляющего компонента содержит полисахаридный фрагмент. Изобретатели настоящего изобретения полагают, что указанный фрагмент в качестве второго составляющего компонента образует органический каркас, который также содержит и может способствовать образованию агломератов на основе галогенов и агломератов на основе интергалогенов. PV-активный слой, нанесенный тонким слоем посредством способа печати, а затем отвержденный с помощью сопутствующей реакции, осуществляемой с помощью воздействия УФ-излучения и воздействия сушильного газа, таким образом образует в качестве основного составляющего компонента неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью в качестве второго составляющего компонента. Последовательность PV-слоев приводят в контакт с высушенным при комнатной температуре проводящим серебром на верхней стороне; в качестве альтернативы, также рассматривают осуществление печати с обычными самоклеящимися электродами и/или слоями в качестве слоя металла, напечатанного с нижней стороны. Критично важно, чтобы PV-активный слой не был покрыт для обеспечения достаточного PV-преобразования света в ток. Готовые для приведения в контакт последовательность PV-слоев обеспечивают проводами и заваривают акрилатным термопластичным покрытием в ламинаторе. Таким образом заваренная ячейка была проверена на эффективность согласно установленным стандартам СИ и продемонстрировала эффективность 10 +- 4% при низком коэффициенте заполнения от приблизительно 0,3 до 0,4. Полученный потенциал полученной в соответствии с настоящим изобретением ячейки, таким образом, находится в пределах от 10% до 20% эффективности. В испытании в климатической камере на основе стандарта 61215 IEC ячейку подвергали воздействию сильного солнечного света, имеющего 80% долю УФ, и высокой атмосферной влажности. Никаких изменений в эксплуатационных характеристиках не наблюдали на протяжении 1000 часов. Только после того, как заваренный пластик, не оптимизированный для применения вне помещения, отсоединился, и влага в атмосфере вступила в непосредственный контакт с последовательностью тонких слоев в течение нескольких сотен часов, наблюдали ухудшение эксплуатационных характеристик на менее 6%. Изобретатели настоящего изобретения приписывают высокую стабильность (отсутствие ухудшения характеристик в начальный период эксплуатации) и неожиданно стабильную работу даже после осуществления непосредственного контакта влаги в атмосфере с неорганическим каркасом основания: агломераты образовали надежные точки контакта и мостики друг с другом. Матрица является чрезвычайно стабильной и практически невосприимчивой к процессам спекания или коррозии. Сшитая структура также может объяснить высокую гибкость продукта, полученного с помощью способов печати: бумажный носитель можно свернуть, согнуть и сложить как обычную печатную продукцию без отшелушивания или расслоения напечатанной последовательности тонких слоев.
Дополнительные исследования в отношении используемых длин волн дополнительно показали: при увеличении выхода источника излучения лампочки ячейка согласно настоящему изобретению продемонстрировала заметно большее увеличение выхода в сравнении с обычной Si PV-ячейкой: тогда как Si ячейка обеспечивает только на от 0,5 до 1 процента больше тока при повышенной яркости, напечатанная ячейка согласно настоящему изобретению обеспечила несколько процентов дополнительного выхода. Кроме того, для выключенной, но все еще горячей лампочки ячейка согласно настоящему изобретению продемонстрировала остаточный выход, составляющий приблизительно 10% от изначально доступного напряжения холостого хода, которое соответственно уменьшалось с уменьшением температуры лампочки. Изобретатели настоящего изобретения относят эти превосходящие эксплуатационные характеристики к морфологии и модифицированной структуре запрещенной зоны: при относительно интенсивном падении света заметно большая поверхность напечатанных агломератов имеет возможность преобразовывать большее количество фотонов, и PV-активные и наноразмерные структуры, расположенные по поверхности на агломератах, делают ячейку по настоящему изобретению менее чувствительной к изменению угла падения: даже под сильно наклоненным углом падения заметно большая часть выхода все же может быть получена, по сравнению с обычными доступными Si ячейками. Кроме того, остаточная эффективность в диапазоне от длинноволновой области спектра до видимой области спектра указывает на квантовые точки и/или тесно расположенные энергетические уровни в пределах запрещенной зоны, которые позволяют преобразовывать длинноволновые фотоны. Изобретатели настоящего изобретения полагают, что здесь образованные в результате реакции наноразмерные структуры модифицируют запрещенную зону. Это может разумно объяснить, почему даже в явной темноте вышеописанная ячейка была способна обеспечивать применимый постоянный остаточный выход посредством теплой лампочки.
ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРИМЕНИМОСТЬ
Недостаток классических напечатанных ячеек с PV-слоями состоит в том, что получение этих ячеек часто требует дорогих этапов вакуумной подготовки и термического закаливания или запекания, причем тонкие легированные вакуумные слои чрезвычайно склонны к коррозии и загрязнению.
Соответственно, решаемая задача состоит в преодолении недостатков и предоставлении подходящего способа и сопутствующей последовательности PV-слоев.
Задачу решают с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, при котором водные дисперсии наносят посредством печати на подложку и отверждают посредством сопутствующей реакции. Сопутствующая реакция формирует градиенты, а также наноразмерные структуры на границах слоя, которые образуют PV-активный слой, обладающий обычной производительностью и высокой стабильностью. Значения эффективности, составляющие приблизительно 10%, достигаются постоянно и без ухудшения характеристик в начальный период эксплуатации в испытании в климатической камере и доступны постоянно с небольшим изменением на протяжении 20-летнего периода испытаний.
Способ не включает этапов закаливания или запекания, позволяет применять технически чистые экономически эффективные исходные материалы и обеспечивает последовательность PV-слоев в виде завершенной крайне гибкой ячейки за долю обычных вложений в производство или распространение. Впервые последовательности PV-слоев можно получать полностью аналогично получению печатной продукции. Таким образом, настоящее изобретение предлагает чрезвычайно разностороннюю применимость в отношении как получения, так и применения во всех областях, в которых имеющееся в настоящее время тонкие PV-слои ранее были отвергнуты как слишком дорогие или слишком нестабильные.
Claims (38)
1. Последовательность PV-слоев, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, при котором:
- последовательность PV-слоев наносили посредством печати при комнатной температуре с помощью непрерывного способа печати в виде последовательности тонких слоев, содержащих по меньшей мере контактные электроды,
- по меньшей мере один водный раствор и/или смесь, содержащие электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты, наносили посредством печати и посредством сопутствующей химической реакции отверждали с получением PV-активного слоя, причем, в свою очередь,
- в ходе реакции в последовательности PV-слоев образовывались наноразмерные структуры, предусматривающие по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепей, сетей, сетей-трубочек, вакансий, пор.
2. Последовательность тонких слоев, имеющая последовательность PV-слоев по предыдущему пункту, содержащая PV-активный слой, который в диапазоне от длинноволновой области спектра до видимой области спектра, предпочтительно в области спектра выше 1200 нм, особенно предпочтительно в диапазоне от 1500 нм до 4000 нм, генерирует по меньшей мере 4% своего напряжения холостого хода, предпочтительно от 5 до 18% своего напряжения холостого хода, особенно предпочтительно 10 ± 4% своего напряжения холостого хода.
3. Последовательность тонких слоев, имеющая последовательность PV-слоев по любому из двух предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что завершенная последовательность тонких слоев
- не содержит летучих органических компонентов, не содержит токсичных тяжелых металлов, предпочтительно не содержит селена, мышьяка, свинца, кадмия, индия, галлия в виде добавки или легирующей добавки,
- последовательность PV-слоев обладает эффективностью в земных условиях по меньшей мере 10 ± 4%,
- последовательность PV-слоев выполнена с возможностью наложения поверх бумагоподобного гибкого носителя.
4. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения электротехнических тонких слоев, в частности способ получения последовательностей тонких слоев по предыдущим пунктам, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение осуществляют при комнатной температуре и
- отверждение ускоряют посредством воздействия по меньшей мере одним реагентом;
- формируют последовательность PV-слоев.
5. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что PV-активный слой формируют на несущем слое, на который жидкотекучую смесь или раствор помещают, тонким слоем наносят, предпочтительно наносят посредством печати, и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, которую осуществляют с помощью по меньшей мере одного средства, при этом по меньшей мере одно средство выбрано из группы, состоящей из воздействия УФ-излучения, воздействия CO2, воздействия кислых газов, воздействия основных газов, воздействия окислительных газов, воздействия восстановительных газов, воздействия хлорангидридов, воздействия растворов мочевины, воздействия дисперсии металлов, воздействия карбонилов металлов, воздействия металлокомплексных соединений, воздействия металлосодержащих соединений, воздействия солей металлов, воздействия воды, воздействия осушающих веществ, воздействия сушильного газа, воздействия инертного газа, воздействия осушающего воздуха.
6. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что PV-активный слой по меньшей мере частично располагают на несущем слое, имеющем по меньшей мере одну область, содержащую по меньшей мере один слой, выбранный из группы, состоящей из проводящего медного слоя, проводящего слоя из агломерата на основе графита, проводящего слоя из агломерата на основе серебра, проводящего слоя из агломерата на основе золота, проводящего слоя из агломерата на основе оксида металла, проводящего слоя из агломерата на основе стекла, проводящего графенового слоя, проводящего CNT-слоя, проводящего SWCNT-слоя, проводящего MWCNT-слоя.
7. Способ по любому из пп. 4-6, отличающийся тем, что способ осуществляют в печатной машине.
8. Способ по любому из пп. 4-7, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что неорганическая матрица содержит по меньшей мере один тип агломерата, предпочтительно агломерат окисленного типа, выбранный из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе брома, агломератов на основе йода, агломератов на основе галогена, агломератов на основе углерода, агломератов на основе кремния, агломератов на основе германия, агломератов на основе олова, агломератов на основе свинца, агломератов на основе бора, агломератов на основе алюминия, агломератов на основе галлия, агломератов на основе индия, агломератов на основе фосфора, агломератов на основе мышьяка, агломератов на основе сурьмы, агломератов на основе серы, агломератов на основе селена, агломератов на основе теллура, агломератов на основе висмута.
10. Способ по п. 8 или 9, отличающийся тем, что органическая матрица содержит по меньшей мере один сшитый компонент, выбранный из группы, состоящей из полиамидного компонента, полиакрилатного компонента, полиольного компонента, полиэфирного компонента, полигексозного компонента, полиаминокислотного компонента, способного к набуханию полигексозного компонента, экстракта красных водорослей, агара, кукурузного крахмала, картофельного крахмала, крахмала, каррагенана, трагаканта, способного к набуханию полисахарида, аравийской камеди, альгинатов, пектина, способного к набуханию полипептида, желатина, карбоксиметилцеллюлозы, гидроксиэтилцеллюлозы, полиакрилатов, поликарбоновых кислот, полиэфиров, полиамидов, полиимидов, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метилакриловой кислоты, органосилоксана.
11. Способ по любому из пп. 4-10, отличающийся тем, что в качестве сопутствующей реакции осуществляют по меньшей мере одну реакцию, которая выбрана из группы, состоящей из окисления галогеном, окисления под воздействием УФ-излучения, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн менее 385 нм, окисления под воздействием УФ-излучения дейтериевой лампы, окисления под воздействием УФ-излучения УФ-LED при 365 нм, окисления атмосферным кислородом, окисления под воздействием УФ-излучения ртутной газоразрядной лампы, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 254 нм, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 185 нм, сшивания и окисления под воздействием УФ-излучения, высвобождения органических кислот при конденсации, высвобождения органических спиртов при конденсации, высвобождения спиртов при образовании оксидов.
12. Способ по любому из пп. 4-11, отличающийся тем, что перед отверждением или при отверждении вводят наноразмерные полиионы, причем полиионы предусматривают по меньшей мере один тип полиионов, выбранный из группы, состоящей из ионов полигалогенидов, ионов интергалогенидов, ионов полисульфидов, ионов полийод-йодида, ионов сопряженного углерода, ионов графена, CNT-ионов.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что длина полиионов, предпочтительно цепочечного типа, отрегулирована до средней длины цепи.
14. Способ по любому из пп. 4-13, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере частично некоторый тип несущей молекулы, при этом несущая молекула выбрана из группы, состоящей из акцептирующих ионы каркасных полимеров, акцептирующих ионы лития каркасных полимеров, ионообменных смол, ионообменных полимеров, ионообменных стекол, галоген-ионообменных стекол, галоген-ионообменных силикатов, йодофоров.
15. Способ по любому из пп. 4-14, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере один дополнительный сенсибилизатор.
16. Способ по любому из пп. 4-15, отличающийся тем, что соответствующая реакция в отношении PV-активного слоя, нанесенного на проводящий компонент, предусматривает поверхностное окисление металлического компонента.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что окисление включает по меньшей мере одну реакцию, выбранную из группы, состоящей из образования CuI в компоненте из медных частиц, образования Cu2O в компоненте из медных частиц, образования Ag2O в проводящем компоненте, образования ZnS в металлическом компоненте, образования SnO в металлическом компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), в проводящем компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), с примесью оксида низковалентного металла.
18. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических PV-активных тонких слоев по любому из пп. 4-17, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение осуществляют при комнатной температуре, отверждение ускоряют посредством воздействия по меньшей мере одним реагентом,
- способ осуществляют в печатной машине,
- формируют последовательность PV-слоев, при этом, в свою очередь,
- PV-активный слой формируют на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- смесь или раствор содержит по меньшей мере один тип неорганического агломерата, который выбран из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе галогена, агломератов на основе йода, предпочтительно из комбинации агломерата на основе диоксида кремния, имеющего отрегулированное значение рН, и агломерата на основе галогена,
- при этом смесь или раствор содержит в качестве дополнительного составляющего компонента по меньшей мере один сшиваемый органический компонент, сшиваемый фрагмент которого предусматривает по меньшей мере один фрагмент, выбранный из группы, состоящей из лактамного фрагмента, акрилового фрагмента, полисахаридного фрагмента, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метакриловой кислоты, органосилоксана, органосилилацетата, и
- смесь или раствор наносят посредством способа печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, осуществляемой с помощью воздействия УФ-излучения и воздействия сушильного газа, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
19. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических PV-активных тонких слоев по любому из пп. 4-18, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- формируют последовательность PV-слоев в печатной машине, при этом, в свою очередь,
- формируют PV-активный слой на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- составляют смесь или раствор со взаимно реагирующими компонентами, наносят посредством печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают путем продолжения реакции, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью, содержащей образующие поперечные связи связующие мостики.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102015102801.8 | 2015-02-26 | ||
| DE102015102801 | 2015-02-26 | ||
| DE102015015435 | 2015-12-02 | ||
| DE102015015435.4 | 2015-12-02 | ||
| DE102015015600 | 2015-12-06 | ||
| DE102015015600.4 | 2015-12-06 | ||
| PCT/DE2016/100084 WO2016134704A1 (de) | 2015-02-26 | 2016-02-26 | Pv-schichtfolge erhalten durch ein raumtemperatur-verfahren und raumtemperatur-verfahren zur herstellung einer pv-schichtfolge |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017131189A RU2017131189A (ru) | 2019-03-28 |
| RU2017131189A3 RU2017131189A3 (ru) | 2019-07-17 |
| RU2698739C2 true RU2698739C2 (ru) | 2019-08-29 |
Family
ID=55701647
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017131197A RU2732867C2 (ru) | 2015-02-26 | 2016-02-26 | Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом |
| RU2017131189A RU2698739C2 (ru) | 2015-02-26 | 2016-02-26 | Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017131197A RU2732867C2 (ru) | 2015-02-26 | 2016-02-26 | Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20180040751A1 (ru) |
| EP (2) | EP3262675A1 (ru) |
| JP (5) | JP2018521443A (ru) |
| CN (2) | CN107533950B (ru) |
| BR (1) | BR112017018306B1 (ru) |
| DE (1) | DE102016002213A1 (ru) |
| RU (2) | RU2732867C2 (ru) |
| WO (2) | WO2016134704A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2732867C2 (ru) | 2015-02-26 | 2020-09-24 | Дайнемик Солар Системс Аг | Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом |
| RU2750998C2 (ru) | 2016-07-12 | 2021-07-07 | Дайнэмик Солар Системс Аг | Способ изготовления последовательности фотогальванических слоев методом печати при комнатной температуре и последовательность фотогальванических слоев, полученная данным способом |
| DE202017001454U1 (de) | 2017-03-19 | 2017-06-22 | Dynamic Solar Systems Ag | Geregelte, gedruckte Heizung |
| DE102017002623A1 (de) | 2017-03-20 | 2018-09-20 | Reinhold Gregarek | Verbessertes tribostatisches I-I-P-Verfahren, tribostatische Pulverdüse und Verwendung zur Herstellung elektrotechnischer Mehrschichtverbunde |
| DE202017002209U1 (de) | 2017-04-27 | 2017-06-21 | Dynamic Solar Systems Ag | Gedruckte Elektrode mit arrangierbaren LED-Komponenten |
| DE202017002725U1 (de) | 2017-05-23 | 2017-06-13 | Dynamic Solar Systems Ag | Heizpanel mit gedruckter Heizung |
| DE102020003811A1 (de) | 2020-06-25 | 2021-12-30 | Dynamic Solar Systems Ag | Fußbodenheizungs-System mit verbessertem Schichtaufbau |
| DE102022114036A1 (de) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Glasfabrik Lamberts GmbH + Co. KG. | Multifunktionale Profilbauglasbahn und diese enthaltende Profilbauglasanordnung |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007017192A1 (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Method of manufacturing pattern-forming metal structures on a carrier substrate |
| EP1903609A2 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film transistor array panel |
| WO2009097150A2 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Northwestern University | Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors |
| RU2391358C2 (ru) * | 2008-03-13 | 2010-06-10 | Учреждение Российской Академии Наук Объединенный Институт Высоких Температур Ран (Оивт Ран) | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий |
| EP2333024A1 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-15 | Riso Kagaku Corporation | Electrically conductive emulsion ink and method for producing electrically conductive thin film using the same |
| US20140161972A1 (en) * | 2012-12-09 | 2014-06-12 | National Sun Yat-Sen University | Method for forming conductive film at room temperature |
| WO2014117104A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Aneeve Llc | All printed and transparent cnt tft |
Family Cites Families (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE266693C (ru) | ||||
| AT36002B (de) | 1906-12-24 | 1909-01-25 | Westinghouse Electric Corp | Kollektor. |
| DE390400C (de) | 1921-03-04 | 1924-02-20 | Robert Woolridge Reynolds | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Heizwiderstaenden aus einer Mischung von Graphit und Wasserglas |
| DE410375C (de) | 1923-02-04 | 1925-03-05 | Robert Woolridge Reynolds | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Heizwiderstandsschicht aus Silikatniederschlaegen, Graphit und Alkalisilikaten |
| DE839396C (de) | 1949-04-03 | 1952-05-19 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Waermestrahler, insbesondere fuer Zwecke der Therapie |
| DE1446978C3 (de) | 1959-10-29 | 1974-10-31 | Bulten-Kanthal Ab, Hallstahammar (Schweden) | Warmfester, langgestreckter, stab- oder rohrförmiger Körper mit Siliciumcarbidgerüst und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE2004076A1 (de) | 1970-01-30 | 1971-08-05 | Kieninger & Obergfell | Elektronische Uhr geringen Leistungsbedarfes |
| JPS49379B1 (ru) | 1970-07-24 | 1974-01-07 | ||
| FR2224790B1 (ru) | 1973-04-03 | 1977-04-29 | Cellophane Sa | |
| US4040925A (en) * | 1974-05-02 | 1977-08-09 | Scm Corporation | Ultraviolet curing of electrocoating compositions |
| CH627612B (de) | 1980-03-07 | Bulova Watch Co Inc | Elektronisches miniaturgeraet, insbesondere elektronische armbanduhr. | |
| AU575040B2 (en) | 1983-03-10 | 1988-07-21 | Basf Corporation | Epsilon-caprolactone modified acrylic polymers |
| EP0205970B1 (en) | 1985-05-30 | 1990-10-24 | Research Development Corporation of Japan | Process for producing graphite films |
| US4911992A (en) | 1986-12-04 | 1990-03-27 | Dow Corning Corporation | Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides |
| JPH04249379A (ja) | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光起電力装置およびその製法 |
| US5272017A (en) | 1992-04-03 | 1993-12-21 | General Motors Corporation | Membrane-electrode assemblies for electrochemical cells |
| DE19647935C5 (de) | 1996-11-20 | 2009-08-20 | Ts Thermo Systeme Gmbh | Elektrische Innenraumheizung für Wohnwagen |
| DE19815291B4 (de) | 1998-04-06 | 2006-05-24 | Ferro Gmbh | Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Schichten |
| US6416818B1 (en) | 1998-08-17 | 2002-07-09 | Nanophase Technologies Corporation | Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor |
| DE19946712A1 (de) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Inst Neue Mat Gemein Gmbh | Verfahren und Zusammensetzungen zum Bedrucken von Substraten |
| EP1244168A1 (en) | 2001-03-20 | 2002-09-25 | Francois Sugnaux | Mesoporous network electrode for electrochemical cell |
| US6689950B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-02-10 | The Boeing Company | Paint solar cell and its fabrication |
| US6814795B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-11-09 | Ferro Corporation | Hot melt conductor paste composition |
| WO2004068536A2 (en) | 2003-01-30 | 2004-08-12 | University Of Cape Town | A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device |
| US7338620B2 (en) * | 2004-03-17 | 2008-03-04 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid |
| JP4556232B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-10-06 | 日新電機株式会社 | 色素増感太陽電池及びその製造方法 |
| WO2006076610A2 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
| CN100365828C (zh) * | 2005-06-09 | 2008-01-30 | 西安交通大学 | 聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法 |
| JP5021200B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-09-05 | 関西ペイント株式会社 | Ｐ型半導体分散体、ｐ型半導体層、ｐｎ接合体及びエネルギー変換体 |
| DE602007004150D1 (de) * | 2006-08-11 | 2010-02-25 | Ricoh Kk | Pigmentdispersion, Tintenstrahltinte mit der Pigmentdispersion, Bilderzeugungsverfahren und Bilderzeugungsvorrichtung |
| US20080182011A1 (en) | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Ng Hou T | Metal and metal oxide circuit element ink formulation and method |
| DE102007014608B4 (de) * | 2007-03-23 | 2017-04-06 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines porösen halbleitenden Films |
| US20080245413A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-09 | Hang Ruan | Self assembled photovoltaic devices |
| US20080295884A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Sharma Pramod K | Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product |
| US8227691B2 (en) * | 2007-10-31 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of California | Processing additives for fabricating organic photovoltaic cells |
| CN101965423B (zh) | 2008-02-26 | 2013-05-29 | 帝人可多丽株式会社 | 皮革样片材及其制造方法 |
| DE102008023882A1 (de) | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Bayer Materialscience Ag | Druckbare Zusammensetzung auf Basis von Silberpartikeln zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Beschichtungen |
| WO2009142529A1 (ru) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Tsoi Bronya | Преобразователь электромагнитного излучения и батарея |
| WO2010056826A1 (en) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Inks and pastes for solar cell fabrication |
| US8344243B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-01-01 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
| JP2010129619A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kazufumi Ogawa | シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法 |
| KR101697803B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2017-01-18 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 전자 장치들에 대한 봉지 공정 및 구조 |
| WO2011021982A1 (en) | 2009-08-20 | 2011-02-24 | Nanyang Technological University | Integrated electrode architectures for energy generation and storage |
| US8906548B2 (en) | 2009-10-07 | 2014-12-09 | Miltec Corporation | Actinic and electron beam radiation curable electrode binders and electrodes incorporating same |
| DE102010030074A1 (de) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Evonik Degussa Gmbh | Kunststoff-Photovoltaik-Modul und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO2012000001A2 (de) | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Psw Systems Ag | Speicher |
| US20130143071A1 (en) | 2010-08-17 | 2013-06-06 | Chemetall Gmbh | Process for the electroless copper plating of metallic substrates |
| US20140027774A1 (en) * | 2011-07-15 | 2014-01-30 | Sionyx, Inc. | Laser Processed Photovoltaic Devices and Associated Methods |
| CN102956826B (zh) * | 2011-08-29 | 2016-08-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| WO2014019560A1 (de) | 2012-08-02 | 2014-02-06 | Dynamic Solar Systems Inc. | Verbesserte schichtsolarzelle |
| DE102012022606B4 (de) * | 2012-11-19 | 2023-08-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Partikuläres Elektrodenmaterial mit einer Beschichtung aus einem kristallinen anorganischen Material und einem anorganisch-organischen Hybridpolymer und Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN103214340B (zh) | 2013-04-24 | 2015-03-11 | 南京邮电大学 | 蝶烯类有机纳米材料及制备方法 |
| US9634161B2 (en) * | 2013-05-01 | 2017-04-25 | Delaware State University | Nanoscale precursors for synthesis of Fe2(Si,Ge)(S,Se)4 crystalline particles and layers |
| CN103293600B (zh) | 2013-06-26 | 2015-01-28 | 南京邮电大学 | 利用分子链取向形成平面光波导及光耦合器的方法 |
| US10840400B2 (en) * | 2013-08-29 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photovoltaic device with back reflector |
| US9761742B2 (en) | 2013-12-03 | 2017-09-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| CN103839605B (zh) | 2014-02-26 | 2016-04-13 | 华中科技大学 | 一种导电浆料及其制备方法和应用 |
| US9978944B2 (en) * | 2014-03-12 | 2018-05-22 | Promerus, Llc | Organic electronic compositions and device thereof |
| TW201442271A (zh) | 2014-07-08 | 2014-11-01 | Tropica Solar Photovoltaic Company | 彩色列印太陽能電池模組封裝結構之製法及其裝置 |
| EP3262674A1 (de) | 2015-02-26 | 2018-01-03 | Dynamic Solar Systems AG | Raumtemperatur-verfahren zur herstellung elektrotechnischer dünnschichten und elektrotechnische dünnschicht |
| RU2732867C2 (ru) | 2015-02-26 | 2020-09-24 | Дайнемик Солар Системс Аг | Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом |
-
2016
- 2016-02-26 RU RU2017131197A patent/RU2732867C2/ru active
- 2016-02-26 US US15/554,055 patent/US20180040751A1/en not_active Abandoned
- 2016-02-26 BR BR112017018306-4A patent/BR112017018306B1/pt active IP Right Grant
- 2016-02-26 WO PCT/DE2016/100084 patent/WO2016134704A1/de active Application Filing
- 2016-02-26 RU RU2017131189A patent/RU2698739C2/ru active
- 2016-02-26 CN CN201680023159.2A patent/CN107533950B/zh active Active
- 2016-02-26 EP EP16723636.3A patent/EP3262675A1/de active Pending
- 2016-02-26 US US15/554,064 patent/US11935976B2/en active Active
- 2016-02-26 DE DE102016002213.2A patent/DE102016002213A1/de not_active Withdrawn
- 2016-02-26 EP EP16715440.0A patent/EP3262673A1/de active Pending
- 2016-02-26 CN CN201680022156.7A patent/CN107466422B/zh active Active
- 2016-02-26 JP JP2017545677A patent/JP2018521443A/ja active Pending
- 2016-02-26 JP JP2017545667A patent/JP2018509762A/ja active Pending
- 2016-02-26 WO PCT/DE2016/100083 patent/WO2016134703A1/de active Application Filing
-
2021
- 2021-05-06 JP JP2021078265A patent/JP2021177549A/ja active Pending
- 2021-06-08 JP JP2021095505A patent/JP2021177552A/ja active Pending
-
2023
- 2023-03-01 JP JP2023031398A patent/JP2023067932A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007017192A1 (en) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Method of manufacturing pattern-forming metal structures on a carrier substrate |
| EP1903609A2 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film transistor array panel |
| WO2009097150A2 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Northwestern University | Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors |
| RU2391358C2 (ru) * | 2008-03-13 | 2010-06-10 | Учреждение Российской Академии Наук Объединенный Институт Высоких Температур Ран (Оивт Ран) | Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий |
| EP2333024A1 (en) * | 2009-12-10 | 2011-06-15 | Riso Kagaku Corporation | Electrically conductive emulsion ink and method for producing electrically conductive thin film using the same |
| US20140161972A1 (en) * | 2012-12-09 | 2014-06-12 | National Sun Yat-Sen University | Method for forming conductive film at room temperature |
| WO2014117104A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Aneeve Llc | All printed and transparent cnt tft |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3262675A1 (de) | 2018-01-03 |
| JP2018509762A (ja) | 2018-04-05 |
| JP2021177549A (ja) | 2021-11-11 |
| CN107466422A (zh) | 2017-12-12 |
| EP3262673A1 (de) | 2018-01-03 |
| RU2017131197A3 (ru) | 2019-06-20 |
| RU2017131189A (ru) | 2019-03-28 |
| CN107466422B (zh) | 2021-03-19 |
| RU2732867C2 (ru) | 2020-09-24 |
| WO2016134704A1 (de) | 2016-09-01 |
| JP2018521443A (ja) | 2018-08-02 |
| JP2021177552A (ja) | 2021-11-11 |
| US20220052214A1 (en) | 2022-02-17 |
| DE102016002213A1 (de) | 2016-11-03 |
| US20180040432A1 (en) | 2018-02-08 |
| US20180040751A1 (en) | 2018-02-08 |
| CN107533950A (zh) | 2018-01-02 |
| US11935976B2 (en) | 2024-03-19 |
| BR112017018306A2 (pt) | 2018-04-17 |
| WO2016134703A1 (de) | 2016-09-01 |
| CN107533950B (zh) | 2022-02-11 |
| BR112017018306B1 (pt) | 2023-01-10 |
| RU2017131197A (ru) | 2019-03-28 |
| JP2023067932A (ja) | 2023-05-16 |
| RU2017131189A3 (ru) | 2019-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2698739C2 (ru) | Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры | |
| Du et al. | CsPbI3 nanotube photodetectors with high detectivity | |
| Destouesse et al. | Slot-die processing and encapsulation of non-fullerene based ITO-free organic solar cells and modules | |
| Dayal et al. | Direct synthesis of CdSe nanoparticles in poly (3-hexylthiophene) | |
| TWI618756B (zh) | 光學堆疊 | |
| Jeon et al. | Fabrication and characterization of WO 3/Ag/WO 3 multilayer transparent anode with solution-processed WO 3 for polymer light-emitting diodes | |
| TWI607063B (zh) | 透明電極形成用傳導性墨水組成物 | |
| Huo et al. | A novel polysulfide hydrogel electrolyte based on low molecular mass organogelator for quasi-solid-state quantum dot-sensitized solar cells | |
| US20100136224A1 (en) | Stable nanotube coatings | |
| Buckley et al. | Ligand exchange of colloidal CdSe nanocrystals with stibanates derived from Sb2S3 dissolved in a thiol-amine mixture | |
| CN105679944B (zh) | 一种基于钙钛矿材料的太阳能电池及其制备方法 | |
| Cui et al. | Phosphor coated NiO-based planar inverted organometallic halide perovskite solar cells with enhanced efficiency and stability | |
| Ma et al. | Establishing multifunctional interface layer of perovskite ligand modified lead sulfide quantum dots for improving the performance and stability of perovskite solar cells | |
| Huang et al. | The ammonia detection of cesium lead halide perovskite quantum dots in different halogen ratios at room temperature | |
| WO2019112121A1 (ko) | 광감응 자동변색전구체와 광감응 자동변색소자의 제조방법 및 그에 의한 광감응 자동변색소자 | |
| Cai et al. | Efficiently boosting the optical performances of laminated luminescent solar concentrators via combing blue-white light-emitting carbon dots and green/red emitting perovskite quantum dots | |
| CN104638109B (zh) | 一种有机太阳能电池的阴极界面材料及其制备方法 | |
| On et al. | Rollable Ultraviolet Photodetector Based on ZnAl‐Layered Double Hydroxide/Polyvinylidene Fluoride Membrane | |
| US12148849B2 (en) | Obtaining a PV film structure by means of a room temperature method and room temperature method for producing a PV film structure | |
| Malik et al. | Enhancement of optical features and sensitivity of MEH-PPV/VOPcPhO photodetector using CdSe quantum dots | |
| Lee | Designing of low-cost, eco-friendly, and versatile photosensitive composites/inks based on carboxyl-terminated quantum dots and reactive prepolymers in a mixed solvent: Suppression of the coffee-ring strain and aggregation | |
| Ghosh et al. | Highly enhanced ultraviolet photoresponse property in Cu-doped and Cu–Li co-doped ZnO films | |
| Yin et al. | Moisture annealing effect on CH3NH3PbI3 films deposited by solvent engineering method | |
| Howlader et al. | Nanorod-like nanocrystalline CsSnI3 and CNT composite thin film–based hybrid photodetector | |
| Yang et al. | Enhancing oxygen/moisture resistance of quantum dots by short-chain, densely cross-linked silica glass network |