[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2507304C1 - Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors - Google Patents

Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors Download PDF

Info

Publication number
RU2507304C1
RU2507304C1 RU2012149331/02A RU2012149331A RU2507304C1 RU 2507304 C1 RU2507304 C1 RU 2507304C1 RU 2012149331/02 A RU2012149331/02 A RU 2012149331/02A RU 2012149331 A RU2012149331 A RU 2012149331A RU 2507304 C1 RU2507304 C1 RU 2507304C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
evaporator
thin films
metals
semiconductors
groove
Prior art date
Application number
RU2012149331/02A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Рудиарий Борисович Бурлаков
Александр Геннадьевич Кузин
Владимир Степанович Ковивчак
Владимир Павлович Шабакин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского"
Priority to RU2012149331/02A priority Critical patent/RU2507304C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2507304C1 publication Critical patent/RU2507304C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

FIELD: metallurgy.
SUBSTANCE: evaporator is made from carbon material with a recess for arrangement of sputtered material in the form of a groove located normally to a gravitational field intensity vector and having the type of a trapezoid in its cross section. A trapezoid base that is lower in relation to the gravitational field is lower than an upper one. With that, an insert in the form of a volumetric element from W or Mo or Ta is arranged in the groove.
EFFECT: increasing gravitational stability of molten metal; reducing sputtering; increasing effective wetting surface; improving a directivity pattern and reducing a non-controlled dispersion angle of sputtered materials.
2 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к технологии тонких пленок и может быть использовано при вакуумном напылении пленок из Au, Ag, и сплава Au - Ge или Ge.The invention relates to the technology of thin films and can be used for vacuum deposition of films of Au, Ag, and an alloy of Au - Ge or Ge.

Известно устройство для вакуумного испарения заявка Японии №56-116873, нагреватель тиглеобразной формы выполнен из керамики TiB2 или BNb или углерода, покрытой пленкой тугоплавкого металла W, Мо, Та методом взрыва с целью повышения смачиваемости навесок из Au, Ag, Pt.A device for vacuum evaporation is known, Japanese application No. 56-116873, the crucible-shaped heater is made of ceramic TiB2 or BNb or carbon coated with a film of refractory metal W, Mo, Ta by explosion to increase the wettability of Au, Ag, Pt.

Недостатком указанного нагревателя является: низкий срок эксплуатации пленки полученной методом взрыва, фактически однократное ее использование вследствие растворения тонких пленок W, Мо, Та в расплавах навесок из металлов Au, Ag, Pt, и сплава Au-Ge, малая эффективная поверхность смачивания и малая гравитационная стабильность сферического расплава из данных навесок, неконтролируемый угол разлета напыляемого материала.The disadvantage of this heater is: the low life of the film obtained by the explosion method, in fact, its single use due to the dissolution of thin films of W, Mo, Ta in molten alloys from Au, Ag, Pt, and Au-Ge alloys, a small effective wetting surface and a small gravitational stability of the spherical melt from these samples, uncontrolled spread angle of the sprayed material.

Задачей настоящего изобретения является уменьшение расхода навесок из металлов Au, Ag и сплава Au-Ge или Ge, уменьшение разбрызгивания, повышение гравитационной стабильности расплава, увеличение эффективной поверхности смачивания, улучшение диаграммы направленности и уменьшение неконтролируемого угла разлета напыляемых материалов из Au, Ag и сплава Au - Ge или Ge.The objective of the present invention is to reduce the consumption of samples from Au, Ag and Au-Ge or Ge alloys, reduce spatter, increase the gravitational stability of the melt, increase the effective wetting surface, improve the radiation pattern and reduce the uncontrolled scattering angle of sprayed materials from Au, Ag and Au alloy - Ge or Ge.

Указанный технический результат достигается тем, что в испарителе для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников из углеродного материала (в основном графит марки ГТ-1, ГОСТ 17022-81) выполнена выемка для размещения напыляемого материала виде канавки, расположенной нормально вектору напряженности гравитационного поля и имеющей в поперечном сечении вид трапеции, нижнее, по отношению к гравитационному полю основание которой меньше верхнего, при этом в канавке размещена вставка выполнена в виде объемного элемента из W или Мо или Та. Размер объемного элемента вставки выбирается таким чтобы угол угла разлета напыляемого драгоценного металла или полупроводника был меньше угла при котором образуется неконтролируемая неоднородность толщины получаемой пленки. Новым в данном техническом решении является одновременное ограничение угла разлета напыляемого материала и гравитационная стабилизация расплава навески.The specified technical result is achieved by the fact that in the evaporator for the vacuum deposition of thin films of metals and semiconductors made of carbon material (mainly graphite grade GT-1, GOST 17022-81), a recess is made to accommodate the sprayed material in the form of a groove located normally to the gravitational field strength vector and having a cross-sectional view of a trapezoid, the bottom of which with respect to the gravitational field is smaller than the top, while the insert is made in the groove made in the form of a volumetric element of W or M o or Ta. The size of the volume element of the insert is chosen so that the angle of spread of the deposited precious metal or semiconductor is less than the angle at which an uncontrolled heterogeneity of the thickness of the resulting film is formed. New in this technical solution is the simultaneous limitation of the spread angle of the sprayed material and gravitational stabilization of the melt of the sample.

Испаритель, изображенный на фиг.1, вид в продольном и в поперечном сечении работает следующим образом. Перед началом работы испарителя 1 внутри канавки 2 на вставку из объемного элемента 3, выполненную из тугоплавких материалов W или Мо или Та, сверху размещают навеску 4 одного из материалов Аu или Ag или сплава Аu - Ge, или Ge, откачивают воздух до давления 10-5-10-7 Па, производят нагрев до температуры испарения и плавления навески, при этом навеска смачивает вставку и гравитационно стабилизируется внутри выемки, затем производят напыление.The evaporator shown in figure 1, a view in longitudinal and in cross section works as follows. Before starting the operation of the evaporator 1 inside the groove 2, an insert 4 of one of the materials Au or Ag or the alloy Au - Ge, or Ge is placed on top of the insert from the refractory materials 3 made of refractory materials W or Mo or Ta, the air is pumped out to a pressure of 10 - 5 -10 -7 Pa, the sample is heated to the temperature of evaporation and melting, while the sample wets the insert and gravitationally stabilizes inside the recess, then sprayed.

Пример конкретного выполнения испарителя, использованного для получения тонких пленок Аu или Ag от 5 до 20 нм для подложки размерами 48×60 мм с расстоянием от испарителя до подложки 150 мм. Испаритель на фиг.2 изображен в продольном и в поперечном сечении. Данный испаритель выполнен в виде цилиндрического или прямоугольного стержня 1 длиной 100 мм из углерода, выемка 2 длиной 40 мм сформирована в виде канавки, поперечное сечение которой имеет вид трапеции с высотой 3 мм размерами 2×3 мм, на нижнем основании, размер которого 2 мм, размещена вставка 3 из проволоки W диаметром 0,8 мм длиной 20 мм.An example of a specific implementation of the evaporator used to obtain thin films of Au or Ag from 5 to 20 nm for a substrate with dimensions of 48 × 60 mm with a distance from the evaporator to the substrate of 150 mm The evaporator in figure 2 is depicted in longitudinal and in cross section. This evaporator is made in the form of a cylindrical or rectangular rod 1 with a length of 100 mm made of carbon, a recess 2 with a length of 40 mm is formed in the form of a groove, the cross section of which has the form of a trapezium with a height of 3 mm, dimensions 2 × 3 mm, on the lower base, the size of which is 2 mm , an insert 3 of wire W with a diameter of 0.8 mm and a length of 20 mm is placed.

Claims (2)

1. Испаритель для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников, выполненный из углерода, отличающийся тем, что он выполнен с выемкой для размещения напыляемого материала в виде канавки, расположенной нормально вектору напряженности гравитационного поля и имеющей в поперечном сечении вид трапеции, нижнее по отношению к гравитационному полю основание которой меньше верхнего, при этом в канавке размещена вставка в виде объемного элемента из W, или Мо, или Та.1. The evaporator for the vacuum deposition of thin films of metals and semiconductors made of carbon, characterized in that it is made with a recess for accommodating the sprayed material in the form of a groove located normally to the gravitational field vector and having a trapezoid in cross section lower in relation to the gravitational field whose base is smaller than the top, while in the groove there is an insert in the form of a volume element of W, or Mo, or Ta. 2. Испаритель по п.1, отличающийся тем, что он выполнен в виде стержня из углерода, при этом объемный элемент представляет собой проволоку из W, или Мо, или Та. 2. The evaporator according to claim 1, characterized in that it is made in the form of a rod of carbon, while the volumetric element is a wire of W, or Mo, or Ta.
RU2012149331/02A 2012-11-19 2012-11-19 Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors RU2507304C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012149331/02A RU2507304C1 (en) 2012-11-19 2012-11-19 Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012149331/02A RU2507304C1 (en) 2012-11-19 2012-11-19 Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2507304C1 true RU2507304C1 (en) 2014-02-20

Family

ID=50113300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012149331/02A RU2507304C1 (en) 2012-11-19 2012-11-19 Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2507304C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188587U1 (en) * 2018-07-10 2019-04-17 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Variable Geometry Evaporator for vacuum deposition of thin films
RU188872U1 (en) * 2018-07-10 2019-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU289623A1 (en) * DEVICE FOR EVAPORATING COATINGS IN VACUUM
JPS56116873A (en) * 1980-02-22 1981-09-12 Denki Kagaku Kogyo Kk Heater for vacuum evaporation
SU1077334A1 (en) * 1982-05-12 1995-12-27 Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции Device for film coating in vacuum
JPH10195639A (en) * 1997-01-09 1998-07-28 Ulvac Japan Ltd Evaporation source for organic material and organic thin film forming apparatus using the same
RU2133308C1 (en) * 1998-07-14 1999-07-20 Институт физики полупроводников СО РАН Evaporation crucible

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU289623A1 (en) * DEVICE FOR EVAPORATING COATINGS IN VACUUM
JPS56116873A (en) * 1980-02-22 1981-09-12 Denki Kagaku Kogyo Kk Heater for vacuum evaporation
SU1077334A1 (en) * 1982-05-12 1995-12-27 Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции Device for film coating in vacuum
JPH10195639A (en) * 1997-01-09 1998-07-28 Ulvac Japan Ltd Evaporation source for organic material and organic thin film forming apparatus using the same
RU2133308C1 (en) * 1998-07-14 1999-07-20 Институт физики полупроводников СО РАН Evaporation crucible

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU188587U1 (en) * 2018-07-10 2019-04-17 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Variable Geometry Evaporator for vacuum deposition of thin films
RU188872U1 (en) * 2018-07-10 2019-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102615278B (en) Manufacture the method for metallic composite, metallic composite, the method for manufacture thermal component and thermal component
US11040395B2 (en) Nanostructure self-dispersion and self-stabilization in molten metals
TWI622661B (en) W-ni sputtering target as well as the production process and use thereof
JP2013204052A5 (en)
JP2012172265A (en) Tubular sputter target
RU2507304C1 (en) Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors
TW201914712A (en) Metal powder for molding metal laminate and molded object manufactured using said metal powder
CN106498221B (en) Nano-porous gold and preparation method thereof
JP2009062573A (en) Rotary disk used for centrifugal atomization method, and centrifugal atomization method using the same
Mao et al. Wettability of Cu-Ti alloys on graphite in different placement states of copper and titanium at 1373 K (1100 C)
Yang et al. Significant improvement in the wettability of ZrO2 by molten Al under the application of a direct current
Xiong et al. Joining of Si3N4 to Si3N4 using a AuPd (Co, Ni)–V filler alloy and the interfacial reactions
CN103205716A (en) Adsorption carrier for evaporation material for evaporation of anti-fouling film
JP6459621B2 (en) Tin alloy sputtering target
CN102393350A (en) Method for measuring wetting angle between titanium alloy melt and oxide ceramic
Shen et al. Wetting of polycrystalline α-Al 2 O 3 by molten Zr 55 Cu 30 Al 10 Ni 5 metallic glass alloy
CN105829554B (en) The manufacturing method of the copper alloy containing Ca
TWI606133B (en) Sputtering target
CN201437549U (en) Vapor plating device
Léger et al. Infiltration of tin bronze into alumina particle beds: influence of alloy chemistry on drainage curves
TWI379018B (en)
KR101686778B1 (en) Ag ALLOY FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING Ag ALLOY FILM
JP2015040692A (en) Molybdenum crucible for metal evaporation and manufacturing method and use method thereof
Bai et al. Effect of Trace O Element on High-temperature Wettability Between Ni 3 Al Melt and Y 2 O 3 Ceramic
JP2001348660A (en) Apparatus and method for depositing film

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20171120