[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU188872U1 - Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors - Google Patents

Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors Download PDF

Info

Publication number
RU188872U1
RU188872U1 RU2018125351U RU2018125351U RU188872U1 RU 188872 U1 RU188872 U1 RU 188872U1 RU 2018125351 U RU2018125351 U RU 2018125351U RU 2018125351 U RU2018125351 U RU 2018125351U RU 188872 U1 RU188872 U1 RU 188872U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
evaporator
semiconductors
metals
vacuum deposition
films
Prior art date
Application number
RU2018125351U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Рудиарий Борисович Бурлаков
Александр Геннадьевич Кузин
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского"
Priority to RU2018125351U priority Critical patent/RU188872U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU188872U1 publication Critical patent/RU188872U1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к устройствам для изготовления тонких пленок металлов и полупроводников и может быть использована при вакуумном нанесении пленок из Au, Ag, и сплава Au - Ge или Ge. Техническим результатом заявляемого решения является повышение однородности толщины осаждаемой моно или гибридной тонкой пленки. Указанный технический результат достигается тем, что предложен испаритель для вакуумного нанесения тонких гибридных пленок металлов и полупроводников, выполненный в виде углеродного стержня с продольной канавкой для размещения напыляемого материала, имеющей в поперечном сечении вид трапеции, при этом в канавке размещена смачиваемая расплавом напыляемого материала вставка цилиндрического объемного элемента заданной длины из тугоплавкого металла, согласно решения, он содержит дополнительные вставки цилиндрических объемных элементов для размещения напыляемого материала из заданных объемных элементов металлов и полупроводников, размещенные внутри вдоль канавки так, что расстояние между центрами объемных элементов лежит в интервале 4÷6 см.The invention relates to devices for the manufacture of thin films of metals and semiconductors and can be used for vacuum deposition of films from Au, Ag, and Au — Ge or Ge alloy. The technical result of the proposed solution is to increase the uniformity of the thickness of the deposited mono or hybrid thin film. This technical result is achieved by the fact that an evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors is proposed. volume element of a given length of a refractory metal, according to the decision, it contains additional inserts of cylindrical volume element for accommodation in the spraying material of predetermined volume elements of metals and semiconductors, disposed inside along the groove so that the distance between the centers of voxels in the range 4 ÷ 6 cm.

Description

Полезная модель относится к устройствам для изготовления тонких пленок металлов и полупроводников и может быть использована при вакуумном нанесении пленок из Au, Ag, и сплава Au - Ge или Ge.The invention relates to devices for the manufacture of thin films of metals and semiconductors and can be used for vacuum deposition of films from Au, Ag, and Au — Ge or Ge alloy.

Известны устройства для вакуумного нанесения тонких пленок различных веществ (см. например, 1) JP 56-116873 А, 12.09.1981; 2) RU №2 507304 (Int. CI. С23С 14/24), опубл. 20.02.2014. Бюл. №5).Known devices for vacuum deposition of thin films of various substances (see, for example, 1) JP 56-116873 A, 09/12/1981; 2) RU # 2 507304 (Int. CI. С23С 14/24), publ. 02.20.2014. Bul №5).

Наиболее близким по технической сущности к заявляемой полезной модели и принятым за прототип является испаритель для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников, описанный в патенте РФ №2507304. Испаритель выполнен в виде углеродного стержня с продольной канавкой для размещения напыляемого материала, имеющей в поперечном сечении вид трапеции, при этом в канавке размещен объемный элемент в виде отрезка проволоки из W, или Мо, или Та.The closest in technical essence to the claimed utility model and adopted for the prototype is an evaporator for vacuum deposition of thin films of metals and semiconductors, described in the RF patent №2507304. The evaporator is made in the form of a carbon rod with a longitudinal groove to accommodate the sprayed material, having a cross section of a trapezoid, while in the groove there is a volume element in the form of a piece of wire made of W, or Mo, or Ta.

Недостатком указанного испарителя является неоднородность распределения толщины осаждаемой пленки металла или полупроводника по площади подложки, а также невозможность получения многокомпонентных -гибридных пленок.The disadvantage of this evaporator is the heterogeneity of the distribution of the thickness of the deposited metal film or semiconductor in the area of the substrate, as well as the impossibility of obtaining multi-component hybrid films.

Технической задачей заявляемого решения является - уменьшение неоднородности распределения толщины осаждаемой пленки металла или полупроводника по площади подложки за счет использования нескольких центров испарения, а также получения многокомпонентных - гибридных пленок за счет использование нескольких центров испарения размещенных на одной продольной канавке испарителя.The technical task of the proposed solution is to reduce the heterogeneity of the thickness distribution of the deposited metal film or semiconductor area of the substrate due to the use of multiple evaporation centers, as well as obtaining multi-component - hybrid films due to the use of multiple evaporation centers located on the same longitudinal groove of the evaporator.

Техническим результатом заявляемого решения является повышение однородности толщины осаждаемой моно или гибридной пленки.The technical result of the proposed solution is to increase the uniformity of the thickness of the deposited mono or hybrid film.

Указанный технический результат достигается тем, что предложен испаритель для вакуумного нанесения тонких гибридных пленок металлов и полупроводников, выполненный в виде углеродного стержня с продольной канавкой для размещения напыляемого материала, имеющей в поперечном сечении вид трапеции, при этом в канавке размещена, смачиваемая расплавом напыляемого материала вставка цилиндрического объемного элемента заданной длины из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что он содержит дополнительные вставки цилиндрических объемных элементов для размещения напыляемого материала из заданных объемных элементов металлов и полупроводников, размещенные внутри вдоль канавки так, что расстояние между центрами объемных элементов лежит в интервале 4÷6 см.This technical result is achieved by the fact that the proposed evaporator for the vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors, made in the form of a carbon rod with a longitudinal groove for accommodating the sprayed material, having a cross sectional view of a trapezoid, while in the groove there is an insert wetted by the melt of the sprayed material a cylindrical volume element of a given length of a refractory metal, characterized in that it contains additional inserts of cylindrical volume ele ENTOV for placing spraying material of predetermined volume elements of metals and semiconductors, disposed inside along the groove so that the distance between the centers of voxels in the range 4 ÷ 6 cm.

Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг.1 показаны в увеличенном масштабе продольный разрез (по плоскости В-В) заявляемого испарителя и его поперечный разрез (по плоскости А-А) в области объемного элемента; на фиг 2 представлены графики зависимости относительного изменения толщины [hmax-h(х)]/hmax тонкой пленки от расстояния х от рассматриваемой точки с толщиной пленки h(x) до точки с максимальным значением толщины hmax для прототипа (график 1) и предлагаемой полезной модели (график 2) с расстоянием а=6 см между центрами объемных элементов; на фиг 3 представлены графики аналогичной зависимости [hmax-h(x)]/hmax для прототипа (график 1) и предлагаемой полезной модели (график 2) с расстоянием а=4 см между центрами объемных элементов.The essence of the utility model is illustrated by drawings, where figure 1 shows on an enlarged scale a longitudinal section (along the plane B-B) of the claimed evaporator and its transverse section (along the plane A-A) in the area of the volume element; Fig 2 shows graphs of the relative change in the thickness [h max -h (x)] / h max of a thin film from the distance x from the point in question with the film thickness h (x) to the point with the maximum thickness h max for the prototype (graph 1) and the proposed utility model (graph 2) with a distance of a = 6 cm between the centers of the bulk elements; FIG. 3 shows graphs of a similar dependence [h max -h (x)] / h max for the prototype (chart 1) and the proposed utility model (chart 2) with a distance of a = 4 cm between the centers of the volumetric elements.

Испаритель (изображенный на фиг. 1) для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников выполнен в виде углеродного стержня 1 с продольной канавкой 2 для размещения напыляемого материала, имеющей в поперечном сечении вид трапеции, при этом в канавке размещены два объемных элемента 3 в виде отрезков проволоки из W, илиMo, или Та, расположенных вдоль канавки, причем расстояние между центрами объемных элементов 3 лежит в интервале 4÷6 см.The evaporator (shown in Fig. 1) for vacuum deposition of thin films of metals and semiconductors is made in the form of a carbon rod 1 with a longitudinal groove 2 for accommodating the sprayed material having a trapezoid in cross section, with two volume elements 3 in the form of segments in the groove wire from W, or Mo, or Ta, located along the groove, and the distance between the centers of the volume elements 3 lies in the range of 4 ÷ 6 cm.

В примере конкретного выполнения испарителя, использованного для получения тонких пленок Au или Ag с толщинами от 10 до 30 нм на поверхности стеклянной подложки с размерами 48×60 мм, расстояние от центра испарителя до центра подложки равно 150 мм. Испаритель (фиг. 1) выполнен в виде цилиндрического стержня 1 с диаметром 6 мм и длиной 100 мм из спектрально чистого углерода, продольная канавка 2 длиной 80 мм сформирована с поперечным сечением, имеющем вид трапеции с высотой 3 мм и основанием 2 мм, в канавке 2 размещены (симметрично относительно центра испарителя) два объемных элемента 3 длиной 10 мм, которые выполнены из проволоки W диаметром 0,8 мм, при этом расстояние а между центрами объемных элементов 3 равно 60 мм.In the example of a specific embodiment of the evaporator used to obtain thin films of Au or Ag with thicknesses from 10 to 30 nm on the surface of a glass substrate with dimensions of 48 × 60 mm, the distance from the center of the evaporator to the center of the substrate is 150 mm. The evaporator (Fig. 1) is made in the form of a cylindrical rod 1 with a diameter of 6 mm and a length of 100 mm from spectrally pure carbon, a longitudinal groove 2 with a length of 80 mm is formed with a cross section having a trapezium with a height of 3 mm and a base of 2 mm in the groove 2 placed (symmetrically relative to the center of the evaporator) two volume elements 3 with a length of 10 mm, which are made of wire W with a diameter of 0.8 mm, while the distance a between the centers of the volume elements 3 is 60 mm.

Испаритель для вакуумного нанесения тонких пленок металлов и полупроводников работает следующим образом. Перед началом работы установленного в вакуумной камере испарителя 1 внутри канавки 2 на объемные элементы 3, выполненные из тугоплавких материалов W или Мо или Та, сверху размещают навески одного из материалов Au или Ag или сплава Au - Ge, или Ge, откачивают воздух из вакуумной камеры до давления (10-3÷10-4) Па, производят нагрев навесок до температуры их плавления, при этом расплав навесок смачивает объемные элементы 3, затем увеличивают температуру испарителя до температуры испарения расплава навесок и производят испарение расплавленных навесок. При этом на поверхности подложки, расположенной над испарителем, формируется тонкая пленка испаренного вещества. Толщину пленки металла, полученной с помощью испарителя-прототипа, можно приближенно вычислить по формуле (приведенной в книге: Технология тонких пленок: справочник / под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. -Т. 1.-М: Советское радио, 1977, стр. 77-78):

Figure 00000001
The evaporator for the vacuum deposition of thin films of metals and semiconductors works as follows. Before starting the operation of the evaporator 1 installed in the vacuum chamber, inside the grooves 2, volume elements 3 made of refractory materials W or Mo or Ta are placed on top of one of the materials Au or Ag or Au - Ge or Ge, and evacuate the air from the vacuum chamber to pressure (10 -3 ÷ 10 -4 ) Pa, the samples are heated to their melting temperature, while the sample melts wets the volume elements 3, then the evaporator temperature is increased to the evaporation temperature of the samples melt and the melted samples are evaporated. At the same time on the surface of the substrate, located above the evaporator, a thin film of evaporated substance is formed. The thickness of the metal film obtained using the prototype evaporator can be approximately calculated by the formula (given in the book: Thin Film Technology: Handbook / edited by L. Meissel, R. Glang. -T. 1.-M: Soviet Radio, 1977 , pp. 77-78):
Figure 00000001

где МЕ - масса испаренной навески металла, р - плотность металла, L -расстояние от центра подложки до источника пара с малой площадью поверхности испарения, х - расстояние от центра подложки до рассматриваемой точки на поверхности подложки, при этом максимальная толщина hmах=МЕ/πρL2 пленки имеет место в центре подложки при х=0.where М Е is the mass of the evaporated weight of the metal, p is the density of the metal, L is the distance from the center of the substrate to the vapor source with a small surface area of evaporation, x is the distance from the center of the substrate to the point on the surface of the substrate, the maximum thickness h max = M E / πρL 2 film takes place in the center of the substrate at x = 0.

При испарении навесок с одинаковой массой МЕ с поверхности двух объемных элементов 3, расположенных в канавке 2 симметрично относительно центра испарителя-полезной модели на расстоянии а между центрами объемных элементов 3, толщину пленки металла, полученной с помощью полезной модели, можно приближенно вычислить по формуле:Upon evaporation batches of the same mass M E with the surfaces of two volume elements 3 arranged in the groove 2 symmetrically relative to the center evaporator-utility model at a distance a between the centers of volume elements 3, metal film thickness obtained by the utility model, can be approximately calculated from the formula :

Figure 00000002
Figure 00000002

где МЕ - масса навески металла, испаренной с каждого объемного элемента 3, ρ - плотность металла, L - расстояние от центра подложки до центра испарителя-полезной модели, а - расстояние между центрами объемных элементов 3, х - расстояние от центра подложки до рассматриваемой точки на поверхности подложки, при этом максимальная толщина hmax пленкиwhere М Е is the mass of the metal sample evaporated from each volume element 3, ρ is the metal density, L is the distance from the center of the substrate to the center of the evaporator-utility model, and is the distance between the centers of the volume elements 3, x is the distance from the center of the substrate to the considered points on the substrate surface, with the maximum film thickness h max

имеет место в центре подложки при х=0.takes place in the center of the substrate at x = 0.

Представленные на фиг. 2 и 3 графики зависимостей

Figure 00000003
относительного изменения толщины пленки от расстояния х от центра подложки до рассматриваемой точки на подложке расчитаны сPresented in FIG. 2 and 3 dependency graphs
Figure 00000003
relative changes in film thickness from the distance x from the center of the substrate to the point on the substrate are calculated from

использованием формул (1) и (2) для значения L=150 мм. Из этих графиков следует, что толщина пленки уменьшается от центра подложки к ее краям, при этом величина

Figure 00000004
на полученных с помощью полезной модели пленках на 30% меньше по сравнению с пленками, полученными с использованием испарителя-прототипа, что свидетельствует об увеличении однородности распределения толщины пленки, осаждаемой с помощью заявляемого решения, по площади подложки.using formulas (1) and (2) for the value L = 150 mm. From these graphs it follows that the film thickness decreases from the center of the substrate to its edges, while the value
Figure 00000004
on the films obtained using the utility model, 30% less compared to the films obtained using the prototype evaporator, which indicates an increase in the homogeneity of the distribution of the film thickness, deposited using the proposed solution, over the substrate area.

Кроме этого, наличие не менее двух вставок цилиндрическиобразных объемных элементов позволяет не только увеличить площадь испарения, скорость осаждения и чистоту пленки, массу загружаемого в испаритель испаряемого вещества, но и получать гибридные пленки при использовании различных материалов навесок, размещаемых на смачиваемых расплавом материала вставках: первого, второго и N-того цилидрического объемного тугоплавкого элемента.In addition, the presence of at least two inserts of cylindrical volume elements allows not only to increase the evaporation area, deposition rate and film purity, the mass of the evaporating substance charged to the evaporator, but also to obtain hybrid films using different hinge materials placed on the inserts wetted by the melt material: , the second and Nth cylindrical bulk refractory element.

Claims (1)

Испаритель для вакуумного нанесения тонких гибридных пленок металлов и полупроводников, выполненный в виде углеродного стержня с продольной канавкой для размещения напыляемого материала, имеющей в поперечном сечении вид трапеции, при этом в канавке размещена смачиваемая расплавом напыляемого материала вставка цилиндрического объемного элемента заданной длины из тугоплавкого металла, отличающийся тем, что он содержит дополнительные вставки цилиндрических объемных элементов из тугоплавкого металла, размещенные внутри вдоль канавки с расстоянием между центрами объемных элементов 4÷6 см.Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors, made in the form of a carbon rod with a longitudinal groove to accommodate the sprayed material, having a cross section of a trapezium, while the groove is wetted by the melt of the sprayed material insert of a cylindrical volume element of a given length of refractory metal, characterized in that it contains additional inserts of cylindrical volumetric elements of refractory metal, placed inside along the groove with a distance between the centers of the volume elements 4 ÷ 6 cm.
RU2018125351U 2018-07-10 2018-07-10 Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors RU188872U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018125351U RU188872U1 (en) 2018-07-10 2018-07-10 Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018125351U RU188872U1 (en) 2018-07-10 2018-07-10 Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU188872U1 true RU188872U1 (en) 2019-04-25

Family

ID=66315034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018125351U RU188872U1 (en) 2018-07-10 2018-07-10 Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU188872U1 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU279291A1 (en) * DEVICE FOR APPLYING MULTILAYERED VACUUM COATINGS
US3962988A (en) * 1973-03-05 1976-06-15 Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region
US5330853A (en) * 1991-03-16 1994-07-19 Leybold Ag Multilayer Ti-Al-N coating for tools
SU1605575A1 (en) * 1988-12-19 1996-06-20 А.В. Карамышев Evaporator
RU2066706C1 (en) * 1995-08-16 1996-09-20 Моренков Сергей Петрович Device for deposition of multilayer coats in vacuum
RU54375U1 (en) * 2006-02-27 2006-06-27 Лев Викторович Мисожников INSTALLATION FOR COATING IN VACUUM
RU2507304C1 (en) * 2012-11-19 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors
RU2578148C2 (en) * 2011-08-05 2016-03-20 Пепсико, Инк. Method of producing coated film-type substrate (versions)
RU2630090C2 (en) * 2012-04-20 2017-09-05 Зульцер Метаплас Гмбх Method of applying coating for deploying layer system on substrate and substrate with layer system

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU279291A1 (en) * DEVICE FOR APPLYING MULTILAYERED VACUUM COATINGS
US3962988A (en) * 1973-03-05 1976-06-15 Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region
SU1605575A1 (en) * 1988-12-19 1996-06-20 А.В. Карамышев Evaporator
US5330853A (en) * 1991-03-16 1994-07-19 Leybold Ag Multilayer Ti-Al-N coating for tools
RU2066706C1 (en) * 1995-08-16 1996-09-20 Моренков Сергей Петрович Device for deposition of multilayer coats in vacuum
RU54375U1 (en) * 2006-02-27 2006-06-27 Лев Викторович Мисожников INSTALLATION FOR COATING IN VACUUM
RU2578148C2 (en) * 2011-08-05 2016-03-20 Пепсико, Инк. Method of producing coated film-type substrate (versions)
RU2630090C2 (en) * 2012-04-20 2017-09-05 Зульцер Метаплас Гмбх Method of applying coating for deploying layer system on substrate and substrate with layer system
RU2507304C1 (en) * 2012-11-19 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Evaporator for vacuum application of thin films of metals and semiconductors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101918805B1 (en) Crystal oscillation type film thickness meter
TWI681066B (en) Vacuum deposition apparatus
JP6539801B1 (en) Sample support
TW201225198A (en) Apparatus and methods for evaporation including test wafer holder
JP6535151B1 (en) Laser desorption ionization method and mass spectrometry method
EP1419542A2 (en) Cesium dispensers and process for the use thereof
RU188872U1 (en) Evaporator for vacuum deposition of thin hybrid films of metals and semiconductors
CN100575536C (en) The mixture that is used for evaporation of lithium
EP3686587A1 (en) Sample support body
KR101828671B1 (en) Manufacturing method of organic el display device, film thickness measurement apparatus
Jeon et al. Spontaneous generation of charged atoms or clusters during thermal evaporation of silver
Zink A" Vacuum Cup" Electrode For The Spectrochemical Analysis of Solutions
Tuzhilkin et al. Formation of Au nanoparticles and features of etching of a Si substrate under irradiation with atomic and molecular ions
JP2013257174A (en) Manufacturing method of device having electrode film, and film formation apparatus
US11658018B2 (en) Sample support body
US3028262A (en) Method for the frequency tuning of piezoelectric crystal oscillators
Boukhalfa et al. Ballistic and thermalized regimes to tune structure and conducting properties of W–Mo thin films
Arshi et al. Effect of substrate temperature on the properties of electron beam deposited tantalum films
RU188587U1 (en) Variable Geometry Evaporator for vacuum deposition of thin films
CN116746298A (en) Vapor deposition source for vacuum vapor deposition device
JPH01212759A (en) Target for sputtering inside of tube
Spalvins Deposition of alloy films on complex surfaces by ion plating with flash evaporation
Wu A Review of Nanowire Growth via Vapour Deposition
KR102158781B1 (en) Inverse porous deposited film, method for manufacturing thereof, and substrate for surface enhanced raman scattering comprising the same
JP2004010962A (en) Film with gradient composition and method of forming the film with gradient composition

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20200711