RU2552630C1 - Chip resistor manufacturing method - Google Patents
Chip resistor manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2552630C1 RU2552630C1 RU2014117053/07A RU2014117053A RU2552630C1 RU 2552630 C1 RU2552630 C1 RU 2552630C1 RU 2014117053/07 A RU2014117053/07 A RU 2014117053/07A RU 2014117053 A RU2014117053 A RU 2014117053A RU 2552630 C1 RU2552630 C1 RU 2552630C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- training
- contacts
- chip
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.The invention relates to electronic equipment, namely to the production of permanent resistors, and can be used in electronic, radio engineering and other related industries.
По тонкопленочной технологии изготовления чип-резисторов - резистивный и проводниковый слои формируются путем вакуумного напыления на изолирующую подложку с последующей фотолитографией.According to the thin-film technology for manufacturing chip resistors, the resistive and conductor layers are formed by vacuum deposition on an insulating substrate followed by photolithography.
Известен прецизионный тонкопленочный чип-резистор, защищенный патентом РФ №2123735, кл. Н01С 7/00, опубл. 20.12.1998 г.Known precision thin-film chip resistor, protected by RF patent No. 2123735, class. H01C 7/00, publ. 12/20/1998
В прецизионном тонкопленочном чип-резисторе, содержащем диэлектрическое основание с нанесенной на него керметной резистивной пленкой, контактные элементы и защитное покрытие, нанесенное непосредственно на резистивную пленку, между контактными элементами, защитным покрытием является кремнийорганический материал из ряда алкилалкоксисиланов, на который по всей рабочей поверхности резистора нанесен дополнительно эпоксидно-фенольный материал.In a precision thin-film chip resistor containing a dielectric base coated with a cermet resistive film, contact elements and a protective coating applied directly to the resistive film, between the contact elements, the protective coating is an organosilicon material from a series of alkyl alkoxysilanes on which the entire working surface of the resistor additionally applied epoxy-phenolic material.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести недостаточные эксплуатационные характеристики чип-резисторов, а именно: надежность, стабильность.The disadvantages of the aforementioned method include the insufficient operational characteristics of chip resistors, namely: reliability, stability.
Известен способ изготовления тонкопленочных резисторов, защищенный патентом РФ №2213383, кл. Н01С 17/00, опубл. 27.09.2003. На подложку напыляют резистивный слой и многослойную проводящую структуру. После первой фотолитографии и травления структуры получают проводники и контактные площадки. При второй фотолитографии фоторезистом покрывают все проводники и площадки, за исключением площадок перекрытия резисторов с проводниками, и формируемые резисторы. Затем травлением резистивного слоя формируют тонкопленочные резисторы.A known method of manufacturing thin-film resistors, protected by RF patent No. 2213383, class. H01C 17/00, publ. 09/27/2003. A resistive layer and a multilayer conductive structure are sprayed onto the substrate. After the first photolithography and etching of the structure, conductors and contact pads are obtained. In the second photolithography, all conductors and pads are covered with a photoresist, with the exception of pads of overlapping resistors with conductors, and formed resistors. Then, thin-film resistors are formed by etching the resistive layer.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести недостаточные эксплуатационные характеристики чип-резисторов, а именно: надежность, стабильность.The disadvantages of the aforementioned method include the insufficient operational characteristics of chip resistors, namely: reliability, stability.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности и достигаемому результату, выбранным в качестве прототипа, является способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии, защищенный патентом РФ №2402088, МПК Н01С 17/06, Н01С 17/28, опубл. 20.10.2010 г.The closest to the claimed technical essence and the achieved result, selected as a prototype, is a method of manufacturing precision chip resistors using hybrid technology, protected by RF patent No. 2402088, IPC Н01С 17/06, Н01С 17/28, publ. 10.20.2010 g.
Способ содержит следующие технологические операции: 1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя серебряной или серебряно-палладиевой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки; 2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя; 3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке; 4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне; 5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал; 6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой; 7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы; 8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки; 9) ломку рядов пластины на чипы; 10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля; 11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом.The method includes the following technological operations: 1) applying a layer of silver or silver-palladium paste to the polished (back) surface of the insulating substrate by screen printing, followed by its burning, thereby forming electrode contacts on the back side of the substrate; 2) spraying on the polished (front) side of the insulating substrate by the method of vacuum (thin film) resistive layer technology; 3) the formation by the method of photolithography and ion etching of the topology of the resistive layer on the substrate; 4) applying by the method of screen printing on the front side of the substrate over the resistive layer of low-temperature silver paste with its subsequent firing, thereby forming electrode contacts on the front side; 5) adjustment by the method of laser adjustment of the resistance value of the resistors to the nominal; 6) applying by the method of screen printing on a resistive layer with subsequent burning of a layer of low-temperature protective paste, forming a protective layer; 7) scribing and breaking the plate of the insulating substrate into strips; 8) deposition by vacuum (thin-film) technology from an alloy of nickel with chromium on the ends, thereby connecting the electrode contacts of the front and back sides of the substrate; 9) breaking the rows of the plate into chips; 10) electroplating on top of the electrode contacts - end, on the front and on the back sides - a nickel layer; 11) deposition of a solder layer in the form of an alloy of tin with lead on top of the nickel layer.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести использование дополнительной операции по формированию планарных (электродных) контактов на тыльной стороне подложки, усложняющей технологический процесс производства чип-резистора, а также недостаточные эксплуатационные характеристики чип-резисторов, а именно: надежность, стабильность.The disadvantages of this method include the use of an additional operation to form planar (electrode) contacts on the back of the substrate, which complicates the chip resistor manufacturing process, as well as insufficient operational characteristics of chip resistors, namely reliability, stability.
Задача, решаемая предлагаемым изобретением, - усовершенствование способа изготовления чип-резисторов.The problem solved by the invention is an improvement in the method of manufacturing chip resistors.
Технический результат от использования изобретения заключается в улучшении эксплуатационных характеристик, а именно: улучшении стабильности получаемых резистивных пленок за счет дополнительных операций - термообработки и термотренировки, повышении надежности вследствие отбраковки потенциально ненадежных чип-резисторов на операциях - импульсная тренировка и термоэлектротренировка. Также техническим результатом от использования изобретения является повышение технологичности за счет использования вакуумно-дугового (тонкопленочного) способа формирования планарных контактов на тыльной стороне подложки одновременно с торцевыми контактами, позволяющего исключить операцию формирования планарных контактов на тыльной стороне подложки. Применение дополнительной подгонки в чипах до операции формирования защитного покрытия позволяет получать чип-резисторы с более высокой точностью и стабильностью.The technical result from the use of the invention is to improve the operational characteristics, namely: improving the stability of the obtained resistive films due to additional operations - heat treatment and thermal training, increasing reliability due to the rejection of potentially unreliable chip resistors in operations - pulse training and thermoelectric training. Also the technical result from the use of the invention is to increase manufacturability through the use of a vacuum-arc (thin-film) method of forming planar contacts on the back side of the substrate simultaneously with end contacts, which eliminates the operation of forming planar contacts on the back side of the substrate. The use of additional fitting in the chips before the operation of forming a protective coating allows one to obtain chip resistors with higher accuracy and stability.
Указанный результат достигается тем, что в способе изготовления чип-резисторов, включающем формирование резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формирование планарных контактов на лицевой стороне подложки, лазерную подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, планарные контакты на лицевой стороне подложки формируют по тонкопленочной технологии, а планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами, дополнительно введены операции термообработки, термотренировки, подгонки в чипах, импульсной тренировки и термоэлектротренировки, при этом термообработку осуществляют после формирования резистивного слоя, термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку, формирование защитного слоя и термоэлектротренировку проводят после разделения на чипы.This result is achieved by the fact that in the method of manufacturing chip resistors, which includes forming a resistive layer by sputtering followed by photolithography, forming planar contacts on the front side of the substrate, laser fitting, forming a protective layer, dividing the substrate into strips, forming end contacts using thin-film technology, applying solder, dividing strips into chips, planar contacts on the front side of the substrate are formed using thin-film technology, and planar contacts on the back with The substrates are formed simultaneously with the end contacts; additionally, the operations of heat treatment, heat training, chip fitting, pulse training and thermoelectric training are introduced, while heat treatment is carried out after the formation of the resistive layer, thermal training, chip fitting, pulse training, the formation of the protective layer and thermal electrotraining are carried out after separation on chips.
Сущность предлагаемого способа изготовления чип-резистора состоит в следующем.The essence of the proposed method of manufacturing a chip resistor is as follows.
На фигуре изображена конструкция чип-резистора, способ изготовления которого предлагается в данном изобретении.The figure shows the design of a chip resistor, a manufacturing method of which is proposed in this invention.
В качестве основы чип-резистора используется изолирующая подложка (алюмооксидная пластина) 1. Вначале проводят подготовку изолирующих подложек, заключающуюся в очистке и отжиге. Отжиг проводят в печи при температуре (600±20)°C в течение (60±10) минут. Далее формируют резистивный слой 2 и планарные контакты 3 на лицевой стороне подложки (на которой формируется резистивный слой) посредством напыления с последующей фотолитографией. Далее проводят термообработку, заключающуюся в выдерживании чип-резисторов при температуре в диапазоне (350-550)°C в течение (15-60) минут, лазерную подгонку сопротивления чип-резисторов, производят разделение подложки на полосы. Планарные контакты на тыльной стороне подложки формируют одновременно с торцевыми контактами 4 посредством напыления слоя никеля с подслоем титана и последующим нанесением припоя (сплава олово-свинец). Далее производят лакировку резистивного слоя с последующей сушкой. Далее разделяют полосы на чипы. После этого последовательно производят термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку, формирование защитного слоя 5 посредством окрашивания с последующей сушкой, термоэлектротренировку. Термотренировка заключается в выдерживании чип-резисторов в термостате в течение (8±0,5) часов при температуре (130±20)°C. Импульсная тренировка заключается в стабилизации резистивного слоя чип-резисторов приложенным импульсным напряжением в диапазоне (10-1000) В. Термоэлектротренировка заключается в термостабилизации чип-резисторов при температуре (100±5)°C и приложенном напряжении в течение не менее 2 часов.As the basis of the chip resistor, an insulating substrate (alumina plate) is used 1. First, the preparation of insulating substrates is carried out, which consists in cleaning and annealing. Annealing is carried out in an oven at a temperature of (600 ± 20) ° C for (60 ± 10) minutes. Next, a resistive layer 2 and planar contacts 3 are formed on the front side of the substrate (on which the resistive layer is formed) by sputtering followed by photolithography. Next, heat treatment is carried out, which consists in maintaining the chip resistors at a temperature in the range of (350-550) ° C for (15-60) minutes, laser-tuning the resistance of the chip resistors, and separating the substrate into strips. Planar contacts on the back side of the substrate are formed simultaneously with end contacts 4 by sputtering a nickel layer with a titanium sublayer and then applying solder (tin-lead alloy). Next, the resistive layer is varnished, followed by drying. Next, the bands are divided into chips. After this, thermal training, fitting in chips, pulse training, the formation of a protective layer 5 by coloring with subsequent drying, thermoelectric training are carried out sequentially. Thermal training consists in keeping the chip resistors in the thermostat for (8 ± 0.5) hours at a temperature of (130 ± 20) ° C. Pulse training consists in stabilizing the resistive layer of chip resistors with an applied pulse voltage in the range (10-1000) V. Thermoelectric training consists in thermostabilization of chip resistors at a temperature of (100 ± 5) ° C and an applied voltage for at least 2 hours.
Пример.Example.
В качестве основы чип-резистора использовалась изолирующая подложка (алюмооксидная пластина). Вначале проводили подготовку изолирующих подложек, заключавшуюся в очистке и отжиге. Отжиг проводили в печи при температуре (600±20)°C в течение (60±10) минут. Далее формировали резистивный слой и планарные контакты на лицевой стороне подложки посредством напыления на установке УВН-71П-3 с последующей фотолитографией. Далее проводили термообработку, заключающуюся в выдерживании чип-резисторов при температуре в диапазоне (350-550)°C в течение (15-60) минут, лазерную подгонку сопротивления чип-резисторов методом удаления части резистивного слоя сфокусированным лучом лазера (на машине лазерной для подгонки резисторов МЛ5-2), производили резку подложек на полосы. Планарные контакты на тыльной стороне подложки формировали одновременно с торцевыми контактами посредством напыления слоя никеля с подслоем титана на вакуумной установке НАНОМЕТ-200 с последующим горячим лужением припоем методом окунания в расплавленный припой (сплав олово-свинец при температуре 230-300°C). Далее лакировали токопроводящий слой резистора лаком ЭФ-9179 с помощью кисти с последующей сушкой при температуре 130±20°C в течение 2-2,5 часов, после чего разламывали полосы на чипы. После этого последовательно производили термотренировку, подгонку в чипах, импульсную тренировку. Термотренировка заключалась в выдерживании чип-резисторов в термостате в течение (8±0,5) часов при температуре (130±20)°С. Импульсная тренировка заключалась в стабилизации резистивного слоя чип-резисторов приложенным импульсным напряжением в диапазоне (10-1000) В. Далее формировали защитный слой посредством окрашивания кистью с использованием эмали ЭПИМАЛЬ-992Э (сушка в печи при температуре 165±10°C в течение 50-60 минут), после чего производили термоэлектротренировку. Термоэлектротренировка заключалась в термостабилизации чип-резисторов при температуре (100±5)°C и приложенном напряжении в течение не менее 2 часов.An insulating substrate (alumina plate) was used as the basis of the chip resistor. Initially, the preparation of insulating substrates was carried out, which consisted of cleaning and annealing. Annealing was carried out in an oven at a temperature of (600 ± 20) ° C for (60 ± 10) minutes. Next, a resistive layer and planar contacts were formed on the front side of the substrate by sputtering at the UVN-71P-3 installation, followed by photolithography. Next, heat treatment was carried out, which consisted of keeping the chip resistors at a temperature in the range of (350-550) ° C for (15-60) minutes, laser fitting the resistance of the chip resistors by removing part of the resistive layer with a focused laser beam (on a laser machine for fitting resistors ML5-2), made the cutting of substrates into strips. Planar contacts on the back side of the substrate were formed simultaneously with end contacts by sputtering a nickel layer with a titanium sublayer on a NANOMET-200 vacuum unit, followed by hot tinning of the solder by dipping into molten solder (tin-lead alloy at a temperature of 230-300 ° C). Then, the conductive layer of the resistor was varnished with EF-9179 varnish using a brush, followed by drying at a temperature of 130 ± 20 ° C for 2-2.5 hours, after which the bands were broken into chips. After that, thermal training, fitting in chips, and pulse training were performed sequentially. The thermal training consisted of keeping the chip resistors in the thermostat for (8 ± 0.5) hours at a temperature of (130 ± 20) ° С. The pulse training consisted in stabilizing the resistive layer of chip resistors with an applied pulse voltage in the range of (10-1000) V. Then, a protective layer was formed by brush painting using EPIMAL-992E enamel (drying in an oven at a temperature of 165 ± 10 ° C for 50- 60 minutes), after which thermoelectric training was performed. Thermoelectric training consisted in thermostabilization of chip resistors at a temperature of (100 ± 5) ° C and an applied voltage for at least 2 hours.
Полученные резисторы имели следующие технические характеристики.The resulting resistors had the following specifications.
Сопротивление резисторов измеряли по ГОСТ 21342.20-78 «Резисторы. Метод измерения сопротивления. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряли согласно ГОСТ 21342.15-78 «Резисторы. Метод определения температурной зависимости сопротивления». Наработку оценивали по ГОСТ 25359-82 «Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний». Прочность контактных узлов резисторов на воздействие сдвигающей силы контролируют при креплении резисторов путем припаивания за контактные поверхности (торцевые контакты) к металлизированным серебром и облуженным площадкам на керамической плате. Направление приложения усилия - параллельно торцу чип-резистора. Значение нагрузки для резисторов типоразмера 0805 значительно превысило 0,15 кгс, а для типоразмеров 1206 и 2010 значительно превысило 0,3 кгс.The resistance of the resistors was measured according to GOST 21342.20-78 “Resistors. Method of measuring resistance. The temperature coefficient of resistance (TCS) was measured according to GOST 21342.15-78 “Resistors. Method for determining the temperature dependence of resistance. " The operating time was evaluated according to GOST 25359-82 “Products of electronic equipment. General reliability requirements and test methods. " The strength of the contact nodes of the resistors under the action of shear forces is controlled when fastening the resistors by soldering over the contact surfaces (end contacts) to silver metallized and tinned areas on a ceramic plate. The direction of application of force is parallel to the end face of the chip resistor. The load value for resistors of size 0805 significantly exceeded 0.15 kgfs, and for sizes 1206 and 2010 significantly exceeded 0.3 kgfs.
Таким образом, использование предлагаемого изобретения позволяет улучшить эксплуатационные характеристики чип-резисторов, а именно: стабильность получаемых резистивных пленок за счет дополнительных операций - термообработки и термотренировки, надежность вследствие отбраковки потенциально ненадежных чип-резисторов на операциях - импульсная тренировка и термоэлектротренировка. Предлагаемая технология изготовления чип-резисторов является более технологичной по сравнению с прототипом за счет использования вакуумно-дугового (тонкопленочного) способа формирования планарных контактов на тыльной стороне подложки одновременно с торцевыми контактами, позволяющего исключить операцию формирования планарных контактов на тыльной стороне подложки. Применение дополнительной подгонки в чипах до операции формирования защитного покрытия позволяет получать чип-резисторы с более высокой точностью и стабильностью.Thus, the use of the invention allows to improve the operational characteristics of chip resistors, namely: the stability of the obtained resistive films due to additional operations - heat treatment and thermal training, reliability due to the rejection of potentially unreliable chip resistors in operations - pulse training and thermoelectric training. The proposed manufacturing technology of chip resistors is more technologically advanced compared to the prototype due to the use of a vacuum-arc (thin-film) method of forming planar contacts on the back side of the substrate simultaneously with end contacts, which eliminates the operation of forming planar contacts on the back side of the substrate. The use of additional fitting in the chips before the operation of forming a protective coating allows one to obtain chip resistors with higher accuracy and stability.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014117053/07A RU2552630C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Chip resistor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014117053/07A RU2552630C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Chip resistor manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2552630C1 true RU2552630C1 (en) | 2015-06-10 |
Family
ID=53295006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014117053/07A RU2552630C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Chip resistor manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2552630C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2628111C1 (en) * | 2016-11-15 | 2017-08-15 | Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" | Manufacture method of thin-film chip resistors |
| RU2639313C2 (en) * | 2016-03-11 | 2017-12-21 | Акционерное общество "Финансово-промышленная компания "Энергия" | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor |
| RU2645810C1 (en) * | 2016-10-18 | 2018-03-01 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator |
| RU2780035C1 (en) * | 2021-10-06 | 2022-09-19 | Акционерное общество «Финансово-промышленная компания «Энергия» | Method for manufacturing pyrotechnic resistors |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271812B (en) * | 1954-10-20 | 1968-07-04 | Siemens Ag | Capless electrical resistance and process for its manufacture |
| DE3023133A1 (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wireless chip resistor, using thin alloy film on polyimide foil - esp. for use in automatic machines fixing the resistors on printed circuit boards |
| RU2123735C1 (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-20 | Конструкторское бюро "ИКАР" | Thin-film precision chip resistor |
| RU2213383C2 (en) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Method for manufacturing thin-film resistors |
| RU2338283C1 (en) * | 2007-10-23 | 2008-11-10 | Оао "Нпо "Эркон" | Material for production of thin-film resistors |
| RU2340024C1 (en) * | 2007-10-23 | 2008-11-27 | Оао "Нпо "Эркон" | Material or making thin-film resistors |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
-
2014
- 2014-04-25 RU RU2014117053/07A patent/RU2552630C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271812B (en) * | 1954-10-20 | 1968-07-04 | Siemens Ag | Capless electrical resistance and process for its manufacture |
| DE3023133A1 (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wireless chip resistor, using thin alloy film on polyimide foil - esp. for use in automatic machines fixing the resistors on printed circuit boards |
| RU2123735C1 (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-20 | Конструкторское бюро "ИКАР" | Thin-film precision chip resistor |
| RU2213383C2 (en) * | 2002-02-18 | 2003-09-27 | Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" | Method for manufacturing thin-film resistors |
| RU2338283C1 (en) * | 2007-10-23 | 2008-11-10 | Оао "Нпо "Эркон" | Material for production of thin-film resistors |
| RU2340024C1 (en) * | 2007-10-23 | 2008-11-27 | Оао "Нпо "Эркон" | Material or making thin-film resistors |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2639313C2 (en) * | 2016-03-11 | 2017-12-21 | Акционерное общество "Финансово-промышленная компания "Энергия" | Method of manufacturing low-resistance chip-resistor |
| RU2645810C1 (en) * | 2016-10-18 | 2018-03-01 | Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator |
| RU2628111C1 (en) * | 2016-11-15 | 2017-08-15 | Акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники" | Manufacture method of thin-film chip resistors |
| RU2780035C1 (en) * | 2021-10-06 | 2022-09-19 | Акционерное общество «Финансово-промышленная компания «Энергия» | Method for manufacturing pyrotechnic resistors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2402088C1 (en) | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology | |
| CN109527660B (en) | Manufacturing method of electronic cigarette film heating sheet | |
| RU2497217C1 (en) | Method for making thick-film resistive elements | |
| JPH1126204A (en) | Resistor and manufacture thereof | |
| CN107615410B (en) | Chip resister | |
| RU2552630C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| US8987864B2 (en) | Array type chip resistor and method of manufacturing thereof | |
| RU2551905C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| JPH08138902A (en) | Chip resistor and manufacture thereof | |
| KR100807217B1 (en) | Ceramic component and Method for the same | |
| RU2552626C1 (en) | Thick-film resistor fabrication method | |
| RU2755344C1 (en) | Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators | |
| RU2583952C1 (en) | Method for producing thin film resistor | |
| RU2552631C1 (en) | Thick-film resistor fabrication method | |
| US4694568A (en) | Method of manufacturing chip resistors with edge around terminations | |
| JPH04293214A (en) | Conductive paste for chip type electronic component | |
| JP2021193710A (en) | Thick film resistor and manufacturing method thereof | |
| TWM618287U (en) | Multilayer varistor | |
| JPS634327B2 (en) | ||
| US20240212892A1 (en) | Laminated ceramic component | |
| JP5879498B2 (en) | Chip resistor and manufacturing method thereof | |
| JP2013168526A (en) | Multilayer electronic component and manufacturing method therefor | |
| JP2718232B2 (en) | Manufacturing method of square plate type thin film chip resistor | |
| JP4828710B2 (en) | Chip resistor and manufacturing method thereof | |
| JP2718196B2 (en) | Manufacturing method of square plate type thin film chip resistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20170919 |
|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20180208 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20180417 Effective date: 20180417 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |