[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2755344C1 - Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators - Google Patents

Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators Download PDF

Info

Publication number
RU2755344C1
RU2755344C1 RU2020133678A RU2020133678A RU2755344C1 RU 2755344 C1 RU2755344 C1 RU 2755344C1 RU 2020133678 A RU2020133678 A RU 2020133678A RU 2020133678 A RU2020133678 A RU 2020133678A RU 2755344 C1 RU2755344 C1 RU 2755344C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
minutes
temperature
resistive
layer
paste
Prior art date
Application number
RU2020133678A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Максим Сергеевич Васютин
Виктор Григорьевич Косушкин
Сергей Александрович Адарчин
Дмитрий Петрович Островский
Юлий Николаевич Бендрышев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН"
Priority to RU2020133678A priority Critical patent/RU2755344C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2755344C1 publication Critical patent/RU2755344C1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Abstract

FIELD: electronic technology.
SUBSTANCE: invention relates to electronic technology, and specifically to the production of thick-film structures based on samarium monosulfide, which can be used in the production of thermal power generators (TPG). In the proposed method, a resistive layer is applied in the required proportions from a mixture of the first resistive paste and the second paste containing samarium monosulfide (SmS) particles, while the applied layers are burned in two cycles at a temperature of 750-850°C for 50 minutes, in 7-10 minutes of which the burning is carried out at the maximum temperature, and at a temperature of 820-1200°C for 50 minutes, in 10-20 minutes of which at the maximum temperature.
EFFECT: increasing the yield of suitable TPG structures with a high efficiency coefficient on the contact pads of the conductor layer.
1 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству толстопленочных структур на основе моносульфида самария (SmS). Полупроводниковые материалы на основе моносульфида самария являются перспективными для создания n-типа термоэлектрогенераторов (ТЭГ). Изобретение может быть использовано в электронной, радиотехнической, атомной промышленности, в медицине и других отраслях промышленностиThe invention relates to electronic engineering, namely the production of thick-film structures based on samarium monosulfide (SmS). Semiconductor materials based on samarium monosulfide are promising for the creation of n-type thermoelectric generators (TEG). The invention can be used in electronic, radio engineering, nuclear industry, medicine and other industries

Уровень техникиState of the art

Известен способ изготовления толстопленочных резисторов, защищенный патентом [1], согласно которому резистор изготавливается традиционными методами толстопленочной технологии, включающими последовательное нанесение методом трафаретной печати на какую-либо подложку проводниковых и резистивного слоев, их сушку и вжигание в воздушной атмосфере при требуемых температурах, причем сначала наносят первый проводниковый слой. Стекло или стеклокерамическая композиция, содержащиеся в резистивном слое, имеют в своем составе вещества, способные к восстановлению (оксиды переходных металлов в высшей степени окисления или их соединения). В результате их восстановления при вжигании в резистивном слое образуется электропроводящая фаза.There is a known method of manufacturing thick-film resistors, protected by the patent [1], according to which the resistor is made by traditional methods of thick-film technology, including sequential screen printing on any substrate of conductive and resistive layers, drying and burning them in an air atmosphere at required temperatures, and first the first conductive layer is applied. Glass or glass-ceramic composition contained in the resistive layer contains substances capable of reduction (transition metal oxides in the highest oxidation state or their compounds). As a result of their recovery during firing, an electrically conductive phase is formed in the resistive layer.

Недостатком известного способа является низкий коэффициент полезного действия теплоэлектрического генератора.The disadvantage of this method is the low efficiency of the thermoelectric generator.

Известен способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии, защищенный патентом [2], который включает последовательное формирование на изоляционной подложке на основе толстопленочной технологии электродных контактов. На основе тонкопленочной технологии формируется резистивный слой с последующим ломанием изоляционной подложки на чипы. Вначале на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки наносят методом трафаретной печати слой серебряной или серебряно-палладиевой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки. Затем на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии напыляют резистивный слой, методом фотолитографии и ионного травления осуществляют образование топологии резистивного слоя на подложке, после чего методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя наносят слой низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне. Далее методом лазерной подгонки подгоняют величину сопротивления резисторов в номинал. Затем методом трафаретной печати наносят на резистивный слой с последующим вжиганием слой низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой, скрайбируют и ломают пластину изоляционной подложки на ряды (полосы). Методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на горцы рядов напыляют торцевой слой, соединяя при этом электрически между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки, ломают ряды на чипы, гальваническим методом наносят поверх электродов -торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слой никеля, а поверх слоя никеля гальваническим методом наносят слой припоя (сплав олова со свинцом).There is a known method of manufacturing precision chip resistors using hybrid technology, protected by a patent [2], which includes sequential formation of electrode contacts on an insulating substrate based on thick-film technology. Based on thin-film technology, a resistive layer is formed, followed by breaking the insulating substrate into chips. First, a layer of silver or silver-palladium paste is applied to the ground (back) surface of the insulating substrate by screen printing, followed by its firing, thereby forming electrode contacts on the back side of the substrate. Then, a resistive layer is sprayed onto the polished (front) side of the insulating substrate using the vacuum (thin-film) technology, the topology of the resistive layer is formed on the substrate by photolithography and ion etching, after which a layer of low-temperature silver paste with its subsequent firing, thereby forming electrode contacts on the front side. Further, by the method of laser trimming, the value of the resistance of the resistors is adjusted to the nominal value. Then, by the method of screen printing, a layer of low-temperature protective paste is applied to the resistive layer, followed by burning in a layer of low-temperature protective paste, forming a protective layer, scribing and breaking the plate of the insulating substrate into rows (strips). Using the method of vacuum (thin-film) technology from an alloy of nickel with chromium, the end layer is sprayed onto the highlanders of the rows, while electrically connecting the electrode contacts of the front and back sides of the substrate, breaking the rows onto chips, electroplating over the electrodes - front, front and back the sides - a layer of nickel, and a layer of solder (tin-lead alloy) is applied over the nickel layer by the galvanic method.

Недостатком аналога является большое количество технологических операций как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологии, что делает трудоемкой его техническую реализацию.The disadvantage of the analogue is a large number of technological operations both in thin-film and thick-film technologies, which makes its technical implementation laborious.

Наиболее близким к заявляемому по технической сущности и достигаемому результату, выбранным в качестве прототипа, является способ изготовления толстопленочных резистивных элементов, защищенный патентом [3].Closest to the claimed technical essence and the achieved result, selected as a prototype, is a method of manufacturing thick-film resistive elements, protected by a patent [3].

Данный способ изготовления толстопленочных резистивных элементов включает последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев и, вжигание в воздушной атмосфере.This method of manufacturing thick-film resistive elements includes sequential screen printing of conductive and resistive layers on an insulating substrate and firing in an air atmosphere.

В способе чередуют нанесение проводникового слоя с вжиганием его на отдельные участки изолирующей подложки, при температуре 840-860°С в течение 55±5 минут, затем осуществляют нанесение резистивного слоя, а вжигание его при температуре 805±2°С в течение 70±5 минут, затем производят контроль номинала резистивных элементов, при завышенном номинале подгонку производят при температуре 820±10°С в течение 5-10 минут, а при заниженном номинале при температуре 690±10°С в течение 5-10 минут, далее производят лужение в расплавленном припое окунанием при температуре 250±10°СThe method alternates the application of a conductive layer with burning it into separate sections of the insulating substrate, at a temperature of 840-860 ° C for 55 ± 5 minutes, then applying a resistive layer, and burning it at a temperature of 805 ± 2 ° C for 70 ± 5 minutes, then the rating of the resistive elements is monitored, if the nominal is overestimated, the adjustment is carried out at a temperature of 820 ± 10 ° C for 5-10 minutes, and if the nominal is too low, at a temperature of 690 ± 10 ° C for 5-10 minutes, then tinning is performed in molten solder by dipping at a temperature of 250 ± 10 ° С

На фиг. 1 изображена изолирующая подложка с проводниковыми и резистивными слоями.FIG. 1 shows an insulating substrate with conductive and resistive layers.

Изолирующая подложка с проводниковыми и резистивными слоями состоит из изолирующей подложки 1 с торцами 2, 3, и плоскостями 4, 5 Изготовление толстопленочных резисторов по предлагаемому способу производят следующим образом: проводники и резисторы изготавливаются способом трафаретной печати. На изолирующую подложку 1 (торцы 2 и 3 и плоскости 4 и 5) последовательно наносят проводниковую пасту, например, серебряно-палладиевую. После каждого нанесения вжигают на воздухе при температуре 850°С в течение 50 минут. Затем наносят резистивную, например, рутениевую пасту 6 и вжигают на воздухе при температуре 805°С в течение 70 минут.An insulating substrate with conductive and resistive layers consists of an insulating substrate 1 with ends 2, 3, and planes 4, 5. Thick-film resistors are manufactured according to the proposed method as follows: conductors and resistors are made by screen printing. On the insulating substrate 1 (ends 2 and 3 and planes 4 and 5), a conductive paste, for example, silver-palladium, is sequentially applied. After each application, they are burned in air at a temperature of 850 ° C for 50 minutes. Then a resistive, for example, ruthenium paste 6 is applied and burned in air at a temperature of 805 ° C for 70 minutes.

Недостатком этого способа толстопленочных резистивных элементов является недостаточно высокий выход годных годных элементов тепло-электрогенератора, связанный большим числом технологических операцийThe disadvantage of this method of thick-film resistive elements is an insufficiently high yield of suitable suitable elements of a heat-electric generator, associated with a large number of technological operations

Техническая задачаTechnical challenge

Техническим результатом является повышение выхода годных резистивных элементов тепло- электрогенератора с высоким коэффициентом полезного действия за счет повышения управляемости технологического процессаThe technical result is an increase in the yield of suitable resistive elements of a heat-electric generator with a high efficiency due to an increase in the controllability of the technological process

РешениеSolution

Для решения поставленной технической задачи предлагается следующее изобретение:To solve the technical problem posed, the following invention is proposed:

Способ изготовления толстопленочных структур на основе моносульфида самария (SmS), включающий последовательное нанесение на изолирующую подложку методом трафаретной печати проводникового слоя и резистивного слоя, отличающийся тем, что на контактные площадки проводникового слоя наносят резистивный слой из смеси в необходимых пропорциях первой резистивной пасты и второй пасты, содержащей частицы моносульфида самария (SmS), при этом вжигание нанесенных слоев проводят двумя циклами при температуре 750 - 850°С в течение 50 минут, 7-10 минут из которых вжигание проводят при максимальной температуре, и при температуре 820 - 1200°С в течение 50 минут, 10-20 минут из которых проводят вжигание при максимальной температуре.A method of manufacturing thick-film structures based on samarium monosulfide (SmS), including sequential screen printing of a conductive layer and a resistive layer on an insulating substrate, characterized in that a resistive layer is applied to the contact pads of the conductive layer from a mixture in the required proportions of the first resistive paste and the second paste containing particles of samarium monosulfide (SmS), while the deposited layers are fired in two cycles at a temperature of 750 - 850 ° C for 50 minutes, 7-10 minutes of which the firing is carried out at a maximum temperature, and at a temperature of 820 - 1200 ° C in within 50 minutes, 10-20 minutes of which are fired at maximum temperature.

Главным преимуществом способа является то, что им возможно создать достаточно толстые слои структур сульфида самария (до 200 мкм), а большой объем рабочего вещества (слой толщиной более 1 мкм) обуславливает большую мощность генерируемого сигнала, чем в сульфид-самариевых структурах, полученных с использованием технологии тонких пленок.The main advantage of the method is that it is possible for them to create sufficiently thick layers of samarium sulfide structures (up to 200 μm), and a large volume of the working substance (a layer with a thickness of more than 1 μm) determines a higher power of the generated signal than in sulfide-samarium structures obtained using thin film technology.

В качестве основы изготавливаемых элементов тепло-электрогенераторов используется изолирующая подложка (например, керамическая пластина). Методом трафаретной печати на поверхности пластины формируются проводниковые слои с использованием проводниковых паст. На сформированные контактные площадки и между ними наносится паста, содержащая частицы моносульфида самария, на основе которой будут сформированы резистивные элементы тепло-электрогенератора. Резистивные элементы на основе моносульфида самария формируются путем смешивания стандартной резистивной пасты с пастой на основе моносульфида самария, сушку для удаления легколетучего компонента и двух циклов вжигания при различной температуре. Режим вжигания включает термообработку в диапазоне температур 750 - 850°С длительностью 50 минут, 7-10 минут из которых проводятся при максимальной температуре, второй цикл вжигания длительностью 50 минут в диапазоне температур 820 - 1200°С, 10-20 минут из которых проводятся при максимальной температуре.An insulating substrate (for example, a ceramic plate) is used as the basis for the manufactured elements of heat and power generators. By screen printing, conductive layers are formed on the surface of the wafer using conductive pastes. A paste containing particles of samarium monosulfide is applied to the formed contact pads and between them, on the basis of which resistive elements of a heat-electric generator will be formed. Samarium monosulphide resistors are formed by mixing a standard resistive paste with samarium monosulphide paste, drying to remove the volatile component, and two firing cycles at different temperatures. The firing mode includes heat treatment in the temperature range 750 - 850 ° C for 50 minutes, 7-10 minutes of which are carried out at the maximum temperature, the second firing cycle lasting 50 minutes in the temperature range 820 - 1200 ° C, 10-20 minutes of which are carried out at maximum temperature.

Нанесение всех слоев проводится методом трафаретной печати. Вначале наносится первый слой - проводниковый, для создания контактов и вжигание этого слоя.All layers are applied by screen printing. First, the first layer is applied - conductive, to create contacts and burn this layer.

Затем на полученные контактные площадки наносят резистивный слой из смеси в необходимых пропорциях первой резистивной пасты и второй пасты, содержащей частицы моносульфида самария (SmS), при этом вжигание нанесенных слоев проводят двумя циклами при температуре 750 -850°С в течение 50 минут, 7 - 10 минут из которых вжигание проводят при максимальной температуре, и при температуре 820 - 1200°С в течение 50 минут, 10-20 минут из которых проводят вжигание при максимальной температуре.Then, a resistive layer is applied to the obtained contact pads from a mixture in the required proportions of the first resistive paste and the second paste containing particles of samarium monosulfide (SmS), while the deposited layers are fired in two cycles at a temperature of 750 -850 ° C for 50 minutes, 7 - 10 minutes of which the firing is carried out at the maximum temperature, and at a temperature of 820 - 1200 ° C for 50 minutes, 10-20 minutes of which the firing is carried out at the maximum temperature.

Пример.Example.

Контроль параметров, полученных тепло-электрогенераторов (ТЭГ) проаодили с использованием массивной подогреваемой медной пластины. Подогрев, осуществляли с помощью промышленного фена до температуры 135°С. Контроль температуры осуществляли с помощью медь-коистантановых термопар, заделанных в объем пластины так, чтобы можно было оценить однородность распределения температуры исследуемого образца. В проведенных экспериментах однородность температуры находилась в пределах 1°С.The parameters of the obtained heat and power generators (TEG) were monitored using a massive heated copper plate. Heating was carried out using an industrial hair dryer to a temperature of 135 ° C. Temperature control was carried out using copper-coistantane thermocouples embedded in the volume of the plate so that it was possible to evaluate the uniformity of the temperature distribution of the sample under study. In the experiments carried out, the temperature uniformity was within 1 ° C.

Для измерения параметров, полученных ТЭГ сигнал с контактов прибора через АЦП выводили на компьютер и проводили статистическую обработку результатов измерений. Напряжение, вырабатываемое ТЭГ составляло 35±1 мВ, а мощность при нагрузке 1 Ом составила 175±5 мкВт. Воспроизводимость процесса проверяли измерением параметров ТЭГ в течение 20 дней, оценивая среднеквадратичное отклонение результатов по стандартной методикее статистической обработки результатов измерений.To measure the parameters obtained by the TEG, the signal from the contacts of the device through the ADC was output to a computer and statistical processing of the measurement results was carried out. The voltage generated by the TEG was 35 ± 1 mV, and the power at a load of 1 Ohm was 175 ± 5 μW. The reproducibility of the process was checked by measuring the TEG parameters for 20 days, evaluating the standard deviation of the results according to the standard method of statistical processing of the measurement results.

Для сравнения был изготовлен термоэлектрический генератор по способу - прототипу. В результате сравнительных испытаний было определено, что воспроизводимость параметров ТЭГ, изготовленных по предлагаемому способу, превосходила воспроизводимость параметров ТЭГ, изготовленного по способу - прототипу, не менее чем в 7 раз. Выход годных приборов, прошедших ресурсные испытания превысил 90%, что превысило аналогичный показатель по способу - прототипу на 25 - 30%.For comparison, a thermoelectric generator was manufactured according to the prototype method. As a result of comparative tests, it was determined that the reproducibility of the parameters of the TEG manufactured by the proposed method exceeded the reproducibility of the parameters of the TEG manufactured by the prototype method by at least 7 times. The yield of suitable devices that have passed life tests exceeded 90%, which exceeded the same indicator for the prototype method by 25 - 30%.

ЛитератураLiterature

1. Патент RU 2086027, кл. Н01С 17/06, опубл. 27.07.19971. Patent RU 2086027, cl. Н01С 17/06, publ. 07/27/1997

2. Патент RU 2402088, кл. Н01С 17/06, опубл. 20.10.20102. Patent RU 2402088, cl. Н01С 17/06, publ. 20.10.2010

3. Патент RU 2497217, кл. Н01С 17/06, опубл. 27.10.20133. Patent RU 2497217, cl. Н01С 17/06, publ. 27.10.2013

Claims (1)

Способ изготовления толстопленочных структур на основе моносульфида самария (SmS), включающий последовательное нанесение на изолирующую подложку методом трафаретной печати проводникового слоя и резистивного слоя, отличающийся тем, что на контактные площадки проводникового слоя наносят резистивный слой из смеси в необходимых пропорциях первой резистивной пасты и второй пасты, содержащей частицы моносульфида самария (SmS), при этом вжигание нанесенных слоев проводят двумя циклами при температуре 750-850°С в течение 50 минут, 7-10 минут из которых вжигание проводят при максимальной температуре, и при температуре 820-1200°С в течение 50 минут, 10-20 минут из которых проводят вжигание при максимальной температуре.A method of manufacturing thick-film structures based on samarium monosulfide (SmS), including sequential screen printing of a conductive layer and a resistive layer on an insulating substrate, characterized in that a resistive layer is applied to the contact pads of the conductive layer from a mixture in the required proportions of the first resistive paste and the second paste containing particles of samarium monosulfide (SmS), while the deposited layers are burned in two cycles at a temperature of 750-850 ° C for 50 minutes, 7-10 minutes of which the burning is carried out at a maximum temperature, and at a temperature of 820-1200 ° C in within 50 minutes, 10-20 minutes of which are fired at maximum temperature.
RU2020133678A 2020-10-13 2020-10-13 Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators RU2755344C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020133678A RU2755344C1 (en) 2020-10-13 2020-10-13 Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020133678A RU2755344C1 (en) 2020-10-13 2020-10-13 Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2755344C1 true RU2755344C1 (en) 2021-09-15

Family

ID=77745642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020133678A RU2755344C1 (en) 2020-10-13 2020-10-13 Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2755344C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2770906C1 (en) * 2021-12-17 2022-04-25 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Method for producing thick-film resistors
RU2776657C1 (en) * 2021-11-22 2022-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Method for obtaining thick-film resistors

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63272005A (en) * 1987-04-30 1988-11-09 Taiyo Yuden Co Ltd Electric resistor and manufacture thereof
RU2086027C1 (en) * 1994-05-18 1997-07-27 Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Method for manufacturing of thick-film resistors
JP2006108610A (en) * 2004-09-07 2006-04-20 Tdk Corp Conductive material, resistor paste, resistor and electronic component
RU2402088C1 (en) * 2009-11-12 2010-10-20 Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology
RU2497217C1 (en) * 2012-06-01 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Method for making thick-film resistive elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63272005A (en) * 1987-04-30 1988-11-09 Taiyo Yuden Co Ltd Electric resistor and manufacture thereof
RU2086027C1 (en) * 1994-05-18 1997-07-27 Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Method for manufacturing of thick-film resistors
JP2006108610A (en) * 2004-09-07 2006-04-20 Tdk Corp Conductive material, resistor paste, resistor and electronic component
RU2402088C1 (en) * 2009-11-12 2010-10-20 Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology
RU2497217C1 (en) * 2012-06-01 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Method for making thick-film resistive elements

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2776657C1 (en) * 2021-11-22 2022-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Method for obtaining thick-film resistors
RU2770906C1 (en) * 2021-12-17 2022-04-25 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Method for producing thick-film resistors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2497217C1 (en) Method for making thick-film resistive elements
US6120835A (en) Process for manufacture of thick film hydrogen sensors
JPH01109250A (en) Gas sensor
RU2755344C1 (en) Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators
CA1073556A (en) Article with electrically-resistive glaze for use in high-electric fields and method of making same
Jordan et al. Model and Characterization of ${\rm VO} _ {2} $ Thin-Film Switching Devices
KR101628414B1 (en) Sensor device and method for menufacture
RU2755943C1 (en) Method for producing thick-film resistors
RU2552630C1 (en) Chip resistor manufacturing method
US8284012B2 (en) Ultra-stable refractory high-power thin film resistors for space applications
CN102539004B (en) Method of manufacturing temperature sensor
US3842495A (en) Control of rate of change of resistance as a function of temperature in manufacture of resistance elements
RU2551905C1 (en) Chip resistor manufacturing method
RU2583952C1 (en) Method for producing thin film resistor
JP6331936B2 (en) Copper-nickel thick film resistor and manufacturing method thereof
RU2552626C1 (en) Thick-film resistor fabrication method
Gierczak et al. Fabrication and characterization of mixed thin-/thick-film thermoelectric microgenerator based on constantan/chromium and silver arms
RU2552631C1 (en) Thick-film resistor fabrication method
Gierczak et al. Design, fabrication and experimental characterization of mixed thick-/thin film thermoelectric microgenerators based on constantan/silver
Chen et al. Physical model of burst noise in thick-film resistors
Narayan et al. Formation of Ohmic contacts in semiconducting oxides
RU2770906C1 (en) Method for producing thick-film resistors
KR101848764B1 (en) Micro temperature sensor and fabrication method of the same
RU2367051C1 (en) High-voltage resistor fuse
CN117500352A (en) Broadband thin film thermoelectric converter and preparation method thereof