RU2645810C1 - Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator - Google Patents
Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2645810C1 RU2645810C1 RU2016141005A RU2016141005A RU2645810C1 RU 2645810 C1 RU2645810 C1 RU 2645810C1 RU 2016141005 A RU2016141005 A RU 2016141005A RU 2016141005 A RU2016141005 A RU 2016141005A RU 2645810 C1 RU2645810 C1 RU 2645810C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chip
- thin
- substrate
- face
- resistive
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 8
- MXYAPMQTRLKMAI-UHFFFAOYSA-N [V].[Ni].[Cu] Chemical compound [V].[Ni].[Cu] MXYAPMQTRLKMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011093 chipboard Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных чип резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов.The invention relates to the field of electronics and can be used in the manufacture of thin-film resistive high-frequency (RF) attenuators.
Известен способ изготовления тонкопленочных чип резисторов [1], заключающийся в напылении на керамическую подложку резистивного слоя, формирования методами фотолитографии конфигурации резистивного слоя, напылении и формировании контактных площадок, проведении операций подгонки в заданный номинал тонкопленочного резистора, нанесении защитного слоя, проведении операций облуживания контактных площадок и резки подложки на отдельные чип резисторы. Недостатком этого способа изготовления является то, что чип резистор имеет контактные площадки на стороне напыленного резистивного слоя, что предполагает его монтаж на печатную плату лицевой стороной. Так как на лицевой стороне нанесен резистивный слой, то нельзя его крепить на контактную поверхность печатной платы для лучшего теплоотвода с целью увеличения потребляемой мощности.A known method of manufacturing thin-film chip resistors [1], which consists in spraying a resistive layer on a ceramic substrate, forming a resistive layer by photolithography methods, spraying and forming contact pads, performing operations of fitting a thin-film resistor to a given nominal value, applying a protective layer, performing contact pad tinning operations and cutting the substrate into separate chip resistors. The disadvantage of this manufacturing method is that the chip resistor has pads on the side of the sprayed resistive layer, which implies its installation on the printed circuit board with the front side. Since a resistive layer is applied on the front side, it cannot be mounted on the contact surface of the printed circuit board for better heat dissipation in order to increase power consumption.
Известен аттенюатор с пленочными резисторами [2], включавший тонкопленочные резисторы, соединенные между собой с образованием Т-образной конструкции, размещенные на керамической плате и теплоотводящем корпусе. Контактные площадки резисторов выведены на края платы, покрыты припоем и соединяются с другими платами при помощи проволочных или ленточных выводов. Тыльная сторона платы металлизируется, покрывается припоем и припаивается к теплоотводящему корпусу. Способ изготовления такого тонкопленочного ВЧ резистивного аттенюатора заключается в формировании на лицевой стороне подложки резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, формировании планарных контактных площадок, нанесении припоя на контактные площадки.Known attenuator with film resistors [2], including thin-film resistors interconnected with the formation of a T-shaped design, placed on a ceramic board and heat sink body. The contact pads of the resistors are brought to the edges of the board, covered with solder and connected to other boards using wire or ribbon leads. The back side of the board is metallized, covered with solder and soldered to the heat sink body. A method of manufacturing such a thin-film RF resistive attenuator consists in forming a resistive layer on the front side of the substrate by sputtering followed by photolithography, forming planar contact pads, applying solder to the contact pads.
Недостатком такого аттенюатора и способа его изготовления является то, что он не может быть использован в качестве законченного самостоятельного чип резистивного ВЧ аттенюатора, а используется в составе цепочки из нескольких ячеек. Другим недостатком такого способа изготовления является то, что общий вывод Т-образной схемы аттенюатора соединяется с теплоотводящим корпусом при помощи проволочных или ленточных выводов, что может привести к отрыву контактных площадок при работе в жестких температурных условиях.The disadvantage of such an attenuator and the method of its manufacture is that it cannot be used as a complete independent chip of the resistive RF attenuator, but is used as part of a chain of several cells. Another disadvantage of this manufacturing method is that the general output of the T-shaped attenuator circuit is connected to the heat sink body using wire or ribbon leads, which can lead to separation of the contact pads when operating in harsh temperature conditions.
Известен способ изготовления прецизионных чип резисторов по гибридной технологии, который может быть использован для изготовления тонкопленочного чип резистивного ВЧ аттенюатора [3]. Способ заключается в формировании на изоляционной подложке на тыльной стороне контактных толстопленочных площадок, на лицевой стороне формирование методами напыления и последующей фотолитографии тонкопленочного резистивного слоя, методами толстопленочной технологии формирование к резистивному слою контактных площадок и защитного слоя, после чего подложку разделяют на ряды (полосы) и методом вакуумной (тонкопленочной) технологии на торцы рядов напыляют металлический слой сплава никеля с хромом, соединяя между собой электрически электродные контакты с лицевой и тыльной сторон подложки, ломают ряды на чипы, гальваническим методом наносят поверх электродов - торцевого, на лицевой и тыльной сторонах - слой никеля, а поверх слоя никеля наносят слой припоя.A known method of manufacturing precision chip resistors by hybrid technology, which can be used to manufacture a thin-film chip resistive RF attenuator [3]. The method consists in forming on the insulating substrate on the back side of the contact thick film pads, on the front side, the formation of thin film resistive layer by spraying and subsequent photolithography methods, the formation of contact pads and a protective layer to the resistive layer using thick film technology, after which the substrate is divided into rows (bands) and by vacuum (thin-film) technology, a metal layer of an alloy of nickel with chromium is sprayed onto the ends of the rows, connecting electrically ktrodnye contact with the front and back sides of the substrate, scratching areas on the chips, electroplating method is applied over the electrodes - of the end, on the front and back sides - a layer of nickel, a nickel layer is applied over the layer of solder.
Недостатками способа изготовления являются следующие.The disadvantages of the manufacturing method are as follows.
1. Использование разнородных технологий при изготовлении, таких как толстопленочной технологии с нанесением контактных площадок и защитного слоя путем вжигания соответствующих паст и тонкопленочной технологии с формированием резистивного слоя методами напыления и фотолитографии, усложняет изготовление ВЧ аттенюаторов.1. The use of heterogeneous manufacturing technologies, such as thick-film technology with the application of contact pads and a protective layer by burning corresponding pastes and thin-film technology with the formation of a resistive layer by spraying and photolithography, complicates the production of RF attenuators.
2. При соединении контактных площадок на лицевой и тыльной сторонах подложки используется нанесение металлизации на торцы подложки вакуумным напылением. При вакуумном напылении толщина металлизации на вертикальной поверхности торцов на порядок меньше толщины металлизации на горизонтальной поверхности подложки, что требует гальванического нанесения никеля для упрочнения толщины напыленного слоя, тем самым увеличивается трудоемкость изготовления чип ВЧ аттенюатора.2. When connecting pads on the front and back sides of the substrate, metallization is applied to the ends of the substrate by vacuum deposition. In vacuum spraying, the metallization thickness on the vertical surface of the ends is an order of magnitude smaller than the metallization thickness on the horizontal surface of the substrate, which requires the nickel plating to strengthen the thickness of the sprayed layer, thereby increasing the complexity of manufacturing an RF attenuator chip.
За прототип выбран способ изготовления чип резисторов, который может быть использован для изготовления тонкопленочного чип резистивного ВЧ аттенюатора [4]. Способ включает формирование на лицевой стороне подложки резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, подгонку, формирование защитного слоя, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, причем планарные контакты на тыльной стороне подложки формируются одновременно с торцевыми контактами. Термоэлектротренировка, подгонка и формирование защитного слоя проводится после разделения на чипы. Недостатками способа изготовления являются:For the prototype, a method of manufacturing a chip resistors was chosen, which can be used to manufacture a thin-film chip resistive RF attenuator [4]. The method includes forming a resistive layer on the front side of the substrate by sputtering followed by photolithography, fitting, forming a protective layer, dividing the substrate into strips, forming end contacts using thin-film technology, applying solder, dividing strips into chips, moreover, planar contacts on the back side of the substrate are formed simultaneously with end contacts. Thermoelectric training, fitting and formation of a protective layer is carried out after separation into chips. The disadvantages of the manufacturing method are:
1. При соединении контактных площадок на лицевой и тыльной сторонах подложки используется нанесение на торцы металлизации вакуумным напылением. При вакуумном напылении толщина металлизации на вертикальной поверхности торцов на порядок меньше толщины металлизации на горизонтальной поверхности подложки, что требует увеличения времени напыления пленок, тем самым увеличивается трудоемкость изготовления резистивного чип ВЧ аттенюатора.1. When connecting pads on the front and back sides of the substrate, vacuum deposition is applied to the metallization ends. In vacuum deposition, the metallization thickness on the vertical surface of the ends is an order of magnitude smaller than the metallization thickness on the horizontal surface of the substrate, which requires an increase in the time of film deposition, thereby increasing the complexity of manufacturing a resistive RF attenuator chip.
2. Термоэлектротренировка и формирование защитного слоя проводится на отдельных чипах, а не на подложке, что также увеличивает трудоемкость изготовления резистивного чип ВЧ аттенюатора.2. Thermoelectric training and the formation of the protective layer is carried out on separate chips, and not on the substrate, which also increases the complexity of manufacturing a resistive chip RF attenuator.
Задача изобретения - снижение времени напыления пленок и трудоемкости процесса.The objective of the invention is to reduce the time of deposition of films and the complexity of the process.
Поставленная задача достигается тем, что в способе, включающем формирование на лицевой стороне подложки резистивного слоя путем напыления с последующей фотолитографией, подгонку сопротивления резисторов в заданный номинал, формирование защитного слоя, напыление металлизации на тыльную сторону подложки, разделение подложки на полосы, формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии, нанесение припоя, разделение полос на чипы, согласно изобретению формирование торцевых контактов по тонкопленочной технологии проводится путем напыления контактного материала (например ванадий-медь-никель) на тыльную сторону чипа и торец чипа, причем тыльная сторона чипа в месте соединения с торцом чипа располагается к потоку напыляемого материала под углом меньшим 90° (оптимальный угол 60-75°). После чего производится напыление контактного материала на лицевую сторону чипа (в местах контактных площадок резисторов) и торец чипа, причем лицевая сторона чипа в месте соединения с торцом чипа располагается к потоку напыляемого материала под углом меньшим 90° (оптимальный угол 60-75°). После чего на контактные площадки осаждается припой, например, методом горячего лужения.The problem is achieved in that in a method that includes forming a resistive layer on the front side of the substrate by sputtering followed by photolithography, fitting the resistors to a given nominal value, forming a protective layer, metallizing deposition on the back of the substrate, dividing the substrate into strips, forming end contacts thin-film technology, applying solder, separation of strips into chips, according to the invention, the formation of end contacts by thin-film technology is carried out by spraying the contact material (for example, vanadium-copper-nickel) on the back of the chip and the end of the chip, the back of the chip at the junction with the end of the chip located to the flow of the sprayed material at an angle less than 90 ° (optimal angle 60-75 °). After that, the contact material is sprayed onto the front side of the chip (in the places of the resistor contact pads) and the end face of the chip, with the front side of the chip at the junction with the end of the chip located to the flow of the sprayed material at an angle less than 90 ° (optimal angle 60-75 °). Then, solder is deposited on the contact pads, for example, by hot tinning.
По сравнению с прототипом трудоемкость изготовления чип резистивного ВЧ по предложенному способу изготовления ниже, так как для получения требуемой толщины (например в 1 мкм) контактного материала на торце чипа требуется меньше времени вследствие того, что чип в процессе напыления в вакууме располагается под углом к потоку газа 60-75°. При этом толщина напыляемой пленки контактного материла в 3-5 раз превышает толщину пленки при напылении на торец чипа, располагаемого перпендикулярно к потоку напыляемого контактного материала. Compared with the prototype, the complexity of manufacturing a resistive RF chip according to the proposed manufacturing method is lower, since it takes less time to obtain the required thickness (for example, 1 μm) of the contact material at the end of the chip due to the fact that the chip is sprayed in a vacuum at an angle to the flow gas 60-75 °. In this case, the thickness of the sprayed film of the contact material is 3-5 times greater than the thickness of the film when spraying on the end face of the chip located perpendicular to the flow of the sprayed contact material.
Сущность предложенного способа изготовления показана на фиг. 1, 2, 3.The essence of the proposed manufacturing method is shown in FIG. 1, 2, 3.
На фиг. 1 приведена схема электрическая принципиальная Т-образная тонкопленочного резистивного чип ВЧ аттенюатора. Здесь 1; 2; 3 - контакты, R1; R2; R3 - пленочные резисторы.In FIG. Figure 1 shows an electrical circuit diagram of a T-shaped thin-film resistive chip RF attenuator. Here is 1; 2; 3 - contacts, R1; R2; R3 - film resistors.
На фиг. 2 приведена конструкция тонкопленочного резистивного чип ВЧ аттенюатора. Здесь а) вид аттенюатора на лицевую сторону, б) вид сбоку. 1, 2, 3 - контактные площадки, 4 - лицевая сторона чипа (резисторы R1; R2; R3), 5 - плата, 6 - металлизированный торец, 7 - металлизированная тыльная сторона чипа.In FIG. Figure 2 shows the design of a thin-film resistive RF attenuator chip. Here a) front view of the attenuator, b) side view. 1, 2, 3 - contact pads, 4 - the front side of the chip (resistors R1; R2; R3), 5 - the board, 6 - the metallized end face, 7 - the metallized back side of the chip.
На фиг. 3 показан способ изготовления тонкопленочного резистивного чип ВЧ аттенюатора. Здесь а) - напыление металлизации на торец платы чипа, б) - напыление металлизации на лицевую сторону платы чипа. Здесь 9 - поток напыляемого металла, 10 - маска, α - угол напыления металла, 1(2), 3 - контактные площадки на лицевой стороне 4 резистивного чип ВЧ аттенюатора, 5 - плата чипа, 6 - металлизация торца платы чипа потоком 9 напыляемого металла в вакууме под углом α через маску 10. Маска 10 обеспечивает попадание металла на требуемые участки платы чипа - на торец, кантатную площадку на лицевой стороне и металлизированную тыльную сторону платы чипа.In FIG. Figure 3 shows a method for manufacturing a thin film resistive RF attenuator chip. Here a) is the metallization spraying on the end of the chip board, b) is the metallization spraying on the front side of the chip board. Here 9 is the flow of the sprayed metal, 10 is the mask, α is the angle of spraying of the metal, 1 (2), 3 are the contact pads on the
Результаты экспериментов показали, что угол α=60-75° является оптимальным, так как при этом обеспечивается достаточно толстое покрытие металлизации на торце платы тонкопленочного резистивного чип ВЧ аттенюатора, достигаемого за счет двукратного напыления металлизации. При этом электрическое сопротивление между контактной площадкой 3 (см. фиг. 2) и металлизированной тыльной стороной платы чипа 7 минимально и составляет сотые доли Ом.The experimental results showed that the angle α = 60-75 ° is optimal, since this provides a sufficiently thick metallization coating at the end of the board of the thin-film resistive RF attenuator chip, achieved by double metallization deposition. In this case, the electrical resistance between the contact pad 3 (see Fig. 2) and the metallized back side of the
Источники информацииInformation sources
1. Тонкопленочный ВЧ-аттенюатор на основе нитрида алюминия. / И.А. Корж, А.Н. Кузнецов / Техника радиосвязи, 2016, вып.2(29), с. 85-91.1. Thin-film RF attenuator based on aluminum nitride. / I.A. Korzh, A.N. Kuznetsov / Radio communication technology, 2016, issue 2 (29), p. 85-91.
2. Полезная модель RU 0127. Аттенюатор с пленочными резисторами.2. Utility model RU 0127. Attenuator with film resistors.
3. Патент РФ №2402088. Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии. Опубл. 20.10.2010 г. 3. RF patent No. 2402088. A method of manufacturing precision chip resistors by hybrid technology. Publ. 10.20.2010 g.
4. Патент РФ №2552630. Способ изготовления чип-резисторов.4. RF patent No. 2552630. A method of manufacturing chip resistors.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016141005A RU2645810C1 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016141005A RU2645810C1 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2645810C1 true RU2645810C1 (en) | 2018-03-01 |
Family
ID=61568533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016141005A RU2645810C1 (en) | 2016-10-18 | 2016-10-18 | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2645810C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111604562A (en) * | 2020-05-29 | 2020-09-01 | 苏州恊合自动化科技有限公司 | Efficient and automatic tin soldering process for chip common-mode inductor |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271812B (en) * | 1954-10-20 | 1968-07-04 | Siemens Ag | Capless electrical resistance and process for its manufacture |
| DE3023133A1 (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wireless chip resistor, using thin alloy film on polyimide foil - esp. for use in automatic machines fixing the resistors on printed circuit boards |
| US20080272879A1 (en) * | 2002-07-24 | 2008-11-06 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method therefor |
| US20090153287A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2443032C2 (en) * | 2010-03-23 | 2012-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) | Method for manufacturing of high-resistant and low-resistant thin film resistors on the same base |
| RU2552630C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
-
2016
- 2016-10-18 RU RU2016141005A patent/RU2645810C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1271812B (en) * | 1954-10-20 | 1968-07-04 | Siemens Ag | Capless electrical resistance and process for its manufacture |
| DE3023133A1 (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Wireless chip resistor, using thin alloy film on polyimide foil - esp. for use in automatic machines fixing the resistors on printed circuit boards |
| US20080272879A1 (en) * | 2002-07-24 | 2008-11-06 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and manufacturing method therefor |
| US20090153287A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of making the same |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2443032C2 (en) * | 2010-03-23 | 2012-02-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие Омский научно-исследовательский институт приборостроения (ФГУП ОНИИП) | Method for manufacturing of high-resistant and low-resistant thin film resistors on the same base |
| RU2552630C1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") | Chip resistor manufacturing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111604562A (en) * | 2020-05-29 | 2020-09-01 | 苏州恊合自动化科技有限公司 | Efficient and automatic tin soldering process for chip common-mode inductor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6703683B2 (en) | Chip resistor and method for manufacturing the same | |
| TWI506653B (en) | Chip resistor and method of manufacturing the same | |
| US11676742B2 (en) | Chip resistor and mounting structure thereof | |
| TW201250725A (en) | Resistor and method for making same | |
| WO2015196634A1 (en) | Manufacturing method for high-power precious alloy chip resistor | |
| JP4503122B2 (en) | Low resistor for current detection and method for manufacturing the same | |
| JP2003168601A (en) | Chip resistor | |
| CN103325507A (en) | High-stability film resistor and manufacturing method thereof | |
| KR20150132089A (en) | Power resistor with integrated heat spreader | |
| US20110089025A1 (en) | Method for manufacturing a chip resistor having a low resistance | |
| WO2022217750A1 (en) | High-power alloy foil resistor and manufacturing method | |
| RU2645810C1 (en) | Method of manufacturing thin film chip of resistant high-frequency attenuator | |
| US9514867B2 (en) | Chip resistor and method for making the same | |
| CN112335000B (en) | Resistor and circuit board | |
| JP2007194399A (en) | Chip resistor and its manufacturing method | |
| TW200901236A (en) | Chip resistor and method for fabricating the same | |
| JPH08138902A (en) | Chip resistor and manufacture thereof | |
| US9870849B2 (en) | Chip resistor and mounting structure thereof | |
| JP4542608B2 (en) | Manufacturing method of current detection resistor | |
| JP3825576B2 (en) | Manufacturing method of chip resistor | |
| JP2000299203A (en) | Resistor and manufacture thereof | |
| JP3636190B2 (en) | Resistor and manufacturing method thereof | |
| JP2001116771A (en) | Low resistance resistor for current detection and its manufacturing method | |
| JP2650721B2 (en) | High power type thin film resistor for high frequency | |
| JPS56101752A (en) | Semiconductor device |