KR970018713A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 방법은 반도체 장치, 예컨데 마그네토 레지스터-절연 트랜지스터의 제조시 기판(1)에 있는 2개의 상보형 웰(5), (6)의 상대편 절연을 위해 적합하다. 기판(1)상에 제1 절연층(2), 도핑가능한 층(3) 및 래액티브 층(4)을 제공한다. 제1 마스크(10)를 이용해서, 에지(4a)의 형성 하에 리액티브 층(4)의 제1 영역을 제거하고 이로 인해 노출된 도핑가능한 층(3)의 제1 영역을 그것 아래 놓인 기판(1)과 동시에 도핑 함으로써, 제1 웰(5)을 만든다. 유사하게, 제2 웰을 만든다. 이 경우, 에지(4a)를 제2 마스크(11)의 조정 마크로서 사용한다. 도핑 후에야 제2 절연층(8)을 제공하며, 후속해서 상기 절연층(8)을 구조화함으로써 절연 트랜지스터를 만든다. 바람직하게는, 절연 트랜지스터의 하부에서 주입 도핑에 의해 충분히 깊은 웰을 만드는데 있어서, 제2 절연층(8)의 제공 후에야 도핑이 이루어지는 경우보다 적은 에너지가 필요하다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 본 발명에 따른 제조 방법의 단계를 나타낸 단면도.

Claims (8)

1. 반도체 장치의 제조 공정 동안 마스크(11)의 조정을 위해 사용되는 한 에지(4a)를 가진 리액티브 층(4)을 포함하고, 반도체 장치의 적합한 전기적 기능이 리액티브 층(4)과 무관한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
2. 제1항에 있어서, 리액티브 층(4)이 스트립(7)의 형상을 가지며, 리액티브 층(4)의 하부에 있는 기판(1)에서 서로 반대 도전형의 도핑 웰(5 6)이 스트립(7)의 양 측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
3. 제1 절연층(2), 도핑가능한 층(3) 및 리액티브 층(4)을 차례로 기판(1) 상에 제공하는 단계, 제1 마스크(10)를 이용해서 리액티브 층(4)의 제1 영역을 제거함으로써, 에지(4a)를 만드는 단계, 이로 인해 노출된 도핑가능한 층(3)의 제1 영역 및 그것 아래 놓인 기판(1)을 제1 도전형의 전하 담체로 도핑 함으로써, 기판(1)에 제1 웰(5)을 만드는 단계, 제2 마스크(11)를 이용해서, 리액티브 층(4)의 제2 영역을 제거하며, 이 때 그것의 에지(4a)를 제2 마스크(11)를 조정하는데 사용하는 단계, 이로 인해 노출된 도핑가능한 층(3)의 제2 영역 및 그것 아래 놓인 기판(1)을 제2 도전형의 전하 담체로 도핑함으로써, 기판(1)에 제2 웰(6)을 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
4. 제3항에 있어서, 제2 마스크(11)을 만들 때, 리액티브 층(4)의 제1 영역과 제2 영역 사이에 리액티브 층(4)의 스트립을 남기는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 제2 절연층(8)을 제공하며, 이 때 스트립(7) 위에 제2 절연층(8)의 융기부(9)가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 반도체 장치가 연장된 영역의 외부에서 기판(1)의 표면으로부터 제1 절연층(2), 도핑가능한 층(3) 및 제2 절연층(8)을 제거하는 방식으로 제3 마스크(12)를 이용해서 반도체 장치를 구조화하며, 이때 융기부(9)를 제3 마스크(12)를 조정하는데 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
7. 제3항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 실리콘층을 도핑가능한 층(3)으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
8. 제3항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물층을 리액티브층(4)으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.