[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR910015967A - 희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법. - Google Patents

희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법. Download PDF

Info

Publication number
KR910015967A
KR910015967A KR1019910002420A KR910002420A KR910015967A KR 910015967 A KR910015967 A KR 910015967A KR 1019910002420 A KR1019910002420 A KR 1019910002420A KR 910002420 A KR910002420 A KR 910002420A KR 910015967 A KR910015967 A KR 910015967A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
depositing
sacrificial mask
thin film
thickness
Prior art date
Application number
KR1019910002420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100264700B1 (ko
Inventor
키일 비트
카더론 아서
리아오 사이몬
Original Assignee
더글라스 케이. 메이혼
시게이트 테크놀로지 인터내셔날
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더글라스 케이. 메이혼, 시게이트 테크놀로지 인터내셔날 filed Critical 더글라스 케이. 메이혼
Publication of KR910015967A publication Critical patent/KR910015967A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100264700B1 publication Critical patent/KR100264700B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
    • Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
    • Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
    • Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
    • Y10T29/4906—Providing winding
    • Y10T29/49064—Providing winding by coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 판독/기록용 박막 자기헤드의 정면도로서, 하부 자극단부 및 틈새재료의 나머지부분을 밀링작업하기 전의 도면, 제2도는 제 1도의 선 2-2를 따라서 취해진 박막 자기 헤드의 측단면도,제3도는 제1도의 3-3을 따라서 취해진 박막 자기 헤드의 단면도.

Claims (57)

  1. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 비자성 기판 상에 제 1자기층을 형성하는 단계와, 상기 제 1자기층상에 틈새 재료층을 형성하는 단계와, 상기 틈새재료 상에 일정한 구조의 구멍을 가지는 층을 증착시키는 단계와, 상기 구멍의 내부 및 상기 틈새재료 위에 제 2자기층을 형성하는 단계와 상기 구멍의 내부 및 상기 제 2 자기층상에 희생 마스크층를 증착시키는 단계와, 상기 구멍을 가지는 상기 층을 제거시켜서 상기 틈새 재료의 일부 및 상기 제 1 자기층의 일부를 노출시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정으로 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 이온 밀링공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 반응이온 밀링공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 재료 제거공정이 스피터 에칭공정으로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 2 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 틈새재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  14. 청구범위 제1항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  15. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 비자성 기판 상에 제 1자층을 증착시키는 단계와, 상기 제 1자기층상에 틈새 재료층을 형성하는 단계와, 상기 틈새 재료층 상에 제 2자기층을 증착시키는 단계와, 상기 제 2자기층과 자체 정렬되도록 상기 제2자기층 상에 희생 마스크층을 증착시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  20. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  21. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  22. 제 15항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 스피터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  23. 제 15항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  24. 제 15항에 있어서, 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  25. 제 15항에 있어서, 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  26. 제 15항에 있어서, 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약7㎛사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  27. 제 15항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  28. 청구 범위 제 15항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  29. 주 몸체지역 및 자극단부 지역들 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 기판 상에 상기 주 몸체지역 및 자극단부 지역의 일부를 형성하는 제1자기층을 증착시키는 단계와, 상기 자극단부 지역 내에서 상기 제 1 자기층 상에 틈새 재료층을 증착시키는 단계와,상기 주 몸체지역 내에서 상기 제 1자기층 상에, 다수의 도체를 내부에 포함하는 바자성 절연층을 증착시키는 단계와, 일정한 구조의 구멍을 가지는 층을 증착시키는 단계와, 사기 구멍 내부에 있는 상기 틈새 재료층 및 상기 비자성 절연층 상에 제 2 자기층을 증착시키는 단계와, 상기 비자성 절연층에서 상기 구멍을 가지는 층을 제거시키는 단계와, 희생 마스크층을 증착시키는 단계와 상기 틈새재료층에서 상기 구멍을 가지는 층을 제거시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 노출된 재료를 제거하기 위한 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  30. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  31. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  32. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  33. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  34. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  35. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜드듀서 제조방법.
  36. 제 29항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거 공정에 노출시키는 단계가 스피터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  37. 제 29항에 있어서, 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  38. 제 29항에 있어서, 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  39. 제 29항에 있어서, 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  40. 제 29항에 있어서, 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  41. 제 29항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛사이의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜드듀서 제조방법.
  42. 청구 범위 제 29항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  43. 박막 자기 트랜스듀서 제조방법으로서, 자성 기판 상에 상기 틈새 재료층을 층착사키는 단계와, 상기 틈새 재료층 상에 2자기층을 증착시키는 상기 제 2자기층과 자체 정렬되도록 상기 제 2 자기층 상에 희생 마스크층을 증착시키는 단계와, 그리고 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계와로 구성된 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  44. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 평판 비자성 금속을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  45. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈인을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  46. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 니켈철을 증착시키는 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  47. 제 43항에 있어서, 상기 희생 마스크층을 증착시키는 단계가 제1 및 제2희생 마스크층을 증착시키는 단계들로 이루어져 있으며, 상기 제 1희생 마스크층이 상기 제 2희생 마스크층과 상기 제 2자기층 사이에 끼워지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  48. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  49. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 반응 이온밀링 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  50. 제 43항에 있어서, 상기 박막 자기 트랜스듀서를 재료 제거공정에 노출시키는 단계가 스퍼터 에칭 단계로 이루어진 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  51. 제 43항에 있어서 상기 제 1자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  52. 제 43항에 있어서 상기 제 2자기층이 약 1㎛ 내지 약 5㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  53. 제 43항에 있어서 상기 틈새 재료층이 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  54. 제 43항에 있어서 상기 희생 마스크 재료층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  55. 제 43항에 있어서, 상기 제 1 자기층이 약 1㎛ 내지 5㎛ 사이의 두께를 가지며, 상기 틈새 재료가 약 0.1㎛ 내지 약 1㎛ 사시의 두께를 가지며, 상기 희생 마스크층이 약 1㎛ 내지 약 7㎛ 사이의 두께를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 제조방법.
  56. 청구범위 제 43항에 기재된 방법에 의해서 제조된 박막 자기 트랜스듀서.
  57. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910002420A 1990-02-15 1991-02-13 희생 마스크층을 사용하여 자기 정렬되는 자극 폴을 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조 방법 KR100264700B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/480,278 1990-02-15
US7/480,278 1990-02-15
US07/480,278 US4992901A (en) 1990-02-15 1990-02-15 Self aligned magnetic poles using sacrificial mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910015967A true KR910015967A (ko) 1991-09-30
KR100264700B1 KR100264700B1 (ko) 2000-09-01

Family

ID=23907350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910002420A KR100264700B1 (ko) 1990-02-15 1991-02-13 희생 마스크층을 사용하여 자기 정렬되는 자극 폴을 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4992901A (ko)
EP (1) EP0442212B1 (ko)
JP (1) JPH0778859B2 (ko)
KR (1) KR100264700B1 (ko)
DE (1) DE69032935T2 (ko)
HK (1) HK1012462A1 (ko)
SG (1) SG44623A1 (ko)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079035A (en) * 1989-10-10 1992-01-07 International Business Machines Corporation Method of making a magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias
US5141623A (en) * 1990-02-15 1992-08-25 Seagate Technology, Inc. Method for aligning pole tips in a thin film head
JPH0410208A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5084957A (en) * 1990-11-06 1992-02-04 Seagate Technology, Inc. Method for aligning thin film head pole tips
US5137750A (en) * 1990-11-06 1992-08-11 Seagate Technology, Inc. Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction
US5256249A (en) * 1991-09-17 1993-10-26 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a planarized magnetoresistive sensor
US5283942A (en) * 1992-12-29 1994-02-08 International Business Machines Corporation Sacrificial layer planarization process for fabricating a narrow thin film inductive head
US5452166A (en) * 1993-10-01 1995-09-19 Applied Magnetics Corporation Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same
US5699605A (en) * 1994-05-23 1997-12-23 Seagate Technology, Inc. Method for forming a magnetic thin film head with recessed basecoat
US5572392A (en) * 1994-11-17 1996-11-05 International Business Machines Corporation Arbitrary pattern write head assembly for writing timing-based servo patterns on magnetic storage media
US5901431A (en) * 1995-06-07 1999-05-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion
US5578342A (en) * 1995-07-05 1996-11-26 Read-Rite Corporation Alignment of magnetic poles of thin film transducer
JP3349925B2 (ja) * 1996-09-10 2002-11-25 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2953401B2 (ja) * 1996-10-04 1999-09-27 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
US5804085A (en) * 1997-01-30 1998-09-08 Quantum Corporation Process for producing a pole-trimmed writer in a magnetoresistive read/write head and a data transducer made thereby
JP3466041B2 (ja) * 1997-03-03 2003-11-10 アルプス電気株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH10247305A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH117608A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Fujitsu Ltd 磁気ヘッド及びその製造方法
US5916423A (en) * 1997-05-06 1999-06-29 International Business Machines Corporation P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2
US6586049B2 (en) * 1997-08-28 2003-07-01 Tdk Corporation Patterning method using mask and manufacturing method for composite type thin film magnetic head using the patterning method
US6031695A (en) * 1997-09-05 2000-02-29 International Business Machines Corporation Combined read head and write head with non-magnetic electrically conductive layer on upper pole tip thereof
US5940250A (en) * 1997-10-21 1999-08-17 Maxtor Corporation Disk drive head having a read wide/write narrow architecture
US6158107A (en) * 1998-04-02 2000-12-12 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip
US6055138A (en) * 1998-05-06 2000-04-25 Read-Rite Corporation Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip
US6490125B1 (en) 1999-04-09 2002-12-03 Read-Rite Corporation Thin film write head with improved yoke to pole stitch
WO2000071713A1 (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Scios Inc. Vascular endothelial growth factor variants
WO2000071716A2 (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Scios Inc. Vascular endothelial growth factor dimers
US6383597B1 (en) * 2000-06-21 2002-05-07 International Business Machines Corporation Magnetic recording media with magnetic bit regions patterned by ion irradiation
US6713237B2 (en) 2000-07-27 2004-03-30 Seagate Technology Llc Single layer lift-off method for making an electronic device
US6788496B2 (en) 2001-08-22 2004-09-07 Seagate Technology Llc Narrow top pole of a write element
US7320170B2 (en) * 2004-04-20 2008-01-22 Headway Technologies, Inc. Xenon ion beam to improve track width definition
US9214167B2 (en) * 2013-03-12 2015-12-15 Seagate Technology Llc Main pole layer with at least tow sacrificial layers and a gap layer
US9147407B2 (en) 2013-03-12 2015-09-29 Seagate Technology Llc Write head having non-magnetic write gap seed layer, and method

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4024041A (en) * 1974-12-18 1977-05-17 Hitachi, Ltd. Method of forming deposition films for use in multi-layer metallization
JPS54114223A (en) * 1978-02-27 1979-09-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Production of floating type thin film magnetic head
US4422117A (en) * 1980-04-11 1983-12-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film magnetic head and method of making it
US4436593A (en) * 1981-07-13 1984-03-13 Memorex Corporation Self-aligned pole tips
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JPH061769B2 (ja) * 1983-08-10 1994-01-05 株式会社日立製作所 アルミナ膜のパターニング方法
JPS60133516A (ja) * 1983-12-22 1985-07-16 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
US4853815A (en) * 1984-12-21 1989-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Magnetic thin-film head on a nonmagnetic substrate for vertical mangetization
DE3513431A1 (de) * 1985-04-15 1986-10-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung mindestens eines magnetkopfes in duennfilmtechnik
DE3735148A1 (de) * 1987-10-16 1989-05-03 Siemens Ag Duennfilm-magnetkopf mit schichtweisem aufbau
JPH01173308A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US4912584A (en) * 1988-03-09 1990-03-27 Digital Equipment Corporation Method for fabricating magnetic recording poles
US5116719A (en) * 1990-02-15 1992-05-26 Seagate Technology, Inc. Top pole profile for pole tip trimming

Also Published As

Publication number Publication date
HK1012462A1 (en) 1999-07-30
EP0442212A2 (en) 1991-08-21
EP0442212B1 (en) 1999-02-03
DE69032935T2 (de) 1999-06-10
US4992901A (en) 1991-02-12
JPH03242810A (ja) 1991-10-29
SG44623A1 (en) 1997-12-19
JPH0778859B2 (ja) 1995-08-23
EP0442212A3 (en) 1993-01-20
DE69032935D1 (de) 1999-03-18
KR100264700B1 (ko) 2000-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910015967A (ko) 희생 마스크층을 이용하여 자체 정렬되는 자극단부를 가지는 박막 자기 트랜스듀서 및 그 제조방법.
KR930018474A (ko) 자기 디스크 기록시스템, 박막자기헤드 및 그의 제조방법
KR910015968A (ko) 상부 자극 단부의 정렬을 위한 상부 자극 단부 형상을 가지는 박막 자기헤드 및 그 제조방법.
DE102017103195A1 (de) Mikroelektromechanisches Mikrofon
JPH0210508A (ja) 磁気記録用の磁極を製造する方法
US4516180A (en) Thin film magnetic head
JPH087728A (ja) 磁気マイクロ接触器及びその製造方法
US4860139A (en) Planarized read/write head and method
KR900700996A (ko) 박막자기헤드 및 그 제조방법
GB2083230A (en) Method of manufacturing a thin film magnetic field sensor
KR910018977A (ko) 자기 수록/판독 헤드 및 그 제조방법
JPH06334237A (ja) 磁気抵抗読取りトランスジューサ
US4308592A (en) Patterned kill of magnetoresistive layer in bubble domain chip
JPH05230618A (ja) 薄膜パターン形成用のマスクおよびそのマスクを用いた薄膜パターン形成方法
JPH0453012A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH11134618A (ja) Ｍｒ複合ヘッドの製造方法およびこれによるｍｒ複合ヘ ッド
JPH064829A (ja) 薄膜磁気ヘッドとその製造方法
KR980004379A (ko) 박막 자기 헤드 제조 방법
JPS5786124A (en) Magnetic resistance effect type magnetic head and its manufacture
JPH0438613A (ja) 薄膜磁気ヘッド
KR970002877A (ko) 박막자기헤드 제조방법
JPH046610A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPS59157820A (ja) 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JPH0822610A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPS5829117A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E801 Decision on dismissal of amendment
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031024

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee