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KR860009480A - 평탄성 박막의 제조방법 - Google Patents

평탄성 박막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

평탄성 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는, 본 발명의 실시를 위해 사용되는 장치의 개략도,
제5도는, 본 발명의 실시를 위해 사용되는 장치의 타아게트와 기판(基坂)의 상세한 단면도,
제6도는, 제5도에 있어서의 스퓨터링건 부분의 다른 예의 단면도,
제7a도 및 제7b도는, 본 발명의 제 1 실시예의 순차적인 진행과정을 나타내는 단면도,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 진공실 2, 100 : 기판(基坂)
3, 3' : 타아게트(Target) 4 : 타아게트 전원
5 : 기판 전원 6 : 진공배기장치
7, 7' : 플라스마 8 : 순차제어기
9 : 가스제어기 10 : 폐쇄기
11, 12 : 밸브 21 : 스퓨터건(Sputter gun)
21A, 21B : 자석 21C : 전극
22 : 감지기(Susceptor) 23 : 기판전극
24 : 유지구 25 : O형 고리
26 : 밀폐부재 31, 40, 102 : 돌기
32, 32', 32a, 32b, 32c, 41, 101 : 알루미늄막
33 : 돌기의 측벽 34, 42 : 홈

Claims (14)

  1. 다음의 공정으로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법,
    (가) 평탄하지 아니한 기판 (2) 상에 박막을 형성하는 공정,
    (나) 상기 박막에 하전입자를 조사하여, 상기 박막의 온도상승과 상기 하전입자에 의한 상기 박막의 충격에 의하여 상기 박막을 유동시키는 공정
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 박막이 알루미늄막이고, 상기 박막에 조사되는 하전입자가 ｜-850｜V 보다 큰 절대값을 갖는 바이어스 전압에 의해 가속화되어지고, 상기 박막의 온도가 상기 박막의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 평탄하지 아니한 기판(2) 상에 박막을 형성한 후에, 상기 기판(2)을 외부로부터 가열한 후 또는 가열하면서, 상기 박막에 상기 하전 입자를 조사하는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 하전입자에 의한 조사와 상기한 외부로부터의 가열이 행하여 졌을 때의 상기 박막의 온도가, 상기 박막의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  5. 평탄하지 아니한 기판(2) 상에 박막을 형성함에 있어서, 다음의 공정으로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
    (가) 형성 중에 있는 상기 박막에 하전입자를 조사하는 공정,
    (나) 상기 박막의 온도상승과 상기 하전입자에 의한 상기 박막의 충격에 의하여 상기 박막을 유동시키면서 상기 박막을 형성하는 공정
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 박막이 알루미늄 막이고, 상기 박막에 조사되는 상기 하전입자가 ｜-700｜V 보다 큰 절대값을 갖는 바이어스 전압에 의해 가속화 되어지고, 상기 박막의 온도가 상기 박막의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 평탄하지 않은 기판(2) 상에 상기 박막이 형성될 때, 상기 기판(2)이 외부로부터 가열되는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 하전 입자에 의한 조사와 상기한 외부로부터의 가열이 행하여 졌을 때의 상기 박막의 온도가 상기 박막의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  9. 다음의 공정으로 구성되어지는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법,
    (가) 평탄하지 아니한 기판(2) 상에 1차 박막을 형성하는 제 1 공정,
    (나) 상기 1차 박막 위에 2차 박막을 형성하는 도중에, 상기 2차 박막에 하전입자를 조사하면서 2차 박막을 형성하는 제 2 공정
  10. 제 9 항에 있어서, 제 1 공정에서 퇴적된 상기 1차 박막의 두께가, 상기 1차 박막이 섭 형상으로 되지 아니하고 연속막으로 퇴적되도록 결정되어진 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 공정에서 상기 2차 박막이 형성되어질 때, 형성 중에 있는 상기 2차 박막에 하전입자가 조사되어지고, 상기 박막의 온도상승과 상기 하전입자에 의한 상기 박막의 충격에 의하여 상기 2차 박막이 유동되어 지면서 상기 2차 박막이 형성되어지는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 박막이 알루미늄 막이고, 상기 박막에 조사되는 상기 하전입자가 ｜-700｜V 보다 큰 절대값을 갖는 바이어스 전압에 의해 가속화 되어지고, 상기 박막의 온도가 상기 박막의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 기판(2)이, 제 2 공정에서, 외부로부터 가열되는 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 하전 입자에 의한 조사와 상기한 외부로부터의 가열이 행하여졌을 때의 상기 박판의 온도가 상기 박판의 융점보다 낮은 것을 특징으로 하는 평탄성 박막의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003683A 1985-05-13 1986-05-12 평탄성 박막의 제조방법 KR900005785B1 (ko)

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