KR20240103367A - Gate Driving Circuit and Display Device including the same - Google Patents
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 56
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 201000005569 Gout Diseases 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0267—Details of drivers for scan electrodes, other than drivers for liquid crystal, plasma or OLED displays
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
- G09G2310/061—Details of flat display driving waveforms for resetting or blanking
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Abstract
본 실시예는 영상을 표시하는 표시패널; 상기 표시패널에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 및 상기 표시패널에 제N스캔신호를 공급하는 제N스캔신호 발생부와 상기 표시패널에 제N발광신호를 공급하는 제N발광신호 발생부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 게이트 구동부는 상기 제N발광신호 발생부의 입력단에 연결되며 외부신호를 전달하는 외부신호라인과 제어클록신호를 전달하는 제어클록신호라인을 포함하고, 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하기 위한 제N클리어신호를 발생하는 표시장치를 제공할 수 있다.This embodiment includes a display panel that displays an image; a data driver that supplies data voltage to the display panel; and a gate driver including an N-th scan signal generator for supplying an N-th scan signal to the display panel and an N-th light-emitting signal generator for supplying an N-th light-emitting signal to the display panel, wherein the gate driver includes the first scan signal. It is connected to the input terminal of the N light emitting signal generator and includes an external signal line for transmitting an external signal and a control clock signal line for transmitting a control clock signal, and the N light emitting signal generator is generated based on the external signal and the control clock signal. A display device that generates an Nth clear signal for initializing at least one of the nodes can be provided.
Description
본 명세서는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a gate driving circuit and a display device including the same.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 발광표시장치(Light Emitting Display Device: LED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display Device; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.As information technology develops, the market for display devices, which are a connecting medium between users and information, is growing. Accordingly, the use of display devices such as Light Emitting Display Device (LED), Quantum Dot Display Device (QDD), and Liquid Crystal Display Device (LCD) is increasing.
앞서 설명한 표시장치들은 서브 픽셀들을 포함하는 표시패널, 표시패널을 구동하는 구동 신호를 출력하는 구동부 및 표시패널 또는 구동부에 공급할 전원을 생성하는 전원 공급부 등이 포함된다.The display devices described above include a display panel including subpixels, a driver that outputs a driving signal to drive the display panel, and a power supply that generates power to be supplied to the display panel or the driver.
위와 같은 표시장치들은 표시패널에 형성된 서브 픽셀들에 구동 신호 예컨대, 스캔신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 빛을 투과시키거나 빛을 직접 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.The above display devices can display images by transmitting light or directly emitting light through the selected subpixels when driving signals, such as scan signals and data signals, are supplied to the subpixels formed on the display panel.
본 실시예는 스테이지별로 순차적인 초기화가 가능한 발광신호 발생부를 갖는 게이트신호 발생회로를 기반으로 표시장치의 구동 신뢰성과 구동 안정성을 향상시키는 것이다.This embodiment improves the driving reliability and driving stability of the display device based on a gate signal generating circuit having a light emitting signal generating unit capable of sequential initialization for each stage.
본 실시예는 영상을 표시하는 표시패널; 상기 표시패널에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 및 상기 표시패널에 제N스캔신호를 공급하는 제N스캔신호 발생부와 상기 표시패널에 제N발광신호를 공급하는 제N발광신호 발생부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고, 상기 게이트 구동부는 상기 제N발광신호 발생부의 입력단에 연결되며 외부신호를 전달하는 외부신호라인과 제어클록신호를 전달하는 제어클록신호라인을 포함하고, 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하기 위한 제N클리어신호를 발생하는 표시장치를 제공할 수 있다.This embodiment includes a display panel that displays an image; a data driver that supplies data voltage to the display panel; and a gate driver including an N-th scan signal generator for supplying an N-th scan signal to the display panel and an N-th light-emitting signal generator for supplying an N-th light-emitting signal to the display panel, wherein the gate driver includes the first scan signal. It is connected to the input terminal of the N light emitting signal generator and includes an external signal line for transmitting an external signal and a control clock signal line for transmitting a control clock signal, and the N light emitting signal generator is generated based on the external signal and the control clock signal. A display device that generates an Nth clear signal to initialize at least one of the nodes can be provided.
상기 게이트 구동부는 상기 제N발광신호가 미출력되는 상기 제N발광신호 발생부의 클리어 구간 동안 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화할 수 있다.The gate driver may initialize at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal during a clear period of the N-th light-emitting signal generator in which the N-th light-emitting signal is not output.
상기 제N발광신호 발생부는 상기 제N발광신호를 발생하기 위해 Q2노드와 Qb2노드를 교번 제어함과 더불어 상기 Qb2노드를 제어하기 위한 네트노드를 제어하는 발광 노드 제어회로부와, 상기 Q2노드, 상기 Qb2노드 및 상기 네트노드의 전위에 대응하여 상기 제N발광신호 발생부의 제N발광신호 출력단을 통해 상기 제N발광신호를 출력하는 발광신호 출력부를 포함할 수 있다.The N-th light-emitting signal generator alternately controls the Q2 node and the Qb2 node to generate the N-th light-emitting signal, and includes a light-emitting node control circuit unit that controls a net node for controlling the Qb2 node, the Q2 node, and the It may include a light-emitting signal output unit that outputs the N-th light-emitting signal through an N-th light-emitting signal output terminal of the N-th light-emitting signal generator in response to the potential of the Qb2 node and the net node.
상기 제N발광신호 발생부는 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N클리어신호를 발생하는 클리어신호 발생부를 포함하고, 상기 클리어신호 발생부는 상기 제어클록신호를 기반으로 동작하며 상기 외부신호를 전달하는 제1신호발생 트랜지스터와, 상기 제1신호발생 트랜지스터로부터 전달된 상기 외부신호에 응답하여 동작하며 고전압을 기반으로 상기 클리어신호를 발생하는 제2신호발생 트랜지스터와, 제N+1발광신호 발생부로부터 전달된 신호를 기반으로 상기 클리어신호의 전압 상태를 변경하는 제3신호발생 트랜지스터를 포함할 수 있다.The Nth light emitting signal generator includes a clear signal generator that generates the Nth clear signal based on the external signal and the control clock signal, and the clear signal generator operates based on the control clock signal and generates the external signal. A first signal generation transistor that transmits, a second signal generation transistor that operates in response to the external signal transmitted from the first signal generation transistor and generates the clear signal based on a high voltage, and an N+1 light emitting signal It may include a third signal generation transistor that changes the voltage state of the clear signal based on the signal transmitted from the generator.
상기 제N발광신호 발생부는 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 클리어 회로부를 포함하고, 상기 클리어 회로부는 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드를 초기화시키는 제1클리어 트랜지스터와, 상기 네트노드를 초기화시키는 제2클리어 트랜지스터와, 상기 제N발광신호 출력단을 초기화시키는 제3클리어 트랜지스터를 포함할 수 있다.The N-th light-emitting signal generator includes a clear circuit unit that initializes at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal, and the clear circuit unit initializes the Q2 based on the N-th clear signal. It may include a first clear transistor for initializing a node, a second clear transistor for initializing the net node, and a third clear transistor for initializing the Nth light emitting signal output terminal.
상기 클리어 회로부는 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드, 상기 네트노드 및 상기 제N발광신호 출력단을 동시에 초기화킬 수 있다.The clear circuit unit may simultaneously initialize the Q2 node, the net node, and the Nth light emitting signal output terminal based on the Nth clear signal.
상기 제1신호발생 트랜지스터는 상기 제어클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 외부신호라인에 제1전극이 연결되고 클리어Q노드에 제2전극이 연결되고, 상기 제2신호발생 트랜지스터는 상기 클리어Q노드에 게이트전극이 연결되고 고전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 제2전극이 연결되고, 상기 제3신호발생 트랜지스터는 제N+i(i는 1 이상 정수)발광신호 발생부의 제N+i클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 제1전극이 연결되고 저전압라인에 제2전극이 연결될 수 있다.The first signal generation transistor has a gate electrode connected to the control clock signal line, a first electrode connected to the external signal line, and a second electrode connected to the Clear Q node. A gate electrode is connected to the node, a first electrode is connected to the high voltage line, a second electrode is connected to the output terminal of the clear signal generator, and the third signal generating transistor emits an N+i (i is an integer greater than 1) light signal. A gate electrode may be connected to the output terminal of the N+i-th clear signal generator of the generator, a first electrode may be connected to the output terminal of the clear signal generator, and a second electrode may be connected to the low voltage line.
상기 제1클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제1전극이 연결되고 저전압라인에 제2전극이 연결되고, 상기 제2클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 네트노드에 제1전극이 연결되고 상기 저전압라인에 제2전극이 연결되고, 상기 제3클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 제N발광신호 출력단에 제1전극이 연결되고 상기 저전압라인과 다른 레벨을 갖는 저전압라인에 제2전극이 연결될 수 있다.The first clear transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the clear signal generator, a first electrode connected to the Q2 node, and a second electrode connected to a low voltage line, and the second clear transistor is connected to the output terminal of the clear signal generator. A gate electrode is connected to the net node, a first electrode is connected to the net node, a second electrode is connected to the low voltage line, and the third clear transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the clear signal generator and the Nth light emitting signal. A first electrode may be connected to the output terminal, and a second electrode may be connected to a low voltage line having a different level from the low voltage line.
다른 측면에서 본 실시예는 Q1노드와 Qb1노드를 교번 제어하는 스캔 노드 제어회로부와, 상기 Q1노드와 상기 Qb1노드의 전위에 대응하여 상기 제N스캔신호를 출력하는 제N스캔신호 발생부; Q2노드와 Qb2노드를 교번 제어함과 더불어 상기 Qb2노드를 제어하기 위한 네트노드를 제어하는 발광 노드 제어회로부와, 상기 Q2노드, 상기 Qb2노드 및 상기 네트노드의 전위에 대응하여 제N발광신호를 출력하는 제N발광신호 발생부; 및 상기 제N발광신호 발생부의 입력단에 연결되며 외부신호를 전달하는 외부신호라인과 제어클록신호를 전달하는 제어클록신호라인을 포함하고, 상기 제N발광신호 발생부는 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하기 위한 제N클리어신호를 발생하는 게이트 구동 회로를 제공할 수 있다.From another aspect, this embodiment includes a scan node control circuit that alternately controls the Q1 node and the Qb1 node, and an Nth scan signal generator that outputs the Nth scan signal in response to potentials of the Q1 node and the Qb1 node. A light emitting node control circuit unit that alternately controls the Q2 node and the Qb2 node and controls a net node for controlling the Qb2 node, and generates an Nth light emitting signal in response to the potentials of the Q2 node, the Qb2 node, and the net node. An N-th light emitting signal generator that outputs; And it is connected to the input terminal of the Nth light emitting signal generator and includes an external signal line for transmitting an external signal and a control clock signal line for transmitting a control clock signal, wherein the Nth light emitting signal generator transmits the external signal and the control clock signal. Based on , it is possible to provide a gate driving circuit that generates an Nth clear signal for initializing at least one of the nodes of the Nth light emitting signal generator.
상기 제N발광신호 발생부는 상기 제N발광신호가 미출력되는 상기 제N발광신호 발생부의 클리어 구간 동안 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화할 수 있다.The N-th light-emitting signal generator may initialize at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal during a clear section of the N-th light-emitting signal generator in which the N-th light-emitting signal is not output. .
상기 제N발광신호 발생부는 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N클리어신호를 발생하는 클리어신호 발생부를 포함하고, 상기 클리어신호 발생부는 상기 제어클록신호를 기반으로 동작하며 상기 외부신호를 전달하는 제1신호발생 트랜지스터와, 상기 제1신호발생 트랜지스터로부터 전달된 상기 외부신호에 응답하여 동작하며 고전압을 기반으로 상기 클리어신호를 발생하는 제2신호발생 트랜지스터와, 제N+1발광신호 발생부로부터 전달된 신호를 기반으로 상기 클리어신호의 전압 상태를 변경하는 제3신호발생 트랜지스터를 포함할 수 있다.The Nth light emitting signal generator includes a clear signal generator that generates the Nth clear signal based on the external signal and the control clock signal, and the clear signal generator operates based on the control clock signal and generates the external signal. A first signal generation transistor that transmits, a second signal generation transistor that operates in response to the external signal transmitted from the first signal generation transistor and generates the clear signal based on a high voltage, and an N+1 light emitting signal It may include a third signal generation transistor that changes the voltage state of the clear signal based on the signal transmitted from the generator.
상기 제N발광신호 발생부는 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 클리어 회로부를 포함하고, 상기 클리어 회로부는 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드를 초기화시키는 제1클리어 트랜지스터와, 상기 네트노드를 초기화시키는 제2클리어 트랜지스터와, 상기 제N발광신호 출력단을 초기화시키는 제3클리어 트랜지스터를 포함할 수 있다.The N-th light-emitting signal generator includes a clear circuit unit that initializes at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal, and the clear circuit unit initializes the Q2 based on the N-th clear signal. It may include a first clear transistor for initializing a node, a second clear transistor for initializing the net node, and a third clear transistor for initializing the Nth light emitting signal output terminal.
본 실시예는 자체적으로 발생된 클리어신호를 자신의 노드들에 인가함과 더불어 종속적으로 접속된 스테이지들에 인가하여 스테이지별 순차적인 초기화가 가능한 발광신호 발생부를 갖는 게이트신호 발생회로를 기반으로 표시장치의 구동 신뢰성과 구동 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.This embodiment is a display device based on a gate signal generation circuit having a light emitting signal generator capable of sequential initialization for each stage by applying a self-generated clear signal to its nodes and applying it to dependently connected stages. It has the effect of improving driving reliability and driving stability.
도 1은 발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 3 및 도 4는 게이트인패널 방식 게이트 구동부의 구성을 설명하기 위한 도면들이고, 도 5는 게이트인패널 방식 게이트 구동부의 배치예를 나타낸 도면이다.
도 6은 제1실시예에 따른 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 7은 제1실시예에 따른 시프트 레지스터를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 8은 제1실시예에 따라 도 7에 도시된 시프트 레지스터의 일부를 나타낸 블록도이다.
도 9는 제1실시예에 따라 제N발광신호 발생부를 나타낸 회로 구성도이고, 도 10은 제1실시예에 따라 제N발광신호 발생부의 구동 파형 중 일부를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10의 구동 파형에 따른 제N발광신호 발생부의 초기화 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부에 포함된 회로를 더욱 자세히 나타낸 회로 구성도이고, 도 13은 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부의 구동 파형 중 일부를 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13의 구동 파형에 따른 제N발광신호 발생부의 초기화 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부에 인가되는 클리어입력신호의 가변에 따른 클리어신호 발생의 변화를 나타낸 도면이고, 도 16 및 도 17은 제2실시예에 따라 발생된 클리어신호들과 이를 이용한 제N발광신호 발생부의 초기화를 보여주는 시뮬레이션 결과들이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing a light emitting display device, and FIG. 2 is a block diagram schematically showing the subpixel shown in FIG. 1.
Figures 3 and 4 are diagrams for explaining the configuration of a gate-in-panel type gate driver, and Figure 5 is a diagram showing an example of the arrangement of a gate-in-panel type gate driver.
FIG. 6 is a block diagram schematically showing a subpixel according to the first embodiment, FIG. 7 is a block diagram schematically showing a shift register according to the first embodiment, and FIG. 8 is a block diagram schematically showing a subpixel according to the first embodiment. This is a block diagram showing part of the illustrated shift register.
FIG. 9 is a circuit diagram showing the N-th light-emitting signal generator according to the first embodiment, FIG. 10 is a diagram showing a portion of the driving waveform of the N-th light-emitting signal generator according to the first embodiment, and FIG. 11 is FIG. This is a diagram to explain the initialization operation of the Nth light emitting signal generator according to the driving waveform.
FIG. 12 is a circuit diagram showing in more detail the circuit included in the N-th light-emitting signal generator according to the second embodiment, and FIG. 13 is a diagram showing a portion of the driving waveform of the N-th light-emitting signal generator according to the second embodiment. , and FIG. 14 is a diagram for explaining the initialization operation of the Nth light emitting signal generator according to the driving waveform of FIG. 13.
Figure 15 is a diagram showing the change in clear signal generation according to the variation of the clear input signal applied to the Nth light emitting signal generator according to the second embodiment, and Figures 16 and 17 are diagrams showing the change in clear signal generation according to the second embodiment. These are simulation results showing the signals and the initialization of the Nth light emitting signal generator using them.
본 실시예에 따른 표시장치는 텔레비전, 영상 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 자동차 전기장치, 스마트폰 등으로 구현될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따른 표시장치는 발광표시장치(Light Emitting Display Device: LED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display Device; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD) 등으로 구현될 수 있다. 그러나 이하에서는 설명의 편의를 위해 무기 발광다이오드 또는 유기 발광다이오드를 기반으로 빛을 직접 발광하는 발광표시장치를 일례로 한다.The display device according to this embodiment can be implemented as a television, video player, personal computer (PC), home theater, automobile electric device, smartphone, etc., but is not limited thereto. The display device according to the present invention may be implemented as a light emitting display device (LED), a quantum dot display device (QDD), a liquid crystal display device (LCD), etc. However, hereinafter, for convenience of explanation, a light emitting display device that directly emits light based on an inorganic light emitting diode or an organic light emitting diode is taken as an example.
아울러, 이하에서 설명되는 박막 트랜지스터는 n 타입 박막 트랜지스터, p 타입 박막 트랜지스터 또는 n 타입과 p 타입이 함께 존재하는 형태로 구현될 수도 있다. 박막 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 박막 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 박막 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, 박막 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다.In addition, the thin film transistor described below may be implemented as an n-type thin film transistor, a p-type thin film transistor, or a combination of n-type and p-type. A thin film transistor is a three-electrode device including a gate, source, and drain. The source is an electrode that supplies carriers to the transistor. Within a thin film transistor, carriers begin to flow from a source. The drain is the electrode through which carriers go out in a thin film transistor. That is, in a thin film transistor, carriers flow from the source to the drain.
p 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 박막 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. 이와 달리, n 타입 박막 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 박막 트랜지스터에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 그러나 박막 트랜지스터의 소스와 드레인은 인가된 전압에 따라 변경될 수 있다. 이를 반영하여, 이하의 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2전극으로 설명한다.In the case of a p-type thin film transistor, since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type thin film transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. On the other hand, in the case of an n-type thin film transistor, since the carriers are electrons, the source voltage has a lower voltage than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type thin film transistor, since electrons flow from the source to the drain, the direction of current flows from the drain to the source. However, the source and drain of a thin film transistor can change depending on the applied voltage. Reflecting this, in the following description, one of the source and drain will be described as the first electrode, and the other one of the source and drain will be described as the second electrode.
도 1은 발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 블록도이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing a light emitting display device, and FIG. 2 is a block diagram schematically showing the subpixel shown in FIG. 1.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 발광표시장치는 영상 공급부(110), 타이밍 제어부(120), 게이트 구동부(게이트 구동 회로)(130), 데이터 구동부(데이터 구동 회로)(140), 표시패널(150) 및 전원 공급부(180) 등을 포함할 수 있다.As shown in Figures 1 and 2, the light emitting display device includes an image supply unit 110, a timing control unit 120, a gate driver (gate driving circuit) 130, a data driver (data driving circuit) 140, and a display unit. It may include a panel 150 and a power supply unit 180.
영상 공급부(세트 또는 호스트시스템)(110)는 외부로부터 공급된 영상 데이터신호 또는 내부 메모리에 저장된 영상 데이터신호(이미지 데이터신호)와 더불어 각종 구동신호를 출력할 수 있다. 영상 공급부(110)는 데이터신호와 각종 구동신호를 타이밍 제어부(120)에 공급할 수 있다.The image supply unit (set or host system) 110 can output various driving signals in addition to image data signals supplied from outside or image data signals (image data signals) stored in internal memory. The image supply unit 110 may supply data signals and various driving signals to the timing control unit 120.
타이밍 제어부(120)는 게이트 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC), 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 및 각종 동기신호(수직 동기신호인 VSYNC, 수평 동기신호인 HSYNC) 등을 출력할 수 있다. 타이밍 제어부(120)는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와 함께 영상 공급부(110)로부터 공급된 데이터신호(DATA)를 데이터 구동부(140)에 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(120)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되어 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The timing control unit 120 includes a gate timing control signal (GDC) for controlling the operation timing of the gate driver 130, a data timing control signal (DDC) for controlling the operation timing of the data driver 140, and various synchronization signals ( The vertical synchronization signal (VSYNC) and the horizontal synchronization signal (HSYNC) can be output. The timing control unit 120 may supply the data signal DATA supplied from the image supply unit 110 together with the data timing control signal DDC to the data driver 140. The timing control unit 120 may be formed in the form of an integrated circuit (IC) and mounted on a printed circuit board, but is not limited to this.
게이트 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC) 등에 응답하여 게이트신호(또는 게이트전압)를 출력할 수 있다. 게이트 구동부(130)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 게이트신호를 공급할 수 있다. 게이트 구동부(130)는 IC 형태로 형성되거나 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(150) 상에 직접 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The gate driver 130 may output a gate signal (or gate voltage) in response to a gate timing control signal (GDC) supplied from the timing control unit 120. The gate driver 130 may supply a gate signal to subpixels included in the display panel 150 through the gate lines GL1 to GLm. The gate driver 130 may be formed in the form of an IC or directly on the display panel 150 using a gate in panel method, but is not limited thereto.
데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 등에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링 및 래치하고 감마 기준전압을 기반으로 디지털 형태의 데이터신호를 아날로그 형태의 데이터전압으로 변환하여 출력할 수 있다. 데이터 구동부(140)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들에 데이터전압을 공급할 수 있다. 데이터 구동부(140)는 IC 형태로 형성되어 표시패널(150) 상에 실장되거나 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The data driver 140 samples and latches the data signal (DATA) in response to the data timing control signal (DDC) supplied from the timing control unit 120 and converts the digital data signal into analog data based on the gamma reference voltage. It can be converted to voltage and output. The data driver 140 may supply a data voltage to subpixels included in the display panel 150 through the data lines DL1 to DLn. The data driver 140 may be formed in the form of an IC and mounted on the display panel 150 or on a printed circuit board, but is not limited thereto.
전원 공급부(180)는 외부로부터 공급되는 외부 입력전압을 기반으로 고전위전압과 저전위전압을 생성하고, 고전위전원라인(EVDD)과 저전위전원라인(EVSS)을 통해 출력할 수 있다. 전원 공급부(180)는 고전위전압과 저전위전압뿐만아니라 게이트 구동부(130)의 구동에 필요한 전압이나 데이터 구동부(140)의 구동에 필요한 전압 등을 생성 및 출력할 수 있다.The power supply unit 180 generates a high potential voltage and a low potential voltage based on an external input voltage supplied from the outside, and can output them through a high potential power line (EVDD) and a low potential power line (EVSS). The power supply unit 180 may generate and output not only a high potential voltage and a low potential voltage, but also a voltage necessary to drive the gate driver 130 or a voltage necessary to drive the data driver 140.
표시패널(150)은 게이트신호와 데이터전압을 포함하는 구동신호 그리고 고전위전압과 저전위전압을 포함하는 구동전압 등에 대응하여 영상(이미지)을 표시할 수 있다. 표시패널(150)의 서브 픽셀들은 직접 빛을 발광한다. 표시패널(150)은 유리, 실리콘, 폴리이미드 등 강성 또는 연성을 갖는 기판을 기반으로 제작될 수 있다. 그리고 빛을 발광하는 서브 픽셀들은 적색, 녹색 및 청색을 포함하는 픽셀 또는 적색, 녹색, 청색 및 백색을 포함하는 픽셀로 이루어질 수 있다.The display panel 150 can display an image in response to a driving signal including a gate signal and a data voltage, and a driving voltage including a high potential voltage and a low potential voltage. Subpixels of the display panel 150 directly emit light. The display panel 150 may be manufactured based on a rigid or flexible substrate such as glass, silicon, or polyimide. And the subpixels that emit light may be composed of pixels containing red, green, and blue, or pixels containing red, green, blue, and white.
예컨대, 하나의 서브 픽셀(SP)은 제1데이터라인(DL1), 제1게이트라인(GL1), 고전위전원라인(EVDD) 및 저전위전원라인(EVSS)에 연결될 수 있고, 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터, 유기 발광다이오드 등으로 이루어진 픽셀회로를 포함할 수 있다. 발광표시장치에서 사용되는 서브 픽셀(SP)은 빛을 직접 발광하는바 회로의 구성이 복잡하다. 또한, 빛을 발광하는 유기 발광다이오드는 물론이고 유기 발광다이오드의 구동에 필요한 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터 등의 열화를 보상하는 보상회로 또한 다양하다. 따라서, 서브 픽셀(SP)을 블록의 형태로 단순 도시하였음을 참조한다.For example, one subpixel (SP) may be connected to the first data line (DL1), the first gate line (GL1), the high potential power line (EVDD), and the low potential power line (EVSS), and a switching transistor, driving It may include a pixel circuit made of transistors, capacitors, organic light emitting diodes, etc. Sub-pixels (SP) used in light-emitting displays directly emit light, so the circuit configuration is complex. In addition, there are various compensation circuits that compensate for the deterioration of not only the organic light-emitting diode that emits light, but also the driving transistor that supplies the driving current required to drive the organic light-emitting diode. Therefore, please refer to the fact that the subpixel SP is simply shown in the form of a block.
한편, 위의 설명에서는 타이밍 제어부(120), 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(140) 등을 각각 개별적인 구성인 것처럼 설명하였다. 그러나 발광표시장치의 구현 방식에 따라 타이밍 제어부(120), 게이트 구동부(130), 데이터 구동부(140) 중 하나 이상은 하나의 IC 내에 통합될 수 있다.Meanwhile, in the above description, the timing control unit 120, gate driver 130, data driver 140, etc. were described as if they were individual components. However, depending on the implementation method of the light emitting display device, one or more of the timing control unit 120, gate driver 130, and data driver 140 may be integrated into one IC.
도 3 및 도 4는 게이트인패널 방식 게이트 구동부의 구성을 설명하기 위한 도면들이고, 도 5는 게이트인패널 방식 게이트 구동부의 배치예를 나타낸 도면이다.Figures 3 and 4 are diagrams for explaining the configuration of a gate-in-panel type gate driver, and Figure 5 is a diagram showing an example of the arrangement of a gate-in-panel type gate driver.
도 3에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 게이트 구동부(130)는 시프트 레지스터(131)와 레벨 시프터(135)를 포함할 수 있다. 레벨 시프터(135)는 타이밍 제어부(120) 및 전원 공급부(180)로부터 출력된 신호들 및 전압들을 기반으로 클록신호들(Clks)과 스타트신호(Vst) 등을 생성할 수 있다. 시프트 레지스터(131)는 레벨 시프터(135)로부터 출력된 클록신호들(Clks)과 스타트신호(Vst) 등을 기반으로 동작하며 게이트신호들(Gout[1]~Gout[m])을 출력할 수 있다.As shown in FIG. 3, the gate-in-panel type gate driver 130 may include a shift register 131 and a level shifter 135. The level shifter 135 may generate clock signals Clks and a start signal Vst based on signals and voltages output from the timing control unit 120 and the power supply unit 180. The shift register 131 operates based on the clock signals (Clks) and the start signal (Vst) output from the level shifter 135 and can output gate signals (Gout[1] to Gout[m]). there is.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 레벨 시프터(135)는 시프트 레지스터(131)와 달리 IC 형태로 독립적으로 형성되거나 전원 공급부(180)의 내부에 포함될 수 있다. 그러나 이는 하나의 예시일 뿐 이에 한정되지 않는다.As shown in Figures 3 and 4, unlike the shift register 131, the level shifter 135 may be formed independently in the form of an IC or may be included inside the power supply unit 180. However, this is only an example and is not limited to this.
도 5에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 게이트 구동부에서 게이트신호들을 출력하는 제1 및 제2시프트 레지스터(131a, 131b)는 표시패널(150)의 비표시영역(NA)에 배치될 수 있다. 제1 및 제2시프트 레지스터(131a, 131b)는 게이트인패널 방식에 의해 표시패널(150) 상에 박막 형태로 형성될 수 있다. 제1 및 제2시프트 레지스터(131a, 131b)는 표시패널(150)의 좌우측 비표시영역(NA)에 각각 배치된 것을 일례로 도시하였으나 이에 한정되지 않는다.As shown in FIG. 5, the first and second shift registers 131a and 131b that output gate signals from the gate-in-panel type gate driver may be disposed in the non-display area (NA) of the display panel 150. . The first and second shift registers 131a and 131b may be formed in a thin film form on the display panel 150 using a gate-in-panel method. The first and second shift registers 131a and 131b are shown as an example of being disposed in the left and right non-display areas (NA) of the display panel 150, but the present invention is not limited thereto.
도 6은 제1실시예에 따른 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 7은 제1실시예에 따른 시프트 레지스터를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 8은 제1실시예에 따라 도 7에 도시된 시프트 레지스터의 일부를 나타낸 블록도이다.FIG. 6 is a block diagram schematically showing a subpixel according to the first embodiment, FIG. 7 is a block diagram schematically showing a shift register according to the first embodiment, and FIG. 8 is a block diagram schematically showing a subpixel according to the first embodiment. This is a block diagram showing part of the illustrated shift register.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 서브 픽셀(SP)은 제1게이트라인(GL1), 제1데이터라인(DL1), 고전위전원라인(EVDD) 및 저전위전원라인(EVSS)에 연결될 수 있다. 제1게이트라인(GL1)은 스캔신호라인(GL1a)과 발광신호라인(GL1b)을 포함할 수 있다. 스캔신호라인(GL1a)과 발광신호라인(GL1b)은 동일한 수평라인에 배치될 수 있다. 제1실시예에 따른 서브 픽셀은 스캔신호라인(GL1a)을 통해 인가된 스캔신호와 발광신호라인(GL1b)을 통해 인가된 발광신호 등을 기반으로 동작할 수 있다.As shown in FIG. 6, the subpixel SP according to the first embodiment includes a first gate line (GL1), a first data line (DL1), a high potential power line (EVDD), and a low potential power line (EVSS). ) can be connected to. The first gate line GL1 may include a scan signal line GL1a and a light emission signal line GL1b. The scan signal line GL1a and the light emission signal line GL1b may be arranged on the same horizontal line. The subpixel according to the first embodiment may operate based on a scan signal applied through the scan signal line GL1a and a light emission signal applied through the light emission signal line GL1b.
도 7에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 시프트 레지스터(131a)는 도 6에 도시된 서브 픽셀(SP)을 포함하는 표시패널을 구동하기 위해, 스캔신호를 출력하는 스캔신호 발생부들(SCG[1] ~ SCG[m])과 발광신호를 출력하는 발광신호 발생부들(EMG[1] ~ EMG[m])을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, the shift register 131a according to the first embodiment includes scan signal generators that output scan signals to drive the display panel including the subpixel SP shown in FIG. 6. It may include SCG[1] ~ SCG[m]) and light emitting signal generators (EMG[1] ~ EMG[m]) that output light emitting signals.
시프트 레지스터(131a)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔신호들과 발광신호들을 순차적으로 출력하기 위해 종속적으로 접속된 스테이지들(STG1 ~ STGm)로 구성될 수 있는데, 이는 다음과 같다.The shift register 131a may be composed of stages (STG1 to STGm) that are dependently connected to sequentially output scan signals and light emitting signals through the gate lines (GL1 to GLm), which are as follows.
도 8에 도시된 바와 같이, 스캔신호 발생부들(SCG[1] ~ SCG[2])은 제1클록신호라인들(CLKS1), 제1고전압라인(GVDD), 제1저전압라인(GVSS0), 제2저전압라인(GVSS1), 제3저전압라인(GVSS2) 및 제1스타트신호라인(GVST)에 연결될 수 있다. 스캔신호 발생부들(SCG[1] ~ SCG[2])은 제1클록신호라인들(CLKS1), 제1고전압라인(GVDD), 제1저전압라인(GVSS0), 제2저전압라인(GVSS1), 제3저전압라인(GVSS2) 및 제1스타트신호라인(GVST)을 통해 인가된 각종 신호들과 전압들 등을 기반으로 동작할 수 있다.As shown in FIG. 8, the scan signal generators (SCG[1] to SCG[2]) include a first clock signal line (CLKS1), a first high voltage line (GVDD), a first low voltage line (GVSS0), It can be connected to the second low voltage line (GVSS1), the third low voltage line (GVSS2), and the first start signal line (GVST). The scan signal generators (SCG[1] to SCG[2]) include a first clock signal line (CLKS1), a first high voltage line (GVDD), a first low voltage line (GVSS0), a second low voltage line (GVSS1), It can operate based on various signals and voltages applied through the third low voltage line (GVSS2) and the first start signal line (GVST).
발광신호 발생부들(EMG[1] ~ EMG[2])은 제2클록신호라인들(CLKS2), 제2고전압라인(GVDD0), 제3고전압라인(GVDD1), 제1저전압라인(GVSS0), 제3저전압라인(GVSS2), 외부신호라인(CLR_IN) 및 제2스타트신호라인(EVST)에 연결될 수 있다. 발광신호 발생부들(EMG[1] ~ EMG[2])은 제2클록신호라인들(CLKS2), 제2고전압라인(GVDD0), 제3고전압라인(GVDD1), 제1저전압라인(GVSS0), 제3저전압라인(GVSS2) 및 제2스타트신호라인(EVST)을 통해 인가된 각종 신호들과 전압들 등을 기반으로 동작할 수 있다.The light emitting signal generators (EMG[1] ~ EMG[2]) include the second clock signal line (CLKS2), the second high voltage line (GVDD0), the third high voltage line (GVDD1), the first low voltage line (GVSS0), It can be connected to the third low voltage line (GVSS2), the external signal line (CLR_IN), and the second start signal line (EVST). The light emitting signal generators (EMG[1] ~ EMG[2]) include the second clock signal line (CLKS2), the second high voltage line (GVDD0), the third high voltage line (GVDD1), the first low voltage line (GVSS0), It can operate based on various signals and voltages applied through the third low voltage line (GVSS2) and the second start signal line (EVST).
스캔신호 발생부들(SCG[1] ~ SCG[2])과 발광신호 발생부들(EMG[1] ~ EMG[2])에 연결된 고전압라인들을 통해 인가되는 고전압들은 동일한 레벨을 갖거나 목적 및 효과에 따라 하나 이상 다를 수 있다. 또한, 스캔신호 발생부들(SCG[1] ~ SCG[2])과 발광신호 발생부들(EMG[1] ~ EMG[2])에 연결된 저전압라인들을 통해 인가되는 저전압들은 동일한 레벨을 갖거나 목적 및 효과에 따라 하나 이상 다를 수 있다.The high voltages applied through the high voltage lines connected to the scan signal generators (SCG[1] ~ SCG[2]) and the light emitting signal generators (EMG[1] ~ EMG[2]) have the same level or are not suitable for purpose and effect. One or more may be different depending on the situation. In addition, the low voltages applied through the low voltage lines connected to the scan signal generators (SCG[1] ~ SCG[2]) and the light emitting signal generators (EMG[1] ~ EMG[2]) have the same level or have the same purpose and Depending on the effect, there may be one or more differences.
제1스테이지(STG1)에는 제1스캔신호 발생부(SCG[1])와 제1발광신호 발생부(EMG[1])가 위치할 수 있다. 제2스테이지(STG2)에는 제2스캔신호 발생부(SCG[2])와 제2발광신호 발생부(EMG[2])가 위치할 수 있다.A first scan signal generator (SCG[1]) and a first emission signal generator (EMG[1]) may be located in the first stage (STG1). A second scan signal generator (SCG[2]) and a second light emitting signal generator (EMG[2]) may be located in the second stage (STG2).
제1스캔신호 발생부(SCG[1])는 제1스캔신호라인(GL1a)을 통해 제1스캔신호를 출력할 수 있고, 제1발광신호 발생부(EMG[1])는 제1발광신호라인(GL1b)을 통해 제1발광신호를 출력할 수 있다. 제2스캔신호 발생부(SCG[2])는 제2스캔신호라인(GL2a)을 통해 제2스캔신호를 출력할 수 있고, 제2발광신호 발생부(EMG[2])는 제2발광신호라인(GL2b)을 통해 제2발광신호를 출력할 수 있다.The first scan signal generator (SCG[1]) may output the first scan signal through the first scan signal line (GL1a), and the first light emission signal generator (EMG[1]) may output the first light emission signal. The first light emission signal can be output through the line GL1b. The second scan signal generator (SCG[2]) may output the second scan signal through the second scan signal line (GL2a), and the second light emission signal generator (EMG[2]) may output the second light emission signal. A second light emitting signal can be output through the line GL2b.
제1발광신호 발생부(EMG[1])는 외부신호라인(CLR_IN)을 통해 외부로부터 클리어신호를 입력으로 받을 수 있고, 이를 기반으로 자신의 노드들 중 적어도 하나를 초기화할 수 있다. 제2발광신호 발생부(EMG[2])는 제1발광신호 발생부(EMG[1])에서 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 회로에 형성된 신호를 입력으로 받을 수 있고, 이를 기반으로 자신의 노드들 중 적어도 하나를 초기화할 수 있다. The first light emitting signal generator (EMG[1]) can receive a clear signal from the outside as an input through the external signal line (CLR_IN), and can initialize at least one of its nodes based on this. The second light-emitting signal generator (EMG[2]) can receive as input a signal formed in a circuit that initializes at least one of the nodes in the first light-emitting signal generator (EMG[1]), and based on this, its At least one of the nodes can be initialized.
위와 같은 연결 및 동작 관계는 시프트 레지스터(131a)에 포함된 모든 스테이지의 발광신호 발생부들에도 적용될 수 있다. 이하, 제N스테이지에 위치하는 제N발광신호 발생부를 일례로 실시예에 대해 더욱 자세히 설명한다.The above connection and operation relationship can also be applied to the light emitting signal generators of all stages included in the shift register 131a. Hereinafter, the embodiment will be described in more detail, taking the N-th light emitting signal generator located in the N-th stage as an example.
도 9는 제1실시예에 따라 제N발광신호 발생부를 나타낸 회로 구성도이고, 도 10은 제1실시예에 따라 제N발광신호 발생부의 구동 파형 중 일부를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10의 구동 파형에 따른 제N발광신호 발생부의 초기화 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 9 is a circuit diagram showing the N-th light-emitting signal generator according to the first embodiment, FIG. 10 is a diagram showing a portion of the driving waveform of the N-th light-emitting signal generator according to the first embodiment, and FIG. 11 is FIG. This is a diagram to explain the initialization operation of the Nth light emitting signal generator according to the driving waveform.
도 9에 도시된 바와 같이, 제N발광신호 발생부(EMG[n])는 제1발광 노드 제어회로부(ENC1), 제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr), 제1발광신호 출력부(E6, C2, E7), 제1클리어신호 발생부(CLRC) 및 제1클리어 회로부(CLC)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9, the Nth emission signal generator (EMG[n]) includes a first emission node control circuit unit (ENC1), a first emission carry signal output unit (E6cr, E7cr), and a first emission signal output unit. (E6, C2, E7), a first clear signal generation unit (CLRC), and a first clear circuit unit (CLC).
제1발광 노드 제어회로부(ENC1)는 제1고전압라인(GVDD), 제3저전압라인(GVSS2) 및 제2스타트신호라인(EVST)을 통해 인가된 각종 신호들과 전압들 등을 기반으로 동작하며, Q2노드(Q2)와 Qb2노드(Qb2)의 충방전을 제어할 수 있다. 제1발광 노드 제어회로부(ENC1)의 Q2노드(Q2)는 제2스타트신호라인(EVST)을 통해 인가된 제2스타트신호 또는 제N-1발광신호 발생부의 제N-1발광 캐리신호 출력단(CC[n-1])으로부터 출력된 제N-1발광 캐리신호에 의해 제어될 수 있다.The first light emitting node control circuit unit (ENC1) operates based on various signals and voltages applied through the first high voltage line (GVDD), the third low voltage line (GVSS2), and the second start signal line (EVST). , charging and discharging of the Q2 node (Q2) and Qb2 node (Qb2) can be controlled. The Q2 node (Q2) of the first light-emitting node control circuit (ENC1) is connected to the second start signal applied through the second start signal line (EVST) or the N-1th light-emitting carry signal output terminal of the N-1th light-emitting signal generator ( It can be controlled by the N-1th light-emitting carry signal output from (CC[n-1]).
한편, 도 9에서는 제N발광신호 발생부(EMG[n])에 제2스타트신호라인(EVST)이 연결된 것을 일례로 도시하였다. 그러나, 제2스타트신호라인(EVST)은 첫번째 스테이지에 위치하는 발광신호 발생부에 인가될 수 있고, 나머지 스테이지에 위치하는 발광신호 발생부는 전단의 발광 캐리신호를 제2스타트신호로 입력받을 수 있다.Meanwhile, Figure 9 shows an example in which the second start signal line (EVST) is connected to the N-th emission signal generator (EMG[n]). However, the second start signal line (EVST) can be applied to the light emitting signal generator located in the first stage, and the light emitting signal generator located in the remaining stages can receive the previous light emitting carry signal as the second start signal. .
제1발광신호 출력부(E6, C2, E7)는 제1-1제어풀업 트랜지스터(E6), 제2커패시터(C2), 제1-1제어풀다운 트랜지스터(E7)를 포함할 수 있다. 제1발광신호 출력부(E6, C2, E7)는 교번 동작하는 Q2노드(Q2)와 Qb2노드(Qb2)의 전위에 따라 제N발광신호 출력단(EO[n])을 통해 제N발광신호를 출력할 수 있다.The first light emitting signal output unit (E6, C2, E7) may include a 1-1 control pull-up transistor (E6), a second capacitor (C2), and a 1-1 control pull-down transistor (E7). The first light emission signal output unit (E6, C2, E7) outputs the Nth light emission signal through the Nth light emission signal output terminal (EO[n]) according to the potential of the Q2 node (Q2) and Qb2 node (Qb2) that operate alternately. Can be printed.
Q2노드(Q2)의 전위에 의해 제1-1제어풀업 트랜지스터(E6)가 턴온된 경우, 제2커패시터(C2)에 의한 부트스트래핑이 일어나며 제2고전압라인(GVDD0)을 통해 인가된 제2고전압을 기반으로 하이전압의 제N발광신호가 출력될 수 있다. Qb2노드(Qb2)의 전위에 의해 제1-1제어풀다운 트랜지스터(E7)가 턴온된 경우, 제1저전압라인(GVSS0)을 통해 인가된 제1저전압을 기반으로 로우전압의 제N발광신호가 출력될 수 있다.When the 1-1 control pull-up transistor (E6) is turned on by the potential of the Q2 node (Q2), bootstrapping occurs by the second capacitor (C2) and the second high voltage applied through the second high voltage line (GVDD0) Based on this, the Nth light emitting signal of high voltage can be output. When the 1-1st control pull-down transistor (E7) is turned on by the potential of the Qb2 node (Qb2), the Nth light emitting signal of low voltage is output based on the first low voltage applied through the first low voltage line (GVSS0). It can be.
제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr)는 제1-2제어풀업 트랜지스터(E6cr)와 제1-2제어풀다운 트랜지스터(E7cr)를 포함할 수 있다. 제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr)는 교번 동작하는 Q2노드(Q2)와 Qb2노드(Qb2)의 전위에 따라 제N발광 캐리신호 출력단(CC[n])을 통해 제N발광 캐리신호를 출력할 수 있다.The first light-emitting carry signal output unit (E6cr, E7cr) may include a 1-2 control pull-up transistor (E6cr) and a 1-2 control pull-down transistor (E7cr). The first light-emitting carry signal output unit (E6cr, E7cr) outputs the Nth light-emitting carry signal through the Nth light-emitting carry signal output terminal (CC[n]) according to the potential of the Q2 node (Q2) and Qb2 node (Qb2) that operate alternately. can be output.
Q2노드(Q2)의 전위에 의해 제1-2제어풀업 트랜지스터(E6cr)가 턴온된 경우, 제3고전압라인(GVDD1)을 통해 인가된 제3고전압을 기반으로 하이전압의 제N발광 캐리신호가 출력될 수 있다. Qb2노드(Qb2)의 전위에 의해 제1-2제어풀다운 트랜지스터(E7cr)가 턴온된 경우, 제3저전압라인(GVSS2)을 통해 인가된 제3저전압을 기반으로 로우전압의 제N발광 캐리신호가 출력될 수 있다.When the 1-2 control pull-up transistor (E6cr) is turned on by the potential of the Q2 node (Q2), the Nth light-emitting carry signal of high voltage is generated based on the third high voltage applied through the third high voltage line (GVDD1). can be printed. When the 1-2 control pull-down transistor (E7cr) is turned on by the potential of the Qb2 node (Qb2), the Nth light-emitting carry signal of low voltage is generated based on the 3rd low voltage applied through the 3rd low voltage line (GVSS2). can be printed.
제1클리어신호 발생부(CLRC)는 외부로부터 인가된 외부신호(CLR_in) 또는 제N-1발광신호 발생부의 제N-1클리어신호 발생부로부터 출력된 제N-1클리어신호(CLR[n-1])에 의해 제어될 수 있다. 제1클리어신호 발생부(CLRC)는 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1), 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2) 및 제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)를 포함할 수 있다. 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1), 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2) 및 제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)는 외부신호(CLR_in)와 제어클록신호(ECLK)를 기반으로 동작하며 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다.The first clear signal generator (CLRC) receives an external signal (CLR_in) applied from the outside or an N-1 clear signal (CLR[n-) output from the N-1 clear signal generator of the N-1 light emitting signal generator. 1]). The first clear signal generation unit (CLRC) may include a first signal generation transistor (Eclr1), a second signal generation transistor (Eclr2), and a third signal generation transistor (Eclr3). The first signal generation transistor (Eclr1), the second signal generation transistor (Eclr2), and the third signal generation transistor (Eclr3) operate based on the external signal (CLR_in) and control clock signal (ECLK) and the Nth clear signal (CLR). [n]) can be output.
제1클리어 회로부(CLC)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)로부터 출력된 제N클리어신호(CLR[n])를 기반으로 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 노드들 중 적어도 하나를 초기화할 수 있다. 제1클리어 회로부(CLC)는 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)를 포함할 수 있다. 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)로부터 출력된 제N클리어신호(CLR[n])를 기반으로 동작할 수 있다.The first clear circuit unit (CLC) is configured to operate at least one of the nodes of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) based on the Nth clear signal (CLR[n]) output from the first clear signal generator (CLRC). You can initialize one. The first clear circuit unit (CLC) may include a first clear transistor (Eclrq), a second clear transistor (Eclrn), and a third clear transistor (Eclro). The first clear transistor (Eclrq), the second clear transistor (Eclrn), and the third clear transistor (Eclro) operate based on the Nth clear signal (CLR[n]) output from the first clear signal generator (CLRC). can do.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제N발광신호 발생부(EMG[n])는 외부로부터 인가된 외부신호(CLR_in)와 제어클록신호(Eclk)를 기반으로 동작하며 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다.As shown in Figures 10 and 11, the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) operates based on the external signal (CLR_in) and the control clock signal (Eclk) applied from the outside and generates the Nth clear signal ( CLR[n]) can be output.
제1클리어신호 발생부(CLRC)는 하이전압(H)의 외부신호(CLR_in)가 입력된 후 하이전압(H)의 제어클록신호(Eclk)가 입력된 경우, 동작할 수 있다. 이와 달리, 로우전압(L)의 외부신호(CLR_in)가 입력된 후 하이전압(H)의 제어클록신호(Eclk) 또는 로우전압(L)의 제어클록신호(Eclk)가 입력된 경우, 동작하지 않을 수 있다.The first clear signal generator (CLRC) may operate when the control clock signal (Eclk) of the high voltage (H) is input after the external signal (CLR_in) of the high voltage (H) is input. In contrast, if the control clock signal (Eclk) of the high voltage (H) or the control clock signal (Eclk) of the low voltage (L) is input after the external signal (CLR_in) of the low voltage (L) is input, it does not operate. It may not be possible.
하이전압(H)의 외부신호(CLR_in)가 입력된 후 하이전압(H)의 제어클록신호(Eclk)가 입력된 경우, 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1)와 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2)는 턴온될 수 있다. 이 경우, 클리어Q노드(CLR_Q)는 하이전압(H)의 외부신호(CLR_in)에 의해 하이전압(H)으로 충전되고, 고전압라인(GVDD1)을 통해 인가된 고전압을 기반으로 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])가 출력될 수 있다.When the control clock signal (Eclk) of the high voltage (H) is input after the external signal (CLR_in) of the high voltage (H) is input, the first signal generation transistor (Eclr1) and the second signal generation transistor (Eclr2) It can be turned on. In this case, the Clear Q node (CLR_Q) is charged with high voltage (H) by the external signal (CLR_in) of high voltage (H), and is charged with high voltage (H) based on the high voltage applied through the high voltage line (GVDD1). The Nth clear signal (CLR[n]) may be output.
제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)는 제N+i(i는 1 이상 정수)발광신호 발생부의 제N+i클리어신호 발생부의 출력단으로부터 출력된 제N+i클리어신호(CLR[n+i])를 기반으로 동작하며 하이전압(H)의 외부신호(CLR_in)를 로우전압(L)의 외부신호(CLR_in)로 제어(전압 상태 변경을 위한 방전 제어)할 수 있다. 로우전압(L)의 외부신호(CLR_in)가 발생하면, 제1클리어 회로부(CLC)에 포함된 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 동시에 턴오프될 수 있다.The third signal generation transistor (Eclr3) receives the N+i clear signal (CLR[n+i]) output from the output terminal of the N+i clear signal generator of the N+i (i is an integer greater than 1) light emitting signal generator. It operates based on and can control the high voltage (H) external signal (CLR_in) with the low voltage (L) external signal (CLR_in) (discharge control to change the voltage state). When the external signal (CLR_in) of the low voltage (L) occurs, the first clear transistor (Eclrq), the second clear transistor (Eclrn), and the third clear transistor (Eclro) included in the first clear circuit unit (CLC) are simultaneously activated. It can be turned off.
제1클리어 회로부(CLC)는 로우전압(L)의 제N클리어신호(CLR[n])가 입력된 경우, 동작하지 않을 수 있고, 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])가 입력된 경우, 동작할 수 있다. 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])가 입력된 경우, 제1클리어 회로부(CLC)의 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 동시에 턴온될 수 있다.The first clear circuit unit (CLC) may not operate when the Nth clear signal (CLR[n]) of the low voltage (L) is input, and the Nth clear signal (CLR[n]) of the high voltage (H) may not be operated. ) is entered, it can operate. When the Nth clear signal (CLR[n]) of the high voltage (H) is input, the first clear transistor (Eclrq), the second clear transistor (Eclrn), and the third clear transistor ( Eclro) can be turned on at the same time.
제1클리어 트랜지스터(Eclrq)가 턴온되면 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 Q2노드(Q2)가 초기화될 수 있고, 제2클리어 트랜지스터(Eclrn)가 턴온되면 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 네트노드(NET)가 초기화될 수 있고, 제3클리어 트랜지스터(Eclro)가 턴온되면 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광신호 출력단(EO[n])이 초기화될 수 있다. 즉, 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 Q2노드(Q2), 네트노드(NET) 및 제N발광신호 출력단(EO[n])은 동시에 초기화될 수 있다.When the first clear transistor (Eclrq) is turned on, the Q2 node (Q2) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) can be initialized, and when the second clear transistor (Eclrn) is turned on, the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) can be initialized. The net node (NET) of (EMG[n]) can be initialized, and when the third clear transistor (Eclro) is turned on, the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) can be initialized. ]) can be initialized. That is, the Q2 node (Q2), the net node (NET), and the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) can be initialized simultaneously.
한편, 제N발광신호 발생부(EMG[n])에 포함된 노드들의 초기화는 제N발광신호 발생부(EMG[n])가 유효한 발광신호(표시패널의 발광제어 트랜지스터를 턴온시키기 위한 온전압의 발광신호)를 출력하지 않는 비구동시간에 이루어질 수 있다. 이밖에, 발광신호 발생부 중에서도 마지막 스테이에 위치하는 발광신호 발생부에 포함된 제3신호발생 트랜지스터(마지막 스테이지의 Eclr3)는 외부로부터 입력된 별도의 클리어리셋신호(CLR_reset)에 의해 턴온될 수 있다.Meanwhile, the initialization of the nodes included in the N-th light-emitting signal generator (EMG[n]) is performed so that the N-th light-emitting signal generator (EMG[n]) generates a valid light-emitting signal (on voltage for turning on the light-emitting control transistor of the display panel). This can be done during non-driving time when the light emitting signal) is not output. In addition, the third signal generation transistor (Eclr3 of the last stage) included in the light emitting signal generator located in the last stage among the light emitting signal generators can be turned on by a separate clear reset signal (CLR_reset) input from the outside. .
제1클리어신호 발생부(CLRC)와 제1클리어 회로부(CLC)는 다양한 형태의 발광신호 발생부에 적용할 수 있음을 참고한다. 이하, 실시예에 대한 이해를 돕기 위해, 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제1발광 노드 제어회로부(ENC1)에 포함된 회로의 예시를 기반으로 제2실시예를 설명한다.Note that the first clear signal generator (CLRC) and the first clear circuit portion (CLC) can be applied to various types of light emitting signal generators. Hereinafter, to facilitate understanding of the embodiment, the second embodiment will be described based on an example of a circuit included in the first light emitting node control circuit unit ENC1 of the Nth light emitting signal generator EMG[n].
도 12는 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부에 포함된 회로를 더욱 자세히 나타낸 회로 구성도이고, 도 13은 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부의 구동 파형 중 일부를 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13의 구동 파형에 따른 제N발광신호 발생부의 초기화 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 12 is a circuit diagram showing in more detail the circuit included in the N-th light-emitting signal generator according to the second embodiment, and FIG. 13 is a diagram showing a portion of the driving waveform of the N-th light-emitting signal generator according to the second embodiment. , and FIG. 14 is a diagram for explaining the initialization operation of the Nth light emitting signal generator according to the driving waveform of FIG. 13.
도 12에 도시된 바와 같이, 제N발광신호 발생부(EMG[n])는 제1발광 노드 제어회로부(ENC1), 제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr), 제1발광신호 출력부(E6, C2, E7), 제1클리어신호 발생부(CLRC) 및 제1클리어 회로부(CLC)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12, the Nth emission signal generator (EMG[n]) includes a first emission node control circuit unit (ENC1), a first emission carry signal output unit (E6cr, E7cr), and a first emission signal output unit. (E6, C2, E7), a first clear signal generation unit (CLRC), and a first clear circuit unit (CLC).
제1발광 노드 제어회로부(ENC1)는 제1-1제어 트랜지스터(E1), 제1-2제어 트랜지스터(E1A), 제3-1제어 트랜지스터(E3q), 제4-1제어 트랜지스터(E4), 제4-2제어 트랜지스터(E41), 제4-3제어 트랜지스터(E4q), 제5-1제어 트랜지스터(E5q), 제4커패시터(C4)를 포함할 수 있다.The first light emitting node control circuit unit (ENC1) includes a 1-1 control transistor (E1), a 1-2 control transistor (E1A), a 3-1 control transistor (E3q), a 4-1 control transistor (E4), It may include a 4-2 control transistor (E41), a 4-3 control transistor (E4q), a 5-1 control transistor (E5q), and a fourth capacitor (C4).
제1-1제어 트랜지스터(E1)는 제어클록신호라인(ECLK)에 게이트전극이 연결되고 제N-1발광신호 발생부의 제N-1발광 캐리신호 출력단(CC[n-1])에 제1전극이 연결되고 Qh2노드(Qh2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-1제어 트랜지스터(E1)는 제어클록신호를 기반으로 동작하며 제N-1발광 캐리신호를 Qh2노드(Qh2)에 전달할 수 있다.The 1-1 control transistor (E1) has its gate electrode connected to the control clock signal line (ECLK) and the first light-emitting carry signal output terminal (CC[n-1]) of the N-1 light-emitting signal generator. The electrodes may be connected and the second electrode may be connected to the Qh2 node (Qh2). The 1-1st control transistor (E1) operates based on the control clock signal and can transmit the N-1th light-emitting carry signal to the Qh2 node (Qh2).
제1-2제어 트랜지스터(E1A)는 제어클록신호라인(ECLK)에 게이트전극이 연결되고 Qh2노드(Qh2)에 제1전극이 연결되고 Q2노드(Q2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-2제어 트랜지스터(E1A)는 제어클록신호를 기반으로 동작하며 Q2노드(Q2)와 Qh2노드(Qh2)를 제어할 수 있다.The 1-2 control transistor E1A may have a gate electrode connected to the control clock signal line ECLK, a first electrode connected to the Qh2 node (Qh2), and a second electrode connected to the Q2 node (Q2). The 1-2 control transistor (E1A) operates based on the control clock signal and can control the Q2 node (Q2) and the Qh2 node (Qh2).
제3-1제어 트랜지스터(E3q)는 Q2노드(Q2)에 게이트전극이 연결되고 제3고전압라인(GVDD1)에 제1전극이 연결되고 Qh2노드(Qh2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제3-1제어 트랜지스터(E3q)는 Q2노드(Q2)의 전위를 기반으로 동작하며 Qh2노드(Qh2)에 제3고전압을 전달할 수 있다.The 3-1st control transistor E3q may have a gate electrode connected to the Q2 node (Q2), a first electrode connected to the third high voltage line (GVDD1), and a second electrode connected to the Qh2 node (Qh2). The 3-1st control transistor (E3q) operates based on the potential of the Q2 node (Q2) and can transmit the third high voltage to the Qh2 node (Qh2).
제4-1제어 트랜지스터(E4)는 네트노드(NET)와 제4커패시터(C4)의 제1전극에 게이트전극이 연결되고 제3고전압라인(GVDD1)에 제1전극이 연결되고 Qb2노드(Qb2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제4-1제어 트랜지스터(E4)는 네트노드(NET)의 전위를 기반으로 동작하며 Qb2노드(Qb2)에 제3고전압을 전달할 수 있다.The 4-1 control transistor (E4) has a gate electrode connected to the net node (NET) and the first electrode of the fourth capacitor (C4), a first electrode connected to the third high voltage line (GVDD1), and a Qb2 node (Qb2). ) The second electrode may be connected to. The 4-1 control transistor (E4) operates based on the potential of the net node (NET) and can transmit the third high voltage to the Qb2 node (Qb2).
제4-2제어 트랜지스터(E41)는 제N-1발광신호 발생부의 Qb2노드(Qb2[n-1])에 게이트전극이 연결되고 제3고전압라인(GVDD1)에 제1전극이 연결되고 제4-3제어 트랜지스터(E4q)의 제1전극에 제2전극이 연결될 수 있다. 제4-2제어 트랜지스터(E41)는 제N-1발광신호 발생부의 Qb2노드(Qb2[n-1])의 전위를 기반으로 동작하며 제4-3제어 트랜지스터(E4q)의 제1전극에 제3고전압을 전달할 수 있다.The 4-2 control transistor (E41) has a gate electrode connected to the Qb2 node (Qb2[n-1]) of the N-1 light emitting signal generator, a first electrode connected to the third high voltage line (GVDD1), and a fourth -3 The second electrode may be connected to the first electrode of the control transistor E4q. The 4-2 control transistor (E41) operates based on the potential of the Qb2 node (Qb2[n-1]) of the N-1 light emitting signal generator and is connected to the first electrode of the 4-3 control transistor (E4q). 3Can transmit high voltage.
제4-3제어 트랜지스터(E4q)는 Qh2노드(Qh2)에 게이트전극이 연결되고 제4-2제어 트랜지스터(E41)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 Qb2노드(Qb2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제4-3제어 트랜지스터(E4q)는 Qh2노드(Qh2)의 전위를 기반으로 동작하며 제4-2제어 트랜지스터(E41)로부터 전달된 전압으로 Qb2노드(Qb2)를 제어할 수 있다.The 4-3 control transistor (E4q) has a gate electrode connected to the Qh2 node (Qh2), a first electrode connected to the second electrode of the 4-2 control transistor (E41), and a second electrode connected to the Qb2 node (Qb2). This can be connected. The 4-3 control transistor (E4q) operates based on the potential of the Qh2 node (Qh2) and can control the Qb2 node (Qb2) with the voltage transmitted from the 4-2 control transistor (E41).
제5-1제어 트랜지스터(E5q)는 Qh2노드(Qh2)에 게이트전극이 연결되고 Qb2노드(Qb2)에 제1전극이 연결되고 제3저전압라인(GVSS2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제5-1제어 트랜지스터(E5q)는 Qh2노드(Qh2)의 전위를 기반으로 동작하며 제3저전압으로 Qb2노드(Qb2)를 제어할 수 있다.The 5-1 control transistor E5q may have a gate electrode connected to the Qh2 node (Qh2), a first electrode connected to the Qb2 node (Qb2), and a second electrode connected to the third low voltage line (GVSS2). The 5-1st control transistor (E5q) operates based on the potential of the Qh2 node (Qh2) and can control the Qb2 node (Qb2) with the third low voltage.
제1발광신호 출력부(E6, C2, E7)는 제1-1제어풀업 트랜지스터(E6), 제2커패시터(C2), 제1-1제어풀다운 트랜지스터(E7)를 포함할 수 있다. 제1발광신호 출력부(E6, C2, E7)는 교번 동작하는 Q2노드(Q2)와 Qb2노드(Qb2)의 전위에 따라 제N발광신호 출력단(EO[n])을 통해 제N발광신호를 출력할 수 있다.The first light emitting signal output unit (E6, C2, E7) may include a 1-1 control pull-up transistor (E6), a second capacitor (C2), and a 1-1 control pull-down transistor (E7). The first light emission signal output unit (E6, C2, E7) outputs the Nth light emission signal through the Nth light emission signal output terminal (EO[n]) according to the potential of the Q2 node (Q2) and Qb2 node (Qb2) that operate alternately. Can be printed.
제1-1제어풀업 트랜지스터(E6)는 Q2노드(Q2)와 제2커패시터(C2)의 제1전극에 게이트전극이 연결되고 제2고전압라인(GVDD0)에 제1전극이 연결되고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광신호 출력단(EO[n])에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-1제어풀업 트랜지스터(E6)는 Q2노드(Q2)의 전위를 기반으로 동작하며 제2고전압을 하이전압의 제N발광신호로 출력할 수 있다.The 1-1 control pull-up transistor (E6) has a gate electrode connected to the Q2 node (Q2) and the first electrode of the second capacitor (C2), a first electrode connected to the second high voltage line (GVDD0), and emits N light. The second electrode may be connected to the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) of the signal generator (EMG[n]). The 1-1st control pull-up transistor (E6) operates based on the potential of the Q2 node (Q2) and can output the second high voltage as the Nth light emitting signal of high voltage.
제1-1제어풀다운 트랜지스터(E7)는 Qb2노드(Qb2)에 게이트전극이 연결되고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광신호 출력단(EO[n])에 제1전극이 연결되고 제1저전압라인(GVSS0)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-1제어풀다운 트랜지스터(E7)는 Qb2노드(Qb2)의 전위를 기반으로 동작하며 제1저전압을 로우전압의 제N발광신호로 출력할 수 있다.The 1-1 control pull-down transistor (E7) has its gate electrode connected to the Qb2 node (Qb2) and its first electrode connected to the N-th light-emitting signal output terminal (EO[n]) of the N-th light-emitting signal generator (EMG[n]). This connection can be made, and the second electrode can be connected to the first low voltage line (GVSS0). The 1-1st control pull-down transistor (E7) operates based on the potential of the Qb2 node (Qb2) and can output the first low voltage as the Nth light emitting signal of low voltage.
제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr)는 제1-2제어풀업 트랜지스터(E6cr)와 제1-2제어풀다운 트랜지스터(E7cr)를 포함할 수 있다. 제1발광 캐리신호 출력부(E6cr, E7cr)는 교번 동작하는 Q2노드(Q2)와 Qb2노드(Qb2)의 전위에 따라 제N발광 캐리신호 출력단(CC[n])을 통해 제N발광 캐리신호를 출력할 수 있다.The first light-emitting carry signal output unit (E6cr, E7cr) may include a 1-2 control pull-up transistor (E6cr) and a 1-2 control pull-down transistor (E7cr). The first light-emitting carry signal output unit (E6cr, E7cr) outputs the Nth light-emitting carry signal through the Nth light-emitting carry signal output terminal (CC[n]) according to the potential of the Q2 node (Q2) and Qb2 node (Qb2) that operate alternately. can be output.
제1-2제어풀업 트랜지스터(E6cr)는 Q2노드(Q2)에 게이트전극이 연결되고 제3고전압라인(GVDD1)에 제1전극이 연결되고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광 캐리신호 출력단(CC[n])에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-2제어풀업 트랜지스터(E6cr)는 Q2노드(Q2)의 전위를 기반으로 동작하며 제3고전압을 하이전압의 제N발광 캐리신호로 출력할 수 있다.The 1-2 control pull-up transistor (E6cr) has its gate electrode connected to the Q2 node (Q2), its first electrode connected to the third high voltage line (GVDD1), and the first electrode of the N-th light emitting signal generator (EMG[n]). The second electrode may be connected to the N light-emitting carry signal output terminal (CC[n]). The 1-2 control pull-up transistor (E6cr) operates based on the potential of the Q2 node (Q2) and can output the third high voltage as the Nth light-emitting carry signal of high voltage.
제1-2제어풀다운 트랜지스터(E7cr)는 Qb2노드(Qb2)에 게이트전극이 연결되고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광 캐리신호 출력단(CC[n])에 제1전극이 연결되고 제1저전압라인(GVSS0)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1-2제어풀다운 트랜지스터(E7cr)는 Qb2노드(Qb2)의 전위를 기반으로 동작하며 제1저전압을 로우전압의 제N발광 캐리신호로 출력할 수 있다.The 1-2 control pull-down transistor (E7cr) has its gate electrode connected to the Qb2 node (Qb2) and the first light-emitting carry signal output terminal (CC[n]) of the N-th emitting signal generator (EMG[n]). The electrode may be connected and the second electrode may be connected to the first low voltage line (GVSS0). The first-second control pull-down transistor (E7cr) operates based on the potential of the Qb2 node (Qb2) and can output the first low voltage as the Nth light-emitting carry signal of low voltage.
제1클리어신호 발생부(CLRC)는 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1), 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2) 및 제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)를 포함할 수 있다. 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1), 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2) 및 제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)는 외부신호(CLR_in)와 제어클록신호를 기반으로 동작하며 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다.The first clear signal generation unit (CLRC) may include a first signal generation transistor (Eclr1), a second signal generation transistor (Eclr2), and a third signal generation transistor (Eclr3). The first signal generation transistor (Eclr1), the second signal generation transistor (Eclr2), and the third signal generation transistor (Eclr3) operate based on the external signal (CLR_in) and the control clock signal, and the Nth clear signal (CLR[n]) ) can be output.
제1신호발생 트랜지스터(Eclr1)는 제어클록신호라인(ECLK)에 게이트전극이 연결되고 제N-1발광신호 발생부의 제N-1클리어신호 발생부의 출력단 또는 외부신호라인(CLR[n-1](CLR_in)참고)에 제1전극이 연결되고 클리어Q노드(CLR_Q)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1신호발생 트랜지스터(Eclr1)는 제어클록신호를 기반으로 동작하며 외부신호(CLR_in) 등으로 클리어Q노드(CLR_Q)를 제어할 수 있다.The first signal generation transistor (Eclr1) has its gate electrode connected to the control clock signal line (ECLK) and the output terminal of the N-1 clear signal generator of the N-1 light emitting signal generator or the external signal line (CLR[n-1) The first electrode may be connected to (see CLR_in)) and the second electrode may be connected to the Clear Q node (CLR_Q). The first signal generation transistor (Eclr1) operates based on the control clock signal and can control the clear Q node (CLR_Q) with an external signal (CLR_in), etc.
제2신호발생 트랜지스터(Eclr2)는 클리어Q노드(CLR_Q)에 게이트전극이 연결되고 제3고전압라인(GVDD1)에 제1전극이 연결되고 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단에 제2전극이 연결될 수 있다. 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2)는 클리어Q노드(CLR_Q)의 전위를 기반으로 동작하며 제1클리어신호 발생부의 출력단을 통해 하이전압의 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다.The second signal generation transistor (Eclr2) has a gate electrode connected to the clear Q node (CLR_Q), a first electrode connected to the third high voltage line (GVDD1), and a second electrode connected to the output terminal of the first clear signal generator (CLRC). This can be connected. The second signal generation transistor (Eclr2) operates based on the potential of the clear Q node (CLR_Q) and can output the Nth clear signal (CLR[n]) of high voltage through the output terminal of the first clear signal generator.
제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)는 제N+i(i는 1 이상 정수)발광신호 발생부의 제N+i클리어신호 발생부의 출력단(CLR[n+i] 참고)에 게이트전극이 연결되고 제2신호발생 트랜지스터(Eclr2)의 제1전극이 되는 제1클리어신호 발생부의 출력단에 제1전극이 연결되고 제3저전압라인(GVSS2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제3신호발생 트랜지스터(Eclr3)는 제N+i클리어신호를 기반으로 동작하며 제1클리어신호 발생부의 출력단을 통해 로우전압의 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다.The third signal generation transistor (Eclr3) has a gate electrode connected to the output terminal (see CLR[n+i]) of the N+i clear signal generator of the N+i (i is an integer greater than 1) light emitting signal generator, and a second The first electrode may be connected to the output terminal of the first clear signal generator, which is the first electrode of the signal generation transistor (Eclr2), and the second electrode may be connected to the third low voltage line (GVSS2). The third signal generation transistor (Eclr3) operates based on the N+i-th clear signal and can output the low-voltage N-th clear signal (CLR[n]) through the output terminal of the first clear signal generator.
제1클리어 회로부(CLC)는 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)를 포함할 수 있다. 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단을 통해 출력된 제N클리어신호를 기반으로 동작할 수 있다.The first clear circuit unit (CLC) may include a first clear transistor (Eclrq), a second clear transistor (Eclrn), and a third clear transistor (Eclro). The first clear transistor (Eclrq), the second clear transistor (Eclrn), and the third clear transistor (Eclro) may operate based on the Nth clear signal output through the output terminal of the first clear signal generator (CLRC). .
제1클리어 트랜지스터(Eclrq)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단에 게이트전극이 연결되고 Q2노드(Q2)에 제1전극이 연결되고 제3저전압라인(GVSS2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제1클리어 트랜지스터(Eclrq)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단을 통해 출력된 제N클리어신호(CLR[n])를 기반으로 동작하며 제3저전압으로 Q2노드(Q2)를 초기화할 수 있다.The first clear transistor (Eclrq) has a gate electrode connected to the output terminal of the first clear signal generator (CLRC), a first electrode connected to the Q2 node (Q2), and a second electrode connected to the third low voltage line (GVSS2). You can. The first clear transistor (Eclrq) operates based on the Nth clear signal (CLR[n]) output through the output terminal of the first clear signal generator (CLRC) and initializes the Q2 node (Q2) with the third low voltage. You can.
제2클리어 트랜지스터(Eclrn)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단에 게이트전극이 연결되고 네트노드(NET)에 제1전극이 연결되고 제3저전압라인(GVSS2)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제2클리어 트랜지스터(Eclrn)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단을 통해 출력된 제N클리어신호(CLR[n])를 기반으로 동작하며 제3저전압으로 네트노드(NET)를 초기화할 수 있다.The second clear transistor (Eclrn) has a gate electrode connected to the output terminal of the first clear signal generator (CLRC), a first electrode connected to the net node (NET), and a second electrode connected to the third low voltage line (GVSS2). You can. The second clear transistor (Eclrn) operates based on the Nth clear signal (CLR[n]) output through the output terminal of the first clear signal generator (CLRC) and initializes the net node (NET) with the third low voltage. You can.
제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단에 게이트전극이 연결되고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광신호 출력단(EO[n])에 제1전극이 연결되고 제1저전압라인(GVSS0)에 제2전극이 연결될 수 있다. 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단을 통해 출력된 제N클리어신호(CLR[n])를 기반으로 동작하며 제3저전압으로 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제N발광신호 출력단(EO[n])을 초기화할 수 있다.The third clear transistor (Eclro) has a gate electrode connected to the output terminal of the first clear signal generator (CLRC) and is connected to the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]). The first electrode may be connected and the second electrode may be connected to the first low voltage line (GVSS0). The third clear transistor (Eclro) operates based on the Nth clear signal (CLR[n]) output through the output terminal of the first clear signal generator (CLRC) and is supplied to the Nth light emitting signal generator (EMG) using the third low voltage. The Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) of [n]) can be initialized.
도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 제N발광신호 발생부(EMG[n])는 외부신호(CLR_in)와 제1제어클록신호(Eclk1) 등을 기반으로 동작할 수 있다. 그리고 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 후단에 위치하는 제N+1발광신호 발생부는 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단으로부터 출력된 제N클리어신호(CLR[n])와 제2제어클록신호(Eclk2) 등을 기반으로 동작할 수 있다.As shown in FIGS. 13 and 14, the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) may operate based on an external signal (CLR_in) and a first control clock signal (Eclk1). And the N+1th light emitting signal generator located at the rear of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) is the output terminal of the first clear signal generator (CLRC) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]). It can be operated based on the Nth clear signal (CLR[n]) and the second control clock signal (Eclk2) output from.
제2스타트신호(Evst)는 클리어 구간(CLR 구간) 동안 로우전압(L)으로 발생하고, 발광 구동 구간(EMG 구동 구간) 동안 하이전압(H)으로 발생할 수 있다. 이에 따라, 제N발광신호 발생부(EMG[n])와 제N+1발광신호 발생부는 노드를 클리어 하기 위한 클리어 구간(CLR 구간)과 발광신호를 발생하기 위한 발광 구동 구간(EMG 구동 구간)으로 구분되어 동작할 수 있다. EQbst에서 볼 수 있는 바와 같이, 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])가 발생하는 기간 동안 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 Qb2노드는 로우전압(L)의 전위를 가질 수 있다.The second start signal (Evst) may be generated as a low voltage (L) during the clear section (CLR section) and may be generated as a high voltage (H) during the light emission drive section (EMG drive section). Accordingly, the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) and the N+1th light emitting signal generator have a clear section (CLR section) for clearing the node and a light emission drive section (EMG drive section) for generating the light emitting signal. It can be operated separately. As can be seen in EQbst, during the period when the Nth clear signal (CLR[n]) of the high voltage (H) is generated, the Qb2 node of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]) is exposed to the low voltage (L). It can have a potential of
제N발광신호 발생부(EMG[n])에 하이전압(H)의 외부신호(CLR_in)가 입력된 후 하이전압(H)의 제1제어클록신호(Eclk1)가 입력되면, 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제1클리어신호 발생부(CLRC)는 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])를 출력할 수 있다. 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단을 통해 하이전압(H)의 제N클리어신호(CLR[n])가 출력되면, 제1클리어 회로부(CLC)에 포함된 제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)는 턴온될 수 있다.When the first control clock signal (Eclk1) of high voltage (H) is input after the external signal (CLR_in) of high voltage (H) is input to the Nth light emitting signal generator (EMG[n]), the Nth light emitting signal The first clear signal generator (CLRC) of the generator (EMG[n]) may output the Nth clear signal (CLR[n]) of the high voltage (H). When the Nth clear signal (CLR[n]) of high voltage (H) is output through the output terminal of the first clear signal generator (CLRC), the first clear transistor (Eclrq) included in the first clear circuit portion (CLC) , the second clear transistor (Eclrn) and the third clear transistor (Eclro) may be turned on.
제1클리어 트랜지스터(Eclrq), 제2클리어 트랜지스터(Eclrn) 및 제3클리어 트랜지스터(Eclro)가 턴온되면, 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 Q2노드(Q2[n]), 네트노드(NET[n]) 및 제N발광신호 출력단(EO[n])은 초기화될 수 있다.When the first clear transistor (Eclrq), the second clear transistor (Eclrn), and the third clear transistor (Eclro) are turned on, the Q2 node (Q2[n]) of the Nth light emitting signal generator (EMG[n]), the net The node (NET[n]) and the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) may be initialized.
이후, 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 후단에 위치하는 제N+1발광신호 발생부는 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 제1클리어신호 발생부(CLRC)의 출력단으로부터 출력된 제N클리어신호(CLR[n])와 제2제어클록신호(Eclk2) 등을 기반으로 동작을 이어갈 수 있다. 그리고 제N+1발광신호 발생부의 Q2노드(Q2[n+1]), 네트노드(NET[n+1]) 및 제N+1발광신호 출력단(EO[n+1])은 제N발광신호 발생부(EMG[n])의 Q2노드(Q2[n]), 네트노드(NET[n]) 및 제N발광신호 출력단(EO[n])과 일부 중첩하는 시간(대략 1/2의 중첩 시간)을 가지고 초기화될 수 있다.Afterwards, the N+1-th light-emitting signal generator located at the rear of the N-th light-emitting signal generator (EMG[n]) is the first clear signal generator (CLRC) of the N-th light-emitting signal generator (EMG[n]). Operation can be continued based on the Nth clear signal (CLR[n]) and the second control clock signal (Eclk2) output from the output terminal. And the Q2 node (Q2[n+1]), the net node (NET[n+1]), and the N+1th light emitting signal output terminal (EO[n+1]) of the N+1th light emitting signal generator emit the Nth light. The time (approximately 1/2 of can be initialized with an overlap time).
도 15는 제2실시예에 따라 제N발광신호 발생부에 인가되는 클리어입력신호의 가변에 따른 클리어신호 발생의 변화를 나타낸 도면이고, 도 16 및 도 17은 제2실시예에 따라 발생된 클리어신호들과 이를 이용한 제N발광신호 발생부의 초기화를 보여주는 시뮬레이션 결과들이다.Figure 15 is a diagram showing the change in clear signal generation according to the variation of the clear input signal applied to the Nth light emitting signal generator according to the second embodiment, and Figures 16 and 17 are diagrams showing the change in clear signal generation according to the second embodiment. These are simulation results showing the signals and the initialization of the Nth light emitting signal generator using them.
도 15에 도시된 바와 같이, 외부신호(CLR_in)의 펄스폭은 가변될 수 있다. 외부신호(CLR_in)의 펄스폭은 제어클록신호(Eclk1 or Eclk2)의 주기에 대응하여 가변될 수 있다. 이는 제1클리어신호(CLR[1])의 펄스폭이 제1제어클록신호(ECLK1)의 두번째 라이징에지 발생 시간부터 가변되기 시작하여 세번째 라이징에지 발생 시간에 종료되는 것을 참고하면 알 수 있다.As shown in FIG. 15, the pulse width of the external signal (CLR_in) can be varied. The pulse width of the external signal (CLR_in) can be varied in response to the period of the control clock signal (Eclk1 or Eclk2). This can be seen by referring to the fact that the pulse width of the first clear signal (CLR[1]) begins to vary from the second rising edge generation time of the first control clock signal (ECLK1) and ends at the third rising edge generation time.
아울러, 제N발광신호 발생부에 포함된 제3신호발생 트랜지스터에 입력되는 신호는 제어클록신호의 위상과 외부신호(CLR_in)의 펄스폭을 결정하는 제어클록신호의 주기를 고려하여 가변할 수 있는데, 이를 표현하면 "Eclk : A 상 & CLR_in Width : Eclk의 B 주기 -> Eclr3 : CLR (n + A*B)"와 같다.In addition, the signal input to the third signal generation transistor included in the N-th light emitting signal generator can be varied by considering the phase of the control clock signal and the period of the control clock signal that determines the pulse width of the external signal (CLR_in). , this is expressed as "Eclk: A phase & CLR_in Width: B cycle of Eclk -> Eclr3: CLR (n + A*B)".
상기의 표현에서, "Eclk : A 상"은 제어클록신호의 위상이 A라는 것이고, "CLR_in Width : Eclk의 B 주기"는 외부신호(CLR_in)의 펄스폭을 결정하는 제어클록신호의 주기가 B라는 것이고, "Eclr3 : CLR (n + A*B)"는 제3신호발생 트랜지스터를 제어하기 위한 신호라는 것이다. 여기서, A에 해당하는 위상이 4로 선택되고, B에 해당하는 주기가 2로 선택된다면, 제3신호발생 트랜지스터를 제어하기 위한 신호는 "Eclr3 : CLR (n + 8)"이 될 수 있다.In the above expression, "Eclk: A phase" means that the phase of the control clock signal is A, and "CLR_in Width: B period of Eclk" means that the period of the control clock signal that determines the pulse width of the external signal (CLR_in) is B. That is, “Eclr3: CLR (n + A*B)” is a signal for controlling the third signal generation transistor. Here, if the phase corresponding to A is selected as 4 and the period corresponding to B is selected as 2, the signal for controlling the third signal generating transistor may be “Eclr3: CLR (n + 8)”.
도 16에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따라 발광신호를 발생할 수 있는 게이트신호 발생회로를 구현하면, 외부신호(CLR_in)를 기반으로 일부 중첩하는 시간(대략 1/2의 중첩 시간)을 갖는 제1클리어신호(CLR[1]), 제2클리어신호(CLR[2]) 및 제3클리어신호(CLR[3]) 등을 순차적으로 발생시킬 수 있다.As shown in FIG. 16, when a gate signal generation circuit capable of generating a light emitting signal is implemented according to the second embodiment, some overlapping time (approximately 1/2 overlapping time) is calculated based on the external signal (CLR_in). A first clear signal (CLR[1]), a second clear signal (CLR[2]), and a third clear signal (CLR[3]) may be sequentially generated.
도 17에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따라 발생된 제N클리어신호(CLR[n])를 제N발광신호 발생부에 인가하면, 제N발광신호 발생부의 Q2노드(Q2[n]), 제N발광신호 출력단(EO[n]) 및 네트노드(NET[n])를 동시에 초기화시킬 수 있다. 이와 같은 방식을 발광신호 발생부들의 모든 스테이지에 적용하면 스테이지별로 순차적인 초기화가 가능하다.As shown in FIG. 17, when the N-th clear signal (CLR[n]) generated according to the second embodiment is applied to the N-th light-emitting signal generator, the Q2 node (Q2[n]) of the N-th light-emitting signal generator ), the Nth light emitting signal output terminal (EO[n]) and the net node (NET[n]) can be initialized at the same time. If this method is applied to all stages of the light emitting signal generators, sequential initialization for each stage is possible.
발광신호 발생부는 롱펄스(long pulse)로 동작하므로 모든 출력단이 동시에 꺼져있는 시간이 거의 없을 수 있다. 그러나 앞서 설명한 바와 같이 발광신호 발생부에 클리어신호를 출력할 수 있는 회로를 구현하고, 이로부터 발생된 클리어신호를 노드들에 인가하면 스테이지별로 순차적인 초기화를 통해 장치의 구동 신뢰성과 구동 안정성을 향상시킬 수 있다.Since the light emitting signal generator operates with long pulses, there may be almost no time when all output stages are turned off at the same time. However, as described above, if a circuit capable of outputting a clear signal is implemented in the light emitting signal generator and the clear signal generated from this is applied to the nodes, the driving reliability and driving stability of the device are improved through sequential initialization for each stage. You can do it.
이상 본 실시예는 자체적으로 발생된 클리어신호를 자신의 노드들에 인가함과 더불어 종속적으로 접속된 스테이지들에 인가하여 스테이지별 순차적인 초기화가 가능한 발광신호 발생부를 갖는 게이트신호 발생회로를 기반으로 표시장치의 구동 신뢰성과 구동 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present embodiment is based on a gate signal generation circuit having a light emitting signal generator capable of sequential initialization for each stage by applying the self-generated clear signal to its own nodes and applying it to dependently connected stages. This has the effect of improving the driving reliability and driving stability of the device.
130: 게이트 구동부
150: 표시패널
SCG[n]: 제N스캔신호 발생부
EMG[n]: 제N발광신호 발생부
CLRC: 제1클리어신호 발생부
CLC: 제1클리어 회로부
CLR_in: 외부신호130: gate driver 150: display panel
SCG[n]: Nth scan signal generator EMG[n]: Nth light emitting signal generator
CLRC: First clear signal generation unit CLC: First clear circuit unit
CLR_in: external signal
Claims (12)
상기 표시패널에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 표시패널에 제N스캔신호를 공급하는 제N스캔신호 발생부와 상기 표시패널에 제N발광신호를 공급하는 제N발광신호 발생부를 포함하는 게이트 구동부를 포함하고,
상기 게이트 구동부는
상기 제N발광신호 발생부의 입력단에 연결되며 외부신호를 전달하는 외부신호라인과 제어클록신호를 전달하는 제어클록신호라인을 포함하고,
상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하기 위한 제N클리어신호를 발생하는 표시장치.A display panel that displays images;
a data driver that supplies data voltage to the display panel; and
A gate driver including an N-th scan signal generator that supplies an N-th scan signal to the display panel and an N-th light-emitting signal generator that supplies an N-th light-emitting signal to the display panel,
The gate driver
It is connected to the input terminal of the Nth light emitting signal generator and includes an external signal line for transmitting an external signal and a control clock signal line for transmitting a control clock signal,
A display device that generates an Nth clear signal to initialize at least one of the nodes of the Nth light emitting signal generator based on the external signal and the control clock signal.
상기 게이트 구동부는
상기 제N발광신호가 미출력되는 상기 제N발광신호 발생부의 클리어 구간 동안 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 표시장치.According to paragraph 1,
The gate driver
A display device that initializes at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal during a clear section of the N-th light-emitting signal generator in which the N-th light-emitting signal is not output.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 제N발광신호를 발생하기 위해 Q2노드와 Qb2노드를 교번 제어함과 더불어 상기 Qb2노드를 제어하기 위한 네트노드를 제어하는 발광 노드 제어회로부와,
상기 Q2노드, 상기 Qb2노드 및 상기 네트노드의 전위에 대응하여 상기 제N발광신호 발생부의 제N발광신호 출력단을 통해 상기 제N발광신호를 출력하는 발광신호 출력부를 포함하는 표시장치.According to paragraph 1,
The Nth light emitting signal generator
A light emitting node control circuit that alternately controls the Q2 node and the Qb2 node to generate the Nth light emitting signal and controls a net node for controlling the Qb2 node;
A display device comprising a light-emitting signal output unit that outputs the N-th light-emitting signal through an N-th light-emitting signal output terminal of the N-th light-emitting signal generator in response to potentials of the Q2 node, the Qb2 node, and the net node.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N클리어신호를 발생하는 클리어신호 발생부를 포함하고,
상기 클리어신호 발생부는
상기 제어클록신호를 기반으로 동작하며 상기 외부신호를 전달하는 제1신호발생 트랜지스터와, 상기 제1신호발생 트랜지스터로부터 전달된 상기 외부신호에 응답하여 동작하며 고전압을 기반으로 상기 클리어신호를 발생하는 제2신호발생 트랜지스터와, 제N+1발광신호 발생부로부터 전달된 신호를 기반으로 상기 클리어신호의 전압 상태를 변경하는 제3신호발생 트랜지스터를 포함하는 표시장치.According to paragraph 3,
The Nth light emitting signal generator
A clear signal generator that generates the Nth clear signal based on the external signal and the control clock signal,
The clear signal generator
A first signal generation transistor that operates based on the control clock signal and transmits the external signal, and a second device that operates in response to the external signal transmitted from the first signal generation transistor and generates the clear signal based on a high voltage. A display device including a second signal generation transistor and a third signal generation transistor that changes the voltage state of the clear signal based on the signal transmitted from the N+1th light emitting signal generator.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 클리어 회로부를 포함하고,
상기 클리어 회로부는
상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드를 초기화시키는 제1클리어 트랜지스터와, 상기 네트노드를 초기화시키는 제2클리어 트랜지스터와, 상기 제N발광신호 출력단을 초기화시키는 제3클리어 트랜지스터를 포함하는 표시장치.According to clause 4,
The Nth light emitting signal generator
A clear circuit unit that initializes at least one of the nodes of the N-th light emitting signal generator based on the N-th clear signal,
The clear circuit part
A display device including a first clear transistor for initializing the Q2 node based on the Nth clear signal, a second clear transistor for initializing the net node, and a third clear transistor for initializing the Nth light emitting signal output terminal. .
상기 클리어 회로부는
상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드, 상기 네트노드 및 상기 제N발광신호 출력단을 동시에 초기화시키는 표시장치.According to clause 5,
The clear circuit part
A display device that simultaneously initializes the Q2 node, the net node, and the Nth light emitting signal output terminal based on the Nth clear signal.
상기 제1신호발생 트랜지스터는 상기 제어클록신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 외부신호라인에 제1전극이 연결되고 클리어Q노드에 제2전극이 연결되고,
상기 제2신호발생 트랜지스터는 상기 클리어Q노드에 게이트전극이 연결되고 고전압라인에 제1전극이 연결되고 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 제2전극이 연결되고,
상기 제3신호발생 트랜지스터는 제N+i(i는 1 이상 정수)발광신호 발생부의 제N+i클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 제1전극이 연결되고 저전압라인에 제2전극이 연결된 표시장치.According to clause 4,
The first signal generation transistor has a gate electrode connected to the control clock signal line, a first electrode connected to the external signal line, and a second electrode connected to the clear Q node,
The second signal generating transistor has a gate electrode connected to the clear Q node, a first electrode connected to a high voltage line, and a second electrode connected to the output terminal of the clear signal generator,
The third signal generation transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the N+i clear signal generator of the N+i (i is an integer greater than 1) light emitting signal generator, and a first electrode connected to the output terminal of the clear signal generator. A display device with a second electrode connected to a low voltage line.
상기 제1클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 Q2노드에 제1전극이 연결되고 저전압라인에 제2전극이 연결되고,
상기 제2클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 네트노드에 제1전극이 연결되고 상기 저전압라인에 제2전극이 연결되고,
상기 제3클리어 트랜지스터는 상기 클리어신호 발생부의 출력단에 게이트전극이 연결되고 상기 제N발광신호 출력단에 제1전극이 연결되고 상기 저전압라인과 다른 레벨을 갖는 저전압라인에 제2전극이 연결된 표시장치.According to clause 5,
The first clear transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the clear signal generator, a first electrode connected to the Q2 node, and a second electrode connected to a low voltage line,
The second clear transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the clear signal generator, a first electrode connected to the net node, and a second electrode connected to the low voltage line,
The third clear transistor has a gate electrode connected to the output terminal of the clear signal generator, a first electrode connected to the output terminal of the Nth light emitting signal, and a second electrode connected to a low voltage line having a different level from the low voltage line.
Q2노드와 Qb2노드를 교번 제어함과 더불어 상기 Qb2노드를 제어하기 위한 네트노드를 제어하는 발광 노드 제어회로부와, 상기 Q2노드, 상기 Qb2노드 및 상기 네트노드의 전위에 대응하여 제N발광신호를 출력하는 제N발광신호 발생부; 및
상기 제N발광신호 발생부의 입력단에 연결되며 외부신호를 전달하는 외부신호라인과 제어클록신호를 전달하는 제어클록신호라인을 포함하고,
상기 제N발광신호 발생부는 상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하기 위한 제N클리어신호를 발생하는 게이트 구동 회로.a scan node control circuit unit that alternately controls the Q1 node and the Qb1 node, and an Nth scan signal generator that outputs the Nth scan signal in response to potentials of the Q1 node and the Qb1 node;
A light emitting node control circuit unit that alternately controls the Q2 node and the Qb2 node and controls a net node for controlling the Qb2 node, and generates an Nth light emitting signal in response to the potentials of the Q2 node, the Qb2 node, and the net node. An N-th light emitting signal generator that outputs; and
It is connected to the input terminal of the Nth light emitting signal generator and includes an external signal line for transmitting an external signal and a control clock signal line for transmitting a control clock signal,
A gate driving circuit in which the Nth light emitting signal generator generates an Nth clear signal for initializing at least one of the nodes of the Nth light emitting signal generator based on the external signal and the control clock signal.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 제N발광신호가 미출력되는 상기 제N발광신호 발생부의 클리어 구간 동안 상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 게이트 구동 회로.According to clause 9,
The Nth light emitting signal generator
A gate driving circuit that initializes at least one of the nodes of the N-th light-emitting signal generator based on the N-th clear signal during a clear period of the N-th light-emitting signal generator in which the N-th light-emitting signal is not output.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 외부신호와 상기 제어클록신호를 기반으로 상기 제N클리어신호를 발생하는 클리어신호 발생부를 포함하고,
상기 클리어신호 발생부는
상기 제어클록신호를 기반으로 동작하며 상기 외부신호를 전달하는 제1신호발생 트랜지스터와, 상기 제1신호발생 트랜지스터로부터 전달된 상기 외부신호에 응답하여 동작하며 고전압을 기반으로 상기 클리어신호를 발생하는 제2신호발생 트랜지스터와, 제N+1발광신호 발생부로부터 전달된 신호를 기반으로 상기 클리어신호의 전압 상태를 변경하는 제3신호발생 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동 회로.According to clause 9,
The Nth light emitting signal generator
A clear signal generator that generates the Nth clear signal based on the external signal and the control clock signal,
The clear signal generator
A first signal generation transistor that operates based on the control clock signal and transmits the external signal, and a second device that operates in response to the external signal transmitted from the first signal generation transistor and generates the clear signal based on a high voltage. A gate driving circuit including two signal generation transistors and a third signal generation transistor that changes the voltage state of the clear signal based on the signal transmitted from the N+1th light emitting signal generator.
상기 제N발광신호 발생부는
상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 제N발광신호 발생부의 노드들 중 적어도 하나를 초기화하는 클리어 회로부를 포함하고,
상기 클리어 회로부는
상기 제N클리어신호를 기반으로 상기 Q2노드를 초기화시키는 제1클리어 트랜지스터와, 상기 네트노드를 초기화시키는 제2클리어 트랜지스터와, 상기 제N발광신호 출력단을 초기화시키는 제3클리어 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동 회로.According to clause 9,
The Nth light emitting signal generator
A clear circuit unit that initializes at least one of the nodes of the N-th light emitting signal generator based on the N-th clear signal,
The clear circuit part
Gate driving including a first clear transistor for initializing the Q2 node based on the Nth clear signal, a second clear transistor for initializing the net node, and a third clear transistor for initializing the Nth light emitting signal output terminal. Circuit.
Priority Applications (1)
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KR1020220185457A KR20240103367A (en) | 2022-12-27 | 2022-12-27 | Gate Driving Circuit and Display Device including the same |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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