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KR20210002360A - 다중 전자 빔들을 갖는 시스템을 위한 대전 제어 디바이스 - Google Patents

다중 전자 빔들을 갖는 시스템을 위한 대전 제어 디바이스 Download PDF

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KR20210002360A
KR20210002360A KR1020207037121A KR20207037121A KR20210002360A KR 20210002360 A KR20210002360 A KR 20210002360A KR 1020207037121 A KR1020207037121 A KR 1020207037121A KR 20207037121 A KR20207037121 A KR 20207037121A KR 20210002360 A KR20210002360 A KR 20210002360A
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KR
South Korea
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electron beams
array
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displacement
image processing
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Inventor
크리스토퍼 시어스
루카 그렐라
Original Assignee
케이엘에이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

다중 전자 빔을 포커싱하고 정렬하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 카메라는 다수의 타겟을 갖는 광섬유 어레이에서 투사되는 전자 빔으로부터 광의 이미지 데이터를 생성한다. 이미지 처리 모듈은, 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정을 결정한다. 조정은 전자 빔 중 한 전자 빔의 변위, 디포커스 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화한다. 제어 모듈을 사용하여, 전압이 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가된다.

Description

다중 전자 빔들을 갖는 시스템을 위한 대전 제어 디바이스
본 출원은, 2018 년 5 월 29 일자로 출원되었고 US 출원 번호 62/677,551가 부여된 특허 가출원에 대한 우선권을 주장하고, 이는 참조에 의해 본원에 원용된다.
본 개시는 전자 빔의 제어에 관한 것이다.
반도체 제조 산업의 발전으로 수율 관리 그리고 특히 계측 및 검사 시스템에 대한 요구가 더욱 커지고 있다. 임계 치수는 계속 축소되고 있지만, 산업은 고 수율, 고 가치 생산을 달성하기 위해 시간을 줄일 필요가 있다. 수율 문제 검출에서 그것을 해결하기까지 총 시간을 최소화하는 것은 반도체 제조자의 투자 수익을 결정한다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은 통상적으로 반도체 디바이스의 다양한 특징부 및 다중 레벨을 형성하기 위해 많은 수의 제조 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그래피는 레티클에서 반도체 웨이퍼에 배열된 포토레지스트로 패턴을 전사하는 것을 수반하는 반도체 제조 공정이다. 반도체 제조 공정의 추가 예는 화학적 기계적 연마(CMP), 에칭, 디포지션(deposition) 및 이온 주입을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 다수의 반도체 디바이스가 단일 반도체 웨이퍼 상의 배열체로 제조된 다음 개개의 반도체 디바이스로 분리될 수 있다.
검사 공정은 반도체 제조 동안 다양한 단계에서 웨이퍼의 결함을 검출하여 제조 공정에서 더 높은 수율 및 이에 따라 더 높은 수익을 증진시키는 데 사용된다. 검사는 항상 집적 회로(IC)와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것의 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 보다 작은 결함으로 디바이스가 고장날 수 있으므로 허용가능한 반도체 디바이스의 성공적인 제조에 있어서 검사가 더욱 더 중요해진다. 예를 들어, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 상대적으로 작은 결함으로도 반도체 디바이스에 원하지 않는 수차(aberration)가 유발될 수 있기 때문에 감소하는 크기의 결함을 검출하는 것이 필요해졌다.
하나의 검사 기술은 주사 전자 현미경법과 같은 전자 빔 기반 검사를 포함한다. 일부 예에서, 주사 전자 현미경법이 증가된 수의 전자 광학 컬럼을 포함하는 주사 전자 현미경(SEM) 시스템(예를 들어, 다중 컬럼 SEM 시스템)을 통해 수행된다. 다른 예에서, 주사 전자 현미경법은 2차 전자 빔 수집(예를 들어, 2 차 전자(SE) 이미징 시스템)을 통해 수행된다. 다른 예에서, 주사 전자 현미경법은, 단일 전자 빔을 수 많은 빔으로 분할하고 단일 전자 광학 컬럼을 이용하여 수 많은 빔을 개별적으로 조절하고 스캔함으로써 수행된다(예를 들어, 다중 빔 SEM 시스템).
단일 전자 빔을 수 많은 빔으로 분할하거나 또는 다중 빔 SEM 시스템을 위한 전자 빔의 어레이를 생성하는 것은 복잡하다. 다중 전자 빔을 정렬하는 것은 특히 어렵다. 다중 전자 빔을 포커싱하고 정렬하기 위한 개선된 시스템과 방법이 필요하다.
본 개시의 간단한 개요
제 1 실시 형태에서 시스템이 제공된다. 시스템은 전자 소스(electron source), 릴레이 렌즈(relay lens), 필드 렌즈(field lens), 다중극 어레이(multi-pole array), 투사 렌즈(projection lens), 신틸레이터(scintillator), 광섬유 어레이(fiber optics array), 카메라, 및 프로세서를 포함한다. 전자 소스는 복수의 전자 빔을 형성하는 전자를 생성한다. 전자 소스는 전자 빔을 릴레이 렌즈에 지향시킨다. 필드 렌즈는 전자 빔의 경로를 따라 릴레이 렌즈의 하류(downstream)에 배치된다. 다중극 어레이는 전자 빔의 경로를 따라 필드 렌즈의 하류에 배치된다. 투사 렌즈는 전자 빔의 경로를 따라 다중극 어레이의 하류에 배치된다. 신틸레이터는 전자 빔의 경로를 따라 투사 렌즈의 하류에 배치된다. 광섬유 어레이는 복수의 타겟을 갖는다. 광섬유 어레이는 타겟 중 하나를 사용하여 각각의 전자 빔으로부터 광을 수신하도록 배치된다. 카메라는 신틸레이터로부터 광섬유 어레이로 통과하는 광을 이미징하도록 구성된다. 카메라는 이미지 데이터를 생성하도록 구성된다. 프로세서는 카메라, 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 및 다중극 어레이와 전자 통신한다. 프로세서는 카메라로부터의 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정(adjustment)을 결정하고 그 조정을 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 적용하도록 구성된다.
시스템은 신틸레이터와 광섬유 어레이 사이에 배치된 빔 스플리터를 더 포함할 수 있다.
카메라는 CMOS 카메라일 수도 있다.
광섬유 어레이는 6각형(hexagonal)일 수 있다.
다중극 어레이는 8중극(octupole)일 수도 있다.
일례에서, 프로세서는 또한, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 변위(displacement)를 측정하고 변위를 최소화하기 위한 조정을 결정하도록 구성된다.
일례에서, 프로세서는 또한, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 디포커스(defocus)를 측정하고 디포커스를 최소화하기 위한 조정을 결정하도록 구성된다.
일례에서, 프로세서는 또한, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 수차(aberration)를 측정하고 수차를 최소화하기 위한 조정을 결정하도록 구성된다.
일례에서, 프로세서는 또한, 민감도 행렬(sensitivity matrix) Aij Vj = -Xi를 풀도록 구성되고, 여기서 Vj는 8중극의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 민감도 행렬 Aij의 역(inverse)이 다중극 어레이에 적용될 수 있다. 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비(ratio)로서 정의될 수도 있다.
제 2 실시 형태에서 방법이 제공된다. 복수의 전자 빔의 이미지 데이터는 전자 빔으로부터의 광이 복수의 타겟을 갖는 광섬유 어레이에 투사될 때 카메라를 사용하여 생성된다. 이미지 처리 모듈을 사용하여, 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정이 결정된다. 조정은 전자 빔 중 한 전자 빔의 변위, 디포커스 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화한다. 제어 모듈을 사용하여, 조정을 수행하기 위해 전압이 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가된다.
방법은 릴레이 렌즈, 필드 렌즈, 다중극 어레이, 투사 렌즈를 통해 그리고 신틸레이터로 전자 빔을 투사하는 전자 소스를 사용하여 전자 빔을 생성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일례에서, 결정하는 단계는, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 변위를, 이미지 처리 모듈을 사용하여, 측정하고 이미지 처리 모듈을 사용하여 변위를 최소화하기 위한 조정을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일례에서, 결정하는 단계는, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 디포커스를, 이미지 처리 모듈을 사용하여, 측정하고 이미지 처리 모듈을 사용하여 디포커스를 최소화하기 위한 조정을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일례에서, 결정하는 단계는, 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 수차를, 이미지 처리 모듈을 사용하여, 측정하고 이미지 처리 모듈을 사용하여 수차를 최소화하기 위한 조정을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
일례에서, 결정하는 단계는, 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함할 수 있고, 여기서 Vj는 다중극 어레이의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 제어 모듈을 사용하여, 민감도 행렬 Aij의 역이 다중극 어레이에 적용될 수 있다. 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의된다.
다중극 어레이는 8중극일 수도 있다.
방법은 다중극 어레이 내의 극의 상이한 여기(excitation)의 조합을 활성화하는 단계, 상이한 여기 각각에 대한 전자 빔의 변위를 측정하는 단계, 및 상이한 여기 각각에 대한 전자 빔의 변위의 행렬에 기초하여 다중극 어레이를 캘리브레이팅(calibrating)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제 3 실시 형태에서 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체가 제공된다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체는 하나 이상의 컴퓨팅 디바이스에서 하기 단계를 실행하기 위한 하나 이상의 프로그램을 포함한다. 복수의 전자 빔의 이미지 데이터는 전자 빔으로부터의 광이 복수의 타겟을 갖는 광섬유 어레이에 투사될 때 카메라로부터 이미지 처리 모듈에서 수신된다. 이미지 처리 모듈을 사용하여, 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정이 결정된다. 조정은 전자 빔 중 한 전자 빔의 변위, 디포커스 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화한다. 제어 모듈을 사용하여, 조정을 수행하기 위해 전압이 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이에 인가된다.
결정하는 단계는, 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함할 수 있고, 여기서 Vj는 다중극 어레이의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 제어 모듈을 사용하여, 민감도 행렬 Aij의 역이 다중극 어레이에 적용될 수 있다. 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의된다.
본 개시의 본질 및 목적에 대한 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면과 함께 취해지는 다음의 상세한 설명이 참조되어야야 하고, 첨부 도면 중:
도 1은 본 개시에 따른 시스템의 실시 형태의 블록도이다;
도 2는 대전이 없는 광섬유 어레이에 중계된 2 차 빔 어레이의 이미지이다;
도 3은 20 V의 대전을 갖는 광섬유 어레이에 중계된 2 차 빔 어레이의 이미지이다;
도 4는 20 V의 대전을 갖는 8중극 보정 후 빔 배치 이미지이다;
도 5는 본 개시에 따른 방법의 흐름도이다;
도 6은 8 개의 가능한 단일 단극 여기(single monopole excitation)가 있는 8중극에서의 단일 단극 여기를 예시한다;
도 7은 4 개의 가능한 단일 4중극 여기가 있는 8중극에서의 단일 4중극 여기를 예시한다; 그리고
도 8은 단일의 가능한 Einzel 여기만이 있는 8중극에서의 단일 Einzel 여기를 예시한다.
본 개시의 상세한 설명
청구된 요지가 특정 실시 형태의 관점에서 설명될 것이지만, 본 명세서에 제시된 모든 이점 및 특징을 제공하지 않는 실시 형태를 포함하는 다른 실시 형태도 본 개시의 범위 내에 있다. 본 개시의 범위를 벗어나지 않고 다양한 구조적, 논리적, 프로세스 단계 및 전자적 변경이 이루어질 수도 있다. 따라서, 본 개시의 범위는 첨부된 청구항들에 대한 참조에 의해서만 정의된다.
주사 전자 다중빔 현미경(SEMM)은 마이크로 개구(micro aperture)의 어레이를 통해 웨이퍼의 전자 점 소스를 이미징하여 빔 어레이를 형성할 수 있다. 웨이퍼에서 2 차 전자가 방출되는 위치의 어레이는 디스캔(de-scan)되고 신틸레이터 상에서 이미징된다. 각각의 섬유 요소의 강도가 임의의 주어진 시간에 각각의 2차 빔의 픽셀 강도를 나타내도록 광학 이미지가 광섬유 어레이에 중계 및 정렬될 수 있다. 그런 다음 강도를 사용하여 각각의 스캐닝 빔에 의해 만들어진 각각의 이미지를 형성할 수 있다. 누화(cross-talk) 및 이미지 겹침(image overlap)을 피하기 위해, 검출기에서 복귀 2차 빔의 이미지는 분리된 상태로 유지될 수도 있으며 각각의 2차 빔은 포커싱되고 광섬유 어레이와 정렬된 상태로 유지될 수도 있다. 절연 표면이 있는 웨이퍼를 이미징할 때, 웨이퍼 표면을 스캔하는 빔의 어레이는 심한 대전을 초래하고 이것은 2 차 전자 빔의 어레이의 이미지를 왜곡하고 고차 수차 및 이미지 회전을 도입하여, 빔 누화, 포커스, 및 배치에 영향을 미친다. 본 명세서에 개시된 실시 형태는 이미지 평면에서 2 차 빔의 어레이를 모니터링함으로써 포커싱되고 광섬유와 정렬되도록 2 차 전자 빔 이미지를 유지할 수 있는 피드백 루프를 갖는 대전 제어 시스템을 설명한다. 대전 제어 시스템은 편향뿐만 아니라 대전 유도 왜곡, 고차 수차 및 이미지 회전도 보상할 수 있다.
도 1는 시스템(100)의 실시 형태의 블록도이다. 시스템(100)은 복수의 전자 빔(102)을 형성하는 전자를 생성하는 전자 소스(101)를 포함한다. 2 개의 전자 빔(102)이 경로(103)를 따라 투사되는 것으로 예시되어 있다. 더 많은 전자 빔(102)이 가능하다.
전자 빔(102)은 전자 소스(101)에 의해 생성된 단일 전자 빔으로부터 분할될 수 있다. 전자 빔(102)은 또한 다중 전자 빔(102)을 제공하도록 구성된 전자 소스(101)에 있는 어레이로부터 생성될 수 있다. 전자 소스(101)는 광전 음극, Schottky 방출체, 또는 다른 유형의 전자 빔 생성 디바이스를 포함할 수 있다.
시스템(100)은 또한 대물 렌즈(104), 이미지 평면(105), 릴레이 렌즈(106), 필드 렌즈(107), 다중극 어레이(예를 들어, 8중극(108)), 개구 평면(109), 투사 렌즈(110) 및 신틸레이터(111)를 포함한다. 전자 소스(101)는 대물 렌즈(104) 및 이미지 평면(105)을 통해 릴레이 렌즈(106)에 전자 빔(102)을 지향시킨다. 필드 렌즈(107)는 전자 빔(102)의 경로(103)를 따라 릴레이 렌즈(106)의 하류에 배치된다. 다중극 어레이는 전자 빔(102)의 경로(103)를 따라 필드 렌즈(107)의 하류에 배치된다. 투사 렌즈(110)는 전자 빔(102)의 경로(103)를 따라 8중극(108)의 하류에 배치된다. 신틸레이터(111)는 전자 빔(102)의 경로(103)를 따라 투사 렌즈(110)의 하류에 배치된다. 투사 렌즈(110)는 전자 빔(102)의 이미지를 확대할 수 있고 신틸레이터(111) 상에 이미지 평면을 형성할 수 있다. 개구 평면(109)은 전자 빔(102)이 통과하는 개구를 갖는 개구 판을 포함할 수 있다.
8중극(108)이 다중극 어레이로서 개시되어 있지만, 대신에 4중극 또는 적어도 6 개의 극을 갖는 다중극 어레이가 사용될 수도 있다. 다중극 어레이는 자석 또는 전극의 어레이일 수도 있다.
신틸레이터(111)는 발광성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이트륨 알루미늄 가넷(YAG), 요오드화 나트륨(NaI), 또는 비스무트 게르마늄 산화물(BGO)이 발광성 재료로 사용될 수도 있다. 신틸레이터(111)에 의해 수신된 전자 빔(102)은 광으로 변환될 수도 있거나 또는 광을 생성하는 데 사용될 수 있다.
광섬유 어레이(113)는 다수의 타겟(114)을 갖는다. 광섬유 어레이(113)는 광섬유 어레이(113)가 타겟(114) 중 하나를 사용하여 각각의 전자 빔(102)으로부터 광을 수신하도록 신틸레이터(111)에 관하여 배치된다. 각각의 타겟(114)은 하나의 광섬유를 가질 수 있다. 따라서, 전자 빔(102)과 동일한 수의 타겟(114) 또는 전자 빔(102)보다 더 많은 타겟(114)이 있을 수도 있다. 광섬유 어레이(113)는, 각각이 타겟(114) 중 하나일 수 있는 광섬유 디바이스의 번들(bundle)일 수도 있다. 예를 들어, 광섬유 어레이(113)는 도 2 내지 도 4 에 예시된 바와 같이 6각형 패턴으로 배열된 섬유의 번들일 수 있다.
일례에서, 331 개의 전자 빔(102) 및 331 개의 타겟(114)이 있다. 더 많은 수의 전자 빔(102) 및 타겟(114)이 가능하다.
광섬유 어레이(113)는 6각형 또는 다른 형상일 수도 있다. 단위 면적당 섬유 수를 최대화하기 위해 6각형 형상을 사용할 수도 있다.
카메라(115)는 신틸레이터(111)로부터 광섬유 어레이(113)로 통과하는 전자 빔(102)으로부터 광을 이미징하도록 구성된다. 카메라(115)는 이미지 데이터를 생성한다. 카메라(115)는 피드백 대역폭과 호환되는 프레임 레이트를 가질 수도 있다. 100Hz의 경우, 카메라(115)는 초당 적어도 100 프레임으로 동작할 수도 있다. 일례에서, 카메라(115)는 CMOS 카메라이다.
빔 스플리터(112)는 신틸레이터(111)와 신틸레이터(111)에 의해 생성된 광의 경로에 있는 광섬유 어레이(113) 사이에 배치될 수도 있다. 이것은 카메라(115)에 의해 수신되는 빔을 생성할 수 있다.
빠른 인터페이스(예 : 카메라 링크)를 통해 이미지 획득이 수행될 수 있다. 인터페이스는 적어도 100Hz의 주파수에서 대전 효과를 추적할 수 있는 프레임 레이트를 가질 수도 있다.
프로세서(116)는 카메라(115), 릴레이 렌즈(106), 필드 렌즈(107) 및 8중극(108)과 전자 통신한다. 프로세서(116)는 또한 광섬유 어레이(113) 또는 타겟(114)과 전자 통신할 수도 있다. 프로세서(116)는 카메라(115)로부터의 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈(106), 필드 렌즈(107) 및 또는 8중극(108)에 인가되는 전압에 대한 조정을 결정하도록 구성된다. 프로세서(116)는 또한 전자 데이터 저장 매체(119)와 전자 통신할 수 있다. 전자 데이터 저장 매체(119)는 프로세서(116)에 의해 실행될 명령을 포함할 수 있다.
프로세서(116)는 타겟(114) 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔(102)의 변위, 디포커스 및/또는 수차를 측정할 수 있다. 대응하는 타겟(114)은 전자 빔(102)을 위해 신틸레이터(111)로부터 광을 수신하는 것일 수도 있다. 일례에서, 변위는 전자 빔이 x 또는 y 방향으로 잘못 투사되는 경우이고, 디포커스는 초점의 위치로 인해 전자 빔이 포커스를 벗어난 경우이고, 수차는 광이 확산되기 때문에 전자 빔이 흐릿해지거나 왜곡되는 경우이다. 예를 들어, 이 측정은 이미지 처리 모듈(117)을 사용할 수 있다. 프로세서(116)는 제어 모듈(118)로 변위, 디포커스 및/또는 수차를 최소화하기 위한 조정을 결정할 수 있다.
일례에서, 프로세서(116)는 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푼다. Vj는 다중극 어레이(예를 들어, 8중극(108))의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 민감도 행렬 Aij의 역은 다중극 어레이(예를 들어, 8중극(108))에 적용된다. 민감도 행렬의 각각의 행렬 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의된다. 행렬 요소는 하나의 여기가 켜질 때 단일 빔의 편향을 나타낼 수 있다.
모든 계산, 빔 추적 및 선형 회귀는 FPGA(field-programmable gate array) 또는 CPU/GPU 기반 시스템을 사용하여 원하는 프레임 레이트 내에서 수행될 수 있다.
일례로, 도 1에 있는 SEMM의 이미징 아암(imaging arm)은 신틸레이터(111)에서 2 차 빔의 디스캔된 이미지를 형성한다. 피드백 루프는 빔 스플리터(112), 카메라(115) 및 이미지 처리 모듈(117)을 통해 이미지 평면을 모니터링할 수 있다. 제어 모듈(118)을 통해, 프로세서(116)는 제어 모듈(118)을 사용하여 릴레이 렌즈(106), 필드 렌즈(107) 및 8중극(108)에 보정을 적용할 수 있다. 피드백 루프는 전자 빔(102)이 포커싱되고 광섬유 어레이(113)에 있는 광섬유와 정렬되도록 유지할 수 있다.
실시간 이미지 처리는 각각의 전자 빔(102)의 변위, 그의 디포커스 및 신틸레이터 이미지 직상의 수차를 측정함으로써 보정을 계산할 수 있다. 그런 다음 편향 및 디포커스는 적절한 알고리즘을 사용하여 신호로 변환된다. 2 차 빔 어레이를 광섬유 어레이(113)에 매칭시키기 위해, 광섬유 어레이(113)는 6각형 조밀 충전 유형(hexagonal close-packed type)일 수도 있다. 도 2는 광섬유 어레이 측 상의 2 차 빔의 이미지 배치를 도시한다. 전자 빔으로부터의 광은 각각의 타겟의 중앙에 보여진다. 광선 추적을 수행하고 표본 대전을 계산하는 컴퓨터 시뮬레이션을 사용하여, 대전의 존재시 2 차 빔의 이미지를 시뮬레이션할 수 있다. 도 3은 SEMM이 +20 Volt 에 이르기까지 대전하는 영역을 따라 스캔중일 때 빔 중심의 배치가 이미지 평면에서 왜곡되고 수차되는 방식을 도시한다. 이미지 평면에 형성된 복잡한 왜곡 패턴을 보정하기 위해 여러 자유도가 필요할 수도 있다. 이러한 여러 자유도는 8중극(108) 또는 다른 다중극 어레이를 사용하여 구현될 수 있다. 예를 들어, 8중극(108)은 신틸레이터에서 이미지 평면 전에 배치될 수 있고 그의 여기(8 전압, Vi)는 측정된 왜곡에 민감도 행렬 Aij의 역을 적용하여 계산될 수 있다. 행렬의 각각의 요소는, 단일 극 여기(하나의 극은 활성이고 다른 7 개는 접지됨) 또는 임의의 선형 여기 조합 중 어느 일방일 수 있는 특성 여기인 dVj(여기서 1<j<8)와 dXi 변위(여기서 1 <i<Nb이며, Nb는 빔의 수임) 사이의 비로서 정의될 수 있다. 예를 들어, 4 개의 가능한 4중극 필드가 있을 수도 있다.
선형 시스템 Aij Vj=-Xi를 풀 수 있다. 이 예에서, Aij는 이미 논의된 민감도 행렬이고, Vj는 8중극(108)의 8 개 전압이고, Xi는 측정된 변위이다. 변위의 x 성분는 짝수 행에 할당되고 y 성분은 홀수 행에 할당된다. 이는 2Nb 행(Nb는 빔의 수임)과 특성 여기와 동일한 열의 수를 갖는 과도하게 제한된 선형 시스템(over-constrained linear system)을 형성한다. 이 예에서, 8 개의 단극 여기뿐만 아니라 4 개의 4중극 필드를 사용하여 고차 수차 뿐만 아니라 포커스 및 회전을 보정한다. 과도하게 제한된 시스템은 선형 회귀 접근법 또는 다른 기법을 사용하여 풀어질 수 있다. 이 시스템은 4중극 필드를 사용하므로 고차 수차를 보정할 수도 있다. 이 기술을 변위에 적용함으로써, 도 3에 도시된 빔 센터링 오차를 보정하는 8중극 전압이 도출될 수 있다. 도 4는 선형 회귀에서 도출된 전압으로 8중극에 의해 인가된 보정 후 빔 어레이 배치를 보여준다.
도 2 내지 도 4의 예시적인 이미지는 타겟(114)을 둘러싸는 벌집 형상 없이 생성될 수 있다. 전자 빔(102)의 도트 위치는 실시간으로 모니터링될 수 있다.
다시 도 1 로 돌아가면, 프로세서(116) 및 전자 데이터 저장 매체(119), 본 명세서에 설명되는 다른 시스템(들), 또는 다른 서브시스템(들)은, 개인용 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 기기, 인터넷 기기 또는 다른 디바이스를 포함한, 다양한 시스템의 부분일 수도 있다. 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 병렬 프로세서와 같은 업계에 알려진 임의의 적합한 프로세서를 또한 포함할 수도 있다. 또한, 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 독립형 또는 네트워크화 도구로서, 고속 처리 및 소프트웨어를 갖춘 플랫폼을 포함할 수도 있다.
프로세서(116) 및 전자 데이터 저장 유닛(119)은 시스템(100) 또는 다른 디바이스에 또는 그렇지 않으면 이의 부분에 배치될 수도 있다. 일례로, 프로세서(116) 및 전자 데이터 저장 유닛(119)은 독립형 제어 유닛의 부분이거나 또는 중앙 집중식 품질 제어 유닛에 있을 수도 있다. 다중 프로세서(116) 또는 전자 데이터 저장 유닛(119)이 사용될 수도 있다.
프로세서(116)는 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의의 조합에 의해 실제로 구현될 수도 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 그의 기능은 하나의 유닛에 의해 수행될 수도 있거나, 또는 상이한 컴포넌트 중에 분배될 수도 있으며, 이들 각각은 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의의 조합에 의해 차례로 구현될 수도 있다. 프로세서(116)가 다양한 방법 및 기능을 구현하기 위한 프로그램 코드 또는 명령은 전자 데이터 저장 유닛(119)에 있는 메모리 또는 다른 메모리와 같은 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수도 있다.
프로세서(116)는 시스템(100)의 출력 또는 다른 출력을 사용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(116)는 출력을 전자 데이터 저장 유닛(119) 또는 다른 저장 매체로 전송하도록 구성될 수도 있다. 프로세서(116)는 또한 본 명세서에 설명된 바와 같이 구성될 수도 있다.
프로세서(116)를 갖는 다수의 서브시스템이 사용될 수 있다. 이들 상이한 서브시스템은 이미지, 데이터, 정보, 명령 등이 서브시스템 간에 전송될 수 있도록 서로 연결될 수도 있다. 예를 들어, 하나의 서브시스템은 업계에 알려진 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 송신 매체를 포함할 수도 있는 임의의 적절한 송신 매체에 의해 추가 서브시스템(들)에 연결될 수도 있다. 이러한 서브시스템 중 2 개 이상은 또한 공유된 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(미도시)에 의해 효과적으로 연결될 수도 있다.
시스템이 하나보다 많은 서브시스템을 포함하는 경우, 상이한 서브시스템은 이미지, 데이터, 정보, 명령 등이 서브시스템 간에 전송될 수 있도록 서로 연결될 수도 있다. 예를 들어, 하나의 서브시스템은 업계에 알려진 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 송신 매체를 포함할 수도 있는 임의의 적절한 송신 매체에 의해 추가 서브시스템(들)에 연결될 수도 있다. 이러한 서브시스템 중 2 개 이상은 또한 공유된 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(미도시)에 의해 효과적으로 연결될 수도 있다.
프로세서(116)는 본 명세서에 설명된 실시 형태 중 어느 것에 따라 구성될 수도 있다. 프로세서(116)는 또한 시스템(100)의 출력을 사용하거나 또는 다른 소스로부터의 이미지 또는 데이터를 사용하여 다른 기능 또는 추가 단계를 수행하도록 구성될 수도 있다.
다른 실시 형태에서, 프로세서(116)는 업계에 공지된 임의의 방식으로 시스템(100)의 다양한 컴포넌트 또는 서브시스템 중 어느 것에 통신적으로 연결될 수도 있다. 더욱이, 프로세서(116)는 유선 및/또는 무선 부들을 포함할 수도 있는 송신 매체에 의해 다른 시스템으로부터 데이터 또는 정보(예를 들어, 검토 도구와 같은 검사 시스템으로부터의 검사 결과, 설계 데이터를 포함하는 원격 데이터베이스 등)를 수신 및/또는 획득하도록 구성될 수도 있다. 이러한 방식으로, 송신 매체는 프로세서(116)와 시스템(100)의 다른 서브시스템 또는 시스템(100)외부의 시스템 사이의 데이터 링크의 역할을 할 수도 있다.
일부 실시 형태에서, 시스템(100) 및 본 명세서에 개시된 방법의 다양한 단계, 기능 및/또는 동작은 다음: 전자 회로, 로직 게이트, 멀티플렉서, 프로그램 가능 로직 디바이스, ASIC, 아날로그 또는 디지털 제어/스위치, 마이크로컨트롤러, 또는 컴퓨팅 시스템 중 하나 이상에 의해 수행된다. 본 명세서에 설명된 것들과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령은 캐리어 매체를 통해 송신되거나 또는 캐리어 매체에 저장될 수도 있다. 캐리어 매체는 읽기 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 자기 또는 광 디스크, 비휘발성 메모리, 솔리드 스테이트 메모리, 자기 테이프 등과 같은 저장 매체를 포함할 수도 있다. 캐리어 매체는 유선, 케이블 또는 무선 송신 링크와 같은 송신 매체를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 본 개시 전체에 걸쳐 설명된 다양한 단계는 단일 프로세서(116)에 의해 또는 대안적으로 다중 프로세서(116)에 의해 수행될 수도 있다. 더욱이, 시스템(100)의 상이한 서브시스템은 하나 이상의 컴퓨팅 또는 로직 시스템을 포함할 수도 있다. 따라서, 위의 설명은 본 개시에 대한 제한이 아니라 단지 예시로서 해석되어야 한다.
도 5는 방법(200)의 플로우차트이다. 201에서, 복수의 전자 빔의 이미지 데이터가 카메라를 사용하여 생성된다. 예를 들어, 전자 빔으로부터 생성된 광자는 복수의 타겟을 갖는 광섬유 어레이에 투사될 수 있으며 카메라를 사용하여 이미징될 수 있다. 202에서, 이미지 처리 모듈이, 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 인가되는 전압에 대한 조정을 결정하는 데 사용된다. 조정은 전자 빔 중 한 전자 빔의 변위, 디포커스 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화한다. 제어 모듈을 사용하여, 203에서 조정을 수행하기 위해 전압이 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 인가된다.
방법(200)에서, 전자 빔은 전자 소스를 사용하여 생성될 수 있다. 전자 빔은 릴레이 렌즈, 필드 렌즈, 다중극 어레이(예를 들어, 8중극), 투사 렌즈를 통해 및/또는 신틸레이터로 투사될 수 있다.
조정을 결정하는 단계는, 타겟 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 변위, 디포커스 및/또는 수차를, 이미지 처리 모듈을 사용하여, 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 이미지 처리 모듈을 사용하여 변위, 디포커스 및/또는 수차를 최소화하기 위해 조정이 결정될 수 있다.
방법은 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함할 수 있다. Vj는 8중극의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 제어 모듈을 사용하여, 민감도 행렬 Aij의 역이 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 적용될 수 있다. 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의된다.
일례로, 331 개의 전자 빔 그리고 662 개의 x 및 y 오프셋이 있다. 이것들은 Aij 행렬을 만드는 데 사용된다.
도 1의 시스템(100)이 캘리브레이팅될 수 있다. 일례에서, 카메라(115)를 사용하여 이미지가 촬영된다. 전압이 다중극 어레이(예를 들어, 8중극(108)) 중 하나에 인가되고 전자 빔(102)의 변위가 측정될 수 있다. 이 프로세스는 8 개의 8중극(108) 각각에 대해 반복될 수 있다. 전자 빔(102)을 시프트시키는 위해 전압이 상관된다.
광섬유 번들의 빔 센터링 오차를 보정하기 위해 민감도 또는 설계 행렬을 정의할 수도 있다. 8중극 캘리브레이션의 목표는 이 행렬을 측정하는 것일 수 있다. 행렬은 8중극 단일 여기에 응답하여 측정된 x 및 y 변위로 그의 행을 컴파일링(compiling)하여 구축된다. 단일 여기는 단일 전압에 의해 정의된 극의 임의의 조합이다.
도 6 내지 도 8은 8중극(108)과 같은 8중극에서의 가능한 여기를 예시한다. 도 6은 단일 단극 여기를 도시한다. 하나의 극은 전력 공급되고 모든 다른 극은 접지되는 채로 8 개의 가능한 상이한 단일 단극 여기가 있다. 도 7은 단일 4중극 여기를 도시한다. 4 개의 가능한 상이한 4중극 여기가 있다. 도 8은 모든 극이 동일한 전압에 있는 단일 Einzel 여기를 도시한다. 단일 전압 V로 식별할 수 있는 무한 수의 가능한 단일 여기가 있는데 왜냐하면 임의의 전극 조합이 형성될 수 있고 전압에 의해 식별되는 경우 단일 여기라고 불릴 수 있기 때문이다. 8중극(108)에서, 고려되는 단일 여기의 총 수는 13이다. 이것은 8 개의 단일 단극 여기, 4 개의 4중극 여기 및 1 개의 Einzel 여기를 포함한다. 여기 또는 더 일반적인 예측 변수(predictor variable)는 설계 행렬의 열이다. 일례에서, 331 개의 빔 또는 662 개의 변위(x 및 y)가 있으며, 이는 설계 행렬이 662 x 13 임을 의미한다. 짝수 행이 x이고 홀수 행이 y가 되도록 하는 규약(convention)이 적용된다.
화학적으로 기계적으로 연마된 전도성 샘플을 이미징하고 각각의 고려된 여기를 개별적으로 활성화하여 캘리브레이션이 수행될 수 있다. 각각의 단일 여기에 대해, 이미지 처리 알고리즘은 662 개의 변위를 측정하여, 설계 행렬의 하나의 열을 생성한다. 고려된 모든 13 개의 여기에 대해 이 작업을 수행함으로써, 설계 행렬을 완전히 측정할 수 있다.
추가의 실시 형태는 프로세서 상에서 실행 가능한 프로그램 명령을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 관한 것이다. 특히, 프로세서(116)와 같은 프로세서는 실행 가능한 프로그램 명령을 포함하는 전자 데이터 저장 유닛(119)과 같은 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체를 갖는 전자 데이터 저장 매체에 있는 메모리에 연결될 수 있다. 컴퓨터에 의해 구현되는 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서(116)는 방법(200)의 실시 형태의 단계들 중 일부 또는 전부를 수행하도록 프로그래밍될 수도 있다. 전자 데이터 저장 유닛(119)에 있는 메모리는 자기 또는 광 디스크, 자기 테이프, 또는 업계에 알려진 임의의 다른 적절한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체와 같은 저장 매체일 수도 있다.
프로그램 명령은, 특히 프로시저 기반 기술, 컴포넌트 기반 기술 및/또는 객체 지향 기술을 포함하는 다양한 방식 중 어느 것으로 구현될 수도 있다. 예를 들어, 프로그램 명령은 원하는 바에 따라 ActiveX 컨트롤, C++ 오브젝트, JavaBeans, MFC(Microsoft Foundation Class), SSE(Streaming SIMD Extension) 또는 다른 기술이나 방법론을 사용하여 구현될 수도 있다.
일 실시 형태에서, 하나 이상의 프로그램이 전자 데이터 저장 유닛(119)과 같은 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 포함된다. 하나 이상의 프로그램은 하나 이상의 컴퓨팅 디바이스 상에서 단계를 실행하기 위한 것이다. 예를 들어, 프로그램은 전자 빔이 복수의 타겟을 갖는 광섬유 어레이에서 투사될 때, 이미지 처리 모듈에서, 카메라로부터 복수의 전자 빔의 이미지 데이터를 수신하는 단계를 실행할 수 있다. 이미지 처리 모듈을 사용하여, 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 인가되는 전압에 대한 조정이 결정될 수 있다. 조정은 전자 빔 중 한 전자 빔의 변위, 디포커스 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화한다. 제어 모듈을 사용하여, 조정을 수행하기 위해 전압이 릴레이 렌즈, 필드 렌즈 또는 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 인가된다.
조정을 결정하는 단계는 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함할 수 있다. Vj는 8중극의 전압이고 Xi는 전자 빔의 측정된 변위이다. 제어 모듈을 사용하여, 민감도 행렬 Aij의 역이 다중극 어레이(예를 들어, 8중극)에 적용될 수 있다. 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의될 수 있다.
조정을 결정하는 단계는, 타겟 중 대응하는 하나에 대한 각각의 전자 빔의 변위, 디포커스, 또는 수차를, 이미지 처리 모듈을 사용하여, 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 이미지 처리 모듈을 사용하여 변위, 디포커스, 또는 수차를 최소화하기 위해 조정이 결정될 수 있다.
방법의 각각의 단계는 본 명세서에 설명된 바처럼 수행될 수도 있다. 방법은 또한 본 명세서에 설명된 프로세서 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 단계는 본 명세서에 설명된 실시 형태 중 어느 것에 따라 구성될 수도 있는 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있다. 또한, 위에서 설명된 방법은 본 명세서에 설명된 시스템 실시 형태 중 어느 것에 의해 수행될 수도 있다.
본 개시는 하나 이상의 특정 실시 형태에 대해 설명되었지만, 본 개시의 범위를 벗어나지 않고서 본 개시의 다른 실시 형태가 만들어질 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 본 개시는 첨부된 청구 범위 및 그의 합리적인 해석에 의해서만 제한되는 것으로 간주된다.

Claims (20)

  1. 시스템으로서,
    복수의 전자 빔들을 형성하는 전자들을 생성하는 전자 소스;
    릴레이 렌즈 - 상기 전자 소스는 상기 전자 빔들을 상기 릴레이 렌즈에 지향시킴 - ;
    상기 전자 빔들의 경로를 따라 상기 릴레이 렌즈의 하류(downstream)에 배치된 필드 렌즈(field lens);
    상기 전자 빔들의 경로를 따라 상기 필드 렌즈의 하류에 배치된 다중극 어레이(multi-pole array);
    상기 전자 빔들의 경로를 따라 상기 다중극 어레이의 하류에 배치된 투사 렌즈(projection lens);
    상기 전자 빔들의 경로를 따라 상기 투사 렌즈의 하류에 배치된 신틸레이터(scintillator);
    복수의 타겟들을 갖는 광섬유 어레이(fiber optics array)- 상기 광섬유 어레이는 상기 타겟들 중 하나를 사용하여 전자 빔들 각각으로부터 광을 수신하도록 배치됨 - ;
    상기 신틸레이터로부터 상기 광섬유 어레이로 통과하는 광을 이미징하도록 구성된 카메라 - 상기 카메라는 이미지 데이터를 생성하도록 구성됨 - ; 및
    상기 카메라, 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 및 상기 다중극 어레이와 전자 통신하는 프로세서 - 상기 프로세서는 상가 카메라로부터의 이미지 데이터에 기초하여 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 또는 상기 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정(adjustment)을 결정하도록 그리고 상기 조정을 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 또는 상기 다중극 어레이에 적용하도록 구성됨 -
    를 포함하는, 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 신틸레이터와 상기 광섬유 어레이 사이에 배치된 빔 스플리터를 더 포함하는, 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 카메라는 CMOS 카메라인 것인, 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 광섬유 어레이는 6각형(hexagonal)인 것인, 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 다중극 어레이는 8중극(octupole)인 것인, 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세서는 또한,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 상기 전자 빔들 각각의 변위(displacement)를 측정하도록; 그리고
    상기 변위를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하도록 구성되는 것인, 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세서는 또한,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 전자 빔들 각각의 디포커스(defocus)를 측정하도록; 그리고
    상기 디포커스를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하도록 구성되는 것인, 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세서는 또한,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 전자 빔들 각각의 수차(aberration)를 측정하도록; 그리고
    상기 수차를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하도록 구성되는 것인, 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 프로세서는 또한, 민감도 행렬(sensitivity matrix) Aij Vj = -Xi를 풀도록 구성되고, 여기서 Vj는 상기 8중극의 전압들이고 Xi는 상기 전자 빔들의 측정된 변위들인 것인, 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 민감도 행렬 Aij의 역(inverse)이 상기 다중극 어레이에 적용되고, 상기 민감도 행렬의 각각의 요소가 dXi 변위와 dVj 사이의 비(ratio)로서 정의되는 것인, 시스템.
  11. 방법으로서,
    카메라를 사용하여 복수의 전자 빔들의 이미지 데이터를, 상기 전자 빔들로부터의 광이 복수의 타겟들을 갖는 광섬유 어레이에 투사될 때 생성하는 단계;
    상기 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈, 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정을, 이미지 처리 모듈을 사용하여 결정하는 단계 - 상기 조정은 상기 전자 빔들 중 하나의 변위, 디포커스, 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화함 - ; 및
    상기 조정을 수행하기 위해 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 또는 상기 다중극 어레이에 상기 전압을, 제어 모듈을 사용하여 인가하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    전자 소스를 사용하여 상기 전자 빔들을 생성하는 단계; 및
    상기 전자 빔들을 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 상기 다중극 어레이, 투사 렌즈를 통해, 그리고 신틸레이터로 투사하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 결정하는 단계는,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 전자 빔들 각각의 변위를, 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 측정하는 단계; 및
    상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 상기 변위를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 결정하는 단계는,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 전자 빔들 각각의 디포커스를, 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 측정하는 단계; 및
    상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 상기 디포커스를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 결정하는 단계는,
    상기 타겟들 중 대응하는 하나에 대한 전자 빔들 각각의 수차를, 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 측정하는 단계; 및
    상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 상기 수차를 최소화하기 위해 상기 조정을 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함하고, 여기서 Vj는 상기 다중극 어레이의 전압들이고, Xi는 상기 전자 빔들의 측정된 변위들이고, 상기 방법은 상기 다중극 어레이에 상기 민감도 행렬 Aij의 역을, 상기 제어 모듈을 사용하여 적용하는 단계를 더 포함하며, 상기 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의되는 것인, 방법.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 다중극 어레이는 8중극인 것인, 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 다중극 어레이 내의 극들의 상이한 여기(excitation)들의 조합을 활성화하는 단계;
    상이한 여기들 각각에 대한 상기 전자 빔들의 변위를 측정하는 단계; 및
    상이한 여기들 각각에 대한 상기 전자 빔들의 변위의 행렬에 기초하여 상기 다중극 어레이를 캘리브레이팅(calibrating)하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  19. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체로서, 하나 이상의 컴퓨팅 디바이스 상에서 다음의 단계들:
    카메라로부터의 복수의 전자 빔들의 이미지 데이터를, 상기 전자 빔들로부터의 광이 복수의 타겟들을 갖는 광섬유 어레이에 투사될 때, 이미지 처리 모듈에서 수신하는 단계;
    상기 이미지 데이터에 기초하여 릴레이 렌즈, 필드 렌즈, 또는 다중극 어레이에 인가되는 전압에 대한 조정을, 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 결정하는 단계 - 상기 조정은 상기 전자 빔들 중 하나의 변위, 디포커스, 또는 수차 중 적어도 하나를 최소화함 - ; 및
    상기 조정을 수행하기 위해 상기 릴레이 렌즈, 상기 필드 렌즈, 또는 상기 다중극 어레이에 상기 전압을, 제어 모듈을 사용하여 인가하는 단계
    를 실행하기 위한 하나 이상의 프로그램을 포함하는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 결정하는 단계는 상기 이미지 처리 모듈을 사용하여 민감도 행렬 Aij Vj = -Xi를 푸는 단계를 포함하고, 여기서 Vj는 상기 다중극 어레이의 전압들이고, Xi는 상기 전자 빔들의 측정된 변위들이며, 상기 다중극 어레이에 상기 민감도 행렬 Aij의 역을, 상기 제어 모듈을 사용하여 적용하는 단계를 더 포함하고, 상기 민감도 행렬의 각각의 요소는 dXi 변위와 dVj 사이의 비로서 정의되는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체.
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