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KR20200032633A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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KR20200032633A
KR20200032633A KR1020190092893A KR20190092893A KR20200032633A KR 20200032633 A KR20200032633 A KR 20200032633A KR 1020190092893 A KR1020190092893 A KR 1020190092893A KR 20190092893 A KR20190092893 A KR 20190092893A KR 20200032633 A KR20200032633 A KR 20200032633A
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South Korea
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도시유키 기쿠치
슌 마츠이
? 마츠이
다다시 다카사키
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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

복수의 처리실을 갖는 처리 장치의 생산성을 향상시킨다.
복수의 기판이 수용된 격납 용기가 복수 적재되는 로드 포트와, 기판을 수용 가능한 복수의 처리실과, 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 복수의 처리실의 각각으로 반송하는 반송부와, 복수의 격납 용기 중 하나로부터 복수의 처리실의 각각에 복수의 기판을 소정의 순서로 반송하여 처리하고, 처리실 내에 기판이 없는 상태에서 처리되었을 때, 처리실에 대한 데이터 테이블의 제1 카운트 데이터를 카운트하는 연산부와, 데이터 테이블을 기억하는 기억부와, 데이터 테이블 중, 최대의 제1 카운트 데이터를 갖는 처리실의 테이블에, 제1 반송 플래그 데이터를 부여하고, 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을 반송할 때에, 복수의 기판을, 제1 반송 플래그 데이터에 기초하여 소정의 순서로 반송하도록 반송부를 제어하는 제어부를 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM}
본 개시는, 기판 처리 장치, 반도체 장치 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
근년의 반도체 장치의 제조에서는, 소 Lot 다품종화가 진행되고 있다. 이 소 Lot 다품종화의 제조에서의 생산성의 향상이 요망되고 있다. 이 요구에 따르는 방법의 하나로서, 복수의 처리실을 갖는 매엽식 장치에 있어서, 생산성을 향상시키는 방법이 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
일본 특허 제6089082호 공보
처리 장치에 마련된 처리실의 수와 처리 매수의 불일치에 의해, 생산성이 저하된다는 과제가 있다.
본 개시는, 복수의 처리실을 갖는 처리 장치의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공한다.
일 형태에 의하면,
복수의 기판이 수용된 격납 용기가 복수 적재되는 로드 포트와, 기판을 수용 가능한 복수의 처리실과, 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 복수의 처리실의 각각으로 반송하는 반송부와, 복수의 격납 용기 중 하나로부터 복수의 처리실의 각각에 복수의 기판을 소정의 순서로 반송하여 처리하고, 처리실 내에 기판이 없는 상태에서 처리되었을 때, 처리실에 대한 데이터 테이블의 제1 카운트 데이터를 카운트하는 연산부와, 데이터 테이블을 기억하는 기억부와, 데이터 테이블 중, 최대의 제1 카운트 데이터를 갖는 처리실의 테이블에, 제1 반송 플래그 데이터를 부여하고, 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을 반송할 때에, 복수의 기판을, 제1 반송 플래그 데이터에 기초하여 소정의 순서로 반송하도록 반송부를 제어하는 제어부를 갖는 기술이 제공된다.
본 개시에 관한 기술에 의하면, 복수의 처리실을 갖는 처리 장치에 있어서의 생산성을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 횡단면의 개략도이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 종단면의 개략도이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 진공 반송 로봇의 개략도이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성도이다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 챔버의 종단면의 개략도이다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 컨트롤러의 개략 구성도이다.
도 7은 일 실시 형태에 따른 제1 기판 처리 공정의 흐름도이다.
도 8은 일 실시 형태에 따른 제1 기판 처리 공정의 시퀀스도이다.
도 9는 종래의 반송 시퀀스에 의한 적산 처리 시간을 나타내는 도면이다.
도 10은 종래의 반송 시퀀스에 의한 적산 처리 시간을 나타내는 도면이다.
도 11은 일 실시 형태에 따른 기판 반송 흐름도이다.
도 12는 일 실시 형태에 따른 제1 카운트 데이터의 데이터 테이블 예이다.
도 13은 일 실시 형태에 따른 제1 카운트 데이터와 반송 플래그의 예이다.
도 14는 일 실시 형태에 따른 제3 카운트 데이터와 반송 플래그의 예이다.
도 15는 일 실시 형태에 따른 막 두께 테이블 예이다.
도 16은 일 실시 형태에 따른 막 두께 테이블 예이다.
도 17은 일 실시 형태에 따른 막 두께 테이블 예이다.
[제1 실시 형태]
이하에 본 개시의 제1 실시 형태를 도면에 입각하여 설명한다.
이하에, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 설명한다.
(1) 기판 처리 시스템의 구성
본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개요 구성을, 도 1 내지 도 4를 사용하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성예를 도시하는 횡단면도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성예를 도시하는 도 1의 α-α'에 있어서의 종단면도이다. 도 3은 도 1의 암의 상세를 설명한 설명도이다. 도 4는 도 1의 β-β'의 종단면도이며, 프로세스 모듈(PM)에 공급하는 가스 공급계를 설명하는 설명도이다. 도 5는, PM에 마련되는 챔버를 설명하는 설명도이다.
도 1 및 도 2에 있어서, 본 개시가 적용되는 기판 처리 시스템(1000)은 기판(200)을 처리함으로써, IO 스테이지(1100), 대기 반송실(1200), 로드 로크실(1300), 진공 반송실(1400), 프로세스 모듈(PM)(110)(110a 내지 110d)로 주로 구성된다. 다음에 각 구성에 대해 구체적으로 설명한다. 도 1의 설명에 있어서는, 전후 좌우는, X1 방향이 우측, X2 방향이 좌측, Y1 방향이 전방측, Y2 방향이 후방측이 된다. 또한, 기판(200)의 표면에는, 반도체 디바이스가 형성되고, 기판 처리 시스템(1000)에서는, 반도체 디바이스 제조의 일 공정이 행하여진다. 여기서, 반도체 디바이스는, 집적 회로나, 전자 소자 단체(저항 소자, 코일 소자, 캐패시터 소자, 반도체 소자) 중 어느 것, 또는 복수를 포함하는 것을 말한다. 또한, 반도체 디바이스의 제조 도중에 필요한 더미막이어도 된다.
[대기 반송실·IO 스테이지]
기판 처리 시스템(1000)의 앞에는, IO 스테이지(로드 포트)(1100)가 마련되어 있다. IO 스테이지(1100) 위에는 격납 용기로서의 포드(1001)가 복수 탑재 가능하게 구성된다. 포드(1001)는 실리콘(Si) 기판 등의 기판(200)을 반송하는 캐리어로서 사용되고, 포드(1001) 내에는, 기판(웨이퍼)(200)이 각각 수평 자세로 복수 저장되도록 구성되어 있다. 또한, 포드(1001) 내에는, 기판(200)이 최대로 25매 저장되어 있다. 또한, 포드(1001) 내에 저장되는 기판(200)의 매수는, 다른 기판 처리 장치에서의 처리 결과나 품종에 따라 조정되어 포드(1001) 중에, 25매보다도 적은, 24매, 23매, 22매, 21매···의 기판(200)이 수용되는 경우가 있다. 이와 같은 매수의 기판(200)이 저장된 포드(1001)가 IO 스테이지(1100) 위에 적재되는 빈도는, 25매, 24매, 23매, 22매, 21매의 순으로 적어진다.
포드(1001)에는 캡(1120)이 마련되어, 후술하는 포드 오프너(1210)에 의해 개폐된다. 포드 오프너(1210)는, IO 스테이지(1100)에 적재된 포드(1001)의 캡(1120)을 개폐하고, 기판 출입구를 개방·폐쇄함으로써, 포드(1001)에 대한 기판(200)의 출입을 가능하게 한다. 포드(1001)는 도시되지 않은 공정 내 반송 장치(RGV)에 의해, IO 스테이지(1100)에 대해, 공급 및 배출된다.
IO 스테이지(1100)는 대기 반송실(1200)에 인접한다. 대기 반송실(1200)은 IO 스테이지(1100)와 다른 면에, 후술하는 로드 로크실(1300)이 연결된다.
대기 반송실(1200) 내에는 기판(200)을 이동 탑재하는 제1 반송 로봇으로서의 대기 반송 로봇(1220)이 설치되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 대기 반송 로봇(1220)은 대기 반송실(1200)에 설치된 엘리베이터(1230)에 의해 승강되도록 구성되어 있음과 함께, 리니어 액추에이터(1240)에 의해 좌우 방향으로 왕복 이동되도록 구성되어 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 대기 반송실(1200)의 상부에는 클린 에어를 공급하는 클린 유닛(1250)이 설치되어 있다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 대기 반송실(1200)의 좌측에는 기판(200)에 형성되어 있는 노치 또는 오리엔테이션 플랫을 맞추는 장치(이하, 프리얼라이너라고 함)(1260)가 설치되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 대기 반송실(1200)의 하우징(1270)의 전방측에는, 기판(200)을 대기 반송실(1200)에 대해 반입 반출하기 위한 기판 반입 반출구(1280)와, 포드 오프너(1210)가 설치되어 있다. 기판 반입 반출구(1280)를 사이에 두고 포드 오프너(1210)와 반대측, 즉 하우징(1270)의 외측에는 IO 스테이지(로드 포트)(1100)가 설치되어 있다.
대기 반송실(1200)의 하우징(1270)의 후방측에는, 기판(200)을 로드 로크실(1300)에 반입 반출하기 위한 기판 반입출구(1290)가 마련된다. 기판 반입출구(1290)는 후술하는 게이트 밸브(1330)에 의해 해방·폐쇄함으로써, 기판(200)의 출입을 가능하게 한다.
[로드 로크(L/L)실]
로드 로크실(1300)은 대기 반송실(1200)에 인접한다. 로드 로크실(1300)을 구성하는 하우징(1310)이 갖는 면 중, 대기 반송실(1200)과는 다른 면에는, 후술하는 바와 같이, 진공 반송실(1400)이 배치된다. 로드 로크실(1300)은 대기 반송실(1200)의 압력과 진공 반송실(1400)의 압력에 맞춰서 하우징(1310) 내의 압력이 변동되기 때문에, 부압에 견딜 수 있는 구조로 구성되어 있다.
하우징(1310) 중, 진공 반송실(1400)과 인접하는 측에는, 기판 반입 반출구(1340)가 마련된다. 기판 반입출구(1340)는 게이트 밸브(1350)에 의해 해방·폐쇄함으로써, 기판(200)의 출입을 가능하게 한다.
또한, 로드 로크실(1300) 내에는, 기판(200)을 적재하는 적재면(1311)을 적어도 2개 갖는 기판 적재대(1320)가 마련되어 있다. 여기서, 두 적재면은, 제1 적재면(1311a)과 제2 적재면(1311b)이라 한다. 기판 적재면(1311) 사이의 거리는, 후술하는 진공 반송 로봇(1700)이 갖는 핑거 사이의 거리에 따라 설정된다.
[진공 반송실]
기판 처리 시스템(1000)은 부압 하에서 기판(200)이 반송되는 반송 공간이 되는 반송실로서의 진공 반송실(트랜스퍼 모듈)(1400)을 구비하고 있다. 진공 반송실(1400)을 구성하는 하우징(1410)은 평면으로 볼 때 오각형으로 형성되고, 오각형의 각 변에는, 로드 로크실(1300) 및 기판(200)을 처리하는 프로세스 모듈(PM)(110a 내지 110d)이 연결되어 있다. 진공 반송실(1400)의 대략 중앙부에는, 부압 하에서 기판(200)을 이동 탑재(반송)하는 제2 반송 로봇으로서의 진공 반송 로봇(1700)이 플랜지(1430)를 기부로 하여 설치되어 있다. 또한, 진공 반송실(1400)에는, 기판(200)의 위치를 검출하는 검출부로서의 검출 센서(1401)가 마련되어 있다. 검출 센서(1401)는 예를 들어 각 PM(110)의 연결부 부근에 마련되고, 진공 반송실(1400)과 PM(110) 사이의 기판(200)의 이동을 검출 가능하게 구성된다. 또한, 검출 센서(1401)는 후술하는 컨트롤러(260)에, 기판(200)의 위치 데이터를 송신 가능하게 구성된다. 또한, 여기에서는, 진공 반송실(1400)을 오각형의 예를 도시하지만, 사각형이나 육각형 등의 다각형이어도 된다. 또한, 바람직하게는 PM은, 짝수대 마련된다.
하우징(1410)의 측벽 중, 로드 로크실(1300)과 인접하는 측에는, 기판 반입 반출구(1420)가 마련되어 있다. 기판 반입출구(1420)는 게이트 밸브(1350)에 의해 해방·폐쇄함으로써, 기판(200)의 출입을 가능하게 한다.
진공 반송실(1400) 내에 설치되는 진공 반송 로봇(1700)은 도 2에 도시된 바와 같이, 엘리베이터(1450) 및 플랜지(1430)에 의해 진공 반송실(1400)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 진공 반송 로봇(1700)의 상세한 구성은 후술한다. 엘리베이터(1450)는 진공 반송 로봇(1700)이 갖는 두 암(1800과 1900)을 각각 독립적으로 승강 가능하도록 구성되어 있다.
하우징(1410)의 천장이며, 하우징(1410) 내에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급 구멍(1460)이 마련된다. 불활성 가스 공급 구멍(1460)에는 불활성 가스 공급관(1510)이 마련된다. 불활성 가스 공급관(1510)에는 상류로부터 순서대로 불활성 가스원(1520), 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(1530), 밸브(1540)가 마련되고, 하우징(1410) 내에 소정의 유량으로 불활성 가스를 공급 가능하게 구성되어 있다.
주로, 불활성 가스 공급관(1510), MFC(1530), 밸브(1540)이고, 진공 반송실(1400)에 있어서의 불활성 가스 공급부(1500)가 구성된다. 또한, 불활성 가스원(1520), 불활성 가스 공급 구멍(1460)을 불활성 가스 공급부(1500)에 포함해도 된다.
하우징(1410)의 저벽에는, 하우징(1410)의 분위기를 배기하기 위한 배기 구멍(1470)이 마련된다. 배기 구멍(1470)에는, 배기관(1610)이 마련된다. 배기관(1610)에는, 상류로부터 순서대로 압력 제어기인 APC(Auto Pressure Controller)(1620), 펌프(1630)가 마련된다.
주로, 배기관(1610), APC(1620)에서 진공 반송실(1400)에 있어서의 가스 배기부(1600)가 구성된다. 또한, 펌프(1630), 배기 구멍(1470)을 가스 배기부에 포함해도 된다.
불활성 가스 공급부(1500), 가스 배기부(1600)의 협동에 의해 진공 반송실(1400)의 분위기가 제어된다. 예를 들어, 하우징(1410) 내의 압력이 제어된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 하우징(1410)의 5매의 측벽 중, 로드 로크실(1300)이 마련되지 않은 측에는, 기판(200)에 원하는 처리를 행하는 프로세스 모듈(PM)(110a, 110b, 110c, 110d)이 연결되어 있다.
PM(110a, 110b, 110c, 110d)의 각각에는, 챔버(100)가 마련되어 있다. 챔버(100)는 처리실이라고도 칭한다. 구체적으로는, PM(110a)은 챔버(100a, 100b)가 마련된다. PM(110b)에는 챔버(100c), 100d가 마련된다. PM(110c)에는 챔버(100e, 100f)가 마련된다. PM(110d)에는 챔버(100g, 100h)가 마련된다. 또한, 바람직하게는 각 PM에, 챔버는 짝수대 마련된다.
하우징(1410)의 측벽 중, 각 챔버(100)와 대향하는 벽에는 기판 반입출구(1480)가 마련된다. 예를 들어 도 2에 기재된 바와 같이, 챔버(100e)와 대향하는 벽에는, 기판 입출구(1480e)가 마련된다.
도 2 중, 챔버(100e)를 챔버(100a)로 치환한 경우, 챔버(100a)와 대향하는 벽에는, 기판 반입 반출구(1480a)가 마련된다.
마찬가지로, 챔버(100f)를 챔버(100b)로 치환한 경우, 챔버(100b)와 대향하는 벽에는, 기판 반입 반출구(1480b)가 마련된다.
게이트 밸브(1490)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(100) 별로 마련된다. 구체적으로는, 챔버(100a)와의 사이에는 게이트 밸브(1490a)가 챔버(100b)와의 사이에는 게이트 밸브(1490b)가 마련된다. 챔버(100c)와의 사이에는 게이트 밸브(1490c)가, 챔버(100d)와의 사이에는 게이트 밸브(1490d)가 마련된다. 챔버(100e)와의 사이에는 게이트 밸브(1490e)가, 챔버(100f)와의 사이에는 게이트 밸브(1490f)가 마련된다. 챔버(100g)와의 사이에는 게이트 밸브(1490g)가, 챔버(100h)와의 사이에는 게이트 밸브(1490h)가 마련된다.
각 게이트 밸브(1490)에 의해 개방·폐쇄함으로써, 기판 반입출구(1480)를 통한 기판(200)의 출입을 가능하게 한다.
[진공 반송 로봇]
계속해서, 진공 반송실(1400)에 탑재되는 반송부(반송 기구)로서의 진공 반송 로봇(1700)에 대해, 도 3을 사용하여 설명한다. 도 3은 도 1의 진공 반송 로봇(1700)을 확대한 도면이다.
진공 반송 로봇(1700)은 두 암(1800, 1900)을 구비한다. 암(1800)은 선단에 두 엔드 이펙터(1810, 1820)가 마련된 포크 포션(Fork portion)(1830)을 갖는다. 포크 포션(1830)의 근원에는 미들 포션(1840)이 축(1850)을 통하여 접속된다. 2개의 엔드 이펙터와 하나의 포크 포션의 조합을 보유 지지부라고 칭한다. 진공 반송 로봇(1700)은 적어도 하나의 보유 지지부를 갖는다. 하나의 보유 지지부는, 두 기판(200)을 보유 지지 가능하게 구성된다.
엔드 이펙터(1810)와 엔드 이펙터(1820)에는, 각각의 PM(110)으로부터 반출되는 기판(200)이 적재된다. 도 2에 있어서는, PM(110c)으로부터 반출되는 기판(200)이 적재되는 예를 나타낸다.
미들 포션(1840) 중, 포크 포션(1830)과 상이한 개소에는, 보텀 포션(1860)이 축(1870)을 통하여 접속된다. 보텀 포션(1860)은 축(1880)을 통하여 플랜지(1430)에 배치된다.
암(1900)은 선단에 두 엔드 이펙터(1910, 1920)가 마련된 포크 포션(1930)을 갖는다. 포크 포션(1930)의 근원에는 미들 포션(1940)이 축(1950)을 통하여 접속된다.
엔드 이펙터(1910)와 엔드 이펙터(1920)에는, 로드 로크실(1300)로부터 반출되는 기판(200)이 적재된다.
미들 포션(1940) 중, 포크 포션(1930)과 상이한 개소에는, 보텀 포션(1960)이 축(1970)을 통하여 접속된다. 보텀 포션(1960)은 축(1980)을 통하여 플랜지(1430)에 배치된다.
엔드 이펙터(1810), 엔드 이펙터(1820)는 엔드 이펙터(1910), 엔드 이펙터(1920)보다도 높은 위치에 배치된다.
진공 반송 로봇(1700)은 축을 중심으로 한 회전이나, 암의 연신이 가능하다.
또한, 진공 반송 로봇(1700)은 적재면(1311a)에 반송된 기판을, 챔버(ch1)(100a), 챔버(ch3)(100c), 챔버(ch5)(100e), 챔버(ch7)(100g)에 반송하고, 적재면(1311b)에 반송된 기판을, 챔버(ch2)(100b), 챔버(ch4)(100d), 챔버(ch6)(100f), 챔버(ch8)(100h)에 반송되도록 구성된다.
[프로세스 모듈 PM]
계속하여 각 PM(처리 유닛)(110) 중, PM(110a)에 대해, 도 1, 도 2, 도 4를 예로 들어 설명한다. 도 4는 PM(110a)와 PM(110a)에 접속되는 가스 공급부와, PM(110a)에 접속되는 가스 배기부의 관련을 설명하는 설명도이다.
여기에서는 PM(110a)을 예로 하고 있지만, 다른 PM(110b), PM(110c), PM(110d)에 있어서도 마찬가지의 구조이기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.
도 4에 기재된 바와 같이, PM(110a)에는, 기판(200)을 처리하는 챔버가 둘 마련된다. 여기에서는, 챔버(100a)와 챔버(100b)가 마련된다. 챔버(100a)와 챔버(100b) 사이에는 격벽(2040a)이 마련되고, 각각의 챔버 내의 분위기가 혼재되지 않도록 구성된다.
도 2에 기재된 바와 같이, 챔버(100e)와 진공 반송실(1400)이 인접하는 벽에는, 기판 반입 반출구(2060e)가 마련되고, 마찬가지로, 챔버(100a)와 진공 반송실(1400)이 인접하는 벽에는 기판 반입출구(2060a)가 마련되어 있다.
각 챔버(100)에는 기판(200)을 지지하는 기판 지지부(210)가 마련되어 있다.
PM(110a)에는, 챔버(100a)와 챔버(100b)의 각각에 처리 가스를 공급하는 가스 공급부가 접속되어 있다. 가스 공급부는, 제1 가스 공급부(처리 가스 공급부), 제2 가스 공급부(반응 가스 공급부), 제3 가스 공급부(제1 퍼지 가스 공급부), 제4 가스 공급부(제2 퍼지 가스 공급부) 등으로 구성된다. 각 가스 공급부의 구성에 대해 설명한다.
[제1 가스 공급부]
도 4에 도시된 바와 같이, 처리 가스원(113)으로부터 PM(110a)의 사이에는, 버퍼 탱크(114)와 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(115a, 115b)와, 처리실측 밸브(116(116a, 116b))가 각각 마련되어 있다. 이들의 구성은, 제1 가스 공급관(처리 가스 공급관)(112, 111a, 111b)으로 접속되어 있다. 처리 가스원(113)으로부터 공급되는 처리 가스는, 제1 가스 공급관(처리 가스 공급관)(112, 111a, 111b)으로부터, 도 5에 나타내는 공통 가스 공급관(300)을 통하여, 챔버(100)에 공급 가능하게 구성되어 있다. 이들, MFC(115a, 115b), 처리실측 밸브(116(116a, 116b)), 처리 가스 공급관(112, 111a, 111b)으로 제1 가스 공급부가 구성된다. 또한, 처리 가스원(113)과 버퍼 탱크(114)의 어느 것 또는 양쪽을 제1 가스 공급부에 포함하도록 구성해도 된다. 또한, 기판 처리 시스템에 마련되는 PM의 수에 따라, 마찬가지의 구성을 증감시켜 구성해도 된다.
[제2 가스 공급부]
도 4에 도시된 바와 같이, 반응 가스원(123)으로부터 PM(110a)의 사이에는, 활성화부로서의 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(124), MFC(125a, 125b), 처리실측 밸브(126(126a, 126b))가 마련되어 있다. 이들의 각 구성은, 반응 가스 공통관(122)과 제2 가스 공급관(반응 가스 공급관)(121a, 121b) 등으로 접속되어 있다. 반응 가스원(123)으로부터 공급되는 반응 가스는, 반응 가스 공통관(122), 제2 가스 공급관(121a, 121b)으로부터, 도 5에 나타내는 공통 가스 공급관(300)을 통하여, 기판 처리 장*버00)에 공급 가능하게 구성되어 있다. 이들, RPU(124), MFC(125a, 125b), 처리실측 밸브(126(126a, 126b)), 반응 가스 공통관(122), 반응 가스 공급관(121a, 121b) 등으로, 제2 가스 공급부가 구성된다.
또한, 반응 가스원(123)을 제2 가스 공급부에 포함하도록 구성해도 된다. 또한, 기판 처리 시스템에 마련되는 PM의 수에 따라, 마찬가지의 구성을 증감시켜 구성해도 된다.
또한, 처리실측 밸브(126)(밸브(126a, 126b))의 전방에, 벤트 라인(171a, 171b)과, 벤트 밸브(170(170a, 170b))를 마련하여 반응 가스를 배기하도록 구성해도 된다. 벤트 라인를 마련함으로써, 실활된 반응 가스 또는, 반응성이 저하된 반응 가스를 처리실에 통과시키지 않고, 배출할 수 있다.
[제3 가스 공급부(제1 퍼지 가스 공급부)]
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 퍼지 가스(불활성 가스)원(133)으로부터 PM(110a) 사이에는, MFC(135a, 135b), 처리실측 밸브(136(136a, 136b)), 밸브(176a, 176b, 186a, 186b) 등이 마련되어 있다. 이들의 각 구성은, 퍼지 가스(불활성 가스) 공통관(132), 퍼지 가스(불활성 가스) 공급관(131a, 131b) 등으로 접속되어 있다. 제1 퍼지 가스원(133)으로부터 공급되는 퍼지 가스(불활성 가스)는 퍼지 가스 공통관(132), 퍼지 가스 공급관(131a, 131b)으로부터, 도 5에 나타내는 공통 가스 공급관(300)을 통하여, 챔버(100)에 공급 가능하게 구성되어 있다. 이들, MFC(135a, 135b), 처리실측 밸브(136(136a, 136b)), 불활성 가스 공통관(132), 불활성 가스 공급관(131a, 131b) 등으로, 제3 가스 공급부가 구성되어 있다. 또한, 퍼지 가스(불활성 가스)원(133)을 제3 가스 공급부(제1 퍼지 가스 공급부)에 포함하도록 구성해도 된다. 또한, 기판 처리 시스템에 마련되는 PM의 수에 따라, 마찬가지의 구성을 증감시켜 구성해도 된다.
[제4 가스 공급부(제2 퍼지 가스 공급부)]
도 4에 도시된 바와 같이, 제4 가스 공급부는, 처리 가스 공급관(111a, 111b), 반응 가스 공급관(121a, 121b) 각각을 통하여 각 처리실(100a, 100b)에 불활성 가스를 공급 가능하게 구성된다. 제2 퍼지 가스(불활성 가스)원(143)으로부터 각 공급관 사이에는, 제2 퍼지 가스 공급관(141a, 141b, 151a, 151b), MFC(145a, 145b, 155a, 155b), 밸브(146a, 146b, 156a, 156b) 등이 마련되어 있다. 이들의 구성에 의해 제4 가스 공급부(제2 퍼지 가스 공급부)가 구성된다. 또한, 여기에서는, 제3 가스 공급부와 제4 가스 공급부의 가스원을 별도로 구성했지만, 통합해서 하나만 마련하도록 구성해도 된다.
각 가스 공급부에 마련된 각 MFC는, 후술하는 컨트롤러(260)와, 유량값(유량 데이터)을 송수신 가능하게 구성된다. 또한, 각 밸브는, 후술하는 컨트롤러(260)와 밸브 개방도값(밸브 개방도 데이터)을 송수신 가능하게 구성된다.
또한, PM(110a)에는, 챔버(100a) 내의 분위기와 챔버(100b) 내의 분위기를 각각 배기하는 가스 배기부가 접속되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 배기 펌프(223a)와 챔버(100a, 100b) 사이에는, APC(Auto Pressure Controller)(222a), 공통 가스 배기관(225a), 처리실 배기관(224a, 224b) 등이 마련되어 있다. 이들, APC(222a), 공통 공급 가스 배기관(225a), 처리실 배기관(224a, 224b)으로 가스 배기부가 구성된다. 이와 같이, 챔버(100a) 내의 분위기와 챔버(100b) 내의 분위기는, 하나의 배기 펌프로 배기되도록 구성된다. 또한, 처리실 배기관(224a, 224b) 각각의 배기 컨덕턴스를 조정 가능한 컨덕턴스 조정부(226a, 226b)를 형성해도 되고, 이들을 가스 배기부의 하나의 구성으로 해도 된다. 또한, 배기 펌프(223a)를 가스 배기부의 하나의 구성으로 해도 된다. 또한, APC(222a)나, 컨덕턴스 조정부(226a, 226b)는, 후술하는 컨트롤러(260)와 밸브의 개방도 데이터나, 압력값(압력 데이터)을 송수신 가능하게 구성된다.
다음에, 본 실시 형태에 따른 챔버(100)에 대해 설명한다. 챔버(100)는 도 5에 도시된 바와 같이, 매엽식 기판 처리 장치로서 구성되어 있다. 챔버에서는, 반도체 디바이스 제조의 하나의 공정이 행하여진다. 또한, 챔버(100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h)는, 도 5에 나타내는 구성과 동일하게 구성된다. 여기에서는, 챔버(100a)를 예로서 설명한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 챔버(100)는 처리 용기(202)를 구비하고 있다. 처리 용기(202)는 예를 들어 횡단면이 원형이며 편평한 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(202)는 예를 들어 알루미늄(Al)이나 스테인리스(SUS) 등의 금속 재료 또는 석영에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(202) 내에는, 기판으로서의 실리콘 웨이퍼 등의 기판(200)을 처리하는 처리 공간(처리실)(201), 반송 공간(203)이 형성되어 있다. 처리 용기(202)는 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b) 사이에는 구획판(204)이 마련된다. 상부 용기(202a)에 둘러싸인 공간이며, 구획판(204)보다도 상방의 공간을 처리 공간(처리실이라고도 함)(201)이라 칭하고, 하부 용기(202b)에 둘러싸인 공간이며, 구획판보다도 하방의 공간을 반송 공간이라고 칭한다.
하부 용기(202b)의 측면에는, 게이트 밸브(1490)에 인접한 기판 반입출구(1480)가 마련되어 있고, 기판(200)은 기판 반입출구(1480)를 통하여 도 1에 나타내는 진공 반송실(1400) 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부에는, 리프트 핀(207)이 복수 마련되어 있다. 또한, 하부 용기(202b)는 접지되어 있다.
처리실(201) 내에는, 기판(200)을 지지하는 기판 지지부(210)가 마련되어 있다. 기판 지지부(210)는 기판(200)을 적재하는 적재면(211)과, 적재면(211)을 표면에 갖는 기판 적재대(212)를 갖는다. 또한, 적재면(211)의 외주측에는, 기판(200)이 적재되지 않는 외주면(215)이 마련된다. 외주면(215)은 기판(200)의 외주측으로의 가스 공급량을, 기판(200)의 중심측으로의 가스 공급량에 접근시키는 것을 가능하게 한다. 또한, 기판 지지부(210)에는, 가열부로서의 히터(213)를 마련해도 된다. 가열부를 마련함으로써, 기판을 가열시켜, 기판 위에 형성된 막의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 히터(213)는 온도 제어부(400)에 접속되어 온도 제어 가능하게 구성된다. 온도 조정부(400)는 신호선을 통하여 후술하는 컨트롤러(260)에 온도값(온도 데이터)을 송수신 가능하게 구성된다. 기판 적재대(212)에는, 리프트 핀(207)이 관통하는 관통 구멍(214)이 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 마련되어 있다. 또한, 기판 적재대(212)에는, 기판(200)이나 처리실(201)에 바이어스를 인가하는 바이어스 전극(256)이 마련되어 있어도 된다. 바이어스 전극(256)은 바이어스 조정부(257)에 접속되고, 바이어스 조정부(257)에 의해, 바이어스가 조정 가능하게 구성된다. 바이어스 조정부(257)는 신호선을 통하여 후술하는 컨트롤러(260)에 바이어스 값(바이어스 데이터)을 송수신 가능하게 구성된다. 또한, 기판 적재대(212)에는, 기판(200) 위에 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 모니터(401)가 마련되어 있어도 된다. 막 두께 모니터(401)는 신호선을 통하여 막 두께 측정기(402)에 접속되어 있다. 막 두께 측정기(402)가 생성된 막 두께 값(막 두께 데이터)은 신호선을 통하여, 후술하는 컨트롤러(260)에 송수신 가능하게 구성된다.
기판 적재대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는 처리 용기(202)의 저부를 관통하고 있고, 나아가 처리 용기(202)의 외부에서 승강 기구(218)에 접속되어 있다. 승강 기구(218)를 작동시키고 샤프트(217) 및 지지대(212)를 승강시킴으로써, 기판 적재면(211) 위에 적재되는 기판(200)을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로우즈(219)에 의해 덮여 있고, 처리실(201) 내는 기밀하게 보유 지지되어 있다. 승강 기구(218)는 기판 적재대(212)의 높이 데이터를 후술하는 컨트롤러(260)와 송수신 가능하게 구성된다.
기판 적재대(212)는 기판(200)의 반송 시에는, 기판 적재면(211)이 기판 반입출구(1480)의 위치(웨이퍼 반송 위치)가 되도록 기판 지지대까지 하강하고, 기판(200)의 처리 시에는 도 5에서 나타낸 바와 같이, 기판(200)이 처리실(201) 내의 처리 위치(웨이퍼 처리 위치)까지 상승한다.
구체적으로는, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 반송 위치까지 하강시켰을 때에는, 리프트 핀(207)의 상단부가 기판 적재면(211)의 상면으로부터 돌출되어, 리프트 핀(207)이 기판(200)을 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 기판 적재대(212)를 웨이퍼 처리 위치까지 상승시켰을 때는, 리프트 핀(207)은 기판 적재면(211)의 상면으로부터 매몰되어, 기판 적재면(211)이 기판(200)을 하방으로부터 지지하도록 되어 있다. 또한, 리프트 핀(207)은 기판(200)과 직접 접촉하기 때문에, 예를 들어 석영이나 알루미나 등의 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 리프트 핀(207)에 승강 기구를 마련하여, 기판 적재대(212)와 리프트 핀(207)이 상대적으로 움직이도록 구성해도 된다.
[배기계]
처리실(201)(상부 용기(202a))의 내벽에는, 처리실(201)의 분위기를 배기하는 제1 배기부로서의 배기구(221)가 마련되어 있다. 배기구(221)에는 처리실 배기관(224)이 접속되어 있고, 밸브(227)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 주로, 배기구(221) 및 처리실 배기관(224)으로 제1 배기부(배기 라인)가 구성된다. 또한, 밸브(227)를 제1 배기부에 포함하도록 구성해도 된다. 또한, 밸브(227)는 압력 조정기로서의 APC로 구성해도 된다. 또한, 밸브(227)는 후술하는 컨트롤러(260)와 밸브 개방도 데이터를 송수신 가능하게 구성된다.
[가스 도입구]
상부 용기(202a)의 상부벽에는 처리실(201) 내에 각종 가스를 공급하기 위한 가스 도입구(241)가 마련되어 있다. 가스 도입구(241)에는, 공통 가스 공급관(300)이 접속되어 있다. 가스 도입구(241)의 하부에는, 가스 분산부로서의 샤워 헤드(234)가 마련되어 있다.
[가스 분산부]
샤워 헤드(234)는 버퍼실(공간)(232), 복수의 구멍을 갖는 분산판(234a)에 의해 구성되어 있다. 샤워 헤드(234)는 가스 도입구(241)와 처리실(201) 사이에 마련되어 있다. 가스 도입구(241)로부터 도입되는 가스는 샤워 헤드(234)의 버퍼 공간(232)에 공급된다. 샤워 헤드(234)는 예를 들어 석영, 알루미나, 스테인리스, 알루미늄 등의 재료로 구성된다.
또한, 샤워 헤드(234)의 덮개(231)를 전극으로 하고, 도전성이 있는 금속으로 형성하고, 버퍼 공간(232)와 처리실(201) 내의 어느 것 또는 양쪽에 존재하는 가스를 여기하기 위한 활성화부(여기부)로 해도 된다. 이 때에는, 덮개(231)와 상부 용기(202a) 사이에는 절연 블록(233)이 마련되어, 덮개(231)와 상부 용기(202a) 사이를 절연하고 있다. 활성화부로서의 전극(덮개(231))에는, 정합기(251)와 고주파 전원(252)을 접속하고, 전자파(고주파 전력이나 마이크로파)가 공급 가능하게 구성되어도 된다. 또한, 고주파 전원(252)은 후술하는 컨트롤러(260)와, 공급 전력값(공급 전력 데이터)이나 반사 전력값(반사 전력 데이터) 등을 송수신 가능하게 구성된다.
또한, 버퍼 공간(232)에, 공급된 가스의 흐름을 형성하는 가스 가이드(235)가 마련되어 있어도 된다. 가스 가이드(235)는 구멍(231a)을 중심으로 하여 기판(200)의 직경 방향을 향함에 따라 직경이 넓어지는 원추 형상이다.
[공급계]
샤워 헤드(234)의 덮개(231)에 접속된 가스 도입 구멍(241)에는, 상술한 각 가스 공급부가 접속되어 있다. 각 가스 공급부로부터는, 처리 가스, 반응 가스, 퍼지 가스가 공급된다.
[제어부]
도 5에 도시된 바와 같이 챔버(100)는 챔버(100)의 각 부의 동작을 제어하는 컨트롤러(260)를 갖고 있다.
컨트롤러(260)의 개략을 도 6에 도시한다. 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(260)는 CPU(Central Processing Unit)(260a), RAM(Random Access Memory)(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)를 구비한 컴퓨터로 구성되어 있다. RAM(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)는 내부 버스(260e)를 통하여, CPU(260a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(260)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(261)나, 외부 기억 장치(262)가 접속 가능하게 구성되어 있다.
기억 장치(260c)는 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(260c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하게 저장되어 있다. 또한, 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(260)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로그램 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히 프로그램이라고도 한다. 또한, 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우에는, 프로그램 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, RAM(260b)은, CPU(260a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유 지지되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로 구성되어 있다.
I/O 포트(260d)는 게이트 밸브(1330, 1350, 1490), 승강 기구(218), 히터(213), 압력 조정기(222), 진공 펌프(223), 정합기(251), 고주파 전원(252) 등에 접속되어 있다. 또한, 진공 반송 로봇(1700), 대기 반송 로봇(1220), 로드 로크실(1300), MFC(115(115a, 115b), 125(125a, 125b), 135(135a, 135b), 145(145a, 145b), 155(155a, 155b), 165(165a, 165b), 1530), 밸브(227(227a, 227b)), 처리실측 밸브(116(116a, 116b), 126(126a, 126b,), 136(136a, 136b), 176(176a, 176b), 186(186a, 186b)), 탱크측 밸브(160), 벤트 밸브(170(170a, 170b)), 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(124) 등에도 접속되어 있어도 된다. 또한, 본 개시에 있어서의 「접속」은, 각 부가 물리적인 케이블로 연결되어 있다는 의미도 포함되지만, 각 부의 신호(전자 데이터)가 직접 또는 간접적으로 송신/수신 가능하게 되었다는 의미도 포함된다. 예를 들어, 각 부의 사이에, 신호를 중계하는 기재나, 신호를 변환 또는 연산하는 기재가 마련되어 있어도 된다.
CPU(260a)는, 기억 장치(260c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행함과 함께, 입출력 장치(261)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(260c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(260a)는, 판독된 프로세스 레시피의 내용에 따르도록, 게이트 밸브(1330, 1350, 1490(1490a, 1490b, 1490c, 1490d, 1490e, 1490f, 1490g, 1490h))의 개폐 동작, 승강 기구(218)의 승강 동작, 히터(213)로의 전력 공급 동작, 압력 조정기(222(222a), 238)의 압력 조정 동작, 진공 펌프(223)의 온/오프 제어, 리모트 플라즈마 유닛(124)의 가스 활성화 동작, MFC(115(115a, 115b), 125(125a, 125b), 135(135a, 135b))의 유량 조정 동작, 밸브(237(237e, 237f)), 처리실측 밸브(116(116a, 116b), 126(126a, 126b, 126c, 126d), 136(136a, 136b), 176(176a, 176b), 186(186a, 186b)), 탱크측 밸브(160), 벤트 밸브(170(170a, 170b))의 가스의 온/오프 제어, 정합기(251)의 전력 정합 동작, 고주파 전원(252)의 온/오프 제어 등을 제어하도록 구성되어 있다.
또한, 컨트롤러(260)는 전용 컴퓨터로 구성되어 있는 경우에 한정되지 않고, 범용 컴퓨터로 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(262)를 준비하고, 관계되는 외부 기억 장치(262)를 사용하여 범용 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하거나 함으로써, 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(260)를 구성할 수 있다. 또한, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(262)를 통하여 공급하는 경우에 제한하지 않는다. 예를 들어, 네트워크(263)(인터넷이나 전용 회선) 등의 통신 수단을 사용하고, 외부 기억 장치(262)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 또한, 기억 장치(260c)나 외부 기억 장치(262)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히 기록 매체라고도 한다. 또한, 본 명세서에서, 기록 매체라는 단어를 사용한 경우에는, 기억 장치(260c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(262) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
(2) 제1 기판 처리 공정
다음에, 상술한 기판 처리 장치의 처리로를 사용하여 반도체 장치(반도체 디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판 위에 절연막으로서, 예를 들어 실리콘 함유막으로서의 실리콘 산화(SiO)막을 성막하는 시퀀스예에 대해 도 7, 8을 참조하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(260)에 의해 제어된다.
또한, 본 명세서에 있어서 「기판」이라는 단어를 사용한 경우도 「웨이퍼」라고 하는 단어를 사용한 경우와 마찬가지이며, 그 경우, 상기 설명에서, 「기판」을 「웨이퍼」로 치환하여 생각하면 된다.
이하에, 제1 기판 처리 공정 S200A에 대해 설명한다.
[기판 반입 공정 S201]
제1 기판 처리 공정 S200A 시에는, 우선, 기판(200)을 처리실(201)에 반입시킨다. 구체적으로는, 기판 지지부(210)를 승강 기구(218)에 의해 하강시키고, 리프트 핀(207)이 관통 구멍(214)으로부터 기판 지지부(210)의 상면측으로 돌출시킨 상태로 한다. 또한, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 압력 조절한 후, 게이트 밸브(1490)를 개방하고, 리프트 핀(207) 위에 기판(200)을 적재시킨다. 기판(200)을 리프트 핀(207) 위에 적재시킨 후, 승강(218)에 의해 기판 지지부(210)를 소정의 위치까지 상승시킴으로써, 기판(200)이 리프트 핀(207)으로부터 기판 지지부(210)에 적재되게 된다.
[감압·승온 공정 S202]
계속해서, 처리실(201) 내가 소정의 압력(진공도)이 되도록, 처리실 배기관(224)을 통하여 처리실(201) 내를 배기한다. 이 때, 압력 센서가 측정한 압력값에 기초하여, 압력 조정기(222)(222a)로서의 APC의 밸브 개방도를 피드백 제어한다. 또한, 온도 센서(도시되지 않음)가 검출된 온도값에 기초하여, 처리실(201) 내가 소정의 온도로 되도록 히터(213)로의 통전량을 피드백 제어한다. 구체적으로는, 기판 지지부(210)를 히터(213)에 의해 미리 가열해 두고, 가열된 기판 지지부(210)에 의해 기판(200)을 소정 온도로 가열한다. 또한, 기판(200) 또는 기판 지지부(210)의 온도 변화가 없어질 때까지 일정 시간 방치해도 된다. 그 동안에, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 수분 또는 부재로부터의 탈가스 등이 있는 경우에는, 진공 배기나 N2 가스의 공급에 의한 퍼지에 의해 제거해도 된다. 이것으로 성막 프로세스 전의 준비가 완료되게 된다. 또한, 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 배기할 때에 일단, 도달 가능한 진공도까지 진공 배기해도 된다.
[성막 공정 S210]
계속해서, 성막 공정 S210의 상세에 대해 설명한다. 성막 공정 S210은, 기판(200)에 SiO막을 성막하는 처리를 예로서, 도 7, 8을 사용하여 설명한다.
기판(200)이 기판 지지부(210)에 적재된 후, 도 7, 8에 나타내는, S203 내지 S207의 스텝이 행하여진다.
[제1 가스 공급 공정 S203]
제1 가스 공급 공정 S203에서는, 제1 가스 공급부로부터 처리실(201) 내에 제1 가스(원료 가스)로서의 아미노실란계 가스를 공급한다. 아미노실란계 가스로서는, 예를 들어 비스디에틸아미노실란(H2Si(NEt2)2, Bis(diethylamino)silane: BDEAS) 가스가 있다. 구체적으로는, 가스 밸브(160)를 개방하고, 아미노실란계 가스를 가스원으로부터 챔버(100)에 공급한다. 그 때, 처리실측 밸브(116a)를 개방하고, MFC(115a)에서 소정 유량으로 조정한다. 유량 조정된 아미노실란계 가스는, 버퍼 공간(232)을 통하여, 샤워 헤드(234)의 구멍으로부터, 감압 상태의 처리실(201) 내에 공급된다. 또한, 배기계에 의한 처리실(201) 내의 배기를 계속하여 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력 범위(제1 압력)가 되도록 제어한다. 이 때, 기판(200)에 대해 아미노실란계 가스가 공급되게 되는 아미노실란계 가스는, 소정의 압력(제1 압력: 예를 들어 100Pa 이상 20000Pa 이하)으로 처리실(201) 내에 공급한다. 이와 같이 하여, 기판(200)에 아미노실란계 가스를 공급한다. 아미노실란계 가스가 공급됨으로써, 기판(200) 위에 실리콘 함유층이 형성된다.
이 때의 히터(213)의 온도는, 200 내지 750℃, 바람직하게는 300 내지 600℃, 더 바람직하게는 300 내지 550℃의 범위 내의 일정한 온도로 되도록 설정하고, 적어도 성막 공정 S210이 종료될 때까지 온도를 유지시킨다.
[제1 퍼지 공정 S204]
기판(200) 위에 실리콘 함유층이 형성된 후, 제1 가스 공급관(111a, 111b)의 가스 밸브(116a, 116b)를 폐쇄하고, 아미노실란계 가스의 공급을 정지한다. 원료 가스를 정지함으로써, 처리실(201) 중에 존재하는 원료 가스나, 버퍼 공간(232)의 중에 존재하는 원료 가스를 처리실 배기관(224)으로부터 배기됨으로써 제1 퍼지 공정 S204가 행하여진다.
또한, 퍼지 공정에서는, 단순히 가스를 배기(진공화)하여 가스를 배출하는 것 이외에, 불활성 가스를 공급하고, 잔류 가스를 압출하는 것에 의한 배출 처리를 행하도록 구성해도 된다. 구체적으로는, 밸브(136a, 136b)를 개방하고, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스이다. 또한, 진공화와 불활성 가스의 공급을 조합해서 행해도 된다. 또한, 진공화와 불활성 가스의 공급을 교대로 행하도록 구성해도 된다.
또한, 제1 퍼지 공정에서는, 진공 펌프(223)의 동작을 계속하고, 처리실(201) 내에 존재하는 가스를 진공 펌프(223)로부터 배기한다.
소정 시간 경과 후, 밸브(136a, 136b)를 폐쇄하고, 불활성 가스의 공급을 정지한다.
각 불활성 가스 공급계로부터 공급하는 퍼지 가스로서의 N2 가스의 공급 유량은, 각각 예를 들어 100 내지 20000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 또한, 퍼지 가스로서는, N2 가스 외에도, Ar, He, Ne, Xe 등의 희가스를 사용해도 된다.
[제2 처리 가스 공급 공정 S205]
제1 가스 퍼지 공정 후, 밸브(126)를 개방하고, 가스 도입 구멍(241), 버퍼 공간(232), 샤워 헤드(234)를 통하여, 처리실(201) 내에 제2 가스(반응 가스)로서의, 산소 함유 가스를 공급한다. 산소 함유 가스는 예를 들어, 산소 가스(O2)나 오존 가스(O3), 물(H2O), 아산화질소 가스(N2O) 등이 있다. 여기에서는, O2 가스를 사용하는 예를 나타낸다. 버퍼 공간(232), 샤워 헤드(234)를 통하여 처리실(201)에 공급하므로, 기판 위에 균일하게 가스를 공급할 수 있다. 그 때문에, 막 두께를 균일하게 할 수 있다. 또한, 제2 가스를 공급할 때에 활성화부(여기부)로서의 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(124)을 통하여, 활성화시킨 제2 가스를 처리실(201) 내에 공급 가능하게 구성해도 된다.
이 때, O2 가스의 유량이 소정의 유량이 되도록 MFC(125)를 조정한다. 또한, O2 가스의 공급 유량은, 예를 들어 100sccm 이상 10000sccm 이하이다. 또한, 압력 조정기(222a)를 적정하게 조정함으로써, 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력 범위 내로 한다. 또한, O2 가스가 RPU(124) 내를 흐르고 있을 때는, RPU(124)를 ON 상태(전원이 들어 간 상태)로 하고, O2 가스를 활성화(여기)시키도록 제어해도 된다.
O2 가스가, 기판(200) 위에 형성되어 있는 실리콘 함유층에 공급되면, 실리콘 함유층이 개질된다. 예를 들어, 실리콘 원소 또는 실리콘 원소를 함유하는 개질층이 형성된다. 또한, RPU(124)를 마련하고, 활성화된 O2 가스를 기판(200) 위에 공급함으로써, 보다 많은 개질층을 형성할 수 있다.
개질층은, 예를 들어 처리실(201) 내의 압력, O2 가스의 유량, 기판(200)의 온도, RPU(124)의 전력 공급 상태에 따라, 소정의 두께, 소정의 분포, 실리콘 함유층에 대한 소정의 산소 성분 등의 침입 깊이로 형성된다.
소정 시간 경과 후, 밸브(126)를 폐쇄하고, O2 가스의 공급을 정지한다.
[제2 퍼지 공정 S206]
O2 가스의 공급을 정지함으로써, 처리실(201) 중에 존재하는 O2 가스나, 버퍼 공간(232) 중에 존재하는 O2 가스를 제1 배기부로부터 배기됨으로써 제2 퍼지 공정 S206이 행하여진다. 제2 퍼지 공정 S206은 상술한 제1 퍼지 공정 S204와 마찬가지의 공정이 행하여진다.
[판정 공정 S207]
제2 퍼지 공정 S206의 종료 후, 컨트롤러(260)는 상기 성막 공정 S210 중S203 내지 S206이 소정의 사이클수 C가 실행되었는지 여부를 판정한다(C는 자연수). 즉, 기판(200) 위에 원하는 두께의 막이 형성된 것인지 여부를 판정한다. 상술한 스텝 S203 내지 S206을 1사이클로 하고, 이 사이클을 적어도 1회 이상 행함(스텝 S207)으로써, 기판(200) 위에 소정 막 두께의 실리콘 및 산소를 포함하는 절연막, 즉, SiO막을 성막할 수 있다. 또한, 상술한 사이클은, 복수회 반복하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 기판(200) 위에 소정 막 두께의 SiO막이 형성된다.
소정 횟수 실시되지 않을 때("아니오" 판정일 때)는 S203 내지 S206의 사이클을 반복한다. 소정 횟수 실시되었을 때("예" 판정일 때)는 성막 공정 S301을 종료하고, 반송 압력 조정 공정 S208과 기판 반출 공정 S209를 실행한다.
[반송 압력 조정 공정 S208]
반송 압력 조정 공정 S208에서는, 처리실(201) 내나 반송 공간(203)이 소정의 압력(진공도)이 되도록, 처리실 배기관(224)을 통하여 처리실(201) 내나 반송 공간(203) 내를 배기한다. 이 때의 처리실(201) 내나 반송 공간(203) 내의 압력은, 진공 반송실(1400) 내의 압력 이상으로 조정된다. 또한, 이 반송 압력 조정 공정 S208의 사이나 전방이나 후방에, 기판(200)의 온도가 소정의 온도까지 냉각되도록 리프트 핀(207)으로 유지하도록 구성해도 된다.
[기판 반출 공정 S209]
반송 압력 조정 공정 S208에서 처리실(201) 내가 소정 압력이 된 후, 게이트 밸브(1490)를 개방하고, 반송 공간(203)으로부터 진공 반송실(1400)에 기판(200)을 반출한다.
이와 같은 공정으로, 기판(200)의 처리가 행하여진다.
그런데, 도 1에 나타낸 바와 같은 챔버(100)를 복수대 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 복수의 종류의 성막 공정을 행하게 하는 경우에, 이하의 [A] 내지 [D] 중 적어도 어느 과제를 생기게 하는 것을, 발명자들이 알아내었다.
[A]
복수 챔버(100)의 각각에서 실행되는 성막 공정 S210의 처리에 관한 적산 시간이나, 챔버(100) 내에 퇴적되는 막의 적산막 두께가 상이한 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 챔버(100)의 메인터넌스 타이밍이 챔버(100) 별로 달라져 버린다. 메인터넌스 타이밍이 상이함으로써, 기판 처리 장치에 있어서의 생산성이 저하된다는 과제가 생긴다.
상술한 과제를 해결하기 위해서, 메인터넌스 중의 챔버(100)만 처리 정지시키고, 메인터넌스하지 않은 챔버(100)에서 처리시키는 방법이 있지만, 기판(200)의 반송 경로를 매번 변경시킬 필요가 있으므로, 기판 처리 장치의 생산성 저하는 불가피하다.
적산 처리 시간이 다른 예에 대해, 도 9나 도 10을 사용하여 설명한다. 도 9와 도 10은, 횡축을 PM(110a) 내지 PM(110d)(도면 중의 PM 1, 2, 3, 4에 대응) 각각이 갖는 챔버(100a 내지 100i)로 하고, 종축을 처리 시간[임의 단위]으로 하고 있다. 백색 부분은, 홀수 번째의 포드(1001)의 처리를 나타내며, 인접하는 음영 부분은, 짝수 번째의 포드(1001)의 처리를 나타낸다. 여기에서는, 기판(200)을 25매 갖는 포드(1001)를 8개 사용하여 처리시켰을 때의 처리 시간과, 챔버(100) 각각의 적산 처리 시간을 카운트하고, 그래프화한 도면이다. 도 9는, 각 포드(1001)에 저장된 기판(200) 중, 최초로 반송되는 1매째와 2매째의 기판(200)을 PM(110a)(PM1)에 반송시킨 경우에 대해 도시되어 있다. 도 10은, 각 포드(1001)에 저장된 기판(200) 중, 최초로 반송되는 1매째와 2매째의 기판(200)을 전의 포드(1001)의 최후의 기판(200)이 처리된 PM(110)의 다음 PM(110)에 반송시킨 경우를 나타내고 있다. 구체적으로는, 1번째의 포드(1001)에 저장된 기판(200) 중, 마지막 기판(200)이 PM(110a)(PM1)의 챔버(100a)로 처리한 경우에는, 다음 포드(1001)에 저장된 기판(200) 중, 최초의 1매째와 2매째의 기판(200)은 PM(110b)(PM2)의 챔버(100c)와 챔버(100d)로부터 반송시키는 예를 나타내고 있다. 도 10의 예는, 바꾸어 말하면, 가장 처리수가 적은 챔버(100)(PM)로부터 순서대로 기판을 반송시켜 처리한 예이다.
도 9나 도 10에 도시된 바와 같이, 각 챔버 각각에 있어서, 처리 시간을 1 [임의 단위]로 하여 기판(200)을 처리시킨 경우에, 적산 시간이 제각각으로 되어, 메인터넌스 타이밍이 달라져 버린다. 이하에 그 이유를 설명한다.
도 9와 같이, 200매의 기판(200)을 처리시킨 경우, 챔버(100a)와 다른 챔버에서 8[임의 단위]의 시간차를 생기게 한다. 도 10의 경우에서는, 챔버(100a, 100c, 100e, 100g)와, 챔버(100b, 100d, 100f, 100i) 사이에서 2[임의 단위]의 시간차를 생기게 한다.
또한, 이 적산 시간은, 단순히 각 챔버(100)의 사용 횟수(각 챔버(100)에서의 처리 횟수)에 비례하는 것이 아니기 때문에, 처리 횟수에 기초하여 메인터넌스 타이밍을 예측하기가 곤란해진다. 예를 들어, 반도체 장치의 제조 방식이, 소량 다품종이 된 경우에, 처리 Lot마다 포드(1001)마다 처리 시간이 제각각으로 되어, 처리 횟수가 많아도, 적산의 처리 시간이 적은 챔버(100)가 발생하는 경우가 있다. 또한, 도 10과 같이, 가장 처리수가 적은 챔버(100)(PM)로부터 순서대로 기판을 반송한 경우, 특정한 챔버(100)의 사용 횟수에 편차가 생긴다. 예를 들어, 가장 사용 횟수가 많은 챔버의 적산 처리 시간이 많은 상태가 계속되어 버려, 특정한 챔버(100)의 성능이 저하된다는 과제를 발생한다.
[B]
PM 내에 챔버(100)가 복수 마련되어 있는 경우, 복수의 챔버의 배기계가 공통이기 때문에, 한쪽 챔버(100)에서 기판(200)을 처리하는 동안, 다른 쪽 챔버(100)에서 메인터넌스할 수 없다. 다른 쪽에서 메인터넌스하면, 배기관 내에 부생성물이 발생하여, 한쪽 챔버(100)에 부생성물이 유입될 가능성이 있기 때문이다. 또한, 한쪽 챔버(100) 내의 압력에도 영향을 주게 되어 버릴 가능성도 있다. 이와 같이 PM 내의 한쪽 챔버(100)의 메인터넌스 시에, 다른 쪽 챔버(100)에서의 처리가 제한되는 경우가 있다. 그 때문에 메인터넌스 중인 챔버(100)를 갖는 PM에서 기판(200)의 처리를 행할 수 없고, 기판 처리 장치에 있어서의 생산성이 저하된다는 과제를 생기게 한다. 예를 들어, 도 9의 예에서는, PM1에서는, 챔버(100a)의 메인터넌스 중에, 챔버(100b)를 사용할 수 없게 된다. 도 10의 예에서는, 모든 PM이 사용 불가가 된다.
[C]
PM 내에 챔버(100)가 복수 마련되어 있는 경우, PM 내의 한쪽 챔버(100)에 기판(200)을 반송하고, PM 내의 다른 쪽 챔버(100)에 기판(200)을 반송하지 않고, PM에서의 처리를 개시하는 경우가 있다. 이 경우, 기판(200)이 반송된 챔버(100)에서는 통상의 기판 처리가 행하여진다. 이것을 통상 데포(통상 데포지션)라 칭한다. 한편, 기판(200)이 반송되지 않은 다른 쪽 챔버(100)에서는, 기판 적재대(212)의 적재면(211)에 막이 성막되어 버린다. 이와 같은 처리를 빈 데포(빈 데포지션)라 칭한다. 이 빈 데포의 적산 시간이 많아진 경우에, 통상 데포가 행하여진 챔버(100) 내의 분위기와 빈 데포가 행하여진 챔버(100) 내의 분위기가 달라져 버린다. 이에 의해, 챔버(100) 별로, 기판(200) 위에 형성된 막의 특성이 변화되어 버린다는 과제를 생기게 한다. 또한, 통상 데포의 적산 시간이 많아짐으로써, 파티클의 발생수나 빈도가 통상 데포가 행해지는 챔버(100)와 비교하여 많아진다는 과제를 생기게 한다. 한편, 빈 데포의 적산 시간이 많아짐으로써, 기판 지지부(210)의 적재면(211)에 막이 퇴적한 상태로 된다. 이 상태에서, 기판(200)에 플라스마 처리한 경우에는, 기판(200)에서 차지 업 손상을 끼치기 쉬워진다는 과제를 생기게 한다. 또한, 통상 데포가 행하여진 챔버(100)와, 빈 데포가 행하여진 챔버(100)는 메인터넌스 타이밍이 다르다는 과제를 생기게 한다. 빈 데포가 행하여진 챔버(100)의 적재면(211)에는, 막이 형성되어 있기 때문에, 챔버(100) 별로 메인터넌스 내용을 바꾸는 번거로움이 발생한다. 예를 들어, 적재면(211) 위에 형성된 막을 제거하기 위하여 클리닝 시간을 길게 할 필요가 있다. 그러나, 클리닝 시간을 길게 한 경우, 샤워 헤드(234)나, 상부 용기(202a)의 내벽, 구획판(204)의 표면, 기판 적재대(212)의 외주면(215) 등을 오버 에칭해 버려, 처리실(201)의 분위기를 크게 바꾸어 버린다는 과제를 발생한다. 또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 가스 공급부와 가스 배기부를, 복수의 챔버에서 공유하고 있는 경우에는, 하나의 챔버에서 원하는 클리닝이 완료해도, 막 두께가 두꺼운 다른 챔버에서는, 클리닝이 완료되지 않는다는 과제를 생기게 한다. 또한, 다른 챔버(100)의 클리닝을 완료시키면, 하나의 챔버(100)에서는 오버에칭이 되어 버린다는 과제를 생기게 한다.
[D]
최근의 반도체 장치에서는, 3D-NAND와 같이 적층 구조가 주류로 되어 있다. 이 구조에서는, 동일한 종류의 막이 복수회 성막된다. 이 구조에서는, 복수의 막 각각의 막 특성이, 소정의 막 특성의 범위 내에 들어 있을 것이 요구되며, 동일한 종류의 막은, 동일한 기판 처리 장치에서 성막되는 경우가 있다. 그러나, 성막마다 챔버(100) 내의 환경이 변화하고, 복수의 막의 각각의 막 특성이 소정의 범위 내에 들지 않는다는 과제가 생긴다.
여기서, 막 특성이란, 예를 들어 막 두께, 막질, 결정성, 유전율, 굴절률, 막 밀도, 에칭레이트 등이 있다. 이 챔버(100) 내의 환경 변화는 예를 들어, 이하에서 생긴다. (1) 챔버(100) 내의 부재 표면에 형성된 막의 적산막 두께에 의해, 챔버(100) 내의 베이스 압력이 변화된다. (2) 챔버(100)에 대한 가스 공급 시간의 적산 시간에 의해, 각 가스 공급계의 가스관 내의 환경이 변화된다. (3) 적산막 두께나 적산 처리 시간에 의해, 각 챔버(100) 내에서 발생되는 파티클량이 많아진다.
발명자들은, 이와 같은 과제에 대해, 이하에 기재하는 기판 반송 공정의 보정 공정을 실행시킴으로써, 상술한 과제 중 적어도 어느 것을 해결할 수 있음을 알아냈다. 보정 공정을 포함하는 기판 반송 플로우에 대해, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14를 사용하여 설명한다.
<기판 반송 공정>
우선, 도 11을 사용하여, 기판 반송 공정에 대해 설명한다. 도 11은, 일 실시 형태에 따른, 기판 반송 공정의 보정 공정을 포함하는 기판 반송 흐름도이다.
[제1 기판 반송 공정 S300]
격납 용기로서의 포드(1001)로부터, 소정의 순서로, 기판(200)을 복수의 챔버(100)에 반송시켜, 각각의 챔버(100)에서 순서대로 처리를 시킨다. 또한, 여기에서의 소정의 순서는, 예를 들어 챔버(100a), 챔버(100b), 챔버(100c), 챔버(100d), 챔버(100e), 챔버(100f), 챔버(100g), 챔버(100h), 챔버(100i), 챔버(100a), 챔버(100b)···의 순으로 반송시키는 것을 의미한다. 또한. 반송의 개시는, 챔버(100a)가 아니어도 되고, 챔버(100c)로부터 반송을 시작하는 경우의 소정의 순서는, 챔버(100c), 챔버(100d), 챔버(100e), 챔버(100f), 챔버(100g), 챔버(100h), 챔버(100i), 챔버(100a), 챔버(100b), 챔버(100c), 챔버(100d), ···가 된다. 포드(1001)로부터 각 챔버(100)에 대한 기판(200)의 반송은, 포드(1001) 내의 처리 대상의 기판(200)이 없어질 때까지 반복 실행된다. 제1 기판 반송 공정 S300의 종료 후, 기판 반송 공정의 보정 공정 S301이 행하여진다.
[보정 공정 S301]
보정 공정 S301에서는, 제1 카운트 데이터 생성 공정 S302A, 제1 반송 플래그 데이터 부여 공정 S303A, 제1 판정 공정 S305, 반송 개시 위치 변경 공정 S306이 행하여진다. 각 공정에 대해, 이하에 설명한다.
[제1 카운트 데이터 생성 공정 S302A]
먼저, 컨트롤러(260)의 연산부로서의 CPU(260a)에서, 복수의 처리실의 각각에 대응하는 제1 카운트 데이터를 생성(카운트)하고, 제1 카운트 데이터를 기억부로서의 기억 장치(260c)에 기억시킨다. 여기서, 제1 카운트 데이터는 이하가 있다. 예를 들어, 챔버(100) 내에 기판(200)이 없는 상태에서 처리되었을 때의, 챔버(100)에서의 적산 처리 시간, 누적 막 두께, 처리 가스의 적산 공급 시간, 반응 가스의 적산 공급 시간, 프로세스 압력의 적산 유지 시간, 기판 적재대(212)를 프로세스 온도로 유지한 적산 시간, 처리실(201) 내에 생성한 플라스마의 적산 방전시간 등이다. 제1 카운트 데이터는, 이들 중 적어도 하나에서 선택된다. 둘 이상을 선택하여 제1 카운트 데이터를 생성(카운트)해도 된다. 또한, 여기서, 챔버(100) 내에 기판(200)이 없는 상태는, 기판 지지부(210) 위에 기판(200)이 적재되지 않는 상태나, 적재면(211)에 각 가스가 공급 가능한 상태를 의미한다. 또한, 제1 카운트 데이터 생성 공정은, 제1 카운트 데이터의 카운트 공정이라고도 칭한다.
제1 카운트 데이터가 기록(카운트)되는 데이터 테이블의 예를 도 12에 도시한다. 도 12에 도시되는 데이터 테이블에서는, 각 챔버(100)에 대응하는 제1 카운트 데이터가 각 데이터 입력 박스에 입력되어 있다. 구체적으로는, 각 챔버(100)에 대응하는 적산 처리 시간 데이터는, A1, B1, C1, ···I1에 기록된다. 각 챔버(100)에 대응하는 유지 온도의 적산 시간 데이터는, A2, B2, C2, ···I2에 기록된다. 각 챔버(100)에 대응하는 처리 가스의 적산 공급량 데이터는, A3, B3, C3, ···I3에 기록된다. 각 챔버(100)에 대응하는 처리 압력의 적산 유지 시간 데이터는, A4, B4, C4, ···I4에 기록된다. 각 챔버(100)에 대응하는 누적 막 두께 데이터는, A5, B5, C5, ···I5에 기록된다. 각 챔버(100)에 대응하는 고주파 공급 전력량 데이터는, A6, B6, C6, ···I6에 기록된다. 또한, 여기에서는, 제1 카운트 데이터로서, 적산 처리 시간, 유지 온도의 적산 시간, 처리 가스의 적산 공급량, 처리 압력의 적산 유지 시간, 누적 막 두께, 고주파 전력량을 나타냈지만, 어느 하나로 구성해도 되고, 도 12에 나타내는 데이터에, 상술한 데이터를 추가해도 되고, 도 12에 나타내는 데이터의 일부를, 상술한 데이터의 어느 것과 교체하여 구성해도 된다. 또한, 누적 막 두께는, 처리실(201)에 막 두께 측정기(402)를 마련하여 측정해도 되고, 막 두께 측정기(402)를 마련하지 않고, 처리 가스와 반응 가스의 어느 것 또는 양쪽의 적산 공급 시간, 압력, 처리한 기판(200)의 매수 등의 어느 것을 기초로 산출해도 된다. 또한, 성막 레시피에 막 두께 데이터가 입력되어 있는 경우, 성막 레시피의 막 두께 데이터와 성막 레시피의 실행 횟수에 기초하여, 누적 막 두께를 산출시켜도 된다. 또한, 바람직하게는 누계 막 두께는, 처리실(201)의 내벽에 형성된 막의 막 두께와, 기판 지지부(210) 위에 형성된 막의 막 두께를 따로따로 산출 가능하게 구성된다. 또한, 분산판(234a)의 하면(적재면(211)과 대향하는 면)에 형성된 막의 막 두께도 산출 가능하게 구성해도 된다.
[제2 카운트 데이터 생성 공정(302B)]
도 11의 파선으로 나타내는 바와 같이, 제1 카운트 데이터 생성 공정 S302A와 병행하여, 제2 카운트 데이터 생성 공정 S302B를 행하게 해도 된다. 제2 카운트 데이터는, 챔버(100) 내에 기판(200)이 있는 상태에서 처리되었을 때의, 챔버(100)에서의 적산 처리 시간, 누적 막 두께, 처리 가스의 적산 공급 시간, 반응 가스의 적산 공급 시간, 프로세스 압력의 적산 유지 시간, 기판 적재대(212)를 프로세스 온도로 유지한 적산 시간, 처리실(201) 내에 생성한 플라스마의 적산 방전시간 등이다. 제2 카운트 데이터는, 이들 중 적어도 하나로부터 선택된다. 둘 이상을 선택하여 제2 카운트 데이터를 생성(카운트)해도 된다. 또한, 제2 카운트 데이터 생성 공정은 제2 카운트 데이터의 카운트 공정이라고도 칭한다.
[제1 반송 플래그 데이터 부여 공정 S303A]
계속해서, 복수의 처리실에 대응하는 제1 카운트 데이터 각각에 대해 비교 연산이 행해지고, 제1 반송 플래그 데이터를 생성한다. 구체적으로는, 복수의 처리실에 대응하는 제1 카운트 데이터 각각에 대해 비교하고, 제1 카운트 데이터 중, 가장 큰 제1 카운트 데이터에 대응하는 챔버(100)에 제1 반송 플래그 데이터를 부여한다. 제1 반송 플래그 데이터의 데이터 테이블 예에 대해, 도 13에 나타내었다. 도 13은, 제1 카운트 데이터로서, 적산 처리 시간을 사용하여, 비교 연산하고, 그 결과, 제1 반송 플래그 데이터의 입력 박스 Xa, Xb, Xc, ···Xi로 기록된 상태를 나타낸다. 도 13에서는, 제1 카운트 데이터로서의 적산 처리 시간이 가장 많은 챔버(100a)의 입력 박스 Xa에 플래그로서 『1』이 기억된다. 다른 입력 박스에는, 플래그가 없는 상태로서 『0』이 기억되어 있다. 또한, 각 입력 박스에, 이미 플래그 데이터가 입력되어 있는 경우에는, 이 연산 결과에 기초하여, 각 입력 박스 내의 데이터를 변경시킨다.
[제2 반송 플래그 데이터 부여 공정 S303B]
제1 반송 플래그 데이터 부여 공정 S303A와 병행하여, 복수의 처리실에 대응하는 제2 카운트 데이터 각각에 대해 비교 연산이 행해지고, 제2 반송 플래그 데이터를 생성해도 된다. 구체적으로는, 복수의 처리실에 대응하는 제2 카운트 데이터 각각에 대해 비교하여, 제2 카운트 데이터 중, 가장 큰 제2 카운트 데이터에 대응하는 챔버(100)의 다음 챔버(100)에 제2 반송 플래그 데이터를 부여한다. 제2 반송 플래그 데이터의 데이터 테이블 예는, 제1 반송 플래그 데이터의 테이블 예와 동일하다.
[반송 플래그 설정 공정 S304]
계속해서, 반송 플래그 데이터를 선택하는 반송 플래그 설정 공정 S304가 행하여진다. 여기서 반송 플래그 데이터는, 예를 들어 제1 반송 플래그 데이터와 제2 반송 플래그 데이터가 있다. 반송 플래그 데이터는, 기억 장치(260c)에 기록된 막 두께 테이블을 기초로 선택된다.
막 두께 테이블에 도 15, 도 16, 도 17을 사용하여 설명한다. 막 두께 테이블은, 적어도, 처리실(201)의 벽면에 퇴적한 막의 막 두께, 기판 지지부(210) 위에 퇴적한 막의 막 두께, 분산판(234a)에 퇴적한 막의 막 두께의 하나 이상이 기록된다. 예를 들어, 도 15에 도시된 바와 같이, 처리실(201)의 벽면의 막 두께(처리실 벽면)가 A1에 기록된다. 또한, 도 15에 도시된 바와 같이, 측정 횟수마다의 막 두께를 B1, C1…로 기록해도 된다. 또한, 도 16에 나타낸 바와 같이, 기판 지지부(210)의 막 두께가 A2에 기록된 테이블이어도 된다. 또한, 도 16에 나타낸 바와 같이, 측정 횟수 마다의 막 두께를 B2, C2…로 기록해도 된다. 또한, 도 17에 나타낸 바와 같이, 처리실 벽면의 막 두께, 기판 지지부(210) 위에 퇴적한 막의 막 두께, 분산판(234a)에 퇴적한 막 두께가 기록되어도 된다. 또한, 각각의 막 두께는, 상술한 바와 마찬가지의 내용에서 산출·기록된다.
계속해서, 반송 플래그 데이터의 선택 수순에 대해 설명한다. 각 막 두께 데이터가 기록된 막 두께 테이블을 기억 장치(260c)로부터 판독하고, 막 두께 테이블에 기록된 막 두께 값과 기준값을 비교한다.
먼저, 기판 지지부(210)의 막 두께가, 제1 규정값 이상으로 되어 있는지 여부의 비교가 행하여진다. 제1 규정값은, 예를 들어 0.5㎛ 이상, 2.5㎛ 이하의 범위로 설정된다. 여기에서는, 제1 규정값이, 2.0㎛로 설정된 예에 대해 설명한다. 도 16에 나타내는 기판 지지부(210)의 막 두께가, 제1 규정값(2.0㎛) 이상인지 여부의 비교가 행하여진다. 비교의 결과, 기판 지지부(210)의 막 두께가, 제1 규정값 이상인 경우에는, 제1 반송 플래그 데이터를 선택하고, 제1 규정값보다도 작은 경우에는, 제2 반송 플래그를 선택한다. 도 16에서는, 측정 1과 측정 2의 막 두께는 제1 규정값보다도 작으므로, 반송 플래그 데이터 F1, F2는 제2 반송 플래그 데이터를 나타내는 『2』가 선택되어 있다. 측정 3의 막 두께는, 제1 규정값 이상으로 되어 있으므로, 반송 플래그 데이터 F3은, 제1 반송 플래그 데이터를 나타내는 『1』이 선택된다.
다음에, 처리실(201)의 벽면의 막 두께가, 제2 규정값 이상으로 되어 있는지 여부의 비교가 행하여진다. 제2 규정값은, 예를 들어 1㎛ 이상, 4㎛ 이하의 범위로 설정된다. 여기에서는, 제2 규정값이, 3.0㎛로 설정된 예에 대해 설명한다. 도 15에 나타내는 처리실(201) 벽면의 막 두께가, 제2 규정값(3.0㎛) 이상인지 여부의 비교가 행하여진다. 비교의 결과, 처리실(201) 벽면의 막 두께가, 제2 규정값 이상인 경우에는, 제2 반송 플래그 데이터를 선택하고, 제2 규정값보다도 작은 경우에는, 제1 반송 플래그가 선택된다. 도 15에서는, 측정 1과 측정 2의 막 두께는, 제2 규정값보다도 작으므로, 반송 플래그 데이터 f1, f2는 제1 반송 플래그 데이터를 나타내는 『1』이 선택된다. 측정 3의 막 두께는, 제2 규정값 이상으로 되어 있으므로, 반송 플래그 데이터 f3은, 제2 반송 플래그 데이터를 나타내는 『2』가 선택된다.
또한, 제2 규정값은, 제1 규정값보다도 크게 설정 가능하다. 기판 지지부(210)에 퇴적되는 막과 처리실(201)의 벽면에 퇴적되는 막 각각이 성막에 끼치는 영향이 다르기 때문이다. 기판 지지부(210) 위에 퇴적되는 막은, 기판 지지부(210) 위에 적재되는 기판(200)의 대전량(차지량)에 영향을 준다. 한편, 처리실(201)의 벽면에 퇴적되는 막은, 파티클의 발생에 영향을 준다. 파티클은, 1㎛ 이상에서 발생되는 빈도가 증가하는 데 비해, 대전량의 변화는, 0.5㎛ 이상에서 발생하기 때문이다.
또한, 처리실(201) 벽면의 막 두께에 기초한 반송 플래그 데이터의 선택과, 기판 지지부(210)의 막 두께에 기초한 반송 플래그 데이터의 선택은, 어느 하나만을 실행하도록 구성해도 되지만, 경우에 따라 양쪽을 실행하도록 해도 된다. 예를 들어, 챔버(100)에 있어서의 기판(200)의 처리 매수가 적은 경우에는, 기판 지지부(210)의 막 두께에 기초한 반송 플래그 데이터의 선택만을 실행한다. 챔버(100)에 있어서의 기판(200)의 처리 매수가 소정 매수를 초과한 경우에, 처리실(201) 벽면의 막 두께에 기초한 반송 플래그 데이터의 선택을 실행하도록 구성해도 된다.
또한, 여기에 기재된 반송 플래그 설정 공정 S304에서는, 막 두께 테이블에 기초하여, 선택하는 예에 대해 나타냈지만, 이에 한정하는 것은 아니고, 이하에 기재하는 방법이어도 된다. 예를 들어, 각 챔버(100)에 있어서, 기판(200)을 갖는 상태에서 처리했을 때의 처리 횟수와, 기판(200)이 없는 상태에서 처리했을 때의 처리 횟수를, 각각 기록해 두고, 각각의 처리 횟수의 관계에 기초하여 반송 플래그를 선택하도록 구성해도 된다.
[제1 판정 공정 S305]
계속해서, 제1 판정 공정 S305가 행하여진다. 제1 판정 공정에서는, 반송 플래그 데이터가 변경되었는지 여부를 판정한다. 판정한 결과, 반송 플래그 데이터가 변경된 경우에는, Y 판정으로 하여, 다음의 반송 개시 위치 변경 공정 S306을 행하게 한다. 반송 플래그 데이터가 변경되지 않은 경우에는, N 판정으로 하여, 반송 개시 위치 변경 공정 S306을 행하지 않고, 다음의 제2 기판 반송 공정 S307을 행하게 한다.
[반송 개시 위치 변경 공정 S306]
계속해서, 제1 판정 공정 S305에서 Y 판정으로 된 후에 실행되는 반송 개시 위치 변경 공정 S306에 대해 설명한다. Y 판정으로 된 경우, 반송 플래그가 부여된 챔버(100)로부터 반송을 개시하도록, 기판 반송 레시피의 설정을 갱신시킨다. 도 13에 나타내는 예에서는, 챔버(100a)에 반송 플래그가 설정되어 있으므로, 다음 기판 반송 공정에서는, 최초로 반송하는 기판(200)을 챔버(100b)에 반송하도록 기판 반송 레시피의 설정을 갱신시킨다. 이와 같이, 복수의 제1 카운트 데이터 중, 최대의 카운트수에 대응하는 챔버(100)의 다음 챔버로부터 기판을 반송하도록 구성한다. 또한, 반송 플래그에 따라서는, 기판 반송 레시피의 갱신 전과 갱신 후에, 최초로 반송하는 기판(200)의 반송처가 동일한 경우도 있다.
[제2 기판 반송 공정 S307]
계속해서, 제2 기판 반송 공정 S307이 행하여진다. 제2 기판 반송 공정 S307은, 기판 반송 레시피에 기초하여, 상술한 제1 기판 반송 공정 S300과 마찬가지의 수순으로, 포드(1001) 내의 처리 대상의 기판(200)이 없어질 때까지, 차례로 챔버(100)에 기판 반송이 행하여진다.
[제2 판정 공정 S308]
다음에, 제2 판정 공정 S308이 행하여진다. 제2 판정 공정 S308에서는, IO 스테이지(1100)에, 다음에 처리할 포드(1001)가 적재되었는지 여부의 판정이 행하여진다. 다음에 처리할 포드(1001)가 있는 경우에는, Y 판정으로 보고, 보정 공정 S301을 행하고, 처리할 포드(1001)가 없어질 때까지 반복하여, 보정 공정 S301과 제2 기판 반송 공정 S307을 행하게 한다. 다음에 처리할 포드(1001)가 없는 경우에는, N 판정으로 보고, 기판 처리 공정을 종료시킨다.
이와 같이 하여, 본 개시의 기판 처리 공정이 행하여진다.
이상, 본 개시의 일 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경 가능하다.
예를 들어, 상술한 바와 같이, 제1 카운트 데이터에 기초하여, 챔버(100) 단위에서의 기판 반송 순서를 보정했지만, 이하의 구성에 의해, PM 단위로 기판 반송 순서를 보정하도록 구성해도 된다. 예를 들어, 도 14에 도시된 바와 같이, 챔버 별로 대응하는 제1 카운트 데이터에 기초하여, 각 PM에 대응하는 제3 카운트 데이터를 생성해도 된다. 여기서 제3 카운트 데이터는, PM이 갖는 챔버(100)에 대응하는 제1 카운트 데이터를 합산한 데이터이다. 구체적으로는, PM1에 대응하는 제3 카운트 데이터 AB1은, 제1 카운트 데이터 A1과 B1을 합산한 데이터가 된다. 다른 PM에 대응하는 제3 카운트 데이터도 마찬가지로 산출된다. 또한, 여기에서는, 두 제1 카운트 데이터에 기초하여 제3 카운트 데이터를 산출했지만, PM이 셋 이상의 챔버(100)를 갖고 있는 경우에는, 셋 이상의 제1 카운트 데이터에 기초하여 제3 카운트 데이터를 산출해도 된다. 또한, 여기서는, 단순하게 합산한 예를 나타냈지만, 임의의 연산 처리에 의해 제3 카운트 데이터를 산출시켜도 된다.
또한, 포드(1001)에 저장된 처리 대상이 되는 기판(200)의 매수가, 기판 처리 시스템(1000)이 갖는 챔버수로 나누어 떨어지지 않는 경우가 있다. 이 경우, 포드(1001)에 저장된 처리 대상이 되는 기판(200) 중, 마지막 기판(200)을 처리하는 PM 내에는, 기판(200)이 반송되는 챔버(100)와, 기판(200)이 반송되지 않는 챔버(100)가 생기게 된다. 이러한 경우에, 기판(200)이 반송되지 않는 챔버(100)에 대응하는 제1 카운트 데이터를 생성하지 않고, 제로로 하여, 제3 카운트 데이터를 산출해도 된다. 예를 들어, 도 14의 각 입력 박스의 하단에 도시하는 상태이다. 도 14의 하단에서는, 챔버(100b)에 기판(200)이 반송되지 않은 경우를 도시하고 있다. 이 경우, 적산 처리 시간을 0으로 하고, 제3 카운트 데이터는, 챔버(100a)에 대응하는 적산 처리 시간이 제3 카운트 데이터가 된다. 이 제3 카운트 데이터와, 다른 제3 카운트 데이터로 비교 연산을 행한 경우, PM1에 대응하는 제3 카운트 데이터가 최소가 되기 때문에, PM1에는 반송 플래그가 부여되지 않고, PM2에 반송 플래그가 부여되게 된다. 이와 같이 연산시켜도 된다.
또한, 상술한 바와 같이, 원료 가스와 반응 가스를 교대로 공급하여 성막하는 방법에 대해 기재했지만, 원료 가스와 반응 가스의 기상 반응량이나 부생성물의 발생량이 허용 범위 내이면, 다른 방법에도 적용 가능하다. 예를 들어, 원료 가스와 반응 가스의 공급 타이밍이 겹치는 방법이다.
또한, 상술한 바와 같이, 두 챔버를 1조로 하는 PM에 대해 설명했지만 이에 한정되지 않고, 셋 이상의 챔버를 1조로 하는 PM이어도 된다. 셋 이상의 경우에는, 하나의 챔버에 기판을 반송하고, 하나의 챔버 이외의 적어도 하나의 다른 챔버에 기판을 반송하지 않는 경우에, 하나의 챔버에 처리 가스를 공급하고, 다른 챔버에 불활성 가스를 공급함으로써, 상술한 효과 등을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 기판을 1매씩 처리하는 매엽식 장치에 대해 기재했지만 이에 한정되지 않고, 처리실에 기판을 수직 방향 또는 수평 방향으로 복수매 배열하는 배치식 장치여도 된다.
또한, 상술한 바와 같이, 성막 처리에 대해 기재했지만, 다른 처리에도 적용 가능하다. 예를 들어, 확산 처리, 산화 처리, 질화 처리, 산질화 처리, 환원 처리, 산화 환원 처리, 에칭 처리, 가열 처리 등이 있다. 예를 들어, 반응 가스만을 사용하여, 기판 표면이나 기판에 형성된 막을 플라스마 산화 처리나, 플라스마 질화 처리할 때에도 본 개시를 적용할 수 있다. 또한, 반응 가스만을 사용한 플라스마 어닐 처리에도 적용할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 반도체 장치의 제조 공정에 대해 기재했지만, 실시 형태에 따른 발명은, 반도체 장치의 제조 공정 이외에도 적용 가능하다. 예를 들어, 액정 디바이스의 제조 공정, 태양 전지의 제조 공정, 발광 디바이스의 제조 공정, 유리 기판의 처리 공정, 세라믹 기판의 처리 공정, 도전성 기판의 처리 공정, 등의 기판 처리가 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 원료 가스로서 실리콘 함유 가스, 반응 가스로서 산소 함유 가스를 사용하여, 실리콘 산화막을 형성하는 예를 나타냈지만, 다른 가스를 사용한 성막에도 적용 가능하다. 예를 들어, 산소 함유막, 질소 함유막, 탄소 함유막, 붕소 함유막, 금속 함유막과 이들 원소가 복수 함유된 막 등이 있다. 또한, 이들 막으로서는, 예를 들어 SiN막, AlO막, ZrO막, HfO막, HfAlO막, ZrAlO막, SiC막, SiCN막, SiBN막, TiN막, TiC막, TiAlC막 등이 있다.
100: 챔버
110: 프로세스 모듈
200: 기판
201: 처리실
202: 처리 용기
211: 적재면
212: 기판 적재대
232: 버퍼 공간
234: 샤워 헤드
241: 가스 도입구
1000: 기판 처리 시스템
1100: IO 스테이지
1200: 대기 반송실
1220: 제1 반송 로봇(대기 반송 로봇)
1300: 로드 로크실
1400: 진공 반송실
1700: 제2 반송 로봇(진공 반송 로봇)

Claims (15)

  1. 복수의 기판이 수용된 격납 용기가 복수 적재되는 로드 포트와,
    상기 기판을 수용 가능한 복수의 처리실과,
    상기 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 상기 복수의 처리실의 각각으로 반송하는 반송부와,
    상기 복수의 격납 용기 중 하나로부터 상기 복수의 처리실의 각각에 상기 복수의 기판을 소정의 순서로 반송하여 처리하고, 상기 처리실 내에 상기 기판이 없는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대한 데이터 테이블의 제1 카운트 데이터를 카운트하는 연산부와,
    상기 데이터 테이블을 기억하는 기억부와,
    상기 데이터 테이블 중, 최대의 제1 카운트 데이터를 갖는 처리실의 데이터 테이블에, 제1 반송 플래그 데이터를 부여하고, 상기 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을 반송할 때에, 당해 복수의 기판을, 당해 제1 반송 플래그 데이터에 기초하여 상기 소정의 순서로 반송하도록 상기 반송부를 제어하는 제어부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연산부는, 상기 처리실 내에 상기 기판을 갖는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대응하는 데이터 테이블의 제2 카운트 데이터를 카운트하고,
    상기 제어부는, 상기 데이터 테이블 중, 최대의 제2 카운트 데이터에 대응하는 처리실의 다음 처리실에 제2 반송 플래그 데이터를 부여하고, 상기 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을 반송할 때에, 당해 복수의 기판을, 당해 제2 반송 플래그 데이터에 기초하여 상기 소정의 순서로 반송하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기억부는, 상기 처리실 내 각 부의 막 두께 데이터가 기록된 막 두께 테이블이 기록되고,
    상기 제어부는, 상기 막 두께 테이블의 데이터에 기초하여 상기 제1 반송 플래그 데이터와 상기 제2 반송 플래그 데이터 중 어느 것을 선택하도록 상기 연산부를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 막 두께 테이블에는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 기판 지지부의 막 두께 데이터가 제1 규정값을 초과한 경우에, 상기 제1 반송 플래그 데이터를 선택하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 막 두께 테이블은, 처리실 벽면의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 처리실 벽면의 막 두께 데이터가 제2 규정값을 초과한 경우에, 상기 제2 반송 플래그 데이터를 선택하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  6. 복수의 기판이 수용된 복수의 격납 용기를 로드 포트에 적재하는 공정과,
    상기 복수의 격납 용기 중 하나의 격납 용기로부터 상기 기판을 수용 가능한 처리실에 복수의 기판을 소정의 순서로 반송하는 공정과,
    상기 복수의 처리실의 각각에서, 처리하는 공정과,
    상기 처리하는 공정 중 상기 기판이 없는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대응하는 데이터 테이블의 제1 카운트 데이터를 카운트하는 공정과,
    상기 데이터 테이블을 기억하는 공정과,
    상기 데이터 테이블 중, 최대의 제1 카운트 데이터를 갖는 처리실의 데이터 테이블에, 제1 반송 플래그 데이터를 부여하는 공정과,
    상기 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 상기 제1 반송 플래그에 기초하여, 상기 소정의 순서로 반송시키는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리실 내에 상기 기판을 갖는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대응하는 데이터 테이블의 제2 카운트 데이터를 카운트하고,
    상기 데이터 테이블 중, 최대의 제2 카운트 데이터에 대응하는 처리실의 다음 처리실에 제2 반송 플래그 데이터를 부여하는 공정과,
    상기 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 상기 제2 반송 플래그 데이터에 기초하여, 상기 소정의 순서로 반송시키는 공정을 갖는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 막 두께 테이블의 데이터에 기초하여 상기 제1 반송 플래그 데이터와 상기 제2 반송 플래그 데이터 중 어느 것을 선택하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 막 두께 테이블은, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 기판 지지부의 막 두께 데이터가 제1 규정값을 초과한 경우에, 상기 제1 반송 플래그 데이터를 선택하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 막 두께 테이블은, 처리실 벽면의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 처리실 벽면의 막 두께 데이터가 제2 규정값을 초과한 경우에, 상기 제2 반송 플래그 데이터를 선택하는 공정
    을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 복수의 기판이 수용된 복수의 격납 용기를 로드 포트에 적재시키는 수순과,
    상기 복수의 격납 용기 중 하나의 격납 용기로부터 상기 기판을 수용 가능한 처리실에 복수의 기판을 소정의 순서로 반송시키는 수순과,
    상기 복수의 처리실의 각각에서, 처리시키는 수순과,
    상기 처리하는 공정 중 상기 기판이 없는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대응하는 데이터 테이블의 제1 카운트 데이터를 카운트시키는 수순과,
    상기 데이터 테이블을 기억시키는 수순과,
    상기 데이터 테이블 중, 최대의 제1 카운트 데이터를 갖는 처리실의 데이터 테이블에, 제1 반송 플래그 데이터를 부여시키는 수순과,
    상기 하나의 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 상기 제1 반송 플래그에 기초하여, 상기 소정의 순서로 반송시키는 수순을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 처리실 내에 상기 기판을 갖는 상태에서 처리되었을 때, 당해 처리실에 대응하는 데이터 테이블의 제2 카운트 데이터를 카운트하고,
    상기 데이터 테이블 중, 최대의 제2 카운트 데이터에 대응하는 처리실의 다음 처리실에 제2 반송 플래그 데이터를 부여시키는 수순과,
    상기 격납 용기의 다음 격납 용기에 저장된 복수의 기판을, 상기 제2 반송 플래그 데이터에 기초하여, 상기 소정의 순서로 반송시키는 수순을 갖는 기록 매체.
  13. 제12항에 있어서, 막 두께 테이블의 데이터에 기초하여 상기 제1 반송 플래그 데이터와 상기 제2 반송 플래그 데이터 중 어느 하나를 선택시키는 수순
    을 갖는 기록 매체.
  14. 제13항에 있어서, 상기 막 두께 테이블은, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 기판 지지부의 막 두께 데이터가 제1 규정값을 초과한 경우에, 상기 제1 반송 플래그 데이터를 선택시키는 수순
    을 갖는 기록 매체.
  15. 제13항에 있어서, 상기 막 두께 테이블은, 처리실 벽면의 막 두께 데이터를 갖고,
    상기 처리실 벽면의 막 두께 데이터가 제2 규정값을 초과한 경우에, 상기 제2 반송 플래그 데이터를 선택시키는 수순
    을 갖는 기록 매체.
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