JP6719523B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体に関する。

近年の半導体装置の製造では、少Ｌｏｔ多品種化が進んでいる。この少Ｌｏｔ多品種の製造での生産性の向上が望まれている。この要求に応える手法の１つとして、複数の処理室を有する枚葉式装置において、生産性を向上させる方法が有る。（例えば特許文献１参照）

特許第６０８９０８２号公報

処理装置に設けられた処理室の数と処理枚数との不一致によって、生産性が低下する課題が有る。

本開示は、複数の処理室を有する処理装置の生産性を向上させることが可能な技術を提供する。

一態様によれば、
複数の基板が収容された格納容器が複数載置されるロードポートと、基板を収容可能な複数の処理室と、格納容器に格納された複数の基板を、複数の処理室のそれぞれへ搬送する搬送部と、複数の格納容器の内の一つから複数の処理室のそれぞれに複数の基板を所定の順序で搬送して処理し、処理室内に基板が無い状態で処理された際に、処理室に対するデータテーブルの第１カウントデータをカウントする演算部と、データテーブルを記憶する記憶部と、データテーブルの内、最大の第１カウントデータを有する処理室のテーブルに、第１搬送フラグデータを付与し、一つの格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を搬送する際に、複数の基板を、第１搬送フラグデータに基づいて所定の順序で搬送するよう搬送部を制御する制御部と、を有する技術が提供される。

本開示に係る技術によれば、複数の処理室を有する処理装置においての生産性を向上させることが可能となる。

一実施形態に係る基板処理システムの横断面の概略図である。 一実施形態に係る基板処理システムの縦断面の概略図である。 一実施形態に係る基板処理システムの真空搬送ロボットの概略図である。 一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 一実施形態に係るチャンバの縦断面の概略図である。 一実施形態に係る基板処理システムのコントローラの概略構成図である。 一実施形態に係る第１基板処理工程のフロー図である。 一実施形態に係る第１基板処理工程のシーケンス図である。 従来の搬送シーケンスによる積算処理時間を示す図である。 従来の搬送シーケンスによる積算処理時間を示す図である。 一実施形態に係る基板搬送フロー図である。 一実施形態に係る第１カウントデータのデータテーブル例である。 一実施形態に係る第１カウントデータと搬送フラグの例である。 一実施形態に係る第３カウントデータと搬送フラグの例である。 一実施形態に係る膜厚テーブル例である。 一実施形態に係る膜厚テーブル例である。 一実施形態に係る膜厚テーブル例である。

［第１実施形態］
以下に本開示の第１実施形態を図面に即して説明する。

以下に、本実施形態に係る基板処理システムを説明する。
（１）基板処理システムの構成
本開示の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成を、図１から図４を用いて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す横断面図である。図２は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す図１のα−α’における縦断面図である。図３は図１のアームの詳細を説明した説明図である。図４は図１のβ−β’の縦断面図であり、プロセスモジュール（ＰＭ）に供給するガス供給系を説明する説明図である。図５は、ＰＭに設けられるチャンバを説明する説明図である。

図１および図２において、本開示が適用される基板処理システム１０００は、基板２００を処理するもので、ＩＯステージ１１００、大気搬送室１２００、ロードロック室１３００、真空搬送室１４００、プロセスモジュール（ＰＭ）１１０（１１０ａから１１０ｄ）で主に構成される。次に各構成について具体的に説明する。図１の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後となる。なお、基板２００の表面には、半導体デバイスが形成され、基板処理システム１０００では、半導体デバイス製造の一工程が行われる。ここで、半導体デバイスとは、集積回路や、電子素子単体（抵抗素子、コイル素子、キャパシタ素子、半導体素子）のいずれか、若しくは複数を含むものを言う。また、半導体デバイスの製造途中で必要となるダミー膜であっても良い。

［大気搬送室・ＩＯステージ］
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。ＩＯステージ１１００上には格納容器としてのポッド１００１が複数搭載可能に構成される。ポッド１００１はシリコン（Ｓｉ）基板などの基板２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００１内には、基板（ウエハ）２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。なお、ポッド１００１内には、基板２００が最大で２５枚格納されている。なお、ポッド１００１内に格納される基板２００の枚数は、他の基板処理装置での処理結果や品種によって調整されポッド１００１中に、２５枚よりも少ない、２４枚、２３枚、２２枚、２１枚・・・の基板２００が収容されることが有る。この様な枚数の基板２００が格納されたポッド１００１がＩＯステージ１１００上に載置される頻度は、２５枚、２４枚、２３枚、２２枚、２１枚の順で少なくなる。

ポッド１００１にはキャップ１１２０が設けられ、後述するポッドオープナ１２１０によって開閉される。ポッドオープナ１２１０は、ＩＯステージ１１００に載置されたポッド１００１のキャップ１１２０を開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１００１に対する基板２００の出し入れを可能とする。ポッド１００１は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１１００に対して、供給および排出される。

ＩＯステージ１１００は大気搬送室１２００に隣接する。大気搬送室１２００は、ＩＯステージ１１００と異なる面に、後述するロードロック室１３００が連結される。

大気搬送室１２００内には基板２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１２２０が設置されている。図２に示されているように、大気搬送ロボット１２２０は大気搬送室１２００に設置されたエレベータ１２３０によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４０によって左右方向に往復移動されるように構成されている。

図２に示されているように、大気搬送室１２００の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１２５０が設置されている。また、図１に示されているように、大気搬送室１２００の左側には基板２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１２６０が設置されている。

図１および図２に示されているように、大気搬送室１２００の筐体１２７０の前側には、基板２００を大気搬送室１２００に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１２８０と、ポッドオープナ１２１０とが設置されている。基板搬入搬出口１２８０を挟んでポッドオープナ１２１０と反対側、すなわち筐体１２７０の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。

大気搬送室１２００の筐体１２７０の後ろ側には、基板２００をロードロック室１３００に搬入搬出するための基板搬入出口１２９０が設けられる。基板搬入出口１２９０は、後述するゲートバルブ１３３０によって解放・閉鎖することにより、基板２００の出し入れを可能とする。

［ロードロック（Ｌ／Ｌ）室］
ロードロック室１３００は大気搬送室１２００に隣接する。ロードロック室１３００を構成する筐体１３１０が有する面のうち、大気搬送室１２００とは異なる面には、後述するように、真空搬送室１４００が配置される。ロードロック室１３００は、大気搬送室１２００の圧力と真空搬送室１４００の圧力に合わせて筐体１３１０内の圧力が変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。

筐体１３１０のうち、真空搬送室１４００と隣接する側には、基板搬入搬出口１３４０が設けられる。基板搬入出口１３４０は、ゲートバルブ１３５０によって解放・閉鎖することで、基板２００の出し入れを可能とする。

さらに、ロードロック室１３００内には、基板２００を載置する載置面１３１１を少なくとも二つ有する基板載置台１３２０が設置されている。ここで、二つの載置面は、第１載置面１３１１ａと第２載置面１３１１ｂとする。基板載置面１３１１間の距離は、後述する真空搬送ロボット１７００が有するフィンガ間の距離に応じて設定される。

［真空搬送室］
基板処理システム１０００は、負圧下で基板２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール）１４００を備えている。真空搬送室１４００を構成する筐体１４１０は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室１３００及び基板２００を処理するプロセスモジュール（ＰＭ）１１０ａ〜１１０ｄが連結されている。真空搬送室１４００の略中央部には、負圧下で基板２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１７００がフランジ１４３０を基部として設置されている。また、真空搬送室１４００には、基板２００の位置を検出する検出部としての検出センサ１４０１が設けられている。検出センサ１４０１は、例えば、各PM１１０との連結部付近に設けられ、真空搬送室１４００とＰＭ１１０との間の基板２００の移動を検出可能に構成される。なお、検出センサ１４０１は、後述のコントローラ２６０に、基板２００の位置データを送信可能に構成される。なお、ここでは、真空搬送室１４００を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。なお、好ましくは、ＰＭは、偶数台設けられる。

筐体１４１０の側壁のうち、ロードロック室１３００と隣接する側には、基板搬入搬出口１４２０が設けられている。基板搬入出口１４２０は、ゲートバルブ１３５０によって解放・閉鎖することで、基板２００の出し入れを可能とする。

真空搬送室１４００内に設置される真空搬送ロボット１７００は、図２に示すように、エレベータ１４５０およびフランジ１４３０によって真空搬送室１４００の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。真空搬送ロボット１７００の詳細な構成は後述する。エレベータ１４５０は、真空搬送ロボット１７００が有する二つのアーム１８００と１９００をそれぞれ独立して昇降可能なよう構成されている。

筐体１４１０の天井であって、筐体１４１０内に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給孔１４６０が設けられる。不活性ガス供給孔１４６０には不活性ガス供給管１５１０が設けられる。不活性ガス供給管１５１０には上流から順に不活性ガス源１５２０、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５３０、バルブ１５４０が設けられ、筐体１４１０内に所定の流量で不活性ガスを供給可能に構成されている。

主に、不活性ガス供給管１５１０、ＭＦＣ１５３０、バルブ１５４０で、真空搬送室１４００における不活性ガス供給部１５００が構成される。なお、不活性ガス源１５２０、ガス供給孔１４６０を不活性ガス供給部１５００に含めてもよい。

筐体１４１０の底壁には、筐体１４１０の雰囲気を排気するための排気孔１４７０が設けられる。排気孔１４７０には、排気管１６１０が設けられる。排気管１６１０には、上流から順に圧力制御器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１６２０、ポンプ１６３０が設けられる。

主に、排気管１６１０、ＡＰＣ１６２０で真空搬送室１４００におけるガス排気部１６００が構成される。なお、ポンプ１６３０、排気孔１４７０をガス排気部に含めてもよい。

不活性ガス供給部１５００、ガス排気部１６００の協働によって真空搬送室１４００の雰囲気が制御される。例えば、筐体１４１０内の圧力が制御される。

図１に示されているように、筐体１４１０の五枚の側壁のうち、ロードロック室１３００が設置されていない側には、基板２００に所望の処理を行うプロセスモジュール（ＰＭ）１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄが連結されている。

ＰＭ１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄのそれぞれには、チャンバ１００が設けられている。チャンバ１００は処理室とも呼ぶ。具体的には、ＰＭ１１０ａはチャンバ１００ａ、１００ｂが設けられる。ＰＭ１１０ｂにはチャンバ１００ｃ、１００ｄが設けられる。ＰＭ１１０ｃにはチャンバ１００ｅ、１００ｆが設けられる。ＰＭ１１０ｄにはチャンバ１００ｇ、１００ｈが設けられる。なお、好ましくは、各ＰＭに、チャンバは偶数台設けられる。

筐体１４１０の側壁のうち、各チャンバ１００と向かい合う壁には基板搬入出口１４８０が設けられる。例えば、図２に記載のように、チャンバ１００ｅと向かい合う壁には、基板入出口１４８０ｅが設けられる。

図２のうち、チャンバ１００ｅをチャンバ１００ａに置き換えた場合、チャンバ１００ａと向かい合う壁には、基板搬入搬出口１４８０ａが設けられる。

同様に、チャンバ１００ｆをチャンバ１００ｂに置き換えた場合、チャンバ１００ｂと向かい合う壁には、基板搬入搬出口１４８０ｂが設けられる。

ゲートバルブ１４９０は、図１に示されているように、チャンバ１００ごとに設けられる。具体的には、チャンバ１００ａとの間にはゲートバルブ１４９０ａが、チャンバ１００ｂとの間にはゲートバルブ１４９０ｂが設けられる。チャンバ１００ｃとの間にはゲートバルブ１４９０ｃが、チャンバ１００ｄとの間にはゲートバルブ１４９０ｄが設けられる。チャンバ１００ｅとの間にはゲートバルブ１４９０ｅが、チャンバ１００ｆとの間にはゲートバルブ１４９０ｆが設けられる。チャンバ１００ｇとの間にはゲートバルブ１４９０ｇが、チャンバ１００ｈとの間にはゲートバルブ１４９０ｈが設けられる。

各ゲートバルブ１４９０によって開放・閉鎖することで、基板搬入出口１４８０を介した基板２００の出し入れを可能とする。

［真空搬送ロボット］
続いて、真空搬送室１４００に搭載される搬送部（搬送機構）としての真空搬送ロボット１７００について、図３を用いて説明する。図３は図１の真空搬送ロボット１７００を拡大した図である。

真空搬送ロボット１７００は、二つのアーム１８００とアーム１９００を備える。アーム１８００は、先端に二つのエンドエフェクタ１８１０とエンドエフェクタ１８２０が設けられたフォークポーション（Ｆｏｒｋ ｐｏｒｔｉｏｎ）１８３０を有する。フォークポーション１８３０の根元にはミドルポーション１８４０が軸１８５０を介して接続される。二つのエンドエフェクタと一つのフォークポーションとの組み合わせを保持部と呼ぶ。真空搬送ロボット１７００は、少なくとも１つの保持部を有する。一つの保持部は、二つの基板２００を保持可能に構成される。

エンドエフェクタ１８１０とエンドエフェクタ１８２０には、それぞれのＰＭ１１０から搬出される基板２００が載置される。図２においては、ＰＭ１１０ｃから搬出される基板２００が載置される例を示す。

ミドルポーション１８４０のうち、フォークポーション１８３０と異なる箇所には、ボトムポーション１８６０が軸１８７０を介して接続される。ボトムポーション１８６０は、軸１８８０を介してフランジ１４３０に配置される。

アーム１９００は、先端に二つのエンドエフェクタ１９１０とエンドエフェクタ１９２０が設けられたフォークポーション１９３０を有する。フォークポーション１９３０の根元にはミドルポーション１９４０が軸１９５０を介して接続される。

エンドエフェクタ１９１０とエンドエフェクタ１９２０には、ロードロック室１３００から搬出される基板２００が載置される。

ミドルポーション１９４０のうち、フォークポーション１９３０と異なる箇所には、ボトムポーション１９６０が軸１９７０を介して接続される。ボトムポーション１９７０は、軸１９８０を介してフランジ１４３０に配置される。

エンドエフェクタ１８１０、エンドエフェクタ１８２０は、エンドエフェクタ１９１０、エンドエフェクタ１９２０よりも高い位置に配置される。

真空搬送ロボット１７００は軸を中心とした回転や、アームの延伸が可能である。

なお、真空搬送ロボット１７００は、載置面１３１１ａに搬送された基板を、チャンバ（ｃｈ１）１００ａ，チャンバ（ｃｈ３）１００ｃ，チャンバ（ｃｈ５）１００ｅ，チャンバ（ｃｈ７）１００ｇに搬送し、載置面１３１１ｂに搬送された基板を、チャンバ（ｃｈ２）１００ｂ，チャンバ（ｃｈ４）１００ｄ，チャンバ（ｃｈ６）１００ｆ，チャンバ（ｃｈ８）１００ｈに搬送されるように構成される。

［プロセスモジュールＰＭ］
続いて各ＰＭ（処理ユニット）１１０の内、ＰＭ１１０ａについて、図１、図２、図４を例にして説明する。図４はＰＭ１１０ａとＰＭ１１０ａに接続されるガス供給部と、ＰＭ１１０ａに接続されるガス排気部との関連を説明する説明図である。

ここではＰＭ１１０ａを例にしているが、他のＰＭ１１０ｂ、ＰＭ１１０ｃ、ＰＭ１１０ｄにおいても同様の構造であるため、ここでは説明を省略する。

図４に記載のように、ＰＭ１１０ａには、基板２００を処理するチャンバが２つ設けられる。ここでは、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂが設けられる。チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂの間には隔壁２０４０ａが設けられ、それぞれのチャンバ内の雰囲気が混在しないように構成される。

図２に記載のように、チャンバ１００ｅと真空搬送室１４００が隣り合う壁には、基板搬入搬出口２０６０ｅが設けられ、同様に、チャンバ１００ａと真空搬送室１４００が隣り合う壁には基板搬入出口２０６０ａが設けられている。

各チャンバ１００には基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。

ＰＭ１１０ａには、チャンバ１００ａとチャンバ１００ｂのそれぞれに処理ガスを供給するガス供給部が接続されている。ガス供給部は、第１ガス供給部（処理ガス供給部）、第２ガス供給部（反応ガス供給部）、第３ガス供給部（第１パージガス供給部）、第４ガス供給部（第２パージガス供給部）などで構成される。各ガス供給部の構成について説明する。

［第１ガス供給部］
図４に示すように、処理ガス源１１３からＰＭ１１０ａの間には、バッファタンク１１４、とマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５ａ，１１５ｂと、処理室側バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ）がそれぞれ設けられている。これらの構成は、第１ガス供給管（処理ガス供給管）１１２，１１１ａ，１１１ｂで接続されている。処理ガス源１１３から供給される処理ガスは、第１ガス供給管（処理ガス供給管）１１２，１１１ａ，１１１ｂから、図５に示す共通ガス供給管３００を介して、基板処理装置１００に供給可能に構成されている。これら、ＭＦＣ１１５ａ，１１５ｂ、処理室側バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ）、処理ガス供給管１１２，１１１ａ，１１１ｂで第１ガス供給部が構成される。なお、処理ガス源１１３とバッファタンク１１４のいずれか又は両方を第１ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるＰＭの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。

［第２ガス供給部］
図４に示すように、反応ガス源１２３からＰＭ１１０ａの間には、活性化部としてのリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１２４、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂ、処理室側バルブ１２６（１２６ａ，１２６ｂ）が設けられている。これらの各構成は、反応ガス共通管１２２と第２ガス供給管（反応ガス供給管）１２１ａ，１２１ｂなどで接続されている。反応ガス源１２３から供給される反応ガスは、反応ガス共通管１２２、第２ガス供給管１２１ａ，１２１ｂから、図５に示す共通ガス供給管３００を介して、基板処理装置１００に供給可能に構成されている。これら、ＲＰＵ１２４、ＭＦＣ１２５ａ，１２５ｂ、処理室側バルブ１２６（１２６ａ，１２６ｂ）、反応ガス共通管１２２、反応ガス供給管１２１ａ，１２１ｂなどで、第２ガス供給部が構成される。
なお、反応ガス供給源１２３を第２ガス供給部に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるＰＭの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。

また、処理室側バルブ１２６（バルブ１２６ａ，１２６ｂ）の前に、ベントライン１７１ａ，１７１ｂと、ベントバルブ１７０（１７０ａ，１７０ｂ）を設けて反応ガスを排気するように構成しても良い。ベントラインを設けることにより、失活した反応ガス或いは、反応性が低下した反応ガスを処理室に通す事無く、排出することができる。

［第３ガス供給部（第１パージガス供給部）］
図４に示すように、第１パージガス（不活性ガス）源１３３からＰＭ１１０ａの間には、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂ、処理室側バルブ１３６（１３６ａ，１３６ｂ），バルブ１７６ａ，１７６ｂ、１８６ａ，１８６ｂなどが設けられている。これらの各構成は、パージガス（不活性ガス）共通管１３２、パージガス（不活性ガス）供給管１３１ａ，１３１ｂなどで接続されている。第１パージガス源１３３から供給されるパージガス（不活性ガス）は、パージガス共通管１３２、パージガス供給管１３１ａ，１３１ｂから、図５に示す共通ガス供給管３００を介して、基板処理装置１００に供給可能に構成されている。これら、ＭＦＣ１３５ａ，１３５ｂ、処理室側バルブ１３６（１３６ａ，１３６ｂ）、不活性ガス共通管１３２、不活性ガス供給管１３１ａ，１３１ｂなどで、第３ガス供給部が構成されている。なお、パージガス（不活性ガス）源１３３を第３ガス供給部（第１パージガス供給部）に含めるように構成しても良い。また、基板処理システムに設けられるＰＭの数に応じて、同様の構成を増減させて構成しても良い。

［第４ガス供給部（第２パージガス供給部）］
図４に示すように、第４ガス供給部は、処理ガス供給管１１１ａ，１１１ｂ、反応ガス供給管１２１ａ，１２１ｂそれぞれを介して各処理室１１０ａ，１１０ｂに不活性ガスを供給可能に構成される。第２パージガス（不活性ガス）源１４３から各供給管の間には、第２パージガス供給管１４１ａ，１４１ｂ，１５１ａ，１５１ｂ、ＭＦＣ１４５ａ，１４５ｂ，１５５ａ，１５５ｂ、バルブ１４６ａ，１４６ｂ，１５６ａ，１５６ｂなどが設けられている。これらの構成によって第４ガス供給部（第２パージガス供給部）が構成される。なお、ここでは、第３ガス供給部と第４ガス供給部のガス源を別々に構成したが、まとめて１つだけ設けるように構成しても良い。

各ガス供給部に設けられた各ＭＦＣは、後述のコントローラ２６０と、流量値（流量データ）を送受信可能に構成される。また、各バルブは、後述のコントローラ２６０とバルブ開度値（バルブ開度データ）を送受信可能に構成される。

また、ＰＭ１１０ａには、チャンバ１００ａ内の雰囲気とチャンバ１００ｂ内の雰囲気とをそれぞれ排気するガス排気部が接続されている。図４に示す様に、排気ポンプ２２３ａとチャンバ１００ａ，１００ｂの間には、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２２２ａ、共通ガス排気管２２５ａ、処理室排気管２２４ａ，２２４ｂ、等が設けられている。これら、ＡＰＣ２２２ａ、共通供給ガス排気管２２５ａ、処理室排気管２２４ａ，２２４ｂでガス排気部が構成される。この様に、チャンバ１００ａ内の雰囲気とチャンバ１００ｂ内の雰囲気は、１つの排気ポンプで排気されるように構成される。なお、処理室排気管２２４ａ，２２４ｂそれぞれの排気コンダクタンスを調整可能なコンダクタンス調整部２２６ａ，２２６ｂを設けても良く、これらをガス排気部の一構成としても良い。また、排気ポンプ２２３ａをガス排気部の一構成としても良い。また、ＡＰＣ２２２ａや、コンダクタンス調整部２２６ａ，２２６ｂは、後述のコントローラ２６０とバルブの開度データや、圧力値（圧力データ）を送受信可能に構成される。

次に、本実施形態に係るチャンバ１００について説明する。チャンバ１００は、図５に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。チャンバでは、半導体デバイス製造の一工程が行われる。なお、チャンバ１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，１００ｅ，１００ｆ，１００ｇ，１００ｈは、図５に示す構成と同様に構成される。ここでは、チャンバ１００ａを例として説明する。

図５に示すとおり、チャンバ１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等の基板２００を処理する処理空間（処理室）２０１、搬送空間２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切り板２０４よりも上方の空間を処理空間（処理室ともいう）２０１と呼び、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、仕切り板よりも下方の空間を搬送空間と呼ぶ。

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板２００は基板搬入出口２０３を介して図１に示す真空搬送室１４００との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。

処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２を有する。なお、載置面２１１の外周側には、基板２００が載置されない外周面２１５が設けられる。外周面２１５は、基板２００の外周側へのガス供給量を、基板２００の中心側へのガス供給量に近付けることを可能にする。なお、基板支持部２１０には、加熱部としてのヒータ２１３を設けても良い。加熱部を設けることにより、基板を加熱させ、基板上に形成される膜の品質を向上させることができる。また、ヒータ２１３は、温度制御部４００に接続され温度制御可能に構成される。温度調整部４００は、信号線を介して後述のコントローラ２６０に温度値（温度データ）を送受信可能に構成される。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。なお、基板載置台２１２には、基板２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。バイアス調整部２５７は、信号線を介して後述のコントローラ２６０にバイアス値（バイアスデータ）を送受信可能に構成される。また、基板載置台２１２には、基板２００上に形成される膜の膜厚を測定する膜厚モニタ４０１が設けられていても良い。膜厚モニタ４０１は、信号線を介して膜厚計４０２に接続されている。膜厚計４０２が生成された膜厚値（膜厚データ）は、信号線を介して、後述のコントローラ２６０に送受信可能に構成される。

基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。昇降機構２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。昇降機構２１８は、基板載置台２１２の高さデータを後述のコントローラ２６０と送受信可能に構成される。

基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８０の位置（ウエハ搬送位置）となるよう基板支持台まで下降し、基板２００の処理時には図５で示されるように、基板２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。

具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。なお、リフトピン２０７に昇降機構を設けて、基板載置台２１２とリフトピン２０７が相対的に動くように構成してもよい。

［排気系］
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての排気口２２１が設けられている。排気口２２１には処理室排気管２２４が接続されており、バルブ２２７が順に直列に接続されている。主に、排気口２２１、処理室排気管２２４、第１の排気部（排気ライン）２２０が構成される。なお、バルブ２２７を第１の排気部に含めるように構成しても良い。なお、バルブ２２７は、圧力調整器としてのＡＰＣで構成しても良い。なお、バルブ２２７は、後述のコントローラ２６０と弁開度データを送受信可能に構成される。

［ガス導入口］
上部容器２０２ａの側壁には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス導入口２４１には、共通ガス供給管３００が接続されている。ガス導入口２４１の下部には、ガス分散部としてのシャワーヘッド２３４が設けられている。

［ガス分散部］
シャワーヘッド２３４は、バッファ室（空間）２３２、複数の孔を有する分散板２３４ａにより構成されている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスはシャワーヘッド２３４のバッファ空間２３２に供給される。シャワーヘッド２３４は、例えば、石英、アルミナ、ステンレス、アルミなどの材料で構成される。

なお、シャワーヘッド２３４の蓋２３１を電極とし、導電性のある金属で形成して、バッファ空間２３２と処理室２０１内とのいずれか又は両方に存在するガスを励起するための活性化部（励起部）としても良い。この際には、蓋２３１と上部容器２０２ａとの間には絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と上部容器２０２ａの間を絶縁している。活性化部としての電極（蓋２３１）には、整合器２５１と高周波電源２５２を接続し、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されても良い。なお、高周波電源２５２は、後述のコントローラ２６０と、供給電力値（供給電力データ）や反射電力値（反射電力データ）等を送受信可能に構成される。

なお、バッファ空間２３２に、供給されたガスの流れを形成するガスガイド２３５が設けられていても良い。ガスガイド２３５は、孔２３１ａを中心として基板２００の径方向に向かうにつれ径が広がる円錐形状である。

［供給系］
シャワーヘッド２３４の蓋２３１に接続されたガス導入孔２４１には、上述の各ガス供給部が接続されている。各ガス供給部からは、処理ガス、反応ガス、パージガスが供給される。

［制御部］
図５に示すようにチャンバ１００は、チャンバ１００の各部の動作を制御するコントローラ２６０を有している。

コントローラ２６０の概略を図６に示す。制御部（制御手段）であるコントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２が接続可能に構成されている。

記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１３３０，１３５０，１４９０、昇降機構２１８、ヒータ２１３、圧力調整器２２２、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源２５２等に接続されている。また、真空搬送ロボット１７００、大気搬送ロボット１２２０、ロードロック室１３００、ＭＦＣ１１５（１１５ａ，１１５ｂ），１２５（１２５ａ，１２５ｂ），１３５（１３５ａ，１３５ｂ），１４５（１４５ａ，１４５ｂ），１５５（１５５ａ，１５５ｂ），１６５（１６５ａ，１６５ｂ），１５３０、バルブ２２７（２２７ａ，２２７ｂ）、処理室側バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ），１２６（１２６ａ，１２６ｂ，），１３６（１３６ａ，１３６ｂ），１７６（１７６ａ，１７６ｂ），１８６（１８６ａ，１８６ｂ）、タンク側バルブ１６０，ベントバルブ１７０（１７０ａ，１７０ｂ）、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１２４等にも接続されていても良い。なお、本開示における「接続」とは、各部が物理的なケーブルで繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。例えば、各部の間に、信号を中継する機材や、信号を変換または演算する機材が設けられていても良い。

ＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６０からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１３３０，１３５０，１４９０（１４９０ａ，１４９０ｂ，１４９０ｃ，１４９０ｄ，１４９０ｅ，１４９０ｆ，１４９０ｇ，１４９０ｈ）の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、ヒータ２１３への電力供給動作、圧力調整器２２２（２２２ａ），２３８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、リモートプラズマユニット１２４のガスの活性化動作、ＭＦＣ１１５（１１５ａ，１１５ｂ），１２５（１２５ａ，１２５ｂ），１３５（１３５ａ，１３５ｂ）の流量調整動作、バルブ２３７（２３７ｅ，２３７ｆ），処理室側バルブ１１６（１１６ａ，１１６ｂ），１２６（１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ，１２６ｄ），１３６（１３６ａ，１３６ｂ），１７６（１７６ａ，１７６ｂ），１８６（１８６ａ，１８６ｂ）、タンク側バルブ１６０、ベントバルブ１７０（１７０ａ，１７０ｂ）のガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源２５２のオンオフ制御等を制御するように構成されている。

なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、係る外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。

（２）第１基板処理工程
次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜であって、例えばシリコン含有膜としてのシリコン酸化（ＳｉＯ）膜を成膜するシーケンス例について図７，８を参照して説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２６０により制御される。

なお、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も「ウエハ」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「基板」を「ウエハ」に置き換えて考えればよい。

以下に、第１基板処理工程Ｓ２００Ａについて説明する。

［基板搬入工程Ｓ２０１］
第１基板処理工程Ｓ２００Ａに際しては、先ず、基板２００を処理室２０１に搬入させる。具体的には、基板支持部２１０を昇降機構２１８によって下降させ、リフトピン２０７が貫通孔２１４から基板支持部２１０の上面側に突出させた状態にする。また、処理室２０１内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ１４９０を開放し、リフトピン２０７上に基板２００を載置させる。基板２００をリフトピン２０７上に載置させた後、昇降２１８によって基板支持部２１０を所定の位置まで上昇させることによって、基板２００が、リフトピン２０７から基板支持部２１０へ載置されるようになる。

［減圧・昇温工程Ｓ２０２］
続いて、処理室２０１内が所定の圧力（真空度）となるように、処理室排気管２２４を介して処理室２０１内を排気する。この際、圧力センサが測定した圧力値に基づき、圧力調整器２２２（２２２ａ）としてのＡＰＣの弁開度をフィードバック制御する。また、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、処理室２０１内が所定の温度となるようにヒータ２１３への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板支持部２１０をヒータ２１３により予め加熱しておき、加熱された基板支持部２１０によって基板２００を所定温度に加熱する。なお、基板２００又は基板支持部２１０の温度変化が無くなるまで一定時間置いても良い。この間、処理室２０１内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等が有る場合は、真空排気やＮ_２ガスの供給によるパージによって除去しても良い。これで成膜プロセス前の準備が完了することになる。なお、処理室２０１内を所定の圧力に排気する際に、一度、到達可能な真空度まで真空排気しても良い。

［成膜工程Ｓ２１０］
続いて、成膜工程Ｓ２１０の詳細について説明する。成膜工程Ｓ２１０は、基板２００にＳｉＯ膜を成膜する処理を例として、図７，８を用いて説明する。

基板２００が基板支持部２１０に載置された後、図７，８に示す、Ｓ２０３〜Ｓ２０７のステップが行われる。

［第１ガス供給工程Ｓ２０３］
第１ガス供給工程Ｓ２０３では、第１ガス供給部から処理室２０１内に第１ガス（原料ガス）としてのアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスとしては、例えば、ビスジエチルアミノシラン（Ｈ_２Ｓｉ（ＮＥｔ_２）_２、Ｂｉｓ（ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｓｉｌａｎｅ：ＢＤＥＡＳ）ガスがある。具体的には、ガスバルブ１６０を開き、アミノシラン系ガスをガス源からチャンバ１００に供給する。その際、処理室側バルブ１１６ａを開き、ＭＦＣ１１５ａで所定流量に調整する。流量調整されたアミノシラン系ガスは、バッファ空間２３２を通り、シャワーヘッド２３４の孔から、減圧状態の処理室２０１内に供給される。また、排気系による処理室２０１内の排気を継続し処理室２０１内の圧力を所定の圧力範囲（第１圧力）となるように制御する。このとき、基板２００に対してアミノシラン系ガスが供給されることとなるアミノシラン系ガスは、所定の圧力（第１圧力：例えば１００Ｐａ以上２００００Ｐａ以下）で処理室２０１内に供給する。このようにして、基板２００にアミノシラン系ガスを供給する。アミノシラン系ガスが供給されることにより、基板２００上に、シリコン含有層が形成される。

このときのヒータ２１３の温度は、２００〜７５０℃、好ましくは３００〜６００℃、より好ましくは３００〜５５０℃の範囲内の一定の温度となるように設定し、少なくとも成膜工程Ｓ２１０が終了するまで温度を維持させる。

［第１パージ工程Ｓ２０４］
基板２００上にシリコン含有層が形成された後、第１ガス供給管１１１ａ，１１１ｂのガスバルブ１１６ａ，１１６ｂを閉じ、アミノシラン系ガスの供給を停止する。原料ガスを停止することで、処理室２０１中に存在する原料ガスや、バッファ空間２３２の中に存在する原料ガスを処理室排気管２２４から排気されることにより第１パージ工程Ｓ２０４が行われる。

また、パージ工程では、単にガスを排気（真空引き）してガスを排出すること以外に、不活性ガスを供給して、残留ガスを押し出すことによる排出処理を行うように構成しても良い。具体的には、バルブ１３６ａ，１３６ｂを開き、不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。また、真空引きと不活性ガスの供給を組み合わせて行っても良い。また、真空引きと不活性ガスの供給を交互に行うように構成しても良い。

また、第１パージ工程では、真空ポンプ２２３の動作を継続し、処理室２０１内に存在するガスを真空ポンプ２２３から排気する。

所定の時間経過後、バルブ１３６ａ，１３６ｂを閉じて、不活性ガスの供給を停止する。

各不活性ガス供給系から供給するパージガスとしてのＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜２００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。なお、パージガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ等の希ガスを用いても良い。

［第２処理ガス供給工程Ｓ２０５］
第１ガスパージ工程の後、バルブ１２６を開け、ガス導入孔２４１、バッファ空間２３２、シャワーヘッド２３４を介して、処理室２０１内に第２のガス（反応ガス）としての、酸素含有ガスを供給する。酸素含有ガスは例えば、酸素ガス（Ｏ_２）やオゾンガス（Ｏ_３）、水（Ｈ_２Ｏ）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）等が有る。ここでは、Ｏ_２ガスを用いる例を示す。バッファ空間２３２、シャワーヘッド２３４を介して処理室２０１に供給するので、基板上に均一にガスを供給することができる。そのため、膜厚を均一にすることができる。なお、第２のガスを供給する際に、活性化部（励起部）としてのリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１２４を介して、活性化させた第２のガスを処理室２０１内に供給可能に構成しても良い。

このとき、Ｏ_２ガスの流量が所定の流量となるようにＭＦＣ１２５を調整する。なお、Ｏ_２ガスの供給流量は、例えば、１００ｓｃｃｍ以上１００００ｓｃｃｍ以下である。また、圧力調整器２２２ａを適正に調整することにより、処理室２０１内の圧力を所定の圧力範囲内とする。また、Ｏ_２ガスがＲＰＵ１２４内を流れているときは、ＲＰＵ１２４をＯＮ状態（電源が入った状態）とし、Ｏ_２ガスを活性化（励起）させるように制御しても良い。

Ｏ_２ガスが、基板２００上に形成されているシリコン含有層に供給されると、シリコン含有層が改質される。例えば、シリコン元素またはシリコン元素を含有する改質層が形成される。なお、ＲＰＵ１２４を設けて、活性化したＯ_２ガスを基板２００上に供給することによって、より多くの改質層を形成することができる。

改質層は、例えば、処理室２０１内の圧力、Ｏ_２ガスの流量、基板２００の温度、ＲＰＵ１２４の電力供給具合に応じて、所定の厚さ、所定の分布、シリコン含有層に対する所定の酸素成分等の侵入深さで形成される。

所定の時間経過後、バルブ１２６を閉じ、Ｏ_２ガスの供給を停止する。

［第２パージ工程Ｓ２０６］
Ｏ_２ガスの供給を停止することで、処理室２０１中に存在するＯ_２ガスや、バッファ空間２３２の中に存在するＯ_２ガスを第１の排気部から排気されることにより第２パージ工程Ｓ２０６が行われる。第２パージ工程Ｓ２０６は上述の第１パージ工程Ｓ２０４と同様の工程が行われる。

［判定工程Ｓ２０７］
第２パージ工程Ｓ２０６の終了後、コントローラ２６０は、上記の成膜工程Ｓ２１０の内、Ｓ２０３〜Ｓ２０６が所定のサイクル数Ｃが実行されたか否かを判定する（Ｃは自然数）。即ち、基板２００上に所望の厚さの膜が形成されたか否かを判定する。上述したステップＳ２０３〜Ｓ２０６を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う（ステップＳ２０７）ことにより、基板２００上に所定膜厚のシリコンおよび酸素を含む絶縁膜、すなわち、ＳｉＯ膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰返すことが好ましい。これにより、基板２００上に所定膜厚のＳｉＯ膜が形成される。

所定回数実施されていないとき（Ｎｏ判定のとき）は、Ｓ２０３〜Ｓ２０６のサイクルを繰り返す。所定回数実施されたとき（Ｙ判定のとき）は、成膜工程Ｓ３０１を終了し、搬送圧力調整工程Ｓ２０８と基板搬出工程Ｓ２０９を実行する。

［搬送圧力調整工程Ｓ２０８］
搬送圧力調整工程Ｓ２０８では、処理室２０１内や搬送空間２０３が所定の圧力（真空度）となるように、処理室排気管２２４を介して処理室２０１内や搬送空間２０３内を排気する。この時の処理室２０１内や搬送空間２０３内の圧力は、真空搬送室１４００内の圧力以上に調整される。なお、この搬送圧力調整工程Ｓ２０８の間や前や後で、基板２００の温度が所定の温度まで冷却するようにリフトピン２０７で保持するように構成しても良い。

［基板搬出工程Ｓ２０９］
搬送圧力調整工程Ｓ２０８で処理室２０１内が所定圧力になった後、ゲートバルブ１４９０を開き、搬送空間２０３から真空搬送室１４００に基板２００を搬出する。

この様な工程で、基板２００の処理が行われる。

ところで、図１に示す様なチャンバ１００を複数台有する基板処理装置において、複数の種類の成膜工程を行わせる場合に、以下の［Ａ］〜［Ｄ］の少なくともいずれかの課題を生じることを、発明者等が見出した。

［Ａ］
複数のチャンバ１００のそれぞれで実行される成膜工程Ｓ２１０の処理に係る積算時間や、チャンバ１００内に堆積する膜の積算膜厚が異なる場合が有る。このような場合には、チャンバ１００のメンテナンスタイミングがチャンバ１００毎に異なってしまう。メンテナンスタイミングが異なることで、基板処理装置における生産性が低下する課題が生じる。

前述の課題を解決するために、メンテナンス中のチャンバ１００のみ処理停止させて、メンテナンスしていないチャンバ１００で処理させる方法が有るが、基板２００の搬送経路を都度変更させる必要が有るため、基板処理装置の生産性低下は避けられない。

積算処理時間が異なる例について、図９や図１０を用いて説明する。図９と図１０は、横軸をＰＭ１１０ａ〜ＰＭ１１０ｄ（図中のＰＭ１，２，３，４に対応）それぞれが有するチャンバ１００ａ〜１００ｉとし、縦軸を処理時間[任意単位]としている。白抜き部分は、奇数番目のポッド１００１の処理を示し、隣接する網掛け部分は、偶数番目のポッド１００１の処理を示す。ここでは、基板２００を２５枚有するポッド１００１を８つ用いて処理させたときの処理時間と、チャンバ１００それぞれの積算処理時間をカウントし、グラフ化した図である。図９は、各ポッド１００１に格納された基板１００の内、最初に搬送される１枚目と２枚目の基板１００をＰＭ１１０ａ（ＰＭ１）に搬送させた場合について示している。図１０は、各ポッド１００１に格納された基板１００の内、最初に搬送される１枚目と２枚目の基板１００を、前のポッド１００１の最後の基板１００が処理されたＰＭ１１０の次のＰＭ１１０に搬送させた場合を示している。具体的には、１番目のポッド１００１に格納された基板１００の内、最後の基板１００が、ＰＭ１１０ａ（ＰＭ１）のチャンバ１００ａで処理した場合には、次のポッド１００１に格納された基板１００の内、最初の１枚目と２枚目の基板１００は、ＰＭ１１０ｂ（ＰＭ２）のチャンバ１００ｃとチャンバ１００ｄから搬送させる例を示している。図１０の例は、言い換えると、一番処理数の少ないチャンバ１００（ＰＭ）から順に基板を搬送させて処理した例である。

図９や図１０に示す様に、各チャンバそれぞれにおいて、処理時間を１[任意単位]として基板２００を処理させた場合に、積算時間がバラバラになり、メンテナンスタイミングが異なってしまう。以下にその理由を説明する。

図９の様に、２００枚の基板２００を処理させた場合、チャンバ１００ａと他のチャンバで８[任意単位]の時間差を生じる。図１０の場合では、チャンバ１００ａ，１００ｃ，１００ｅ，１００ｇと、チャンバ１００ｂ，１００ｄ，１００ｆ，１００ｉとの間で２[任意単位]の時間差を生じる。

なお、この積算時間は、単純に各チャンバ１００の使用回数（各チャンバ１００での処理回数）に比例する物では無いため、処理回数に基づいてメンテナンスタイミングを見積もることが困難となる。例えば、半導体装置の製造方式が、少量多品種となった場合に、処理Ｌｏｔ毎やポッド１００１毎に処理時間がバラバラとなり、処理回数が多くても、積算の処理時間が少ないチャンバ１００が発生することが有る。また、図１０の様に、一番処理数の少ないチャンバ１００（ＰＭ）から順に基板を搬送した場合、特定のチャンバ１００の使用回数に偏りが生じる。例えば、一番使用回数の多いチャンバの積算処理時間が多い状態を継続してしまい、特定のチャンバ１００の性能が低下する課題を生じる。

［Ｂ］
ＰＭ内にチャンバ１００が複数設けられている場合、複数のチャンバの排気系が共通であることから、一方のチャンバ１００で基板２００を処理する間、他方のチャンバ１００でメンテナンスすることができない。他方でメンテナンスすると、排気管内に副生成物が発生し、一方のチャンバ１００に副生成物が流れ込む可能性が有るためである。また、一方のチャンバ１００内の圧力にも影響を与えてしまう可能性も有る。この様にＰＭ内の一方のチャンバ１００のメンテナンスの際に、他方のチャンバ１００での処理が制限されることが有る。そのためメンテナンス中のチャンバ１００を有するＰＭで基板２００の処理を行うことができず、基板処理装置における生産性が低下する課題を生じる。例えば、図９の例では、ＰＭ１では、チャンバ１００ａのメンテナンス中に、チャンバ１００ｂが使用できないこととなる。図１０の例では、全てのＰＭが使用不可となる。

［Ｃ］
ＰＭ内にチャンバ１００が複数設けられている場合、ＰＭ内の一方のチャンバ１００に基板２００を搬送し、ＰＭ内の他方のチャンバ１００に基板２００を搬送せずに、ＰＭでの処理を開始することがある。この場合、基板２００が搬送されたチャンバ１００では通常の基板処理が行われる。これを通常デポ（通常デポジション）と呼ぶ。一方で、基板２００が搬送されなかった他方のチャンバ１００では、基板載置台２１２の載置面２１１に膜が成膜されてしまう。この様な処理を空デポ（空デポジション）と呼ぶ。この空デポの積算時間が多くなった場合に、通常デポが行われたチャンバ１００内の雰囲気と空デポが行われたチャンバ１００内の雰囲気が異なってしまう。これにより、チャンバ１００毎で、基板２００上に形成される膜の特性が変化してしまう課題を生じる。また、通常デポの積算時間が多くなることで、パーティクルの発生数や頻度が通常デポが行われるチャンバ１００と比較して多くなる課題を生じる。一方で、空デポの積算時間が多くなることで、基板支持部２１０の載置面２１１に膜が堆積した状態となる。この状態で、基板２００にプラズマ処理した場合は、基板２００にチャージアップダメージを与えやすくなる課題を生じる。また、通常デポがお行われたチャンバ１００と、空デポが行われたチャンバ１００とでメンテナンスタイミングが異なる課題を生じる。空デポが行われたチャンバ１００の載置面２１１には、膜が形成されているため、チャンバ１００毎にメンテナンス内容を変える手間が発生する。例えば、載置面２１１上に形成される膜を除去するためにクリーニング時間を長くする必要が有る。しかしながら、クリーニング時間を長くした場合、シャワーヘッド２３４や、上部容器２０２ａの内壁、仕切板２０４の表面、基板載置台２１２の外周面２１５等、をオーバーエッチングしてしまい、処理室２０１の雰囲気を大きく変えてしまう課題を生じる。また、図４に示す様に、ガス供給部とガス排気部を、複数のチャンバで共有している場合は、一つのチャンバで所望のクリーニングが完了しても、膜厚の厚い他のチャンバでは、クリーニングが完了しない課題を生じる。また、他のチャンバ１００のクリーニングを完了させると、一つのチャンバ１００ではオーバーエッチングとなってしまう課題を生じる。

[Ｄ]
最近の半導体装置では、３Ｄ−ＮＡＮＤの様に積層構造が主流となっている。この構造では、同じ種類の膜が複数回成膜される。この構造では、複数の膜それぞれの膜特性が、所定の膜特性の範囲内に入っていることが求められ、同じ種類の膜は、同じ基板処理装置で成膜されることが有る。しかしながら、成膜毎にチャンバ１００内の環境が変化し、複数の膜のそれぞれの膜特性が所定の範囲内に入らない課題が生じる。

ここで、膜特性とは、例えば、膜厚、膜質、結晶性、誘電率、屈折率、膜密度、エッチングレート、等が有る。このチャンバ１００内の環境の変化は例えば、以下で生じる。（１）チャンバ１００内の部材表面に形成される膜の積算膜厚により、チャンバ１００内のベース圧力が変化する。（２）チャンバ１００へのガス供給時間の積算時間により、各ガス供給系のガス管内の環境が変化する。（３）積算膜厚や積算処理時間によって、各チャンバ１００内で発生するパーティクル量が多くなる。

発明者等は、この様な課題に対して、以下に記す基板搬送工程の補正工程を実行させることで、上述の課題の少なくともいずれかを解決できることを見出した。補正工程を含む基板搬送フローについて、図１１、図１２、図１３、図１４を用いて説明する。

＜基板搬送工程＞
先ず、図１１を用いて、基板搬送工程について説明する。図１１は、一実施形態に係る、基板搬送工程の補正工程を含む基板搬送フロー図である。

[第１基板搬送工程Ｓ３００]
格納容器としてのポッド１００１から、所定の順序で、基板２００を複数のチャンバ１００に搬送させて、それぞれのチャンバ１００で順に処理をさせる。なお、ここでの所定の順序とは、例えば、チャンバ１００ａ、チャンバ１００ｂ、チャンバ１００ｃ、チャンバ１００ｄ、チャンバ１００ｅ、チャンバ１００ｆ、チャンバ１００ｇ、チャンバ１００ｈ、チャンバ１００ｉ、チャンバ１００ａ、チャンバ１００ｂ・・・の順で搬送させることを意味する。なお。搬送の開始は、チャンバ１００ａで無くても良く、チャンバ１００ｃから搬送を始める場合の所定の順序は、チャンバ１００ｃ、チャンバ１００ｄ、チャンバ１００ｅ、チャンバ１００ｆ、チャンバ１００ｇ、チャンバ１００ｈ、チャンバ１００ｉ、チャンバ１００ａ、チャンバ１００ｂ、チャンバ１００ｃ、チャンバ１００ｄ、・・・となる。ポッド１００１から各チャンバ１００への基板２００の搬送は、ポッド１００１内の処理対象の基板２００が無くなるまで繰り返し実行される。第１基板搬送工程Ｓ３００の終了後、基板搬送工程の補正工程Ｓ３０１が行われる。

［補正工程Ｓ３０１］
補正工程Ｓ３０１では、第１カウントデータ生成工程Ｓ３０２Ａ、第１搬送フラグデータ付与工程Ｓ３０３Ａ、第１判定工程Ｓ３０５、搬送開始位置変更工程Ｓ３０６が行われる。各工程について、以下に説明する。

［第１カウントデータ生成工程Ｓ３０２Ａ］
まず、コントローラ２６０の演算部としてのＣＰＵ２６０ａで、複数の処理室それぞれに対応する第１カウントデータを生成（カウント）し、第１カウントデータを記憶部としての記憶装置２６０ｃに記憶させる。ここで、第１カウントデータは、以下が有る。例えば、チャンバ１００内に基板２００が無い状態で処理された際の、チャンバ１００での積算処理時間、累積膜厚、処理ガスの積算供給時間、反応ガスの積算供給時間、プロセス圧力の積算維持時間、基板載置台２１２をプロセス温度に保持した積算時間、処理室２０１内に生成したプラズマの積算放電時間、等である。第１カウントデータは、これらの内、少なくとも１つから選択される。２つ以上を選択して第１カウントデータを生成（カウント）しても良い。なお、ここで、チャンバ１００内に基板２００が無い状態とは、基板支持部２１０上に基板２００が載置されて無い状態や、載置面２１１に各ガスが供給可能な状態のことを意味する。なお、第１カウントデータ生成工程は、第１カウントデータのカウント工程とも呼ぶ。

第１カウントデータが記録（カウント）されるデータテーブルの例を図１２に示す。図１２に示すデータテーブルでは、各チャンバ１００に対応する第１カウントデータを各データ入力ボックスに入力されている。具体的には、各チャンバ１００に対応する積算処理時間データは、Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、・・・Ｉ１に記録される。各チャンバ１００に対応する維持温度の積算時間データは、Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、・・・Ｉ２に記録される。各チャンバ１００に対応する処理ガスの積算供給量データは、Ａ３、Ｂ３、Ｃ３、・・・Ｉ３に記録される。各チャンバ１００に対応する処理圧力の積算維持時間データは、Ａ４、Ｂ４、Ｃ３、・・・Ｉ４に記録される。各チャンバ１００に対応する累積膜厚データは、Ａ５、Ｂ５、Ｃ５、・・・Ｉ５に記録される。各チャンバ１００に対応する高周波供給電力量データは、Ａ６、Ｂ６、Ｃ６、・・・Ｉ６に記録される。なお、ここでは、第１カウントデータとして、積算処理時間、維持温度の積算時間、処理ガスの積算供給量、処理圧力の積算維持時間、累積膜厚、高周波電力量を示したが、何れか一つで構成しても良いし、図１２に示すデータに、上述のデータを追加しても良いし、図１２に示すデータの一部を、上述のデータのいずれかと入れ替えて構成しても良い。なお、累積膜厚は、処理室２０１に膜厚計４０２を設けて測定しても良いし、膜厚計４０２を設けずに、処理ガスと反応ガスのいずれか又は両方の積算供給時間、圧力、処理した基板２００の枚数、等のいずれかを基に、算出しても良い。また、成膜レシピに膜厚データを入力されている場合、成膜レシピの膜厚データと成膜レシピの実行回数に基づいて、累積膜厚を算出させても良い。また、好ましくは、累計膜厚は、処理室２０１の内壁に形成される膜の膜厚と、基板支持部２１０上に形成される膜の膜厚とを別々に算出可能に構成される。また、分散板２３４ａの下面（載置面２１１と対向する面）に形成される膜の膜厚も算出可能に構成しても良い。

［第２カウントデータ生成工程３０２Ｂ］
図１１の破線で示す様に、第１カウントデータ生成工程Ｓ３０２Ａと並行して、第２カウントデータ生成工程Ｓ３０２Ｂを行わせても良い。第２カウントデータは、チャンバ１００内に基板２００が有る状態で処理された際の、チャンバ１００での積算処理時間、累積膜厚、処理ガスの積算供給時間、反応ガスの積算供給時間、プロセス圧力の積算維持時間、基板載置台２１２をプロセス温度に保持した積算時間、処理室２０１内に生成したプラズマの積算放電時間、等である。第２カウントデータは、これらの内、少なくとも１つから選択される。２つ以上を選択して第２カウントデータを生成（カウント）しても良い。なお、第２カウントデータ生成工程は第２カウントデータのカウント工程とも呼ぶ。

［第１搬送フラグデータ付与工程Ｓ３０３Ａ］
続いて、複数の処理室に対応する第１カウントデータそれぞれについて比較演算が行われ、第１搬送フラグデータを生成する。具体的には、複数の処理室に対応する第１カウントデータそれぞれについて比較し、第１カウントデータの内、一番大きい第１カウントデータに対応するチャンバ１００に第１搬送フラグデータを付与する。第１搬送フラグデータのデータテーブル例について、図１３に示す。図１３は、第１カウントデータとして、積算処理時間を用いて、比較演算し、その結果、第１搬送フラグデータの入力ボックスＸａ、Ｘｂ、Ｘｃ、・・・Ｘｉに記録された状態を示す。図１３では、第１カウントデータとしての積算処理時間が一番多いチャンバ１００ａの入力ボックスＸａにフラグとして『１』が記憶される。他の入力ボックスには、フラグが無い状態として『０』が記憶されている。なお、各入力ボックスに、既にフラグデータが入力されている場合は、この演算結果に基づいて、各入力ボックス内のデータを変更させる。

［第２搬送フラグデータ付与工程Ｓ３０３Ｂ］
第１搬送フラグデータ付与工程Ｓ３０３Ａと並行して、複数の処理室に対応する第２カウントデータそれぞれについて比較演算が行われ、第２搬送フラグデータを生成しても良い。具体的には、複数の処理室に対応する第２カウントデータそれぞれについて比較し、第２カウントデータの内、一番大きい第２カウントデータに対応するチャンバ１００の次のチャンバ１００に第２搬送フラグデータを付与する。第２搬送フラグデータのデータテーブル例は、第１搬送フラグデータのテーブル例と同様である。

[搬送フラグ設定工程Ｓ３０４]
続いて、搬送フラグデータを選択する搬送フラグ設定工程Ｓ３０４が行われる。ここで搬送フラグデータは、例えば、第１搬送フラグデータと第２搬送フラグデータが有る。搬送フラグデータは、記憶装置２６０ｃに記録された膜厚テーブルを基に選択される。

膜厚テーブルに図１５、図１６、図１７を用いて説明する。膜厚テーブルは、少なくとも、処理室２０１の壁面に堆積した膜の膜厚、基板支持部２１０上に堆積した膜の膜厚、分散板２３４ａに堆積した膜の膜厚、の一つ以上が記録される。例えば、図１５に示す様に、処理室２０１の壁面の膜厚（処理室壁面）がＡ１に記録される。なお、図１５に示す様に、測定回数毎の膜厚をＢ１、Ｃ１・・・と記録しても良い。また、図１６に示す様に、基板支持部２１０の膜厚がＡ２に記録されたテーブルであっても良い。なお、図１６に示す様に、測定回数毎の膜厚をＢ２、Ｃ２・・・と記録しても良い。また、図１７に示す様に、処理室壁面の膜厚、基板支持部２１０上に堆積した膜の膜厚、分散板２３４ａに堆積した膜厚が記録されても良い。なお、それぞれの膜厚は、上述と同様の内容で算出・記録される。

続いて、搬送フラグデータの選択手順について説明する。各膜厚データが記録された膜厚テーブルを記憶装置２６０ｃから読みだし、膜厚テーブルに記録された膜厚値と基準値とを比較する。

まず、基板支持部２１０の膜厚が、第１の規定値以上となっているか否かの比較が行われる。第１の規定値は、例えば、０．５μｍ以上、２．５μｍ以下の範囲で設定される。ここでは、第１の規定値が、２．０μｍに設定された例について説明する。図１６に示す基板支持部２１０の膜厚が、第１の規定値（２．０μｍ）以上か否かの比較が行われる。比較の結果、基板支持部２１０の膜厚が、第１の規定値以上の場合は、第１搬送フラグデータを選択し、第１の規定値よりも小さい場合は、第２搬送フラグを選択する。図１６では、測定１と測定２の膜厚は第１の規定値よりも小さいので、搬送フラグデータＦ１、Ｆ２は第２搬送フラグデータを示す『２』が選択されている。測定３の膜厚は、第１の規定値以上となっているので、搬送フラグデータＦ３は、第１搬送フラグデータを示す『１』が選択される。

次に、処理室２０１の壁面の膜厚が、第２の規定値以上となっているか否かの比較が行われる。第２の規定値は、例えば、１μｍ以上、４μｍ以下の範囲で設定される。ここでは、第２の規定値が、３．０μｍに設定された例について説明する。図１５に示す処理室２０１壁面の膜厚が、第２の規定値（３．０μｍ）以上か否かの比較が行われる。比較の結果、処理室２０１壁面の膜厚が、第２の規定値以上の場合は、第２搬送フラグデータを選択し、第２の規定値よりも小さい場合は、第１搬送フラグが選択される。図１５では、測定１と測定２の膜厚は、第２の規定値よりも小さいので、搬送フラグデータｆ１、ｆ２は第１搬送フラグデータを示す『１』が選択される。測定３の膜厚は、第２の規定値以上となっているので、搬送フラグデータｆ３は、第２搬送フラグデータを示す『２』が選択される。

なお、第２の規定値は、第１の規定値よりも大きく設定可能である。基板支持部２１０に堆積する膜と処理室２０１の壁面に堆積する膜のそれぞれが成膜に与える影響が異なるためである。基板支持部２１０上に堆積する膜は、基板支持部２１０上に載置される基板２００の帯電量（チャージ量）に影響を与える。一方で、処理室２１０の壁面に堆積する膜は、パーティクルの発生に影響を与える。パーティクルは、１μｍ以上で発生する頻度が増えることに対し、帯電量の変化は、０．５μｍ以上で発生するためである。

また、処理室２０１壁面の膜厚に基づいた搬送フラグデータの選択と、基板支持部２１０の膜厚に基づいた搬送フラグデータの選択は、どちらか一方だけを実行する様に構成しても良いが、場合に応じて両方を実行する様にしても良い。例えば、基板処理装置１００における基板２００の処理枚数が少ない場合は、基板支持部２１０の膜厚に基づいた搬送フラグデータの選択だけを実行する。基板処理装置１００における基板２００の処理枚数が所定枚数を超えた場合に、処理室２０１壁面の膜厚に基づいた搬送フラグデータの選択を実行する様に構成しても良い。

なお、ここに記した、搬送フラグ設定工程Ｓ３０４では、膜厚テーブルに基づいて、選択する例について示したが、これに限るものでは無く、以下に記す方法であっても良い。例えば、各チャンバ１００において、基板２００を有する状態で処理した時の処理回数と、基板２００が無い状態で処理した時の処理回数とを、それぞれ記録しておき、それぞれの処理回数の関係に基づいて搬送フラグを選択する様に構成しても良い。

[第１判定工程Ｓ３０５]
続いて、第１判定工程Ｓ３０５が行われる。第１判定工程では、搬送フラグデータが変更されているか否かを判定する。判定した結果、搬送フラグデータが変更されている場合は、Ｙ判定として、次の搬送開始位置変更工程Ｓ３０６を行わせる。搬送フラグデータが変更されていない場合は、Ｎ判定として、搬送開始位置変更工程Ｓ３０６を行わずに、次の第２基板搬送工程Ｓ３０７を行わせる。

［搬送開始位置変更工程Ｓ３０６］
続いて、第１判定工程Ｓ３０５でＹ判定とされた後に実行される搬送開始位置変更工程Ｓ３０６について説明する。Ｙ判定とされた場合、搬送フラグが付与されたチャンバ１００から搬送を開始する様に、基板搬送レシピの設定を更新させる。図１３に示す例では、チャンバ１００ａに搬送フラグが設定されているので、次の基板搬送工程では、最初に搬送する基板２００をチャンバ１００ｂに搬送する様に基板搬送レシピの設定を更新させる。この様に、複数の第１カウントデータの内、最大のカウント数に対応するチャンバ１００の次のチャンバから基板を搬送する様に構成する。なお、搬送フラグによっては、基板搬送レシピの更新前と更新後で、最初に搬送する基板２００の搬送先が同じである場合も有る。

［第２基板搬送工程Ｓ３０７］
続いて、第２基板搬送工程Ｓ３０７が行われる。第２基板搬送工程Ｓ３０７は、基板搬送レシピに基づいて、上述の第１基板搬送工程Ｓ３００と同様の手順で、ポッド１００１内の処理対象の基板２００が無くなるまで、順番にチャンバ１００に基板搬送が行われる。

［第２判定工程Ｓ３０８］
次に、第２判定工程Ｓ３０８が行われる。第２判定工程Ｓ３０８では、ＩＯステージ１１００に、次に処理するポッド１００１が載置されているか否かの判定が行われる。次に処理するポッド１００１が有る場合は、Ｙ判定として、補正工程Ｓ３０１行わせ、処理すべきポッド１００１が無くなるまで繰り返し、補正工程Ｓ３０１と第２基板搬送工程Ｓ３０７を行わせる。次に処理するポッド１００１が無い場合は、Ｎ判定として、基板処理工程を終了させる。

この様にして、本開示の基板処理工程が行われる。

以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述では、第１カウントデータに基づいて、チャンバ１００単位での基板搬送順を補正したが、以下の構成により、ＰＭ単位で基板搬送順を補正する様に構成しても良い。例えば、図１４に示す様に、チャンバ毎に対応する第１カウントデータに基づいて、各ＰＭに対応する第３カウントデータを生成しても良い。ここで第３カウントデータは、ＰＭが有するチャンバ１００に対応する第１カウントデータを合算したデータである。具体的には、ＰＭ１に対応する第３カウントデータＡＢ１は、第１カウントデータＡ１とＢ１を合算したデータとなる。他のＰＭに対応する第３カウントデータも同様に算出される。なお、ここでは、二つの第１カウントデータに基づいて第３カウントデータを算出したが、ＰＭが３つ以上のチャンバ１００を有している場合は、３つ以上の第１カウントデータに基づいて第３カウントデータを算出しても良い。また、ここでは、単純に合算した例を示したが、任意の演算処理によって第３カウントデータを算出させても良い。

また、ポッド１００１に格納された処理対象となる基板２００の枚数が、基板処理システム１０００が有するチャンバ数で割り切れない場合がある。この場合、ポッド１００１に格納された処理対象となる基板２００の内、最後の基板２００を処理するＰＭ内では、基板２００が搬送されるチャンバ１００と、基板２００が搬送されないチャンバ１００が生じることとなる。この様な場合に、基板２００が搬送されなかったチャンバ１００に対応する第１カウントデータを生成せずに、ゼロとして、第３カウントデータを算出しても良い。例えば、図１４の各入力ボックスの下段に示す状態である。図１４の下段では、チャンバ１００ｂに基板２００が搬送されなかった場合を示している。この場合、積算処理時間を０とし、第３カウントデータは、チャンバ１００ａに対応する積算処理時間が第３カウントデータとなる。この第３カウントデータと、他の第３カウントデータとで比較演算を行った場合、ＰＭ１に対応する第３カウントデータが最小となるため、ＰＭ１には搬送フラグが付与されず、ＰＭ２に搬送フラグが付与されることとなる。この様に演算させても良い。

また、上述では、原料ガスと反応ガスを交互に供給して成膜する方法について記したが、原料ガスと反応ガスの気相反応量や副生成物の発生量が許容範囲内であれば、他の方法にも適用可能である。例えば、原料ガスと反応ガスの供給タイミングが重なる様な方法である。

また、上述では、２つのチャンバを一組とするＰＭについて説明したがこれに限らず、３つ以上のチャンバを一組とするＰＭであっても良い。３つ以上の場合は、１つのチャンバへ基板を搬送し、一つのチャンバ以外の少なくとも一つの他のチャンバへ基板を搬送しない場合に、一つのチャンバに処理ガスを供給して、他のチャンバに不活性ガスを供給することによって、上述の効果等を得ることができる。

また、上述では、基板を一枚ずつ処理する枚葉式装置について記したがこれに限らず、処理室に基板を垂直方向または水平方向に複数枚並べるバッチ式装置であっても良い。

また、上述では、成膜処理について記したが、他の処理にも適用可能である。例えば、拡散処理、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、還元処理、酸化還元処理、エッチング処理、加熱処理などが有る。例えば、反応ガスのみを用いて、基板表面や基板に形成された膜をプラズマ酸化処理や、プラズマ窒化処理する際にも本開示を適用することができる。また、反応ガスのみを用いたプラズマアニール処理にも適用することができる。

また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。

また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして酸素含有ガスを用いて、シリコン酸化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＳｉＮ膜、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。

１００・・・チャンバ
１１０・・・プロセスモジュール
２００・・・基板
２０１・・・処理室
２０２・・・処理容器
２１１・・・載置面
２１２・・・基板載置台
２３２・・・バッファ空間
２３４・・・シャワーヘッド
２４１・・・ガス導入口
１０００・・・基板処理システム
１１００・・・ＩＯステージ
１２００・・・大気搬送室
１２２０・・・第１搬送ロボット（大気搬送ロボット）
１３００・・・ロードロック室
１４００・・・真空搬送室
１７００・・・第２搬送ロボット（真空搬送ロボット）

Claims (15)

1. 複数の基板が収容された格納容器が複数載置されるロードポートと、
   前記基板を収容可能な複数の処理室と、
   前記格納容器に格納された複数の基板を、前記複数の処理室のそれぞれへ搬送する搬送部と、
   前記複数の格納容器の内の一つから前記複数の処理室のそれぞれに前記複数の基板を所定の順序で搬送して前記基板を処理する際に、前記複数の処理室の内、前記基板が搬送されなかった処理室において、前記基板が無い状態で前記基板に対する処理と同じ処理を実行し、当該処理室に対するデータテーブルの第１カウントデータをカウントする演算部と、
   前記データテーブルを記憶する記憶部と、 前記データテーブルの内、最大の第１カウントデータを有する処理室のテーブルに、第１搬送フラグデータを付与し、前記一つの格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、当該第１搬送フラグデータが付与された処理室の前記所定の順序における次の処理室から、前記所定の順序で搬送するよう前記搬送部を制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
2. 前記演算部は、前記処理室内に前記基板を有した状態で処理された際に、当該処理室に対応するデータテーブルの第２カウントデータをカウントし、 前記制御部は、前記データテーブルの内、最大の第２カウントデータに対応する処理室の次の処理室に第２搬送フラグデータを付与し、前記一つの格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を搬送する際に、当該複数の基板を、当該第２搬送フラグデータに基づいて前記所定の順序で搬送するよう構成される請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記記憶部は、前記処理室内各部の膜厚データが記録された膜厚テーブルが記録され、 前記制御部は、前記膜厚テーブルのデータに基づいて前記第１搬送フラグデータと前記第２搬送フラグデータのいずれかを選択する様に前記演算部を制御する請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記膜厚テーブルには、前記基板を支持する基板支持部の膜厚データを有し、 前記制御部は、前記基板支持部の膜厚データが第１の規定値を超えた場合に、前記第１搬送フラグデータを選択するように構成される請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記膜厚テーブルは、処理室壁面の膜厚データを有し、 前記制御部は、前記処理室壁面の膜厚データが第２の規定値を超えた場合に、前記第２搬送フラグデータを選択するように構成される請求項３に記載の基板処理装置。
6. 複数の基板が収容された複数の格納容器がロードポートに載置される工程と、
   前記複数の格納容器の内の一つの格納容器から前記基板を収容可能な複数の処理室それぞれに所定の順序で搬送する工程と、
   前記複数の処理室それぞれで、処理する工程と、
   前記処理する工程の内、前記基板が搬送されなかった処理室において、前記基板が無い状態で前記基板に対する処理と同じ処理を実行し、当該処理室に対応するデータテーブルの第１カウントデータをカウントする工程と、
   前記データテーブルを記憶する工程と、
   前記データテーブルの内、最大の第１カウントデータを有する処理室のテーブルに、第１搬送フラグデータを付与する工程と、
   前記一つの格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、前記第１搬送フラグデータが付与された処理室の前記所定の順序における次の処理室から、前記所定の順序で搬送させる工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
7. 前記処理室内に前記基板を有した状態で処理された際に、当該処理室に対応するデータテーブルの第２カウントデータをカウントし、 前記データテーブルの内、最大の第２カウントデータに対応する処理室の次の処理室に第２搬送フラグデータを付与する工程と、 前記格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、前記第２搬送フラグデータに基づいて、前記所定の順序で搬送させる工程と、
   を有する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 膜厚テーブルのデータに基づいて前記第１搬送フラグデータと前記第２搬送フラグデータのいずれかを選択する工程と、
   を有する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記膜厚テーブルは、前記基板を支持する基板支持部の膜厚データを有し、 前記基板支持部の膜厚データが第１の規定値を超えた場合に、前記第１搬送フラグデータを選択する工程と、
   を有する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記膜厚テーブルは、処理室壁面の膜厚データを有し、 前記処理室壁面の膜厚データが第２の規定値を超えた場合に、前記第２搬送フラグデータを選択する工程と、 を有する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
11. 複数の基板が収容された複数の格納容器がロードポートに載置される手順と、
    前記複数の格納容器の内の一つの格納容器から前記基板を収容可能な複数の処理室それぞれに所定の順序で搬送させる手順と、
    前記複数の処理室それぞれで、処理させる手順と、
    前記処理させる手順の内、前記基板が搬送されなかった処理室において、前記基板が無い状態で前記基板に対する処理と同じ処理を実行し、当該処理室に対応するデータテーブルの第１カウントデータをカウントさせる手順と、
    前記データテーブルを記憶させる手順と、
    前記データテーブルの内、最大の第１カウントデータを有する処理室のテーブルに、第１搬送フラグデータを付与させる手順と、
    前記一つの格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、前記第１搬送フラグデータが付与された処理室の前記所定の順序における次の処理室から、前記所定の順序で搬送させる手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが記録された記録媒体。
12. 前記処理室内に前記基板を有した状態で処理された際に、当該処理室に対応するデータテーブルの第２カウントデータをカウントし、 前記データテーブルの内、最大の第２カウントデータに対応する処理室の次の処理室に第２搬送フラグデータを付与させる手順と、
    前記格納容器の次の格納容器に格納された複数の基板を、前記第２搬送フラグデータに基づいて、前記所定の順序で搬送させる手順と、
    を有する請求項１１に記載の記録媒体。
13. 膜厚テーブルのデータに基づいて前記第１搬送フラグデータと前記第２搬送フラグデータのいずれかを選択させる手順と、
    を有する請求項１２に記載の記録媒体。
14. 前記膜厚テーブルは、前記基板を支持する基板支持部の膜厚データを有し、 前記基板支持部の膜厚データが第１の規定値を超えた場合に、前記第１搬送フラグデータを選択させる手順と、
    を有する請求項１３に記載の記録媒体。
15. 前記膜厚テーブルは、処理室壁面の膜厚データを有し、 前記処理室壁面の膜厚データが第２の規定値を超えた場合に、前記第２搬送フラグデータを選択させる手順と、
    を有する請求項１３に記載の記録媒体。