KR20190059969A - 반사 방지재 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 title claims description 58
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 130
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 130
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 124
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 133
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 133
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 121
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 abstract 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 148
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 107
- -1 posteriorite Chemical compound 0.000 description 90
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 64
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 59
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 56
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 55
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 44
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 42
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 39
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 37
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 30
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 26
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 26
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 26
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 23
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 22
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 20
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 19
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 15
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 14
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 14
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 13
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 13
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 13
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 13
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 10
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 10
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical group C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 8
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 8
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 8
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 8
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 7
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 5
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 5
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LDVVMCZRFWMZSG-OLQVQODUSA-N (3ar,7as)-2-(trichloromethylsulfanyl)-3a,4,7,7a-tetrahydroisoindole-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 LDVVMCZRFWMZSG-OLQVQODUSA-N 0.000 description 3
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007848 Bronsted acid Substances 0.000 description 3
- 239000005745 Captan Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N anhydrous trimellitic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229940117949 captan Drugs 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 150000008282 halocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 3
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- NJECQESCCSENHG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4-octamethyltetrasiletane Chemical compound C[Si]1(C)[Si](C)(C)[Si](C)(C)[Si]1(C)C NJECQESCCSENHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 3-[(e)-dodec-1-enyl]oxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCC\C=C\C1CC(=O)OC1=O WVRNUXJQQFPNMN-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- FKBMTBAXDISZGN-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C)CCC2C(=O)OC(=O)C12 FKBMTBAXDISZGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N Acetoacetic acid Natural products CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- AFUWHLXUBJOPNO-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCCCCCC[SiH3] Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC[SiH3] AFUWHLXUBJOPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020175 SiOH Inorganic materials 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N diafenthiuron Chemical compound CC(C)C1=C(NC(=S)NC(C)(C)C)C(C(C)C)=CC(OC=2C=CC=CC=2)=C1 WOWBFOBYOAGEEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 2
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical class CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 2
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 2
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- DQVXWCCLFKMJTQ-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenoxy)boronic acid Chemical compound CC1=CC=C(OB(O)O)C=C1 DQVXWCCLFKMJTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005654 1,2-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([*:2])C([H])([*:1])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005837 1,2-cyclopentylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([*:2])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005655 1,3-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([*:2])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005838 1,3-cyclopentylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:2])C([H])([H])C1([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXZUHDMMANYKMX-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-4-methylimidazole Chemical compound CCN1C=NC(C)=C1 JXZUHDMMANYKMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-O 1-methylimidazole Chemical compound CN1C=C[NH+]=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDRLAGOBLZATBG-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound C=CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 XDRLAGOBLZATBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trimethylbenzene-1,3-diamine Chemical compound CC1=CC(C)=C(N)C(C)=C1N ZVDSMYGTJDFNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLYCRLGLCUXUPO-UHFFFAOYSA-N 2,6-diaminotoluene Chemical compound CC1=C(N)C=CC=C1N RLYCRLGLCUXUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZPRASLJQIBVDP-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)cyclohexyl]propan-2-yl]cyclohexyl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1CC(OCC2OC2)CCC1C(C)(C)C(CC1)CCC1OCC1CO1 GZPRASLJQIBVDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-O 2-methyl-1h-imidazol-3-ium Chemical compound CC=1NC=C[NH+]=1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoylsilicon Chemical compound CC(=C)C([Si])=O ZPQAUEDTKNBRNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULIJRBCNZLHXKY-UHFFFAOYSA-N 3-[1,2,4-tris(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-3-yl)butan-2-yl]-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1(CC2C(CC1)O2)CCC(C1CC2C(CC1)O2)(C1CC2C(CC1)O2)CC1CC2C(CC1)O2 ULIJRBCNZLHXKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDNPPYMJRALIIH-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohex-3-ene-1,1,2,2-tetracarboxylic acid Chemical compound CC1=CCCC(C(O)=O)(C(O)=O)C1(C(O)=O)C(O)=O RDNPPYMJRALIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVMHLMJYHBAOPL-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propan-2-yl]-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2OC2CC1C(C)(C)C1CC2OC2CC1 HVMHLMJYHBAOPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXBYUPMEYVDXIQ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1CCCC2C(=O)OC(=O)C12 QXBYUPMEYVDXIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWMIDUUVMLBKQF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1CC=CC2C(=O)OC(=O)C12 LWMIDUUVMLBKQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWVLIBXYFCSTRR-UHFFFAOYSA-N 5-(4-methylpent-3-enyl)-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CC(CCC=C(C)C)CC2C(=O)OC(=O)C12 MWVLIBXYFCSTRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDBDDNFATWXGQZ-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C)CC2C(=O)OC(=O)C12 JDBDDNFATWXGQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3-(2-methyloxiran-2-yl)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CC2(C)OC2CC1C1(C)CO1 RBHIUNHSNSQJNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CC2OC2CC1 YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 7a-methyl-4,5-dihydro-3ah-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CCCC2C(=O)OC(=O)C21C CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHPDHPVABNURBO-UHFFFAOYSA-N C(C)C1(N=CC=N1)CCCCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound C(C)C1(N=CC=N1)CCCCCCCCCCCCCCCCC FHPDHPVABNURBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGNNQAPRMKLEGS-UHFFFAOYSA-N C(C1CO1)OC1C(CCCC1)C(C1CC(C(C(C1)C)OCC1CO1)C)C1CC(C(C(C1)C)OCC1CO1)C Chemical compound C(C1CO1)OC1C(CCCC1)C(C1CC(C(C(C1)C)OCC1CO1)C)C1CC(C(C(C1)C)OCC1CO1)C QGNNQAPRMKLEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100186820 Drosophila melanogaster sicily gene Proteins 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000181980 Fraxinus excelsior Species 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical group C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylcyclohexylamine Chemical compound CN(C)C1CCCCC1 SVYKKECYCPFKGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIEXFJVOIMVETD-UHFFFAOYSA-N P([O-])([O-])[O-].[Pt+3] Chemical compound P([O-])([O-])[O-].[Pt+3] UIEXFJVOIMVETD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical group C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N Thiane Chemical group C1CCSCC1 YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O Chemical group [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 125000005410 aryl sulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboxylic acid Chemical compound C1C2C=CC1C(C(=O)O)C2C(O)=O NIDNOXCRFUCAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- LZDHIQDKAYUDND-UHFFFAOYSA-N biphenylene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=C(N)C(N)=CC=C3C2=C1 LZDHIQDKAYUDND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane;platinum Chemical class [Pt].C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000005569 butenylene group Chemical group 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012663 cationic photopolymerization Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- VZWXIQHBIQLMPN-UHFFFAOYSA-N chromane Chemical group C1=CC=C2CCCOC2=C1 VZWXIQHBIQLMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 125000001316 cycloalkyl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVKNGPAMCBSNSO-UHFFFAOYSA-N cyclohexylmethanamine Chemical compound NCC1CCCCC1 AVKNGPAMCBSNSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEIQPMUPONZJJH-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethanediamine Chemical compound C1CCCCC1C(N)(N)C1CCCCC1 KEIQPMUPONZJJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical group N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N isochromane Chemical group C1=CC=C2COCCC2=C1 HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical group [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- PKELYQZIUROQSI-UHFFFAOYSA-N phosphane;platinum Chemical compound P.[Pt] PKELYQZIUROQSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000006410 propenylene group Chemical group 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical group COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N sbb061129 Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1C=C(C)C2C1 JIYNFFGKZCOPKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical class O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N triphenylsilanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(O)C1=CC=CC=C1 NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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Abstract
본 발명은, 충분한 반사 방지 기능을 가지면서, 광원의 전광속 저하를 방지할 수 있고, 높은 내열성(특히, 내열수성)을 갖는 반사 방지재, 및 당해 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반사 방지재로서, 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지재, 및 당해 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제공한다.
본 발명은, 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반사 방지재로서, 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지재, 및 당해 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 반사 방지재에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 당해 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 반사 방지재의 제조에 적합한 수지 조성물, 및 당해 수지 조성물을 사용한 반사 방지재의 제조 방법에 관한 것이다. 본원은 2016년 10월 11일에 일본에 출원한, 일본 특허 출원 제2016-200397호의 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
근년, 각종 옥내 또는 옥외 표시판, 교통 신호, 대형 디스플레이용 유닛 등에 있어서는, 광반도체 소자(LED 소자)를 광원으로 하는 발광 장치(광반도체 장치)의 채용이 진행되고 있다. 이러한 광반도체 장치로서는, 일반적으로 기판(광반도체 소자 탑재용 기판) 상에 광반도체 소자가 탑재되고, 또한 해당 광반도체 소자가 투명한 밀봉재에 의해 밀봉된 광반도체 장치가 보급되어 있다. 이러한 광반도체 장치에 있어서의 밀봉재에는, 외부로부터의 조명광이나 태양광 등의 입사광이 전반사되는 것에 의한 시인성의 저하를 방지하기 위해 그 표면에 반사 방지 처리가 실시되어 있다.
종래, 수지층의 표면에 반사 방지 기능을 부여하는 방법으로서는, 수지에 글래스 비즈, 실리카 등의 무기 필러를 분산시킴으로써 입사광을 산란시키는 방법이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그러나, 특허문헌 1의 방법을 광반도체 밀봉용 수지에 적용한 경우에는, 충분한 반사 방지 기능을 부여하면서, 광원의 전광속을 확보하는 것이 곤란한 것이 판명되었다. 즉, 충분한 반사 방지 기능을 얻기 위해 필요 충분한 양의 무기 필러를 배합한 경우에는 광원의 전광속이 대폭 저하되는 한편, 광원의 전광속 저하를 방지하기 위해 무기 필러의 배합량을 적게 한 경우에는 충분한 반사 방지능이 얻어지지 않는다는 트레이드 오프의 관계에 있는 것이 명백해졌다.
또한, 근년 광반도체 장치의 고출력화가 진행되고 있으며, 이러한 광반도체 장치에 있어서의 밀봉재에는, 높은 내열성(특히, 내열수성. 이하, 간단히 「내열성」이라고 할 때는, 「내열수성」도 포함되는 것으로 함) 등의 내구성도 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 충분한 반사 방지 기능을 가지면서, 광원의 전광속 저하를 방지할 수 있고, 높은 내열성, 특히 내열수성을 갖는 반사 방지재를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 광반도체 밀봉용인 상기 반사 방지재를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 반사 방지재의 제조에 적합한 수지 조성물, 및 당해 수지 조성물을 사용한 상기 반사 방지재의 제조 방법을 제공하는 것이다.
무기 필러의 배합량을 적게 한 경우에 충분한 반사 방지능이 얻어지지 않는 원인의 하나로서, 무기 필러의 침강에 의해 수지층 전체에 널리 퍼지지 않아, 그 결과, 그 표면 전체에 균일한 요철이 형성되지 않기 때문에 입사광이 효율적으로 산란되지 않는 한편, 무기 필러가 침강되어도 수지층 표면 전체에 반사 방지능이 얻어지도록 배합량을 증가시켰을 경우에는, 무기 필러 자체가 광을 흡수하여 전광속이 대폭 저하된다는 것을 본 발명자는 밝혀내었다.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 반사 방지재를 구성하는 수지층 중의 필러로서 소수성 다공질 무기 필러를 배합한 바, 소량의 첨가에도 충분한 반사 방지 기능이 부여되고, 더욱 높은 내열성도 갖는 것을 알아내었다. 이에 의해, 광원의 전광속을 대폭 저하시키지 않고 충분한 반사 방지 기능과 우수한 내열성을 겸비한 반사 방지재가 제공되고, 광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료로서 매우 적합한 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반사 방지재로서, 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지재를 제공한다.
상기 반사 방지재에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러는, 바람직하게는 상기 경화물 전체에 걸쳐 균일하게 분산되어 있으며, 표면에 반사를 억제하는 요철을 형성하고 있다.
상기 반사 방지재에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러는, 다공질 무기 필러의 표면이 소수성 처리된 것이며, 소수성 처리 전의 다공질 무기 필러의 비표면적이 200m2/g 이상이어도 된다.
상기 반사 방지재에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러의 평균 입자 직경은 1㎛ 내지 20㎛여도 된다.
상기 반사 방지재에 있어서, 반사 방지재 전체량(100중량％)에 대한 상기 소수성 다공질 무기 필러의 함유량은 4 내지 40중량％여도 된다.
상기 반사 방지재에 있어서, 상기 수지 조성물은 투명한 경화성 수지 조성물을 포함하는 것이어도 된다.
상기 반사 방지재에 있어서, 상기 경화성 수지 조성물은 에폭시 수지를 포함하는 조성물을 포함하는 것이어도 된다.
상기 반사 방지재는 광반도체 밀봉용이어도 된다.
또한, 본 발명은, 상기 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 반사 방지재의 제조를 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물을 제공한다.
상기 수지 조성물은 액상이어도 된다.
상기 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대한 경화 중에 휘발되는 성분의 양은, 10중량％ 이하여도 된다.
또한, 본 발명은, 상기 수지 조성물을 경화시키는 것을 특징으로 하는, 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 반사 방지재의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 반사 방지재는 상기 구성을 갖기 때문에, 소수성 다공질 무기 필러의 배합량을 적게 한 경우에도 충분한 반사 방지 기능이 얻어지고, 또한 광원의 전광속의 대폭적인 저하를 방지할 수 있음과 함께 우수한 내열성, 특히 내열수성도 갖는다. 따라서, 본 발명의 반사 방지재를 광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료로서 사용함으로써, 고품질의 (예를 들어, 광택을 억제하면서 밝기도 충분하며, 높은 내구성을 갖는) 광반도체 장치가 얻어진다.
또한, 본 발명의 수지 조성물은 상기 구성을 갖기 때문에, 상기 반사 방지재를 제조하기 위해서 매우 적합하다.
도 1은, 본 발명의 반사 방지재를 포함하는 광반도체 장치의 일 실시 형태를 나타내는 개략도이다. 좌측의 도 (a)는 사시도이며, 우측의 도 (b)는 단면도이다.
<반사 방지재 및 수지 조성물>
본 발명의 반사 방지재는, 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물로 구성되고, 당해 소수성 다공질 무기 필러가 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 수지 조성물은, 소수성 다공질 무기 필러가 분산되어 있는 것을 특징으로 하고, 상기 반사 방지재를 제조하기 위해 사용되는 것이다.
소수성 다공질 무기 필러의 다공질 구조에 의해, 다공질이 아닌 필러와 비교하여, 수지 조성물에 대한 겉보기 상의 체적이 증가하기 때문에, 소량의 첨가에도 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼지게 하여, 균일하게 분산시킬 수 있어, 경화물의 표면에 균일하며 미세한 요철을 형성할 수 있다. 또한, 다공질 구조에 수지 조성물이 스며들어, 소수성 다공질 무기 필러와 수지 조성물의 겉보기 상의 비중차가 저하됨으로써, 분산 상태가 안정됨과 함께, 소수성 다공질 무기 필러의 표면끼리의 상호 작용이 억제되어 응집하기 어려워져, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 균일하게 널리 퍼질 수 있으므로, 균일하며 미세한 요철을 경화물의 표면에 형성하여 효율적으로 입사광을 산란시킬 수 있다.
또한, 소수성 다공질 무기 필러는 그 표면이 소수성을 나타내기 때문에, 이것을 포함하는 경화물은 자비수(煮沸水) 등의 가혹한 가열 조건에서도 열화되기 어려운 높은 내열성을 나타내고, 내구성이 우수하다.
또한, 본 명세서에 있어서, 소수성 다공질 무기 필러의 첨가량(사용량)이 소량(적음)이란, 중량 환산으로 적은 것을 의미하고, 용량(체적) 환산으로 적은 것을 의미하는 것은 아니다.
소수성 다공질 무기 필러를 사용한 경우에는, 다공질이 아닌 필러와 비교하여, 사용량을 적게 해도 반사를 효율적으로 억제할 수 있으므로, 소수성 다공질 무기 필러 자체의 광선 흡수에 의한 전광속의 대폭적인 저하를 억제하면서, 충분한 반사 방지 기능을 담보할 수 있다.
이하, 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.
[소수성 다공질 무기 필러]
본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 있어서의 소수성 다공질 무기 필러는, 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어 있으며, 분산 상태가 안정된 결과, 경화물의 표면에 존재하는 소수성 다공질 무기 필러가 입사광을 산란시키기 위한 요철을 형성하는 작용을 갖는다.
본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 사용할 수 있는 소수성 다공질 무기 필러란, 필러의 진비중에 비해 겉보기 비중이 작고, 그 내부에 다공질 구조를 갖는 무기 필러이며, 그 표면이 소수성 처리되어 있는 것을 의미한다.
소수성 다공질 무기 필러를 구성하는 다공질 무기 필러(표면이 소수성 처리되기 전의 다공질 무기 필러)로서는, 공지 내지 관용의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 무기 유리[예를 들어, 붕규산 유리, 붕규산소다 유리, 규산소다 유리, 알루미늄규산 유리, 석영 등], 실리카, 알루미나, 지르콘 산화철, 산화아연, 산화지르코늄, 산화마그네슘, 산화티타늄, 산화알루미늄, 포스테라이트, 스테아타이트, 스피넬, 클레이, 카올린, 돌로마이트, 히드록시아파타이트, 네페린사이나이트, 크리스토발라이트, 월라스토나이트, 규조토, 탈크 등의 분체이며 다공질 구조를 갖는 것, 또는 이들의 성형체(예를 들어, 구형화한 비즈 등) 등을 들 수 있다.
소수성 다공질 무기 필러는, 상술한 소수화 처리 전의 다공질 무기 필러에 공지 내지 관용의 소수성 표면 처리제[예를 들어, 금속 산화물, 실란 커플링제, 티타늄 커플링제, 유기산, 폴리올, 유기 규소 화합물 등의 소수성 표면 처리제 등]에 의한 표면 처리가 실시된 것이다. 이러한 소수성 표면 처리를 실시함으로써, 수지 조성물의 성분과의 상용성이나 분산성이 향상됨과 함께, 경화물의 내열성을 향상시킬 수 있다.
수지 조성물의 성분과의 상용성이나 분산성이 향상됨과 함께, 경화물의 내열성을 향상시킨다는 관점으로부터, 소수성 표면 처리제로서는, 유기 규소 화합물(예를 들어, 트리메틸클로로실란, 헥사메틸디실록산, 디메틸디클로로실란, 옥타메틸시클로테트라실란, 폴리디메틸실록산, 헥사데실실란, 메타크릴실란, 실리콘 오일 등)이 바람직하고, 폴리디메틸실록산 등이 보다 바람직하다.
그 중에서도, 소수성 다공질 무기 필러로서는, 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 요철을 효율적으로 형성할 수 있음과 함께 우수한 내열성을 나타낸다는 관점에서, 소수성 다공질 무기 유리 또는 소수성 다공질 실리카(소수성 다공질 실리카 필러)가 바람직하다.
소수성 다공질 실리카로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 용융 실리카, 결정 실리카, 고순도 합성 실리카, 콜로이드상 실리카 등의 공지 내지 관용의 다공질 실리카가 상기 소수성 표면 처리제로 처리된 것을 사용할 수 있다.
또한, 소수성 다공질 무기 필러로서는, 상기 소수성 다공질 무기 필러를 구성하는 무기물과, 스티렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 아크릴-스티렌계 수지, 염화비닐계 수지, 염화비닐리덴계 수지, 아미드계 수지, 우레탄계 수지, 페놀계 수지, 스티렌-공액 디엔계 수지, 아크릴-공액 디엔계 수지, 올레핀계 수지, 셀룰로오스 수지 등의 폴리머 등의 유기물의 하이브리드 재료에 의해 구성된 소수성 다공질 무기-유기 필러 등도 사용할 수 있다.
상기 소수성 다공질 무기 필러는 단일 재료로 구성된 것이어도 되고, 2종 이상의 재료로 구성된 것이어도 된다. 그 중에서도 소수성 다공질 무기 필러로서는, 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 요철을 효율적으로 형성할 수 있고, 높은 내열성을 갖는 관점, 및 입수성이나 제조의 용이성의 관점에서, 소수성 다공질 실리카(소수성 다공질 실리카 필러)가 보다 바람직하다.
소수성 다공질 무기 필러의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 분체, 구상, 파쇄상, 섬유상, 바늘 형상, 인편상 등을 들 수 있다. 그 중에서도 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 균일하며 미세한 요철 형상을 형성하기 쉬워진다는 관점에서, 구상 또는 파쇄상의 소수성 다공질 무기 필러가 바람직하다.
소수성 다공질 무기 필러의 평균 입자 직경(중심 입경)은 특별히 한정되지 않지만, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 균일하며 미세한 요철 형상을 형성하기 쉬워진다는 관점에서, 1 내지 20㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 15㎛이다. 또한, 상기 평균 입자 직경(중심 입경)은, 레이저 회절·산란법으로 측정한 입도 분포에 있어서의 적산값 50％에서의 체적 입경(메디안 체적 직경)을 의미한다.
소수성 다공질 무기 필러 다공질 구조는, 비표면적, 흡유량 등의 각종 파라미터에 의해 특정할 수 있고, 각각 본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 적합한 파라미터를 갖는 그레이드의 소수성 다공질 무기 필러를, 특별히 제한없이 선택할 수 있다. 또한, 상기 파라미터는 소수성 처리되기 전의 다공질 무기 필러의 파라미터로 평가할 수도 있다.
소수성 다공질 무기 필러를 구성하는 다공질 무기 필러(표면이 소수성 처리되기 전의 다공질 무기 필러)의 비표면적은, 특별히 한정되지 않지만, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 균일하며 미세한 요철 형상을 형성하기 쉽게 하고, 반사를 효율적으로 방지한다는 관점에서, 200m2/g 이상이 바람직하고, 200 내지 2000m2/g이 보다 바람직하고, 200 내지 1500m2/g이 더욱 바람직하고, 특히 바람직하게는 200 내지 1000m2/g이다. 비표면적이 200m2/g 이상이면, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면 반사 방지 기능이 향상되는 경향이 있다. 한편, 비표면적이 2000m2/g 이하임으로써, 소수성 다공질 무기 필러를 포함하는 수지 조성물의 점도 상승이나 틱소트로피성이 억제되어, 반사 방지재를 제조할 때의 유동성이 담보되는 경향이 있다. 또한, 상기 비표면적은, 표면이 소수성 처리되기 전의 다공질 무기 필러에 대하여, JIS K6430 부속서 E에 준거하여, -196℃에 있어서의 질소의 흡착 등온선으로부터 BET식에 기초하여 구해지는 질소 흡착 비표면적을 의미한다.
소수성 다공질 무기 필러의 흡유량은 특별히 한정되지 않지만, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 균일하며 미세한 요철 형상을 형성하기 쉽게 하고, 반사를 효율적으로 방지한다는 관점에서, 10 내지 2000mL/100g이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 내지 1000mL/100g이다. 흡유량이 10mL/100g 이상이면, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어, 경화물의 표면에 요철 형상을 형성하기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, 흡유량이 2000mL/100g 이하임으로써, 소수성 다공질 무기 필러의 기계적 강도가 향상되는 경향이 있다. 또한, 소수성 다공질 무기 필러의 급유량은, 필러 100g이 흡수하는 기름의 양이며, JIS K5101에 준거하여 측정할 수 있다.
본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 있어서 소수성 다공질 무기 필러는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 소수성 다공질 무기 필러는 공지 내지 관용의 제조 방법에 의해 제조할 수도 있고, 예를 들어 상품명 「사일로포빅 702」, 「사일로포빅 4004」, 「사일로포빅 505」, 「사일로포빅 100」, 「사일로포빅 200」, 「사일로포빅 704」, 「사일로포빅 507」, 「사일로포빅 603)」 등의 사일로포빅 시리즈(이상, 후지 시리시아 가가꾸(주)제), 상품명 「에어로질 RX200」, 「에어로질 RX300」 등의 에아로질 시리즈(이상, 에보닉 데구사사제), 상품명 「산스페아 H-121-ET」, 「산스페아 H-51-ET」 등의 산스페아 ET 시리즈(이상, AGC 에스아이텍사제) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.
본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 있어서의 소수성 다공질 무기 필러의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 반사 방지재 또는 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 바람직하게는 4 내지 40중량％이며, 보다 바람직하게는 4 내지 35중량％, 더욱 바람직하게는 4 내지 30중량％이다. 소수성 다공질 무기 필러의 함유량이 4중량％ 이상임으로써, 소수성 다공질 무기 필러가 수지 조성물 또는 그 반사 방지재를 구성하는 경화물 전체에 널리 퍼지기 균일하게 분산되어, 경화물의 표면 전체에 균일한 요철 형상을 형성하기 쉬워진다. 한편, 소수성 다공질 무기 필러의 함유량이 40중량％ 이하임으로써, 본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물을, 예를 들어 광반도체 장치용 밀봉재로서 사용한 경우에 전광속의 현저한 저하를 방지하여 충분한 조도를 확보할 수 있는 경향이 있다.
본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물에 있어서의 소수성 다공질 무기 필러의 함유량(배합량)은, 반사 방지재를 구성하는 수지 조성물(100중량부)에 대하여, 통상 5 내지 80중량부이며, 바람직하게는 5 내지 70중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 60중량부이다. 소수성 다공질 무기 필러의 함유량이 5중량부 이상임으로써, 소수성 다공질 무기 필러가 반사 방지재를 구성하는 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼지기 균일하게 분산되어, 경화물의 표면 전체에 균일한 요철 형상을 형성하기 쉬워진다. 한편, 소수성 다공질 무기 필러의 함유량이 80중량부 이하임으로써, 본 발명의 반사 방지재 또는 수지 조성물을, 예를 들어 광반도체 장치용 밀봉재로서 사용한 경우에 전광속의 현저한 저하를 방지하여 충분한 조도를 확보할 수 있는 경향이 있다.
[수지 조성물]
본 발명의 반사 방지재에 있어서의 경화물을 구성하는 수지 조성물은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자의 밀봉재, 즉, 광반도체 밀봉용 수지 조성물로서 적합한 것이 바람직하게 사용 가능하며, 예를 들어 열 또는 광에 의해 경화되어, 높은 투명성을 가지고, 내구성(예를 들어, 가열에 의해서도 투명성이 저하되기 어려운 특성, 고온의 열이나 열충격이 가해져도 크랙이나 피착체로부터의 박리가 발생하기 어려운 특성 등)도 우수한 경화물을 부여하는 경화성 수지 조성물을 적합하게 사용할 수 있다.
이러한 경화성 수지 조성물로서는, 열경화성 또는 광경화성을 갖는 공지 내지 관용의 수지 조성물을 특별히 한정없이 사용할 수 있고, 예를 들어 에폭시 수지(에폭시 화합물)(「에폭시 수지 (A)」라고 칭함), 실리콘 수지(실리콘 화합물)(「실리콘 수지 (B)」라고 칭함) 및 아크릴 수지(아크릴 화합물)(「아크릴 수지 (C)」라고 칭함)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 경화성 화합물을 포함하는 조성물인 것이 바람직하다. 이러한 경화성 수지 조성물로서는, 예를 들어 에폭시 수지 (A)를 포함하는 조성물(경화성 에폭시 수지 조성물), 실리콘 수지 (B)를 포함하는 조성물(경화성 실리콘 수지 조성물), 아크릴 수지 (C)를 포함하는 조성물(경화성 아크릴 수지 조성물)을 들 수 있다. 이하, 이들 양태의 경화성 수지 조성물에 대하여 설명한다. 단, 본 발명의 경화성 수지 조성물은 이하의 양태의 조성물에 한정되지는 않는다.
또한, 본 발명의 반사 방지재는, 광반도체 밀봉용 수지 조성물의 용도에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 후술하는 각종 광학 부재 등에도 적용 가능하며, 각각의 용도에 적합한 수지(예를 들어, 폴리올레핀 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지 등)에도 적용 가능하다.
본 발명의 반사 방지재에 있어서의 경화물을 구성하는 수지 조성물로서는, 내열성, 투명성, 내구성 등이 우수한 경화성 에폭시 수지 조성물, 경화성 실리콘 수지 조성물, 경화성 아크릴 수지 조성물이 바람직하고, 경화성 에폭시 수지 조성물이 보다 바람직하다.
1. 경화성 에폭시 수지 조성물
상기 경화성 에폭시 수지 조성물(「본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물」이라 칭하는 경우가 있음)은, 에폭시 수지 (A)를 필수 성분으로서 포함하는 경화성 조성물이다. 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 추가로 경화제 (D) 및 경화 촉진제 (E), 또는 경화 촉매 (F)를 필수 성분으로서 포함한다. 즉, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 (A)와 경화제 (D)와 경화 촉진제 (E)를 필수 성분으로서 포함하는 조성물, 또는 에폭시 수지 (A)와 경화 촉매 (F)를 필수 성분으로서 포함하는 조성물이다. 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 상술한 필수 성분 이외의 기타 성분을 포함하고 있어도 된다.
1-1. 에폭시 수지 (A)
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지 (A)는, 분자 내에 1개 이상의 에폭시기(옥시란환)를 갖는 화합물이며, 공지 내지 관용의 에폭시 화합물로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 에폭시 수지 (A)로서는, 예를 들어 방향족 에폭시 화합물(방향족 에폭시 수지), 지방족 에폭시 화합물(지방족 에폭시 수지), 지환식 에폭시 화합물(지환식 에폭시 수지), 복소환식 에폭시 화합물(복소환식 에폭시 수지), 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 실록산 유도체 등을 들 수 있다.
상기 방향족 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 방향족 글리시딜에테르계 에폭시 수지[예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지(예를 들어, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 크레졸노볼락형 에폭시 수지) 등, 나프탈렌형 에폭시 수지, 트리스페놀메탄으로부터 얻어지는 에폭시 수지 등] 등을 들 수 있다.
상기 지방족 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 지방족 글리시딜에테르계 에폭시 화합물[예를 들어, 지방족 폴리글리시딜에테르 등] 등을 들 수 있다.
상기 지환식 에폭시 화합물은, 분자 내에 1개 이상의 지환(지방족 탄화수소환)과 1개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이다(단, 상술한 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 실록산 유도체는 제외됨). 지환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 (i) 분자 내에 지환 에폭시기(지환을 구성하는 인접하는 2개의 탄소 원자와 산소 원자로 구성되는 에폭시기)를 적어도 1개(바람직하게는 2개 이상) 갖는 화합물; (ii) 지환에 직접 단결합으로 결합한 에폭시기를 갖는 화합물; (iii) 지환과 글리시딜기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
상술한 (i) 분자 내에 지환 에폭시기를 적어도 1개 갖는 화합물이 갖는 지환 에폭시기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 그 중에서도 경화성의 관점에서, 시클로헥센옥시드기(시클로헥산환을 구성하는 인접하는 2개의 탄소 원자와 산소 원자로 구성되는 에폭시기)가 바람직하다. 특히 (i) 분자 내에 지환 에폭시기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는, 경화물의 투명성, 내열성의 관점에서, 분자 내에 2개 이상의 시클로헥센옥시드기를 갖는 화합물이 바람직하고, 보다 바람직하게는 하기 식 (1)로 표시되는 화합물이다.
식 (1) 중, X는 단결합 또는 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)를 나타낸다. 상기 연결기로서는, 예를 들어 2가의 탄화수소기, 탄소-탄소 이중 결합의 일부 또는 전부가 에폭시화된 알케닐렌기, 카르보닐기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보네이트기, 아미드기, 이들이 복수개 연결된 기 등을 들 수 있다. 또한, 식 (1)에 있어서의 지환(지환식 에폭시기)를 구성하는 탄소 원자의 1 이상에는, 알킬기 등의 치환기가 결합되어 있어도 된다.
식 (1) 중의 X가 단결합인 화합물로서는, (3,4,3',4'-디에폭시)비시클로헥실을 들 수 있다.
상기 2가의 탄화수소기로서는, 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬렌기, 2가의 지환식 탄화수소기 등을 들 수 있다. 탄소수가 1 내지 18인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬렌기로서는, 예를 들어 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기 등을 들 수 있다. 상기 2가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들어 1,2-시클로펜틸렌기, 1,3-시클로펜틸렌기, 시클로펜틸리덴기, 1,2-시클로헥실렌기, 1,3-시클로헥실렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 시클로헥실리덴기 등의 2가의 시클로알킬렌기(시클로알킬리덴기를 포함함) 등을 들 수 있다.
상기 탄소-탄소 이중 결합의 일부 또는 전부가 에폭시화된 알케닐렌기(「에폭시화알케닐렌기」라고 칭하는 경우가 있음)에 있어서의 알케닐렌기로서는, 예를 들어 비닐렌기, 프로페닐렌기, 1-부테닐렌기, 2-부테닐렌기, 부타디에닐렌기, 펜테닐렌기, 헥세닐렌기, 헵테닐렌기, 옥테닐렌기 등의 탄소수 2 내지 8의 직쇄 또는 분지쇄상의 알케닐렌기(알카폴리에닐렌기도 포함됨) 등을 들 수 있다. 특히 상기 에폭시화알케닐렌기로서는, 탄소-탄소 이중 결합의 전부가 에폭시화된 알케닐렌기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소-탄소 이중 결합의 전부가 에폭시화된 탄소수 2 내지 4의 알케닐렌기이다.
상기 연결기 X로서는, 특히 산소 원자를 함유하는 연결기가 바람직하고, 구체적으로는, -CO-, -O-CO-O-, -COO-, -O-, -CONH-, 에폭시화알케닐렌기; 이들 기가 복수개 연결된 기; 이들 기의 1 또는 2 이상과 2가의 탄화수소기 1 또는 2 이상이 연결된 기 등을 들 수 있다. 2가의 탄화수소기로서는 상기에서 예시한 것을 들 수 있다.
상기 식 (1)로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서는, 2,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)프로판, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)에테르, 1,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)에탄, 1,2-에폭시-1,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)에탄, 하기 식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 하기 식 (1-5), (1-7) 중의 l, m은 각각 1 내지 30의 정수를 나타낸다. 하기 식 (1-5) 중의 R은 탄소수 1 내지 8의 알킬렌기이며, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 이소부틸렌기, s-부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기 등의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬렌기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기 등의 탄소수 1 내지 3의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬렌기가 바람직하다. 하기 식 (1-9), (1-10) 중의 n1 내지 n6은 각각 1 내지 30의 정수를 나타낸다.
상술한 (ii) 지환에 직접 단결합으로 결합한 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 하기 식 (2)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.
식 (2) 중, R'는 구조식 상, p가의 알코올로부터 p개의 수산기(-OH)를 제외한 기(p가의 유기기)이며, p, q는 각각 자연수를 나타낸다. p가의 알코올 [R'(OH)p]로서는, 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올 등의 다가 알코올(탄소수 1 내지 15의 알코올 등) 등을 들 수 있다. p는 1 내지 6이 바람직하고, q는 1 내지 30이 바람직하다. p가 2 이상인 경우, 각각의 ( ) 내(외측의 괄호 내)의 기에 있어서의 q는 동일해도 되고 상이해도 된다. 상기 식 (2)로 표시되는 화합물로서는, 구체적으로는 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물[예를 들어, 상품명 「EHPE3150」((주)다이셀제) 등] 등을 들 수 있다.
상술한 (iii) 지환과 글리시딜기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 2,2-비스[4-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]프로판, 2,2-비스[3,5-디메틸-4-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]프로판, 비스페놀 A형 에폭시 수지를 수소화한 것(수소 첨가 비스페놀 A형 에폭시 수지) 등; 비스[2-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]메탄, [2-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실][4-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]메탄, 비스[4-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]메탄, 비스[3,5-디메틸-4-(2,3-에폭시프로폭시)시클로헥실]메탄, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 수소화한 것(수소 첨가 비스페놀 F형 에폭시 수지) 등; 수소 첨가 비페놀형 에폭시 수지; 수소 첨가 노볼락형 에폭시 수지(예를 들어, 수소 첨가 페놀노볼락형 에폭시 수지, 수소 첨가 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A의 수소 첨가 크레졸노볼락형 에폭시 수지 등); 수소 첨가 나프탈렌형 에폭시 수지; 트리스페놀메탄으로부터 얻어지는 에폭시 수지의 수소 첨가 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
상기 지환식 에폭시 화합물로서는, 그 밖에 예를 들어 1,2,8,9-디에폭시리모넨 등을 들 수 있다.
상기 복소환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 분자 내에 에폭시기(옥시란환) 이외의 복소환[예를 들어, 테트라히드로푸란환, 테트라히드로피란환, 모르폴린환, 크로만환, 이소크로만환, 테트라히드로티오펜환, 테트라히드로티오피란환, 아지리딘환, 피롤리딘환, 피페리딘환, 피페라진환, 인돌린환, 2,6-디옥사비시클로[3.3.0]옥탄환, 1,3,5-트리아자시클로헥산환, 1,3,5-트리아자시클로헥사-2,4,6-트리온환(이소시아누르환) 등의 비방향족성 복소환; 티오펜환, 피롤환, 푸란환, 피리딘환 등의 방향족성 복소환 등]과, 에폭시기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
상기 복소환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖는 이소시아누레이트(이하, 「에폭시기 함유 이소시아누레이트」라 칭하는 경우가 있음)를 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 에폭시기 함유 이소시아누레이트가 분자 내에 갖는 에폭시기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 1 내지 6개가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 3개이다.
상기 에폭시기 함유 이소시아누레이트로서는, 예를 들어 하기 식 (3)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
식 (3) 중, RX, RY 및 RZ(RX 내지 RZ)는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. 단, RX 내지 RZ의 적어도 1개는, 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기이다. 상기 1가의 유기기로서는, 예를 들어 1가의 지방족 탄화수소기(예를 들어, 알킬기, 알케닐기 등); 1가의 방향족 탄화수소기(예를 들어, 아릴기 등); 1가의 복소환식기; 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 및 방향족 탄화수소기의 2 이상이 결합하여 형성된 1가의 기 등을 들 수 있다. 또한, 1가의 유기기는 치환기(예를 들어, 히드록시기, 카르복시기, 할로겐 원자 등의 치환기)를 갖고 있어도 된다. 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기로서는, 예를 들어 에폭시기, 글리시딜기, 2-메틸에폭시프로필기, 시클로헥센옥시드기 등의 후술하는 에폭시기를 함유하는 1가의 기 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 에폭시기 함유 이소시아누레이트로서는, 하기 식 (3-1)로 표시되는 화합물, 하기 식 (3-2)로 표시되는 화합물, 하기 식 (3-3)으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.
상기 식 (3-1), 식 (3-2) 및 식 (3-3)(식 (3-1) 내지 3-3)) 중, R1, R2는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다. 그 중에서도 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 등의 탄소수 1 내지 3의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기가 바람직하다. 상기 식 (3-1) 내지 (3-3) 중의 R1 및 R2는 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.
상기 식 (3-1)로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서는, 모노아릴디글리시딜이소시아누레이트, 1-알릴-3,5-비스(2-메틸에폭시프로필)이소시아누레이트, 1-(2-메틸프로페닐)-3,5-디글리시딜이소시아누레이트, 1-(2-메틸프로페닐)-3,5-비스(2-메틸에폭시프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
상기 식 (3-2)로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서는, 디아릴모노글리시딜이소시아누레이트, 1,3-디알릴-5-(2-메틸에폭시프로필)이소시아누레이트, 1,3-비스(2-메틸프로페닐)-5-글리시딜이소시아누레이트, 1,3-비스(2-메틸프로페닐)-5-(2-메틸에폭시프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
상기 식 (3-3)으로 표시되는 화합물의 대표적인 예로서는, 트리글리시딜이소시아누레이트, 트리스(2-메틸에폭시프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
또한, 상기 에폭시기 함유 이소시아누레이트는, 알코올이나 산무수물 등의 에폭시기와 반응하는 화합물을 첨가하여 미리 변성시켜 사용할 수도 있다.
상술한 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 실록산 유도체(「에폭시기 함유 실록산 유도체」라고 칭하는 경우가 있음)로서는, 분자 내에 실록산 결합(Si-O-Si)에 의해 구성된 실록산 골격을 가지고, 에폭시기를 1개 이상 갖는 화합물이다. 상기 실록산 골격으로서는, 예를 들어 환상 실록산 골격; 직쇄 또는 분지쇄상의 실리콘(직쇄 또는 분지쇄상 폴리실록산)이나, 바구니형이나 래더형의 폴리실세스퀴옥산 등의 폴리실록산 골격 등을 들 수 있다. 상기 에폭시기 함유 실록산 유도체가 분자 내에 갖는 에폭시기의 수는, 특별히 한정되지 않지만, 2 내지 4개가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3개 또는 4개이다.
상기 에폭시기 함유 실록산 유도체가 갖는 에폭시기는, 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물을 효율적으로 경화시킬 수 있고, 보다 강도가 우수한 경화물이 얻어지는 점에서, 적어도 1개가 지환 에폭시기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 에폭시기의 적어도 1개가 시클로헥센옥시드기인 것이 특히 바람직하다.
상기 에폭시기 함유 실록산 유도체로서는, 예를 들어 하기 식 (4)로 표시되는 화합물(환상 실록산)을 들 수 있다.
상기 식 (4) 중, R3은 동일하거나 또는 상이하고, 알킬기, 또는 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기를 나타낸다. 단, 식 (4)로 표시되는 화합물에 있어서의 R3 중 적어도 1개(바람직하게는 적어도 2개)는, 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기(특히, 지환 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기)이다. 또한, 식 (4) 중의 p는 3 이상의 정수(바람직하게는 3 내지 6의 정수)를 나타낸다. 또한, 복수의 R3은 동일해도 되고, 상이해도 된다.
상기 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기로서는, 예를 들어 에폭시기, 글리시딜기, 메틸글리시딜기, -A-R4로 표시되는 기[A는 알킬렌기를 나타내고, R4는 지환 에폭시기를 나타낸다.]를 들 수 있다. 상기 A(알킬렌기)로서는, 예를 들어 메틸렌기, 메틸메틸렌기, 디메틸메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기 등의 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬렌기 등을 들 수 있다. 상기 R4로서는, 예를 들어 시클로헥센옥시드기 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 에폭시기 함유 실록산 유도체로서는, 예를 들어 2,4-디[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-2,4,6,6,8,8-헥사메틸-시클로테트라실록산, 4,8-디[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-2,2,4,6,6,8-헥사메틸-시클로테트라실록산, 2,4-디[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-6,8-디프로필-2,4,6,8-테트라메틸-시클로테트라실록산, 4,8-디[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-2,6-디프로필-2,4,6,8-테트라메틸-시클로테트라실록산, 2,4,8-트리[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-2,4,6,6,8-펜타메틸-시클로테트라실록산, 2,4,8-트리[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-6-프로필-2,4,6,8-테트라메틸-시클로테트라실록산, 2,4,6,8-테트라[2-(3-{옥사비시클로[4.1.0]헵틸})에틸]-2,4,6,8-테트라메틸-시클로테트라실록산 등을 들 수 있다.
또한, 상기 에폭시기 함유 실록산 유도체로서는, 예를 들어 하기 식 (5)로 표시되는 화합물(쇄상 폴리실록산)을 들 수 있다.
상기 식 (5) 중, R5, R6은 동일하거나 또는 상이하고, 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기, 알콕시기(예를 들어, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1 내지 4의 알콕시기 등), 알킬기(예를 들어, 메틸기, 에틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 알킬기 등), 또는 아릴기(예를 들어, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 12의 아릴기 등)를 나타낸다. 단, 식 (5)로 표시되는 화합물에 있어서의 R5 및 R6 중 적어도 1개(바람직하게는 적어도 2개)는 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기이다. 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기로서는, 상기 식 (4)에 있어서의 것과 동일한 기를 들 수 있다. 특히 경화성의 관점에서, R6의 어느 한쪽 또는 양쪽이 에폭시기를 함유하는 1가의 유기기인 것이 바람직하다. 또한, 식 (5) 중의 q는 1 이상의 정수(예를 들어, 1 내지 500의 정수)를 나타낸다. q가 첨부된 괄호 내의 구조는 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또한, q가 첨부된 괄호 내의 구조로서 2종 이상이 존재하는 경우, 그의 부가 형태는 특별히 한정되지 않고, 랜덤형이어도 되고, 블록형이어도 된다.
상기 에폭시기 함유 실록산 유도체로서는, 그 밖에도 예를 들어, 에폭시기를 갖는 실리콘 수지(예를 들어, 일본 특허 공개 제2008-248169호 공보에 기재된 지환 에폭시기 함유 실리콘 수지 등), 에폭시기를 갖는 실세스퀴옥산(예를 들어, 일본 특허 공개 제2008-19422호 공보에 기재된 1 분자 중에 적어도 2개의 에폭시 관능성기를 갖는 오르가노폴리실세스퀴옥산 수지 등) 등을 들 수 있다.
그 중에서도 에폭시 수지 (A)로서는, 경화성 에폭시 수지 조성물의 경화를 보다 효율적으로 진행시킬 수 있는 점에서, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 이소시아누레이트, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 화합물, 지방족 에폭시 화합물, 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 실록산 유도체가 바람직하다. 특히 투명성 및 내구성이 우수한 경화물을 높은 생산성으로 얻을 수 있는 점에서, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 (A)로서, 지환식 에폭시 화합물을 필수 성분으로서 포함하는 것이 바람직하다. 상기 지환식 에폭시 화합물로서는, 특히 분자 내에 시클로헥센옥시드기를 갖는 화합물(특히, 분자 내에 2개 이상의 시클로헥센옥시드기를 갖는 화합물)이 바람직하고, 보다 바람직하게는 식 (1)로 표시되는 화합물(특히, 식 (1-1)로 표시되는 화합물)이다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서 에폭시 수지 (A)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 에폭시 수지 (A)는 공지 내지 관용의 방법에 의해 제조할 수도 있고, 시판품을 사용할 수도 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지 (A)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 25 내지 99.8중량％(예를 들어, 25 내지 95중량％)가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 내지 90중량％, 더욱 바람직하게는 35 내지 85중량％, 특히 바람직하게는 40 내지 60중량％이다. 에폭시 수지 (A)의 함유량을 25중량％ 이상으로 함으로써, 경화를 한층 더 효율적으로 진행시킬 수 있는 경향이 있다. 한편, 에폭시 수지 (A)의 함유량을 99.8중량％ 이하로 함으로써, 경화물의 강도가 보다 향상되는 경향이 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 지환식 에폭시 화합물의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 20 내지 99.8 중량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 내지 95중량％(예를 들어, 40 내지 60중량％), 더욱 바람직하게는 50 내지 95중량％, 특히 바람직하게는 60 내지 90중량％, 가장 바람직하게는 70 내지 85중량％이다. 지환식 에폭시 화합물의 함유량을 20중량％ 이상으로 함으로써, 경화를 한층 더 효율적으로 진행시킬 수 있고, 경화물의 투명성 및 내구성이 보다 향상되는 경향이 있다. 한편, 지환식 에폭시 화합물의 함유량을 99.8중량％ 이하로 함으로써, 경화물의 강도가 보다 향상되는 경향이 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량)(100중량％)에 대한 지환식 에폭시 화합물의 비율은, 특별히 한정되지 않지만, 40 내지 100중량％(예를 들어, 40 내지 90중량％)가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80 내지 100중량％, 더욱 바람직하게는 90 내지 100중량％, 특히 바람직하게는 95 내지 100중량％이다. 지환식 에폭시 화합물의 비율을 40중량％ 이상으로 함으로써, 경화를 한층 더 효율적으로 진행시킬 수 있고, 경화물의 투명성 및 내구성이 보다 향상되는 경향이 있다.
1-2. 경화제 (D)
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물의 필수 성분의 하나인 경화제 (D)는, 에폭시 화합물과 반응함으로써 경화성 에폭시 수지 조성물을 경화시키는 작용을 갖는 화합물이다. 경화제 (D)로서는 특별히 한정되지 않고, 에폭시 수지용 경화제로서 주지 관용의 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 산무수물류(산무수물계 경화제), 아민류(아민계 경화제), 폴리아미드 수지, 이미다졸류(이미다졸계 경화제), 폴리머캅탄류(폴리머캅탄계 경화제), 페놀류(페놀계 경화제), 폴리카르복실산류, 디시안디아미드류, 유기산히드라지드 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 산무수물류(산무수물계 경화제)로서는, 공지 내지 관용의 산무수물계 경화제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 메틸테트라히드로무수프탈산(4-메틸테트라히드로무수프탈산, 3-메틸테트라히드로무수프탈산 등), 메틸헥사히드로무수프탈산(4-메틸헥사히드로무수프탈산, 3-메틸헥사히드로무수프탈산 등), 도데세닐무수숙신산, 메틸엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산, 무수프탈산, 무수말레산, 테트라히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸시클로헥센디카르복실산무수물, 무수피로멜리트산, 무수트리멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산무수물, 무수나드산, 무수메틸나드산, 수소화메틸나드산무수물, 4-(4-메틸-3-펜테닐)테트라히드로무수프탈산, 무수숙신산, 무수아디프산, 무수세바스산, 무수도데칸이산, 메틸시클로헥센테트라카르복실산무수물, 비닐에테르-무수말레산 공중합체, 알킬스티렌-무수말레산 공중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 취급성의 관점에서, 25℃에서 액상인 산무수물[예를 들어, 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 도데세닐무수숙신산, 메틸엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산 등]이 바람직하다. 한편, 25℃에서 고체상인 산무수물에 대해서는, 예를 들어 25℃에서 액상인 산무수물에 용해시켜 액상의 혼합물로 함으로써, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 경화제 (D)로서의 취급성이 향상되는 경향이 있다. 산무수물계 경화제로서는, 경화물의 내열성, 투명성의 관점에서, 포화 단환 탄화수소디카르복실산의 무수물(환에 알킬기 등의 치환기가 결합된 것도 포함함)이 바람직하다.
경화제 (D)로서의 아민류(아민계 경화제)로서는, 공지 내지 관용의 아민계 경화제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 디프로필렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 폴리프로필렌트리아민 등의 지방족 폴리아민; 멘센디아민, 이소포론디아민, 비스(4-아미노-3-메틸디시클로헥실)메탄, 디아미노디시클로헥실메탄, 비스(아미노메틸)시클로헥산, N-아미노에틸피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-3,4,8,10-테트라옥사스피로[5,5]운데칸 등의 지환식 폴리아민; m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 톨릴렌-2,4-디아민, 톨릴렌-2,6-디아민, 메시틸렌-2,4-디아민, 3,5-디에틸톨릴렌-2,4-디아민, 3,5-디에틸톨릴렌-2,6-디아민 등의 단핵 폴리아민, 비페닐렌디아민, 4,4-디아미노디페닐메탄, 2,5-나프틸렌디아민, 2,6-나프틸렌디아민 등의 방향족 폴리아민 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 페놀류(페놀계 경화제)로서는, 공지 내지 관용의 페놀계 경화제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 노볼락형 크레졸 수지, 파라크실릴렌 변성 페놀 수지, 파라크실릴렌·메타크실릴렌 변성 페놀 수지 등의 아르알킬 수지, 테르펜 변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀 수지, 트리페놀프로판 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 폴리아미드 수지로서는, 예를 들어 분자 내에 제1급 아미노기 및 제2급 아미노기의 어느 한쪽 또는 양쪽을 갖는 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 이미다졸류(이미다졸계 경화제)로서는, 공지 내지 관용의 이미다졸계 경화제를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2-메틸이미다졸륨이소시아누레이트, 2-페닐이미다졸륨이소시아누레이트, 2,4-디아미노-6-[2-메틸이미다졸릴-(1)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2-에틸-4-메틸이미다졸릴-(1)]-에틸-s-트리아진 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 폴리머캅탄류(폴리머캅탄계 경화제)로서는, 예를 들어 액상의 폴리머캅탄, 폴리술피드 수지 등을 들 수 있다.
경화제 (D)로서의 폴리카르복실산류로서는, 예를 들어 아디프산, 세바스산, 테레프탈산, 트리멜리트산, 카르복시기 함유 폴리에스테르 등을 들 수 있다.
그 중에서도 경화제 (D)로서는, 경화성, 경화물의 내열성, 투명성의 관점에서, 산무수물류(산무수물계 경화제)가 바람직하다. 또한, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서, 경화제 (D)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 경화제 (D)로서는 시판품을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 산무수물류의 시판품으로서는, 상품명 「리카시드 MH-700」, 「리카시드 MH-700F」(이상, 신니혼 리카(주)제); 상품명 「HN-5500」(히타치 가세이 고교(주)제) 등을 들 수 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 경화제 (D)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량) 100중량부에 대하여, 50 내지 200중량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 75 내지 150중량부, 더욱 바람직하게는 100 내지 120중량부이다. 보다 구체적으로는, 경화제 (D)로서 산무수물류를 사용하는 경우, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 모든 에폭시 화합물에 있어서의 에폭시기 1당량당, 0.5 내지 1.5당량이 되는 비율로 사용하는 것이 바람직하다. 경화제 (D)의 함유량을 50중량부 이상으로 함으로써, 경화를 보다 효율적으로 진행시킬 수 있고, 경화물의 강인성이 보다 향상되는 경향이 있다. 한편, 경화제 (D)의 함유량을 200중량부 이하로 함으로써, 착색이 없는(또는 적은), 색상이 우수한 경화물이 얻어지기 쉬운 경향이 있다.
1-3. 경화 촉진제 (E)
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물의 필수 성분의 하나인 경화 촉진제 (E)는, 에폭시 화합물의 반응(특히 에폭시 수지 (A)와 경화제 (D)의 반응)의 반응 속도를 촉진시키는 기능을 갖는 화합물이다. 경화 촉진제 (E)로서는, 에폭시 수지용 경화 촉진제로서 주지 관용의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7(DBU) 및 그의 염(예를 들어, 페놀염, 옥틸산염, p-톨루엔술폰산염, 포름산염, 테트라페닐보레이트염 등); 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5(DBN) 및 그의 염(예를 들어, 페놀염, 옥틸산염, p-톨루엔술폰산염, 포름산염, 테트라페닐보레이트염 등); 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, N,N-디메틸시클로헥실아민 등의 3급 아민; 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸; 인산에스테르, 트리페닐포스핀 등의 포스핀류; 테트라페닐포스포늄테트라(p-톨릴)보레이트 등의 포스포늄 화합물; 옥틸산주석, 옥틸산아연 등의 유기 금속염; 금속 킬레이트 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서 경화 촉진제 (E)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 경화 촉진제 (E)로서는, 예를 들어 상품명 「U-CAT SA 506」, 「U-CAT SA 102」, 「U-CAT 5003」, 「U-CAT 18X」, 「12XD」(개발품)(이상, 산아프로(주)제); 상품명 「TPP-K」, 「TPP-MK」(이상, 혹꼬 가가꾸 고교(주)제); 상품명 「PX-4ET」(닛본 가가꾸 고교(주)제) 등의 시판품을 사용할 수 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 경화 촉진제 (E)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량) 100중량부에 대하여, 0.05 내지 5중량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3중량부, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 3중량부, 특히 바람직하게는 0.25 내지 2.5중량부이다. 경화 촉진제 (E)의 함유량을 0.05중량부 이상으로 함으로써, 보다 충분한 경화 촉진 효과를 얻을 수 있는 경향이 있다. 한편, 경화 촉진제 (E)의 함유량을 5중량부 이하로 함으로써, 착색이 없는(또는 적은), 색상이 우수한 경화물이 얻어지기 쉬운 경향이 있다.
1-4. 경화 촉매 (F)
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물의 필수 성분의 하나인 경화 촉매 (F)는, 에폭시 화합물 등의 양이온 중합성 화합물의 경화 반응(중합 반응)을 개시 및/또는 촉진시킴으로써, 경화성 에폭시 수지 조성물을 경화시키는 작용을 갖는 화합물이다. 경화 촉매 (F)로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 열에 의해 양이온종을 발생하여, 중합을 개시시키는 양이온 중합 개시제(열 양이온 중합 개시제)나, 루이스산·아민 착체, 브뢴스테드 산염류, 이미다졸류 등을 들 수 있다.
구체적으로는 경화 촉매 (F)로서는, 예를 들어 아릴디아조늄염, 아릴요오도늄염, 아릴술포늄염, 알렌-이온 착체 등을 들 수 있고, 상품명 「PP-33」, 「CP-66」, 「CP-77」(이상 (주)ADEKA제); 상품명 「FC-509」(쓰리엠제); 상품명 「UVE1014」(G. E.제); 상품명 「산에이드 SI-60L」, 「산에이드 SI-80L」, 「산에이드 SI-100L」, 「산에이드 SI-110L」, 「산에이드 SI-150L」(이상, 산신 가가꾸 고교(주)제); 상품명 「CG-24-61」(BASF사제) 등의 시판품을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 경화 촉매 (F)로서는, 예를 들어 알루미늄이나 티타늄 등의 금속과 아세토아세트산 또는 디케톤류의 킬레이트 화합물과 트리페닐실란올 등의 실란올의 화합물, 또는 알루미늄이나 티타늄 등의 금속과 아세토아세트산 혹은 디케톤류의 킬레이트 화합물과 비스페놀 S 등의 페놀류의 화합물 등도 들 수 있다.
경화 촉매 (F)로서의 루이스산·아민 착체로서는, 공지 내지 관용의 루이스산·아민 착체계 경화 촉매를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 BF3·n-헥실아민, BF3·모노에틸아민, BF3·벤질아민, BF3·디에틸아민, BF3·피페리딘, BF3·트리에틸아민, BF3·아닐린, BF4·n-헥실아민, BF4·모노에틸아민, BF4·벤질아민, BF4·디에틸아민, BF4·피페리딘, BF4·트리에틸아민, BF4·아닐린, PF5·에틸아민, PF5·이소프로필아민, PF5·부틸아민, PF5·라우릴아민, PF5·벤질아민, AsF5·라우릴아민 등을 들 수 있다.
경화 촉매 (F)로서의 브뢴스테드 산염류로서는, 공지 내지 관용의 브뢴스테드 산염류를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 지방족 술포늄염, 방향족 술포늄염, 요오도늄염, 포스포늄염 등을 들 수 있다.
경화 촉매 (F)로서의 이미다졸류로서는, 공지 내지 관용의 이미다졸류를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2-메틸이미다졸륨이소시아누레이트, 2-페닐이미다졸륨이소시아누레이트, 2,4-디아미노-6-[2-메틸이미다졸릴-(1)]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2-에틸-4-메틸이미다졸릴-(1)]-에틸-s-트리아진 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서 경화 촉매 (F)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 경화 촉매 (F)로서는 예를 들어 시판품을 사용할 수 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 경화 촉매 (F)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량) 100중량부에 대하여, 0.01 내지 15중량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 12중량부, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 10중량부, 특히 바람직하게는 0.05 내지 8중량부이다. 경화 촉매 (F)의 함유량을 0.01중량부 이상으로 함으로써, 보다 충분히 경화 반응을 진행시킬 수 있는 경향이 있다. 한편, 경화 촉매 (F)의 함유량을 15중량부 이하로 함으로써, 착색이 없는(또는 적은), 색상이 우수한 경화물이 얻어지기 쉬운 경향이 있다. 즉, 경화 촉매 (F)의 함유량을 상기 범위로 제어함으로써, 경화성 에폭시 수지 조성물의 경화 속도가 향상되고, 또한 투명성 및 내구성의 밸런스가 우수한 경화물이 얻어지기 쉬운 경향이 있다.
또한, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 광의 조사에 의해 양이온 중합의 개시종(산 등)을 발생하는 광 양이온 중합 개시제를 실질적으로 포함하고 있어도 된다. 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물이 광 양이온 중합 개시제를 포함하는 경우, 그의 함유량은, 예를 들어 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량) 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.01 내지 20중량부 정도, 바람직하게는 0.1 내지 10중량부이다.
1-5. 다가 알코올
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은 다가 알코올을 포함하고 있어도 된다. 특히 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물이 경화제 (D) 및 경화 촉진제 (E)를 포함하는 경우에는, 경화를 보다 효율적으로 진행시킬 수 있는 점에서, 추가로 다가 알코올을 포함하는 것이 바람직하다. 다가 알코올로서는, 공지 내지 관용의 다가 알코올을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 트리메틸올프로판, 글리세린, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등을 들 수 있다.
그 중에서도 상기 다가 알코올로서는, 경화를 양호하게 제어할 수 있고, 크랙이나 박리가 보다 발생하기 어려운 경화물이 얻어지기 쉬운 점에서, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌글리콜이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 알킬렌글리콜이다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서 다가 알코올은, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 다가 알코올의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(전체 에폭시 화합물; 예를 들어, 에폭시 수지 (A)의 전체량) 100중량부에 대하여, 0.05 내지 5중량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3중량부, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 3중량부, 특히 바람직하게는 0.25 내지 2.5중량부이다. 다가 알코올의 함유량을 0.05중량부 이상으로 함으로써, 경화를 보다 효율적으로 진행시킬 수 있는 경향이 있다. 한편, 다가 알코올의 함유량을 5중량부 이하로 함으로써, 상기 경화의 반응 속도를 제어하기 쉬운 경향이 있다.
1-6. 형광체
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은 형광체를 포함하고 있어도 된다. 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물이 형광체를 포함하는 경우에는, 광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자의 밀봉 용도(밀봉재 용도), 즉, 광반도체 밀봉용 수지 조성물로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 형광체로서는 공지 내지 관용의 형광체(특히, 광반도체 소자의 밀봉 용도에 있어서 사용되는 형광체)를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 일반식 A3B5O12: M[식 중, A는 Y, Gd, Tb, La, Lu, Se 및 Sm으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내고, B는 Al, Ga 및 In으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내고, M은 Ce, Pr, Eu, Cr, Nd 및 Er로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타낸다.]으로 표시되는 YAG계의 형광체 미립자(예를 들어, Y3Al5O12: Ce 형광체 미립자, (Y, Gd, Tb)3(Al, Ga)5O12: Ce 형광체 미립자 등), 실리케이트계 형광체 미립자(예를 들어, (Sr, Ca, Ba)2SiO4: Eu 등) 등을 들 수 있다. 또한, 형광체는, 예를 들어 분산성 향상을 위해 유기기(예를 들어, 장쇄 알킬기, 인산기 등) 등에 의해 표면이 수식된 것이어도 된다. 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서 형광체는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 형광체로서는 시판품을 사용할 수 있다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물에 있어서의 형광체의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않고, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 0.5 내지 20중량％의 범위에서 적절히 선택할 수 있다.
1-7. 기타 성분
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 경화성이나 투명성 등에 큰 악영향이 미치지 않는 범위에서, 상기 이외의 기타 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 기타 성분으로서는, 예를 들어 직쇄 또는 분지쇄를 갖는 실리콘계 수지, 지환을 갖는 실리콘계 수지, 방향환을 갖는 실리콘계 수지, 바구니형/래더형/랜덤형의 실세스퀴옥산, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란 커플링제, 실리콘계나 불소계의 소포제 등을 들 수 있다. 상기 기타 성분의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 5중량％ 이하(예를 들어, 0 내지 3중량％)가 바람직하다.
본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상술한 각 성분을, 필요에 따라서 가열한 상태에서 교반, 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물은, 각 성분의 모두가 미리 혼합된 것을 그대로 사용하는 1액계의 조성물이어도 되고, 예를 들어 2 이상으로 분할된 성분을 사용 직전에 소정의 비율로 혼합하여 사용하는 다액계(예를 들어, 2액계)의 조성물이어도 된다. 교반, 혼합의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디졸버, 균질기 등의 각종 믹서, 니더, 롤, 비즈 밀, 자공전식 교반 장치 등의 공지 내지 관용의 교반, 혼합 수단을 사용할 수 있다. 또한, 교반, 혼합 후, 감압 하 또는 진공 하에서 탈포해도 된다.
2. 경화성 실리콘 수지 조성물
상기 경화성 실리콘 수지 조성물(「본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물」이라 칭하는 경우가 있음)은, 경화성 화합물로서 실리콘 수지 (B)를 필수 성분으로서 포함하는 경화성 조성물이다. 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물은 실리콘 수지 (B) 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
실리콘 수지 (B)로서는, 예를 들어 주쇄로서 -Si-O-Si-(실록산 결합)에 더하여, -Si-RA-Si-(실알킬렌 결합: RA는 알킬렌기를 나타냄)를 포함하는 폴리오르가노실록시실알킬렌; 주쇄로서 상기 실알킬렌 결합을 포함하지 않는 폴리오르가노실록산 등의 경화성 폴리실록산을 들 수 있다.
또한, 실리콘 수지 (B)로서는, 경화성 화합물로서 공지 내지 관용의 경화성 실리콘 수지(경화성 폴리실록산)를 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 부가형(부가 반응 경화형)의 실리콘 수지, 축합형(축합 반응 경화형)의 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물이 전자를 포함하는 경우에는 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물로서 사용할 수 있고, 후자를 포함하는 경우에는 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물로서 사용할 수 있다. 이하, 이들 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물 및 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 대하여 설명하지만, 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물은 이들에 한정되지 않고, 예를 들어 부가형 실리콘 수지와 축합형 실리콘 수지의 양쪽을 포함하는, 부가 반응과 축합 반응에 의해 경화하는 실리콘 수지 조성물이어도 된다. 즉, 상기 경화 공정에 있어서의 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화는, 부가 반응 및 축합 반응으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 반응에 의해 진행하는 것이어도 된다.
2-1. 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물로서는, 예를 들어 실리콘 수지 (B)로서 분자 내에 2개 이상의 알케닐기를 갖는 폴리실록산 (B1)을 함유하고, 또한 필요에 따라서, 분자 내에 1개 이상(바람직하게는 2개 이상)의 히드로실릴기를 갖는 폴리실록산이나 금속 경화 촉매 등을 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다.
상기 폴리실록산 (B1)은 폴리오르가노실록산 (B1-1)과 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)로 분류된다. 본 명세서에 있어서 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)는, 분자 내에 2개 이상의 알케닐기를 가지고, 주쇄로서 -Si-O-Si-(실록산 결합)에 더하여, -Si-RA-Si-(실알킬렌 결합: RA는 알킬렌기를 나타냄)를 포함하는 폴리실록산이다. 그리고, 본 명세서에 있어서의 폴리오르가노실록산 (B1-1)은 분자 내에 2개 이상의 알케닐기를 가지고, 주쇄로서 상기 실알킬렌 결합을 포함하지 않는 폴리실록산이다.
폴리오르가노실록산 (B1-1)로서는, 직쇄상, 분지쇄상(일부 분지를 갖는 직쇄상, 분지쇄상, 그물눈 형상 등)의 분자 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 또한, 폴리오르가노실록산 (B1-1)은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 분자 구조가 다른 폴리오르가노실록산 (B1-1)의 2종 이상을 병용할 수 있고, 예를 들어 직쇄상의 폴리오르가노실록산 (B1-1)과 분지쇄상의 폴리오르가노실록산 (B1-1)을 병용할 수도 있다.
폴리오르가노실록산 (B1-1)이 분자 내에 갖는 알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등의 치환 또는 비치환 알케닐기를 들 수 있다. 치환기로서는 할로겐 원자, 히드록시기, 카르복시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 알케닐기로서는, 비닐기가 바람직하다. 또한, 폴리오르가노실록산 (B1-1)은 1종만의 알케닐기를 갖는 것이어도 되고, 2종 이상의 알케닐기를 갖는 것이어도 된다. 폴리오르가노실록산 (B1-1)이 갖는 알케닐기는 특별히 한정되지 않지만, 규소 원자에 결합한 것이면 바람직하다.
폴리오르가노실록산 (B1-1)이 갖는 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 기는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 수소 원자, 1가의 유기기 등을 들 수 있다. 1가의 유기기로서는, 예를 들어 알킬기[예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등], 시클로알킬기[예를 들어, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로도데실기 등], 아릴기[예를 들어, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등], 시클로알킬-알킬기[예를 들어, 시클로헥실메틸기, 메틸시클로헥실기 등], 아르알킬기[예를 들어, 벤질기, 페네틸기 등], 탄화수소기에 있어서의 1 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 할로겐화탄화수소기[예를 들어, 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐화알킬기 등] 등의 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「규소 원자에 결합한 기」란, 통상 규소 원자를 포함하지 않는 기를 가리키는 것으로 한다.
또한, 규소 원자에 결합한 기로서, 히드록시기, 알콕시기를 갖고 있어도 된다.
폴리오르가노실록산 (B1-1)의 성상은 특별히 한정되지 않고, 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다.
폴리오르가노실록산 (B1-1)로서는, 하기 평균 단위식:
(R7SiO3/2)a1(R7 2SiO2/2)a2(R7 3SiO1/2)a3(SiO4/2)a4(ZO1/2)a5
로 표시되는 폴리오르가노실록산이 바람직하다. 상기 평균 단위식 중, R7은 동일하거나 또는 상이하고, 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기이며, 상술한 구체예(예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화탄화수소기 등)를 들 수 있다. 단, R7의 일부는 알케닐기(특히 비닐기)이며, 그 비율은 분자 내에 2개 이상으로 되는 범위로 제어된다. 예를 들어, R7의 전체량(100몰％)에 대한 알케닐기의 비율은, 0.1 내지 40몰％가 바람직하다. 알케닐기의 비율을 상기 범위로 제어함으로써, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 알케닐기 이외의 R7로서는, 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, Z는 수소 원자 또는 알킬기이다. 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있고, 특히 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, a1은 0 또는 양수, a2는 0 또는 양수, a3은 0 또는 양수, a4는 0 또는 양수, a5는 0 또는 양수이며, 또한 (a1+a2+a3)은 양수이다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)는 상술한 바와 같이, 분자 내에 2개 이상의 알케닐기를 가지고, 주쇄로서 실록산 결합에 더하여, 실알킬렌 결합을 포함하는 폴리오르가노실록산이다. 또한, 상기 실알킬렌 결합에 있어서의 알킬렌기로서는, C2- 4알킬렌기(특히, 에틸렌기)가 바람직하다. 상기 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)는, 폴리오르가노실록산 (B1-1)과 비교하여 제조 공정에 있어서 저분자량의 환을 발생하기 어렵고, 또한 가열 등에 의해 분해되어 실라놀기(-SiOH)를 발생하기 어렵기 때문에, 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)를 사용한 경우, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화물의 표면 점착성(점착성)이 낮아지고, 보다 황변하기 어려운 경향이 있다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)로서는, 직쇄상, 분지쇄상(일부 분지를 갖는 직쇄상, 분지쇄상, 그물눈 형상 등)의 분자 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 또한, 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, 분자 구조가 다른 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)의 2종 이상을 병용할 수 있고, 예를 들어 직쇄상의 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)와 분지쇄상의 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)를 병용할 수도 있다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)가 분자 내에 갖는 알케닐기로서는, 상술한 구체예를 들 수 있지만, 그 중에서 비닐기가 바람직하다. 또한, 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)는 1종만의 알케닐기를 갖는 것이어도 되고, 2종 이상의 알케닐기를 갖는 것이어도 된다. 폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)가 갖는 알케닐기는 특별히 한정되지 않지만, 규소 원자에 결합한 것이면 바람직하다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)가 갖는 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합한 기는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 수소 원자, 1가의 유기기 등을 들 수 있다. 1가의 유기기로서는, 예를 들어 상술한 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
또한, 규소 원자에 결합한 기로서, 히드록시기, 알콕시기를 갖고 있어도 된다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)의 성상은 특별히 한정되지 않고, 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다.
폴리오르가노실록시실알킬렌 (B1-2)로서는, 하기 평균 단위식:
(R8 2SiO2/2)b1(R8 3SiO1/2)b2(R8SiO3/2)b3(SiO4/2)b4(RA)b5(ZO1/2)b6
로 표시되는 폴리오르가노실록시실알킬렌이 바람직하다. 상기 평균 단위식 중, R8은 동일하거나 또는 상이하고, 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기이며, 상술한 구체예(예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화알킬기 등)를 들 수 있다. 단, R8의 일부는 알케닐기(특히 비닐기)이며, 그 비율은 분자 내에 2개 이상으로 되는 범위로 제어된다. 예를 들어, R8의 전체량(100몰％)에 대한 알케닐기의 비율은 0.1 내지 40몰％가 바람직하다. 알케닐기의 비율을 상기 범위로 제어함으로써, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 알케닐기 이외의 R8로서는, 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, RA는 상술한 바와 같이 알킬렌기이다. 특히 에틸렌기가 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, Z는 상기와 동일하게 수소 원자 또는 알킬기이다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있고, 특히 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, b1은 양수, b2는 양수, b3은 0 또는 양수, b4는 0 또는 양수, b5는 양수, b6은 0 또는 양수이다. 그 중에서도 b1은 1 내지 200이 바람직하고, b2는 1 내지 200이 바람직하고, b3은 0 내지 10이 바람직하고, b4는 0 내지 5가 바람직하고, b5는 1 내지 100이 바람직하다. 특히 (b3+b4)가 양수인 경우에는, 경화물의 기계 강도가 보다 향상되는 경향이 있다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은, 상술한 바와 같이, 또한 분자 내에 1개 이상(바람직하게는 2개 이상)의 히드로실릴기(Si-H)를 갖는 폴리실록산(「히드로실릴기 함유 폴리실록산」이라 칭하는 경우가 있음)을 포함하고 있어도 된다. 상기 히드로실릴기 함유 폴리실록산은 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산과 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌으로 분류된다. 본 명세서에 있어서 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌은, 분자 내에 1개 이상의 히드로실릴기를 가지고, 주쇄로서 -Si-O-Si-(실록산 결합)에 더하여, -Si-RA-Si-(실알킬렌 결합: RA는 알킬렌기를 나타냄)를 포함하는 폴리실록산이다. 그리고, 본 명세서에 있어서의 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산은, 분자 내에 1개 이상의 히드로실릴기를 가지고, 주쇄로서 상기 실알킬렌 결합을 포함하지 않는 폴리실록산이다. 또한, RA(알킬렌기)로서는 상기와 동일하게, 예를 들어 직쇄 또는 분지쇄상의 C1- 12알킬렌기를 들 수 있고, 바람직하게는 직쇄 또는 분지쇄상의 C2- 4알킬렌기(특히, 에틸렌기)이다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산으로서는, 직쇄상, 분지쇄상(일부 분지를 갖는 직쇄상, 분지쇄상, 그물눈 형상 등)의 분자 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 또한, 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 분자 구조가 다른 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산의 2종 이상을 병용할 수 있고, 예를 들어 직쇄상의 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산과 분지쇄상의 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산을 병용할 수도 있다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산이 갖는 규소 원자에 결합한 기 중에서도 수소 원자 이외의 기는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상술한 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기, 보다 상세하게는 알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화탄화수소기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다. 또한, 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산은, 수소 원자 이외의 규소 원자에 결합한 기로서, 알케닐기(예를 들어 비닐기)를 갖고 있어도 된다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산의 성상은 특별히 한정되지 않고, 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다. 그 중에서도 액상인 것이 바람직하고, 25℃에서의 점도가 0.1 내지 1000000000mPa·s의 액상인 것이 보다 바람직하다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산으로서는, 하기 평균 단위식:
(R9SiO3/2)c1(R9 2SiO2/2)c2(R9 3SiO1/2)c3(SiO4/2)c4(ZO1/2)c5
로 표시되는 폴리오르가노실록산이 바람직하다. 상기 평균 단위식 중, R9는 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 또는 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기이며, 수소 원자, 상술한 구체예(예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화알킬기 등)를 들 수 있다. 단, R9의 일부는 수소 원자(히드로실릴기를 구성하는 수소 원자)이며, 그 비율은 히드로실릴기가 분자 내에 1개 이상(바람직하게는 2개 이상)이 되는 범위로 제어된다. 예를 들어, R9의 전체량(100몰％)에 대한 수소 원자의 비율은 0.1 내지 40몰％가 바람직하다. 수소 원자의 비율을 상기 범위로 제어함으로써, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 수소 원자 이외의 R9로서는, 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, Z는 상기와 동일하게 수소 원자 또는 알킬기이다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있고, 특히 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, c1은 0 또는 양수, c2는 0 또는 양수, c3은 0 또는 양수, c4는 0 또는 양수, c5는 0 또는 양수이며, 또한 (c1+c2+c3)은 양수이다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌은, 상술한 바와 같이, 분자 내에 1개 이상의 히드로실릴기를 가지고, 주쇄로서 실록산 결합에 더하여, 실알킬렌 결합을 포함하는 폴리오르가노실록산이다. 또한, 상기 실알킬렌 결합에 있어서의 알킬렌기로서는, 예를 들어 C2- 4알킬렌기(특히, 에틸렌기)가 바람직하다. 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌은, 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산과 비교하여 제조 공정에 있어서 저분자량의 환을 발생하기 어렵고, 또한 가열 등에 의해 분해되어 실라놀기(-SiOH)를 발생하기 어렵기 때문에, 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌을 사용한 경우, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화물의 표면 점착성이 낮아지고, 보다 황변하기 어려운 경향이 있다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌으로서는, 직쇄상, 분지쇄상(일부 분지를 갖는 직쇄상, 분지쇄상, 그물눈 형상 등)의 분자 구조를 갖는 것을 들 수 있다. 또한, 상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌은, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 분자 구조가 다른 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌의 2종 이상을 병용할 수 있고, 예를 들어 직쇄상의 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌과 분지쇄상의 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌을 병용할 수도 있다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌이 갖는 수소 원자 이외의 규소 원자에 결합한 기는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1가의 유기기 등을 들 수 있다. 1가의 유기기로서는, 예를 들어 상술한 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌의 성상은 특별히 한정되지 않고, 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다.
상기 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌으로서는, 하기 평균 단위식:
(R10 2SiO2/2)d1(R10 3SiO1/2)d2(R10SiO3/2)d3(SiO4/2)d4(RA)d5(ZO1/2)d6
로 표시되는 폴리오르가노실록시실알킬렌이 바람직하다. 상기 평균 단위식 중, R10은 동일하거나 또는 상이하고, 수소 원자, 또는 1가의 치환 또는 비치환 탄화수소기이며, 수소 원자 및 상술한 구체예(예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 할로겐화알킬기 등)를 들 수 있다. 단, R10의 일부는 수소 원자이며, 그 비율은 분자 내에 1개 이상(바람직하게는 2개 이상)이 되는 범위로 제어된다. 예를 들어, R10의 전체량(100몰％)에 대한 수소 원자의 비율은 0.1 내지 50몰％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 35몰％이다. 수소 원자의 비율을 상기 범위로 제어함으로써, 경화성 실리콘 수지 조성물의 경화성이 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 수소 원자 이외의 R10으로서는, 알킬기(특히 메틸기), 아릴기(특히 페닐기)가 바람직하다. 특히 R10의 전체량(100몰％)에 대한 아릴기(특히 페닐기)의 비율은, 5몰％ 이상(예를 들어, 5 내지 80몰％)이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10몰％ 이상이다.
상기 평균 단위식 중, RA는 상술한 바와 같이 알킬렌기이다. 특히 에틸렌기가 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, Z는 상기와 동일하게 수소 원자 또는 알킬기이다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있고, 특히 메틸기인 것이 바람직하다.
상기 평균 단위식 중, d1은 양수, d2는 양수, d3은 0 또는 양수, d4는 0 또는 양수, d5는 양수, d6은 0 또는 양수이다. 그 중에서도 d1은 1 내지 50이 바람직하고, d2는 1 내지 50이 바람직하고, d3은 0 내지 10이 바람직하고, d4는 0 내지 5가 바람직하고, d5는 1 내지 30이 바람직하다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서의 히드로실릴기 함유 폴리실록산으로서는, 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산만을 사용할 수도 있고, 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌만을 사용할 수도 있고, 또한 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산과 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌을 병용할 수도 있다. 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록산과 히드로실릴기 함유 폴리오르가노실록시실알킬렌을 병용하는 경우, 이들의 비율은 특별히 한정되지 않고, 적절히 설정 가능하다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 경화성 수지 조성물 중에 존재하는 히드로실릴기 1몰에 대하여, 알케닐기가 0.2 내지 4몰이 되는 조성(배합 조성)인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 1.5몰, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.2몰이다. 히드로실릴기와 알케닐기의 비율을 상기 범위로 제어함으로써, 경화물의 내열성, 투명성, 내열충격성 및 내리플로우성, 및 부식성 가스(예를 들어, SOx 가스 등)에 대한 배리어성이 보다 향상되는 경향이 있다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은, 상술한 바와 같이 금속 경화 촉매를 포함하고 있어도 된다. 금속 경화 촉매로서는, 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매 등의 주지된 히드로실릴화 반응용 촉매가 예시되고, 구체적으로는 백금 미분말, 백금흑, 백금 담지 실리카 미분말, 백금 담지 활성탄, 염화백금산, 염화백금산과 알코올, 알데히드, 케톤 등과의 착체, 백금의 올레핀 착체, 백금-카르보닐비닐메틸 착체 등의 백금의 카르보닐 착체, 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체나 백금-시클로비닐메틸실록산 착체 등의 백금비닐메틸실록산 착체, 백금-포스핀 착체, 백금-포스파이트 착체 등의 백금계 촉매, 및 상기 백금계 촉매에 있어서 백금 원자 대신에 팔라듐 원자 또는 로듐 원자를 함유하는 팔라듐계 촉매 또는 로듐계 촉매를 들 수 있다. 그 중에서도 히드로실릴화 촉매로서는, 백금비닐메틸실록산 착체나 백금-카르보닐비닐메틸 착체나 염화백금산과 알코올, 알데히드와의 착체가, 반응 속도가 양호하기 때문에 바람직하다.
또한, 상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서 금속 경화 촉매(히드로실릴화 촉매)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서의 금속 경화 촉매(히드로실릴화 촉매)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 포함되는 알케닐기의 전체량 1몰에 대하여, 1×10-8 내지 1×10-2몰이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0×10-6 내지 1.0×10- 3몰이다. 함유량을 1×10-8몰 이상으로 함으로써, 보다 효율적으로 경화물을 형성시킬 수 있는 경향이 있다. 한편, 함유량을 1×10-2몰 이하로 함으로써, 보다 색상이 우수한(착색이 적은) 경화물을 얻을 수 있는 경향이 있다.
상기 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은 상기 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
2-2. 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물
상기 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물로서는, 예를 들어 실리콘 수지 (B)로서 분자 내에 2개 이상의 실라놀기(Si-OH) 또는 실알콕시기(Si-OR)를 갖는 폴리실록산 (B2)를 함유하고, 또한 필요에 따라서 금속 경화 촉매 등을 포함하는 경화성 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다. 또한, 폴리실록산 (B2)는 실라놀기와 실알콕시기의 어느 한쪽만을 갖는 것이어도 되고, 실라놀기와 실알콕시기의 양쪽을 갖는 것이어도 된다. 실라놀기와 실알콕시기의 양쪽을 갖는 경우, 이들의 합계수가 분자 내에 2개 이상이면 된다.
폴리실록산 (B2)로서는, 예를 들어 하기 평균 조성식으로 표시되는 폴리오르가노실록산을 들 수 있다.
R11 eSi(OR12)f(OH)gO(4-e-f-g)/2
[상기 평균 조성식 중, R11은 동일하거나 또는 상이하고, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R12는 동일하거나 또는 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 1가의 유기기를 나타낸다. e는 0.8 내지 1.5의 수, f는 0 내지 0.3의 수, g는 0 내지 0.5의 수를 나타낸다. f+g는 0.001 이상 1.2 미만의 수이다. 또한, e+f+g는 0.801 이상 2 미만의 수이다.]
상기 평균 조성식 중의 R11로서의 1가의 유기기로서는, 예를 들어 1가의 지방족 탄화수소기(예를 들어, 알킬기, 알케닐기 등); 1가의 방향족 탄화수소기(예를 들어, 아릴기 등); 1가의 복소환식기; 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 및 방향족 탄화수소기의 2 이상이 결합하여 형성된 1가의 기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 1가의 유기기는 치환기(예를 들어, 히드록시기, 카르복시기, 할로겐 원자 등의 치환기)를 갖는 것이어도 된다. 그 중에서도 R11로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알케닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기가 바람직하다. 또한, 상기 평균 조성식 중의 R12로서의 1가의 유기기로서는, 예를 들어 치환기를 갖고 있어도 되는 1가의 지방족 탄화수소기(예를 들어, 알킬기, 알케닐기 등) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R12로서는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 2 내지 4의 알케닐기가 바람직하다.
상기 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서, 폴리실록산 (B2)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은 상술한 바와 같이, 금속 경화 촉매를 포함하고 있어도 된다. 이러한 금속 경화 촉매로서는, 공지 내지 관용의 축합 반응 촉매를 들 수 있고, 예를 들어 유기 티타늄산에스테르, 유기 티타늄 킬레이트 화합물, 유기 알루미늄 화합물, 유기 지르코늄 화합물, 유기 주석 화합물, 유기 카르복실산의 금속염, 아민 화합물 또는 그의 염, 4급 암모늄염, 알칼리 금속의 저급 지방산염, 디알킬히드록실아민, 구아니딜기 함유 유기 규소 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도 반응성의 관점에서, 유기 지르코늄 화합물이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서의 금속 경화 촉매(축합 반응 촉매)의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리실록산 (B2)의 전체량 100중량부에 대하여, 0.01 내지 20중량부의 범위에서 적절히 선택할 수 있다.
상기 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물은 상기 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물(예를 들어, 상술한 부가 반응 경화성 실리콘 수지 조성물, 축합 반응 경화성 실리콘 수지 조성물 등)은 기타 성분을 포함하고 있어도 된다. 기타 성분으로서는, 예를 들어 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물이 포함되어 있어도 되는 성분으로서 예시한 것 등을 들 수 있다. 그의 함유량도 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물이 광반도체 밀봉용 수지 조성물인 경우에는, 상술한 형광체를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물에 있어서의 형광체의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않고, 경화성 실리콘 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 0.5 내지 20중량％의 범위에서 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상술한 각 성분을, 필요에 따라서 가열한 상태에서 교반, 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물은, 각 성분의 모두가 미리 혼합된 것을 그대로 사용하는 1액계의 조성물이어도 되고, 예를 들어 2 이상으로 분할된 성분을 사용 직전에 소정의 비율로 혼합하여 사용하는 다액계(예를 들어, 2액계)의 조성물이어도 된다. 교반, 혼합의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디졸버, 균질기 등의 각종 믹서, 니더, 롤, 비즈 밀, 자공전식 교반 장치 등의 공지 내지 관용의 교반, 혼합 수단을 사용할 수 있다. 또한, 교반, 혼합 후, 감압 하 또는 진공 하에서 탈포해도 된다. 또한, 본 발명의 경화성 실리콘 수지 조성물 또는 그의 구성 성분으로서는, 시판품을 그대로 사용하는 것도 가능하다.
3. 경화성 아크릴 수지 조성물
상기 경화성 아크릴 수지 조성물(「본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물」이라 칭하는 경우가 있음)은, 경화성 화합물로서 아크릴 수지 (C)를 필수 성분으로서 포함하는 경화성 조성물이다. 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물은 아크릴 수지 (C) 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
아크릴 수지 (C)로서는, 예를 들어 (메트)아크릴로일기(아크릴로일기 및 메타크릴로일기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 기)를 분자 내에 1개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 아크릴 수지 (C)로서는, (메트)아크릴로일기를 분자 내에 1개만 갖는 (메트)아크릴로일 화합물; (메트)아크릴로일기를 분자 내에 2개 이상 갖는 다관능 (메트)아크릴로일 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 (메트)아크릴로일기를 분자 내에 1개만 갖는 (메트)아크릴로일 화합물에는, (메트)아크릴로일기 이외의 중합성 관능기를 갖지 않는 단관능 (메트)아크릴로일 화합물과, (메트)아크릴로일기에 더하여, 또한 에폭시기, 옥세타닐기, 비닐기, 비닐옥시기 등의 기타 중합성 관능기를 1개 이상 갖는 다관능 (메트)아크릴로일 화합물이 포함된다. 아크릴 수지 (C)는 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물에 있어서의 아크릴 수지 (C)의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택하는 것이 가능하다.
본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물은, 예를 들어 아크릴 수지 (C)의 중합 반응을 진행시키기 위한 개시제를 포함하고 있어도 된다. 개시제로서는, 열중합 개시제 등의 공지 내지 관용의 중합 개시제를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 또한, 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택하는 것이 가능하다.
본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물은 기타 성분을 포함하고 있어도 된다. 기타 성분으로서는, 예를 들어 본 발명의 경화성 에폭시 수지 조성물이 포함되어 있어도 되는 성분으로서 예시한 것 등을 들 수 있다. 그의 함유량도 특별히 한정되지 않고, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물이 광반도체 밀봉용 수지 조성물인 경우에는, 상술한 형광체를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물에 있어서의 형광체의 함유량(배합량)은 특별히 한정되지 않고, 경화성 아크릴 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 0.5 내지 20중량％의 범위에서 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상술한 각 성분을, 필요에 따라서 가열한 상태에서 교반, 혼합함으로써 조제할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물은, 각 성분의 모두가 미리 혼합된 것을 그대로 사용하는 1액계의 조성물이어도 되고, 예를 들어 2 이상으로 분할된 성분을 사용 직전에 소정의 비율로 혼합하여 사용하는 다액계(예를 들어, 2액계)의 조성물이어도 된다. 교반, 혼합의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디졸버, 균질기 등의 각종 믹서, 니더, 롤, 비즈 밀, 자공전식 교반 장치 등의 공지 내지 관용의 교반, 혼합 수단을 사용할 수 있다. 또한, 교반, 혼합 후, 감압 하 또는 진공 하에서 탈포해도 된다. 또한, 본 발명의 경화성 아크릴 수지 조성물 또는 그의 구성 성분으로서는, 시판품을 그대로 사용하는 것도 가능하다.
[경화물 및 요철 형상]
본 발명의 반사 방지재는, 상기 소수성 다공질 무기 필러가 상기 수지 조성물 또는 그의 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되어 있으며, 분산 상태가 안정된 결과, 경화물의 표면에 존재하는 소수성 다공질 무기 필러가 요철 형상을 형성하고, 입사광을 산란시킴으로써 반사 방지 기능을 발휘한다. 또한, 소수성 다공질 무기 필러 표면의 다공질 구조도 입사광을 산란시킬 수 있어, 반사 방지 기능이 더욱 향상된다.
또한, 소수성 다공질 무기 필러는 그 표면이 소수성을 나타내기 때문에, 이것을 포함하는 경화물은 자비수 등의 혹독한 가열 조건에서도 열화되기 어려운 높은 내열성, 특히 내열수성을 나타내고, 내구성이 우수하다.
상기 소수성 다공질 무기 필러를 상기 경화물 전체에 널리 퍼지게 하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 경화물을 구성하는 수지 조성물에 소수성 다공질 무기 필러를 균일하게 분산시킨 후에 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 본 발명의 반사 방지재를 효율적으로 제조하기 위해서는, 소수성 다공질 무기 필러를 균일하게 분산시킨 후에 경화시키는 방법이 바람직하다.
이하에, 본 발명의 반사 방지재의 제조 방법의 일 형태를 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
수지 조성물에 소수성 다공질 무기 필러를 첨가하여, 혼합·교반함으로써 균일하게 분산시킬 수 있다. 혼합·교반의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 디졸버, 균질기 등의 각종 믹서, 니더, 롤, 비즈 밀, 자공전식 교반 장치 등의 공지 내지 관용의 교반, 혼합 수단을 사용할 수 있다. 또한, 교반, 혼합 후, 감압 하 또는 진공 하에서 탈포해도 된다.
본 발명의 경화 전의 수지 조성물 성상은 특별히 한정되지 않지만, 액상인 것이 바람직하다. 본 발명의 반사 방지재를 형성하는 경화 전의 수지 조성물은, 소수성 다공질 무기 필러를 사용함으로써 소량의 첨가로 반사 방지 기능을 발현할 수 있기 때문에, 톨루엔 등의 용제를 사용하지 않아도 액상이 되기 쉬워, 바람직하다.
[경화 공정]
소수성 다공질 무기 필러가 균일하게 분산된 수지 조성물을 경화시켜 경화물(이하, 「본 발명의 경화물」이라 칭하는 경우가 있음)로 함으로써, 본 발명의 반사 방지재를 얻을 수 있다.
경화 전의 수지 조성물 전체량(100중량％)에 대한, 경화 중에 휘발되는 성분의 양은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10중량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 5중량％ 이하이다. 경화 중에 휘발되는 성분의 양이 10중량％ 이하임으로써, 경화물의 치수 안정성이 높아져 바람직하다. 본 발명의 경화 전의 수지 조성물은, 소수성 다공질 무기 필러를 사용함으로써 소량의 첨가로 반사 방지 기능을 발현할 수 있기 때문에, 용제(톨루엔 등)의 휘발 성분을 사용하지 않아도 액상이 되기 쉽고, 경화 중에 휘발되는 성분의 양을 적게 할 수 있다.
경화의 수단으로서는, 가열 처리나 광 조사 처리 등의 공지 내지 관용의 수단을 이용할 수 있다. 가열에 의해 경화시킬 때의 온도(경화 온도)는 특별히 한정되지 않지만, 45 내지 200℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 내지 190℃, 또한 바람직하게는 55 내지 180℃이다. 또한, 경화 시에 가열하는 시간(경화 시간)은 특별히 한정되지 않지만, 30 내지 600분이 바람직하고, 보다 바람직하게는 45 내지 540분, 더욱 바람직하게는 60 내지 480분이다. 경화 온도와 경화 시간이 상기 범위의 하한값보다 낮은 경우에는 경화가 불충분해지고, 반대로 상기 범위의 상한값보다 높은 경우에는, 수지 성분의 분해가 일어나는 경우가 있어, 모두 바람직하지 않다. 경화 조건은 다양한 조건에 의존하지만, 예를 들어 경화 온도를 높게 한 경우에는 경화 시간을 짧고, 경화 온도를 낮춘 경우에는 경화 시간을 길게 하거나 하여 적절히 조정할 수 있다. 또한, 경화는 1단계로 행할 수도 있고, 2단계 이상의 다단계로 행할 수도 있다.
또한, 광 조사에 의해 경화시킨 경우에는, 예를 들어 i-선(365nm), h-선(405nm), g-선(436nm) 등을 포함하는 광(방사선)을, 조도 10 내지 1200mW/cm2, 조사 광량 20 내지 2500mJ/cm2로 조사함으로써 본 발명의 반사 방지재를 얻을 수 있다. 방사선에 의한 경화물의 열화를 억제하는 관점과, 생산성의 관점에서, 바람직하게는 방사선의 조사 광량 20 내지 600mJ/cm2, 보다 바람직하게는 조사 광량 20 내지 300mJ/cm2가 바람직하다. 조사에는, 고압 수은 램프, 크세논 램프, 카본 아크 램프, 메탈 할라이드 램프, 레이저광 등을 조사원으로서 사용할 수 있다.
[반사 방지재]
본 발명의 반사 방지재는 상술한 바와 같이, 높은 투명성과 우수한 반사 방지 기능에 더하여, 높은 내열성(특히, 내열수성)을 겸비하기 때문에, 광학 재료용의 (광학 재료를 형성하는 용도에 사용됨) 수지로서 적합하게 사용할 수 있다. 광학 재료란, 광확산성, 광투과성, 광반사성 등의 각종 광학적 기능을 발현하는 재료이다. 본 발명의 반사 방지재를 사용함으로써, 본 발명의 경화물(광학 재료)을 적어도 포함하는 광학 부재가 얻어진다. 또한, 당해 광학 부재는 본 발명의 반사 방지재만으로 구성된 것이어도 되고, 본 발명의 반사 방지재가 일부에만 사용된 것이어도 된다. 광학 부재로서는, 광확산성, 광투과성, 광반사성 등의 각종 광학적 기능을 발현하는 부재나, 상기 광학적 기능을 이용한 장치나 기기를 구성하는 부재 등을 들 수 있고, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 광반도체 장치, 유기 EL 장치, 접착제, 전기 절연재, 적층판, 코팅, 잉크, 도료, 실란트, 레지스트, 복합 재료, 투명 기재, 투명 시트, 투명 필름, 광학 소자, 광학 렌즈, 광조형, 전자 페이퍼, 터치 패널, 태양 전지 기판, 광도파로, 도광판, 홀로그래픽 메모리, 광픽업 센서 등의 각종 용도에 있어서 사용되는 공지 내지 관용의 광학 부재가 예시된다.
본 발명의 반사 방지재는, 소수성 다공질 무기 필러가 경화물 전체에 널리 퍼져 균일하게 분산되는 결과, 그 표면에 소수성 다공질 무기 필러에 의해 형성된 미세하며 균일한 요철 형상을 가지고, 당해 요철 형상에 의해 입사광이 산란되어 전반사가 일어나지 않으므로, 광택이 억제되어 시인성을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 반사 방지재에 형성된 요철 형상의 산술 평균 표면 조도 Ra는, 0.1 내지 1.0㎛의 범위가 바람직하고, 0.2 내지 0.8㎛의 범위가 보다 바람직하다. 요철 형상의 산술 평균 표면 조도 Ra가 이 범위에 있으면, 전광속을 현저하게 손상시키는 일없이, 충분한 반사 방지 기능을 발휘할 수 있는 경향이 있다.
또한, 본 발명에 있어서 산술 평균 표면 조도 Ra는, JIS B 0601-2001에 의해 정의되는 수치이며, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정, 산출된 것을 의미하는 것으로 한다.
본 발명의 반사 방지재를 구성하는 수지 조성물은, 예를 들어 광반도체 밀봉용 수지 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 수지 조성물은, 광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자를 밀봉하기 위한 조성물(광반도체 장치에 있어서의 광반도체 소자의 밀봉재)로서 바람직하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물(광반도체 밀봉용 수지 조성물)을 사용하여 제조되는 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치(예를 들어, 도 1에 있어서의 104가 본 발명의 반사 방지재로 구성된 광반도체 장치)가 얻어진다. 광반도체 소자의 밀봉은, 예를 들어 소수성 다공질 무기 필러가 균일하게 분산된 수지 조성물을 소정의 성형틀 내에 주입하고, 소정의 조건에서 가열 경화 또는 광경화하여 행할 수 있다. 경화 온도, 경화 시간이나 광경화의 조건 등은, 상기 반사 방지재의 조제 시와 동일한 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 상술한 본 발명의 광반도체 장치는 특히 전광속을 저하시키지 않고, 우수한 반사 방지 기능을 발휘할 수 있음과 함께, 높은 내열성(특히, 내열수성)을 갖는다. 또한, 본 명세서에 있어서 「본 발명의 광반도체 장치」란, 광반도체 장치의 구성 부재(예를 들어, 밀봉재, 다이 본딩재 등)의 적어도 일부에 본 발명의 반사 방지재가 사용된 광반도체 장치를 의미한다.
실시예
이하에, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 표 1, 2에 나타내는 수지 조성물을 구성하는 성분의 단위는 중량부이다.
제조예 1
경화제(상품명 「리카시드 MH-700」, 신니혼 리카(주)제) 100중량부, 경화 촉진제(상품명 「U-CAT 18X」, 산아프로(주)제) 0.5중량부 및 에틸렌글리콜(와코 쥰야꾸 고교(주)제) 1중량부를, 자공전식 교반 장치(상품명 「아와토리 렌타로 AR-250」, (주)신키제, 이하 동일함)를 사용하여 혼합하고, 에폭시 경화제(K제)를 제조하였다.
실시예 1
지환식 에폭시 화합물(상품명 「셀록사이드 2021P」, (주)다이셀제) 100중량부, 제조예 1에서 얻어진 에폭시 경화제 101.5중량부를 자공전식 교반 장치를 사용하여 혼합하고, 탈포하여, 경화성 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
상기에서 얻어진 경화성 에폭시 수지 조성물 100중량부 및 소수성 다공질 무기 필러(상품명 「사일로포빅 702」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제) 20중량부를, 자공전식 교반 장치를 사용하여 혼합하고, 탈포하여 얻어진 경화성 에폭시 수지 조성물을 도 1에 나타내는 광반도체의 리드 프레임(InGaN 소자, 3.5mm×2.8mm)으로 주형한 후, 150℃의 수지 경화 오븐에서 5시간 가열함으로써, 본 발명의 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치를 제조하였다. 또한, 도 1에 있어서, 100은 리플렉터, 101은 금속 배선, 102는 광반도체 소자, 103은 본딩 와이어, 104는 밀봉재(반사 방지재)를 나타내고, 104의 전체에 걸쳐 소수성 다공질 무기 필러가 균일하게 분산되어 있으며, 그 중의 상부 표면에 존재하는 소수성 다공질 무기 필러에 의해 균일하며 미세한 요철 형상이 형성되어 있다(요철 형상은 도시 생략).
실시예 2 내지 13, 비교예 1 내지 13
경화성 에폭시 수지 조성물, 소수성 다공질 무기 필러, 다공질 무기 필러(소수화 처리되지 않은 것)의 조성을 표 1, 2에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 광반도체 장치를 제조하였다.
[평가]
상기에서 제조한 광반도체 장치에 대하여, 하기 평가를 행하였다. 결과를 표 1, 2 각각에 나타낸다.
(1) 내열수성 시험(자비수 중에 있어서의 내열성)
실시예, 비교예에서 얻어진 광반도체 장치를, 비등된 물에 30분간 침지시킨 후, 외관을 목시로 평가하였다. 외관이 시험 전과 동일한 경우를 ○, 백탁된 경우를 ×로 하였다.
(2) 형광등의 투영
실시예, 비교예에서 얻어진 광반도체 장치의 상면(도 1의 밀봉재(104)의 상면)에 점등한 형광등을 비추어 반사를 보았을 때, 반사 방지재에 비치는 형광등의 선명함을 목시로 3단계 평가하였다.
형광등의 윤곽을 인식할 수 없는 경우를 ○, 윤곽이 선명하지 않으면서 인식할 수 있는 경우를 △, 윤곽이 선명하게 인식할 수 있는 경우를 ×로 하였다.
(3) 산술 평균 표면 조도 Ra
실시예, 비교예에서 얻어진 광반도체 장치의 상면(도 1의 밀봉재(104)의 상면)을 레이저 현미경(상품명 「형상 측정 레이저 현미경 VK-8710」, 키엔스사제)을 사용하여 측정하였다.
(4) 전광속
실시예, 비교예에서 얻어진 각 광반도체 장치에 대하여, 5V, 20mA의 조건에서 통전하였을 때의 전광속을, 전광속 측정기(상품명 「멀티 분광 방사 측정 시스템 OL771」, 옵트로닉 라보라토리즈사제)를 사용하여 측정하였다.
(5) 종합 판정
실시예, 비교예에서 얻어진 각 광반도체 장치에 대하여, 하기 (a) 내지 (d)를 모두 만족시키는 경우를 ○(양호함), 하기 (a) 내지 (d) 중 어느 것을 만족시키지 못하는 경우를 ×(불량함)로 판정하였다.
(a) 상기 (1)에 있어서 측정된 내열수성이 ○이다.
(b) 상기 (2)에 있어서 측정된 형광등의 투영이 ○ 또는 △이다.
(c) 상기 (3)에 있어서 측정된 산술 평균 표면 조도 Ra가 0.10 내지 1.0㎛이다.
(d) 상기 (4)에 있어서 측정된 전광속이 0.60lm 이상이다.
표 1, 2에 나타내는 반사 방지재를 구성하는 각 성분에 대하여, 이하에 설명한다.
(소수성 다공질 무기 필러)
사일로포빅 702: 상품명 「사일로포빅 702」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제, 폴리디메틸실록산으로 소수성 표면 처리된 다공질 실리카 필러, 체적 평균 입자 직경: 4.1㎛; 소수성 표면 처리되기 전의 다공질 실리카 필러의 비표면적: 350m2/g; 흡유량: 170mL/100g
사일로포빅 4004: 상품명 「사일로포빅 4004」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제, 폴리디메틸실록산으로 소수성 표면 처리된 다공질 실리카 필러, 체적 평균 입자 직경: 8.0㎛; 소수성 표면 처리되기 전의 다공질 실리카 필러의 비표면적: 350m2/g; 흡유량: 165mL/100g
사일로포빅 505: 상품명 「사일로포빅 505」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제, 폴리디메틸실록산으로 소수성 표면 처리된 다공질 실리카 필러, 체적 평균 입자 직경: 3.9㎛; 소수성 표면 처리되기 전의 다공질 실리카 필러의 비표면적: 500m2/g; 흡유량: 110mL/100g
(다공질 무기 필러)
사이리시아 430: 상품명 「사이리시아 430」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제, 체적 평균 입자 직경: 4.1㎛; 비표면적: 350m2/g; 평균 세공 직경: 17nm; 세공 용적: 1.25mL/g; 흡유량: 230mL/100g
사이로스페아 C-1504: 상품명 「사이로스페아 C-1504」, 후지 시리시아 가가꾸(주)제, 체적 평균 입자 직경: 4.5㎛; 비표면적: 520m2/g; 평균 세공 직경: 12nm; 세공 용적: 1.5mL/g; 흡유량: 290mL/100g
산스페아 H-52: 상품명 「산스페아 H-52」, AGC 에스아이텍(주)제, 체적 평균 입자 직경: 5㎛; 비표면적: 700m2/g; 평균 세공 직경: 10nm; 세공 용적: 2mL/g; 흡유량: 300mL/100g
(에폭시 수지)
셀록사이드 2021P: 상품명 「셀록사이드 2021P」[3,4-에폭시시클로헥실메틸(3,4-에폭시)시클로헥산카르복실레이트], (주)다이셀제
YD-128: 상품명 「YD-128」[비스페놀 A형 에폭시 수지], 신닛테츠 스미토모 긴조쿠 가가쿠(주)제
TEPIC-VL: 상품명 「TEPIC-VL」[트리글리시딜이소시아누레이트], 닛산 가가쿠 고교(주)제
152: 상품명 「152」[페놀노볼락형 에폭시 수지], 미쯔비시 가가꾸(주)제
YL7410: 상품명 「YL7410」[지방족 에폭시 화합물], 미쯔비시 가가꾸(주)제
X-22-169AS: 상품명 「X-22-169AS」[변성 실리콘 오일(양쪽 말단에 시클로헥센옥시드기를 갖는 폴리디메틸실록산)], 신에쯔 가가꾸 고교(주)제
X-40-2670: 상품명 「X-40-2670」[시클로헥센옥시드기를 갖는 환상 실록산], 신에쯔 가가꾸 고교(주)제
(에폭시 경화제)
MH-700: 상품명 「리카시드 MH-700」[4-메틸헥사히드로무수프탈산/헥사히드로무수프탈산=70/30], 신니혼 리카(주)제
U-CAT 18X: 상품명 「U-CAT 18X」[경화 촉진제], 산아프로(주)제
에틸렌글리콜: 와코 쥰야꾸 고교(주)제
표 1에 도시된 바와 같이, 소수성 다공질 무기 필러가 첨가된 실시예에 관한 반사 방지재를 구비하는 광반도체 장치에 의하면, 내열수성 시험은 모두 ○, 형광등의 투영은 모두 ○ 또는 △의 평가, 산술 평균 표면 조도 Ra가 0.10 내지 1.0㎛, 전광속이 0.60lm 이상의 범위에 있고, 우수한 반사 방지 기능과 조도와, 우수한 내열성, 특히 내열수성을 겸비하는 것이 확인되었다.
한편, 표 2에 도시된 바와 같이, 소수화 처리되지 않은 다공질 무기 필러를 배합한 비교예의 광반도체 장치는, 우수한 반사 방지 기능과 조도를 나타내기는 하지만, 내열수성 시험은 모두 ×이며, 내열수성이 떨어지는 것이었다.
상기에서 설명한 본 발명의 베리에이션을 이하에 부기한다.
[1] 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반사 방지재이며, 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지재.
[2] 상기 소수성 다공질 무기 필러가 상기 경화물 전체에 걸쳐 균일하게 분산되어 있으며, 표면에 반사를 억제하는 요철을 형성하고 있는, 상기 [1]에 기재된 반사 방지재.
[3] 소수성 다공질 무기 필러를 구성하는 다공질 무기 필러(표면이 소수성 처리되기 전의 다공질 무기 필러)가, 무기 유리[예를 들어, 붕규산 유리, 붕규산소다 유리, 규산소다 유리, 알루미늄규산 유리, 석영 등], 실리카, 알루미나, 지르콘 산화철, 산화아연, 산화지르코늄, 산화마그네슘, 산화티타늄, 산화알루미늄, 포스테라이트, 스테아타이트, 스피넬, 클레이, 카올린, 돌로마이트, 히드록시아파타이트, 네페린사이나이트, 크리스토발라이트, 월라스토나이트, 규조토 및 탈크로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 분체이며 다공질 구조를 갖는 것, 또는 이들의 성형체(예를 들어, 구형화한 비즈 등)인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 반사 방지재.
[4] 상기 소수성 다공질 무기 필러가, 상기 다공질 무기 필러에, 금속 산화물, 실란 커플링제, 티타늄 커플링제, 유기산, 폴리올 및 유기 규소 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 소수성 표면 처리제에 의한 표면 처리가 실시된 것인, 상기 [3]에 기재된 반사 방지재.
[5] 상기 소수성 표면 처리제가 유기 규소 화합물인, 상기 [4]에 기재된 반사 방지재.
[6] 상기 유기 규소 화합물이, 트리메틸클로로실란, 헥사메틸디실록산, 디메틸디클로로실란, 옥타메틸시클로테트라실란, 폴리디메틸실록산, 헥사데실실란, 메타크릴실란 및 실리콘 오일로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(바람직하게는 폴리디메틸실록산)인, 상기 [5]에 기재된 반사 방지재.
[7] 상기 소수성 다공질 무기 필러가, 소수성 다공질 무기 유리 및 소수성 다공질 실리카(소수성 다공질 실리카 필러)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(바람직하게는 소수성 다공질 실리카 필러)인, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[8] 상기 소수성 다공질 실리카 필러가, 용융 실리카, 결정 실리카, 고순도 합성 실리카 및 콜로이드상 실리카로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 다공질 실리카가 상기 소수성 표면 처리제로 처리된 것인, 상기 [7]에 기재된 반사 방지재.
[9] 상기 소수성 다공질 무기 필러의 형상이, 분체, 구상, 파쇄상, 섬유상, 바늘 형상 및 인편상으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(바람직하게는 구상 또는 파쇄상)인, 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[10] 상기 소수성 다공질 무기 필러가, 다공질 무기 필러의 표면이 소수성 처리된 것이며, 소수성 처리 전의 다공질 무기 필러의 비표면적이 200m2/g 이상(바람직하게는 200 내지 2000m2/g, 보다 바람직하게는 200 내지 1500m2/g, 더욱 바람직하게는 200 내지 1000m2/g)인, 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[11] 상기 소수성 다공질 무기 필러의 평균 입자 직경이 1 내지 20㎛(바람직하게는 2 내지 15㎛)인, 상기 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[12] 상기 소수성 다공질 무기 필러의 흡유량이 10 내지 2000mL/100g(바람직하게는 100 내지 1000mL/100g)인, 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[13] 상기 반사 방지재 전체량(100중량％)에 대한 상기 소수성 다공질 무기 필러의 함유량이 4 내지 40중량％(바람직하게는 4 내지 35중량％, 보다 바람직하게는 4 내지 30중량％)인, 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[14] 반사 방지재를 구성하는 수지 조성물(100중량부)에 대한 상기 소수성 다공질 무기 필러의 함유량(배합량)이 5 내지 80중량부(바람직하게는 5 내지 70중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 60중량부)인, 상기 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[15] 상기 수지 조성물이 투명한 경화성 수지 조성물을 포함하는, 상기 [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[16] 상기 경화성 수지 조성물이, 에폭시 수지 (A), 실리콘 수지 (B) 및 아크릴 수지 (C)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 경화성 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는, 상기 [15]에 기재된 반사 방지재.
[17] 상기 경화성 수지 조성물이, 에폭시 수지 (A)를 포함하는 조성물(경화성 에폭시 수지 조성물)을 포함하는, 상기 [16]에 기재된 반사 방지재.
[18] 상기 에폭시 수지 (A)가, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 이소시아누레이트, 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 화합물, 지방족 에폭시 화합물 및 분자 내에 에폭시기를 1개 이상 갖는 실록산 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(바람직하게는 지환식 에폭시 화합물)인, 상기 [16] 또는 [17]에 기재된 반사 방지재.
[19] 상기 지환식 에폭시 화합물이, 분자 내에 시클로헥센옥시드기를 갖는 화합물(바람직하게는 분자 내에 2개 이상의 시클로헥센옥시드기를 갖는 화합물)을 포함하는, 상기 [18]에 기재된 반사 방지재.
[20] 상기 지환식 에폭시 화합물이 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하는, 상기 [19]에 기재된 반사 방지재.
[식 (1) 중, X는 단결합 또는 연결기(1 이상의 원자를 갖는 2가의 기)를 나타낸다. 식 (1)에 있어서의 지환을 구성하는 탄소 원자의 1 이상에는, 치환기(바람직하게는 알킬기)가 결합되어 있어도 된다.]
[21] 상기 식 (1)로 표시되는 화합물이, 2,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)프로판, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)에테르, 1,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)에탄, 1,2-에폭시-1,2-비스(3,4-에폭시시클로헥산-1-일)에탄 및 하기 식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 지환식 에폭시 화합물인, 상기 [20]에 기재된 반사 방지재.
[식 (1-5), (1-7) 중의 l, m은 각각 1 내지 30의 정수를 나타낸다. 식 (1-5) 중의 R은 탄소수 1 내지 8의 알킬렌기이다. 하기 식 (1-9), (1-10) 중의 n1 내지 n6은 각각 1 내지 30의 정수를 나타낸다.]
[22] 상기 지환식 에폭시 화합물이 상기 식 (1-1)로 표시되는 화합물을 포함하는, 상기 [21]에 기재된 반사 방지재.
[23] 상기 에폭시 수지 (A)의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여 25 내지 99.8중량％(예를 들어, 25 내지 95중량％)(바람직하게는 30 내지 90중량％, 보다 바람직하게는 35 내지 85중량％, 더욱 바람직하게는 40 내지 60중량％)인, 상기 [17] 내지 [22] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[24] 상기 지환식 에폭시 화합물의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여 20 내지 99.8중량％(바람직하게는 40 내지 95중량％(예를 들어, 40 내지 60중량％), 보다 바람직하게는 50 내지 95중량％, 더욱 바람직하게는 60 내지 90중량％, 가장 바람직하게는 70 내지 85중량％)인, 상기 [18] 내지 [23] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[25] 상기 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량(100중량％)에 대한 지환식 에폭시 화합물의 비율이, 40 내지 100중량％(예를 들어, 40 내지 90중량％)(바람직하게는 80 내지 100중량％, 보다 바람직하게는 90 내지 100중량％, 더욱 바람직하게는 95 내지 100중량％)인, 상기 [18] 내지 [24] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[26] 상기 경화성 에폭시 수지 조성물이, 추가로 경화제 (D) 및 경화 촉진제 (E), 또는 경화 촉매 (F)(바람직하게는 경화제 (D) 및 경화 촉진제 (E))를 포함하는, 상기 [17] 내지 [25] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[27] 상기 경화제 (D)가, 산무수물류(산무수물계 경화제), 아민류(아민계 경화제), 폴리아미드 수지, 이미다졸류(이미다졸계 경화제), 폴리머캅탄류(폴리머캅탄계 경화제), 페놀류(페놀계 경화제), 폴리카르복실산류, 디시안디아미드류 및 유기산히드라지드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(바람직하게는 산무수물계 경화제)인, 상기 [26]에 기재된 반사 방지재.
[28] 상기 산무수물계 경화제가, 25℃에서 액상인 산무수물, 또는 25℃에서 고체상인 산무수물을 25℃에서 액상인 산무수물에 용해시킨 액상의 혼합물인, 상기 [27]에 기재된 반사 방지재.
[29] 상기 경화제 (D)의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량 100중량부에 대하여, 50 내지 200중량부(바람직하게는 75 내지 150중량부, 보다 바람직하게는 100 내지 120중량부)인, 상기 [26] 내지 [28] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[30] 상기 경화 촉진제 (E)의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량 100중량부에 대하여 0.05 내지 5중량부(바람직하게는 0.1 내지 3중량부, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3중량부, 더욱 바람직하게는 0.25 내지 2.5중량부)인, 상기 [26] 내지 [29] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[31] 상기 경화성 에폭시 수지 조성물이 다가 알코올(바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 알킬렌글리콜)을 포함하는, 상기 [17] 내지 [30] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[32] 상기 다가 알코올의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물에 포함되는 에폭시 화합물의 전체량 100중량부에 대하여, 0.05 내지 5중량부(바람직하게는 0.1 내지 3중량부, 보다 바람직하게는 0.2 내지 3중량부, 더욱 바람직하게는 0.25 내지 2.5중량부)인, 상기 [31]에 기재된 반사 방지재.
[33] 상기 경화성 에폭시 수지 조성물이 형광체를 포함하는, 상기 [1] 내지 [32] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[34] 상기 형광체의 함유량(배합량)이, 경화성 에폭시 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대하여, 0.5 내지 20중량％인, 상기 [33]에 기재된 반사 방지재.
[35] 상기 반사 방지재에 형성된 요철 형상의 산술 평균 표면 조도 Ra가, 0.1 내지 1.0㎛의 범위(바람직하게는 0.2 내지 0.8㎛의 범위)에 있는, 상기 [1] 내지 [34] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[36] 광반도체 밀봉용인, 상기 [1] 내지 [35] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재.
[37] 상기 [36]에 기재된 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치.
[38] 상기 [1] 내지 [36] 중 어느 하나에 기재된 반사 방지재의 제조를 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물.
[39] 액상인, 상기 [38]에 기재된 수지 조성물.
[40] 상기 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대한 경화 중에 휘발되는 성분의 양이, 10중량％ 이하인, 상기 [38] 또는 [39]에 기재된 수지 조성물.
[41] 상기 [38] 내지 [40] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 경화시키는 것을 특징으로 하는, 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 반사 방지재의 제조 방법.
본 발명의 반사 방지재는, 높은 투명성과 우수한 반사 방지 기능에 더하여, 높은 내열성, 특히 내열수성을 겸비하기 때문에, 광학 재료용 (광학 재료를 형성하는 용도에 사용됨) 수지로서 적합하게 사용할 수 있다. 광학 부재로서는, 광확산성, 광투과성, 광반사성 등의 각종 광학적 기능을 발현하는 부재나, 상기 광학적 기능을 이용한 장치나 기기를 구성하는 부재 등을 들 수 있고, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 광반도체 장치, 유기 EL 장치, 접착제, 전기 절연재, 적층판, 코팅, 잉크, 도료, 실란트, 레지스트, 복합 재료, 투명 기재, 투명 시트, 투명 필름, 광학 소자, 광학 렌즈, 광조형, 전자 페이퍼, 터치 패널, 태양 전지 기판, 광도파로, 도광판, 홀로그래픽 메모리, 광픽업 센서 등의 각종 용도에 있어서 사용되는 공지 내지 관용의 광학 부재가 예시된다.
100: 리플렉터(광반사용 수지 조성물)
101: 금속 배선(전극)
102: 광반도체 소자
103: 본딩 와이어
104: 밀봉재(반사 방지재)
101: 금속 배선(전극)
102: 광반도체 소자
103: 본딩 와이어
104: 밀봉재(반사 방지재)
Claims (13)
- 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반사 방지재로서, 당해 경화물의 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 방지재.
- 제1항에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러가 상기 경화물 전체에 걸쳐 균일하게 분산되어 있으며, 표면에 반사를 억제하는 요철을 형성하고 있는 반사 방지재.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러가, 다공질 무기 필러의 표면이 소수성 처리된 것이며, 소수성 처리 전의 다공질 무기 필러의 비표면적이 200m2/g 이상인 반사 방지재.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소수성 다공질 무기 필러의 평균 입자 직경이 1㎛ 내지 20㎛인 반사 방지재.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 반사 방지재 전체량(100중량％)에 대한 상기 소수성 다공질 무기 필러의 함유량은 4 내지 40중량％인 반사 방지재.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 조성물은 투명한 경화성 수지 조성물을 포함하는 반사 방지재.
- 제6항에 있어서, 상기 경화성 수지 조성물은 에폭시 수지를 포함하는 조성물을 포함하는 반사 방지재.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광반도체 밀봉용인 반사 방지재.
- 제8항에 기재된 반사 방지재에 의해 광반도체 소자가 밀봉된 광반도체 장치.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지재의 제조를 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 소수성 다공질 무기 필러가 분산된 수지 조성물.
- 제10항에 있어서, 액상인 수지 조성물.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 수지 조성물의 전체량(100중량％)에 대한 경화 중에 휘발되는 성분의 양은 10중량％ 이하인 수지 조성물.
- 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 경화시키는 것을 특징으로 하는, 표면에 반사를 억제하는 요철이 형성되어 있는 반사 방지재의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-200397 | 2016-10-11 | ||
| JP2016200397 | 2016-10-11 | ||
| PCT/JP2017/035957 WO2018070300A1 (ja) | 2016-10-11 | 2017-10-03 | 反射防止材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190059969A true KR20190059969A (ko) | 2019-05-31 |
Family
ID=61905462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197013178A KR20190059969A (ko) | 2016-10-11 | 2017-10-03 | 반사 방지재 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7481802B2 (ko) |
| KR (1) | KR20190059969A (ko) |
| CN (2) | CN109804276A (ko) |
| TW (1) | TWI829625B (ko) |
| WO (1) | WO2018070300A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202423704A (zh) * | 2022-08-31 | 2024-06-16 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | 防眩性積層體 |
| WO2024048406A1 (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 防眩性積層体 |
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Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108369985B (zh) * | 2016-01-15 | 2022-04-29 | 株式会社大赛璐 | 防反射材料 |
-
2017
- 2017-10-03 JP JP2018544967A patent/JP7481802B2/ja active Active
- 2017-10-03 CN CN201780063069.0A patent/CN109804276A/zh active Pending
- 2017-10-03 CN CN202311727599.4A patent/CN117849914A/zh active Pending
- 2017-10-03 KR KR1020197013178A patent/KR20190059969A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-10-03 WO PCT/JP2017/035957 patent/WO2018070300A1/ja active Application Filing
- 2017-10-11 TW TW106134742A patent/TWI829625B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201827510A (zh) | 2018-08-01 |
| JPWO2018070300A1 (ja) | 2019-07-25 |
| WO2018070300A1 (ja) | 2018-04-19 |
| CN117849914A (zh) | 2024-04-09 |
| CN109804276A (zh) | 2019-05-24 |
| TWI829625B (zh) | 2024-01-21 |
| JP7481802B2 (ja) | 2024-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2023101001856; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20230829 Effective date: 20240314 |