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KR20180135887A - 나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 - Google Patents

나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 Download PDF

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KR20180135887A
KR20180135887A KR1020187025618A KR20187025618A KR20180135887A KR 20180135887 A KR20180135887 A KR 20180135887A KR 1020187025618 A KR1020187025618 A KR 1020187025618A KR 20187025618 A KR20187025618 A KR 20187025618A KR 20180135887 A KR20180135887 A KR 20180135887A
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KR
South Korea
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resist
film
forming
underlayer film
resist underlayer
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KR1020187025618A
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료 카라사와
케이스케 하시모토
Original Assignee
닛산 가가쿠 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

[과제] 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 높은 드라이에칭내성을 가지며, 높은 내열성을 가지고, 고온에서의 질량 감소가 적고, 평탄한 단차기판 피복성을 나타내는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 이 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다.
[해결수단] 하기 식(1):
Figure pct00015

의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 식(1)의 단위구조가 식(2):
Figure pct00016

의 단위구조이다. 반도체기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트 하층막 상에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 이 하드마스크 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 이 레지스트 패턴에 의해 이 하드마스크를 에칭하여 패턴을 형성하는 공정, 이 패턴화된 하드마스크에 의해 이 하층막을 에칭하여 패턴을 형성하는 공정, 및 이 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 이 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.

Description

나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
본 발명은 나프톨아랄킬 수지를 이용한 레지스트 하층막 형성 조성물에 관한 것이다.
종래부터 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세가공이 행해지고 있다. 상기 미세가공은 실리콘 웨이퍼 등의 피가공기판 상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크패턴을 개재하여 자외선 등의 활성광선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 실리콘 웨이퍼 등의 피가공기판을 에칭처리하는 가공법이다. 그런데, 최근, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되고, 사용되는 활성광선도 KrF엑시머레이저(248nm)에서 ArF엑시머레이저(193nm)로 단파장화되는 경향이 있다. 이에 수반하여 활성광선의 기판으로부터의 난반사나 정재파의 영향이 큰 문제였다. 이에 포토레지스트와 피가공기판 사이에 반사방지막을 마련하는 방법이 널리 검토되게 되었다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 레지스트 패턴이 현상 후에 무너진다는 문제가 발생할 가능성이 있어, 레지스트의 박막화가 요구된다. 그러므로, 기판가공에 충분한 레지스트 패턴 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공할 반도체기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판가공시의 마스크로서의 기능을 갖게 하는 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성(에칭속도가 빠른) 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다.
예를 들어 나프탈렌 수지 유도체를 함유하는 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3, 특허문헌 4를 참조).
국제공개 WO2006/132088호 팜플렛 일본특허공개 2003-345027 국제공개 WO2011/074494호 팜플렛 국제공개 WO2012/077640호 팜플렛
본 발명의 목적은, 반도체장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것이다. 또한 본 발명의 목적은, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 높은 드라이에칭내성을 가지며, 높은 내열성을 가지고, 고온에서의 질량 감소가 낮고, 평탄한 단차기판 피복성을 나타내는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 이 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명은, 이 레지스트 하층막에 조사광을 미세가공에 사용할 때의 기판으로부터의 반사광을 효과적으로 흡수하는 성능을 부여할 수도 있다. 나아가, 본 발명의 목적은, 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용한 레지스트 패턴의 형성법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 제1 관점으로서, 하기 식(1):
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, n1은 단위구조의 반복수이며 1~10의 정수를 나타내고, n2는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물,
제2 관점으로서, 식(1)의 단위구조가 식(2):
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, n1은 단위구조의 반복수이며 1~10의 정수를 나타낸다.)의 단위구조인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제3 관점으로서, 추가로 가교제를 포함하는 제1 관점 또는 제2 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제4 관점으로서, 추가로 산 및/또는 산발생제를 포함하는 제1 관점 내지 제3 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제5 관점으로서, 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성하는 것을 포함하는 레지스트 하층막의 제조방법,
제6 관점으로서, 반도체기판 상에 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트 하층막 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트막에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 이 레지스트 패턴에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 이 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 이 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법,
제7 관점으로서, 반도체기판에 제1 관점 내지 제4 관점 중 어느 하나에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트 하층막 상에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 이 하드마스크 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트막에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 이 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 이 패턴화된 하드마스크에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 이 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 이 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법,
제8 관점으로서, 반도체기판의 가공이, 반도체기판의 에칭 또는 반도체기판에 대한 이온주입인 제6 관점 또는 제7 관점에 기재된 제조방법, 및
제9 관점으로서, 반도체기판의 가공이, 반도체기판에 대한 붕소, 비소, 인, 또는 이들의 조합을 포함하는 성분의 이온주입인 제6 관점 또는 제7 관점에 기재된 제조방법이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트 하층막의 상층부와 그 위에 피복되는 층의 인터믹싱을 일으키는 일 없이, 높은 드라이에칭내성을 가지며, 높은 내열성을 가지고, 고온에서의 질량 감소가 적고, 평탄한 단차기판 피복성을 나타내는 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공할 수 있다. 그리고, 이 레지스트 하층막 상에 형성된 레지스트에는, 패턴무너짐 등이 없는 양호한 레지스트의 패턴형상을 형성할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에는 기판으로부터의 반사를 효율적으로 억제하는 성능을 부여하는 것도 가능하며, 노광광의 반사방지막으로서의 효과를 함께 가질 수도 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는, 우수한 레지스트 하층막을 제공할 수 있다.
레지스트 패턴의 미세화에 수반하여 레지스트 패턴이 현상 후에 무너지는 것을 방지하기 위해 레지스트의 박막화가 행해지고 있다. 이러한 박막레지스트에서는, 레지스트 패턴을 에칭프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 그 하층막을 마스크로 하여 기판가공을 행하는 프로세스나, 레지스트 패턴을 에칭프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 다시 하층막에 전사된 패턴을 상이한 가스 조성을 이용하여 그 하층막에 전사한다는 과정(行程)을 반복하고, 최종적으로 기판가공을 행하는 프로세스가 있다. 본 발명의 레지스트 하층막 및 그 형성 조성물은 이 프로세스에 유효하며, 본 발명의 레지스트 하층막을 이용하여 기판을 가공할 때는, 가공기판(예를 들어, 기판 상의 열산화규소막, 질화규소막, 폴리실리콘막 등)에 대해 충분히 에칭내성을 갖는 것이다.
그리고, 본 발명의 레지스트 하층막은, 평탄화막, 레지스트 하층막, 레지스트층의 오염방지막, 드라이에치 선택성을 갖는 막으로서 이용할 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조의 리소그래피 프로세스에 있어서의 레지스트 패턴 형성을, 용이하게, 정도 좋게 행할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성 조성물에 의한 레지스트 하층막을 기판 상에 형성하고, 레지스트 하층막 상에 하드마스크를 형성하고, 하드마스크 상에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 노광과 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 하드마스크에 전사하고, 하드마스크에 전사된 레지스트 패턴을 레지스트 하층막에 전사하고, 그 레지스트 하층막에서 반도체기판의 가공을 행하는 프로세스가 있다. 이 프로세스에서 하드마스크는 유기 폴리머나 무기 폴리머와 용제를 포함하는 도포형의 조성물에 의해 행해지는 경우와, 무기물의 진공증착에 의해 행해지는 경우가 있다. 무기물(예를 들어, 질화산화규소)의 진공증착에서는 증착물이 레지스트 하층막 표면에 퇴적되는데, 이때 레지스트 하층막 표면의 온도가 400℃ 전후로 상승한다.
또한, 붕소, 비소, 인, 또는 이들의 조합을 포함하는 성분의 이온주입공정에서 실리콘기판 표면을 보호하는 마스크의 역할도 할 수 있다.
본 발명은 식(1)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다.
식(1) 중, n1은 단위구조의 반복수이며, 1~10, 2~10, 또는 3~10의 정수를 나타내고, n2는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
본 발명에서는 상기 폴리머와 용제를 포함한다. 그리고, 가교제와 산을 포함할 수 있고, 필요에 따라 산발생제, 계면활성제 등의 첨가제를 포함할 수 있다. 이 조성물의 고형분은 0.1~70질량%, 또는 0.1~60질량%이다. 고형분은 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 용제를 제거한 전체성분의 함유비율이다. 고형분 중에 상기 폴리머를 1~100질량%, 또는 1~99.9질량%, 또는 50~99.9질량%의 비율로 함유할 수 있다.
본 발명에 이용되는 폴리머는, 중량평균분자량이 600~1000000, 또는 600~200000이다.
상기 폴리머에 포함되는 식(1)의 단위구조는, 각각 식(2)~식(4)의 단위구조를 들 수 있는데, 식(2)의 단위구조가 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00003
상기 식(2)~식(4)에 있어서, n1은 단위구조의 반복수이며, 각각 1~10, 2~10, 또는 3~10의 정수를 나타낸다.
상기 나프톨아랄킬 수지는, 예를 들어 나프톨과 p-자일릴렌글리콜디메틸에테르를 촉매하에 반응시켜 얻을 수 있다. 촉매는 메탄설폰산, 옥살산 등의 산성촉매를 이용할 수 있다. 또한, 이 나프톨아랄킬 수지는 시판의 수지, 예를 들어 신닛테츠스미킨화학(주)제의 상품명 SN-180, SN-395, SN-485, SN-495V 등을 이용할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은, 상기 폴리머에 더하여 다른 폴리머를 전체폴리머 중에, 전체폴리머의 질량에 기초하여 30질량% 이내로 혼합하여 이용할 수 있다.
이들 다른 폴리머로는 폴리아크릴산에스테르 화합물, 폴리메타크릴산에스테르 화합물, 폴리아크릴아미드 화합물, 폴리메타크릴아미드 화합물, 폴리비닐 화합물, 폴리스티렌 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 폴리말레산 무수물, 및 폴리아크릴로니트릴 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은 가교제성분을 포함할 수 있다. 그 가교제로는, 멜라민계 화합물, 치환요소계 화합물, 또는 이들의 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교형성치환기를 갖는 가교제이고, 메톡시메틸화글리콜우릴, 부톡시메틸화글리콜우릴, 메톡시메틸화멜라민, 부톡시메틸화멜라민, 메톡시메틸화벤조구아나민, 부톡시메틸화벤조구아나민, 메톡시메틸화요소, 부톡시메틸화요소, 메톡시메틸화티오요소, 또는 메톡시메틸화티오요소 등의 화합물이다. 또한, 이들 화합물의 축합체도 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 이용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족환(예를 들어, 벤젠환, 나프탈렌환)을 갖는 가교형성치환기를 함유하는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
이 화합물은 하기 식(5)의 부분구조를 갖는 화합물이나, 하기 식(6)의 반복단위를 갖는 폴리머 또는 올리고머를 들 수 있다.
식(5) 중, R11 및 R12는 각각 수소원자, 탄소원자수 1~10의 알킬기, 또는 탄소원자수 6~20의 아릴기이고, n11은 1~4의 정수이고, n12는 1~(5-n11)의 정수이고, (n11+n12)는 2~5의 정수를 나타낸다.
식(4) 중, R13은 수소원자 또는 탄소원자수 1~10의 알킬기이고, R14는 탄소원자수 1~10의 알킬기이고, n13은 1~4의 정수이고, n14는 0~(4-n13)이고, (n13+n14)는 1~4의 정수를 나타낸다. 올리고머 및 폴리머는 단위구조의 반복수가 2~100, 또는 2~50인 범위에서 이용할 수 있다.
이들 알킬기 및 아릴기는, 상기 알킬기 및 아릴기를 예시할 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식(5), 식(6)의 화합물, 폴리머, 올리고머는 이하에 예시된다.
[화학식 5]
Figure pct00005
[화학식 6]
Figure pct00006
[화학식 7]
Figure pct00007
상기 화합물은 아사히유기재공업(주), 혼슈화학공업(주)의 제품으로 입수할 수 있다. 예를 들어 상기 가교제 중에서 식(5-21)의 화합물은 아사히유기재공업(주), 상품명 TM-BIP-A로서 입수할 수 있다.
가교제의 첨가량은, 사용하는 도포용제, 사용하는 하지기판, 요구되는 용액점도, 요구되는 막형상 등에 따라 변동하는데, 전체고형분에 대하여 0.001~80질량%, 바람직하게는 0.01~50질량%, 더욱 바람직하게는 0.05~40질량%이다. 이들 가교제는 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있지만, 본 발명의 상기 폴리머 중에 가교성 치환기가 존재하는 경우는, 이들 가교성 치환기와 가교반응을 일으킬 수 있다.
본 발명에서는 상기 가교반응을 촉진하기 위한 촉매로서, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 피리디늄p-톨루엔설폰산, 살리실산, 설포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 기타 유기설폰산알킬에스테르 등의 열산발생제를 배합할 수 있다. 배합량은 전체고형분에 대하여, 0.0001~20질량%, 바람직하게는 0.0005~10질량%, 바람직하게는 0.01~3질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물은, 리소그래피공정에서 레지스트 하층막과, 이 레지스트막의 상층에 피복되는 포토레지스트와의 산성도를 일치시키기 위해, 광산발생제를 첨가할 수 있다. 바람직한 광산발생제로는, 예를 들어, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트 등의 오늄염계 광산발생제류, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐함유화합물계 광산발생제류, 벤조인토실레이트, N-하이드록시석신이미드트리플루오로메탄설포네이트 등의 설폰산계 광산발생제류 등을 들 수 있다. 상기 광산발생제의 첨가량은 전체고형분에 대하여, 0.2~10질량%, 바람직하게는 0.4~5질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 상기 이외에 필요에 따라 추가적인 흡광제, 레올로지조정제, 접착보조제, 계면활성제 등을 첨가할 수 있다.
추가적인 흡광제로는 예를 들어, 「공업용 색소의 기술과 시장」(CMC 출판)이나 「염료편람」(유기합성화학협회 편)에 기재된 시판의 흡광제, 예를 들어, C.I. Disperse Yellow 1, 3, 4, 5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50, 51, 54, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93, 102, 114 및 124; C.I. D isperse Orange1, 5, 13, 25, 29, 30, 31, 44, 57, 72 및 73; C.I. Disperse Red 1, 5, 7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65, 72, 73, 88, 117, 137, 143, 199 및 210; C.I. Disperse Violet 43; C.I. Disperse Blue 96; C.I. Fluorescent Brightening Agent 112, 135 및 163; C.I. Solvent Orange 2 및 45; C.I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27 및 49; C.I. Pigment Green 10; C.I. Pigment Brown 2 등을 호적하게 이용할 수 있다. 상기 흡광제는 통상, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하의 비율로 배합된다.
레올로지조정제는, 주로 레지스트 하층막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 베이킹공정에 있어서, 레지스트 하층막의 막두께균일성의 향상이나 기판 등의 홀 내부에 대한 레지스트 하층막 형성 조성물의 충전성을 높이기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 디메틸프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디이소부틸프탈레이트, 디헥실프탈레이트, 부틸이소데실프탈레이트 등의 프탈산 유도체, 디노말부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 옥틸데실아디페이트 등의 아디프산 유도체, 디노말부틸말레이트, 디에틸말레이트, 디노닐말레이트 등의 말레산 유도체, 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라하이드로푸르푸릴올레이트 등의 올레산 유도체, 또는 노말부틸스테아레이트, 글리세릴스테아레이트 등의 스테아르산 유도체를 들 수 있다. 이들 레올로지조정제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 30질량% 미만의 비율로 배합된다.
접착보조제는, 주로 기판 혹은 레지스트와 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막과의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에 있어서 레지스트가 박리되지 않도록 하기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N’-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 복소환식 화합물이나, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다. 이들 접착보조제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 5질량% 미만, 바람직하게는 2질량% 미만의 비율로 배합된다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에는, 핀홀이나 스트리에이션 등의 발생이 없이, 표면얼룩에 대한 도포성을 더욱 향상시키기 위해, 계면활성제를 배합할 수 있다. 계면활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌블록코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올레이트, 솔비탄트리올레이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 에프톱 EF301, EF303, EF352((주)토켐프로덕츠제, 상품명), 메가팍 F171, F173, R-30, R-40, R-40N(DIC(주)제, 상품명), 플로라드 FC430, FC431(스미토모쓰리엠(주)제, 상품명), 아사히가드 AG710, 사프론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히유리(주)제, 상품명) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머 KP341(신에쯔화학공업(주)제) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물의 전체고형분에 대하여 통상 2.0질량% 이하, 바람직하게는 1.0질량% 이하이다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가할 수도 있고, 또한 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명에서, 상기 폴리머 및 가교제성분, 가교촉매 등을 용해시키는 용제로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-하이드록시프로피온산에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 하이드록시아세트산에틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸 등을 이용할 수 있다. 이들 유기용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다.
나아가, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 고비점용제를 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 용제 중에서 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸, 및 시클로헥사논 등이 레벨링성의 향상에 대해 바람직하다.
다음에 본 발명의 레지스트 패턴 형성법에 대하여 설명하면, 정밀집적 회로소자의 제조에 사용되는 기판(예를 들어 실리콘/이산화실리콘피복, 유리기판, ITO기판 등의 투명기판) 상에 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포 후, 베이크하여 경화시켜 도포형 하층막을 작성한다. 여기서, 레지스트 하층막의 막두께로는 0.01~3.0μm가 바람직하다. 또한 도포 후 베이킹하는 조건으로는 80~350℃에서 0.5~120분간이다. 그 후 레지스트 하층막 상에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러층의 도막재료를 도포형 하층막 상에 성막한 후, 레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 통해 광 또는 전자선의 조사를 행하고, 현상, 린스, 건조함으로써 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 필요에 따라 광 또는 전자선의 조사 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 그리고, 레지스트가 상기 공정에 의해 현상제거된 부분의 레지스트 하층막을 드라이에칭에 의해 제거하여, 원하는 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
본 발명에 이용되는 레지스트는 포토레지스트나 전자선 레지스트이다.
본 발명에 있어서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 포토레지스트로는 네가티브형, 포지티브형 모두 사용가능하며, 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드설폰산에스테르로 이루어지는 포지티브형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 알칼리가용성 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산발생제로 이루어지는 화학증폭형 포토레지스트, 골격에 Si원자를 갖는 포토레지스트 등이 있고, 예를 들어, 롬앤하스사제, 상품명 APEX-E를 들 수 있다.
또한 본 발명에 있어서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 전자선 레지스트로는, 예를 들어 주쇄에 Si-Si결합을 포함하고 말단에 방향족환을 포함한 수지와 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어지는 조성물, 또는 수산기가 N-카르복시아민을 포함하는 유기기로 치환된 폴리(p-하이드록시스티렌)과 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어지는 조성물 등을 들 수 있다. 후자의 전자선 레지스트 조성물에서는, 전자선 조사에 의해 산발생제로부터 발생한 산이 폴리머 측쇄의 N-카르복시아미녹시기와 반응하여, 폴리머 측쇄가 수산기에 분해되어 알칼리가용성을 나타내고 알칼리현상액에 용해되어, 레지스트 패턴을 형성하는 것이다. 이 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제는 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-메톡시페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2-디클로로에탄, 2-클로로-6-(트리클로로메틸)피리딘 등의 할로겐화 유기 화합물, 트리페닐설포늄염, 디페닐요오드늄염 등의 오늄염, 니트로벤질토실레이트, 디니트로벤질토실레이트 등의 설폰산에스테르를 들 수 있다.
레지스트용액은 도포한 후에 소성온도 70~150℃에서, 소성시간 0.5~5분간 행하고, 레지스트막두께는 10~1000nm의 범위에서 얻어진다. 레지스트용액이나 현상액이나 이하에 나타내는 도포재료는, 스핀코트, 딥법, 스프레이법 등으로 피복할 수 있는데, 특히 스핀코트법이 바람직하다. 레지스트의 노광은 소정의 마스크를 통해 노광이 행해진다. 노광에는, KrF엑시머레이저(파장 248nm), ArF엑시머레이저(파장 193nm) 및 EUV광(파장 13.5nm), 전자선 등을 사용할 수 있다. 노광 후, 필요에 따라 노광 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 노광 후 가열은, 가열온도 70℃~150℃, 가열시간 0.3~10분간에서 적당히, 선택된다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물을 사용하여 형성한 레지스트 하층막을 갖는 레지스트의 현상액으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제2아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제3아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 테트라에틸암모늄하이드록시드, 콜린 등의 제4급암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 환상아민류 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 이소프로필알코올 등의 알코올류, 비이온계 등의 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서 바람직한 현상액은 제4급암모늄염, 더욱 바람직하게는 테트라메틸암모늄하이드록시드 및 콜린이다.
또한, 본 발명에서는 레지스트의 현상에 현상액으로서 유기용제를 이용할 수 있다. 레지스트의 노광 후에 현상액(용제)에 의해 현상이 행해진다. 이에 따라, 예를 들어 포지티브형 포토레지스트가 사용된 경우에는, 노광되지 않는 부분의 포토레지스트가 제거되어, 포토레지스트의 패턴이 형성된다.
현상액으로는, 예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산아밀, 아세트산이소아밀, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 2-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 4-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 2-에톡시부틸아세테이트, 4-에톡시부틸아세테이트, 4-프로폭시부틸아세테이트, 2-메톡시펜틸아세테이트, 3-메톡시펜틸아세테이트, 4-메톡시펜틸아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산부틸, 포름산프로필, 유산에틸, 유산부틸, 유산프로필, 탄산에틸, 탄산프로필, 탄산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산프로필, 피루브산부틸, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 프로피온산이소프로필, 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필-3-메톡시프로피오네이트 등을 예로서 들 수 있다. 나아가, 이들 현상액에 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다. 현상의 조건으로는, 온도 5~50℃, 시간 10~600초에서 적당히 선택된다.
본 발명에서는, 반도체기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 이 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 레지스트 하층막 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막에 광 또는 전자선 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체장치를 제조할 수 있다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 레지스트 패턴이 현상 후에 무너진다는 문제가 발생하여, 레지스트의 박막화가 요구된다. 그러므로, 기판가공에 충분한 레지스트 패턴 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공할 반도체기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판가공시의 마스크로서의 기능을 갖게 할 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이나 반도체기판에 비해 작은 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여하는 것도 가능하며, 종래의 반사방지막의 기능을 겸비할 수 있다.
한편, 미세한 레지스트 패턴을 얻기 위해, 레지스트 하층막의 드라이에칭시에 레지스트 패턴과 레지스트 하층막을 레지스트 현상시의 패턴폭보다 좁게 하는 프로세스도 사용되기 시작하였다. 이러한 프로세스용의 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성 반사방지막과는 달리, 레지스트에 가까운 드라이에칭속도의 선택비를 갖는 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여하는 것도 가능하며, 종래의 반사방지막의 기능을 겸비할 수 있다.
본 발명에서는 기판 상에 본 발명의 레지스트 하층막을 성막한 후, 레지스트 하층막 상에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러층의 도막재료를 레지스트 하층막 상에 성막한 후, 레지스트를 도포할 수 있다. 이에 따라 레지스트의 패턴폭이 좁아지고, 패턴무너짐을 방지하기 위해 레지스트를 얇게 피복한 경우에도, 적절한 에칭가스를 선택함으로써 기판의 가공이 가능해진다.
즉, 반도체기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트막 상에 규소성분 등을 함유하는 도막재료에 의한 하드마스크 또는 증착에 의한 하드마스크(예를 들어, 질화산화규소)를 형성하는 공정, 다시 이 하드마스크 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트막에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 이 하드마스크를 할로겐계 가스로 에칭하여 패턴을 형성하는 공정, 이 패턴화된 하드마스크에 의해 이 레지스트 하층막을 산소계 가스 또는 수소계 가스로 에칭하여 패턴을 형성하는 공정, 및 이 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 할로겐계 가스로 반도체기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체장치를 제조할 수 있다.
본 발명에서는 반도체기판의 가공에, 반도체기판의 에칭 또는 반도체기판에 대한 이온주입을 이용할 수 있다. 반도체기판의 가공이, 반도체기판에 대한 붕소, 비소, 인 또는 이들의 조합을 포함하는 성분의 이온주입인 경우에, 실리콘기판 표면을 보호하는 마스크재료로서 유용하다. 예를 들어 붕소를 포함하는 성분으로는 삼불화붕소가, 인을 포함하는 성분으로는 포스핀이, 비소를 포함하는 성분으로는 아르신을 들 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막의 반사방지막으로서의 효과를 고려한 경우, 광흡수부위가 상기 폴리머의 골격에 취입되어 있으므로, 가열건조시에 포토레지스트 중으로의 확산물이 없고, 또한, 광흡수부위는 충분히 큰 흡광성능을 갖고 있으므로 반사광 방지효과가 높다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막은, 열안정성이 높고, 소성시의 분해물에 의한 상층막으로의 오염을 막을 수 있고, 또한, 소성공정의 온도마진에 여유를 갖게 할 수 있는 것이다.
나아가, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 형성되는 레지스트 하층막은, 프로세스조건에 따라서는, 광의 반사를 방지하는 기능과, 더 나아가서는 기판과 포토레지스트의 상호작용의 방지 혹은 포토레지스트에 이용되는 재료 또는 포토레지스트에 대한 노광시에 생성되는 물질의 기판에 대한 악작용을 방지하는 기능을 갖는 막으로서의 사용이 가능하다.
실시예
(실시예 1)
나프톨 수지, 상품명 SN-180(신닛테츠스미킨화학제, 식(2)에 상당한다. 중량평균분자량은 1400) 5.0g에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 13.5g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 31.50g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 이 용액을 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 레지스트 하층막 형성 조성물용액을 조제하였다.
(실시예 2)
나프톨 수지, 상품명 SN-395(신닛테츠스미킨화학제, 식(3)에 상당한다. 중량평균분자량은 1160) 5.0g에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 13.5g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 31.50g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 이 용액을 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 레지스트 하층막 형성 조성물용액을 조제하였다.
(실시예 3)
나프톨 수지, 상품명 SN-485(신닛테츠스미킨화학제, 식(4)에 상당한다. 중량평균분자량은 560) 5.0g에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 13.5g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 31.50g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 이 용액을 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 레지스트 하층막 형성 조성물용액을 조제하였다.
(실시예 4)
나프톨 수지, 상품명 SN-495V(신닛테츠스미킨화학제, 식(4)에 상당한다. 중량평균분자량은 640) 5.0g에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 13.5g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 31.50g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 이 용액을 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 레지스트 하층막 형성 조성물용액을 조제하였다.
(비교예 1)
나프톨 수지, 상품명 SN-180(신닛테츠스미킨화학제, 식(2)에 상당한다. 중량평균분자량은 1,400) 10.0g을 에피클로로히드린 40.0g에 용해하였다. 이 용액에, 다시 에틸트리페닐포스포늄브로마이드를 0.03g 첨가하고, 120℃에서 12시간 반응시킨 후에, 48%수산화나트륨수용액 4.2g을 5분에 걸쳐 적하하였다. 적하종료 후, 다시 30분 반응을 계속하였다. 그 후, 여과에 의해 생성된 염을 제거하고, 다시 수세한 뒤 에피클로로히드린을 유거하여, 식(7)의 에폭시 수지를 얻었다. 에폭시당량은 271g/eq였다.
식(7)의 에폭시 수지 3.26g을, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 23.3g에 용해하고, 다시 9-안트라센카르본산 2.50g, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드를 0.25g 첨가하고, 120℃에서 12시간 환류하고 반응시켜 식(8)의 폴리에테르 수지의 용액을 얻었다. 얻어진 고분자 화합물의 GPC분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균분자량은 1,800이었다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식(8)의 폴리에테르 수지 1.5g에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 12.8g 및, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 5.6g을 첨가하여 용액으로 하였다. 그 후, 이 용액을 구멍직경 0.10μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과하고, 다시, 구멍직경 0.05μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과해, 레지스트 하층막 형성 조성물용액을 조제하였다.
(광학 파라미터의 측정)
실시예 1~4, 비교예 1에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 240℃ 1분간 및 400℃ 2분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.05μm)을 형성하였다. 이들 레지스트 하층막을, 분광 엘립소미터를 이용하여 파장 193nm에서의 굴절률(n값) 및 광학흡광계수(k값, 감쇠계수라고도 함)를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
Figure pct00009
(포토레지스트용제에 대한 용출시험)
실시예 1~4, 비교예 1에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 400℃ 1분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20μm)을 형성하였다. 이 레지스트 하층막을 레지스트에 사용하는 용제, 예를 들어 유산에틸, 그리고 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논에 대한 침지시험을 행하였다.
실시예 1~4의 용액을 400℃ 1분간 소성한 막은 이들 용제에 불용인 것을 확인하였다.
비교예 1의 용액을 240℃ 1분간 소성한 막은 용제에 불용이지만, 400℃ 1분간 소성한 막은 이들 용제에 용해되어, 용제내성은 얻을 수 없었다.
(단차피복성의 평가)
실시예 1~4, 비교예 1에서 조정한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 스피너에 의해 단차기판 상에 도포하였다. 사용한 단차기판((주)어드밴텍제)은, 단차의 높이는 400nm, L/S(라인앤스페이스)는 120nm/120nm이고, 산화규소막이 피복된 기판이다. 그 후, 240℃ 및 350℃에서 60초간 베이크한 시료의 단면을, 주사형 전자현미경(SEM)으로 관찰하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. L/S 상의 막두께(nm)와 L/S가 없는 에어리어(OPEN)의 막두께(nm)를 측장(測長)하여, 막두께차의 대소를 판단하였다.
Figure pct00010
비교예 1은 폭이 넓은 단차기판에 대한 성막성이 나빠, 단차기반(基盤)의 L/S 상과 OPEN 상에 성막할 수 없었다.
(단차피복성의 평가)
실시예 1~4, 비교예 1에서 조정한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 스피너에 의해 단차기판 상에 도포하였다. 사용한 단차기판((주)어드밴텍제)은, 단차의 높이는 400nm, L/S(라인앤스페이스)는 120nm/120nm이고, 산화규소막이 피복된 기판이다. 그 후, 240℃, 350℃ 및 400℃에서 60초간 베이크한 시료의 단면을, 주사형 전자현미경(SEM)으로 관찰하였다. 결과를 표 3에 나타내었다. 보이드 없이 피복되어 있는 것을 양호, 보이드가 보인 것을 불량으로 판단하였다.
Figure pct00011
(폴리머의 열물성 평가)
실시예 1~4, 비교예 1에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물용액에 대하여 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 100℃ 1분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20μm)을 형성하였다. 이 레지스트 하층막에 대하여 5%질량 감소온도(Td5%(℃))를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.
Figure pct00012
식(1)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 얻어진 레지스트 하층막은, 5%질량감소온도가 220~410℃ 정도이며 고온내열성이 있다. 그리고, 단차피복성도 양호하며, 단차를 갖는 부분과 단차를 갖지 않는 부분의 막두께차가 60~330nm 정도이다. 특히 식(2)의 단위구조를 갖는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물로부터 얻어진 레지스트 하층막은, 막두께차가 작고 단차피복성이 양호해져, 평탄한 도포형상을 나타내었다.
산업상 이용가능성
본 발명은, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않고, 높은 드라이에칭내성을 가지며, 높은 내열성을 가지고, 고온에서의 질량 감소가 낮고, 평탄한 단차기판 피복성을 나타내는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 이 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 하기 식(1):
    [화학식 1]
    Figure pct00013

    (식 중, n1은 단위구조의 반복수이며 1~10의 정수를 나타내고, n2는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.)의 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    식(1)의 단위구조가 식(2):
    [화학식 2]
    Figure pct00014

    (식 중, n1은 단위구조의 반복수이며 1~10의 정수를 나타낸다.)의 단위구조인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    가교제를 추가로 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    산 및/또는 산발생제를 추가로 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체기판 상에 도포하고 소성하는 것을 포함하는 레지스트 하층막의 제조방법.
  6. 반도체기판 상에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트 하층막 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트막에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 이 레지스트 패턴에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 이 레지스트 하층막에 의해 이 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 반도체기판에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 이 레지스트 하층막 상에 하드마스크를 형성하는 공정, 다시 이 하드마스크 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 이 레지스트막에 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 이 레지스트 패턴에 의해 하드마스크를 에칭하는 공정, 이 패턴화된 하드마스크에 의해 이 레지스트 하층막을 에칭하는 공정, 및 이 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 이 반도체기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 반도체기판의 가공이, 이 반도체기판의 에칭 또는 이 반도체기판에 대한 이온주입인 제조방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 반도체기판의 가공이, 이 반도체기판에 대한 붕소, 비소, 인, 또는 이들의 조합을 포함하는 성분의 이온주입인 제조방법.
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