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KR20160013037A - 접합 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents

접합 웨이퍼의 제조방법 Download PDF

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KR20160013037A
KR20160013037A KR1020157033535A KR20157033535A KR20160013037A KR 20160013037 A KR20160013037 A KR 20160013037A KR 1020157033535 A KR1020157033535 A KR 1020157033535A KR 20157033535 A KR20157033535 A KR 20157033535A KR 20160013037 A KR20160013037 A KR 20160013037A
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rta
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토루 이시즈카
노리히로 코바야시
Original Assignee
신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 접합 웨이퍼를 구성하는 본드웨이퍼를 박리한 후의 접합 웨이퍼에 대하여, 수소함유 분위기하에서 RTA처리를 행한 후, 희생 산화처리를 행하여 상기 박막을 감후하는 공정을 가지며, 상기 RTA처리의 유지개시온도를 1150℃보다 높은 온도로 하고, 상기 RTA처리의 유지종료온도를 1150℃ 이하로 한 조건으로, 상기 RTA처리를 행하는 접합 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, RTA처리와 희생 산화처리를 조합하여, 접합 웨이퍼의 박막 표면의 평탄화와 박막의 감후화를 행할 때에, BMD밀도의 증가를 억제하고, 또한, 박막 표면을 충분히 평탄화할 수 있는 접합 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.

Description

접합 웨이퍼의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING BONDED WAFER}
본 발명은, 이온주입 박리법에 의한 접합 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼의 제조방법, 특히 첨단 집적회로의 고성능화를 가능하게 하는 박막 SOI웨이퍼의 제조방법으로서, 이온주입한 웨이퍼를 접합 후에 박리하여 SOI웨이퍼를 제조하는 방법(이온주입 박리법: 스마트커트법(등록상표)이라고도 불리는 기술)이 주목을 받고 있다.
이 이온주입 박리법은, 2매의 실리콘 웨이퍼 중, 적어도 한쪽에 산화막(절연막)을 형성함과 함께, 한쪽 실리콘 웨이퍼(본드웨이퍼)의 상면으로부터 수소이온 또는 희가스이온 등의 가스이온을 주입하고, 이 웨이퍼 내부에 미소기포층(봉입층)을 형성시킨 후, 이 이온을 주입한 쪽의 면을, 산화막을 개재하여 다른쪽 실리콘 웨이퍼(베이스웨이퍼)와 밀착시키고, 그 후 열처리(박리 열처리)를 가해 미소기포층을 벽개(劈開)면으로 하여 한쪽 웨이퍼(본드웨이퍼)를 박막상으로 박리하고, 다시 열처리(결합 열처리)를 가해 강고하게 결합하여 SOI웨이퍼로 하는 기술이다(특허문헌 1 등 참조). 이 단계에서는, 벽개면(박리면)이 SOI층의 표면이 되어, SOI막두께가 얇으면서 균일성도 높은 SOI웨이퍼가 비교적 용이하게 얻어진다. 한편, 이 이온주입 박리법에서는 절연막을 개재하지 않고, 직접 본드웨이퍼와 베이스웨이퍼를 접합하여, 접합 웨이퍼를 제조할 수도 있다.
그러나, 박리 후의 SOI웨이퍼 표면에는 이온주입에 의한 데미지층이 존재하며, 또한, 표면거칠기가 통상의 실리콘 웨이퍼의 경면에 비해 큰 것으로 되어 있다. 따라서, 이온주입 박리법에서는, 이러한 데미지층과 표면거칠기를 제거하는 것이 필요해진다.
종래, 이 데미지층 등을 제거하기 위하여, 결합 열처리 후의 최종공정에 있어서, 터치폴리시(タッチポリッシュ)라 불리는 연마대(代)가 매우 적은 경면연마(취대(取り代): 100nm 정도)가 행해지고 있었다. 그런데, SOI층에 기계가공적 요소를 포함하는 연마를 해버리면, 연마의 취대가 균일하지 않기 때문에, 수소이온 등의 주입과 박리에 의해 달성된 SOI층의 막두께 균일성이 악화된다는 문제가 발생한다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 상기 터치폴리시 대신에 고온열처리를 행하여 표면거칠기를 개선하는 평탄화처리가 행해지게 되었다.
예를 들어, 특허문헌 2에서는, 박리 열처리 후(또는 결합 열처리 후)에, SOI층의 표면을 연마하는 일 없이 수소를 포함하는 환원성 분위기하의 열처리(급속가열·급속냉각 열처리(RTA처리, Rapid Thermal Annealing))를 가하는 것을 제안하고 있다. 그리고, 특허문헌 3의 청구항 2 등에서는, 박리 열처리 후(또는 결합 열처리 후)에, 산화성 분위기하의 열처리에 의해 SOI층에 산화막을 형성한 후에 이 산화막을 제거(희생 산화처리)하고, 다음에 환원성 분위기의 열처리(급속가열·급속냉각 열처리(RTA처리))를 가하는 것을 제안하고 있다.
또한, 특허문헌 4에서는, 박리면을 직접 산화할 때에 발생하기 쉬운 OSF(Oxidation induced Stacking Faults)를 회피하기 위하여, 불활성가스, 수소가스, 혹은 이들의 혼합가스 분위기하에서의 평탄화 열처리 후에 희생 산화처리를 행함으로써, 박리면의 평탄화와 OSF의 회피를 동시에 달성하고 있다.
특허문헌 5에서는, 박리 후의 접합 웨이퍼의 결합강도를 높이기 위한 결합 열처리를 산화성 분위기에서 행할 때, 박리면에 발생하기 쉬운 OSF를 확실하게 회피하기 위하여, 결합 열처리로서, 950℃ 미만의 온도에서 산화 열처리를 행한 후에, 5% 이하의 산소를 포함하는 불활성가스 분위기에서, 1000℃ 이상의 온도에서 열처리를 행하는 것이 개시되어 있다.
나아가, 특허문헌 6에서는, RTA처리와 희생 산화처리를 조합하여 접합 웨이퍼의 박막 표면의 평탄화와 박막의 감후(減厚)를 행할 때에, BMD밀도의 증가를 억제하고, 또한, 박막 표면을 충분히 평탄화할 수 있는 접합 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 본드웨이퍼를 박리시킨 후의 접합 웨이퍼에 대하여, 수소함유 분위기하에서 제1의 RTA처리를 행한 후, 희생 산화처리를 행하여 박막을 감후하고, 그 후, 수소함유 분위기하에서, 제1의 RTA처리보다 높은 온도에서 제2의 RTA처리를 행하는 접합 웨이퍼의 제조방법이 개시되어 있다.
일본특허공개 H5-211128호 공보 일본특허공개 H11-307472호 공보 일본특허공개 2000-124092호 공보 국제공개 제WO2003/009386호/팜플렛 일본특허공개 2010-98167호 공보 일본특허공개 2012-222294 공보
이온주입 박리법에 의해 SOI웨이퍼 등의 접합 웨이퍼를 제작하는 경우에 있어서, 박리 직후의 박막 표면(박리면이며, SOI웨이퍼에서는 SOI층의 표면이다.)의 평탄화나 이온주입에 의한 데미지층을 제거하기 위하여, 수소를 포함하는 환원성 분위기하에 있어서 고온의 RTA처리를 가하는 것이나, 그 RTA처리 전후에 희생 산화처리를 행하는 것은 상기 문헌을 통해 알려져 있다.
그런데, RTA처리와 희생 산화처리를 조합함으로써 박막 표면의 평탄화와 박막의 감후화(데미지 제거와 막두께 조정)를 행하면, 베이스웨이퍼 중의 산소석출물(BMD, Bulk Micro Defect(벌크미소결함))의 밀도가 증대하는 경우가 있는 것이 분명해졌다. 일반적으로는 RTA처리에 의해 BMD는 용해되기 때문에, BMD밀도는 감소된다고 알려져 있다. 그러나, RTA처리에 의해 일단은 큰 사이즈의 BMD가 감소되었다고 해도, 작은 사이즈의 BMD핵이 새롭게 고밀도로 발생하고, 이 핵이 그 후의 희생 산화처리에 의해 큰 사이즈의 BMD로 성장하여, 그 결과, BMD밀도가 오히려 증대한다는 현상이 분명해졌다. 나아가, RTA처리를 높은 온도로 하면 할수록, 후속하는 산화 열처리에 의한 BMD밀도가 보다 증대하는 관계가 있는 것이 분명해졌다.
BMD밀도가 높은 경우에는, 디바이스 프로세스의 열처리를 받아 접합 웨이퍼(예를 들어 SOI웨이퍼)가 크게 변형되어, 포토리소그래피 공정에서 패턴이 어긋나 불량해진다는 문제가 발생하는 경우가 있다고 알려져 있으며, 특히 미세한 포토리소그래피를 필요로 하는 고성능의 첨단 집적회로의 제조에 이용되는 접합 웨이퍼에 있어서는, BMD밀도의 증가를 억제하는 것이 중요한 품질항목이라 여겨지고 있다.
본 발명은 상기 서술한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, RTA처리와 희생 산화처리를 조합하여, 접합 웨이퍼의 박막 표면의 평탄화와 박막의 감후화를 행할 때에, BMD밀도의 증가를 억제하고, 또한, 박막 표면을 충분히 평탄화할 수 있는 접합 웨이퍼의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 본드웨이퍼의 표면으로부터 수소이온, 희가스이온 중 적어도 1종류의 가스이온을 이온주입하여 이온주입층을 형성하고, 상기 본드웨이퍼의 이온주입한 표면과 베이스웨이퍼의 표면을 직접 혹은 절연막을 개재하여 접합한 후, 상기 이온주입층에서 본드웨이퍼를 박리시킴으로써, 상기 베이스웨이퍼 상에 박막을 갖는 접합 웨이퍼를 제작하는, 접합 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 상기 본드웨이퍼를 박리한 후의 접합 웨이퍼에 대하여, 수소함유 분위기하에서 RTA처리를 행한 후, 희생 산화처리를 행하여 상기 박막을 감후하는 공정을 가지며, 상기 RTA처리의 유지개시온도를 1150℃보다 높은 온도로 하고, 상기 RTA처리의 유지종료온도를 1150℃ 이하로 한 조건으로, 상기 RTA처리를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 웨이퍼의 제조방법을 제공한다.
이러한 유지개시온도 및 유지종료온도로 한다면, 박막의 표면을 충분히 평탄화할 수 있다. 이와 함께, 유지종료온도를 상기 온도로 함으로써, 접합 웨이퍼에 있어서의 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있다. 그 결과, RTA처리의 후에 희생 산화처리를 행하여, 박막의 감후를 행하여도, BMD밀도의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 상기 유지개시온도로부터 상기 유지종료온도까지의 유지시간 중은, 온도하강을 수반하나 온도상승을 수반하지 않는 것이 바람직하다.
이렇게 유지시간 중의 온도를 조절함으로써, RTA처리의 최초의 단계에 있어서, 충분히 박막 표면의 평탄화를 할 수 있는 고온으로 했다고 하여도, RTA처리의 최후의 단계에서, 보다 확실하게 1150℃ 이하로 할 수 있고, 처리시간도 단축시킬 수 있다.
또한 상기 유지개시온도를 1175℃ 이상 1250℃ 이하로 하고, 상기 유지종료온도를 1100℃ 이상 1150℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
이러한 유지개시온도 및 유지종료온도로 한다면, 보다 박막의 표면을 평탄화할 수 있다. 이와 함께, 유지종료온도를 상기 범위로 함으로써, 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있다.
본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법에 따라, 유지온도의 최초에서 온도가 높고 최후에서 온도가 낮은 RTA처리를 하고, 그 후 희생 산화처리를 행함으로써, 표면거칠기가 작고, BMD밀도가 낮은 접합 웨이퍼를 제조할 수 있다. 이처럼 BMD밀도가 작은 접합 웨이퍼이면, 디바이스 프로세스의 열처리를 받아도 접합 웨이퍼가 크게 변형되지도 않으며, 포토리소그래피 공정에서 패턴이 어긋나 불량해진다는 문제가 발생하기 어렵다.
도 1은 실시예 1의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 2는 실시예 2의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 3은 실시예 3의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 4의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 5는 비교예 1의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 6은 비교예 2의 접합 웨이퍼를 제조할 때의 RTA처리의 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법의 실시태양의 일 예를 나타내는 플로우도이다.
이하, 본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법에 대하여, 실시태양의 일 예로서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법은 이하에서는 SOI웨이퍼를 제조하는 태양을 중심으로 설명하나, 본 발명의 방법은 절연막을 형성하지 않고서 직접 2매의 웨이퍼를 접합하는 직접 접합 웨이퍼의 제조에도 적용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법의 플로우도이다.
먼저, 도 7의 공정(a)에 나타내는 바와 같이, 본드웨이퍼(10) 및 지지기판이 되는 베이스웨이퍼(11)를 준비한다. 본드웨이퍼(10) 및 베이스웨이퍼(11)는 경면연마된 실리콘 단결정 웨이퍼로 할 수 있다.
이때, 공정(a)에 있어서, 접합 웨이퍼의 지지기판이 되는 베이스웨이퍼(11)로서, 그 후의 열처리에 있어서 내슬립전위특성을 발휘할 수 있도록, 비교적 높은 산소농도의 기판을 선택하는 경우가 있다. 또한, 베이스웨이퍼(11)로서 게터링에 의해 디바이스 활성층으로부터 불순물의 영향을 저감시킬 목적으로, 산소농도, 질소농도 또는 붕소농도가 높은 기판을 선택하는 경우가 있다. 이처럼, 접합 웨이퍼에 이용하는 기판의 종류에 따라, 잠재적으로 접합 웨이퍼의 BMD밀도가 보다 증가하기 쉬운 상황을 선택하는 경우가 있으나, 본 발명이라면, 이들과 같은 기판을 이용하여도 BMD밀도의 증가를 효과적으로 억제할 수 있다.
다음에, 도 7의 공정(b)에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 열산화나 CVD산화 등에 의해 본드웨이퍼(10)에 매립산화막이 되는 산화막(12)을 형성한다. 산화막 대신에, 질화막이나 산질화막 등의 공지의 절연막을 형성할 수 있다. 이 산화막(절연막)(12)은, 베이스웨이퍼(11)에만 형성해도 되고, 양 웨이퍼에 형성해도 되고, 또한, 직접 접합 웨이퍼를 제조하는 경우에는 형성하지 않아도 된다.
다음에, 도 7의 공정(c)에 나타내는 바와 같이, 본드웨이퍼(10)의 표면으로부터 수소이온, 희가스이온 중 적어도 1종류의 가스이온을 이온주입하여 이온주입층(13)을 형성한다. 예를 들어 본드웨이퍼(10)의 표면에 형성한 산화막(12)의 표면으로부터, 이온주입기에 의해 수소이온 및 희가스이온 중 적어도 1종류의 가스이온을 주입하여, 본드웨이퍼(10)의 내부에 이온주입층(13)을 형성한다. 이 공정(c)에서는, 목표로 하는 두께의 박막을 얻을 수 있도록, 이온주입가속전압을 선택할 수 있다.
다음에, 도 7의 공정(d)에 나타내는 바와 같이, 본드웨이퍼(10)의 이온주입한 표면과 베이스웨이퍼(11)의 표면을 직접 혹은 절연막(12)을 개재하여 접합한다. 한편, 접합하기 전에, 웨이퍼의 표면에 부착되어 있는 파티클이나 유기물을 제거하기 위하여, 양 웨이퍼에 접합전 세정을 행할 수도 있고, 또한, 접합계면의 결합강도를 높이기 위하여, 웨이퍼 표면에 플라즈마처리를 실시할 수도 있다.
다음에, 도 7의 공정(e)에 나타내는 바와 같이, 이온주입층(13)에서 본드웨이퍼(10)를 박리시킨다. 이에 따라, 베이스웨이퍼(11) 상에 박막(16)을 갖는 접합 웨이퍼(15)를 제작한다. 이 공정(e)에서는, 예를 들어 불활성가스 분위기하, 350℃~500℃의 온도에서 접합 웨이퍼를 유지하여 이온주입층(13)에 있어서 미소기포층을 발생시키는 열처리를 포함하는 열처리를 실시하고, 이온주입층(미소기포층)(13)을 경계로 하여 본드웨이퍼(10)를 박리시켜, 베이스웨이퍼(11) 상에 매립산화막(매립절연막)(14)과 박막(16)을 갖는 접합 웨이퍼(15)를 얻는다.
공정(a)~(e) 후, 도 7의 공정(f)에 나타내는 바와 같이, 본드웨이퍼(10)를 박리한 후의 접합 웨이퍼(15)에 대하여, 수소함유 분위기하에서 RTA처리를 행하여, 박막(16)의 박리면을 평탄화한다. 이 RTA처리의 유지개시온도를 1150℃보다 높은 온도로 하고, RTA처리의 유지종료온도를 1150℃ 이하로 한다. 이 RTA처리는, 램프가열방식의 매엽식(枚葉式) 열처리로를 이용할 수 있고, 또한, 추가로 애피택셜 성장까지 행할 수 있는 이른바 애피택셜 성장로를 이용할 수도 있다.
이러한 유지개시온도 및 유지종료온도로 한다면, 고온유지 중의 평균온도를 높일 수 있어, 박막의 표면을 충분히 평탄화할 수 있다. 이와 함께, 유지종료온도를 상기 온도로 내림으로써, 접합 웨이퍼에 있어서의 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있다.
일반적으로는, RTA처리에 의해, BMD는 일단은 용해되어 감소되지만, 역으로 보다 작은 사이즈의 BMD핵을 고밀도로 형성하고 있는 것으로 생각된다. 그러나, 본 발명의 접합 웨이퍼의 제조방법에 있어서의 RTA처리에 의해, 상기와 같이, 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서의 유지개시온도, 유지종료온도란, 급속승온(10℃/초 이상(50℃/초 이하가 일반적)), 고온유지, 급속강온(10℃/초 이상(50℃/초 이하가 일반적))하는 RTA처리에 있어서 급속승온과 급속강온 사이에 끼인 고온유지시간의 최초와 최후의 온도이다.
본 발명에 있어서의 유지개시온도는, 급속승온이 끝나는 점의 온도이다. 즉 RTA처리에서는 급속승온을 통해 유지온도까지 승온해 가는 것인데, 본 발명에 있어서의 유지개시온도는, 그 승온속도가 급격히 저하되는 점의 온도이다. 특히, 고온유지개시온도로부터 온도는 일정해지거나, 저하된다.
본 발명에 있어서의 유지종료온도는, 급속강온이 시작되는 점이며, 강온속도가 급격히 빨라지는 점의 온도이다. 예를 들어 온도가 1150℃ 이하가 되었을 때에, 강온속도를 급격히 빠르게 하여 예를 들어 강온속도가 10℃/초 이상이 된 점을 유지종료온도라고 정할 수 있다.
또한, 유지개시온도로부터 유지종료온도까지의 유지시간 중은, 온도하강을 수반하나 온도상승을 수반하지 않는 RTA처리로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 유지시간 중의 온도를 조절함으로써, RTA처리의 최초의 단계에 있어서, 충분히 박막 표면의 평탄화를 할 수 있는 고온으로 했다고 하여도, RTA처리의 최후의 단계에서, 보다 확실하게 1150℃ 이하로 할 수 있다. 또한, 고온유지시간도 단축시킬 수 있다. 고온유지시간 중의 온도의 강온은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 도 1~도 4와 같은 패턴으로 행할 수 있고, 일정속도로 강온시킬 수도 있고, 유지개시온도에서 일정시간 유지한 후에 강온할 수도 있다. 강온속도는 예를 들어 0.1~5℃/초로 할 수 있다.
또한, RTA처리에 있어서의 유지개시온도를 1175℃ 이상 1250℃ 이하로 하고, 유지종료온도를 1100℃ 이상 1150℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 나아가 RTA처리에 있어서 보다 표면거칠기의 개선효과를 높이기 위해서는, 유지개시온도는 가능하다면 고온, 예를 들어 1200℃ 이상인 것이 바람직하다.
이러한 유지개시온도 및 유지종료온도로 한다면, 고온유지 중의 평균온도를 높일 수 있어, 보다 박막의 표면을 평탄화할 수 있다. 이와 함께, 유지종료온도를 상기 범위로 함으로써, 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있다.
공정(f)의 RTA처리를 행한 후, 도 7의 공정(g)에 나타내는 바와 같이, 희생 산화처리를 행하여 박막(16)을 감후한다. 예를 들어, 배치식 종형로(縱型爐)를 이용한 산화 열처리에 의해, 박막(16)의 표면을 열산화하여 산화막을 형성하고, 그 산화막을 HF를 함유하는 수용액 등으로 제거함으로써, 박막(16)을 감후한다.
상기 희생 산화처리를 행할 때에는, 조정하고자 하는 막두께에 따라 산화막 두께를 선택한다. 단, 박리면에 발생하기 쉬운 OSF를 확실하게 회피하기 위하여, 본드웨이퍼(10)와 베이스웨이퍼(11)의 결합력을 높이는 결합 열처리로서, 950℃ 미만의 온도에서 산화 열처리를 행한 후에 5% 이하의 산소를 포함하는 불활성가스 분위기에서 1000℃ 이상의 온도에서 열처리를 행하고, 그 후 성장한 산화막을 제거하는 경우가 있다.
상기 공정(f)의 RTA처리 및 공정(g)의 희생 산화처리는, 복수회 반복되는 경우가 있다. 종래의 조건으로는, RTA처리 및 희생 산화처리를 반복할 때마다, RTA처리에서는 BMD가 소거되는 한편 작은 BMD핵은 생성되고, 희생 산화에서는 BMD의 사이즈가 성장하게 된다. 그러나, 본 발명에 있어서의 RTA처리에서는, 상기와 같이 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성을 충분히 억제할 수 있으므로, 희생 산화처리에 의한 BMD밀도의 증가를 억제할 수 있다.
이와 같이 본 발명에서는, 본드웨이퍼를 박리한 후의 접합 웨이퍼에 대하여, 수소함유 분위기하에서 RTA처리를 행할 때에, 처리의 최초의 단계에 있어서는 충분히 표면을 평탄화할 수 있는 높은 온도까지 상승시켜 박막 표면의 평탄화를 실행한 후, 처리의 최후의 단계에 있어서는 작은 사이즈의 새로운 BMD핵의 형성이 거의 발생하지 않는 상한의 온도 이하까지 온도를 저하하는, 온도유지의 프로파일을 갖는, 열처리방법으로 RTA처리를 행할 수 있다. RTA처리에 있어서 새로운 BMD핵의 형성이 거의 없으므로, RTA처리 후에 희생 산화처리에 의해 박막(16)을 감후하여도, BMD밀도의 증가를 억제할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
본드웨이퍼로서 COP(Crystal Originated Particle)가 없는 실리콘 단결정 웨이퍼(직경 300mm, 결정방위 <100>)를 준비하였다. 이 본드웨이퍼에 190nm의 산화막을 성장시킨 후, 이온주입기로, 50keV의 가속에너지로 H+이온을 5×1016atoms/cm2 주입하여 이온주입층을 형성하였다.
베이스웨이퍼로서 산소농도가 22.4ppma(ASTM'79)인 실리콘 단결정 웨이퍼(산화막없음, 직경 300mm, 결정방위 <100>)를 준비하고, 본드웨이퍼의 주입면을 접합면으로 하여 베이스웨이퍼에 밀착시켰다. 그 후, 이 밀착시킨 웨이퍼에 대하여 배치식 횡형(橫型) 열처리로에 의해, 투입온도 200℃, 최고온도 500℃의 열처리를 실시하고, 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다.
이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시시의 온도를 1175℃로 하고, 유지시간의 30초간 온도를 단조롭게 감소시켜, 유지종료시의 온도를 1150℃로 한, RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 1이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로(パイロ)산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면(SOI층의 표면)에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 1.1×107카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM(원자간력현미경)에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS(이승평균제곱근(二乘平均平方根))값은 0.38nm였다.
(실시예 2)
실시예 1과 동일조건으로 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다. 이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시시의 온도를 1175℃로 하고, 유지시간의 처음 10초간은 1175℃를 유지하고, 10초후부터 20초간 온도를 단조롭게 감소시켜, 유지종료시의 온도를 1150℃로 한 RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 2이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 1.2×107카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS값은 0.36nm였다.
(실시예 3)
실시예 1과 동일조건으로 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다. 이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시시의 온도를 1200℃로 하고, 유지시간의 30초간 온도를 단조롭게 감소시켜, 유지종료시의 온도를 1100℃로 한 RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 3이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 9.0×106카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS값은 0.35nm였다.
(실시예 4)
실시예 1과 동일조건으로 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다. 이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시시의 온도를 1160℃로 하고, 유지시간의 30초간 온도를 단조롭게 감소시켜, 유지종료시의 온도를 1100℃로 한 RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 4이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 8.0×106카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS값은 0.42nm였다.
(비교예 1)
실시예 1과 동일조건으로 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다. 이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시온도를 1175℃로 하고, 유지시간의 30초간 온도를 유지한 상태로, 유지종료시의 온도를 1175℃의 상태로 한 RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 5이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 3.0×107카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS값은 0.37nm였다.
(비교예 2)
실시예 1과 동일조건으로 본드웨이퍼를 이온주입층으로부터 박리하여, 베이스웨이퍼 상에 SOI층을 형성하였다. 이 SOI층의 표면에, 매엽식 RTA장치에 의해 수소 50% 아르곤 50% 혼합가스의 분위기에서, 급속승온(30℃/초)/급속강온(30℃/초)에 끼인 온도유지시간의 스텝의 유지개시시의 온도를 1100℃로 하고, 유지시간의 30초간 온도를 유지한 상태로, 유지종료시의 온도를 1100℃의 상태로 한 RTA처리를 실시하였다. 이때의 열처리의 온도프로파일은 도 6이다. 그 후, 배치식 종형 열처리로에 의해, 900℃의 파이로산화 및 1050℃의 산소 1%를 포함하는 Ar가스열처리를 행하고, SOI표면에 산화막 성장을 실시하였다. 그 후 HF세정으로 산화막을 제거함으로써, SOI막두께를 90nm로 조정하였다.
이 SOI웨이퍼에 대하여, 적외선 토모그래프 장치에 의해 베이스웨이퍼의 이면으로부터 200μm까지의 깊이영역에 존재하는 BMD의 밀도를 측정한 결과, 8.0×106카운트/cm3의 밀도를 얻었다. 다시, 이 웨이퍼의 표면거칠기를 AFM에 있어서 가로세로 30μm의 영역에서 측정을 행한 결과, RMS값은 0.55nm였다.
실시예 1~실시예 4, 비교예 1 및 비교예 2의 조건 및 결과를 표 1에 정리하였다.
[표 1]
Figure pct00001

표 1에 나타내는 바와 같이, 표면거칠기는, 주로 고온유지 중의 평균온도에 의존하고, BMD밀도는, 주로 고온유지의 종료온도에 의존하는 것으로 생각된다. 실시예 1, 2와 비교예 1을 비교하면, 표면거칠기에는 큰 차이는 없지만, 유지종료온도가 낮은 실시예 1, 2의 BMD밀도는, 비교예 1에 비해 1/3 정도로 저감시킬 수 있었다.
또한, 실시예 3과 같이, 추가로 유지종료온도를 저온화함으로써, BMD밀도를 더욱 저감시킬 수 있음과 동시에, 유지종료온도를 저온화하여도 유지개시온도를 높임에 따라 고온유지 중의 평균온도를 높여, 표면거칠기의 악화를 방지할 수 있었다.
실시예 4에서는, 유지종료온도를 1100℃로 낮춤으로써 BMD밀도를 저감시키고, 또한, 유지개시온도는 약간 낮지만 1150℃보다 높게 함으로써, 1100℃의 일정온도에서 유지한 비교예 2에 비해 표면거칠기의 악화를 방지할 수 있었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (3)

  1. 본드웨이퍼의 표면으로부터 수소이온, 희가스이온 중 적어도 1종류의 가스이온을 이온주입하여 이온주입층을 형성하고, 상기 본드웨이퍼의 이온주입한 표면과 베이스웨이퍼의 표면을 직접 혹은 절연막을 개재하여 접합한 후, 상기 이온주입층에서 본드웨이퍼를 박리시킴으로써, 상기 베이스웨이퍼 상에 박막을 갖는 접합 웨이퍼를 제작하는, 접합 웨이퍼의 제조방법에 있어서,
    상기 본드웨이퍼를 박리한 후의 접합 웨이퍼에 대하여, 수소함유 분위기하에서 RTA처리를 행한 후, 희생 산화처리를 행하여 상기 박막을 감후하는 공정을 가지며,
    상기 RTA처리의 유지개시온도를 1150℃보다 높은 온도로 하고, 상기 RTA처리의 유지종료온도를 1150℃ 이하로 한 조건으로, 상기 RTA처리를 행하는 것을 특징으로 하는 접합 웨이퍼의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유지개시온도로부터 상기 유지종료온도까지의 유지시간 중은, 온도하강을 수반하나 온도상승을 수반하지 않는 것을 특징으로 하는 접합 웨이퍼의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유지개시온도를 1175℃ 이상 1250℃ 이하로 하고, 상기 유지종료온도를 1100℃ 이상 1150℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 접합 웨이퍼의 제조방법.
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