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KR20130136374A - Touch detecting apparatus and method - Google Patents

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KR20130136374A
KR20130136374A KR1020130006459A KR20130006459A KR20130136374A KR 20130136374 A KR20130136374 A KR 20130136374A KR 1020130006459 A KR1020130006459 A KR 1020130006459A KR 20130006459 A KR20130006459 A KR 20130006459A KR 20130136374 A KR20130136374 A KR 20130136374A
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KR
South Korea
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sensor node
voltage
touch
sensor
output terminal
Prior art date
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KR1020130006459A
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김택무
오영진
김동운
정익찬
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크루셜텍 (주)
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Abstract

A touch detecting device according to an embodiment of the present invention includes a current flow control unit for charging a certain sensor node with electronic charges among multiple sensor nodes and supplying micro currents; a driving unit for applying alternative voltage to the sensor node in the micro current supply section; and a detection unit for detecting touches based on the voltage at an output end of the sensor node with the applied alternative voltage in the micro current supply section.

Description

터치 검출 장치 및 방법{TOUCH DETECTING APPARATUS AND METHOD}Touch detection device and method {TOUCH DETECTING APPARATUS AND METHOD}

본 발명은 터치를 검출하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플로팅 상태의 불안정성을 해결하기 위한 터치 검출 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for detecting a touch, and more particularly, to a touch detection apparatus and method for solving instability in a floating state.

터치 스크린 패널은 영상 표시 장치의 화면에 표시된 문자나 도형을 사람의 손가락이나 다른 접촉 수단으로 접촉하여 사용자의 명령을 입력하는 장치로서, 영상 표시 장치 위에 부착되어 사용된다. 터치 스크린 패널은 사람의 손가락 등으로 접촉된 접촉 위치를 전기적 신호로 변환하고, 변환된 전기적 신호는 입력 신호로서 이용된다.The touch screen panel is a device for inputting a user's command by touching a character or a figure displayed on a screen of the image display device with a human finger or other contact means, and is attached to and used on the image display device. The touch screen panel converts a contact position touched by a human finger or the like into an electrical signal, and the converted electrical signal is used as an input signal.

터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전 용량 방식 등이 알려져 있다. 이 중 정전 용량 방식의 터치 패널은 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지 패턴이 주변의 다른 감지 패턴 또는 접지 전극 등과 형성하는 정전 용량의 변화를 감지함으로써 접촉 위치를 전기적 신호로 변환한다. As a method of implementing a touch screen panel, a resistive film method, a light sensing method, and a capacitive method are known. Among them, the capacitive touch panel converts the contact position into an electrical signal by sensing a change in the capacitance that the conductive sensing pattern forms with other peripheral sensing patterns or the ground electrode when a human hand or an object touches.

도 1은 종래 기술에 따른 정전식 터치 스크린 패널의 일 예에 관한 분해 평면도이다.1 is an exploded top view of an example of a conventional capacitive touch screen panel.

도 1을 참고하면, 터치 스크린 패널(10)은 투명 기판(12)과 투명 기판(12) 위에 차례로 형성된 제1 센서 패턴층(13), 제1 절연막층(14), 제2 센서 패턴층(15) 및 제2 절연막층(16)과 금속 배선(17)으로 이루어진다.Referring to FIG. 1, the touch screen panel 10 may include a first sensor pattern layer 13, a first insulating layer 14, and a second sensor pattern layer sequentially formed on the transparent substrate 12 and the transparent substrate 12. 15) and the second insulating film layer 16 and the metal wiring 17. As shown in FIG.

제1 센서 패턴층(13)은 투명 기판(12) 위에 횡방향을 따라 연결될 수 있으며, 행 단위로 금속 배선(17)과 연결된다.The first sensor pattern layer 13 may be connected along the transverse direction on the transparent substrate 12 and may be connected to the metal lines 17 in units of rows.

제2 센서 패턴층(15)은 제1 절연막층(14) 위에 열방향을 따라 연결될 수 있으며, 제1 센서 패턴층(13)과 중첩되지 않도록 제1 센서 패턴층(13)과 교호로 배치된다. 또한, 제2 센서 패턴층(15)은 열 단위로 금속 배선(17)과 연결된다.The second sensor pattern layer 15 may be connected along the column direction on the first insulating layer 14, and are alternately disposed with the first sensor pattern layer 13 so as not to overlap the first sensor pattern layer 13. . In addition, the second sensor pattern layer 15 is connected to the metal wires 17 in units of columns.

터치 스크린 패널(10)에 사람의 손가락이나 접촉 수단이 접촉되면 제1 및 제2 센서 패턴층(13, 15) 및 금속 배선(17)을 통하여 구동 회로 측으로 접촉 위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고 이렇게 전달된 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 따라 접촉 위치가 파악된다.When a human finger or a contact means contacts the touch screen panel 10, a change in capacitance according to a contact position is transmitted to the driving circuit through the first and second sensor pattern layers 13 and 15 and the metal wire 17. do. As the change in capacitance thus transferred is converted into an electrical signal, the contact position is identified.

그러나 이러한 터치 스크린 패널(10)은 각 센서 패턴층(13, 15)에 인듐-틴 옥사이드(ITO)와 같은 투명한 도전성 물질로 이루어진 패턴을 별도로 구비하여야 하고, 센서 패턴층(13, 15) 사이에 절연막층(14)을 구비하여야 하므로 두께가 증가한다.However, the touch screen panel 10 must separately include a pattern made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) on each of the sensor pattern layers 13 and 15, and between the sensor pattern layers 13 and 15. Since the insulating film layer 14 must be provided, the thickness increases.

또한, 터치에 의해 미세하게 발생하는 정전용량의 변화를 수차례 축적하여야 터치 검출이 가능하기 때문에 높은 주파수로 정전용량 변화를 감지하여야 한다. 그리고, 정전용량의 변화를 정해진 시간 내에 충분히 축적하기 위해서는 낮은 저항을 유지하기 위한 금속 배선을 필요로 하는데, 이러한 금속 배선은 터치 스크린의 테두리에 베젤을 두껍게 하고 추가의 마스크 공정을 발생시킨다.In addition, since touch detection is possible only by accumulating a small change in capacitance generated by touch several times, it is necessary to detect a change in capacitance at a high frequency. In addition, in order to sufficiently accumulate the change in capacitance within a predetermined time, metal wiring for maintaining a low resistance is required, which causes a thick bezel on the edge of the touch screen and generates an additional mask process.

이러한 문제점을 해결하기 위해 도 2에 도시되는 바와 같은 터치 검출 장치가 제안되었다. In order to solve this problem, a touch detection apparatus as shown in FIG. 2 has been proposed.

도 2에 도시되는 터치 검출 장치는 터치 패널(20)과 구동 장치(30) 및 이 둘을 연결하는 회로 기판(40)을 포함한다. The touch detection device illustrated in FIG. 2 includes a touch panel 20, a driving device 30, and a circuit board 40 connecting the two.

터치 패널(20)은 기판(21) 위에 형성되며 다각형의 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 센서 패드(22) 및 센서 패드(22)에 연결되어 있는 복수의 신호 배선(23)을 포함한다. The touch panel 20 includes a plurality of sensor pads 22 formed on the substrate 21 and arranged in a polygonal matrix form and connected to the sensor pads 22.

각 신호 배선(23)은 한쪽 끝이 센서 패드(22)에 연결되어 있으며 다른 쪽 끝은 기판(21)의 아래 가장자리까지 뻗어 있다. 센서 패드(22)와 신호 배선(23)은 커버 유리(50)에 패터닝 될 수 있다.Each signal wire 23 has one end connected to the sensor pad 22 and the other end extending to the lower edge of the substrate 21. The sensor pad 22 and the signal wire 23 may be patterned on the cover glass 50.

구동 장치(30)는 복수의 센서 패드(22)를 순차적으로 하나씩 선택하여 해당 센서 패드(22)의 정전용량을 측정하고, 이를 통해 터치 발생 여부를 검출해낸다.The driving device 30 sequentially selects the plurality of sensor pads 22 one by one to measure the capacitance of the corresponding sensor pads 22, and detects whether or not a touch occurs.

도 1 및 도 2에 도시되는 터치 검출 장치 모두 센서 노드 또는 센서 패드에 대해 프리챠징 후 플로팅 상태에서 교번 전압을 인가해줌으로써 생기는 출력 전압의 변화량을 통해 해당 지점의 터치 발생 여부를 검출할 수 있다. The touch detection apparatus shown in FIGS. 1 and 2 can detect whether a touch is generated at a corresponding point through a change amount of an output voltage generated by applying an alternating voltage to a sensor node or a sensor pad in a floating state after precharging.

그러나, 플로팅 상태는 외부의 노이즈에 취약한 상태이기 때문에, 정확도가 완벽한 터치 검출이 어려운 문제가 있었다.However, since the floating state is vulnerable to external noise, there is a problem that it is difficult to accurately detect the touch with accuracy.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention aims to solve the above-mentioned problems of the prior art.

본 발명의 다른 목적은, 터치 검출을 위한 충전 후 플로팅 상태에서의 불안정성을 해결하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to solve the instability in the floating state after the charge for the touch detection.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일실시예는 복수의 센서 노드 중 특정 센서 노드에 전하를 충전시킨 후, 미세 전류를 공급하는 전류 흐름 제어부; 상기 미세 전류 공급 구간에 상기 센서 노드에 교번 전압을 인가하는 구동부; 및 상기 미세 전류 공급 구간 동안 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압을 기초로 터치 여부를 검출하는 검출부를 포함하는 터치 검출 장치를 제공한다. In order to accomplish the above object, an embodiment of the present invention provides a sensor node comprising: a current flow controller for charging a specific sensor node among a plurality of sensor nodes and supplying a minute current; A driver for applying an alternating voltage to the sensor node in the minute current supply period; And a detecting unit for detecting whether or not the sensor is touched based on an output terminal voltage of the sensor node according to the alternating voltage application during the minute current supply period.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 전류 흐름 제어부는, 상기 센서 노드와 충전 전압 공급단 간을 직접 연결하거나, 복수 개의 저항 중 선택되는 하나의 저항을 통해 선택적으로 연결시키는 전류 제어 스위치를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the current flow control unit includes a current control switch for directly connecting the sensor node and the charging voltage supply terminal, or selectively connecting the sensor node and the charging voltage supply end through a selected one of a plurality of resistors .

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 전류 제어 스위치가 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 직접 연결하는 경우, 상기 센서 노드에 전하가 충전되고, 상기 전류 제어 스위치가 상기 복수 개의 저항 중 하나의 저항을 선택하여, 상기 선택된 저항을 통해 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 연결하는 경우, 상기 센서 노드에 상기 미세 전류가 공급될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the current control switch directly connects the sensor node and the charge voltage supply terminal, the sensor node is charged with electric charge, and the current control switch is connected to one of the plurality of resistors When the resistance is selected and the sensor node and the charging voltage supply terminal are connected through the selected resistance, the microcurrent may be supplied to the sensor node.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 전류 제어 스위치는, 상기 미세 전류 공급 시, 상기 센서 노드가 상기 복수의 센서 노드를 구동하는 구동 장치로부터 멀리 떨어져 배치되는 것일수록 낮은 저항값을 갖는 저항을 선택할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the current control switch selects a resistance having a lower resistance value as the sensor node is disposed farther from the driving apparatus driving the plurality of sensor nodes at the time of supplying the fine current .

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 검출부는, 상기 미세 전류 공급 구간에 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압 변화를 기준값과 비교하여 터치 검출을 수행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the detection unit may perform touch detection by comparing the change of the output terminal voltage of the sensor node according to the application of the alternating voltage to the reference current.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 샘플 앤 홀드부를 더 포함하고, 상기 검출부는, 상기 샘플 앤 홀드부에 축적된 전압을 기준값과 비교하여 터치 여부를 검출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the sensor node further includes a sample-and-hold unit that samples and accumulates an output terminal voltage of the sensor node, and the detector compares the voltage stored in the sample-and- can do.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 샘플 앤 홀드부는, 상기 미세 전류 공급 구간 동안에만 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the sample and hold unit may sample the output terminal voltage of the sensor node only during the minute current supply period, and then accumulate the voltage.

본 발명의 다른 실시예는, 복수의 센서 노드 중 특정 센서 노드에 전하를 충전시키는 단계; 상기 센서 노드에 미세 전류를 공급하는 단계; 상기 미세 전류 공급 구간에 상기 센서 노드에 교번 전압을 인가하는 단계; 및 상기 미세 전류 공급 구간 동안 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압을 기초로 터치 여부를 검출하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법을 제공한다.Another embodiment of the present invention provides a method for controlling a sensor node, comprising: charging a specific sensor node among a plurality of sensor nodes; Supplying a fine current to the sensor node; Applying an alternating voltage to the sensor node during the minute current supply period; And detecting whether or not the sensor is touched based on an output terminal voltage of the sensor node according to the alternating voltage application during the minute current supplying period.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 충전 단계는, 상기 센서 노드와 충전 전압 공급단을 직접 연결시키는 단계를 포함하고, 상기 미세 전류 공급 단계는, 복수 개의 저항 중 선택되는 하나의 저항을 통해 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 연결시키는 단계를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the charging step includes directly connecting the sensor node and the charging voltage supply terminal, wherein the fine current supplying step includes: And connecting the sensor node to the charging voltage supply terminal.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 미세 전류 공급 단계는, 상기 센서 노드가 상기 복수의 센서 노드를 구동하는 구동 장치로부터 멀리 떨어져 배치되는 것일수록 낮은 저항값을 갖는 저항을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the fine current supply step includes a step of selecting a resistance having a lower resistance value as the sensor node is disposed far away from the driving apparatus driving the plurality of sensor nodes .

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 검출 단계는, 상기 미세 전류 공급 구간에 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압 변화를 기준값과 비교하여 터치 검출을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the detecting step may include performing touch detection by comparing the output terminal voltage change of the sensor node according to the alternating voltage application to the fine current supplying section with a reference value.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 검출 단계는, 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 단계; 및 상기 축적된 전압을 기준값과 비교하여 터치 여부를 검출하는 단계를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the detecting step comprises the steps of: sampling the output terminal voltage of the sensor node and accumulating the voltage; And comparing the accumulated voltage with a reference value to detect whether or not the touch is detected.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 축적 단계는, 상기 미세 전류 공급 구간 동안에만 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 단계를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the accumulating step may include sampling the output terminal voltage of the sensor node only after the microcurrent supply period.

본 발명의 일실시예에 따르면, 터치 검출을 위한 전하 충전 후 미세 전류를 공급하고 교번 전압을 인가함에 따른 센서 노드의 출력단 전압을 기초로 터치 여부를 검출할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to detect whether a touch is made based on an output terminal voltage of a sensor node when a fine current is supplied after charging for touch detection and an alternating voltage is applied.

이에 따라, 플로팅 상태에서의 교번 전압 인가만으로 터치 여부 검출을 하였던 상황에서의 취약성을 보완할 수 있다.This makes it possible to compensate for the vulnerability in a situation where touch detection is performed only by applying the alternating voltage in the floating state.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but should be understood to include all the effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 종래 기술에 따른 정전식 터치 스크린 패널의 일 예에 관한 분해 평면도이다.
도 2는 통상적인 터치 검출 장치의 분해 평면도이다.
도 3은 터치 검출 장치의 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 터치 검출 장치의 상세 내부 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 터치 검출 장치의 동작을 설명하기 위한 예시적인 파형도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 검출 장치에서의 터치 검출부의 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 검출부의 예시적인 파형도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 검출 장치에서의 터치 검출부의 구성을 설명하기 위한 회로도이다.
1 is an exploded plan view of an example of a capacitive touch screen panel according to the related art.
2 is an exploded plan view of a conventional touch detection apparatus.
3 is a block diagram for explaining the configuration of a touch detection apparatus.
4 is a circuit diagram for describing a detailed internal configuration of a touch detection device.
5 is an exemplary waveform diagram for explaining the operation of the touch detection apparatus.
6 is a circuit diagram for explaining a configuration of a touch detection unit in a touch detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is an exemplary waveform diagram of a touch detection unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a circuit diagram for explaining a configuration of a touch detection unit in a touch detection apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서의 ‘센서 노드’는 정전식 터치 스크린 패널에서 터치 여부를 감지하기 위한 단위 영역이라고 할 수 있다. 예를 들어, 센서 노드는 하나의 센서 패드의 정전용량을 측정하는 자기 정전용량(Self Capacitance) 방식의 터치 스크린 패널에서는 고립된 형태로 배열되는 각각의 센서 패드를 포함할 수 있으며, 두 개의 센서 패턴 간의 정전용량을 이용하는 상호 정전용량(Mutual Capacitance) 방식의 터치 스크린 패널에서는 구동 신호가 인가되는 구동 라인(Tx) 및 터치 검출을 위한 신호 감지 지점을 제공하는 감지 라인(Rx)이 형성하는 터치 검출 단위 영역을 포함할 수 있다.In the present specification, the 'sensor node' may be referred to as a unit area for sensing whether or not the touch panel is touching the electrostatic touch screen panel. For example, a sensor node may include a plurality of sensor pads arranged in an isolated form in a self-capacitance type touch screen panel for measuring the capacitance of one sensor pad, A mutual capacitance type touch screen panel using capacitances between the driving lines Tx to which the driving signals are applied and the sensing lines Rx that provide signal sensing points for touch detection, Region. ≪ / RTI >

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이하에서는, 자기 정전용량 방식의 터치 스크린 패널에서의 센서 패드를 예로 들어 설명하나, 상호 정전용량 방식의 터치 스크린 패널에서의 센서 노드에도 적용이 가능하다.Hereinafter, a sensor pad in a self-capacitance type touch screen panel will be described as an example, but the present invention is also applicable to a sensor node in a mutual capacitance type touch screen panel.

도 3은 일 실시예에 따른 터치 검출 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 3 is a diagram illustrating a structure of a touch detection apparatus according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 터치 검출 장치는 터치 패널(100)과 구동 장치(200)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the touch detection apparatus includes a touch panel 100 and a driving device 200.

터치 패널(100)은 복수의 센서 패드(110) 및 센서 패드(110)에 연결되어 있는 복수의 신호 배선(120)을 포함한다. The touch panel 100 includes a plurality of sensor pads 110 and a plurality of signal wires 120 connected to the sensor pads 110.

예를 들어 복수의 센서 패드(110)는 사각형 또는 마름모꼴일 수 있으나 이와 다른 형태일 수도 있으며, 균일한 형태의 다각형 형태일 수도 있다. 센서 패드(110)는 인접한 다각형의 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.For example, the plurality of sensor pads 110 may be rectangular or rhombic, but may be different from each other, or may be polygonal in a uniform shape. The sensor pads 110 may be arranged in a matrix form of adjacent polygons.

구동 장치(200)는 터치 검출부(210), 터치 정보 처리부(220), 메모리(230) 및 제어부(240) 등을 포함할 수 있으며, 하나 이상의 집적회로(IC) 칩으로 구현될 수 있다. The driving device 200 may include a touch detector 210, a touch information processor 220, a memory 230, a controller 240, and the like, and may be implemented as one or more integrated circuit (IC) chips.

터치 검출부(210), 터치 정보 처리부(220), 메모리(230), 제어부(240)는 각각 분리되거나, 둘 이상의 구성 요소들이 통합되어 구현될 수 있다.The touch detector 210, the touch information processor 220, the memory 230, and the controller 240 may be separated from each other, or two or more components may be integrated and implemented.

터치 검출부(210)는 센서 패드(110) 및 신호 배선(120)과 연결된 복수의 스위치와 복수의 커패시터를 포함할 수 있으며, 제어부(240)로부터 신호를 받아 터치 검출을 위한 회로들을 구동하고, 터치 검출 결과에 대응하는 전압을 출력한다. 또한 터치 검출부(210)는 증폭기 및 아날로그-디지털 변환기를 포함할 수 있으며, 센서 패드(110)의 전압 변화의 차이를 변환, 증폭 또는 디지털화하여 메모리(230)에 기억시킬 수 있다.The touch detector 210 may include a plurality of switches and a plurality of capacitors connected to the sensor pad 110 and the signal wire 120, and drive circuits for touch detection by receiving a signal from the controller 240. The voltage corresponding to the detection result is output. In addition, the touch detector 210 may include an amplifier and an analog-to-digital converter, and may convert, amplify, or digitize the difference in the voltage change of the sensor pad 110 into the memory 230.

터치 정보 처리부(220)는 메모리(230)에 기억된 디지털 전압을 처리하여 터치 여부, 터치 면적 및 터치 좌표 등의 필요한 정보를 생성한다.The touch information processor 220 processes the digital voltage stored in the memory 230 to generate necessary information such as whether or not it is touched, a touch area, and touch coordinates.

메모리(230)는 터치 검출부(210)로부터 검출된 전압 변화의 차이에 기초한 디지털 전압과 터치 검출, 면적 산출, 터치 좌표 산출에 이용되는 미리 정해진 데이터 또는 실시간 수신되는 데이터를 기억한다.The memory 230 stores digital voltages and predetermined data used for touch detection, area calculation, and touch coordinate calculation or data received in real time based on the difference in the voltage change detected by the touch detector 210.

제어부(240)는 터치 검출부(210) 및 터치 정보 처리부(220)를 제어하며, 마이크로 컨트롤 유닛(micro control unit, MCU)을 포함할 수 있으며, 펌 웨어를 통해 정해진 신호 처리를 수행할 수 있다.The control unit 240 controls the touch detection unit 210 and the touch information processing unit 220 and may include a micro control unit (MCU), and may perform predetermined signal processing through the firmware.

도 4 및 도 5를 참고하여 도 3에 도시되는 터치 패널 및 터치 검출부의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.An operation of the touch panel and the touch detector shown in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

도 4는 실시예에 따른 터치 검출부를 예시한 회로도이고, 도 5는 실시예에 따른 터치 검출부의 예시적인 파형도이다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a touch detection unit according to an embodiment, and FIG. 5 is an exemplary waveform diagram of a touch detection unit according to an embodiment.

도 4를 참고하면, 터치 검출부(210)는 신호 배선(120)을 통하여 센서 패드(110)에 연결되어 있으며, 스위칭 동작을 하는 트랜지스터(211), 기생 커패시터(Cp), 구동 커패시터(Cdrv), 공통 전압 커패시터(Cvcom) 및 레벨 시프트 검출부(212)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the touch detector 210 is connected to the sensor pad 110 through a signal wire 120, and performs a switching operation 211, a parasitic capacitor Cp, a driving capacitor Cdrv, The common voltage capacitor Cvcom and the level shift detector 212 are included.

트랜지스터(211), 기생 커패시터(Cp), 구동 커패시터(Cdrv), 공통 전압 커패시터(Cvcom) 및 레벨 시프트 검출부(212)는 센서 패드(110) 및 신호 배선(120) 당 하나씩 그룹을 이룰 수 있으며, 앞으로 센서 패드(110), 신호 배선(120), 트랜지스터(211), 기생 커패시터(Cp), 구동 커패시터(Cdrv) 및 공통 전압 커패시터(Cvcom)를 합하여 "터치 센싱 유닛(touch sensing unit)"라 한다. 이 터치 센싱 유닛은 각각의 구성요소가 멀티플렉서에 의해 전기적으로 연결된 경우를 포함하는 개념이다.The transistor 211, the parasitic capacitor Cp, the driving capacitor Cdrv, the common voltage capacitor Cvcom and the level shift detection unit 212 can be grouped into one for each sensor pad 110 and the signal wiring 120, The sensor pad 110, the signal line 120, the transistor 211, the parasitic capacitor Cp, the driving capacitor Cdrv, and the common voltage capacitor Cvcom are collectively referred to as a "touch sensing unit" . This touch sensing unit is a concept that includes the case where each component is electrically connected by a multiplexer.

한편, 본 발명의 실시예에서는 터치가 발생하지 않았을 경우의 전기적 특성 또는 데이터 값을 "비터치 기준값 (non-touch reference value)"이라고 칭한다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, an electrical characteristic or data value when no touch occurs is referred to as a "non-touch reference value".

이하 편의상 커패시터와 그 정전용량의 도면 부호는 동일하게 사용한다.For convenience, the same reference numerals are used for capacitors and their capacitances.

트랜지스터(211)는 예를 들어 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor)로서, 게이트(gate)에는 제어 신호(Vg)가 인가되고, 소스(source)에는 충전 신호(Vb)가 인가될 수 있으며 드레인(drain)은 신호 배선(120)에 연결될 수 있다. 물론 소스가 신호 배선(120)에 연결되고 드레인에 충전 신호(Vb)가 인가될 수도 있다. 제어 신호(Vg)와 충전 신호(Vb)는 제어부(240)에 의해 제어될 수 있으며, 트랜지스터(211) 대신 스위칭 동작을 할 수 있는 다른 소자가 사용될 수도 있다.The transistor 211 is, for example, a field effect transistor, in which a control signal Vg is applied to a gate, a charging signal Vb is applied to a source, and a drain is applied. ) May be connected to the signal wire 120. Of course, the source may be connected to the signal line 120 and the charging signal Vb may be applied to the drain. The control signal Vg and the charging signal Vb may be controlled by the controller 240, and other devices capable of performing a switching operation may be used instead of the transistor 211.

기생 정전용량(Cp)은 센서 패드(110)에 부수되는 정전용량을 의미하는 것으로 센서 패드(110), 신호 배선(120) 등에 의해 형성되는 일종의 기생 용량이다. 기생 정전용량(Cp)은 터치 검출부(210), 터치 패널, 영상 표시 장치에 의해 발생하는 임의의 기생 용량을 포함할 수 있다.The parasitic capacitance Cp refers to the capacitance accompanying the sensor pad 110 and is a kind of parasitic capacitance formed by the sensor pad 110, the signal wire 120, and the like. The parasitic capacitance Cp may include any parasitic capacitance generated by the touch detector 210, the touch panel, and the image display device.

공통 전압 정전용량(Cvcom)은 터치 패널(100)이 LCD와 같은 표시 장치(도시하지 않음) 위에 장착될 때 표시 장치의 공통 전극(도시하지 않음)과 터치 패널(100) 사이에 형성되는 정전용량이다. 공통 전극에는 구형파 등의 공통 전압(Vcom)이 표시 장치에 의하여 인가된다. 한편 공통 전압 정전용량(Cvcom)도 일종의 기생 용량으로서 기생 정전용량(Cp)에 포함될 수 있으며, 이하 공통 전압 정전용량(CVcom)에 대한 별도로 언급이 없으면 공통 전압 정전용량(Cvcom)은 기생 정전용량(Cp)에 포함되는 것으로 하여 설명한다.The common voltage capacitance Cvcom is a capacitance formed between the common electrode (not shown) and the touch panel 100 of the display device when the touch panel 100 is mounted on a display device (not shown) such as an LCD. to be. A common voltage Vcom such as a square wave is applied to the common electrode by the display device. Meanwhile, the common voltage capacitance Cvcom may also be included in the parasitic capacitance Cp as a parasitic capacitance. Hereinafter, unless otherwise mentioned, the common voltage capacitance Cvcom may be a parasitic capacitance ( It demonstrates as included in Cp).

구동 정전용량(Cdrv)은 센서 패드(110)별 소정 주파수로 교번하는 교번 전압(Vdrv)을 공급하는 경로에 형성되는 정전용량이다. 구동 커패시터(Cdrv)에 인가되는 교번 전압(Vdrv)은 바람직하게는 구형파 신호이다. 교번 전압(Vdrv)은 듀티비(duty ratio)가 동일한 클럭 신호일 수도 있으나 듀티비가 상이할 수도 있다. 교번 전압(Vdrv)은 별도의 교번 전압 생성 수단에 의하여 제공될 수도 있으나, 공통 전압(Vcom)을 이용할 수도 있다.The driving capacitance Cdrv is a capacitance formed in a path for supplying an alternating voltage Vdrv alternately at a predetermined frequency for each sensor pad 110. The alternating voltage Vdrv applied to the driving capacitor Cdrv is preferably a square wave signal. The alternating voltage Vdrv may be a clock signal having the same duty ratio, but different duty ratios. The alternating voltage Vdrv may be provided by a separate alternating voltage generating means, but may also use the common voltage Vcom.

한편 도 4에서 터치 정전용량(Ct)은 사용자가 센서 패드(110)를 터치할 경우에 센서 패드(110)와 사용자의 손가락 등의 터치 입력 도구 사이에 형성되는 정전용량을 나타낸 것이다.Meanwhile, in FIG. 4, the touch capacitance Ct represents the capacitance formed between the sensor pad 110 and a touch input tool such as a user's finger when the user touches the sensor pad 110.

도 5를 참고하면, 충전 신호(Vb)와 제어 신호(Vg)가 각각 트랜지스터(211)의 소스와 게이트에 인가되어 있다.Referring to FIG. 5, the charging signal Vb and the control signal Vg are applied to the source and the gate of the transistor 211, respectively.

먼저, 센서 패드(110)에 터치 입력 도구가 터치되지 않은 경우(non-touch)에 대하여 살펴본다. 충전 신호(Vb)가 예를 들면 5V로 상승한 후에, 트랜지스터(211)의 게이트에 인가되는 제어 신호(Vg)가 저전압(VL)에서 고전압(VH)으로 올라가면 트랜지스터(211)가 턴 온되면서 충전 구간(T1)이 시작된다. 이에 따라 센서 패드(110)는 5V의 충전 신호(Vb)로 충전되며, 출력 전압(Vo)은 충전 전압(Vb)이 된다. 기생 커패시터(Cp), 구동 커패시터(Cdrv) 및 공통 전압 커패시터(Cvcom)에도 충전 전압(Vb)에 의하여 전하가 충전된다. 충전 구간(T1)에서는 트랜지스터(211)가 턴 온되므로 교번 전압(Vdrv)은 출력 전압(Vo)에 영향을 미치지 않는다.First, a case in which a touch input tool is not touched on the sensor pad 110 will be described. After the charge signal Vb rises to 5V, for example, when the control signal Vg applied to the gate of the transistor 211 rises from the low voltage VL to the high voltage VH, the transistor 211 is turned on and the charging section is turned on. (T1) starts. Accordingly, the sensor pad 110 is charged with the charging signal Vb of 5V, and the output voltage Vo becomes the charging voltage Vb. The parasitic capacitor Cp, the driving capacitor Cdrv, and the common voltage capacitor Cvcom are also charged with the charge voltage Vb. In the charging period T1, since the transistor 211 is turned on, the alternating voltage Vdrv does not affect the output voltage Vo.

다음, 제어 신호(Vg)가 고전압(VH)에서 저전압(VL)으로 내려가면서 센싱 구간(T2)이 시작되면 트랜지스터(211)가 턴 오프되고, 터치 커패시터(Ct), 기생 커패시터(Cp), 구동 커패시터(Cdrv) 및 공통 전압 커패시터(Cvcom)가 충전된 상태로 고립된다. 이 때, 충전된 전하를 안정적으로 고립시키기 위하여 레벨 시프트 검출부(212)의 입력단은 하이 임피던스를 가질 수 있다.Next, when the sensing period T2 starts while the control signal Vg goes from the high voltage VH to the low voltage VL, the transistor 211 is turned off, the touch capacitor Ct, the parasitic capacitor Cp, and the driving. The capacitor Cdrv and the common voltage capacitor Cvcom are isolated in a charged state. In this case, the input terminal of the level shift detector 212 may have a high impedance to stably isolate the charged charge.

이와 같이 센서 패드(110) 등에 충전된 전하가 고립되어 있는 상태를 플로팅(floating) 상태라 한다. 이때, 구동 커패시터(Cdrv)에 인가된 교번 전압(Vdrv)이, 예를 들면 0V에서 5V로, 상승하면 센서 패드(110)의 출력 전압(Vo)은 전압 레벨이 순간적으로 상승되고, 다시 5V에서 0V로 하강하면 출력 전압(Vo)의 레벨은 순간적으로 강하된다. 이 때의 전압 레벨의 상승과 강하는 연결된 정전 용량에 따라 상이한 값을 갖게 된다. 이렇게 연결된 정전 용량에 따라 전압 레벨의 상승 값 또는 하강 값이 바뀌는 현상은 "kick-back"이라고 불리기도 한다.The state in which the charges charged in the sensor pad 110 and the like are isolated is called a floating state. At this time, when the alternating voltage Vdrv applied to the driving capacitor Cdrv increases from 0 V to 5 V, for example, the voltage level of the output voltage Vo of the sensor pad 110 is instantaneously raised, The level of the output voltage Vo drops instantaneously. The rise and fall of the voltage level at this time will have different values depending on the connected capacitance. The rising or falling value of the voltage level according to the connected capacitance is also called "kick-back".

센서 패드(110)에 터치가 없는 경우, 즉 센서 패드(110)에 연결된 커패시터가 구동 커패시터(Cdrv)와 기생 커패시터(Cp)밖에 없는 경우에는 이들 커패시터(Cdrv, Cp)에 의한 출력 전압(Vo)의 전압 변동(ΔVo1)은 다음 [수학식 1]과 같다.When there is no touch on the sensor pad 110, that is, when only the driving capacitor Cdrv and the parasitic capacitor Cp are connected to the sensor pad 110, the output voltage Vo by these capacitors Cdrv and Cp is applied. The voltage variation of ΔVo1 is expressed by Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

여기서 VdrvH와 VdrvL은 각각 교번 전압(Vdrv)의 하이 레벨 전압 및 로우 레벨 전압이다. [수학식 1]의 ΔVo1는 터치가 발생하지 않은 센서 패드(110)의 전기적 특성에 대응하므로, 앞서 설명한 “비터치 기준값”으로 설정될 수 있다.Where VdrvH and VdrvL are the high level voltage and the low level voltage of the alternating voltage Vdrv, respectively. ΔVo1 of Equation 1 corresponds to an electrical characteristic of the sensor pad 110 in which no touch occurs, and thus may be set to the “non-touch reference value” described above.

다음으로 센서 패드(110)에 터치 입력 도구가 터치된 경우에 대하여 살펴본다. 터치 발생 시에는 센서 패드(110)와 터치 입력 도구 사이에 터치 커패시터(Ct)가 형성되며, 이에 따라 센서 패드(110)에 연결된 커패시터는 구동 커패시터(Cdrv)와 기생 커패시터(Cp) 외에도 터치 커패시터(Ct)가 더해진다. 앞서 설명한 방식과 마찬가지로 충전 구간(T3)을 거쳐 센싱 구간(T4)에서 이들 세 커패시터(Cdrv, Cp, Ct)에 의한 센서 패드(110)의 전압 변동(ΔVo2)은 다음 [수학식 2]와 같아진다.Next, a case in which the touch input tool is touched on the sensor pad 110 will be described. When a touch occurs, a touch capacitor Ct is formed between the sensor pad 110 and the touch input tool. Accordingly, the capacitor connected to the sensor pad 110 may include a touch capacitor (in addition to the driving capacitor Cdrv and the parasitic capacitor Cp). Ct) is added. As in the above-described method, the voltage variation ΔVo2 of the sensor pad 110 due to these three capacitors Cdrv, Cp, and Ct in the sensing period T4 through the charging period T3 is expressed by Equation 2 below. Lose.

[수학식 2]&Quot; (2) "

Figure pat00002
Figure pat00002

[수학식 1]과 [수학식 2]를 비교하면, [수학식 2]의 분모 항목에 터치 정전용량(Ct)이 추가된 것이므로, 결국, 터치가 있는 경우의 전압 변동(ΔVo2)은 터치가 없는 경우의 전압 변동(ΔVo1)에 비하여 작고, 그 차이는 터치 용량(Ct)에 따라 달라진다. 이와 같이 터치 전후의 전압 변동(ΔVo)의 차이(ΔVo1 - ΔVo2)를 "레벨 시프트"라고 칭한다. Comparing [Equation 1] and [Equation 2], since the touch capacitance (Ct) is added to the denominator item of [Equation 2], the voltage fluctuation (ΔVo2) when there is a touch, the touch is It is small compared to the voltage fluctuation ΔVo1 in the absence, and the difference depends on the touch capacitance Ct. Thus, the difference (DELTA) Vo1-(DELTA) Vo2 of the voltage fluctuation (DELTA) Vo before and behind a touch is called "level shift."

따라서, 터치 미발생 시의 센서 패드(110)에서의 출력 전압(Vo)의 변동분(ΔVo1) 및 터치 발생시 센서 패드(110)에서의 출력 전압(Vo)의 변동분(ΔVo2)을 측정하여 레벨 시프트가 발생하였는지를 파악할 수 있으며, 이를 통해 터치 발생 여부를 검출할 수 있다. Therefore, the variation? Vol1 of the output voltage Vo at the sensor pad 110 and the variation? Vo2 of the output voltage Vo at the sensor pad 110 at the time of occurrence of the touch are measured, It is possible to detect whether or not the touch is generated.

이러한 레벨 시프트 검출을 위해서는 전술한 바와 같이, 플로팅 상태에서의 교번 전압(Vdrv) 인가가 필요한데, 플로팅 상태는 전하가 고립된 상태이기 때문에 매우 불안한 상태라고 할 수 있다. 플로팅 상태를 안정적으로 유지하기 위해 도 4에 도시되는 바와 같이 센서 패드(110)의 출력단을 하이 임피던스(High-Z)로 유지하는 방안을 이용할 수 있으나, 이 또한 외부의 노이즈에 의한 영향으로부터 완전히 자유로운 상태는 아니다.In order to detect the level shift, it is necessary to apply an alternating voltage (Vdrv) in the floating state as described above. Since the charge is isolated, the floating state is a very unstable state. In order to stably maintain the floating state, it is possible to use a method of maintaining the output terminal of the sensor pad 110 at a high impedance (High-Z) as shown in FIG. 4, but it is also free from the influence of external noises It is not a state.

따라서, 본 발명에서는 이러한 플로팅 상태의 불안정성을 해결하기 위해 터치 검출부(210)를 다른 형태로 구현하였으며, 이하에서는 그 구성 및 동작에 대해 상세히 설명한다. Therefore, in order to solve the instability of the floating state, the touch detection unit 210 is implemented in a different form in the present invention. Hereinafter, the structure and operation of the touch detection unit 210 will be described in detail.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 검출 장치에서의 터치 검출부(210)의 구성을 나타내는 회로도이다.6 is a circuit diagram showing a configuration of a touch detection unit 210 in a touch detection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 터치 검출부(210)는 전류 흐름 제어부(213), 구동부(214), 샘플 앤 홀드부(215)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the touch detection unit 210 may include a current flow controller 213, a driver 214, and a sample and hold unit 215.

전류 흐름 제어부(213)는 센서 패드(110)에 전하를 충전시킨 후, 미세 전류를 공급한다. 이를 위해, 전류 흐름 제어부(213)는 충전 전압 공급단과 센서 패드(110) 간을 직접 연결하거나 복수 개의 저항 중 선택되는 하나의 저항을 통해 선택적으로 연결시키는 전류 제어 스위치(SW)를 포함한다.The current flow controller 213 charges the sensor pad 110 with electric charge, and then supplies a minute current. To this end, the current flow controller 213 includes a current control switch SW that directly connects the charge voltage supply terminal and the sensor pad 110 or selectively connects the resistor through a selected one of a plurality of resistors.

전류 제어 스위치(SW)는 도면에 도시되는 바와 같이, 기계적 스위치로 구현될 수도 있으나, 이에 제한되지 않음은 물론이다. The current control switch SW may be implemented by a mechanical switch as shown in the figure, but is not limited thereto.

센서 패드(110)는 전류 제어 스위치(SW)에 의해 충전 전압 공급단과 연결된 복수의 노드와 선택적으로 연결될 수 있다. 복수의 노드 중 하나는 충전 전압 공급단과 직접적으로 연결되어 있을 수 있고, 나머지 노드는 소정의 저항(R1, R2, R3, …, Rn)을 통해 충전 전압 공급단과 연결될 수 있다. The sensor pad 110 may be selectively connected to a plurality of nodes connected to the charge voltage supply terminal by a current control switch SW. One of the plurality of nodes may be directly connected to the charge voltage supply terminal and the remaining node may be connected to the charge voltage supply terminal through a predetermined resistor R1, R2, R3, ..., Rn.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 검출부의 예시적인 파형도이다. 7 is an exemplary waveform diagram of a touch detection unit according to an embodiment of the present invention.

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 터치 검출부(210)의 동작에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the operation of the touch detection unit 210 will be described in detail with reference to FIG. 6 and FIG.

먼저, 충전 구간(T1, T3, T5, T7)에서는 전류 흐름 제어부(213)의 전류 제어 스위치(SW)가 센서 패드(110)를 충전 전압 공급단과 직접적으로 연결시키며, 이에 따라 센서 패드(110)에 전하가 충전된다. 충전 전압(Vpre_charge)을 5V인 것으로 가정하여 이하의 설명을 계속한다. 충전에 의해 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)은 5V가 된다. The current control switch SW of the current flow controller 213 directly connects the sensor pad 110 to the charging voltage supply terminal and the sensor pad 110 is connected to the charging voltage supply terminal, The charge is charged. Assuming that the charging voltage Vpre_charge is 5 V, the following description will be continued. The output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 becomes 5 V by charging.

센서 패드(110)에 전하가 충전된 후에는 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)이 이어진다. 이 구간에서는, 전류 흐름 제어부(213)의 전류 제어 스위치(SW)가 센서 패드(110)와 충전 전압 공급단을 연결시키되 소정의 저항(R1, R2, R3, …, Rn) 중 하나를 통해 연결시킨다. 즉, 전류 제어 스위치(SW)는 소정의 저항(R1, R2, R3, …, Rn)을 통해 충전 전압 공급단과 각각 연결되는 복수의 노드 중 하나와 센서 패드(110)를 연결시킨다. 이에 따라, 센서 패드(110)에는 충전 구간(T1, T3, T5, T7)이 끝나더라도 충전 전압(Vpre_charge) 및 저항(R1, R2, R3, …, Rn)에 의한 미세 전류가 공급되게 된다. After the charge of the sensor pad 110 is charged, the sensing periods T2, T4, T6 and T8 are followed. In this section, the current control switch SW of the current flow controller 213 connects the sensor pad 110 and the charging voltage supply terminal and is connected through one of the resistors R1, R2, R3, ..., Rn, . That is, the current control switch SW connects the sensor pad 110 with one of a plurality of nodes respectively connected to the charge voltage supply terminal through predetermined resistors R1, R2, R3, ..., Rn. Accordingly, even if the charging periods T1, T3, T5 and T7 are finished, the charging current Vpre_charge and the minute currents supplied by the resistors R1, R2, R3, ..., Rn are supplied to the sensor pad 110.

센싱 구간(T2, T4, T6, T8)에서 구동부(214)는 센서 패드(110)에 교번 전압(KB)을 인가하며, 이에 따라, 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 파형이 변하게 된다.The driving unit 214 applies an alternating voltage (KB) to the sensor pad 110 in the sensing periods T2, T4, T6 and T8 so that the waveform of the output voltage Vo of the sensor pad 110 changes .

특히, 미세 전류가 공급되는 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)에서, 교번 전압(KB)이 하이(5V)에서 로우(0V)로 바뀌면 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)이 순간적으로 강하된다. 전술한 바와 같이, 교번 전압(KB) 인가에 따른 센서 패드(110) 출력단 전압(Vo)의 상승 또는 강하, 즉, 레벨 변화를 킥백이라 칭한다.In particular, in the sensing periods T2, T4, T6, and T8 to which the fine current is supplied, when the alternating voltage KB is changed from high (5V) to low (0V), the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 is instantaneously. Descends. As described above, an increase or a decrease in the output voltage Vo of the sensor pad 110 according to the application of the alternating voltage (KB) is referred to as a kickback.

한편, 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)이 강하되는 정도는 연결된 정전 용량에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 센서 패드(110)와 접촉물 간의 정전용량 유무 및 그 값 변화를 통해 터치 검출을 하는 방식인 경우에는 그 정전용량 값에 따라 강하의 정도가 달라지게 된다. 한편, 구동 라인(Tx)과 감지 라인(Rx) 사이의 상호 정전용량(Cm) 변화를 통해 터치 검출을 하는 방식인 경우에는 상호 정전용량 (Cm)의 크기에 따라 전압 강하의 정도가 가변한다.Meanwhile, the degree to which the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 is lowered may vary depending on the connected capacitance. For example, in the case of a touch detection method using a capacitance between the sensor pad 110 and a contact and a change in the capacitance, the degree of the drop depends on the capacitance value. On the other hand, in the case of a touch detection method through the mutual capacitance Cm between the driving line Tx and the sensing line Rx, the degree of the voltage drop varies depending on the magnitude of the mutual capacitance Cm.

센싱 구간(T2, T4, T6, T8)에서 강하되었던 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)은 시간이 지남에 따라 다시 정상 상태(즉, 5V)로 상승하게 된다. 이는 센서 패드(110)가 플로팅 상태가 아닌, 미세 전류를 공급받는 상태에 있기 때문이다. 충전 전압(Vpre_charge) 및 저항(R1, R2, R3, …, Rn)에 의해 공급되는 미세 전류가 센서 패드(110)에 계속적으로 전하를 공급하고 있기 때문에, 강하되었던 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)은 다시 정상 상태로 복구된다. The output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 which has dropped in the sensing periods T2, T4, T6, and T8 rises to a normal state (i.e., 5V) over time. This is because the sensor pad 110 is in a state of being supplied with a minute current, not in a floating state. Since the fine current supplied by the charging voltage Vpre_charge and the resistors R1, R2, R3, ..., Rn continuously supplies the charge to the sensor pad 110, the output terminal voltage (Vo) is restored to the normal state again.

이 때, 강하되었던 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)이 정상 상태로 돌아오는 시간(τ)은 센서 패드(110)의 출력단 고유의 특성(예를 들어, 해당 센서 패드(110)의 기생 커패시터, 구동 커패시터 등)에 따라 정해질 수 있다.At this time, the time τ at which the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 which has been dropped returns to the normal state is determined by a characteristic inherent to the output terminal of the sensor pad 110 (for example, Capacitors, drive capacitors, etc.).

도 7에 도시되는 바와 같이, 비터치시(Non-Touch)의 센싱 구간(T2, T4)과 터치시(Touch)의 센싱 구간(T6, T8)에서의 센서 패드(110) 출력단 전압(Vo) 레벨 변화를 비교해보면, 제1 센싱 구간(T2, T4)에서의 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 변화값과 제2 센싱 구간(T6, T8)에서의 센서 패드(110) 출력단 전압(Vo) 변화값이 ΔV만큼 차이가 나는 것을 알 수 있다. The output voltage Vo of the sensor pad 110 at the non-touch sensing periods T2 and T4 and the sensing periods T6 and T8 at the touch time, as shown in FIG. 7, A change in the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 in the first sensing periods T2 and T4 and a change in the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 in the second sensing periods T6 and T8 Vo) is different by? V.

즉, 센싱 구간(T6, T8)에서 측정된 터치시(Touch) 센서 패드(110)에서의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화량이 센싱 구간(T2, T4)에서 측정된 비터치시(Non-Touch) 센서 패드(110)에서의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화량보다 작은 것을 알 수 있다. 이 때, 터치 발생 시 센서 패드(110)와 접촉물 간에 형성되는 커패시터(예를 들어, 터치 커패시터) 유무 또는 그 값 변화에 따라 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화량이 달라질 수 있다. That is, when the level change amount of the output terminal voltage Vo at the touch sensor pad 110 measured at the sensing periods T6 and T8 is the non-touch measured at the sensing periods T2 and T4, Is smaller than the level change amount of the output terminal voltage Vo at the sensor pad 110. [ At this time, the amount of change in the level of the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 may be varied depending on whether or not a capacitor (for example, a touch capacitor) is formed between the sensor pad 110 and the contact object .

터치시와 비터치시에 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화량이 서로 다르기 때문에, 이를 통해 터치 여부의 검출이 가능해진다. 또한, 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화량을 비터치시 기준값과 비교하여 터치 여부를 검출할 수도 있다.Since the amount of change in the voltage level of the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 at the time of touching and non-touching is different from each other, it is possible to detect whether or not the touching is performed. Also, it is possible to detect whether or not the sensor pad 110 is touched by comparing the amount of change in the level of the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 with a reference value at non-touch.

본 발명에서는 센서 패드(110)를 충전시키는 충전 구간(T1, T3, T5, T7) 이후에 플로팅을 시키는 구간(도 5의 T2, T4 구간) 대신 미세 전류 공급 구간(T2, T4, T6, T8)이 뒤따라온다. In the present invention, the minute current supply periods T2, T4, T6, and T8 are used instead of the intervals (T2 and T4 in FIG. 5) in which floating is performed after the charging periods T1, T3, T5, and T7 for charging the sensor pad 110 ).

즉, 본 발명에서는 외란에 취약한 플로팅 상태를 센싱 구간으로 취하지 않고, 센서 패드(110)에 미세 전류가 공급되는 구간을 센싱 구간으로 사용한다. That is, in the present invention, a sensing period is not used as a sensing state, and a sensing current is supplied to the sensor pad 110 as a sensing period.

구체적으로, 본 발명의 실시예에 따른 터치 검출부(210)는 전류 흐름 제어부(213)를 통해 센서 패드(110)에 전하를 충전시킨 후, 충전 전압(Vpre_charge)과 소정의 저항(R1, R2, R3, …, Rn)을 이용하여 미세 전류를 공급하고, 이러한 미세 전류 공급 구간을 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)으로 활용하여 교번 전압(KB) 공급에 따른 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 레벨 변화를 측정함으로써, 터치 여부를 검출한다. Specifically, the touch detection unit 210 according to the embodiment of the present invention charges the sensor pad 110 through the current flow controller 213 and then charges the charge voltage Vpre_charge and the resistors R1, R2, R3, ..., and Rn and supplies the fine currents to the sensing periods T2, T4, T6, and T8, By detecting the change in the voltage Vo, a touch is detected.

따라서, 외란에 취약한 플로팅 상태를 이용하지 않고도 정확한 터치 발생 여부 검출이 가능해진다. Therefore, it is possible to accurately detect whether or not the touch is generated without using a floating state vulnerable to disturbance.

한편, 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 방식에서의 플로팅 상태를 유지하는 구간을 대신하여 플로팅 상태를 유지하는 구간과 유사한 특성을 가지도록 해야 하므로, 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)에서 공급되는 전류는 매우 미세한 전류이나, 외란에 취약하지는 않을 정도의 크기를 가져야 한다. 이러한 특성을 유지하기 위해 소정의 저항(R1, R2, R3, …, Rn)값은 적절히 선택되어야 한다. Meanwhile, the sensing periods T2, T4, T6, and T8 must have similar characteristics to the periods in which the floating state is maintained in place of the periods in which the floating state is maintained in the method described with reference to FIGS. 4 and 5, The current supplied in the sensing period (T2, T4, T6, T8) must be of such a small magnitude as not to be susceptible to disturbance. In order to maintain this characteristic, the values of the predetermined resistors R1, R2, R3, ..., Rn must be appropriately selected.

복수의 행과 열로 서로 고립되어 배치되는 복수의 센서 패드(110)는 터치 검출부(210)로부터의 거리 또는 이와는 다른 이유로 각각 다른 특성을 지닌다. 예를 들어, 각각의 센서 패드(110)는 터치 검출부(210)와 신호 배선(120; 도 3 참조)을 통해 연결되는데, 이에 따라 터치 검출부(210)로부터 멀리 떨어져 배치되는 센서 패드(110)일수록 길이가 긴 신호 배선(120)을 통해 터치 검출부(210)와 연결되게 된다. 즉, 터치 검출부(210)와 멀리 떨어져 배치되는 센서 패드(110)일수록 더 큰 저항을 갖는 신호 배선(120)을 통해 터치 검출부(210)와 연결된다. 따라서, 전류 흐름 제어부(213)는 충전 전압 공급단과 서로 다른 크기의 저항(R1, R2, R3, …, Rn)을 통해 연결되는 복수의 노드를 구비할 수 있고, 현재 터치 검출 대상이 되는 센서 패드(110)의 특성에 따라 복수의 저항(R1, R2, R3, …, Rn) 중 하나를 선택할 수 있다. 예를 들면, 터치 검출부(210)로부터 가장 떨어져 있는 센서 패드(110)에 대한 터치 검출을 수행할 시에는 해당 센서 패드(110)에 접속되는 신호 배선(120)의 높은 저항값 보상을 위해 복수의 저항(R1, R2, R3, …, Rn) 중 가장 작은 저항값을 갖는 저항과 연결된 노드를 택하여 센서 패드(110)와 연결할 수 있다. 즉, 전류 흐름 제어부(213)의 전류 제어 스위치(SW)는 터치 여부 검출 시에 터치 검출부(210)와 멀리 떨어져 배치되는 센서 패드(110)일수록 복수의 저항(R1, R2, R3, …, Rn) 중 낮은 저항값을 갖는 저항을 선택하여 센서 패드(110)와 연결시킬 수 있다. The plurality of sensor pads 110 arranged in a plurality of rows and columns isolated from each other have different characteristics from each other due to a distance from the touch detecting portion 210 or other reasons. For example, each sensor pad 110 is connected to the touch detection unit 210 through a signal line 120 (see FIG. 3). Accordingly, the sensor pad 110 disposed far from the touch detection unit 210 And is connected to the touch detection unit 210 through the long signal line 120. That is, the sensor pad 110 disposed far away from the touch detection unit 210 is connected to the touch detection unit 210 through the signal line 120 having a larger resistance. Accordingly, the current flow controller 213 may include a plurality of nodes connected through the resistors R1, R2, R3, ..., Rn having different sizes from the charge voltage supply terminal, R2, R3, ..., Rn may be selected according to the characteristics of the resistor 110. For example, when touch detection is performed on the sensor pad 110 that is farthest from the touch detection unit 210, a plurality of signal lines 120 are connected to the signal pad 120, A node connected to a resistor having the smallest resistance value among the resistors R1, R2, R3, ..., Rn may be selected and connected to the sensor pad 110. [ That is, the current control switch SW of the current flow control unit 213 includes a plurality of resistors R1, R2, R3, ..., Rn, ..., Rn as far as the sensor pad 110, which is far from the touch detection unit 210, A resistance having a low resistance value may be selected and connected to the sensor pad 110. [

한편, 다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 검출 장치(100)는 센서 패드(110)의 출력단에 연결되는 샘플 앤 홀드부(215)를 더 포함할 수도 있다. 6 and 7, the touch sensing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may further include a sample and hold unit 215 connected to an output terminal of the sensor pad 110 .

샘플 앤 홀드부(215)는 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)을 복수 회에 걸쳐 축적하고, 일정 시간 동안 축적된 전압, 즉, 샘플 앤 홀드부(215)의 출력단(TP2) 전압을 토대로 터치 검출 여부를 확인하기 위한 부분이다. The sample and hold unit 215 accumulates the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 a plurality of times and outputs the accumulated voltage for a predetermined time period, that is, the voltage of the output terminal TP2 of the sample and hold unit 215 This is a part for confirming whether or not touch detection is performed.

구체적으로, 샘플 앤 홀드부(215)의 스위치(SW_SH)는 센서 패드(110)에 미세 전류가 공급되는 구간, 즉, 각 센싱 구간(T2, T4, T6, T8)에서 온 상태가 될 수 있고, 이에 따라, 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)이 커패시터(C_SH)에 축적될 수 있다. 커패시터(C_SH)에 축적된 전하량에 따라 달라지는 샘플 앤 홀드부(215)의 출력단(TP2) 전압을 통해 터치 여부 검출을 할 수 있다. 즉, 일정 시간 동안의 샘플 앤 홀드부(215)의 커패시터(C_SH) 양단의 전압값 변화량(ΔV_TP2)은 터치시와 비 터치시에 서로 다른 값을 갖게 되므로, 이를 통해 터치 여부의 검출이 가능해진다.Specifically, the switch SW_SH of the sample-and-hold unit 215 can be turned on in a period in which a minute current is supplied to the sensor pad 110, that is, in each sensing period T2, T4, T6, and T8 , So that the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 can be accumulated in the capacitor C_SH. It is possible to detect whether the touch is detected through the voltage of the output terminal TP2 of the sample and hold unit 215 which varies depending on the amount of charge accumulated in the capacitor C_SH. That is, the voltage value change amount DELTA V_TP2 at the both ends of the capacitor C_SH of the sample and hold unit 215 for a predetermined time has different values at the time of touching and at the time of non-touch, .

또한, 다른 실시예로, 샘플 앤 홀드부(215)의 스위치(SW_SH)는 미리 설정된 특정 구간(예를 들어, 적어도 2개의 센싱 구간이 포함되는 구간)에서 온 상태가 될 수 있고, 이 때, 커패시터(C_SH)에 축적되는 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 변화량, 즉, 샘플 앤 홀드부(215)의 출력단(TP2) 전압의 변화량(예를 들어, 상승폭)을 이용하여 터치 검출 여부를 확인할 수도 있다.Further, in another embodiment, the switch SW_SH of the sample-and-hold unit 215 may be turned on in a predetermined specific period (for example, a period including at least two sensing periods) By using the change amount of the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110 accumulated in the capacitor C_SH, that is, the amount of change (e.g., rise width) of the output terminal TP2 voltage of the sample and hold unit 215, .

한편, 커패시터(C_SH)는 일정 주기로 리셋될 수 있다. On the other hand, the capacitor C_SH can be reset at regular intervals.

한편, 센서 패드(110)와 샘플 앤 홀드부(215)의 스위치(SW_SH) 사이에는 신호 증폭을 위한 증폭기(A1)가 더 포함될 수 있다. 샘플 앤 홀드부(215)의 출력 노드(TP2)에는 증폭기(A2) 및 아날로그-디지털 변환기(ADC)가 연결될 수 있으며, 증폭기(A2)는 샘플 앤 홀드부(215)의 출력 노드(TP2)의 전압값 변화량(ΔV_TP2)을 증폭하거나, 차동 증폭한다. 차동 증폭시에는 기준값(Ref)이 비터치 기준값 또는 충전 신호에 대응하는 신호일 수 있다. 아날로그-디지털 변환기(ADC)는 증폭기(A2)에 의해 증폭된 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다. 증폭기(A2)와 아날로그-디지털 변환기(ADC)가 도 4의 레벨시프트 검출부(212)에 대응될 수 있다.Meanwhile, an amplifier A1 for amplifying a signal may be further included between the sensor pad 110 and the switch SW_SH of the sample and hold unit 215. An amplifier A2 and an analog-to-digital converter (ADC) may be connected to the output node TP2 of the sample and hold unit 215 and the amplifier A2 may be connected to the output node TP2 of the sample- The voltage value change amount? V_TP2 is amplified or differentially amplified. In the differential amplification, the reference value Ref may be a signal corresponding to the non-touch reference value or the charging signal. The analog-to-digital converter (ADC) converts the signal amplified by the amplifier A2 into a digital signal and outputs it. The amplifier A2 and the analog-to-digital converter (ADC) may correspond to the level shift detection unit 212 in Fig.

한편, 샘플 앤 홀드부(215)는 그 자체의 저항 또는 회로 내에 존재하는 저항과 커패시터(C_SH) 자체로서 저역 통과 필터의 역할을 할 수 있기 때문에, 고주파 노이즈가 걸러진 전압을 축적할 수도 있다. On the other hand, since the sample and hold unit 215 can serve as a low-pass filter as its own resistance or resistance existing in the circuit and the capacitor C_SH itself, high-frequency noise may accumulate the filtered voltage.

본 발명의 실시예에 따른 샘플 앤 홀드부(215)는 전압 축적을 통해 터치 발생시와 미발생 시의 차이를 더욱 명확하게 구분하여 터치 검출을 수행하기 위해 포함될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 생략될 수도 있다. 샘플 앤 홀드부(215)가 생략될 시에는 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo)을 통해서만 터치 발생 여부가 검출된다. 즉, 샘플 앤 홀드부(215)가 생략되는 경우에는 센서 패드(110)의 출력단이 증폭기(A2)의 입력단과 직접 연결될 수 있다.The sample and hold unit 215 according to the embodiment of the present invention may be included for performing touch detection by more clearly distinguishing the difference between when the touch is generated and when the touch is generated through the voltage accumulation, have. When the sample-and-hold unit 215 is omitted, whether or not the touch is generated is detected only through the output terminal voltage Vo of the sensor pad 110. That is, when the sample and hold unit 215 is omitted, the output terminal of the sensor pad 110 may be directly connected to the input terminal of the amplifier A2.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 검출 장치에서의 터치 검출부의 구성을 설명하기 위한 회로도이다.8 is a circuit diagram for explaining a configuration of a touch detection unit in a touch detection apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 터치 검출부(210)는 자기(self) 정전용량 방식의 터치 스크린 패널에 대한 회로인 반면, 도 8에 도시된 터치 검출부(210)는 상호(mutual) 정전용량 방식의 터치 스크린 패널에 대한 회로도이다.The touch detection unit 210 shown in FIG. 6 is a circuit for a self-capacitance type touch screen panel, whereas the touch detection unit 210 shown in FIG. 8 is a mutual capacitance type touch screen panel Fig.

도 6은 하나의 전극으로 구성되는 센서 패드(110)에 대한 터치 검출, 즉, 센서 패드(110)와 터치입력도구 간에 형성되는 정전용량을 통해 터치 검출을 하는 터치 검출 장치의 터치 검출부(210) 구성을 나타내는 회로도이나, 도 8은 구동 라인(Tx)과 감지 라인(Rx)으로 구성되는 센서 노드(110’)를 터치 검출 대상 단위로 하는 상호 정전용량 방식에 있어서의 터치 검출부(210) 구성을 나타내는 회로도이다. 구체적으로, 상호 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 행 또는 열 방향으로 배치된 하나 이상의 센서 노드(110’)를 포함한다. 센서 노드(110’)는 구동 신호가 인가되는 구동 라인(Tx), 및 터치 검출을 위한 신호 감지 지점을 제공하는 감지 라인(Rx)으로 구성되며, 이러한 센서 노드(110’)가 터치 감지를 위한 단위 영역이 된다. 6 illustrates a touch detection unit 210 of a touch detection device that performs touch detection for a sensor pad 110 formed of one electrode, that is, touch detection through electrostatic capacitance formed between the sensor pad 110 and a touch input tool, 8 shows a configuration of the touch detection unit 210 in the mutual capacitance type in which the sensor node 110 'composed of the driving line Tx and the sensing line Rx is the touch detection target unit FIG. Specifically, the mutual capacitive touch screen panel includes one or more sensor nodes 110 'arranged in a row or column direction. The sensor node 110 'comprises a drive line Tx to which a driving signal is applied and a sensing line Rx for providing a signal sensing point for touch detection. The sensor node 110' Unit area.

구동 라인(Tx)에는 터치 검출을 위한 구동 신호가 인가된다. 예를 들어, 구동 라인(Tx)에는 소정 주파수로 교번하는 교번 전압(KB)이 인가될 수 있는데, 이에 따라, 구동 라인(Tx)과 감지 라인(Rx) 사이에는 상호 정전용량(Cm)이 형성된다. 이러한 상호 정전용량(Cm)은 센서 노드(110’)에의 터치 상태에 따라 그 크기가 달라질 수 있으며, 이에 따라, 감지 라인(Rx)에서 출력되는 전압(Vo) 또한 달라지게 된다. 예를 들어, 손가락이나 도전체와 같은 터치입력도구가 센서 노드(110’)에 접촉되면, 접촉 물체가 흡수하는 전기 플럭스(Electric Flux)의 양에 비례하여 구동 라인(Tx)과 감지 라인(Rx) 간에 형성되는 상호 정전용량(Cm)이 변화될 수 있다. 즉, 감지 라인(Rx)은 교번 전압(KB)에 응답하여, 터치가 발생한 경우와 발생하지 않은 경우에 상이한 전압 레벨 값을 출력할 수 있는데, 이를 통하여 터치 발생 여부를 검출할 수 있다. A driving signal for touch detection is applied to the driving line Tx. For example, an alternating voltage (KB) alternating at a predetermined frequency may be applied to the driving line Tx so that a mutual capacitance Cm is formed between the driving line Tx and the sensing line Rx do. The magnitude of the mutual capacitance Cm may vary according to the touch state of the sensor node 110 ', and accordingly, the voltage Vo output from the sensing line Rx may vary. For example, when a touch input tool such as a finger or a conductor touches the sensor node 110 ', the driving line Tx and the sensing line Rx The mutual capacitance Cm formed between the first and second electrodes can be changed. That is, the sensing line Rx may output a different voltage level value in response to the alternating voltage (KB) when the touch occurs and not when the touch occurs, thereby detecting whether or not the touch is generated.

도 8에 도시된 터치 검출부(210)의 동작은 센서 패드(110)가 구동 라인(Tx)와 감지 라인(Rx)으로 구성되는 센서 노드(110’)로 대체되는 것 외에 도 6을 참조하여 설명한 동작과 동일하다. 이하에서는, 그 동작에 대해 간략하게 설명하기로 한다.The operation of the touch detection unit 210 shown in FIG. 8 is the same as the operation of the touch detection unit 210 shown in FIG. 6 except that the sensor pad 110 is replaced with a sensor node 110 'composed of a driving line Tx and a sensing line Rx Operation is the same. Hereinafter, the operation thereof will be briefly described.

전류 흐름 제어부(213)는 감지 라인(Rx)에 전하를 충전시킨 후, 미세 전류를 공급한다. The current flow controller 213 charges the charge on the sense line Rx, and then supplies the fine current.

감지 라인(Rx)에 전하를 충전시키는 구간에서는 전류 흐름 제어부(213)의 전류 제어 스위치(SW)가 충전 전압 공급단과 감지 라인(Rx)을 직접 연결시키고, 충전이 완료된 후 감지 라인(Rx)에 미세 전류를 공급하는 구간에서는 전류 제어 스위치(SW)가 일단이 충전 전압 공급단과 연결된 복수의 저항(R1’, R2’, R3’, …, Rn’) 중 하나를 선택하여 해당 저항의 타단을 감지 라인(Rx)과 연결시킨다. The current control switch SW of the current flow controller 213 directly connects the charge voltage supply terminal and the sense line Rx in a period in which the charge is charged in the sense line Rx, The current control switch SW selects one of the plurality of resistors R1 ', R2', R3 ', ..., Rn' connected to the charge voltage supply end and detects the other end of the corresponding resistor Line Rx.

즉, 전류 흐름 제어부(213)의 전류 제어 스위치(SW)는 충전 전압 공급단과 직접 연결된 노드 및 소정의 저항(R1’, R2’, R3’, …, Rn’)을 통해 연결된 복수의 노드 중 하나를 선택하여 감지 라인(Rx)과 연결시킨다.That is, the current control switch SW of the current flow controller 213 is connected to the node directly connected to the charging voltage supply terminal and one of the plurality of nodes connected through the predetermined resistors R1 ', R2', R3 ', ..., Rn' And connects it to the sensing line Rx.

감지 라인(Rx)이 충전된 후 미세 전류가 공급되는 구간에서, 구동부(214)는 구동 라인(Tx)에 교번 전압(KB)을 인가한다. In a period in which a fine current is supplied after the sensing line Rx is charged, the driving unit 214 applies an alternating voltage (KB) to the driving line Tx.

전술한 바와 같이, 감지 라인(Rx)에 전하가 충전 후 미세 전류가 공급되는 동안, 구동 라인(Tx)에 교번 전압(KB)이 공급되면, 터치 발생 여부에 따라 감지 라인(Rx)에서 검출되는 전압(Vo)이 달라지게 되는데, 터치 검출부(210)는 비터치시와 터치시의 감지 라인(Rx)의 출력단 전압(Vo) 변화량을 통해 터치 발생 여부를 검출할 수 있다.As described above, if the alternate voltage KB is supplied to the driving line Tx while the fine current is supplied to the sensing line Rx after charging, the voltage is detected at the sensing line Rx according to whether the touch is generated The voltage Vo varies. The touch detection unit 210 can detect whether a touch is generated through the amount of change in the voltage Vo of the sensing line Rx at the non-touch time and at the touch time.

즉, 도 8에 도시된 터치 검출부(210)는 도 6에 도시된 터치 검출부(210)와 비교하여 보았을 때, 전류 흐름 제어부(213)가 감지 라인(Rx)에 전하를 충전한 후 미세 전류를 공급하고, 구동부(214)가 구동 라인(Tx)에 교번 전압(KB)을 인가하는 정도의 차이만 있을 뿐 나머지 동작은 동일하다고 할 수 있다. 따라서, 도 8에서의 센서 노드(110’)와 도 6에서의 센서 패드(110)는 모두 터치 검출의 단위 영역으로 기능하는 것으로서, 본 명세서에서는 동일한 의미인 것으로 이해되어야 한다. 또한, 도 8에서 감지 라인(Rx)의 출력단 전압(Vo) 변화를 검출하는 과정은 도 6에서 센서 패드(110)의 출력단 전압(Vo) 변화를 검출하는 것과 동일한 의미로 이해되어야 한다. That is, the touch detection unit 210 shown in FIG. 8 is different from the touch detection unit 210 shown in FIG. 6 in that the current flow control unit 213 charges the charge on the sense line Rx, And the driving unit 214 applies the alternating voltage (KB) to the driving line Tx, and the remaining operations are the same. Therefore, both the sensor node 110 'in FIG. 8 and the sensor pad 110 in FIG. 6 function as a unit area of touch detection and are understood to have the same meaning in this specification. The process of detecting the change of the output voltage Vo of the sensing line Rx in FIG. 8 should be understood to mean the same as detecting the change of the output voltage Vo of the sensor pad 110 in FIG.

본 발명에 따른 터치 검출 장치에 있어서는 터치 발생 지점에 전하를 충전시킨 후 미세 전류를 공급하는 상태에서의 교번 전압 공급에 따른 출력 신호의 변화를 통해 터치 발생 여부를 검출한다. 전하를 충전시키는 단계가 필수적이긴 하지만, 충전 후 충전된 전하를 고립시키는 플로팅 상태를 미세 전류를 공급 구간으로 대체함으로써, 외란에 취약한 플로팅 상태의 불안정성을 해소할 수 있을 뿐만 아니라 정확한 터치 검출 또한 가능해진다.In the touch detection apparatus according to the present invention, whether or not a touch is generated is detected by changing an output signal according to an alternate voltage supply in a state of supplying a minute current after charges are charged at a point of occurrence of a touch. The step of charging the electric charge is indispensable. However, by replacing the floating state for isolating the charged electric charge after the charging with the supply of the minute current, not only the instability of the floating state vulnerable to the disturbance can be solved, but also accurate touch detection becomes possible .

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The foregoing description of the present invention is intended for illustration, and it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be easily modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

Claims (13)

복수의 센서 노드 중 특정 센서 노드에 전하를 충전시킨 후, 미세 전류를 공급하는 전류 흐름 제어부;
상기 미세 전류 공급 구간에 상기 센서 노드에 교번 전압을 인가하는 구동부; 및
상기 미세 전류 공급 구간 동안 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압을 기초로 터치 여부를 검출하는 검출부를 포함하는, 터치 검출 장치.
A current flow controller for charging a specific sensor node among a plurality of sensor nodes and supplying a minute current;
A driver for applying an alternating voltage to the sensor node in the minute current supply period; And
And a detector configured to detect whether a touch is performed based on an output terminal voltage of the sensor node according to the alternating voltage applied during the minute current supply period.
제 1 항에 있어서,
상기 전류 흐름 제어부는, 상기 센서 노드와 충전 전압 공급단 간을 직접 연결하거나, 복수 개의 저항 중 선택되는 하나의 저항을 통해 선택적으로 연결시키는 전류 제어 스위치를 포함하는, 터치 검출 장치.
The method of claim 1,
Wherein the current flow control section includes a current control switch for directly connecting the sensor node and the charging voltage supply terminal or selectively connecting the sensor node and the charging voltage supply terminal through a selected one of a plurality of resistors.
제 2 항에 있어서,
상기 전류 제어 스위치가 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 직접 연결하는 경우, 상기 센서 노드에 전하가 충전되고,
상기 전류 제어 스위치가 상기 복수 개의 저항 중 하나의 저항을 선택하여, 상기 선택된 저항을 통해 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 연결하는 경우, 상기 센서 노드에 상기 미세 전류가 공급되는, 터치 검출 장치.
3. The method of claim 2,
When the current control switch directly connects the sensor node and the charging voltage supply terminal, the sensor node is charged with electric charge,
Wherein the current control switch selects one of the plurality of resistances and connects the sensor node and the charging voltage supply terminal through the selected resistance, the fine current is supplied to the sensor node, .
제 3 항에 있어서,
상기 전류 제어 스위치는,
상기 미세 전류 공급 시, 상기 센서 노드가 상기 복수의 센서 노드를 구동하는 구동 장치로부터 멀리 떨어져 배치되는 것일수록 낮은 저항값을 갖는 저항을 선택하는, 터치 검출 장치.
The method of claim 3, wherein
Wherein the current control switch comprises:
Wherein when the fine current is supplied, the sensor node selects a resistor having a lower resistance value as the sensor node is disposed far away from the driving apparatus driving the plurality of sensor nodes.
제 1 항에 있어서,
상기 검출부는,
상기 미세 전류 공급 구간에 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압 변화를 기준값과 비교하여 터치 검출을 수행하는, 터치 검출 장치.
The method of claim 1,
Wherein:
And a touch detection device performing touch detection by comparing the output terminal voltage change of the sensor node according to the alternating voltage to the minute current supply section with a reference value.
제 1 항에 있어서,
상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 샘플 앤 홀드부를 더 포함하고,
상기 검출부는, 상기 샘플 앤 홀드부에 축적된 전압을 기준값과 비교하여 터치 여부를 검출하는, 터치 검출 장치.
The method of claim 1,
Further comprising a sample and hold unit for sampling and accumulating an output terminal voltage of the sensor node,
Wherein the detection unit detects whether or not the voltage stored in the sample-and-hold unit is compared with a reference value.
제 6 항에 있어서,
상기 샘플 앤 홀드부는,
상기 미세 전류 공급 구간 동안에만 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는, 터치 검출 장치.
The method according to claim 6,
The sample-and-
And stores the output terminal voltage of the sensor node after sampling only after the minute current supply period.
복수의 센서 노드 중 특정 센서 노드에 전하를 충전시키는 단계;
상기 센서 노드에 미세 전류를 공급하는 단계;
상기 미세 전류 공급 구간에 상기 센서 노드에 교번 전압을 인가하는 단계; 및
상기 미세 전류 공급 구간 동안 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압을 기초로 터치 여부를 검출하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
Charging a specific sensor node among the plurality of sensor nodes;
Supplying a fine current to the sensor node;
Applying an alternating voltage to the sensor node during the minute current supply period; And
And detecting a touch based on an output terminal voltage of the sensor node according to the alternating voltage applied during the minute current supply period.
제 8 항에 있어서,
상기 충전 단계는, 상기 센서 노드와 충전 전압 공급단을 직접 연결시키는 단계를 포함하고,
상기 미세 전류 공급 단계는, 복수 개의 저항 중 선택되는 하나의 저항을 통해 상기 센서 노드와 상기 충전 전압 공급단을 연결시키는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
The method of claim 8,
Wherein the charging step includes directly connecting the sensor node and the charging voltage supply terminal,
Wherein the fine current supply step includes connecting the sensor node and the charge voltage supply terminal through one of the plurality of resistors selected.
제 9 항에 있어서,
상기 미세 전류 공급 단계는,
상기 센서 노드가 상기 복수의 센서 노드를 구동하는 구동 장치로부터 멀리 떨어져 배치되는 것일수록 낮은 저항값을 갖는 저항을 선택하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
The method of claim 9,
Wherein the fine current supplying step includes:
Selecting a resistance having a lower resistance value as the sensor node is located farther away from the driving apparatus driving the plurality of sensor nodes.
제 8 항에 있어서,
상기 검출 단계는,
상기 미세 전류 공급 구간에 상기 교번 전압 인가에 따른 상기 센서 노드의 출력단 전압 변화를 기준값과 비교하여 터치 검출을 수행하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
The method of claim 8,
The detecting step,
And performing touch detection by comparing an output terminal voltage change of the sensor node according to the alternating voltage applied to the minute current supply interval with a reference value.
제 8 항에 있어서,
상기 검출 단계는,
상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 단계; 및
상기 축적된 전압을 기준값과 비교하여 터치 여부를 검출하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
The method of claim 8,
The detecting step,
Sampling the output terminal voltage of the sensor node and storing the sampled voltage; And
And comparing the accumulated voltage with a reference value to detect whether or not the touch is detected.
제 12 항에 있어서,
상기 축적 단계는,
상기 미세 전류 공급 구간 동안에만 상기 센서 노드의 출력단 전압을 샘플링 후 축적하는 단계를 포함하는, 터치 검출 방법.
13. The method of claim 12,
The accumulation step,
Sampling the output terminal voltage of the sensor node only after the microcurrent supply period.
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