[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20110077108A - Shift register and display device using the same - Google Patents

Shift register and display device using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20110077108A
KR20110077108A KR1020090133571A KR20090133571A KR20110077108A KR 20110077108 A KR20110077108 A KR 20110077108A KR 1020090133571 A KR1020090133571 A KR 1020090133571A KR 20090133571 A KR20090133571 A KR 20090133571A KR 20110077108 A KR20110077108 A KR 20110077108A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
node
output node
shift clock
stage
Prior art date
Application number
KR1020090133571A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101642992B1 (en
Inventor
정상훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090133571A priority Critical patent/KR101642992B1/en
Publication of KR20110077108A publication Critical patent/KR20110077108A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101642992B1 publication Critical patent/KR101642992B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G09G3/3655Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)

Abstract

PURPOSE: A shift register and a display device using the same are provided to prevent an error of transferring a carry signal between stages when stack lines are a short circuit. CONSTITUTION: In a shift register and a display device using the same, a plurality of gate shift clocks are delayed successively. A plurality stages are a gate start pulse, a gate high voltage, and a gate low voltage which higher than the gate high voltage. The stages output a carry signal through a first output node and a scan pulse through a second output node.

Description

쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register and a display device using the same.

음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발 및 시판되고 있다. 이러한 평판 표시장치의 스캔 구동회로는 일반적으로, 쉬프트 레지스터를 이용하여 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하고 있다. Various flat panel displays (FPDs) that can reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, have been developed and marketed. Generally, the scan driving circuit of the flat panel display device sequentially supplies scan pulses to scan lines using a shift register.

스캔 구동회로의 쉬프트 레지스터는 도 1과 같이 다수의 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 함)을 포함하는 스테이지들(STn-1~STn+2)을 포함한다. 스테이지들은 종속적(cascade)으로 접속되어 출력(Vout(n-1)~Vout(n+2))을 순차적으로 발생한다. 도 1에서 "C1~C4"는 스테이지들에 공급되는 4 상(phase) 클럭들이다. The shift register of the scan driving circuit includes stages STn-1 to STn + 2 including a plurality of thin film transistors (“TFTs”) as shown in FIG. 1. The stages are cascaded to sequentially generate outputs Vout (n-1) to Vout (n + 2). In FIG. 1, "C1 to C4" are four phase clocks supplied to the stages.

스테이지들(STn-1~STn+2) 각각은 풀업 트랜지스터(Pull-up transistor)를 제 어하기 위한 Q 노드, 풀다운 트랜지스터(Pull-down transister)를 제어하기 위한 Q bar(QB) 노드를 포함한다. 또한, 스테이지들(STn-1~STn+2) 각각은 이전 스테이지로부터 입력된 캐리신호, 다음 스테이지로부터 입력된 캐리신호, 및 클럭신호(C1~C4)에 응답하여 Q 노드와 QB 노드 전압을 충방전시키는 스위치 회로들을 포함한다. Each of the stages STn-1 to STn + 2 includes a Q node for controlling a pull-up transistor and a Q bar (QB) node for controlling a pull-down transistor. . In addition, each of the stages STn-1 to STn + 2 fills the Q node and QB node voltages in response to a carry signal input from a previous stage, a carry signal input from a next stage, and a clock signal C1 to C4. Switch circuits for discharging.

쉬프트 레지스터의 스테이지들(STn-1~STn+2)의 출력(Vout(n-1)~Vout(n+2))은 표시장치의 스캔라인들에 인가되는 스캔펄스임과 동시에, 이전 스테이지와 다음 스테이지로 전달되는 캐리신호(carry signal) 역할을 겸한다. 따라서, 도 1과 같이 공정 중에 혼입된 도전성 파티클(CP)이나 패턴 불량에 의해 스테이지들(STn-1~STn+2)의 출력 노드에 연결된 스캔라인이 다른 스캔라인이나 직류 전압원(VDD, VSS)에 단락(short)되면, 캐리신호들이 전달되지 못하므로 쉬프트 레지스터가 오동작한다. 예컨대, 도 1과 같이 제n(n은 양의 정수) 스테이지(STn)의 출력 노드에 연결된 제n 스캔라인과, 제n+1 스테이지의 출력 노드에 연결된 제n+1 스캔라인이 단락되면, 제n 스테이지(STn) 이후의 스테이지들이 정상적으로 동작할 수 없다. The outputs Vout (n-1) to Vout (n + 2) of the stages STn-1 to STn + 2 of the shift register are scan pulses applied to the scan lines of the display device, and at the same time as the previous stages. It also serves as a carry signal to the next stage. Therefore, as shown in FIG. 1, the scan lines connected to the output nodes of the stages STn-1 to STn + 2 are different from the scan lines or DC voltage sources VDD and VSS mixed by the conductive particles CP or the pattern defect. If the circuit is shorted, the shift register malfunctions because carry signals are not transmitted. For example, as illustrated in FIG. 1, when an n th scan line connected to an output node of an nth (n is positive integer) stage STn and an n + 1 scan line connected to an output node of an n + 1th stage are shorted, Stages after the nth stage STn may not operate normally.

본 발명은 표시장치의 스캔라인들이 단락되어도 스테이지들 간의 캐리신호 전달 오류를 방지할 수 있도록 한 쉬프트 레지스터와 이를 이용한 표시장치를 제공한다. The present invention provides a shift register and a display device using the same to prevent a carry signal transfer error between stages even when scan lines of the display device are shorted.

본 발명의 일 양상으로서, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 순차적으로 지연되는 다수의 게이트 쉬프트 클럭들, 게이트 스타트 펄스, 게이트 하이 전압, 및 상기 게이트 하이 전압보다 낮은 게이트 로우 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 구비한다. In one aspect of the present invention, a shift register of the present invention includes a plurality of gate shift clocks, a gate start pulse, a gate high voltage, and a gate low voltage lower than the gate high voltage, which are sequentially delayed, and are connected in a dependent manner. Stages.

제n(n은 양의 정수) 스테이지는 제n 스캔라인과 연결되어 제n 스캔펄스가 출력되는 제1 출력 노드; 제n-2 스테이지의 리셋단자와 제n+1 스테이지의 스타트단자에 입력될 제n 캐리신호가 출력되는 제2 출력 노드; 제1 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 충전시키는 제1 풀업 트랜지스터; 제2 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 충전시키는 제2 풀업 트랜지스터; 제n+1 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 방전시키는 제1 풀다운 트랜지스터; 상기 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 방전시키는 제2 풀다운 트랜지스터; 및 제n-1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n-1 스테이지로부터 입력되는 제n-1 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 충전시키고, 제n+1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n+2 스테이지로부터 입력되는 제n-2 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 방전시키는 스위치 회로를 구비한다. The n th (n is positive integer) stage may include: a first output node connected to the n th scan line to output an n th scan pulse; A second output node for outputting an n-th carry signal to be input to the reset terminal of the n-2th stage and the start terminal of the n + 1th stage; A first pull-up transistor turned on according to a voltage of a first Q node to supply an n-th gate shift clock to the first output node to charge the first output node; A second pull-up transistor turned on according to a voltage of a second Q node to supply the n-th gate shift clock to the second output node to charge the second output node; A first pull-down transistor turned on according to a voltage of a QB node to which an n + 1 gate shift clock is applied to supply the gate low voltage to a first output node to discharge the first output node; A second pull-down transistor turned on according to the voltage of the QB node to supply the gate low voltage to a second output node to discharge the second output node; And charging the Q nodes in response to an n-1 gate shift clock and an n-1 carry signal input from an n-1th stage, and input from an n + 1 gate shift clock and an n + 2 stage. And a switch circuit for discharging the Q nodes in response to an n-2th carry signal.

본 발명의 표시장치는 데이터라인들과 스캔라인들이 교차되고 매트릭스 형태로 배치된 다수의 픽셀들을 포함하는 표시패널; 상기 데이터라인들에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 쉬프트 레지스터를 통해 상기 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하는 스캔 구동회로를 구비한다. According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device includes: a display panel including a plurality of pixels in which data lines and scan lines intersect and are arranged in a matrix; A data driver circuit for supplying a data voltage to the data lines; And a scan driving circuit for sequentially supplying scan pulses to the scan lines through the shift register.

본 발명은 스테이지들 각각에서 캐리신호와 스캔펄스를 분리하여 출력하도록 하여 표시장치의 스캔라인들이 단락되어도 쉬프트 레지스터의 오동작을 방지할 수 있다. According to the present invention, the carry signal and the scan pulse are separated and output at each stage, thereby preventing malfunction of the shift register even when the scan lines of the display device are shorted.

이하 첨부된 도면을 참조하여 액정표시장치를 중심으로 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다. The names of the components used in the following description are selected in consideration of the ease of preparation of the specification, and may be different from the names of the actual products.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터 구성을 개략적으로 보여 주는 도면이다. 도 3은 도 2에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여 주는 회로도이다. 2 is a view schematically showing a shift register configuration according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a circuit diagram illustrating in detail a circuit configuration of an nth stage illustrated in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2))을 구비한다.2 and 3, a shift register according to an embodiment of the present invention includes a plurality of stages ST (n-2) to ST (n + 2) that are connected in a cascade manner.

스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2))에는 소정의 위상차만큼 쉬프트되고 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 4 상 게이트 쉬프트 클럭들(clk1~clk4) 중에 3 개의 게이트 쉬프트 클럭들이 입력된다. 또한, 스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2))에는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. 게이트 하이 전압(VGH)은 표시장치의 TFT 어레이에 형성된 TFT들의 문턱전압 이상의 전압으로 설정되고, 게이트 로우 전압(VGL)은 표시장치의 TFT 어레이에 형성된 TFT들의 문턱전압보다 작은 전압으로 설정된다. 게이트 하이 전압(VGH)은 대략 20V 정도로 설정될 수 있고, 게이트 로우 전압(VGL)은 대략 -5V 정도로 설정될 수 있다. Four-phase gate shift clocks clk1 to shifted by a predetermined phase difference in the stages ST (n-2) to ST (n + 2) and swinging between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. Three gate shift clocks are input during clk4). In addition, the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL are supplied to the stages ST (n-2) to ST (n + 2). The gate high voltage VGH is set to a voltage higher than or equal to the threshold voltages of the TFTs formed in the TFT array of the display device, and the gate low voltage VGL is set to a voltage smaller than the threshold voltage of the TFTs formed in the TFT array of the display device. The gate high voltage VGH may be set to about 20V, and the gate low voltage VGL may be set to about −5V.

스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2)) 각각은 캐리신호(Cout)와 스캔펄스(또는 게이트펄스, Gout)를 분리하여 출력한다. 즉, 스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2))의 출력 노드들은 스캔펄스(Gout)가 출력되는 제1 출력 노드와, 캐리신호(Cout)가 출력되는 제2 출력 노드로 나뉘어진다. Each of the stages ST (n-2) to ST (n + 2) separately outputs a carry signal Cout and a scan pulse (or gate pulse Gout). That is, the output nodes of the stages ST (n-2) to ST (n + 2) are the first output node to which the scan pulse Gout is output and the second output node to which the carry signal Cout is output. Divided.

제n 스테이지(ST(n))의 스타트 단자(start)에는 게이트 스타트 펄스(GSP), 또는 제n-1 스테이지(ST(n-1))로부터 출력되는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))가 입력된다. 제n 스테이지(ST(n))의 리셋 단자(reset)에는 게이트 스타트 펄스(GSP), 및/또는 제n+2 스테이지(ST(n+2))로부터 출력되는 제n-1 캐리신호(Cout(n+2)가 입력 된다. 제n 스테이지(ST(n))로부터 출력되는 제n 캐리신호(Cout(n))는 제n-2 스테이지(ST(n-2))의 리셋단자 단자와, 제n+1 스테이지(ST(n-1))의 스타트 단자로 전송된다. 도 2에서 제n 스테이지(ST(n))으로 입력되는 캐리신호들(Cout(n-1), Cout(n+2)) 이외의 다른 캐리신호들과, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 생략되었다. 스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2))들의 캐리신호 전송과 게이트 스타트 펄스(GSP)는 도 5a 내지 도 6과 같다.At the start terminal start of the nth stage ST (n), the n-1th carry signal Cout (n) output from the gate start pulse GSP or the n-1th stage ST (n-1). -1)) is input. The n-1th carry signal Cout output from the gate start pulse GSP and / or the n + 2th stage ST (n + 2) to the reset terminal reset of the nth stage ST (n). (n + 2) is input The n-th carry signal Cout (n) output from the n-th stage ST (n) is connected to the reset terminal terminal of the n-th stage ST (n-2). The carry signals Cout (n-1) and Cout (n) are input to the start terminal of the n + 1th stage ST (n-1) in FIG. The carry signals other than +2)) and the gate start pulse GSP are omitted. The carry signal transmission and the gate start pulse GSP of the stages ST (n-2) to ST (n + 2) are omitted. 5a to 6 are the same.

제n 스테이지(ST(n))의 회로 구성은 도 3과 같다. 스테이지들(ST(n-2)~ST(n+2)) 각각의 회로 구성은 도 3과 실질적으로 동일하다. 제n 스테이지(ST(n))의 클럭 단자들에는 제n-1 내지 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1)~clk(n+1))이 입력된다.The circuit configuration of the nth stage ST (n) is shown in FIG. The circuit configuration of each of the stages ST (n-2) to ST (n + 2) is substantially the same as in FIG. The n-th to n-th gate shift clocks clk (n-1) to clk (n + 1) are input to the clock terminals of the n-th stage ST (n).

제n 스테이지(ST(n))는 제n 스캔라인과 연결되어 제n 스캔펄스(Gout(n))가 출력되는 제1 출력 노드, 제n-2 스테이지(ST(n-2)의 리셋단자(reset)와 제n+1 스테이지(ST(n+1))의 스타트단자(start)에 입력될 제n 캐리신호가 출력되는 제2 출력 노드, 제1 Q 노드(q)의 전압에 따라 턴-온되어 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))을 제1 출력 노드에 공급하여 제1 출력 노드를 충전시키는 제1 풀업 트랜지스터(T4), 제2 Q 노드(qc)의 전압에 따라 턴-온되어 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))을 제2 출력 노드에 공급하여 제2 출력 노드를 충전시키는 제2 풀업 트랜지스터(T4C), 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+1))이 인가되는 QB 노드(qb)의 전압에 따라 턴-온되어 게이트 로우 전압(VGL)을 제1 출력 노드에 공급하여 제1 출력 노드를 방전시키는 제1 풀다운 트랜지스터(T5), QB 노드(qb)의 전압에 따라 턴-온되어 게이트 로우 전압(VGL)을 제2 출력 노드에 공급하여 제2 출력 노드를 방전시키는 제2 풀다운 트랜지스터(T5C), 및 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))과 제n-1 스테이지(ST(n-1))로부터 입력되는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))에 응답하여 Q 노드들(q, qc)을 충전시키고, 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+1))과 제n+2 스테이지(ST(n+2)로부터 입력되는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 응답하여 Q 노드들(q, qc)을 방전시키는 스위치 회로를 구비한다. 스위치 회로는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))와 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))에 응답하여 제1 Q 노드(q)를 충전시키는 제1 Q 노드 충전회로, 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))에 응답하여 제2 Q 노드(qc)를 충전시키는 제2 Q 노드 충전회로; 및 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 응답하여 Q 노드들(q, qc)을 방전시키는 Q 노드 방전회로를 포함한다. 도 3에 예시된 TFT들(T1~T5C)는 n 타입 MOS TFT(Metal Oxide Semiconductor TFT)로 구현된다. TFT들(T1~T5C)은 n 타입 MOS TFT로 한정되지 않고 p 타입 MOS TFT로 구현될 수 있다. The n th stage ST (n) is connected to an n th scan line and outputs a first output node to which an n th scan pulse Gout (n) is output, and a reset terminal of the n th stage ST (n-2). The second output node to which the n-th carry signal to be input to the reset terminal and the start terminal start of the n + 1th stage ST (n + 1) is output according to the voltage of the first Q node q. Turn on according to the voltages of the first pull-up transistor T4 and the second Q node qc that are turned on to supply the n-th gate shift clock clk (n) to the first output node to charge the first output node. A second pull-up transistor T4C that is turned on to supply the n-th gate shift clock clk (n) to the second output node to charge the second output node, and the n + 1 gate shift clock clk (n + 1) ) Is turned on according to the voltage of the QB node qb to which the first pull-down transistor T5 and QB node qb supply the gate low voltage VGL to the first output node to discharge the first output node. Turn on depending on the voltage A second pull-down transistor T5C for supplying the gate low voltage VGL to the second output node to discharge the second output node, and the n-1 gate shift clock clk (n-1) and n-1 The Q nodes q and qc are charged in response to the n-1th carry signal Cout (n-1) input from the stage ST (n-1), and the n + 1th gate shift clock clk is charged. Q nodes q and qc are discharged in response to an n + 2th carry signal Cout (n + 2) input from (n + 1)) and an n + 2th stage ST (n + 2). And a switch circuit, which switches the first Q node q in response to the n-th carry signal Cout (n-1) and the n-th gate shift clock clk (n-1). A first Q node charging circuit for charging, a second Q node charging circuit for charging the second Q node qc in response to the n-1 gate shift clock clk (n-1), and an n + 2 carry And a Q node discharge circuit for discharging the Q nodes q and qc in response to the signal Cout (n + 2). The TFTs T1 to T5C illustrated in FIG. 3 are implemented with an n-type MOS TFT (Metal Oxide Semiconductor TFT). The TFTs T1 to T5C are not limited to n-type MOS TFTs but may be implemented as p-type MOS TFTs.

제1 Q 노드 충전회로는 제1 및 제2 TFT(T1, T2)를 포함한다. 제1 및 제2 TFT(T1, T2)는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))과 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))에 응답하여 제1 Q 노드(q)를 충전시킨다. 제1 TFT(T1)는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)으로 제1 Q 노드(q)를 충전시킨다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극에는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))가 인가되고, 제1 TFT(T1)의 소스전극에는 게이트 하이 전압(VGH)이 인가된다. 제1 TFT(T1)의 드레인전극은 제1 Q 노드(q)에 접속된다. 제2 TFT(T2)는 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))에 응답하여 게이트 스타트 펄스(GSP) 혹은 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))로 제1 Q 노 드(q)를 충전한다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극에는 qk 노드를 경유하여 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))이 인가되고, 제2 TFT(T2)의 소스전극에는 게이트 스타트 펄스(GSP) 혹은 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))이 인가된다. 제2 TFT(T2)의 드레인전극은 제1 Q 노드(q)에 접속된다. The first Q node charging circuit includes first and second TFTs T1 and T2. The first and second TFTs T1 and T2 respond to the first Q node in response to the n−1 th carry signal Cout (n−1) and the n−1 th gate shift clock clk (n−1). q) is charged. The first TFT T1 charges the first Q node q at the gate high voltage VGH in response to the n−1 th carry signal Cout (n−1). The n−1 th carry signal Cout (n−1) is applied to the gate electrode of the first TFT T1, and a gate high voltage VGH is applied to the source electrode of the first TFT T1. The drain electrode of the first TFT T1 is connected to the first Q node q. The second TFT T2 receives the first Q by the gate start pulse GSP or the n-1th carry signal Cout (n-1) in response to the n−1th gate shift clock clk (n−1). Charge node (q). The n-th gate shift clock clk (n-1) is applied to the gate electrode of the second TFT T2 via the qk node, and the gate start pulse GSP is applied to the source electrode of the second TFT T2. Alternatively, the n−1 th carry signal Cout (n−1) is applied. The drain electrode of the second TFT T2 is connected to the first Q node q.

제2 Q 노드 충전회로는 제2C TFT(T2C)를 포함한다. 제2C TFT(T2C)는 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))에 응답하여 제1 Q 노드(q)를 경유하여 공급되는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))로 제2 Q 노드(qc)를 충전한다. 제2C TFT(T2C)의 게이트전극에는 qk 노드를 경유하여 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))이 인가된다. 제2 TFT(T2)의 소스전극은 제1 Q 노드(q)에 접속되고, 제2 TFT(T2)의 드레인전극은 제2 Q 노드(qc)에 접속된다. 제2 출력 노드에 연결된 제n 스캔라인이 다른 스캔라인과 단락되면 제1 Q 노드(q)의 부트스트래핑(bootstrapping)되지 않는다. 제2C TFT(T2C)는 제n 스캔라인의 단락으로 인하여 제1 Q 노드(q)가 부트스트래핑되지 않더라도 제2 Q 노드(qc)의 부트스트래핑에 영향을 주지 않도록 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1)의 펄스가 입력되는 시간 이외의 시간 동안에 제1 Q 노드(q)와 제2 제2 Q 노드(qc)를 분리한다. The second Q node charging circuit includes a second C TFT (T2C). The second C TFT (T2C) is supplied through the first Q node q in response to the n-1 gate shift clock clk (n-1), and the n-1 carry signal Cout (n-1). ) Charges the second Q node qc. The n-th gate shift clock clk (n-1) is applied to the gate electrode of the second C TFT (T2C) via the qk node. The source electrode of the second TFT T2 is connected to the first Q node q, and the drain electrode of the second TFT T2 is connected to the second Q node qc. When the n th scan line connected to the second output node is shorted to another scan line, the first Q node q is not bootstrapping. The second C TFT T2C does not affect the bootstrapping of the second Q node qc even if the first Q node q is not bootstrapping due to a short circuit of the nth scan line. The first Q node q and the second second Q node qc are separated for a time other than the time at which the pulse of clk (n-1) is input.

Q 노드 방전회로는 제3 및 제3C TFT(T3, T3C)를 포함한다. 제3 TFT(T3)는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 응답하여 제1 Q 노드(q)를 방전시킨다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극에는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 인가된다. 제3 TFT(T3)의 소스전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다. 제3 TFT(T3)의 드레인전극은 제1 Q 노드(q)에 접속된다. 제3C TFT(T3C)는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 응답하여 제2 Q 노드(qc)를 방전시킨다. 제3C TFT(T3C)의 게이트전극에는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 인가된다. 제3C TFT(T3C)의 소스전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다. 제3C TFT(T3C)의 드레인전극은 제2 Q 노드(qc)에 접속된다. The Q node discharge circuit includes third and third C TFTs (T3, T3C). The third TFT T3 discharges the first Q node q in response to the n + 2th carry signal Cout (n + 2). The n + 2th carry signal Cout (n + 2) is applied to the gate electrode of the third TFT T3. The gate low voltage VGL is applied to the source electrode of the third TFT T3. The drain electrode of the third TFT T3 is connected to the first Q node q. The third C TFT (T3C) discharges the second Q node qc in response to the n + 2th carry signal Cout (n + 2). The n + 2th carry signal Cout (n + 2) is applied to the gate electrode of the 3C TFT (T3C). The gate low voltage VGL is applied to the source electrode of the 3C TFT (T3C). The drain electrode of the 3C TFT (T3C) is connected to the second Q node qc.

풀업 트랜지스터는 제4 및 제4C TFT(T4, T4C)를 포함한다. 제4 TFT(T4)는 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))과 제1 Q 노드(q)의 부트스트래핑으로 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))으로 제1 출력 노드를 충전하여 제n 스캔펄스(Gout(n))를 라이징시킨다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제1 Q 노드(q)에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 소스전극은 제1 출력 노드에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극에는 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))이 인가된다. 제4C TFT(T4C)는 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))과 제2 Q 노드(qc)의 부트스트래핑으로 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))으로 제2 출력 노드를 충전하여 제n 캐리신호(Cout(n))를 라이징시킨다. 제4C TFT(T4C)의 게이트전극은 제2 Q 노드(qc)에 접속된다. 제4C TFT(T4C)의 소스전극은 제2 출력 노드에 접속된다. 제4C TFT(T4C)의 드레인전극에는 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))이 인가된다. The pull-up transistor includes fourth and fourth C TFTs T4 and T4C. The fourth TFT T4 charges the first output node with the nth gate shift clock clk (n) by bootstrapping the nth gate shift clock clk (n) and the first Q node q. Rise the scan pulse Gout (n). The gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the first Q node q. The source electrode of the fourth TFT T4 is connected to the first output node. The nth gate shift clock clk (n) is applied to the drain electrode of the fourth TFT T4. The fourth C TFT T4C charges the second output node with the n th gate shift clock clk (n) by bootstrapping the n th gate shift clock clk (n) and the second Q node qc. The carry signal Cout (n) is raised. The gate electrode of the fourth C TFT (T4C) is connected to the second Q node qc. The source electrode of the fourth C TFT (T4C) is connected to the second output node. An nth gate shift clock clk (n) is applied to the drain electrode of the fourth C TFT (T4C).

풀다운 트랜지스터는 제5 및 제5C TFT(T5, T5C)를 포함한다. QB 노드(qb)에는 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk4)이 직접 인가된다. 제5 TFT(T5)는 QB 노드(qb)의 전압에 응답하여 제1 출력 노드를 방전시킨다. 제5 TFT(T5)의 게이트전극은 QB 노드(qb)에 접속되고, 제5 TFT(T5)의 드레인전극은 제1 출력 노드에 접속된다. 제5 TFT(T5)의 소스전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. 제5C TFT(T5C)는 QB 노드(qb)의 전압에 응답하여 제2 출력 노드를 방전시킨다. 제5C TFT(T5C)의 게 이트전극은 QB 노드(qb)에 접속되고, 제5C TFT(T5C)의 드레인전극은 제2 출력 노드에 접속된다. 제5C TFT(T5C)의 소스전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. The pull-down transistor includes fifth and fifth C TFTs (T5, T5C). The n + 1 th gate shift clock clk4 is directly applied to the QB node qb. The fifth TFT T5 discharges the first output node in response to the voltage of the QB node qb. The gate electrode of the fifth TFT T5 is connected to the QB node qb, and the drain electrode of the fifth TFT T5 is connected to the first output node. The gate low voltage VGL is supplied to the source electrode of the fifth TFT T5. The fifth C TFT (T5C) discharges the second output node in response to the voltage of the QB node qb. The gate electrode of the fifth C TFT (T5C) is connected to the QB node qb, and the drain electrode of the fifth C TFT (T5C) is connected to the second output node. The gate low voltage VGL is supplied to the source electrode of the fifth C TFT T5C.

제n 스테이지(ST(n))의 동작을 도 4의 파형도를 결부하여 단계적으로 설명하면 다음과 같다. The operation of the nth stage ST (n) will be described step by step with reference to the waveform diagram of FIG. 4.

도 3 및 도 4를 참조하면, T1 시간에 제n+2 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+2))이 발생된다. Q 노드 방전회로는 제3 및 제3C TFT(T3, T3C)는 T1 시간에 제n+2 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+2))에 응답하여 제1 및 제2 Q 노드(q, qc)를 방전시켜 제1 및 제2 Q 노드(q, qc)의 전압을 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)을 오프 상태로 유지시킨다. 3 and 4, an n + 2 th gate shift clock clk (n + 2) is generated at a time T1. In the Q node discharge circuit, the third and third C TFTs (T3 and T3C) respond to the n + 2 gate shift clock (clk (n + 2)) at the time T1, and the first and second Q nodes q and qc. Is discharged to maintain the voltages of the first and second Q nodes q and qc in the pull-up transistors T4 and T4C.

T2 시간 동안, 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))가 발생되고, 제n-1 스테이지(n-1)로부터 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))이 스타트 신호로서 제n 스테이지(ST(n))의 스타트 단자(start)에 입력된다. T2 시간 동안, 제1 TFT(T1)는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))에 응답하여 턴-온되고, 제2 및 제2C TFT들(T2, T2C)은 제n-1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n-1))의 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승한 qk 노드의 전압에 응답하여 턴-온된다. 따라서, 제1 및 제2 Q 노드들(q, qc)의 전압은 T2 기간 동안 게이트 하이 전압(VGH)까지 상승하여 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)을 턴-온시킨다. T2 기간 동안, 제n 게이트 쉬프트 클럭 신호라인의 전압이 게이트 로우 전압(VGL)을 유지하고 있다. 따라서, T2 시간에 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)이 턴-온되지만 출력 노드들의 전압은 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다. During the T2 time, the n-th gate shift clock clk (n-1) is generated, and the n-th carry signal Cout (n-1) starts from the n-th stage n-1. The signal is input to the start terminal start of the nth stage ST (n). During the time T2, the first TFT T1 is turned on in response to the n-1th carry signal Cout (n-1), and the second and second C TFTs T2 and T2C are nth-1. It is turned on in response to the voltage of the qk node raised to the gate high voltage VGH of the gate shift clock clk (n-1). Accordingly, the voltages of the first and second Q nodes q and qc rise to the gate high voltage VGH during the T2 period to turn on the pull-up transistors T4 and T4C. During the T2 period, the voltage of the nth gate shift clock signal line maintains the gate low voltage VGL. Accordingly, the pull-up transistors T4 and T4C are turned on at the time T2, but the voltage of the output nodes maintains the gate low voltage VGL.

T3 시간 동안, 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))이 발생된다. T3 시간 동안, 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)의 드레인전극에는 제n 게이트 쉬프트 클럭(clk(n))이 인가되고, 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)의 게이트-드레인전극들 사이의 기생용량을 통해 제1 및 제2 Q 노드들(q, qc)을 부트스트래핑시켜 제1 및 제2 Q 노드들(q, qc)의 전압을 더 상승시킨다. 따라서, T3 시간에 제1 출력 노드의 전압은 게이트 하이 전압(VGH)까지 상승하여 제n 스캔펄스(Gout(n))를 라이징시키고, 제2 출력 노드의 전압은 게이트 하이 전압(VGH)까지 상승하여 제n 캐리신호(Cout(n))를 라이징시킨다. 제n 캐리신호(Cout(n))는 T3 시간에 제n-2 스테이지(ST(n-2)의 리셋단자(reset)와 제n+1 스테이지(ST(n+1)의 스타트단자(start)에 입력된다. During the T3 time, the nth gate shift clock clk (n) is generated. During the T3 time, the n-th gate shift clock clk (n) is applied to the drain electrodes of the pull-up transistors T4 and T4C, and the parasitic capacitance between the gate-drain electrodes of the pull-up transistors T4 and T4C is applied. Bootstrapping the first and second Q nodes q and qc further increases the voltage of the first and second Q nodes q and qc. Therefore, at the time T3, the voltage of the first output node rises to the gate high voltage VGH to rise the nth scan pulse Gout (n), and the voltage of the second output node rises to the gate high voltage VGH. To raise the nth carry signal Cout (n). The nth carry signal Cout (n) is the reset terminal reset of the n-2th stage ST (n-2) and the start terminal start of the n + 1st stage ST (n + 1) at time T3. ) Is entered.

T4 시간 동안, 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+1))이 발생된다. T4 시간 동안, QB 노드(qb)의 전압은 제n+1 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+1))의 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승한다. T4 시간 동안, 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)의 드레인전극에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다. 풀다운 트랜지스터들(T5, T5C)은 QB 노드(qb)의 전압에 응답하여 턴-온되어 제1 및 제2 출력 노드들의 전압을 방전시킨다. 따라서, T4 시간에 제1 출력 노드의 전압은 게이트 로우 전압(VGL까지 하강하여 제n 스캔펄스(Gout(n))를 폴링시키고, 제2 출력 노드의 전압은 게이트 로우 전압(VGL)까지 하강하여 제n 캐리신호(Cout(n))를 폴링시킨다. During the T4 time, the n + 1 th gate shift clock clk (n + 1) is generated. During the time T4, the voltage of the QB node qb rises to the gate high voltage VGH of the n + 1 th gate shift clock clk (n + 1). During the T4 time, the gate low voltage VGL is applied to the drain electrodes of the pull-up transistors T4 and T4C. Pull-down transistors T5 and T5C are turned on in response to the voltage of QB node qb to discharge the voltages of the first and second output nodes. Therefore, at the time T4, the voltage of the first output node drops to the gate low voltage VGL to poll the nth scan pulse Gout (n), and the voltage of the second output node drops to the gate low voltage VGL. The nth carry signal Cout (n) is polled.

T5 시간 동안, 제n+2 게이트 쉬프트 클럭(clk(n+2))이 발생된다. 이와 동시에, 제n+2 스테이지(ST(n+2))로부터 발생된 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 제n 스테이지(ST(n))의 리셋단자(reset)에 입력된다. T5 시간 동안, 제3 및 제3C TFT들(T3, T3C)은 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 응답하여 턴-온되어 제1 및 제2 Q 노 드(q, qc)의 전압을 게이트 로우 전압(VGL)까지 방전시킨다. QB 노드(qb)의 전압은 T5 시간 동안 게이트 로우 전압을 유지한다. 풀업 트랜지스터들(T4, T4C)과 풀다운 트랜지스터들(T5, T5C)은 T5 시간 동안 Q 노드들(q, qc)과 QB 노드(qb)의 전압이 게이트 로우 전압(VGL)까지 방전되므로 오프 상태를 유지하여 제1 및 제2 출력 노드를 플로팅(floating) 시킨다. 따라서, 제1 및 제2 출력 노드들의 전압은 T5 시간 동안 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다. During the time T5, the n + 2 th gate shift clock clk (n + 2) is generated. At the same time, the n + 2th carry signal Cout (n + 2) generated from the n + 2th stage ST (n + 2) is applied to the reset terminal reset of the nth stage ST (n). Is entered. During the time T5, the third and third C TFTs T3 and T3C are turned on in response to the n + 2th carry signal Cout (n + 2) to thereby first and second Q nodes q and qc. ) Is discharged to the gate low voltage VGL. The voltage at QB node qb maintains the gate low voltage for T5 time. The pull-up transistors T4 and T4C and the pull-down transistors T5 and T5C are turned off because the voltages of the Q nodes q and qc and QB node qb are discharged to the gate low voltage VGL during the time T5. Hold to float the first and second output nodes. Accordingly, the voltages of the first and second output nodes maintain the gate low voltage VGL for the time T5.

본 발명의 쉬프트 레지스터는 m 개의 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 m 개의 스테이지들과, 스캔라인들에 연결되지 않는 2 개의 더미 스테이지들로 구성된다. 도 5a 및 도 5b는 'm'이 640일 때 쉬프트 레지스터의 스테이지 구성을 보여 주는 도면들이다. 도 6은 도 5a 및 도 5b에 도시된 쉬프트 레지스터의 입력 및 출력 신호들을 보여 주는 파형도이다. The shift register of the present invention is composed of m stages for sequentially supplying scan pulses to m scan lines, and two dummy stages not connected to the scan lines. 5A and 5B illustrate stage configurations of a shift register when 'm' is 640. FIG. FIG. 6 is a waveform diagram showing input and output signals of the shift register shown in FIGS. 5A and 5B.

도 5a 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 쉬프트 레지스터는 640 개의 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 640 개의 스테이지들(ST1~ST640)과, 스캔라인들에 연결되지 않는 2 개의 더미 스테이지들(DST641, DST642)로 구성된다. 5A to 6, the shift register according to the present invention includes 640 stages ST1 to ST640 for sequentially supplying scan pulses to 640 scan lines, and two dummy lines not connected to the scan lines. It consists of stages DST641 and DST642.

스테이지들(ST1~ST642) 각각은 제n-1 내지 제n+3 게이트 쉬프트 클럭들(clk(n-1), clk(n), clk(n+1))이 입력되는 3 개의 클럭단자들, 제1 출력 노드에 연결되어 스캔펄스(Gout(n))를 출력하는 제1 출력 단자, 및 제2 출력 노드에 연결되어 캐리신호(Cout(n))를 출력하는 제2 출력 단자를 구비한다. 또한, 스테이지들(ST1~ST642) 각각은 게이트 스타트 펄스(GSP) 혹은 제n-1 캐리신호(Cout(n-1)이 스타트펄스로서 입력되는 스타트단자(start)와, 게이트 스타트 펄스(GSP) 및/또는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 리셋신호로써 입력되는 리셋단자(reset)를 구비한다. Each of the stages ST1 to ST642 has three clock terminals to which n-th to n-th gate shift clocks clk (n-1), clk (n), and clk (n + 1) are input. And a first output terminal connected to the first output node to output the scan pulse Gout (n), and a second output terminal connected to the second output node to output the carry signal Cout (n). . In addition, each of the stages ST1 to ST642 includes a start terminal where a gate start pulse GSP or an n-1th carry signal Cout (n-1) is input as a start pulse, and a gate start pulse GSP. And / or a reset terminal to which the n + 2th carry signal Cout (n + 2) is input as a reset signal.

제1 스테이지(ST1)의 스타트단자(start)에는 게이트 스타트 펄스(GSP)가 입력된다. 제2 내지 제642 스테이지(ST2~DST642)의 스타트단자(start)에는 제n-1 캐리신호(Cout(n-1))이 입력된다. 스테이지들(ST1~ST642)의 스타트단자(start)는 도 3과 같이 제1 TFT(T1)의 게이트전극과 제2 TFT(T2)의 소스전극에 접속된다. The gate start pulse GSP is input to the start terminal start of the first stage ST1. The n-1 th carry signal Cout (n-1) is input to the start terminal start of the second to 642th stages ST2 to DST642. The start terminal start of the stages ST1 to ST642 is connected to the gate electrode of the first TFT T1 and the source electrode of the second TFT T2 as shown in FIG. 3.

제1 스테이지(ST1)의 리셋단자(reset)에는 제3 캐리신호 즉, 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 입력된다. 제2 내지 제640 스테이지(ST2~ST640)의 리셋단자(reset)에는 OR 게이트를 통해 게이트 스타트 펄스(GSP)와 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))가 입력된다. 더미 스테이지들(DST641, DST642)의 리셋단자(reset)에는 게이트 스타트 펄스(GSP)가 입력된다. 스테이지들(ST1~DST642)의 리셋단자(reset)는 도 3과 같이 제3 및 제3c TFT들(T3, T3C)의 게이트전극들에 접속된다. 따라서, 제1 스테이지(ST1)는 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 의해 리셋되고, 제2 내지 제640 스테이지(ST2~ST640)는 게이트 스타트 펄스(GSP)와 제n+2 캐리신호(Cout(n+2))에 의해 리셋된다. 더미 스테이지들(ST641, ST642)는 게이트 스타트 펄스(GSP)에 의해 입력된다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 1 프레임기간 동안 프레임기간의 스타트 시점에 1 회 발생된다. 게이트 스타트 펄스(GSP)가 발생되면 제1 스테이지(ST1)의 Q 노드들(q, qc)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전되고, 나머지 스테이지들(ST2~ST642)의 Q 노드들(q, qc)은 방전되어 초기화된다. The third carry signal, that is, the n + 2th carry signal Cout (n + 2), is input to the reset terminal reset of the first stage ST1. The gate start pulse GSP and the n + 2th carry signal Cout (n + 2) are input to the reset terminals reset of the second to 640th stages ST2 to ST640 through the OR gate. The gate start pulse GSP is input to the reset terminals reset of the dummy stages DST641 and DST642. The reset terminals reset of the stages ST1 to DST642 are connected to the gate electrodes of the third and third c TFTs T3 and T3C as shown in FIG. 3. Therefore, the first stage ST1 is reset by the n + 2th carry signal Cout (n + 2), and the second to 640th stages ST2 to ST640 are the gate start pulse GSP and the n ++ th stage. It is reset by two carry signals Cout (n + 2). The dummy stages ST641 and ST642 are input by the gate start pulse GSP. The gate start pulse GSP is generated once at the start of the frame period for one frame period. When the gate start pulse GSP is generated, the Q nodes q and qc of the first stage ST1 are charged to the gate high voltage VGH, and the Q nodes q, of the remaining stages ST2 to ST642. qc) is discharged and initialized.

본 발명의 표시장치는 스캔펄스를 스캔라인들에 순차적으로 공급하여 라인 순차 스캐닝으로 픽셀들에 비디오 데이터를 기입하는 어떠한 표시장치도 포함한다. 예를 들어, 본 발명의 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode, OLED), 전기영동 표시장치(Electrophoresis, EPD) 중 어느 하나일 수 있다.The display device of the present invention includes any display device which sequentially supplies scan pulses to the scan lines and writes video data to the pixels by line sequential scanning. For example, the display device of the present invention may be any one of a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), and an electrophoresis display device (EPD). .

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여 주는 블록도이다. 7 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 스캔 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.Referring to FIG. 7, the display device of the present invention includes a display panel 10, a data driving circuit, a scan driving circuit, a timing controller 11, and the like.

표시패널(10)은 서로 교차되는 데이터라인들 및 스캔라인들과, 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 표시패널(10)은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널로 구현될 수 있다. The display panel 10 includes data lines and scan lines that cross each other and pixels arranged in a matrix form. The display panel 10 may be implemented by any one of a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), and an electrophoretic display (EPD).

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC들(12)을 포함한다. 소스 드라이브 IC들(12)은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 소스 드라이브 IC들(12)은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 스캔펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터라인들에 접속될 수 있다. The data driver circuit includes a plurality of source drive ICs 12. The source drive ICs 12 receive digital video data RGB from the timing controller 11. The source drive ICs 12 convert the digital video data RGB into a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 11 to generate a data voltage, and synchronize the data voltage with a scan pulse. The data lines of the display panel 10 may be supplied to each other. The source drive ICs may be connected to data lines of the display panel 10 by a chip on glass (COG) process or a tape automated bonding (TAB) process.

스캔 구동회로는 타이밍 콘트롤러(11)와 표시패널(10)의 스캔라인들 사이에 접속된 레벨 쉬프터(level shiftet)(15), 및 쉬프트 레지스터(13)를 구비한다. The scan driving circuit includes a level shifter 15 and a shift register 13 connected between the timing controller 11 and the scan lines of the display panel 10.

레벨 쉬프터(15)는 도 8과 같이 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 4 상 게이트 쉬프트 클럭들(clk1~clk4)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프터(15)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 FLK 신호에 응답하여 게이트 쉬프트 클럭들(clk1~clk4)의 폴링에지에서 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 변조할 수 있다. 도 8에서 "GPM"은 FLK 신호에 따라 게이트 하이 전압(VGH)이 변조된 게이트 쉬프트 클럭(clk1~clk4)이다. 게이트 쉬프트 클럭들(clk1~clk4)의 폴링 에지에서 게이트 하이 전압(VGH)이 하향 변조되면, 쉬프트 레지스터(13)를 통해 표시패널(10)의 스캔라인들에 공급되는 스캔펄스의 파형도 게이트 쉬프트 클럭(clk1~clk4)과 같은 형태로 변조된다. 스캔라인들에 공급되는 스캔펄스의 폴링에지에서 게이트 하이 전압이 낮아지면 액정표시장치에서 킥백전압(△Vp)을 줄여 플리커, 잔상, 색편차 등이 개선될 수 있다. As shown in FIG. 8, the level shifter 15 converts the TTL logic level voltages of the four-phase gate shift clocks clk1 to clk4 input from the timing controller 11 to the gate high voltage VGH and the gate. Level shift to the low voltage (VGL). The level shifter 15 may down-modulate the gate high voltage VGH at the falling edge of the gate shift clocks clk1 to clk4 in response to the FLK signal input from the timing controller 11. In FIG. 8, "GPM" is the gate shift clocks clk1 to clk4 in which the gate high voltage VGH is modulated according to the FLK signal. When the gate high voltage VGH is down-modulated at the falling edges of the gate shift clocks clk1 to clk4, the waveform of the scan pulse supplied to the scan lines of the display panel 10 through the shift register 13 is also gate shifted. It is modulated in the same form as the clocks clk1 to clk4. When the gate high voltage is lowered at the falling edge of the scan pulses supplied to the scan lines, the kickback voltage ΔVp may be reduced in the liquid crystal display, thereby improving flicker, afterimage, and color deviation.

쉬프트 레지스터(13)는 전술한 바와 같이 게이트 스타트 펄스(GSP)를 게이트 쉬프트 클럭(clk1~clk4)에 맞추어 쉬프트시켜 순차적으로 캐리신호(Cout(n))와 스캔펄스(Gout(n))를 출력하는 스테이지들로 구성된다. The shift register 13 shifts the gate start pulse GSP according to the gate shift clocks clk1 to clk4 as described above to sequentially output the carry signal Cout (n) and the scan pulse Gout (n). It consists of stages.

스캔 구동회로는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부 기판 상에 직접 형성되거나 TAB 방식으로 표시패널(10)의 게이트라인들과 타이밍 콘트롤러(11) 사이에 연결될 수 있다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(15)는 PCB(14) 상에 실장되고, 쉬프트 레지스터(13)는 표시패널(10)의 하부기판 상에 형성될 수 있다. The scan driving circuit may be directly formed on the lower substrate of the display panel 10 using a gate in panel (GIP) method, or may be connected between the gate lines of the display panel 10 and the timing controller 11 in a TAB method. In the GIP method, the level shifter 15 may be mounted on the PCB 14, and the shift register 13 may be formed on the lower substrate of the display panel 10.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 컴퓨터로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 컴퓨터로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC들(12)로 전송한다. The timing controller 11 receives digital video data RGB from an external host computer through an interface such as a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface and a Transition Minimized Differential Signaling (TMDS) interface. The timing controller 11 transmits digital video data RGB input from the host computer to the source drive ICs 12.

타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 스캔 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 스캔 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC들(12)의 동작 타이밍과 데이터전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The timing controller 11 uses the LVDS or TMDS interface receiving circuit to control the timing of the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the data enable signal Data Enable, and the main clock MCLK. Receive a signal. The timing controller 11 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driving circuit and the scan driving circuit based on the timing signal from the host computer. The timing control signals include a scan timing control signal for controlling the operation timing of the scan driving circuit, and a data timing control signal for controlling the operation timing of the source drive ICs 12 and the polarity of the data voltage.

스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 쉬프트 클럭(clk1~clk4), 도시하지 않은 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 쉬프트 레지스터(13)에 입력되어 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(clk1~clk4)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터(13)에 입력되며, 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다. 게이트 출력 인에이블신호(GOE)는 쉬프트 레지스터(13)의 출력 타이밍을 제어한다. The scan timing control signal includes a gate start pulse GSP, gate shift clocks clk1 to clk4, and a gate output enable signal GOE (not shown). The gate start pulse GSP is input to the shift register 13 to control the shift start timing. The gate shift clocks clk1 to clk4 are input to the level shifter 13, level shifted, and then input to the shift register 13, and are used as clock signals for shifting the gate start pulse GSP. The gate output enable signal GOE controls the output timing of the shift register 13.

데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC들(12)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC들(12) 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들로부터 출력되는 데이터전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)과 소스 드라이브 IC들(12) 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.The data timing control signal includes a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (Polarity, POL), a source output enable signal (Source Output Enable, SOE), and the like. It includes. The source start pulse SSP controls the shift start timing of the source drive ICs 12. The source sampling clock SSC is a clock signal that controls the sampling timing of data in the source drive ICs 12 based on the rising or falling edge. The polarity control signal POL controls the polarity of the data voltages output from the source drive ICs. If the data transfer interface between the timing controller 11 and the source drive ICs 12 is a mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

도 1은 종래의 쉬프트 레지스터 구성을 개략적으로 보여 주는 도면이다. 1 is a view schematically showing a conventional shift register configuration.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터 구성을 개략적으로 보여 주는 도면이다. 2 is a view schematically showing a shift register configuration according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 제n 스테이지의 회로 구성을 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 3 is a circuit diagram illustrating in detail a circuit configuration of an nth stage illustrated in FIG. 2.

도 4는 도 2에 도시된 스테이지들의 입력 및 출력 신호들을 보여 주는 파형도이다. FIG. 4 is a waveform diagram showing input and output signals of the stages shown in FIG. 2.

도 5a 및 도 5b는 640 개의 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 쉬프트 레지스터의 스테이지 구성을 보여 주는 도면들이다. 5A and 5B illustrate stage configurations of a shift register for sequentially supplying scan pulses to 640 scan lines.

도 6은 도 5a 및 도 5b에 도시된 쉬프트 레지스터의 입력 및 출력 신호들을 보여 주는 파형도이다. FIG. 6 is a waveform diagram showing input and output signals of the shift register shown in FIGS. 5A and 5B.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여 주는 블록도이다. 7 is a block diagram schematically illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 레벨 쉬프트의 입력 및 출력 신호를 보여 주는 파형도이다. FIG. 8 is a waveform diagram illustrating input and output signals of the level shift shown in FIG. 7.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 표시패널 12 : 소스 드라이브 IC10: display panel 12: source drive IC

13 : 쉬프트 레지스터 14 : PCB13: shift register 14: PCB

15 : 레벨 쉬프터15: level shifter

Claims (12)

순차적으로 지연되는 다수의 게이트 쉬프트 클럭들, 게이트 스타트 펄스, 게이트 하이 전압, 및 상기 게이트 하이 전압보다 낮은 게이트 로우 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 구비하고, A plurality of stages that are sequentially delayed, a plurality of gate shift clocks, a gate start pulse, a gate high voltage, and a gate low voltage lower than the gate high voltage are input and cascaded; 제n(n은 양의 정수) 스테이지는, The nth (n is positive integer) stage 제n 스캔라인과 연결되어 제n 스캔펄스가 출력되는 제1 출력 노드;A first output node connected to the nth scan line and outputting an nth scan pulse; 제n-2 스테이지의 리셋단자와 제n+1 스테이지의 스타트단자에 입력될 제n 캐리신호가 출력되는 제2 출력 노드;A second output node for outputting an n-th carry signal to be input to the reset terminal of the n-2th stage and the start terminal of the n + 1th stage; 제1 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 충전시키는 제1 풀업 트랜지스터; A first pull-up transistor turned on according to a voltage of a first Q node to supply an n-th gate shift clock to the first output node to charge the first output node; 제2 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 충전시키는 제2 풀업 트랜지스터; A second pull-up transistor turned on according to a voltage of a second Q node to supply the n-th gate shift clock to the second output node to charge the second output node; 제n+1 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 방전시키는 제1 풀다운 트랜지스터; A first pull-down transistor turned on according to a voltage of a QB node to which an n + 1 gate shift clock is applied to supply the gate low voltage to a first output node to discharge the first output node; 상기 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 방전시키는 제2 풀다운 트랜지스터; 및 A second pull-down transistor turned on according to the voltage of the QB node to supply the gate low voltage to a second output node to discharge the second output node; And 제n-1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n-1 스테이지로부터 입력되는 제n-1 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 충전시키고, 제n+1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n+2 스테이지로부터 입력되는 제n-2 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 방전시키는 스위치 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. The Q nodes are charged in response to an n-1 gate shift clock and an n-1 carry signal input from an n-1th stage, and are input from an n + 1 gate shift clock and an n + 2 stage. And a switch circuit for discharging said Q nodes in response to an n-2th carry signal. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 게이트 쉬프트 클럭들은, The gate shift clocks are 상기 제n-1 게이트 쉬프트 클럭, 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭, 상기 제n+1 게이트 쉬프트 클럭 및 제n+2 게이트 쉬프트 클럭을 포함한 4 상 게이트 쉬프트 클럭들로 발생되는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a four-phase gate shift clock including the n-th gate shift clock, the n-th gate shift clock, the n + 1th gate shift clock, and the n + 2th gate shift clock. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스위치 회로는, The switch circuit, 상기 제n-1 캐리신호와 상기 제n-1 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 상기 제1 Q 노드를 충전시키는 제1 Q 노드 충전회로; A first Q node charging circuit configured to charge the first Q node in response to the n-th carry signal and the n-th gate shift clock; 상기 제n-1 게이트 쉬프트 클럭에 응답하여 상기 제2 Q 노드를 충전시키는 제2 Q 노드 충전회로; 및 A second Q node charging circuit configured to charge the second Q node in response to the n−1 th gate shift clock; And 상기 제n+2 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 방전시키는 Q 노드 방전회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a Q node discharge circuit for discharging the Q nodes in response to the n + 2th carry signal. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 Q 노드 충전회로는, The first Q node charging circuit, 상기 제n 스테이지의 스타트단자를 통해 상기 게이트 스타트 펄스와 상기 제n-1 캐리신호 중 어느 하나가 인가되는 게이트전극, 상기 게이트 하이 전압이 인가되는 소스전극, 및 상기 제1 Q 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제1 TFT; 및 A gate electrode to which one of the gate start pulse and the n-th carry signal is applied, a source electrode to which the gate high voltage is applied, and a drain connected to the first Q node through the start terminal of the nth stage; A first TFT comprising an electrode; And 상기 제n-1 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 게이트전극, 상기 제n 스테이지의 스타트단자를 통해 상기 게이트 스타트 펄스와 제n-1 캐리신호 중 어느 하나가 인가되는 소스전극, 및 상기 제1 Q 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제2 TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. A gate electrode to which the n-th gate shift clock is applied, a source electrode to which any one of the gate start pulse and the n-th carry signal is applied through a start terminal of the n-th stage, and the first Q node. And a second TFT including a connected drain electrode. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제2 Q 노드 충전회로는, The second Q node charging circuit, 제n-1 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 게이트전극, 상기 제1 Q 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제2 Q 노드에 접속된 드레인 전극을 포함하는 제2C TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a second C TFT including a gate electrode to which an n-1 gate shift clock is applied, a source electrode connected to the first Q node, and a drain electrode connected to the second Q node. . 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 Q 노드 방전회로는,The Q node discharge circuit, 상기 제n 스테이지의 리셋단자를 통해 상기 게이트 스타트 펄스와 상기 제n+2 캐리신호 중 적어도 어느 하나가 인가되는 게이트전극, 상기 게이트 로우 전압이 인가되는 소스전극, 및 상기 제1 Q 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3 TFT; 및 A gate electrode to which at least one of the gate start pulse and the n + 2th carry signal are applied, a source electrode to which the gate low voltage is applied, and the first Q node through a reset terminal of the nth stage; A third TFT including a drain electrode; And 상기 제n 스테이지의 리셋단자를 통해 상기 게이트 스타트 펄스와 상기 제n+2 캐리신호 중 적어도 어느 하나가 인가되는 게이트전극, 상기 게이트 로우 전압이 인가되는 소스전극, 상기 제2 Q 노드에 접속된 드레인전극을 포함하는 제3C TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. A gate electrode to which at least one of the gate start pulse and the n + 2th carry signal are applied, a source electrode to which the gate low voltage is applied, and a drain connected to the second Q node through a reset terminal of the nth stage; And a 3C TFT including an electrode. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 풀업 트랜지스터는,The first pull-up transistor, 상기 제1 Q 노드에 접속된 게이트전극, 상기 제1 출력 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 드레인전극을 포함하는 제4 TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a fourth TFT including a gate electrode connected to the first Q node, a source electrode connected to the first output node, and a drain electrode to which the nth gate shift clock is applied. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 풀업 트랜지스터는,The first pull-up transistor, 상기 제2 Q 노드에 접속된 게이트전극, 상기 제2 출력 노드에 접속된 소스전극, 및 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 드레인전극을 포함하는 제4C TFT를 구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a fourth C TFT including a gate electrode connected to the second Q node, a source electrode connected to the second output node, and a drain electrode to which the nth gate shift clock is applied. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 풀다운 트랜지스터는, The first pull-down transistor, 상기 QB 노드에 접속된 게이트전극, 상기 제1 출력 노드에 접속된 드레인전 극, 및 상기 게이트 로우 전압이 인가되는 드레인전극을 포함하는 제5 TFT구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a fifth TFT including a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the first output node, and a drain electrode to which the gate low voltage is applied. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제2 풀다운 트랜지스터는, The second pull-down transistor, 상기 QB 노드에 접속된 게이트전, 상기 제2 출력 노드에 접속된 드레인전극, 및 상기 게이트 로우 전압이 인가되는 드레인전극을 포함하는 제5 TFT구비하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터. And a fifth TFT including a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the second output node, and a drain electrode to which the gate low voltage is applied. 데이터라인들과 스캔라인들이 교차되고 매트릭스 형태로 배치된 다수의 픽셀들을 포함하는 표시패널; A display panel including a plurality of pixels in which data lines intersect the scan lines and are arranged in a matrix; 상기 데이터라인들에 데이터전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및 A data driving circuit supplying a data voltage to the data lines; And 상기 스캔라인들에 스캔펄스를 순차적으로 공급하는 스캔 구동회로를 구비하고, A scan driving circuit for sequentially supplying scan pulses to the scan lines; 상기 스캔 구동회로는 순차적으로 지연되는 다수의 게이트 쉬프트 클럭들, 게이트 스타트 펄스, 게이트 하이 전압, 및 상기 게이트 하이 전압보다 낮은 게이트 로우 전압이 입력되고 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들을 포함한 쉬프트 레지스터를 이용하여 상기 스캔펄스를 순차적으로 출력하고, The scan driving circuit uses a shift register including a plurality of gate shift clocks sequentially delayed, a gate start pulse, a gate high voltage, and a plurality of stages to which a gate low voltage lower than the gate high voltage is input and cascaded. Outputting the scan pulse sequentially 상기 쉬프트 레지스터의 제n(n은 양의 정수) 스테이지는, The nth (n is a positive integer) stage of the shift register, 제n 스캔라인과 연결되어 제n 스캔펄스가 출력되는 제1 출력 노드;A first output node connected to the nth scan line and outputting an nth scan pulse; 제n-2 스테이지의 리셋단자와 제n+1 스테이지의 스타트단자에 입력될 제n 캐리신호가 출력되는 제2 출력 노드;A second output node for outputting an n-th carry signal to be input to the reset terminal of the n-2th stage and the start terminal of the n + 1th stage; 제1 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 충전시키는 제1 풀업 트랜지스터; A first pull-up transistor turned on according to a voltage of a first Q node to supply an n-th gate shift clock to the first output node to charge the first output node; 제2 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 제n 게이트 쉬프트 클럭을 상기 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 충전시키는 제2 풀업 트랜지스터; A second pull-up transistor turned on according to a voltage of a second Q node to supply the n-th gate shift clock to the second output node to charge the second output node; 제n+1 게이트 쉬프트 클럭이 인가되는 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제1 출력 노드에 공급하여 상기 제1 출력 노드를 방전시키는 제1 풀다운 트랜지스터; A first pull-down transistor turned on according to a voltage of a QB node to which an n + 1 gate shift clock is applied to supply the gate low voltage to a first output node to discharge the first output node; 상기 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 게이트 로우 전압을 제2 출력 노드에 공급하여 상기 제2 출력 노드를 방전시키는 제2 풀다운 트랜지스터; 및 A second pull-down transistor turned on according to the voltage of the QB node to supply the gate low voltage to a second output node to discharge the second output node; And 제n-1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n-1 스테이지로부터 입력되는 제n-1 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 충전시키고, 제n+1 게이트 쉬프트 클럭과, 제n+2 스테이지로부터 입력되는 제n-2 캐리신호에 응답하여 상기 Q 노드들을 방전시키는 스위치 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치. The Q nodes are charged in response to an n-1 gate shift clock and an n-1 carry signal input from an n-1th stage, and are input from an n + 1 gate shift clock and an n + 2 stage. And a switch circuit for discharging the Q nodes in response to an n-2th carry signal. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, 상기 표시패널은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널인 것을 특징으로 하는 표시장치. The display panel may be any one of a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), and an electrophoretic display (EPD).
KR1020090133571A 2009-12-30 2009-12-30 Shift register and display device using the same KR101642992B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090133571A KR101642992B1 (en) 2009-12-30 2009-12-30 Shift register and display device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090133571A KR101642992B1 (en) 2009-12-30 2009-12-30 Shift register and display device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110077108A true KR20110077108A (en) 2011-07-07
KR101642992B1 KR101642992B1 (en) 2016-08-10

Family

ID=44916725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090133571A KR101642992B1 (en) 2009-12-30 2009-12-30 Shift register and display device using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101642992B1 (en)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102800292A (en) * 2012-08-21 2012-11-28 昆山龙腾光电有限公司 Gate driving circuit
KR20130073213A (en) * 2011-12-23 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 Emission control signal generator for organic light emitting display
KR20140024994A (en) * 2012-08-20 2014-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Gate driving circuit for organic light emitting display
KR20140079106A (en) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
KR101510583B1 (en) * 2014-01-16 2015-04-08 경희대학교 산학협력단 Programmable pulse width shift register
KR20160044665A (en) * 2014-10-15 2016-04-26 엘지디스플레이 주식회사 Display Device and Driving Method therof
WO2016155205A1 (en) * 2015-03-27 2016-10-06 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate drive circuit, display device and gate drive method
CN106057147A (en) * 2016-06-28 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit and driving method thereof, grid drive circuit, and display device
CN106409213A (en) * 2016-12-16 2017-02-15 上海中航光电子有限公司 Shift register unit, gate drive circuit and display device
CN106448532A (en) * 2016-09-28 2017-02-22 上海天马微电子有限公司 Shift register, drive circuit and display panel
KR20170078978A (en) * 2015-12-29 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and organic light emitting display device including the same, and driving method of the same
WO2017118141A1 (en) * 2016-01-04 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, gate driver circuit, and display device
WO2019076124A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 京东方科技集团股份有限公司 Gate drive circuit and drive method therefor, and display device
WO2019085578A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-09 京东方科技集团股份有限公司 Shift register and drive method therefor, gate drive circuit, and display apparatus
WO2019223331A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device
JP2021028720A (en) * 2012-02-29 2021-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
WO2021184899A1 (en) * 2020-03-18 2021-09-23 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070095585A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR20070118447A (en) * 2006-06-12 2007-12-17 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and display device having the same
KR20080009446A (en) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 Driving apparatus for display device and display device including the same
KR20080056781A (en) * 2006-12-19 2008-06-24 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and liquid crystal display using thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070095585A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR20070118447A (en) * 2006-06-12 2007-12-17 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and display device having the same
KR20080009446A (en) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 Driving apparatus for display device and display device including the same
KR20080056781A (en) * 2006-12-19 2008-06-24 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and liquid crystal display using thereof

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073213A (en) * 2011-12-23 2013-07-03 엘지디스플레이 주식회사 Emission control signal generator for organic light emitting display
US11600348B2 (en) 2012-02-29 2023-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11538542B2 (en) 2012-02-29 2022-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021179614A (en) * 2012-02-29 2021-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Gate driver
JP2021028720A (en) * 2012-02-29 2021-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
KR20140024994A (en) * 2012-08-20 2014-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Gate driving circuit for organic light emitting display
CN102800292A (en) * 2012-08-21 2012-11-28 昆山龙腾光电有限公司 Gate driving circuit
KR20140079106A (en) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and display device using the same
KR101510583B1 (en) * 2014-01-16 2015-04-08 경희대학교 산학협력단 Programmable pulse width shift register
KR20160044665A (en) * 2014-10-15 2016-04-26 엘지디스플레이 주식회사 Display Device and Driving Method therof
WO2016155205A1 (en) * 2015-03-27 2016-10-06 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate drive circuit, display device and gate drive method
KR20170078978A (en) * 2015-12-29 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Gate shift register and organic light emitting display device including the same, and driving method of the same
US10140913B2 (en) 2016-01-04 2018-11-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, gate drive circuit and display device
WO2017118141A1 (en) * 2016-01-04 2017-07-13 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, gate driver circuit, and display device
WO2018000683A1 (en) * 2016-06-28 2018-01-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, gate drive circuit and display apparatus having the same, and driving method thereof
CN106057147A (en) * 2016-06-28 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit and driving method thereof, grid drive circuit, and display device
CN106057147B (en) * 2016-06-28 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 Shift register cell and its driving method, gate driving circuit, display device
CN106448532A (en) * 2016-09-28 2017-02-22 上海天马微电子有限公司 Shift register, drive circuit and display panel
CN106448532B (en) * 2016-09-28 2019-07-05 上海天马微电子有限公司 Shift register, drive circuit and display panel
CN106409213B (en) * 2016-12-16 2019-06-07 上海中航光电子有限公司 A kind of shifting deposit unit, gate driving circuit and display device
CN106409213A (en) * 2016-12-16 2017-02-15 上海中航光电子有限公司 Shift register unit, gate drive circuit and display device
WO2019076124A1 (en) * 2017-10-20 2019-04-25 京东方科技集团股份有限公司 Gate drive circuit and drive method therefor, and display device
US10657879B1 (en) 2017-10-20 2020-05-19 Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Gate driving circuit, method for driving the same, and display apparatus
US10997886B2 (en) 2017-10-31 2021-05-04 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Shift register and method of driving the same, gate driving circuit, and display device
WO2019085578A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-09 京东方科技集团股份有限公司 Shift register and drive method therefor, gate drive circuit, and display apparatus
WO2019223331A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device
WO2021184899A1 (en) * 2020-03-18 2021-09-23 京东方科技集团股份有限公司 Shift register unit, driving method, gate driving circuit, and display device
US11887683B2 (en) 2020-03-18 2024-01-30 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Shift register unit, driving method, gate driving circuit and display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101642992B1 (en) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101642992B1 (en) Shift register and display device using the same
KR101324410B1 (en) Shift register and display device using the same
US8878765B2 (en) Gate shift register and display device using the same
KR102003439B1 (en) Gate shift register and display device using the same
US11137854B2 (en) Display device with shift register comprising node control circuit for Q and QB node potentials and reset circuit
KR101679855B1 (en) Gate shift register and display device using the same
KR101992158B1 (en) Gate shift register and display device using the same
US10026354B2 (en) Gate in panel (GIP) driving circuit and display device using the same
KR101678214B1 (en) Shift register and display device using the same
EP3330970B1 (en) Gate driving circuit and display device using the same
US10181279B2 (en) Shift register and display device including the same
US20140191935A1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
KR101901248B1 (en) Gate shift register and display device using the same
US10217426B2 (en) Display device
KR101929039B1 (en) Shift register and display device using the same
US20170178560A1 (en) Gate driving circuit and display device using the same
KR20120117120A (en) Pulse output circuit and organic light emitting diode display device using the same
KR102427396B1 (en) Shiftlegistor and Display Device having the Same
KR20140131448A (en) Scan Driver and Display Device Using the same
KR101977247B1 (en) Shift register and display device using the same
KR102634769B1 (en) Shift register and display device using the same
KR20160017698A (en) Display Device
KR20180047613A (en) Display Device Having the same
KR102710414B1 (en) Gate driving circuit and display dedvice using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 4