KR20120117120A - Pulse output circuit and organic light emitting diode display device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 펄스 출력회로와 이를 이용한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a pulse output circuit and an organic light emitting diode display using the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Diode)와 같은 여러가지 평판표시장치가 활용되고 있다. 이들 평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광다이오드 표시장치 중에서 다수의 화소가 매트릭스 형태로 위치하여 영상을 표시하는 액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치가 널리 사용된다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. Accordingly, recently, various flat panel displays such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) display have been utilized. . Among these flat panel display devices, organic light emitting diode display devices are capable of low voltage driving, are thin, have excellent viewing angles, and have fast response speeds. An active matrix type organic light emitting diode display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form to display an image is widely used in organic light emitting diode display devices.
액티브 매트릭스 타입 유기발광다이오드 표시장치의 표시패널은 스캔 라인과 데이터 라인들로 정의되는 다수의 화소들을 포함한다. 화소 어레이는 일반적으로 스캔라인의 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 공급하는 스캔 트랜지스터와 게이트 전극에 공급되는 데이터 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터로 구현된다. 이때, 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류(Ids)는 수학식 1과 같이 표현될 수 있다.A display panel of an active matrix type organic light emitting diode display device includes a plurality of pixels defined by scan lines and data lines. The pixel array is generally implemented by a scan transistor for supplying a data voltage in response to a scan pulse of a scan line and a drive transistor for controlling the amount of current supplied to the organic light emitting diode OLED according to a data voltage supplied to the gate electrode . At this time, the drain-source current Ids of the driving transistor can be expressed by Equation (1).
수학식 1에서, β는 트랜지스터의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 비례 계수, Vgs는 게이트-소스간 전압, Vth는 문턱전압을 의미한다. 이때, 화소들마다 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 다르므로, 동일한 데이터 전압을 화소들에 공급하더라도 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류(Ids)는 화소들마다 달라진다. 따라서, 동일한 데이터 전압을 화소들 각각에 공급하더라도 화소들 각각이 발광하는 빛의 휘도가 달라지는 문제점이 발생한다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하는 여러 형태의 화소 구조가 제안되고 있다.In
하지만, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하는 화소의 경우, 종래보다 많은 수의 트랜지스터가 필요하고, 이에 따라 트랜지스터를 제어하는 신호 라인들도 증가하게 된다. 이로 인해, 신호 라인들에 신호들을 공급하는 출력회로가 늘어나게 되므로, 출력회로에 입력되는 클럭 라인들의 수도 증가하게 된다. 클럭 라인들이 증가하는 경우, 클럭 라인들 간의 중첩으로 인해 라인 로드(Load)가 증가한다. 라인 로드(Load)가 증가하는 경우, 출력회로에 입력되는 클럭 신호들이 딜레이(delay) 되고, 출력회로로부터 출력되는 신호들도 딜레이 되므로, 표시패널의 구동에 문제가 발생한다. 또한, 클럭 라인들이 증가하는 경우, 베젤의 증가로 인해 표시장치의 슬림화가 어렵다.
However, in the case of the pixel compensating the threshold voltage of the driving transistor, a larger number of transistors are required than in the related art, and thus the signal lines for controlling the transistors also increase. As a result, an output circuit for supplying signals to the signal lines is increased, thereby increasing the number of clock lines input to the output circuit. When the clock lines increase, the line load increases due to overlap between the clock lines. When the line load is increased, the clock signals input to the output circuit are delayed and the signals output from the output circuit are also delayed, which causes a problem in driving the display panel. In addition, when the clock lines increase, slimming of the display device is difficult due to an increase in the bezel.
본 발명은 라인 로드를 줄일 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.
The present invention provides an organic light emitting diode display that can reduce the line load.
본 발명의 펄스 출력회로는 순차적으로 위상이 지연되는 3상 클럭들 중 어느 하나를 입력받는 제1 클럭 단자, 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제2 클럭 단자, 제2 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제3 클럭 단자, 및 스타트 신호를 입력받는 스타트 단자를 구비하고, 종속적으로 접속된 복수의 스테이지들을 포함하고, 제k(k는 자연수) 스테이지는 상기 제2 클럭 단자에 입력되는 클럭과 동기되는 제k 펄스 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.The pulse output circuit of the present invention includes a first clock terminal which receives one of three phase clocks of which the phase is sequentially delayed, and a second clock terminal which receives a clock whose phase is delayed by one of the clock input to the first clock terminal. And a third clock terminal for receiving a clock delayed in phase from the clock input to the second clock terminal, and a start terminal for receiving a start signal, the plurality of stages being cascaded and connected to k (k Is a natural number). The stage outputs a k-th pulse signal synchronized with a clock input to the second clock terminal.
본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 데이터 라인들과, 상기 데이터 라인들과 교차되는 펄스 라인들이 형성된 표시패널; 상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및 상기 펄스 라인들에 펄스 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로를 포함하고, 상기 게이트 구동회로는, 순차적으로 위상이 지연되는 3상 클럭들 중 어느 하나를 입력받는 제1 클럭 단자, 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제2 클럭 단자, 제2 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제3 클럭 단자, 및 스타트 신호를 입력받는 스타트 단자를 구비하고, 종속적으로 접속된 스테이지들을 포함하는 적어도 하나 이상의 펄스 출력회로를 포함하며, 제k(k는 자연수) 스테이지는 상기 제2 클럭 단자에 입력되는 클럭과 동기되는 제k 펄스 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.
An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention comprises: a display panel including data lines and pulse lines intersecting the data lines; A data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines; And a gate driving circuit sequentially supplying a pulse signal to the pulse lines, wherein the gate driving circuit comprises: a first clock terminal receiving any one of three phase clocks whose phases are sequentially delayed; A second clock terminal receiving a clock delayed in phase by a clock input to the clock terminal; a third clock terminal receiving a clock delayed in phase by a clock input to the second clock terminal; and a start terminal receiving a start signal. And at least one pulse output circuit including dependently connected stages, wherein the k (k is a natural number) stage outputs a k th pulse signal synchronized with a clock input to the second clock terminal. It is characterized by.
본 발명은 3상 클럭 신호를 입력받고, 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며 1 수평기간씩 위상이 지연되는 신호를 순차적으로 출력한다. 그 결과, 본 발명은 클럭 라인의 수를 줄일 수 있으므로 클럭 라인들 간의 중첩으로 인한 라인 로드를 줄일 수 있다. 또한, 본 발명은 베젤을 줄일 수 있으므로 표시장치의 슬림화가 가능하다.The present invention receives a three-phase clock signal, and sequentially outputs a signal having a pulse width of two horizontal periods and delayed in phase by one horizontal period. As a result, the present invention can reduce the number of clock lines, thereby reducing the line load due to overlap between clock lines. In addition, the present invention can reduce the bezel, so that the display device can be made slim.
나아가, 본 발명은 2 수평기간 동안 구동 트랜지스터의 문턱전압을 샘플링한다. 그 결과, 본 발명은 표시장치가 입체영상 구현을 위해 고속구동하는 경우에도 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 충분한 시간을 확보할 수 있다.
Furthermore, the present invention samples the threshold voltage of the driving transistor for two horizontal periods. As a result, the present invention can secure sufficient time to compensate for the threshold voltage of the driving transistor even when the display device is driven at high speed to implement a stereoscopic image.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 도 1의 화소에 입력되는 신호들을 보여주는 파형도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 센싱 펄스 출력회로를 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 센싱 펄스 출력회로의 출력을 보여주는 파형도이다.
도 5는 도 3의 스테이지의 회로 구성을 보여주는 일 예이다.
도 6은 도 5의 스테이지에 입력 및 출력되는 신호들을 보여주는 파형도이다.
도 7은 종래 기술과 본 발명의 클럭 라인 중첩을 비교한 표이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a waveform diagram illustrating signals input to the pixel of FIG. 1.
3 is a block diagram illustrating a sensing pulse output circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a waveform diagram illustrating an output of a sensing pulse output circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is an example illustrating a circuit configuration of the stage of FIG. 3.
FIG. 6 is a waveform diagram illustrating signals input and output to the stage of FIG. 5.
7 is a table comparing the overlapping clock lines of the prior art and the present invention.
8 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 유기발광다이오드 표시장치를 중심으로 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.
The names of components used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from actual product names.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 화소에 대한 등가 회로도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시패널(10)의 화소(P)는 서로 교차하는 펄스 라인과 데이터 라인(DL)으로 정의된다. 또한, 펄스 라인은 스캔 라인(SL), 컨트롤 라인(CL), 발광 라인(EL), 제1 초기화 라인(IL1), 제2 초기화 라인(IL2), 및 센싱 라인(SENL) 등을 포함한다. 화소(P)는 구동 트랜지스터(Td), 유기발광다이오드(OLED), 및 제어 회로 등을 포함한다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel of a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the pixel P of the
제어 회로는 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)를 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 발광 라인(EL)의 발광 펄스(EM)에 응답하여 턴-온되어 제3 노드(N3)와 유기발광다이오드(OLED)를 접속시킨다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 발광 라인(EL)에 접속되고, 소스 전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인 전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속된다.The control circuit includes first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6. The first transistor T1 is turned on in response to the light emission pulse EM of the light emission line EL to connect the third node N3 to the organic light emitting diode OLED. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the light emitting line EL, the source electrode is connected to the third node N3, and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED.
제2 트랜지스터(T2)는 스캔 라인(SL)의 스캔 펄스(SP)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(N2)에 데이터 라인(DL)의 데이터 전압(Vdata)을 공급한다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 스캔 라인(SL)에 접속되고, 소스 전극은 데이터 라인(DL)에 접속되며, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The second transistor T2 is turned on in response to the scan pulse SP of the scan line SL to supply the data voltage Vdata of the data line DL to the second node N2. The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the scan line SL, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode is connected to the second node N2.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 초기화 라인(IL1)의 제1 초기화 펄스(INI1)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(N2)에 스캔 펄스(SP)를 공급한다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제1 초기화 라인(IL1)에 접속되고, 소스 전극은 스캔 라인(SL)에 접속되며, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The third transistor T3 is turned on in response to the first initialization pulse INI1 of the first initialization line IL1 to supply the scan pulse SP to the second node N2. The gate electrode of the third transistor T3 is connected to the first initialization line IL1, the source electrode is connected to the scan line SL, and the drain electrode is connected to the second node N2.
제4 트랜지스터(T4)는 제2 초기화 라인(IL2)의 제2 초기화 펄스(INI2)에 응답하여 턴-온되어 제1 노드(N1)를 기준 전압원(VREF)의 전압으로 초기화시킨다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제2 초기화 라인(IL2)에 접속되고, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 접속되며, 드레인 전극은 기준 전압원(VREF)에 접속된다.The fourth transistor T4 is turned on in response to the second initialization pulse INI2 of the second initialization line IL2 to initialize the first node N1 to the voltage of the reference voltage source V REF . The gate electrode of the fourth transistor T4 is connected to the second initialization line IL2, the source electrode is connected to the first node N1, and the drain electrode is connected to the reference voltage source V REF .
제5 트랜지스터(T5)는 센싱 라인(SENL)의 센싱 펄스(SEN)에 응답하여 턴-온되어 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)를 접속시킨다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 센싱 라인(SENL)에 접속되고, 소스 전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. The fifth transistor T5 is turned on in response to the sensing pulse SEN of the sensing line SENL to connect the first node N1 and the third node N3. The gate electrode of the fifth transistor T5 is connected to the sensing line SENL, the source electrode is connected to the third node N3, and the drain electrode is connected to the first node N1.
제6 트랜지스터(T6)는 컨트롤 라인(CL)의 컨트롤 펄스(CTRL)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(N2)를 기준 전압원(VREF)의 전압으로 초기화시킨다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 컨트롤 라인(CL)에 접속되고, 소스 전극은 제2 노드(N2)에 접속되며, 드레인 전극은 기준 전압원(VREF)에 접속된다.The sixth transistor T6 is turned on in response to the control pulse CTRL of the control line CL to initialize the second node N2 to the voltage of the reference voltage source V REF . The gate electrode of the sixth transistor T6 is connected to the control line CL, the source electrode is connected to the second node N2, and the drain electrode is connected to the reference voltage source V REF .
구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압원(VDD)에 접속되며, 드레인 전극은 제3 노드(N3)에 접속된다. 구동 트랜지스터(Td)는 게이트 전극에 인가된 전압 량에 따라, 드레인-소스간 전류(Ids)의 양을 다르게 조절한다.The gate electrode of the driving transistor Td is connected to the first node N1, the source electrode is connected to the high potential voltage source VDD, and the drain electrode is connected to the third node N3. The driving transistor Td adjusts the amount of the drain-source current Ids differently depending on the amount of voltage applied to the gate electrode.
본 발명의 제1 실시예에 따른 화소(P)의 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 및 구동 트랜지스터(Td)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)로 형성될 수 있다. 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 및 구동 트랜지스터(Td)의 반도체 층은 a-Si, Poly-Si, 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 도 1에서 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6), 및 구동 트랜지스터(Td)가 P 타입 MOS-FET으로 구현된 것을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며, N 타입 MOS-FET으로도 구현될 수 있다.The first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6, and the driving transistor Td of the pixel P according to the first embodiment of the present invention are formed of thin film transistors. Can be. The semiconductor layers of the first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6 and the driving transistor Td may be formed of any one of a-Si, Poly-Si, and oxide semiconductor. In addition, although the first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6 and the driving transistor Td are described with reference to FIG. 1, the present disclosure is not limited thereto. It can also be implemented as an N-type MOS-FET.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극과 연결되고, 캐소드 전극은 저전위 전압원(VSS)과 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(Td)의 드레인-소스간 전류(Ids)에 따라 발광된다. 제1 캐패시터(C1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되고, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)의 차전압을 저장한다. 제2 캐패시터(C2)는 제1 노드(N1)와 고전위 전압원(VDD) 사이에 접속되고, 제1 노드(N1)와 고전위 전압원(VDD)의 차전압을 저장한다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the drain electrode of the first transistor T1, and the cathode electrode is connected to the low potential voltage source VSS. The organic light emitting diode OLED emits light in accordance with the drain-source current Ids of the driving transistor Td. The first capacitor C1 is connected between the first node N1 and the second node N2 and stores the difference voltage between the first node N1 and the second node N2. The second capacitor C2 is connected between the first node N1 and the high potential voltage source VDD and stores the difference voltage between the first node N1 and the high potential voltage source VDD.
고전위 전압원(VDD)은 구동 트랜지스터(Td)의 특성, 유기발광다이오드(OLED)의 특성 등을 고려하여 직류 전압을 공급하도록 설정될 수 있다. 고전위 전압원(VDD)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 설정되고, 저전위 전압원(VSS)은 게이트 로우 전압(VGL) 또는 그라운드 전압(GND)으로 설정될 수 있다. 기준 전압(VREF)은 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화시키기 위한 전압이다.The high potential voltage source VDD may be set to supply a DC voltage in consideration of characteristics of the driving transistor Td, characteristics of the organic light emitting diode OLED, and the like. The high potential voltage source VDD may be set to the gate high voltage VGH, and the low potential voltage source VSS may be set to the gate low voltage VGL or the ground voltage GND. The reference voltage V REF is a voltage for initializing the first node N1 and the second node N2.
제1 노드(N1)는 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극, 제4 트랜지스터(T4)의 소스 전극, 및 제5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극 간의 접점이다. 제2 노드(N2)는 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극, 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극, 및 제6 트랜지스터(T6)의 소스 전극 간의 접점이다. 제3 노드(N3)는 구동 트랜지스터(Td)의 드레인 전극, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극, 및 제5 트랜지스터(T5)의 소스 전극 간의 접점이다.
The first node N1 is a contact between the gate electrode of the driving transistor Td, the source electrode of the fourth transistor T4, and the drain electrode of the fifth transistor T5. The second node N2 is a contact point between the drain electrode of the second transistor T2, the drain electrode of the third transistor T3, and the source electrode of the sixth transistor T6. The third node N3 is a contact point between the drain electrode of the driving transistor Td, the source electrode of the first transistor T1, and the source electrode of the fifth transistor T5.
도 2는 도 1의 화소에 입력되는 신호들을 보여주는 파형도이다. 도 2에는 표시패널(10)의 어느 한 화소(P)에 입력되는 컨트롤 펄스(CTRL), 제1 초기화 펄스(INI1), 제2 초기화 펄스(INI2), 센싱 펄스(SEN), 스캔 펄스(SP), 및 발광 펄스(EM)가 나타나 있다. 컨트롤 펄스(CTRL), 제1 초기화 펄스(INI1), 제2 초기화 펄스(INI2), 센싱 펄스(SEN), 스캔 펄스(SP), 및 발광 펄스(EM)는 화소(P)의 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)를 제어하기 위한 신호들이다. 컨트롤 펄스(CTRL), 제1 초기화 펄스(INI1), 제2 초기화 펄스(INI2), 센싱 펄스(SEN), 스캔 펄스(SP), 및 발광 펄스(EM)는 1 프레임 기간을 주기로 반복된다.FIG. 2 is a waveform diagram illustrating signals input to the pixel of FIG. 1. 2 illustrates a control pulse CTRL, a first initialization pulse INI1, a second initialization pulse INI2, a sensing pulse SEN, and a scan pulse SP input to one pixel P of the
컨트롤 펄스(CTRL)는 대략 4 수평기간(4H)의 펄스 폭을 가지고, 제1 초기화 펄스(INI1)는 대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가지며, 제2 초기화 펄스(INI2)는 대략 제1 수평기간(1H)의 펄스 폭을 가진다. 또한, 센싱 펄스(SEN)는 대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가지고, 스캔 펄스(SP)는 대략 1 수평기간(1H)의 펄스 폭을 가지며, 발광 펄스(EM)는 대략 4 수평기간(4H)의 펄스 폭을 가진다. 1 수평기간(1H)은 표시패널(10)에서 1 라인의 픽셀들에 데이터가 기입되는 1 라인 스캐닝 시간을 의미한다.The control pulse CTRL has a pulse width of approximately 4
또한, 컨트롤 펄스(CTRL)와 발광 펄스(EM)는 대략 3 수평기간(3H)의 펄스 폭을 가지도록 설계될 수 있다. 이 경우, 컨트롤 펄스(CTRL)와 발광 펄스(EM)는 t1, t2, t3 기간 동안 발생할 수 있다.In addition, the control pulse CTRL and the emission pulse EM may be designed to have a pulse width of approximately 3 horizontal periods 3H. In this case, the control pulse CTRL and the emission pulse EM may occur during the t1, t2, and t3 periods.
제1 초기화 펄스(INI1), 제2 초기화 펄스(INI2), 센싱 펄스(SEN), 및 스캔 펄스(SP)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 발생한다. 이에 비해, 컨트롤 펄스(CTRL), 및 발광 펄스(EM)는 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다. 게이트 하이 전압(VGH)은 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)의 문턱전압 보다 작은 전압으로 설정되고, 게이트 로우 전압(VGL)은 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6)의 문턱전압 이상의 전압으로 설정된다. 게이트 하이 전압(VGH)은 대략 14V 내지 20V 사이에서 설정될 수 있고, 게이트 로우 전압(VGL)은 대략 -12V 내지 -5V로 설정될 수 있다.
The first initialization pulse INI1, the second initialization pulse INI2, the sensing pulse SEN, and the scan pulse SP are generated with the gate high voltage VGH. In contrast, the control pulse CTRL and the emission pulse EM are generated with the gate low voltage VGL. The gate high voltage VGH is set to a voltage smaller than the threshold voltages of the first to sixth transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6, and the gate low voltage VGL is set to the first to sixth transistors ( T1, T2, T3, T4, T5, and T6) are set to voltages above the threshold voltage. The gate high voltage VGH may be set between approximately 14V and 20V, and the gate low voltage VGL may be set between approximately −12V and −5V.
이하에서, 도 1 및 도 2를 참조하여 t1 내지 t4 기간 동안 화소(P)의 동작을 간략히 설명한다. t1 내지 t3 기간은 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압을 보상하는 기간이고, t4 기간은 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 기간이다.Hereinafter, the operation of the pixel P during the t1 to t4 periods will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2. The period t1 to t3 is a period for compensating the threshold voltage of the driving transistor Td, and the period t4 is a period during which the organic light emitting diode OLED emits light.
t1 기간 동안, 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 초기화 펄스(INI1), 및 제2 초기화 펄스(INI2)가 발생한다. 또한, 게이트 하이 전압(VGH)의 컨트롤 펄스(CRTL), 및 발광 펄스(EM)가 발생한다. t1 기간은 대략 1 수평기간(1H)에 해당하는 기간이다.During the t1 period, the first initialization pulse INI1 and the second initialization pulse INI2 of the gate low voltage VGL are generated. In addition, the control pulse CRTL of the gate high voltage VGH and the light emission pulse EM are generated. The period t1 is a period corresponding to approximately one
제3 트랜지스터(T3)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 초기화 펄스(INI1)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(N2)에 스캔 펄스(SP)를 공급한다. 따라서, 제2 노드(N2)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된다. 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 초기화 펄스(INI2)에 응답하여 턴-온되어 제1 노드(N1)를 기준 전압원(VREF)의 전압으로 초기화시킨다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 발광 펄스(EM)에 의해 턴-오프되고, 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 하이 전압(VGH)의 컨트롤 펄스(CTRL)에 의해 턴-오프된다.The third transistor T3 is turned on in response to the first initialization pulse INI1 of the gate low voltage VGL to supply the scan pulse SP to the second node N2. Therefore, the second node N2 is charged to the gate high voltage VGH. The fourth transistor T4 is turned on in response to the second initialization pulse INI2 of the gate low voltage VGL to initialize the first node N1 to the voltage of the reference voltage source V REF . The first transistor T1 is turned off by the light emission pulse EM of the gate high voltage VGH, and the sixth transistor T6 is turned off by the control pulse CTRL of the gate high voltage VGH. do.
t2 기간 동안, 게이트 로우 전압(VGL)의 센싱 펄스(SEN)가 발생한다. 또한, 제1 초기화 펄스(INI1)는 게이트 로우 전압(VGL)을 유지하고, 컨트롤 펄스(CTRL)와 발광 펄스(EM)는 게이트 하이 전압(VGH)을 유지한다. 한편, 제2 초기화 펄스(INI2)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다. t2 기간은 대략 1 수평기간(1H)에 해당하는 기간이다.During the t2 period, the sensing pulse SEN of the gate low voltage VGL is generated. In addition, the first initialization pulse INI1 maintains the gate low voltage VGL, and the control pulse CTRL and the emission pulse EM maintain the gate high voltage VGH. On the other hand, the second initialization pulse INI2 is inverted to the gate high voltage VGH. The period t2 is a period corresponding to approximately one
제3 트랜지스터(T3)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 초기화 펄스(INI1)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 따라서, 제2 노드(N2)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 충전된 상태를 유지한다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 발광 펄스(EM)에 의해 턴-오프된 상태를 유지하고, 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 하이 전압(VGH)의 컨트롤 펄스(CTRL)에 의해 턴-오프된 상태를 유지한다.The third transistor T3 is turned on by the first initialization pulse INI1 of the gate low voltage VGL. Therefore, the second node N2 maintains a state charged with the gate high voltage VGH. The first transistor T1 remains turned off by the light emission pulse EM of the gate high voltage VGH, and the sixth transistor T6 is applied to the control pulse CTRL of the gate high voltage VGH. To be turned off.
제4 트랜지스터(T4)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제2 초기화 펄스(INI2)에 의해 턴-오프된다. 제5 트랜지스터(T5)는 게이트 로우 전압(VGL)의 센싱 펄스(SEN)에 응답하여 턴-온되어 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)를 접속시킨다. 제5 트랜지스터(T5)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극이 상호 접속된다. 즉, 구동 트랜지스터(Td)는 다이오드로 동작된다. 이때, 구동 트랜지스터(Td)의 게이트-드레인 전극과 소스 전극 간의 전압 차가 문턱전압(Vth)보다 크기 때문에, 게이트-드레인 전극의 전압은 (VDD-Vth)까지 상승하게 된다. 따라서, 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)의 전압은 (VDD-Vth)까지 상승한다. 즉, t2 기간은 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)이 샘플링되는 기간이다.The fourth transistor T4 is turned off by the second initialization pulse INI2 of the gate high voltage VGH. The fifth transistor T5 is turned on in response to the sensing pulse SEN of the gate low voltage VGL to connect the first node N1 and the third node N3. Due to the turn-on of the fifth transistor T5, the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor Td are connected to each other. In other words, the driving transistor Td is operated as a diode. At this time, since the voltage difference between the gate-drain electrode and the source electrode of the driving transistor Td is larger than the threshold voltage Vth, the voltage of the gate-drain electrode rises to (VDD-Vth). Therefore, the voltages of the first node N1 and the third node N3 rise to (VDD-Vth). That is, the period t2 is a period during which the threshold voltage Vth of the driving transistor Td is sampled.
t3 기간 동안, 게이트 로우 전압(VGL)의 스캔 펄스(SP)가 발생한다. 또한, 센싱 펄스(SEN)는 게이트 로우 전압(VGL)을 유지하고, 컨트롤 펄스(CTRL)와 발광 펄스(EM)는 게이트 하이 전압(VGH)을 유지한다. 한편, 제1 초기화 펄스(INI1)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다. t3 기간은 대략 1 수평기간(1H)에 해당하는 기간이다.During the period t3, the scan pulse SP of the gate low voltage VGL is generated. In addition, the sensing pulse SEN maintains the gate low voltage VGL, and the control pulse CTRL and the emission pulse EM maintain the gate high voltage VGH. On the other hand, the first initialization pulse INI1 is inverted to the gate high voltage VGH. The period t3 is a period corresponding to approximately one
제5 트랜지스터(T5)는 게이트 로우 전압(VGL)의 센싱 펄스(SEN1)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 즉, 구동 트랜지스터(Td)는 다이오드 접속된 상태를 유지한다. 따라서, t3 기간에도 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)가 샘플링은 계속된다. 이로 인해, 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3)는 (VDD-Vth)까지 상승할 충분한 시간을 갖는다. 제1 트랜지스터(T1)는 게이트 하이 전압(VGH)의 발광 펄스(EM)에 의해 턴-오프된 상태를 유지하고, 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 하이 전압(VGH)의 컨트롤 펄스(CTRL)에 의해 턴-오프된 상태를 유지한다.The fifth transistor T5 remains turned on by the sensing pulse SEN1 of the gate low voltage VGL. That is, the driving transistor Td maintains the diode connected state. Therefore, the sampling of the threshold voltage Vth of the driving transistor Td continues even in the period t3. As a result, the first node N1 and the third node N3 have sufficient time to rise up to (VDD-Vth). The first transistor T1 remains turned off by the light emission pulse EM of the gate high voltage VGH, and the sixth transistor T6 is applied to the control pulse CTRL of the gate high voltage VGH. To be turned off.
제3 트랜지스터(T3)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 초기화 펄스(INI1)에 의해 턴-오프된다. 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 로우 전압(VGL)의 스캔 펄스(SP)에 응답하여 턴-온되어 데이터 라인(DL)의 데이터 전압(Vdata)을 제2 노드(N2)에 공급한다. 따라서, 제2 노드(N2)는 데이터 전압(Vdata)을 가진다.The third transistor T3 is turned off by the first initialization pulse INI1 of the gate high voltage VGH. The second transistor T2 is turned on in response to the scan pulse SP of the gate low voltage VGL to supply the data voltage Vdata of the data line DL to the second node N2. Therefore, the second node N2 has a data voltage Vdata.
t4 기간 동안, 게이트 로우 전압(VGL)의 컨트롤 펄스(CTRL)와 발광 펄스(EM)가 발생한다. 한편, 센싱 펄스(SEN)와 스캔 펄스(SP)는 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다.During the t4 period, the control pulse CTRL and the light emission pulse EM of the gate low voltage VGL are generated. Meanwhile, the sensing pulse SEN and the scan pulse SP are inverted to the gate high voltage VGH.
제2 트랜지스터(T2)는 게이트 하이 전압(VGH)의 스캔 펄스(SP)에 의해 턴-오프된다. 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 로우 전압(VGL)의 컨트롤 펄스(CTRL)에 응답하여 턴-온되어 제2 노드(N2)의 전압을 기준 전압원(VREF)의 전압으로 초기화시킨다. 따라서, 제2 노드(N2)의 전압은 데이터 전압(Vdata)에서 기준 전압원(VREF)의 전압으로 변화된다. The second transistor T2 is turned off by the scan pulse SP of the gate high voltage VGH. The sixth transistor T6 is turned on in response to the control pulse CTRL of the gate low voltage VGL to initialize the voltage of the second node N2 to the voltage of the reference voltage source V REF . Therefore, the voltage of the second node N2 is changed from the data voltage Vdata to the voltage of the reference voltage source V REF .
한편, 제5 트랜지스터(T5)는 게이트 하이 전압(VGH)의 센싱 펄스(SEN)에 의해 턴-오프되므로, 제1 노드(N1)는 플로팅된다. 따라서, 제1 캐패시터(C1)에 의해 제2 노드(N2)의 전압 변화량(Vdata-VREF)이 제1 노드(N1)에 반영되므로, 제1 노드(N1)의 전압은 {VDD-Vth-(Vdata-VREF)}로 변화된다. 그러므로, 구동 트랜지스터(Td)의 드레인-소스간 전류는 수학식 2와 같이 표현된다.Meanwhile, since the fifth transistor T5 is turned off by the sensing pulse SEN of the gate high voltage VGH, the first node N1 is floated. Therefore, since the voltage change amount Vdata-V REF of the second node N2 is reflected in the first node N1 by the first capacitor C1, the voltage of the first node N1 is equal to {VDD-Vth−. (Vdata-V REF )}. Therefore, the drain-source current of the driving transistor Td is expressed by
수학식 2에서, β는 트랜지스터의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 비례 계수, Vgs는 게이트-소스간 전압, Vth는 구동 트랜지스터의 문턱전압을 의미한다. 결국, 구동 트랜지스터의 드레인-소스간 전류(Ids)는 수학식 2와 같이 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)에 의존하지 않게 된다. 즉, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)이 보상된다.In
제1 트랜지스터(T1)는 게이트 로우 전압(VGL)의 발광 펄스(EM)에 응답하여 턴-온되어 구동 트랜지스터(Td)의 드레인-소스간 전류(Ids)를 유기발광다이오드(OLED)에 공급한다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)는 t4 기간 동안 발광하게 된다.
The first transistor T1 is turned on in response to the light emission pulse EM of the gate low voltage VGL to supply the drain-source current Ids of the driving transistor Td to the organic light emitting diode OLED. . Therefore, the organic light emitting diode OLED emits light for the period t4.
이상에서 살펴본 바와 같이, 센싱 펄스(SEN)가 대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가지는 경우, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하는 기간이 충분하므로, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)이 제대로 보상될 수 있다. 특히, 유기발광다이오드 표시장치가 좌안 영상과 우안 영상을 시분할하여 표시하는 입체영상 표시장치로 구현되는 경우, 240Hz 이상의 프레임 주파수(NTSC 기준)로 고속 구동하는 것이 필수적이다. 그런데, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하는 기간이 2 수평기간(2H)보다 짧아진다면, 구동 트랜지스터(Td)의 문턱전압(Vth)을 제대로 보상하지 못하는 문제가 발생할 수 있다.As described above, when the sensing pulse SEN has a pulse width of approximately 2
대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 갖는 센싱 펄스(SEN)를 출력하기 위하여 종래 센싱 펄스 출력회로에는 적어도 5상 클럭 신호가 입력되어야 했다. 하지만, 표시패널(10)의 화소(P)에 펄스들을 공급하는 게이트 구동회로는 센싱 펄스 출력회로 이외에 컨트롤 펄스(CTRL)를 공급하는 컨트롤 펄스 출력회로, 제1 초기화 펄스(INI1)를 출력하는 제1 초기화 펄스 출력회로, 제2 초기화 펄스(INI2)를 출력하는 제2 초기화 펄스 출력회로, 스캔 펄스(SP)를 공급하는 스캔 펄스 출력회로, 및 발광 펄스(EM)를 출력하는 발광 펄스 출력회로를 더 포함한다. 이러한 펄스 출력회로들에 입력되는 클럭 신호가 많을수록 클럭 라인들 간의 중첩으로 인해 라인 로드(Load)가 증가한다. 이 경우, 펄스 출력회로들에 입력되는 클럭 신호들이 딜레이(delay) 될 뿐만 아니라, 펄스 출력회로들로부터 출력되는 펄스들도 딜레이 되므로, 표시패널의 구동에 문제가 발생한다. 또한, 클럭 라인들이 증가하는 경우, 베젤의 증가로 인해 표시장치의 슬림화가 어렵다. 이하에서, 3상 클럭 신호들을 이용하여 클럭 라인의 수를 줄여 라인 로드를 감소시킨 본 발명의 실시예에 따른 펄스 출력회로에 대하여 상세히 살펴본다. 본 발명의 실시예에 따른 펄스 출력회로는 센싱 펄스 출력회로와 제1 초기화 펄스 출력회로로 구현될 수 있다. 이하에서, 설명의 편의를 위해 본 발명의 펄스 출력회로는 센싱 펄스 출력회로인 것을 중심으로 설명하기로 한다.
In order to output the sensing pulse SEN having a pulse width of approximately 2
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 센싱 펄스 출력회로를 나타내는 블록도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 센싱 펄스 출력회로의 출력을 보여주는 파형도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 센싱 펄스 출력 회로는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(ST(1)~ST(n), n은 자연수로 스테이지의 개수)을 구비한다. 도 3에서는 설명의 편의를 제1 내지 제3 스테이지(ST(1)~ST(3))만을 예시하였다.3 is a block diagram illustrating a sensing pulse output circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. 4 is a waveform diagram illustrating an output of a sensing pulse output circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a sensing pulse output circuit according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of stages (ST (1) to ST (n) where n is a natural number of stages) connected in a cascade manner. In FIG. 3, only the first to third stages ST (1) to ST (3) are illustrated for convenience of description.
이하의 설명에서, "전단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 상부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k(1<k<n, k, k는 2 이상의 자연수) 스테이지(ST(k))를 기준으로, 전단 스테이지는 제1 스테이지(ST(1)) 내지 제k-1 스테이지(ST(k-1)) 중 어느 하나를 지시한다. "후단 스테이지"는 기준이 되는 스테이지의 하부에 위치하는 것을 말한다. 예컨대, 제k 스테이지(ST(k))를 기준으로, 후단 스테이지는 제k+1 스테이지(ST(k+1)) 내지 제n 스테이지(ST(n)) 중 어느 하나를 지시한다.In the following description, the "shear stage" refers to being located on top of the stage to be a reference. For example, on the basis of kth (1 <k <n, k, k are two or more natural numbers) stages ST (k), the front end stages are the first stage ST (1) to the k-1st stage ST. (k-1)). The "back stage" refers to being located at the lower part of the stage used as a reference. For example, based on the k-th stage ST (k), the rear stage indicates any one of the k + 1th stage ST (k + 1) to the nth stage ST (n).
스타트 전압 라인(VSTL)에는 스타트 전압(VST)이 인가되고, 제1 클럭 라인(CL1)에는 제1 클럭(C1)이 인가된다. 또한, 제2 클럭 라인(CL2)에는 제2 클럭(C2)가 인가되며, 제3 클럭 라인(CL3)에는 제3 클럭(C3)이 인가된다.The start voltage VST is applied to the start voltage line VSTL, and the first clock C1 is applied to the first clock line CL1. In addition, a second clock C2 is applied to the second clock line CL2, and a third clock C3 is applied to the third clock line CL3.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START), 제1 클럭 단자(CLK1), 제2 클럭 단자(CLK2), 제3 클럭 단자(CLK3), 및 출력단자를 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 전압(VST), 또는 전단 스테이지의 캐리신호가 입력된다. 제1 스테이지(ST(1))의 스타트 단자(START)에는 스타트 전압(VST)이 인가되고, 제2 내지 제n 스테이지들(ST(2)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 전단 스테이지의 캐리신호가 입력된다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has a start terminal START, a first clock terminal CLK1, a second clock terminal CLK2, a third clock terminal CLK3, and an output terminal. do. The start voltage START or the carry signal of the previous stage is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). The start voltage VST is applied to the start terminal START of the first stage ST (1), and the start terminal START of each of the second to nth stages ST (2) to ST (n). The carry signal of the front stage is input to the front stage.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1), 제2 클럭 단자(CLK2), 및 제3 클럭 단자(CLK3) 각각에는 순차적으로 위상이 지연되는 3상 클럭들(C1, C2, C3) 중 어느 하나의 클럭이 입력된다. 즉, 제1 클럭 단자(CLK1)에는 3상 클럭들(C1, C2, C3) 중 어느 하나가 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 클럭 단자(CLK1)에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭이 입력되고, 제3 클럭 단자(CLK3)에는 제2 클럭 단자(CLK2)에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭이 입력된다. 예를 들어, 제1 클럭 단자(CLK1)에 제1 클럭(C1)이 입력된 경우, 제2 클럭 단자(CLK2)에는 제1 클럭(C1)보다 위상이 하나 지연된 제2 클럭(C2)이 입력되며, 제3 클럭 단자(CLK3)에는 제2 클럭(C2)보다 위상이 하나 지연된 제3 클럭(C3)이 입력된다.A three-phase clock in which phases are sequentially delayed in each of the first clock terminal CLK1, the second clock terminal CLK2, and the third clock terminal CLK3 of each of the stages ST (1) to ST (n). One of the clocks C1, C2 and C3 is input. That is, one of the three-phase clocks C1, C2, and C3 is input to the first clock terminal CLK1, and the phase is higher than the clock input to the first clock terminal CLK1 to the second clock terminal CLK2. One delayed clock is input, and a clock delayed by one phase from a clock input to the second clock terminal CLK2 is input to the third clock terminal CLK3. For example, when the first clock C1 is input to the first clock terminal CLK1, the second clock C2 delayed by one phase than the first clock C1 is input to the second clock terminal CLK2. The third clock C3, which is delayed in phase from the second clock C2, is input to the third clock terminal CLK3.
3상 클럭들(C1, C2, C3)은 소정의 시간만큼의 펄스 폭을 가지며, 순차적으로 위상이 지연된다. 예를 들어, 3상 클럭들(C1, C2, C3)은 도 6과 같이 대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가지며, 1 수평기간(1H)씩 순차적으로 위상이 지연될 수 있다. 센싱 펄스 출력회로에 입력되는 3상 클럭들(C1, C2, C3)은 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하며, 게이트 로우 전압(VGL)으로 펄스가 발생한다.The three-phase clocks C1, C2, and C3 have a pulse width for a predetermined time, and the phases are sequentially delayed. For example, the three-phase clocks C1, C2, and C3 have a pulse width of approximately 2
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 1 개의 출력 단자를 구비한다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력(Sout(1)~Sout(n))은 표시패널(10)의 센싱 라인(SENL)들에 센싱 펄스(SEN)로 공급됨과 동시에, 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 캐리신호로서 입력된다. 도 4를 참조하면, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력(Sout(1)~Sout(n))은 제1 스테이지(ST(1))부터 제n 스테이지(ST(n))까지 순차적으로 출력된다. 또한, 제k 스테이지(ST(k))의 출력 단자는 제k 센싱 라인(SENL(k))에 접속되고, 제k 스테이지(ST(k))의 출력(Sout(k))은 제k 센싱 라인(SENL(k))에 제k 센싱 펄스(SEN(k))로 출력된다. 제k 스테이지(ST(k))의 출력(Sout(k))인 제k 센싱 펄스(SEN(k))는 대략 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가지며, 제k-1 센싱 펄스(SEN(k-1))와 1 수평기간 서로 중첩되고, 제k+1 센싱 펄스(SEN(k+1))과 1 수평기간 서로 중첩된다.Each of the stages ST (1) to ST (n) has one output terminal. The outputs Sout (1) to Sout (n) of each of the stages ST (1) to ST (n) are supplied to the sensing lines SENL of the
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 종속적으로 접속되므로, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 출력(Sout(1)~Sout(n))은 후단 스테이지의 스타트 단자(START)에 입력되는 캐리신호로 역할을 한다. 그러므로, 제1 스테이지(ST(1))에 스타트 전압(VST)이 공급되는 경우에만 센싱 펄스(SEN)가 센싱 라인(SENL)들에 순차적으로 공급된다. 제1 스테이지(ST(1))에 스타트 전압(VST)이 공급되지 않는 경우에는 센싱 펄스(SEN)가 센싱 라인(SENL)들에 공급되지 않는다.Since each of the stages ST (1) to ST (n) is cascaded, the outputs Sout (1) to Sout (n) of each of the stages ST (1) to ST (n) are rear stages. It serves as a carry signal input to the start terminal (START) of. Therefore, the sensing pulse SEN is sequentially supplied to the sensing lines SENL only when the start voltage VST is supplied to the first stage ST (1). When the start voltage VST is not supplied to the first stage ST (1), the sensing pulse SEN is not supplied to the sensing lines SENL.
스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각에는 고전위 전압원(VDD)의 전압과 저전위 전압원(VSS)의 전압이 공급된다. 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 내부 회로에 대한 자세한 설명은 도 5를 결부하여 후술한다.
Each of the stages ST (1) to ST (n) is supplied with the voltage of the high potential voltage source VDD and the voltage of the low potential voltage source VSS. A detailed description of the internal circuit of each of the stages ST (1) to ST (n) will be described later with reference to FIG. 5.
도 5는 도 3의 스테이지의 회로 구성을 보여주는 일 예이다. 도 5를 참조하면, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각은 스타트 단자(START)와 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 Q 노드를 방전하는 제1 AND 게이트(AND1), 제1 클럭 단자(CLK1)와 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 Q 노드를 충전하는 제2 AND 게이트(AND2), 스타트 단자(START)와 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 QB 노드를 충전하는 제3 AND 게이트(AND3), 제1 클럭 단자(CLK1)와 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력되는 클럭에 응답하여 QB 노드를 방전하는 제4 AND 게이트(AND4), Q 및 QB 노드(Q, QB)의 전압에 따라 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭을 출력하는 출력부를 구비한다. 따라서, 제k 스테이지(ST(k))는 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭과 동기되는 출력을 발생한다. 5 is an example illustrating a circuit configuration of the stage of FIG. 3. Referring to FIG. 5, each of the stages ST (1) to ST (n) discharges a Q node in response to a clock input through the start terminal START and the first clock terminal CLK1. The second AND gate AND2, the start terminal START, and the first clock that charge the Q node in response to a clock input through the gate AND1, the first clock terminal CLK1, and the third clock terminal CLK3. QB node in response to a clock input through a third AND gate AND3, a first clock terminal CLK1, and a third clock terminal CLK3, which charge a QB node in response to a clock input through the terminal CLK1. And an output unit configured to output a clock input through the second clock terminal CLK2 according to the voltages of the fourth AND gate AND4 and the Q and QB nodes Q and QB. Therefore, the k-th stage ST (k) generates an output synchronized with a clock input through the second clock terminal CLK2.
제1 AND 게이트(AND1)는 제11 및 제12 트랜지스터(T11, T12)를 포함한다. 제11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극은 스타트 단자(START)에 접속되고, 소스 전극은 제12 트랜지스터(T12)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압원(VSS)에 접속된다. 제12 트랜지스터(T12)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 Q 노드(Q)에 접속되며, 드레인 전극은 제11 트랜지스터(T11)의 소스 전극에 접속된다. 따라서, 제11 트랜지스터(T11)가 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되고, 제12 트랜지스터(T12)가 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되는 경우에만, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)의 전압으로 방전된다.The first AND gate AND1 includes the eleventh and twelfth transistors T11 and T12. The gate electrode of the eleventh transistor T11 is connected to the start terminal START, the source electrode is connected to the drain electrode of the twelfth transistor T12, and the drain electrode is connected to the low potential voltage source VSS. The gate electrode of the twelfth transistor T12 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode is connected to the Q node Q, and the drain electrode is connected to the source electrode of the eleventh transistor T11. Accordingly, the eleventh transistor T11 is turned on in response to a signal input through the start terminal START, and the twelfth transistor T12 is turned in response to a signal input through the first clock terminal CLK1. Only when it is turned on, the Q node Q is discharged to the voltage of the low potential voltage source VSS.
제2 AND 게이트(AND2)는 제13 및 제14 트랜지스터(T13, T14)를 포함한다. 제13 트랜지스터(T13)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 제14 트랜지스터(T14)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 Q 노드(Q)에 접속된다. 제14 트랜지스터(T14)의 게이트 전극은 제3 클럭 단자(CLK3)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압원(VDD)에 접속되며, 드레인 전극은 제13 트랜지스터(T13)의 소스 전극에 접속된다. 따라서, 제13 트랜지스터(T13)가 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되고, 제14 트랜지스터(T14)가 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되는 경우에만, Q 노드(Q)는 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전된다.The second AND gate AND2 includes the thirteenth and fourteenth transistors T13 and T14. The gate electrode of the thirteenth transistor T13 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode is connected to the drain electrode of the fourteenth transistor T14, and the drain electrode is connected to the Q node Q. The gate electrode of the fourteenth transistor T14 is connected to the third clock terminal CLK3, the source electrode is connected to the high potential voltage source VDD, and the drain electrode is connected to the source electrode of the thirteenth transistor T13. Accordingly, the thirteenth transistor T13 is turned on in response to a signal input through the first clock terminal CLK1, and the fourteenth transistor T14 is in response to a signal input through the third clock terminal CLK3. Only when turned on, the Q node Q is charged to the voltage of the high potential voltage source VDD.
제3 AND 게이트(AND3)는 제15 및 제16 트랜지스터(T15, T16)를 포함한다. 제15 트랜지스터(T15)의 게이트 전극은 스타트 단자(START)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압원(VDD)에 접속되며, 드레인 전극은 제16 트랜지스터(T16)의 소스 전극에 접속된다. 제16 트랜지스터(T16)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 제15 트랜지스터(T15)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 QB 노드(QB)에 접속된다. 따라서, 제15 트랜지스터(T15)가 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온 되고, 제16 트랜지스터(T16)가 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되는 경우에만, QB 노드(QB)는 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전된다.The third AND gate AND3 includes the fifteenth and sixteenth transistors T15 and T16. The gate electrode of the fifteenth transistor T15 is connected to the start terminal START, the source electrode is connected to the high potential voltage source VDD, and the drain electrode is connected to the source electrode of the sixteenth transistor T16. The gate electrode of the sixteenth transistor T16 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode is connected to the drain electrode of the fifteenth transistor T15, and the drain electrode is connected to the QB node QB. Accordingly, the fifteenth transistor T15 is turned on in response to a signal input through the start terminal START, and the sixteenth transistor T16 is turned in response to a signal input through the first clock terminal CLK1. Only when it is turned on, the QB node QB is charged to the voltage of the high potential voltage source VDD.
제4 AND 게이트(AND4)는 제17 및 제18 트랜지스터(T17, T18)를 포함한다. 제17 트랜지스터(T17)의 게이트 전극은 제1 클럭 단자(CLK1)에 접속되고, 소스 전극은 QB 노드(QB)에 접속되며, 드레인 전극은 제18 트랜지스터(T18)의 소스 전극에 접속된다. 제18 트랜지스터(T18)의 게이트 전극은 제3 클럭 단자(CLK3)에 접속되고, 소스 전극은 제17 트랜지스터(T17)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압원(VSS)에 접속된다. 따라서, 제17 트랜지스터(T17)가 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되고, 제18 트랜지스터(T18)가 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력되는 신호에 응답하여 턴-온되는 경우에만, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)의 전압으로 방전된다.The fourth AND gate AND4 includes the seventeenth and eighteenth transistors T17 and T18. The gate electrode of the seventeenth transistor T17 is connected to the first clock terminal CLK1, the source electrode is connected to the QB node QB, and the drain electrode is connected to the source electrode of the eighteenth transistor T18. The gate electrode of the eighteenth transistor T18 is connected to the third clock terminal CLK3, the source electrode is connected to the drain electrode of the seventeenth transistor T17, and the drain electrode is connected to the low potential voltage source VSS. Therefore, the seventeenth transistor T17 is turned on in response to a signal input through the first clock terminal CLK1, and the eighteenth transistor T18 is in response to a signal input through the third clock terminal CLK3. Only when turned on, the QB node QB is discharged to the voltage of the low potential voltage source VSS.
출력부는 Q 노드(Q)의 전압에 따라 턴-온되어 출력 노드(NO)를 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭으로 방전시키는 풀-업 트랜지스터(TU)와, QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 출력 노드(NO)를 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전시키는 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD1, TD2)를 포함한다. 풀-업 트랜지스터(TU)는 Q 노드(Q)의 부트스트래핑으로 인해 턴-온 됨으로써, 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력되는 클럭으로 출력 노드(NO)를 방전하여 스테이지의 출력(Sout)을 발생시킨다. 풀-업 트랜지스터(TU)의 게이트 전극은 Q 노드(Q)에 접속되고, 소스 전극은 제2 클럭 단자(CLK2)에 접속되며, 드레인 전극은 출력 노드(NO)에 접속된다. 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD1, TD2)는 스테이지의 출력이 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 유지되도록 QB 노드(QB)의 전압에 따라 출력 노드(NO)를 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전시킨다. 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 출력 노드(NO)에 접속된다. 제2 풀-다운 트랜지스터(TD2)의 게이트 전극은 QB 노드(QB)에 접속되고, 소스 전극은 고전위 전압원(VDD)에 접속되며, 드레인 전극은 제1 풀-다운 트랜지스터(TD1)의 소스 전극에 접속된다.The output unit is turned on according to the voltage of the Q node Q to discharge the output node NO to a clock input through the second clock terminal CLK2, and to the voltage of the QB node. Accordingly, the first and second pull-down transistors TD1 and TD2 are turned on to charge the output node NO to the voltage of the high potential voltage source VDD. The pull-up transistor TU is turned on due to the bootstrapping of the Q node Q, thereby discharging the output node NO with a clock input through the second clock terminal CLK2 to output the stage Sout. Generates. The gate electrode of the pull-up transistor TU is connected to the Q node Q, the source electrode is connected to the second clock terminal CLK2, and the drain electrode is connected to the output node NO. The first and second pull-down transistors TD1 and TD2 may move the output node NO to the high potential voltage source VDD according to the voltage of the QB node QB so that the output of the stage is maintained at the voltage of the high potential voltage source VDD. Charge at voltage). The gate electrode of the first pull-down transistor TD1 is connected to the QB node QB, the source electrode is connected to the drain electrode of the second pull-down transistor TD2, and the drain electrode is connected to the output node NO. Connected. The gate electrode of the second pull-down transistor TD2 is connected to the QB node QB, the source electrode is connected to the high potential voltage source VDD, and the drain electrode is the source electrode of the first pull-down transistor TD1. Is connected to.
제11 내지 제18 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, T18)와, 풀-업 트랜지스터(TU)와, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD1, TD2)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)로 형성될 수 있다. 제11 내지 제18 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, T18)와, 풀-업 트랜지스터(TU)와, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD1, TD2)의 반도체 층은 a-Si, Poly-Si, 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 도 5에서 제11 내지 제18 트랜지스터(T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, T18)와, 풀-업 트랜지스터(TU)와, 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(TD1, TD2)가 P 타입 MOS-FET으로 구현된 것을 중심으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며, N 타입 MOS-FET으로도 구현될 수 있다.
The eleventh through eighteenth transistors T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, and T18, the pull-up transistor TU, and the first and second pull-down transistors TD1 and TD2 are thin films. It may be formed of a transistor (Thin Film Transistor). Semiconductors of the eleventh through eighteenth transistors T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, and T18, pull-up transistors TU, and first and second pull-down transistors TD1 and TD2. The layer may be formed of any one of a-Si, Poly-Si, and oxide semiconductor. In addition, in FIG. 5, the eleventh through eighteenth transistors T11, T12, T13, T14, T15, T16, T17, and T18, the pull-up transistor TU, and the first and second pull-down transistors TD1. Although TD2) has been described based on the P type MOS-FET, the present invention is not limited thereto and may be implemented as an N type MOS-FET.
도 6은 도 5의 스테이지에 입력 및 출력되는 신호들을 보여주는 파형도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 스타트 단자(START)에는 스타트 전압(VST) 또는 전단 스테이지의 출력(Sout(k-1))이 입력된다. 또한, 스테이지들(ST(1)~ST(n)) 각각의 제1 클럭 단자(CLK1), 제2 클럭 단자(CLK2), 및 제3 클럭 단자(CLK3) 각각에는 3상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3)이 순차적으로 입력된다.FIG. 6 is a waveform diagram illustrating signals input and output to the stage of FIG. 5. 5 and 6, the start voltage VST or the output Sout (k-1) of the preceding stage is input to the start terminal START of each of the stages ST (1) to ST (n). do. In addition, each of the first clock terminal CLK1, the second clock terminal CLK2, and the third clock terminal CLK3 of each of the stages ST (1) to ST (n) has three-phase clocks CLK1, CLK2 and CLK3) are sequentially input.
스타트 전압(VST)은 1 프레임 기간의 시작과 함께 한 번 발생한다. 스타트 전압(VST)과 3상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3)은 2 수평기간(2H)의 펄스 폭을 가진다. 또한, 3상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3)의 펄스는 1 수평기간(1H)씩 중첩된다. 즉, 제1 클럭(C1)의 펄스 중 1 수평기간(1H)은 제3 클럭(C3)의 펄스와 중첩되고, 나머지 1 수평기간(1H)은 제2 수평기간(CLK2)의 펄스와 중첩된다. 3상 클럭들(CLK1, CLK2, CLK3)의 펄스는 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생한다.The start voltage VST occurs once at the beginning of one frame period. The start voltage VST and the three phase clocks CLK1, CLK2, and CLK3 have a pulse width of two
이하에서, 도 5 및 도 6을 참조하여 t1 내지 t4 기간 동안 제k 스테이지(ST(k))의 동작을 구체적으로 설명한다. 제1 클럭 단자(CLK1)에 제1 클럭(C1)이 입력되고, 제2 클럭 단자(CLK2)에 제2 클럭(C2)이 입력되며, 제3 클럭 단자(CLK3)에 제3 클럭(C3)이 입력되는 것을 중심으로 설명한다.Hereinafter, the operation of the k-th stage ST (k) during the t1 to t4 periods will be described in detail with reference to FIGS. 5 and 6. The first clock C1 is input to the first clock terminal CLK1, the second clock C2 is input to the second clock terminal CLK2, and the third clock C3 is input to the third clock terminal CLK3. It demonstrates centering on what is input.
t1 기간 동안, 스타트 단자(START)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 전압(VST)(또는 제k-1 스테이지(ST(k-1))의 출력(Sout(k-1)))이 입력된다. 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(C1)이 입력된다. 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 제3 클럭(C3)이 입력된다.During the t1 period, the start voltage VST of the gate low voltage VGL (or the output Sout (k-1) of the k-1st stage ST (k-1)) is passed through the start terminal START. Is entered. The first clock C1 of the gate low voltage VGL is input through the first clock terminal CLK1. The third clock C3 of the gate low voltage VGL is input through the third clock terminal CLK3.
제11 및 제15 트랜지스터(T11, T15)는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 전압(VST)에 응답하여 턴-온된다. 제12, 제13, 제16, 및 제17 트랜지스터(T12, T13, T16, T17)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(C1)에 응답하여 턴-온된다. 제14 및 제18 트랜지스터(T14, T18)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제3 클럭(C3)에 응답하여 턴-온된다.The eleventh and fifteenth transistors T11 and T15 are turned on in response to the start voltage VST of the gate low voltage VGL. The twelfth, thirteenth, sixteenth, and seventeenth transistors T12, T13, T16, and T17 are turned on in response to the first clock C1 of the gate low voltage VGL. The fourteenth and eighteenth transistors T14 and T18 are turned on in response to the third clock C3 of the gate low voltage VGL.
즉, 제1 AND 게이트(AND1)의 제11 및 제12 트랜지스터(T11, T12)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)과 접속된다. 또한, 제2 AND 게이트(AND2)의 제13 및 제14 트랜지스터(T13, T14)의 턴-온으로 인해, Q 노드(Q)는 고전위 전압원(VDD)과도 접속된다. 따라서, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)과 고전위 전압원(VDD) 전압의 중간 레벨의 전압을 가진다.That is, due to the turn-on of the eleventh and twelfth transistors T11 and T12 of the first AND gate AND1, the Q node Q is connected to the low potential voltage source VSS. In addition, due to the turn-on of the thirteenth and fourteenth transistors T13 and T14 of the second AND gate AND2, the Q node Q is also connected to the high potential voltage source VDD. Accordingly, the Q node Q has a voltage at an intermediate level between the low potential voltage source VSS and the high potential voltage source VDD voltage.
제3 AND 게이트(AND3)의 제15 및 제16 트랜지스터(T15, T16)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압원(VDD)과 접속된다. 또한, 제4 AND 게이트(AND4)의 제17, 제18 트랜지스터(T17, T18)의 턴-온으로 인해, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)과도 접속된다. 따라서, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)과 고전위 전압원(VDD) 전압의 중간 레벨의 전압을 가진다.Due to the turn-on of the fifteenth and sixteenth transistors T15 and T16 of the third AND gate AND3, the QB node QB is connected to the high potential voltage source VDD. In addition, due to the turn-on of the seventeenth and eighteenth transistors T17 and T18 of the fourth AND gate AND4, the QB node QB is also connected to the low potential voltage source VSS. Accordingly, the QB node QB has a voltage at an intermediate level between the low potential voltage source VSS and the high potential voltage source VDD voltage.
t2 기간 동안, 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 전압(VST)(또는 제k-1 스테이지(ST(k-1))의 출력(Sout(k-1)))과 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 제1 클럭(C1)은 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다. 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력되는 제3 클럭(C3)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다. 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(C2)이 입력된다.During the t2 period, the start voltage VST (or the output Sout (k-1) of the k-1st stage ST (k-1)) input through the start terminal START and the first clock terminal ( The first clock C1 input through the CLK1 maintains the gate low voltage VGL. The third clock C3 input through the third clock terminal CLK3 is inverted to the gate high voltage VGH. The second clock C2 of the gate low voltage VGL is input through the second clock terminal CLK2.
제11 및 제15 트랜지스터(T11, T15)는 게이트 로우 전압(VGL)의 스타트 전압(VST)에 의해 턴-온된 상태를 유지한다. 제12, 제13, 제16, 및 제17 트랜지스터(T12, T13, T16, T17)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(C1)에 응답하여 턴-온된 상태를 유지한다. 제14 및 제18 트랜지스터(T14, T18)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제3 클럭(C3)에 의해 턴-오프된다. 따라서, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)의 전압으로 방전되고, QB 노드(QB)는 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전된다.The eleventh and fifteenth transistors T11 and T15 remain turned on by the start voltage VST of the gate low voltage VGL. The twelfth, thirteenth, sixteenth, and seventeenth transistors T12, T13, T16, and T17 remain turned on in response to the first clock C1 of the gate low voltage VGL. The fourteenth and eighteenth transistors T14 and T18 are turned off by the third clock C3 of the gate high voltage VGH. Therefore, the Q node Q is discharged to the voltage of the low potential voltage source VSS, and the QB node QB is charged to the voltage of the high potential voltage source VDD.
풀-업 트랜지스터(TU)의 소스 전극에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(C2)이 입력된다. Q 노드(Q)의 전압은 풀-업 트랜지스터(TU)의 게이트-드레인 전극들 사이의 제2 캐패시터(C2)에 의해 부트스트래핑되어 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압 레벨로 하강하므로, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-온된다. 따라서, 출력 노드(NO)의 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 하강하고, 제k 스테이지(ST(k))는 게이트 로우 전압(VGL)을 출력한다.The second clock C2 of the gate low voltage VGL is input to the source electrode of the pull-up transistor TU. The voltage at the Q node Q is bootstrapping by the second capacitor C2 between the gate-drain electrodes of the pull-up transistor TU to drop to a voltage level lower than the gate low voltage VGL. The up transistor TU is turned on. Therefore, the voltage of the output node NO drops to the gate low voltage VGL, and the k-th stage ST (k) outputs the gate low voltage VGL.
t3 기간 동안, 스타트 단자(START)를 통해 입력되는 스타트 전압(VST)(또는 제k-1 스테이지(ST(k-1))의 출력(Sout(k-1)))과 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 입력되는 제1 클럭(C1)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다. 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력된 제2 클럭(C2)은 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다. 또한, 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 제3 클럭(C3)이 입력된다.During the t3 period, the start voltage VST (or the output Sout (k-1) of the k-1st stage ST (k-1)) input through the start terminal START and the first clock terminal ( The first clock C1 input through the CLK1 is inverted to the gate high voltage VGH. The second clock C2 input through the second clock terminal CLK2 maintains the gate low voltage VGL. In addition, the third clock C3 of the gate low voltage VGL is input through the third clock terminal CLK3.
제11 및 제15 트랜지스터(T11, T15)는 게이트 하이 전압(VGH)의 스타트 전압(VST)에 의해 턴-오프된다. 제12, 제13, 제16, 및 제17 트랜지스터(T12, T13, T16, T17)는 게이트 하이 전압(VGH)의 제1 클럭(C1)에 의해 턴-오프된다. 제14 및 제18 트랜지스터(T14, T18)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제3 클럭(C3)에 응답하여 턴-온된다.The eleventh and fifteenth transistors T11 and T15 are turned off by the start voltage VST of the gate high voltage VGH. The twelfth, thirteenth, sixteenth, and seventeenth transistors T12, T13, T16, and T17 are turned off by the first clock C1 of the gate high voltage VGH. The fourteenth and eighteenth transistors T14 and T18 are turned on in response to the third clock C3 of the gate low voltage VGL.
제1 AND 게이트(AND1)의 제11 및 제12 트랜지스터(T11, T12)의 턴-오프로 인해, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)과의 접속이 차단된다. 또한, 제2 AND 게이트(AND2)에서 제14 트랜지스터(T14)는 턴-온되나 제13 트랜지스터(T13)가 턴-오프되므로, Q 노드(Q)는 고전위 전압원(VDD)과의 접속이 차단된다.Due to the turn-off of the eleventh and twelfth transistors T11 and T12 of the first AND gate AND1, the Q node Q is disconnected from the low potential voltage source VSS. In addition, since the fourteenth transistor T14 is turned on at the second AND gate AND2, but the thirteenth transistor T13 is turned off, the Q node Q is disconnected from the high potential voltage source VDD. do.
풀-업 트랜지스터(TU)의 소스 전극에는 게이트 로우 전압(VGL)의 제2 클럭(C2)이 입력된다. Q 노드(Q)의 전압은 제1 캐패시터(C1)에 의해 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압 레벨로 하강된 상태를 유지하고, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-온된 상태를 유지한다. 따라서, 출력 노드(NO)의 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 하강하고, 제k 스테이지(ST(k))는 게이트 로우 전압(VGL)을 출력한다.The second clock C2 of the gate low voltage VGL is input to the source electrode of the pull-up transistor TU. The voltage of the Q node Q is maintained at a voltage level lower than the gate low voltage VGL by the first capacitor C1, and the pull-up transistor TU is kept turned on. Therefore, the voltage of the output node NO drops to the gate low voltage VGL, and the k-th stage ST (k) outputs the gate low voltage VGL.
제3 AND 게이트(AND3)의 제15 및 제16 트랜지스터(T15, T16)의 턴-오프로 인해, QB 노드(QB)는 고전위 전압원(VDD)과의 접속이 차단된다. 또한, 제4 AND 게이트(AND4)에서 제18 트랜지스터(T18)는 턴-온되나 제17 트랜지스터(T17)가 턴-오프되므로, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)과의 접속이 차단된다. QB 노드(QB)는 제3 캐패시터(C3)에 의해 고전위 전압원(VDD)의 전압을 유지한다.Due to the turn-off of the fifteenth and sixteenth transistors T15 and T16 of the third AND gate AND3, the QB node QB is disconnected from the high potential voltage source VDD. In addition, since the eighteenth transistor T18 is turned on at the fourth AND gate AND4, but the seventeenth transistor T17 is turned off, the QB node QB is disconnected from the low potential voltage source VSS. do. The QB node QB maintains the voltage of the high potential voltage source VDD by the third capacitor C3.
t4 시간 동안, 제2 클럭 단자(CLK2)를 통해 입력된 제2 클럭(C2)은 게이트 하이 전압(VGH)으로 반전된다. 제3 클럭 단자(CLK3)를 통해 입력된 제3 클럭(C3)은 게이트 로우 전압(VGL)을 유지한다. 또한, 제1 클럭 단자(CLK1)를 통해 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(C1)이 입력된다.During the t4 time, the second clock C2 input through the second clock terminal CLK2 is inverted to the gate high voltage VGH. The third clock C3 input through the third clock terminal CLK3 maintains the gate low voltage VGL. In addition, the first clock C1 of the gate low voltage VGL is input through the first clock terminal CLK1.
제12, 제13, 제16, 및 제17 트랜지스터(T12, T13, T16, T17)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제1 클럭(C1)에 응답하여 턴-온된다. 제14 및 제18 트랜지스터(T14, T18)는 게이트 로우 전압(VGL)의 제3 클럭(C3)에 응답하여 턴-온된 상태를 유지한다. 제11 및 제15 트랜지스터(T11, T15)는 게이트 하이 전압(VGH)의 스타트 전압(VST)에 의해 턴-오프된 상태를 유지한다.The twelfth, thirteenth, sixteenth, and seventeenth transistors T12, T13, T16, and T17 are turned on in response to the first clock C1 of the gate low voltage VGL. The fourteenth and eighteenth transistors T14 and T18 remain turned on in response to the third clock C3 of the gate low voltage VGL. The eleventh and fifteenth transistors T11 and T15 remain turned off by the start voltage VST of the gate high voltage VGH.
제1 AND 게이트(AND1)의 제12 트랜지스터(T12)는 턴-온되나 제11 트랜지스터(T11)가 턴-오프되므로, Q 노드(Q)는 저전위 전압원(VSS)과의 접속이 차단된다. 제2 AND 게이트(AND2)의 제13 및 제14 트랜지스터(T13, T14)는 턴-온되므로, Q 노드(Q)는 고전위 전압원(VDD)과의 접속된다. 따라서, Q 노드(Q)는 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전되며, 풀-업 트랜지스터(TU)는 턴-오프된다.Since the twelfth transistor T12 of the first AND gate AND1 is turned on but the eleventh transistor T11 is turned off, the Q node Q is disconnected from the low potential voltage source VSS. Since the thirteenth and fourteenth transistors T13 and T14 of the second AND gate AND2 are turned on, the Q node Q is connected to the high potential voltage source VDD. Therefore, the Q node Q is charged to the voltage of the high potential voltage source VDD, and the pull-up transistor TU is turned off.
제3 AND 게이트(AND3)의 제16 트랜지스터(T16)는 턴-온되나 제15 트랜지스터(T15)가 턴-오프되므로, QB 노드(QB)는 고전위 전압원(VDD)과의 접속이 차단된다. 제4 AND 게이트(AND4)의 제17 및 제18 트랜지스터(T17, T18)는 턴-온되므로, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)과 접속된다. 따라서, QB 노드(QB)는 저전위 전압원(VSS)의 전압으로 방전된다. 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(TD1, TD2)는 QB 노드(QB)의 저전위 전압원(VSS)의 전압에 응답하여 턴-온되어 출력 노드(NO)를 고전위 전압원(VDD)의 전압으로 충전시킨다. 결국, 출력 노드(NO)의 전압은 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승하고, 제k 스테이지(ST(k))는 게이트 하이 전압(VGH)을 출력한다.
Since the sixteenth transistor T16 of the third AND gate AND3 is turned on but the fifteenth transistor T15 is turned off, the QB node QB is disconnected from the high potential voltage source VDD. Since the seventeenth and eighteenth transistors T17 and T18 of the fourth AND gate AND4 are turned on, the QB node QB is connected to the low potential voltage source VSS. Therefore, the QB node QB is discharged to the voltage of the low potential voltage source VSS. The first and second pull-down transistors TD1 and TD2 are turned on in response to the voltage of the low potential voltage source VSS of the QB node QB to charge the output node NO to the voltage of the high potential voltage source VDD. Let's do it. As a result, the voltage of the output node NO rises to the gate high voltage VGH, and the k-th stage ST (k) outputs the gate high voltage VGH.
도 7은 종래 기술과 본 발명의 클럭 라인 중첩을 비교한 표이다. 도 7을 참조하면, 표시패널(10)의 1 라인의 출력부 개수에 따라 클럭 라인의 중첩 개수를 비교하였다. 또한, 종래 기술은 5개의 클럭 라인을 이용한 경우이고, 본 발명은 위에서 살펴본 바와 같이 3개의 클럭 라인을 이용한 경우이다.7 is a table comparing the overlapping clock lines of the prior art and the present invention. Referring to FIG. 7, overlapping numbers of clock lines are compared according to the number of output units of one line of the
표시패널(10)의 1 라인에 펄스 출력회로가 1개인 경우, 종래 기술은 클럭 라인의 중첩 개수가 2.4 개인 반면, 본 발명은 클럭 라인의 중첩 개수가 2 개이다. 본 발명은 종래 기술보다 클럭 라인들 간의 중첩을 대략 17% 절감할 수 있다. 표시패널(10)의 1 라인에 펄스 출력회로가 2개인 경우, 종래 기술은 클럭 라인의 중첩 개수가 5.4 개인 반면, 본 발명은 클럭 라인의 중첩 개수가 4 개이다. 본 발명은 종래 기술보다 클럭 라인들 간의 중첩을 대략 26% 절감할 수 있다. 표시패널(10)의 1 라인에 펄스 출력회로가 3개인 경우, 종래 기술은 클럭 라인의 중첩 개수가 8.4 개인 반면, 본 발명은 클럭 라인의 중첩 개수가 6 개이다. 본 발명은 종래 기술보다 클럭 라인들 간의 중첩을 대략 30% 절감할 수 있다. 결국, 표시패널(10)의 1 라인에 펄스 출력회로가 많아질수록, 본 발명의 클럭 라인들 간의 중첩 효과는 종래 기술보다 커진다. When there is one pulse output circuit in one line of the
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 게이트 구동회로는 컨트롤 펄스 출력회로, 제1 초기화 펄스 출력회로, 제2 초기화 펄스 출력회로, 센싱 펄스 출력회로, 스캔 펄스 출력회로, 및 발광 펄스 출력회로를 포함한다. 즉, 표시패널(10)의 1 라인에 6개의 펄스 출력회로가 필요하다. 종래 기술과 같이 5개의 클럭 라인들을 이용하는 경우, 클럭 라인들간의 중첩으로 인해 라인 로드(Load)가 더욱 심화될 것이다. 이 경우, 펄스 출력회로들에 입력되는 클럭 신호들이 딜레이(delay) 될 뿐만 아니라, 펄스 출력회로들로부터 출력되는 펄스들도 딜레이 되므로, 표시패널의 구동에 문제가 발생할 수 있다. 또한, 클럭 라인들이 증가하는 경우, 베젤의 증가로 인해 표시장치의 슬림화가 어렵다.As described above, the gate driving circuit of the present invention includes a control pulse output circuit, a first initialization pulse output circuit, a second initialization pulse output circuit, a sensing pulse output circuit, a scan pulse output circuit, and a light emission pulse output circuit. That is, six pulse output circuits are required for one line of the
본 발명과 같이 3개의 클럭 라인들을 이용하는 경우, 클럭 라인들간의 중첩을 최소화할 수 있다. 따라서, 본 발명은 클럭 라인들간의 중첩으로 인한 라인 로드(Load)를 줄일 수 있으며, 클럭 신호들의 딜레이(delay)를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 클럭 라인들을 줄일 수 있으므로, 베젤 영역을 축소하여 표시장치를 슬림화할 수 있다.
When three clock lines are used as in the present invention, overlap between clock lines can be minimized. Accordingly, the present invention can reduce line load due to overlap between clock lines, and can prevent delay of clock signals. In addition, since the present invention can reduce the clock lines, the bezel area can be reduced to reduce the size of the display device.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동회로, 게이트 구동회로(14), 및 타이밍 콘트롤러(11) 등을 구비한다.8 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
표시패널(10)에는 데이터 라인(DL)들과 스캔 라인(SL)들이 서로 교차되도록 형성된다. 또한, 표시패널(10)에는 스캔 라인(SL)들과 나란하게 컨트롤 라인(CTRL)들, 제1 초기화 라인(IL1)들, 제2 초기화 라인(IL2)들, 센싱 라인(SEL)들, 발광 라인(EL)들이 형성된다. 표시패널(10)은 데이터 라인(DL)들과 스캔 라인(SL)들에 의해 정의된 셀 영역들에 화소들이 매트릭스 형태로 배치된 화소 어레이(PIXEL ARRAY)를 포함한다. 표시패널(10)의 화소 어레이(PIXEL ARRAY)의 각 화소(P)에 대하여는 도 1을 결부하여 이미 앞에서 설명하였다.The
데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(12)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력 받는다. 소스 드라이브 IC(12)들은 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압을 발생하고, 그 데이터 전압을 스캔 펄스(SP)에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터 라인(DL)들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(12)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터 라인(DL)들에 접속될 수 있다.The data drive circuit includes a plurality of source drive
레벨 쉬프터(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 클럭들(CLKs)의 TTL(Transistor-Transistor- Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 레벨 쉬프트된 클럭들(CLKs)은 게이트 구동회로(14)로 입력된다.The
게이트 구동회로(14)는 스캔 펄스 출력회로, 제1 및 제2 초기화 펄스 출력회로, 컨트롤 펄스 출력회로, 센싱 펄스 출력회로, 및 발광 펄스 출력회로를 포함한다. 스캔 펄스 출력회로는 표시패널(10)의 스캔 라인(GL)들에 연결되어 스캔 라인(SL)들에 스캔 펄스(SP)를 순차적으로 출력한다. 제1 초기화 펄스 출력회로는 표시패널(10)의 제1 초기화 라인(IL1)들에 연결되어 제1 초기화 펄스(INI1)를 순차적으로 출력한다. 제2 초기화 펄스 출력회로는 표시패널(10)의 제2 초기화 라인(IL2)들에 연결되어 제2 초기화 펄스(INI2 )를 순차적으로 출력한다. 컨트롤 펄스 출력회로는 표시패널(10)의 컨트롤 라인(CL)들에 연결되어 컨트롤 펄스(CTRL)를 순차적으로 출력한다. 센싱 펄스 출력회로는 표시패널(10)의 센싱 라인(SEL)과 연결되어 센싱 펄스(SEN)를 순차적으로 출력한다. 발광 펄스 출력회로는 발광 라인(EL)들과 연결되어 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 제어하는 발광 펄스(EM)를 출력한다. 이에 대하여는 도 1과 도 2를 결부하여 이미 앞에서 설명하였다.The
게이트 구동회로(14)는 GIP(Gate Drive-IC In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 하부기판상에 직접 형성된다. GIP 방식에서, 레벨 쉬프터(13)는 인쇄회로보드(Printed Circuit Board)(15) 상에 실장되고, 게이트 구동회로(14)는 표시패널(10)의 하부기판상에 형성된다. 또한, 게이트 구동회로(14)는 TAB 방식으로 표시패널(10)과 타이밍 콘트롤러(11) 사이에 연결될 수도 있다.The
타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 시스템으로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC(12)들로 전송한다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 시스템으로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC(12)들의 동작 타이밍과 데이터 전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The
게이트 타이밍 제어신호는 스타트 전압(VST)과 3상으로 순차적으로 발생하는 클럭들(CLKs) 등을 포함한다. 스타트 전압(VST)은 게이트 구동회로(14)에 입력되어 스캔 펄스 출력회로, 제1 및 제2 초기화 펄스 출력회로, 컨트롤 펄스 출력회로, 센싱 펄스 출력회로, 및 발광 펄스 출력회로의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 클럭들(CLKs)은 레벨 쉬프터(13)에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 게이트 구동회로(14)에 입력되며, 스타트 전압(VST)을 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다.The gate timing control signal includes a start voltage VST and clocks CLKs sequentially generated in three phases. The start voltage VST is input to the
데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC(12)들의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC(12)들 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들로부터 출력되는 데이터 전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이브 IC(12)들 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.
The data timing control signal includes a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (POL), and a source output enable signal (SOE) . The source start pulse SSP controls the shift start timing of the source drive
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 3상 클럭 신호를 입력받고, 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며 1 수평기간씩 위상이 지연되는 펄스 신호를 순차적으로 출력하는 펄스 출력회로를 포함한 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예의 펄스 출력회로가 센싱 펄스 출력회로로 구현된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 센싱 펄스(SEN)와 같이 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며 1 수평기간씩 위상이 지연되는 제1 초기화 펄스(INI1)를 발생하는 제1 초기화 펄스 출력회로도 본 발명의 펄스 출력회로로 구현될 수 있다.As described above, the present invention provides an organic light emitting diode display device including a pulse output circuit which receives a three-phase clock signal and sequentially outputs a pulse signal having a pulse width of two horizontal periods and a phase delay of one horizontal period. It is about. Although the pulse output circuit of the embodiment of the present invention has been described with reference to the implementation of the sensing pulse output circuit, it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, like the sensing pulse SEN, the first initialization pulse output circuit generating the first initialization pulse INI1 having a pulse width of two horizontal periods and the phase delayed by one horizontal period may also be implemented as the pulse output circuit of the present invention. Can be.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10: 표시패널 11: 타이밍 콘트롤러
12: 소스 드라이브 IC 13: 레벨 쉬프터
14: 게이트 구동회로 15: 인쇄회로보드10: Display panel 11: Timing controller
12: Source drive IC 13: Level shifter
14: gate drive circuit 15: printed circuit board
Claims (14)
제k(k는 자연수) 스테이지는 상기 제2 클럭 단자에 입력되는 클럭과 동기되는 제k 펄스 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.A first clock terminal which receives one of three phase clocks of which phase is sequentially delayed, a second clock terminal which receives a clock whose phase is delayed by one than a clock input to the first clock terminal, and a second clock terminal A third clock terminal for receiving a clock delayed in phase from the clocked clock and a start terminal for receiving a start signal, and comprising a plurality of stages connected in a cascade manner;
And the k th (k is a natural number) stage outputs a k th pulse signal synchronized with a clock input to the second clock terminal.
상기 3상 클럭들은 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며, 1 수평기간씩 순차적으로 위상이 지연되는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method of claim 1,
The three-phase clock has a pulse width of two horizontal periods, the pulse output circuit, characterized in that the phase is delayed sequentially by one horizontal period.
상기 제k 펄스 신호는 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며, 제k-1 펄스 신호와 1 수평기간 서로 중첩되고, 제k+1 펄스 신호와 1 수평기간 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method of claim 2,
And the k th pulse signal has a pulse width of two horizontal periods, and overlaps the k-1 th pulse signal and one horizontal period, and the k + 1 th pulse signal and one horizontal period overlap each other.
상기 제k 스테이지는,
상기 스타트 신호에 응답하여 턴-온되는 제11 트랜지스터와 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제12 트랜지스터를 이용하여 Q 노드를 저전위 전압원의 전압으로 방전하는 제1 AND 게이트;
상기 제1 클럭 단자에 응답하여 턴-온되는 제13 트랜지스터와 상기 제3 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제14 트랜지스터를 이용하여 상기 Q 노드를 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제2 AND 게이트;
상기 스타트 신호에 응답하여 턴-온되는 제15 트랜지스터와 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제16 트랜지스터를 이용하여 QB 노드를 상기 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제3 AND 게이트;
상기 제1 클럭 단자에 응답하여 턴-온되는 제17 트랜지스터와 상기 제3 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제18 트랜지스터를 이용하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압원의 전압으로 방전하는 제4 AND 게이트; 및
상기 Q 노드 및 QB 노드의 전압에 따라 상기 제2 클럭 단자에 입력된 클럭을 출력하는 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method of claim 1,
The k-th stage is,
A first AND which discharges the Q node to a voltage of a low potential voltage source using an eleventh transistor turned on in response to the start signal and a twelfth transistor turned on in response to a clock input to the first clock terminal; gate;
Charging the Q node to a voltage of a high potential voltage source using a thirteenth transistor turned on in response to the first clock terminal and a fourteenth transistor turned on in response to a clock input to the third clock terminal. A second AND gate;
A third battery charging the QB node to the voltage of the high potential voltage source by using a fifteenth transistor turned on in response to the start signal and a sixteenth transistor turned on in response to a clock input to the first clock terminal; AND gate;
The QB node is discharged to the voltage of the low potential voltage source by using a seventeenth transistor turned on in response to the first clock terminal and an eighteenth transistor turned on in response to a clock input to the third clock terminal. A fourth AND gate; And
And an output unit configured to output a clock input to the second clock terminal according to voltages of the Q node and the QB node.
상기 제11 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 스타트 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제12 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압원에 접속되고,
상기 제12 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 Q 노드에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제11 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제13 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 Q 노드에 접속되고,
상기 제14 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제13 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제15 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 스타트 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 제16 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제16 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제15 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 QB 노드에 접속되고,
상기 제17 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 드레인 전극은 상기 제18 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제18 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제17 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 저전위 전압원에 접속되는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method of claim 4, wherein
A gate electrode of the eleventh transistor is connected to the start terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the twelfth transistor, a drain electrode is connected to a low potential voltage source,
A gate electrode of the twelfth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to the Q node, a drain electrode is connected to a source electrode of the eleventh transistor,
A gate electrode of the thirteenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor, a drain electrode is connected to the Q node,
A gate electrode of the fourteenth transistor is connected to the third clock terminal, a source electrode is connected to the high potential voltage source, a drain electrode is connected to a source electrode of the thirteenth transistor,
A gate electrode of the fifteenth transistor is connected to the start terminal, a source electrode is connected to the high potential voltage source, a drain electrode is connected to a source electrode of the sixteenth transistor,
A gate electrode of the sixteenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the fifteenth transistor, a drain electrode is connected to the QB node,
A gate electrode of the seventeenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to the QB node, a drain electrode is connected to a source electrode of the eighteenth transistor,
And the gate electrode of the eighteenth transistor is connected to the third clock terminal, the source electrode is connected to the drain electrode of the seventeenth transistor, and the drain electrode is connected to the low potential voltage source.
상기 출력부는,
상기 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 출력 노드를 상기 제2 클럭 단자에 입력된 클럭으로 방전하는 풀-업 트랜지스터와, 상기 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 출력 노드를 상기 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method of claim 4, wherein
The output unit includes:
A pull-up transistor that is turned on according to the voltage of the Q node and discharges an output node to a clock input to the second clock terminal, and is turned on according to the voltage of the QB node to turn the output node into the high potential And a first pull-down transistor charging with a voltage of a voltage source.
상기 풀-업 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 Q 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 제2 클럭 단자에 접속되며, 드레인 전극은 상기 출력 노드에 접속되고,
상기 제1 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 제2 풀-다운 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 출력 노드에 접속되고,
상기 제2 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제1 풀-다운 트랜지스터의 소스 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 펄스 출력회로.The method according to claim 6,
A gate electrode of the pull-up transistor is connected to the Q node, a source electrode is connected to the second clock terminal, a drain electrode is connected to the output node,
A gate electrode of the first pull-down transistor is connected to the QB node, a source electrode is connected to a drain electrode of the second pull-down transistor, a drain electrode is connected to the output node,
A gate electrode of the second pull-down transistor is connected to the QB node, a source electrode is connected to the high potential voltage source, and a drain electrode is connected to the source electrode of the first pull-down transistor Output circuit.
상기 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로; 및
상기 펄스 라인들에 펄스 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로를 포함하고,
상기 게이트 구동회로는,
순차적으로 위상이 지연되는 3상 클럭들 중 어느 하나를 입력받는 제1 클럭 단자, 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제2 클럭 단자, 제2 클럭 단자에 입력된 클럭보다 위상이 하나 지연된 클럭을 입력받는 제3 클럭 단자, 및 스타트 신호를 입력받는 스타트 단자를 구비하고, 종속적으로 접속된 스테이지들을 포함하는 적어도 하나 이상의 펄스 출력회로를 포함하며,
제k(k는 자연수) 스테이지는 상기 제2 클럭 단자에 입력되는 클럭과 동기되는 제k 펄스 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.A display panel on which data lines and pulse lines intersecting the data lines are formed;
A data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines; And
A gate driving circuit sequentially supplying pulse signals to the pulse lines,
The gate driving circuit,
A first clock terminal which receives one of three phase clocks of which phase is sequentially delayed, a second clock terminal which receives a clock whose phase is delayed by one than a clock input to the first clock terminal, and a second clock terminal At least one pulse output circuit having a third clock terminal receiving a clock delayed in phase from the clocked clock and a start terminal receiving a start signal, the at least one pulse output circuit including stages connected to each other;
And the k-th (k is a natural number) stage outputs a k-th pulse signal synchronized with a clock input to the second clock terminal.
상기 3상 클럭들은 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며, 1 수평기간씩 순차적으로 위상이 지연되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 8,
And the three-phase clocks have a pulse width of two horizontal periods, and the phases are sequentially delayed by one horizontal period.
상기 제k 펄스 신호는 2 수평기간의 펄스 폭을 가지며, 제k-1 펄스 신호와 1 수평기간 서로 중첩되고, 제k+1 펄스 신호와 1 수평기간 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 9,
The k th pulse signal has a pulse width of 2 horizontal periods, and the k-1 th pulse signal and the 1 horizontal period overlap each other, and the k + 1 pulse signal and the 1 horizontal period overlap each other. Device.
상기 제k 스테이지는,
상기 스타트 신호에 응답하여 턴-온되는 제11 트랜지스터와 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제12 트랜지스터를 이용하여 Q 노드를 저전위 전압원의 전압으로 방전하는 제1 AND 게이트;
상기 제1 클럭 단자에 응답하여 턴-온되는 제13 트랜지스터와 상기 제3 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제14 트랜지스터를 이용하여 상기 Q 노드를 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제2 AND 게이트;
상기 스타트 신호에 응답하여 턴-온되는 제15 트랜지스터와 상기 제1 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제16 트랜지스터를 이용하여 QB 노드를 상기 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제3 AND 게이트;
상기 제1 클럭 단자에 응답하여 턴-온되는 제17 트랜지스터와 상기 제3 클럭 단자에 입력된 클럭에 응답하여 턴-온되는 제18 트랜지스터를 이용하여 상기 QB 노드를 상기 저전위 전압원의 전압으로 방전하는 제4 AND 게이트; 및
상기 Q 노드 및 QB 노드의 전압에 따라 상기 제2 클럭 단자에 입력된 클럭을 출력하는 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 8,
The k-th stage is,
A first AND which discharges the Q node to a voltage of a low potential voltage source using an eleventh transistor turned on in response to the start signal and a twelfth transistor turned on in response to a clock input to the first clock terminal; gate;
Charging the Q node to a voltage of a high potential voltage source using a thirteenth transistor turned on in response to the first clock terminal and a fourteenth transistor turned on in response to a clock input to the third clock terminal. A second AND gate;
A third battery charging the QB node to the voltage of the high potential voltage source by using a fifteenth transistor turned on in response to the start signal and a sixteenth transistor turned on in response to a clock input to the first clock terminal; AND gate;
The QB node is discharged to the voltage of the low potential voltage source by using a seventeenth transistor turned on in response to the first clock terminal and an eighteenth transistor turned on in response to a clock input to the third clock terminal. A fourth AND gate; And
And an output unit configured to output a clock inputted to the second clock terminal according to the voltages of the Q node and the QB node.
상기 제11 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 스타트 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제12 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 저전위 전압원에 접속되고,
상기 제12 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 Q 노드에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제11 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제13 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 Q 노드에 접속되고,
상기 제14 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제13 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제15 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 스타트 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 제16 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제16 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제15 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 QB 노드에 접속되고,
상기 제17 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제1 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 드레인 전극은 상기 제18 트랜지스터의 소스 전극에 접속되고,
상기 제18 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 제3 클럭 단자에 접속되고, 소스 전극은 상기 제17 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 저전위 전압원에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 11,
A gate electrode of the eleventh transistor is connected to the start terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the twelfth transistor, a drain electrode is connected to a low potential voltage source,
A gate electrode of the twelfth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to the Q node, a drain electrode is connected to a source electrode of the eleventh transistor,
A gate electrode of the thirteenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor, a drain electrode is connected to the Q node,
A gate electrode of the fourteenth transistor is connected to the third clock terminal, a source electrode is connected to the high potential voltage source, a drain electrode is connected to a source electrode of the thirteenth transistor,
A gate electrode of the fifteenth transistor is connected to the start terminal, a source electrode is connected to the high potential voltage source, a drain electrode is connected to a source electrode of the sixteenth transistor,
A gate electrode of the sixteenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to a drain electrode of the fifteenth transistor, a drain electrode is connected to the QB node,
A gate electrode of the seventeenth transistor is connected to the first clock terminal, a source electrode is connected to the QB node, a drain electrode is connected to a source electrode of the eighteenth transistor,
An organic light emitting diode display of which the gate electrode of the eighteenth transistor is connected to the third clock terminal, the source electrode is connected to the drain electrode of the seventeenth transistor, and the drain electrode is connected to the low potential voltage source .
상기 출력부는,
상기 Q 노드의 전압에 따라 턴-온되어 출력 노드를 상기 제2 클럭 단자에 입력된 클럭으로 방전하는 풀-업 트랜지스터와, 상기 QB 노드의 전압에 따라 턴-온되어 상기 출력 노드를 상기 고전위 전압원의 전압으로 충전하는 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 11,
The output unit includes:
A pull-up transistor that is turned on according to the voltage of the Q node and discharges an output node to a clock input to the second clock terminal, and is turned on according to the voltage of the QB node to turn the output node into the high potential An organic light emitting diode display device comprising: first and second pull-down transistors charged at a voltage of a voltage source.
상기 풀-업 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 Q 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 제2 클럭 단자에 접속되며, 드레인 전극은 상기 출력 노드에 접속되고,
상기 제1 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 제2 풀-다운 트랜지스터의 드레인 전극에 접속되며, 드레인 전극은 상기 출력 노드에 접속되고,
상기 제2 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 QB 노드에 접속되고, 소스 전극은 상기 고전위 전압원에 접속되며, 드레인 전극은 상기 제1 풀-다운 트랜지스터의 소스 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 13,
A gate electrode of the pull-up transistor is connected to the Q node, a source electrode is connected to the second clock terminal, a drain electrode is connected to the output node,
A gate electrode of the first pull-down transistor is connected to the QB node, a source electrode is connected to a drain electrode of the second pull-down transistor, a drain electrode is connected to the output node,
The gate electrode of the second pull-down transistor is connected to the QB node, the source electrode is connected to the high potential voltage source, and the drain electrode is connected to the source electrode of the first pull-down transistor. Light emitting diode display device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |