[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20070016567A - 액정 표시 장치 - Google Patents

액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070016567A
KR20070016567A KR1020050071346A KR20050071346A KR20070016567A KR 20070016567 A KR20070016567 A KR 20070016567A KR 1020050071346 A KR1020050071346 A KR 1020050071346A KR 20050071346 A KR20050071346 A KR 20050071346A KR 20070016567 A KR20070016567 A KR 20070016567A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
data line
liquid crystal
pixel electrode
gate
Prior art date
Application number
KR1020050071346A
Other languages
English (en)
Inventor
전상익
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050071346A priority Critical patent/KR20070016567A/ko
Publication of KR20070016567A publication Critical patent/KR20070016567A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치는 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 보호막, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 그리고 상기 보호막 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 중첩하는 차폐 전극을 포함하며, 상기 차폐 전극은 상기 데이터선의 폭과 같거나 좁다. 본 발명에 의하면 차폐 전극을 데이터선 폭과 같거나 좁게 형성함으로써 데이터선과 화소 전극 사이의 기생 용량을 줄이면서, 액정 표시 장치의 투과율을 높일 수 있다.
액정 표시 장치, 차폐 전극, 데이터선, 화소 전극, 투과율

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 공통 전극 표시판의 배치도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.
도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 차폐 전극의 배치에 따른 화소 전극과 게이트선 사이의 빛샘을 나타내는 그래프이다.
도 9a 내지 도 9c는 게이트선과 화소 전극의 배치에 따른 게이트선과 화소 전극 사이의 빛샘을 나타내는 그래프이다.
<도면 부호의 설명>
11, 21...배향막 12, 22...편광판
3...액정층
71, 72, 72a, 72b, 73, 73a, 73b, 74, 75, 75a, 75b...절개부
81, 82...접촉 보조 부재
91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, 95b...절개부
100...박막 트랜지스터 표시판 110...기판
121, 129...게이트선 124...게이트 전극
131...유지 전극선 135...유지 전극
140...게이트 절연막 151, 154...반도체
161, 163, 165...저항성 접촉층 171, 179...데이터선
173...소스 전극 175...드레인 전극
180...보호막
181, 182, 185...접촉 구멍 191...화소 전극
200...색필터 표시판 210...기판
220...차광 부재 230...색필터
250...덮개막 270...공통 전극
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판 과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
이러한 액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 것이다. 이중에서도 한 표시판에는 복수의 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고 다른 표시판에는 하나의 공통 전극이 표시판 전면을 덮고 있는 구조의 액정 표시 장치가 주류이다. 이 액정 표시 장치에서의 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자 소자인 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선을 표시판에 설치한다. 또한, 표시판은 화소 전극과 중첩하여 유지 용량을 형성함으로써 화소 전극에 인가된 전압을 안정적으로 유지하는 유지 전극을 구비하고 있다.
이러한 일반적인 액정 표시 장치에서는 화소의 개구율을 확보하는 것이 중요한데, 이를 위하여 화소 전극과 데이터선을 서로 인접하게 또는 중첩하도록 배치한다. 이로 인하여 화소 전압이 인가된 화소 전극과 연속적으로 변하는 데이터 전압을 전달하는 데이터선 사이에서 기생 용량이 형성되며, 이러한 기생 용량으로 인하여 여러 가지 불량이 발생한다.
이러한 기생 용량에 의한 불량을 줄이기 위하여, 데이터선 상부와 게이트선 상부를 완전히 덮도록 차폐 전극을 형성하는 방법이 이용되는데, 이처럼 차폐 전극을 형성하면 액정 표시 장치의 투과율이 감소하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 데이터선과 화소 전극 사이 또는 게이트선과 화소 전극 사이의 빛샘 등의 불량을 줄이면서 투과율을 향상한 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따른 액정 표시 장치는 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선, 상기 게이트선과 교차하며 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 보호막, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 그리고 상기 보호막 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 중첩하는 차폐 전극을 포함하며, 상기 차폐 전극은 상기 데이터선의 폭과 같거나 좁다.
상기 차폐 전극의 폭과 상기 데이터선의 폭의 차이는 노광기의 정렬오차 범위내일 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 게이트선과 중첩할 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 상기 화소 전극 또는 상기 드레인 전극과 중첩하여 유지 축전기를 형성하는 유지 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 액정 표시 장치는 상기 화소 전극과 마주보며 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 공통 전압과 실질적으로 동일한 전압이 상기 차폐 전극에 인가될 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 3은 도 1의 박막 트랜지스터 표시판과 도 2의 공통 전극 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4는 도 3의 액정 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며, 도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 도 1, 도 3 내지 도 5를 참고로 하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121)과 거의 동일한 거리를 두고 있다. 유지 전극선(131)은 아래위로 확장된 유지 전극(storage electrode)(137)을 포함한다. 그러나 유지 전극선(131) 의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. 반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치하며, 게이트선(121)의 경계를 덮는 연장부(extension)를 포함한다.
반도체(154) 위에는 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있는데, 게이트 전극(124)을 중심으로 서로 마주한다.
반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30° 내지 80° 정도인 것이 바람직하다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 U자형으로 굽은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110) 위에 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 넓은 한 쪽 끝 부분(177)과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 넓은 끝 부분(177)은 유지 전극(137)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들 어질 수 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 무기 절연물로 만들어질 수 있다. 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 차폐 전극(shielding electrode)(88) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자(도시하지 않음)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
화소 전극(191) 및 이와 연결된 드레인 전극(175)의 끝 부분(177)은 유지 전극(137)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 "유지 축전기(storage capacitor)"라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다. 또한 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)과 중첩한다.
각 화소 전극(191)은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 거의 평행한 네 개의 주 변을 가지며 네 모퉁이가 모따기되어 있는(chamfered) 대략 사각형 모양이다. 게이트선(121)과 평행한 화소 전극(191)의 변은 게이트선(121)과 중첩한다. 화소 전극(191) 화소 전극(191)의 모딴 빗변은 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이룬다.
화소 전극(191)에는 중앙 절개부(91, 92), 하부 절개부(93a, 94a, 95a) 및 상부 절개부(93b, 94b, 95b)가 형성되어 있으며, 화소 전극(191)은 이들 절개부(91-95b)에 의하여 복수의 영역(partition)으로 분할된다. 절개부(91-95b)는 유지 전극선(131)에 대하여 거의 반전 대칭을 이룬다.
하부 및 상부 절개부(93a-95b)는 대략 화소 전극(191)의 왼쪽 변 또는 위쪽 변에서부터 오른쪽 변으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 유지 전극선(131)에 대하여 하반부와 상반부에 각각 위치하고 있다. 하부 및 상부 절개부(93a-95b)는 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이루며 서로 수직하게 뻗어 있다.
중앙 절개부(91, 92)는 가로부 및 이와 연결된 한 쌍의 사선부를 포함한다. 가로부는 유지 전극선(131)을 따라 짧게 뻗으며, 한 쌍의 사선부는 가로부에서 화소 전극(191)의 오른쪽 변을 향하여 하부 절개부(93a) 및 상부 절개부(93b)와 각각 거의 나란하게 뻗어 있다.
따라서 화소 전극(191)은 절개부(91-95a)에 의하여 여섯 개의 영역(partition)으로 나누어지며, 이러한 영역들은 유지 전극선(131)에 대하여 대칭 구조를 가진다. 이 때, 영역의 수효 또는 절개부의 수효는 화소 전극(191)의 크기, 화소 전극(191)의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라질 수 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
차폐 전극(88)은 공통 전압을 인가 받으며, 데이터선(171)을 따라 뻗어 있다. 차폐 전극(88)은 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)의 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 유지 전극선에 연결되거나, 공통 전압을 박막 트랜지스터 표시판(100)에서 공통 전극 표시판(200)으로 전달하는 단락점(short point)(도시하지 않음)에 연결될 수 있다.
차폐 전극(88)은 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이 및 데이터선(171)과 공통 전극(270) 사이의 전자기 간섭을 차단하여 화소 전극(191)의 전압 왜곡 및 데이터선(171)이 전달하는 데이터 전압의 신호 지연을 줄여준다.
화소 전극(191)은 차폐 전극(88)과 일정 거리 이상 떨어져 있으며 이는 둘 사이의 단락을 방지하기 위해서이다. 따라서 따라서 화소 전극(191)이 데이터선(171)으로부터 더 멀어지므로 이들 사이의 기생 용량이 줄어든다. 또한, 차폐 전극(88)의 폭이 넓어질수록 화소 전극(191)의 폭이 좁아진다.
또한, 액정층(3)의 유전율(permittivity)이 보호막(180)의 유전율보다 높기 때문에, 데이터선(171)과 차폐 전극(88) 사이의 기생 용량이 차폐 전극(88)이 없을 때 데이터선(171)과 공통 전극(270) 사이의 기생 용량에 비하여 작다.
또 화소 전극(190)과 차폐 전극(88)이 동일한 층으로 만들어지기 때문에 이들 사이의 거리가 일정하게 유지되며 이에 따라 이들 사이의 기생 용량이 일정하다.
한편, 공통 전극(270)과 차폐 전극(88) 사이에는 전기장이 없으므로, 차폐 전극(88) 위의 액정 분자는 초기 배향을 유지하며 이에 따라 입사광이 차단된다. 그러므로 차폐 전극(88)은 차광 부재로서 작용할 수 있다. 따라서 차폐 전극(88)의 폭이 넓을수록 액정 표시 장치의 투과율은 낮아지게 된다.
다음, 도 2 내지 도 4를 참고하여, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 데이터선(171)에 대응하는 선형 부분(221)과 박막 트랜지스터에 대응하는 면형 부분(223)을 포함하며, 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막고 화소 전극(191)과 마주하는 개구 영역을 정의한다. 그러나 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부(도시하지 않음)를 가질 수도 있다.
기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.
덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며 공통 전극(270)에는 복수의 절개부 (71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b) 집합을 가진다.
하나의 절개부(71~75b) 집합은 하나의 화소 전극(191)과 마주 보며 중앙 절개부(71, 72), 하부 절개부(73a, 74a, 75a) 및 상부 절개부(73b, 74b, 75b)를 포함한다. 절개부(71-75b) 각각은 화소 전극(191)의 인접 절개부(91-95b) 사이 또는 절개부(93a-95b)와 화소 전극(191)의 모따기된 빗변 사이에 배치되어 있다. 또한, 각 절개부(71-75b)는 화소 전극(191)의 하부 절개부(93a, 94a, 95a) 또는 상부 절개부(93b, 94b, 95b)와 평행하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함한다.
하부 및 상부 절개부(74a, 75a, 74b, 75b)는 각각은 사선부와 가로부 및 세로부를 포함한다. 사선부는 대략 화소 전극(191)의 위쪽 또는 아래쪽 변에서 오른쪽 변으로 뻗는다. 가로부 및 세로부는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(190)의 변을 따라 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.
하부 및 상부 절개부(73a, 73b) 각각은 사선부와 한 쌍의 세로부를 포함한다. 사선부는 대략 화소 전극(191)의 왼쪽 변에서 오른쪽 변으로 뻗는다. 세로부는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(191)의 변을 따라 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.
중앙 절개부(71, 72)는 중앙 가로부, 한 쌍의 사선부 및 한 쌍의 종단 세로부를 포함한다. 중앙 가로부는 화소 전극(191)의 오른쪽 변 또는 중앙에서부터 유지 전극선(131)을 따라 왼쪽으로 뻗으며, 사선부는 중앙 가로부의 끝에서 중앙 가로부와 빗각을 이루며 화소 전극(191)의 왼쪽 변을 향하여 뻗는다. 종단 세로부는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(191)의 변을 따라 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.
절개부(71-75b)의 수효 및 방향 또한 설계 요소에 따라 달라질 수 있으며, 차광 부재(220)가 절개부(71-75b)와 중첩하여 절개부(71-75b) 부근의 빛샘을 차단할 수 있다.
표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며, 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있는데, 두 편광자(12, 22)의 편광축은 직교하며 이중 한 편광축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정층(3)의 지연을 보상하기 위한 위상 지연막(retardation film)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(도시하지 않음)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.
공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(191)에 데이터 전압을 인가하면 표시판(100, 200)의 표면에 거의 수직인 전기장이 생성된다. 액정 분자들 은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장의 방향에 수직을 이루도록 방향을 바꾸고자 한다. 앞으로는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)을 통틀어 전기장 생성 전극이라 한다.
전기장 생성 전극(191, 270)의 절개부(71-75b, 91-95b)와 화소 전극(191)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 절개부(71-75b, 91-95b)의 변과 화소 전극(191)의 변에 거의 수직이다.
도 3을 참고하면, 하나의 절개부 집합(71-75b, 91-95b)은 화소 전극(191)을 복수의 부영역(sub-area)으로 나누며, 각 부영역은 화소 전극(191)의 주 변과 빗각을 이루는 두 개의 주 변(primary edge)을 가진다. 각 부영역의 주 변은 편광자(12, 22)의 편광축과 약 45°를 이루며, 이는 광효율을 최대로 하기 위해서이다.
각 부영역 위의 액정 분자들은 대부분 주 변에 수직인 방향으로 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
적어도 하나의 절개부(71-72b, 91-92b)는 돌기(protrusion)(도시하지 않음)나 함몰부(depression)(도시하지 않음)로 대체할 수 있다. 돌기는 유기물 또는 무기물로 만들어질 수 있고 전기장 생성 전극(191, 270)의 위 또는 아래에 배치될 수 있다.
절개부(71-72b, 91-92b)의 사선부에는 움푹 팬 적어도 하나의 노치(notch)(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. 절개부(71-75b, 91-95b) 및 노치의 모양 및 배 치는 변형될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 차폐 전극(88) 폭을 데이터선(171)의 폭과 같거나 좁게 형성할 수 있는데, 데이터선(171)의 폭보다 좁은 경우, 그 차이는 차폐 전극(88) 형성에 사용하는 노광기의 정렬 오차 범위내일 수 있다. 이때, 개구율 감소가 최소가 되도록 차폐 전극(88)과 화소 전극(191) 사이의 거리를 최소로 하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 전극(191)은 게이트선(121)과 중첩한다.
도 8a 내지 도 8c를 참고로 하여, 차폐 전극(88)과 데이터선(171)의 배치에 따른 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이의 빛샘에 대하여 예를 들어 설명한다. 도 8a 내지 도 8c는 차폐 전극에 따른 화소의 빛샘을 도시한 그래프이다. 도 8a는 데이터선(171) 위에 차폐 전극(88)이 형성되어 있으며 데이터선(171)을 완전히 덮고 있는 경우이고, 도 8b는 차폐 전극이 도 8a에 비하여 왼쪽으로 치우쳐서 데이터선(171)과 차폐 전극(88)의 왼쪽 경계가 일치한 경우이며, 도 8c는 데이터선(171)이 왼쪽 경계가 차폐 전극(88)을 벗어난 경우이다. 도면 각각의 위에 도시한 그래프는 빛샘의 크기를 나타내고, 아래 그래프는 등전위선을 나타낸다.
데이터선(171)에 9V의 전압을 인가하고, 인접한 화소 전극(191)에는 각기 0V와 12V를 인가하였으며, 인접한 화소 전극(191) 사이에 위치하는 차폐 전극(88) 및 공통 전극(270)에는 6V의 전압을 인가하였다. 도시한 바와 같이, 차폐 전극(88)이 데이터선(171)을 완전히 덮고 있는 경우뿐만 아니라, 차폐 전극(88)과 데이터선(171)의 경계가 일치하거나 데이터선(171)이 차폐 전극(88)의 경계로부터 다소 벗 어난 경우에도 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에는 빛이 새지 않는다.
다음으로 도 9a 내지 도 9c를 참고로 하여, 게이트선(121)과 화소 전극(191) 및 차폐 전극(88)의 배치에 따른 화소 전극(191)과 게이트선(121) 사이의 빛샘에 대하여 예를 들어 설명한다.
도 9a 내지 도 9c는 게이트선(121)과 화소 전극(191)의 배치에 따른 화소 전극(191)과 게이트선(121) 사이의 빛샘을 나타낸 그래프이다. 도 9a는 게이트선(121) 상부에 게이트선(121)을 완전히 덮도록 차폐 전극(88)이 형성되어 있는 경우이고, 도 9b는 차폐 전극(88)은 없고 화소 전극(191)과 게이트선(121)이 중첩되어 있는 경우이며, 도 9c는 차폐 전극(88)은 없고 게이트선(121)과 화소 전극(191)이 중첩하지 않는 경우이다. 도 9a 내지 도 9c의 (a)는 게이트선(121)에 24V를 인가하고, 화소 전극(191) 및 차폐 전극(88) 및 공통 전극(270)에 6V를 인가한 경우를 도시하고, (b)는 게이트선(121)에 -6V를 인가하고, 화소 전극(191), 차폐 전극(88) 및 공통 전극(270)에 6V를 인가한 경우를 도시한다. 도면 각각의 위에 도시한 그래프는 빛샘의 크기를 나타내고, 아래 그래프는 등전위선을 나타낸다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 게이트선(121) 위에 차폐 전극(88)이 형성되어 있거나, 화소 전극(191)이 게이트선(121)과 중첩하는 경우에는 게이트선(121)과 화소 전극 사이에서 빛이 새지 않으나, 도 9c를 참조하면 화소 전극(191)이 게이트선(121)과 중첩하지 않는 경우 게이트선(121)과 화소 전극(191) 사이에서 빛이 새는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 데이터선(171) 위에 형성되어 있는 차폐 전극(88)의 경계가 데이 터선(171)의 경계와 일치하거나, 데이터선(171)이 차폐 전극(88)의 경계를 다소 벗어나더라도 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이에는 빛이 새지 않는다. 그리고 화소 전극(191)이 게이트선(121)과 중첩하는 경우, 화소 전극(191)과 게이트선(121) 사이에 빛이 새지 않는다.
그러므로 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치와 같이 차폐 전극(88)을 데이터선(171)의 폭과 거의 같게 형성하고, 화소 전극(191)은 게이트선(121)과 중첩함으로써, 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이 및 게이트선(121)과 화소 전극(191)사이에서 빛이 새지 않을 것이다. 또한, 차폐 전극(88)의 폭을 좁게 형성하면, 화소 전극(191)의 폭을 넓게 형성할 수 있고 액정 표시 장치의 투과율이 커질 수 있다.
그러면 도 6 및 도 7을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 7은 도 6의 액정 표시 장치를 Ⅶ-Ⅶ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 삽입되어 있는 액정층(3), 두 표시판(100, 200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(12, 22)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 도 1 내지 도 5와 거의 동일하다.
박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 기판(110) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(135)을 각각 포함하는 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(140), 반도체(154) 및 저항성 접촉 부재(163, 165)가 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161) 위에는 소스 전극(173)을 포함하는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 확장부를 포함하는 복수의 드레인 전극(175)이 형성되어 있고, 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있으며, 그 위에는 복수의 화소 전극(191), 복수의 차폐 전극(88) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 그 위에는 배향막(11)이 도포되어 있다.
공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 복수의 색필터(230), 덮개막(250), 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 형성되어 있다.
그러나 도 1 내지 도 5의 액정 표시 장치와는 달리, 섬형 반도체(154)는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 하부까지 연장되어 있는 선형 반도체(151)의 돌출부이며, 섬형의 저항성 접촉 부재(165)에 마주하는 섬형 저항성 접촉 부재(163) 또한 선형의 저항성 접촉 부재(161)의 돌출부이다. 이때, 선형의 반도체(151)는 데이터선(171)과 드레인 전극(175) 및 그 아래의 저항성 접촉 부재(161, 165)와 거의 동일한 모양을 가진다. 그러나, 선형의 반도체(151)의 돌출부(154)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 부분과 같이 데이터선(171)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않는 부분을 가진다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치의 차폐 전극(88)의 폭 역시 데이터선(171)의 폭과 같거나 좁을 수 있는데, 좁은 경우 데이터선(171)의 경계로부터 노광기의 정렬 오차 크기만큼 안쪽에 위치할 수 있다.
도 1 내지 도 5에 도시한 액정 표시 장치의 많은 특징들이 도 6 및 도 7에 도시한 액정 표시 장치에도 해당할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에서는 데이터선 위에 데이터선과 중첩하는 차폐 전극을 형성함으로써 데이터선과 화소 전극 사이의 기생 용량을 줄이면서, 차폐 전극의 폭을 데이터선의 폭과 같거나 노광기의 정렬 오차만큼 좁게 형성함으로써 액정 표시 장치의 투과율을 적정화할 수 있고, 화소 전극과 게이트선을 중첩하게 형성함으로써 화소 전극과 게이트선 사이의 빛이 새지 않게 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (6)

  1. 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선,
    상기 게이트선과 교차하며 데이터 전압을 전달하는 복수의 데이터선,
    상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 복수의 화소 전극, 그리고
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 중첩하는 차폐 전극
    을 포함하며,
    상기 차폐 전극은 상기 데이터선의 폭과 같거나 좁은
    액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 차폐 전극의 폭과 상기 데이터선의 폭의 차이는 노광기의 정렬오차 범위내인 액정 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 화소 전극은 상기 게이트선과 중첩하는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 화소 전극 또는 상기 드레인 전극과 중첩하여 유지 축전기를 형성하는 유지 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 화소 전극과 마주보며 공통 전압이 인가되는 공통 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 공통 전압과 실질적으로 동일한 전압이 상기 차폐 전극에 인가되는 액정 표시 장치.
KR1020050071346A 2005-08-04 2005-08-04 액정 표시 장치 KR20070016567A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050071346A KR20070016567A (ko) 2005-08-04 2005-08-04 액정 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050071346A KR20070016567A (ko) 2005-08-04 2005-08-04 액정 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070016567A true KR20070016567A (ko) 2007-02-08

Family

ID=43650656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050071346A KR20070016567A (ko) 2005-08-04 2005-08-04 액정 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070016567A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9791750B2 (en) 2013-07-29 2017-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device
US20240036414A1 (en) * 2021-10-25 2024-02-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9791750B2 (en) 2013-07-29 2017-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device
US10295858B2 (en) 2013-07-29 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device
US20240036414A1 (en) * 2021-10-25 2024-02-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5666079B2 (ja) 表示パネル
CN103915448B (zh) 薄膜晶体管阵列面板
KR20080014317A (ko) 표시 장치
KR20070087395A (ko) 표시판
KR20070080098A (ko) 액정 표시 장치
US7294854B2 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
KR101304902B1 (ko) 액정 표시 장치
JP4731869B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板
KR20070112955A (ko) 액정 표시 장치
KR20160095700A (ko) 액정 표시 장치
US7830488B2 (en) Liquid crystal display
KR20070016567A (ko) 액정 표시 장치
KR20070087293A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102156258B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR20060060843A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101272329B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20080036367A (ko) 표시판
KR20070031580A (ko) 액정 표시 장치
KR100929684B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR20070001466A (ko) 액정 표시 장치
KR20070117801A (ko) 액정 표시 장치
KR20080101429A (ko) 표시판
KR20070021387A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20060047183A (ko) 액정 표시 장치
KR20060020893A (ko) 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination