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KR20050102322A - Thin film forming system having particle remover and detector - Google Patents

Thin film forming system having particle remover and detector Download PDF

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KR20050102322A
KR20050102322A KR1020040027620A KR20040027620A KR20050102322A KR 20050102322 A KR20050102322 A KR 20050102322A KR 1020040027620 A KR1020040027620 A KR 1020040027620A KR 20040027620 A KR20040027620 A KR 20040027620A KR 20050102322 A KR20050102322 A KR 20050102322A
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thin film
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foreign material
light
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오희석
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주식회사 나래나노텍
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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등의 박막성형기를 이용하여 평판 디스플레이등의 윗부분에 박막을 형성시키거나 또는 액막을 형성시키는데 이용되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치를 개시한다.Disclosed is a thin film molding apparatus having a foreign material removal and detection function used to form a thin film on an upper portion of a flat panel display or the like by using a thin film molding machine such as a coating liquid ejecting apparatus or a film attaching apparatus.

이러한 박막성형장치는 상기 기판의 일면에 존재하는 이물질을 흡입하여 이물질을 제거하는 이물질 제거기; 상기 이물질 제거기의 일측에 배치되어 상기 기판의 일면에 이물질 존재여부를 센싱하는 이물질 감지기; 상기 이물질 감지기의 일측에 설치되어 상기 기판에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기를 포함한다.Such a thin film molding apparatus includes: a foreign material remover for removing foreign substances by suctioning foreign substances present on one surface of the substrate; A foreign material detector disposed on one side of the foreign material remover and configured to sense whether a foreign material exists on one surface of the substrate; It is installed on one side of the foreign matter detector includes a thin film molding machine for forming a thin film or a liquid film on the substrate.

따라서 기판에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 이물질이 완벽하게 제거되었는가를 검사하고, 기판에 박막의 코팅층을 형성하는 기술을 제공하여 이물질로 인하여 발생할 수 있는 고가의 박막 성형기의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, by removing foreign substances that may be present on the substrate and at the same time whether the foreign substances have been completely removed, by providing a technology for forming a coating layer of the thin film on the substrate to reduce the damage of expensive thin film molding machine that can be caused by the foreign matter, There is an effect that can significantly reduce the defective rate of the substrate.

Description

이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치{Thin film forming system having particle remover and detector}Thin film forming system having particle remover and detector

본 발명은 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등을 이용하여 평판디스플레이 등의 윗부분에 박막을 형성시키거나 또는 액막을 형성시키는데 이용되며, 먼지나 이물질을 제거함과 동시에 이물질이 제거되었는지를 확인하면서 박막 또는 액막을 형성하는 작업을 수행할 수 있는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film forming apparatus having a foreign material removal and detection function, and more particularly, to form a thin film or a liquid film on an upper portion of a flat panel display using a coating liquid discharge device or a film attachment device. The present invention relates to a thin film molding apparatus having a foreign material removal and detection function capable of performing a task of forming a thin film or a liquid film while removing dust or foreign substances and at the same time confirming that the foreign substances have been removed.

일반적으로 박막성형장치는 기판 위에 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등을 이용하여 박막 또는 액막을 형성시키는 것으로, 상기 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치가 이송되는 방향 측에 기판 상에 존재할 수 있는 이물질을 제거할 수 있는 이물질 제거기가 배치된다. 이러한 박막성형장치는 이물질 제거기를 통하여 이물질이 제거된 기판 상에 박막 성형기에 의하여 박막 또는 액막이 형성되는데, 이때 이물질 제거기에 의하여 제거되지 않은 이물질이 상기 기판 상에 남아 있는 경우, 고가의 박막성형기를 손상시킬 수도 있으며, 기판의 불량이 발생할 수 있는 문제점을 가지고 있다.In general, a thin film molding apparatus forms a thin film or a liquid film on a substrate by using a coating liquid ejecting apparatus or a film attaching apparatus, and the foreign matter which may exist on the substrate on the side in which the coating liquid ejecting apparatus or the film attaching apparatus is transported. The foreign matter remover is disposed to remove the. In the thin film molding apparatus, a thin film or a liquid film is formed by a thin film molding machine on a substrate from which foreign materials have been removed through a foreign material remover. In this case, when foreign materials not removed by the foreign material remover remain on the substrate, the expensive thin film molding machine is damaged. In addition, there is a problem that can cause a defect of the substrate.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판 상에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 이물질의 제거 작업이 이루어졌는가를 검사하고 기판에 박막 또는 액막을 형성함으로서, 고가의 박막성형기의 손상을 방지하고, 기판의 품질을 향상시킬 수 있는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above problems, the object of the present invention is to remove the foreign matter that may be present on the substrate and at the same time to check whether the removal of foreign matter is made and to form a thin film or liquid film on the substrate, The present invention provides a thin film forming apparatus with a foreign material removal and detection function that prevents damage to an expensive thin film molding machine and improves substrate quality.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 필름 또는 액막을 형성시키는 박막성형장치에 있어서, 상기 기판의 일면에 존재하는 이물질을 흡입하여 이물질을 제거하는 이물질 제거기; 상기 이물질 제거기의 일측에 배치되어 상기 기판의 일면에 이물질 존재여부를 센싱하는 이물질 감지기; 상기 이물질 감지기의 일측에 설치되어 상기 기판에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기를 포함하는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a thin film forming apparatus for forming a film or a liquid film on a substrate, the foreign material remover for removing the foreign substances by sucking the foreign substances present on one surface of the substrate; A foreign material detector disposed on one side of the foreign material remover and configured to sense whether a foreign material exists on one surface of the substrate; It is provided on one side of the foreign matter detector provides a thin film molding apparatus having a foreign material removal and detection function including a thin film molding machine to form a thin film or a liquid film on the substrate.

이와 같은 박막성형장치는 기판이 이송됨에 따라 기판의 상부에 존재할 수 있는 이물질을 진공 등에 의하여 흡입하여 제거하고, 이물질이 완전히 제거되었는가를 검사한 후 기판 상에서 이물질이 완전히 제거되는 경우 박막 성형기를 통하여 기판에 박막 필름의 코팅 또는 액막을 형성시킨다.Such a thin film forming apparatus sucks and removes foreign substances that may be present on the upper surface of the substrate as the substrate is transferred, and checks whether the foreign substances have been completely removed, and then removes the foreign substances on the substrate. A thin film coating or a liquid film is formed on the substrate.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 이송 방향으로 일부를 절개하여 개념적으로 도시한 도면으로, 기판(G), 상기 기판(G)의 일면(상부)에 배치되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치(이하, 박막성형장치라고도 함)를 도시하고 있다.FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating an embodiment according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram conceptually showing a part of the substrate in the transport direction of FIG. 1. FIG. A thin film forming apparatus (hereinafter also referred to as a thin film forming apparatus) having a foreign material removal and detection function disposed on one surface (upper portion) is shown.

상기 박막성형장치는, 기판(G) 위에 존재할 수 있는 이물질을 제거하는 이물질 제거기(30), 상기 이물질 제거기(30)에 인접하여 설치되어 이물질의 존재 유무를 검사하는 이물질 감지기(100), 그리고 상기 이물질 감지기(100)의 일측에 배치되어 상기 기판(G)에 박막의 필름을 코팅하거나, 액막을 도포하는 박막성형기(200)를 포함한다.The thin film molding apparatus may include a foreign material remover 30 that removes foreign matters that may exist on the substrate G, a foreign material detector 100 installed adjacent to the foreign material remover 30 and inspecting the presence of foreign matters, and the Is disposed on one side of the foreign matter detector 100 includes a thin film molding machine 200 for coating a thin film on the substrate (G), or applying a liquid film.

도 1에서 실선 화살표는 본 발명의 박막성형장치가 이동되는 방향을 나타낸다. 상기 이물질 제거기(30), 상기 이물질 감지기(100), 그리고 상기 박막 성형기(200)는 기판(G)의 진행 방향(실선 화살표)에 따라 순차적으로 배치되는 것이 바람직하다.In FIG. 1, the solid arrow indicates the direction in which the thin film forming apparatus of the present invention is moved. The foreign material remover 30, the foreign material detector 100, and the thin film molding machine 200 may be sequentially disposed according to the traveling direction (solid arrow) of the substrate G.

상기 이물질 제거기(30)는 고압의 공기를 공급하는 경로와 함께 진공에 의하여 이물질을 흡착할 수 있는 흡착수단이 포함되며, 기판(G) 위에 존재하는 이물질이 가지는 정전기를 상쇄시켜 이탈이 용이하도록 하는 이오나이저(31)를 포함할 수 있다. 즉, 이물질 제거기(30)는 도 1과 같이 기판(G)의 이송 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지도록 배치되어 고압의 공기경로에 설치된 이오나이저(31)에 의하여 이물질 입자(P, 파티클이라고도 함)에 존재할 수 있는 정전기를 제거하고, 진공수단에 의하여 정전기가 제거된 이물질을 흡입하여 기판(G)에서 제거하는 것이다.The foreign material remover 30 includes an adsorption means capable of adsorbing the foreign material by vacuum together with a path for supplying high-pressure air, and offsets the static electricity of the foreign material present on the substrate G to facilitate separation. It may include an ionizer 31. That is, the foreign material remover 30 is also disposed to have a right angle or a predetermined inclination angle with respect to the transfer direction of the substrate (G) as shown in Figure 1 by the ionizer 31 installed in the high-pressure air path (also called foreign matter particles (P, particles) To remove the static electricity that may be present, and to remove the foreign material from which the static electricity has been removed by vacuum means to remove it from the substrate (G).

상기 이오나이저(31)는 이물질이 정전기에 의하여 기판(G)에서 잘 떨어지지 않는 문제점을 해결하는 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다. The ionizer 31 is to solve the problem that the foreign matter does not fall off the substrate (G) well by static electricity, a conventional one can be used.

상술한 이물질 제거기(30)는 진공 흡입에 의하여 이물질을 제거하는 구조에 한정되는 것이 아니며, 단지 기판(G)에 존재하는 이물질을 제거할 수 있는 것이면 어느 것이나 사용될 수 있다.The foreign material remover 30 described above is not limited to a structure for removing foreign matter by vacuum suction, and any material may be used as long as it can remove foreign matter present on the substrate G.

상기 이물질 감지기(100)는 사각기둥형으로 이루어지는 다수의 광학 파티클 센서(103)가 일정한 간격으로 배치되어 기판(G)이 진행하는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지는 라인 형태를 이룬다. 이러한 라인 형태를 가지는 이물질 감지기(100)는 기판(G)이 이송되는 과정에서 기판(G)의 전체 영역에 존재할 수 있는 이물질을 효율적으로 제거하기 위한 것이다. 상기 광학 파티클 센서(103)는 서로 고른 파장의 분포(스펙트럼)를 갖는 백색광을 조사하며 각 파장별 초점을 깊이 방향으로 분리하여 조사하는 부분과 조사된 광이 기판(G)의 표면 혹은 이물질 입자(P)에 반사되는 광을 수광하는 부분 및 수광된 광의 파장(스펙트럼)을 분석하여 이물질 입자(P)의 존재 여부를 판단하는 부분으로 이루어진다.The foreign material detector 100 forms a line shape having a plurality of optical particle sensors 103 having a rectangular pillar shape at regular intervals and having a right angle or a predetermined inclination angle with respect to the direction in which the substrate G travels. The foreign matter detector 100 having such a line shape is for efficiently removing foreign matter that may exist in the entire area of the substrate G while the substrate G is transferred. The optical particle sensor 103 irradiates white light having an even distribution of wavelengths (spectrums), and separates and irradiates a focal point for each wavelength in a depth direction and irradiated light on the surface of the substrate G or a foreign particle ( And a portion for receiving the light reflected by P) and a portion for analyzing the wavelength (spectrum) of the received light to determine the presence of foreign matter particles (P).

상기 이물질 감지기(100)를 이루는 광학 파티클 센서(103)의 구조 및 원리는, 도 4 내지 도 6을 통하여 더욱 상세하게 설명한다.The structure and principle of the optical particle sensor 103 constituting the foreign matter detector 100 will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 6.

상기 광학 파티클 센서(103)는 광을 조사하는 광 조사수단(120), 상기 광 조사수단(120)에서 조사된 빛을 상기 기판(G)에 집속하는 광 집속수단(140), 상기 광 집속수단(140)에서 집속된 광을 반사하는 빔 스플리터(160), 그리고 상기 빔 스플리터(160)에서 반사된 빛의 파장을 검출하는 검출수단(180)을 구비할 수 있다. 그리고 상기 검출수단(180)은 검출된 빛의 감도를 센싱하고, 그 차이값을 연산하여 파장에 따른 초점 거리의 차이로 발생하는 위치를 연산하는 컨트롤러(C)에 센싱된 값을 전송할 수 있는 구조를 가진다. The optical particle sensor 103 is a light irradiation means 120 for irradiating light, a light focusing means 140 for focusing the light irradiated from the light irradiation means 120 to the substrate (G), the light focusing means The beam splitter 160 may reflect the light focused at 140, and the detection unit 180 may detect the wavelength of the light reflected by the beam splitter 160. In addition, the detecting unit 180 senses the sensitivity of the detected light, calculates a difference value, and transmits the sensed value to the controller C that calculates a position generated by the difference in focal length according to the wavelength. Has

상기 광 조사수단(120)은 케이스(도시생략)에 제공되는 광원(LS), 상기 광원(LS)에서 조사되는 빛을 모으는 렌즈 어셈블리(121), 상기 렌즈 어셈블리(121)에서 모아진 빛을 일정한 길이의 슬릿(123a)을 통과시키는 빛 통과부재(123), 그리고 상기 빛 통과부재(123)를 통과한 빛을 적당한 파장 분포(스펙트럼)를 갖게 하는 제1 필터(125)를 포함한다.The light irradiating means 120 may include a light source LS provided to a case (not shown), a lens assembly 121 collecting light emitted from the light source LS, and light collected from the lens assembly 121 at a predetermined length. The light passing member 123 to pass through the slit 123a, and the first filter 125 to have a suitable wavelength distribution (spectrum) of the light passing through the light passing member 123.

상기 광원(LS)은 백색광을 조사할 수 있는 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다. 상기 빛 통과부재(123)는 상기 렌즈 어셈블리(121)의 결상 점 위치에 배치되며, 슬릿(123a)을 통하여 광원(LS)의 빛이 효과적으로 통과할 수 있는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 특히, 상기 빛 통과부재(123)에 제공되는 슬릿(123a)은 기판(G)의 진행 방향에 대하여 수직 또는 일정한 경사를 가지도록 긴 형태의 장홀로 이루어지는 것 바람직하다. 상기 제1 필터(125)는 필요없는 파장의 빛을 차단하여 노이즈를 줄이고 기판(G)에 조사될 수 있는 열을 차단하여 필터링하는 역할을 한다.The light source LS may emit white light, and a conventional one may be used. The light passing member 123 is disposed at an image forming point position of the lens assembly 121, and is preferably disposed at a position through which the light of the light source LS can effectively pass through the slit 123a. In particular, the slit 123a provided to the light passing member 123 may be formed of an elongated long hole to have a vertical or constant inclination with respect to the traveling direction of the substrate G. The first filter 125 cuts light of unnecessary wavelengths, reduces noise, and blocks and filters heat that may be irradiated onto the substrate G.

상기 광 집속수단(140)은 색수차에 의하여 파장에 따라 초점 거리가 달라질 수 있는 렌즈 어셈블리로 이루어질 수 있는 것이 바람직하다. 상기 광 집속수단(140)은 그 초점이 기판(G, 또는 작업물)의 상단의 깊이에 맺혀지는 제1 파장의 초점(A, 실제로는 특정 영역 파장의 그룹이며, 편의상 하나의 파장으로 구분하여 설명함)과, 상기 기판 상을 제외한 깊이에 분포하는 나머지 파장들의 초점(B, 실제로 파장의 분포는 연속적이며, 편의상 파장들로 구분하여 설명함)을 가지는 구성을 가질 수 있다.The light converging means 140 may be made of a lens assembly in which a focal length may vary depending on the wavelength due to chromatic aberration. The light converging means 140 is a focal point A of the first wavelength at which the focal point is formed at the depth of the upper end of the substrate G or the workpiece. In fact, the light converging means 140 is divided into one wavelength for convenience. And the focus of the remaining wavelengths (B, in fact, the distribution of the wavelengths is continuous, and is divided into wavelengths for convenience).

이러한 광 집속수단(140)은 존 플레이트 또는 플래널 렌즈가 사용될 수 있다.The light focusing unit 140 may be a zone plate or a panel lens.

한편, 상기한 빔 스플리터(160)는 상기 광 조사수단(120)과 상기 광 집속수단(140) 사이에 배치되어 상기 광원(LS)의 빛을 통과시키고, 광 집속수단(140)을 통과하여 기판(G)에서 반사되는 파장의 빛을 검출수단(180) 측으로 반사하는 역할을 한다.On the other hand, the beam splitter 160 is disposed between the light irradiation means 120 and the light focusing means 140 to pass the light of the light source LS, and passes through the light focusing means 140 to the substrate (G) serves to reflect the light of the wavelength reflected by the detection means 180 side.

상기 검출수단(180)은 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환이 되어 빛이 통과될 수 있는 슬릿을 구비한 또 다른 빛 통과부재(181), 이 빛 통과부재(181)를 지나온 빛을 모을 수 있는 또 다른 렌즈 어셈블리(183), 이 렌즈 어셈블리(183)를 통과하는 빛을 각각의 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 위치로 나누는 또 다른 빔 스플리터(185), 이 빔 스플리터(185)를 통과한 빛에서 적당한 파장 분포를 통과시키는 광 조사수단(120)에서의 제2 필터(187), 상기 검출수단(180)에 제공되는 빔 스플리터(185)에 의하여 반사되는 빛에서 제2 필터(187)와는 다른 적당한 파장 분포를 통과시키는 광 조사수단(120)에서의 제3 필터(189), 그리고 상기 제2,3필터(187, 189)를 통과한 빛을 감지하는 제1,2촬상소자(191, 193)를 포함할 수 있다.The detection means 180 is another light passing member 181 having a slit through which the light is passed through the direction change by the beam splitter 160, the light passing through the light passing member 181 to collect Another lens splitter 183, another beam splitter 185 for splitting the light passing through the lens assembly 183 into two positions by passing or reflecting light at a predetermined angle according to the respective wavelengths. The second filter 187 in the light irradiation means 120 to pass the appropriate wavelength distribution in the light passing through 185, the second from the light reflected by the beam splitter 185 provided to the detection means 180 A third filter 189 in the light irradiation means 120 passing through a suitable wavelength distribution different from the filter 187, and first and second sensing light passing through the second and third filters 187 and 189; Image pickup devices 191 and 193 may be included.

상기 검출수단(180)에 제공되는 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에서 반사되는 빛의 파장들 중에서 가장 초점이 잘 맺힌 파장을 가지는 빛을 가장 큰 세기로 통과시킬 수 있다. The light passing member 181 provided to the detecting unit 180 may pass the light having the most focused wavelength among the wavelengths of the light reflected by the beam splitter 160 at the greatest intensity.

또한, 상기 검출수단(180)에 제공된 렌즈 어셈블리(183)는 빛을 모아 상기 검출수단(180)에 제공된 빔 스플리터(185)에서 특정한 파장이 통과 또는 반사되도록 하는 역할을 한다. In addition, the lens assembly 183 provided to the detecting means 180 collects light and serves to pass or reflect a specific wavelength in the beam splitter 185 provided to the detecting means 180.

상기 컨트롤러(C)는 기판(G)에서 검출되는 두 개의 파장(스펙트럼)의 감도를 설정된 알고리즘으로 연산하여, 연산된 결과의 분석으로 기판(G)의 표면에 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지와 이물질 입자(P)의 위치를 검출한다.The controller C calculates the sensitivity of the two wavelengths (spectrum) detected by the substrate G using a set algorithm, and analyzes the calculated result to determine whether foreign matter particles P exist on the surface of the substrate G. And the position of the foreign matter particle (P).

상기 컨트롤러(C)에는 표시수단이 구비되어 검출되는 이물질 입자(P)에 대한 정보, 즉 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 두께 및 크기에 대한 정보를 표시하여 주도록 한다.The controller (C) is provided with a display means to display information on the foreign matter particles (P) detected, that is, the presence or absence of the foreign matter particles (P) and information on the thickness and size of the foreign matter particles (P).

상기의 컨트롤러(C)의 도시되지 않은 메모리수단에는 기판(G)의 표면에 존재하는 이물질 입자(P)의 크기 및 두께에 따라 제1,2촬상소자(191, 193)를 통해 도 5와 같이 검출되는 두 개의 파장에 대한 감도를 학습 연산하여 얻은 기준 데이터가 도 6과 같이 선형화되는 1차원 곡선의 값으로 저장된다.In the memory unit (not shown) of the controller C, the first and second image pickup devices 191 and 193 may be formed as shown in FIG. 5 according to the size and thickness of the foreign matter particles P present on the surface of the substrate G. Reference data obtained by learning a sensitivity of two detected wavelengths is stored as a value of a one-dimensional curve that is linearized as shown in FIG. 6.

또한, 상기 컨트롤러(C)는 기판(G)의 표면에서 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치인 박막 성형기에 해당 정보를 제공하여, 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다.In addition, the controller (C) provides the corresponding information to the coating liquid ejecting device, which is a peripheral device which is interlocked, or the thin film forming device, which is interlocked when the presence of the foreign matter particles (P) is detected on the surface of the substrate (G), It is possible to carry out an appropriate correspondence according to the presence of particles P.

상기의 컨트롤러(C)는 차동 증폭기와 A/D변환수단이 포함되며, 검출수단(180)내의 제1,2촬상소자(191,193)를 통해 검출되는 두 개 파장의 감도를 차동 증폭기 이용하여 미분 혹은 차 연산하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출하고, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 6의 기준 데이터에 적용 비교하여 파장의 깊이를 추출함으로써, 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 위치를 검출하도록 한다.The controller C includes a differential amplifier and an A / D conversion means, and the differential or differential sensitivity of the two wavelengths detected by the first and second image pickup devices 191 and 193 in the detection means 180 using a differential amplifier. By extracting the sensitivity between the two wavelengths as a one-dimensional function by calculating the difference, converts the extracted function value to a digital signal through the A / D conversion means, and extract the depth of the wavelength by applying to the reference data of Figure 6, The presence of the foreign matter particles P and the location of the foreign matter particles P are detected.

이와 같이 이루어지는 본 발명에 적용될 수 있는 이물질 감지기(100)를 통하여 작업 대상물(G)의 표면상에 이물질 입자(P)가 존재하는지를 검출하는 동작에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an operation of detecting whether foreign matter particles P are present on the surface of the work object G through the foreign matter detector 100 applicable to the present invention will be described in detail as follows.

본 발명에 따른 이물질 검출장치(100)를 구성하고 있는 복수개의 광 파티클 센서(103)의 광 조사수단(120)내 광원(LS)에서는 백색광을 발생시켜 스크린상에 얼라인되어 있는 기판(G)에 조사한다.The light source LS in the light irradiation means 120 of the plurality of optical particle sensors 103 constituting the foreign matter detection apparatus 100 according to the present invention generates white light and is aligned on the screen. Investigate.

상기 광원(LS)에서 발생되는 백색광은 렌즈 어셈블리(121)에 의해 집속되어 빛 통과부재(123)의 슬릇(123a)을 통과한 다음 제1필터(124)를 통과하게 된다.The white light generated by the light source LS is focused by the lens assembly 121, passes through the slot 123a of the light passing member 123, and then passes through the first filter 124.

이때, 제1 필터(125)는 광원(LS)의 백색광을 필터링하여 적절한 파장분포(스펙트럼)를 가지는 빛 만을 통과시켜 광 집속수단(140)에 조사한다.At this time, the first filter 125 filters the white light of the light source LS to pass through only the light having an appropriate wavelength distribution (spectrum) and irradiates the light focusing unit 140.

상기 광 집속수단(140)은 렌즈 어셈블리를 이용한 색수차에 의하여 상기 파장분포(스펙트럼)에 대하여 그 중 좁은 선폭의 파장(스펙트럼)은 기판(G)의 고정된 제1위치에 초점(A)이 맺히고, 나머지의 파장들(스펙트럼)은 기판(G)상의 제1 위치를 제외한 깊이에 초점들(B)이 맺히도록 한다.The light converging means 140 has a narrow line width (spectrum) of the focus A at a fixed first position of the substrate G with respect to the wavelength distribution (spectrum) due to chromatic aberration using a lens assembly. The remaining wavelengths (spectrum) cause the focal points B to be at a depth except for the first position on the substrate G.

상기와 같이 기판(G) 상에 초점들이 맺히도록 조사된 여러 파장들의 광 중 기판(G)의 표면 및 이물질 입자(P) 표면에 초점이 맞은 파장의 빛과 이를 제외한 나머지 파장들의 빛은 반사되어 빔 스플리터(160)에 의해 진행 방향이 전환되고 검출수단(180)측으로 조사된다.As described above, light of the wavelength focused on the surface of the substrate G and the surface of the foreign matter particle P and the light of the remaining wavelengths except for the light of the various wavelengths irradiated to focus on the substrate G are reflected. The traveling direction is switched by the beam splitter 160 and irradiated to the detection means 180 side.

이때, 상기 검출수단(180)내의 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 빛 중 기판(G) 표면 및 이물질 입자(P) 표면에 초점이 가장 잘 맞았던 파장의 빛에 대해서만 가장 강한 세기로 통과시켜 렌즈 어셈블리(183)를 통해 집속시킨 다음 빔 스플리터(185)를 통해 반사되는 빛을 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 갈래로 분리한다.At this time, the light passing member 181 in the detection means 180 is the wavelength that was most focused on the surface of the substrate (G) and the surface of the foreign matter particle (P) of the light irradiated by being turned by the beam splitter 160 Pass the light with only the strongest intensity to focus through the lens assembly 183, and then pass the light reflected through the beam splitter 185 according to the wavelength or reflected at a predetermined angle to separate into two.

상기와 같이 검출수단(180)내의 빔 스플리터(185)에 의해 분리된 각 빛 중에서 하나의 빛은 제2필터(187)의 파장에 따른 투과율 특성에 의해 적당한 세기를 갖게하여 제1촬상소자(191)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송되고, 다른 하나의 빛은 다른 파장에 따른 투과율 특성이 제2필터(187)와는 다른 제3필터(189)의 투과율 특성에 의해 적당한 세기를 갖게하여 제2촬상소자(193)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송된다.As described above, one light among the lights separated by the beam splitter 185 in the detecting unit 180 has an appropriate intensity by the transmittance characteristic according to the wavelength of the second filter 187 so that the first imaging device 191 ) Is transmitted to the controller C, and the other light has a transmittance characteristic according to a different wavelength to have a proper intensity by the transmittance characteristic of the third filter 189 different from the second filter 187. It is input to the imaging device 193 and transmitted to the controller C.

상기의 컨트롤러(C)는 제1촬상소자(191) 및 제2촬상소자(193)에서 입력되는 기판(G)으로부터의 두 개 광에 대한 세기를 검출한 다음, 내부의 차동 증폭기를 이용하여 미분(B = S2/S1) 혹은 차 연산(B = S2-S1)하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출한다.The controller C detects the intensities of the two lights from the substrate G input from the first image pickup device 191 and the second image pickup device 193, and then differentiates them using an internal differential amplifier. (B = S2 / S1) or difference calculation (B = S2-S1) to extract the sensitivity between two wavelengths as a one-dimensional function.

이후, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 5의 기준 데이터에 적용 비교하여 해당 파장을 추출하고, 이로부터 광 조사수단(120)에서 조사된 빛의 파장에 대한 깊이 정보를 추출함으로써, 기판(G)의 표면상에 이물질 입자(P)의 존재 여부와 이물질 입자(P)의 위치를 검색하도록 한다.Thereafter, the extracted function value is converted into a digital signal through the A / D conversion means, and applied to the reference data of FIG. 5 to extract the corresponding wavelength, and from this, the wavelength of the light irradiated from the light irradiation means 120. By extracting the depth information for, the presence of foreign matter particles P on the surface of the substrate G and the location of the foreign matter particles P are searched.

상기에서 광 조사수단(120)에서 기판(G) 표면의 허용 오차범위 이외의 깊이에 해당하는 파장이 검출될 경우, 작업 대상물(G)의 표면상에 이물질 입자(P0가 조재함을 인지한다.When a wavelength corresponding to a depth other than the allowable error range of the surface of the substrate G is detected by the light irradiation means 120, it is recognized that foreign matter particles P0 are present on the surface of the work object G.

따라서, 컨트롤러(C)는 상기와 같이 검출되는 두 광의 세기 신호를 미분 혹은 차 연산한 차이를 1차 함수로 추출하고, 이를 메모리수단에 저장되어 있는 도 6의 기준 데이터와 비교함으로써, 기판(G)에 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지의 여부와 그 크기 및 두께를 검출할 수 있게 된다.Therefore, the controller C extracts the difference obtained by differentiating or differentially calculating the intensity signals of the two lights detected as described above as a linear function and compares the difference with the reference data of FIG. 6 stored in the memory means. It is possible to detect whether the foreign matter particles (P) is present in the), its size and thickness.

상기와 같이 추출되는 작업 대상물(G)의 표면상에 대한 이물질 입자(P)의 존재 유무에 대한 정보는 표시수단를 통해 표시되며, 기판(G)의 표면에서 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치인 박막성형기(200)에 해당 정보를 제공하여, 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다.Information on the presence or absence of foreign matter particles (P) on the surface of the work object (G) extracted as described above is displayed through the display means, the presence of foreign matter particles (P) is detected on the surface of the substrate (G) In this case, the corresponding information is provided to the thin film molding machine 200, which is a phosphor coating liquid ejecting device or a film attaching device, which is a peripheral device to be interlocked, so that a proper response according to the presence of foreign matter particles P can be performed.

한편, 상기 박막 성형기(200)는 기판(G)에 필름을 코팅하거나 또는 액막을 형성시킬 수 있는 통상의 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등이 사용될 수 있다.On the other hand, the thin film forming machine 200 may be used a conventional coating liquid ejecting device or film attachment device that can coat a film on the substrate (G) or form a liquid film.

이와 같이 이루어지는 본 발명은 이물질 제거기(30), 이물질 감지기(100), 그리고 박막성형기(200)가 실선 화살표 방향으로 이동되는 경우에 이물질 제거기(30)에서 기판(G)에 존재할 수 있는 이물질을 진공에 의하여 흡착하여 제거한다. 이때 이물질은 고압으로 공급되는 공기와 이에 의해서 기판에서 이탈된 후 후면에 위치한 고압의 진공에 의해 흡입되거나 고안의 공기공급로 상에 설치되어 이온을 발생하는 이오나이저(31)에 의하여 이물질에 존재할 수 있는 정전기가 상쇄되면서 진공경로로 흡착 작업이 이루어지는 것이다. 계속해서 상기 이물질 제거기(30)를 따라 이동하는 이물질 감지기(100)는 상술한 원리에 의하여 아직 제거되지 않은 이물질이 있는지를 감지한다. 그리고 상기 이물질 제거기(30)에 의하여 이물질이 제거된 기판(G)에 박막 성형기(200)가 이동하면서 작업 공정에 따라 필름의 코팅(도 3에 도시하고 있음) 또는 액막(도 1 및 도 2에 도시하고 있음)을 형성하는 작업을 한다.According to the present invention, the foreign material remover 30, the foreign material detector 100, and the thin film molding machine 200 are vacuumed in the foreign material which may exist on the substrate G in the foreign material remover 30 when the foreign material remover 30 is moved in the solid arrow direction. By adsorption. At this time, the foreign matter may be present in the foreign matter by the ionizer 31 generating air by being sucked by a high pressure vacuum located at the rear side after being separated from the substrate by air supplied at high pressure and installed on the air supply path of the present invention. As the static electricity is canceled, the adsorption work is performed by the vacuum path. Subsequently, the foreign material detector 100 moving along the foreign material remover 30 detects whether there is a foreign material that has not yet been removed by the above-described principle. Then, the thin film molding machine 200 is moved to the substrate G from which the foreign matters are removed by the foreign material remover 30, and the coating of the film (shown in FIG. 3) or the liquid film (see FIGS. 1 and 2) according to the working process. Shown in the figure).

만약, 이 과정에서 이물질 감지기(100)에 의하여 기판(G) 상에 이물질이 존재하는 것이 검출되면, 컨트롤러(C)의 제어에 의하여 이물질 제거기(30)를 이물질이 존재하는 위치까지 이동시켜 다시 제거 작업을 할 수 있도록 하거나 또는 필름의 코팅 또는 액막 성형 작업을 중지시켜 별도의 작업을 통하여 이물질을 제거하도록 함으로써 기판(G)에 존재하는 이물질로 인하여 불량 기판(G)이 생산되는 것을 막을 수 있다. 이러한 본 발명의 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치는 기판(G) 상에 존재하는 이물질을 이미 제거한 후에도 이물질이 존재하는지를 확인하여 이물질에 의하여 손상될 수 있는 고가의 박막 성형기를 보호할 수 있는 것이다.If foreign matters are detected on the substrate G by the foreign material detector 100 in this process, the foreign material remover 30 is moved to the position where the foreign material exists by the control of the controller C and then removed again. It is possible to prevent the production of the defective substrate (G) due to the foreign matter present in the substrate (G) by allowing the operation or by stopping the coating or liquid film forming operation of the film to separate the foreign matter through a separate operation. The thin film molding apparatus having a foreign material removal and detection function according to the present invention can protect an expensive thin film molding machine that may be damaged by foreign materials by checking whether the foreign material exists even after the foreign material existing on the substrate G has already been removed. will be.

이와 같이 본 발명은 기판이 이송되는 방향을 기준으로 이물질 제거기 및 이물질 감지기, 그리고 박막성형기를 순차적으로 배치하여 기판에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 이물질이 완벽하게 제거되었는가를 검사하고, 기판에 박막의 코팅층을 형성하는 기술을 제공하여 이물질로 인하여 발생할 수 있는 고가의 박막 성형기의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention sequentially removes the foreign substances that may exist on the substrate by sequentially placing the foreign material remover, the foreign material detector, and the thin film molding machine on the basis of the direction in which the substrate is transported, and examines whether the foreign substances have been completely removed. Providing a technology of forming a coating layer of the can reduce the damage of expensive thin film molding machine that can occur due to foreign matter, there is an effect that can significantly reduce the defective rate of the substrate.

도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 박막성형장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a thin film forming apparatus for explaining an embodiment according to the present invention.

도 2는 도 1의 A-A부를 절개하여 개략적으로 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating the cut portion A-A of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 다른 적용 예를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining another application example of the present invention.

도 4 내지 도6은 본 발명에 적용될 수 있는 센서의 구성 및 작동원리를 설명하기 위한 구성도 및 그래프이다.4 to 6 are configuration diagrams and graphs for explaining the configuration and operation principle of the sensor that can be applied to the present invention.

Claims (7)

기판에 필름 또는 액막을 형성시키는 박막성형장치에 있어서,In a thin film forming apparatus for forming a film or a liquid film on a substrate, 상기 기판의 일면에 배치되며, 상기 기판의 일면에 존재하는 이물질을 흡입하여 이물질을 제거하는 이물질 제거기;A foreign material remover disposed on one surface of the substrate and configured to remove foreign substances by suctioning foreign substances present on one surface of the substrate; 상기 이물질 제거기의 일측에 배치되어 상기 기판의 일면에 이물질 존재여부를 센싱하는 이물질 감지기;A foreign material detector disposed on one side of the foreign material remover and configured to sense whether a foreign material exists on one surface of the substrate; 상기 이물질 감지기의 일측에 설치되어 상기 기판에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기;A thin film molding machine installed at one side of the foreign material detector to form a thin film or a liquid film on the substrate; 를 포함하는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.Thin film forming apparatus with a foreign material removal and detection function comprising a. 제1항에 있어서, 상기 이물질 제거기, 상기 이물질 감지기, 그리고 상기 박막성형기는 기판의 진행 방향에 따라 순차적으로 배치되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.The thin film molding apparatus of claim 1, wherein the foreign material remover, the foreign material detector, and the thin film molding machine are sequentially disposed in accordance with a traveling direction of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 이물질 제거기는 The foreign material remover of claim 1, wherein 급기와 진공에 의하여 기판 위에 존재하는 이물질을 흡입하여 제거하는 이물질 제거수단;Foreign substance removal means for sucking and removing foreign substances present on the substrate by air supply and vacuum; 상기 진공 수단에 의하여 흡착될 수 있도록 상기 기판 위에 존재하는 이물질의 정전기를 제거하는 이오나이저;An ionizer for removing static electricity of foreign matter present on the substrate to be adsorbed by the vacuum means; 를 더 포함하는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.Thin film forming apparatus with a foreign material removal and detection function further comprising. 제1항에 있어서, 상기 이물질 감지기는 The foreign material detector of claim 1, wherein 상기 기판 및 상기 기판의 상부에 배치되는 이물질에 반사되는 빛의 파장에 따라 다른 초점 거리를 가지는 것에 의하여 이물질의 존재여부를 검출하는 광학 파티클 센서가 라인형태로 다수가 배치되며, 상기 기판의 진행 방향에 대하여 일정한 각을 가지는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.A plurality of optical particle sensors are disposed in a line shape to detect the presence of foreign substances by having different focal lengths according to the wavelength of light reflected by the light reflected on the substrate and the foreign substances disposed on the substrate. Thin film forming apparatus with foreign material removal and detection function with constant angle 제4항에 있어서, 상기 광학 파티클 센서는The method of claim 4, wherein the optical particle sensor 광원;Light source; 상기 광원으로부터 조사되는 빛을 두 그룹의 파장으로 분리하는 제1 필터;A first filter separating the light emitted from the light source into two groups of wavelengths; 상기 제1필터를 통과한 빛이 색수차에 의하여 서로 다른 초점 거리를 가지도록 하는 렌즈 그룹;A lens group for allowing light passing through the first filter to have different focal lengths due to chromatic aberration; 상기 제1필터 및 상기 렌즈 그룹 사이에 배치되며, 상기 두 그룹의 파장을 가지는 빛은 통과시키고, 상기 기판 및 상기 기판의 상면에 존재하는 이물질에 반사되는 빛의 각도를 바꾸어 반사시키는 빔 스플리터;A beam splitter disposed between the first filter and the lens group and configured to allow light having the wavelengths of the two groups to pass therethrough, and to change and reflect an angle of light reflected by the substrate and the foreign matter present on the upper surface of the substrate; 상기 빔 스플리터에서 반사되는 빛을 통과시키는 제2,3필터;Second and third filters passing through the light reflected by the beam splitter; 상기 제2,3필터를 통과하는 두 그룹의 파장을 각각 센싱하는 두 개의 촬상소자;Two imaging devices each sensing two groups of wavelengths passing through the second and third filters; 상기 촬상소자에 의하여 감지된 두 그룹의 파장을 가지는 빛의 감도 차를 연산하여 파장의 차이에 따라 이물질 유무를 판단하는 컨트롤러;A controller configured to calculate a sensitivity difference of light having two groups of wavelengths detected by the image pickup device, and determine whether there is a foreign matter according to the difference in wavelength; 를 더 포함하는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.Thin film forming apparatus with a foreign material removal and detection function further comprising. 제5항에 있어서, 상기 촬상소자의 앞쪽에는 서로 다른 대역의 파장이 상기 촬상소자에 맺히도록 제2,3필터가 배치되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.6. The thin film forming apparatus according to claim 5, wherein second and third filters are disposed in front of the image pickup device such that wavelengths of different bands are formed on the image pickup device. 제5항에 있어서, 상기 광원과 제1필터 사이에는 광원에서 조사되는 빛이 통과할 수 있도록 기판의 진행 방향에 대하여 직각 또는 일정한 각을 이루는 슬릿이 구비된 빛 통과부재가 제공되는 이 제공되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치.The foreign substance according to claim 5, wherein a light passing member is provided between the light source and the first filter, wherein the light passing member is provided with a slit at a right angle or a constant angle with respect to a traveling direction of the substrate so that light emitted from the light source can pass therethrough. Thin film forming equipment with removal and detection functions.
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