KR20050102323A - Coating thickness detector system and method of thin film forming process - Google Patents
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Abstract
박막 성형공정에서 작업 대상물의 표면에 정밀 도막이나 미세 박막을 성형하는 과정에서 작업면에 대한 코팅 막의 두께를 비접촉 방식에 의해 연속적으로 측정하고, 측정된 결과에 따른 피드백 제어를 실행시켜 균일한 코팅 막의 두께가 성형되도록 하는 것으로,In the process of forming a precision coating film or a fine thin film on the surface of the workpiece in the thin film forming process, the thickness of the coating film on the working surface is continuously measured by a non-contact method, and feedback control is performed according to the measured result to obtain a uniform coating film. To make the thickness molded,
작업 대상물, 작업 대상물을 일정속도로 이송시키는 수단, 이송수단의 외측 중심 라인에 배치되어 상기 이송되는 작업 대상물의 표면에 코팅 막을 성형시키는 도포액 토출장치, 코팅 막이 성형되어 이송되는 작업 대상물의 상부면에 배치 고정되어 상기 작업 대상물의 표면에 넓은 파장 분포를 갖는 백색광을 조사하고, 작업 대상물의 코팅 막에서 반사는 반사광을 검출 분석하여 코팅 막의 두께를 검출하는 코팅 두께 검출장치를 포함한다.A workpiece, a means for transferring the workpiece at a constant speed, a coating liquid discharge device disposed on the outer center line of the transfer means to form a coating film on the surface of the workpiece to be transported, and an upper surface of the workpiece to which the coating film is molded and transported And a coating thickness detector configured to be disposed at and fixed to irradiate white light having a wide wavelength distribution on the surface of the workpiece, and to reflect the reflected light from the coated film of the workpiece by detecting and analyzing reflected light.
또한, 코팅 막이 성형되는 작업 대상물의 표면에 파장에 따라 다른 깊이에 초점이 맺게 하는 과정, 작업 대상물의 표면에서 반사되는 광을 수집하고 파장을 분석하는 과정, 분석되는 광을 라인 추적 기법과 벡터 분석 기법을 적용하여 코팅 막의 두께를 추출하는 과정, 추출된 코팅 막의 두께에 따라 코팅 막을 성형시키는 도포액의 토출량을 피드백 제어하는 과정을 포함한다.In addition, the process of causing the coating film to focus on the surface of the workpiece to be formed at a different depth depending on the wavelength, collecting light reflected from the surface of the workpiece, analyzing the wavelength, and analyzing the light being analyzed by line tracking and vector analysis. Extracting the thickness of the coating film by applying a technique; and controlling feedback of the discharge amount of the coating liquid for forming the coating film according to the extracted coating film thickness.
따라서, 작업 대상물의 표면에 코팅 막을 성형하는 과정에서 코팅된 막의 두께를 실시간으로 검출하여 연동되는 장치를 피드백 제어함으로써, 균일한 코팅 막 두께의 성형으로 제품의 신뢰성을 제공하고 이에 따라 불량 발생을 배제시켜 공정의 안정성을 제공한다.Therefore, by forming a coating film on the surface of the workpiece to detect the thickness of the coated film in real time and feedback control the interlocking device, thereby providing the reliability of the product by forming a uniform coating film thickness, thereby eliminating defects To provide stability of the process.
또한, 작업 대상물에 대한 코팅 막 두께의 검출 데이터로부터 연동되는 주변장치의 상태를 진단할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can diagnose the state of the peripheral device to be interlocked from the detection data of the coating film thickness on the workpiece.
Description
본 발명은 박막 성형공정에서 코팅 막의 두께를 검출하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 작업 대상물의 표면에 정밀 도막이나 미세 박막을 성형하는 과정에서 작업 면에 대한 코팅 막의 두께를 비접촉 방식에 의해 연속적으로 측정하고, 측정된 결과에 따른 피드백 제어를 실행시켜 균일한 코팅 막의 두께가 성형되도록 하는 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for detecting the thickness of a coating film in a thin film forming process, and more particularly, in the process of forming a fine coating film or a fine thin film on the surface of a work object, the thickness of the coating film on the working surface is continuously controlled by a non-contact method. The present invention relates to a coating thickness detecting apparatus and a method in a thin film forming process for measuring a thickness of a film, and performing feedback control according to the measured result to form a uniform coating film thickness.
일반적으로 박막 성형공정에서는 도포액 토출장치를 이용하여 작업 대상물인 평판 디스플레이 패널의 글라스(LCD)나 격자 배열을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 글라스 등의 표면에 미세한 형광체 코팅 막을 부착하거나 박막 전극의 표면에 미세한 흑연 막을 정밀 코팅한다.In general, in the thin film forming process, a fine phosphor coating film is attached to a surface of a glass (LCD) of a flat panel display panel, which is a work object, or a glass of a plasma display panel having a lattice arrangement, or a fine surface is formed on a surface of a thin film electrode using a coating liquid discharge device. Precise coating of graphite film.
이러한 코팅 막의 균일성 유지는 해당 제품의 품질을 좌우하는 아주 중요한 요소이나 도포액 토출장치의 노즐(Nozzle)에 유입되는 압력의 편차나 노즐 자체의 노후화 등의 이유로 인하여 도포액이 균일한 양으로 토출되지 않음에 따라 코팅 막의 두께에 편차가 발생하게 되어 작업 대상물의 품질 저하를 유발시키게 되고, 심한 경우 고가의 글라스 및 전극이 불량으로 처리되어 파기되거나 클리닝 과정을 다시 거쳐야 하는 공정상의 많은 문제점이 발생한다.Maintaining the uniformity of the coating film is a very important factor that affects the quality of the product, or the coating liquid is discharged in a uniform amount due to pressure variation in the nozzle of the coating liquid discharge device or aging of the nozzle itself. As a result, the thickness of the coating film is deviated, leading to deterioration of the quality of the workpiece. In severe cases, expensive glass and electrodes are treated as defective and destroyed, or many problems occur in the process of having to go through the cleaning process again. .
따라서, 상기한 바와 같이 작업 대상물에 코팅 막을 성형하는 과정에서 균일한 코팅 막의 두께를 유지시키기 위하여 유도형 검출센서를 적용하여 코팅된 미세 표면의 두께 및 거리를 측정하는 방법을 적용하고 있으나, 코팅되는 두께의 오차 정도가 대략적으로, 1-2㎛ 정도로 극히 미세하므로 정밀한 측정이 불가능하여 지속적인 두께 편차가 유발되어 제품의 신뢰성을 보장하여 주지 못하는 단점이 있다.Therefore, in order to maintain a uniform coating film thickness in the process of forming a coating film on the workpiece as described above, a method of measuring the thickness and distance of the coated micro surface by applying an inductive detection sensor is applied. Since the error of the thickness is about 1 to 2 μm, the microscopic measurement is not possible, so it is impossible to precisely measure the thickness.
또한, 상기의 유도형 검출센서는 작업 대상물이 금속인 경우에만 가능하므로, 매질이 비금속인 경우에는 적용이 불가능한 문제점이 발생한다.In addition, the above-described inductive detection sensor is possible only when the workpiece is a metal, the problem occurs that can not be applied when the medium is a non-metal.
또한, 다른 방법으로 정전 용량센서 및 초음파 센서를 적용하여 코팅된 두께를 측정하는 방법이 적용되고 있으나, 측정도가 너무 커서 미세 측정에 적용하는데 에는 많은 문제점이 발생한다.In addition, a method of measuring a coated thickness by applying a capacitive sensor and an ultrasonic sensor as another method has been applied, but the measurement degree is so large that there are many problems to apply to fine measurement.
특히, 불투명 필름에 코팅 작업을 수행하는 경우에 있어 코팅된 작업 면에 대한 두께를 측정하는데는 더욱 더 어려운 문제점이 발생한다.In particular, in the case of performing a coating operation on the opaque film, a problem more difficult to measure the thickness of the coated working surface occurs.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 작업 대상물의 표면에 정밀 도막이나 미세 박막을 부착되는 과정에서 작업 대상물 표면의 베이스 라인과 코팅된 면에 파장에 따라 다른 깊이에 초점이 맺히도록 광을 조사하고, 작업 대상물의 표면에서 반사되는 반사광의 파장을 분석함으로써 작업 면에 대한 코팅 두께를 비접촉 방식에 의해 연속적으로 측정하고, 측정된 결과에 따른 피드백 제어를 실행시켜 균일한 코팅 막의 두께가 성형되도록 한 것이다.The present invention has been proposed to solve the above problems, and its object is to focus on different depths depending on the wavelength of the base line and the coated surface of the workpiece surface in the process of attaching a fine coating film or a fine thin film to the surface of the workpiece. By irradiating light to form a light, by analyzing the wavelength of the reflected light reflected from the surface of the workpiece, the coating thickness on the working surface is continuously measured by a non-contact method, and the feedback control according to the measured result is executed to perform a uniform coating. The thickness of the membrane is to be molded.
또한, 본 발명의 다른 목적은 작업 대상물 표면에 대한 미세한 코팅 막의 두께 검출을 통해 유지 관리를 위한 데이터 및 측정 데이터로 활용할 수 있도록 한 것이다.In addition, another object of the present invention is to be able to utilize as data and measurement data for maintenance through the detection of the thickness of the fine coating film on the surface of the workpiece.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 박막 성형공정에 있어서, 작업 대상물; 상기 작업 대상물을 일정속도로 이송시키는 수단; 상기 이송수단의 외측 중심 라인에 배치되어 상기 이송되는 작업 대상물의 표면에 코팅 막을 성형시키는 도포액 토출장치; 상기 코팅 막이 성형되어 이송되는 작업 대상물의 상부면에 배치 고정되어 상기 작업 대상물의 표면에 파장에 따라 다른 깊이에 초점이 맺히는 형태로 광을 조사하고, 작업 대상물의 코팅 막에서 반사는 반사광을 검출 분석하여 코팅 막의 두께를 검출하는 코딩 두께 검출장치를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention in order to achieve the above object in the thin film forming process, the workpiece; Means for transporting the work object at a constant speed; A coating liquid discharge device disposed on an outer center line of the transfer means to form a coating film on the surface of the workpiece to be transferred; The coating film is formed and fixed on the upper surface of the workpiece to be transported, and is irradiated with light in a form in which the surface of the workpiece is focused at a different depth depending on the wavelength, and the reflection from the coating film of the workpiece detects and analyzes reflected light. It characterized in that it comprises a coding thickness detector for detecting the thickness of the coating film.
또한, 작업 작업물의 표면에 코팅 막 성형이 개시되면 광 파티클 센서는 광을 발생시켜 조사하는 과정; 상기 조사되는 광의 각 파장에 대하여 다른 깊이에 초점이 맺히도록 조사하는 과정; 상기 작업 대상물의 표면에서 반사되는 반사광을 수집하여 각 파장을 분석하는 과정; 상기 분석된 파장으로부터 작업 대상물의 양측 베이스 라인의 선 성분을 추출하는 과정; 상기 양측 베이스 라인간의 기울기와 절편을 추출하고, 이를 적용하여 측정된 데이터의 기울어진 곡선을 평활화시켜 순수한 코팅 면 데이터를 추출하는 과정; 상기 코팅 평면의 각 셀 영역에 대한 벡터 성분을 추출 연산하여 노말 벡터를 추출하는 과정; 상기 추출된 노말 벡터에 각 픽셀의 스칼라 양을 곱 연산하고, 카티시안 좌표내의 벡터 변환을 통해 3D 공간 좌표로 추출하는 과정; 상기 3D 공간 좌표로부터 코팅 막의 두께가 상이한 굴곡 면을 추출하여 코팅 막의 두께 편차를 검출한 다음 코팅 액의 분사량을 피드백 제어하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출방법을 제공한다.In addition, when the coating film forming is started on the surface of the workpiece, the optical particle sensor generates a light irradiation; Irradiating each of the wavelengths of the irradiated light to focus at different depths; Analyzing each wavelength by collecting reflected light reflected from the surface of the workpiece; Extracting line components of both baselines of the workpiece from the analyzed wavelengths; Extracting inclination and intercept between the base lines on both sides and applying the same to smooth the inclined curve of the measured data to extract pure coating surface data; Extracting a normal vector by extracting and calculating a vector component for each cell region of the coating plane; Multiplying the extracted normal vector by a scalar amount of each pixel and extracting the extracted normal vector into 3D spatial coordinates through vector transformation in Cartesian coordinates; It provides a coating thickness detection method in a thin film forming process, comprising the step of extracting the curved surface having a different thickness of the coating film from the 3D spatial coordinates to detect the thickness variation of the coating film and then feedback control of the injection amount of the coating liquid. .
또한, 코팅 막이 성형되는 작업 대상물의 표면에 광을 조사하는 과정; 상기 작업 대상물의 표면에서 반사되는 광을 수집하여 파장을 분석하는 과정; 상기 파장 분석된 광을 라인 추적 기법과 벡터 분석 기법을 적용하여 코팅 막의 두께를 추출하는 과정; 상기 추출된 코팅 막의 두께에 따라 코팅 막을 성형시키는 도포액의 토출량을 피드백 제어하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출방법을 제공한다.In addition, the step of irradiating light to the surface of the workpiece to be coated coating film; Analyzing wavelengths by collecting light reflected from the surface of the workpiece; Extracting the thickness of the coating film from the wavelength-analyzed light by applying a line tracking technique and a vector analysis technique; According to the thickness of the extracted coating film provides a coating thickness detection method in a thin film forming process comprising the step of controlling the feedback of the discharge amount of the coating liquid for forming the coating film.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 개략적인 사시도로, 박막 전극의 표면에 흑연 막을 코팅하는 시스템에서 전극재의 코팅 두께를 검출하는 시스템의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic perspective view for explaining an embodiment according to the present invention, which is a schematic configuration diagram of a system for detecting a coating thickness of an electrode material in a system for coating a graphite film on a surface of a thin film electrode.
도면에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시 예는 작업 대상물인 박막 전극(G ; 이하 전극이라 한다.), 상기 전극(G)을 이송시키는 롤러(R), 상기 롤러(R)의 외측 중심 라인에 배치되어 상기 이송되는 전극(G)의 표면에 전극재를 코팅시키는 도포액 토출장치(200), 그리고 상기 전극재가 코팅되어 이송되는 전극(G)의 상부면에 배치 고정되어 광의 조사 및 전극(G)의 코팅 면에서 반사는 반사광을 분석하는 코딩 두께 검출장치(100)로 구성된다.As can be seen in the drawings, an embodiment of the present invention is a thin film electrode (hereinafter referred to as an electrode), which is a work object, a roller R for transferring the electrode G, and an outer center of the roller R. The coating liquid discharge device 200 which is disposed in a line and coats an electrode material on the surface of the electrode G to be transferred, and is fixed to an upper surface of the electrode G to which the electrode material is coated and transported to be irradiated with light and the electrode. Reflection at the coating surface of (G) is composed of a coding thickness detection device 100 for analyzing the reflected light.
상기 코팅 두께 검출장치(100)는 작업 대상물인 전극(G)의 표면에 미세하게 코팅되는 코팅 막의 두께를 검출할 수 있도록, 작업 대상물인 전극(G)의 폭 방향으로 복수개의 광학 파티클 센서(103)가 일정한 간격으로 배치되며 이송되는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지는 라인 형태로 설치된다.The coating thickness detecting apparatus 100 may detect a plurality of optical particle sensors 103 in the width direction of the electrode G, which is the workpiece, in order to detect a thickness of the coating film minutely coated on the surface of the electrode G, which is the workpiece. ) Are arranged at regular intervals and installed in a line shape having a right angle or a constant inclination angle with respect to the conveying direction.
따라서, 라인 형태를 가지는 코팅 두께 검출장치(100)는 광원의 파장에 따라 서로 다른 깊이에 초점이 맺히도록 작업 대상물 표면의 베이스 라인과 코팅된 면에 조사하고, 작업 대상물의 각 표면에서 반사되는 반사광의 분석함으로써 작업 면에 대한 코팅 막의 두께를 비접촉 방식에 의해 연속적으로 측정하고, 측정된 결과에 따른 피드백 제어를 실행시켜 균일한 코팅 막의 두께가 성형될 수 있도록 하며, 검출되는 코팅 막의 두께에 대한 데이터를 도포액 토출장치의 유지 관리를 위한 데이터로 활용하며, 이에 관련되는 각종 작업에 있어 기준 데이터로 활용할 수 있도록 한다.Therefore, the coating thickness detecting apparatus 100 having a line shape irradiates the base line and the coated surface of the surface of the work object so as to focus at different depths according to the wavelength of the light source, and the reflected light reflected from each surface of the work object. The thickness of the coating film on the working surface was continuously measured by a non-contact method by performing the analysis, and the feedback control according to the measured result was executed so that the uniform coating film thickness could be formed, and the data on the thickness of the coating film detected. To be used as data for maintenance of the coating liquid discharge device, and to be used as reference data in various operations related thereto.
상기 코팅 막 두께 검출장치(100)를 이루는 광학 파티클 센서(103)의 구조에 대하여 도 2를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.The structure of the optical particle sensor 103 constituting the coating film thickness detecting apparatus 100 will be described in more detail with reference to FIG. 2.
상기 광학 파티클 센서(103)는 광, 바람직하게는 백색 광을 발생시켜 조사하는 광 조사수단(120), 상기 광 조사수단(120)에서 조사된 광을 집속하여 상기 작업 대상물인 전극(G)의 표면 부근에 파장에 따라 다른 깊이에 초점들이 맺히게 하는 광 집속수단(140), 상기 전극(G)의 표면에서 반사되는 반사광의 방향을 전환시키는 빔 스플리터(160), 그리고 상기 빔 스플리터(160)의 방향 전환에 따라 검출되는 반사광의 파장을 검출하는 검출수단(180)을 구비할 수 있다. The optical particle sensor 103 focuses the light irradiating means 120 for generating light, preferably white light, and irradiates the light irradiated from the light irradiating means 120 to form an object G. The light converging means 140 for focusing at different depths depending on the wavelength near the surface, the beam splitter 160 for changing the direction of the reflected light reflected from the surface of the electrode G, and the beam splitter 160 It may be provided with a detection means 180 for detecting the wavelength of the reflected light detected in accordance with the change of direction.
그리고 상기 검출수단(180)은 상기 전극(G)의 표면으로부터 반사된 반사광의 세기를 제1,2 촬상소자(191,193)가 각 소자가 가지고 있는 파장별 감도에 따라 센싱하고, 센싱된 감도의 분석 및 설정된 알고리즘을 통해 연산으로 코팅 막의 두께를 측정하는 컨트롤러(C)에 전송할 수 있는 구조를 가진다. The detection unit 180 senses the intensity of the reflected light reflected from the surface of the electrode G according to the sensitivity for each wavelength of each of the first and second imaging devices 191 and 193, and analyzes the sensed sensitivity. And it has a structure that can be transmitted to the controller (C) for measuring the thickness of the coating film by calculation through a set algorithm.
상기 광 조사수단(120)은 백색 광을 발생시키는 광원(LS), 상기 광원(LS)에서 발생된 광을 집속하는 렌즈 어셈블리(121), 상기 렌즈 어셈블리(121)에서 집속된 광을 통과시키는 광 통과부재(123), 그리고 상기 광 통과부재(123)를 통과한 광에 대하여 파장별로 감도를 조정하는 제1 필터(125)를 포함한다.The light irradiating means 120 includes a light source LS for generating white light, a lens assembly 121 for condensing light generated by the light source LS, and light passing through the light focused in the lens assembly 121. Passing member 123, and the first filter 125 for adjusting the sensitivity for each wavelength of the light passing through the light passing member 123.
상기 광원(LS)은 백색 광을 조사할 수 있는 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다. The light source LS may emit white light, and a conventional one may be used.
상기 광 통과부재(123)는 일정한 길이의 슬릿(123a)이 형성되고, 상기 렌즈 어셈블리(121)의 초점 위치에 배치되며, 슬릿(123a)을 통하여 광원(LS)의 광이 통과할 수 있는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. The light passing member 123 has a slit 123a having a predetermined length, is disposed at a focal position of the lens assembly 121, and a position through which the light of the light source LS can pass through the slit 123a. It is preferably arranged in.
특히, 상기 광 통과부재(123)에 제공되는 슬릿(123a)은 작업 대상물인 전극(G)의 진행 방향 표면에 대하여 수직 또는 일정한 경사를 가지도록 긴 형태의 장 홀로 이루어지는 것 바람직하다. In particular, the slit 123a provided in the light passing member 123 is preferably formed of an elongated long hole so as to have a vertical or constant inclination with respect to the surface in the traveling direction of the electrode G, which is a work object.
상기 제1 필터(125)는 작업 대상물인 전극(G)의 표면에 조사되는 광에 대하여 파장의 분포(스펙트럼)가 조정되어 통과될 수 있도록 필터링 하는 역할을 한다.The first filter 125 serves to filter the wavelength distribution (spectrum) of the light irradiated onto the surface of the electrode G, which is the workpiece, to be adjusted and passed.
상기 광 집속수단(140)은 색수차에 의하여 광의 파장에 따라 초점 거리가 달라질 수 있도록 하는 렌즈 어셈블리로 이루어지며, 그 초점은 작업 대상물인 전극(G)의 베이스 라인(A)과 전극(G) 표면의 코팅 막(B) 깊이 부근에 맺히도록 한다.The light converging means 140 is composed of a lens assembly that allows the focal length to be varied according to the wavelength of light due to chromatic aberration, and the focus is on the base line A and the surface of the electrode G as the work object. To form near the depth of the coating film (B).
이러한 광 집속수단(140)은 존 플레이트 또는 플래널 렌즈가 사용될 수 있다.The light focusing unit 140 may be a zone plate or a panel lens.
한편, 상기한 빔 스플리터(160)는 상기 광 조사수단(120)과 상기 광 집속수단(140) 사이에 배치되어 상기 광원(LS)의 광을 통과시키고, 광 집속수단(140)을 통과하여 전극(G)의 베이스 라인(A) 및 코팅 막(B) 깊이 부근에 초점이 맺히도록 하며, 전극(G)의 베이스 라인(A) 및 코팅 막(B)의 표면에서 반사되는 반사광을 검출수단(180)측으로 조사되도록 방향을 전환시키는 역할을 한다.On the other hand, the beam splitter 160 is disposed between the light irradiation means 120 and the light focusing means 140 to pass the light of the light source LS, and passes through the light focusing means 140 to the electrode Detecting the reflected light reflected from the surface of the base line (A) and the coating film (B) of the electrode (G) to focus near the depth of the base line (A) and the coating film (B) of (G) ( 180) serves to change the direction to be irradiated to the side.
상기 검출수단(180)은 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 광이 통과될 수 있는 슬릿을 구비한 또 다른 광 통과부재(181), 이 광 통과부재(181)를 지나온 광을 집속하여 주는 또 다른 렌즈 어셈블리(183), 이 렌즈 어셈블리(183)를 통과하는 광의 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 개의 방향으로 분리하는 다른 빔 스플리터(185), 이 빔 스플리터(185)에 의하여 통과된 광에서 노이즈로 작용하는 대역을 필터링 하는 제2,제3 필터(187, 189), 그리고 상기 제2, 3 필터(187, 189)를 통과한 광을 감지하는 제1, 2 촬상소자(191, 193)를 포함할 수 있다.The detecting means 180 is another light passing member 181 having a slit through which the light irradiated by the beam splitter 160 can pass therethrough, and the light passing through the light passing member 181. Another lens assembly 183 for focusing, another beam splitter 185 for passing according to the wavelength of light passing through the lens assembly 183 or reflecting at a predetermined angle to separate in two directions, the beam splitter 185 2nd, 3rd filters 187 and 189 for filtering the band acting as noise in the light passed by), and 1st and 2nd for detecting the light passing through the second and third filters 187 and 189. Image pickup devices 191 and 193 may be included.
상기 컨트롤러(C)는 작업 대상물인 전극(G)에서 제1,2 촬상소자(191,193)를 통하여 각각 검출되는 광의 감도를 설정된 알고리즘으로 연산하여, 연산된 결과의 분석으로 전극(G) 표면의 코팅 막 두께를 연속적으로 검출하고, 검출된 결과에 따라 도포액 토출장치(200)를 피드백 제어하여 전극(G)의 표면에 균일한 코팅 막이 형성되도록 한다.The controller C calculates the sensitivity of the light detected by the first and second imaging devices 191 and 193 in the electrode G, which is a work object, by using a set algorithm, and coats the surface of the electrode G by analyzing the calculated result. The film thickness is continuously detected, and the coating liquid discharge device 200 is feedback-controlled according to the detected result so that a uniform coating film is formed on the surface of the electrode G.
또한, 컨트롤러(C)에는 표시수단이 구비되어 전극(G) 표면에 대한 코팅 막의 균일성에 대한 정보를 표시하여 주도록 한다.In addition, the controller C is provided with display means to display information on the uniformity of the coating film on the surface of the electrode G.
상기의 컨트롤러(C)는 A/D변환수단이 포함되며, 검출수단(180)내의 제1,제2촬상소자(191,193)를 통해 검출되는 두 개의 감도를 차동 증폭기 이용하여 미분 혹은 차 연산하여 1차원 함수로 추출하고, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 히스토그램의 분석을 통해 실시간 코팅 막의 두께를 검출한다.The controller C includes an A / D conversion means, and differentially or differentially calculates two sensitivity detected by the first and second imaging elements 191 and 193 in the detection means 180 using a differential amplifier. Extracted by the dimensional function, the extracted function value is converted into a digital signal through the A / D conversion means, and the thickness of the real-time coating film is detected by analyzing the histogram.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 적용될 수 있는 코팅 두께 검출장치(100)를 통하여 전극(G) 표면의 코팅 막 두께를 검출하는 동작에 대하여 도 3 및 도 4와 함께 상세하게 설명하면 다음과 같다.The operation of detecting the coating film thickness of the surface of the electrode G through the coating thickness detecting apparatus 100 applicable to the present invention made as described above will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 as follows.
작업 대상물인 전극(G)에 전극재를 코팅하는 공정이 개시되면 도포액 토출장치(200)는 롤러(R)에 의해 화살표 방향으로 이송되는 전극(G)의 표면에 코팅 막을 성형한다(S101).When the process of coating the electrode material on the electrode (G) which is the work object is started, the coating liquid discharge device 200 forms a coating film on the surface of the electrode (G) which is transferred in the direction of the arrow by the roller (S101). .
이때, 본 발명에 따른 코팅 막 두께 검출장치(100)를 구성하고 있는 복수개의 광 파티클 센서(103)의 광 조사수단(120)내 광원(LS)에서는 백색 광을 발생시켜 전극(G)의 베이스 라인(A)과 표면의 코팅 막(B)상에 조사한다(S102).At this time, the light source LS in the light irradiation means 120 of the plurality of optical particle sensors 103 constituting the coating film thickness detecting apparatus 100 according to the present invention generates white light to generate the base of the electrode G. It irradiates on the line A and the coating film B of a surface (S102).
상기 광원(LS)에서 발생되는 백색 광은 렌즈 어셈블리(121)에 의해 집속되어 빛 통과부재(123)의 슬릿(123a)을 통과한 다음 제1필터(124)를 통과하게 된다.The white light generated by the light source LS is focused by the lens assembly 121 and passes through the slit 123a of the light passing member 123 and then passes through the first filter 124.
이때, 제1 필터(125)는 광원(LS)의 백색 광을 서로 다른 감도를 갖는 광으로 필터링 하여 광 집속수단(140)에 조사한다.In this case, the first filter 125 filters the white light of the light source LS into light having different sensitivity and irradiates the light focusing unit 140.
상기 광 집속수단(140)은 렌즈 어셈블리를 이용한 색수차에 의하여 서로 다른 감도로 조정된 광은 전극(G)의 베이스 라인(A)과 표면의 코팅 막(B) 상에 파장에 따라 다른 깊이로 초점이 맺히게 된다.The light focusing means 140 focuses light at different depths according to wavelengths on the base line A of the electrode G and the coating film B on the surface of the light adjusted to different sensitivity by chromatic aberration using the lens assembly. This bears.
상기와 같이 전극(G)의 베이스 라인(A)과 표면의 코팅 막(B) 상에 조사된 광은 베이스 라인(A) 및 코팅 막(B)의 표면으로부터 반사되므로, 반사되는 광은 빔 스플리터(160)에 의해 진행 방향이 전환되어 검출수단(180)측으로 조사된다.Since the light irradiated on the base line A of the electrode G and the coating film B on the surface as described above is reflected from the surface of the base line A and the coating film B, the reflected light is beam splitter The direction of travel is switched by the 160 and is irradiated to the detection means 180 side.
이때, 상기 검출수단(180)내의 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 광을 통과시켜 렌즈 어셈블리(183)를 통해 집속시킨 다음 빔 스플리터(185)를 통해 반사되는 광의 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 검출되는 광을 분리한다.At this time, the light passing member 181 in the detecting means 180 passes through the light irradiated by the beam splitter 160 and is focused through the lens assembly 183 and then through the beam splitter 185. The detected light is separated by passing through the wavelength of the reflected light or reflecting at a predetermined angle.
상기와 같이 검출수단(180)내의 빔 스플리터(185)에 의해 분리된 각각의 광은 제2, 제3필터(187,189)에 의해 필요한 대역의 파장만으로 추출되어 제1,2촬상소자(191,193)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송된다.As described above, each light separated by the beam splitter 185 in the detection unit 180 is extracted by only the wavelength of the band required by the second and third filters 187 and 189 to be applied to the first and second image pickup devices 191 and 193. It is input and sent to the controller C.
상기에서 광 조사수단(120)에서 전극(G)의 베이스 라인(A) 및 코팅 막(B) 표면에 조사되는 여러 파장의 빛 중 초점이 정확하게 맺힌 파장을 갖는 빛의 경우 컨트롤러(C)에 검출되는 반사광의 세기가 가장 강한 값으로 되며, 코팅 막 두께의 편차에 따라 조사된 광이 고정된 위치에 초점이 정확하게 맺히지 않는 경우 파장의 빛의 경우 컨트롤러(C)에 검출되는 반사광의 세기는 낮은 세기로 된다.In the light irradiation means 120, the controller C detects a light having a wavelength at which the focal point is accurately focused among light of various wavelengths irradiated on the surface of the base line A and the coating film B of the electrode G. The intensity of the reflected light becomes the strongest value, and the intensity of the reflected light detected by the controller C is low in the case of the light of the wavelength when the irradiated light does not focus accurately at the fixed position according to the variation in the thickness of the coating film. It becomes
그러므로, 컨트롤러(C)에 검출되는 반사광의 세기는 빔 스플리터(185)를 통하여 각기 다른 파장에 대한 감도로 고른 세기의 광으로 검출되어 진다(S103).Therefore, the intensity of the reflected light detected by the controller C is detected as light of uniform intensity with sensitivity to different wavelengths through the beam splitter 185 (S103).
따라서, 컨트롤러(C)는 상기와 같이 각기 다른 감도로 검출되는 반사광으로부터 코팅 막 두께를 검출하기 위한 파장 분석을 실행한다(S104).Therefore, the controller C performs wavelength analysis for detecting the coating film thickness from the reflected light detected with different sensitivity as described above (S104).
이때, 전극(G)의 양측 베이스 라인에서 검출되는 값이 전극(G)의 표면 위치가 되며, 표면 위치 이상의 값은 코팅 막의 두께이다.At this time, the value detected at both baselines of the electrode G becomes the surface position of the electrode G, and the value above the surface position is the thickness of the coating film.
그러나, 롤러(R)에 의해 화살표 방향으로 이송되는 전극(G)은 다양한 조건에 의해 양 측면인 베이스 라인(A)이 일정한 값을 갖지 못하고 변형될 가능성이 많으므로, 전극(G)의 표면 위치인 베이스 라인의 기준 설정이 요구된다.However, the electrode G, which is conveyed in the direction of the arrow by the roller R, is likely to deform without having a constant value on both sides of the base line A due to various conditions, and thus the surface position of the electrode G. In-baseline reference setting is required.
따라서, 컨트롤러(C)는 검출되는 반사광의 파장 분석으로 베이스 라인(A)에 해당하는 영역의 변곡점을 측정하고, 베이스 라인(A)의 선 성분을 축출하여(S105) 선형 추적 기법(Line Tracing Method)의 적용을 통하여 선 성분의 데이터를 적절한 값으로 선형화(Linear Fitting) 처리하고, 이로부터 양측 베이스 라인(A)간의 기울기와 절편을 산출한다(S106).Accordingly, the controller C measures the inflection point of the region corresponding to the base line A by analyzing the wavelength of the detected reflected light, and extracts the line component of the base line A (S105). The linear fitting process is performed on the data of the line component to an appropriate value through the application of), and the slope and intercept between the base lines A on both sides are calculated (S106).
상기에서 산출된 양측 베이스 라인(A)간의 기울기와 절편을 사용하여 전체 측정 데이터의 기울어진 곡선을 평활화 감산하여 순수한 코팅 면의 데이터만을 산출한다(S107).Smoothing and subtracting the inclined curve of the entire measurement data using the slope and intercept between the two base lines (A) calculated above to calculate only the data of the pure coating surface (S107).
또한, 상기 산출된 코팅 면에서 평면을 형성하는 각 셀(Cell)의 영역에 대하여 샘플 격자(Simple Cubic)를 취하고, 8가지의 벡터 성분을 이미지 처리방법의 하나인 Prewitt으로 영역 처리를 실행함으로써, 각 유닛 벡터(Unit Vector)를 산출하고 각 유닛 벡터에 대한 면의 조합 성분을 구성하여 평면 벡터(Plane Vector)에 대한 노말 벡터(Normal Vector)를 산출한다(S108)(S109).In addition, by taking a sample grid (Simple Cubic) for the area of each cell (Cell) forming a plane on the calculated coating surface, and performing the region processing by Prewitt which is one of the image processing method of eight vector components, Each unit vector is calculated and a normal vector for a plane vector is calculated by configuring a combination component of a plane for each unit vector (S108) (S109).
이와 같이 벡터 변환된 함수를 활용한 Prewitt 영역처리를 통해 360°방향을 90°영역으로 분할한 다음 분할된 각도 내에서 각 픽셀의 노말 벡터를 산출한다.In this way, the 360 degree direction is divided into 90 degree regions through the prewitt region processing using the vector converted function, and then a normal vector of each pixel is calculated within the divided angles.
상기와 같이 산출되는 각 픽셀의 노말 벡터에 스칼라(Scalar) 양을 곱하여 카티시안 좌표(Cartesian Coordinate) 내의 벡터로 변환한 다음 3D 공간 좌표로 변환한다(S110).The normal vector of each pixel calculated as described above is multiplied by a scalar amount, converted to a vector in Cartesian coordinates, and then converted to a 3D spatial coordinate (S110).
즉, 계산된 벡터 성분과 좌표 및 분석된 깊이 정보에 대한 값을 이용하여 평면 격자의 모임에 대한 3차원 모양의 데이터를 산출한다.That is, three-dimensional shape data for a collection of planar grids is calculated using the calculated vector components, coordinates, and values for the analyzed depth information.
이후, 상기한 바와 같이 라인 추적 기법을 적용한 전극(G)의 베이스 라인(A)에 대한 평활화와 벡터 해석을 통해 평면 격자 모임에 대한 3차원 데이터의 산출을 통해 도포액 토출장치(200)의 토출 압력의 불균형 및 기타의 원인으로 발생되는 전극(G) 표면의 코팅 막 두께의 편차에 대한 굴곡을 추출하여(S111) 표시수단을 통해 해당 정보를 지시하여 준다(S112).Subsequently, the coating liquid discharge device 200 is discharged by calculating three-dimensional data of the planar lattice meeting by smoothing and vector analysis of the base line A of the electrode G to which the line tracking technique is applied as described above. Extraction of the curvature for the variation of the coating film thickness on the surface of the electrode G generated due to the pressure imbalance and other causes (S111) indicates the corresponding information through the display means (S112).
동시에 도포액 토출장치(200)의 노즐에서 도출되는 도포액의 압력과 양을 피드백 제어함으로써, 균일한 코팅 막 두께가 성형되도록 한다(S113).At the same time, by controlling the pressure and the amount of the coating liquid derived from the nozzle of the coating liquid discharge device 200, a uniform coating film thickness is molded (S113).
또한, 상기한 바와 같은 코팅 막 두께의 검출을 통해 노즐의 노후화의 정도를 계측하여 노즐의 교체 시기 및 도포액 토출장치(200)에 대한 제반적인 정보를 추정할 수 있게 된다.In addition, through the detection of the coating film thickness as described above, it is possible to estimate the degree of aging of the nozzle to estimate the replacement time of the nozzle and general information about the coating liquid discharge device 200.
도 3에 도시된 바와 같이, 전술한 바와 같은 과정을 거쳐 전극(G)의 베이스 라인(A) 및 코팅 막(B)의 표면으로부터 검출수단(180)에 검출되는 반사광에 대한 신호는 증폭기(300)에 의해 설정된 소정의 레벨로 전력 증폭되어 컨트롤러(C)에 인가되면, 컨트롤러(C)는 상기한 과정의 분석을 통해 전극(G) 표면의 코팅 막의 두께를 추출한다.As shown in FIG. 3, the signal for the reflected light detected by the detection means 180 from the surface of the base line A and the coating film B of the electrode G through the above-described process is output to the amplifier 300. When the power is amplified to a predetermined level and applied to the controller (C), the controller (C) extracts the thickness of the coating film on the surface of the electrode (G) through the analysis of the above process.
이후, 추출된 데이터를 기반으로 하여 도포액 도출장치(200)에 구성되는 모터(210)의 구동 제어를 통해 펌프(220)의 펌핑량을 제어함으로써, 코팅액이 저장되어 있는 탱크(240)로부터의 이송 유량이나 압력을 조정하고, 밸브(230)를 제어함으로써 노즐(250)에 공급되는 코팅액의 양을 조정함으로써, 전극(G)의 표면에 항상 균일한 코팅 막의 두께가 성형될 수 있도록 한다.Subsequently, the pumping amount of the pump 220 is controlled by controlling the driving of the motor 210 of the coating liquid deriving apparatus 200 based on the extracted data, from the tank 240 in which the coating liquid is stored. By adjusting the flow rate or pressure, and controlling the valve 230 to adjust the amount of the coating liquid supplied to the nozzle 250, a uniform coating film thickness can be formed on the surface of the electrode G at all times.
상기한 예에서는 전극(G)의 표면에 성형되는 코팅 막의 두께를 측정하여 피드백 제어하는 것을 예로 하여 설명하였으나, 도 5와 같이 평판 디스플레이 패널이나 PDP 패널의 격자 배열에 형광체 막을 도포하는 과정에서의 코팅 막 두께의 측정에도 활용되며, 이는 전술한 실시 예와 같이 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 바, 구체적인 설명은 생략한다.In the above example, the feedback is measured by measuring the thickness of the coating film formed on the surface of the electrode G. For example, as shown in FIG. 5, the coating in the process of applying the phosphor film to the lattice arrangement of the flat panel display panel or the PDP panel is performed. It is also used in the measurement of the film thickness, which can be easily carried out by those skilled in the art as in the above-described embodiment, a detailed description thereof will be omitted.
이와 같이 본 발명은 박막 성형공정에서 작업 대상물의 표면에 코팅 막을 성형하는 과정에서 코팅된 막의 두께를 실시간으로 검출하여 연동되는 장치를 피드백 제어함으로써, 균일한 코팅 막 두께의 성형으로 제품의 신뢰성을 제공하고 이에 따라 불량 발생을 배제시켜 공정의 안정성을 제공한다.As described above, the present invention detects the thickness of the coated film in real time in the process of forming the coating film on the surface of the workpiece in the thin film forming process and feedback control the interlocking device, thereby providing the reliability of the product by forming a uniform coating film thickness. Thereby eliminating the occurrence of defects to provide stability of the process.
또한, 작업 대상물에 대한 코팅 막 두께의 검출 데이터로부터 연동되는 주변장치의 상태를 진단할 수 있는 효과가 있다.In addition, there is an effect that can diagnose the state of the peripheral device to be interlocked from the detection data of the coating film thickness on the workpiece.
도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a coating thickness detection apparatus in a thin film forming process for explaining an embodiment according to the present invention.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출장치에 대한 상세 구성도이다. Figure 2 is a detailed configuration of the coating thickness detection apparatus in a thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출장치와 연동 제어되는 시스템의 개략적 구성도.Figure 3 is a schematic configuration diagram of a system that is controlled in conjunction with the coating thickness detection apparatus in a thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출을 실행하는 흐름도.4 is a flowchart for performing coating thickness detection in a thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 박막 성형공정에서 코팅 두께 검출장치의 다른 적용 예를 보인 단면도이다. 5 is a cross-sectional view showing another application example of the coating thickness detection apparatus in the thin film forming process according to an embodiment of the present invention.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101222966B1 (en) * | 2006-03-29 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method for manufacturing liquid crystal display device |
KR101304715B1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-09-06 | 주식회사 엘지씨엔에스 | Method and apparatus for preventing light leakagein a light guide plate and display device having a light guide plate painted with reflect ink |
KR101331909B1 (en) * | 2006-12-12 | 2013-11-22 | (주)스마트에이스 | Apparatus and method of etching substratee |
KR20190063987A (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 한국표준과학연구원 | Thin film coating apparatus for THz beam splitter and coating methode thereof |
CN117704980A (en) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 钛玛科(北京)工业科技有限公司 | Material coating thickness detection system and method capable of performing optical filter switching |
WO2024071532A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 주식회사 고영테크놀러지 | Three-dimensional shape inspection device and three-dimensional shape inspection method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753972B1 (en) * | 1998-04-21 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Thin film thickness measuring method and apparatus, and method and apparatus for manufacturing a thin film device using the same |
IL125964A (en) * | 1998-08-27 | 2003-10-31 | Tevet Process Control Technolo | Method and apparatus for measuring the thickness of a transparent film, particularly of a photoresist film on a semiconductor substrate |
JP3723392B2 (en) | 1999-11-29 | 2005-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Film thickness measuring apparatus and film thickness measuring method |
JP4474795B2 (en) | 2001-04-26 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | Film thickness measuring method, measuring apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP3852386B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-11-29 | 株式会社島津製作所 | Film thickness measuring method and film thickness measuring apparatus |
-
2004
- 2004-04-21 KR KR1020040027621A patent/KR100665936B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101222966B1 (en) * | 2006-03-29 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Method for manufacturing liquid crystal display device |
KR101331909B1 (en) * | 2006-12-12 | 2013-11-22 | (주)스마트에이스 | Apparatus and method of etching substratee |
KR101304715B1 (en) * | 2012-04-25 | 2013-09-06 | 주식회사 엘지씨엔에스 | Method and apparatus for preventing light leakagein a light guide plate and display device having a light guide plate painted with reflect ink |
KR20190063987A (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 한국표준과학연구원 | Thin film coating apparatus for THz beam splitter and coating methode thereof |
WO2024071532A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 주식회사 고영테크놀러지 | Three-dimensional shape inspection device and three-dimensional shape inspection method |
WO2024071533A1 (en) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | 주식회사 고영테크놀러지 | Apparatus and method for inspecting three-dimensional shape |
CN117704980A (en) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 钛玛科(北京)工业科技有限公司 | Material coating thickness detection system and method capable of performing optical filter switching |
CN117704980B (en) * | 2024-02-05 | 2024-04-30 | 钛玛科(北京)工业科技有限公司 | Material coating thickness detection system and method capable of performing optical filter switching |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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