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KR20010050215A - 실리콘 수지 및 이의 제조방법 - Google Patents

실리콘 수지 및 이의 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR20010050215A
KR20010050215A KR1020000049622A KR20000049622A KR20010050215A KR 20010050215 A KR20010050215 A KR 20010050215A KR 1020000049622 A KR1020000049622 A KR 1020000049622A KR 20000049622 A KR20000049622 A KR 20000049622A KR 20010050215 A KR20010050215 A KR 20010050215A
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KR
South Korea
Prior art keywords
silicone resin
formula
resin
group
hsio
Prior art date
Application number
KR1020000049622A
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English (en)
Inventor
볜샤오중
Original Assignee
맥켈러 로버트 루이스
다우 코닝 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 맥켈러 로버트 루이스, 다우 코닝 코포레이션 filed Critical 맥켈러 로버트 루이스
Publication of KR20010050215A publication Critical patent/KR20010050215A/ko

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Abstract

하이드리도실리콘 함유 수지를 알케닐트리아릴실란과 백금계 금속-함유 하이드로실화 촉매의 존재하에 접촉시켜, 5% 이상의 규소원자가 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지를 형성시키는 단계(A) 및 단계(A)의 실리콘 수지를 불활성 분위기에서 규소원자로부터의 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 초래하기에 충분한 온도에서 가열하는 단계(B)를 포함하는, 전자 장치상의 전기적 절연 피막에 사용되는 낮은 유전 상수 막을 형성하기 위해 사용되는 미소다공성 실리콘 수지를 제조하는 방법.

Description

실리콘 수지 및 이의 제조방법{Silicone resins and the method for preparing the same}
본 발명은 낮은 유전 상수 막을 형성하는데 유용한 미소다공성 실리콘 수지의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 하이드리도실리콘 함유 수지를 알케닐트리아릴실란으로 하이드로실화(hydrosilate)하고, 하이드로실화된 수지를 기판에 피복하고, 불활성 분위기에서 피복된 기판을 가열하여 아릴 치환체를 열분해하고 이들을 기체로서 피막으로부터 제거함으로써 좁은 공극 크기 범위를 갖는 미소다공성 실리콘 수지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 집적 회로(IC)를 형성하는 개별 회로 부재를 전기적으로 연결시키는 패턴된 상호연결 레벨의 하나 이상의 배열을 갖는다. 이러한 상호연결 레벨은 절연막 또는 유전막으로 일반적으로 분리된다. 이전에는, 화학적 증착(CVD) 또는 플라즈마 강화된 기술(PECVD)에 의해 형성된 산화규소막이 이러한 유전막으로서 가장 일반적으로 사용되었다. 하지만, 회로 부재의 크기 및 이러한 부재간의 공간이 감소함에 따라, 이러한 산화규소막의 비교적 높은 유전 상수는 적당한 전기 절연성을 제공하기에는 부적절하다.
산화규소의 그것보다 낮은 유전 상수를 제공하기 위해, 실록산계 수지로부터 형성된 유전막의 사용이 밝혀졌다. 이러한 막의 예는 미국 특허 제3,615,272호 및 제4,756,977호에 기재되 바와 같은 폴리(하이드로겐)실세스퀴옥산 수지로부터 형성된 것들이다. 이러한 막이 CVD 또는 PECVD 산화규소 막보다 낮은 유전 상수를 제공하고, 또한 강화된 갭 충전 및 표면 평탄화와 같은 기타 이점을 제공하지만, 일반적으로 이러한 막의 유전 상수는 약 3 이상으로 제한된다.
상기 언급한 절연막의 유전 상수는 낮은 전력 소비, 크로스-토크(cross-talk) 및 시그날 딜레이(signal delay)가 요구되는 IC에서 중요한 인자이다. IC 치수가 계속해서 감소함에 따라, 유전 상수의 중요성이 증가한다. 결과적으로, 3 미만의 유전 상수를 갖는 전기적 절연막을 제공할 수 있는 실록산계 수지 물질 및 이러한 물질의 제조방법이 바람직하다. 또한, 크래킹에 높은 내성을 갖는 낮은 유전 상수 막을 제공하는 실록산계 수지 물질 및 이러한 물질의 제조방법이 바람직하다. 또한, 이러한 실록산계 수지가 표준 가공 기술에 의해 낮은 유전 상수 막을 제공하는 것이 바람직하다.
고체 막의 유전 상수는 막 물질의 밀도가 증가함에 따라 감소한다고 공지되어 있다. 따라서 반도체 장치에 사용하기 위한 미소다공성 절연막으로 발전시키기 위해서는 상당한 작업이 수행되고 있다.
미국 특허 제5,494,859호는 집적 회로 구조용 낮은 유전 상수 절연층 및 이러한 층의 제조방법에 관해 기술하고 있다. 이러한 다공성 층은 절연 매트릭스 물질 및 전환 공정에 도입시 기체로 전환될 수 있는 물질을 포함하는 복합층을 기판위에 부착시킴으로써 형성될 수 있다. 기체의 방출은 복합층보다 낮은 유전 상수를 갖는 절연 물질의 다공성 매트릭스를 형성시킨다. 매트릭스 형성 물질은 일반적으로 산화규소이고, 전환 공정에 도입시 기체로 전환될 수 있는 물질의 예는 탄소이다.
미국 특허 제5,776,990호는 절연성 발포 중합체에 대해 기술하고 있는데, 이는 100nm 미만의 공극 크기를 갖고, 매트릭스 중합체 및 열분해성 중합체를 포함하는 공중합체로부터 분해성 중합체의 분해점 이상으로 이러한 공중합체를 가열함으로써 제조된다. 상기한 공중합체는 규소원자를 함유하지 않는 유기 중합체이다.
WO 98/49721은 기판위에 나노공극 유전막을 형성하는 방법에 관해 기술하고 있다. 이러한 방법은 알콕시실란과 용매 조성물 및 임의의 물을 혼합시키는 단계, 적어도 일부의 용매를 증발시키면서 이러한 혼합물을 기판에 부착시키는 단계, 기판을 밀폐된 챔버에 적재하고 이러한 챔버를 대기압 미만으로 배기시키는 단계 및 이러한 기판을 대기압 미만의 압력에서 수증기에 노출시킨 다음, 기판을 베이스 증기에 노출시키는 단계를 포함한다.
일본 공개 특허 제(평)10-287746호는 250℃ 이상의 온도에서 산화되는 유기 치환체를 갖는 실록산계 수지로부터 다공성 막을 제조함에 대해 기술하고 있다. 이러한 문헌에 기재된 250℃ 이상의 온도에서 산화되는 유용한 유기 치환체는 치환 및 비치환 그룹, 예를 들어 3,3,3-트리플루오로프로필, β-페네틸 그룹, 3급-부틸 그룹, 2-시아노에틸 그룹, 벤질 그룹 및 비닐 그룹을 포함한다.
문헌[참조: J. Mat. Chem., 1999, 9, 591-598]은 막의 밀도 및 유전 상수를 감소시키기 위해 폴리(메틸실세스퀴옥산)막에서 옹스트롬 크기 공극을 제조하는 방법에 관해 기재하고 있다. 메틸(트리실록시실릴) 단위 및 알킬(트리실록시실릴) 단위를 함유하는 공중합체를 기판위에 스핀-코팅하고 250℃에서 가열하여 경질의 실록산 매트릭스를 제공한다. 이러한 막을 이어서 450℃ 내지 500℃에서 가열하여 열적으로 불안정한 그룹을 제거하고 치환체의 크기에 상응하는 구멍을 남긴다. 트리플루오로프로필, 시아노에틸, 페닐에틸 및 프로필 그룹이 열적으로 불안정한 치환체로서 연구되었다.
본 발명은 전자 장치상의 전기적 절연 피막에 유용한 낮은 유전 상수 막을 형성하기 위해 사용되는 미소다공성 실리콘 수지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
이러한 방법은 하이드리도실리콘 함유 수지를 화학식 1의 알케닐트리아릴실란과 백금계 금속-함유 하이드로실화 촉매의 존재하에 접촉시켜 5% 이상의 규소원자가 화학식 2의 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지를 형성시키는 단계(A) 및 단계(A)의 실리콘 수지를 불활성 분위기에서 규소원자로부터의 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 초래하기에 충분한 온도에서 가열하는 단계(B)를 포함한다.
Ar3Si(CH2)p-2CH=CH2
Ar3Si(CH2)p-
상기식에서,
Ar은 각각 독립적으로 선택된 아릴 그룹이고,
p는 2 내지 20이다.
하이드리도실리콘 함유 수지는 50% 이상의 규소원자가 수소 치환을 갖는 임의의 당분야에 공지된 것일 수 있고, 단일중합체 또는 공중합체일 수 있다. 가능한 가수 분해물 및 공-가수 분해물(co-hydrolysate)의 다음의 비제한적 열거가 구체적으로 고려된다: (HSiO3/2)n, (H2SiO)m, (HSiO3/2)x(R1SiO3/2)y, (HSiO3/2)x(R1R2SiO)y, (HSiO3/2)x(R1R2SiO)y(SiO2)z및 (HSiO3/2)x(H2SiO)y이고, 여기서, R1은 600℃ 이하의 온도에서 가열하여도 제거되지 않는 치환체이고, R2는 R1또는 수소이고, n은 2 이상이고, m은 3 이상이고, x, y 및 z의 몰분율은 각각의 공중합체에서 합이 1이어야 하고, x는 x, y 및 z의 합의 50% 이상이다. R1의 예는 메틸, 에틸 및 페닐이다. 본 발명의 방법에 사용되는 하이드리도실리콘 함유 수지 및 이의 제조방법은 미국 특허 제3,615,272호, 제5,063,267호 및 제5,010,159호에 기재되어 있다. 하이드리도실리콘 함유 수지가 상기한 화학식 (HSiO3/2)n인 경우, n은 바람직하게는 100 내지 1000의 범위인 것이 바람직하다.
하이드리도실리콘 수지를 하이드로실화 반응에 해가 되지 않는 유기 용매에 희석시키는 것이 바람직하다. 유기 용매는 탄소-탄소 불포화 결합 및 방향족 용매를 함유하지 않는 임의의 비-방향족 유기 용매이다. 유기 용매는 치환 또는 비치환될 수 있다. 유용한 유기 용매의 예는 알칸[예: 도데칸, n-펜탄, 헥산, n-헵탄 및 이소옥탄], 사이클로알칸[예: 사이클로펜탄 및 사이클로헥산], 방향족[예:벤젠, 톨루엔, 크실렌 및 메시틸렌], 케톤[예: 메틸이소부틸케톤], 할로겐 치환된 알칸[예: 트리클로로에탄] 및 할로겐 치환된 방향족[예: 브로모벤젠 및 클로로벤젠]을 포함한다. 또한, 이러한 유기 용매의 조합물이 하이드리도실리콘 함유 수지를 위한 보조용매로서 함께 사용될 수 있다. 바람직한 유기 용매는 이들의 높은 휘발성으로 인해 방향족 화합물이고, 안전 프로파일로 인해 톨루엔 및 메시틸렌이 가장 바람직하다.
하이드리도실리콘 함유 수지는 이러한 수지 및 유기 용매를 포함하는 용액의 5 내지 60중량%로 유기 용매에 희석되는 것이 바람직하다. 하이드리도실리콘 함유 수지는 유기 용매에 동일 기준으로 10 내지 30중량%로 희석되는 것이 보다 바람직하다.
본 방법에서 하이드리도실리콘 함유 수지를 화학식 1의 알케닐트리아릴실란과 접촉시킨다. 화학식 1에서, Ar은 독립적으로 선택된 아릴 그룹이고, 예를 들어 페닐, 톨릴, 크실릴 및 나프틸이다. 각각의 Ar이 페닐인 경우가 바람직하다. 화학식 1의 알케닐트리아릴실란은 말단-종결 불포화 탄소-탄소 결합을 갖는 탄소수 2 내지 20(즉, p가 2 내지 20인)의 알케닐 치환체를 포함한다. 알케닐 치환체의 탄소수가 3 내지 15(즉, p가 3 내지 15인)인 것이 바람직하다.
하이드로실화 반응 후에 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 상태여서 실리콘 수지의 경화 능력을 보유하는 것이 본 방법에서 요구된다. 일반적으로, 실리콘 수지내에서 실리콘 수지에 결합되는 수소원자의 양은 본 방법에 알케닐트리아릴실란의 어떠한 양을 첨가하여 하이드리도실리콘 함유 수지 중의 알케닐트리아릴실란 대 규소-결합된 수소의 몰비가 0.05:1 내지 0.7:1, 바람직하게는 0.1:1 내지 0.5:1의 범위에 존재하도록 함으로써 달성된다.
본 방법은 백금계 금속-함유 하이드로실화 촉매의 존재를 요구한다. 이러한 백금계 금속-함유 하이드로실화 촉매는 규소-결합된 수소원자와 불포화 탄소-탄소 결합 간에 하이드로실화 반응을 초래하는 당분야의 공지된 임의의 것이다. "백금계 금속"이란 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐 및 백금을 의미하고, 백금이 바람직하다. 본 발명에 사용되는 백금계 금속-함유 촉매의 예는 미국 특허 제3,419,593호, 제3,989,668호, 제5,036,117호, 제3,159,601호, 제3,220,972호, 제3,296,291호, 제3,516,946호 제3,814,730호 및 제3,928,629호에 기재되어 있다. 바람직한 백금계 금속-함유 촉매는 백금과 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착체이다.
본 발명의 방법에 사용되는 백금계 금속-함유 촉매의 양은 규소-결합된 수소원자와 알케닐트리아릴실란의 알케닐 치환체 간에 반응을 촉진하기에 충분한 양으로 존재하는 한, 좁게 제한되지 않는다. 백금계 금속-함유 촉매의 적절한 양은 사용되는 특정 촉매에 의존한다. 일반적으로, 존재할 경우 임의의 용매를 포함하는 단계(A)에 존재하는 성분들의 백만부에 대해 0.001중량부 이상의 백금계 금속이 사용된다. 백금계 금속의 바람직한 양은 동일 기준으로 1ppm 이상이고, 10 내지 100ppm이 보다 바람직하고, 20 내지 60ppm이 가장 바람직하다.
하이드리도실리콘 함유 수지가 알케닐트리아릴실란과 접촉하는 온도는 실리콘 수지 생성물의 겔화 또는 경화를 초래하지 않는 한 중요하지 않다. 일반적으로는, 온도는 20℃ 내지 150℃이고, 바람직하게는 50℃ 내지 100℃이다.
본 방법의 단계(A)에서, 5% 이상의 규소원자가 화학식 2의 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지가 형성된다. 10 내지 25% 이상의 규소원자가 화학식 2의 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지가 바람직하다.
본 방법의 단계(B)에서, 단계(A)의 실리콘 수지를 불활성 분위기에서 실리콘 수지로부터의 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 초래하기에 충분한 온도에서 가열한다. 가열은 1-단계 방법 또는 2-단계 방법으로 수행된다. 2-단계 방법에서, 실리콘 수지를 우선 불활성 분위기에서 규소원자로부터의 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 심각한 열분해 없이 경화를 초래하기에 충분한 온도에서 가열한다. 일반적으로, 이러한 온도는 20℃ 내지 350℃이다. 이어서, 경화된 실리콘 수지를 350℃보다 높고 실리콘 수지 중합체 주쇄 또는 규소원자 위의 R2치환체(상기한 바와 같은)의 분해 온도보다 낮은 온도에서 추가로 가열하여 규소원자로부터의 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 수행한다. 열분해 단계는 바람직하게는 350℃ 초과 내지 600℃에서, 가장 바람직하게는 400℃ 내지 550℃에서 수행한다. 1-단계 가열 방법에서는, 350℃보다 높고 실리콘 수지 중합체 주쇄 또는 규소원자 위의 R2치환체의 분해 온도보다 낮은 온도에서 실리콘 수지를 가열함으로써, 수지의 경화 및 트리아릴실릴알킬렌의 열분해를 동시에 수행한다. 1-단계 방법의 가열은 바람직하게는 350℃ 초과 내지 600℃에서, 가장 바람직하게는 400℃ 내지 550℃에서 수행한다.
본 방법은 단계(B)의 가열이 불활성 분위기에서 수행되는 것을 요구한다. 산소의 존재가 Si-H 결합을 산화시키고 수지의 증가된 유전 상수를 초래하는 높은 온도에서의 수지 골격의 파괴를 야기하기 때문에 불활성 분위기가 요구된다. 불활성 분위기는 당분야에 공지된 임의의 것, 예를 들어 아르곤, 헬륨 또는 질소이다.
본 방법에 의해 형성된 미소다공성 실리콘 수지는 전자 장치, 예를 들어 집적 칩 상의 낮은 유전 상수 막으로서 특히 유용하다. 본 발명의 실리콘 수지는 일반적으로는 전자 장치의 표면에 희석 용매 용액의 형태로 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅 또는 플로우 코팅과 같은 방법에 의해 도포된다. 이어서 용매를 건조 증발시켜 균질한 수지를 형성하고, 이어서 상기한 바와 같이 가열하여 경화시키고 유전 상수가 3 미만인 미소다공성 실리콘 수지를 제공한다. 유용한 용매는 하이드로실화 단계에 사용하기 위해 상기 기술된 것과 같을 수 있다.
다음의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이다. 이러한 실시예는 본원에서 청구항의 범위를 제한하려는 것이 아니다.
실시예 1
2-단계 방법이 수행된다. 단계 I에서, 크실렌 중의 50중량% 폴리(하이드로겐)실세스퀴옥산 수지 2중량부와 비닐트리페닐실란 0.8중량부를 100℃에서 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착체 형태인 Pt 5 x 10-5중량부의 존재하에 20분 동안 반응시킨다. 단계 II에서, 단계 I에서 형성된 하이드로실화된 수질 샘플 2g을 도가니에 적재하고 400℃에서 질소의 존재하에 1시간 동안 경화시킨 다음 600℃에서 질소의 존재하에 1시간 동안 경화시킨다. 생성된 고체를 Micromeritics ASAP 2000 Accelerated Surface Area 및 공극도 측정 시스템(Porosimetry System)을 사용하여 77°K에서의 질소 흡착에 대해 시험한다. 표면적은 문헌[참조: the Jour. Am. Chem. Soc. 60:309(1938)]에 기재된 브루너/에멧/텔러(Brunauer Emmett and Teller)(BET) 방법에 의해 342㎡/g으로 측정된다. 상기 흡착 데이타의 HK 분석(참조: Horvath, J. Chem. Eng. Jpn., 1983, Vol. 16, page 476)은 고체의 미소공극 용적이 공극도의 19용적%에 상응하는 0.16cc/g이고, 중앙 공극 크기가 0.52nm인 좁은 공극 크기 분포를 가짐을 보여준다.
실시예 2
크실렌 중의 50중량% 폴리(하이드로겐)실세스퀴옥산 수지 2중량부와 비닐트리페닐실란 0.4중량부를 실시예 1에서와 같이 반응, 경화 및 가열한다. 생성된 물질은 BET 표면적이 280㎡/g인 미소다공성 수지이다.
실시예 3(비교 실시예)
크실렌 중의 50중량% 폴리(하이드로겐)실세스퀴옥산 수지 2중량부와 이소보닐 메트아크릴레이트 0.8중량부를 실시예 1과 같이 반응, 경화 및 가열한다. 생성된 물질은 BET 표면적이 78㎡/g인 약간 공극성인 물질이다.
실시예 4(비교 실시예)
크실렌 중의 50중량% 폴리(하이드로겐)실세스퀴옥산 수지 2중량부와 트리부틸실란 0.8중량부를 실시예 1과 같이 반응, 경화 및 가열한다. 생성된 물질은 BET 표면적이 0.8㎡/g인 비-공극성 물질이다.
실시예 5
알루미늄 판을 실시예 1의 단계 I의 생성물로 피막시키고, 600℃에서 질소의 존재하에 0.5시간 동안 가열한다. 깨끗한 미소다공성 막이 크랙이 관찰됨 없이 형성된다.
실시예 6
수지를 실시예 1의 단계 I에 기재된 방법에 따라 제조하되, 크실렌을 톨루엔으로 대체하고 반응을 90℃에서 25분 동안 수행한다. 이어서, 톨루엔 4.4중량부를 반응 생성물에 첨가하고, 박막을 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅으로 피복시킨다. 피막된 웨이퍼를 질소 분위기에서 450℃에서 20분 동안 가열한다. 생성된 막은 0.6㎛의 두께와 2.6의 유전 상수를 갖는다. 막에서 크랙은 관찰되지 않는다.
본 발명의 방법에 의해, 공극-크기 분포가 좁고 크랙에 대한 내성을 가지며 보다 낮은 유전 상수를 갖는 미소다공성 실리콘 수지를 수득할 수 있다.

Claims (12)

  1. 5% 이상의 규소원자가 화학식 2의 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지.
    화학식 2
    Ar3Si(CH2)p-
    상기식에서,
    Ar은 각각 독립적으로 선택된 아릴 그룹이고,
    p는 2 내지 20이다.
  2. 하이드리도실리콘 함유 수지를 백금계 금속-함유 하이드로실화 촉매의 존재하에 화학식 1의 알케닐트리아릴실란과 접촉시켜, 5% 이상의 규소원자가 화학식 2의 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되고 45% 이상의 규소원자가 하나 이상의 수소원자로 치환된 실리콘 수지를 형성시킴을 포함하는, 실리콘 수지의 제조방법.
    화학식 1
    Ar3Si(CH2)p-2CH=CH2
    화학식 2
    Ar3Si(CH2)p-
    상기식에서,
    Ar은 각각 독립적으로 선택된 아릴 그룹이고,
    p는 2 내지 20이다.
  3. 제2항에 있어서, 하이드리도실리콘 함유 수지가 (HSiO3/2)n, (H2SiO)m, (HSiO3/2)x(R1SiO3/2)y, (HSiO3/2)x(R1R2SiO)y, (HSiO3/2)x(R1R2SiO)y(SiO2)z및 (HSiO3/2)x(H2SiO)y로 이루어진 그룹[여기서, R1은 600℃ 이하의 온도에서 가열하여도 제거되지 않는 치환체이고, R2는 R1또는 수소이고, n은 2 이상이고, m은 3 이상이고, x, y 및 z의 몰 분율은 각각의 공중합체에서 합이 1이어야 하고, x는 x, y 및 z의 합의 50% 이상이다]으로부터 선택된 화학식을 갖는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 하이드리도실리콘 함유 수지가 화학식 (HSiO3/2)n{여기서, n은 100 내지 1000의 범위이다}로 표시되는 방법.
  5. 제2항에 있어서, 각각의 Ar이 페닐, 톨릴, 크실릴 및 나프틸로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택되고 p가 3 내지 15인 방법.
  6. 제2항에 있어서, 하이드리도실리콘 함유 수지 중의 알케닐트리아릴실란 대 규소-결합된 수소의 몰 비가 0.05:1 내지 0.7:1인 방법.
  7. 제2항에 있어서, 실리콘 수지 중의 규소원자의 10 내지 25%가 하나 이상의 트리아릴실릴알킬렌 그룹으로 치환되는 방법.
  8. 제1항의 실리콘 수지 또는 제2항 내지 제7항 중의 어느 한 항의 방법으로 제조된 실리콘 수지를 불활성 분위기하에 규소원자로부터 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 초래하기에 충분한 온도에서 가열함을 포함하는, 미소다공성 실리콘 수지의 제조방법.
  9. 제1항의 실리콘 수지 또는 제2항 내지 제7항 중의 어느 한 항의 방법으로 제조된 실리콘 수지를 함유하는 용액을 기판에 도포하고, 용매를 제거한 다음, 불활성 분위기하에 규소원자로부터 트리아릴실릴알킬렌 그룹의 열분해를 초래하기에 충분한 온도에서 가열함을 포함하는, 미소다공성 실리콘 수지로 피복된 기판의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 가열을 350℃ 초과 내지 600℃의 온도에서 수행하는 방법.
  11. 제8항의 방법으로 제조된 미소다공성 실리콘 수지.
  12. 제9항의 방법으로 제조된, 미소다공성 실리콘 수지로 피복된 기판.
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