KR102667935B1 - Conductive film and touch panel - Google Patents
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Abstract
도전성 필름은, 투명 기재, 중간층, 투명 도전층 및 금속층을 이 순서대로 구비한다. 금속층의 두께가, 100 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하이고, 중간층의 굴절률이, 1.60 이상 1.70 이하이고, 중간층이, 실리카 입자 및 실리카 입자 이외의 무기 입자를 함유하는 무기 입자 성분을 함유하고, 중간층에 있어서의 무기 입자 성분의 함유 비율이, 40.0 질량% 이상 66.0 질량% 이하이다.The conductive film includes a transparent base material, an intermediate layer, a transparent conductive layer, and a metal layer in this order. The thickness of the metal layer is 100 nm or more and 400 nm or less, the refractive index of the middle layer is 1.60 or more and 1.70 or less, the middle layer contains an inorganic particle component containing silica particles and inorganic particles other than silica particles, and the middle layer contains The content ratio of the inorganic particle component is 40.0 mass% or more and 66.0 mass% or less.
Description
본 발명은, 도전성 필름, 및 그것을 구비하는 터치 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive film and a touch panel including the same.
종래부터, 화상 표시 장치는, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등으로 이루어지는 투명 도전층이 형성된 터치 패널용 필름을 구비하는 것이 알려져 있다. 최근, 이와 같은 투명 도전성 필름에 있어서, 터치 입력 영역의 외연부에 주회 배선을 형성하여 프레임 협소화를 달성하기 위해서, ITO 층의 표면에 추가로, 구리층을 형성하는 도전성 필름이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Conventionally, it has been known that image display devices include a touch panel film on which a transparent conductive layer made of indium tin composite oxide (ITO) or the like is formed. Recently, in such a transparent conductive film, in order to achieve frame narrowing by forming a circumferential wiring on the outer edge of the touch input area, a conductive film that forms a copper layer in addition to the surface of the ITO layer has been proposed (e.g. For example, see Patent Document 1).
이와 같은 도전성 필름은, 예를 들어, 필름 기재의 일방의 측에, 투명 도전체층과 구리층을 스퍼터링법에 의해 순차 적층하고, 롤상으로 권취하는 것에 의해, 제조되고 있다.Such a conductive film is manufactured, for example, by sequentially laminating a transparent conductor layer and a copper layer on one side of a film substrate by a sputtering method and winding them into a roll.
그런데, 투명 도전층은, 투명 기재로부터 박리되기 쉽기 때문에, 투명 도전층과 투명 기재 사이에, 밀착층을 형성하는 것이 검토되고 있다.However, since the transparent conductive layer is prone to peeling off from the transparent substrate, forming an adhesion layer between the transparent conductive layer and the transparent substrate is being studied.
그 한편으로, 터치 패널의 대형화에 수반하여, 그 프레임 부분에, 폭협이며 장척인 주회 배선을 형성할 필요가 있어, 금속층의 도전성을 높일 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 금속층의 표면 저항치의 저감이 검토되고, 구체적으로는, 금속층을 100 ㎚ 이상의 막 두께로 하는 것이 검토되고 있다.On the other hand, as the size of the touch panel increases, it is necessary to form narrow and long circumferential wiring in the frame portion, and it is required to increase the conductivity of the metal layer. Therefore, reduction of the surface resistance value of the metal layer is being studied, and specifically, making the metal layer a film thickness of 100 nm or more is being studied.
그러나, 후막 (厚膜) 의 금속층을 투명 도전층 위에 스퍼터링법에 의해 형성하고, 롤상으로 권취하면, 금속층의 변형이 강해지기 때문에, 금속층이 투명 도전층을 면방향으로 변형시킨다. 그 결과, 투명 도전층과 투명 기재 사이에 밀착층이 형성되어 있어도, 금속층 및 투명 도전층은, 투명 기재로부터 박리된다는 문제가 발생한다. 즉, 일반적인 밀착층을 투명 도전층과 투명 기재 사이에 형성하는 것만으로는, 투명 도전층과 투명 기재 사이의 밀착성이 불충분하다.However, when a thick metal layer is formed on the transparent conductive layer by the sputtering method and wound into a roll, the deformation of the metal layer becomes strong, so the metal layer deforms the transparent conductive layer in the plane direction. As a result, even if an adhesion layer is formed between the transparent conductive layer and the transparent substrate, a problem occurs in that the metal layer and the transparent conductive layer peel from the transparent substrate. In other words, simply forming a general adhesion layer between the transparent conductive layer and the transparent substrate is insufficient for adhesion between the transparent conductive layer and the transparent substrate.
또, 투명 도전층을 소정의 배선 패턴으로 형성한 경우에, 배선 패턴을 시인할 수 없도록 도전성 필름을 형성할 필요가 발생한다. 그러나, 밀착성을 향상시키기 위해서 밀착층을 형성하면, 그 굴절률 등의 영향에 의해, 배선 패턴이 시인되는 경우가 발생한다.Additionally, when the transparent conductive layer is formed with a predetermined wiring pattern, it is necessary to form a conductive film so that the wiring pattern cannot be visually recognized. However, when an adhesion layer is formed to improve adhesion, the wiring pattern may be visible due to the influence of the refractive index and the like.
또한, 투명 도전층은, 도전성이 우수할 것이 요구된다. 즉, 투명 도전층의 표면 저항치를 저감시킬 것이 요구된다. 그러나, 투명 도전층에 인접하는 밀착층이 영향을 미쳐, 투명 도전층의 표면 저항치가 저감되지 않는 경우가 발생한다.Additionally, the transparent conductive layer is required to have excellent conductivity. That is, it is required to reduce the surface resistance of the transparent conductive layer. However, there are cases where the surface resistance value of the transparent conductive layer is not reduced due to the influence of the adhesion layer adjacent to the transparent conductive layer.
본 발명은, 투명 도전층의 도전성이 양호하고, 또한 투명 도전층의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 금속층과 투명 기재의 밀착성이 향상된 도전성 필름 및 터치 패널을 제공하는 것에 있다.The present invention aims to provide a conductive film and a touch panel in which the transparent conductive layer has good conductivity and the adhesion between the metal layer and the transparent substrate is improved while suppressing visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer.
본 발명 [1] 은, 투명 기재, 중간층, 투명 도전층 및 금속층을 이 순서대로 구비하고, 상기 금속층의 두께가, 100 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하이고, 상기 중간층의 굴절률이, 1.60 이상 1.70 이하이고, 상기 중간층이, 실리카 입자 및 실리카 입자 이외의 무기 입자를 함유하는 무기 입자 성분을 함유하고, 상기 중간층에 있어서의 상기 무기 입자 성분의 함유 비율이, 40.0 질량% 이상 66.0 질량% 이하인, 도전성 필름을 포함하고 있다.The present invention [1] includes a transparent base material, an intermediate layer, a transparent conductive layer, and a metal layer in this order, the thickness of the metal layer is 100 nm or more and 400 nm or less, and the refractive index of the intermediate layer is 1.60 or more and 1.70 or less, The intermediate layer contains an inorganic particle component containing silica particles and inorganic particles other than silica particles, and the content ratio of the inorganic particle component in the intermediate layer is 40.0% by mass or more and 66.0% by mass or less. I'm doing it.
본 발명 [2] 는, 상기 중간층의 두께가, 30 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인, [1] 에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.This invention [2] includes the conductive film according to [1], wherein the thickness of the intermediate layer is 30 nm or more and 150 nm or less.
본 발명 [3] 은, 상기 중간층에 있어서의 상기 무기 입자 성분의 함유 비율이, 50.0 질량% 이상 60.0 질량% 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.This invention [3] includes the conductive film according to [1] or [2], wherein the content ratio of the inorganic particle component in the intermediate layer is 50.0 mass% or more and 60.0 mass% or less.
본 발명 [4] 는, 상기 중간층이, 상기 무기 입자 성분을 함유하는 수지층인, [1] ∼ [3] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.This invention [4] includes the conductive film according to any one of [1] to [3], wherein the intermediate layer is a resin layer containing the inorganic particle component.
본 발명 [5] 는, 상기 실리카 입자 이외의 무기 입자가, 산화지르코늄인, [1] ∼ [4] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.This invention [5] includes the conductive film according to any one of [1] to [4], wherein the inorganic particles other than the silica particles are zirconium oxide.
본 발명 [6] 은, 상기 금속층이, 구리, 니켈, 크롬, 철 및 티탄의 적어도 1 종을 함유하는, [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.The present invention [6] includes the conductive film according to any one of [1] to [5], wherein the metal layer contains at least one of copper, nickel, chromium, iron, and titanium.
본 발명 [7] 은, 상기 투명 도전층 및 상기 금속층의 양방이, 패터닝되어 있는, [1] ∼ [6] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.The present invention [7] includes the conductive film according to any one of [1] to [6], in which both the transparent conductive layer and the metal layer are patterned.
본 발명 [8] 은, 롤상으로 감겨져 있는, [1] ∼ [7] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 포함하고 있다.This invention [8] includes the conductive film according to any one of [1] to [7], which is wound into a roll.
본 발명 [9] 는, [1] ∼ [8] 중 어느 한 항에 기재된 도전성 필름을 구비하는, 터치 패널을 포함하고 있다.This invention [9] includes a touch panel provided with the conductive film according to any one of [1] to [8].
본 발명의 도전성 필름 및 터치 패널은, 금속층과 투명 기재의 밀착성이 양호하다. 또, 투명 도전층의 배선 패턴의 시인을 억제할 수 있다. 또, 투명 도전층의 도전성이 양호하다.The conductive film and touch panel of the present invention have good adhesion between the metal layer and the transparent substrate. Additionally, visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer can be suppressed. Additionally, the conductivity of the transparent conductive layer is good.
도 1 은, 본 발명의 도전성 필름의 일 실시형태의 측단면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 도전성 필름으로 형성되는 패터닝 도전성 필름의 측단면도를 나타낸다.
도 3 은, 본 발명의 도전성 필름의 다른 실시형태 (하드 코트층을 구비하지 않는 형태) 의 측단면도를 나타낸다.
도 4 는, 본 발명의 패터닝 도전성 필름의 다른 실시형태 (하드 코트층을 구비하지 않는 형태) 의 측단면도를 나타낸다.1 shows a side cross-sectional view of one embodiment of the conductive film of the present invention.
FIG. 2 shows a side cross-sectional view of a patterned conductive film formed from the conductive film shown in FIG. 1.
Figure 3 shows a side cross-sectional view of another embodiment of the conductive film of the present invention (a form without a hard coat layer).
Fig. 4 shows a side cross-sectional view of another embodiment of the patterned conductive film of the present invention (a form without a hard coat layer).
본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 상측이 상측 (제 1 방향 일방측, 두께 방향 일방측), 지면 하측이 하측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또, 지면 좌우 방향은, 좌우 방향 (제 2 방향, 폭 방향, 상하 방향과 직교하는 방향) 으로서, 지면 좌측이 좌측 (제 2 방향 일방측), 지면 우측이 우측 (제 2 방향 타방측) 이다. 또, 지면 종이 두께 방향은, 전후 방향 (제 3 방향, 상하 방향 및 좌우 방향의 양방과 직교하는 방향) 으로, 지면 앞측이 전측 (제 3 방향 일방측), 지면 안측이 후측 (제 3 방향 타방측) 이다. 다른 도면도, 도 1 과 마찬가지이다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In Fig. 1, the vertical direction of the paper is the vertical direction (thickness direction, first direction), with the upper side of the paper being the upper side (one side of the first direction, one side of the thickness direction), and the lower side of the paper being the lower side (the other side of the thickness direction, the first direction). 1 direction (other side). Additionally, the left-right direction of the page is the left-right direction (the second direction, the width direction, the direction perpendicular to the vertical direction), where the left side of the page is the left (one side of the second direction), and the right side of the page is the right side (the other side of the second direction). . In addition, the paper thickness direction is the front-to-back direction (the third direction, a direction perpendicular to both the up-down direction and the left-right direction), with the front side of the page being the front side (one side of the third direction), and the inside of the page being the back side (the other third direction). side). Other drawings are also similar to FIG. 1.
<제 1 실시형태><First embodiment>
1. 도전성 필름1. Conductive film
본 발명의 도전성 필름의 제 1 실시형태인 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 면방향으로 연장되어, 소정의 두께를 갖는 필름 형상 (시트 형상을 포함하는) 을 갖는다. 필름 형상이란, 평탄한 상면 및 평탄한 하면을 갖는 박판 형상으로서 정의된다 (이하, 동일).For example, as shown in FIG. 1, the conductive film 1, which is the first embodiment of the conductive film of the present invention, has a film shape (including a sheet shape) extending in the plane direction and having a predetermined thickness. have The film shape is defined as a thin plate shape having a flat upper surface and a flat lower surface (hereinafter the same applies).
도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재 등의 일부품이며, 요컨대, 화상 표시 장치는 아니다. 즉, 도전성 필름 (1) 은, 화상 표시 장치 등을 제조하기 위한 부품이며, LCD 모듈 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않고, 후술하는 투명 기재 (2) 와 하드 코트층 (3) 과 중간층 (4) 과 투명 도전층 (5) 과 금속층 (6) 으로 이루어지고, 부품 단독으로 유통하여, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.The conductive film 1 is, for example, a part of the base material for a touch panel provided in an image display device, and in other words, it is not an image display device. That is, the conductive film 1 is a component for manufacturing an image display device, etc., and does not include an image display element such as an LCD module, but rather includes a transparent substrate 2, a hard coat layer 3, and an intermediate layer 4, which will be described later. ) and a transparent conductive layer (5) and a metal layer (6), and is distributed as a component alone, making it an industrially usable device.
구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) 과, 중간층 (4) 과, 투명 도전층 (5) 과, 금속층 (6) 을 순서대로 구비한다. 보다 구체적으로는, 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 투명 기재 (2) 의 상면 (일방면) 에 배치되는 하드 코트층 (3) 과, 하드 코트층 (3) 의 상면에 배치되는 중간층 (4) 과, 중간층 (4) 의 상면에 배치되는 투명 도전층 (5) 과, 투명 도전층 (5) 의 상면에 배치되는 금속층 (6) 을 구비한다. 도전성 필름 (1) 은, 바람직하게는 투명 기재 (2) 와, 하드 코트층 (3) 과, 중간층 (4) 과, 투명 도전층 (5) 과, 금속층 (6) 으로 이루어진다. 이하, 각 층에 대해 상세하게 서술한다.Specifically, as shown in FIG. 1, the conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a hard coat layer 3, an intermediate layer 4, a transparent conductive layer 5, and a metal layer 6. ) are provided in order. More specifically, the conductive film (1) includes a transparent substrate (2), a hard coat layer (3) disposed on the upper surface (one side) of the transparent substrate (2), and a transparent substrate (2) on the upper surface of the hard coat layer (3). It is provided with an intermediate layer (4) disposed, a transparent conductive layer (5) disposed on the upper surface of the intermediate layer (4), and a metal layer (6) disposed on the upper surface of the transparent conductive layer (5). The conductive film (1) preferably consists of a transparent base material (2), a hard coat layer (3), an intermediate layer (4), a transparent conductive layer (5), and a metal layer (6). Below, each layer is described in detail.
2. 투명 기재2. Transparent substrate
투명 기재 (2) 는, 도전성 필름 (1) 의 기계 강도를 확보하는 기재이다. 투명 기재 (2) 는, 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 을, 하드 코트층 (3) 및 중간층 (4) 과 함께 지지하고 있다.The transparent substrate 2 is a substrate that ensures the mechanical strength of the conductive film 1. The transparent base material 2 supports the transparent conductive layer 5 and the metal layer 6 together with the hard coat layer 3 and the intermediate layer 4.
투명 기재 (2) 는, 예를 들어, 투명성을 갖는 고분자 필름이다. 고분자 필름의 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 예를 들어, 폴리메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴 수지 (아크릴 수지 및/또는 메타크릴 수지), 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로올레핀 폴리머 (COP) 등의 올레핀 수지, 예를 들어, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 멜라민 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리스티렌 수지, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 고분자 필름은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.The transparent substrate 2 is, for example, a polymer film having transparency. Materials for the polymer film include, for example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and (meth)acrylic resins such as polymethacrylate (acrylic resin). Resins and/or methacrylic resins), such as polyethylene, polypropylene, olefin resins such as cycloolefin polymers (COP), such as polycarbonate resins, polyethersulfone resins, polyarylate resins, melamine resins, Examples include polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, and norbornene resin. The polymer film can be used alone or in combination of two or more types.
투명성, 내열성, 기계적 강도 등의 관점에서, 바람직하게는 폴리에스테르 수지, 올레핀 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 PET, COP 를 들 수 있다.From the viewpoint of transparency, heat resistance, mechanical strength, etc., polyester resins and olefin resins are preferred, and PET and COP are more preferred.
투명 기재 (2) 의 두께는, 기계적 강도, 내찰상성, 도전성 필름 (1) 을 터치 패널용 필름으로 했을 때의 타점 특성 등의 관점에서, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는 20 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 150 ㎛ 이하이다.The thickness of the transparent substrate 2 is, for example, 2 μm or more, preferably 20 μm or more, from the viewpoint of mechanical strength, scratch resistance, and dot characteristics when the conductive film 1 is used as a touch panel film. And, for example, it is 300 μm or less, preferably 150 μm or less.
투명 기재 (2) 의 두께는, 예를 들어, 막후계 (디지털 다이얼 게이지) 를 사용하여 측정할 수 있다.The thickness of the transparent substrate 2 can be measured using, for example, a film thickness gauge (digital dial gauge).
또한, 투명 기재 (2) 의 상면 및/또는 하면에는, 필요에 따라, 접착 용이층, 접착제층, 세퍼레이터 등이 형성되어 있어도 된다.Additionally, an easy-adhesion layer, an adhesive layer, a separator, etc. may be formed on the upper and/or lower surfaces of the transparent substrate 2 as needed.
3. 하드 코트층3. Hard coat layer
하드 코트층 (3) 은, 복수의 도전성 필름 (1) 을 적층한 경우 등에, 도전성 필름 (1) 의 표면 (즉, 금속층 (6) 의 상면) 에 스친 흔적을 잘 발생시키지 않게 하기 위한 찰상 보호층이다. 또, 도전성 필름 (1) 에 내블로킹성을 부여하기 위한 안티 블로킹층으로 할 수도 있다.The hard coat layer 3 provides scratch protection to prevent traces of rubbing on the surface of the conductive film 1 (i.e., the upper surface of the metal layer 6), such as when multiple conductive films 1 are laminated. It's a floor. Additionally, it can be used as an anti-blocking layer to provide blocking resistance to the conductive film 1.
하드 코트층 (3) 은, 필름 형상을 가지고 있고, 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면 전체면에, 투명 기재 (2) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 하드 코트층 (3) 은, 투명 기재 (2) 와 중간층 (4) 사이에, 투명 기재 (2) 의 상면 및 중간층 (4) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The hard coat layer 3 has a film shape, and is arranged, for example, on the entire upper surface of the transparent substrate 2 so as to contact the upper surface of the transparent substrate 2. More specifically, the hard coat layer 3 is disposed between the transparent substrate 2 and the intermediate layer 4 so as to contact the upper surface of the transparent substrate 2 and the lower surface of the intermediate layer 4.
하드 코트층 (3) 은, 예를 들어, 하드 코트 조성물로 형성된다. 하드 코트 조성물은, 수지 성분을 함유하고, 바람직하게는 수지 성분으로 이루어진다.The hard coat layer 3 is formed, for example, from a hard coat composition. The hard coat composition contains a resin component, and preferably consists of a resin component.
수지 성분으로는, 예를 들어, 경화성 수지, 열가소성 수지 (예를 들어, 폴리올레핀 수지) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin component include curable resin, thermoplastic resin (for example, polyolefin resin), and preferably curable resin.
경화성 수지로는, 예를 들어, 활성 에너지선 (구체적으로는, 자외선, 전자선 등) 의 조사에 의해 경화되는 활성 에너지선 경화성 수지, 예를 들어, 가열에 의해 경화되는 열경화성 수지 등을 들 수 있고, 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the curable resin include active energy ray curable resins that are cured by irradiation of active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), and thermosetting resins that are cured by heating, for example. , preferably an active energy ray curable resin.
활성 에너지선 경화성 수지는, 예를 들어, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 그러한 관능기로는, 예를 들어, 비닐기, (메트)아크릴로일기 (메타크릴로일기 및/또는 아크릴로일기) 등을 들 수 있다.Examples of the active energy ray-curable resin include polymers having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule. Examples of such functional groups include vinyl group, (meth)acryloyl group (methacryloyl group and/or acryloyl group), and the like.
활성 에너지선 경화성 수지로는, 구체적으로는, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 (메트)아크릴계 자외선 경화성 수지를 들 수 있다.Specific examples of the active energy ray-curable resin include (meth)acrylic UV-curable resins such as urethane acrylate and epoxy acrylate.
또, 활성 에너지선 경화성 수지 이외의 경화성 수지로는, 예를 들어, 우레탄 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실록산계 폴리머, 유기 실란 축합물 등을 들 수 있다.Moreover, examples of curable resins other than active energy ray curable resins include urethane resins, melamine resins, alkyd resins, siloxane polymers, and organic silane condensates.
이들 수지 성분은, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.These resin components can be used individually or in combination of two or more types.
수지 성분에는, 중합 개시제 등의 수지 첨가제가 함유되어 있어도 된다.The resin component may contain resin additives such as a polymerization initiator.
중합 개시제로는, 예를 들어, 광 중합 개시제, 열 중합 개시제 등의 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 중합 개시제는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of the polymerization initiator include radical polymerization initiators such as photopolymerization initiators and thermal polymerization initiators. These polymerization initiators can be used individually or in combination of two or more types.
광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인에테르 화합물, 아세토페논 화합물,α-케톨 화합물, 방향족 술포닐클로라이드 화합물, 광활성 옥심 화합물, 벤조인 화합물, 벤질 화합물, 벤조페논 화합물, 티오크산톤 화합물, α-아미노케톤 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include benzoin ether compounds, acetophenone compounds, α-ketol compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzoin compounds, benzyl compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, α-aminoketone compounds, etc. can be mentioned.
열 중합 개시제로는, 예를 들어, 유기 과산화물, 아조 화합물 등을 들 수 있다.Examples of thermal polymerization initiators include organic peroxides and azo compounds.
하드 코트 조성물은, 입자를 함유할 수 있다.The hard coat composition may contain particles.
입자로는, 무기 입자, 유기 입자 등을 들 수 있다. 무기 입자로는, 예를 들어, 실리카 입자, 예를 들어, 산화지르코늄, 산화티탄, 산화아연, 산화주석 등으로 이루어지는 금속 산화물 입자, 예를 들어, 탄산칼슘 등의 탄산염 입자 등을 들 수 있다. 유기 입자로는, 예를 들어, 가교 아크릴 수지 입자 등을 들 수 있다. 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.Examples of particles include inorganic particles and organic particles. Examples of the inorganic particles include silica particles, metal oxide particles such as zirconium oxide, titanium oxide, zinc oxide, and tin oxide, and carbonate particles such as calcium carbonate. Examples of organic particles include crosslinked acrylic resin particles. Particles can be used alone or in combination of two or more types.
하드 코트 조성물에는, 추가로, 레벨링제, 틱소트로피제, 대전 방지제 등의 공지된 첨가제를 함유할 수 있다.The hard coat composition may further contain known additives such as leveling agents, thixotropic agents, and antistatic agents.
하드 코트층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 0.5 ㎛ 이상, 바람직하게는 1.0 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 10 ㎛ 이하, 바람직하게는 3.0 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2.0 ㎛ 이하이다. 하드 코트층 (3) 의 두께는, 예를 들어, 막후계 (디지털 다이얼 게이지) 를 사용하여 측정할 수 있다.The thickness of the hard coat layer 3 is, for example, 0.5 μm or more, preferably 1.0 μm or more, and for example, 10 μm or less, preferably 3.0 μm or less, more preferably 2.0 μm or less. am. The thickness of the hard coat layer 3 can be measured using, for example, a film thickness gauge (digital dial gauge).
4. 중간층4. Middle layer
중간층 (4) 은, 도전성 필름 (1) 의 금속층 (6) 측 (특히, 투명 도전층 (5)) 과 투명 기재 (2) 측 (특히, 하드 코트층 (3) 층) 의 밀착성을 향상시켜, 도전성 필름 (1) 내부의 층간 박리를 억제하기 위한 밀착층이다. 또, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴의 시인을 억제하면서, 도전성 필름 (1) 이 우수한 투명성을 확보하기 위해서, 도전성 필름 (1) 의 광학 물성 (예를 들어, 굴절률) 을 조정하는 광학 조정층이기도 하다.The intermediate layer 4 improves the adhesion between the metal layer 6 side (particularly the transparent conductive layer 5) and the transparent substrate 2 side (particularly the hard coat layer 3) of the conductive film 1. , It is an adhesion layer to suppress interlayer peeling inside the conductive film (1). In addition, optical adjustment is performed to adjust the optical properties (e.g., refractive index) of the conductive film 1 in order to ensure excellent transparency of the conductive film 1 while suppressing visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer 5. It is also a layer.
중간층 (4) 은, 필름 형상을 가지고 있고, 예를 들어, 하드 코트층 (3) 의 상면 전체면에, 하드 코트층 (3) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 중간층 (4) 은, 하드 코트층 (3) 과 투명 도전층 (5) 사이에, 하드 코트층 (3) 의 상면 및 투명 도전층 (5) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The intermediate layer 4 has a film shape, and is arranged, for example, on the entire upper surface of the hard coat layer 3 so as to contact the upper surface of the hard coat layer 3. More specifically, the intermediate layer 4 is disposed between the hard coat layer 3 and the transparent conductive layer 5 so as to contact the upper surface of the hard coat layer 3 and the lower surface of the transparent conductive layer 5. .
중간층 (4) 은, 중간층 조성물로 형성된다. 중간층 조성물은, 바람직하게는 무기 입자 성분 및 수지 성분을 함유하고, 보다 바람직하게는 무기 입자 성분 및 수지 성분으로 이루어진다. 즉, 중간층 (4) 은, 바람직하게는 무기 입자 성분을 함유하는 수지층이고, 보다 바람직하게는 무기 입자 성분 및 수지 성분으로 이루어지는 수지층이다.The intermediate layer 4 is formed from an intermediate layer composition. The intermediate layer composition preferably contains an inorganic particle component and a resin component, and more preferably consists of an inorganic particle component and a resin component. That is, the intermediate layer 4 is preferably a resin layer containing an inorganic particle component, and more preferably a resin layer consisting of an inorganic particle component and a resin component.
수지 성분으로는, 예를 들어, 하드 코트 조성물에서 사용하는 수지와 동일한 수지를 들 수 있다. 수지는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 경화성 수지, 보다 바람직하게는 활성 에너지선 경화성 수지를 들 수 있다.Examples of the resin component include the same resin as the resin used in the hard coat composition. Resins can be used alone or in combination of two or more types. Preferably, curable resin is used, and more preferably, active energy ray-curable resin is used.
수지 성분의 함유 비율은, 중간층 조성물에 대해, 예를 들어, 34.0 질량% 이상, 바람직하게는 40.0 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 60.0 질량% 이하, 바람직하게는 50.0 질량% 이하, 보다 바람직하게는 45.0 질량% 이하이다.The content ratio of the resin component is, for example, 34.0 mass% or more, preferably 40.0 mass% or more, and for example, 60.0 mass% or less, preferably 50.0 mass% or less, with respect to the intermediate layer composition. Preferably it is 45.0 mass% or less.
무기 입자 성분은, 실리카 입자와 실리카 입자 이외의 무기 입자 (이하, 제 2 무기 입자라고도 칭한다) 를 함유한다.The inorganic particle component contains silica particles and inorganic particles other than silica particles (hereinafter also referred to as second inorganic particles).
제 2 무기 입자로는, 바람직하게는 실리카 입자보다 굴절률이 높은 무기 입자 (예를 들어, 굴절률이 2.00 이상) 를 들 수 있고, 구체적으로는, 산화지르코늄 입자, 산화티탄 입자, 산화아연 입자 등의 금속 산화물 입자를 들 수 있다. 밀착성, 배선 패턴의 시인 억제의 관점에서, 바람직하게는 산화지르코늄 입자를 들 수 있다. 이들 제 2 무기 입자는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.The second inorganic particles preferably include inorganic particles with a higher refractive index than the silica particles (for example, a refractive index of 2.00 or more), and specifically include zirconium oxide particles, titanium oxide particles, zinc oxide particles, etc. Metal oxide particles can be mentioned. From the viewpoint of adhesion and suppression of visibility of the wiring pattern, zirconium oxide particles are preferably used. These second inorganic particles can be used individually or in combination of two or more types.
무기 입자 성분은, 바람직하게는 실리카 입자 및 금속 산화물 입자를 함유하고, 보다 바람직하게는 실리카 (SiO2) 입자 및 산화지르코늄 (ZnO2) 입자를 함유하고, 더욱 바람직하게는 실리카 입자 및 산화지르코늄 입자로 이루어진다.The inorganic particle component preferably contains silica particles and metal oxide particles, more preferably contains silica (SiO 2 ) particles and zirconium oxide (ZnO 2 ) particles, and even more preferably contains silica particles and zirconium oxide particles. It consists of
무기 입자 성분에 있어서의 실리카 입자의 함유 비율은, 예를 들어, 1.0 질량% 이상, 바람직하게는 3.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5.0 질량% 이상이며, 또, 예를 들어, 50.0 질량% 이하, 바람직하게는 20.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15.0 질량% 이하이다. 실리카 입자의 함유 비율이 상기 범위 내이면, 밀착성을 보다 한층 양호하게 할 수 있다. 또, 투명 도전층 (5) 의 표면 저항치를 보다 한층 저감시킬 수 있다.The content ratio of silica particles in the inorganic particle component is, for example, 1.0 mass% or more, preferably 3.0 mass% or more, more preferably 5.0 mass% or more, and for example, 50.0 mass% or less. , Preferably it is 20.0 mass% or less, and more preferably, it is 15.0 mass% or less. If the content ratio of silica particles is within the above range, adhesion can be further improved. Additionally, the surface resistance value of the transparent conductive layer 5 can be further reduced.
무기 입자 성분에 있어서의 제 2 무기 입자의 함유 비율은, 예를 들어, 50.0 질량% 이상, 바람직하게는 80.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 85.0 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 99.0 질량% 이하, 바람직하게는 97.0 질량% 이하, 더욱 바람직하게는 95.0 질량% 이하이다. 제 2 무기 입자의 함유 비율이 상기 범위 내이면, 중간층 (4) 의 굴절률을 향상시킬 수 있고, 중간층 (4) 의 굴절률을 1.60 이상 1.70 이하의 범위로 조정하기 쉽게 할 수 있다. 그 결과, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴의 시인을 보다 한층 억제할 수 있다.The content ratio of the second inorganic particles in the inorganic particle component is, for example, 50.0 mass% or more, preferably 80.0 mass% or more, more preferably 85.0 mass% or more, and for example, 99.0 mass% or more. % or less, preferably 97.0 mass% or less, more preferably 95.0 mass% or less. If the content ratio of the second inorganic particles is within the above range, the refractive index of the intermediate layer 4 can be improved, and the refractive index of the intermediate layer 4 can be easily adjusted to the range of 1.60 or more and 1.70 or less. As a result, visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer 5 can be further suppressed.
실리카 입자의 평균 입자경은, 예를 들어, 1 ㎚ 이상, 바람직하게는 5 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다.The average particle diameter of the silica particles is, for example, 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and, for example, 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
제 2 무기 입자의 평균 입자경은, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎚ 이하, 바람직하게는 50 ㎚ 이하이다.The average particle diameter of the second inorganic particles is, for example, 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and, for example, 100 nm or less, preferably 50 nm or less.
입자의 평균 입자경은, 체적 기준에 의한 입도 분포의 평균 입자경 (D50) 을 나타내고, 예를 들어, 입자를 수중에 분산시킨 용액을, 광회절·산란법에 의해 측정할 수 있다.The average particle diameter of particles represents the average particle diameter (D 50 ) of the particle size distribution based on volume, and can be measured, for example, by an optical diffraction/scattering method in a solution in which particles are dispersed in water.
무기 입자 성분의 함유 비율은, 중간층 조성물 (나아가서는, 중간층 (4)) 에 대해, 40.0 질량% 이상, 66.0 질량% 이하이다. 바람직하게는 50.0 질량% 이상, 보다 바람직하게는 55.0 질량% 이상이고, 또, 바람직하게는 60.0 질량% 이하이다. 무기 입자 성분의 함유 비율이 상기 상한을 상회하면, 밀착성이 저하되거나, 투명 도전층 (5) 의 표면 저항치가 높아진다. 또, 무기 입자 성분의 함유 비율이 상기 하한을 하회하면, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴이 시인되기 쉬워진다.The content ratio of the inorganic particle component is 40.0% by mass or more and 66.0% by mass or less with respect to the middle layer composition (further, the middle layer (4)). Preferably it is 50.0 mass% or more, more preferably 55.0 mass% or more, and preferably 60.0 mass% or less. When the content ratio of the inorganic particle component exceeds the above upper limit, the adhesiveness decreases or the surface resistance value of the transparent conductive layer 5 increases. Moreover, when the content ratio of the inorganic particle component is less than the above lower limit, the wiring pattern of the transparent conductive layer 5 becomes easily visible.
중간층 (4) 의 굴절률은, 1.60 이상, 1.70 이하이다. 바람직하게는 1.62 이상이고, 또, 바람직하게는 1.68 이하이다. 중간층 (4) 의 굴절률이 상기 범위 내이면, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴의 시인을 억제할 수 있다.The refractive index of the intermediate layer 4 is 1.60 or more and 1.70 or less. Preferably it is 1.62 or more, and more preferably, it is 1.68 or less. If the refractive index of the intermediate layer 4 is within the above range, visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer 5 can be suppressed.
굴절률은, 예를 들어, 아베 굴절률계에 의해, 파장 589 ㎚ 의 조건에서 측정할 수 있다.The refractive index can be measured, for example, with an Abbe refractometer under conditions of a wavelength of 589 nm.
중간층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 30 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 300 ㎚ 이하, 바람직하게는 150 ㎚ 이하이다. 중간층 (4) 의 두께가 상기 범위 내이면, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴의 시인을 보다 한층 억제할 수 있다.The thickness of the intermediate layer 4 is, for example, 10 nm or more, preferably 30 nm or more, and, for example, 300 nm or less, preferably 150 nm or less. If the thickness of the intermediate layer 4 is within the above range, visibility of the wiring pattern of the transparent conductive layer 5 can be further suppressed.
중간층 (4) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 도전성 필름 (1) 의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the intermediate layer 4 can be measured by observing the cross section of the conductive film 1 using, for example, a transmission electron microscope.
5. 투명 도전층5. Transparent conductive layer
투명 도전층 (5) 은, 후공정에서 배선 패턴 (후술하는 패터닝 투명 도전층 (5A)) 에 형성하고, 예를 들어, 터치 패널의 터치 입력 영역에 있어서의 배선 패턴 (예를 들어, 전극 배선) 을 형성하기 위한 투명한 도전층이다.The transparent conductive layer 5 is formed in a wiring pattern (patterned transparent conductive layer 5A described later) in a later process, for example, as a wiring pattern (for example, electrode wiring) in the touch input area of the touch panel. ) is a transparent conductive layer to form.
중간층 (4) 은, 필름 형상을 가지고 있고, 예를 들어, 중간층 (4) 의 상면 전체면에, 중간층 (4) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 투명 도전층 (5) 은, 중간층 (4) 과 금속층 (6) 사이에, 중간층 (4) 의 상면 및 금속층 (6) 의 하면과 접촉하도록 배치되어 있다.The intermediate layer 4 has a film shape, and is arranged, for example, on the entire upper surface of the intermediate layer 4 so as to contact the upper surface of the intermediate layer 4. More specifically, the transparent conductive layer 5 is disposed between the intermediate layer 4 and the metal layer 6 so as to contact the upper surface of the intermediate layer 4 and the lower surface of the metal layer 6.
투명 도전층 (5) 의 재료로는, 예를 들어, In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 금속을 포함하는 금속 산화물을 들 수 있다. 금속 산화물에는, 필요에 따라, 추가로 상기 군에 나타난 금속 원자를 도프하고 있어도 된다.The material of the transparent conductive layer 5 is, for example, selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. and metal oxides containing at least one type of metal. If necessary, the metal oxide may be further doped with a metal atom shown in the above group.
투명 도전층 (5) 의 재료는, 예를 들어, 인듐주석 복합 산화물 (ITO) 등의 인듐 함유 산화물, 예를 들어, 안티몬주석 복합 산화물 (ATO) 등의 안티몬 함유 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는 인듐 함유 산화물, 보다 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다.The material of the transparent conductive layer 5 includes, for example, indium-containing oxides such as indium tin composite oxide (ITO), and antimony-containing oxides such as antimony tin composite oxide (ATO), etc., and are preferred. Examples include indium-containing oxides, more preferably ITO.
투명 도전층 (5) 의 재료로서 ITO 를 사용하는 경우, 산화주석 (SnO2) 함유량은, 산화주석 및 산화인듐 (In2O3) 의 합계량에 대해, 예를 들어, 0.5 질량% 이상, 바람직하게는 3 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량% 이하, 바람직하게는 13 질량% 이하이다. 산화주석의 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, ITO 층의 내구성을 보다 한층 양호하게 할 수 있다. 산화주석의 함유량을 상기 상한 이하로 함으로써, ITO 층의 결정 전화를 용이하게 하여, 투명성이나 비저항의 안정성을 향상시킬 수 있다.When ITO is used as the material of the transparent conductive layer 5, the tin oxide (SnO 2 ) content is preferably, for example, 0.5% by mass or more relative to the total amount of tin oxide and indium oxide (In 2 O 3 ). Typically, it is 3% by mass or more, and for example, it is 15% by mass or less, preferably 13% by mass or less. By setting the tin oxide content to the above lower limit or more, the durability of the ITO layer can be further improved. By setting the tin oxide content below the above upper limit, crystal conversion of the ITO layer can be facilitated and transparency and stability of resistivity can be improved.
본 명세서 중에 있어서의 「ITO」란, 적어도 인듐 (In) 과 주석 (Sn) 을 함유하는 복합 산화물이면 되고, 이것들 이외의 추가 성분을 함유해도 된다. 추가 성분으로는, 예를 들어, In, Sn 이외의 금속 원소를 들 수 있고, 구체적으로는, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, W, Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga 등을 들 수 있다.“ITO” in this specification may be a complex oxide containing at least indium (In) and tin (Sn), and may contain additional components other than these. Additional components include, for example, metal elements other than In and Sn, and specifically include Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W. , Fe, Pb, Ni, Nb, Cr, Ga, etc.
투명 도전층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상이고, 또, 예를 들어, 50 ㎚ 이하, 바람직하게는 30 ㎚ 이하이다.The thickness of the transparent conductive layer 5 is, for example, 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and is, for example, 50 nm or less, preferably 30 nm or less.
투명 도전층 (5) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 도전성 필름 (1) 의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the transparent conductive layer 5 can be measured, for example, by observing the cross section of the conductive film 1 using a transmission electron microscope.
투명 도전층 (5) 은, 결정질 및 비정질 중 어느 것이어도 되고, 또, 결정질 및 비정질의 혼합체여도 된다. 투명 도전층 (5) 은, 바람직하게는 결정질로 이루어지고, 보다 구체적으로는 결정질 ITO 층이다. 이로써, 투명 도전층 (5) 의 투명성을 향상시킬 수 있고, 또, 투명 도전층 (5) 의 표면 저항치를 보다 한층 저감시킬 수 있다.The transparent conductive layer 5 may be either crystalline or amorphous, or may be a mixture of crystalline and amorphous. The transparent conductive layer 5 is preferably made of crystalline material, and more specifically, is a crystalline ITO layer. Thereby, the transparency of the transparent conductive layer 5 can be improved, and the surface resistance value of the transparent conductive layer 5 can be further reduced.
투명 도전층 (5) 이 결정질인 것은, 예를 들어, 투명 도전층 (5) 이 ITO 층인 경우에는, 20 ℃ 의 염산 (농도 5 질량%) 에 15 분간 침지한 후, 수세·건조시켜, 15 ㎜ 정도 사이의 단자간 저항을 측정함으로써 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서는, 염산 (20 ℃, 농도 : 5 질량%) 에 대한 침지·수세·건조 후에, 15 ㎜ 간의 단자간 저항이 10 kΩ 이하인 경우, ITO 층이 결정질인 것으로 한다.The transparent conductive layer 5 is crystalline, for example, when the transparent conductive layer 5 is an ITO layer, it is immersed in hydrochloric acid (concentration 5% by mass) at 20°C for 15 minutes, then washed with water and dried. This can be determined by measuring the resistance between terminals in the order of mm. In this specification, if the resistance between terminals over 15 mm is 10 kΩ or less after immersion in hydrochloric acid (20°C, concentration: 5% by mass), washing with water, and drying, the ITO layer is considered to be crystalline.
투명 도전층 (5) (특히, 결정질 ITO 층) 의 표면 저항치는, 예를 들어, 100 Ω/□ 미만, 바람직하게는 80 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 75 Ω/□ 이하이고, 또, 예를 들어, 10 Ω/□ 이상이다. 표면 저항치는, 예를 들어, JIS K 7194 (1994 년) 에 준거하여, 4 단자법에 의해 측정할 수 있다.The surface resistance value of the transparent conductive layer 5 (especially the crystalline ITO layer) is, for example, less than 100 Ω/□, preferably 80 Ω/□ or less, more preferably 75 Ω/□ or less, and For example, 10 Ω/□ or more. The surface resistance value can be measured by the four-terminal method, for example, based on JIS K 7194 (1994).
6. 금속층6. Metal layer
금속층 (6) 은, 후공정에서 배선 패턴 (후술하는 패터닝 금속층 (6A)) 에 형성하여, 예를 들어, 터치 패널의 터치 입력 영역의 외측 (외주) 의 외연부 (외주 연부) 에 있어서의 배선 패턴 (예를 들어, 주회 배선) 을 형성하기 위한 도전성의 금속층이다.The metal layer 6 is formed on a wiring pattern (patterned metal layer 6A, described later) in a later process, for example, on the outer edge (outer periphery) of the touch input area of the touch panel. It is a conductive metal layer for forming a pattern (for example, a circumferential wiring).
금속층 (6) 은, 도전성 필름 (1) 의 최상층으로서, 필름 형상을 가지고 있고, 투명 도전층 (5) 의 상면 전체면에, 투명 도전층 (5) 의 상면과 접촉하도록 배치되어 있다.The metal layer 6 is the uppermost layer of the conductive film 1, has a film shape, and is disposed on the entire upper surface of the transparent conductive layer 5 so as to contact the upper surface of the transparent conductive layer 5.
금속층 (6) 의 재료로는, 예를 들어, 구리, 니켈, 크롬, 철, 티탄, 또는, 그것들의 합금 등의 금속을 들 수 있다. 도전성 등의 관점에서, 바람직하게는 구리를 들 수 있다.Examples of the material of the metal layer 6 include metals such as copper, nickel, chromium, iron, titanium, or alloys thereof. From the viewpoint of conductivity and the like, copper is preferred.
또한, 금속층 (6) 이, 구리 등의 산화가 발생하기 쉬운 재료인 경우, 그 금속층 (6) 의 표면은 산화되어 있어도 된다. 구체적으로는, 금속층 (6) 이, 구리층인 경우에는, 금속층 (6) 은, 표면의 일부 또는 전부에 산화구리를 구비하는 구리층이어도 된다.Additionally, when the metal layer 6 is made of a material such as copper that is prone to oxidation, the surface of the metal layer 6 may be oxidized. Specifically, when the metal layer 6 is a copper layer, the metal layer 6 may be a copper layer including copper oxide on part or all of the surface.
금속층 (6) 의 두께는, 100 ㎚ 이상, 400 ㎚ 이하이다. 바람직하게는 150 ㎚ 이상이고, 또, 바람직하게는 300 ㎚ 이하이다. 금속층 (6) 의 두께가 상기 하한을 하회하면, 금속층 (6) 의 표면 저항치가 높아져, 도전성이 저하된다. 그 때문에, 터치 패널의 대형화에 대응하여, 폭협이며 장척인 배선 패턴 (프레임부의 주회 배선) 을 형성하는 것이 곤란해진다. 또, 금속층 (6) 의 두께가 상기 상한을 상회하면, 도전성의 향상이 포화되어, 비용 면에서 불리해진다. 또, 프레임부의 박막화가 곤란해진다.The thickness of the metal layer 6 is 100 nm or more and 400 nm or less. Preferably it is 150 nm or more, and more preferably, it is 300 nm or less. If the thickness of the metal layer 6 is less than the above lower limit, the surface resistance value of the metal layer 6 increases and conductivity decreases. Therefore, in response to the increase in the size of the touch panel, it becomes difficult to form a narrow and long wiring pattern (circular wiring in the frame portion). Moreover, if the thickness of the metal layer 6 exceeds the above upper limit, the improvement in conductivity is saturated and it becomes disadvantageous in terms of cost. Additionally, it becomes difficult to thin the frame portion.
금속층 (6) 의 두께는, 예를 들어, 투과형 전자 현미경을 사용하여, 도전성 필름 (1) 의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the metal layer 6 can be measured by observing the cross section of the conductive film 1 using, for example, a transmission electron microscope.
7. 도전성 필름의 제조 방법7. Method of manufacturing conductive film
도전성 필름 (1) 을 제조하려면, 예를 들어, 롤 투 롤 공정에 있어서, 투명 기재 (2) 의 일방면에, 하드 코트층 (3), 중간층 (4), 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 을 순서대로 형성한다. 즉, 길이 방향으로 장척인 투명 기재 (2) 를 송출 롤로부터 송출하여 반송 방향 하류측으로 반송하면서, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트층 (3) 을 형성하고, 이어서, 하드 코트층 (3) 의 상면에 중간층 (4) 을 형성하고, 이어서, 중간층 (4) 의 상면에 투명 도전층 (5) 을 형성하고, 이어서, 투명 도전층 (5) 의 상면에 금속층 (6) 을 형성하여, 권취 롤로 도전성 필름 (1) 을 권취한다. 이하, 상세하게 서술한다.To manufacture the conductive film 1, for example, in a roll-to-roll process, a hard coat layer 3, an intermediate layer 4, a transparent conductive layer 5, and a metal layer are applied to one side of the transparent substrate 2. (6) is formed in order. That is, while the transparent substrate 2, which is long in the longitudinal direction, is fed out from the delivery roll and conveyed downstream in the conveyance direction, the hard coat layer 3 is formed on the upper surface of the transparent substrate 2, and then the hard coat layer 3 is formed. ), forming an intermediate layer (4) on the upper surface of the intermediate layer (4), then forming a transparent conductive layer (5) on the upper surface of the intermediate layer (4), and then forming a metal layer (6) on the upper surface of the transparent conductive layer (5), The conductive film 1 is wound with a winding roll. Below, it is described in detail.
먼저, 송출 롤에 감겨진 장척인 투명 기재 (2) 를 준비하고, 권취 롤에 감겨지도록 투명 기재 (2) 를 반송한다.First, a long transparent substrate 2 wound around a delivery roll is prepared, and the transparent substrate 2 is conveyed so that it is wound around a take-up roll.
그 후, 필요에 따라, 투명 기재 (2) 와 하드 코트층 (3) 의 밀착성의 관점에서, 투명 기재 (2) 의 표면에, 예를 들어, 스퍼터링, 코로나 방전, 화염, 자외선 조사, 전자선 조사, 화성, 산화 등의 에칭 처리나 하도 처리를 실시할 수 있다. 또, 용제 세정, 초음파 세정 등에 의해 투명 기재 (2) 를 제진, 청정화할 수 있다.Thereafter, if necessary, from the viewpoint of adhesion between the transparent substrate 2 and the hard coat layer 3, the surface of the transparent substrate 2 is subjected to, for example, sputtering, corona discharge, flame, ultraviolet irradiation, or electron beam irradiation. , etching treatment or primer treatment such as chemical conversion or oxidation can be performed. Additionally, the transparent substrate 2 can be dusted and cleaned by solvent cleaning, ultrasonic cleaning, etc.
이어서, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트층 (3) 을 형성한다. 예를 들어, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트 조성물을 습식 도공함으로써, 투명 기재 (2) 의 상면에 하드 코트층 (3) 을 형성한다.Next, a hard coat layer (3) is formed on the upper surface of the transparent substrate (2). For example, the hard coat layer 3 is formed on the upper surface of the transparent substrate 2 by wet coating the hard coat composition on the upper surface of the transparent substrate 2.
구체적으로는, 예를 들어, 하드 코트 조성물을 용매로 희석한 하드 코트 조성물 도포액을 조제하고, 계속해서, 그 도포액을 투명 기재 (2) 의 상면에 도포하여, 건조시킨다.Specifically, for example, a hard coat composition coating liquid is prepared by diluting the hard coat composition with a solvent, and then the coating liquid is applied to the upper surface of the transparent base material 2 and dried.
용매로는, 예를 들어, 유기 용매, 수계 용매 (구체적으로는, 물) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 유기 용매를 들 수 있다. 유기 용매로는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 등의 알코올 화합물, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 화합물, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르 화합물, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르 화합물, 예를 들어, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 이들 용매는, 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는 에스테르 화합물, 에테르 화합물을 들 수 있다.Examples of the solvent include organic solvents and aqueous solvents (specifically, water), and organic solvents are preferred. Organic solvents include, for example, alcohol compounds such as methanol, ethanol and isopropyl alcohol, ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, such as ethyl acetate and butyl acetate. ester compounds, ether compounds such as propylene glycol monomethyl ether, and aromatic compounds such as toluene and xylene. These solvents can be used individually or in combination of two or more types. Preferred examples include ester compounds and ether compounds.
도포액에 있어서의 고형분 농도는, 예를 들어, 1 질량% 이상, 바람직하게는 10 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 30 질량% 이하, 바람직하게는 20 질량% 이하이다.The solid content concentration in the coating liquid is, for example, 1% by mass or more, preferably 10% by mass or more, and for example, 30% by mass or less, preferably 20% by mass or less.
도포 방법으로는 도포액 및 투명 기재 (2) 에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 롤러 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 잉크젯법 등을 들 수 있다.The application method can be appropriately selected depending on the coating liquid and transparent substrate (2). For example, the dip coat method, air knife coat method, curtain coat method, roller coat method, wire bar coat method, gravure coat method, inkjet method, etc. are mentioned.
건조 온도는, 예를 들어, 50 ℃ 이상, 바람직하게는 60 ℃ 이상이고, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는 150 ℃ 이하이다.The drying temperature is, for example, 50°C or higher, preferably 60°C or higher, for example, 200°C or lower, preferably 150°C or lower.
건조 시간은, 예를 들어, 0.5 분 이상, 바람직하게는 1 분 이상이고, 예를 들어, 60 분 이하, 바람직하게는 20 분 이하이다.The drying time is, for example, 0.5 minutes or more, preferably 1 minute or more, for example, 60 minutes or less, preferably 20 minutes or less.
그 후, 하드 코트 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 도포액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Then, when the hard coat composition contains an active energy ray curable resin, the active energy ray curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the coating liquid.
또한, 하드 코트 조성물이, 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화할 수 있다.In addition, when the hard coat composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermoset along with drying the solvent through this drying process.
이어서, 하드 코트층 (3) 의 상면에 중간층 (4) 을 형성한다. 예를 들어, 하드 코트층 (3) 의 상면에 중간층 조성물을 습식 도공함으로써, 하드 코트층 (3) 의 상면에 중간층 (4) 을 형성한다.Next, the intermediate layer 4 is formed on the upper surface of the hard coat layer 3. For example, the intermediate layer 4 is formed on the upper surface of the hard coat layer 3 by wet coating the intermediate layer composition on the upper surface of the hard coat layer 3.
구체적으로는, 예를 들어, 필요에 따라 중간층 조성물을 용매로 희석한 중간층 조성물 도포액을 조제하고, 계속해서, 그 도포액을 하드 코트층 (3) 의 상면에 도포하여, 건조시킨다.Specifically, for example, an intermediate layer composition coating liquid is prepared by diluting the intermediate layer composition with a solvent as necessary, and then the coating liquid is applied to the upper surface of the hard coat layer 3 and dried.
중간층 조성물의 조제, 도포, 건조 등의 조건은, 하드 코트 조성물에서 예시한 조제, 도포, 건조 등의 조건과 동일한 것을 들 수 있다.Conditions for preparation, application, drying, etc. of the intermediate layer composition may be the same as the conditions for preparation, application, drying, etc. exemplified for the hard coat composition.
그 후, 중간층 조성물이 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 경우에는, 도포액의 건조 후에, 활성 에너지선을 조사함으로써, 활성 에너지선 경화성 수지를 경화시킨다.Then, when the intermediate layer composition contains an active energy ray-curable resin, the active energy ray-curable resin is cured by irradiating an active energy ray after drying the coating liquid.
또, 중간층 조성물이, 열경화성 수지를 함유하는 경우에는, 이 건조 공정에 의해, 용매의 건조와 함께, 열경화성 수지를 열경화할 수 있다.Additionally, when the intermediate layer composition contains a thermosetting resin, the thermosetting resin can be thermoset along with drying the solvent through this drying process.
이어서, 중간층 (4) 의 상면에 투명 도전층 (5) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 중간층 (4) 의 상면에 투명 도전층 (5) 을 형성한다.Next, a transparent conductive layer (5) is formed on the upper surface of the intermediate layer (4). For example, the transparent conductive layer 5 is formed on the upper surface of the intermediate layer 4 by a dry method.
건식 방법으로는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해, 박막이며, 또한 두께가 균일한 투명 도전층 (5) 을 형성할 수 있다.Examples of dry methods include vacuum deposition, sputtering, and ion plating. Preferably, the sputtering method is used. By this method, the transparent conductive layer 5 that is thin and has a uniform thickness can be formed.
스퍼터링법은, 진공 챔버 내에 타깃 및 피착체 (중간층 (4) 및 하드 코트층 (3) 이 적층된 투명 기재 (2)) 를 대향 배치하여, 가스를 공급함과 함께 전원으로부터 전압을 인가함으로써 가스 이온을 가속하여 타깃에 조사시켜, 타깃 표면으로부터 타깃 재료를 튕겨내고, 그 타깃 재료를 피착체 표면에 적층시킨다.In the sputtering method, a target and an adherend (a transparent substrate (2) on which an intermediate layer (4) and a hard coat layer (3) are laminated) are placed facing each other in a vacuum chamber, gas is supplied, and a voltage is applied from a power source to produce gas ions. is accelerated and irradiated to the target, the target material is ejected from the target surface, and the target material is laminated on the surface of the adherend.
스퍼터링법으로는, 예를 들어, 2 극 스퍼터링법, ECR (전자 사이클로트론 공명) 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 마그네트론 스퍼터링법을 들 수 있다.Examples of the sputtering method include the two-pole sputtering method, ECR (electron cyclotron resonance) sputtering method, magnetron sputtering method, and ion beam sputtering method. Preferably, the magnetron sputtering method is used.
스퍼터링법을 채용하는 경우, 타깃 재료로는, 투명 도전층 (5) 을 구성하는 상기 서술한 금속 산화물 등을 들 수 있고, 바람직하게는 ITO 를 들 수 있다. ITO 의 산화주석 농도는, ITO 층의 내구성, 결정화 등의 관점에서, 예를 들어, 0.5 질량% 이상, 바람직하게는 3 질량% 이상이고, 또, 예를 들어, 15 질량% 이하, 바람직하게는 13 질량% 이하이다.When employing the sputtering method, target materials include the above-mentioned metal oxides constituting the transparent conductive layer 5, and preferably ITO. The tin oxide concentration of ITO is, for example, 0.5 mass% or more, preferably 3 mass% or more, and, for example, 15 mass% or less, preferably, from the viewpoint of durability of the ITO layer, crystallization, etc. It is 13% by mass or less.
가스로는, 예를 들어, Ar 등의 불활성 가스를 들 수 있다. 또, 필요에 따라, 산소 가스 등의 반응성 가스를 병용할 수 있다. 반응성 가스를 병용하는 경우에 있어서, 반응성 가스의 유량비 (sccm) 는 특별히 한정하지 않지만, 스퍼터 가스 및 반응성 가스의 합계 유량비에 대해, 예를 들어, 0.1 유량% 이상 5 유량% 이하이다.Examples of the gas include inert gas such as Ar. Additionally, if necessary, a reactive gas such as oxygen gas can be used together. When using a reactive gas together, the flow rate ratio (sccm) of the reactive gas is not particularly limited, but is, for example, 0.1 flow rate% or more and 5 flow rate% or less with respect to the total flow rate ratio of the sputter gas and the reactive gas.
스퍼터링시의 기압은, 스퍼터링 레이트의 저하 억제, 방전 안정성 등의 관점에서, 예를 들어, 1 Pa 이하이고, 바람직하게는 0.1 Pa 이상 0.7 Pa 이하이다.The atmospheric pressure during sputtering is, for example, 1 Pa or less, and is preferably 0.1 Pa or more and 0.7 Pa or less from the viewpoint of suppressing a decrease in the sputtering rate, discharge stability, etc.
전원은, 예를 들어, DC 전원, AC 전원, MF 전원 및 RF 전원 중 어느 것이어도 되고, 또, 이것들의 조합이어도 된다.The power supply may be, for example, any of DC power, AC power, MF power, and RF power, or may be a combination of these.
이어서, 투명 도전층 (5) 의 상면에 금속층 (6) 을 형성한다. 예를 들어, 건식 방법에 의해, 투명 도전층 (5) 의 상면에 금속층 (6) 을 형성한다.Next, a metal layer (6) is formed on the upper surface of the transparent conductive layer (5). For example, the metal layer 6 is formed on the upper surface of the transparent conductive layer 5 by a dry method.
건식 방법으로는, 투명 도전층 (5) 의 형성에서 상기 서술한 것과 동일한 것을 들 수 있고, 바람직하게는 스퍼터링법을 들 수 있다. 이 방법에 의해, 후막이어도, 균일한 두께를 갖는 금속층 (6) 을 형성할 수 있다.Dry methods include the same methods as those described above for forming the transparent conductive layer 5, and sputtering is preferred. By this method, the metal layer 6 with a uniform thickness can be formed even if it is a thick film.
금속층 (6) 에 있어서의 스퍼터링법의 조건도, 투명 도전층 (5) 의 형성에서 예시한 조건과 동일한 것을 들 수 있다.The conditions of the sputtering method for the metal layer 6 may also be the same as those exemplified in the formation of the transparent conductive layer 5.
또한, 타깃 재료로는, 금속층 (6) 을 구성하는 상기 서술한 금속 등을 들 수 있고, 바람직하게는 구리를 들 수 있다.In addition, the target material includes the above-mentioned metals constituting the metal layer 6, and copper is preferred.
이어서, 얻어진 장척인 도전성 필름 (1) 을, 권취 롤에 권취한다.Next, the obtained long conductive film 1 is wound on a winding roll.
그 결과, 롤상으로 감겨진 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.As a result, the conductive film 1 wound into a roll is obtained.
또한, 필요에 따라, 도전성 필름 (1) 의 투명 도전층 (5) 에 대해, 결정 전화 처리를 실시할 수 있다. 결정 전화 처리는, 얻어진 도전성 필름 (1) 에 대해 실시해도 되고, 또, 금속층 (6) 을 적층하기 전의 도전성 필름 (1) (중간 적층체, 즉, 투명 기재 (2)/하드 코트층 (3)/중간층 (4)/투명 도전층 (5) 의 적층체) 에 대해 실시해도 된다.Additionally, if necessary, crystal conversion treatment can be performed on the transparent conductive layer 5 of the conductive film 1. The crystal conversion treatment may be performed on the obtained conductive film (1), or on the conductive film (1) before lamination of the metal layer (6) (intermediate laminate, that is, transparent substrate (2)/hard coat layer (3). )/middle layer (4)/transparent conductive layer (5) laminate).
구체적으로는, 도전성 필름 (1) 또는 중간 적층체에 대기 하에서 가열 처리를 실시한다.Specifically, the conductive film (1) or the intermediate laminate is subjected to heat treatment in the air.
가열 처리는, 예를 들어, 적외선 히터, 오븐 등을 사용하여 실시할 수 있다.Heat treatment can be performed using, for example, an infrared heater or an oven.
가열 온도는, 예를 들어, 100 ℃ 이상, 바람직하게는 120 ℃ 이상이고, 또, 예를 들어, 200 ℃ 이하, 바람직하게는 160 ℃ 이하이다. 가열 온도를 상기 범위 내로 함으로써, 투명 기재 (2) 의 열 손상 및 투명 기재 (2) 로부터 발생하는 불순물을 억제하면서, 결정 전화를 확실하게 할 수 있다.The heating temperature is, for example, 100°C or higher, preferably 120°C or higher, and, for example, 200°C or lower, preferably 160°C or lower. By keeping the heating temperature within the above range, crystal transformation can be ensured while suppressing heat damage to the transparent substrate 2 and impurities generated from the transparent substrate 2.
가열 시간은, 가열 온도에 따라 적절히 결정되지만, 예를 들어, 10 분 이상, 바람직하게는 30 분 이상이고, 또, 예를 들어, 5 시간 이하, 바람직하게는 3 시간 이하이다.The heating time is appropriately determined depending on the heating temperature, but is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and, for example, 5 hours or less, preferably 3 hours or less.
이로써, 결정화된 투명 도전층 (5) 을 구비하는 도전성 필름 (1) 이 얻어진다.Thereby, the conductive film (1) provided with the crystallized transparent conductive layer (5) is obtained.
또한, 상기 공정에 있어서, 각 층의 형성마다 권취 롤에 감아도 된다. 또, 하드 코트층 (3), 중간층 (4), 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 의 형성까지 감지 않고 연속적으로 실시하여, 금속층 (6) 의 형성 후에 권취 롤에 감아도 된다.In addition, in the above process, each layer may be wound on a winding roll for each layer formed. In addition, the formation of the hard coat layer 3, the intermediate layer 4, the transparent conductive layer 5, and the metal layer 6 may be carried out continuously without winding, and may be wound on a winding roll after the formation of the metal layer 6.
또한, 필요에 따라, 결정 전화 처리 전 또는 후에 있어서, 공지된 에칭 수법을 이용하여, 투명 도전층 (5) 및/또는 금속층 (6) 을 스트라이프상 등의 배선 패턴으로 패터닝해도 된다.Additionally, if necessary, before or after the crystal conversion process, the transparent conductive layer 5 and/or the metal layer 6 may be patterned into a stripe-like wiring pattern using a known etching method.
투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 을 에칭하는 경우, 이것들을 동시에 에칭해도 되고, 또, 별도로 에칭해도 되지만, 바람직하게는 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 을 각각 별도의 패턴으로 확실하게 형성할 수 있는 관점에서, 이것들을 별도로 에칭한다.When etching the transparent conductive layer 5 and the metal layer 6, they may be etched simultaneously or separately, but preferably the transparent conductive layer 5 and the metal layer 6 are each etched in separate patterns. In view of being able to form them reliably, these are etched separately.
예를 들어, 먼저, 금속층 (6) 의 평면에서 보았을 때 주단부 (예를 들어, 주회 배선에 상당하는 영역) 에 원하는 배선 패턴 (예를 들어, 주회 배선) 이 형성되도록, 금속층 (6) (특히, 평면에서 보았을 때 중앙부) 을 에칭에 의해 제거한다. 이어서, 금속층 (6) 으로부터 노출된 투명 도전층 (5) (특히, 평면에서 보았을 때 중앙부) 을, 원하는 배선 패턴 (예를 들어, 터치 입력 영역에 있어서의 배선 패턴) 이 형성되도록, 에칭에 의해 제거한다.For example, first, the metal layer 6 is formed so that a desired wiring pattern (for example, a circumferential wiring) is formed at the main end (for example, an area corresponding to the circumferential wiring) when viewed from the plane of the metal layer 6 ( In particular, the central portion (when viewed from the top) is removed by etching. Next, the transparent conductive layer 5 (particularly, the central portion in plan view) exposed from the metal layer 6 is etched so that a desired wiring pattern (for example, a wiring pattern in the touch input area) is formed. Remove.
이로써, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 의 일 실시형태로서, 투명 기재 (2), 하드 코트층 (3), 중간층 (4), 패터닝 투명 도전층 (5A), 및 패터닝 금속층 (6A) 을 구비하는 패터닝 도전성 필름 (1A) 이 얻어진다.Accordingly, as shown in FIG. 2, as an embodiment of the conductive film 1, the transparent substrate 2, the hard coat layer 3, the intermediate layer 4, the patterned transparent conductive layer 5A, and the patterned metal layer ( A patterned conductive film (1A) having 6A) is obtained.
또한, 패터닝 금속층 (6A) 은, 평면에서 보았을 때 테두리 형상의 프레임부를 형성하고, 패터닝 투명 도전층 (5A) 은, 패터닝 금속층 (6A) 내에 있어서, 소정의 배선 패턴을 형성한다.Additionally, the patterning metal layer 6A forms a border-shaped frame portion in plan view, and the patterning transparent conductive layer 5A forms a predetermined wiring pattern within the patterning metal layer 6A.
8. 터치 패널8. Touch panel
도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기재에 사용된다. 터치 패널의 형식으로는, 예를 들어, 정전 용량 방식, 저항막 방식 등의 각종 방식을 들 수 있고, 특히 정전 용량 방식의 터치 패널에 바람직하게 사용된다. 구체적으로는, 예를 들어, 패터닝 도전성 필름 (1A) 을 보호 유리 등의 보호 기재에 배치함으로써, 터치 패널로서 사용한다.The conductive film 1 is used, for example, in a base material for a touch panel provided in an image display device. Types of the touch panel include, for example, various types such as a capacitive type and a resistive type, and are particularly preferably used for a capacitive type touch panel. Specifically, for example, the patterned conductive film 1A is placed on a protective substrate such as protective glass to use it as a touch panel.
또, 도전성 필름 (1) 은, 예를 들어, 전기 영동 방식, 트위스트 볼 방식, 서멀·리라이터블 방식, 광기록 액정 방식, 고분자 분산형 액정 방식, 게스트·호스트 액정 방식, 토너 표시 방식, 크로미즘 방식, 전계 석출 방식 등의 플렉시블 표시 소자에도 바람직하게 이용할 수 있다.In addition, the conductive film (1) is, for example, electrophoretic method, twisted ball method, thermal-rewriteable method, optical recording liquid crystal method, polymer dispersed liquid crystal method, guest/host liquid crystal method, toner display method, and It can also be suitably used in flexible display elements such as mism type and electric field deposition type.
9. 작용 효과9. Action effect
그리고, 이 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2), 중간층 (4), 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 을 이 순서대로 구비하고, 금속층 (6) 의 두께가, 100 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하이다. 이 때문에, 금속층 (6) 의 도전성 (낮은 표면 저항치) 을 양호하게 할 수 있다. 그 결과, 터치 패널의 프레임 부분 (단부) 에, 폭협이며 장척인 배선 패턴 (주회 배선) 을 확실하게 형성할 수 있다. 따라서, 터치 패널이 대형화되어도, 프레임 협소화를 도모할 수 있다.And this conductive film (1) is provided with a transparent base material (2), an intermediate layer (4), a transparent conductive layer (5), and a metal layer (6) in this order, and the thickness of the metal layer (6) is 100 nm or more. It is 400 nm or less. For this reason, the conductivity (low surface resistance value) of the metal layer 6 can be improved. As a result, a narrow and long wiring pattern (circular wiring) can be reliably formed in the frame portion (end portion) of the touch panel. Therefore, even if the touch panel becomes larger, frame narrowing can be achieved.
또, 중간층 (4) 의 굴절률이, 1.60 이상 1.70 이하이고, 중간층 (4) 이, 실리카 입자 및 제 2 무기 입자를 함유하는 무기 입자 성분을 함유하고, 중간층 (4) 에 있어서의 무기 입자 성분의 함유 비율이, 40.0 질량% 이상 66.0 질량% 이하이다.Moreover, the refractive index of the middle layer 4 is 1.60 or more and 1.70 or less, the middle layer 4 contains an inorganic particle component containing silica particles and a second inorganic particle, and the inorganic particle component in the middle layer 4 The content ratio is 40.0 mass% or more and 66.0 mass% or less.
이 때문에, 후막의 금속층 (6) (즉, 낮은 표면 저항치) 을 구비하는 도전성 필름 (1) 에 있어서, 금속층 (6) 과 투명 기재 (2) 의 밀착성이 양호하다. 특히, 투명 도전층 (5) 과 중간층 (4) 의 계면의 밀착성이 양호하고, 이들 사이에서 응집 파괴를 억제할 수 있기 때문에, 금속층 (6) 과 투명 기재 (2) 의 분리를 억제할 수 있다. 또, 투명 도전층 (5) 을 배선 패턴 (예를 들어, 터치 패널의 터치 입력 영역에 있어서의 패턴 ; 패터닝 투명 도전층 (5A)) 에 형성했을 때에, 그 배선 패턴의 시인을 억제할 수 있다. 또한, 투명 도전층 (5) 의 도전성이 양호하기 때문에, 터치 패널을 대형화했을 때에도 우수한 터치 응답성을 구비한다.For this reason, in the conductive film 1 provided with the thick metal layer 6 (i.e., low surface resistance value), the adhesion between the metal layer 6 and the transparent substrate 2 is good. In particular, the adhesiveness of the interface between the transparent conductive layer 5 and the intermediate layer 4 is good, and cohesive failure can be suppressed between them, so separation of the metal layer 6 and the transparent substrate 2 can be suppressed. . Additionally, when the transparent conductive layer 5 is formed on a wiring pattern (e.g., a pattern in the touch input area of a touch panel; patterned transparent conductive layer 5A), visibility of the wiring pattern can be suppressed. . Additionally, since the conductivity of the transparent conductive layer 5 is good, it has excellent touch response even when the touch panel is enlarged.
또한, 종래에는, 투명 도전층 (5) 과 투명 기재 (2) 사이에, 밀착층을 형성하면 밀착층에 의한 광학적 영향으로, 투명 도전층 (5) 의 배선 패턴이 시인되기 쉬워지는 경우가 발생한다. 또, 투명 도전층 (5) 은, 밀착층과 인접하기 때문에, 투명 도전층 (5) 의 결정화, 나아가서는, 저저항화에 영향을 미쳐, 투명 도전층의 결정화가 저해되어, 표면 저항치가 저감되지 않는 경우가 발생한다.Additionally, conventionally, when an adhesion layer is formed between the transparent conductive layer 5 and the transparent substrate 2, there are cases where the wiring pattern of the transparent conductive layer 5 becomes easily visible due to the optical influence of the adhesion layer. do. In addition, since the transparent conductive layer 5 is adjacent to the adhesion layer, it affects the crystallization of the transparent conductive layer 5 and, ultimately, lowering the resistance. Crystallization of the transparent conductive layer is inhibited, and the surface resistance value is reduced. There are cases where this does not work.
이에 반해, 본 발명의 도전성 필름 (1) 에서는, 상기 특정 구성의 중간층 (4) 이, 하드 코트층 (3) 과 투명 도전층 (5) 사이에 배치되어 있다. 그 때문에, 이것들의 밀착성을 향상시킴과 동시에, 배선 패턴의 시인을 억제하고, 나아가서는, 투명 도전층 (5) 의 결정화를 저해하지 않고, 표면 저항치를 저하시킬 수 있다.On the other hand, in the conductive film (1) of the present invention, the intermediate layer (4) of the above-described specific structure is disposed between the hard coat layer (3) and the transparent conductive layer (5). Therefore, these adhesion properties can be improved, visibility of the wiring pattern can be suppressed, and the surface resistance value can be lowered without inhibiting the crystallization of the transparent conductive layer 5.
<변형예><Modification example>
도 1 에 나타내는 실시형태에서는, 도전성 필름 (1) 은, 하드 코트층 (3) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 은, 하드 코트층 (3) 을 구비하지 않아도 된다. 즉, 도 3 에 나타내는 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 중간층 (4) 과, 투명 도전층 (5) 과, 금속층 (6) 으로 이루어진다.In the embodiment shown in FIG. 1, the conductive film 1 is provided with the hard coat layer 3. However, for example, as shown in FIG. 3, the conductive film 1 is provided with the hard coat layer 3. There is no need to provide . That is, the conductive film 1 shown in FIG. 3 consists of a transparent base material 2, an intermediate layer 4, a transparent conductive layer 5, and a metal layer 6.
또, 도 2 에 나타내는 실시형태에서는, 패터닝 도전성 필름 (1A) 은, 하드 코트층 (3) 을 구비하고 있지만, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 도전성 필름 (1) 은, 하드 코트층 (3) 을 구비하지 않아도 된다. 즉, 도 4 에 나타내는 도전성 필름 (1) 은, 투명 기재 (2) 와, 중간층 (4) 과, 패터닝 투명 도전층 (5A) 과, 패터닝 금속층 (6A) 으로 이루어진다.Moreover, in the embodiment shown in FIG. 2, the patterning conductive film 1A is provided with a hard coat layer 3, but, for example, as shown in FIG. 4, the conductive film 1 has a hard coat layer. (3) It is not necessary to provide. That is, the conductive film 1 shown in FIG. 4 consists of a transparent base material 2, an intermediate layer 4, a patterning transparent conductive layer 5A, and a patterning metal layer 6A.
이 실시형태에 있어서도, 도 1 및 도 2 에 나타내는 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘한다. 바람직하게는 내찰상성의 관점에서, 도 1 및 도 3 에 나타내는 실시형태를 들 수 있다.Also in this embodiment, the same effects as those in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are achieved. Preferably, from the viewpoint of scratch resistance, the embodiment shown in FIGS. 1 and 3 is given.
또, 도 1 및 도 2 에 나타내는 실시형태는, 투명 기재 (2) 의 하면이 노출되어 있지만, 예를 들어, 도시되지 않지만, 투명 기재 (2) 의 하면에, 추가로, 하드 코트층 (3), 중간층 (4), 투명 도전층 (5) 및 금속층 (6) 의 전부 또는 일부를 구비하고 있어도 된다.In addition, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the lower surface of the transparent substrate 2 is exposed. For example, although not shown, the hard coat layer 3 is further formed on the lower surface of the transparent substrate 2. ), the intermediate layer 4, the transparent conductive layer 5, and the metal layer 6 may be provided in whole or in part.
이 실시형태에 있어서도, 도 1 및 도 2 에 나타내는 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘한다.Also in this embodiment, the same effects as those in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are achieved.
실시예Example
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 실시예 및 비교예에 전혀 한정되지 않는다. 이하의 기재에 있어서 사용되는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율 (함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한치 (「이하」, 「미만」으로서 정의되고 있는 수치) 또는 하한치 (「이상」, 「초과」로서 정의되고 있는 수치) 로 대체할 수 있다.Examples and comparative examples are given below to illustrate the present invention in more detail. Additionally, the present invention is not limited to the Examples and Comparative Examples. The specific values of mixing ratio (content ratio), physical properties, parameters, etc. used in the following description are the corresponding mixing ratio (content ratio) described in the above "Mode for carrying out the invention", Physical properties, parameters, etc. can be replaced with the upper limit value (a value defined as “less than” or “less than”) or a lower limit value (a value defined as “above” or “exceeding”).
(실시예 1)(Example 1)
장척인 투명 기재로서, 두께 100 ㎛ 의 시클로올레핀 폴리머 필름 (COP 필름, 닛폰 제온사 제조, 「제오노아 ZF16」) 을 준비하였다.As a long transparent substrate, a cycloolefin polymer film (COP film, manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., “Zeonoa ZF16”) with a thickness of 100 μm was prepared.
자외선 경화형 아크릴 수지 (DIC 사 제조, 「ELS888」) 100 질량부 및 광 중합 개시제 (BASF 사 제조, 「Irgacure184」) 2 질량부 및 아세트산에틸 160 질량을 혼합하여, 하드 코트 조성물 용액을 조제하였다. COP 필름의 상면에, 하드 코트 조성물 용액을 도포하여, 80 ℃ 1 분간의 조건에서 건조시키고, 자외선을 조사하였다. 이로써, 두께 2 ㎛ 의 하드 코트층을 COP 필름의 상면에 형성하였다.A hard coat composition solution was prepared by mixing 100 parts by mass of an ultraviolet curable acrylic resin (“ELS888”, manufactured by DIC), 2 parts by mass of a photopolymerization initiator (“Irgacure184”, manufactured by BASF), and 160 parts by mass of ethyl acetate. The hard coat composition solution was applied to the upper surface of the COP film, dried at 80°C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays. In this way, a hard coat layer with a thickness of 2 μm was formed on the upper surface of the COP film.
무기 입자 함유 수지 용액 (JSR 사 제조, 「KZ6954」) 100 질량부에, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 700 질량부를 혼합하여, 중간층 조성물 용액을 조제하였다. 하드 코트층의 상면에, 중간층 조성물 용액을 도포하여, 60 ℃ 1 분간의 조건에서 건조시키고, 자외선을 조사하였다. 이로써, 두께 100 ㎚ 의 중간층을 하드 코트층의 상면에 형성하였다.An intermediate layer composition solution was prepared by mixing 700 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether with 100 parts by mass of an inorganic particle-containing resin solution (“KZ6954” manufactured by JSR). The middle layer composition solution was applied to the upper surface of the hard coat layer, dried at 60°C for 1 minute, and then irradiated with ultraviolet rays. In this way, an intermediate layer with a thickness of 100 nm was formed on the upper surface of the hard coat layer.
또한, 무기 입자 함유 수지 용액 (JSR 사 제조, 「KZ6954」) 의 고형분은, 무기 입자 성분 62.5 질량% 및 수지 성분 37.5 질량% 였다. 또, 무기 입자 성분은, 실리카 입자 (평균 입자경 10 ㎚) 19 질량% 및 산화지르코늄 입자 (평균 입자경 25 ㎚) 81 질량% 였다.In addition, the solid content of the inorganic particle-containing resin solution (“KZ6954” manufactured by JSR) was 62.5% by mass of the inorganic particle component and 37.5% by mass of the resin component. Moreover, the inorganic particle component was 19 mass% of silica particles (average particle diameter 10 nm) and 81 mass% of zirconium oxide particles (average particle diameter 25 nm).
이어서, COP 필름/하드 코트층/중간층의 적층체를, 권취식 스퍼터링 장치에 투입하여, 중간층의 상면에, 두께가 30 ㎚ 인 ITO 층 (비정질) 을 형성하였다. 구체적으로는, 아르곤 가스 98 % 및 산소 가스 2 % 를 도입한 기압 0.4 Pa 의 진공 분위기 하에서, 97 질량% 의 산화인듐 및 3 질량% 의 산화주석의 소결체로 이루어지는 ITO 타깃을 사용하여, 중간층에 대해 스퍼터링을 실시하였다.Next, the laminate of COP film/hard coat layer/middle layer was put into a winding sputtering device, and an ITO layer (amorphous) with a thickness of 30 nm was formed on the upper surface of the middle layer. Specifically, an ITO target made of a sintered body of 97 mass% indium oxide and 3 mass% tin oxide was used in a vacuum atmosphere with 98% argon gas and 2% oxygen gas and a pressure of 0.4 Pa for the intermediate layer. Sputtering was performed.
이어서, COP 필름/하드 코트층/중간층/ITO 층 (비정질) 의 적층체를, 권취식 스퍼터링 장치에 투입하여, ITO 층의 상면에, 두께가 200 ㎚ 인 구리층을 형성하였다. 구체적으로는, 아르곤 가스를 도입한 기압 0.4 Pa 의 진공 분위기 하에서, 무산소동으로 이루어지는 ITO 타깃을 사용하여, ITO 층에 대해 스퍼터링을 실시하였다.Next, the laminate of COP film/hard coat layer/middle layer/ITO layer (amorphous) was put into a winding sputtering device, and a copper layer with a thickness of 200 nm was formed on the upper surface of the ITO layer. Specifically, sputtering was performed on the ITO layer using an ITO target made of oxygen-free copper in a vacuum atmosphere with argon gas and an atmospheric pressure of 0.4 Pa.
이로써, 실시예 1 의 롤상의 도전성 필름을 제조하였다.In this way, the roll-shaped conductive film of Example 1 was manufactured.
(실시예 2 ∼ 4)(Examples 2 to 4)
중간층의 형성에 있어서, 중간층의 처방이 표 1 에 기재된 처방이 되도록, 2 종류의 JSR 사 제조의 오프스타 KZ 시리즈 (「KZ6954」및 「KZ6956」) 를 적절히 혼합하여, 무기 입자 수지 용액을 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 필름을 제조하였다.In forming the intermediate layer, an inorganic particle resin solution was prepared by appropriately mixing two types of Offstar KZ series (“KZ6954” and “KZ6956”) manufactured by JSR so that the formulation of the intermediate layer was as shown in Table 1. Other than that, a conductive film was manufactured in the same manner as in Example 1.
또한, 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 JSR 사 제조의 오프스타 KZ 시리즈, 오프스타 Z 시리즈, 및 아라카와 화학 공업사 제조의 「RA017」에 함유되는 무기 입자 (실리카 입자 및/또는 산화지르코늄 입자) 의 종류는, 거의 동일하였다.In addition, the inorganic particles (silica particles and/or zirconium oxide particles) contained in the Offstar KZ series, Offstar Z series manufactured by JSR, and the "RA017" manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd. used in each Example and each Comparative Example. The types were almost the same.
(실시예 5)(Example 5)
중간층의 형성에 있어서, 중간층의 처방이 표 1 에 기재된 처방이 되도록, 또한 굴절률이 1.60 이 되도록, 2 종류의 JSR 사 제조의 오프스타 KZ 시리즈 (「KZ6954」25 질량% 「KZ6956」75 질량%) 100 질량부, 및 2 종류의 유기 수지 함유 용액 (오사카 유기 화학 공업사 제조 「비스코트 300」17 질량부, 및 닛폰 화약사 제조 「KAYARAD BNP-1」18 질량부) 을 혼합하여, 무기 입자 수지 용액을 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 필름을 제조하였다.In the formation of the intermediate layer, two types of Offstar KZ series manufactured by JSR (25% by mass of "KZ6954" and 75% by mass of "KZ6956") were used so that the prescription of the intermediate layer was the prescription shown in Table 1 and the refractive index was 1.60. 100 parts by mass, and two types of organic resin-containing solutions (17 parts by mass of "Viscot 300" manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. and 18 parts by mass of "KAYARAD BNP-1" manufactured by Nippon Kayak Co., Ltd.) were mixed to form an inorganic particle resin solution. A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that .
(실시예 6)(Example 6)
중간층의 형성에 있어서, 중간층의 처방이 표 1 에 기재된 처방이 되도록, 또한 굴절률이 1.70 이 되도록, JSR 사 제조의 「오프스타 Z7414」66 질량부, 및 아라카와 화학 공업사 제조의 「RA017」34 질량부를 혼합하여, 무기 입자 수지 용액을 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 필름을 제조하였다.In forming the intermediate layer, 66 parts by mass of "Offstar Z7414" manufactured by JSR and 34 parts by mass of "RA017" manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd. were used so that the prescription of the intermediate layer was the prescription shown in Table 1 and the refractive index was 1.70. A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the inorganic particle resin solution was prepared by mixing.
(비교예 1 ∼ 5)(Comparative Examples 1 to 5)
중간층의 형성에 있어서, 중간층의 처방이 표 1 에 기재된 처방이 되도록, JSR 사 제조의 오프스타 KZ 시리즈 (「KZ6953」, 「KZ6954」, 「KZ6956」) 또는 오프스타 Z 시리즈 (「Z7549」) 를 적절히 혼합하여, 무기 입자 수지 용액을 조제한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 도전성 필름을 제조하였다.In forming the intermediate layer, use Offstar KZ series (“KZ6953”, “KZ6954”, “KZ6956”) or Offstar Z series (“Z7549”) manufactured by JSR so that the prescription of the intermediate layer is the prescription shown in Table 1. A conductive film was produced in the same manner as in Example 1, except that the inorganic particle resin solution was prepared by mixing appropriately.
(비교예 6)(Comparative Example 6)
구리층의 두께를 50 ㎚ 로 변경한 것 이외에는, 비교예 1 과 동일하게 하여, 도전성 필름을 제조하였다.A conductive film was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the thickness of the copper layer was changed to 50 nm.
(각 층의 두께)(thickness of each layer)
두께가 1.0 ㎛ 미만인 층은, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소사 제조, 「H-7650」) 을 사용하여, 도전성 필름의 단면을 관찰하여 측정하였다. 두께가 1.0 ㎛ 이상인 층은, 막후계 (Peacock 사 제조 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The layer with a thickness of less than 1.0 μm was measured by observing the cross section of the conductive film using a transmission electron microscope (“H-7650” manufactured by Hitachi Ltd.). The layer with a thickness of 1.0 μm or more was measured using a membrane thickness gauge (digital dial gauge DG-205 manufactured by Peacock). The results are shown in Table 1.
(굴절률)(refractive index)
아베 굴절률계 (아타고사 제조) 를 사용하여, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률을 측정하였다.The refractive index at a wavelength of 589 nm was measured using an Abbe refractometer (manufactured by Atago).
(밀착성)(adhesion)
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 도전성 필름의 구리층의 표면에 대해, 가로세로 1 ㎜ 의 매스 눈금이 100 개 (10 행 × 10 열) 형성되도록, 커터 나이프를 사용하여 바둑판눈 형상으로 절단면을 형성하였다. 이어서, 절단면을 형성한 구리층 표면에, 점착 테이프 (세키스이 화학 공업사 제조, 상품명 「셀로테이프 (등록 상표) No.252」) 를 첩부한 후, 박리하는 공정을 2 회 반복하였다. 이 때의 구리층 표면을 육안으로 관찰하여, 밀착성을 이하와 같이 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.On the surface of the copper layer of the conductive film obtained in each example and each comparative example, a cut surface was cut in a checkerboard shape using a cutter knife so that 100 mass scales of 1 mm in width and height were formed (10 rows × 10 columns). formed. Next, an adhesive tape (manufactured by Sekisui Chemical Industries, Ltd., brand name "Sellotape (registered trademark) No. 252") was affixed to the surface of the copper layer on which the cut surface was formed, and then the peeling process was repeated twice. The surface of the copper layer at this time was observed with the naked eye, and adhesion was evaluated as follows. The results are shown in Table 1.
5 : 구리층의 박리가 전혀 보이지 않았다 (박리 면적이 1 % 미만)5: No peeling of the copper layer was seen at all (the peeling area was less than 1%)
4 : 크로스 컷의 절단면 주변에, 결락이 보이는 정도였다 (박리 면적이 1 % 이상 10 % 미만).4: Missing was visible around the cut surface of the crosscut (the peeling area was 1% or more and less than 10%).
3 : 구리층의 박리 면적이 10 % 이상 40 % 미만이었다3: The peeling area of the copper layer was 10% or more and less than 40%.
2 : 구리층의 박리 면적이 40 % 이상 60 % 미만이었다2: The peeling area of the copper layer was 40% or more and less than 60%.
1 : 구리층의 박리 면적이 60 % 이상 80 % 미만이었다1: The peeling area of the copper layer was 60% or more and less than 80%.
0 : 구리층의 박리 면적이 80 % 이상이었다0: The peeling area of the copper layer was 80% or more.
또한, 상기에서는, ITO 층이 비정질인 도전성 필름에 있어서, 구리층의 밀착성을 측정했지만, 구리층의 밀착성에 대해서는, ITO 층이 결정층인 경우에 있어서도, 동일한 측정 결과가 얻어진다.In addition, in the above, the adhesion of the copper layer was measured in the conductive film in which the ITO layer is amorphous, but the same measurement results for the adhesion of the copper layer are obtained even when the ITO layer is a crystalline layer.
(배선 패턴의 시인성)(Visibility of wiring pattern)
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 롤상의 도전성 필름을 10 ㎝ × 10 ㎝ 로 잘라내고, 그 도전성 필름의 금속층 상에, 소정 패턴의 드라이 필름 레지스트를 배치하여, 금속층만을 에칭한 후, 레지스트를 제거하였다. 이로써, 둘레단 가장자리에만, 프레임의 주회 배선에 상당하는 금속층을 패터닝하였다.The roll-shaped conductive film obtained in each example and each comparative example was cut into 10 cm did. In this way, a metal layer corresponding to the circumferential wiring of the frame was patterned only at the peripheral edge.
이어서, 도전성 필름의 프레임을 제외한 평면에서 보았을 때 중앙의 ITO 층에, 소정 패턴의 드라이 필름 레지스트를 배치하고, ITO 층만을 에칭한 후, 레지스트를 제거하였다. 이로써, 평면에서 보았을 때 중앙에, 배선 패턴에 상당하는 ITO 층을 패터닝하였다 (도 2 참조).Next, a dry film resist with a predetermined pattern was placed on the central ITO layer when viewed from a plane excluding the frame of the conductive film, and only the ITO layer was etched, and then the resist was removed. In this way, an ITO layer corresponding to a wiring pattern was patterned in the center when viewed in plan view (see FIG. 2).
얻어진 패터닝 도전성 필름의 배선 패턴을, LED 광원 하에서, 기울기 45 도 방향에서 육안으로 보았다.The wiring pattern of the obtained patterned conductive film was viewed with the naked eye under an LED light source at an inclination of 45 degrees.
배선 패턴이 확인되지 않았던 경우를 ○ 로 평가하고, 배선 패턴이 약간 확인된 경우를 △ 로 평가하고, 배선 패턴이 명확하게 확인된 경우를 × 로 평가하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.Cases where the wiring pattern was not confirmed were evaluated as ○, cases where the wiring pattern was slightly confirmed were evaluated as △, and cases where the wiring pattern was clearly confirmed were evaluated as ×. The results are shown in Table 1.
(ITO 층의 표면 저항치)(Surface resistance value of ITO layer)
각 실시예 및 각 비교예에 있어서, 구리층을 형성하기 직전의 도전성 필름 (COP 필름/하드 코트층/중간층/ITO 층 (비정질) 의 적층체) 을 롤 투 롤 방식으로 공기 순환식 오븐에 투입하여, 140 ℃ 에서 60 분간의 조건에서 가열 처리를 실시하여, ITO 층을 결정화시켰다. 이로써, 표면 저항치 측정용의 샘플 (COP 필름/하드 코트층/중간층/결정질 ITO 층의 적층체) 을 얻었다.In each example and each comparative example, the conductive film (laminated body of COP film/hard coat layer/middle layer/ITO layer (amorphous)) immediately before forming the copper layer was put into an air circulation oven using a roll-to-roll method. Then, heat treatment was performed at 140°C for 60 minutes to crystallize the ITO layer. As a result, a sample for measuring surface resistance (laminated body of COP film/hard coat layer/middle layer/crystalline ITO layer) was obtained.
각 샘플의 결정질 ITO 층의 표면 저항치를, JIS K 7194 (1994 년) 에 준하여, 4 단자법에 의해 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The surface resistance of the crystalline ITO layer of each sample was measured by the four-terminal method in accordance with JIS K 7194 (1994). The results are shown in Table 1.
(구리층의 표면 저항치)(Surface resistance value of copper layer)
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 롤상의 도전성 필름의 구리층의 표면 저항치를, 4 단자법에 의해 측정한 결과, 비교예 6 의 도전성 필름의 표면 저항치 (0.6 Ω/□) 는, 각 실시예 및 비교예 1 ∼ 5 의 도전성 필름의 표면 저항치 (0.1 Ω/□) 보다 분명하게 높은 값을 나타냈다.The surface resistance value of the copper layer of the roll-shaped conductive film obtained in each example and each comparative example was measured by the four-terminal method. As a result, the surface resistance value (0.6 Ω/□) of the conductive film of Comparative Example 6 was found in each example. and the surface resistance value (0.1 Ω/□) of the conductive films of Comparative Examples 1 to 5.
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 명확한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 청구의 범위에 포함된다.Additionally, although the above invention has been provided as an exemplary embodiment of the present invention, this is merely an example and should not be construed as limited. Modifications of the present invention apparent to those skilled in the art are included in the claims described hereinafter.
산업상 이용가능성Industrial applicability
본 발명의 도전성 필름 및 터치 패널은, 각종 공업 제품에 적용할 수 있고, 예를 들어, 화상 표시 장치 등에 바람직하게 사용된다.The conductive film and touch panel of the present invention can be applied to various industrial products and are suitably used in, for example, image display devices.
1 : 도전성 필름
2 : 투명 기재
4 : 중간층
5 : 투명 도전층
6 : 금속층1: Conductive film
2: Transparent substrate
4: middle layer
5: Transparent conductive layer
6: metal layer
Claims (9)
상기 금속층의 두께가, 100 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하이고,
상기 중간층의 굴절률이, 1.60 이상 1.70 이하이고,
상기 중간층이, 실리카 입자와, 상기 실리카 입자보다 굴절률이 높은 무기 입자를 함유하는 무기 입자 성분을 함유하고, 상기 무기 입자 성분에 있어서의 상기 실리카 입자의 비율이 1 질량% 이상 50 질량% 이하이고,
상기 중간층에 있어서의 상기 무기 입자 성분의 함유 비율이, 40.0 질량% 이상 66.0 질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.A transparent substrate, an intermediate layer, a transparent conductive layer, and a metal layer are provided in this order,
The thickness of the metal layer is 100 nm or more and 400 nm or less,
The refractive index of the intermediate layer is 1.60 or more and 1.70 or less,
The intermediate layer contains silica particles and an inorganic particle component containing inorganic particles with a higher refractive index than the silica particles, and the ratio of the silica particles to the inorganic particle component is 1 mass% or more and 50 mass% or less,
A conductive film characterized in that the content ratio of the inorganic particle component in the intermediate layer is 40.0 mass% or more and 66.0 mass% or less.
상기 중간층의 두께가, 30 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that the thickness of the intermediate layer is 30 nm or more and 150 nm or less.
상기 중간층에 있어서의 상기 무기 입자 성분의 함유 비율이, 50.0 질량% 이상 60.0 질량% 이하인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that the content ratio of the inorganic particle component in the intermediate layer is 50.0 mass% or more and 60.0 mass% or less.
상기 중간층이, 상기 무기 입자 성분을 함유하는 수지층인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that the intermediate layer is a resin layer containing the inorganic particle component.
상기 실리카 입자보다 굴절률이 높은 상기 무기 입자가, 산화지르코늄인 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that the inorganic particles having a higher refractive index than the silica particles are zirconium oxide.
상기 금속층이, 구리, 니켈, 크롬, 철 및 티탄의 적어도 1 종을 함유하는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that the metal layer contains at least one of copper, nickel, chromium, iron, and titanium.
상기 투명 도전층 및 상기 금속층의 양방이, 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film characterized in that both the transparent conductive layer and the metal layer are patterned.
롤상으로 감겨져 있는 것을 특징으로 하는, 도전성 필름.According to claim 1,
A conductive film, characterized in that it is wound into a roll.
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