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KR102075064B1 - Multi array electrode arrayed extrusion electrode and method for manufacturing the same - Google Patents

Multi array electrode arrayed extrusion electrode and method for manufacturing the same Download PDF

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KR102075064B1
KR102075064B1 KR1020180139455A KR20180139455A KR102075064B1 KR 102075064 B1 KR102075064 B1 KR 102075064B1 KR 1020180139455 A KR1020180139455 A KR 1020180139455A KR 20180139455 A KR20180139455 A KR 20180139455A KR 102075064 B1 KR102075064 B1 KR 102075064B1
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KR
South Korea
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protrusion
substrate
electrode
protruding electrode
forming
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KR1020180139455A
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Inventor
김성빈
박찬규
고건웅
Original Assignee
(주)애니캐스팅
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Publication date
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Abstract

The present invention relates to a multi-array electrode having a protrusion electrode unit arranged thereon and a method for manufacturing the same. Specifically, the present invention relates to a multi-array electrode which can be used to manufacture an organic deposition mask having a fine deposition opening unit which consists of a structure in which the protrusion electrode unit which can precisely process a fine hole is arranged, and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the multi-array electrode having a protrusion electrode unit arranged thereon comprises: a substrate; a protrusion unit arranged on one surface of the substrate; and a plating layer formed on the surface of the substrate. The protrusion electrode unit has the plating layer formed on the surface of the protrusion unit.

Description

돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법 {Multi array electrode arrayed extrusion electrode and method for manufacturing the same}Multi-array electrode with protruding electrode part and method for manufacturing same {Multi array electrode arrayed extrusion electrode and method for manufacturing the same}

본 발명은 돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 미세한 구멍을 정밀하게 가공할 수 있는 돌출전극부가 배열되어 있는 구조로 이루어져 미세한 증착개구부를 갖는 유기 증착 마스크 제조에 이용 가능한 다중배열전극과, 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multi-array electrode having a protruding electrode portion and a method of manufacturing the same, and specifically, to an organic deposition mask having a fine deposition opening having a structure in which a protruding electrode portion capable of precisely processing fine holes is arranged. It relates to a multi-array electrode usable in, and a method of manufacturing the same.

OLED(Organic Light Emitting Diodes) 소자는 감성화면구현, 고속응답속도, 자체발광, 박형제작, 저전력, 넓은 시야각 등의 특성을 지닐 뿐만 아니라 플렉시블(Flexible)한 기판을 사용할 수 있으므로 디스플레이 분야 및 조명 분야에서 크게 각광받고 있다.OLED (Organic Light Emitting Diodes) devices have characteristics such as emotional screen realization, high-speed response speed, self-luminous, thin manufacturing, low power, wide viewing angle, and can use flexible substrates. It is in great spotlight.

특히, 유기 발광(OLED, Organic Light Emitting Diode) 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있으며, 또한 넓은 시야각, 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 가진다는 점에서 주목받고 있다.In particular, organic light emitting diode (OLED) displays have self-luminous characteristics, and unlike liquid crystal display devices, organic light emitting diode (OLED) displays do not require a separate light source, thereby reducing thickness and weight. It is attracting attention because it has high quality characteristics, such as viewing angle, low power consumption, high brightness, and high reaction speed.

이러한 유기 발광 표시 장치는 여러 개의 서브 픽셀이 하나의 픽셀을 이루며, 유기 발광 표시 장치를 제조하는 과정에서 각각의 서브 픽셀은 여러 가지 방법에 의하여 형성시킬 수 있는데, 이중 하나의 방법이 증착법이다.In the organic light emitting diode display, a plurality of subpixels constitute one pixel, and each subpixel may be formed by various methods in the process of manufacturing the organic light emitting diode display, and one method is a deposition method.

증착 방법을 이용하여 서브 픽셀을 형성하기 위해서는 기판 상에 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴의 증착개구부를 가지는 파인 메탈 마스크(FMM: fine metal mask)가 필요하다.In order to form a subpixel using a deposition method, a fine metal mask (FMM) having a deposition opening of the same pattern as a pattern of a thin film or the like to be formed on a substrate is required.

즉, 파인 메탈 마스크는 유기발광 다이오드 패널의 제조 공정에서 기판 상에 유기물을 증착하여 기판에 화소 패턴을 형성하는데 사용되는 것으로서, 기판 상에 형성하고자 하는 화소 패턴과 동일한 패턴의 증착개구부를 가지는 금속 박판을 말한다.That is, the fine metal mask is used to form a pixel pattern on the substrate by depositing an organic material on the substrate in the manufacturing process of the organic light emitting diode panel, a metal thin plate having a deposition opening of the same pattern as the pixel pattern to be formed on the substrate Say

증착 공정을 간단히 설명하면, 기판 상에 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴의 증착개구부를 가지는 파인 메탈 마스크를 챔버 하단에 위치한 증착원과 기판 사이에 정렬한 후 증착원에서 유기물을 가열하면, 가열된 유기물은 승화되고 승화된 유기물은 상부에 위치한 파인 메탈 마스크의 증착개구부를 통과하여 기판 상에 증착하게 되면서, 기판 상에 원하는 패턴의 박막 즉, 화소 패턴이 형성된다.Briefly describing the deposition process, a fine metal mask having a deposition opening of the same pattern as the pattern of a thin film to be formed on the substrate is aligned between the deposition source located at the bottom of the chamber and the substrate, and then heating the organic material in the deposition source, The sublimed organic material is sublimed and the sublimed organic material is deposited on the substrate through the deposition opening of the fine metal mask located thereon, thereby forming a thin film, that is, a pixel pattern, of a desired pattern on the substrate.

이러한 파인 메탈 마스크는 유기 발광 표시 장치의 품질과 전체 수율에 상당히 큰 영향을 미치므로 파인 메탈 마스크의 중요성이 더욱 높아지고 있다.Since the fine metal mask has a great influence on the quality and overall yield of the organic light emitting diode display, the importance of the fine metal mask is increasing.

최근에는, 가상 현실(VR, virtual reality) 기기 등 다양한 전자기기에서 초고해상도(UHD, Ultra High Definition)의 표시 장치가 요구됨에 따라 초고해상도(UHD급)의 패턴을 형성할 수 있는 미세한 크기의 증착개구부를 가지는 파인 메탈 마스크가 요구된다.Recently, as a display device of ultra high definition (UHD) is required in various electronic devices such as a virtual reality (VR, virtual reality) device, fine size deposition capable of forming a pattern of ultra high resolution (UHD) Fine metal masks with openings are required.

종래 위와 같은 파인 메탈 마스크를 제조하는 방법으로는 식각(etching) 방식과 전주도금 방식이 있다. Conventionally, a method of manufacturing the fine metal mask as described above includes an etching method and an electroplating method.

식각 방식은 포토 레지스트법에 의해 증착개구부의 패턴을 가지는 레지스트 층을 박판에 형성하거나 증착개구부의 패턴을 가진 필름을 박판에 부착한 후 박판을 식각(etching)하는 것이다. The etching method is to form a resist layer having a pattern of the deposition opening on the thin plate by the photoresist method or to attach the film having the pattern of the deposition opening to the thin plate and then etch the thin plate.

그러나 식각방식에 의한 파인 메탈 마스크 제조방법은 파인 메탈 마스크가 대형화되고 증착개구부의 패턴이 미세화됨에 따라 폭 공차 및 증착개구부 가장자리의 공차를 정확하게 일치시킬 수 없다는 문제가 있다. 특히, 박판을 식각하여 파인 메탈 마스크를 제작하는 경우 박판이 오버 에칭이나 언더 에칭되는 경우 증착개구부의 규격을 균일하게 할 수 없다.However, the method of manufacturing a fine metal mask by an etching method has a problem in that the width tolerance and the tolerance of the edge of the deposition opening cannot be exactly matched as the fine metal mask is enlarged and the pattern of the deposition opening is reduced. In particular, in the case of producing a fine metal mask by etching the thin plate, when the thin plate is over-etched or under-etched, the specification of the deposition opening cannot be uniform.

전주도금 방식은 몰드 상에 전해도금 한 후 이형 하여 얇은 박판을 제작하는 방식으로, 전기도금과 같은 조작으로 금속염 용액의 전기 분해에 의해서 몰드 위에 금속을 전해에 의해 필요한 두께로 증착시킨 후 몰드에서 박리하게 되면 몰드와 요철이 반대인 전기 주조품이 되는데 이러한 원리를 이용하여 파인 메탈 마스크를 제조하는 방법이다. The electroplating method is a method of forming a thin thin plate by electroplating on a mold and then releasing it, and depositing a metal to a necessary thickness by electrolysis of a metal salt solution by electrolysis such as electroplating, and then peeling it from a mold. If the mold and the irregularities are reversed electroforming products, using this principle to produce a fine metal mask.

그러나 전주도금 방식에 의한 파인 메탈 제조방법은 몰드로부터 도금층을 분리하여야 하는데, 이때 높은 정밀도를 구현하기가 어렵고 도금 과정에서 박판이 뒤틀리는 변형이 발생하는 문제가 있다.However, in the method of manufacturing fine metal by electroplating method, the plating layer must be separated from the mold. In this case, it is difficult to realize high precision and deformation of the thin plate is distorted in the plating process.

최근 공지된 파인 메탈 마스크 제조 방법으로, 한국공개특허 제10-2017-0104632호(공개일자: 2017. 9. 15)에는 박판의 하측과 상측 각각을 식각하는 방식이 공지된 바 있으며, 한국등록특허 제10-1900281호(공고일자: 2018. 9. 20)에는 상측은 식각하고 하측은 레이저를 이용하여 가공하는 방식이 공지된 바 있다.As a method of manufacturing a recently known fine metal mask, Korean Patent Publication No. 10-2017-0104632 (published date: September 15, 2017) discloses a method of etching each of the lower side and the upper side of a thin plate, and a Korean registered patent 10-1900281 (Announcement date: September 20, 2018) has been known that the upper side is etched and the lower side is processed using a laser.

특히, 최근에는 한국등록특허 제10-1900281호(공고일자: 2018. 9. 20)에 공지된 것과 같이, 식각 방식과 전주도금 방식에 따른 문제점을 해결하기 위한 방안으로 레이저를 이용하는 방법이 시도되고 있으나, 레이저를 이용하여 박판에 증착개구부를 형성하는 것은 공정 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 고온의 열원을 이용하기 때문에 증착개구부 주위에 burr가 발생하여 표면 형상이 매끄럽지 못하다는 문제가 있다. In particular, as recently known in Korea Patent Registration No. 10-1900281 (Date: September 20, 2018), a method using a laser as a method for solving the problems according to the etching method and the electroplating method has been attempted However, forming a deposition opening on a thin plate using a laser not only takes a long process time but also uses a heat source of high temperature, causing a burr around the deposition opening so that the surface shape is not smooth.

한국공개특허 제10-2017-0104632호 (공개일자: 2017. 9. 15)Korean Patent Publication No. 10-2017-0104632 (published date: 2017. 9. 15) 한국등록특허 제10-1900281호 (공고일자: 2018. 9. 20)Korean Patent Registration No. 10-1900281 (Notice date: Sept. 20, 2018)

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 미세한 구멍을 정밀하게 가공할 수 있는 돌출전극부가 배열되어 있는 구조로 이루어져 미세한 증착개구부를 갖는 유기 증착 마스크 제조에 이용 가능한 다중배열전극과, 이를 제조하는 방법을 제공함을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems as described above, consisting of a structure in which the protruding electrode portion that can be precisely processed fine holes arranged in a multi-array electrode that can be used for manufacturing an organic deposition mask having a fine deposition opening, and manufacturing the same It aims to provide a way to.

본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극은, 기판; 상기 기판 일면에 배열된 돌출부; 및 상기 기판 표면에 형성된 도금층;을 포함하고, 상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것임을 특징으로 한다. According to an embodiment of the present invention, a multi-array electrode having a protruding electrode part arranged thereon includes: a substrate; A protrusion arranged on one surface of the substrate; And a plating layer formed on the surface of the substrate, wherein the protruding electrode part is characterized in that the plating layer is formed on the surface of the protruding portion.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극은, 상기 돌출부는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면을 가지는 것을 특징으로 한다. In addition, the multi-array electrode arrayed with the protruding electrode portion according to an embodiment of the present invention, characterized in that the protrusion has an inclined surface so that the width becomes narrower toward the end.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극은, 상기 돌출전극부 사이에 형성된 제2절연막을 더 포함할 수 있다. In addition, the multi-array electrode in which the protruding electrode portions are arranged according to an embodiment of the present invention may further include a second insulating film formed between the protruding electrode portions.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극은, 상기 도금층이 상기 기판 표면 전체에 형성된 것을 특징으로 한다. In addition, the multi-array electrode arrayed with the protruding electrode portion according to an embodiment of the present invention is characterized in that the plating layer is formed on the entire surface of the substrate.

한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법은, 기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 패턴영역을 형성하는 패턴영역 형성 단계; 상기 패턴영역이 형성된 기판 일면을 식각하여 상기 기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 돌출부를 형성하는 돌출부 형성 단계; 및 상기 기판 표면에 도금층을 형성하는 도금층 형성 단계;를 포함하고, 상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것임을 특징으로 한다. On the other hand, a method of manufacturing a multi-array electrode arrayed with protruding electrode portion according to an embodiment of the present invention, the pattern region forming step of forming a pattern region for forming the protruding electrode portion on one surface of the substrate; Forming a protrusion for forming the protrusion electrode on one surface of the substrate by etching one surface of the substrate on which the pattern region is formed; And a plating layer forming step of forming a plating layer on the surface of the substrate, wherein the protruding electrode part is characterized in that the plating layer is formed on the surface of the protruding portion.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법은, 상기 돌출부 형성 단계는, 상기 패턴영역 이외의 영역을 식각하여 상기 패턴영역에 상기 돌출부를 형성하는 1차 식각 단계와, 상기 돌출부가 형성된 기판을 식각하여 상기 돌출부가 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 상기 돌출부의 측면에 경사면을 형성하는 2차 식각 단계를 포함할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present disclosure, in the method of manufacturing the multi-array electrode having the protruding electrode parts arranged, in the forming of the protruding portion, the primary etching may be performed by etching an area other than the pattern area to form the protruding part in the pattern area. And etching the substrate on which the protrusion is formed to form an inclined surface on the side surface of the protrusion such that the protrusion becomes narrower toward the end thereof.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법은, 상기 1차 식각 단계는 전기화학적 식각(electrochemical etching) 방식 또는 건식 식각(dry etching) 방식 중 어느 하나의 방식을 이용하고, 상기 2차 식각 단계는 습식 식각(wet etching) 방식을 이용하는 것을 특징으로 한다. In addition, according to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing a multi-array electrode having a protruding electrode part arranged therein, wherein the first etching step includes any one of an electrochemical etching method and a dry etching method. The second etching step is characterized in that using a wet etching (wet etching) method.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법은, 상기 돌출전극부 사이에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, the method of manufacturing a multi-array electrode in which the protruding electrode portions are arranged according to an embodiment of the present invention may further include forming an insulating film between the protruding electrode portions.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법은, 상기 절연막 형성 단계는, 상기 돌출전극부가 형성된 상기 기판 일면에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계와, 상기 돌출전극부 단부에 형성된 절연층을 제거하는 절연층 제거 단계를 포함할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, a method of manufacturing a multi-array electrode having a protruding electrode part is arranged. The insulating film forming step includes: forming an insulating layer on one surface of the substrate on which the protruding electrode part is formed; It may include an insulating layer removing step of removing the insulating layer formed on the end of the protruding electrode.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법에 의하면, 미세한 구멍을 정밀하게 가공할 수 있는 돌출전극부가 배열되어 있는 구조로 이루어진 다중배열전극 제조가 가능하며, 이러한 다중배열전극을 이용하면, 증착 개구부의 가공정밀도가 우수하고, 그 크기와 간격을 작게 할 수 있어 높은 해상도를 구현할 수 있는 유기 증착 마스크를 제조할 수 있다. According to the manufacturing method of the multi-array electrode arrayed with the protruding electrode portion according to an embodiment of the present invention having the configuration as described above, the multi-array electrode manufacturing is made of a structure in which the protruding electrode portion for processing a fine hole is arranged precisely By using such a multi-array electrode, the deposition precision of the deposition opening is excellent, and the size and the interval thereof can be reduced, so that an organic deposition mask capable of realizing a high resolution can be manufactured.

본 발명에 따른 효과들은 이상에서 언급된 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위와 상세한 설명의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects according to the present invention are not limited to the above mentioned effects, and other effects not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the claims and the description. Could be.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법 과정을 설명하기 위한 도면들로서, 도 3은 박판 상에 패턴영역이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 4는 박판 상에 습식식각으로 제1개구부를 형성하는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4에서 포토레지스트가 제거된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 6은 제2개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 제2다중배열전극을 개략적으로 나타내는 부분 평면도이고, 도 8은 도 7의 개략적인 A-A 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 10 내지 도 13은 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법 과정을 설명하기 위한 도면들로서, 도 10은 본 발명의 제2실시 예에 따른 제1개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 11은 본 발명의 제2실시 예에 따른 제1개구부 형성 단계 이후 형성된 박판을 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 12는 본 발명의 제2실시 예에 따른 제2개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 13은 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 15는 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 16은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 17은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 18은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 19는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 20은 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 21은 본 발명의 일실시 예에 따른 패턴영역 형성 단계 이후 기판 상에 패턴영역이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 22 내지 도 24는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계를 설명하기 위한 도면들로서, 도 22는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계의 제1 식각 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 23은 도 22에 따른 제1 식각 단계 이후 기판 상에 돌출부가 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 24는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계의 제2 식각 단계 이후 기판 상에 경사면을 갖는 돌출부가 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 25는 본 발명의 일실시 예에 따른 도금층 형성 단계 이후 돌출부가 형성된 기판 상에 도금층이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계를 설명하기 위한 도면들로서, 도 26은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계의 절연층 형성 단계 이후 기판 상에 절연층이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 27은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계의 절연층 제거 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a view schematically showing an organic deposition mask according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are views illustrating a process of manufacturing an organic deposition mask according to a first embodiment of the present invention. 3 is a diagram schematically illustrating a state in which a pattern region is formed on a thin plate, and FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a state in which a first opening is formed by wet etching on a thin plate, and FIG. 5 is a photo in FIG. 4. FIG. 6 is a diagram schematically showing a state in which a resist is removed, and FIG. 6 is a diagram schematically showing one form of the second opening forming step.
7 is a partial plan view schematically illustrating a second multi-array electrode according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a schematic AA cross-sectional view of FIG. 7.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 10 to 13 are views illustrating a process of manufacturing an organic deposition mask according to a second embodiment of the present invention. 10 is a view schematically showing one form of the first opening portion forming step according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a schematic view of a thin plate formed after the first opening portion forming step according to the second embodiment of the present invention. 12 is a view schematically showing one form of the second opening forming step according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a method of manufacturing an organic deposition mask according to the second embodiment of the present invention. It is a figure which shows schematically the organic vapor deposition mask manufactured by.
14 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a view schematically illustrating an embodiment of a method of manufacturing an organic deposition mask according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 17 is a view schematically illustrating an embodiment of a method of manufacturing an organic deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 18 is a diagram schematically illustrating an organic deposition mask manufactured by an organic deposition mask manufacturing method according to a fourth embodiment of the present invention.
19 is a diagram schematically illustrating a multi-array electrode in which protrusion electrode parts are arranged according to an exemplary embodiment.
20 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multi-array electrode in which protruding electrodes are arranged according to an exemplary embodiment.
21 is a diagram schematically illustrating a state in which a pattern region is formed on a substrate after the pattern region forming step according to an embodiment of the present invention.
22 to 24 are views for explaining a step of forming a protrusion according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 22 schematically illustrates one form of a first etching step of the step of forming a protrusion according to an embodiment of the present invention. FIG. 23 is a view schematically illustrating a state in which protrusions are formed on a substrate after the first etching step according to FIG. 22, and FIG. 24 is a substrate after the second etching step of the protrusion forming step according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows schematically the state in which the protrusion part which has the inclined surface on was formed.
25 is a view schematically showing a state in which a plating layer is formed on a substrate on which protrusions are formed after the plating layer forming step according to an embodiment of the present invention.
26 and 27 are views for explaining an insulating film forming step according to an embodiment of the present invention, Figure 26 is an insulating layer on the substrate after the insulating layer forming step of the insulating film forming step according to an embodiment of the present invention FIG. 27 is a diagram schematically illustrating a formed state, and FIG. 27 schematically illustrates one embodiment of an insulating layer removing step of forming an insulating film according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시예를 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일한 구성요소는 동일한 도면 부호를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, the same components will be given the same reference numerals, and duplicate description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 구성요소를 설명하는데 사용될 수 있으나, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 한정되지 않고, 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms such as 'first' and 'second' may be used to describe a component, but the components are not limited to the above terms and are used only to distinguish one component from another component.

어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.When a part is said to "include" a certain component, this means that it is possible to further include other components, not to exclude other components, unless otherwise stated.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(over)", "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(over)", "상(on)" 및 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.In the drawings, the thickness or size of each layer (film), region, pattern, or structure may be modified for clarity and convenience of description, and thus does not necessarily reflect the actual size. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “over”, “on” or “below” a substrate, each layer, layer, pad, or pattern. In the case of being described as being formed under, "over", "on" and "under" are "directly" or "indirectly through another layer". ) "Includes all that are formed.

또한, "~상에"라 함은 대상 부재의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력방향을 기준으로 상부에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, "on" means to be located above or below the target member, and does not necessarily mean to be located above the gravity direction.

각 실시예는 독립적으로 실시되거나 함께 실시될 수 있으며, 발명의 목적에 부합하게 일부 구성요소는 제외될 수 있다. Each embodiment may be carried out independently or together, some components may be excluded in accordance with the purpose of the invention.

한편, 본 발명에서 유기 증착 마스크라 함은 OLED(Organic Light Emitting Diode) 제조 공정에서 유기증착 표면에 유기물 박막 패턴을 형성하기 위한 증착개구부가 형성된 박판을 의미하는 것으로서, 유기 발광 표시 장치의 제조 공정에서 표시 기판에 화소를 형성할 수 있도록 구성된 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)일 수 있으나, 본 발명의 범위가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the organic deposition mask in the present invention refers to a thin plate formed with a deposition opening for forming an organic thin film pattern on the organic deposition surface in the organic light emitting diode (OLED) manufacturing process, in the manufacturing process of the organic light emitting display device Although it may be a fine metal mask (FMM) configured to form a pixel on the display substrate, the scope of the present invention is not necessarily limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법을 설명하기 전에 이해의 편의를 위해서 유기 증착 마스크를 먼저 설명한다.Before describing a method of manufacturing an organic deposition mask according to an embodiment of the present invention, an organic deposition mask will be described first for convenience of understanding.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically showing an organic deposition mask according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 증착 마스크(10)는 박판 (11) 상에 증착개구부(14) 패턴이 형성된다.Referring to FIG. 1, in the organic deposition mask 10 according to an embodiment of the present invention, a deposition opening 14 pattern is formed on a thin plate 11.

상기 박판(11)은 인바 소재의 박판(invar sheet)일 수 있다. 상기 인바(invar) 소재는 Fe 64%, Ni 36%로 형성된 합금으로서, 열팽창 계수가 매우 작은 소재이며, 상기 인바 소재로 이루어지는 상기 박판(10)의 두께는 대략 20㎛ 일 수 있다.The thin plate 11 may be an invar sheet made of Invar. The invar material is an alloy formed of Fe 64% and Ni 36%, and has a very small thermal expansion coefficient, and the thickness of the thin plate 10 made of the invar material may be approximately 20 μm.

상기 증착개구부(14)는 증착 공정에서 증착원에서 승화된 유기 분자를 증착대상을 향하여 통과시키는 통로로서, 박판(11)의 일면(12)에 형성되어 증착원과 대향하는 제1개구부(15)와, 박판(11)의 반대면(13)에 상기 제1개구부(15)와 연통되도록 형성되어 증착대상과 대향하는 제2개구부(16)로 이루어질 수 있다.The deposition opening 14 is a passage through which the organic molecules sublimated in the deposition source toward the deposition target in the deposition process. The deposition opening 14 is formed on one surface 12 of the thin plate 11 to face the deposition source 15. And a second opening 16 formed on the opposite surface 13 of the thin plate 11 to communicate with the first opening 15 so as to face the deposition target.

또한, 상기 증착개구부(14) 패턴은 유기증착 표면에 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴일 수 있다. In addition, the deposition opening 14 pattern may be the same pattern as a pattern such as a thin film to be formed on the organic deposition surface.

예를 들어, 상기 증착개구부(14)의 패턴은 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 기판 상에 형성하고자 하는 화소 패턴일 수 있으며, 상기 제2개구부(16)의 크기는 기판 상에 형성할 서브 픽셀의 크기일 수 있다.For example, the pattern of the deposition opening 14 may be a pixel pattern to be formed on a substrate in the manufacturing process of the organic light emitting display, and the size of the second opening 16 is a subpixel to be formed on the substrate. It may be the size of.

또한, 상기 증착개구부(14)의 단면 형상 특히, 상기 제2개구부(16)의 단면 형상은 기판 상에 형성할 서브 픽셀의 형상 즉, 유기 발광 표시장치가 구비하는 화소의 형상에 따른 형상과 동일한 것으로, 원형, 직사각형 등의 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. In addition, the cross-sectional shape of the deposition opening 14, in particular, the cross-sectional shape of the second opening 16 is the same as the shape of the sub-pixel to be formed on the substrate, that is, the shape of the pixel of the organic light emitting display device. It may be made in a variety of shapes, such as circular, rectangular.

또한, 상기 증착개구부(14)의 패턴은 다수의 증착개구부(14)가 일정한 간격으로 배열된 패턴일 수 있다. In addition, the pattern of the deposition opening 14 may be a pattern in which a plurality of deposition openings 14 are arranged at regular intervals.

또한, 제1개구부(15)의 폭은 제2개구부(16)의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 증착개구부(14)를 통한 유기 발광 물질의 증착 과정에서 입사각이 제한되어 증착막이 균일하지 않게 형성되는 것을 방지하기 위한 것이다.In addition, the width of the first opening 15 may be greater than the width of the second opening 16. This is to prevent the deposition film from being formed unevenly due to the incident angle being limited in the deposition process of the organic light emitting material through the deposition opening 14.

이하, 본 발명에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법의 다양한 실시 예들에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, various embodiments of the organic deposition mask manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법 과정을 설명하기 위한 도면들이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are views illustrating a process of manufacturing an organic deposition mask according to a first embodiment of the present invention. admit.

먼저, 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시 예에 다른 유기 증착 마스크 제조 방법(S10)은 박판(11)의 일면(12)에 제1개구부(15)를 형성하는 제1개구부 형성 단계(S11)와, 상기 박판(11)의 반대면(13)에 상기 제1개구부(15)에 연통하도록 제2개구부(16)를 형성하는 제2개구부 형성 단계(S12)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 2, in another method of manufacturing an organic deposition mask S10 according to the first embodiment of the present invention, the first opening part forming step of forming the first opening 15 on one surface 12 of the thin plate 11 is performed. (S11) and the second opening portion forming step (S12) for forming the second opening 16 to communicate with the first opening 15 on the opposite surface 13 of the thin plate (11).

상기 제1개구부 형성 단계(S11)는 식각(etching) 방식으로 제1개구부(15)를 형성할 수 있다. In the first opening forming step S11, the first opening 15 may be formed by an etching method.

예를 들어, 상기 제1개구부 형성 단계(S11)는 박판(11)의 일면(12)에 패턴영역(17)을 형성하는 패턴영역 형성 단계(S13)와, 상기 패턴영역(17)을 소정의 두께만큼 식각하여 박판(11)의 일면(12)에 제1개구부(15)를 형성하는 식각 단계(S14)를 포함할 수 있다.For example, the first opening part forming step S11 may include a pattern area forming step S13 of forming a pattern area 17 on one surface 12 of the thin plate 11, and a predetermined area of the pattern area 17. It may include an etching step (S14) to form a first opening 15 on one surface 12 of the thin plate 11 by etching as much as the thickness.

도 3은 박판 상에 패턴영역이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a view schematically showing a state in which a pattern region is formed on a thin plate.

도 3을 참조하면, 상기 패턴영역 형성 단계(S13)는 포토레지스트(photoresist, 18)를 이용하여 패턴영역(17)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, the pattern region forming step S13 may form the pattern region 17 by using a photoresist 18.

포토레지스트(18)는 광을 조사하면 화학 변화를 일으키는 재료로서, 광에 노출됨으로써 약품에 대하여 불용성이 되는 네거티브 타입(negative type)과, 반대로 광에 노출됨으로써 약품에 대하여 가용성이 되는 포지티브 타입(positive type)이 있다.The photoresist 18 is a material that causes chemical change when irradiated with light. The photoresist 18 is a negative type that is insoluble in chemicals when exposed to light and a positive type that is soluble in chemicals when exposed to light. type).

이를 이용한 상기 패턴영역 형성 단계(S13)는, 박판(11)의 일면(12)에 포토레지스트(18)를 도포하고, 패턴영역(17)이 형성된 포토마스크를 포토레지스트(18) 상에 올려서 광을 조사하고, 상기 광이 조사된 포토레지스트(18)를 현상함으로써 상기 포토레지스트(18)가 도포된 박판(11)의 일면(12)에 패턴영역(17)을 형성할 수 있다. In the pattern region forming step (S13) using the same, the photoresist 18 is coated on one surface 12 of the thin plate 11, and the photomask on which the pattern region 17 is formed is placed on the photoresist 18 to generate light. The pattern region 17 may be formed on one surface 12 of the thin plate 11 coated with the photoresist 18 by irradiating the light and developing the photoresist 18 irradiated with the light.

이때, 포토레지스트(18)가 네거티브 타입이면, 현상 단계를 통해 패턴영역(17)을 제외한 부분만 남게 되고, 포토레지스트(18)가 포지티브 타입이면, 현상 단계를 통해 패턴영역(17)만이 남게 된다.At this time, if the photoresist 18 is a negative type, only a portion except for the pattern region 17 remains through the developing step, and if the photoresist 18 is a positive type, only the pattern region 17 remains through the developing step. .

도 3에서 보이는 바와 같이, 본 실시 예에 따른 패턴영역 형성 단계(S13)는 네거티브 타입의 포토레지스트(18)를 이용할 수 있다. As shown in FIG. 3, the pattern region forming step S13 according to the present exemplary embodiment may use a negative photoresist 18.

본 실시 예에서는 포토레지스트(18)를 이용하여 패턴영역(17)을 형성하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 예를 들어 드라이필름(DFR)을 이용하여 패턴영역(17)을 형성하는 것도 가능하며, 본 발명은 패턴영역(17) 형성 방법에 의해 한정되지 않는다.In the present embodiment, the pattern region 17 is formed using the photoresist 18, but the present invention is not limited thereto. For example, the pattern region 17 may be formed using a dry film (DFR). It is possible, and the present invention is not limited by the method of forming the pattern region 17.

도 4는 박판 상에 습식식각으로 제1개구부를 형성하는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a view schematically illustrating a state in which a first opening is formed by wet etching on a thin plate.

도 4에서 보이는 바와 같이, 상기 식각 단계(S14)에서는 습식식각을 이용하여 박판(11)의 일면(12)에 형성된 패턴영역(17)에 제1개구부(15)를 형성할 수 있다. As shown in FIG. 4, in the etching step S14, the first opening 15 may be formed in the pattern region 17 formed on one surface 12 of the thin plate 11 using wet etching.

습식식각(wet etching) 방식은 용해성 화학물질을 이용하여 제거가 필요한 부분만을 선택적으로 용해시켜서 식각하는 방식으로, 상기 습식식각 방식은 등방성 식각이므로, 도 4에서 보이는 바와 같이, 패턴영역(17)을 형성하는 포토레지스트(18)의 윗부분이 함께 식각되어 패턴영역(17)의 폭보다 넓게 식각이 이루어질 수 있다. The wet etching method is a method of selectively dissolving and etching only a portion that needs to be removed using a soluble chemical. Since the wet etching method is isotropic etching, as shown in FIG. 4, the pattern region 17 is formed. The upper portion of the photoresist 18 to be formed may be etched together to be etched wider than the width of the pattern region 17.

또한, 상기 습식식각 방식은 패턴영역(17)이 형성된 박판(11)을 용해성 화학물질에 침지시켜 행해질 수 있는데, 이 경우 박판(11)의 반대면(13)이 식각되지 않도록 하기 위해 상기 박판(11)의 반대면(13) 전체에도 포토레지스트(18)를 도포할 수 있다.In addition, the wet etching method may be performed by immersing the thin plate 11 on which the pattern region 17 is formed in a soluble chemical. In this case, in order to prevent the opposite surface 13 of the thin plate 11 from being etched. The photoresist 18 may also be applied to the entire opposite surface 13 of 11).

도 5는 도 4에서 포토레지스트가 제거된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a view schematically illustrating a state in which the photoresist is removed in FIG. 4.

도 5에서 보이는 바와 같이, 상기 식각 단계(S14)에서 패턴영역(17)에 습식식각으로 제1개구부(15)를 형성한 후 상기 박판(11) 상에 남아있는 포토레지스트(18)를 제거하면, 박판(11)의 일면에 소정 깊이의 폭이 넓은 대략 반원의 형상을 가지는 제1개구부(15)를 형성할 수 있다.As shown in FIG. 5, when the first opening 15 is formed in the pattern region 17 by wet etching in the etching step S14, the photoresist 18 remaining on the thin plate 11 is removed. The first opening 15 having the shape of a substantially semicircle having a wide width of a predetermined depth may be formed on one surface of the thin plate 11.

도 6은 제2개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically showing one embodiment of a step of forming a second opening. FIG.

도 6을 참조하면, 상기 제2개구부 형성 단계(S12)는 제2돌출전극부(30)가 배열된 제2다중배열전극(20)을 이용한 전해가공으로 박판(11)의 반대면(13)에 상기 제1개구부(15)에 연통하도록 제2개구부(16)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 6, the second opening forming step S12 is an electrolytic process using the second multi-array electrode 20 having the second protruding electrode part 30 arranged thereon, and the opposite side 13 of the thin plate 11. The second opening 16 may be formed to communicate with the first opening 15.

전해가공(electrochemical machining, ECM)은 금속재료가 전기 화학적 용해를 할 때 그 진행을 방해하는 음극에서 발생하는 가스와 양극 생성물인 금속 산화물이 생기는데 이를 제거하면서 가공하는 방법을 말한다. Electrochemical machining (ECM) refers to a process in which a metal material, an anode product, and a metal oxide, which are generated at the cathode, which interfere with the progress of electrochemical dissolution, are produced.

예를 들어, 가공해야 할 형태로 만든 전극을 음극으로 하고, 피가공물을 양극으로 각각의 마주보는 면과 면 사이에 적정 간격을 형성하여 전해액에 담그고 전류를 인가하면 피가공물은 음극의 표면 형상과 같이 가공될 수 있다. For example, if an electrode made in the form to be processed is used as a cathode, and the workpiece is formed as an anode, an appropriate gap is formed between each facing surface and soaked in an electrolyte solution, and a current is applied to the workpiece. Can be processed together.

즉, 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S10)은 제1개구부(15)는 습식식각으로 형성하고, 제2개구부(16)는 제2돌출전극부(30)가 배열된 제2다중배열전극(20)을 이용한 전해가공으로 형성하는 것이다.That is, in the method S10 of manufacturing the organic deposition mask according to the first embodiment of the present invention, the first opening 15 is formed by wet etching, and the second opening 16 is arranged by the second protrusion electrode 30. It is formed by electrolytic processing using the second multi-array electrode 20.

상기 제1개구부(15)는 증착원과 대항하는 개구부로서, 제2개구부(16)와 비교하여 큰 폭과 깊이를 가지도록 빠른 속도로 형성할 필요가 있는 반면, 제2개구부(16)는 증착대상과 대향하는 개구부로서, 직접적으로 유기증착 표면에 형성하고자 하는 박막 등의 패턴을 형성하게 되므로, 미세하고 정밀하게 형성할 필요가 있다. The first opening 15 is an opening opposed to the deposition source, and needs to be formed at a high speed so as to have a larger width and depth than the second opening 16, while the second opening 16 is deposited. As the openings facing the object, since a pattern such as a thin film to be formed is formed directly on the organic deposition surface, it is necessary to form finely and precisely.

이를 위해, 본 발명의 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S10)은 제1개구부(15)를 습식식각을 이용하여 빠른 속도로 제1개구부(16)의 폭과 깊이를 제2개구부(16)의 폭과 깊이보다 크게 형성한 것이고, 제2개구부(16)를 제2돌출전극부(30)가 배열된 제2다중배열전극(20)을 이용하여 미세하고 정밀하게 형성한 것이다.To this end, in the method of manufacturing the organic deposition mask S10 according to the first embodiment of the present invention, the width and depth of the first opening 16 are rapidly increased by wet etching the first opening 15. It is formed larger than the width and depth of (16), and the second opening 16 is formed finely and precisely by using the second multi-array electrode 20 in which the second protruding electrode portion 30 is arranged.

상세히, 상기 제2개구부 형성 단계(S12)는 제2다중배열전극(20)을 제2돌출전극부(30)가 제1개구부(15)에 대향하도록 박판(11)의 반대면(13)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하는 제2다중배열전극 정렬 단계(S15)와, 상기 제1개구부(15)가 형성된 박판(11)과 제2돌출전극부(30)가 전해액에 침지된 상태에서 상기 박판(11)과 제2돌출전극부(30)에 전원을 인가하여 상기 박판(11)의 반대면(13)에 제1개구부(15)에 연통하도록 제2개구부(16)를 형성하는 제2전해가공 단계(S16)를 포함할 수 있다. In detail, the forming of the second openings (S12) may include forming the second multi-array electrode 20 on the opposite surface 13 of the thin plate 11 such that the second protruding electrode portion 30 faces the first opening 15. The second multi-array electrode aligning step (S15) for aligning at a predetermined interval and the thin plate 11 and the second protruding electrode portion 30 on which the first opening 15 is formed are immersed in the electrolyte. A second opening 16 is formed by applying power to the thin plate 11 and the second protruding electrode unit 30 so as to communicate with the first opening 15 on the opposite side 13 of the thin plate 11. Electrolytic processing step (S16) may be included.

도 6에서 보이는 바와 같이, 상기 제2개구부 형성 단계(S12)는 상기 제1개구부(15)가 형성된 박판(11)과 상기 제2돌출전극부(30)를 전해액이 채워진 가공조(19)에 서로 적정 간격을 두고 정렬시킨 상태로 침지시키고, 상기 제2돌출전극부(30)를 상기 박판(11)과 전기적으로 연결시킨 상태에서 전원부를 통해 전원을 인가함으로써 행해질 수 있다. As shown in FIG. 6, the second opening forming step (S12) may include a thin plate 11 on which the first opening 15 is formed and the second protruding electrode unit 30 in a processing tank 19 filled with electrolyte. It may be performed by immersing in a state in which they are aligned at appropriate intervals, and applying power through a power supply in a state in which the second protruding electrode portion 30 is electrically connected to the thin plate 11.

이때, 상기 제2돌출전극부(30)를 음극으로 하고, 상기 박판(11)을 양극으로 하여 전원을 인가하면, 상기 박판(11)의 반대면(13)에는 상기 박판(11)의 반대면(13)과 대향하는 상기 제2돌출전극부(30)의 단면 형상과 같이 가공되면서 제1개구부(15)에 연통하는 제2개구부(16)를 형성할 수 있다. In this case, when the second protruding electrode portion 30 is used as the cathode and the thin plate 11 is used as the anode, power is applied to the opposite surface 13 of the thin plate 11 to the opposite surface of the thin plate 11. The second opening 16 communicating with the first opening 15 may be formed while being processed in the cross-sectional shape of the second protruding electrode portion 30 facing the 13.

여기서, 상기 제2돌출전극부(30)의 단면 형상은 형성하고자 하는 상기 제2개구부(16)의 단면 형상과 대략 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제2돌출전극부(30)의 단면 형상은 유기증착 표면에 형성될 박막과 동일한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2돌출전극부(30)의 단면 형상은 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 기판 상에 형성할 서브 픽셀의 형상 즉, 유기 발광 표시장치가 구비하는 화소의 형상에 따른 형상과 동일한 것으로, 원형, 직사각형 등의 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.Here, the cross-sectional shape of the second protruding electrode portion 30 may have a shape substantially the same as the cross-sectional shape of the second opening 16 to be formed. That is, the cross-sectional shape of the second protruding electrode portion 30 may have the same shape as the thin film to be formed on the organic deposition surface. For example, the cross-sectional shape of the second protruding electrode unit 30 may be a shape corresponding to a shape of a subpixel to be formed on a substrate in the manufacturing process of the organic light emitting display device, that is, a shape corresponding to the shape of a pixel included in the organic light emitting display device. The same thing, it can be made in a variety of shapes, such as circular, rectangular.

또한, 상기 제2다중배열전극(20)에 배열된 상기 제2돌출전극부(30)의 배열 간격은 상기 박판(11)의 반대면(13)에 배열된 제2개구부(16)의 배열 간격과 동일할 수 있다.In addition, an interval between arrays of the second protruding electrode portions 30 arranged on the second multi-array electrode 20 is an interval between arrangements of the second openings 16 arranged on the opposite surface 13 of the thin plate 11. May be the same as

그러면, 상기 제2전해가공 단계(S16)에서 상기 제2개구부(16)는 상기 제2돌출전극부(30)에 의해 미세하고 정밀하게 박판(11)의 반대면(13)에 형성될 수 있다.Then, in the second electrolytic processing step S16, the second opening 16 may be formed on the opposite surface 13 of the thin plate 11 finely and precisely by the second protruding electrode unit 30. .

이때, 상기 제2돌출전극부(30)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면(34)을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 제2돌출전극부(30)는 대략 테이퍼진 형상으로 이루어질 수 있다. In this case, the second protruding electrode portion 30 may have an inclined surface 34 so that the width thereof becomes narrower toward the end, and thus the second protruding electrode portion 30 may have a substantially tapered shape.

그러면, 상기 제2전해가공 단계(S16)에서 상기 제2돌출전극부(30)에 전류 인가시 상기 제2돌출전극부(30)의 끝단부에 전류를 집중시킬 수 있어서, 전해가공 효율을 증대시킬 수 있다. Then, when the current is applied to the second protruding electrode portion 30 in the second electrolytic processing step (S16), current can be concentrated at the end of the second protruding electrode portion 30, thereby increasing the electrolytic processing efficiency. You can.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 일실시 예에 따른 제2다중배열전극에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a second multi-array electrode according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 7은 본 발명의 일실시 예에 따른 제2다중배열전극을 개략적으로 나타내는 부분 평면도이고, 도 8은 도 7의 개략적인 A-A 단면도이다.7 is a partial plan view schematically illustrating a second multi-array electrode according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 7.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 제2다중배열전극(20)은 제2기판(21), 제2기판(21) 일면(22)에 배열된 제2돌출부(25) 및 제2기판(21) 표면에 형성된 제2도금층(27)을 포함할 수 있다.7 and 8, the second multi-array electrode 20 according to an embodiment of the present invention may include a second protrusion 21 arranged on one surface 22 of the second substrate 21 and the second substrate 21. 25 and the second plating layer 27 formed on the surface of the second substrate 21.

이때, 상기 제2돌출전극부(30)는 상기 제2돌출부(25) 표면에 상기 제2도금층(27)이 형성된 것일 수 있다. In this case, the second protrusion electrode part 30 may have the second plating layer 27 formed on the surface of the second protrusion part 25.

상기 제2기판(21)은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)일 수 있다. 그러면 상기 제2기판(21)은 우수한 평탄도를 가질 수 있고, 상기 제2기판(21) 상에 전해가공을 위한 다수의 제2돌출부(25)를 초미세 형상으로 가공할 수 있다. The second substrate 21 may be a silicon wafer. Then, the second substrate 21 may have excellent flatness, and a plurality of second protrusions 25 for electrolytic processing may be processed on the second substrate 21 in an ultrafine shape.

상기 제2돌출부(25)는 상기 제2돌출전극부(30)의 뼈대를 이루는 구성으로, 상기 제2돌출전극부(30)와 동일한 형상을 가질 수 있으며, 또한 상기 제2돌출전극부(30)의 배열 패턴과 동일하게 배열될 수 있다.The second protruding portion 25 forms a skeleton of the second protruding electrode portion 30, and may have the same shape as the second protruding electrode portion 30, and the second protruding electrode portion 30. ) Can be arranged in the same manner as the array pattern.

즉, 상기 제2돌출부(25)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면(26)을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 제2돌출부(25)는 테이퍼진 형상을 가질 수 있다.That is, the second protrusion 25 may have an inclined surface 26 so that the width thereof becomes narrower toward the end thereof, and thus the second protrusion 25 may have a tapered shape.

또한, 상기 제2기판(21) 상에 배열되는 상기 제2돌출부(25)의 패턴은 제2개구부(16)의 패턴 즉, 유기증착 표면에 형성될 박막 패턴과 동일한 패턴일 수 있으며, 따라서 상기 제2돌출부(25)가 제2기판(21) 상에 배열되는 간격은 상기 제2개구부(16)가 박판(11)의 반대면(13)에 배열되는 간격과 동일할 수 있다. In addition, the pattern of the second protrusions 25 arranged on the second substrate 21 may be the same pattern as the pattern of the second openings 16, that is, the thin film pattern to be formed on the organic deposition surface. The spacing between the second protrusions 25 on the second substrate 21 may be the same as the spacing between the second openings 16 on the opposite surface 13 of the thin plate 11.

예를 들어, 상기 제2돌출부(25)의 패턴은 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 기판 상에 형성할 화소 패턴일 수 있으며, 상기 제2돌출부(25)가 제2기판(21) 상에 배열되는 간격은 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 기판 상에 형성할 서브 픽셀 간의 간격일 수 있다.For example, the pattern of the second protrusions 25 may be a pixel pattern to be formed on the substrate in the manufacturing process of the organic light emitting display device, and the second protrusions 25 are arranged on the second substrate 21. The intervals may be intervals between the subpixels to be formed on the substrate in the manufacturing process of the organic light emitting display.

또한, 도면에는 상기 제2돌출부(25)의 단면 형상으로 사각형인 것이 도시되지만, 본 발명은 이에 한정하지 않으며, 상기 제2돌출부(25)의 단면 형상은 형성하고자 하는 상기 제2개구부(16)의 단면 형상과 대략 동일한 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 제2돌출부(25)의 단면 형상은 유기증착 표면에 형성될 박막과 동일한 형상을 가질 수 있다. In addition, in the drawing, the cross-sectional shape of the second protrusion 25 is illustrated as being rectangular, but the present invention is not limited thereto, and the cross-sectional shape of the second protrusion 25 is to be formed in the second opening 16. It may have a shape substantially the same as the cross-sectional shape of. That is, the cross-sectional shape of the second protrusion 25 may have the same shape as the thin film to be formed on the organic deposition surface.

예를 들어, 상기 제2돌출부(25)의 단면 형상은 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 기판 상에 형성할 서브 픽셀의 형상 즉, 유기 발광 표시장치가 구비하는 화소의 형상에 따른 형상과 동일한 것으로, 원형, 직사각형 등의 다양한 형상으로 이루어질 수 있다. For example, the cross-sectional shape of the second protrusion 25 is the same as the shape of the subpixel to be formed on the substrate in the manufacturing process of the organic light emitting display, that is, the shape of the pixel included in the organic light emitting display. , Circular, rectangular, and the like, may be formed in various shapes.

또한, 도면에는 상기 제2돌출부(25)의 수직단면이 대략 사다리꼴 형상인 것이 도시되지만, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 사각뿔, 원뿔 등과 같이 끝단부가 뾰족한 뿔의 형상으로 이루어질 수도 있다. In addition, although the vertical cross-section of the second protrusion 25 is shown in the figure is substantially trapezoidal, the present invention is not limited thereto, and the tip may be formed in the shape of a sharp tip such as a square pyramid and a cone.

상기 제2다중배열전극(20)은 상기 제2돌출전극부(30) 사이에 형성된 제2절연막(28)을 더 포함할 수 있다. 이는 상기 제2전해가공 단계(S16)에서 상기 제2돌출전극부(30)에 전류인가시 전류 확산을 방지하기 위함이다.The second multi-array electrode 20 may further include a second insulating layer 28 formed between the second protrusion electrode part 30. This is to prevent current diffusion when a current is applied to the second protruding electrode unit 30 in the second electrolytic processing step (S16).

상기 제2도금층(27)은 제2기판(21) 표면 전체 즉, 제2기판(21)의 일면(22)과 반대면(23), 제2돌출부(25)의 표면, 제2기판(21)의 측면(24) 전체에 형성될 수 있다. The second plating layer 27 may have the entire surface of the second substrate 21, that is, the surface 23 opposite the one surface 22 of the second substrate 21, the surface of the second protrusion 25, and the second substrate 21. It may be formed on the side 24 of the ().

그러면, 상기 모든 제2돌출전극부(30)들과 상기 제2기판(21)의 반대면(23)은 상기 제2도금층(27)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 그에 따라 상기 제2전해가공 단계(S16)에서의 상기 제2돌출전극부(30)에 대한 전류 인가는, 상기 제2돌출전극부(30)가 배열된 상기 제2기판(21) 일면(22)의 반대면(23)을 통해 상기 배열된 제2돌출전극부(30) 전체에 전류를 인가할 수 있다. Then, all of the second protruding electrode portions 30 and the opposite surface 23 of the second substrate 21 may be electrically connected to each other through the second plating layer 27. Application of current to the second protruding electrode portion 30 in the processing step S16 is performed on the opposite surface 23 of one surface 22 of the second substrate 21 on which the second protruding electrode portion 30 is arranged. A current may be applied to the entirety of the second protruding electrode unit 30 arranged through the?

도 9는 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 10 내지 도 13은 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조 방법 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 10 to 13 are views illustrating a process of manufacturing an organic deposition mask according to a second embodiment of the present invention. .

먼저, 도 9를 참조하면, 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S20)은, 제1개구부 형성 단계(S21)가 식각 방식이 아닌 제2개구부 형성 단계(S22)와 마찬가지로 전해가공을 이용하여 제1개구부(15)를 형성할 수 있다. First, referring to FIG. 9, in the method of manufacturing an organic deposition mask S20 according to the second embodiment of the present invention, the first opening part forming step S21 is similar to the second opening part forming step S22, which is not an etching method. The first opening 15 may be formed by using electrolytic processing.

도 10은 본 발명의 제2실시 예에 따른 제1개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 11은 본 발명의 제2실시 예에 따른 제1개구부 형성 단계 이후 형성된 박판을 개략적으로 나타내는 도면이다.10 is a view schematically showing one form of the first opening portion forming step according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a schematic view of a thin plate formed after the first opening portion forming step according to the second embodiment of the present invention. It is a figure which shows.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2실시 예에 따른 제1개구부 형성 단계(S21)는, 제1돌출전극부(50)가 배열된 제1다중배열전극(40)을 박판(11)의 일면(12)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하는 제1다중배열전극 정렬 단계(S23)와, 상기 박판(11)과 상기 제1돌출전극부(50)가 전해액에 침지된 상태에서 상기 박판(11)과 상기 제1돌출전극부(50)에 전원을 인가하여 상기 박판(11)의 일면(12)에 상기 제1개구부(15)를 형성하는 제1전해가공 단계(S24)를 포함할 수 있다. 9 to 11, in the forming of the first opening part S21 according to the second embodiment of the present invention, the first multi-array electrode 40 on which the first protruding electrode part 50 is arranged is thin ( The first multi-array electrode aligning step (S23) for aligning at a predetermined interval on the one surface 12 of 11), and the thin plate 11 and the first protruding electrode portion 50 is immersed in the electrolyte A first electrolytic machining step S24 of applying power to the thin plate 11 and the first protruding electrode unit 50 to form the first opening 15 on one surface 12 of the thin plate 11. It may include.

도 10에서 보이는 바와 같이, 상기 제1개구부 형성 단계(S21)는 상기 박판(11)과 상기 제1돌출전극부(50)를 전해액이 채워진 가공조(19)에 서로 적정 간격을 두고 정렬시킨 상태로 침지시키고, 상기 제1돌출전극부(30)를 상기 박판(11)과 전기적으로 연결시킨 상태에서 전원부를 통해 전원을 인가함으로써 행해질 수 있다. As shown in FIG. 10, in the forming of the first opening part (S21), the thin plate 11 and the first protruding electrode part 50 are aligned with each other in a processing tank 19 filled with an electrolyte at an appropriate interval. It is immersed in, and may be performed by applying power through a power supply in a state in which the first protruding electrode portion 30 is electrically connected to the thin plate 11.

이때, 상기 제1돌출전극부(50)를 음극으로 하고, 상기 박판(11)을 양극으로 하여 전원을 인가하면, 상기 박판(11)의 일면(12)에는 상기 박판(11)의 일면(12)과 대향하는 상기 제1돌출전극부(50)의 단면 형상과 같이 가공되면서 제1개구부(15)를 형성할 수 있다. In this case, when power is applied using the first protruding electrode part 50 as a cathode and the thin plate 11 as an anode, one surface 12 of the thin plate 11 is formed on one surface 12 of the thin plate 11. The first opening 15 may be formed while being processed in the same way as the cross-sectional shape of the first protruding electrode portion 50 facing.

여기서, 상기 제1돌출전극부(50)의 단면 형상은 형성하고자 하는 상기 제1개구부(15)의 단면 형상과 대략 동일한 형상을 가질 수 있다. Here, the cross-sectional shape of the first protruding electrode unit 50 may have a shape substantially the same as the cross-sectional shape of the first opening 15 to be formed.

또한, 상기 제1다중배열전극(40)에 배열된 상기 제1돌출전극부(50)의 배열 간격은 상기 박판(11)의 일면(12)에 배열된 제1개구부(15)의 배열 간격과 동일할 수 있다. In addition, the arrangement interval of the first protrusion electrode portions 50 arranged on the first multi-array electrode 40 is equal to the arrangement interval of the first openings 15 arranged on one surface 12 of the thin plate 11. May be the same.

상기 제1돌출전극부(50)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면(54)을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 제1돌출전극부(50)는 대략 테이퍼진 형상으로 이루어질 수 있다. The first protruding electrode portion 50 may have an inclined surface 54 such that the width thereof becomes narrower toward the end, and thus the first protruding electrode portion 50 may have a substantially tapered shape.

그러면, 상기 제1전해가공 단계(S24)에서 상기 제1돌출전극부(50)에 전류 인가시 상기 제1돌출전극부(50)의 끝단부에 전류를 집중시킬 수 있어서, 전해가공 효율을 증대시킬 수 있다. Then, when the current is applied to the first protruding electrode unit 50 in the first electrolytic processing step (S24), it is possible to concentrate the current at the end of the first protruding electrode unit 50, thereby increasing the electrolytic processing efficiency. You can.

또한, 도 11에서 보이는 바와 같이, 상기 제1전해가공 단계(S24)에서 상기 제1개구부(15)는 상기 테이퍼진 형상을 가지는 제1돌출전극부(50)에 의해 박판(11)의 일면(12)에 입구가 넓고 아래로 갈수록 폭이 좁아지는 대략 테이퍼진 형상을 가지는 제1개구부(15)를 형성할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 11, in the first electrolytic processing step S24, the first opening 15 is formed on one surface of the thin plate 11 by the first protruding electrode 50 having the tapered shape. 12, a first opening 15 having an approximately tapered shape having a wider entrance and narrower downwards can be formed.

도 12는 본 발명의 제2실시 예에 따른 제2개구부 형성 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 12 is a view schematically showing one form of the second opening forming step according to the second embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명의 제2실시 예에 따른 제2개구부 형성 단계(S22)는, 제2다중배열전극(20)을 제2돌출전극부(30)가 상기 제1개구부(15)에 대향하도록 상기 박판(11)의 반대면(13)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하는 제2다중배열전극 정렬 단계(S25)와, 상기 제1개구부(15)가 형성된 박판(11)과 상기 제2돌출전극부(30)가 전해액에 침지된 상태에서 상기 박판(11)과 상기 제2돌출전극부(30)에 전원을 인가하여 상기 박판(11)의 반대면(13)에 상기 제1개구부(15)에 연통하도록 상기 제2개구부(16)를 형성하는 제2전해가공 단계(S26)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, in the forming of the second openings (S22) according to the second embodiment of the present invention, the second multi-electrode electrode 20 is formed by the second protruding electrode part 30 by the first opening part 15. The second multi-array electrode aligning step (S25) to align the opposite surface 13 of the thin plate 11 in a state spaced apart a predetermined interval (S25), and the thin plate 11 and the first opening 15 is formed In the state where the second protruding electrode portion 30 is immersed in the electrolyte, power is applied to the thin plate 11 and the second protruding electrode portion 30 to the first surface on the opposite surface 13 of the thin plate 11. It may include a second electrolytic processing step (S26) for forming the second opening 16 to communicate with the opening 15.

본 발명의 제2실시 예에 따른 제2개구부 형성 단계(S22)는 상기 제1실시 예에 따른 제2개구부 형성 단계(S12)와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 상기 제1실시 예에서의 상세한 설명을 원용한다.The second opening forming step (S22) according to the second embodiment of the present invention is substantially the same as the second opening forming step (S12) according to the first embodiment, a detailed description thereof will be described in the first embodiment The detailed description of the above is incorporated.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S20)은, 상기 제1실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S10)과 비교하여, 상기 제1개구부 형성 단계(S21)가 식각 방식이 아닌 상기 제2개구부 형성 단계(S22)와 마찬가지로 제1돌출전극부(50)가 배열된 제1다중배열전극(40)를 이용한 전해가공을 이용하여 형성한다는 점에서 차이가 있다.As described above, the organic deposition mask manufacturing method (S20) according to the second embodiment of the present invention is compared with the organic deposition mask manufacturing method (S10) according to the first embodiment, and forming the first opening ( The difference is that S21 is formed by using electrolytic processing using the first multi-array electrode 40 in which the first protruding electrode portion 50 is arranged similarly to the second opening portion forming step S22, which is not an etching method. have.

도 13은 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 13 is a view schematically illustrating an organic deposition mask manufactured by an organic deposition mask manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

도 13에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크(55)는, 상기 제1실시 예에 따른 유기 즈착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크(10)(도 1 참조)와 비교하여, 제1개구부(15)의 입구 폭을 줄일 수 있게 됨에 따라 증착개구부(14)의 간격을 줄일 수 있으며, 그에 따라 유기 발광 표시장치에서의 높은 해상도를 구현할 수 있다. As shown in FIG. 13, the organic deposition mask 55 manufactured by the organic deposition mask manufacturing method according to the second embodiment of the present invention is an organic manufactured by the organic deposition mask manufacturing method according to the first embodiment. Compared to the deposition mask 10 (see FIG. 1), the opening width of the first opening 15 can be reduced, so that the gap between the deposition openings 14 can be reduced, thereby increasing the height of the organic light emitting display device. Resolution can be implemented.

한편, 상기 제1다중배열전극(40)과 제1돌출전극부(50)의 구체적인 구성은 상기 제2다중배열전극(20)과 제2돌출전극부(30)의 구성과 실질적으로 동일한 구성으로 이루어질 수 있다. On the other hand, the specific configuration of the first multi-array electrode 40 and the first protrusion electrode portion 50 is substantially the same as the configuration of the second multi-array electrode 20 and the second protrusion electrode portion 30. Can be done.

도 10을 참조하면, 상기 제1다중배열전극(40)은 제1기판(41), 제1기판(41) 일면(42)에 배열된 제1돌출부(45) 및 제1기판(41) 표면에 형성된 제1도금층(47)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the first multi-array electrode 40 has a surface of the first substrate 41 and the first protrusion 45 and the first substrate 41 arranged on one surface 42 of the first substrate 41. It may include a first plating layer 47 formed on.

이때, 상기 제1돌출전극부(50)는 상기 제1돌출부(45) 표면에 상기 제1도금층(47)이 형성된 것일 수 있다. In this case, the first protrusion electrode part 50 may have the first plating layer 47 formed on the surface of the first protrusion part 45.

상기 제1기판(21)은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)일 수 있다.The first substrate 21 may be a silicon wafer.

상기 제1돌출부(45)는 상기 제1돌출전극부(50)의 뼈대를 이루는 구성으로, 상기 제1돌출전극부(50)와 동일한 형상을 가질 수 있으며, 또한 상기 제1돌출전극부(50)의 배열 패턴과 동일하게 형성될 수 있다.The first protrusion part 45 forms a skeleton of the first protrusion electrode part 50, and may have the same shape as the first protrusion electrode part 50, and may also have the same shape as the first protrusion electrode part 50. It may be formed in the same manner as the array pattern of the).

즉, 상기 제1돌출부(45)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면(46)을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 제1돌출부(25)는 테이퍼진 형상을 가질 수 있다.That is, the first protrusion 45 may have an inclined surface 46 so that the width thereof becomes narrower toward the end thereof, and thus the first protrusion 25 may have a tapered shape.

또한, 상기 제1기판(41) 상에 배열되는 상기 제1돌출부(45)의 패턴은 제1개구부(15)의 패턴과 동일한 패턴일 수 있으며, 따라서 상기 제1돌출부(45)가 제1기판(41) 상에 배열되는 간격은 상기 제1개구부(15)가 박판(11)의 일면(12)에 배열되는 간격과 동일할 수 있다. In addition, the pattern of the first protrusion 45 arranged on the first substrate 41 may be the same pattern as the pattern of the first opening 15, so that the first protrusion 45 is formed on the first substrate. The interval arranged on the 41 may be the same as the interval in which the first opening 15 is arranged on one surface 12 of the thin plate 11.

또한, 상기 제1돌출부(45)의 단면 형상은 형성하고자 하는 상기 제1개구부(15)의 단면 형상과 대략 동일한 형상을 가질 수 있으며, 도면에는 상기 제1돌출부(45)의 수직단면이 대략 사다리꼴 형상인 것이 도시되지만, 본 발명은 그에 한정하는 것은 아니며, 사각뿔, 원뿔 등과 같이 끝단부가 뾰족한 뿔의 형상으로 이루어질 수도 있다. In addition, the cross-sectional shape of the first protrusion 45 may have a shape substantially the same as the cross-sectional shape of the first opening 15 to be formed, and the vertical cross-section of the first protrusion 45 is substantially trapezoidal in the drawing. Although the shape is shown, the present invention is not limited thereto, and may be formed in the shape of a horn with a pointed tip such as a square pyramid and a cone.

또한, 상기 제1다중배열전극(40)은 상기 제1돌출전극부(50) 사이에 형성된 제1절연막(48)을 더 포함할 수 있으며, 상기 제1도금층(47)은 제1기판(41) 표면 전체 즉, 제1기판(41)의 일면(42)과 반대면(43), 제1돌출부(45)의 표면, 제1기판(41)의 측면(44) 전체에 형성될 수 있다. In addition, the first multi-array electrode 40 may further include a first insulating layer 48 formed between the first protrusion electrode part 50, and the first plating layer 47 may include a first substrate 41. The entire surface, that is, the one surface 42 and the opposite surface 43 of the first substrate 41, the surface of the first protrusion 45, the entire surface side 44 of the first substrate 41 may be formed.

그러면, 상기 모든 제1돌출전극부(50)들과 상기 제1기판(41)의 반대면(43)은 상기 제1도금층(47)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 그에 따라 상기 제1전해가공 단계(S24)에서의 상기 제1돌출전극부(50)에 대한 전류 인가는, 상기 제1돌출전극부(50)가 배열된 상기 제1기판(41) 일면(42)의 반대면(43)을 통해 상기 배열된 제1돌출전극부(50) 전체에 전류를 인가할 수 있다. Then, all of the first protruding electrode portions 50 and the opposite surface 43 of the first substrate 41 may be electrically connected to each other through the first plating layer 47. The application of current to the first protruding electrode portion 50 in the machining step S24 is performed by opposing the surface 43 of one surface 42 of the first substrate 41 on which the first protruding electrode portion 50 is arranged. A current may be applied to the entirety of the first protrusion electrode parts 50 arranged through ().

상기 제1다중배열전극(40)의 각 구성은 상기 제2다중배열전극(20)의 각 구성과 실질적으로 동일하므로, 상기 제1다중배열전극(40)의 각 구성에 대한 상세한 설명은 상기 제2다중배열전극(20)의 각 구성에 대한 상세한 설명을 원용한다. Since each configuration of the first multi-array electrode 40 is substantially the same as each configuration of the second multi-array electrode 20, a detailed description of each configuration of the first multi-array electrode 40 is described in detail. The detailed description of each structure of the 2nd multiple array electrode 20 is used.

한편, 상기 제1돌출전극부(50)의 크기는 상기 제2돌출전극부(30)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1돌출전극부(50)의 폭 또는/및 높이는 상기 제2돌출전극부(30)의 폭 또는/및 높이보다 크게 형성될 수 있다. Meanwhile, the size of the first protrusion electrode part 50 may be larger than the size of the second protrusion electrode part 30. For example, the width or / and height of the first protrusion electrode part 50 may be greater than the width or / and height of the second protrusion electrode part 30.

그러면, 상기 제1돌출전극부(50)에 의한 제1개구부(15) 형성시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 제1개구부(15)의 크기를 제2개구부(16)의 크기보다 크게 형성할 수 있다. Then, not only the time for forming the first opening 15 by the first protruding electrode portion 50 can be shortened, but the size of the first opening 15 can be made larger than that of the second opening 16. Can be.

또는, 상기 제1전해가공 단계(S24)에서 상기 제1돌출전극부(50)에 가해지는 전류 세기는, 상기 제2전해가공 단계(S26)에서 상기 제2돌출전극부(30)에 가해지는 전류 세기보다 더 크게 할 수도 있다.Alternatively, the current intensity applied to the first protruding electrode portion 50 in the first electrolytic processing step S24 is applied to the second protruding electrode portion 30 in the second electrolytic processing step S26. It may be larger than the current strength.

그러면, 상기 제1돌출전극부(50)의 크기를 상기 제2돌출전극부(30)의 크기보다 크게 형성한 경우와 마찬가지로, 제1개구부(15)의 형성시간을 단축시킬 수 있다. 이는 상기 제1돌출전극부(50)의 크기와 상기 제2돌출전극부(30)의 크기가 동일한 경우라 하더라도, 가해지는 전류 세기가 커지면 가공정밀도는 떨어지는 반면 가공속도가 빨라질 수 있기 때문이다. As a result, the formation time of the first opening 15 may be shortened as in the case where the size of the first protrusion electrode 50 is larger than that of the second protrusion electrode 30. This is because even if the size of the first protrusion electrode part 50 and the size of the second protrusion electrode part 30 are the same, the processing speed may be increased while the processing accuracy decreases when the current intensity applied is increased.

또한, 상기 제1돌출전극부(50)의 크기를 상기 제2돌출전극부(30)의 크기보다 크게 함과 동시에, 상기 제1전해가공 단계(S24)에서 상기 제1돌출전극부(50)에 가해지는 전류 세기를 상기 제2전해가공 단계(S26)에서 상기 제2돌출전극부(30)에 가해지는 전류 세기보다 더 크게 할 수도 있다.In addition, the size of the first protrusion electrode 50 is larger than the size of the second protrusion electrode 30 and at the same time, the first electrode electrode 50 in the first electrolytic processing step (S24). The current intensity applied to the second electrode electrode 30 may be greater than the current intensity applied to the second protruding electrode unit 30 in the second electrolytic processing step S26.

전술한 바와 같이, 상기 제1개구부(15)의 형성은 가공정밀도보다 가공속도가 중요하며, 상기 제2개구부(16)의 형성은 가공속도보다 가공정밀도가 중요하기 때문이다.As described above, the formation speed of the first opening 15 is more important than the processing speed, and the formation of the second opening 16 is more important than the processing speed.

도 14는 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 15는 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.14 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a view schematically illustrating an embodiment of a method of manufacturing an organic deposition mask according to a third embodiment of the present invention.

도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S30)은, 상기 제2실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S20)과 비교하여, 상기 제2실시 예에서의 제1개구부 형성 단계(S21)와 제2개구부 형성 단계(S22)가 동시에 이루어진다는 점에서 차이가 있으므로, 이하에서는 상기 차이에 대해서만 설명하기로 하며, 다른 상세한 설명들은 상기 제2실시 예에서의 상세한 설명을 원용한다.14 and 15, the organic deposition mask manufacturing method S30 according to the third embodiment of the present invention is compared to the organic deposition mask manufacturing method S20 according to the second embodiment, wherein the second Since there is a difference in that the first opening portion forming step S21 and the second opening portion forming step S22 in the embodiment are performed at the same time, only the difference will be described below, and other details will be described in the second embodiment. Detailed description in the examples is used.

본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S30)은 제1다중배열전극(40)을 박판(11)의 일면(12)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하고, 제2다중배열전극(20)을 제2돌출전극부(30)가 상기 제1돌출전극부(50)에 대향하도록 상기 박판(11)의 반대면(13)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하는 제1,2 다중배열전극 정렬 단계(S33)와, 상기 박판(11), 상기 제1돌출전극부(50) 및 상기 제2돌출전극부(30)가 전해액에 침지된 상태에서 상기 박판(11), 상기 제1돌출전극부(50) 및 상기 제2돌출전극부(30)에 전원을 인가하여 제1개구부(15)와 제2개구부(16)가 서로 연통되도록 상기 박판(11)의 일면(12)과 반대면(13) 각각에 상기 제1개구부(15)와 상기 제2개구부(16)를 동시에 형성하는 전해가공 단계(S34)를 포함할 수 있다. In the method (S30) of manufacturing an organic deposition mask according to the third embodiment of the present invention, the first multi-array electrode 40 is aligned with one surface 12 of the thin plate 11 at a predetermined interval, and the second multi-array is arranged. First and second alignment electrodes 20 at a predetermined distance from the opposite surface 13 of the thin plate 11 such that the second protruding electrode portion 30 faces the first protruding electrode portion 50. Aligning the multi-array electrode (S33), the thin plate 11, the first protruding electrode portion 50 and the second protruding electrode portion 30 in the state in which the thin plate 11, the first One surface 12 of the thin plate 11 and the first opening 15 and the second opening 16 are in communication with each other by applying power to the first protrusion electrode 50 and the second protrusion electrode 30. It may include an electrolytic processing step (S34) for simultaneously forming the first opening 15 and the second opening 16 on each of the opposite surface (13).

그러면, 도 13에 도시된 유기 증착 마스크(55)의 제조시간을 현저히 줄일 수 있다.Then, the manufacturing time of the organic deposition mask 55 shown in FIG. 13 can be significantly reduced.

도 15에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조방법(S30)은, 상기 제1돌출전극부(50)와 상기 제2돌출전극부(30) 각각을 전해액이 채워진 가공조(19)에 상기 박판(11)을 사이에 둔 상태로 서로 적정 간격을 두고 정렬시킨 상태로 침지시키고, 상기 제1돌출전극부(50)와 상기 제2돌출전극부(30)를 상기 박판(11)과 전기적으로 연결시킨 상태에서 전원부를 통해 전원을 인가함으로써 행해질 수 있다. As shown in FIG. 15, in the method (S30) of manufacturing an organic deposition mask according to the third exemplary embodiment of the present invention, each of the first and second protrusion electrode parts 50 and 30 is formed by an electrolyte solution. The thin plate 11 is immersed in a state in which the thin plates 11 are interposed therebetween at appropriate intervals, and the first protrusion electrode part 50 and the second protrusion electrode part 30 are immersed. This may be done by applying power through a power supply in a state in which the thin plate 11 is electrically connected.

이때, 상기 제1돌출전극부(50)와 상기 제2돌출전극부(30)를 음극으로 하고, 상기 박판(11)을 양극으로 하여 전원을 인가하면, 상기 박판(11)의 일면(12)에는 상기 박판(11)의 일면(12)과 대향하는 상기 제1돌출전극부(50)의 단면 형상과 같이 가공되면서 제1개구부(15)가 형성됨과 동시에, 상기 박판(11)의 반대면(13)에는 상기 박판(110의 반대면(13)과 대향하는 상기 제2돌출전극부(30)의 단면 형상과 같이 가공되면서 제2개구부(16)가 형성될 수 있다. In this case, when power is applied using the first and second protrusion electrode parts 50 and 30 as the cathode and the thin plate 11 as the anode, one surface 12 of the thin plate 11 is applied. The first opening 15 is formed while being processed in the same way as the cross-sectional shape of the first protruding electrode 50 facing the one surface 12 of the thin plate 11, and the opposite surface of the thin plate 11 ( 13, a second opening 16 may be formed while being processed in a cross-sectional shape of the second protruding electrode portion 30 facing the opposite surface 13 of the thin plate 110.

한편, 상기 제2실시 예에서와 마찬가지로, 제1돌출전극부(50)의 크기는 제2돌출전극부(30)의 크기보다 크게 형성할 수 있으며, 상기 제1돌출전극부(50)에 가해지는 전류 세기는 상기 제2돌출전극부(30)에 가해지는 전류 세기보다 더 크게 할 수 있음은 전술한 바와 같으며, 이에 대한 상세한 설명은 상기 제2실시 예에서의 상세한 설명을 원용한다.On the other hand, as in the second embodiment, the size of the first protruding electrode portion 50 may be larger than the size of the second protruding electrode portion 30, and applied to the first protruding electrode portion 50 As described above, the losing current intensity may be greater than the current intensity applied to the second protruding electrode unit 30, and the detailed description thereof uses the detailed description of the second embodiment.

즉, 본 실시 예에 따른 마스크 제조 방법은, 상기 제2실시 예에서와 마찬가지로, 제1돌출전극부(50)와 제2돌출전극부(30)의 크기를 서로 다르게 하거나, 제1돌출전극부(50)와 제2돌출전극부(30)에 서로 다른 크기의 전류를 인가함으로써, 박판(11)의 일면(12)과 반대면(13)에 미치는 가공속도와 정밀도를 제어할 수 있다.That is, in the mask manufacturing method according to the present embodiment, the sizes of the first and second protrusion electrode portions 50 and 30 are different from each other, or the first and second electrode portions, as in the second embodiment. By applying currents of different magnitudes to the 50 and the second protruding electrode portion 30, it is possible to control the processing speed and precision on the one surface 12 and the opposite surface 13 of the thin plate 11.

도 16은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법을 나타내는 흐름도이고, 도 17은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 18은 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법에 의해 제조된 유기 증착 마스크를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 16 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 17 is a view schematically illustrating an embodiment of a method of manufacturing an organic deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 18 is a diagram schematically illustrating an organic deposition mask manufactured by an organic deposition mask manufacturing method according to a fourth embodiment of the present invention.

도 16 내지 도 18을 참조하면, 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조 방법(S40)은, 돌출전극부(70)가 배열된 다중배열전극(60)을 이용한 전해가공으로 박판(11)에 증착개구부(74)를 형성하는 증착개구부 형성 단계(S42)를 포함할 수 있다.16 to 18, the organic deposition mask manufacturing method (S40) according to the fourth embodiment of the present invention is a thin plate by electrolytic processing using the multi-array electrode 60 in which the protruding electrode part 70 is arranged. 11) may include a deposition opening forming step (S42) for forming a deposition opening (74).

상기 증착개구부 형성 단계(S42)는 다중배열전극(60)을 박판(11)의 일면(12)에 소정간격 이격된 상태로 정렬하는 다중배열전극 정렬 단계(S44)와, 상기 박판(11)과 상기 돌출전극부(70)가 전해액에 침지된 상태에서 상기 박판(11)과 상기 돌출전극부(70)에 전원을 인가하여 증착개구부(74)를 형성하는 전해가공 단계(S45)를 포함할 수 있다. The deposition opening forming step (S42) is a multi-array electrode alignment step (S44) for aligning the multi-array electrode 60 in a state spaced apart at a predetermined interval on the one surface 12 of the thin plate 11, and the thin plate 11 and It may include an electrolytic processing step (S45) to form a deposition opening 74 by applying power to the thin plate 11 and the protruding electrode portion 70 in a state in which the protruding electrode portion 70 is immersed in the electrolyte. have.

도 17에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크 제조방법(S40)은, 박판(11)과 돌출전극부(70)를 전해액이 채워진 가공조(19)에 서로 적정 간격을 두고 정렬시킨 상태로 침지시키고, 상기 돌출전극부(70)를 상기 박판(11)과 전기적으로 연결시킨 상태에서 전원부를 통해 전원을 인가함으로써 행해질 수 있다. As shown in FIG. 17, in the organic deposition mask manufacturing method S40 according to the fourth embodiment of the present invention, the thin plate 11 and the protruding electrode unit 70 are disposed at appropriate intervals in a processing tank 19 filled with electrolyte. It can be performed by immersing in an aligned state, and applying power through a power supply in a state in which the protruding electrode portion 70 is electrically connected to the thin plate 11.

이때, 상기 돌출전극부(70)를 음극으로 하고, 상기 박판(11)을 양극으로 하여 전원을 인가하면, 상기 박판(11)에는 상기 박판(11)과 대향하는 상기 돌출전극부(70)의 단면 형상과 같이 가공되면서 하나의 증착개구부(74)가 형성될 수 있다. In this case, when the protruding electrode portion 70 is used as the cathode and the thin plate 11 is used as the anode, power is applied to the thin plate 11. One deposition opening 74 may be formed while processing as a cross-sectional shape.

상기 다중배열전극(60)과 돌출전극부(70)의 구성은 상기 실시 예들에서의 제1,2다중배열전극(20,40)과 제1,2돌출전극부(30,50)들의 구성과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 상세한 설명은 상기 실시 예들에서의 상세한 설명을 원용한다.The configuration of the multi-array electrode 60 and the protruding electrode part 70 may include the configuration of the first and second multi-array electrodes 20 and 40 and the first and second protruding electrode parts 30 and 50 in the above embodiments. Since it is substantially the same, the detailed description uses the detailed description in the above embodiments.

도 18에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 제4실시 예에 따른 제조방법(S40)에 의하여 제조된 유기 증착 마스크(77)는, 대략 테이퍼진 형상의 단면을 가지는 돌출전극부(70)에 의해, 입구가 넓고 아래로 갈수록 폭이 좁아지는 대략 테이퍼진 형상을 가지는 증착개구부(74)가 기판(11)상에 형성될 수 있다.As shown in FIG. 18, the organic deposition mask 77 manufactured by the manufacturing method S40 according to the fourth embodiment of the present invention is formed by the protruding electrode part 70 having a substantially tapered cross section. A deposition opening 74 having an approximately tapered shape in which the inlet is wide and narrowed downward may be formed on the substrate 11.

즉, 본 발명의 제4실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조방법(S40)은, 상기 제3실시 예에 따른 유기 증착 마스크의 제조방법(S30)과 비교하여, 돌출전극부(70)가 배열된 하나의 다중배열전극(60)을 이용한 한 번의 전해가공으로 증착개구부(74)를 형성하는 것으로서, 박판(11)의 두께가 매우 얇은 경우에 적용될 수 있다. That is, in the manufacturing method S40 of the organic deposition mask according to the fourth embodiment of the present invention, the protruding electrode part 70 is arranged in comparison with the manufacturing method S30 of the organic deposition mask according to the third embodiment. By forming the deposition opening 74 by one electrolysis using one multi-array electrode 60, the thickness of the thin plate 11 may be applied.

이하 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a multi-array electrode having a protruding electrode unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 다중배열전극의 제조 방법을 설명하기 전에 돌출전극부가 배열된 다중배열전극을 먼저 설명한다.Before describing a method of manufacturing a multi-array electrode according to an exemplary embodiment of the present invention, a multi-array electrode in which protrusion electrode portions are arranged will be described first.

본 발명의 일 실시예에 따른 다중배열전극은 미세한 구멍을 정밀하게 가공할 수 있는 돌출전극부가 배열되어 있는 구조로 이루어져 미세한 증착개구부를 갖는 유기 증착 마스크 제조에 이용될 수 있다. The multi-array electrode according to an embodiment of the present invention has a structure in which protrusion electrode portions capable of precisely processing fine holes are arranged, and thus may be used for manufacturing an organic deposition mask having fine deposition openings.

예를 들어, 본 발명의 일실시 예에 따른 다중배열전극은 Microscale pitch의 구멍을 가공할 수 있는 수직의 돌출전극부가 수십~수백만 개가 일정 간격으로 배열되어 있는 구조로 이루어질 수 있으며, 이러한 구조를 가지는 다중배열전극을 이용하여 전해가공으로 OLED 제조에 사용되는 유기 증착 마스크를 제조하면, 600ppi급 이상의 해상도를 구현할 수 있는 유기 증착 마스크 제조가 가능하다. For example, the multi-array electrode according to an embodiment of the present invention may have a structure in which tens to millions of vertical protruding electrode portions capable of processing holes of a microscale pitch are arranged at regular intervals. By manufacturing an organic deposition mask used for manufacturing an OLED by electrolytic processing using a multi-array electrode, it is possible to manufacture an organic deposition mask that can achieve a resolution of 600ppi or more.

다만, 본 발명의 일실시 예예 따른 다중배열전극은 유기 증착 마스크 제조에 이용되는 것에 한정하지 않으며, 광전지 및 열 전기장치 등 수많은 전자 부품에서 광범위하게 활용될 수 있다.However, the multi-array electrode according to an embodiment of the present invention is not limited to that used for manufacturing an organic deposition mask, and can be widely used in many electronic components such as photovoltaic cells and thermoelectric devices.

도 19는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극을 개략적으로 나타내는 도면이다.19 is a diagram schematically illustrating a multi-array electrode in which protrusion electrode parts are arranged according to an exemplary embodiment.

도 19를 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 다중배열전극(100)은 상기 제2다중배열전극(20)과 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다(도 7 및 도 8 참조).Referring to FIG. 19, the multi-array electrode 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may have substantially the same configuration as the second multi-array electrode 20 (see FIGS. 7 and 8).

즉, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부(110)가 배열된 다중배열전극(100)은 기판(101), 기판(101) 일면(102)에 배열된 돌출부(105) 및 기판(101) 표면에 형성된 도금층(107)을 포함할 수 있으며, 상기 돌출전극부(110)는 돌출부(105) 표면에 도금층(107)이 형성된 것일 수 있다. That is, the multi-array electrode 100 in which the protruding electrode part 110 is arranged in accordance with an embodiment of the present invention includes a substrate 101, a protrusion 105 arranged on one surface 102 of the substrate 101, and a substrate 101. The plating layer 107 may be formed on a surface thereof, and the protruding electrode 110 may have a plating layer 107 formed on the surface of the protrusion 105.

상기 기판(101)은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)일 수 있으며, 상기 돌출부(105)는 상기 돌출전극부(110)의 뼈대를 이루는 구성으로, 상기 돌출전극부(110)와 동일한 형상을 가질 수 있으며, 상기 돌출전극부(110)의 배열 패턴과 동일하게 형성될 수 있다.The substrate 101 may be a silicon wafer, and the protrusion 105 may be a skeleton of the protrusion electrode 110, and may have the same shape as the protrusion electrode 110. It may be formed in the same manner as the array pattern of the protruding electrode 110.

예를 들어, 상기 돌출부(105)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면(106)을 가질 수 있으며, 그에 따라 상기 돌출부(105)는 테이퍼진 형상을 가질 수 있다.For example, the protrusion 105 may have an inclined surface 106 such that the width thereof becomes narrower toward the end thereof, and thus the protrusion 105 may have a tapered shape.

또한, 상기 돌출부(105)의 수평단면 형상은 원형, 직사각형 등의 다양한 형상으로 이루어질 수 있으며, 도면에는 상기 돌출부(105)의 수직단면이 대략 사다리꼴 형상인 것이 도시되지만, 본 발명은 그에 한정하는 것은 아니며, 상기 돌출부(105)의 수직단면 형상은 사각뿔, 원뿔 등과 같이 끝단부가 뾰족한 뿔의 형상으로 이루어질 수도 있다. In addition, the horizontal cross-sectional shape of the protrusion 105 may be formed in a variety of shapes, such as circular, rectangular, and the like, the vertical cross section of the protrusion 105 is shown in the trapezoidal shape, but the present invention is limited thereto. The vertical cross-sectional shape of the protrusion 105 may be formed in the shape of a horn having a pointed end such as a square pyramid or a cone.

이와 같이, 상기 돌출전극부(110)가 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지는 형상으로 이루어져 끝단이 날카로운 형상을 가지면, 전해가공시 전류가 집중되어 가공 정밀도를 높일 수 있다.As such, when the protruding electrode 110 has a shape that becomes narrower toward the end and has a sharp shape, current may be concentrated during electrolytic processing, thereby increasing processing accuracy.

또한, 본 발명의 일실시 예에 따른 다중배열전극(100)은 상기 돌출전극부(110) 사이에 형성된 절연막(108)을 더 포함할 수 있으며, 이와 같이 상기 돌출전극부(110)를 제외한 나머지 부분에 절연막(108)을 형성하면, 상기 돌출전극부(110)를 제외한 영역에 전류 확산을 방지하여 정밀한 홀 가공이 가능해질 수 있다.In addition, the multi-array electrode 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may further include an insulating film 108 formed between the protruding electrode parts 110, and thus, except for the protruding electrode part 110. If the insulating film 108 is formed in the portion, it is possible to prevent the diffusion of current in the region except the protruding electrode portion 110 to enable precise hole processing.

또한, 상기 도금층(107)은 기판(101) 표면 전체 즉, 기판(101)의 일면(102)과 반대면(103), 돌출부(105)의 표면, 기판(101)의 측면(104) 전체에 형성될 수 있다. In addition, the plating layer 107 is formed on the entire surface of the substrate 101, that is, the surface 103 opposite to the one surface 102 of the substrate 101, the surface of the protrusion 105, and the entire side surface 104 of the substrate 101. Can be formed.

그러면, 상기 배열된 모든 돌출전극부(110)들과 기판(101)의 반대면(103)은 도금층(107)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 그에 따라 전해가공시 상기 돌출전극부(110)에 대한 전류 인가는, 상기 돌출전극부(110)가 배열된 상기 기판(101) 일면(102)의 반대면(103)을 통해 상기 배열된 돌출전극부(110) 전체에 전류를 인가할 수 있다. Then, all of the arranged protruding electrode parts 110 and the opposite surface 103 of the substrate 101 may be electrically connected to each other through the plating layer 107, and thus the protruding electrode parts 110 during electrolytic processing. The current may be applied to the entire protruding electrode 110 through the opposite surface 103 of the one surface 102 of the substrate 101 on which the protruding electrode 110 is arranged. .

이하 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a multi-array electrode having a protruding electrode unit according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 20은 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법을 나타내는 흐름도이고, 도 21 내지 도 27은 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법 과정을 설명하기 위한 도면들이다.20 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a multi-array electrode in which protrusion electrode parts are arranged according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 21 to 27 are views of a multi-array electrode in which protrusion electrode parts are arranged according to an embodiment of the present invention. Figures for explaining the manufacturing method process.

먼저, 도 20을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법(S100)은, 패턴영역 형성 단계(S101), 돌출부 형성 단계(S102), 도금층 형성 단계(S103) 및 절연막 형성 단계(S104)를 포함할 수 있다.First, referring to FIG. 20, a method (S100) of manufacturing a multi-array electrode having protrusion electrode parts according to an embodiment of the present invention includes a pattern region forming step S101, a protrusion forming step S102, and a plating layer forming step. (S103) and an insulating film forming step (S104).

상기 패턴영역 형성 단계(S101)는 기판(101) 일면(102)에 상기 돌출전극부(110)를 형성하기 위한 패턴영역(120)을 형성하는 단계이며, 상기 돌출부 형성 단계(S102)는 상기 패턴영역(120)이 형성된 기판(101) 일면(102)을 식각하여 상기 기판(101) 일면(102)에 상기 돌출전극부(110)를 형성하기 위한 돌출부(105)를 형성하는 단계이며, 상기 도금층 형성 단계(S103)는 상기 기판(101) 표면에 도금층(107)을 형성하는 단계이며, 상기 절연막 형성 단계(S104)는 상기 돌출전극부(110) 사이에 절연막(108)을 형성하는 단계이다.The pattern region forming step S101 is a step of forming a pattern region 120 for forming the protruding electrode unit 110 on one surface 102 of the substrate 101, and the protrusion forming step S102 includes the pattern. Etching the one surface 102 of the substrate 101 on which the region 120 is formed to form the protrusion 105 for forming the protrusion electrode 110 on one surface 102 of the substrate 101. The forming step S103 is a step of forming a plating layer 107 on the surface of the substrate 101, and the insulating film forming step S104 is a step of forming an insulating film 108 between the protruding electrode portions 110.

도 21은 본 발명의 일실시 예에 따른 패턴영역 형성 단계 이후 기판 상에 패턴영역이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.21 is a diagram schematically illustrating a state in which a pattern region is formed on a substrate after the pattern region forming step according to an embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 상기 패턴영역 형성 단계(S101)는 평탄도가 우수하고 취급이 용이한 실리콘 Wafer 기판(101) 상에 돌출부(105) 형성을 위한 리소그래피(lithogarphy) 공정 수행 전에 미리 패턴영역(120)을 형성하기 위한 것으로서, 포토레지스트(photoresist, 125)를 이용하여 패턴영역(120)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 21, the pattern region forming step S101 may be performed in advance before performing a lithography process for forming the protrusion 105 on the silicon wafer substrate 101 having excellent flatness and easy handling. For forming the 120, the pattern region 120 may be formed using a photoresist 125.

이를 이용한 상기 패턴영역 형성 단계(S101)는, 기판(101)의 일면(102)에 포토레지스트(125)를 도포하고, 패턴영역(120)이 형성된 포토마스크를 포토레지스트(125) 상에 올려서 광을 조사하고, 상기 광이 조사된 포토레지스트(125)를 현상함으로써 상기 포토레지스트(125)가 도포된 기판(101)의 일면(102)에 패턴영역(120)을 형성할 수 있다. In the pattern region forming step (S101) using the same, the photoresist 125 is coated on one surface 102 of the substrate 101, and the photomask on which the pattern region 120 is formed is placed on the photoresist 125 to generate light. The patterned region 120 may be formed on one surface 102 of the substrate 101 to which the photoresist 125 is coated by developing the photoresist 125 irradiated with light.

이때, 포토레지스트(125)가 네거티브 타입이면, 현상 단계를 통해 패턴영역(120)을 제외한 부분만 남게 되고, 포토레지스트(125)가 포지티브 타입이면, 현상 단계를 통해 패턴영역(125)만이 남게 된다.At this time, if the photoresist 125 is a negative type, only a portion except the pattern region 120 remains through the developing step, and if the photoresist 125 is a positive type, only the pattern region 125 remains through the developing step. .

도 21에서 보이는 바와 같이, 본 실시 예에 따른 패턴영역 형성 단계(S101)는 포지티브 타입의 포토레지스트(125)를 이용할 수 있다. As shown in FIG. 21, the pattern region forming step S101 according to the present exemplary embodiment may use a positive type photoresist 125.

본 실시 예에서는 포토레지스트(125)를 이용하여 패턴영역(120)을 형성하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 예를 들어 드라이필름(DFR)을 이용하여 패턴영역(120)을 형성하는 것도 가능하며, 본 발명은 패턴영역(120) 형성 방법에 의해 한정되지 않는다.In the present embodiment, the pattern region 120 is formed using the photoresist 125, but the present invention is not limited thereto. For example, the pattern region 120 may be formed using a dry film (DFR). The present invention is not limited by the method of forming the pattern region 120.

도 22 내지 도 24는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계를 설명하기 위한 도면들로서, 도 22는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계의 제1 식각 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 23은 도 22에 따른 제1 식각 단계 이후 기판 상에 돌출부가 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 24는 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계의 제2 식각 단계 이후 기판 상에 경사면을 갖는 돌출부가 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.22 to 24 are views for explaining a step of forming a protrusion according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 22 schematically illustrates one form of a first etching step of the step of forming a protrusion according to an embodiment of the present invention. FIG. 23 is a view schematically illustrating a state in which protrusions are formed on a substrate after the first etching step according to FIG. 22, and FIG. 24 is a substrate after the second etching step of the protrusion forming step according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows schematically the state in which the protrusion part which has the inclined surface on was formed.

도 22 내지 도 24를 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 돌출부 형성 단계(S102)는 패턴영역(120) 이외의 영역을 식각하여 상기 패턴영역(120)에 돌출부(105)를 형성하는 1차 식각 단계와, 상기 돌출부(105)가 형성된 기판(101)을 식각하여 상기 돌출부(105)가 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 상기 돌출부(105)의 측면에 경사면(106)을 형성하는 2차 식각 단계를 포함할 수 있다.22 to 24, the protrusion forming step (S102) according to an embodiment of the present invention may include forming protrusions 105 in the pattern region 120 by etching regions other than the pattern region 120. The secondary etching step and the secondary etching to form the inclined surface 106 on the side of the protrusion 105 so as to etch the substrate 101 on which the protrusion 105 is formed so that the protrusion 105 becomes narrow toward the end. It may include a step.

상기 1차 식각 단계는 상기 돌출전극부(110)를 형성하기 위해 상기 패턴영역(120)에 큰 종횡비(대략 종횡비 5:1 이상)를 갖는 돌출부(105)를 형성하기 위한 단계로서, 전기화학적 식각(electrochemical etching) 방식을 이용할 수 있다.The first etching step is to form the protrusion 105 having a large aspect ratio (approximately 5: 1 or more aspect ratio) in the pattern region 120 to form the protruding electrode portion 110, the electrochemical etching (electrochemical etching) method can be used.

도 22는 본 발명의 일실시 예에 따른 제1 식각 단계의 일 형태인 전기화학적 식각 방식으로 돌출부를 형성하는 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다. FIG. 22 is a view schematically illustrating a state in which protrusions are formed by an electrochemical etching method which is a form of a first etching step according to an embodiment of the present invention.

도 22에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 일실시 예에 따른 제1 식각 단계의 일 형태인 전기화학적 식각 방식은, 전해질 용액(127)에 패턴영역(120)이 형성된 기판(101)을 침지시키고, 상기 패턴영역(120)이 형성된 기판(101)의 일면(102)의 반대면(103)을 전극(128)에 접합시킨 상태에서 상기 전극(128)을 통해 전원을 인가함으로써, 수행될 수 있다.As shown in FIG. 22, the electrochemical etching method of the first etching step according to an embodiment of the present invention includes immersing the substrate 101 on which the pattern region 120 is formed in the electrolyte solution 127. This may be performed by applying power through the electrode 128 in a state where the opposite surface 103 of the one surface 102 of the substrate 101 on which the pattern region 120 is formed is bonded to the electrode 128.

여기서, 상기 전해질 용액으로는 불산(HF), 에탄올, 세틸트리메딜암모늄 클로라이드(CTAC)용액, 탈 이온수가 첨가된 용액을 사용할 수 있으며, 상기 전해질 용액의 온도는 대략 25℃로 유지하고, 상기 전극(128)으로는 AL박막이 사용될 수 있다.Here, as the electrolyte solution, a solution in which hydrofluoric acid (HF), ethanol, cetyltrimedylammonium chloride (CTAC) solution and deionized water is added may be used, and the temperature of the electrolyte solution is maintained at approximately 25 ° C. An AL thin film may be used as the electrode 128.

그러면, 도 23에서 보이는 바와 같이, 상기 전기화학적 식각 방식에 의한 상기 제1 식각 단계 이후에는, 기판(101) 상에 큰 종횡비를 갖는 돌출부(105)가 형성될 수 있다. Then, as shown in FIG. 23, after the first etching step by the electrochemical etching method, a protrusion 105 having a large aspect ratio may be formed on the substrate 101.

이때, 상기 돌출부(105)의 구조는 상기 패턴영역 형성 단계(S101)에서의 포토레지스트(125)가 패터닝 될 때 상기 돌출부(105)의 형상 및 피치 간격이 결정되고, 상기 전기습식 식각시 전류의 밀도에 따라 상기 돌출부(105)의 직경과 높이를 제어할 수 있다.In this case, when the photoresist 125 is patterned in the pattern region forming step S101, the shape and pitch interval of the protrusion 105 are determined, and the structure of the protrusion 105 is determined by the current during the electro-wet etching. The diameter and height of the protrusion 105 may be controlled according to the density.

다만, 도면에는 상기 전기습식 식각 후 형성된 상기 돌출부(105)의 일 형태로서, 수직구조를 갖는 돌출부(105)가 도시되지만, 상기 전기화학적 식각 후 형성된 상기 돌출부(105)는 반드시 수직구조를 갖는 것은 아니며, 측면에 경사면이 형성될 수도 있으며, 본 발명은 이에 한정하지 않는다.However, although the protrusion 105 having a vertical structure is shown as one form of the protrusion 105 formed after the electrowet etching, the protrusion 105 formed after the electrochemical etching necessarily has a vertical structure. Or, the inclined surface may be formed on the side, the present invention is not limited thereto.

다른 실시 예로, 상기 1차 식각 단계는 건식 식각(dry etching) 방식을 이용할 수도 있다.In another embodiment, the first etching step may use a dry etching method.

건식 식각 방식은 용해성 화학물질을 사용하지 않고, 플라즈마 내에서 반응성 가스를 노출시켜서 제거가 필요한 타겟 물질을 휘발성 가스로 만들어 식각하는 방식으로서, 상기 건식 식각 방식은 이방성 식각이므로, 도 23에 도시된 바와 같이, 패턴영역(120)을 형성하는 포토레지스트(125)의 아래 부분이 식각되지 않으며, 패턴영역(120)의 너비와 동일한 너비만큼의 식각이 이루어질 수 있어서, 패턴영역(120)의 너비를 일정하게 형성시키면서 큰 종횡비를 갖는 돌출부(105)를 형성할 수 있다. The dry etching method is a method of etching a target material that needs to be removed to form a volatile gas by exposing a reactive gas in a plasma without using a soluble chemical, and the dry etching method is anisotropic etching, so as shown in FIG. 23. Likewise, the lower portion of the photoresist 125 forming the pattern region 120 is not etched, and etching may be performed by the same width as the width of the pattern region 120, so that the width of the pattern region 120 is fixed. Protruding portion 105 having a large aspect ratio can be formed while forming the same.

한편, 상기 2차 식각 단계는 습식 식각(wet etching) 방식을 이용할 수 있다. 여기서, 상기 습식 식각은 수산화 칼륨(KOH)수용액을 사용할 수 있다. On the other hand, the secondary etching step may use a wet etching (wet etching) method. Here, the wet etching may use potassium hydroxide (KOH) solution.

도 24에서 보이는 바와 같이, 상기 제1 식각 단계 이후, 상기 습식 식각을 이용한 제2 식각 단계를 수행하게 되면, 상기 종횡비가 큰 돌출부(105)는 시간이 지남에 따라 피라미드 형태처럼 경사지고 끝이 날카로운 형상으로 변화하게 되면서 상기 종횡비가 큰 돌출부(105)의 측면에 경사면(106)이 형성될 수 있으며, 그에 따라 상기 돌출부(105)는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지는 대략 테이퍼진 형상으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 24, when the second etching step using the wet etching is performed after the first etching step, the protrusion 105 having a large aspect ratio is inclined and has a sharp tip as a pyramid shape with time. As the shape is changed, the inclined surface 106 may be formed on the side surface of the protrusion 105 having a large aspect ratio, and thus the protrusion 105 may be formed in an approximately tapered shape that becomes narrower toward the end. .

이때, 식각 시간을 길게 하면, 상기 돌출부(105)의 형상은 끝단이 뾰족한 뿔(Cone) 형상으로도 형성될 수 있다.In this case, when the etching time is increased, the shape of the protrusion 105 may be formed in a horn shape having a sharp tip.

상기 제2 식각 단계는 상기 제1 식각 단계 이후, 상기 포토레지스트(125)를 제거한 후 수행될 수 있다. The second etching step may be performed after removing the photoresist 125 after the first etching step.

도 25는 본 발명의 일실시 예에 따른 도금층 형성 단계 이후 돌출부가 형성된 기판 상에 도금층이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.25 is a view schematically showing a state in which a plating layer is formed on a substrate on which protrusions are formed after the plating layer forming step according to an embodiment of the present invention.

도 25를 참조하면, 상기 도금층 형성 단계(S103)는, 상기 돌출부 형성 단계(S102) 이후, 상기 돌출부(105)가 돌출전극부(110)로서의 기능을 수행하도록 하기 위한 단계로서, 상기 돌출부(105) 표면에 전도성이 좋은 금속(Pt,Au,Pd,Ag)을 증착함으로써 상기 돌출부(105) 표면에 도금층(107)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 25, the plating layer forming step S103 is a step for allowing the protrusion 105 to function as the protruding electrode unit 110 after the protrusion forming step S102. The plating layer 107 may be formed on the surface of the protrusion 105 by depositing a metal (Pt, Au, Pd, Ag) having good conductivity on the surface.

즉, 상기 도금층 형성 단계(S103)는 돌출부(105) 표면에 도금층(107)을 형성하여 돌출전극부(110)를 형성하는 단계이다.That is, the plating layer forming step (S103) is a step of forming the protruding electrode part 110 by forming the plating layer 107 on the surface of the protruding portion 105.

이때, 상기 도금층 형성 단계(S103)는 기판(101) 전체가 전극으로서의 기능을 수행할 수 있도록 상기 기판(101) 전체 즉, 기판(101)의 일면(102), 반대면(104), 측면(104) 및 돌출부(105) 표면에 도금층(107)을 형성할 수 있다. In this case, the plating layer forming step (S103) may include the entire surface of the substrate 101, that is, one surface 102, the opposite surface 104, and the side surface of the substrate 101 such that the entire substrate 101 may function as an electrode. The plating layer 107 may be formed on the surface of the 104 and the protrusion 105.

또한, 상기 도금층 형성 단계(S103)는 기판(101) 표면에 전도성이 좋은 금속으로 도금층(107)을 형성하기 전에, Seed층으로 Ti, Cr, 또는 Pd 등을 50nm 정도 증착함으로써, 기판(101) 상에 전도성이 좋은 금속이 원활하게 형성되도록 할 수 있다.In addition, the plating layer forming step (S103) is a substrate 101 by depositing about 50nm Ti, Cr, or Pd with a Seed layer before forming the plating layer 107 with a metal having good conductivity on the surface of the substrate 101. The metal having good conductivity can be smoothly formed on the surface.

도 26 및 도 27은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계를 설명하기 위한 도면들로서, 도 26은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계의 절연층 형성 단계 이후 기판 상에 절연층이 형성된 상태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 27은 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계의 절연층 제거 단계의 일 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.26 and 27 are views for explaining an insulating film forming step according to an embodiment of the present invention, Figure 26 is an insulating layer on the substrate after the insulating layer forming step of the insulating film forming step according to an embodiment of the present invention FIG. 27 is a diagram schematically illustrating a formed state, and FIG. 27 schematically illustrates one embodiment of an insulating layer removing step of forming an insulating film according to an embodiment of the present invention.

도 26 및 도 27을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 절연막 형성 단계(S104)는, 전해가공시 전류 확산을 방지하여 가공 정밀도와 효율을 높이기 위하여, 상기 도금층 형성 단계(S103) 이후 전체가 전도성을 가지게 된 기판(101) 중 돌출전극부(110) 끝단부를 제외한 나머지 부분을 절연 처리하는 단계로서, 상기 돌출전극부(110)가 형성된 기판(101) 일면(102)에 절연층(109)를 형성하는 절연층 형성 단계와, 상기 돌출전극부(110) 단부에 형성된 절연층을 제거하는 절연층 제거 단계를 포함할 수 있다.26 and 27, the insulating film forming step (S104) according to the embodiment of the present invention is performed after the plating layer forming step (S103) in order to increase the processing precision and efficiency by preventing current diffusion during electrolytic processing. Is a step of insulating the remaining portion of the substrate 101 having the conductivity except for the protruding electrode 110, the insulating layer 109 on one surface 102 of the substrate 101 on which the protruding electrode 110 is formed. ) And an insulating layer removing step of removing the insulating layer formed at an end of the protruding electrode unit 110.

도 26에서 보이는 바와 같이, 상기 절연층 형성 단계는, 상기 도금층 형성 단계(S103) 이후, 상기 돌출전극부(110)가 형성된 상기 기판(101) 일면(102)에 절연층(109)을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 절연층(109)은 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiN)으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 26, in the forming of the insulating layer, after the plating layer forming step S103, the insulating layer 109 is formed on one surface 102 of the substrate 101 on which the protruding electrode part 110 is formed. Can be. The insulating layer 109 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN).

또한, 도 27에서 보이는 바와 같이, 상기 절연층 제거 단계는, 상기 기판(101)의 일면(102)에 형성된 절연층(109) 중 상기 돌출전극부(110)의 단부 영역까지만을 절연층 제거용 용액(129)에 침지시킴으로써, 수행될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 27, in the insulating layer removing step, the insulating layer is removed only up to an end region of the protruding electrode unit 110 of the insulating layer 109 formed on one surface 102 of the substrate 101. By immersion in solution 129.

여기서, 상기 절연층 제거용 용액(129)은 불산(HF) 또는 인산(H3PO4) 수용액을 이용할 수 있다. In this case, the insulating layer removing solution 129 may use an aqueous hydrofluoric acid (HF) or phosphoric acid (H 3 PO 4) solution.

그러면, 최종적으로 도 19에 따른 다중배열전극(100)을 제조할 수 있다. Then, the multi-array electrode 100 according to FIG. 19 may be finally manufactured.

즉, 본 발명의 일실시 예에 따른 방법에 의해 제조된 다중배열전극(100)은, 기판(101)의 일면(102)은 돌출전극부(110)가 형성된 전극부가 되고, 기판(101)의 반대면(103)은 상기 돌출전극부(110)로 전원을 공급하기 위한 도금층(107)이 형성된 전원공급부로 이루어진 구조를 가질 수 있다.That is, the multi-array electrode 100 manufactured by the method according to an embodiment of the present invention, one surface 102 of the substrate 101 is an electrode portion formed with the protruding electrode 110, the substrate 101 The opposite surface 103 may have a structure including a power supply unit in which a plating layer 107 is formed to supply power to the protruding electrode unit 110.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 미세한 구멍을 정밀하게 가공할 수 있는 돌출전극부가 배열되어 있는 구조로 이루어져 미세한 증착개구부를 갖는 유기 증착 마스크 제조에 이용 가능한 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 그 실시 형태는 다양한 형태로 변경가능하다 할 것이다. 따라서 본 발명은 본 명세서에서 개시된 실시 예에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 변경 가능한 모든 형태도 본 발명의 권리범위에 속한다 할 것이다.As described above, the present invention relates to a multi-array electrode and a method of manufacturing the same, which has a structure in which protrusion electrode portions capable of precisely processing fine holes are arranged, and which can be used for manufacturing an organic deposition mask having fine deposition openings. However, the embodiments may be modified in various forms. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments disclosed in the present specification, and all forms changeable by those skilled in the art to which the present invention pertains will belong to the scope of the present invention.

10, 55 : 유기 증착 마스크 11 : 박판
14, 74 : 증착개구부 15 : 제1개구부
16 : 제2개구부 17 : 패턴영역
18 : 포토레지스트 19 : 가공조
20, 40, 60, 100 : 다중배열전극
30, 50, 70, 110 : 돌출전극부10, 55: organic vapor deposition mask 11: thin plate
14, 74: vapor deposition opening 15: first opening
16: second opening 17: pattern area
18: photoresist 19: processing tank
20, 40, 60, 100: multiple array electrodes
30, 50, 70, 110: protruding electrode portion

Claims (9)

삭제delete 돌출전극부가 배열된 다중배열전극에 있어서,
기판;
상기 기판 일면에 배열된 돌출부; 및
상기 기판 표면에 형성된 도금층;을 포함하고,
상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것이고,
상기 돌출부는 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 다중배열전극.In the multi-array electrode in which the protruding electrode portion is arranged,
Board;
A protrusion arranged on one surface of the substrate; And
A plating layer formed on the substrate surface;
The protruding electrode portion is formed with the plating layer on the surface of the protruding portion,
And the protrusion has an inclined surface so that the width thereof becomes narrower toward the end. 돌출전극부가 배열된 다중배열전극에 있어서,
기판;
상기 기판 일면에 배열된 돌출부; 및
상기 기판 표면에 형성된 도금층;을 포함하고,
상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것이고,
상기 다중배열전극은 상기 돌출전극부 사이에 형성된 제2절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중배열전극.In the multi-array electrode in which the protruding electrode portion is arranged,
Board;
A protrusion arranged on one surface of the substrate; And
A plating layer formed on the substrate surface;
The protruding electrode portion is formed with the plating layer on the surface of the protruding portion,
The multi-array electrode further comprises a second insulating film formed between the protruding electrode portion. 돌출전극부가 배열된 다중배열전극에 있어서,
기판;
상기 기판 일면에 배열된 돌출부; 및
상기 기판 표면에 형성된 도금층;을 포함하고,
상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것이고,
상기 도금층은 상기 기판 표면 전체에 형성된 것을 특징으로 하는 다중배열전극.In the multi-array electrode in which the projecting electrode portion is arranged,
Board;
A protrusion arranged on one surface of the substrate; And
A plating layer formed on the substrate surface;
The protruding electrode portion is formed with the plating layer on the surface of the protruding portion,
And the plating layer is formed on the entire surface of the substrate. 삭제delete 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법에 있어서,
기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 패턴영역을 형성하는 패턴영역 형성 단계;
상기 패턴영역이 형성된 기판 일면을 식각하여 상기 기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 돌출부를 형성하는 돌출부 형성 단계; 및
상기 기판 표면에 도금층을 형성하는 도금층 형성 단계;를 포함하고,
상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것이고,
상기 돌출부 형성 단계는,
상기 패턴영역 이외의 영역을 식각하여 상기 패턴영역에 상기 돌출부를 형성하는 1차 식각 단계와,
상기 돌출부가 형성된 기판을 식각하여 상기 돌출부가 끝단으로 갈수록 폭이 좁아지도록 상기 돌출부의 측면에 경사면을 형성하는 2차 식각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중배열전극의 제조 방법.In the method of manufacturing a multi-array electrode in which the protruding electrode portion is arranged,
A pattern region forming step of forming a pattern region for forming the protruding electrode portion on one surface of a substrate;
Forming a protrusion for forming the protrusion electrode on one surface of the substrate by etching one surface of the substrate on which the pattern region is formed; And
A plating layer forming step of forming a plating layer on the surface of the substrate;
The protruding electrode portion is formed with the plating layer on the surface of the protruding portion,
The protrusion forming step,
Forming a protrusion in the pattern region by etching an area other than the pattern region;
And etching a substrate on which the protrusion is formed to form an inclined surface on the side surface of the protrusion such that the protrusion becomes narrower toward the end thereof. 제 6 항에 있어서,
상기 1차 식각 단계는 전기화학적 식각(electrochemical etching) 방식 또는 건식 식각(dry etching) 방식 중 어느 하나의 방식을 이용하고, 상기 2차 식각 단계는 습식 식각(wet etching) 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 다중배열전극의 제조 방법.The method of claim 6,
The first etching step may be any one of an electrochemical etching method or a dry etching method, and the second etching step may be a wet etching method. Method of manufacturing a multiple array electrode. 돌출전극부가 배열된 다중배열전극의 제조 방법에 있어서,
기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 패턴영역을 형성하는 패턴영역 형성 단계;
상기 패턴영역이 형성된 기판 일면을 식각하여 상기 기판 일면에 상기 돌출전극부 형성을 위한 돌출부를 형성하는 돌출부 형성 단계; 및
상기 기판 표면에 도금층을 형성하는 도금층 형성 단계;를 포함하고,
상기 돌출전극부는 상기 돌출부 표면에 상기 도금층이 형성된 것이고,
상기 다중배열전극의 제조 방법은 상기 돌출전극부 사이에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중배열전극의 제조 방법.In the method of manufacturing a multi-array electrode in which the protruding electrode portion is arranged,
A pattern region forming step of forming a pattern region for forming the protruding electrode portion on one surface of a substrate;
Forming a protrusion for forming the protrusion electrode on one surface of the substrate by etching one surface of the substrate on which the pattern region is formed; And
A plating layer forming step of forming a plating layer on the surface of the substrate;
The protruding electrode portion is formed with the plating layer on the surface of the protruding portion,
The manufacturing method of the multiple array electrode further comprises an insulating film forming step of forming an insulating film between the protruding electrode portion. 제 8 항에 있어서,
상기 절연막 형성 단계는,
상기 돌출전극부가 형성된 상기 기판 일면에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계와,
상기 돌출전극부 단부에 형성된 절연층을 제거하는 절연층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중배열전극의 제조 방법.
The method of claim 8,
The insulating film forming step,
An insulating layer forming step of forming an insulating layer on one surface of the substrate on which the protruding electrode part is formed;
And removing the insulating layer formed at the end of the protruding electrode part.
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