KR101337372B1 - Probe board for chip type super capacitor - Google Patents
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Abstract
본 발명은 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판에 관한 것으로, 슈퍼 커패시터가 위치한 방향에 무관하게 프로빙하여 해당 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 수행이 가능하도록 하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 프로브 기판은 배선기판을 이용한 칩 타입의 슈퍼 커패시터로서, 배선기판의 하부면에 평행하게 배치된 바(bar) 형태의 한 쌍의 외부 접속 패드가 형성된 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판으로, 프로브 기판 몸체와, 한 쌍의 프로브 핀을 포함한다. 한 쌍의 프로브 핀은 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드와 마주보는 프로브 기판 몸체의 면에 형성되며, 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 한 쌍의 외부 접속 패드가 중첩되는 지점에 각각 배치되어 한 쌍의 외부 접속 패드와 각각 기계적인 접촉에 의해 전기적으로 연결된다.The present invention relates to a probe substrate for a chip-type super capacitor, and to test the super capacitor by probing regardless of the direction in which the super capacitor is located. The probe board according to the present invention is a chip type super capacitor using a wiring board, and a chip type super capacitor probe board having a pair of bar-shaped external connection pads arranged in parallel with a lower surface of the wiring board. And a probe substrate body and a pair of probe pins. The pair of probe pins are formed on the surface of the probe substrate body facing the external connection pad of the supercapacitor, and are disposed at the point where the pair of external connection pads overlap each other according to the position of the supercapacitor, so that the pair of external connection pads And are respectively electrically connected by mechanical contact.
Description
본 발명은 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 슈퍼 커패시터가 위치한 방향에 무관하게 프로빙하여 해당 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 수행이 가능한 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a test technique of a chip type super capacitor, and more particularly, to a probe substrate for a chip type super capacitor capable of performing a test on the super capacitor by probing regardless of the direction in which the super capacitor is located.
각종 휴대용 전자기기를 비롯하여 전기자동차 등은 전원 공급 장치가 요구되는 시스템이나, 순간적으로 발생하는 과부하를 조절 또는 공급하는 시스템을 위한 전기에너지 저장장치도 요구되고 있으며, 이러한 전기에너지 저장장치로 Ni-MH 전지, Ni-Cd 전지, 납축전지 및 리튬이차전지와 같은 이차전지와, 높은 출력 밀도를 가지면서 충방전 수명이 무제한에 가까운 슈퍼 커패시터, 알루미늄 전해 커패시터 및 세라믹 커패시터 등이 있다.In addition to various portable electronic devices, there is a demand for electric power storage devices for electric vehicles and electric energy storage devices for systems for controlling or supplying instantaneous overload. Ni-MH A secondary battery such as a Ni-Cd battery, a lead-acid battery, and a lithium secondary battery, and a super capacitor, an aluminum electrolytic capacitor, and a ceramic capacitor having a high output density and close to unlimited charge / discharge life.
특히 슈퍼 커패시터는 전기이중층 커패시터(EDLC; Electric Double Layer Capacitor), 유사 커패시터(pseudo capacitor), 리튬 이온 커패시터(LIC; lithium ion capacitor)와 같은 하이브리드 커패시터(hybrid capacitor) 등이 있다.In particular, the super capacitor includes an electric double layer capacitor (EDLC), a pseudo capacitor, and a hybrid capacitor such as a lithium ion capacitor (LIC).
여기서 전기이중층 커패시터는 서로 다른 상의 계면에 형성된 전기이중층에서 발생하는 정전하현상을 이용한 커패시터로서, 에너지 저장 메커니즘이 화학반응에 의존하는 배터리에 비하여 충방전 속도가 빠르고 충방전 효율이 높으며 사이클 특성이 월등하여 백업 전원에 광범위하게 사용되며, 향후 전기자동차의 보조전원으로서의 가능성도 무한하다.Here, the electric double layer capacitor is a capacitor using an electrostatic charge phenomenon occurring in an electric double layer formed at the interface of different phases, and has a charge / discharge speed faster than that of a battery in which the energy storage mechanism depends on a chemical reaction, And it is widely used as a backup power source, and the potential as an auxiliary power source for electric vehicles in the future is also unlimited.
유사 커패시터는 전극과 전기화학 산화물의 산화-환원 반응을 이용하여 화학 반응을 전기적 에너지로 전환하여 저장하는 커패시터이다. 유사 커패시터는 전기이중층 커패시터가 전기화학 이중층형 전극 표면에 형성된 이중층에만 전하를 저장하는 데 비하여 전극 재료의 표면 근처까지 전하를 저장 할 수 있어 저장 용량이 전기이중층 커패시터에 비하여 약 5배정도 크다. 금속산화물 전극재료로는 RuOx, IrOx, MnOx 등이 사용되고 있다.A pseudocapacitor is a capacitor that converts a chemical reaction into electrical energy using an electrode and an oxidation-reduction reaction of an electrochemical oxide. The pseudocapacitor has a storage capacity about 5 times larger than that of the electric double layer capacitor because the electric double layer capacitor can store the electric charge near the surface of the electrode material as compared with the electric double layer capacitor formed on the surface of the electrochemical double layer type electrode. As the metal oxide electrode material, RuOx, IrOx, MnOx and the like are used.
그리고 리튬 이온 커패시터는 기존 전기이중층 커패시터의 고출력 및 장수명 특성과, 리튬 이온 전지의 고에너지밀도를 결합한 새로운 개념의 이차전지 시스템이다. 전기이중층 내 전하의 물리적 흡착반응을 이용하는 전기이중층 커패시터는 우수한 출력특성 및 수명특성에도 불구하고 낮은 에너지밀도 때문에 다양한 응용분야에 적용이 제한되고 있다. 이러한 전기이중층 커패시터의 문제점을 해결하는 수단으로서 음극 활물질로서 리튬 이온을 삽입 및 탈리할 수 있는 탄소계 소재를 이용하는 리튬 이온 커패시터가 제안되었으며, 리튬 이온 커패시터는 이온화 경향이 큰 리튬 이온을 음극에 미리 도핑하여 음극의 전위를 대폭적으로 낮출 수 있고, 셀 전압도 종래의 전기이중층 커패시터의 2.5 V 대비 크게 향상된 3.8 V 이상의 고전압 구현이 가능하며 높은 에너지 밀도를 발현할 수 있다.The lithium ion capacitor is a new concept of a secondary battery system that combines the high power and long life characteristics of a conventional electric double layer capacitor with the high energy density of a lithium ion battery. Electric double layer capacitors using the physical adsorption reaction of electric charges in the electric double layer have been limited in their application to various applications due to their low energy density despite excellent power characteristics and lifetime characteristics. As a means for solving the problem of such an electric double layer capacitor, a lithium ion capacitor using a carbon-based material capable of inserting and separating lithium ions as a negative electrode active material has been proposed. The lithium ion capacitor has a structure in which lithium ions, And the cell voltage can realize a high voltage of 3.8 V or more, which is much higher than that of the conventional electric double layer capacitor by 2.5 V, and can exhibit a high energy density.
이러한 슈퍼 커패시터의 기본적인 구조는 다공성 전극과 같이 표면적이 상대적으로 큰 전극, 전해질, 집전체(current collector), 분리막(separator)으로 이루어져 있으며, 단위 셀 전극의 양단에 수 볼트의 전압을 가해 전해질 내의 이온들이 전기장을 따라 이동하여 전극 표면에 흡착되어 발생되는 전기 화학적 메커니즘을 작동원리로 한다. 이러한 셀은 금속 재질의 상부 및 하부 케이스에 봉합되고, 상부 및 하부 케이스의 외측면에는 상부 및 하부 단자가 부착된다.The basic structure of such a supercapacitor is composed of an electrode having a relatively large surface area, an electrolyte, a current collector, and a separator, like a porous electrode, and applying a voltage of several volts across the unit cell electrode to apply ions in the electrolyte. The principle of operation is the electrochemical mechanism that is generated by moving along the electric field and adsorbed on the electrode surface. These cells are sealed in upper and lower cases made of metal, and upper and lower terminals are attached to outer surfaces of the upper and lower cases.
그러나 종래의 슈퍼 커패시터는, 코인 타입(coin type)의 경우, 상부 및 하부 케이스의 절연과 기밀을 위한 개스킷과 도포 재료가 필요함은 물론이고 그에 따른 도포 및 압착 공정이 요구됨으로 인해, 조립성과 생산성이 저하될 뿐 아니라 경제적 비용이 많이 소요되는 문제점을 안고 있다.However, in the case of the coin type, the conventional supercapacitor requires gaskets and coating materials for insulation and airtightness of the upper and lower cases, as well as application and crimping processes, thereby requiring assembly and productivity. Not only is it degraded, but it is also costly.
또한 상부 및 하부 단자가 상부 및 하부 케이스의 외부로 돌출되는 구조를 갖기 때문에, 슈퍼 커패시터의 크기가 커질 뿐만 아니라 전자기기의 기판에 실장 시 많은 실장 공간을 차지하는 문제점을 안고 있다.In addition, since the upper and lower terminals have a structure that protrudes to the outside of the upper and lower cases, not only the size of the super capacitor is increased but also takes a lot of mounting space when mounting on the substrate of the electronic device.
그리고 상부 및 하부 단자의 부착 과정에서 용접 및 휨 불량 등이 빈번히 발생되고 있는 실정이다.And welding and deflection defects frequently occur in the process of attaching the upper and lower terminals.
이러한 문제점들은 결국 슈퍼 커패시터의 기능성과 사용성을 저하시키는 결과를 초래한다.These problems result in lowering the functionality and usability of the supercapacitor.
이러한 문제점을 해소하기 위한 방안으로 플라스틱 소재의 배선기판 위에 제1 전극, 분리막 및 제2 전극을 적층하여 셀을 형성하고, 셀이 실장된 배선기판의 공간을 리드(lid)로 봉합하여 전자기기의 기판에 표면 실장할 수 있는 칩 타입(chip type)의 슈퍼 커패시터가 제안되고 있다.In order to solve this problem, a cell is formed by stacking a first electrode, a separator, and a second electrode on a wiring board made of plastic material, and seals the space of the wiring board on which the cell is mounted with a lid to cover the electronic device. A chip type super capacitor capable of surface mounting on a substrate has been proposed.
이러한 칩 타입의 슈퍼 커패시터는 복수개를 일괄적으로 제조할 수 있는 배선기판 스트립을 이용하여 제조하며, 제조 공정이 완료된 배선기판 스트립에서 개별 슈퍼 커패시터를 분리한다.The chip type supercapacitor is manufactured using a wiring board strip capable of manufacturing a plurality of batches, and separates individual supercapacitors from the wiring board strip on which the manufacturing process is completed.
그리고 개별 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 공정과, 테스트 결과에 따라 양품과 불량품으로 분류하는 작업이 필요하다.In addition, a test process for individual supercapacitors and a classification of good and defective items are required.
따라서 본 발명의 목적은 개별 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 공정을 수행할 수 있는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a probe substrate for a chip type super capacitor capable of performing a test process on an individual super capacitor.
본 발명의 다른 목적은 슈퍼 커패시터가 위치한 방향에 무관하게 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드에 프로빙하여 해당 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 수행이 가능한 개별 슈퍼 커패시터용 프로브 기판을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a probe substrate for an individual super capacitor capable of performing a test on the super capacitor by probing to an external connection pad of the super capacitor regardless of the direction in which the super capacitor is located.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 배선기판을 이용한 칩 타입의 슈퍼 커패시터로서, 상기 배선기판의 하부면에 평행하게 배치된 바(bar) 형태의 한 쌍의 외부 접속 패드가 형성된 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판에 있어서, 프로브 기판 몸체; 및 상기 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드와 마주보는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성되며, 상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 한 쌍의 외부 접속 패드가 중첩되는 지점에 각각 배치되어 상기 한 쌍의 외부 접속 패드와 각각 기계적인 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 한 쌍의 프로브 핀;을 포함하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a chip type supercapacitor using a wiring board, and a chip type super capacitor having a pair of bar-shaped external connection pads disposed in parallel with a lower surface of the wiring board. A probe substrate for a capacitor, comprising: a probe substrate body; And a pair of external connection pads formed on a surface of the probe substrate body facing the external connection pads of the supercapacitor and disposed at a point where the pair of external connection pads overlap with each other according to the position of the supercapacitor. It provides a probe substrate for a chip type super capacitor comprising a; a pair of probe pins, each electrically connected by a mechanical contact.
본 발명에 따른 프로브 기판에 있어서, 상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 한 쌍의 외부 접속 패드가 중첩되는 지점은 상기 한 쌍의 외부 접속 패드가 형성하는 사각형의 네 모서리 영역일 수 있다. 이때 상기 한 쌍의 프로브 핀은 상기 사각형의 네 모서리 영역 중 대각선 방향의 두 모서리 영역에 대응되는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성될 수 있다.In the probe substrate according to the present invention, a point where a pair of external connection pads overlap with each other according to the position of the super capacitor may be a quadrangular corner region formed by the pair of external connection pads. In this case, the pair of probe pins may be formed on a surface of the probe substrate body corresponding to two corner regions in a diagonal direction among four corner regions of the quadrangle.
본 발명에 따른 프로브 기판에 있어서, 상기 한 쌍의 프로브 핀을 하나의 그룹으로 상기 프로브 기판 몸체에는 테스트할 슈퍼 커패시터의 수에 대응되는 수의 상기 그룹이 형성될 수 있다.In the probe substrate according to the present invention, the pair of probe pins may be formed as a group on the probe substrate body in a number corresponding to the number of super capacitors to be tested.
본 발명에 따른 프로브 기판에 있어서, 상기 프로브 핀은 포고 핀(pogo pin), 스프링 및 전도성 엘라스토머(conductive elastomer) 중에 하나일 수 있다.In the probe substrate according to the present invention, the probe pin may be one of a pogo pin, a spring, and a conductive elastomer.
본 발명은 또한, 배선기판을 이용한 칩 타입의 슈퍼 커패시터로서, 상기 배선기판의 하부면에 평행하게 배치된 바(bar) 형태의 제1 및 제2 외부 접속 패드가 형성된 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판에 있어서, 프로브 기판 몸체; 및 상기 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드와 마주보는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 외부 접속 패드에 각각 기계적인 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 프로브 핀을 포함하는 프로브 기판을 제공한다. 이때 상기 제1 프로브 핀은 상기 제1 외부 접속 패드의 상단부에 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 프로브 핀은 제2 외부 접속 패드의 하단부에 대응되는 위치에 형성된다.The present invention also provides a chip type supercapacitor using a wiring board, the chip type supercapacitor probe having first and second external connection pads having a bar shape disposed in parallel with a lower surface of the wiring board. A substrate comprising: a probe substrate body; And first and second probe pins formed on a surface of the probe substrate body facing the external connection pad of the super capacitor, and electrically connected to the first and second external connection pads by mechanical contact, respectively. It provides a probe substrate. In this case, the first probe pin is formed at a position corresponding to the upper end of the first external connection pad, and the second probe pin is formed at a position corresponding to the lower end of the second external connection pad.
그리고 본 발명에 따른 프로브 기판에 있어서, 상기 제1 및 제2 프로브 핀이 접촉되는 지점은 상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 상기 제1 및 제2 외부 접속 패드가 중첩되는 지점일 수 있다.In the probe substrate according to the present invention, a point at which the first and second probe pins contact each other may be a point at which the first and second external connection pads overlap with each other according to the position of the super capacitor.
본 발명에 따른 프로브 기판은 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 외부 접속 패드가 중첩되는 지점에 프로브 핀이 설치된 구조를 갖기 때문에, 슈퍼 커패시터가 트레이이 수납되어 위치한 방향에 무관하게 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드에 프로빙하여 해당 슈퍼 커패시터에 대한 테스트를 수행할 수 있다.Since the probe substrate according to the present invention has a structure in which a probe pin is installed at a point where an external connection pad overlaps according to the position of the super capacitor, the probe substrate is probed to the external connection pad of the super capacitor regardless of the direction in which the tray is housed. You can perform a test on that supercapacitor.
도 1은 칩 타입의 슈퍼 커패시터를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다.
도 3은 도 1의 슈퍼 커패시터의 하부면을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 1의 슈퍼 커패시터에 프로브 기판의 프로브 핀이 접촉된 상태를 보여주는 도면이다.
도 5는 슈퍼 커패시터의 위치에 따른 프로브 기판의 프로브 핀의 위치를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 슈퍼 커패시터의 위치에 따른 외부 접속 패드의 위치를 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 프로브 기판이 슈퍼 커패시터에 접속된 상태를 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 프로브 기판이 슈퍼 커패시터에 접속된 상태를 보여주는 도면이다.1 is a perspective view showing a chip type super capacitor.
2 is a sectional view taken along the line 2-2 in Fig.
3 is a plan view showing a lower surface of the supercapacitor of FIG.
4 is a view illustrating a state in which a probe pin of a probe substrate is in contact with a super capacitor of FIG. 1.
5 is a view showing the position of the probe pin of the probe substrate according to the position of the super capacitor.
6 is a view showing the position of the external connection pad according to the position of the super capacitor according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state in which a probe substrate according to a first embodiment of the present invention is connected to a super capacitor.
8 is a view showing a state in which a probe substrate according to a second embodiment of the present invention is connected to a super capacitor.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 칩 타입의 슈퍼 커패시터를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 슈퍼 커패시터의 하부면을 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view showing a chip type super capacitor. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line 2-2 of FIG. 1. And FIG. 3 is a plan view showing a lower surface of the supercapacitor of FIG.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 칩 타입의 슈퍼 커패시터(100)는 배선기판(10), 셀(20) 및 리드(40; lid)를 포함한다. 슈퍼 커패시터(100)는 배선기판(10)의 상부면(12)에 셀(20)이 실장되고, 셀(20)이 실장된 영역을 리드(40)로 봉합된 구조를 갖는다. 이때 셀(20)은 제1 전극(21), 분리막(23), 제2 전극(25) 및 전해질을 포함한다.1 to 3, the chip-type
여기서 배선기판(10)은 절연성의 기판 몸체(11)와, 기판 몸체(11)에 형성된 회로 배선 패턴(13)을 포함하는 인쇄회로기판이다.The
기판 몸체(11)는 상부면(12)과, 상부면(12)에 반대되는 하부면(14)을 가지며, 절연성 소재로 제조될 수 있다. 기판 몸체(11)의 소재로는 FR4 또는 세라믹 소재가 사용될 수 있다. 이러한 기판 몸체(11)는 사각판 형태로 제조될 수 있다.The
회로 배선 패턴(13)은 기판 몸체(11)의 상부면(12)에 형성되는 전극 실장 영역(15) 및 리드 접합 패턴(17)과, 기판 몸체(11)의 하부면(14)에 형성되는 복수의 외부 접속 패드(18)를 포함한다. 전극 실장 영역(15)은 기판 몸체(11)의 상부면(12)의 중심 부분에 형성된다. 리드 접합 패턴(17)은 전극 실장 영역(15)의 둘레에 형성된다. 그리고 복수의 외부 접속 패드(18)는 기판 몸체(11)의 하부면에 형성되며, 기판 몸체(11)를 관통하는 비아 홀(19)에 의해 전극 실장 영역(15) 및 리드 접합 패턴(17)과 각각 전기적으로 연결된다. 이러한 회로 배선 패턴(13)으로는 전기 전도성이 양호한 구리와 같은 금속 소재가 사용될 수 있으며, 표면에 금(Au), 니켈(Ni) 등이 도금될 수 있다.The
이때 리드 접합 패턴(17)은 전극 실장 영역(15)을 둘러싸는 고리 형태로 형성되며, 전극 실장 영역(15)에 대해서 일정 간격 이격되어 형성되어 있다. 복수의 외부 접속 패드(18)는 셀(20)의 제1 및 제2 전극(21,25)에 대응되게 한 쌍이 마련될 수 있다. 한 쌍의 외부 접속 패드(18a,18b)는 직사각형의 바 형태로 동일한 크기로 기판 몸체(11)의 하부면(14)에 형성될 수 있다. 한편 한 쌍의 외부 접속 패드(18a,18b)는 작업자가 슈퍼 커패시터(100)로 제조한 이후에 제1 및 제2 전극(21,25)에 연결된 단자를 쉽게 구분할 수 있도록 서로 다른 길이로 형성될 수 있다.At this time, the
셀(20)은 전극 실장 영역(15)에 실장되며, 셀(20)은 제1 전극(21), 분리막(23), 제2 전극(25) 및 전해질을 포함한다. 제1 전극(21)은 전극 실장 영역(15)에 제1 접합 부재(31)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 분리막(23)은 제1 전극(21) 위에 적층된다. 제2 전극(25)은 분리막(23) 위에 적층된다. 그리고 전해질은 제1 및 제2 전극(21,25)에 함침된다. 이때 제1 전극(21)과 제2 전극(25)은 양극 또는 음극 중에 하나이며 서로 다른 극성을 갖는다. 제1 접합 부재(31)로는 전기 전도성을 갖는 접착제로서, 카본 페이스트, 도전성 폴리머, 은-에폭시 접착제 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 제1 접합 부재(31)는 액상 또는 시트 형태로 제공될 수 있다. 이러한 셀(20)은 전기이중층 커패시터, 유사 커패시터, 리튬 이온 커패시터와 같은 하이브리드 커패시터를 형성하는 셀일 수 있다.The
그리고 리드(40)는 배선기판(10)의 상부면(12)에 실장된 셀(20)을 덮어 셀(20)이 실장된 영역을 외부와 밀폐시킨다. 즉 리드(40)는 배선기판(10)에 실장된 셀(20)을 덮으며, 내측면이 제2 전극(25)에 제2 접합 부재(33)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결되고, 가장자리 부분이 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17)에 제3 접합 부재(35)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 이러한 리드(40)는 전기 전도성이 양호한 금속 소재로 제조되며, 덮개부(41)와 접합부(43)로 구성될 수 있다. 덮개부(41)는 셀(20)이 삽입되는 내부 공간(45)이 형성되어 있고, 내부 공간(45)의 바닥면(47)에 제2 전극(25)이 제2 접합 부재(33)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 접합부(43)는 덮개부(41)의 가장자리 부분과 일체로 형성되어 리드 접합 패턴(17)에 제3 접합 부재(35)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 접합부(43)는 덮개부(41)의 가장자리 부분에서 외측으로 절곡된 형태로 형성될 수 있다.The
따라서 슈퍼 커패시터(100)는 셀(20)의 제1 전극(21)이 전극 실장 영역(15) 및 비아 홀(19)을 통해서 배선기판(10)의 하부면(14)에 형성된 외부 접속 패드(18)에 전기적으로 연결된다. 셀(20)의 제2 전극(25)은 리드(40), 리드 접합 패턴(17) 및 비아 홀(19)을 통해서 배선기판(10)의 하부면(14)에 형성된 외부 접속 패드(18)와 전기적으로 연결된다.Accordingly, the
이때 제2 및 제3 접합 부재(33,35)는 전기 전도성을 갖는 접착제로서, 카본 페이스트, 솔더 페이스트, 도전성 폴리머, 은-에폭시 접착제 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 특히 제3 접합 부재(35)는 인쇄 방법으로 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17) 위에 형성될 수 있다. 제3 접합 부재(35)를 인쇄 방법으로 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17) 위에 형성하는 이유는 제3 접합 부재(35)의 도포량과 접합 면적을 규격화하여 리드(40)의 접합 작업을 간편하고 효율적으로 수행하고, 그 접합 상태를 보다 안정적으로 유지하면서, 리드(40)를 접합하는 과정에서 제3 접합 부재(35)가 전극 실장 영역(15)으로 번지는 것을 방지하기 위해서이다. 그 외 리드(40)의 접합부(43)는 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17)에 초음파 또는 고주파 등을 이용한 용접의 방법으로 접합될 수 있다.In this case, the second and
이와 같은 슈퍼 커패시터(100)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 프로브 기판(60)을 포함하는 테스트 장치를 이용하여 테스트를 수행한다.As shown in FIG. 4, the
이때 슈퍼 커패시터(100)는 트레이(50)의 수납 공간(51)에 수납된 형태로 테스트 장치에 제공될 수 있는 트레이(50)는 수납 공간(51)의 바닥면에 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)이 접촉할 수 있는 개방부(53)가 형성되어 있다.At this time, the
프로브 기판(60)은 프로브 기판 몸체(61)와, 프로브 기판 몸체(61)의 상부면에 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)에 각각 대응되는 위치에 형성된 한 쌍의 프로브 핀(63)을 포함한다. 한편 본 실시예에서는 하나의 슈퍼 커패시터(100)에 대응되는 프로브 기판(60)을 도시하였기 때문에, 프로브 기판(60)에 한 쌍의 프로브 핀(63)이 형성된 예를 개시하였지만, 복수의 슈퍼 커패시터(100)에 대한 테스트를 수행할 경우, 복수의 슈퍼 커패시터(100)에 각각 대응하는 프로브 핀(63)을 구비할 수 있음은 물론이다. 이하에서는 설명의 편의상 하나의 슈퍼 커패시터(100)에 대응되게 한 쌍의 프로브 핀(63)이 형성된 프로브 기판(60)에 대해서 설명한다.The
프로브 기판 몸체(61)는 FR4 또는 세라믹 소재로 제조될 수 있다. 프로브 기판 몸체(61)는 슈퍼 커패시터(100)의 배선기판(10)과 동일한 소재로 제조될 수 있다.The
그리고 한 쌍의 프로브 핀(63)은 한 쌍의 외부 접속 패드(18)에 대응되는 위치에 형성되며, 외부 접속 패드(18)의 중심 지점을 프로빙한다. 즉 한 쌍의 프로브 핀(63)은, 사각 형태의 배선기판(10)의 하부면(14)에 대해서, 한 쌍의 외부 접속 패드(18)의 중심을 가로지르는 선 상에 배치되게 프로브 기판 몸체(61)에 형성될 수 있다. 프로브 핀(63)은 외부 접속 패드(18)에 안정적으로 접촉할 수 있도록 탄성을 갖는다. 프로브 핀(63)으로는 포고 핀(pogo pin), 각종 형태의 스프링, 전도성 엘라스토머(conductive elastomer) 등과 같이 전기적 경로를 제공하면서 탄성이 있는 매체라면 사용 가능하다.The pair of probe pins 63 are formed at positions corresponding to the pair of
도시하진 않았지만, 복수의 슈퍼 커패시터(100)는 트레이(50)의 수납 공간(51)에 수납된 상태로 테스트 장치로 공급되고, 트레이(50)에 수납된 슈퍼 커패시터(100)는 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)들에 각각 일괄적으로 접촉되어 테스트된다.Although not shown, the plurality of
이때 칩 타입의 슈퍼 커패시터(100)는 소형이고, 사각형 형태를 갖기 때문에 트레이(50)에 수납하는 과정에서, 도 5에 도시된 바와 같이, (a) 또는 (b)의 형태로 수납될 수 있다. 한편 프로브 기판은 (a)의 형태로 트레이(50)에 수납되는 슈퍼 커패시터(100)에 대응되게 프로브 핀(63)이 배열되어 있기 때문에, (b)의 형태로 트레이(50)에 수납되는 슈퍼 커패시터(100)에 대해서는 프로빙을 할 수 없으므로 테스트 공정에서 불량 처리된다.In this case, since the chip-
즉 도 5의 (a) 형태로 수납된 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)에는 프로브 핀(63)이 정상적으로 접촉되기 때문에, 정상적인 테스트가 가능하다.That is, since the
반면에 도 5의 (b) 형태로 수납된 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)는 도 5의 (a) 형태로 수납된 슈퍼 커패시터(100)와 비교할 때 90도 회전된 형태로 배치되기 때문에, 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)과 정상적으로 접촉하지 못한다. 즉 정상적인 테스트가 이루어지지 않은 슈퍼 커패시터(100)에 대해서 불량 처리되는 문제가 발생될 수 있다.On the other hand, the
따라서 이러한 문제를 해소하기 위해서 프로브 기판의 프로브 핀(63)은, 사각 형태의 배선기판(10)의 하부면(14)에 대해서, 대각선 방향으로 배치될 수 있다. 이와 같이 한 쌍의 프로브 핀(63)을 프로브 기판(60)에 형성하는 이유에 대해서 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 슈퍼 커패시터(100)의 위치에 따른 외부 접속 패드(18)의 위치를 보여주는 도면이다.Therefore, in order to solve this problem, the
슈퍼 커패시터(100)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 트레이에 수납되는 위치에 따라서서 한 쌍의 외부 접속 패드(18)는 A 방향 또는 B 방향으로 배치될 수 있다. 이때 A방향의 외부 접속 패드(18)와, B 방향의 외부 접속 패드(18)가 중첩되는 C 부분은 배선기판(10) 하부면(14)의 모서리에 위치하는 외부 접속 패드(18)의 양단부이다.As illustrated in FIG. 6, the
따라서 한 쌍의 프로브 핀(63a,63b)(63c,63d)을 C 부분에 대응되게 프로브 기판에 형성하면, 슈퍼 커패시터(100)의 수납 위치에 무관하게 슈퍼 커패시터(100)에 대한 프로빙이 가능하다.Therefore, if a pair of
제1 및 제2 실시예에 따른 프로브 기판의 한 쌍의 프로브 핀(63a,63b)(63c,63d)에 대해서 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 제1 및 제2 외부 접속 패드(18a,18b)를 구분하기 위해서 편의상 제2 외부 접속 패드(18b)에 해칭을 표시하였다.A pair of
먼저 제1 실시예에 따른 프로브 기판의 한 쌍의 프로브 핀(63a,63b)은, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 외부 접속 패드(18a)의 상단부에 대응되는 위치에 배치된 제1 프로브 핀(63a)과, 제2 외부 접속 패드(18b)의 하단부에 대응되는 위치에 배치된 제2 프로브 핀(63b)을 포함할 수 있다.First, the pair of probe pins 63a and 63b of the probe substrate according to the first embodiment are disposed at positions corresponding to the upper ends of the first
이와 같이 대각선 방향으로 한 쌍의 프로브 핀(63a,63b)을 형성할 경우, 도 7의 (b)와 같이 슈퍼 커패시터(100)가 위치하더라도 정상적인 프로빙을 통해 테스트가 가능하다.When the pair of probe pins 63a and 63b are formed in the diagonal direction as described above, even though the
또는 제2 실시예에 따른 프로브 기판의 한 쌍의 프로브 핀(63c,63d)은, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 외부 접속 패드(18a)의 하단부에 대응되는 위치에 배치된 제1 프로브 핀(63c)과, 제2 외부 접속 패드(18b)의 상단부에 대응하는 위치에 배치된 제2 프로브 핀(63d)을 포함할 수 있다.Alternatively, the pair of probe pins 63c and 63d of the probe substrate according to the second embodiment are disposed at positions corresponding to the lower ends of the first
이와 같이 대각선 방향으로 한 쌍의 프로브 핀(63c,63d)을 형성할 경우, 도 8의 (b)와 같이 슈퍼 커패시터(100)가 위치하더라도 정상적인 프로빙이 가능하다.When the pair of probe pins 63c and 63d are formed in the diagonal direction as described above, normal probing is possible even if the
제2 실시예에 따른 한 쌍의 프로브 핀(63c,63d)은 제1 실시예에 따른 한 쌍의 프로브 핀(63a,63b)과 비교하여 서로 반대되는 대각선 상에 배치된다.The pair of probe pins 63c and 63d according to the second embodiment are disposed on diagonal lines opposite to each other as compared to the pair of probe pins 63a and 63b according to the first embodiment.
이와 같이 본 발명에 따른 프로브 기판은 슈퍼 커패시터(100)의 위치에 따라 외부 접속 패드(18)가 중첩되는 지점에 프로브 핀(63a,63b)(63c,63d)이 설치된 구조를 갖기 때문에, 슈퍼 커패시터(100)가 위치한 방향에 무관하게 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)에 프로빙하여 해당 슈퍼 커패시터(100)에 대한 테스트가 정상적으로 수행될 수 있도록 할 수 있다.As described above, the probe substrate according to the present invention has a structure in which the probe pins 63a, 63b, 63c, and 63d are provided at points where the
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.
10 : 배선기판
18 : 외부 저속 패드
20 : 셀
40 : 리드
50 : 트레이
51 : 수납 공간
60 : 프로브 기판
63 : 프로브 핀
100 : 슈퍼 커패시터10: wiring board
18: External low speed pad
20: cell
40: lead
50 tray
51: storage space
60: probe substrate
63: probe pin
100: Super capacitor
Claims (7)
프로브 기판 몸체;
상기 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드와 마주보는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성되며, 상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 한 쌍의 외부 접속 패드가 중첩되는 지점에 각각 배치되어 상기 한 쌍의 외부 접속 패드와 각각 기계적인 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 한 쌍의 프로브 핀;
을 포함하며,
상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 한 쌍의 외부 접속 패드가 중첩되는 지점은 상기 한 쌍의 외부 접속 패드가 형성하는 사각형의 네 모서리 영역이며,
상기 한 쌍의 프로브 핀은 상기 사각형의 네 모서리 영역 중 대각선 방향의 두 모서리 영역에 대응되는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.A chip type supercapacitor using a wiring board, comprising: a chip type supercapacitor probe board having a pair of bar-shaped external connection pads arranged in parallel to a lower surface of the wiring board;
A probe substrate body;
It is formed on the surface of the probe substrate body facing the external connection pad of the super capacitor, respectively disposed at the point where the pair of external connection pad overlaps according to the position of the super capacitor, respectively with the pair of external connection pad A pair of probe pins electrically connected by mechanical contact;
/ RTI >
The point where the pair of external connection pads overlap with each other according to the position of the super capacitor is a quadrangular corner region formed by the pair of external connection pads.
And the pair of probe pins is formed on a surface of the probe substrate body corresponding to two corner regions in a diagonal direction among the four corner regions of the quadrangle.
상기 한 쌍의 프로브 핀을 하나의 그룹으로 상기 프로브 기판 몸체에는 테스트할 슈퍼 커패시터의 수에 대응되는 수의 상기 그룹이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.The method of claim 1,
And a plurality of groups corresponding to the number of super capacitors to be tested are formed on the probe substrate body using the pair of probe pins as one group.
상기 프로브 핀은 포고 핀(pogo pin), 스프링 및 전도성 엘라스토머(conductive elastomer) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.The method of claim 1,
And the probe pin is one of a pogo pin, a spring, and a conductive elastomer.
프로브 기판 몸체;
상기 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드와 마주보는 상기 프로브 기판 몸체의 면에 형성되며, 상기 제1 및 제2 외부 접속 패드에 각각 기계적인 접촉에 의해 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 프로브 핀;을 포함하며,
상기 제1 프로브 핀은 상기 제1 외부 접속 패드의 상단부에 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 프로브 핀은 제2 외부 접속 패드의 하단부에 대응되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.A chip type supercapacitor using a wiring board, comprising: a chip type supercapacitor probe board having first and second external connection pads having a bar shape disposed in parallel with a lower surface of the wiring board;
A probe substrate body;
And first and second probe pins formed on a surface of the probe substrate body facing the external connection pads of the supercapacitor and electrically connected to the first and second external connection pads by mechanical contact, respectively. ,
The first probe pin is formed at a position corresponding to an upper end of the first external connection pad, and the second probe pin is formed at a position corresponding to a lower end of the second external connection pad. Probe substrate for.
상기 슈퍼 커패시터의 위치에 따라 상기 제1 및 제2 외부 접속 패드가 중첩되는 지점인 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.The method of claim 5, wherein the first and second probe pins are in contact with each other,
And the first and second external connection pads overlap each other according to the position of the super capacitor.
상기 프로브 핀은 포고 핀(pogo pin), 스프링 및 전도성 엘라스토머(conductive elastomer) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터용 프로브 기판.The method of claim 5,
And the probe pin is one of a pogo pin, a spring, and a conductive elastomer.
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