KR101214258B1 - Tester for chip type super capacitor - Google Patents
Tester for chip type super capacitor Download PDFInfo
- Publication number
- KR101214258B1 KR101214258B1 KR1020110144292A KR20110144292A KR101214258B1 KR 101214258 B1 KR101214258 B1 KR 101214258B1 KR 1020110144292 A KR1020110144292 A KR 1020110144292A KR 20110144292 A KR20110144292 A KR 20110144292A KR 101214258 B1 KR101214258 B1 KR 101214258B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- super capacitor
- discharge
- power
- light emitting
- power supply
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/01—Subjecting similar articles in turn to test, e.g. "go/no-go" tests in mass production; Testing objects at points as they pass through a testing station
- G01R31/013—Testing passive components
- G01R31/016—Testing of capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/22—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-emitting devices, e.g. LED, optocouplers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 테스트 공정에서 슈퍼 커패시터의 충방전량을 산출하여 슈퍼 커패시터에 대한 충방전 테스트를 수행하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a test technique for a chip-type super capacitor, and more particularly, to a test apparatus for a chip-type super capacitor that performs charge / discharge test on a super capacitor by calculating the charge / discharge amount of the super capacitor in a test process. will be.
각종 휴대용 전자기기를 비롯하여 전기자동차 등은 전원 공급 장치가 요구되는 시스템이나, 순간적으로 발생하는 과부하를 조절 또는 공급하는 시스템을 위한 전기에너지 저장장치도 요구되고 있으며, 이러한 전기에너지 저장장치로 Ni-MH 전지, Ni-Cd 전지, 납축전지 및 리튬이차전지와 같은 이차전지와, 높은 출력 밀도를 가지면서 충방전 수명이 무제한에 가까운 슈퍼 커패시터, 알루미늄 전해 커패시터 및 세라믹 커패시터 등이 있다.Electric vehicles such as various portable electronic devices require electric energy storage devices for systems that require a power supply device, or systems for regulating or supplying an overload occurring instantaneously. Such electric energy storage devices include Ni-MH. There are secondary batteries such as batteries, Ni-Cd batteries, lead acid batteries, and lithium secondary batteries, and supercapacitors, aluminum electrolytic capacitors, and ceramic capacitors having high power density and almost unlimited charge / discharge life.
특히 슈퍼 커패시터는 전기이중층 커패시터(EDLC; Electric Double Layer Capacitor), 유사 커패시터(pseudo capacitor), 리튬 이온 커패시터(LIC; lithium ion capacitor)와 같은 하이브리드 커패시터(hybrid capacitor) 등이 있다.In particular, the supercapacitor includes an electric double layer capacitor (EDLC), a pseudo capacitor, and a hybrid capacitor such as a lithium ion capacitor (LIC).
여기서 전기이중층 커패시터는 서로 다른 상의 계면에 형성된 전기이중층에서 발생하는 정전하현상을 이용한 커패시터로서, 에너지 저장 메커니즘이 화학반응에 의존하는 배터리에 비하여 충방전 속도가 빠르고 충방전 효율이 높으며 사이클 특성이 월등하여 백업 전원에 광범위하게 사용되며, 향후 전기자동차의 보조전원으로서의 가능성도 무한하다.Here, the electric double layer capacitor is a capacitor using the electrostatic charge generated in the electric double layer formed at the interface of the different phases, and has a faster charge / discharge rate, higher charge / discharge efficiency, and excellent cycle characteristics than a battery whose energy storage mechanism depends on chemical reaction. It is widely used for backup power supply, and the potential as an auxiliary power source for electric vehicles in the future is also infinite.
유사 커패시터는 전극과 전기화학 산화물의 산화-환원 반응을 이용하여 화학 반응을 전기적 에너지로 전환하여 저장하는 커패시터이다. 유사 커패시터는 전기이중층 커패시터가 전기화학 이중층형 전극 표면에 형성된 이중층에만 전하를 저장하는 데 비하여 전극 재료의 표면 근처까지 전하를 저장 할 수 있어 저장 용량이 전기이중층 커패시터에 비하여 약 5배정도 크다. 금속산화물 전극재료로는 RuOx, IrOx, MnOx 등이 사용되고 있다.A pseudo capacitor is a capacitor that converts and stores a chemical reaction into electrical energy by using a redox reaction of an electrode and an electrochemical oxide. The pseudocapacitor can store charge up to near the surface of the electrode material as compared to the double layer formed on the surface of the electrochemical double layer electrode, so that the storage capacity is about five times larger than that of the double layer capacitor. RuOx, IrOx, MnOx and the like are used as the metal oxide electrode materials.
그리고 리튬 이온 커패시터는 기존 전기이중층 커패시터의 고출력 및 장수명 특성과, 리튬 이온 전지의 고에너지밀도를 결합한 새로운 개념의 이차전지 시스템이다. 전기이중층 내 전하의 물리적 흡착반응을 이용하는 전기이중층 커패시터는 우수한 출력특성 및 수명특성에도 불구하고 낮은 에너지밀도 때문에 다양한 응용분야에 적용이 제한되고 있다. 이러한 전기이중층 커패시터의 문제점을 해결하는 수단으로서 음극 활물질로서 리튬 이온을 삽입 및 탈리할 수 있는 탄소계 소재를 이용하는 리튬 이온 커패시터가 제안되었으며, 리튬 이온 커패시터는 이온화 경향이 큰 리튬 이온을 음극에 미리 도핑하여 음극의 전위를 대폭적으로 낮출 수 있고, 셀 전압도 종래의 전기이중층 커패시터의 2.5 V 대비 크게 향상된 3.8 V 이상의 고전압 구현이 가능하며 높은 에너지 밀도를 발현할 수 있다.The lithium ion capacitor is a new concept of a secondary battery system that combines the high power and long life characteristics of a conventional electric double layer capacitor with the high energy density of a lithium ion battery. The electric double layer capacitor using the physical adsorption reaction of the electric charge in the electric double layer is limited to various applications due to the low energy density despite the excellent output characteristics and lifetime characteristics. As a means of solving the problems of the electric double layer capacitor, a lithium ion capacitor using a carbon-based material capable of inserting and desorbing lithium ions as a negative electrode active material has been proposed. Thus, the potential of the cathode can be significantly lowered, and the cell voltage can be realized at a high voltage of 3.8 V or more, which is significantly improved compared to the 2.5 V of the conventional electric double layer capacitor, and can express high energy density.
이러한 슈퍼 커패시터의 기본적인 구조는 다공성 전극과 같이 표면적이 상대적으로 큰 전극, 전해질, 집전체(current collector), 분리막(separator)으로 이루어져 있으며, 단위 셀 전극의 양단에 수 볼트의 전압을 가해 전해질 내의 이온들이 전기장을 따라 이동하여 전극 표면에 흡착되어 발생되는 전기 화학적 메커니즘을 작동원리로 한다. 이러한 셀은 금속 재질의 상부 및 하부 케이스에 봉합되고, 상부 및 하부 케이스의 외측면에는 상부 및 하부 단자가 부착된다.The basic structure of such a supercapacitor is composed of an electrode having a relatively large surface area, an electrolyte, a current collector, and a separator, like a porous electrode, and applying a voltage of several volts across the unit cell electrode to apply ions in the electrolyte. The principle of operation is the electrochemical mechanism that is generated by moving along the electric field and adsorbed on the electrode surface. These cells are sealed in upper and lower cases made of metal, and upper and lower terminals are attached to outer surfaces of the upper and lower cases.
그러나 종래의 슈퍼 커패시터는, 코인 타입(coin type)의 경우, 상부 및 하부 케이스의 절연과 기밀을 위한 개스킷과 도포 재료가 필요함은 물론이고 그에 따른 도포 및 압착 공정이 요구됨으로 인해, 조립성과 생산성이 저하될 뿐 아니라 경제적 비용이 많이 소요되는 문제점을 안고 있다.However, in the case of the coin type, the conventional supercapacitor requires gaskets and coating materials for insulation and airtightness of the upper and lower cases, as well as application and crimping processes, thereby requiring assembly and productivity. Not only is it degraded, but it is also costly.
또한 상부 및 하부 단자가 상부 및 하부 케이스의 외부로 돌출되는 구조를 갖기 때문에, 슈퍼 커패시터의 크기가 커질 뿐만 아니라 전자기기의 기판에 실장 시 많은 실장 공간을 차지하는 문제점을 안고 있다.In addition, since the upper and lower terminals have a structure that protrudes to the outside of the upper and lower cases, not only the size of the super capacitor is increased but also takes a lot of mounting space when mounting on the substrate of the electronic device.
그리고 상부 및 하부 단자의 부착 과정에서 용접 및 휨 불량 등이 빈번히 발생되고 있는 실정이다.And welding and deflection defects frequently occur in the process of attaching the upper and lower terminals.
이러한 문제점들은 결국 슈퍼 커패시터의 기능성과 사용성을 저하시키는 결과를 초래한다.These problems result in lowering the functionality and usability of the supercapacitor.
이러한 문제점을 해소하기 위한 방안으로 플라스틱 소재의 배선기판 위에 제1 전극, 분리막 및 제2 전극을 적층하여 셀을 형성하고, 셀이 실장된 배선기판의 공간을 리드(lid)로 봉합하여 전자기기의 기판에 표면 실장할 수 있는 칩 타입(chip type)의 슈퍼 커패시터가 제안되고 있다.In order to solve this problem, a cell is formed by stacking a first electrode, a separator, and a second electrode on a wiring board made of plastic material, and seals the space of the wiring board on which the cell is mounted with a lid to cover the electronic device. A chip type super capacitor capable of surface mounting on a substrate has been proposed.
이러한 칩 타입의 슈퍼 커패시터는 복수 개를 일괄적으로 제조할 수 있는 배선기판 스트립을 이용하여 제조하며, 제조 공정이 완료된 배선기판 스트립에서 개별 슈퍼 커패시터를 분리한다.The chip type supercapacitor is manufactured using a wiring board strip capable of manufacturing a plurality of batches, and separates the individual supercapacitors from the wiring board strip on which the manufacturing process is completed.
그리고 개별 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 공정과, 테스트 결과에 따라 양품과 불량품으로 분류하는 작업이 필요하다.In addition, a test process for individual supercapacitors and a classification of good and defective items are required.
따라서 본 발명의 목적은 슈퍼 커패시터에 대한 테스트 장치를 제공하는 데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a test apparatus for a super capacitor.
본 발명의 다른 목적은 슈퍼 커패시터의 충방전 테스트 공정에서 충방전 상태를 쉽게 확인할 수 있는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a chip type super capacitor test apparatus that can easily check the charge / discharge state in the charge / discharge test process of the super capacitor.
본 발명의 또 다른 목적은 슈퍼 커패시터의 충방전 테스트 공정에서 충방전량을 측정하여 슈퍼 커패시터의 충방전 특성을 테스트하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치를 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a chip type supercapacitor test apparatus for testing charge / discharge characteristics of a supercapacitor by measuring a charge / discharge amount in a charge / discharge test process of a supercapacitor.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치는 프로브 기판, 전원 공급부, 충전용 발광 다이오드, 방전용 발광 다이오드, 광 센서 및 제어부를 포함하여 구성된다. 상기 프로브 기판은 트레이에 수납된 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 외부 접속 패드에 접촉하는 프로브 핀이 형성되어 있다. 상기 전원 공급부는 상기 슈퍼 커패시터에 프로브 핀이 접촉된 상기 프로브 기판으로 전원을 공급하여 상기 슈퍼 커패시터에 전원을 충전시킨다. 상기 충전용 발광 다이오드는 상기 전원 공급부에서 상기 슈퍼 커패시터로 전원이 공급되는 충전 상태를 표시한다. 상기 방전용 발광 다이오드는 상기 슈퍼 커패시터에 프로브 핀이 접촉된 상기 프로브 기판을 통하여 상기 슈퍼 커패시터로부터 전원을 공급받아 상기 슈퍼 커패시터를 방전시키며 방전 상태를 표시한다. 상기 광 센서는 상기 충전용 발광 다이오드 및 상기 방전용 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 밝기를 검출한다. 그리고 상기 제어부는 상기 슈퍼 커패시터에 상기 프로브 기판의 프로브 핀이 접촉된 상태에서, 상기 슈퍼 커패시터에 전원을 충전할 때 상기 프로브 기판과 상기 전원 공급부를 연결하고, 상기 슈퍼 커패시터를 방전시킬 때 상기 프로브 기판과 상기 방전용 발광 다이오드를 연결하고, 상기 광 센서로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 충방전량을 산출하여 상기 슈퍼 커패시터에 대한 충방전 테스트를 수행한다.In order to achieve the above object, the test device of the chip type super capacitor according to the present invention comprises a probe substrate, a power supply, a charging light emitting diode, a discharge light emitting diode, an optical sensor and a control unit. The probe substrate is provided with a probe pin contacting an external connection pad of a chip type super capacitor housed in a tray. The power supply unit supplies power to the probe substrate in which probe pins are in contact with the super capacitor to charge the super capacitor. The charging LED displays a charging state in which power is supplied from the power supply unit to the super capacitor. The discharge LED receives power from the super capacitor through the probe substrate in which the probe pin is in contact with the super capacitor, discharges the super capacitor, and displays a discharge state. The optical sensor detects brightness of light emitted from the rechargeable light emitting diode and the discharge light emitting diode. The controller may be configured to connect the probe substrate and the power supply unit when the super capacitor is in contact with the probe pin of the probe substrate and to charge the super capacitor, and to discharge the super capacitor. And the discharge LED are connected, and the charge / discharge test is performed on the supercapacitor by calculating the charge / discharge amount from the intensity of the brightness received from the optical sensor.
본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 광 센서로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량과, 충전 시 상기 전원공급부에서 공급되는 전원 공급량 및 방전 시 상기 슈퍼 커패시터에서 출력되는 전원 출력량을 반영하여 상기 슈퍼 커패시터의 충방전량을 산출할 수 있다.In the testing device of the chip-type super capacitor according to the present invention, the control unit, the charge and discharge amount calculated from the intensity of the brightness received from the optical sensor, the amount of power supplied from the power supply when charging and the super when discharging The amount of charge and discharge of the supercapacitor may be calculated by reflecting the amount of power output from the capacitor.
본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 제어부는 상기 프로브 기판과 상기 전원 공급부의 연결과, 상기 프로브 기판과 상기 방전용 발광 다이오드의 연결을 스위칭 하는 릴레이와, 상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 하는 제어기를 포함할 수 있다. In the testing device of the chip-type super capacitor according to the present invention, the control unit is connected to the probe substrate and the power supply, a relay for switching the connection between the probe substrate and the discharge light emitting diode, the connection of the relay It may include a controller for switching the state.
본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 제어부는 상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 하는 시간 정보를 제공하는 타이머를 더 포함할 수 있다.In the apparatus for testing a chip type super capacitor according to the present invention, the controller may further include a timer for providing time information for switching the connection state of the relay.
본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 제어기는 상기 타이머의 시간 정보에 따라 상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 한다.In the test apparatus of the chip type super capacitor according to the present invention, the controller switches the connection state of the relay according to the time information of the timer.
본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 충전용 발광 다이오드는 상기 제어기와 상기 전원 공급부 사이에 설치된다.In the test apparatus for a chip type super capacitor according to the present invention, the charging LED is provided between the controller and the power supply unit.
그리고 본 발명에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치에 있어서, 상기 전원 공급부는 상기 슈퍼 커패시터에 정전류 전원을 공급하여 충전을 시작한 후, 일정 수준에 도달하면 상기 슈퍼 커패시터에 정전압 전원을 공급하여 상기 슈퍼 커패시터를 만충시킨다.In the test apparatus of the chip type super capacitor according to the present invention, the power supply unit supplies a constant current power to the super capacitor to start charging, and when a predetermined level is reached, the constant voltage power is supplied to the super capacitor. Full capacitor.
본 발명에 따르면, 테스트 장치는 프로브 기판과 복수의 슈퍼 커패시터를 수납하는 트레이(tray)를 이용하여 일괄적으로 복수의 슈퍼 커패시터를 테스트할 수 있다.According to the present invention, the test apparatus may test the plurality of supercapacitors in a batch by using a tray containing the probe substrate and the plurality of supercapacitors.
또한 본 발명에 따른 테스트 장치는 슈퍼 커패시터에 대한 충방전 테스트 공정 시 발광 다이오드의 점등 여부, 즉 온/오프 여부를 이용하여 슈퍼 커패시터의 충방전 상태를 쉽게 확인할 수 있다.In addition, the test apparatus according to the present invention can easily check the charge / discharge state of the supercapacitor by using whether the light emitting diode is turned on, that is, on / off during the charge / discharge test process for the supercapacitor.
또한 본 발명에 따른 테스트 장치는 슈퍼 커패시터의 충방전 테스트 공정에서 충방전량을 측정하여 슈퍼 커패시터의 충방전 특성을 테스트할 수 있다. 즉 테스트 장치는 광 센서로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량을 이용하여 슈퍼 커패시터의 충방전 특성을 보다 정확하게 테스트할 수 있다.In addition, the test apparatus according to the present invention may test the charge / discharge characteristics of the supercapacitor by measuring the charge / discharge amount in the charge / discharge test process of the supercapacitor. That is, the test apparatus may more accurately test the charge / discharge characteristics of the supercapacitor by using the charge / discharge amount calculated from the intensity of brightness received from the optical sensor.
도 1은 칩 타입의 슈퍼 커패시터를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다.
도 3은 도 1의 슈퍼 커패시터의 하부면을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 1의 슈퍼 커패시터가 트레이에 수납된 상태를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 5-5선 단면도로서, 트레이에 수납된 슈퍼 커패시터에 프로브 기판의 프로브 핀이 접촉된 상태를 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치를 보여주는 도면이다.1 is a perspective view showing a chip type super capacitor.
2 is a sectional view taken along the line 2-2 in Fig.
3 is a plan view showing a lower surface of the supercapacitor of FIG.
4 is a plan view illustrating a state in which the super capacitor of FIG. 1 is accommodated in a tray.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line 5-5 and shows a state in which a probe pin of a probe substrate is in contact with a super capacitor housed in a tray.
6 is a diagram illustrating a test device for a chip type super capacitor according to an exemplary embodiment of the present invention.
하기의 설명에서는 본 발명의 실시예를 이해하는데 필요한 부분만이 설명되며, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.In the following description, only parts necessary for understanding the embodiments of the present invention will be described, and the description of other parts will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.
이하에서 설명되는 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념으로 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and the inventor is not limited to the meaning of the terms in order to describe his invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely preferred embodiments of the present invention, and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention, so that various equivalents And variations are possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 1은 칩 타입의 슈퍼 커패시터를 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1의 2-2선 단면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 슈퍼 커패시터의 하부면을 보여주는 평면도이다.1 is a perspective view showing a chip type super capacitor. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line 2-2 of FIG. 1. And FIG. 3 is a plan view showing a lower surface of the supercapacitor of FIG.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 칩 타입의 슈퍼 커패시터(100)는 배선기판(10), 셀(20) 및 리드(40; lid)를 포함한다. 슈퍼 커패시터(100)는 배선기판(10)의 상부면(12)에 셀(20)이 실장되고, 셀(20)이 실장된 영역을 리드(40)로 봉합된 구조를 갖는다. 이때 셀(20)은 제1 전극(21), 분리막(23), 제2 전극(25) 및 전해질을 포함한다.1 to 3, the chip-type
여기서 배선기판(10)은 절연성의 기판 몸체(11)와, 기판 몸체(11)에 형성된 회로 배선 패턴(13)을 포함하는 인쇄회로기판이다.The
기판 몸체(11)는 상부면(12)과, 상부면(12)에 반대되는 하부면(14)을 가지며, 절연성 소재로 제조될 수 있다. 기판 몸체(11)의 소재로는 FR4 또는 세라믹 소재가 사용될 수 있다. 이러한 기판 몸체(11)는 사각판 형태로 제조될 수 있다.The
회로 배선 패턴(13)은 기판 몸체(11)의 상부면(12)에 형성되는 전극 실장 영역(15) 및 리드 접합 패턴(17)과, 기판 몸체(11)의 하부면(14)에 형성되는 복수의 외부 접속 패드(18)를 포함한다. 전극 실장 영역(15)은 기판 몸체(11)의 상부면(12)의 중심 부분에 형성된다. 리드 접합 패턴(17)은 전극 실장 영역(15)의 둘레에 형성된다. 그리고 복수의 외부 접속 패드(18)는 기판 몸체(11)의 하부면에 형성되며, 기판 몸체(11)를 관통하는 비아 홀(19)에 의해 전극 실장 영역(15) 및 리드 접합 패턴(17)과 각각 전기적으로 연결된다. 이러한 회로 배선 패턴(13)으로는 전기 전도성이 양호한 구리와 같은 금속 소재가 사용될 수 있으며, 표면에 금(Au), 니켈(Ni) 등이 도금될 수 있다.The
이때 리드 접합 패턴(17)은 전극 실장 영역(15)을 둘러싸는 고리 형태로 형성되며, 전극 실장 영역(15)에 대해서 일정 간격 이격되어 형성되어 있다. 복수의 외부 접속 패드(18)는 셀(20)의 제1 및 제2 전극(21,25)에 대응되게 한 쌍이 마련될 수 있다. 한 쌍의 외부 접속 패드(18a,18b)는 직사각형의 바 형태로 동일한 크기로 기판 몸체(11)의 하부면(14)에 형성될 수 있다. 한편 한 쌍의 외부 접속 패드(18a,18b)는 작업자가 슈퍼 커패시터(100)로 제조한 이후에 제1 및 제2 전극(21,25)에 연결된 단자를 쉽게 구분할 수 있도록 서로 다른 길이로 형성될 수 있다.At this time, the
셀(20)은 전극 실장 영역(15)에 실장되며, 셀(20)은 제1 전극(21), 분리막(23), 제2 전극(25) 및 전해질을 포함한다. 제1 전극(21)은 전극 실장 영역(15)에 제1 접합 부재(31)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 분리막(23)은 제1 전극(21) 위에 적층된다. 제2 전극(25)은 분리막(23) 위에 적층된다. 그리고 전해질은 제1 및 제2 전극(21,25)에 함침된다. 이때 제1 전극(21)과 제2 전극(25)은 양극 또는 음극 중에 하나이며 서로 다른 극성을 갖는다. 제1 접합 부재(31)로는 전기 전도성을 갖는 접착제로서, 카본 페이스트, 도전성 폴리머, 은-에폭시 접착제 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 제1 접합 부재(31)는 액상 또는 시트 형태로 제공될 수 있다. 이러한 셀(20)은 전기이중층 커패시터, 유사 커패시터, 리튬 이온 커패시터와 같은 하이브리드 커패시터를 형성하는 셀일 수 있다.The
그리고 리드(40)는 배선기판(10)의 상부면(12)에 실장된 셀(20)을 덮어 셀(20)이 실장된 영역을 외부와 밀폐시킨다. 즉 리드(40)는 배선기판(10)에 실장된 셀(20)을 덮으며, 내측면이 제2 전극(25)에 제2 접합 부재(33)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결되고, 가장자리 부분이 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17)에 제3 접합 부재(35)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 이러한 리드(40)는 전기 전도성이 양호한 금속 소재로 제조되며, 덮개부(41)와 접합부(43)로 구성될 수 있다. 덮개부(41)는 셀(20)이 삽입되는 내부 공간(45)이 형성되어 있고, 내부 공간(45)의 바닥면(47)에 제2 전극(25)이 제2 접합 부재(33)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 접합부(43)는 덮개부(41)의 가장자리 부분과 일체로 형성되어 리드 접합 패턴(17)에 제3 접합 부재(35)를 매개로 접합되어 전기적으로 연결된다. 접합부(43)는 덮개부(41)의 가장자리 부분에서 외측으로 절곡된 형태로 형성될 수 있다.The
따라서 슈퍼 커패시터(100)는 셀(20)의 제1 전극(21)이 전극 실장 영역(15) 및 비아 홀(19)을 통해서 배선기판(10)의 하부면(14)에 형성된 외부 접속 패드(18)에 전기적으로 연결된다. 셀(20)의 제2 전극(25)은 리드(40), 리드 접합 패턴(17) 및 비아 홀(19)을 통해서 배선기판(10)의 하부면(14)에 형성된 외부 접속 패드(18)와 전기적으로 연결된다.Accordingly, the
이때 제2 및 제3 접합 부재(33,35)는 전기 전도성을 갖는 접착제로서, 카본 페이스트, 솔더 페이스트, 도전성 폴리머, 은-에폭시 접착제 등이 사용될 수 있으며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 특히 제3 접합 부재(35)는 인쇄 방법으로 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17) 위에 형성될 수 있다. 제3 접합 부재(35)를 인쇄 방법으로 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17) 위에 형성하는 이유는 제3 접합 부재(35)의 도포량과 접합 면적을 규격화하여 리드(40)의 접합 작업을 간편하고 효율적으로 수행하고, 그 접합 상태를 보다 안정적으로 유지하면서, 리드(40)를 접합하는 과정에서 제3 접합 부재(35)가 전극 실장 영역(15)으로 번지는 것을 방지하기 위해서이다. 그 외 리드(40)의 접합부(43)는 배선기판(10)의 리드 접합 패턴(17)에 초음파 또는 고주파 등을 이용한 용접의 방법으로 접합될 수 있다.In this case, the second and
이와 같은 슈퍼 커패시터(100)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 프로브 기판(60)을 포함하는 테스트 장치를 이용하여 테스트를 수행한다.As shown in FIGS. 4 and 5, the
이때 슈퍼 커패시터(100)는 트레이(50; tray)의 수납 공간(51)에 수납된 형태로 테스트 장치에 제공될 수 있는 트레이(50)는 수납 공간(51)의 바닥면에 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)이 접촉할 수 있는 개방부(53)가 형성되어 있다.In this case, the
프로브 기판(60)은 프로브 기판 몸체(61)와, 프로브 기판 몸체(61)의 상부면에 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)에 각각 대응되는 위치에 형성된 한 쌍의 프로브 핀(63)을 포함한다. 한편 본 실시예에서는 하나의 슈퍼 커패시터(100)에 대응되는 프로브 기판(60) 부분을 도시하였기 때문에, 프로브 기판(60)에 한 쌍의 프로브 핀(63)이 형성된 예를 개시하였지만, 프로브 기판(60)에는 트레이(50)에 수납된 복수의 슈퍼 커패시터(100)에 각각 대응하는 프로브 핀(63)을 구비하고 있음은 물론이다. 이하에서는 설명의 편의상 하나의 슈퍼 커패시터(100)에 대응되게 한 쌍의 프로브 핀(63)이 형성된 프로브 기판(60)에 대해서 설명한다.The
프로브 기판 몸체(61)는 FR4 또는 세라믹 소재로 제조될 수 있다. 프로브 기판 몸체(61)는 슈퍼 커패시터(100)의 배선기판(10)과 동일한 소재로 제조될 수 있다.The
그리고 한 쌍의 프로브 핀(63)은 한 쌍의 외부 접속 패드(18)에 대응되는 위치에 형성되며, 외부 접속 패드(18)의 중심 지점을 프로빙한다. 즉 한 쌍의 프로브 핀(63)은, 사각 형태의 배선기판(10)의 하부면(14)에 대해서, 한 쌍의 외부 접속 패드(18)의 중심을 가로지르는 선 상에 배치되게 프로브 기판 몸체(61)에 형성될 수 있다. 프로브 핀(63)은 외부 접속 패드(18)에 안정적으로 접촉할 수 있도록 탄성을 갖는다. 프로브 핀(63)으로는 포고 핀(pogo pin), 각종 형태의 스프링, 전도성 엘라스토머(conductive elastomer) 등과 같이 전기적 경로를 제공하면서 탄성이 있는 매체라면 사용 가능하다.The pair of probe pins 63 are formed at positions corresponding to the pair of
복수의 슈퍼 커패시터(100)는 트레이(50)의 수납 공간(51)에 수납된 상태로 테스트 장치로 공급되고, 트레이(50)에 수납된 슈퍼 커패시터(100)는 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)들에 각각 일괄적으로 접촉되어 테스트된다.The plurality of
이와 같은 프로브 기판(60)을 포함하는 본 실시예에 따른 테스트 장치(200)는 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 칩 타입의 슈퍼 커패시터(100)의 테스트 장치(200)를 보여주는 도면이다.The
본 실시예에 따른 테스트 장치(200)는 프로브 기판(60), 전원 공급부(71), 충전용 발광 다이오드(73), 방전용 발광 다이오드(75), 광 센서(77,78) 및 제어부(79)를 포함하며, 제어부(79)는 릴레이(72), 제어기(74) 및 타이머(76)를 포함할 수 있다.The
프로브 기판(60)은 슈퍼 커패시터(100)의 외부 접속 패드(18)에 접촉하는 프로브 핀(63)이 형성되어 있으며, 도 4 및 도 5를 참조한 설명 부분에서 설명하였기 때문에 상세한 설명은 생략한다.The
전원 공급부(71)는 슈퍼 커패시터(100)에 프로브 핀(18)이 접촉된 프로브 기판(60)으로 전원을 공급하여 슈퍼 커패시터(100)에 전원을 충전시킨다. 이때 전원 공급부(71)는 충전시 정전류, 정전압의 전원을 슈퍼 커패시터(100)에 공급하여 충전한다. 전원 공급부(71)로는 SMPS(Switching Mode Power Supply; 스위칭 전원 장치)가 사용될 수 있다. 즉 슈퍼 커패시터(100)는 구조적으로 충전 전압이 없는 상태에서는 과대한 전류를 흡입하여 전원 공급부의 부하를 합선시킨 것과 같은 현상이 일어나고, 충전 전압이 적정 수준에 도달한 후에도 계속하여 전류를 공급하는 정전압 충전을 실시하지 않으면 만충전을 시킬 수 없는 특징을 가지고 있다. 따라서 슈퍼 커패시터(100)의 충전 전압이 부족할 때에는, 전원 공급부(71)는 정전류 충전으로 회로를 보호하고 전압이 적정 수준에 도달하면 정전압 충전으로 만충전을 시킨다.The
충전용 발광 다이오드(73)는 전원 공급부(71)에서 슈퍼 커패시터(100)로 전원이 공급되는 충전 상태를 표시한다. 이때 충전용 발광 다이오드(73)는 프로브 기판(60)과 전원 공급부(71) 사이에 설치될 수 있다. 충전용 발광 다이오드(73)의 구동 전압에 대응하는 저항(R1)이 충전용 발광 다이오드(73)와 전원 공급부(71)를 연결하는 배선 상에 연결된다.The charging
방전용 발광 다이오드(75)는 슈퍼 커패시터(100)에 프로브 핀(18)이 접촉된 프로브 기판(60)을 통하여 슈퍼 커패시터(100)로부터 전원을 공급받아 슈퍼 커패시터(100)를 방전시키며 방전 상태를 표시한다. 방전용 발광 다이오드(75)의 구동 작업에 대응하는 저항(R2)이 방전용 발광 다이오드(75)와 프로브 기판(60)을 연결하는 배선 상에 연결된다.The discharge
광 센서(77,78)는 충전용 발광 다이오드(73) 및 방전용 발광 다이오드(75)에서 방출되는 빛의 밝기를 검출하여 제어부(79)로 전달한다. 이때 광 센서(77,78)은 충전용 발광 다이오드(73)에 인접하게 설치되는 제1 광 센서(77)와, 방전용 발광 다이오드(75)에 인접하게 설치되는 제2 광 센서(78)를 포함한다.The
그리고 제어부(79)는 테스트 장치(200)의 전반적인 제어 동작을 수행하는 프로세서로서, 프로브 기판(60)에 접속된 슈퍼 커패시터(100)에 대한 충방전 테스트 수행을 제어한다. 즉 제어부(79)는 슈퍼 커패시터(100)에 프로브 기판(60)의 프로브 핀(63)이 접촉된 상태에서, 슈퍼 커패시터(100)에 전원을 충전할 때 프로브 기판(60)과 전원 공급부(71)를 연결한다. 제어부(79)는 슈퍼 커패시터(100)를 방전시킬 때 프로브 기판(60)과 방전용 발광 다이오드(75)를 연결하여 슈퍼 커패시터(100)에 대한 충방전 테스트를 수행한다. 그리고 제어부(79)는 광 센서(77,78)로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 충방전량을 산출하여 슈퍼 커패시터(100)에 대한 충방전 테스트를 수행한다.In addition, the
이러한 제어부(79)는 릴레이(72) 및 제어기(74)를 포함하며, 타이머(76)를 더 포함할 수 있다. 릴레이(72)는 프로브 기판(60)과 전원 공급부(71)의 연결과, 프로브 기판(60)과 방전용 발광 다이오드(75)의 연결을 스위칭 한다. 제어기(74)는 릴레이(72)의 연결 상태를 스위칭 하며, 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 테스트를 수행한다.The
이때 타이머(76)는 릴레이(72)의 연결 상태를 스위칭 하는 시간 정보를 제공한다. 그리고 제어기(74)는 타이머(76)의 시간 정보에 따라 릴레이(72)의 연결 상태를 스위칭 하며, 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 테스트를 수행한다.In this case, the
또한 제어기(74)는 광 센서(77,78)로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량과, 충전 시 전원공급부(71)에서 공급되는 전원 공급량 및 방전 시 슈퍼 커패시터(100)에서 출력되는 전원 출력량을 반영하여 슈퍼 커패시터(100)의 충방전량을 산출할 수 있다. 예컨대 충전량 산출시, 제1 광 센서(77)이 감지한 밝기의 센서로부터 산출한 충전량과 전원 공급량 중에 하나에 가중치를 두어 슈퍼 커패시터(100)의 충전량을 산출할 수 있다. 또한 방전량 산출시, 제2 광 센서(78)가 감지한 밝기의 세기로부터 산출한 방전량과 전원 출력량 중에 하나에 가중치를 두어 슈퍼 커패시터의 방전량을 산출할 수 있다. 한편 본 실시예에서는 가중치를 이용한 충방전량을 산출하는 예를 개시하였지만, 산술 평균하여 충방전량을 산출할 수도 있다.In addition, the
한편 충전용 발광 다이오드(73)는 릴레이(72)와 전원 공급부(71) 사이에 연결된다. 또한 방전용 발광 다이오드(75)는 릴레이(72)를 매개로 프로브 기판(60)과 연결된다.Meanwhile, the charging
이와 같이 본 실시예에 따른 테스트 장치(200)는 프로브 기판(60)과 트레이(50)를 이용하여 일괄적으로 복수의 슈퍼 커패시터(100)를 테스트할 수 있다.As described above, the
또한 본 실시예에 따른 테스트 장치(200)는 충전용 발광 다이오드(73)와 방전용 발광 다이오드(75)를 구비하기 때문에, 슈퍼 커패시터(100)에 대한 충방전 테스트 공정 시 발광 다이오드(73,75)의 점등 여부 즉, 온/오프 여부를 통하여 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 상태를 쉽게 확인할 수 있다.In addition, since the
또한 본 실시예에 따른 테스트 장치(200)는 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 테스트 공정에서 충방전량을 측정하여 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 특성을 테스트할 수 있다. 즉 테스트 장치(200)는 광 센서(77,78)로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량을 이용하여 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 특성을 테스트할 수 있다. 단순히 전원 공급량과 전원 출력량을 통하여 슈퍼 커패시터의 충방전 특성을 테스트하는 것에 비해서, 광 센서(77,78)로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량을 이용함으로써, 보다 정확히 슈퍼 커패시터(100)의 충방전 특성을 테스트할 수 있다.In addition, the
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention are possible in addition to the embodiments disclosed herein.
10 : 배선기판
18 : 외부 저속 패드
20 : 셀
40 : 리드
50 : 트레이
51 : 수납 공간
60 : 프로브 기판
63 : 프로브 핀
71 : 전원 공급부
72 : 릴레이
73 : 충전용 발광 다이오드
74 : 제어기
75 : 방전용 발광 다이오드
76 : 타이머
77 : 광센서
79 : 제어부
100 : 슈퍼 커패시터
200 : 테스트 장치10: wiring board
18: External low speed pad
20: cell
40: lead
50 tray
51: storage space
60: probe substrate
63: probe pin
71: power supply
72: relay
73: light emitting diode for charging
74: controller
75: discharge light emitting diode
76: timer
77 light sensor
79: control unit
100: Super Capacitor
200: test device
Claims (6)
상기 슈퍼 커패시터에 프로브 핀이 접촉된 상기 프로브 기판으로 전원을 공급하여 상기 슈퍼 커패시터에 전원을 충전시키는 전원 공급부;
상기 전원 공급부에서 상기 슈퍼 커패시터로 전원이 공급되는 충전 상태를 표시하는 충전용 발광 다이오드;
상기 슈퍼 커패시터에 프로브 핀이 접촉된 상기 프로브 기판을 통하여 상기 슈퍼 커패시터로부터 전원을 공급받아 상기 슈퍼 커패시터를 방전시키며 방전 상태를 표시하는 방전용 발광 다이오드;
상기 충전용 발광 다이오드 및 상기 방전용 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 밝기를 검출하는 광 센서;
상기 슈퍼 커패시터에 상기 프로브 기판의 프로브 핀이 접촉된 상태에서, 상기 슈퍼 커패시터에 전원을 충전할 때 상기 프로브 기판과 상기 전원 공급부를 연결하고, 상기 슈퍼 커패시터를 방전시킬 때 상기 프로브 기판과 상기 방전용 발광 다이오드를 연결하고, 상기 광 센서로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 충방전량을 산출하여 상기 슈퍼 커패시터에 대한 충방전 테스트를 수행하는 제어부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.A probe substrate on which probe pins are formed to contact external connection pads of a chip type super capacitor housed in a tray;
A power supply unit configured to charge power to the super capacitor by supplying power to the probe substrate having a probe pin contacted with the super capacitor;
A charging light emitting diode displaying a charging state in which power is supplied from the power supply unit to the super capacitor;
A discharge light emitting diode configured to discharge power of the super capacitor by receiving power from the super capacitor through the probe substrate having a probe pin in contact with the super capacitor, and to display a discharge state;
An optical sensor detecting brightness of light emitted from the rechargeable light emitting diode and the discharge light emitting diode;
When the probe pin of the probe substrate is in contact with the super capacitor, the probe substrate and the power supply unit are connected when power is supplied to the super capacitor, and when the super capacitor is discharged, the probe substrate and the discharge A controller which connects a light emitting diode and calculates a charge / discharge amount from the intensity of brightness received from the optical sensor to perform a charge / discharge test on the supercapacitor;
Test device for a chip-type super capacitor, characterized in that it comprises a.
상기 광 센서로부터 입력받은 밝기의 세기로부터 산출한 충방전량과, 충전 시 상기 전원공급부에서 공급되는 전원 공급량 및 방전 시 상기 슈퍼 커패시터에서 출력되는 전원 출력량을 반영하여 상기 슈퍼 커패시터의 충방전량을 산출하는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.The apparatus of claim 1,
Calculating the charge / discharge amount of the supercapacitor by reflecting the charge / discharge amount calculated from the intensity of the brightness received from the optical sensor, the power supply amount supplied from the power supply unit during charging, and the power output amount output from the supercapacitor during discharge. A chip type super capacitor test device.
상기 프로브 기판과 상기 전원 공급부의 연결과, 상기 프로브 기판과 상기 방전용 발광 다이오드의 연결을 스위칭 하는 릴레이;
상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 하는 제어기;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.The apparatus of claim 1,
A relay for switching the connection between the probe substrate and the power supply and the connection between the probe substrate and the light emitting diode for discharge;
A controller for switching the connection state of the relay;
Test device for a chip-type super capacitor, characterized in that it comprises a.
상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 하는 시간 정보를 제공하는 타이머;를 더 포함하며,
상기 제어기는 상기 타이머의 시간 정보에 따라 상기 릴레이의 연결 상태를 스위칭 하는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.The apparatus of claim 3,
And a timer for providing time information for switching the connection state of the relay.
And the controller switches the connection state of the relay according to the time information of the timer.
상기 제어부와 상기 전원 공급부 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.The method of claim 1, wherein the charging light emitting diode
The test device of the chip type super capacitor, characterized in that installed between the control unit and the power supply.
상기 슈퍼 커패시터에 정전류 전원을 공급하여 충전을 시작한 후, 일정 수준에 도달하면 상기 슈퍼 커패시터에 정전압 전원을 공급하여 상기 슈퍼 커패시터를 만충시키는 것을 특징으로 하는 칩 타입의 슈퍼 커패시터의 테스트 장치.The method of claim 1, wherein the power supply unit,
And after charging is started by supplying a constant current power to the supercapacitor, when the predetermined level is reached, supplying a constant voltage power to the supercapacitor to fill the supercapacitor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110144292A KR101214258B1 (en) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | Tester for chip type super capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110144292A KR101214258B1 (en) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | Tester for chip type super capacitor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101214258B1 true KR101214258B1 (en) | 2012-12-21 |
Family
ID=47908009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110144292A KR101214258B1 (en) | 2011-12-28 | 2011-12-28 | Tester for chip type super capacitor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101214258B1 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104062504A (en) * | 2014-06-13 | 2014-09-24 | 华为技术有限公司 | Super-capacitor detecting circuit |
CN105372567A (en) * | 2015-12-04 | 2016-03-02 | 江苏集盛星泰新能源科技有限公司 | Supercapacitor semi-finished product short circuit detection apparatus |
CN108169609A (en) * | 2017-12-25 | 2018-06-15 | 江苏集盛星泰新能源科技有限公司 | Ultracapacitor parallel charge-discharge tooling |
CN117289156A (en) * | 2023-11-23 | 2023-12-26 | 珠海格力电器股份有限公司 | Battery electric quantity prompting method and device of remote controller, controller and remote controller |
-
2011
- 2011-12-28 KR KR1020110144292A patent/KR101214258B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104062504A (en) * | 2014-06-13 | 2014-09-24 | 华为技术有限公司 | Super-capacitor detecting circuit |
CN104062504B (en) * | 2014-06-13 | 2017-02-22 | 华为技术有限公司 | Super-capacitor detecting circuit |
CN105372567A (en) * | 2015-12-04 | 2016-03-02 | 江苏集盛星泰新能源科技有限公司 | Supercapacitor semi-finished product short circuit detection apparatus |
CN108169609A (en) * | 2017-12-25 | 2018-06-15 | 江苏集盛星泰新能源科技有限公司 | Ultracapacitor parallel charge-discharge tooling |
CN108169609B (en) * | 2017-12-25 | 2024-04-05 | 宁波中车新能源科技有限公司 | Super capacitor parallel charging and discharging tool |
CN117289156A (en) * | 2023-11-23 | 2023-12-26 | 珠海格力电器股份有限公司 | Battery electric quantity prompting method and device of remote controller, controller and remote controller |
CN117289156B (en) * | 2023-11-23 | 2024-04-26 | 珠海格力电器股份有限公司 | Battery electric quantity prompting method and device of remote controller, controller and remote controller |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2359365C1 (en) | Accumulator battery which does not require sealing | |
US8358110B2 (en) | Integration of supercapacitors within a flexible printed circuit and associated methods | |
KR101681968B1 (en) | Apparatus for testing secondary battery | |
KR101214258B1 (en) | Tester for chip type super capacitor | |
US20220252231A1 (en) | Rechargeable battery with lighting | |
KR101297095B1 (en) | Tester for chip type super capacitor | |
KR101059891B1 (en) | High power electrical energy storage device having a unit cell and the unit cell | |
CN114556124A (en) | Vibration test fixture and vibration test device for cylindrical battery monomer | |
US20130176661A1 (en) | Apparatus and Associated Methods | |
KR101222873B1 (en) | Super capacitor of surface mount type | |
CN209401700U (en) | Secondary cell and battery pack including the secondary cell | |
KR101214259B1 (en) | Testing method of chip type super capacitor | |
KR101381649B1 (en) | Apparatus and method for testing chip type super capacitor | |
KR101337372B1 (en) | Probe board for chip type super capacitor | |
CN110176561B (en) | Terminal housing having improved secondary battery state estimating function and battery pack having the same | |
KR101337373B1 (en) | Super capacitor of surface mount type | |
JP4683722B2 (en) | Electric double layer capacitor module | |
KR101297093B1 (en) | Wiring substrate and super capacitor of surface mount type using the same | |
CN111313119A (en) | Battery module and method for assembling unit monitoring circuit carrier to battery module | |
CN211088442U (en) | Cylindrical battery formation and capacity grading device | |
JP7262637B1 (en) | bipolar battery | |
US11978872B2 (en) | Temperature measurement device, temperature measurement method, and battery system | |
KR101306601B1 (en) | Super capacitor of surface mount type | |
US20230318094A1 (en) | Battery Cell | |
KR20240027442A (en) | Sensing device and cell stack |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |