[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101282943B1 - 태양전지 모듈 - Google Patents

태양전지 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101282943B1
KR101282943B1 KR1020110098996A KR20110098996A KR101282943B1 KR 101282943 B1 KR101282943 B1 KR 101282943B1 KR 1020110098996 A KR1020110098996 A KR 1020110098996A KR 20110098996 A KR20110098996 A KR 20110098996A KR 101282943 B1 KR101282943 B1 KR 101282943B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive adhesive
adhesive film
electrode
solar cell
cell module
Prior art date
Application number
KR1020110098996A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130034867A (ko
Inventor
조진현
최정훈
지광선
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020110098996A priority Critical patent/KR101282943B1/ko
Priority to US13/617,455 priority patent/US20130081674A1/en
Priority to JP2012214728A priority patent/JP2013077821A/ja
Priority to EP15003052.6A priority patent/EP3001464B1/en
Priority to EP12006774.9A priority patent/EP2575183B1/en
Priority to CN201210375763.5A priority patent/CN103107210B/zh
Publication of KR20130034867A publication Critical patent/KR20130034867A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101282943B1 publication Critical patent/KR101282943B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 모듈에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈은 기판, 기판의 후면에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 전극, 및 제1 전극의 사이 공간에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 후면 접합형 태양전지들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 어느 한 태양전지의 제1 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제1 도전성 접착 필름들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 다른 한 태양전지의 제2 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제2 도전성 접착 필름들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 사이 공간에 위치하며, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되고, 제1 도전성 접착 필름들을 제2 도전성 접착 필름들에 전기적으로 연결하여 서로 인접한 2개의 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 태양전지들을 보호하는 전면 밀봉재 및 후면 밀봉재; 기판의 전면 쪽으로 전면 밀봉재의 상부에 배치되는 투명 부재; 및 기판의 후면 쪽으로 후면 밀봉재의 하부에 배치되는 후면 시트를 포함한다.

Description

태양전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 신재생 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목 받고 있으며, 근래에는 전자용 전극과 정공용 전극을 기판의 후면, 즉 빛이 입사되지 않는 면에 모두 형성함으로써 수광 면적을 증가시켜 태양전지의 효율을 향상시키는 후면 접합형 태양전지가 개발되고 있다.
이러한 후면 접합형 태양전지는 원하는 출력을 얻기 위해 여러 개가 직렬 또는 병렬로 연결된 후 패널(panel) 형태로 방수 처리된 형태의 태양전지 모듈로 사용된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 신뢰성 및 내구성이 향상된 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈은, 기판, 기판의 후면에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 전극, 및 제1 전극의 사이 공간에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 후면 접합형 태양전지들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 어느 한 태양전지의 제1 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제1 도전성 접착 필름들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 다른 한 태양전지의 제2 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제2 도전성 접착 필름들; 서로 인접한 2개의 태양전지들 사이 공간에 위치하며, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되고, 제1 도전성 접착 필름들을 제2 도전성 접착 필름들에 전기적으로 연결하여 서로 인접한 2개의 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터; 태양전지들을 보호하는 전면 밀봉재 및 후면 밀봉재; 기판의 전면 쪽으로 전면 밀봉재의 상부에 배치되는 투명 부재; 및 기판의 후면 쪽으로 후면 밀봉재의 하부에 배치되는 후면 시트를 포함한다.
이때, 각각의 후면 접합형 태양전지는 집전부, 예컨대 버스바(bus-bar)가 없는 논(non)-버스바 구조일 수 있다.
논-버스바 구조의 후면 접합형 태양전지에서, 제1 전극부는 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제1 전극들만을 포함하고, 제2 전극부는 제1 전극들과 번갈아 가며 교대로 배열되도록 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 전극들만을 포함한다.
따라서, 서로 인접한 제1 전극들은 제1 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않으며, 서로 인접한 제2 전극들은 제2 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않는다.
이러한 구조는 논-버스바 구조에서만 나타나는 것으로, 논-버스바 구조의 후면 접합형 태양전지는 버스바 형성에 따른 재료비 및 공정수를 줄일 수 있다.논-버스바 구조를 갖는 후면 접합형 태양전지는 이종 접합 구조로 형성될 수 있다.
이종 접합 구조로 형성된 후면 접합형 태양전지의 상기 기판은 결정질의 반도체 기판으로 이루어지며, 기판의 후면에는 제1 비정질 실리콘층으로 형성된 에미터부 및 제2 비정질 실리콘층으로 형성된 후면 전계부가 위치할 수 있다.
그리고 복수의 제1 전극들은 에미터부와 접촉하고, 복수의 제2 전극들은 후면 전계부에 전기적으로 접촉한다.
제1 전극 및 제2 전극은 일정한 선폭으로 각각 형성될 수 있으며, 이때, 제1 도전성 접착 필름의 선폭은 제1 전극의 선폭 이하이고, 제2 도전성 접착 필름의 선폭은 제2 전극의 선폭 이하일 수 있다.
이와는 달리, 제1 전극의 한쪽 단부와 제2 전극의 한쪽 단부에는 확대된 선폭의 접촉부가 각각 구비될 수 있으며, 이때, 제1 도전성 접착 필름의 선폭은 제1 전극의 접촉부의 선폭 이하이며, 제2 도전성 접착 필름의 선폭은 제2 전극의 접촉부의 선폭 이하일 수 있다.
제1 도전성 접착 필름은 제2 전극과 접촉하지 않으며, 제2 도전성 접착 필름은 제1 전극과 접촉하지 않는다.
인터커넥터는 슬릿 또는 홀을 구비할 수 있으며, 후면 시트에 형성된 도전성 패턴으로 형성될 수 있다.
인터커넥터는 제1 도전성 접착 필름들 및 제2 도전성 접착 필름들과 직접 접촉하거나, 제1 도전성 접착 필름들 및 상기 제2 도전성 접착 필름들과 일체로 형성되며 제2 방향으로 연장된 제3 도전성 접착 필름과 직접 접촉할 수 있다.
인터커넥터가 제1 도전성 접착 필름들 및 제2 도전성 접착 필름들과 직접 접촉하는 경우, 서로 인접한 2개의 기판 사이 공간에는 스페이서가 위치할 수 있으며, 스페이서는 흑색 또는 백색 표면을 가질 수 있다. 그리고 스페이서와 인터커넥터 사이에는 전면 밀봉재 또는 후면 밀봉재 중 적어도 하나가 채워질 수 있다.
하지만, 인터커넥터가 제3 도전성 접착 필름과 접촉하는 경우에는 제3 도전성 접착 필름의 선폭이 상기 인터커넥터의 선폭 이하 또는 인터커넥터의 선폭보다 크게 형성될 수 있고, 제3 도전성 접착 필름의 길이는 인터커넥터의 길이 이상일 수 있다.
그리고 제3 도전성 접착 필름은 흑색 또는 백색 표면을 가질 수 있고, 제3 도전성 접착 필름의 두께는 제1 도전성 접착 필름 및 제2 도전성 접착 필름의 두께와 동일하거나, 제1 도전성 접착 필름 및 제2 도전성 접착 필름의 두께보다 클 수 있다.
제3 도전성 접착 필름의 두께가 제1 도전성 접착 필름 및 제2 도전성 접착 필름의 두께보다 클 경우, 제3 도전성 접착 필름의 두께는 제1 전극 및 제1 도전성 접착 필름의 두께를 합한 두께 또는 제2 전극 및/또는 제2 도전성 접착 필름의 두께를 합한 두께와 동일할 수 있다.
또한, 인터커넥터가 제3 도전성 접착 필름과 접촉하는 경우에는 서로 인접한 2개의 기판 사이 공간에 스페이서가 위치할 수 있으며, 스페이서는 흑색 또는 백색 표면을 가질 수 있고, 스페이서와 인터커넥터 사이에는 전면 밀봉재 또는 후면 밀봉재 중 적어도 하나가 채워질 수 있다.
이러한 특징에 의하면, 제1 전극들을 물리적으로 연결하는 제1 전극용 집전부와 제2 전극들을 물리적으로 연결하는 제2 전극용 집전부가 제거되므로, 집전부 형성에 필요한 재료를 절감할 수 있다. 따라서, 태양전지 모듈의 원가를 절감할 수 있다.
그리고 제1 전극들 및 제2 전극들이 도전성 접착 필름에 의해 인터커넥터와 전기적으로 연결되므로, 태빙 작업을 저온(140℃ 내지 180℃)에서 실시할 수 있다.
그리고 얇은 두께의 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판의 두께가 200㎛일 때, 핫 에어(hot air)를 이용하여 플럭스를 용융시키는 종래의 태빙 방식에 따르면 기판 휨량이 대략 2.1㎜ 이상으로 측정되지만, 도전성 접착 필름을 이용한 태빙 방식에 따르면 기판 휨량이 대략 0.5㎜ 정도로 측정된다.
여기에서, 상기 휨량은 기판의 하부면에 있어서, 기판의 중심부와 기판의 주변부에서의 높이 차이로 나타낼 수 있다.
이러한 기판 휨 현상은 기판의 두께가 얇아질수록 더욱 크게 발생한다. 예를 들어, 기판의 두께가 80㎛인 경우, 핫 에어(hot air)를 이용하여 플럭스를 용융시키는 종래의 태빙 방식에 따르면 기판 휨량이 대략 14㎜ 이상으로 측정되지만, 도전성 접착 필름을 이용한 태빙 방식에 따르면 기판 휨량이 대략 1.8㎜ 정도로 측정된다.
기판 휨량이 일정 범위, 예컨대 2.5㎜를 넘어서면 이후에 실시하는 라미네이션 공정에서 모듈 내부에 기판 크랙이 발생하거나 기포가 발생되는 등의 문제점이 있으므로, 종래의 태빙 방식을 이용하는 경우에는 기판의 두께를 얇게 형성하는 것이 불가능하다.
하지만, 도전성 접착 필름을 이용한 태빙 방식은 기판 휨량을 종래에 비해 현저히 감소시킬 수 있으므로, 얇은 두께의 기판을 사용하는 것이 가능하다.
예를 들면, 도전성 접착 필름을 이용한 태빙 방식을 사용하면, 80㎛ 내지 180㎛의 두께를 갖는 기판을 사용할 수 있다. 따라서, 기판의 두께 감소로 인해 재료비를 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 플럭스를 이용한 종래의 태빙 방식은 집전부와 인터커넥터의 계면에서 크랙(crack)을 발생시키거나 인터커넥터의 솔더 내부에서 여러 물질 간의 박리 현상을 발생시키는 등의 문제로 인해 태양전지 모듈의 출력이 저하하는 문제점이 있지만, 도전성 접착 필름을 이용한 태빙 방식은 상기한 문제점을 해결할 수 있다. 따라서, 태양전지 모듈의 신뢰성을 장기간 유지할 수 있다.
그리고 인터커넥터에 가해지는 열적 스트레스를 도전성 접착 필름이 흡수하므로, 상기 열적 스트레스로 인해 인터커넥터와 집전부의 전기적 연결이 손상되는 것을 방지할 수 있어 신뢰성 및 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.
그리고 후면 시트에 도전성 패턴을 형성하여 상기 도전성 패턴을 인터커넥터로 사용하는 경우에는 인터커넥터를 도전성 접착 필름에 태빙하기 위한 별도의 태빙 작업이 불필요하고, 라미네이션 공정에서 도전성 패턴을 도전성 접착 필름에 태빙함으로써, 모듈화 공정의 공정수를 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 "Ⅱ-Ⅱ" 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈에 사용되는 후면 접합형태양전지의 구성을 나타내는 주요부 사시도이다.
도 4는 도 2의 변형 실시예에 따른 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈의 "Ⅶ-Ⅶ" 단면도이다.
도 8은 도 7의 제1 변형 실시예에 따른 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 9는 도 7의 제2 변형 실시예에 따른 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 10은 도 7의 제3 변형 실시예에 따른 태양전지 모듈의 부분 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 후면 접합형 태양전지 모듈에 대하여 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참고로 하여 본 발명의 제1 실시예를 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 평면도로서, 후면 시트가 제거된 상태를 나타내는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 모듈의 "Ⅱ-Ⅱ" 단면도이며, 도 3은 본 발명의 후면 접합형 태양전지 모듈에 사용되는 태양전지의 구성을 나타내는 주요부 사시도이다.
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 태양전지 모듈은 복수의 후면 접합형 태양전지(110)들, 태양전지(110)들의 후면에 배치되며 인접한 태양전지(110)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(120), 태양전지(110)들을 보호하는 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140), 태양전지(110)들의 수광면 쪽으로 전면 밀봉재(130) 위에 배치되는 투명 부재(150) 및 수광면의 반대 쪽으로 후면 밀봉재의 하부에 배치되는 후면 시트(160)를 포함한다.
도 1 및 도 2는 2개의 태양전지(110)들만 도시하고 있지만, 태양전지(110)들의 개수는 제한되지 않는다.
태양전지 모듈에 사용되는 후면 접합형 태양전지(110)는 도 2에 도시한 바와 같이, 결정질의 반도체 기판(111), 빛이 입사되는 결정질 반도체 기판(111)의 면인 입사면[이하, '전면(front surface)'이라 함] 위에 위치하는 전면 보호막(116a), 전면 보호막(116a) 위에 위치하는 전면 전계부(front surface field, FSF)(117), 전면 전계부(117) 위에 위치하는 반사 방지막(118), 빛이 입사되지 않고 입사면의 반대쪽 면인 결정질 반도체 기판(111)의 면[이하, '후면(rear surface)'라 함] 위에 위치하는 후면 보호막(116b), 후면 보호막(116b) 위에 위치하는 복수의 제1 비정질 실리콘층(119a), 후면 보호막(116b) 위에 위치하고 복수의 제1 비정질 실리콘층(119a)과 이격되어 있는 복수의 제2 비정질 실리콘(119b), 제1 비정질 실리콘층(119a) 위에 위치하는 복수의 제1 전극(112), 그리고 제2 비정질 실리콘층(119b) 위에 위치하는 복수의 제2 전극(113)을 포함한다.
도 3에서는 제1 후면 접합형 태양 전지(110)가 전면 전계부(117), 제2 비정질 실리콘층(119b) 및 후면 보호막(116b)을 포함하는 것을 일례로 도시하고 있지만, 전면 전계부(117), 제2 비정질 실리콘층(119b) 및 후면 보호막(116b)은 생략될 수 있다.
제1 비정질 실리콘층(119a)은 에미터부로 작용하며, 제2 비정질 실리콘층(119b)은 후면 전계부(BSF, Back Surface Field)로 작용한다. 따라서, 이하에서는 제1 비정질 실리콘층(119a)을 에미터부로 표현하고, 제2 비정질 실리콘층(119b)을 후면 전계부로 표현한다.
결정질 반도체 기판(111)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 결정질 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘 등과 같은 결정질 실리콘이다.
결정질 반도체 기판(111)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 결정질 반도체 기판(111)에는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 도핑된다.
이와는 달리, 결정질 반도체 기판(111)은 p형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 결정질 반도체 기판(111)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 결정질 반도체 기판(111)에는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물이 도핑된다.
결정질 반도체 기판(111)의 입사면은 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다.
도 3에서는 결정질 반도체 기판(111), 전면 보호막(116a), 전면 전계부(117) 및 반사 방지막(118)의 가장자리 부분만 텍스처링 표면으로 도시하였지만, 실질적으로는 결정질 반도체 기판(111), 전면 보호막(116a), 전면 전계부(117) 및 반사 방지막(118)의 전면(front surface) 전체가 텍스처링 표면을 갖는다.
결정질 반도체 기판(111)의 전면(front surface) 위에 위치한 전면 보호막(116a)은 진성 비정질 실리콘[intrinsic amorphous silicon(a-Si)]막, 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
이러한 전면 보호막(116a)은 결정질 반도체 기판(111)의 표면 및 그 근처에 주로 존재하는 댕글링 결합(dangling bond)과 같은 결함(defect)을 안정한 결합으로 바꾸어 결정질 반도체 기판(111)의 표면 쪽으로 이동한 전하가 상기 결함에 의해 소멸되는 것을 감소시키는 패시베이션 기능(passivation function)을 수행한다. 따라서, 결정질 반도체 기판(111)의 표면이나 그 근처에서 손실되는 전하의 양이 감소된다.
전면 보호막(116a)의 두께가 약 1nm 이상이면 결정질 반도체 기판(111)의 전면에 전면 보호막(116a)이 균일하게 도포되므로 패시베이션 기능을 양호하게 수행할 수 있으며, 전면 보호막(116a)의 두께가 약 30nm 이하이면 전면 보호막(116a) 내에서 흡수되는 빛의 양이 감소하여 결정질 반도체 기판(111) 내로 입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다. 따라서, 전면 보호막(116a)은 약 1㎚ 내지 30㎚의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
전면 보호막(116a) 위에 위치하는 전면 전계부(117)는 결정질 반도체 기판(111)과 동일한 도전성 타입(예, n형)의 불순물이 결정질 반도체 기판(111)보다 고농도로 함유된 불순물부로서, 전면 전계부(117)의 불순물 도핑 농도는 약 1010 내지 1021 atoms/㎤일 수 있다.
전면 전계부(117)는 비정질 실리콘, 비정질 실리콘 산화물(a-SiOx), 또는 비정질 실리콘 규소(a-SiC) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
이와 같이, 전면 전계부(117)를 형성하면, 결정질 반도체 기판(111)과 전면 전계부(117)와의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되므로, 결정질 반도체 기판(111) 전면 쪽으로의 전하(예, 정공) 이동을 방지하는 전계 효과를 얻을 수 있다.
일반적으로 비정질 실리콘 산화물(a-SiOx)과 비정질 실리콘 규소(a-SiC)의 에너지 밴드 갭(energy band gap)은 각각 약 2.1과 약 2.8이므로, 비정질 실리콘 산화물과 비정질 실리콘 규소의 에너지 밴드 갭은 약 1.7 내지 1.9의 에너지 밴드 갭을 갖는 비정질 실리콘보다 넓다.
따라서, 전면 전계부(117)가 비정질 실리콘 산화물(a-SiOx)이나 비정질 실리콘 규소(a-SiC)로 이루어질 경우, 전면 전계부(117) 자체에서 흡수되는 빛의 양이 감소하여 결정질 반도체 기판(111) 쪽으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다.
전면 전계부(117) 위에 위치한 반사 방지막(118)은 후면 접합형 태양 전지(110)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 후면 접합형 태양 전지(110)의 효율을 높인다.
이러한 반사 방지막(118)은 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiOx) 등으로 이루어질 수 있으며, 단일막 구조 또는 다층막 구조를 가질 수 있고, 필요에 따라 생략될 수 있다.
결정질 반도체 기판(111)의 후면에 바로 위치한 후면 보호막(116b)은 전면 보호막(116a)과 동일하게 패시베이션 기능을 수행하여, 결정질 반도체 기판(111)의 후면 쪽으로 이동한 전하가 결함에 의해 소멸되는 것을 감소시킨다.
이러한 후면 보호막(116b)은 전면 보호막(116a)과 동일하게 비정질 실리콘 등으로 형성될 수 있다.
후면 보호막(116b)은 결정질 반도체 기판(111)의 후면 쪽으로 이동한 전하가 후면 보호막(116b)을 통과하여 복수의 후면 전계부(119b) 또는 복수의 에미터부(119a)로 이동할 수 있는 두께를 갖는다.
후면 보호막(116b)의 두께가 약 1nm 이상이면 결정질 반도체 기판(111)의 후면에 후면 보호막(116b)이 균일하게 도포되므로 패시베이션 효과를 좀더 얻을 수 있고, 후면 보호막(116b)의 두께가 약 10nm 이하이면 결정질 반도체 기판(111)을 통과한 빛이 후면 보호막(116b) 내에서 흡수되는 빛의 양이 감소하여 결정질 반도체 기판(111) 내부로 재입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다.
따라서, 후면 보호막(116b)은 약 1 내지 10㎚의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
복수의 후면 전계부(119b)는 결정질 반도체 기판(111)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 결정질 반도체 기판(111)보다 고농도로 도핑된 영역이다. 예를 들어, 복수의 후면 전계부(119b)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.
복수의 후면 전계부(119b)는 후면 보호막(116b) 위에서 서로 이격되어 나란하게 정해진 방향으로 뻗어 있다. 본 실시예에서, 복수의 후면 전계부(119b)는 비정질 실리콘(a-Si)과 같은 비결정질 반도체로 이루어질 수 있다.
이러한 후면 전계부(119b)는 전면 전계부(117)와 유사하게 결정질 반도체 기판(111)과 후면 전계부(119b)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 후면 전계부(119b) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 후면 전계부(119b) 쪽으로의 전자 이동을 용이하게 한다.
따라서, 후면 전계부(119b) 및 그 부근 또는 제1 전극(112) 및 제2 전극(113)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고, 전자 이동을 가속화시켜 후면 전계부(119b)로의 전자 이동량을 증가시킨다.
여기에서, 결정질 반도체 기판(111)의 후면에는 제1 전극(112)들의 한쪽 단부를 연결하는 제1 전극용 집전부와 제2 전극(113)들의 한쪽 단부를 연결하는 제2 전극용 집전부가 형성되지 않는다.
즉, 본 발명의 태양전지 모듈에 사용되는 후면 접합형 태양전지는 집전부, 예컨대 버스바(bus-bar)가 없는 논(non)-버스바 구조로 형성된다.
따라서, 논-버스바 구조의 후면 접합형 태양전지에 있어서, 서로 인접한 제1 전극들은 제1 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않으며, 서로 인접한 제2 전극들은 제2 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않는다.
이러한 구조는 논-버스바 구조에서만 나타나는 것으로, 논-버스바 구조의 후면 접합형 태양전지는 버스바 형성에 따른 재료비 및 공정수를 줄일 수 있다.
각각의 후면 전계부(119b)는 약 10㎚ 내지 25㎚의 두께를 가질 수 있다. 후면 전계부(119b)의 두께가 약 10nm 이상이면 정공의 이동을 방해하는 전위 장벽을 좀더 양호하게 형성할 수 있어 전하 손실을 더 감소시킬 수 있고, 약 25nm 이하이면 후면 전계부(119b) 내에서 흡수되는 빛의 양을 감소시켜 결정질 반도체 기판(111) 내로 재입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다.
복수의 에미터부(119a)는 결정질 반도체 기판(111)의 후면 위에서 복수의 후면 전계부(119b)와 이격되어 있고, 복수의 후면 전계부(119b)와 나란하게 뻗어 있다.
따라서, 도 3에 도시한 것처럼, 후면 전계부(119b)와 에미터부(119a)는 결정질 반도체 기판(111) 위에서 번갈아 위치한다.
각 에미터부(119a)는 결정질 반도체 기판(111)의 후면에 형성되며, 결정질 반도체 기판(111)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, p형의 도전성 타입을 갖고 있고, 결정질 반도체 기판(111)과 다른 반도체, 예를 들어, 비정질 실리콘을 포함한다.
따라서, 에미터부(119a)는 결정질 반도체 기판(111)과 p-n 접합뿐만 아니라 이종 접합(hetero junction)을 형성한다.
이러한 구성에 따르면, 결정질 반도체 기판(111)과 복수의 에미터부(119a) 간에 형성된 p-n 접합으로 인한 내부 전위차(built-in potential difference)에 의해 결정질 반도체 기판(111)에 입사된 빛에 의해 생성된 전하인 전자-정공 쌍은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동한다.
따라서, 결정질 반도체 기판(111)이 n형이고 복수의 에미터부(119a)가 p형일 경우, 분리된 정공은 후면 보호막(116b)을 관통하여 각 에미터부(119a) 쪽으로 이동하며, 분리된 전자는 후면 보호막(116b)을 관통하여 결정질 반도체 기판(111)보다 불순물 농도가 높은 복수의 후면 전계부(119b) 쪽으로 이동한다.
각 에미터부(119a)는 약 5㎚ 내지 15㎚의 두께를 가질 수 있다. 에미터부(119a)의 두께가 약 5nm 이상이면 p-n 접합을 좀더 양호하게 형성할 수 있고, 약 15nm 이하이면 에미터부(119a) 내에서 흡수되는 빛의 양이 감소하여 결정질 반도체 기판(111) 내로 재입사되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다.
한편, 불순물이 존재하지 않거나 거의 없는 진성 반도체 물질(진성 a-Si)로 형성된 후면 보호막(116b)이 복수의 에미터부(119a)와 복수의 후면 전계부(119b) 하부에 위치하므로, 결정질 반도체 기판(111) 위에 바로 복수의 에미터부(119a)와 복수의 후면 전계부(119b)가 위치하는 경우에 비해 에미터부(119a)와 후면 전계부(119b)를 형성할 때 결정화 현상이 줄어든다.
따라서, 비정질 실리콘 위에 위치하는 복수의 에미터부(119a)와 복수의 후면 전계부(119b)의 특성이 향상된다.
에미터부(119a)와 접촉하는 제1 전극(112)은 에미터부(119a)를 따라서 제1 방향(X-X')으로 연장되어 있고, 에미터부(119a)와 전기적으로 연결되어 있으며, 해당 에미터부(119a) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집한다.
그리고 후면 전계부(119b)와 접촉하는 제2 전극(113)은 후면 전계부(119b)를 따라서 제1 방향(X-X')으로 연장되어 있고, 복수의 후면 전계부(119b)와 전기적으로 연결되어 있으며, 해당 후면 전계부(119b) 쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어, 전자를 수집한다.
따라서, 제1 전극(112) 및 제2 전극(113)은 일정한 간격을 두고 제1 방향(X-X')을 따라 서로 평행하게 뻗어 있다.
복수의 제1 전극(112) 및 제2 전극(113)은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어질 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.
후면 시트(160)는 태양전지 모듈의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(110)들을 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 시트(160)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 태양전지(110)들의 상부 및 하부에 각각 배치된 상태에서 서로 접합되어 태양전지(110)들과 일체화 되는 것으로, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 습기 침투로 인한 태양전지(110)들의 부식을 방지하고 태양전지(110)들을 충격으로부터 보호한다.
본 발명의 실시예에서, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 액상의 화합물을 열처리를 통해 경화한 물질, 예컨대 PDMS(poly dialkyl siloxane)를 포함하는 경화된 실록산(siloxane)으로 이루어질 수 있다.
액상의 화합물, 즉 액상의 실록산이 태양전지(110)들 위에 도포되면 도포된 실록산 전구체 중 일부는 유동성으로 인해 태양전지(110)들의 사이 공간에 채워지게 되며, 이 상태에서 열처리를 통해 경화된다.
이와는 달리, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 필름 형태로 제조된 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.
이와는 달리, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 전면 밀봉재(130)는 필름 형태의 에틸렌 비닐 아세테이트로 이루어지는 반면에, 후면 밀봉재(140)는 경화된 실록산(siloxane)으로 이루어질 수 있다.
전면 밀봉재(130) 위에 위치하는 투명 부재(150)는 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 투명 부재(150)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.
그리고 인터커넥터(120)는 전도성 금속으로 이루어지며, 인접한 태양전지(110)들을 전기적으로 연결한다. 이때, 인터커넥터(120)는 1,000ppm 이하의 납 성분을 함유하는 무연 재질의 전도성 금속으로 이루어지거나, 전도성 금속의 표면에 피복된 유연(有鉛) 재질의 솔더(solder)를 더 포함할 수 있다.
인접한 태양전지(110)들을 전기적으로 연결하기 위해, 인터커넥터(120)는 도전성 접착 필름과 접촉한다.
본 실시예에서, 도전성 접착 필름은 제1 전극(112)들의 한쪽 단부에 각각 접촉하는 복수의 제1 도전성 접착 필름(CF1)과, 제2 전극(113)들의 한쪽 단부에 각각 접촉하는 복수의 제2 도전성 접착 필름(CF2)으로 형성된다.
따라서, 한 개의 후면 접합형 태양전지에 있어서, 제1 도전성 접착 필름(CF1)은 제1 전극과 동일한 개수만큼 구비되고, 제2 도전성 접착 필름(CF2)은 제2 전극(113)과 동일한 개수만큼 구비된다.
이와는 달리, 한 개의 도전성 접착 필름이 적어도 2개 이상의 전극들을 연결할 수 있다. 즉, 제1 전극(112)들의 개수가 20개일 경우, 제1 전극(112)들의 한쪽 단부에 접촉하는 제1 도전성 접착 필름(CF1)은 10개가 구비될 수 있으며, 이때, 2개의 제1 전극(112)들의 한쪽 단부들이 1개의 제1 도전성 접착 필름(CF1)에 함께 접촉할 수 다.
이하에서는 인터커넥터와 집전부 간의 접합 구조에 대해 상세히 설명한다.
제1 전극(112)의 한쪽 단부 위에는 제1 도전성 접착 필름(CF1)이 위치하고, 제2 전극(113)의 한쪽 단부 위에는 제2 도전성 접착 필름(CF2)이 위치한다.
제1 도전성 접착 필름(CF1)과 제2 도전성 접착 필름(CF2)은 서로 동일하게 구성되므로, 이하에서는 제1 도전성 접착 필름(CF1)의 구성에 대해서만 설명한다.
제1 도전성 접착 필름(CF1)은 수지(CF1-1) 및 수지(CF1-1)에 분산된 복수의 도전성 입자(CF1-2)를 포함한다.
수지(CF1-1)는 접착성을 갖는 재질이면 특별히 한정되지 않는다. 단 접착 신뢰성을 높이기 위해서는 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
열경화성 수지로는 에폭시(epoxy) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 아크릴(acryl) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 수지를 사용할 수 있다.
수지(CF1-1)는 열경화성 수지 이외의 임의 성분으로서, 공지의 경화제 및 경화 촉진제를 함유할 수 있다.
예를 들면, 수지(CF1-1)는 제1 전극(112)과 인터커넥터(120)의 접착성을 향상시키기 위해 실란(silane)계 커플링(coupling)제, 티타네이트(titanate)계 커플링제, 알루미네이트(aluminate)계 커플링제 등의 개질 재료를 함유할 수 있다.
또한, 수지(CF1-1)는 도전성 입자(CF1-2)의 분산성을 향상시키기 위해 인산 칼슘이나 탄산칼슘 등의 분산제를 함유할 수 있으며, 탄성률을 제어하기 위해 아크릴 고무, 실리콘 고무, 우레탄 등의 고무 성분을 함유할 수 있다.
도전성 입자(CF1-2)는 도전성을 갖는 것이라면 그 재료는 특별히 한정되지 않는다.
도전성 입자(CF1-2)는 다양한 크기의 방사형 금속 입자들로 구성될 수 있다. 여기에서, '방사형 금속 입자'는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 납(Pb), 아연(Zn), 코발트(Co), 티타늄(Ti) 및 마그네슘(Mg)으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 주성분으로 하는 대략 구체(球體) 형상을 갖는 금속 입자의 표면에 복수의 돌기가 불규칙적으로 형성된 금속 입자를 말한다.
인터커넥터(120)와 제1 전극(112) 간의 전류 흐름이 원활하게 이루어지도록 하기 위해, 제1 도전성 접착 필름(CF1)은 수지(CF1-1)의 두께보다 큰 크기의 방사형 금속 입자를 적어도 하나 이상 포함할 수 있다.
이러한 구성에 따르면, 수지(CF1-1)의 두께보다 큰 크기로 형성된 방사형 금속 입자의 일부분이 제1 전극(112) 및/또는 인터커넥터(120)에 매립된다.
따라서, 방사형 금속 입자와 제1 전극(112) 및/또는 방사형 금속 입자와 인터커넥터(120) 간의 접촉 면적이 증가하여 접촉 저항을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 상기 접촉 저항이 감소하면, 제1 전극(112)과 인터커넥터(120) 사이의 전류 흐름이 원활해진다.
위에서는 도전성 입자(CF1-2)가 방사형 금속 입자로 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 도전성 입자(CF1-2)는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 납(Pb), 아연(Zn), 코발트(Co), 티타늄(Ti) 및 마그네슘(Mg)으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 주성분으로 포함하는 금속 피복 수지 입자로 이루어질 수도 있다.
도전성 입자(CF1-2)가 금속 피복 수지 입자로 이루어지는 경우, 도전성 입자(CF1-2)는 원형 또는 타원형의 형상으로 형성될 수 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 도전성 입자(CF1-2)들은 인접한 것들과 서로 물리적으로 접촉할 수도 있다.
수지(CF1-1)가 경화한 뒤의 접속 신뢰성 측면에서, 수지(CF1-1) 내에 분산되는 도전성 입자(CF1-2)의 배합량은 제1 도전성 접착 필름(CF1)의 전체 체적에 대하여 0.5 체적% 내지 20 체적%로 하는 것이 바람직하다.
도전성 입자(CF1-2)의 배합량이 0.5 체적% 미만이면 제1 전극(112) 및 인터커넥터(120)와의 물리적인 접점이 감소하므로 전류 흐름이 원활하게 이루어지지 않을 수 있으며, 상기 배합량이 20 체적%를 초과하면 수지(CF1-1)의 상대적 양이 감소하여 접착 강도가 저하될 수 있다.
제1 도전성 접착 필름(CF1)은 제1 전극(112)과 평행한 방향으로 상기 제1 전극(112)의 한쪽 단부 위에 접착된다.
이때, 태빙(tabbing) 작업은 제1 전극(112)의 한쪽 단부에 제1 도전성 접착 필름(CF1)을 예비 접합(pre-bonding)하는 단계와, 인터커넥터(120)와 제1 도전성 접착 필름(CF1)을 최종 접합(final-bonding)하는 단계에 따라 이루어진다.
제1 도전성 접착 필름(CF1)을 이용하여 태빙(tabbing) 작업을 실시할 때, 전기적 접속 확보 및 접착력 유지가 가능한 범위라면 가열 온도 및 가압 압력의 조건은 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 예비 접합 단계에서의 가열 온도는 대략 100℃ 이하로 설정할 수 있고, 최종 접합 단계에서의 가열 온도는 수지(CF1-1)가 경화되는 온도 범위, 예컨대 140℃ 내지 180℃의 범위로 설정할 수 있다.
그리고, 예비 접합 단계에서의 가압 압력은 대략 1MPa로 설정할 수 있고, 최종 접합 단계에서의 가압 압력은 제1 전극(112) 및 인터커넥터(120)가 제1 도전성 접착 필름(CF1)에 충분히 밀착되는 범위, 예컨대 대략 2MPa 내지 3MPa로 설정할 수 있다.
이때, 가압 압력은 도전성 입자(CF1-2)의 적어도 일부가 제1 전극(112) 및/또는 인터커넥터(120)의 내부로 몰입될 수 있도록 한다.
또한 예비 접합 단계에서의 가열 및 가압 시간은 대략 5초 내외로 설정할 수 있으며, 최종 접합 단계에서의 가열 및 가압 시간은 제1 전극(112) 및 인터커넥터(120) 등이 열로 인한 손상 또는 변질되지 않는 범위, 예컨대 대략 10초 정도로 설정할 수 있다.
한편, 제1 도전성 접착 필름(CF1)의 선폭, 즉 제2 방향(Y-Y')으로 측정된 폭은 제1 전극(112)의 선폭 이하로 형성되고, 제2 도전성 접착 필름(CF2)의 선폭은 제2 전극(113)의 선폭 이하로 형성될 수 있다.
그리고 제1 도전성 접착 필름(CF1)의 한쪽 단부는 제2 전극(113)의 단부와 인터커넥터(120) 사이의 공간에 위치하며, 제1 도전성 접착 필름(CF1)의 다른 쪽 단부는 기판(111)의 모서리와 일치한다.
하지만, 제1 도전성 접착 필름(CF1)은 상기 다른 쪽 단부가 기판(111)의 모서리보다 내측에 위치할 수도 있다.
이러한 구성에 따르면, 제1 도전성 접착 필름(CF1)은 제2 전극(113)과 접촉하지 않으며, 제2 도전성 접착 필름(CF2)은 제1 전극(112)과 접촉하지 않는다.
그리고 인터커넥터(120)의 선폭은 서로 인접한 제1 도전성 접착 필름(CF1)과 제2 도전성 접착 필름(CF2) 사이의 간격보다 크게 형성되며, 인터커넥터(120)와 제1 도전성 접착 필름(CF1)이 중첩하는 영역 및 인터커넥터(120)와 제2 도전성 접착 필름(CF2)이 중첩하는 영역을 고려하여 적절한 범위 내에서 형성된다.
도시하지는 않았지만, 인터커넥터(120)에는 열에 의한 수축 및 팽창에 기인하는 스트레인(strain)을 감소시키기 위한 목적으로 슬릿(slit) 또는 홀(hole)을 형성할 수 있다.
그리고 후면 밀봉재(140)를 경화된 실록산으로 형성하는 경우에는 서로 인접한 2개의 태양전지들 사이에 후면 밀봉재(140)가 채워질 수 있다.
하지만, 이와는 달리, 전면 밀봉재(130) 및 후면 밀봉재(140)를 에틸렌 비닐 아세테이트 또는 경화된 실록산으로 형성하는 경우에는 상기 공간에 전면 밀봉재(130)가 채워질 수도 있으며, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)의 재료에 따라 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)가 함께 채워질 수도 있다.
이러한 구성의 태양전지 모듈은 투명 부재(150) 위에 전면 밀봉재(130)를 형성하고, 전면 밀봉재(130) 위에 복수의 후면 접합형 태양전지(110)들을 일정한 간격으로 배치한 후, 제1 전극(112)의 한쪽 단부와 제2 전극(113)의 한쪽 단부 위에 각각 제1 도전성 접착 필름(CF1)과 제2 도전성 접착 필름(CF2)을 배치하고, 인터커넥터(120)를 제1 도전성 접착 필름(CF1)과 제2 도전성 접착 필름(CF2)에 태빙하며, 그 위에 후면 밀봉재(140)를 형성하고, 후면 밀봉재(140) 위에 후면 시트(160)를 배치한 후 라미네이션 공정을 실시하는 것에 따라 제조할 수 있다.
이때, 전면 밀봉재(130)와 후면 밀봉재(140)는 액상의 실록산 전구체, 예컨대 디메칠실릴옥시아크릴레이트 (dimethylsilyloxyacrylate)를 도포 및 경화하여 형성할 수 있다.
이와 같이 액상의 실록산 전구체를 도포하면, 도포된 액상의 실록산 전구체의 일부분이 인접한 태양전지(110)들의 사이 공간에 채워지게 된다.
이하, 도 4를 참조하여 도 2의 변형 실시예를 설명한다. 이하의 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4의 태양전지 모듈은 서로 인접한 2개의 기판(111)들 사이에 스페이서(170)가 위치하는 것을 제외하면, 나머지 구성은 도 2의 실시예와 실질적으로 동일하다.
스페이서(170)는 도 4에 도시한 바와 같이 서로 인접한 기판(111)의 사이 공간에 위치할 수 있다.
이때, 스페이서(170)는 기판(111)과 동일한 두께로 형성될 수 있지만, 기판(111)과 도전성 접착 필름(CF1, CF2)의 두께를 합한 크기의 두께로 형성될 수도 있다.
스페이서(170)의 두께가 기판(111)의 두께와 동일하게 형성되는 경우, 스페이서(170)와 인터커넥터(120)의 사이 공간에는 후면 밀봉재(140) 또는 전면 밀봉재(130) 중 적어도 하나의 밀봉재가 채워질 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 의하면, 인접 태양전지(110)들간의 간격 및 전기적 절연이 스페이서(170)에 의해 이루어지게 된다. 따라서, 태양전지 모듈의 수광면 쪽에서 관측할 때 인접 태양전지(110)들 사이의 공간으로 인터커넥터(120)가 관측될 수 있다.
그런데 인터커넥터(120)는 태양전지(110)들과는 다른 색상의 전도성 금속으로 이루어진다. 따라서 미관을 향상시키기 위해 스페이서(170)는 수광면을 향하는 표면을 태양전지(110)의 반도체 기판(111)과 동일한 색상 또는 후면시트와 동일한 색상, 예컨대 흑색 또는 백색으로 처리할 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 모듈을 설명한다.
본 실시예의 태양전지 모듈이 전술한 제1 실시예와 다른 점은 제1 전극(112)의 한쪽 단부와 제2 전극(113)의 한쪽 단부에 선폭이 확대된 접촉부(112a, 113a)를 형성하고, 제1 도전성 접착 필름(CF1)과 제2 도전성 접착 필름(CF2)의 선폭을 접촉부(112a, 113a)의 선폭과 동일하게 형성한 것으로, 나머지 구성은 전술한 제1 실시예와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.
이러한 구성의 태양전지 모듈은 도전성 접착 필름과 접촉하는 전극 영역이 전술한 제1 실시예에 비해 증가하므로, 전극과 도전성 접착 필름간 및 도전성 접착 필름과 인터커넥터간의 접촉 저항이 감소하는 효과를 얻을 수 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 모듈을 설명한다.
본 실시예가 전술한 제1 실시예와 다른 점은 제3 도전성 접착 필름(CF3)을 더 포함하는 것이다.
제3 도전성 접착 필름(CF3)은 제1 도전성 접착 필름(CF1)들 및 제2 도전성 접착 필름(CF2)들과 일체로 형성되며 제2 방향(Y-Y')으로 연장된다.
이때, 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 선폭은 인터커넥터(120)의 선폭 이하로 형성되거나, 인터커넥터의 선폭보다 크게 형성된다.
그리고 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 길이는 인터커넥터(120)의 길이 이상으로 형성될 수 있으며, 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 두께는 제1 도전성 접착 필름(CF1) 및 제2 도전성 접착 필름(CF2)의 두께와 동일하게 형성될 수 있다.
한편, 제3 도전성 접착 필름(CF3)은 전술한 스페이서(170)와 마찬가지로 수광면을 향하는 쪽이 백색 또는 흑색 표면을 가질 수 있으며, 태양전지(110)의 사이 공간에는 후면 밀봉재(140) 또는 전면 밀봉재(130) 중 적어도 하나의 밀봉재가 채워질 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 도 7의 다양한 변형 실시예들을 설명한다.
도 8은 도 7의 제1 변형 실시예를 도시한 것으로, 서로 인접한 기판(111)의 사이 공간에 스페이서(170)가 형성된 것을 제외하면, 나머지 구성은 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하게 구성된다.
도 9는 도 7의 제2 변형 실시예를 도시한 것으로, 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 두께가 제1 도전성 접착 필름(CF1) 및 제2 도전성 접착 필름(CF2)의 두께보다 크게 형성된 것을 제외하면, 나머지 구성은 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하다.
이때, 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 두께는 도전성 접착 필름(CF1, CF2)의 두께 및 전극(112, 113)의 두께를 합한 크기의 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우, 기판(111)의 사이 공간에는 후면 밀봉재(140) 또는 전면 밀봉재(130) 중 적어도 하나의 밀봉재가 채워진다.
도 10은 도 7의 제3 변형 실시예를 도시한 것으로, 인터커넥터(120)가 후면 시트(160)에 형성된 도전성 패턴으로 형성되는 것을 제외하면, 나머지 구성은 도 7의 실시예와 실질적으로 동일하다.
이와 같이, 후면 시트(160)에 형성된 도전성 패턴을 인터커넥터(120)로 사용하면, 인터커넥터를 도전성 접착 필름에 태빙하기 위한 별도의 태빙 작업이 불필요하고, 라미네이션 공정에서 도전성 패턴을 도전성 접착 필름에 태빙함으로써, 모듈화 공정의 공정수를 절감할 수 있다.
이하, 도 11을 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지 모듈을 설명한다.
본 실시예의 태양전지 모듈은 서로 인접한 후면 접합형 태양전지(110)들이 복수의 인터커넥터(120)에 의해 전기적으로 연결되는 것을 제외하고 도 7의 실시예와 동일하게 구성된다.
즉, 도 11에 도시한 바와 같이, 제3 도전성 접착 필름(CF3) 위에는 2개 이상의 인터커넥터(120)가 제3 도전성 접착 필름(CF3)의 길이 방향, 즉 제2 방향(Y-Y')을 따라 위치한다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.
110: 후면 접합형 태양전지 111: 기판
112: 제1 전극 113: 제2 전극
120: 인터커넥터 130: 전면 밀봉재
140: 후면 밀봉재 150: 투명 부재
160: 후면 시트 CF1-CF3: 제1 내지 제3 도전성 접착 필름

Claims (27)

  1. 기판, 상기 기판의 후면에 위치하며 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 전극, 및 상기 제1 전극의 사이 공간에 위치하며 상기 제1 방향으로 연장된 복수의 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 후면 접합형 태양전지들;
    서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 어느 한 태양전지의 제1 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제1 도전성 접착 필름들;
    서로 인접한 2개의 태양전지들 중에서 다른 한 태양전지의 제2 전극들의 한쪽 단부와 각각 접촉하는 복수의 제2 도전성 접착 필름들;
    서로 인접한 2개의 태양전지들 사이 공간에 위치하며, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 도전성 접착 필름들을 상기 제2 도전성 접착 필름들에 전기적으로 연결하여 상기 서로 인접한 2개의 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터;
    상기 태양전지들을 보호하는 전면 밀봉재 및 후면 밀봉재;
    상기 기판의 전면 쪽으로 상기 전면 밀봉재의 상부에 배치되는 투명 부재; 및
    상기 기판의 후면 쪽으로 상기 후면 밀봉재의 하부에 배치되는 후면 시트
    를 포함하며,
    상기 제1 도전성 접착 필름들 및 상기 제2 도전성 접착 필름들과 일체로 형성되며, 상기 제2 방향으로 연장된 제3 도전성 접착 필름을 더 포함하고,
    상기 인터커넥터는 상기 제3 도전성 접착 필름과 접촉하는 태양전지 모듈.
  2. 제1항에서,
    서로 인접한 제1 전극들은 제1 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않으며, 서로 인접한 제2 전극들은 제2 전극을 형성하는 전극 물질에 의해 서로간에 물리적으로 연결되지 않는 태양전지 모듈.
  3. 제1항에서,
    상기 후면 접합형 태양전지는 이종 접합 구조로 형성되는 태양전지 모듈.
  4. 제3항에서,
    상기 후면 접합형 태양전지의 상기 기판은 결정질의 반도체 기판으로 이루어지며, 상기 기판의 후면에는 제1 비정질 실리콘층으로 형성된 에미터부 및 제2 비정질 실리콘층으로 형성된 후면 전계부가 위치하는 태양전지 모듈.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 전극은 상기 에미터부와 접촉하고, 상기 제2 전극은 상기 후면 전계부와 접촉하는 태양전지 모듈.
  6. 제1항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 일정한 선폭으로 각각 형성되는 태양전지 모듈.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 제1 전극의 선폭 이하이고, 상기 제2 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 제2 전극의 선폭 이하인 태양전지 모듈.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 전극의 상기 한쪽 단부와 상기 제2 전극의 상기 한쪽 단부에는 확대된 선폭의 접촉부가 각각 구비되는 태양전지 모듈.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 제1 전극의 접촉부의 선폭 이하이며, 상기 제2 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 제2 전극의 접촉부의 선폭 이하인 태양전지 모듈.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 도전성 접착 필름은 상기 제2 전극과 접촉하지 않으며, 상기 제2 도전성 접착 필름은 상기 제1 전극과 접촉하지 않는 태양전지 모듈.
  11. 제1항에서,
    상기 인터커넥터는 상기 후면 시트에 형성된 도전성 패턴으로 형성되는 태양전지 모듈.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
    상기 제1 도전성 접착 필름들과 상기 제2 도전성 접착 필름들은 상기 인터커넥터와 직접 접촉하는 태양전지 모듈.
  13. 제12항에서,
    서로 인접한 2개의 기판 사이 공간에 스페이서가 위치하는 태양전지 모듈.
  14. 제13항에서,
    상기 스페이서는 흑색 또는 백색 표면을 갖는 태양전지 모듈.
  15. 제13항에서,
    상기 스페이서와 상기 인터커넥터 사이에 상기 전면 밀봉재 또는 상기 후면 밀봉재 중 적어도 하나가 채워지는 태양전지 모듈.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 인터커넥터의 선폭 이하인 태양전지 모듈.
  19. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 선폭은 상기 인터커넥터의 선폭보다 큰 태양전지 모듈.
  20. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 길이는 상기 인터커넥터의 길이 이상인 태양전지 모듈.
  21. 제1항에서,
    서로 인접한 2개의 기판 사이 공간에 스페이서가 위치하는 태양전지 모듈.
  22. 제21항에서,
    상기 스페이서는 흑색 또는 백색 표면을 갖는 태양전지 모듈.
  23. 제21항에서,
    상기 스페이서와 상기 인터커넥터 사이에 상기 전면 밀봉재 또는 상기 후면 밀봉재 중 적어도 하나가 채워지는 태양전지 모듈.
  24. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름은 흑색 또는 백색 표면을 갖는 태양전지 모듈.
  25. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 두께는 상기 제1 도전성 접착 필름 및 상기 제2 도전성 접착 필름의 두께와 동일한 태양전지 모듈.
  26. 제1항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 두께는 상기 제1 도전성 접착 필름 및 상기 제2 도전성 접착 필름의 두께보다 큰 태양전지 모듈.
  27. 제26항에서,
    상기 제3 도전성 접착 필름의 두께는 상기 제1 전극 및 상기 제1 도전성 접착 필름의 두께를 합한 두께와 동일한 태양전지 모듈.
KR1020110098996A 2011-09-29 2011-09-29 태양전지 모듈 KR101282943B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110098996A KR101282943B1 (ko) 2011-09-29 2011-09-29 태양전지 모듈
US13/617,455 US20130081674A1 (en) 2011-09-29 2012-09-14 Solar cell module
JP2012214728A JP2013077821A (ja) 2011-09-29 2012-09-27 太陽電池モジュール
EP15003052.6A EP3001464B1 (en) 2011-09-29 2012-09-28 Solar cell module
EP12006774.9A EP2575183B1 (en) 2011-09-29 2012-09-28 Solar cell module
CN201210375763.5A CN103107210B (zh) 2011-09-29 2012-09-29 太阳能电池模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110098996A KR101282943B1 (ko) 2011-09-29 2011-09-29 태양전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130034867A KR20130034867A (ko) 2013-04-08
KR101282943B1 true KR101282943B1 (ko) 2013-07-08

Family

ID=47010154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110098996A KR101282943B1 (ko) 2011-09-29 2011-09-29 태양전지 모듈

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130081674A1 (ko)
EP (2) EP2575183B1 (ko)
JP (1) JP2013077821A (ko)
KR (1) KR101282943B1 (ko)
CN (1) CN103107210B (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236448A (zh) * 2013-05-02 2013-08-07 英利能源（中国）有限公司 背接触电池光伏组件及其制作方法
JP6236896B2 (ja) * 2013-06-11 2017-11-29 日立化成株式会社 太陽電池モジュール
CN103367540A (zh) * 2013-06-26 2013-10-23 英利集团有限公司 背钝化太阳能电池及其制作方法
KR102233893B1 (ko) * 2014-01-09 2021-03-30 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
KR20150100146A (ko) 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR102175893B1 (ko) 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
US20160035907A1 (en) * 2014-08-04 2016-02-04 Lg Electronics Inc. Solar cell module
JP6774163B2 (ja) * 2014-12-03 2020-10-21 シャープ株式会社 光電変換装置
TWI538230B (zh) * 2015-03-23 2016-06-11 茂迪股份有限公司 背接觸太陽能電池組及其製造方法
US10535790B2 (en) * 2015-06-25 2020-01-14 Sunpower Corporation One-dimensional metallization for solar cells
US9935213B2 (en) * 2015-06-26 2018-04-03 Sunpower Corporation Wire-based metallization for solar cells
US20160380120A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Akira Terao Metallization and stringing for back-contact solar cells
JP6321092B2 (ja) * 2015-07-15 2018-05-09 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及び太陽電池モジュール
KR20170027956A (ko) * 2015-09-03 2017-03-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
US10361322B2 (en) * 2015-10-08 2019-07-23 Lg Electronics Inc. Solar cell module
WO2017203751A1 (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社カネカ 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池パネル
KR102573645B1 (ko) * 2017-09-19 2023-09-04 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 솔라 블라인드용 태양전지 모듈
CN111512707B (zh) * 2017-12-22 2022-04-05 华为技术有限公司 板上柔性电路各向异性导电胶互连
CN108598194A (zh) * 2018-04-27 2018-09-28 苏州浩顺光伏材料有限公司 一种能够节约成本的太阳能电池片
CN112186058A (zh) * 2020-08-31 2021-01-05 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种互联件及太阳能电池组件
CN114142790B (zh) * 2021-10-11 2024-09-27 苏州腾晖光伏技术有限公司 一种背包及发电机构
CN114122179B (zh) * 2022-01-25 2022-09-16 浙江爱旭太阳能科技有限公司 叉指背接触电池串、叉指背接触电池组件以及系统
CN117542914A (zh) * 2023-11-23 2024-02-09 江西沐邦高科股份有限公司 太阳能电池组件及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法
KR20100123163A (ko) * 2009-05-14 2010-11-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1519422B1 (en) * 2003-09-24 2018-05-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic cell and its fabrication method
US7390961B2 (en) * 2004-06-04 2008-06-24 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US8148627B2 (en) * 2006-08-25 2012-04-03 Sunpower Corporation Solar cell interconnect with multiple current paths
EP2100336A4 (en) * 2006-12-22 2013-04-10 Applied Materials Inc INTERCONNECTION TECHNOLOGIES FOR REAR CONTACT SOLAR CELLS AND MODULES
JP5115553B2 (ja) * 2007-05-09 2013-01-09 日立化成工業株式会社 導電体接続用部材、接続構造及び太陽電池モジュール
CN105826418B (zh) * 2007-05-09 2017-05-17 日立化成株式会社 连接结构的制造方法以及太阳能电池模块的制造方法
US20090139557A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Douglas Rose Busbar connection configuration to accommodate for cell misalignment
JP2009176782A (ja) * 2008-01-21 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP4958187B2 (ja) * 2009-02-05 2012-06-20 シャープ株式会社 太陽電池セル、配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP2010251667A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
DE102009002823A1 (de) * 2009-05-05 2010-11-18 Komax Holding Ag Solarzelle, diese Solarzelle umfassendes Solarmodul sowie Verfahren zu deren Herstellung und zur Herstellung einer Kontaktfolie
DE202010018510U1 (de) * 2009-09-07 2017-03-15 Lg Electronics Inc. Solarzelle
KR101146736B1 (ko) * 2009-09-14 2012-05-17 엘지전자 주식회사 태양 전지
KR101130197B1 (ko) * 2009-09-28 2012-03-30 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
DE102010007131A1 (de) * 2010-02-05 2011-08-11 Reinhausen Plasma GmbH, 93057 Solarzellenstring und Verfahren zu dessen Herstellung

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法
KR20100123163A (ko) * 2009-05-14 2010-11-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2575183A2 (en) 2013-04-03
KR20130034867A (ko) 2013-04-08
EP3001464A1 (en) 2016-03-30
JP2013077821A (ja) 2013-04-25
CN103107210A (zh) 2013-05-15
CN103107210B (zh) 2015-08-26
EP3001464B1 (en) 2020-04-29
US20130081674A1 (en) 2013-04-04
EP2575183A3 (en) 2013-05-22
EP2575183B1 (en) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101282943B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101282939B1 (ko) 태양전지 모듈
EP2575184B1 (en) Solar cell module
EP2528109B1 (en) Solar cell module
US9147787B2 (en) Solar cell panel
US9698291B2 (en) Solar cell panel and method for manufacturing the same
US9917223B2 (en) Solar cell panel
US9385256B2 (en) Solar cell panel
KR101110826B1 (ko) 태양전지 패널
KR101223050B1 (ko) 태양전지 모듈
US8975507B2 (en) Solar cell module
KR20120044541A (ko) 도전성 접착 필름, 상기 필름을 구비한 태양전지 패널 및 상기 패널의 제조 방법
KR101235339B1 (ko) 태양전지 모듈
KR20120124570A (ko) 태양 전지 모듈 및 이에 사용되는 도전성 접착 필름
KR101642154B1 (ko) 태양전지 패널 및 이의 제조 방법
KR101692560B1 (ko) 태양전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160624

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170623

Year of fee payment: 5