KR101110826B1 - 태양전지 패널 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 한 측면에 따른 태양전지 패널은 복수의 태양전지들, 인접한 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터 및 상기 인터커넥터와 기판 사이에 위치하는 도전성 접착 필름을 포함한다. 각각의 태양전지는 기판, 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전극을 포함하며, 후면 전극은 일정한 공간을 두고 이격된 복수의 전극부를 포함한다. 도전성 접착 필름은 수지 및 상기 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자를 포함한다. 도전성 접착 필름은 공간을 통해 노출된 기판의 후면에 위치한다. 그리고 인터커넥터는 도전성 접착 필름의 후면(back surface)에 위치하며, 도전성 접착 필름과 직접 접촉한다.
Description
본 발명은 인접한 태양전지들을 인터커넥터에 의해 서로 전기적으로 접속한 태양전지 패널에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 광 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전은 무공해 에너지를 얻는 수단으로서 널리 이용되고 있다. 그리고 태양전지의 광전 변환 효율의 향상에 수반하여, 개인 주택에서도 복수의 태양전지 패널을 이용하는 태양광 발전 시스템이 설치되고 있다.
태양전지 패널은 복수의 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터, 태양전지들을 보호하는 전면 보호 부재와 후면 보호 부재 및 이들 보호 부재 사이에서 태양전지들을 밀봉하는 밀봉 부재를 포함한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 제조 원가 및 공정수를 절감할 수 있는 태양전지 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 측면에 따르면, 태양전지 패널은 복수의 태양전지들, 인접한 태양전지들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터 및 상기 인터커넥터와 기판 사이에 위치하는 도전성 접착 필름을 포함한다.
각각의 태양전지는 기판, 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 복수의 후면 전극을 포함한다. 복수의 후면 전극은 일정한 공간을 사이에 두고 위치한다.
도전성 접착 필름은 수지 및 상기 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자를 포함한다. 도전성 접착 필름은 상기 공간을 통해 노출된 기판의 후면에 위치한다. 이때, 도전성 접착 필름은 기판의 후면과 직접 접촉할 수 있다.
그리고 인터커넥터는 도전성 접착 필름의 후면(back surface)에 위치하며, 도전성 접착 필름과 직접 접촉한다.
태양전지는 후면 전극과 기판 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부를 더 포함한다. 후면 전계부는 기판의 후면 내측에 위치한다. 후면 전계부는 후면 전극과 동일한 패턴으로 형성되거나, 상기 후면 전계부는 후면 전극이 위치하는 영역 및 상기 공간이 위치하는 영역의 기판 후면에도 형성될 수 있다.
도전성 접착 필름과 후면 전극은 서로 동일한 두께로 형성되거나, 서로 다른 두께로 형성될 수 있다.
그리고 인터커넥터와 상기 공간은 서로 동일한 폭으로 형성되거나, 서로 다른 폭으로 형성될 수 있다.
도전성 접착 필름의 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자는 기판의 후면 및 인터커넥터 중 적어도 하나와 직접 접촉하거나, 도전성 입자와 기판 후면 사이 및 도전성 입자와 인터커넥터 사이에 수지가 위치할 수 있다.
이때, 복수의 도전성 입자는 인접한 도전성 입자들과 서로 전기적으로 연결될 수 있도록 위치하는 것이 바람직한데, 그 이유는 기판의 후면으로 이동한 전하가 인접한 도전성 입자들을 통해서도 이동하게 되면 전류 흐름이 원활하게 이루어지기 때문이다.
기판의 후면으로 이동한 전하를 인터커넥터에 효과적으로 전달하기 위해, 복수의 도전성 입자는 기판의 후면 및 인터커넥터 중 적어도 하나와 직접 접촉하는 것이 바람직하며, 복수의 도전성 입자가 기판의 후면 및 인터커넥터와 각각 직접 접촉하는 것이 더욱 바람직하다.
태양전지는 기판의 수광면에 위치하는 에미터부, 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극, 및 전면 전극이 위치하지 않는 에미터부 위에 위치하는 반사방지막을 더 포함할 수 있다. 또한, 태양전지는 전면 전극과 교차하는 방향으로 상기 에미터부 위에 위치하는 전면 전극용 집전부를 더 포함할 수 있다.
전면 전극의 전면(front surface)에는 도전성 접착 필름이 위치하고, 도전성 접착 필름의 전면(front surface)에는 이웃하는 태양전지의 기판 후면과 전기적으로 연결된 인터커넥터가 위치한다.
전면 전극은 도전성 접착 필름과 직접 접촉하는 제1 부분 및 도전성 접착 필름과 접촉하지 않는 제2 부분을 포함한다.
복수의 전면 전극은 제1 부분 및 제2 부분이 서로 동일한 선폭으로 형성되거나, 전면 전극 중 적어도 한 전극의 제1 부분 및 제2 부분이 서로 다른 선폭으로 형성될 수 있다.
제1 부분 및 제2 부분이 서로 다른 선폭으로 형성되는 경우에는 제1 부분의 선폭을 제2 부분의 선폭보다 크게 형성함으로써, 도전성 접착 필름과의 접합 강도를 향상시키고, 접촉 저항을 감소시켜 출력 저하를 방지하는 것이 바람직하다.
이때, 제1 부분은 전면 전극의 길이 방향으로 일정한 길이를 가지며, 제1 부분의 길이는 도전성 접착 필름의 폭 이하로 형성될 수 있다.
그리고 도전성 접착 필름의 일부는 반사방지막과 직접 접촉한다.
이러한 특징에 따르면, 전극으로 이동한 전하가 도전성 접착 필름의 도전성 입자를 통해 인터커넥터에 전달된다.
따라서, 전극으로 이동한 전하를 인터커넥터로 전달하기 위한 집전 전극을 형성할 필요가 없으므로, 집전 전극 형성에 필요한 공정 및 비용을 절감할 수 있다.
또한, 도전성 접착 필름을 이용하여 전극과 인터커넥터를 직접 연결하면, 태빙 작업을 저온(140℃ 내지 180℃)에서 실시할 수 있다. 이와 같이 저온 공정으로 태빙(tabbing) 작업을 진행하면, 고온(220℃ 이상)에서 납땜을 이용하여 태빙 작업을 실시하는 경우에 비해 기판의 휨(bowing) 및 손상을 방지할 수 있다.
또한, 플럭스(flux)를 사용하지 않으므로 균일한 접착력을 유지함과 아울러 오정렬(miss alignment)을 방지할 수 있어 출력 감소를 억제할 수 있다.
도 1은 일반적인 태양전지 패널의 분해 사시도이다.
도 2는 일반적인 태양전지 패널에 있어서, 복수의 태양전지의 전기적 연결 관계를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 4는 후면 전극을 나타내기 위한 기판 후면의 평면도이다.
도 5 내지 도 10은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 전면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 후면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 15 내지 도 17은 도 14의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 18 및 도 19는 전면 전극의 다양한 실시예를 나타내기 위한 기판 전면(front surface)의 평면도이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 2는 일반적인 태양전지 패널에 있어서, 복수의 태양전지의 전기적 연결 관계를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 4는 후면 전극을 나타내기 위한 기판 후면의 평면도이다.
도 5 내지 도 10은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 전면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 후면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
도 15 내지 도 17은 도 14의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도 18 및 도 19는 전면 전극의 다양한 실시예를 나타내기 위한 기판 전면(front surface)의 평면도이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 "전체적"으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면(또는 전면)에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것도 포함한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 일반적인 태양전지 패널의 분해 사시도이고, 도 2는 복수의 태양전지의 전기적 연결 관계를 나타내는 개략도이다.
도면을 참고하면, 태양전지 패널(100)은 복수의 태양전지(10)들, 인접한 태양전지(10)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(20), 태양전지(10)들을 보호하는 전면 보호막(EVA: Ethylene Vinyl Acetate)(30a) 및 후면 보호막(30b), 태양전지(10)들의 수광면 쪽으로 전면 보호막(30a) 위에 배치되는 투명 부재(40), 수광면 반대 쪽으로 후면 보호막(30b)의 하부에 배치되는 후면 시트(back sheet)(50)를 포함한다.
후면 시트(50)는 태양전지 패널(10)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(10)를 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 시트(50)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
양면 수광형 태양전지의 경우에는 후면 시트(50) 대신에 광 투과성의 유리 또는 수지를 사용하는 것도 가능하다.
전면 보호막(30a) 및 후면 보호막(30b)은 태양전지(10)들의 전면 및 후면에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(10)들과 일체화 되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(10)를 충격으로부터 보호한다. 이러한 전면 및 후면 보호막(30a, 30b)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.
전면 보호막(30a) 위에 위치하는 투명 부재(40)는 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 투명 부재(40)는 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.
복수의 태양전지(10)는 도 1에 도시한 바와 같이 행렬 구조로 배열되어 있다. 도 1에서, 후면 보호막(30b) 위에 배열된 태양 전지(10)는 3×3 행렬 구조를 가지지만, 이에 한정되지 않고 필요에 따라 행과 열 방향으로 배치되는 태양전지(10)의 개수는 조정이 가능하다.
복수의 태양전지(10)들은 도 2에 도시한 바와 같이 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로, 복수의 태양전지(10)들이 인접 배치된 상태에서, 어느 한 태양전지의 전면에 형성된 전면 전극부는 인터커넥터(20)에 의해 인접한 태양 전지의 후면에 형성된 전극부와 전기적으로 연결된다.
이하, 도 3 내지 도 14를 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 대해 설명한다.
도 3는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이며, 도 4는 후면 전극을 나타내기 위한 기판 후면의 평면도이다. 그리고 도 5 내지 도 10은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 전면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이고, 도 11 내지 도 13은 도 3의 태양전지 패널에서 기판 후면의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이다.
도면을 참고하면, 태양전지(10)는 기판(11), 기판(11)의 수광면, 예컨대 빛이 입사되는 면에 위치하는 에미터부(12), 에미터부(12) 위에 위치하는 복수의 전면 전극(13), 에미터부(12) 위에 위치하며 전면 전극(13)과 교차하는 전면 전극용 집전부(14), 전면 전극(13) 및 전면 전극용 집전부(14)가 위치하지 않는 에미터부(12) 위에 위치하는 반사방지막(15), 및 수광면의 반대쪽 면, 즉 기판(11)의 후면에 위치하는 후면 전극(16)을 포함한다.
태양전지(10)는 후면 전극(15)과 기판(11) 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부를 더 포함한다. 후면 전계부(17)는 기판(11)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(11)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이며, 기판(11)의 후면 내측에 위치한다.
이러한 후면 전계부(17)는 전위 장벽으로 작용하게 된다. 따라서, 기판(11)의 후면부 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소되므로 태양전지(10)의 효율이 향상된다.
기판(11)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(11)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다
기판(11)의 표면은 복수의 요철을 갖는 텍스처링(texturing) 표면으로 형성될 수 있다.
기판(11)의 표면이 텍스처링 표면으로 형성되면 기판(11)의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지의 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다.
따라서, 태양전지의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 기판(11)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(11)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다.
에미터부(12)는 기판(11)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 기판(11)과 p-n 접합을 이룬다.
에미터부(12)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(12)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(11)에 도핑하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 기판(11)에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(11)이 p형이고 에미터부(12)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(11)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(12)쪽으로 이동한다.
이와는 반대로, 기판(11)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(11)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(11)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.
에미터부(12)는 기판(11)과 p-n접합을 형성하게 되므로, 기판(11)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(12)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(11)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(12)쪽으로 이동한다.
에미터부(12)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(12)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(11)에 도핑하여 형성할 수 있다.
기판(11)의 에미터부(12) 위에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 또는 이산화티탄(TiO2) 등으로 이루어진 반사방지막(15)이 형성되어 있다. 반사방지막(15)은 태양전지(10)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(10)의 효율을 높인다. 이러한 반사방지막(15)은 약 70㎚ 내지 80㎚ 의 두께를 가질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수 있다.
복수의 전면 전극(13)은 에미터부(12) 위에 형성되어 에미터부(12)와 전기적 및 물리적으로 연결되고, 인접하는 전면 전극(13)과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향으로 형성된다. 각각의 전면 전극(13)은 에미터부(12) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집한다.
복수의 전면 전극(13)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.
예를 들면, 전면 전극(13)은 납(Pb)을 포함하는 은(Ag) 페이스트로 이루어질 수 있다. 이 경우, 전면 전극(13)은 스크린 인쇄 공정을 이용하여 은 페이스트를 반사방지막(15) 위에 도포하고, 기판(11)을 약 750℃ 내지 800℃의 온도에서 소성(firing)하는 과정에서 에미터부(12)와 전기적으로 연결될 수 있다.
이때, 전술한 전기적 연결은 소성 과정에서 은(Ag) 페이스트에 포함된 납 성분이 반사방지막(15)을 식각하여 은 입자가 에미터부(12)와 접촉하는 것에 따라 이루어진다.
기판(11)의 에미터부(12) 위에는 전면 전극(13)과 교차하는 방향으로 전면 전극용 집전부(14)가 적어도 2개 이상 형성된다.
전면 전극용 집전부(14)는 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 에미터부(12) 및 전면 전극(13)과 전기적 및 물리적으로 연결된다. 따라서, 전면 전극용 집전부(14)는 전면 전극(13)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 전자를 외부 장치로 출력한다.
전면 전극용 집전부(14)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.
전면 전극용 집전부(14)는 전면 전극(13)과 마찬가지로 도전성 금속 물질을 반사방지막(15) 위에 도포한 후 패터닝하고, 이를 소성하는 과정에서 펀치 스루(punch through) 작용에 의해 에미터부(12)와 전기적으로 연결될 수 있다.
후면 전극(16)은 기판(11)의 수광면 반대쪽, 즉 기판(11)의 후면에 형성되어 있으며, 기판(11)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.
후면 전극(16)은 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 상호간에 일정한 공간(G1)을 두고 이격된 복수의 전극부(16a)를 포함한다. 상기 공간(G1)은 후에 설명할 도전성 접착 필름(60)을 기판(11)의 후면에 접촉시키기 위해 상기 기판(11)의 후면을 노출시킨다. 도전성 접착 필름(60)에는 인터커넥터(20)가 접착되므로, 전극부(16a)의 개수는 인터커넥터(20)의 개수보다 한 개 많다.
복수의 전극부(16a)를 포함하는 후면 전극(16)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 구성의 후면 전극(16)은 상기한 도전성 물질을 포함하는 도전성 페이스트를 기판(11)의 후면 전체에 도포한 후, 상기 도전성 페이스트를 건조 및 소성하고, 이후 도전성 접착 필름(60)을 접착할 위치의 도전성 페이스트를 제거하여 일정한 공간(G1)을 두고 이격된 복수의 전극부(16a)를 형성하는 것에 따라 제조할 수 있다. 여기에서, 기판(11)의 후면 전체는 기판(11) 후면의 테두리 부분을 제외하는 것도 포함한다.
전술한 방법에 따르면, 도전성 페이스트를 소성하는 동안 기판(11)의 내부로 불순물이 주입된다. 따라서, 후면 전계부(17)는 도전성 페이스트를 소성하는 과정에서 형성되는데, 공간(G1)을 형성하기 위한 작업이 도전성 페이스트를 소성한 후에 이루어지므로, 후면 전계부(17)는 기판(11)의 후면 전체에 형성된다.
이와 같이 후면 전극(16)을 복수의 전극부(16a)로 형성하는 이유는 후면 전극(16)의 표면에 형성된 산화막으로 인해 상기 후면 전극(16)의 후면에 도전성 접착 필름(60)을 접착하는 것이 용이하지 않기 때문이다.
따라서, 위에서 설명한 바와 같이 복수의 전극부(16a) 사이에 일정한 공간(G1)을 형성하고, 상기 공간(G1)을 통해 노출된 기판(11)의 후면에 도전성 접착 필름(60)을 접착하면 도전성 접착 필름(60)을 후면 전극(16)에 접착하는 경우에 비해 도전성 접착 필름(60)의 접착력이 향상된다.
이러한 구성의 태양전지(10)는 도 2에 도시한 바와 같이 인터커넥터(20)에 의해 이웃하는 태양전지와 전기적으로 연결된다.
이에 대하여 보다 구체적으로 설명하면, 기판(11)의 에미터부(12) 위에는 전면 전극용 집전부(14)와 평행한 방향으로 전면 전극용 집전부(14) 위에 도전성 접착 필름(60)이 위치한다. 또한, 복수의 전극부(16a) 사이에 위치하는 공간(G1)을 통해 노출된 기판(11)의 후면에는 인접한 태양전지의 전면 전극용 집전부(14)에 접착된 도전성 접착 필름(60)의 다른 부분이 접착된다.
도 3은 기판(11)의 전면(front surface) 및 후면(back surface)에 각각 한 개씩의 도전성 접착 필름이 위치하는 것을 도시하였지만, 기판의 전면 및 후면에는 인터커넥터(20)와 동일한 개수의 도전성 접착 필름(60)이 각각 위치한다.
도전성 접착 필름(60)은 수지(62) 및 수지(62) 내에 분산된 복수의 도전성 입자(64)를 포함한다. 수지(62)는 접착성을 갖는 재질이면 특별히 한정되지 않는다. 단 접착 신뢰성을 높이기 위해서는 열경화성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
열경화성 수지로는 에폭시(epoxy) 수지, 페녹시(phenoxy) 수지, 아크릴(acryl) 수지, 폴리이미드(polyimide) 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate) 수지 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 수지를 사용할 수 있다.
수지(62)는 열경화성 수지 이외의 임의 성분으로서, 공지의 경화제 및 경화 촉진제를 함유할 수 있다.
예를 들면, 수지(62)는 전면 전극용 집전부(14)와 인터커넥터(20) 및 후면 전극(16)과 인터커넥터(20)의 접착성을 향상시키기 위해 실란(silane)계 커플링(coupling)제, 티타네이트(titanate)계 커플링제, 알루미네이트(aluminate)계 커플링제 등의 개질 재료를 함유할 수 있으며, 도전성 입자(64)의 분산성을 향상시키기 위해 인산 칼슘이나 탄산칼슘 등의 분산제를 함유할 수 있다. 또한 수지(62)는 탄성률을 제어하기 위해 아크릴 고무, 실리콘 고무, 우레탄 등의 고무 성분을 함유할 수 있다.
그리고 도전성 입자(64)는 도전성을 갖는 것이라면 그 재료는 특별히 한정되지 않는다. 도전성 입자(64)는 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 철(Fe), 니켈(Ni), 납(Pb), 아연(Zn), 코발트(Co), 티타늄(Ti) 및 마그네슘(Mg)으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 주성분으로 포함할 수 있으며, 금속 입자만으로 이루어지거나, 금속 피복 수지 입자로 이루어질 수 있다. 이러한 구성의 도전성 접착 필름(60)은 박리 필름을 더 포함할 수 있다.
도전성 입자(64)의 압축 응력을 완화하고 접속 신뢰성을 향상시키기 위해서는 도전성 입자(64)로 금속 피복 수지 입자를 사용하는 것이 바람직하다.
분산성을 향상시키기 위해 도전성 입자(64)는 2㎛ 내지 30㎛의 입경을 갖는 것이 바람직하다.
수지(62)가 경화한 뒤의 접속 신뢰성 측면에서, 수지(62) 내에 분산되는 도전성 입자(64)의 배합량은 도전성 접착 필름(60)의 전체 체적에 대하여 0.5 체적% 내지 20 체적%로 하는 것이 바람직하다.
도전성 입자(64)의 배합량이 0.5 체적% 미만이면 기판 후면 및 전면전극용 집전부와의 물리적인 접점이 감소하므로 전류 흐름이 원활하게 이루어지지 않을 수 있으며, 상기 배합량이 20 체적%를 초과하면 수지(62)의 상대적 양이 감소하여 접착 강도가 저하될 수 있다.
도전성 접착 필름(60)은 전면 전극용 집전부(14)와 평행한 방향으로 상기 전면 전극용 집전부(14)에 접착되며, 후면 전극(16)의 전극부(16a) 사이에 노출된 기판(11)의 후면에 접착된다. 도전성 접착 필름(60)을 이용하여 태빙(tabbing) 작업을 실시할 때, 전기적 접속 확보 및 접착력 유지가 가능한 범위라면 가열 온도 및 가압 압력의 조건은 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 가열 온도는 수지(62)가 경화되는 온도 범위, 예컨대 140℃ 내지 180℃의 범위로 설정할 수 있고, 가압 압력은 전면 전극용 집전부(14). 기판(11) 및 인터커넥터(20)가 도전성 접착 필름(60)에 충분히 밀착되는 범위로 설정할 수 있다. 또한 가열 및 가압 시간은 전면 전극용 집전부(14), 기판(11) 및 인터커넥터(20) 등이 열로 인한 손상 또는 변질되지 않는 범위로 설정할 수 있다.
도전성 접착 필름(60)에 의해 전면 전극용 집전부(14)와 인터커넥터(20)가 접착된 상태에서, 도 5에 도시한 바와 같이 도전성 입자(64)와 전면 전극용 집전부(14) 사이 및 도전성 입자(64)와 인터커넥터(20) 사이에는 수지(62)가 위치할 수 있다.
이 경우 전면 전극용 집전부(14)로 이동한 전하는 화살표로 도시한 바와 같이 도전성 입자(64)로 점프(jump)한 후 다시 인터커넥터(20)로 점프한다. 이때, 도전성 입자(64)로 점프한 전하는 화살표로 도시한 바와 같이 이웃하는 도전성 입자(64)로 점프할 수도 있다. 따라서 전면 전극용 집전부(14)로 이동한 전하는 화살표를 따라 이동하여 인터커넥터(20)로 이동한다.
인접한 도전성 입자(64)로 전하가 점프할 수 있도록 하기 위해, 도전성 입자(64) 사이의 간격을 적절히 설정할 수 있다. 도전성 입자(64) 사이의 간격은 수지(62) 내에 분산된 도전성 입자(64)의 개수 또는 크기를 적절히 조절하는 것에 따라 설정할 수 있다.
따라서, 전면 전극용 집전부(14)으로 이동한 전하는 도전성 입자(64)를 통해 인터커넥터(20)로 전달된다.
이와는 달리, 도전성 입자(64)는 전면 전극용 집전부(14) 및 인터커넥터(20) 중에서 적어도 하나와 직접 접촉하거나, 양쪽 모두와 직접 접촉할 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(64)는 전면 전극용 집전부(14) 및 인터커넥터(20)와 각각 직접 접촉할 수 있으며, 태빙 작업시에 가해진 압력에 의해 타원형으로 탄성 변형될 수 있다. 따라서, 도전성 접착 필름(60)은 도 3에 도시한 바와 같이 폭(W1)을 두께(T1)보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 구조에 따르면, 전면 전극용 집전부(14)로 이동한 전하는 도전성 입자(64)를 통해 인터커넥터(20)로 직접 전달되므로, 도 5의 실시예에 비해 전류 흐름이 원활하게 이루어진다.
한편, 전면 전극용 집전부(14)로 이동한 전하가 인터커넥터(20)로 양호하게 전달되도록 하기 위해, 인접한 도전성 입자(64)들이 도 6에 도시한 바와 같이 서로 물리적으로 접촉될 수 있으며, 전면 전극용 집전부(14) 위에는 적어도 2개의 도전성 입자(64)들이 위치할 수 있다.
한편, 전면 전극용 집전부(14)와 도전성 접착 필름(60) 및 인터커넥터(20)의 선폭은 다양하게 변경할 수 있다.
이를 도 5 내지 도 10을 참조하여 보다 구체적으로 설명한다. 이하에서는 도전성 접착 필름(60)의 선폭을 제1 선폭(W1), 인터커넥터(20)의 선폭을 제2 선폭(W2), 전면 전극용 집전부(14)의 선폭을 제3 선폭(W3)이라 한다.
도전성 접착 필름(60)의 제1 선폭(W1), 인터커넥터(20)의 제2 선폭(W2), 전면 전극용 집전부(14)의 제3 선폭(W3)은 도 5 및 도 에 도시한 바와 같이 서로 동일하게 형성된다(W1=W2=W3).
도전성 접착 필름(60)을 이용하여 태빙 작업을 실시하는 경우 정렬 작업을 매우 정확히 실시할 수 있다. 따라서, 전면 전극용 집전부(14)의 제3 선폭(W3)은 2.0㎜ 이하의 크기로 형성할 수 있다.
이와는 달리, 도 7에 도시한 바와 같이 제1 선폭(W1) 및 제2 선폭(W2)은 서로 동일하고, 제1 선폭(W1) 및 제2 선폭(W2)은 제3 선폭(W3)보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제1 선폭(W1) 및 제2 선폭(W2)은 제3 선폭(W3)의 1.5배 이하로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 제1 선폭(W1)이 제3 선폭(W3)보다 크게 형성되는 경우, 도전성 접착 필름(60)의 일부분은 상기 기판의 표면, 즉 반사방지막(15)의 표면으로부터 일정한 거리(G2)를 두고 상기 전면 전극용 집전부(14)의 측면 일부에도 접착되며, 상기 일정한 거리(G2)는 전면 전극용 집전부의 돌출 두께(T2)의 0.1배 이상으로 형성된다.
이와는 달리, 도 8에 도시한 바와 같이 제2 선폭(W2)은 제1 선폭(W1)보다 크게 형성되고, 제1 선폭(W1)은 제3 선폭(W3)과 동일하게 형성될 수 있다.
이때, 제2 선폭(W2)은 제1 선폭(W1) 및 제3 선폭(W3)의 1.5배 이하로 형성된다.
이와는 달리, 도 9에 도시한 바와 같이 제2 선폭(W2)은 제1 선폭(W1)보다 크게 형성되고, 제1 선폭(W1)은 제3 선폭(W3)보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제2 선폭(W2)은 제1 선폭(W1) 및 제3 선폭(W3)의 1.5배 이하로 형성되고, 도전성 접착 필름(60)의 일부분은 기판의 표면, 즉 반사방지막(15)의 표면으로부터 일정한 거리(G2)를 두고 전면 전극용 집전부(14)의 측면 일부에도 접착된다. 도전성 접착 필름(60)의 일부분과 상기 기판의 표면 사이의 상기 일정한 거리(G2)는 전면 전극용 집전부의 돌출 두께(T2)의 0.1배 이상이다.
이와는 달리, 도 10에 도시한 바와 같이 제2 선폭(W2)은 제3 선폭(W3)과 동일하게 형성되고, 제2 선폭(W2) 및 제3 선폭(W3)은 제1 선폭(W1)보다 크게 형성된다. 이때, 제2 선폭(W2) 및 제3 선폭(W3)은 제1 선폭(W1)의 1.5배 이하로 형성된다. 한편, 기판(11)의 후면에는 다른 하나의 도전성 접착 필름(60)이 접착되고, 도전성 접착 필름(60)의 후면(back surface)에는 이 필름(60)과 동일한 방향으로 인터커넥터(20)가 접착된다. 이때, 인터커넥터(20)는 반쪽 부분이 이웃하는 태양전지의 전면 전극용 집전부(14)에 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 이웃하는 태양전지(10)들이 서로 전기적으로 연결된다.
도전성 접착 필름(60)에 의해 기판(11)과 인터커넥터(20)가 접착된 상태에서, 도 11에 도시한 바와 같이 도전성 입자(64)와 기판(11) 사이 및 도전성 입자(64)와 인터커넥터(20) 사이에는 수지(62)가 위치할 수 있다.
이 경우는 도전성 접착 필름(60)의 두께(T1)가 후면 전극(16)의 두께(T3)와 동일하거나 약간 크게 형성된 경우(T1≥T3)에 발생할 수 있다.
하지만, 위에서 설명한 바와 같이 도전성 입자(64)와 기판(11) 사이 및 도전성 입자(64)와 인터커넥터(20) 사이에는 수지(62)가 위치하더라도 후면 전계부(17)를 통과한 전하(carrier)는 도전성 입자(64)로 점프(jump)한 후 다시 인터커넥터(20)로 점프한다. 따라서 후면 전계부(17)를 통과한 전하는 화살표를 따라 이동하여 인터커넥터(20)로 이동한다.
이때, 도전성 입자(64) 사이의 간격은 적절히 설정할 수 있다. 도전성 입자(64) 사이의 간격은 수지(62) 내에 분산된 도전성 입자(64)의 개수 또는 크기를 적절히 조절하는 것에 따라 설정할 수 있다.
그리고, 인터커넥터(20)의 제1 선폭(W1)은 공간(G1)의 폭(W4)과 서로 동일하거나 크게 형성될 수 있다(W1≥W4).
공간(G1)의 폭(W4)보다 큰 폭으로 형성된 인터커넥터(20)의 예가 도 11에 점선으로 도시되어 있다.
이와 같이 인터커넥터(20)의 제1 선폭(W1)이 공간(G1)의 폭(W4)보다 크게 형성되면, 도전성 접착 필름(60)의 두께(T1)가 후면 전극(16)의 두께(T3)와 동일한 경우에는 인터커넥터(20)의 일부가 전극부(16a)의 일부에도 접촉된다.
하지만, 도 12에 도시한 바와 같이 도전성 접착 필름(60)의 두께(T1)가 후면 전극(16)의 두께(T3)보다 큰 경우에는 태빙 작업시에 도전성 접착 필름(60)이 전극부(16a)의 일부에도 접착될 수 있으므로, 이 경우에는 인터커넥터(20)의 일부가 전극부(16a)에 직접 접촉되는 대신에 인터커넥터(20)와 전극부(16a) 사이에 도전성 접착 필름(60)이 위치할 수도 있다.
이와는 달리, 도 13에 도시한 바와 같이 도전성 입자(64)는 기판(11) 및 인터커넥터(20) 중에서 적어도 하나와 직접 접촉하거나, 양쪽 모두와 직접 접촉할 수 있다.
이 경우는 도전성 접착 필름(60)의 두께(T1)가 후면 전극(16)의 두께(T3)보다 작게 형성된 경우(T1<T3)에 발생할 수 있다.
이와 같이 도전성 접착 필름(60)의 두께(T1)가 후면 전극(16)의 두께(T3)보다 작은 경우에는 인터커넥터(20)의 전체 면적이 도전성 접착 필름(60)과 양호하게 접촉되도록 하기 위해 인터커넥터(20)의 제1 선폭(W1)을 공간(G1)의 폭(W4)과 동일하거나 작게 형성하는 것이 바람직하다(W1≤W4).
한편, 도전성 입자(64)는 태빙 작업시에 가해지는 압력으로 인해 도시한 바와 같이 타원 형태로 변형될 수 있다. 따라서, 도전성 접착 필름(60)은 폭을 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 구조에 따르면, 후면 전계부(17)를 통과한 전하는 도전성 입자(64)를 통해 인터커넥터(20)로 직접 전달되므로, 도 11의 실시예에 비해 전류 흐름이 원활하게 이루어진다.
한편, 복수의 전극부(16a)를 포함하는 후면 전극(16)은 전술한 방법 외에 다른 방법으로도 제조할 수 있다.
예를 들면, 상기 공간(G1) 영역이 막혀 있는 마스크(도시하지 않음)를 이용하면, 공간(G1)을 형성하기 위한 공정을 별도로 진행하지 않더라도 복수의 전극부(16a)를 포함하는 후면 전극(16)을 제조할 수 있다.
하지만, 이 경우에는 도전성 페이스트를 소성하는 과정에서 형성되는 후면 전계부(17)가 후면 전극(16)과 동일한 패턴으로 형성된다.
즉, 전극부(16a)가 위치하는 기판(11)의 영역에만 후면 전계부(17)가 형성되고, 공간(G1)이 위치하는 기판(11)의 영역에는 후면 전계부(17)가 형성되지 않는다.
이와 같이, 전극부(16a)가 위치하는 기판(11)의 영역에만 후면 전계부(17)가 형성된 경우의 실시예가 도 13에 도시되어 있다.
이러한 특징에 따르면, 기판(11)으로부터의 전하(carrier)는 도전성 접착 필름의 도전성 입자를 통해 인터커넥터에 전달된다.
따라서, 후면 전극용 집전부를 형성할 필요가 없으므로, 후면 전극용 집전부 형성에 필요한 공정 및 비용을 절감할 수 있다.
또한, 도전성 접착 필름을 이용하여 기판과 인터커넥터를 직접 연결하면, 태빙 작업을 저온(140℃ 내지 180℃)에서 실시할 수 있다. 이와 같이 저온 공정으로 태빙(tabbing) 작업을 진행하면, 고온(220℃ 이상)에서 납땜을 이용하여 태빙 작업을 실시하는 경우에 비해 기판의 휨(bowing) 및 손상을 방지할 수 있다.
또한, 플럭스(flux)를 사용하지 않으므로 인터커넥터와 기판의 접착력을 균일하게 유지할 수 있고, 오정렬(miss alignment)을 방지할 수 있어 출력 감소를 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 패널을 도 14 내지 도 19를 참고하여 설명한다.제2 실시예는 기판 후면부의 전극 구조 및 태빙 구조가 전술한 제1 실시예와 동일하므로, 이하에서는 기판 전면부의 전극 구조 및 태빙 구조에 대해서만 설명한다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지 패널의 주요부 분해 사시도이고, 도 15 내지 도 17은 도 14의 조립 상태를 나타내는 다양한 실시예의 단면도이며, 도 18 및 도 19는 전면 전극의 다양한 실시예를 나타내기 위한 기판 전면(front surface)의 평면도이다.
제2 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면번호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도면을 참고하면, 기판(11)의 에미터부(12) 위에는 전술한 제1 실시예와는 달리 복수의 전면 전극(13)만 에미터부(12) 위에 위치한다. 즉 전면 전극용 집전부는 본 실시예에서는 형성되지 않는다.
그리고 기판(11)의 전면(front surface)에는 전면 전극(13)과 교차하는 방향으로 복수의 도전성 접착 필름(60)이 위치한다.
도전성 접착 필름(60)은 수지(62) 및 수지(62) 내에 분산된 복수의 도전성 입자(64)를 포함한다.
도전성 접착 필름(60)은 140℃ 내지 180℃의 저온 공정에 의해 복수의 전면 전극(13)과 교차하는 방향으로 상기 전면 전극(13)의 일부분에 접착된다. 따라서, 도전성 접착 필름(60)의 일부분은 전면 전극(13)의 일부분에 직접 접촉하고, 나머지 부분은 반사방지막(15)에 직접 접촉한다.
이하에서는 도전성 접착 필름(60)이 접착되는 상기 전극 부분을 제1 부분(13a)이라고 하고, 도전성 접착 필름(60)이 접착되지 않는 전극 부분을 제2 부분(13b)이라고 한다.
전면 전극(13)의 제1 부분(13a)에 접착된 도전성 접착 필름(60)의 전면(front surface)에는 도전성 접착 필름(60)과 동일한 방향으로 인터커넥터(20)가 접착된다. 이 인터커넥터(20)는 이웃하는 태양전지의 기판 후면에 접착된 인터커넥터이다.
도전성 접착 필름(60)에 의해 전면 전극(13)과 인터커넥터(20)가 접착된 상태에서, 도 15에 도시한 바와 같이 도전성 입자(64)와 전면 전극(13) 사이 및 도전성 입자(64)와 인터커넥터(20) 사이에는 수지(62)가 위치할 수 있다.
이 경우 전면 전극(13)으로 이동한 전하는 도전성 입자(64)로 점프(jump)한 후 다시 인터커넥터(20)로 점프한다. 이때, 도전성 입자(64)로 점프한 전하는 이웃하는 도전성 입자(64)로 점프할 수도 있다. 따라서 전면 전극(13)으로 이동한 전하는 화살표를 따라 이동하여 인터커넥터(20)로 이동한다.
전하가 인접한 도전성 입자(64)로도 점프할 수 있도록 하기 위해, 도전성 입자 사이의 간격을 적절히 설정할 수 있다. 도전성 입자 사이의 간격은 수지(62) 내에 분산된 도전성 입자(64)의 개수 또는 크기를 적절히 조절하는 것에 따라 설정할 수 있다.
따라서, 전면 전극(13)으로 이동한 전하는 도전성 입자(64)를 통해 인터커넥터(20)로 전달된다.
이와는 달리, 도 16에 도시한 바와 같이 도전성 입자(164)는 전면 전극(13) 및 인터커넥터(20) 중에서 적어도 하나와 직접 접촉하거나, 양쪽 모두와 직접 접촉할 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 전면 전극(13)으로 이동한 전하는 도전성 입자(64)를 통해 인터커넥터(20)로 직접 전달되므로, 도 15의 실시예에 비해 전류 흐름이 원활하게 이루어진다.
한편, 전면 전극(13)의 제1 부분(13a)과 접착되지 않는 도전성 접착 필름(60)의 나머지 부분은 에미터부(12) 위에 위치한 반사방지막(15)과 직접 접촉한다.
도전성 접착 필름(60)과 인터커넥터(20)를 양호하게 접착시키기 위해, 도전성 접착 필름(60)은 전면 전극(13)의 돌출 두께(T2)보다 큰 두께(T1)를 가질 수 있다. 이 경우, 도전성 접착 필름(60)의 전면(front surface)이 평탄면을 이루게 되므로, 인터커넥터(20)와 도전성 접착 필름(60)의 접착이 양호하게 이루어진다.
통상적인 전면 전극(13)이 15㎛ 이하로 두께로 형성되므로, 전면 전극(13)의 돌출 두께(T2)는 15㎛보다 작다. 따라서, 도전성 접착 필름(60)은 적용하고자 하는 태양전지의 스펙(spec)에 따라 15㎛ 내지 60㎛의 두께(T1) 범위 내에서 적절한 것을 사용할 수 있다.
다른 예로, 도 17에 도시한 바와 같이 도전성 접착 필름(60)은 단차를 가질 수 있다. 또한, 전면 전극(13)으로 이동한 전하가 인터커넥터(20)로 양호하게 전달되도록 하기 위해, 인접한 도전성 입자(64)들이 서로 물리적으로 접촉될 수 있으며, 전면 전극(13) 위에는 적어도 2개의 도전성 입자(64)들이 위치할 수 있다.
도전성 접착 필름(60)이 단차를 가질 경우에는 인터커넥터(20)도 도전성 접착 필름(60)과 동일한 단차를 가질 수 있다. 그리고 도시하지는 않았지만 상기 인터커넥터(20)는 도전성 입자(64)로 인해 표면이 볼록한 부분을 가질 수 있다.
도 17에 도시한 바와 같이, 도전성 입자(64)는 태빙 작업시에 가해지는 압력으로 인해 타원 형태로 변형될 수 있다.
전술한 실시예의 경우 전면 전극(13)의 제1 부분(13a)의 선폭(W5)이 제2 부분(13b)의 선폭(W6)과 동일하다.
이와는 달리, 전면 전극(13)의 제1 부분(13 a)과 제2 부분(13b)은 서로 다른 선폭으로 형성될 수 있다.
도 18을 참고하면, 전면 전극(13)의 제1 부분(13a)의 선폭(W5)은 제2 부분(13b)의 선폭(W6)보다 크게 형성된다. 이와 같이 제1 부분(13a)의 선폭(W5)을 제2 부분(13b)의 선폭(W6)보다 크게 형성하면, 도전성 접착 필름(60)과 전면 전극(13)의 접착 강도를 향상시키고, 접촉 저항을 감소시켜 출력 저하를 방지할 수 있다.
제2 부분(13b)의 선폭(W6)보다 큰 선폭(W5)을 갖는 제1 부분(13a)은 일부 열의 전면 전극(13)에만 형성되고, 나머지 열의 전면 전극(13)의 제1 부분(13a)은 제2 부분(13b)과 동일한 선폭을 갖는다. 즉, 도 18에 도시한 바와 같이, 제2 부분(13b)의 선폭(W6)보다 큰 선폭(W5)을 갖는 제1 부분(13a)은 짝수 열의 전면 전극(13)에만 형성되고, 홀수 열의 전면 전극(13)은 제1 부분(13a)과 제2 부분(13b)이 동일한 선폭(W5=W6)을 갖도록 형성될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제2 부분(13b)의 선폭(W6)보다 큰 선폭(W5)을 갖는 제1 부분(13a)은 홀수 열의 전면 전극에만 형성되거나, 이외의 다양한 형태로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 부분(13a)은 전면 전극(13)을 기준으로 할 때 상하 대칭으로 형성되며, 전면 전극(13)의 길이 방향으로 일정한 길이(L1)를 갖는다. 이때, 도전성 접착 필름(60)과 전면 전극(13)의 접착 강도 향상 및 접촉 저항 감소를 위해 제1 부분(13a)의 길이(L1)는 도전성 접착 필름(60)의 폭(W1) 이하로 형성되는 것이 바람직하다.
도전성 접착 필름(60)의 폭(W1)이 1㎜ 미만으로 형성되면 접촉 저항이 증가되고, 상기 폭(W1)이 20㎜를 초과하면 수광 면적이 축소되는 문제점이 있으므로, 도전성 접착 필름(60)의 폭(W1)은 1㎜ 내지 20㎜의 범위 내에서 형성하는 것이 바람직하다.
따라서, 제1 부분(13a)의 길이(L1)는 태양전지의 스펙(spec)에 따라 상기 도전성 접착 필름(60)의 폭(W1) 범위 내에서 적절히 형성할 수 있다.
이와는 달리, 도 19에 도시한 바와 같이 제2 부분(13b)의 선폭(W6)에 비해 큰 선폭(W5)을 갖는 제1 부분(13a)은 모든 열의 전면 전극(13)에 각각 형성될 수 있다.
그리고, 제1 부분(13a)은 이웃하는 제1 부분(13a)과 서로 마주보도록 돌출될 수 있으며, 도시하지는 않았지만 동일한 방향으로 돌출될 수도 있다.
이러한 특징에 따르면, 전면 전극용 집전부와 후면 전극용 집전부를 형성할 필요가 없으므로, 집전 전극 형성에 필요한 공정 및 비용을 더욱 절감할 수 있다.
또한 기판의 휨(bowing) 및 손상을 더욱 효과적으로 방지할 수 있으며, 출력 감소를 효과적으로 억제할 수 있다.
이하, 도 20을 참고하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지 패널을 설명한다. 도 20은 도 3에 도시한 태양전지 패널의 제3 실시예에 따른 주요부 분해 사시도이다.
본 실시예에서, 기판(11)의 후면에는 보호막(19)이 위치하고, 보호막(119)의 후면에는 기판(11)과 전기적으로 연결되어 있는 복수의 후면 전극(16)을 포함하는 복수의 후면전극용 도전층(16')이 위치하며, 후면 전극용 도전층(16')과 기판(11) 사이에는 후면 전계부(18')가 위치한다.
보호막(19)은 기판(11)의 후면에 위치하며, 기판(11) 표면 근처에서 전하의 재결합율을 감소시키고, 기판(11)을 통과한 빛의 내부 반사율을 향상시켜 기판(11)을 통과한 빛의 재입사율을 높인다. 이러한 보호막(19)은 단일막 또는 다중막 구조를 가진다.
후면전극용 도전층(16')은 도전성 접착 필름(60)이 접착되는 영역을 제외한 보호막(19) 위에 위치한다. 후면전극용 도전층(16')은 알루미늄(Al)과 같은 도전성 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.
후면전극용 도전층(16')은 보호막(19)을 통과하여 기판(11)의 일부와 전기적으로 연결된 복수의 후면 전극(16)을 구비한다.
도 20에 도시한 것처럼, 복수의 후면 전극(16)은 일정한 간격, 예를 들어, 약 0.5㎜ 내지 약 1㎜ 간격으로 원형, 타원형 또는 다각형과 같은 다양한 형상으로 기판(11)과 전기적으로 연결되어 있다. 하지만, 각 후면 전극(16)은 전면 전극(13)과 같이 기판(11)과 전기적으로 연결되면서 한 방향으로 길게 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 후면 전극의 개수는 원형, 타원형 또는 다각형 형상을 갖는 후면 전극의 개수보다 적다.
이러한 후면 전극(16)은 기판(11)쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집하여 후면 전극용 도전층(16')으로 전달한다.
기판(11)과 접촉하는 복수의 후면 전극(16)의 부분은 후면전극용 도전층(16')의 성분만 함유하거나 후면전극용 도전층(16')의 성분뿐만 아니라 보호막(19)과 기판(11)의 성분이 혼합되어 있다.
복수의 후면 전극(16)과 기판(11) 사이에 복수의 후면 전계부(18')가 위치한다. 복수의 후면 전계부(18')는 기판(11)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(11)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, P+ 영역이다.
복수의 후면 전극(16)이 전면 전극(13)과 같이 기판(11)과 전기적으로 연결되면서 한 방향으로 길게 뻗어 있는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 경우, 후면 전계부(18') 역시 후면 전극(16)과 동일하게 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다.
이러한 구성의 후면 전극(16) 및 후면전계부(18')는 보호막(19) 위에 후면 전극용 도전층(16')을 형성한 후, 일정한 영역에 레이저 빔을 조사하여 후면전극용 도전층(16'), 보호막(19) 및 기판(11)이 서로 혼합된 부분(molten mixture)을 형성하고, 기판(11)을 약 750℃ 내지 약 800℃의 온도에서 소성(firing)하는 것에 따라 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 태양전지 11: 기판
12: 에미터부 13: 전면 전극
14: 전면 전극용 집전부 15: 반사방지막
16: 후면 전극 17: 후면 전계부
20: 인터커넥터 30a, 30b: 보호막
40: 투명 부재 50: 후면 시트
60, 160: 도전성 접착 필름 64, 164: 도전성 입자
12: 에미터부 13: 전면 전극
14: 전면 전극용 집전부 15: 반사방지막
16: 후면 전극 17: 후면 전계부
20: 인터커넥터 30a, 30b: 보호막
40: 투명 부재 50: 후면 시트
60, 160: 도전성 접착 필름 64, 164: 도전성 입자
Claims (20)
- 기판, 및 상호간에 일정한 공간을 두고 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 복수의 후면 전극을 각각 포함하는 복수의 태양전지들;
수지 및 상기 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자를 포함하고, 상기 공간을 통해 노출된 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 도전성 접착 필름; 및
상기 도전성 접착 필름의 후면(back surface)에 위치하며, 상기 도전성 접착 필름과 직접 접촉하는 인터커넥터
를 포함하며,
상기 도전성 접착 필름은 상기 후면 전극 사이의 상기 공간을 통해 노출된 상기 기판의 후면과 직접 접촉하는 태양전지 패널. - 제1항에서,
상기 도전성 접착 필름은 상기 기판의 후면과 직접 접촉하는 태양전지 패널. - 제1항에서,
상기 기판의 후면 내측에는 후면 전계부가 위치하는 태양전지 패널. - 제3항에서,
상기 후면 전계부는 상기 후면 전극과 동일한 패턴으로 형성되는 태양전지 패널. - 제3항에서,
상기 후면 전계부는 상기 후면 전극이 위치하는 영역 및 상기 공간이 위치하는 영역의 기판 후면에 형성되는 태양전지 패널. - 제1항에서,
상기 도전성 접착 필름과 상기 후면 전극이 서로 동일한 두께로 형성되는 태양전지 패널. - 제6항에서,
상기 인터커넥터와 상기 공간이 서로 동일한 폭으로 형성되는 태양전지 패널. - 제6항에서,
상기 인터커넥터와 상기 공간이 서로 다른 폭으로 형성되는 태양전지 패널. - 제1항에서,
상기 도전성 접착 필름과 상기 후면 전극이 서로 다른 두께로 형성되는 태양전지 패널. - 제9항에서,
상기 인터커넥터와 상기 공간이 서로 동일한 폭으로 형성되는 태양전지 패널. - 제9항에서,
상기 인터커넥터와 상기 공간이 서로 다른 폭으로 형성되는 태양전지 패널. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
상기 복수의 도전성 입자는 상기 기판 및 상기 인터커넥터 중 적어도 하나와 직접 접촉하는 태양전지 패널. - 제12항에서,
상기 복수의 도전성 입자는 인접한 도전성 입자들과 서로 전기적으로 연결되는 태양전지 패널. - 제12항에서,
상기 복수의 도전성 입자는 상기 기판 및 상기 인터커넥터와 각각 직접 접촉하는 태양전지 패널. - 제12항에서,
상기 태양전지는 상기 기판의 수광면에 위치하는 에미터부, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극, 및 상기 전면 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부 위에 위치하는 반사방지막을 더 포함하는 태양전지 패널. - 제15항에서,
상기 태양전지는 상기 전면 전극과 교차하는 방향으로 상기 에미터부 위에 위치하는 전면 전극용 집전부를 더 포함하는 태양전지 패널. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서,
상기 복수의 도전성 입자와 기판 사이 및 상기 복수의 도전성 입자와 인터커넥터 사이에 상기 수지가 위치하는 태양전지 패널. - 제17항에서,
상기 복수의 도전성 입자는 인접한 도전성 입자들과 서로 전기적으로 연결되는 태양전지 패널. - 제17항에서,
상기 태양전지는 상기 기판의 수광면에 위치하는 에미터부, 상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 전면 전극, 및 상기 전면 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부 위에 위치하는 반사방지막을 더 포함하는 태양전지 패널. - 제19항에서,
상기 태양전지는 상기 전면 전극과 교차하는 방향으로 상기 에미터부 위에 위치하는 전면 전극용 집전부를 더 포함하는 태양전지 패널.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160062068A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 선파워 코포레이션 | 기계적으로 변형된 금속 입자 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5879514B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2016-03-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
| US8975510B2 (en) * | 2011-03-25 | 2015-03-10 | Cellink Corporation | Foil-based interconnect for rear-contact solar cells |
| US10383207B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-08-13 | Cellink Corporation | Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells |
| WO2014192272A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN107068776A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-08-18 | 合肥海润光伏科技有限公司 | 一种嵌套式叠片太阳电池及其制备方法 |
| KR102530258B1 (ko) | 2017-07-13 | 2023-05-08 | 셀링크 코포레이션 | 인터커넥트 회로 방법 및 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090073218A (ko) * | 2006-10-10 | 2009-07-02 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접속 구조 및 그의 제조 방법 |
| KR20100011943A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지의 제조 방법 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4542258A (en) * | 1982-05-28 | 1985-09-17 | Solarex Corporation | Bus bar interconnect for a solar cell |
| JPH036867A (ja) * | 1989-06-05 | 1991-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置 |
| US5178685A (en) * | 1991-06-11 | 1993-01-12 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells |
| JP3448924B2 (ja) * | 1993-11-25 | 2003-09-22 | 富士電機株式会社 | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2001202822A (ja) | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| WO2005053039A2 (en) * | 2003-11-27 | 2005-06-09 | Kyocera Corporation | Solar cell module |
| JP4248389B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法と太陽電池モジュールの製造装置 |
| JP4986615B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2012-07-25 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 太陽電池用電極線材 |
| WO2006011595A1 (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子とその製造方法 |
| JP4839622B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | 接着フィルム及びこれを備える積層体 |
| JP5025135B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
| US20070235077A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | Solar Cell Module and Manufacturing Process Thereof |
| CN103068182B (zh) * | 2006-08-29 | 2015-10-28 | 日立化成株式会社 | 导电性粘结薄膜和太阳能电池模块 |
| JP4294048B2 (ja) | 2006-11-29 | 2009-07-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2008205137A (ja) | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| US20090025786A1 (en) | 2007-05-07 | 2009-01-29 | Georgia Tech Research Corporation | Solar cell having high quality back contact with screen-printed local back surface field |
| JP2009146578A (ja) | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Noritake Co Ltd | 太陽電池および太陽電池用アルミニウムペースト |
| JP5147672B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| US20090266399A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Basol Bulent M | Metallic foil substrate and packaging technique for thin film solar cells and modules |
| TWI362759B (en) | 2008-06-09 | 2012-04-21 | Delsolar Co Ltd | Solar module and system composed of a solar cell with a novel rear surface structure |
| CN102077359B (zh) | 2008-06-26 | 2012-10-03 | 三菱电机株式会社 | 太阳能电池单元及其制造方法 |
-
2010
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090073218A (ko) * | 2006-10-10 | 2009-07-02 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접속 구조 및 그의 제조 방법 |
| KR20100011943A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 태양 전지 모듈의 제조 방법 및 태양 전지의 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160062068A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 선파워 코포레이션 | 기계적으로 변형된 금속 입자 |
| KR102306614B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2021-09-29 | 선파워 코포레이션 | 기계적으로 변형된 금속 입자 |
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