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KR101188077B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR101188077B1
KR101188077B1 KR1020110108796A KR20110108796A KR101188077B1 KR 101188077 B1 KR101188077 B1 KR 101188077B1 KR 1020110108796 A KR1020110108796 A KR 1020110108796A KR 20110108796 A KR20110108796 A KR 20110108796A KR 101188077 B1 KR101188077 B1 KR 101188077B1
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coating
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Inventor
요시하루 오오타
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는, 스핀레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급내지 도포하는 처리 동작의 택트 타임을 단축함과 동시에 피처리 기판상에 처리액의 도포막을 도포 얼룩짐이 없는 균일한 막두께로 형성하는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램에 관한 것으로서, 스테이지(76)은 그 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 반입 영역(M1), 천이 영역(M2), 도포 영역(M3), 천이 영역(M4), 반출 영역(M5)로 분할되고 있다. 도포 영역(M3)는 정압의 분출구(88)과 부압의 흡인구(90)을 혼재시키고 있고, 기판(G)의 부상 고도(Hb)를 높은 정밀도로 설정값에 유지할 수 있다. 기판(G)는 이 도포 영역(M3)를 통과할 때에 윗쪽의 레지스트 노즐(78)로부터 레지스트액(R)의 공급을 받는다. 레지스트 노즐(78)은 스테이지(76)상의 기판(G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 Y방향으로 연장하는 장척 형상의 노즐 본체를 갖고, 도포 처리시에는 기판(G)의 반송 방향과 반대 방향으로 제 1의 위치로부터 제 2의 위치까지 이동한다.An object of the present invention is to shorten the tact time of a processing operation for supplying or applying a processing liquid onto a target substrate in a spinless method, and at the same time to uniformly apply a coating film of the processing liquid onto the target substrate. It is to provide a technology to form.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing program, wherein the stage 76 includes five loading regions M 1 , transition regions M 2 , and an application region in the longitudinal direction (X direction). It is divided into M 3 , transition region M 4 , and carry-out region M 5 . The coating area M 3 mixes the jetting port 88 of positive pressure and the suction port 90 of negative pressure, and can maintain the floating height H b of the board | substrate G at a high precision with a set value. The substrate G is supplied with the resist liquid R from the upper resist nozzle 78 when passing through the application region M 3 . The resist nozzle 78 has a long nozzle body extending in the Y direction in a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end, and during the coating process, the transfer direction of the substrate G Move from the first position to the second position in the opposite direction to.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급해 처리를 실시하는 기술과 관련되고, 특히 스핀레스 방식에서 기판상에 처리액을 도포하는 기판 처리 기술에 관한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a technique for supplying a processing liquid onto a substrate to be treated, and more particularly, a substrate processing technique for applying a processing liquid onto a substrate in a spinless method.

최근 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피공정에서는, 피처리 기판(예를 들어 유리 기판)의 대형화에 유리한 레지스트 도포법으로서, 기판에 대해서 긴형의 레지스트 노즐보다 레지스트액을 띠형상으로 토출 시키면서 레지스트 노즐을 상대 이동 또는 주사시킴으로써 회전운동을 필요로 하는 경우 없이 기판상에 원하는 막두께로 레지스트액을 도포하도록 한 스핀레스 방식이 보급되어 있다.In the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD) in recent years, as a resist coating method which is advantageous for the enlargement of a to-be-processed substrate (for example, a glass substrate), a resist liquid is stripped rather than a long resist nozzle with respect to a board | substrate. There is a widespread spinless method in which a resist liquid is applied to a desired film thickness on a substrate without requiring rotational motion by relatively moving or scanning the resist nozzle while discharging the resin.

스핀레스 방식에 의한 종래의 레지스트 도포 장치는 예를 들어 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이 스테이지상에 수평으로 고정 적재되는 기판과 스테이지 윗쪽에 설치되는 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 수백μm이하의 미소 갭을 설정하고, 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 긴 방향과 직교하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 토출시키도록 하고 있다. 이런 종류의 레지스트 노즐은 노즐 본체를 횡장 또는 장척 형상으로 형성해 구경이 매우 작은 미세지름(예를 들어 1OOμm정도)의 토출구로부터 레지스트액을 띠형상으로 토출하도록 구성되고 있다. 이러한 긴형 레지스트 노즐의 주사에 의한 도포 처리가 종료하면, 해당 기판은 반송 로보트 또는 반송 아암에 의해 스테이지로부터 꺼내져 장치밖에 반출된다. 직후에 후속의 새로운 기판이 반송 로보트에 의해 장치에 반입되고 스테이지상에 적재된다. 그리고 이 새로운 기판에 대해서 레지스트 노즐의 주사에 의해 상기와 같은 도포 처리가 반복된다.Conventional resist coating apparatuses using a spinless method have a microgap of several hundred μm or less between a substrate fixedly stacked on a stage horizontally and a discharge port of a resist nozzle provided on the stage, as described in Patent Document 1, for example. The resist liquid is discharged onto the substrate while the resist nozzle is moved in the scanning direction (typically in the horizontal direction perpendicular to the nozzle long direction). This type of resist nozzle is configured to form a nozzle body in a horizontal or elongated shape and to discharge the resist liquid in a band form from a discharge hole having a very small diameter (for example, about 100 µm). When the application | coating process by scanning of such a long type resist nozzle is complete | finished, the said board | substrate is taken out from a stage by a conveyance robot or a conveyance arm, and it is carried out outside an apparatus. Immediately thereafter, the next new substrate is brought into the apparatus by the transfer robot and loaded onto the stage. The application process as described above is repeated for the new substrate by scanning the resist nozzle.

상기와 같은 스핀레스 방식의 레지스트 도포 장치에서는 처리완료된 기판을 스테이지에서 언로딩 내지 반출하여 스테이지 상면을 완전하게 빈 상태로 하지 않는 이상, 후속의 새로운 기판을 스테이지상에 반입 내지 적재할 수가 없다. 이 때문에 레지스트 노즐을 주사시키는 동작의 소요 시간(Tc)에, 미처리의 기판을 스테이지상에 반입 내지 로딩 하는 동작의 소요 시간(Tin)과, 처리완료된 기판을 스테이지에서 언로딩 내지 반출하는 동작의 소요 시간(Tout)를 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간(Tc+Tin+Tout)이 그대로 택트 타임이 되어 택트 타임의 단축화가 어렵다고 하는 문제가 있다.In the spinless resist coating apparatus as described above, a subsequent new substrate cannot be loaded or loaded onto the stage unless the processed substrate is unloaded or unloaded from the stage so that the upper surface of the stage is completely empty. For this reason, operation of a time (Tc) of the operation of scanning the resist nozzle and unloading to export the time (T in), and processing is complete the substrate of the operation of importing to load the substrate unprocessed on the stage on the stage There is a problem that the required time (Tc + T in + Tout) of one cycle of the coating treatment plus the required time Tout becomes the tact time as it is, so that the tact time is shortened.

(특허 문헌 1) 일본국 특개평10-156255(Patent Document 1) Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로 스핀레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급 내지 도포하는 처리 동작의 택트 타임을 단축하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and provides a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing program for shortening the tact time of a processing operation for supplying or applying a processing liquid onto a target substrate in a spinless method. It aims to provide.

본 발명의 다른 목적은 부상 반송 방식에 있어서 피처리 기판상에 처리액의 도포막을 도포 얼룩짐이 없는 균일한 막두께로 형성할 수 있도록 한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing program which enable a coating film of a processing liquid to be formed on a substrate to be treated with a uniform film thickness without coating unevenness in a floating conveying method. have.

상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 기판 처리 장치는 피처리 기판보다 면적이 작은 제 1의 부상 영역을 갖고, 상기 제 1의 부상 영역내의 각 위치에서 상기 기판에 거의 균일한 부상력을 주는 스테이지와, 상기 기판을 부상한 상태로 소정의 기판 반송 방향으로 상기 제 1의 부상 영역을 통과시키는 기판 반송부와, 상기 기판이 상기 제 1의 부상 영역을 통과하는 도중에 그 영역의 거의 전역을 덮고 있는 동안에 상기 기판의 피처리면에 처리액을 공급하는 동작을 실행하는 처리액 공급부를 가진다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention has a first floating area having a smaller area than the substrate to be processed and gives a substantially uniform floating force to the substrate at each position in the first floating area. And a substrate conveying portion for passing the first floating region in a predetermined substrate conveying direction with the substrate floating thereon, and covering the entire entire area of the region while the substrate passes the first floating region. Has a processing liquid supply unit that performs an operation of supplying the processing liquid to the processing target surface of the substrate.

또 본 발명의 기판 처리 방법은 스테이지상에 반송 방향을 따라 피처리 기판보다 사이즈가 큰 반입 영역과, 상기 기판보다 사이즈가 작은 도포 영역과, 상기 기판보다 사이즈가 큰 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설정하고, 상기 스테이지의 상면에 설치한 다수의 분출구에서 분출하는 기체의 압력으로 상기 기판을 부상시켜, 상기 도포 영역에서는 그 영역 내의 각 위치에서 상기 기판에 거의 균일한 부상력을 주고, 상기 기판을 상기 반입 영역으로부터 상기 반출 영역까지 반송하는 도중에 상기 기판이 상기 도포 영역의 거의 전역을 덮고 있는 동안 상기 기판의 피처리면에 처리액을 도포하는 처리를 실행한다.In the substrate processing method of the present invention, an import region having a larger size than a substrate to be processed, an application region having a size smaller than the substrate, and an export region having a size larger than the substrate are arranged in this order along the transport direction on the stage. The substrate is floated by the pressure of the gas ejected from a plurality of ejection openings provided on the upper surface of the stage, and in the coating area, the substrate is given a substantially uniform flotation force at each position within the region. During the conveyance from the carry-in area to the carry-out area, a process of applying the processing liquid to the to-be-processed surface of the substrate is performed while the substrate covers almost the entire area of the application area.

또 본 발명의 기판 처리 프로그램은 상면에 다수의 분출구를 가지는 스테이지의 반입 위치에 피처리 기판을 반입하는 스텝과, 상기 스테이지상에서 상기 기판을 원하는 높이에 부상한 상태로 상기 반입 위치로부터 소정 거리 이격된 제 1의 위치에 상기 기판의 전단이 도달할 때까지 제 1의 속도로 반송하는 스텝과, 상기 스테이지상에서 상기 기판을 원하는 높이에 부상한 상태로 상기 반입 위치와 상기 제 1의 위치의 사이로 설정된 제 2의 위치에 상기 기판의 후단이 도달할 때까지 제 2의 속도로 반송하는 스텝과, 상기 제 2의 속도에서의 반송중에 상기 기판의 피처리면에 처리액을 도포하는 스텝과, 도포 종료후에 상기 기판을 원하는 높이에 부상한 상태로 반출 위치까지 제 3의 속도로 반송하는 스텝을 실행한다.In addition, the substrate processing program of the present invention includes a step of bringing a substrate to be processed into a loading position of a stage having a plurality of ejection openings on an upper surface thereof, and spaced a predetermined distance from the loading position in a state in which the substrate is floated on a desired height on the stage. A step of conveying at a first speed until the front end of the substrate reaches a first position, and a second set between the carry-in position and the first position in a state in which the substrate is floated at a desired height on the stage. A step of conveying at a second speed until the rear end of the substrate reaches the second position; a step of applying a processing liquid to the surface to be processed of the substrate during conveyance at the second speed; A step of carrying the substrate at a third speed is carried out to the carrying out position while the substrate is floated at a desired height.

본 발명에서는 기판이 스테이지의 제 1의 부상 영역(도포 영역)을 통과하는 도중에 그 영역의 거의 전역을 덮고 있는 동안에 기판의 피처리면에 처리액을 공급하는 처리(도포 처리)를 실행하도록 했으므로, 도포 처리의 개시부터 종료까지 전기간을 통해서 반송중의 기판의 부상 고도를 제 1의 부상 영역(도포 영역) 내에서 설정값으로 유지해 기판상에 도포 얼룩짐을 일으키는 경우 없이 일정한 막두께로 처리액의 도포막을 형성할 수가 있다. 또 제 1의 부상 영역을 사이에 두고, 하류측(반출 영역)에서 처리완료된 기판을 스테이지 밖에 반출하는 동작과, 상류측(반입 영역)에서 다음에 처리를 받는 신규 기판을 스테이지상에 반입하는 동작을 독립적 또는 병렬적으로 실시할 수 있으므로 택트 타임을 짧게 할 수가 있다.In the present invention, since the substrate is subjected to the processing (coating process) of supplying the processing liquid to the to-be-processed surface of the substrate while the substrate is covering almost the entire area while passing through the first floating region (coating region) of the stage, the coating is performed. From the start to the end of the process, the floating height of the substrate being transported is maintained at the set value in the first floating area (coating area) to maintain the coating film with a constant film thickness without causing coating smear on the substrate. It can be formed. Moreover, the operation | movement which takes out the processed board | substrate on the downstream side (export area | region) out of a stage with a 1st floating area between, and the operation | movement which carries in the next process the new board | substrate which is processed next from an upstream (import area | region) on a stage. Can be performed independently or in parallel, so that the tact time can be shortened.

본 발명의 매우 적합한 한 형태에 의하면, 처리액 공급부가, 반송 방향에 있어서 기판의 전단부가 제 1의 부상 영역의 하류측의 단부 부근에 위치하는 상태로 처리액 공급 동작을 개시하고, 기판의 후단부가 제 1의 부상 영역의 상류측의 단부 부근에 위치하는 상태로 처리액 공급 동작을 종료한다. 이 경우 기판 반송부는 처리액 공급 동작의 실행중에 기판을 반송 방향으로 비교적 고속의 일정한 속도로 반송하는 것이 바람직하고, 기판의 전단부가 제 1의 부상 영역의 하류측 단부 부근의 소정 위치에 도달했을 때는 처리액 공급 동작의 개시를 위해서 기판을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 처리액 공급부의 한 형태로서 제 1의 부상 영역내에서 기판의 피처리면을 향해 윗쪽으로부터 처리액을 토출하는 노즐과, 이 노즐에 처리액을 보내는 처리액 공급원과, 처리액의 토출을 개시하는 제 1의 노즐 위치로부터 처리액의 토출을 종료하는 제 2의 노즐 위치까지 처리액 공급 동작중에 노즐을 이동시키는 노즐 이동부를 가지는 구성이 바람직하다. 이 노즐은 반송 방향과 교차(예를 들어 직교)하는 수평 방향으로 연장하는 미세지름의 토출구를 가져도 좋다. 노즐 이동부는 노즐을 반송 방향과 반대의 방향으로 제 1의 노즐 위치로부터 제 2의 노즐 위치까지 비교적 저속의 일정한 속도로 이동시켜도 좋다. 바람직하게는 제 1의 노즐 위치는 제 1의 부상 영역의 하류측의 단부 부근으로 설정되고, 제 2의 노즐 위치는 제 1의 부상 영역의 상류측의 단부 부근으로 설정된다. 또 바람직하게는 처리액 공급부가 노즐을 승강 이동시키는 노즐 승강부를 가져도 좋고, 예를 들어 제 1의 노즐 위치에서 노즐을 퇴피용의 윗쪽의 높이 위치로부터 기판과 소정의 갭을 형성하는 처리액 토출용의 높이 위치까지 내리고, 제 2의 노즐 위치에서 노즐을 처리액 토출용의 높이 위치에서 윗쪽의 높이 위치까지 상승 또는 퇴피시켜도 좋다.According to a very suitable aspect of the present invention, the processing liquid supply unit starts the processing liquid supply operation in a state where the front end portion of the substrate is located near the end portion on the downstream side of the first floating region in the conveying direction, and the rear end of the substrate. The processing liquid supplying operation is finished in the state of being located near the end on the upstream side of the first floating region. In this case, it is preferable that the substrate conveyance unit conveys the substrate at a relatively high speed in the conveying direction during the execution of the processing liquid supply operation, and when the front end portion of the substrate reaches a predetermined position near the downstream end of the first floating region. It is preferable to stop the substrate once to start the processing liquid supply operation. As a form of the processing liquid supply unit, a nozzle for discharging the processing liquid from the top toward the processing target surface of the substrate in the first floating region, a processing liquid supply source for sending the processing liquid to the nozzle, and a process for discharging the processing liquid It is preferable to have a nozzle moving portion for moving the nozzle during the processing liquid supply operation from the nozzle position of 1 to the second nozzle position where the discharge of the processing liquid is terminated. This nozzle may have a fine diameter discharge port extending in the horizontal direction crossing (for example, orthogonal to) the conveying direction. The nozzle moving unit may move the nozzle at a relatively slow constant speed from the first nozzle position to the second nozzle position in the direction opposite to the conveying direction. Preferably, the first nozzle position is set near the end on the downstream side of the first floating region, and the second nozzle position is set near the end on the upstream side of the first floating region. Further preferably, the processing liquid supply unit may have a nozzle raising and lowering portion for moving the nozzle up and down. For example, the processing liquid discharged to form a predetermined gap with the substrate from an upper height position for retracting the nozzle at the first nozzle position. The nozzle may be lowered to the height position of the dragon, and the nozzle may be raised or retracted from the height position for discharging the processing liquid to an upper height position at the second nozzle position.

또 본 발명의 기판 처리 장치에 있어서 매우 적합한 한 형태에 의하면, 스테이지의 제 1의 부상 영역내에 다수 설치된 기체를 분출하는 분출구와, 스테이지의 제 1의 부상 영역내에 상기 분출구와 혼재해 다수 설치된 기체를 흡입하는 흡인구와, 제 1의 부상 영역을 통과하는 기판에 대해서 분출구에서 가해지는 수직 상향의 압력과 흡인구에서 가해지는 수직 하향 압력의 밸런스를 제어하는 부양 제어부가 설치된다.According to one aspect of the substrate processing apparatus of the present invention, there is provided an ejection port for ejecting a plurality of gases provided in the first floatation region of the stage, and a gas provided in a plurality of the ejection openings in the first floatation region of the stage. A suction control unit for controlling the balance between the vertical upward pressure applied at the jet port and the vertical downward pressure applied at the suction port is provided for the suction port to be sucked and the substrate passing through the first floating region.

또한 매우 적합한 한 형태에 의하면, 스테이지의 반송 방향에 있어서 제 1의 부상 영역의 상류 측에 기판을 부상시키는 제 2의 부상 영역이 설치되고, 이 제 2의 부상 영역에 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치된다. 이 제 2의 부상 영역에 있어서의 부상 고도는 제 1의 부상 영역에 있어서의 부상 고도보다 높은 편이 좋다. 반입부는 스테이지상의 반입 위치에서 기판을 핀선단으로 지지하기 위한 복수개의 제 1의 리프트핀과, 이들의 리프트핀을 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치의 사이에서 승강 이동시키는 제 1의 리프트핀 승강부를 가진다.According to a very suitable aspect, a second floating area for floating the substrate upstream of the first floating area in the conveying direction of the stage is provided, and a carrying portion for carrying the substrate into the second floating area is provided. Is installed. The height of the injury in the second injury area is preferably higher than the height of the injury in the first injury area. The carry-in section includes a plurality of first lift pins for supporting the substrate to the pin tip at a carry-on position on the stage, and first lift pins for moving these lift pins up and down between the original position under the stage and the traveling position above the stage. Have a lift.

또 매우 적합한 한 형태에 의하면, 스테이지의 반송 방향에 있어서 제 1의 부상 영역의 하류 측에 기판을 부상시키는 제 3의 부상 영역이 설치되고, 이 제 3의 부상 영역에 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치된다. 이 제 3의 부상 영역에 있어서의 부상 고도는 제 1의 부상 영역에 있어서의 부상 고도보다 높은편이 좋다. 반출부는 스테이지상의 반입 위치에서 기판을 핀선단으로 지지하기 위한 복수개의 제 2의 리프트핀과, 이들의 리프트핀을 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치의 사이에 승강 이동시키는 제 2의 리프트핀 승강부를 가진다.According to a very suitable aspect, a third floating area for floating the substrate on the downstream side of the first floating area in the conveying direction of the stage is provided, and a carrying portion for carrying out the substrate to the third floating area is provided. Is installed. The height of the injury in the third injury region is preferably higher than the height of the injury in the first injury region. The carry-out part has a plurality of second lift pins for supporting the substrate to the pin tip at the loading position on the stage, and second lift pins for moving these lift pins up and down between the original position under the stage and the traveling position above the stage. Have a lift.

매우 적합한 한 형태에 의하면, 기판 반송부가 기판의 이동하는 방향과 평행에 연장하도록 스테이지의 편측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과, 이 가이드 레일을 따라 이동 가능한 슬라이더와, 이 슬라이더를 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와, 슬라이더로부터 스테이지의 중심부를 향해 연장하고 기판의 측테두리부를 탈착 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부를 가진다.According to a very suitable aspect, a guide rail disposed on one side or both sides of the stage so that the substrate carrier extends in parallel with the moving direction of the substrate, a slider movable along the guide rail, and the slider moved along the guide rail It has a conveyance drive part which drives so that it may drive, and the holding part which extends toward a center part of a stage from a slider, and detachably holds the side edge part of a board | substrate.

본 발명의 기판 처리 장치 기판 처리 방법 또는 기판 처리 프로그램에 의하면, 상기와 같은 구성과 작용에 의해 스핀레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급 내지 도포하는 처리 동작의 택트 타임을 단축 가능할 뿐만 아니라, 부상 반송 방식에 있어서 기판상에 처리액의 도포막을 도포 얼룩짐이 없는 균일한 막두께로 형성할 수가 있다.According to the substrate processing apparatus substrate processing method or substrate processing program of the present invention, it is possible to shorten the tact time of the processing operation of supplying or applying the processing liquid onto the processing target substrate in a spinless manner by the above-described configuration and operation. In the floating conveying method, the coating film of the processing liquid can be formed on the substrate with a uniform film thickness without coating unevenness.

도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다.
도 3은 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유니트 및 감압 건조 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 5는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 정면도이다.
도 6은 실시 형태의 스테이지 도포 영역에 있어서의 분출구와 흡입구의 배열 패턴의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 7은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 대략 측면도이다.
도 8은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.
도 9는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 10은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보유 지지부의 일 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 11은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 분출 제어부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 12는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 스테이지 내부의 유로의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 13은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 제어계의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 14는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.
도 15는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.
도 16은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.
도 17은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.
도 18은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.
도 19는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트의 주요부에 있어서의 도포 처리 동작의 일 단계를 나타내는 대략 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.
2 is a flowchart showing a procedure of a process in the coating and developing processing system of the embodiment.
3 is a plan view schematically illustrating the entire configuration of a resist coating unit and a reduced pressure drying unit in the coating and developing processing system of the embodiment.
4 is a perspective view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment;
5 is a substantially front view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment.
It is a top view which shows an example of the arrangement pattern of a jet port and a suction port in the stage application | coating area | region of embodiment.
FIG. 7 is a partial cross-sectional side view schematically showing the configuration of the substrate transfer unit in the resist coating unit of the embodiment. FIG.
8 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment.
9 is a perspective view showing the structure of a pad portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment;
10 is a perspective view illustrating a modification of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment.
It is sectional drawing which shows the structure of the ejection control part in the resist coating unit of embodiment.
12 is a partial cross-sectional view showing a configuration of a flow path inside a stage in the resist coating unit of the embodiment.
13 is a block diagram showing the configuration of a control system in the resist coating unit of the embodiment.
14 is a schematic side view showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.
15 is a schematic side view showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.
16 is a side view schematically showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.
17 is a schematic side view showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.
18 is a schematic side view showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.
19 is a schematic side view showing one step of the coating processing operation in the main part of the resist coating unit of the embodiment.

이하 첨부도를 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following describes a very suitable embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1에 본 발명의 기판 처리 장치가 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 이 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸내에 설치되어 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 하고, LCD 제조 프로세스에 있어서 포트리소그래피공정도안의 세정, 레지스트 도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접해 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as a structural example to which the substrate processing apparatus of the present invention is applicable. This coating and developing processing system is installed in a clean room, for example, using an LCD substrate as a substrate to be treated, and performing cleaning, resist coating, prebaking, developing, and postbaking in a port lithography process drawing in the LCD manufacturing process. It is. Exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.

이 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어 카셋트 스테이션(C/S, 10)과, 프로세스 스테이션(P/S, 12)와, 인터페이스부(I/F, 14)로 구성된다.This coating and developing processing system is largely divided into a cassette station (C / S, 10), a process station (P / S, 12), and an interface unit (I / F, 14).

시스템의 일단부에 설치되는 카셋트 스테이션(C/S, 10)은 복수의 기판(G)를 수용하는 카셋트(C)를 소정수 예를 들어 4개까지 적재 가능한 카셋트 스테이지(16)과 이 카셋트 스테이지(16)상의 옆쪽으로 또한 카셋트(C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로(17)과, 이 반송로(17)상에서 이동 자유롭게 스테이지(16)상의 카셋트(C)에 대해서 기판(G)의 출입을 실시하는 반송 기구(20)을 갖추고 있다. 이 반송 기구(20)은 기판(G)를 보유 지지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암을 가지고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고 후술하는 프로세스 스테이션(P/S, 12)측의 반송 장치(38)과 기판(G)의 전달을 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station C / S 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 capable of loading a predetermined number of cassettes C for accommodating a plurality of substrates G, for example up to four, and the cassette stages. The substrate (G) with respect to the cassette (C) on the stage (16) freely moveable on the conveying path (17) provided on the side of the (16) and parallel to the arrangement direction of the cassette (C). The conveyance mechanism 20 which performs entrance and exit is provided. This conveyance mechanism 20 has means which can hold | maintain the board | substrate G, for example, has a conveyance arm, is operable by four axes of X, Y, Z, and (theta), and is described later. The conveyance apparatus 38 and the board | substrate G of the side can be conveyed.

프로세스 스테이션(P/S, 12)는 상기 카셋트 스테이션(C/S, 10)측으로부터 순서대로 세정 프로세스부(22)와, 도포 프로세스부(24)와, 현상 프로세스부(26)을 기판 중계부(23), 약액 공급 유니트(25) 및 스페이스(27)을 개재하여(끼워서) 횡일렬로 설치하고 있다.The process station (P / S, 12) is a substrate relay unit for cleaning process unit 22, coating process unit 24, and developing process unit 26 in order from the cassette station (C / S, 10) side. (23), the chemical liquid supply unit 25 and the space 27 are provided in a horizontal line via (interposed).

세정 프로세스부(22)는 2개의 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)과, 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)과, 가열 유니트(HP, 32)와, 냉각 유니트(COL, 34)를 포함하고 있다.The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR) 28, two upper and lower ultraviolet irradiation / cooling units (UV / COL, 30), heating units (HP, 32), and cooling units (COL). , 34).

도포 프로세스부(24)는 스핀레스 방식의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과, 감압 건조 유니트(VD, 42)와, 상하 2단형 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)과, 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)과, 가열 유니트(HP, 50)을 포함하고 있다.The coating process section 24 includes a spinless resist coating unit (CT, 40), a reduced pressure drying unit (VD, 42), a top and bottom two-stage ad-hire / cooling unit (AD / COL, 46), and top and bottom two. A short heating / cooling unit (HP / COL, 48) and a heating unit (HP, 50) are included.

현상 프로세스부(26)은 3개의 현상 유니트(DEV, 52)와, 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)과, 가열 유니트(HP, 55)를 포함하고 있다.The developing process unit 26 includes three developing units DEV 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units HP / COL 53, and heating units HP 55.

각 프로세스부(22)(24)(26)의 중앙부에는 긴 방향에 반송로(36)(51)(58)이 설치되고, 반송 장치(36)(54)(60)이 각각 반송로(36)(51)(58)을 따라 이동해 각 프로세스부 내의 각 유니트에 액세스해 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 실시하도록 되어 있다. 또한 이 시스템에서는 각 프로세스부(22)(24)(26)에 있어서 반송로(36)(51)(58)의 한쪽에 액처리계의 유니트(SCR,CT,DEV 등)이 배치되고, 다른쪽에 열처리계의 유니트(HP, COL 등)가 배치되고 있다.The conveyance paths 36, 51, 58 are provided in the center part of each process part 22, 24, 26 in the longitudinal direction, and the conveying apparatus 36, 54, 60 is conveyed path 36, respectively. (51) and (58), each unit in each process unit is accessed to carry in, carry out, or transport the substrate (G). In this system, a unit (SCR, CT, DEV, etc.) of a liquid treatment system is disposed in one of the conveyance paths 36, 51, 58 in each of the process units 22, 24, 26, and the other. The heat treatment unit (HP, COL, etc.) is arrange | positioned at the side.

시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F, 14)는 프로세스 스테이션(12)와 인접하는 측에 익스텐션(기판 전달부, 56) 및 버퍼 스테이지(57)을 설치하고, 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구(59)를 설치하고 있다. 이 반송 기구(59)는 Y방향으로 연장하는 반송로(19)상에서 이동 자유롭고, 버퍼 스테이지(57)에 대해서 기판(G)의 출입을 실시하는 외에 익스텐션(기판 전달부, 56)이나 근처의 노광 장치와 기판(G)의 전달을 실시하도록 되어 있다.The interface unit I / F 14 provided at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit 56) and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12 and adjacent to the exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 is provided in the side. The conveyance mechanism 59 is free to move on the conveyance path 19 extending in the Y direction, allows the substrate G to enter and exit the buffer stage 57, and exposes the extension (substrate transfer part 56) and the exposure of the vicinity. The transfer of the device and the substrate G is made.

도 2에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저 카셋트 스테이션(C/S, 10)에 있어서 반송 기구(20)이 스테이지(16)상의 소정의 카셋트(C)중에서 1개의 기판(G)를 꺼내 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 세정 프로세스부(22)의 반송 장치(38)에 건네준다(스텝 S1).2 shows a procedure of the treatment in this coating and developing treatment system. First, in the cassette station C / S, 10, the conveyance mechanism 20 takes out one board | substrate G from the predetermined | prescribed cassette C on the stage 16, and the cleaning process of the process station P / S, 12 is carried out. It passes to the conveying apparatus 38 of the part 22 (step S1).

세정 프로세스부(22)에 있어서 기판(G)는 먼저 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)에 차례로 반입되고, 최초의 자외선 조사 유니트(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 행하고, 다음의 냉각 유니트(COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.In the cleaning process part 22, the board | substrate G is first carried in to ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30 one by one, and the first ultraviolet irradiation unit UV performs dry cleaning by ultraviolet irradiation, and then, Is cooled to a predetermined temperature in the cooling unit COL (step S2). In this ultraviolet cleaning, the organic substance of the surface of a board | substrate is mainly removed.

다음에 기판(G)는 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)의 하나에서 스크러빙 세정 처리를 받고, 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정 후, 기판(G)는 가열 유니트(HP, 32)에서 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4) 그 다음에 냉각 유니트(COL, 34)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부(22)에 있어서의 사전 처리가 종료하고, 기판(G)는 반송 장치(38)에 의해 기판 전달부(23)을 통해 도포 프로세스부(24)에 반송된다.Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process in one of the scrubber cleaning units SCR 28, and the particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration by heating in the heating unit HP 32 (step S4) and then cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit COL 34 (step S5). Preprocessing in the washing | cleaning process part 22 is complete | finished by this, and the board | substrate G is conveyed to the application | coating process part 24 via the board | substrate delivery part 23 by the conveying apparatus 38. As shown in FIG.

도포 프로세스부(24)에 있어서 기판(G)는 먼저 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)에 차례로 반입되고, 최초의 애드히젼유닛트(AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6), 다음의 냉각 유니트(COL)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).In the application | coating process part 24, the board | substrate G is first carried in one of the adhigen / cooling units (AD / COL) 46 one by one, and receives the hydrophobization process (HMDS) in the first adhigen unit AD (step S6). ) Is cooled to a constant substrate temperature in the next cooling unit COL (step S7).

그 후 기판(G)는 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에서 스핀레스법에 의해 레지스트액을 도포되고, 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 42)에서 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).Subsequently, the substrate G is coated with the resist liquid by the resistless method in the resist coating units CT and 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure in the vacuum drying units VD and 42 (step S8). .

다음에 기판(G)는 가열/냉각 유니트(HP/COL, 48)에 차례로 반입되고, 최초의 가열 유니트(HP)에서는 도포 후 베이킹(프리베이크)이 행해지고(스텝 S9), 다음에 냉각 유니트(COL)에서 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 이 도포 후 베이킹에 가열 유니트(HP, 50)을 이용할 수도 있다.Subsequently, the board | substrate G is carried in to heating / cooling unit HP / COL 48 sequentially, and after application | coating baking (prebaking) is performed in the first heating unit HP (step S9), and then a cooling unit ( COL) is cooled to a constant substrate temperature (step S10). It is also possible to use a heating unit (HP, 50) for baking after this coating.

상기 도포 처리 후, 기판(G)는 도포 프로세스부(24)의 반송 장치(54)와 현상 프로세스부(26)의 반송 장치(60)에 의해 인터페이스부(I/F, 14)에 반송되고, 그곳으로부터 노광 장치에 건네진다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판(G)상의 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광시킨다. 그리고 패턴 노광을 끝낸 기판(G)는 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F, 14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F, 14)의 반송 기구(59)는 노광 장치로부터 받은 기판(G)를 익스텐션(56)을 통해 프로세스 스테이션(P/S, 12)의 현상 프로세스부(26)에 건네준다(스텝 S11).After the said coating process, the board | substrate G is conveyed to the interface part I / F, 14 by the conveyance apparatus 54 of the application | coating process part 24, and the conveyance apparatus 60 of the image development process part 26, From there, it is passed to an exposure apparatus (step S11). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. And the board | substrate G which finished pattern exposure is returned to the interface part I / F, 14 from an exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 of the interface unit I / F, 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the developing process unit 26 of the process station P / S, 12 via the extension 56. (Step S11).

현상 프로세스부(26)에 있어서 기판(G)는 현상 유니트(DEV, 52)의 어느 하나에서 현상 처리를 받고(스텝 S12), 그 다음에 가열/냉각 유니트(HP/COL, 53)의 하나에 차례로 반입되어, 최초의 가열 유니트(HP)에서는 포스트베이킹이 행해지고(스텝 S13), 다음에 냉각 유니트(COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트(HP, 55)를 이용할 수도 있다.In the developing process section 26, the substrate G is subjected to the developing treatment in one of the developing units DEV 52 (step S12), and then to one of the heating / cooling units HP / COL 53. It is carried in one by one and post-baking is performed in the first heating unit HP (step S13), and it is cooled by the cooling unit COL to the constant substrate temperature (step S14). The heating unit (HP, 55) can also be used for this postbaking.

현상 프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)는 프로세스 스테이션(P/S, 12)내의 반송 장치(60)(54)(38)에 의해 카셋트 스테이션(C/S, 10)까지 되돌려지고, 거기서 반송 기구(20)에 의해 어느 하나의 카셋트(C)에 수용된다(스텝 S1).The substrate G which has been processed in the developing process section 26 is transferred to the cassette station C / S 10 by the transfer devices 60, 54, 38 in the process station P / S 12. It returns to and it is accommodated in either cassette C by the conveyance mechanism 20 there (step S1).

이 도포 현상 처리 시스템에 있어서는 예를 들어 도포 프로세스부(24)의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하 도 3~도 19에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.In this application | coating development system, this invention can be applied to the resist application | coating unit (CT, 40) of the application | coating process part 24, for example. 3 to 19, one embodiment to which the present invention is applied to the resist coating units CT and 40 will be described.

도 3에 이 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40) 및 감압 건조 유니트(VD, 42)의 전체 구성을 나타낸다.3, the whole structure of the resist coating unit CT and 40 and the pressure reduction drying unit VD and 42 in this embodiment is shown.

도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임(70) 위에 레지스트 도포 유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)가 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판(G)는 반송로(51)측의 반송 장치(54, 도 1)에 의해, 화살표 FA로 나타나는 바와 같이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 반입된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에서 도포 처리가 끝난 기판(G)는 지지대(70)상의 가이드 레일(72)에 안내되는 X방향으로 이동 가능한 반송 아암(74)에 의해, 화살표 FB로 나타나는 바와 같이 감압 건조 유니트(VD, 42)에 전송된다. 감압 건조 유니트(VD, 42)에서 건조 처리를 끝낸 기판(G)는 반송로(51)측의 반송 장치(54, 도 1)에 의해 화살표 Fc로 나타나는 바와 같이 물러나게 된다.As shown in FIG. 3, the resist application | coating unit (CT, 40) and the pressure reduction drying unit (VD, 42) are arrange | positioned horizontally in the X direction on the support stand or the support frame 70. As shown in FIG. New substrate (G) to obtain a coating process is carried into the resist coating unit (CT, 40), as shown by the arrows F A by the conveying path 51, transfer device (54, Fig. 1) on the side. The substrate G, which has been subjected to the coating treatment in the resist coating units CT, 40, is indicated by the arrow F B by the transfer arm 74 which is movable in the X direction guided by the guide rail 72 on the support 70. Are sent to the vacuum drying unit (VD, 42). The board | substrate G which completed the drying process in the pressure reduction drying units VD and 42 is backed off by the conveyance apparatus 54 (FIG. 1) by the conveyance path 51 side, as shown by arrow Fc.

레지스트 도포 유니트(CT, 40)은 X방향으로 길게 연장하는 스테이지(76)을 갖고 이 스테이지(76)상에서 기판(G)를 동방향으로 평류하여 반송하면서 스테이지(76)의 윗쪽에 배치된 긴형의 레지스트 노즐(78)에서 기판(G)상에 레지스트액을 공급하여 스핀레스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유니트(CT, 40)내의 각부의 구성 및 작용은 후에 상술한다.The resist coating units CT and 40 have a stage 76 extending in the X direction, and the long type disposed on the stage 76 above the stage G while the substrate G is flown in the same direction in the same direction. The resist nozzle 78 is configured to supply a resist liquid onto the substrate G to form a resist coating film having a predetermined film thickness on the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate by the spinless method. The configuration and operation of the respective parts in the unit CT 40 will be described later.

감압 건조 유니트(VD, 42)는 상면이 개방되어 있는 트레이 또는 낮은 용기형의 하부 챔버(80)과, 이 하부 챔버(80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부 챔버(80)은 거의 사각형으로, 중심부에는 기판(G)를 수평으로 적재하여 지지하기 위한 스테이지(82)가 배치되고, 저면의 사각 모서리에는 배기구(83)이 설치되고 있다. 각 배기구(83)은 배기관(도시하지 않음)을 통해 진공 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버(80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양 챔버내의 밀폐된 처리 공간을 상기 진공 펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있도록 되어 있다.The vacuum drying unit (VD) 42 has a lower chamber 80 of a tray or a lower container type having an open upper surface, and a lid-shaped upper chamber configured to be hermetically adhered or fitted to the upper surface of the lower chamber 80. Has (not shown). The lower chamber 80 has a substantially rectangular shape, and a stage 82 for horizontally loading and supporting the substrate G is disposed at the center, and an exhaust port 83 is provided at a square corner of the bottom surface. Each exhaust port 83 communicates with a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe (not shown). The closed processing space in both chambers can be reduced to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump while the upper chamber is covered by the lower chamber 80.

도 4 및 도 5에 본 발명의 하나의 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)내에 의해 상세한 전체 구성을 나타낸다.FIG. 4 and FIG. 5 show the whole detailed structure by the inside of the resist coating unit CT and 40 in one Embodiment of this invention.

이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서는, 스테이지(76)이 종래와 같이 기판(G)를 고정 보유 지지하는 적재대로서 기능하는 것이 아니라, 기판(G)를 공기압의 힘으로 공중에 부상시키기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고 스테이지(76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 기판 반송부(84)가 스테이지(76)상에서 부상하고 있는 기판(G)의 양측 테두리부를 각각 탈착 가능하게 보유 지지해 스테이지 긴 방향(X방향)으로 기판(G)를 반송하도록 되어 있다.In the resist coating units CT and 40 of this embodiment, the stage 76 does not function as a mounting table for holding and holding the substrate G as in the prior art, but instead the substrate G is airborne. It serves as a substrate floating stage for floating on the. In addition, the linear movement board | substrate conveyance part 84 arrange | positioned at the both sides of the stage 76 hold | maintains detachable both edges of the board | substrate G which floats on the stage 76, respectively, and the stage longitudinal direction ( The substrate G is conveyed in the X direction).

상세하게는 스테이지(76)은 그 긴 방향(X방향)에 있어서 5개의 영역(M1)(M2)(M3)(M4)(M5)로 분할되고 있다(도 5). 좌단의 영역(M1)는 반입 영역이고, 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판(G)는 이 영역(M1)내의 소정 위치에 반입된다. 이 반입 영역(M1)에는 반송 장치(54, 도 1)의 반송 아암으로부터 기판(G)를 받아 스테이지(76)상에 로딩 하기 위해서 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행위치의 사이에서 승강 이동 가능한 리프트핀(86)이 소정의 간격을 두고 복수개(예를 들어 4개) 설치되고 있다. 이들의 리프트핀(86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원으로 이용하는 반입용의 리프트핀 승강부(85,도 13)에 의해 승강 구동된다.In detail, the stage 76 is divided into five regions M 1 , M 2 , M 3 , M 4 , and M 5 in the longitudinal direction (X direction) (FIG. 5). The left end region M 1 is a carry-in region, and a new substrate G to be subjected to the coating process is carried in a predetermined position in this region M 1 . A transfer area (M 1), the lifting movement between the transport apparatus (54, Fig. 1), the carrier arm from the receiving substrate (G) of the traveling position of the upper home position and the stage of the stage below to loading on the stage 76 of the A plurality of lift pins 86 (for example, four) are provided at predetermined intervals. These lift pins 86 are driven up and down by a lift pin lift unit 85 (FIG. 13) for carrying in, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

이 반입 영역(M1)는 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하고 이 영역내의 스테이지 상면에는 기판(G)를 원하는 부상 높이 위치 또는 부상 고도(Ha)로 부상시키기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)이 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서 반입 영역(M1)에 있어서 스테이지(76)의 상면으로부터 본 기판(G)의 부상 고도(Ha)는 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들어 100~150μm의 범위내로 유지되면 좋다. 또 반송 방향(X방향)에 있어서 반입 영역(M1)의 사이즈는 기판(G)의 사이즈를 웃돌고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역(M1)에는 기판(G)를 스테이지(76)상에서 위치 맞춤하기 위한 얼라인먼트부(도시하지 않음)도 설치되고 있다.This carry-in area M 1 is also an area where a floating substrate transfer is started, and a compression of high pressure or static pressure is performed on the upper surface of the stage in this area in order to float the substrate G to a desired floating height position or floating altitude H a . Many blower outlets 88 for blowing air are provided at a constant density. The fetch area (M 1) portion height (H a) of the substrate (G) from the upper surface of the stage 76 according to without requiring a particularly high accuracy, for example, may be when maintained in the range of 100 ~ 150μm . Also the size of the fetch area (M 1) in the carrying direction (X direction) is preferably that exceeds the size of the substrate (G). In addition, there is also installed an alignment portion (not shown) for alignment of the substrate (G) fetch area (M 1) on the stage (76).

스테이지(76)의 중심부로 설정된 영역(M3)는 레지스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고, 기판(G)는 이 영역(M3)를 통과할 때에 소정의 위치에서 윗쪽의 레지스트 노즐(78)로부터 레지스트액(R)의 공급을 받는다. 이 도포 영역(M3)의 스테이지 상면에는, 예를 들어 도 6에 나타나는 바와 같은 배열 또는 분포 패턴으로 기판(G)를 원하는 부상 고도(Hb)로 부상시키기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구(88)과 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구(90)이 일정한 밀도로 혼재하여 다수 설치되고 있다.The region M 3 set to the center of the stage 76 is a resist liquid supply region or an application region, and the substrate G is moved from the upper resist nozzle 78 at a predetermined position when passing through the region M 3 . The resist liquid R is supplied. In stage the upper surface of the coating area (M 3), for example 6 ejecting the compressed air of high pressure or positive pressure in order to become the portion height (H b) desired for the substrate (G) in the same arrangement or distribution pattern shown in A plurality of air outlets 88 and a suction port 90 for sucking air at a negative pressure are provided at a constant density.

여기서 정압의 분출구(88)과 부압의 흡인구(90)을 혼재시키고 있는 것은 부상 고도(Hb)를 높은 정밀도로 설정값(예를 들어 50μm)으로 유지하기 위해서이다. 즉, 도포 영역(M3)에 있어서의 부상 고도(Hb)는 노즐 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면)의 사이의 갭(S, 예를 들어 1OOμm)를 규정한다. 이 갭(S)는 레지스트 도포막이나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고, 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이 실시 형태에서는 기판(G)의 도포 영역(M3)를 통과하고 있는 부위에 대해서는 분출구(88)로부터 압축 공기에 의한 수직 상향의 힘을 가함과 동시에, 흡인구(90)에서 부압 흡인력에 의한 수직 하향 힘을 가해, 쌍방향의 합성된 압력의 밸런스를 제어하는 것으로 도포용의 부상 고도(Hb)를 설정값(50μm)에 유지하도록 하고 있다. 이 부상 고도 제어를 위해서 기판(G)의 높이 위치를 검출하는 고도 검출 센서(도시하지 않음) 등을 포함한 피드백 제어 기구가 설치되어도 좋다. 또한 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포 영역(M3)의 사이즈는 레지스트 노즐(78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 갭(S)를 안정하게 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 되고, 통상은 기판(G)의 사이즈보다도 작게 되고, 예를 들어 1/3~1/4 정도로 된다.The jetting port 88 of the positive pressure and the suction port 90 of the negative pressure are mixed in order to maintain the floating altitude H b at a set value (for example, 50 μm) with high accuracy. That is, the floating height H b in the application region M 3 defines the gap S (for example, 100 μm) between the nozzle lower end (discharge port) and the substrate upper surface (processing surface). This gap S is an important parameter influencing the resist coating film and resist consumption, and needs to be kept constant with high precision. In this embodiment, a vertical upward force by compressed air is applied to the portion passing through the application region M 3 of the substrate G, and at the suction port 90, the negative pressure suction force is applied. A vertical downward force is applied to control the balance of the combined pressures in both directions so as to maintain the floating height H b for coating at a set value (50 μm). For this floating altitude control, a feedback control mechanism including an altitude detection sensor (not shown) for detecting the height position of the substrate G may be provided. Also been if the coating region free of approximately directly below the the resist nozzle 78, the size of (M 3) can be formed stably for a narrow gap (S) as described above in the transport direction (X direction), Usually, it becomes smaller than the size of the board | substrate G, for example, about 1 / 3-1 / 4.

반입 영역(M1)와 도포 영역(M3)의 사이로 설정된 중간의 영역(M2)는 반송중에 기판(G)의 부상 높이 위치를 반입 영역(M1)에 있어서의 부상 고도(Ha)(100~150μm)로부터 도포 영역(M3)에 있어서의 부상 고도(Hb, 50μm)로 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역(M2)내에서도 스테이지(76)의 상면에는 분출구(88)과 흡인구(90)을 혼재시켜 배치하고 있다. 다만 흡인구(90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게 하고 있어, 이것에 의해 반송중에 기판(G)의 부상 고도가 점차적으로(Ha)로부터(Hb)로 옮기게 되어 있다.The intermediate region M 2 set between the carry-in area M 1 and the application area M 3 sets the floating height position of the substrate G during the transfer to the lift height H a in the carry-in area M 1 . a height transition zone portion to change or transitions to the (H b, 50μm) in the (100 ~ 150μm) coating area (M 3) from. The upper surface of the transition area (M 2) within the stage 76, there is arranged to mix the air outlet 88 and the suction port (90). However, the density of the suction port 90 is gradually increased along the conveyance direction, whereby the floating height of the substrate G gradually moves from (H a ) to (H b ) during conveyance.

도포 영역(M3)의 하류측 근처의 영역(M4)는 반송중에 기판(G)의 부상 높이 위치를 도포용의 부상 고도(Hb, 50μm)로부터 반출용의 부상 고도(Hc,예를 들어 100~150μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역(M4)의 스테이지 상면에는 반송 방향에 있어서 상기한 상류측의 천이 영역(M2)와 대칭적인 분포 패턴으로 분출구(88)과 흡인구(90)이 혼재해 배치되고 있다.Application area (M 3) downstream of the area in the vicinity of the (M 4) is the flying height position of the substrate (G) portion height for export from injury height (Hb, 50μm) of the coating (H c, the transport for For example, it is a transition area to change from 100 to 150 μm). This stage the upper surface of the transition region (M 4) has been placed by the transition zone (M 2) and a symmetrical distribution pattern in the blow-out port 88 and the suction port 90 of the above-described upstream-side are mixed in the carrying direction.

스테이지(76)의 하류단(우단)의 영역(M5)는 반출 영역이다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리를 받은 기판(G)는 이 반출 영역(M5)내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암(74,도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD, 42, 도 3)에 반출된다. 이 반출 영역(M5)는 상기한 반입 영역(M1)와 공간적으로 대칭적인 구성으로 되어 있고 기판(G)를 스테이지(76)상에서 언로딩 해 반송 아암(74, 도 3)으로 전달하기 위하여 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행위치의 사이에 승강 이동 가능한 리프트핀(92)가 소정의 간격을 두고 복수개(예를 들어 4개) 설치되는 것과 동시에, 기판(G)를 상기 부상 고도(Hc)로 부상시키기 위한 분출구(88)이 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 리프트핀(92)는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반출용의 리프트핀 승강부(91, 도 13)에 의해 승강 구동된다.The area M 5 at the downstream end (right end) of the stage 76 is a carrying out area. The substrate G subjected to the coating treatment with the resist coating units CT and 40 is a reduced pressure drying unit near the downstream side by the transfer arm 74 (FIG. 3) from a predetermined position or an ejecting position in the carrying region M 5 . It is carried out to VD, 42, FIG. 3). The carry-out area M 5 has a configuration that is spatially symmetrical with the above-mentioned carry-in area M 1 and to unload the substrate G on the stage 76 and transfer it to the transfer arm 74 (FIG. 3). At the same time, a plurality of lift pins 92 capable of lifting and lowering are provided at predetermined intervals between the home position below the stage and the traveling position above the stage, and the substrate G is moved to the above-mentioned floating height H. c ) A plurality of ejection openings 88 for floating at the stage are provided at a constant density on the stage upper surface. The lift pin 92 is driven up and down by a lift pin lifter 91 (FIG. 13) for carrying out, for example, using an air cylinder (not shown) as a drive source.

레지스트 노즐(78)은 레지스트액 공급부에 포함되어 스테이지(76)상의 기판(G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 Y방향으로 연장하는 장척 형상의 노즐 본체를 갖고, 레지스트액 공급원(93, 도 13)으로부터 레지스트액 공급관(94)에 접속되고 있다. 노즐 이동 기구(75, 도 3, 도 13)는 도 3에 나타나는 바와 같이 레지스트 노즐(78)을 수평으로 지지하는 역 コ자형 또는 문형의 지지체(77)과, 이 지지체(77)을 X방향으로 쌍방향으로 직진 이동시키는 직진 구동부(79)를 가진다. 이 직진 구동부(79)는 예를 들어 가이드 첨부의 리니어 모터 기구 또는 볼 나사 기구로 구성되어도 좋다. 또 레지스트 노즐(78)의 높이 위치를 변경 또는 조정하기 위한 가이드 첨부의 노즐 승강 기구(81, 도 13)이 예를 들어 지지체(77)과 레지스트 노즐(78)을 접속하는 조인트부(83)에 설치되고 있다.The resist nozzle 78 has a long nozzle body which is included in the resist liquid supply part and extends in the Y direction in a length that can cover the substrate G on the stage 76 from one end to the other end, and the resist liquid supply source 93 13 is connected to the resist liquid supply pipe 94. As shown in FIG. 3, the nozzle movement mechanism 75 (FIG. 3, FIG. 13) is an inverted-corner or door-shaped support body 77 which horizontally supports the resist nozzle 78, and this support body 77 in the X direction. It has a straight drive 79 for moving straight in both directions. This straight drive part 79 may be comprised, for example with the linear motor mechanism with a guide, or the ball screw mechanism. Moreover, the guide nozzle raising / removing mechanism 81 (FIG. 13) for changing or adjusting the height position of the resist nozzle 78 is connected to the joint part 83 which connects the support body 77 and the resist nozzle 78, for example. It is installed.

도 4, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이 기판반송부(84)는 스테이지(76)의 좌우 양사이드에 평행하게 배치된 한쌍의 가이드 레일(96)과, 각 가이드 레일(96)상에 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 슬라이더(98)과, 각 가이드 레일(96)상에서 슬라이더(98)을 직진 이동시키는 반송 구동부(100)과, 각 슬라이더(98)로부터 스테이지(76)의 중심부로 향해 연장하여 기판(G)의 좌우 양측 테두리부를 탈착 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부(102)를 각각 가지고 있다.As shown in FIG. 4, FIG. 7, and FIG. 8, the board | substrate conveyance part 84 has a pair of guide rails 96 arrange | positioned in parallel to the left and right sides of the stage 76, and the axis | shaft on each guide rail 96. FIG. The slider 98 movably mounted in the direction (X direction), the conveyance drive unit 100 for moving the slider 98 straight on each guide rail 96, and the stage 76 from each slider 98. Each of the holding portions 102 extends toward the center portion and holds the left and right both edge portions of the substrate G in a detachable manner.

여기서 반송 구동부(100)은 직진형의 구동 기구 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또 보유 지지부(102)는 기판(G)의 좌우 양측 테두리부의 하면에 진공 흡착력으로 결합하는 흡착 패드(104)와, 선단부에서 흡착 패드(104)를 지지하고 슬라이더(98)측의 기단부를 지점으로 하여 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성변형 가능한 판용수철형의 패드 지지부(106)을 각각 가지고 있다. 흡착 패드(104)는 일정한 피치로 일렬로 배치되고, 패드 지지부(106)은 각각의 흡착 패드(104)를 독립으로 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)가 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판(G)를 안정하게 보유 지지할 수 있게 되어 있다.The conveyance drive part 100 is comprised by the linear drive mechanism here, for example, a linear motor. In addition, the holding part 102 supports the suction pad 104 which is coupled to the lower surface of the left and right edges of the substrate G by vacuum suction force, and the suction pad 104 is supported at the front end and the proximal end of the slider 98 side is positioned as a point. Each of the pad springs 106 is elastically deformable so as to change the height position of the tip portion. The suction pads 104 are arranged in a row at a constant pitch, and the pad support portion 106 independently supports each suction pad 104. Thereby, the individual adsorption pad 104 and the pad support part 106 can hold | maintain the board | substrate G stably in independent height position (even in another height position).

도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이, 이 실시 형태에 있어서의 패드 지지부(106)은 슬라이더(98)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판 모양의 패드 승강 부재(108)에 장착되고 있다. 슬라이더(98)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)로부터 이루어지는 패드 엑츄에이터(109, 도 13)가, 패드 승강 부재(108)을 기판(G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판(G)의 부상 높이 위치에 대응하는 주행위치(결합 위치)와의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.As shown in FIG.7 and FIG.8, the pad support part 106 in this embodiment is attached to the plate-shaped pad lifting member 108 attached to the inner side of the slider 98 so that lifting and lowering is possible. The pad actuator 109 (FIG. 13) which consists of the air cylinder (not shown) mounted in the slider 98, for example, puts the pad raising / lowering member 108 into the original position lower than the floating height position of the board | substrate G (retracted). Position) and moving up and down between the traveling position (coupling position) corresponding to the floating height position of the substrate G.

도 9에 나타나는 바와 같이 각각의 흡착 패드(104)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체(110)의 상면에 복수의 흡인구(112)를 설치하고 있다. 이들의 흡인구(112)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만, 원이나 사각형의 작은 구멍이라도 좋다. 흡착 패드(104)에는 예를 들어 합성고무로부터 이루어지는 띠형상의 진공관(114)가 접속되고 있다. 이들의 진공관(114)의 관로(116)은 패드 흡착 제어부(115,도 13)의 진공원에 각각 통하고 있다.As shown in FIG. 9, each suction pad 104 is provided with the some suction port 112 in the upper surface of the pad main body 110 of a rectangular parallelepiped shape, for example. These suction ports 112 are slit-shaped long holes, but may be circular or rectangular small holes. A strip-shaped vacuum tube 114 made of, for example, synthetic rubber is connected to the suction pad 104. The pipeline 116 of these vacuum tubes 114 communicates with the vacuum source of the pad adsorption control part 115 (FIG. 13), respectively.

패드 흡착 제어부(115,도 13)는 진공관(114)의 관로(116, 도 9)을 절환밸브(도시하지 않음)를 통해 압축 공기원(도시하지 않음)에도 접속하고 있고, 흡착 패드(104)를 기판(G)의 측테두리부로부터 분리시킬 때는 상기 절환밸브를 상기 압축 공기원 측으로 절환하여 흡착 패드(104)에 정압 또는 고압의 압축 공기를 공급 하도록 되어 있다.The pad adsorption control unit 115 (FIG. 13) connects the conduit 116 (FIG. 9) of the vacuum tube 114 to a compressed air source (not shown) via a switching valve (not shown), and the adsorption pad 104 is shown. Is separated from the side edge portion of the substrate G, the switching valve is switched to the compressed air source side to supply the compressed air of the constant pressure or the high pressure to the suction pad 104.

보유 지지부(102)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 편측 일렬의 진공 흡착 패드(104) 및 패드 지지부(106)이 1세트마다 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나 도 10에 나타나는 바와 같이 노치 부분(118)을 설치한 한 장의 판용수철로 편측 일렬분의 패드 지지부(120)을 형성하여 그 위에 편측 일렬의 진공 흡착 패드(104)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.As for the holding part 102, as shown in FIG. 4, the structure of the separate type | mold or completely independent type which isolate | separates one side of the vacuum suction pad 104 and the pad support part 106 for each set is preferable. However, as shown in FIG. 10, a unitary configuration diagram in which a single-sided pad support portion 120 is formed by a single plate spring provided with a notch portion 118 and the one-sided vacuum suction pads 104 are disposed thereon. It is possible.

상기와 같이 스테이지(76)의 상면에는 다수의 분출구(88)이 설치되고 있다. 이 실시 형태에서는 스테이지(76)의 반입 영역(M1) 및 반출 영역(M5)에 속하는 각 분출구(88)에 대해서, 공기의 분출 유량을 기판(G)와의 상대적인 위치 관계로 개별적 또한 자동적으로 절환하는 분출 제어부(122)를 유량 전환 밸브의 형태로 스테이지(76)의 내부에 설치하고 있다.As described above, a plurality of jet holes 88 are provided on the upper surface of the stage 76. In this embodiment, a fetch area (M 1) and out area (M 5), the relative positional relationship between the ejection flow rate of the air substrate (G) with respect to each air outlet 88 belonging to the individual also automatically in the stage 76 The blowing control unit 122 to be switched is provided inside the stage 76 in the form of a flow rate switching valve.

도 11에 하나의 실시예에 의한 분출 제어부(122)의 구성을 나타낸다. 이 분출 제어부(122)는 스테이지(76)의 내부에 형성된 구면체형 형상의 벽면을 가지는 밸브실(124)와, 이 밸브실(124)안에서 이동 가능하게 설치된 구형상의 밸브 본체(126)을 가지고 있다. 밸브실(124)의 정상부 및 바닥부에는 수직 방향으로 서로 대향하는 출구(124a) 및 입구(124b)가 각각 형성되고 있다. 출구(124a)는 해당 분출 제어부(122)와 대응하는 분출구(88)에 연통하고 있다. 입구(124b)는 스테이지(76)의 하부에서 뻗어 있는 압축 공기 공급로(128)에 연통하고 있다.11 shows the configuration of the jet controller 122 according to one embodiment. The jet controller 122 has a valve chamber 124 having a spherical wall surface formed inside the stage 76 and a spherical valve body 126 provided to be movable within the valve chamber 124. . The outlet part 124a and the inlet part 124b which are mutually opposed to each other in the vertical direction are formed in the top part and the bottom part of the valve chamber 124, respectively. The outlet 124a communicates with the jet port 88 corresponding to the jet control part 122. The inlet 124b is in communication with the compressed air supply path 128 extending from the bottom of the stage 76.

도 12에 스테이지(76)내에 있어서의 압축 공기 공급로(128)의 배관 패턴의 일례를 나타낸다. 예를 들어 압력 등의 압축 공기원(도시하지 않음)으로부터의 압축 공기는 외부 배관(130)안을 흘러 와 스테이지(76)내의 압축 공기 도입부(132)에 도입된다. 압축 공기 도입부(132)에 도입된 압축 공기는 그곳에서 스테이지(76)내에 둘러싸고 있는 다수의 압축 공기 공급로(128)에 분배된다.12 shows an example of a piping pattern of the compressed air supply path 128 in the stage 76. For example, compressed air from a compressed air source (not shown) such as pressure flows into the outer pipe 130 and is introduced into the compressed air inlet 132 in the stage 76. Compressed air introduced into the compressed air introduction portion 132 is distributed therein to a plurality of compressed air supply paths 128 enclosed within the stage 76.

도 11에 있어서 밸브실(124)의 출구(124a)의 주위는 밸브 시트를 구성한다. 이 밸브 시트에는 출구(124a)로부터 방사 형상으로 연장하는 홈부(124c)가 주위 방향으로 소정의 간격(예를 들어 90˚간격)을 두고 복수개(4개) 형성되고 있다. 이것에 의해 밸브 본체(126)이 밸브 시트에 밀착 또는 착석하여 출구(124a)를 막아도 밸브실(124)로부터 압축 공기가 홈부(124c)를 통하여 분출구(88)측에 누출하도록 되어 있다. 밸브 본체(126)은 밸브실(124)의 내경보다 1회전 내지 2회전 작은 직경을 가지는 예를 들어 수지제의 구형체이고, 구면의 하반부에 입구(124b)측의 공기압에 따른 수직 상향의 힘(PU)을 받는 동시에, 구면의 상반부에 출구(124a)측의 공기압에 따른 수직 하향 힘(반작용, PD)를 받는다. 또 밸브 본체(126)에는 그 질량에 따른 중력(PG,일정값)가 상시 수직 하향에 작용한다. 밸브 본체(126)은 상기와 같은 수직 상향의 힘(PU)와 수직 하향 힘(PD+PG)와의 차이에 따라 밸브실(124)내에서 수직 방향의 위치(높이 위치)를 바꾼다.In FIG. 11, the periphery of the outlet 124a of the valve chamber 124 constitutes a valve seat. The valve seat is provided with a plurality of grooves 124c extending radially from the outlet 124a at predetermined intervals (for example, 90 ° intervals) in the circumferential direction. As a result, even if the valve main body 126 comes into close contact with or sits on the valve seat to block the outlet 124a, compressed air leaks from the valve chamber 124 to the ejection opening 88 side through the groove portion 124c. The valve body 126 is, for example, a resin spherical body having a diameter of one to two revolutions smaller than the inner diameter of the valve chamber 124, and a vertical upward force due to the air pressure on the inlet 124b side in the lower half of the spherical surface. At the same time as the PU, a vertical downward force (reaction, P D ) corresponding to the air pressure at the outlet 124a side is applied to the upper half of the spherical surface. Moreover, gravity ( PG , constant value) according to the mass acts on the valve body 126 at all times vertically downward. The valve body 126 changes the position (height position) in the vertical direction in the valve chamber 124 according to the difference between the vertical upward force P U and the vertical downward force P D + P G as described above.

이 실시 형태에서는 도 11에 나타나는 바와 같이 각 분출구(88)의 윗쪽에 기판(G)가 있는지 아닌지에 따라, 해당 분출구(88) 바로 아래의 분출 제어부(122)에서는 밸브실(124)내의 밸브 본체(126)의 높이 위치가 출구(124a)측의 밸브 시트에 밀착하는 제 1의 위치, 혹은 상기 밸브 시트로부터 이격하여 밸브실(124)내에서 부상한 상태가 되는 제 2의 위치의 어느 한 쪽으로 절환하도록 되어 있다.In this embodiment, as shown in FIG. 11, according to whether the board | substrate G exists in the upper part of each ejection opening 88, in the ejection control part 122 directly under the said ejection opening 88, the valve main body in the valve chamber 124 is shown. Either of the first position where the height position of 126 is in close contact with the valve seat on the outlet 124a side, or the second position, which is spaced apart from the valve seat and floats in the valve chamber 124. It is supposed to switch.

즉 각 분출구(88)의 윗쪽에[엄밀하게는 설정 부상 고도(Ha) 이하의 접근 거리에] 기판(G)가 있을 때는, 기판(G)로부터의 반작용으로 해당 분출구(88) 부근이나 그 바로 아래의 밸브실(124)의 출구(124a)부근의 공기압이 높아지고, 밸브 본체(126)에 작용하는 수직 하향 힘(특히 PD)가 수직 상향의 힘(PU)와 호각(互角)이나 그것을 조금 상회할 정도로 증대하고, 밸브 본체(126)이 출구(124a)측의 밸브 시트로부터 이격한다. 이것에 의해 출구(124a)가 열린 상태가 되고, 입구(124b)에서 밸브실(124)에 도입된 압축 공기는 큰 유량으로 출구(124a)를 빠져 나가 분출구(88)에서 분출한다.In other words, when there is a substrate G above each blowhole 88 (strictly at an approach distance below the set floating height H a ), it is located near the blowhole 88 by the reaction from the substrate G. The air pressure near the outlet 124a of the valve chamber 124 immediately below increases, and the vertical downward force (especially P D ) acting on the valve body 126 is the vertical upward force P U and the whistle. It is increased to a little more than that, and the valve body 126 is spaced apart from the valve seat on the outlet 124a side. As a result, the outlet 124a is opened, and the compressed air introduced into the valve chamber 124 at the inlet 124b exits the outlet 124a at a large flow rate and blows off at the jet port 88.

상기와 같이 스테이지(76)의 상면에 형성된 다수의 분출구(88) 및 그들 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하기 위한 압축 공급원, 외부 배관(130), 압축 공기 공급로(128), 분출 제어부(122), 또는 스테이지(76)의 영역(M2)(M3)(M4)내에 분출구(88)과 혼재하여 형성된 흡인구(90) 및 그들에 부압 흡인력을 주기 위한 진공 기구 등에 의해, 반입 영역(M1) 및 반출 영역(M5)에서는 기판(G)를 효율적으로 원하는 높이로 부상시키고, 도포 영역(M3)에서는 기판(G)를 높은 정밀도로 설정 높이 위치로 부상시키기 위한 스테이지 기판 부상부(134,도 13)가 구성되고 있다.As described above, a plurality of blow holes 88 formed on the upper surface of the stage 76 and a compressed supply source for supplying compressed air for generating the floating force thereof, an external pipe 130, a compressed air supply path 128, and a blower control unit ( 122 or the suction port 90 which is formed in the region M 2 (M 3 ) (M 4 ) of the stage 76 mixed with the ejection opening 88 and a vacuum mechanism for imparting a negative pressure suction force thereto, and the like. Stage substrate for efficiently raising the substrate G to the desired height in the region M 1 and the carrying out region M 5 , and for raising the substrate G to the set height position with high precision in the application region M 3 . The floating part 134 (FIG. 13) is comprised.

도 13에 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 제어계의 구성을 나타낸다. 콘트롤러(136)은 마이크로 컴퓨터로부터 이루어지고, 유니트 내의 각부, 특히 레지스트액 공급원(93), 노즐 이동 기구(75), 노즐 승강 기구(81), 스테이지 기판 부상부(134), 반송 구동부(100), 패드 흡착 제어부(115), 패드 엑츄에이터(109), 반입용 리프트핀 승강부(85), 반출용 리프트핀 승강부(91) 등의 개개의 동작과 전체의 동작(순서)을 제어한다.13 shows the configuration of a control system in the resist coating unit CT 40 of this embodiment. The controller 136 is made from a microcomputer, and each part in the unit, in particular, the resist liquid supply source 93, the nozzle moving mechanism 75, the nozzle raising and lowering mechanism 81, the stage substrate floating portion 134, and the conveyance driving unit 100. The respective operations and the overall operation (sequence) of the pad adsorption control unit 115, the pad actuator 109, the lift pin lift unit 85 for carrying in, and the lift pin lift unit 91 for carry out are controlled.

다음에 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다. 도 14~도 19에 도포 영역(M3) 주위에서의 도포 처리 동작의 각 단계를 나타낸다.Next, the application | coating process operation in the resist coating unit CT of this embodiment is demonstrated. Figure 14 to Figure 19 applied to the area (M 3) indicate each step of the coating operation in the ambient.

콘트롤러(136)은 예를 들어 광디스크 등의 기억 매체에 저장되고 있는 레지스트 도포 처리 프로그램을 주메모리에 넣어 실행하고, 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다.The controller 136 puts and executes a resist coating processing program stored in a storage medium such as an optical disk into the main memory, for example, and controls the programmed series of coating processing operations.

반송 장치(54, 도 1)에서 미처리의 새로운 기판(G)가 스테이지(76)의 반입 영역(M1)에 반입되면, 리프트핀(86)이 주행위치에서 상기 기판(G)를 받는다. 반송 장치(54)가 퇴출한 후, 리프트핀(86)이 하강하여 기판(G)를 반송용의 높이 위치 즉 부상 고도(Ha, 도 5)까지 하강시킨다. 그 다음에 얼라인먼트부(도시하지 않음)가 작동해 부상 상태의 기판(G)에 사방으로부터 누름 부재(도시하지 않음)를 밀어붙여 기판(G)를 스테이지(76)상에서 위치 맞춤한다. 얼라인먼트 동작이 완료하면, 그 직후에 기판 반송부(84)에 있어서 패드 엑츄에이터(109)가 작동해 흡착 패드(104)를 원위치(퇴피 위치)로부터 주행위치(결합 위치)로 상승(UP)시킨다. 흡착 패드(104)는 그 전부터 진공이 온(ON)으로 되어 있고, 부상 상태의 기판(G)의 측테두리부에 접촉하거나 안하거나 진공 흡착력으로 결합한다. 흡착 패드(104)가 기판(G)의 측테두리부에 결합한 직후에, 얼라인먼트부는 누름 부재를 소정 위치로 퇴피시킨다.When brought into the fetch area (M 1) of the conveying device (54, Fig. 1), a new substrate (G) in an unprocessed stage 76, the lift pin 86 is subjected to the substrate (G) in the drive position. After the conveying apparatus 54 has been withdrawn, the lift pin 86 descends to lower the substrate G to the height position for conveyance, that is, the lift height H a , FIG. 5. Then, an alignment portion (not shown) is operated to push the pressing member (not shown) from all directions to the substrate G in the floating state to position the substrate G on the stage 76. When the alignment operation is completed, immediately after that, the pad actuator 109 is operated in the substrate conveying unit 84 to raise the suction pad 104 from its original position (retracted position) to the traveling position (engaged position). The suction pad 104 has a vacuum ON before, and the suction pad 104 contacts with the side edge of the substrate G in a floating state or is coupled with a vacuum suction force. Immediately after the adsorption pad 104 engages the side edge portion of the substrate G, the alignment portion retracts the pressing member to a predetermined position.

다음에 기판 반송부(84)는 보유 지지부(102)에서 기판(G)의 측테두리부를 보유 지지한 채로 슬라이더(98)을 반송 시점 위치로부터 반송 방향(X방향)에 비교적 고속의 일정 속도(Va)로 직진 이동시킨다. 이 제1 단계(도포 처리 전)의 기판 반송에 있어서, 기판(G)의 전방부가 반입 영역(M1)으로부터 천이 영역(M2)를 통해 도포 영역(M3)으로 들어가면, 도 14에 나타난 바와 같이 기판(G)의 부상 고도가 점차적으로 내려간다. 이것은, 도포 영역(M3) 내의 흡인구(90)으로부터의 흡인력이 기판(G)에 작용하고, 기판(G)가 도포 영역(M3)에 진입하는데 수반하여 기판 전체에 작용하는 흡인력이 증대하기 때문이다. 이러한 기판(G)의 부상 고도의 변화는 도포 처리 전의 경우이므로, 도포 처리에 영향을 미치는 것은 아니다.Next, the board | substrate conveyance part 84 holds the side edge part of the board | substrate G in the holding part 102, and moves the slider 98 from the position of a conveyance time point to a conveyance direction (X direction) relatively high speed (V). Go straight to a ). In the substrate carrying in the first stage (the coating-treated), entering the coating area (M 3) via a transition area (M 2) from the front portion fetch area (M 1) of the substrate (G), shown in Figure 14 As shown above, the elevation of the substrate G gradually decreases. This is because the suction force from the suction port 90 in the application region M 3 acts on the substrate G, and the suction force acting on the entire substrate increases as the substrate G enters the application region M 3 . Because. Since the change of the floating height of the board | substrate G is a case before a coating process, it does not affect a coating process.

이렇게 해 반송 방향에 있어서 기판(G)의 전단이 도포 영역(M3)의 하류측의 단부 부근의 설정 위치에 도착한 지점에서, 도포 영역(M3)내에 있어서의 기판(G)의 부상 고도가 최소치 즉 도포용의 설정 부상 고도(Hb)(예를 들어 50μm)에 도달하고, 여기서 기판 반송부(84)가 제 1 단계의 기판 반송을 정지한다(도 15). 이 때 레지스트 노즐(78)은 도포 영역(M3)의 하류측 단부의 바로 위에서 대기하고 있다.This ensures that at the point where the front end of the board (G) arrives at the set position of the end near the downstream side of the coating area (M 3) in the carrying direction, the rise height of the substrate (G) in within the coating area (M 3) The minimum value, that is, the set floating height H b for application (for example, 50 µm) is reached, and the substrate transfer section 84 stops the substrate transfer in the first step (FIG. 15). At this time, the resist nozzle 78 stands by just above the downstream end of the application region M 3 .

기판(G)가 멈추면 즉시 노즐 승강 기구(81)이 작동하여 레지스트 노즐(78)을 수직 아래쪽으로 하강시키고, 노즐의 토출구와 기판(G)의 거리 간격 또는 갭(S)가 설정값(예를 들어 1OOμm)에 도달한 지점에서 노즐 하강 동작을 멈춘다. 그 다음에 레지스트액 공급부에 있어서 레지스트 노즐(78)에서 기판(G)의 상면을 향해 레지스트액의 토출을 개시시킨다. 이 때 최초로 미량의 레지스트액을 내 보내 노즐 토출구와 기판(G)의 갭(S)를 완전하게 막고 나서, 정규의 유량으로 토출을 개시하는 것이 바람직하다. 한편 노즐 이동 기구(75)에 있어서 레지스트 노즐(78)의 주사도 개시된다. 이 노즐 주사는 반송 방향과는 반대의 방향으로 일정 속도(Vn)로 행해진다. 또한 기판 반송부(84)가 제 2 단계의 기판 반송을 개시한다. 이 제 2 단계 즉 도포시의 기판 반송은 비교적 저속의 일정 속도(Vb)로 행해진다.As soon as the substrate G stops, the nozzle elevating mechanism 81 operates to lower the resist nozzle 78 vertically downward, and the distance or gap S between the discharge port of the nozzle and the substrate G is set to a set value (e.g., For example, the nozzle lowering operation is stopped at the point where 100 μm) is reached. Next, the resist liquid supply unit starts discharging the resist liquid toward the upper surface of the substrate G from the resist nozzle 78. At this time, it is preferable to first discharge a small amount of the resist liquid to completely close the gap S between the nozzle discharge port and the substrate G, and then start discharging at a normal flow rate. On the other hand, scanning of the resist nozzle 78 is also started in the nozzle movement mechanism 75. This nozzle scanning is performed at a constant speed V n in a direction opposite to the conveying direction. Moreover, the board | substrate conveyance part 84 starts the board | substrate conveyance of a 2nd step. Substrate conveyance during this second step, that is, coating, is performed at a relatively low constant speed V b .

이렇게 해 도포 영역(M3)내에서는 도 17에 나타나는 바와 같이 기판(G)가 수평 자세로 반송 방향(X방향)으로 일정 속도(Vb)로 이동하는 동시에, 그것과 역방향으로 긴형 레지스트 노즐(78)이 레지스트액(R)를 일정한 유량으로 띠형상으로 토출하면서 일정 속도(Vn)으로 이동함으로써, 기판(G)의 전단측으로부터 후단 측에 향해 레지스트액의 도포막(RM)이 형성되어 간다. 이 도포 처리중 기판(G)는 도포 영역(M3)의 전역을 덮은 상태로 X방향으로 이동하므로, 분출구(88)로부터의 수직 상향의 양력(揚力)과 흡인구(90)으로부터의 수직 하향의 흡인력이 균형을 이루어 일정한 부상력을 영역 내의 각 위치에서 균일하게 받고, 도포 영역(M3) 및 그 부근에서는 상하로 흔들리거나 하지 않고 설정 부상 고도(Hb)에서의 수평 자세를 안정되게 유지한다. 이것에 의해 레지스트 노즐(78)의 토출구와 기판(G)의 갭(S)가 높은 정밀도에서 설정값(100μm)으로 언제나 유지된 상태 아래에서 기판(G)상으로의 레지스트액의 도포가 실행된다.This ensures that the coating area (M 3) within the same time moving at a constant speed (V b) in the transport direction (X direction), the substrate (G) to the horizontal position as shown in Figure 17, ginhyeong resist nozzle into it and reverse ( 78) the resist liquid R is discharged in a band at a constant flow rate and moved at a constant speed V n , whereby the coating film RM of the resist liquid is formed from the front end side to the rear end side of the substrate G. Goes. During the coating process, the substrate G moves in the X direction while covering the entire area of the application region M 3 , and therefore the vertical upward lift from the jet port 88 and the vertical downward from the suction port 90 are applied. The suction force of the balance is balanced to receive a uniform floating force uniformly at each position in the area, and to maintain a stable horizontal posture at the set floating altitude H b without swinging up and down in the application area M 3 and its vicinity. do. Thereby, the application of the resist liquid onto the substrate G is performed under the state where the discharge port of the resist nozzle 78 and the gap S of the substrate G are always maintained at the set value (100 μm) at high precision. .

이 실시 형태에서는 도포 처리중의 기판 반송 속도(Vb)와 노즐 이동 속도(Vn)는 일정한 관계, 즉 도 18에 나타나는 바와 같이 기판(G)의 후단이 도포 영역(M3)의 상류단 부근의 소정 위치에 도착하는 동시에 레지스트 노즐(78)도 같은 소정위치에 도착하도록 설정된다. 즉 도포 개시(도 16)의 상태로부터 기판(G)의 후단이 상기 소정 위치에 도달하기까지 필요로 하는 시간(TG)와 레지스트 노즐(T78)이 동일한 소정위치까지 도달하는데 필요로 하는 시간(78)이 동일해지도록 양속도(Vb, Vn)이 설정된다. 여기서 반송 방향에 있어서의 기판(G) 및 도포 영역(M3)의 사이즈를 각각 LG, LM3으로 하면, 다음의 식(1)을 만족하도록 Vb와 Vn의 비를 선정하면 좋다.In this embodiment, a substrate transport speed of the coating process (V b) and a nozzle moving speed (V n) is a constant relationship, that is, the upstream end of the substrate (G) is applied to the area (M 3) downstream of, as shown in Fig. 18 The resist nozzle 78 is also set to arrive at the same predetermined position while arriving at a predetermined position in the vicinity. In other words, the time T G required until the rear end of the substrate G reaches the predetermined position and the time required for the resist nozzle T 78 to reach the same predetermined position from the state of coating start (FIG. 16). The positive speeds (V b , V n ) are set such that 78 is the same. If the sizes of the substrate G and the coating region M 3 in the conveying direction are L G and L M3 , respectively, the ratio of V b and V n may be selected so as to satisfy the following expression (1).

TG = (LG - LM3) / Vb, T78 = LM3 / Vn T G = (L G -L M3 ) / V b , T 78 = L M3 / V n

TG = T78 ∴ (LG-LM3) / Vb = LM3 / Vn T G = T 78 ∴ (L G -L M3 ) / V b = L M3 / V n

∴ Vn = Vb * LM3 / (LG-LM3)……………(1)∴ V n = V b * L M3 / (L G -L M3 ). ... ... ... ... (One)

이렇게 해 기판(G)의 후단과 레지스트 노즐(78)이 동시에 도포 영역(M3)의 상류단 부근의 소정 위치에 도착하면, 레지스트액 공급부측에서는 노즐 이동 기구(75)가 레지스트 노즐(78)의 주사를 정지하고, 레지스트액 공급원(93)이 레지스트 노즐(78)로부터의 레지스트액(R)의 토출을 종료시킨다. 그 다음에 도 19에 나타나는 바와 같이 노즐 승강 기구(81)이 레지스트 노즐(78)을 수직 윗쪽으로 들어 올려 기판(G)로부터 퇴피시킨다.In this way, when the rear end of the substrate G and the resist nozzle 78 arrive at a predetermined position near the upstream end of the application region M 3 at the same time, the nozzle movement mechanism 75 moves the resist nozzle 78 on the resist liquid supply side. Scanning is stopped, and the resist liquid supply source 93 terminates the discharge of the resist liquid R from the resist nozzle 78. Then, as shown in FIG. 19, the nozzle elevating mechanism 81 lifts the resist nozzle 78 vertically upward and retracts it from the substrate G. As shown in FIG.

한편 기판 반송부(84)는 기판(G)의 후단이 상기 소정 위치에 도달한 후는 제 2 단계의 기판 반송으로부터 제 3 단계(도포 후)의 기판 반송으로 이행하고, 기판 반송 속도를 지금까지의 저속도(Vb)로부터 고속도(Vc)로 절환한다. 이 제 3 단계의 기판 반송에서 기판(G)는 반출부(M5)까지 단번에 반송된다. 이 때 도 19에 나타나는 바와 같이 기판(G)의 후단부가 도포 영역(M3)내를 상기 소정 위치(도포 종점 위치)로부터 반송 방향(X방향)으로 이동 또는 통과할 때로 부상 고도가(Hb)로부터(Ha)로 향해 점차적으로 상승한다. 이것은 도포 영역(M3)내에서 흡인구(90)으로부터 기판(G)에 작용하는 수직 하향 흡인력이 기판(G)의 이동에 따라 점차 감소하기 때문이다. 이러한 기판(G)의 부상 고도의 변화는 도포 처리 후의 경우이므로 도포 처리에 영향을 미치는 것은 아니다.On the other hand, after the rear end of the board | substrate G reaches the said predetermined position, the board | substrate conveyance part 84 shifts from the board | substrate conveyance of a 2nd step to the board | substrate conveyance of a 3rd step (after application | coating), and the board | substrate conveyance speed so far Switch from the low speed (V b ) to the high speed (V c ). Substrate in a substrate transportation of a first stage 3 (G) is conveyed at once to the export portion (M 5). At this time 19 subsequent unit area applied with the substrate (G) as shown in (M 3) is sometimes injured altitude to move or pass through a transport direction (X direction) from the predetermined position (the coating end point position) (H b Gradually rises from) to (H a ). This is because the vertical downward suction force acting on the substrate G from the suction port 90 in the application region M 3 gradually decreases as the substrate G moves. Since the change of the floating height of this board | substrate G is a case after a coating process, it does not affect a coating process.

이렇게 해 기판(G)가 도포 영역(M3)로부터 천이 영역(M4)를 통하여 반출 영역(M5)내에 반송되고 반송 종점 위치에 도착하면, 기판 반송부(84)는 제 3 단계의 기판 반송을 정지한다. 이 직후에 패드 흡착 제어부(115)가 흡착 패드(104)에 대한 진공의 공급을 멈추고, 이것과 동시에 패드 엑츄에이터(109)가 흡착 패드(104)를 주행 위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)로 내리고, 기판(G)의 양측 단부로부터 흡착 패드(104)를 분리시킨다. 이 때 패드 흡착 제어부(115)는 흡착 패드(104)에 정압(압축 공기)을 공급해 기판(G)로부터의 분리를 신속하게 한다. 그 대신해 리프트핀(92)가 기판(G)를 언로딩 하기 위해서 스테이지 아래쪽의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행위치로 상승한다.This ensures that the substrate (G) is applied to the area (M 3), when conveyed in the out zone (M 5) via a transition region (M 4) from and arrive at the transport end point position, the substrate feed section 84 is the substrate of the third phase Stop conveying. Immediately after this, the pad adsorption control unit 115 stops supplying the vacuum to the adsorption pad 104, and at the same time, the pad actuator 109 moves the adsorption pad 104 from the traveling position (coupling position) to its original position (retraction position). Down, the adsorption pad 104 is separated from both ends of the substrate G. At this time, the pad adsorption control unit 115 supplies the static pressure (compressed air) to the adsorption pad 104 to expedite separation from the substrate G. Instead, the lift pin 92 ascends from the original position below the stage to the traveling position above the stage to unload the substrate G. FIG.

그 후 반출 영역(M5)에 반출기 즉 반송 아암(74)가 액세스 해 리프트핀(92)로부터 기판(G)를 받아 스테이지(76)의 밖으로 반출한다. 기판 반송부(84)는 기판(G)를 리프트핀(92)에 건네주었다면 즉시 반입 영역(M1)으로 고속도로 되돌린다. 반출 영역(M5)에서 상기와 같이 처리완료된 기판(G)가 반출되는 무렵에, 반입 영역(M1)에서는 다음에 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판(G)에 대해서 반입, 얼라인먼트 내지 반송 개시가 행해진다.Thereafter, the ejector, that is, the transfer arm 74, accesses the transport region M 5 , receives the substrate G from the lift pin 92, and transports it out of the stage 76. The board | substrate conveyance part 84 returns to the loading area M 1 by the highway immediately if the board | substrate G was passed to the lift pin 92. In out area (M 5) the time that the export processing is complete the substrate (G) as described above, the import area (M 1) in the import, alignment to start the conveying for a new substrate (G) to obtain a coating in the following Is done.

상기와 같이 이 실시 형태에 있어서는 스테이지(76)상에 반입 영역(M1), 도포 영역(M3), 반출 영역(M5)를 따로 따로 설치하고, 그러한 각 영역에 기판을 차례로 전송하여 기판 반입 동작, 레지스트액 공급 동작, 기판 반출 동작을 각 영역에서 독립 또는 병렬적으로 실시하도록 하고 있어, 이것에 의해 1매의 기판(G)에 대해서 스테이지(76)상에 반입하는 동작에 필요로 하는 시간(TIN)과, 스테이지(76)상에서 반입 영역(M1)로부터 반출 영역(M5)까지 반송하는데 필요로 하는 시간(TC)과 반출 영역(M5)로부터 반출하는데 필요로 하는 시간(TOUT)를 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간(TC+TIN+TOUT)보다도 택트 타임을 단축할 수가 있다.As described above, in this embodiment, the loading area M 1 , the application area M 3 , and the transporting area M 5 are separately provided on the stage 76, and the substrates are sequentially transferred to each of these areas to provide a substrate. The carrying out operation, the resist liquid supplying operation, and the substrate carrying out operation are performed independently or in parallel in each region, and as a result, the operation required to carry out on the stage 76 to one substrate G is performed. time required to carried out of the time (T iN) and a stage (76) brought area (M 1) out area (M 5) time required to carry up to (T C) and taken out area (M 5) from over the Tact time can be shortened rather than the time (T C + T IN + T OUT ) of 1 cycle of the coating process which added (T OUT ) to each other.

또한 스테이지(76)의 상면에 설치한 분출구(88)에서 분출하는 기체의 압력을 이용해 기판(G)를 공중에 부상시키고, 부상하고 있는 기판(G)를 스테이지(76)상에서 반송하면서 긴형 레지스트 노즐(78)에서 기판(G)상에 레지스트액을 공급해 도포하도록 했으므로, 도포 처리시에 긴형 레지스트 노즐(78)을 주사시키는 거리를 기판(G)의 전체 길이보다 큰폭으로 짧게 할 수가 있다. 또한 레지스트 노즐(78)의 주사는 기판(G)의 반송과 역방향으로 행해지므로 낮은 주사 속도로 설정할 수가 있다. 이것은 기판이 대형화하는 만큼, 즉 긴형 레지스트 노즐이 무겁고 두껍고 길고 클수록 유리하게 된다.Moreover, the long type resist nozzle is made to float the board | substrate G to the air using the pressure of the gas which blows off from the blower outlet 88 provided in the upper surface of the stage 76, and conveys the floating board | substrate G on the stage 76. Since the resist liquid is supplied and applied to the substrate G at 78, the distance for scanning the long resist nozzle 78 during the coating process can be shortened to a greater length than the entire length of the substrate G. In addition, since the scanning of the resist nozzle 78 is performed in the reverse direction to the conveyance of the board | substrate G, it can set at low scanning speed. This is advantageous as the substrate becomes larger, that is, the longer, thicker, longer and larger the long type resist nozzle.

그리고 기판(G)가 스테이지(76)의 도포 영역(M3)을 통과하는 도중에 그 영역의 거의 전역을 덮고 있는 동안에, 기판(G)의 상면(피처리면)에 레지스트액을 공급하는 처리(도포 처리)를 도포 영역(M3)내에서 실행하도록 했으므로, 도포 처리의 개시부터 종료까지의 전처리 시간을 통해서 반송중의 기판(G)의 부상 고도(Hb)를 도포 영역(M3)내에서 설정값으로 유지하고[거기에 따라 레지스트 노즐(78)의 토출구와 기판(G)의 갭(S)를 설정값으로 유지하고], 기판(G)상에 도포 얼룩짐이 없는 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성할 수가 있다.And a substrate processing (G) is supplied to the resist solution on the upper surface (features front and back surfaces) of while covering substantially the entire region of the region while passing through the coating area (M 3) of the stage 76, the substrate (G) (coating Since the process) is performed in the application area M 3 , the floating height H b of the substrate G being conveyed is transferred within the application area M 3 through the pretreatment time from the start to the end of the application process. It is maintained at the set value (thereby maintaining the discharge port of the resist nozzle 78 and the gap S of the substrate G at the set value), and applying a resist film having a constant film thickness without coating unevenness on the substrate G. A film can be formed.

이상 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명했지만 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although the very suitable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the scope of the technical idea.

예를 들어 상기한 실시 형태에 있어서의 기판 반송부(84)의 보유 지지부(102)는 진공 흡착식의 패드(104)를 가지는 것이었지만, 기판(G)의 측테두리부를 기계적으로(예를 들어 협착하여) 보유 지지하는 패드 등도 가능하다. 또 패드(104)를 기판(G)의 측테두리부에 탈착 자유롭게 결합하기 위한 기구[패드 지지부(106), 패드 승강부(108), 패드 엑츄에이터(109)]에도 여러 가지의 방식 구성을 채용할 수가 있다. 또 상기 실시 형태에 있어서의 기판 반송부(84)는 기판(G)의 좌우 양측 테두리부를 보유 지지해 반송했지만, 기판(G)의 편측의 측테두리부만을 보유 지지하여 기판 반송을 실시하는 것도 가능하다. 상기 실시 형태는 1개의 긴형 레지스트 노즐(78)을 주사 해 기판(G)의 상면 전체에 레지스트액을 균일하게 공급(도포)했다. 그러나 기판(G)상의 피처리면을 복수의 에어리어로 분할해 각 에어리어에 개별의 노즐을 충당하거나, 각 에어리어마다 처리액이나 막두께를 독립적으로 설정하는 등의 변형도 가능하다.For example, although the holding part 102 of the board | substrate conveyance part 84 in above-mentioned embodiment had the pad 104 of a vacuum suction type | mold, the side edge part of the board | substrate G was mechanically (for example, narrowed). ) Pads to hold. In addition, various mechanism configurations can be employed for the mechanism (pad support portion 106, pad lifter 108, pad actuator 109) for detachably coupling the pad 104 to the side edge portion of the substrate G. There is a number. In addition, although the board | substrate conveyance part 84 in the said embodiment hold | maintained and conveyed the left and right both edge parts of the board | substrate G, it is also possible to hold | maintain only the one side edge part of the board | substrate G, and to carry out board | substrate conveyance. Do. In the said embodiment, one elongate resist nozzle 78 was scanned and the resist liquid was uniformly supplied (coated) to the whole upper surface of the board | substrate G. As shown in FIG. However, it is also possible to divide the processing target surface on the substrate G into a plurality of areas to cover individual nozzles in each area, or to set the processing liquid and the film thickness independently for each area.

상기한 실시 형태는 LCD 제조의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 장치에 관한 것이었지만, 본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급하는 임의의 처리 장치나 어플리케이션에 적용 가능하다. 따라서 본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외에도, 예를 들어 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 도포액도 가능하고, 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 유리 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다.Although the above embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating development processing system of LCD manufacture, the present invention can be applied to any processing apparatus or application for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used, and a developing solution, a rinse liquid, or the like can be used. The substrate to be treated in the present invention is not limited to an LCD substrate, but other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.

40 레지스트 도포 유니트(CT)
75 노즐 이동 기구
76 스테이지
78 레지스트 노즐
81 노즐 승강 기구
84 기판 반송부
85 반입용 리프트핀 승강부
86 반입용 리프트핀
87 얼라인먼트부
88 분출구
90 흡인구
91 반출용 리프트핀 승강부
92 반출용 리프트핀
93 레지스트액 공급원
100 반송 구동부
102 보유 지지부
104 흡착 패드
134 스테이지 기판 부상부
136 콘트롤러
M1 반입 영역
M3 도포 영역
M5 반출 영역40 resist coating unit (CT)
75 nozzle moving mechanism
76 stages
78 resist nozzle
81 nozzle lifting mechanism
84 Substrate Carrier
85 Lift Pin Lift
86 Lift Pins
87 Alignment Department
88 spout
90 suction port
91 Lift Pin Lift
92 Lift pin for carrying out
93 Resist Liquid Source
100 conveying drive
102 Retention Support
104 adsorption pad
134 stage board float
136 controller
M 1 import area
M 3 application area
M 5 export area

Claims (11)

소정의 반송 방향에 따라서, 피처리 기판보다도 사이즈가 큰 반입 영역과, 상기 기판보다 사이즈가 작은 도포 영역과, 상기 기판보다도 사이즈가 큰 반출 영역을 이 순서로 일렬로 설정하고, 상기 반입 영역, 상기 도포 영역 및 상기 반출 영역의 각 영역에서 상기 기판을 공기압의 힘으로 공중에 부상시키는 스테이지와,
상기 스테이지상에서 부상하고 있는 상기 기판을 탈착 가능하게 보유 지지해 상기 반입 영역으로부터 상기 도포 영역을 지나 상기 반출 영역까지 반송하는 기판 반송부와,
상기 스테이지의 도포 영역을 통과하는 상기 기판의 피처리면을 향해서 도포용의 처리액을 띠형상으로 토출하는 긴형의 노즐을 갖는 처리액 공급부를 구비하고,
상기 스테이지의 반입 영역 및 반출 영역에는, 상기 기판에 수직 상향의 압력을 주기 위한 기체를 분출하는 분출구를 일정한 밀도로 다수 설치하고,
상기 스테이지의 도포 영역에는, 상기 기판에 수직 상향의 압력을 주기 위한 기체를 분출하는 분출구와 상기 기판에 수직 하향의 압력을 주기 위한 기체를 흡인하는 흡인구를 일정한 밀도로 혼재시켜 다수 설치하여 이루어지는,
기판 처리 장치.According to a predetermined conveyance direction, the carry-in area | region larger in size than a to-be-processed board | substrate, the application | coating area | region smaller in size than the said board | substrate, and the carrying out area | region larger in size than the said board | substrate are set in this order, and the said carry-in area | region and said A stage for causing the substrate to float in the air by the force of air pressure in each of the application area and the export area;
A substrate conveying unit which detachably holds the substrate floating on the stage and conveys the substrate from the loading area to the carrying area through the coating area;
A processing liquid supply part having an elongated nozzle for discharging the processing liquid for coating in a band shape toward the surface to be processed of the substrate passing through the application region of the stage;
In the loading and unloading area of the stage, a plurality of ejection openings for ejecting gas for applying a vertical upward pressure to the substrate are provided at a constant density,
In the application area of the stage, a plurality of blowout ports for ejecting a gas for applying a vertical upward pressure to the substrate and a suction port for sucking a gas for applying a vertical downward pressure to the substrate are mixed and provided at a constant density,
Substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판에 대해서 상기 분출구에서 가해지는 수직 상향의 압력과 상기 흡인구에서 가해지는 수직 하향의 압력과의 밸런스를 제어하는 부양 제어부를 갖는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of Claim 1 which has a flotation control part which controls the balance of the vertical upward pressure applied by the said blower outlet with the vertical downward pressure applied by the said suction port with respect to the said board | substrate which passes through the said application | coating area | region. . 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반입 영역 내에서, 상기 스테이지에 반입되는 상기 기판을 핀선단으로 지지하기 위한 복수개의 제 1의 리프트핀과,
상기 제 1의 리프트핀을 상기 스테이지 하부의 원위치와 상기 스테이지 윗쪽의 주행 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제 1의 리프트핀 승강부를 갖는, 기판 처리 장치.The plurality of first lift pins according to claim 1 or 2, further comprising: a plurality of first lift pins for supporting the substrate carried in the stage with a pin tip in the carrying region;
A substrate processing apparatus having a first lift pin lift unit configured to move the first lift pin up and down between an original position under the stage and a travel position above the stage. 제1항에 있어서, 상기 기판의 상기 반입 영역에 있어서의 부상 고도가 상기 도포 영역에 있어서의 부상 고도보다 높은, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the floating height in the carry-in area of the substrate is higher than the floating height in the coating area. 제4항에 있어서, 상기 스테이지가, 상기 반입 영역과 상기 도포 영역과의 사이에 상기 기판의 부상 고도를 바꾸기 위한 제 1의 천이 영역을 갖는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the stage has a first transition region for changing a floating height of the substrate between the carry-in region and the application region. 제5항에 있어서, 상기 제 1의 천이 영역 내에, 기체를 흡입하는 흡인구를 상기 반송 방향을 향해 점차 증대하는 밀도로 다수 배치하고 있는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein a plurality of suction ports for sucking gas in the first transition region are disposed at a density gradually increasing toward the conveyance direction. 제1항에 있어서, 상기 반출 영역내에서, 상기 스테이지에서 반출하는 상기 기판을 핀선단으로 지지하기 위한 복수개의 제 2의 리프트핀과,
상기 제 2의 리프트핀을 상기 스테이지 하부의 원위치와 전기 스테이지 윗쪽의 주행 위치와의 사이에서 승강 이동시키는 제 2의 리프트핀 승강부를 갖는, 기판 처리 장치.2. The plurality of second lift pins according to claim 1, further comprising: a plurality of second lift pins for supporting the substrate carried out at the stage with a pin tip in the carrying area;
And a second lift pin lifter configured to move the second lift pin up and down between the original position under the stage and the travel position above the electric stage. 제1항에 있어서, 상기 기판의 상기 반출 영역에 있어서의 부상 고도가 상기 도포 영역에 있어서의 부상 고도보다 높은, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the floating height in the carry-out area of the substrate is higher than the floating height in the coating area. 제8항에 있어서, 상기 스테이지가, 상기 도포 영역과 상기 반출 영역과의 사이에 상기 기판의 부상 고도를 바꾸기 위한 제 2의 천이 영역을 갖는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the stage has a second transition region for changing a floating height of the substrate between the application region and the carry-out region. 제9항에 있어서, 상기 제 2의 천이 영역 내에, 기체를 흡입하는 흡인구를 상기 반송 방향을 향해 점차 감소하는 밀도로 다수 배치하고 있는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein a plurality of suction ports for sucking gas in the second transition region are disposed at a density gradually decreasing toward the conveyance direction. 제1항에 있어서,
상기 기판 반송부가,
상기 기판의 이동하는 방향과 평행에 연장하도록 상기 스테이지의 편측 또는 양측으로 배치되는 가이드 레일과,
상기 가이드 레일에 따라 이동 가능한 슬라이더와,
상기 슬라이더를 상기 가이드 레일에 따라 이동하도록 구동하는 반송 구동부와,
상기 슬라이더로부터 상기 스테이지의 중심부를 향해 연장하고, 상기 기판의 측테두리부를 탈착 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부를 갖는, 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The substrate transfer unit,
A guide rail disposed on one side or both sides of the stage to extend in parallel with the moving direction of the substrate;
A slider movable along the guide rail,
A conveying drive unit which drives the slider to move along the guide rail;
And a holding portion extending from the slider toward the center of the stage and detachably holding the side edge portion of the substrate.
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210023079A (en) * 2019-08-22 2021-03-04 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884871B2 (en) * 2006-07-27 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 Coating method and coating apparatus
JP4318714B2 (en) * 2006-11-28 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 Coating device
JP2009018917A (en) * 2007-07-12 2009-01-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Application device, substrate delivery method and application method
KR100874611B1 (en) 2007-08-13 2008-12-17 주식회사 케이씨텍 The meathod of multi layer coatings
KR100891723B1 (en) * 2007-09-19 2009-04-03 주식회사 엠엠티 Non-Contact Panel Cleaning Apparatus
JP4495752B2 (en) 2007-11-06 2010-07-07 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and coating apparatus
JP2010034309A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Coating apparatus and substrate processing system
KR101341013B1 (en) * 2008-09-04 2013-12-13 엘지디스플레이 주식회사 Washing device
JP4787872B2 (en) * 2008-10-16 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer processing equipment
KR101071583B1 (en) 2009-08-21 2011-10-10 주식회사 케이씨텍 Inline type substrate coater apparatus
KR101051767B1 (en) * 2009-09-01 2011-07-25 주식회사 케이씨텍 Floating Board Coater Device
KR101883319B1 (en) * 2010-02-17 2018-07-31 가부시키가이샤 니콘 Transfer apparatus, transfer method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5010019B2 (en) * 2010-09-09 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 stage
JP5663297B2 (en) * 2010-12-27 2015-02-04 東京応化工業株式会社 Coating device
TWI685911B (en) * 2011-05-13 2020-02-21 日商尼康股份有限公司 Object exchange system, object exchange method, and exposure apparatus
KR102096956B1 (en) * 2011-12-22 2020-04-06 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR102190687B1 (en) * 2014-12-08 2020-12-15 엘지디스플레이 주식회사 slit coaster system
JP2018043200A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Coating applicator and application method
JP6905830B2 (en) * 2017-01-11 2021-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method
JP6860357B2 (en) * 2017-01-20 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Coating device and coating method
JP6860356B2 (en) * 2017-01-20 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Coating device and coating method
TW202021424A (en) * 2018-08-22 2020-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 Drawing device and drawing method
KR102696137B1 (en) * 2020-08-14 2024-08-19 세메스 주식회사 Apparatus for dispensing droplet and method for dispensing droplet
JP7520665B2 (en) * 2020-09-25 2024-07-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing method
WO2022209197A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 東京エレクトロン株式会社 Coating processing device, coating processing method, and coating processing program

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273714A (en) 2003-03-07 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd Equipment and method for substrate treatment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0455347A (en) * 1990-06-20 1992-02-24 Konica Corp Method and device for applying oily resin solution
JP2002346463A (en) * 2001-05-24 2002-12-03 Toppan Printing Co Ltd Sheet glass coating device
JP2003290697A (en) * 2002-04-02 2003-10-14 Toppan Printing Co Ltd Device for continuously coating single sheet
TWI226303B (en) * 2002-04-18 2005-01-11 Olympus Corp Substrate carrying device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004273714A (en) 2003-03-07 2004-09-30 Tokyo Electron Ltd Equipment and method for substrate treatment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210023079A (en) * 2019-08-22 2021-03-04 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR102262080B1 (en) 2019-08-22 2021-06-07 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

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