KR100974336B1 - Light emitting diode package - Google Patents
Light emitting diode package Download PDFInfo
- Publication number
- KR100974336B1 KR100974336B1 KR1020080090484A KR20080090484A KR100974336B1 KR 100974336 B1 KR100974336 B1 KR 100974336B1 KR 1020080090484 A KR1020080090484 A KR 1020080090484A KR 20080090484 A KR20080090484 A KR 20080090484A KR 100974336 B1 KR100974336 B1 KR 100974336B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- light transmitting
- transmitting portion
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 간단하게 렌즈부의 휘도 분포를 조절함으로써 손쉽게 면발광을 구현할 수 있고, 하나의 금형으로 다양한 휘도분포를 갖는 렌즈부를 제조할 수 있도록 함으로써 다양한 모델에 유연하게 적용할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위하여, 본 발명은, 표면으로부터 인입된 인입부와 상기 인입부의 주위로 반사면을 구비한 플레이트와, 상기 플레이트의 인입부에 안착된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮고, 광 발산 물질을 포함하는 발광 매질과, 상기 발광 매질의 상부에 위치하고, 적어도 일부 표면에 곡률을 갖도록 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩 및 발광 매질로부터 발산된 빛이 투과하는 제1광투과부 및 제2광투과부를 갖고, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높은 렌즈부를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.The present invention provides a light emitting diode package that can be easily applied to a variety of models by making it possible to easily implement surface light emission by simply adjusting the brightness distribution of the lens unit, and to manufacture a lens unit having a variety of luminance distribution with one mold. It aims to do it. To this end, the present invention is a light-emitting material which covers an inlet portion drawn from the surface and a plate having a reflective surface around the inlet portion, a light emitting diode chip seated on the inlet portion of the plate, and the light emitting diode chip. A light emitting medium including a light emitting medium, the light emitting medium having a curvature on at least a portion of the light emitting medium, and having a first light transmitting portion and a second light transmitting portion through which light emitted from the light emitting diode chip and the light emitting medium passes. The present invention provides a light emitting diode package including a lens unit having a luminance of light transmitted through the first light transmitting unit higher than a luminance of light transmitted through the second light transmitting unit.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 국부적인 휘도 차이를 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package that can implement a local luminance difference.
발광 다이오드(Light emitting diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 조명원으로 다양하게 이용 및 개발되고 있다.A light emitting diode is a device that converts electricity into light using characteristics of a compound semiconductor, and has been variously used and developed as a next generation lighting source.
이러한 발광 다이오드는 최근 각종 디스플레이로 개발되고 있으며, 특히, 액정 표시장치의 백라이트 유닛으로 많이 연구 및 개발되고 있다.Such light emitting diodes have been recently developed into various displays, and in particular, many researches and developments have been made as backlight units of liquid crystal displays.
점광원인 발광 다이오드를 백라이트로 사용하기 위해서는 면 상에 점광원인 발광 다이오드를 복수개 배열하고, 발광 다이오드 상에 확산시트, 프리즘시트 등을 통해 점광을 확산 및 산란시켜 면광원으로 하는 것이 일반적이다. 그런데, 이 경우 면밝기가 고른 면광원을 얻기 위해서는 발광다이오드의 발광면에서 일정한 높이에 광학시트들을 배치해야 하기 때문에 백라이트 유닛이 두꺼워지는 단점이 있다.In order to use a light emitting diode that is a point light source as a backlight, a plurality of light emitting diodes that are point light sources are arranged on a surface, and point light is diffused and scattered through a diffusion sheet, a prism sheet, or the like on the light emitting diode to make a surface light source. However, in this case, in order to obtain a surface light source having an even surface brightness, the backlight unit is thick because the optical sheets must be disposed at a predetermined height in the light emitting surface of the light emitting diode.
이를 개선하기 위해 발광 다이오드의 배열 간격을 줄이는 방법이 모색되고 있으나, 단위 면적당 발광 다이오드 개수가 증가함으로 인한 원가 상승의 문제가 있다.In order to improve this problem, a method of reducing the arrangement interval of light emitting diodes has been sought, but there is a problem of cost increase due to the increase in the number of light emitting diodes per unit area.
또한, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 측면 발광(side emitting) 방식의 발광 다이오드에, 측면 방출 렌즈를 적용한 기술이 제안되고 있다.In addition, in order to solve the above problems, a technique of applying a side emitting lens to a side emitting light emitting diode has been proposed.
예컨대, 한국 공개특허 2006-0135207호에는 주변부에서 중심부로 갈수록 낮아지는 경사면을 상면에 구비한 렌즈부에 의해 수직축에 대해 55도 내지 80도의 범위에서 최대 휘도가 나타나도록 하는 발광 다이오드 램프가 개시되어 있다. For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0135207 discloses a light emitting diode lamp that exhibits a maximum luminance in the range of 55 degrees to 80 degrees with respect to the vertical axis by a lens unit having an inclined surface that is lowered from the periphery to the center. .
그런데 이러한 종래의 측면 방출 렌즈들을 적용하는 경우, 면발광을 구현하기 위해서는 각 발광 다이오드 간의 배열 간격 및 발광원으로부터 광학시트까지의 거리 등을 고려하여 다양한 형태의 렌즈를 설계해야 할 필요가 있다.However, in the case of applying the conventional side emission lenses, it is necessary to design a lens of various types in consideration of the distance between the array of light emitting diodes and the distance from the light emitting source to the optical sheet in order to implement the surface light emitting.
따라서, 제품에의 적용 시 백라이트 유닛 모델의 종류에 따라 다양하게 많은 렌즈 형성용 금형을 필요로 하게 되며, 모델 변경에 유연하게 대처하기 어려운 한계가 있다.Therefore, when the application to the product requires a large number of molds for forming a lens according to the type of backlight unit model, there is a limit that is difficult to flexibly cope with the model change.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 간단하게 렌즈부의 휘도 분포를 조절함으로써 손쉽게 면발광을 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데에 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can easily implement surface light emission by simply adjusting the brightness distribution of the lens unit.
본 발명의 다른 목적은 하나의 금형으로 다양한 휘도분포를 갖는 렌즈부를 제조할 수 있도록 함으로써 다양한 모델에 유연하게 적용할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package that can be flexibly applied to various models by being able to manufacture a lens unit having various luminance distribution with one mold.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 표면으로부터 인입된 인입부와 상기 인입부의 주위로 반사면을 구비한 플레이트와, 상기 플레이트의 인입부에 안착된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮고, 광 발산 물질을 포함하는 발광 매질과, 상기 발광 매질의 상부에 위치하고, 적어도 일부 표면에 곡률을 갖도록 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩 및 발광 매질로부터 발산된 빛이 투과하는 제1광투과부 및 제2광투과부를 갖고, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높은 렌즈부를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a plate having an inlet portion drawn from the surface and a reflection surface around the inlet portion, a light emitting diode chip seated on the inlet portion of the plate, and covering the light emitting diode chip, A light emitting medium including a light emitting material and a first light transmitting portion and a second light positioned on the light emitting medium and having a curvature on at least a portion of the light emitting medium, and the light emitted from the light emitting diode chip and the light emitting medium is transmitted; The light emitting diode package includes a lens unit having a transmissive part and a luminance of light transmitted through the first light transmitting part is higher than a luminance of light transmitted through the second light transmitting part.
상기 제1광투과부와 제2광투과부는 서로 다른 표면 거칠기를 갖도록 구비될 수 있다.The first light transmitting part and the second light transmitting part may be provided to have different surface roughnesses.
상기 제2광투과부는 광흡수 필터를 더 포함할 수 있다.The second light transmitting part may further include a light absorption filter.
상기 제2광투과부는 광반사부를 더 포함할 수 있다.The second light transmitting part may further include a light reflecting part.
상기 렌즈부는 일부 표면이 편평하도록 구비된 편평부를 포함하고, 상기 제2광투과부는 적어도 상기 편평부의 일부를 포함할 수 있다.The lens part may include a flat part provided to have a flat surface, and the second light transmitting part may include at least a part of the flat part.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩의 직상부에 위치할 수 있다.The second light transmitting part may be positioned directly on the light emitting diode chip.
상기 제2광투과부는 상기 반사면의 외측 경계에 대응되는 경계로 구비될 수 있다.The second light transmitting part may be provided as a boundary corresponding to an outer boundary of the reflective surface.
상기 플레이트는 복수의 인입부 및 반사면을 구비하고, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 인입부에 각각 안착되며, 상기 발광 매질은 상기 각 발광 다이오드 칩을 덮을 수 있다.The plate may include a plurality of lead portions and a reflective surface, the light emitting diode chips may be seated on the lead portions, and the light emitting medium may cover the respective light emitting diode chips.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 직상부에 위치할 수 있다.The second light transmitting part may be positioned directly on the light emitting diode chips.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 수에 대응되는 수로 구비될 수 있다.The second light transmitting part may be provided in a number corresponding to the number of the LED chips.
상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계에 각각 대응되는 경계로 구비될 수 있다.The second light transmitting part may be provided as a boundary corresponding to an outer boundary of the plurality of reflective surfaces, respectively.
상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계를 포함하는 경계로 구비될 수 있다.The second light transmitting part may be provided as a boundary including outer boundaries of the plurality of reflective surfaces.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 상부의 소정 영역을 제2광투과부를 통해 의도적으로 휘도를 저하시킴으로써, 이러한 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열시켰을 때에, 손쉽게 면광원을 이룰 수 있다.According to the present invention as described above, by intentionally lowering the brightness of the predetermined region of the upper portion of the light emitting diode chip through the second light transmitting portion, it is possible to easily achieve a surface light source when a plurality of such light emitting diode packages are arranged.
또한, 해당 면광원이 적용되는 백라이트 유닛의 종류 또는 모델에 따라 렌즈부를 성형하는 금형을 가변할 필요없이, 단일의 금형으로도 다양한 모델에 대응하여 다양한 종류의 렌즈부를 성형할 수 있다.In addition, various types of lens parts may be formed by using a single mold corresponding to various models without having to vary the mold for molding the lens part according to the type or model of the backlight unit to which the surface light source is applied.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임(20)에 발광 다이오드 칩(30)이 안착되고 렌즈부(40)가 장착된 구조를 갖는다.As shown in FIG. 1, the LED package according to the exemplary embodiment of the present invention has a structure in which the
리드 프레임(20)은 양극 리드와 음극 리드를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(30)이 안착되는 다이 패드에 리드 프레임(20) 표면(22)으로부터 소정 깊이로 인입된 안착부(24)를 갖도록 구비되며, 안착부(24)의 가장자리를 따라 제1반사면(26)을 갖는다. 이 제1반사면(26)은 발광 다이오드 칩(30)이 안착되는 안착부(24)를 둘러싸도록 구비되는 것이 바람직하며, 발광 다이오드 칩(30)으로부터 측면 방향으로 출사되는 광을 상부로 반사시켜 발광 효율을 더욱 좋게 하도록 한다. The
상기와 같은 제1반사면(26) 및 안착부(24)는 리드 프레임(20)을 에칭 또는 다운셋 금형을 통해 성형가공하여 다이패드부위에 컵 형태로 형성시킬 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 별도의 수지를 이용해 사출하거나 트랜 스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩을 통해 리드 프레임(20)에 형성할 수도 있다.The first reflecting
발광 다이오드 칩(30)은 다이 접착제로 상기 안착부(24)에 접합되고 와이어(32)에 의해 리드 프레임(20)의 표면(22)에 연결된다. The light
그리고, 표면으로부터 인입된 홈 형상인 안착부(24)에는 발광 다이오드 칩(30)을 덮도록 제1매질(34)이 도포된다. In addition, a
상기 제1매질(34)은 형광체가 포함된 것으로, 형광체를 투명한 에폭시 또는 실리콘 수지와 일정 비율로 혼합한 것을 사용할 수 있다. 상기 형광체는 발광 다이오드 칩(30)의 발광 파장에만 여기되어 발광하는 것으로, 단일 독립 파장을 여기 발광하는 순도가 높은 실리케이트(Silicate)계 형광체 또는 나이트라이드(Nitride)계 형광체일 수 있다.The
상기 제1매질(34)에는 반드시 형광체를 포함하는 것에 한정되는 것은 아니며, 형광체 및/또는 특정 색상의 색소가 혼합되어도 무방하다.The
이러한 제1매질(34)은 트랜스퍼 몰딩 또는 디스펜싱 공정을 통해 발광 다이오드 칩(30)을 덮도록 도포되며 미리 설정된 두께만큼 도포된다. The
상기 리드 프레임(20)의 가장자리로는 반사도가 높은 재질의 열경화성 및/또는 가소성 수지로 사출 또는 트랜스퍼 몰딩된 베이스(10)가 더 구비되며, 베이스(10)의 내측면에는 제2반사면(12)이 형성되어 있다.An edge of the
상기와 같은 구조에서 발광 다이오드 칩(30) 및 제1매질(34)의 상부로 렌즈부(40)가 형성된다. In the above structure, the
상기 렌즈부(40)는 투명한 수지재로 형성되며 별도의 렌즈 금형에 상기와 같 이 조립된 리드 프레임(20) 등을 안착시킨 후 트렌스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 형성한다. 이 렌즈부(40)는 제1매질(34)로부터 발산되는 빛을 혼합하여 투과시키는 제2매질의 역할을 수행하며, 빛을 측면방향으로 더욱 확산시키는 역할을 한다.The
본 발명에 있어, 상기 렌즈부(40)는 제1매질(34)로부터 발산된 빛을 투과시키는 제1광투과부(42) 및 제2광투과부(44)를 갖는다. 이 때, 상기 제1광투과부(42)를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부(44)를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높게 되도록 한다.In the present invention, the
즉, 도 1에서 볼 때, 빛이 제1광투과부(42)를 통해 투과되어 형성되는 제1투과영역(L1)은 빛이 제2광투과부(44)를 통해 투과되어 형성되는 제2투과영역(L2)보다 더 밝게 된다. That is, as shown in FIG. 1, the first transmission region L1 formed by transmitting light through the first
이 때, 상기 제2광투과부(44)는 상기 발광 다이오드 칩(30)의 직상부에 위치하며, 그 외주 경계는 제1반사면(26)의 외주 경계와 대략 일치되도록 한다. 그리고, 이 제2광투과부(44)는 렌즈부(40)의 표면에 일정 정도의 요철면(46)으로 형성함으로써, 즉, 이 제2광투과부(44)에서의 표면 거칠기가 제1광투과부(42)의 표면 거칠기보다 더 거칠게 되도록 함으로써 구현할 수 있다. 이러한 제2광투과부(44)에서의 높은 표면 거칠기 정도로 인해 제1매질(34)로부터 발산된 빛이 제2광투과부(44)를 투과할 때에 제1투과영역(L1)의 방향으로의 확산이 많아지게 되고, 이에 따라 중앙 영역에 해당하는 제2투과영역(L2)이 제1투과영역(L1)보다 어두워 보이게 된다.In this case, the second
이렇게 발광 다이오드 칩(30)의 직상부의 소정 영역을 제2광투과부(44)를 통해 의도적으로 휘도를 저하시킴으로써, 간단하게 도 2에서 볼 수 있는 중심에서 70도 정도 이격된 부분에서 최대 휘도를 가질 수 있다. 따라서, 이러한 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열시킴으로써 손쉽게 면광원을 이룰 수 있는 것이다.By intentionally lowering the luminance of the predetermined region of the upper portion of the light
한편, 전술한 바와 같이, 면광원을 얻는 것은 발광 다이오드의 배열 간격이나 발광 다이오드 광원과 시트 사이의 간격 등에 의해 다양하게 존재한다. 즉, 도 2의 그래프에서 중심선으로부터 몇 도에서 최대 휘도를 갖도록 렌즈부를 설계할 것인지는 해당 면광원이 적용되는 백라이트 유닛의 종류 또는 모델에 따라 다양하게 존재할 수 있다.On the other hand, as described above, obtaining the surface light source exists in various ways due to the arrangement interval of the light emitting diodes, the interval between the light emitting diode light source and the sheet, and the like. That is, in the graph of FIG. 2, whether the lens unit is designed to have the maximum luminance from the center line may vary depending on the type or model of the backlight unit to which the corresponding surface light source is applied.
이 경우, 본 발명은 상기 제2광투과부(44)의 면적 또는 그 외주 경계를 조절함으로써 이렇게 백라이트 유닛의 모델이 변경되었을 때에 손쉽게 대응할 수 있다.In this case, the present invention can easily cope with when the model of the backlight unit is changed in this way by adjusting the area of the second
즉, 도 1에서 볼 때, 상기 제2광투과부(44)의 외주 경계를 제1반사면(26)의 외측 경계의 직상부로부터 소정 각도(α) 이격되는 범위까지 설정함으로써 원하는 휘도 범위를 손쉽게 얻을 수 있다.That is, as shown in FIG. 1, the desired luminance range can be easily set by setting the outer circumferential boundary of the second
또한, 이렇게 제2광투과부(44)의 외주 경계가 변경될 경우, 이를 제조하는 방법도 매우 간단해진다.In addition, when the outer circumference of the second
즉, 전술한 바와 같이 상기 렌즈부(40)는 수지재로 몰딩되는 것으로서 금형 내에 리드 프레임(20)을 안착시킨 상태에서 수지재를 금형 내로 주입해 몰딩한다. 이 때, 상기 제2광투과부(44)는 금형 내측 표면에 요철을 형성함으로써 형성되도록 할 수 있는 데, 모델이 변경되어 제2광투과부(44)의 외주 경계에 대해 재설계해야 할 필요가 있을 경우에는 기 사용한 금형의 내측 표면의 요철을 폴리싱에 의해 제거한 후 다시 샌딩처리를 하여 적용할 수 있다. 따라서, 모델 변경 시에도 단일 금형을 적용할 수 있게 된다. That is, as described above, the
또 다른 방법으로는 전술한 요철이 없는 동일한 렌즈부(40) 외형을 금형으로 형성한 후에, 그 표면에 샌딩 등의 방법으로 국부적으로 제2광투과부(44)를 형성함으로써, 모델 변경 시에도 동일한 금형을 사용할 수 있게 된다.In another method, the
이처럼 본 발명은, 렌즈의 외주 곡률을 변경시킴으로써 국부적인 휘도차이를 발생시키는 것이 아니라, 렌즈 표면에 저휘도부인 제2광투과부를 설정함으로써 다양한 모델에 대해 손쉽게 면광원을 구현할 수 있게 된다.As described above, the present invention enables not only to generate a local luminance difference by changing the outer curvature of the lens but also to easily implement a surface light source for various models by setting the second light transmitting part, which is a low luminance part, on the lens surface.
한편, 전술한 실시예에서는 제2광투과부(44)를 제1광투과부(42)에 비해 인위적으로 저휘도부로 한 것이나, 본 발명에서는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2광투과부(44)를 통과한 광과 제1광투과부(42)를 통과한 광의 상대적 밝기 차이가 중요하다. 즉, 제1광투과부(42)를 통과한 광이 제2광투과부(44)를 통과한 광보다 휘도가 높으면 되는 것으로, 이를 위해 전술한 실시예와 같이 제2광투과부(44)의 광투과율을 낮출 수도 있고, 또, 제2광투과부(44)를 내부광 반사형 구조로 형성하여 제2광투과부(44)로 입사된 광이 다른 쪽으로 반사되어 결국 제1광투과부(42)로 취출될 수 있도록 함으로써 제1광투과부(42)를 통과한 광이 제2광투과부(44)를 통과한 광보다 휘도가 높게 되도록 할 수도 있는 것이다. 이러한 내광 반사형 구조는 제2광투과부(44)에 형성되는 요철의 형상을 조절하여 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛에 대한 전반사율을 높이거나 제1투과영역(L1)의 방향으로 굴절되는 양이 많게 되도록 설계함으로써 적용 가능하다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the second
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 제1광투과부(42)의 표면을 요철면(46)으로 구성함으로써 제1광투과부(42)의 표면 거칠기가 제2광투과부(44)의 표면 거칠기보다 거칠게 되도록 한 것이다. 이 때, 상기 제2광투과부(44)는 중앙 부위가 발광 다이오드 칩(30)의 방향으로 인입된 구조를 취하고 있어 중앙이 함몰된 경사면(45)을 갖도록 하고 경사면(45)의 중앙에는 일부 편평한 면을 형성한다. 이러한 제2광투과부(44)의 구조에 의해 제1매질(34)을 거쳐 제2광투과부(44)를 향해 발산된 광을 다른 각도로 반사할 수 있어 역시 제1투과영역(L1) 쪽으로 빛이 유도되도록 할 수 있게 된다. 이에 따라 제1투과영역(L1)은 제2투과영역(L2)에 비해 더욱 밝게 보일 수 있게 된다. 상기 제2광투과부(44)는 빛이 더욱 잘 반사되도록 하기 위해 표면을 폴리싱처리할 수 있다. 즉, 폴리싱 처리를 통해 제2광투과부(44)를 경면(鏡面)으로 만들어줄 경우, 제2투과영역(L2)을 향하는 빛을 측면, 즉 제1투과영역(L1)으로 전환시키도록 경사면(45)의 반사도를 더욱 높일 수 있다. 반대로, 제1광투과부(42)에는 요철면(46)을 형성함으로써 제1투과영역(L1)의 빛을 외측 방향으로 더욱 확산시킬 수 있다. 이 경우에는 도 2에서 볼 수 있는 좌우 봉우리 형상이 도 2와 같이 첨예한 형상을 갖기 보다는 옆으로 퍼진 둥근 형태를 취할 수 있다. 3 illustrates another preferred embodiment of the present invention. The surface roughness of the first
이처럼 본 발명은 렌즈부의 표면에 국부적인 표면 거칠기의 차이가 발생되도록 함으로써 제1투과영역(L1)의 휘도가 제2투과영역(L2)의 휘도보다 높게 되도록 하되 이 때의 발광 특성을 다양하게 변경시킬 수 있다.As such, the present invention causes the difference in local surface roughness to occur on the surface of the lens unit so that the luminance of the first transmission region L1 is higher than the luminance of the second transmission region L2, but variously change the luminescence properties at this time. You can.
도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 상기 렌즈부(40)가 일부 표면이 편평하도록 구비된 편평부를 포함하도록 한 것이다. 즉, 상기 렌즈부(40)는 외면이 하나 이상의 곡률반경을 갖는 곡률면으로 형성되도록 하는 데, 일부 영역에서 곡률을 갖지 않는 편평한 면을 갖도록 한 것이다. 이 편평부(46)는 상기 발광 다이오드 칩(30)의 직상부에 위치하도록 할 수 있다. Figure 4 shows another preferred embodiment of the present invention, the
상기 제2광투과부(44)는 적어도 상기 편평부의 일부를 포함하도록 할 수 있는 데, 도 4에 따른 실시예에서는 제2광투과부(44)와 편평부가 일치하도록 하였다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2광투과부(44)의 영역과 편평부의 영역이 반드시 일치하도록 할 필요는 없다.The second
상기 편평부에 따라 빛은 일정 영역에서 직진성을 갖게 되는 데, 이 부분에 제2광투과부(44)를 배치시킴으로써 직진되는 영역의 휘도를 최소화시킬 수 있게 된다.According to the flat portion, the light has a straightness in a predetermined region, and by arranging the second
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것이다.Figure 5 shows another preferred embodiment of the present invention.
도 5에 따른 실시예의 경우, 상기 제2광투과부(44)를 별도의 광흡수 필터(48)를 렌즈부(40) 표면에 부착하여 구현한 것이다.In the case of the embodiment according to FIG. 5, the second
광흡수 필터(48)의 광흡수율은 설계 조건에 따라 다양하게 변경 가능한 데, 대략 20~80%의 광흡수율을 갖는 필터를 사용할 수 있다.The light absorption rate of the
이처럼 제2광투과부(44)를 광흡수 필터(48)를 렌즈부(40) 표면에 부착하여 구현함으로써, 전술한 바와 같이 모델이 변경되는 경우라 하더라도 금형의 변경없이 필터의 종류 및 사이즈 변경으로 간단히 대응할 수 있다.By implementing the second
이러한 광흡수 필터(48)에 의한 제2광투과부(44)의 구현은 본 발명의 모든 실시예에 적용될 수 있음은 물론이다.The implementation of the second
한편, 이러한 광흡수 필터(48) 대신에 내부광 반사 필름(미도시)을 광흡수 필터(48)와 동일한 자리에 형성함으로써, 전술한 바와 같이 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛이 제2광투과부(44)에서 내측으로 재반사되어 제1투과영역(L1)으로 취출되도록 할 수도 있다. 이 때의 내부광 반사 필름은 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산되는 빛에 대한 반사를 주로 하도록 한 것이다.On the other hand, instead of the
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 둘 이상의 발광 다이오드 칩으로 하나의 패키지를 구현하는 경우를 도시한 것이다.6 illustrates another preferred embodiment of the present invention, which illustrates a case where one package is implemented using two or more light emitting diode chips.
이 경우, 리드 프레임(20)은 둘 이상의 안착부(24)(24')와, 제1반사면(26)(26')을 갖도록 형성되고, 각 안착부(24)(24')에는 발광 다이오드 칩(30)(30')이 안착되며, 이들 발광 다이오드 칩(30)(30')을 덮도록 제1매질(34)(34')을 도포한다. In this case, the
각 발광 다이오드 칩(30)(30')은 청색광을 발광하는 칩이거나, 적색광을 발광하는 칩 또는 녹색광을 발광하는 칩일 수 있는 데, 이들의 조합일 수 있다. 물론 색상은 반드시 적녹청 삼원색에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 화이트를 구현할 수 있는 다양한 색상 조합이 적용 가능하다.Each
그리고, 각 제1매질(34)(34')은 각각의 발광 다이오드 칩(30)(30')의 발광 파장에만 여기되는 것들을 독립적으로 도포한다. In addition, each of the
각 발광 다이오드 칩(30)(30')은 리드 프레임(30) 상에서 서로 독립적으로 구동되도록 독립된 단자를 구비하며 전류의 제어를 통해 각 발광 다이오드 칩(30)(30')의 광량을 가변할 수 있다.Each of the LED chips 30 and 30 ′ has independent terminals to be driven independently from each other on the
이에 따라 형광체의 여기 발광 파장을 독립된 단일 파장 발광으로 전환하여 형광 발광 효율을 극대화시킬 수 있으며, 각기 다른 발광 파장을 갖는 다수개의 독립적인 발광 다이오드 칩(30)(30')의 전류 제어를 통해 광의 세기를 가변함으로써 원하는 색상의 조정이 가능해진다.Accordingly, the excitation emission wavelength of the phosphor can be converted into independent single wavelength emission to maximize the fluorescent emission efficiency, and light can be controlled through current control of a plurality of
이러한 구조에서도 렌즈부(40)는 각 발광 다이오드 칩(30)(30')에 공통으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2광투과부(46)도 각 발광 다이오드 칩(30)(30')의 직상부에 형성되도록 하며, 그 외주 경계가 각 제1반사면(26)(26')의 외측 경계를 모두 아우르는 범위로 하여 형성된다. 따라서, 이러한 구조의 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열함으로써 화이트 백라이트 유닛에 적용할 경우에는 면광원을 간단히 이룰 수 있다. Even in this structure, the
한편, 이와는 달리 상기 제2광투과부(46)(46')는 도 7에서 볼 수 있듯이, 각 발광 다이오드 칩들(30)(30')의 수에 대응되는 수로 구비될 수 있다. 이 때, 각 제2광투과부(46)(46')의 외주 경계는 각 제1반사면(26)(26')의 외측 경계에 대응되도록 할 수 있다. 이에 따라 원하는 휘도 분포를 간단히 얻을 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7, the second
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 안착부(24)에 발광 다이오드 칩(30)의 주변을 따라 홈(28)을 형성한 것이다. 상기 홈(28)에 따라 제1매질(34)은 도포 시, 상기 홈(28) 외측으로 흐르는 것이 규제되어 발광 다이오드 칩(30)을 일정한 두께로 덮을 수 있다. 8 illustrates another preferred embodiment of the present invention, in which the
이처럼 제1매질(34)이 발광 다이오드 칩(30)을 균일한 두께로 덮을 경우, 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛이 제1매질(34)을 지나는 거리가 동일하기 때문에 균일한 색분포를 이룰 수 있다. 상기 제1매질(34)의 흐름을 방지하는 홈(28)은 제1매질(34)의 흐름을 방지할 수 있는 한, 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 홈 외에도 돌기의 형태로도 구비될 수 있다.As such, when the first medium 34 covers the light emitting
도 3 내지 도 5에 따른 실시형태는 도 6 내지 도 8에 따른 실시예에 그대로 적용할 수 있음은 물론이다.3 to 5 may be applied to the embodiment according to FIGS. 6 to 8 as it is.
이처럼, 본 발명의 실시예들의 경우, 전술한 바와 같이 제2광투과부(44)에 의해 휘도를 인위적으로 떨어뜨림으로써 발광 다이오드 패키지가 복수개 배치되었을 때에 면광원을 효과적으로 형성할 수 있다.As described above, in the exemplary embodiments of the present invention, when the plurality of light emitting diode packages are disposed by effectively lowering the luminance by the second
이상 설명한 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임형에 한정하여 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩형 등 다양한 종류의 발광 다이오드 패키지에도 그대로 적용 가능하다.Although the light emitting diode package described above is limited to the lead frame type, the present invention is not necessarily limited thereto, and the present invention can be applied to various types of light emitting diode packages such as flip chip type.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that
도1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도,1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention;
도2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 광 휘도 분포를 나타내는 그래프,FIG. 2 is a graph showing the light luminance distribution of the light emitting diode package of FIG.
도3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,3 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another exemplary embodiment of the present invention;
도4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,4 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another preferred embodiment of the present invention;
도5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,5 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another preferred embodiment of the present invention;
도6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,6 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another preferred embodiment of the present invention;
도7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,7 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another preferred embodiment of the present invention;
도8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도.Figure 8 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another preferred embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명** Brief description of the main parts of the drawing *
10: 베이스 12: 제2반사면10: base 12: second reflecting surface
20: 리드 프레임 24: 안착부20: lead frame 24: seating portion
26: 제1반사면 30: 발광 다이오드 칩26: first reflecting surface 30: light emitting diode chip
34: 제1매질 40: 렌즈부34: first medium 40: lens unit
42: 제1광투과부 44: 제2광투과부42: first light transmission unit 44: second light transmission unit
45: 경사면 46: 요철면45: slope 46: uneven surface
48: 광흡수 필터48: light absorption filter
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (en) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | Light emitting diode package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (en) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | Light emitting diode package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100031397A KR20100031397A (en) | 2010-03-22 |
KR100974336B1 true KR100974336B1 (en) | 2010-08-05 |
Family
ID=42181082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (en) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | Light emitting diode package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100974336B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101161385B1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101064076B1 (en) * | 2010-04-01 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light unit and display device having therof |
KR20150066846A (en) | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 엘지이노텍 주식회사 | Optical element and light emitting device including the same |
KR102558280B1 (en) | 2016-02-05 | 2023-07-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light source unit and light unit having thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050190563A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Ying Hung Li | Lighting module with dual-profiled Fresnel lens |
KR100701318B1 (en) | 2004-12-28 | 2007-03-29 | 럭스피아(주) | Light emitting unit and back light apparatus using the same |
KR20070107261A (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | Light emitting module and display device having the same |
-
2008
- 2008-09-12 KR KR1020080090484A patent/KR100974336B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050190563A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Ying Hung Li | Lighting module with dual-profiled Fresnel lens |
KR100701318B1 (en) | 2004-12-28 | 2007-03-29 | 럭스피아(주) | Light emitting unit and back light apparatus using the same |
KR20070107261A (en) * | 2006-05-02 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | Light emitting module and display device having the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101161385B1 (en) * | 2010-08-09 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100031397A (en) | 2010-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI507635B (en) | Led with molded bi-directional optics | |
JP4891626B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20090032827A1 (en) | Concave Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting | |
TWI419376B (en) | Phosphor-converted led | |
TWI498509B (en) | Low profile side emission tir lens for led | |
US8960932B2 (en) | Light emitting device | |
EP1427029A2 (en) | Light emitting device and apparatus using the same | |
US20090045416A1 (en) | Optical Element Coupled to Low Profile Side Emitting LED | |
CN105633255A (en) | Aspherical lens | |
TW200817781A (en) | Backlight using high-powered corner LED | |
KR102307214B1 (en) | Led module with uniform phosphor illumination | |
KR20130104628A (en) | Led illumination module | |
CN105527751B (en) | Planar light source device and liquid crystal display device | |
KR100974336B1 (en) | Light emitting diode package | |
KR101023960B1 (en) | Light emitting diode package | |
JP4221649B2 (en) | Wavelength conversion element and manufacturing method thereof | |
KR102160775B1 (en) | A light emitting device package | |
KR101456267B1 (en) | Lighting apparatus | |
JP2008258042A (en) | Illumination device and display device using this illumination device | |
KR20070079235A (en) | Light emitting diode package | |
KR101049481B1 (en) | Light emitting diode package | |
TWI557947B (en) | Led unit | |
KR101928358B1 (en) | Light emitting device package | |
KR20100137707A (en) | Light emitting diode package | |
KR20130114872A (en) | Light emitting device package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130528 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140605 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160608 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170621 Year of fee payment: 8 |