KR100745952B1 - 가스처리장치 - Google Patents
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Abstract
전기집진과 플라즈마에 의한 냄새 등의 분해를 행하는 가스처리장치에 관한 것이며, 그 소형화를 도모하기 위해, 케이싱(20)에서, 이온화부(32)에 플라즈마 발생장치(40)를 일체적으로 설치한다. 이온화부(32)는 이온화선(35)을 구비하며, 음극부재(37)의 단면이 역"ㄷ"자형인 기둥형상 부분이 대향전극(36)을 구성한다. 플라즈마 발생장치(40)는, 방전전극(41)을 구비함과 더불어, 대향전극(36)을 이온화선(35)과 공유한다. 공기정화장치(10)의 운전 중, 실내공기 중의 비교적 작은 먼지는 이온화선(35)과 대향전극(36) 사이의 방전에 의해 대전되어 정전필터(33)로 포집된다. 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이의 스트리머방전에 의해 저온플라즈마가 발생하며, 이에 포함되는 활성종에 의해 실내공기 중의 유해물질이나 냄새물질이 분해된다.
대향전극, 방전극, 정전필터, 플라즈마 발생장치
Description
본 발명은 방전을 행하여 공기 중의 먼지나 냄새 등을 제거하는 가스처리장치에 관한 것이다.
종래, 가스처리장치의 일종으로, 일특개 2001-218828호 공보에 개시된 바와 같이, 방전을 행하여 공기 중의 먼지나 냄새 등을 제거하는 공기청정기가 알려져 있다. 이 공기청정기에는, 집진필터와 플라즈마 발생장치가 설치된다. 플라즈마 발생장치에는 플라즈마발생 전극판과 대향전극판이 설치되며, 양 전극판에 방전전압을 인가함으로써, 스트리머방전을 일으켜 플라즈마를 발생시키도록 한다.
상기 공기청정기에서는 공기 중의 먼지가 집진필터로 포집된다. 또 플라즈마 발생장치에서는, 스트리머방전에 의해 발생한 플라즈마에 포함되는 반응성의 높은 물질(활성종)에 의해 공기 중의 악취성분이 분해 제거된다. 그리고 먼지 및 악취성분이 제거된 청정한 공기는, 공급공기로서 공기청정기의 외부로 방출된다.
-해결과제-
상술한 바와 같이, 상기 공보에 개시된 공기청정기에서는 집진필터를 이용한 여과에 의해 먼지의 제거를 행한다. 한편, 공기 중의 먼지를 제거하는 수단으로는, 이른바 전기 집진도 알려져 있다. 즉 코로나방전에 의해 공기 중의 먼지를 대 전시키고, 대전된 먼지를 정전필터(전기적 집진부재)에 의해 집진하는 집진방법도 일반적으로 알려져 있다. 이 전기집진을 채용하면, 집진필터로 단순히 공기를 여과하는 경우에 비해, 보다 미세한 먼지를 제거하는 것도 가능하다. 그리고 상기 공보의 공기청정기에 전기집진을 적용시켜, 그 집진능력을 향상시키는 것도 생각할 수 있다.
그러나 상기와 같은 플라즈마를 탈취 등에 이용하는 가스처리장치에 전기집진을 채용하면, 장치의 대형화를 초래해버린다. 이 점에 대해 설명한다. 전지 집진을 채용할 경우에는, 플라즈마를 발생시키는 스트리머방전용 방전전극 및 대향전극에 더불어, 먼지를 대전시키는 코로나방전용 방전전극 및 대향전극을 공기통로에 설치해야 한다. 즉, 방전전극 및 대향전극을 2조 설치할 필요가 생긴다. 때문에 먼지를 대전시키기 위한 방전전극 및 대향전극을 설치할 면적이 필요하게 되며, 그만큼 가스처리장치가 대형화 돼버린다.
본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 이른바 전기접진과 플라즈마에 의한 냄새 등의 분해를 행하는 가스처리장치에 관하며, 그 소형화를 도모하는 데 있다.
발명의 개시
제1 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 한다. 그리고, 대향전극(36)과, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에 방전을 일으키는 복수의 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 복수의 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)은 피처리 가스의 흐름과 직교하는 면으로서 동일면 상에 배치되어 있는 것이다.
제2 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 하고 있다. 그리고, 대향전극(36)과, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이의 방전이 피처리가스의 흐름의 하류측으로부터 상류측을 향해 행해지도록, 상기 대향전극(36)이 피처리가스의 흐름의 상류측에 위치하고, 상기 제2 방전극(41)이 피처리가스의 흐름의 하류측에 위치하고 있는 것이다.
제3 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 하고 있다. 그리고, 대향전극(36)과, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 대향전극(36)은 단면이 역"ㄷ"자형의 기둥형으로 형성되며, 상기 대향전극(36)의 안쪽에 적어도 제2 방전극(41)이 배치되는 것이다.
제4 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 하고 있다. 그리고, 골판형상으로 형성되어 대향전극(36)을 구성하는 전극부재(37)와, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 전극부재(36)와의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 전극부재(37)와의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 전극부재(37)의 한 면 쪽에 제1 방전극(35)이, 다른 면 쪽에 제2 방전극(41)이 각각 설치되며, 상기 제1 방전극(35) 및 제2 방전극(41)은, 각각 골판형상인 상기 전극부재(37)의 오목부 안쪽에 배치되는 것이다.
제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명에 있어서, 전기적 집진부재(33)가 정전필터로 구성되는 것이다.
제3 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 하고 있다. 그리고, 대향전극(36)과, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 대향전극(36)은 단면이 역"ㄷ"자형의 기둥형으로 형성되며, 상기 대향전극(36)의 안쪽에 적어도 제2 방전극(41)이 배치되는 것이다.
제4 발명은, 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치를 대상으로 하고 있다. 그리고, 골판형상으로 형성되어 대향전극(36)을 구성하는 전극부재(37)와, 상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 전극부재(36)와의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과, 대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와, 상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 전극부재(37)와의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고, 상기 전극부재(37)의 한 면 쪽에 제1 방전극(35)이, 다른 면 쪽에 제2 방전극(41)이 각각 설치되며, 상기 제1 방전극(35) 및 제2 방전극(41)은, 각각 골판형상인 상기 전극부재(37)의 오목부 안쪽에 배치되는 것이다.
제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명에 있어서, 전기적 집진부재(33)가 정전필터로 구성되는 것이다.
제6 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명에 있어서, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 플라즈마 촉매를 구비하는 것이다. 여기서, 상기 플라즈마 촉매는 피처리가스 중의 피처리성분에 대해 흡착성능을 갖는 것이 바람직하며, 또한 플라즈마의 발생에 수반하여 발생하는 오존 등의 활성종을 흡착분해 할 수 있는 것이 보다 바람직하다.
제7 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명에 있어서, 제1 방전극(35)은 상기 대향전극(36)을 따라 연장되는 선형으로 형성되며, 제2 방전극(41)은 상기 제1 방전극(35) 도중에 전기적으로 접속됨과 더불어, 상기 대향전극(36)과의 거리가 상기 대향전극(36)과 제1 방전극(35)의 거리보다 짧아지도록 배치되는 것이다.
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제8 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 한 발명에 있어서, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 광반도체 촉매를 구비하는 것이다.
제9 발명은, 제8 발명에 있어서, 광반도체 촉매가 전기적 집진부재(33)에 담지되는 것이다.
제10 발명은, 제6 발명에 있어서, 플라즈마 촉매가 제2 방전극(41) 및 대향전극(36)의 하류 쪽에 배치되며, 전기적 집진부재(33)에는, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 광반도체 촉매가 담지되고, 상기 전기적 집진부재(33)는, 상기 제2 방전극(41) 및 대향전극(36)과 상기 플라즈마 촉매와의 사이에 배치되는 것이다.
-작용-
상기 제1 내지 제5 발명에서는 제1 방전극(35) 및 제2 방전극(41)에 대해 대향전극(36)이 병용된다. 제1 방전극(35)과 대향전극(36) 사이에 전압을 인가하면, 양자 사이에 방전이 이루어진다. 이 방전에 의해, 피처리가스 중의 먼지가 대전된다. 대전된 먼지는 전기적 집진부재(정전필터)(33)에 포집된다.
한편, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에 전압을 인가하면, 양자의 사이에서 방전이 이루어지고, 이 방전에 의해 플라즈마가 발생한다. 그리고, 가스처리장치에서는, 발생한 플라즈마를 이용하여 피처리가스 중의 피처리성분인 유해물질이나 냄새물질 등이 분해된다.
이와 같이, 제1 방전극(35)과 대향전극(36) 사이와, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에 다른 종류의 방전이 발생하여, 피처리가스 중의 먼지와 피처리성분이 각각 제거된다.
특히, 상기 제3 발명에서는, 단면이 역"ㄷ"자형의 기둥형으로 형성된 대향전극(36)의 안쪽에 적어도 제2 방전극(41)이 배치된다. 이 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 안쪽 면과의 사이에서 방전이 이루어진다. 여기서, 대향전극(36)의 안쪽에, 제2 방전극(41)에 더불어 제1 방전극(35)을 배치해도 된다.
제4 발명에서는, 가스처리장치에 전극부재(37)가 설치된다. 전극부재(37)는, "산"과 "골짜기"가 교대로 반복되는 골판형상으로 형성된다. 여기서, 전극부재(37)의 파형 형상은, 예를 들어 정현파형, 구형파형, 삼각파형 등, 어떤 파형이라도 된다.
전극부재(37)에서는, 그 한 면 쪽에 제1 방전극(35)이 배치되며, 한쪽 면과 대향하는 다른 면 쪽에 제2 방전극(41)이 배치된다. 제1 방전극(35)은, 전극부재(37)의 한 면 쪽에서 본 "골짜기"의 부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다. 한편, 제2 방전극(41)은, 전극부재(37)의 다른 면 쪽에서 본 "골짜기"의 부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다. 그리고, 제1 방전극(35)과 전극부재(37) 사이와, 제2 방전극(41)과 전극부재(37) 사이 각각에서 방전이 이루어진다.
특히, 상기 제3 발명에서는, 단면이 역"ㄷ"자형의 기둥형으로 형성된 대향전극(36)의 안쪽에 적어도 제2 방전극(41)이 배치된다. 이 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 안쪽 면과의 사이에서 방전이 이루어진다. 여기서, 대향전극(36)의 안쪽에, 제2 방전극(41)에 더불어 제1 방전극(35)을 배치해도 된다.
제4 발명에서는, 가스처리장치에 전극부재(37)가 설치된다. 전극부재(37)는, "산"과 "골짜기"가 교대로 반복되는 골판형상으로 형성된다. 여기서, 전극부재(37)의 파형 형상은, 예를 들어 정현파형, 구형파형, 삼각파형 등, 어떤 파형이라도 된다.
전극부재(37)에서는, 그 한 면 쪽에 제1 방전극(35)이 배치되며, 한쪽 면과 대향하는 다른 면 쪽에 제2 방전극(41)이 배치된다. 제1 방전극(35)은, 전극부재(37)의 한 면 쪽에서 본 "골짜기"의 부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다. 한편, 제2 방전극(41)은, 전극부재(37)의 다른 면 쪽에서 본 "골짜기"의 부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다. 그리고, 제1 방전극(35)과 전극부재(37) 사이와, 제2 방전극(41)과 전극부재(37) 사이 각각에서 방전이 이루어진다.
상기 제6 발명에서는 가스처리장치에 플라즈마 촉매가 배치된다. 이 플라즈마 촉매는, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전에 의해서 발생하는 플라즈마에 의해 활성화된다. 이 활성화된 플라즈마 촉매에 의해, 피처리가스 중 피처리성분의 분해가 촉진된다.
상기 제7 발명에서는, 선형으로 형성된 제1 방전극(35)의 도중에 제2 방전극(41)이 전기적으로 접속된다. 즉, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)은 도통되며, 전압 인가시에 양자 전위는 동등하다.
이 발명에서는, 제2 방전극(41)과 대향전극(36)의 거리가, 제1 방전극(35)과 대향전극(36)의 거리보다 짧다. 이로써, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 전위는 동등하지만, 제1 방전극(35)과 대향전극(36) 사이의 전계강도보다도 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이의 전계강도 쪽이 커진다. 따라서, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서는, 제1 방전극(35)과 대향전극(36) 사이보다 강한 방전이 이루어진다.
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상기 제8 발명에서는, 가스처리장치에 광반도체 촉매가 배치된다. 이 광반도체 촉매는, 일반적으로는 광을 조사함으로써 활성화되는 "광 촉매"로서 이용되는데, 본 발명에서는 광원이 조사되지 않은 상태에서도 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전에 의해 발생하는 플라즈마로 활성화된다. 이 활성화된 광반도체 촉매에 의해, 피처리가스 중 피처리성분의 분해가 촉진된다.
여기서 광반도체 촉매는 오염물이 부착되기 어려운 특성을 가지므로, 광반도체 촉매 표면에 피처리가스 중의 먼지 등이 부착하여, 광반도체 촉매의 활성작용이 저감돼버리는 것을 억제할 수 있다.
상기 제9 발명에서는, 광반도체 촉매가 전기적 집진부재(33)에 담지된다. 그리고 이 광반도체 촉매가 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전에 의해 발생하는 플라즈마에 의해서 활성화된다. 이 활성화된 광반도체 촉매에 의해, 피처리가스 중 피처리성분의 분해가 촉진된다.
또 광반도체 촉매에 의해, 전기적 집진부재(33)에 부착된 피처리성분(예를 들어, 담뱃진이나 알러젠)을 분해할 수 있다. 또한 광반도체 촉매에 의해, 전기적 집진부재(33)에서의 균류의 증식을 억제할 수 있다.
상기 제10 발명에서는, 제2 방전극(41)과 대향전극(36)의 하류 쪽에 광반도체 촉매가 담지된 전기적 집진부재(33)가 배치된다. 또한, 전기적 집진부재(33)의 하류 쪽에 플라즈마 촉매가 배치된다. 이로써, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전으로 발생하는 플라즈마에 의해, 전기적 집진부재(33)인 광반도체 촉매와 플라즈마 촉매 양쪽이 활성화된다. 그리고 활성화된 광반도체 촉매 및 플라즈마 촉매에 의해, 피처리가스 중 피처리성분의 분해가 효과적으로 촉진된다.
여기서 상기 광반도체 촉매와 플라즈마 촉매가 서로 다른 활성특성을 가질 경우, 복합된 냄새성분이 포함된 피처리성분을 효과적으로 분해할 수 있다.
또한, 플라즈마 촉매가 피처리가스 중의 피처리성분에 대해 흡착성능을 가질 경우, 광반도체 촉매 및 플라즈마 촉매의 활성화에 의해 분해되지 않은 피처리성분을 플라즈마 촉매에 의해 흡착 제거할 수 있다.
그리고, 플라즈마 방전시에 생성되는 오존 등의 활성종에 대해 플라즈마 촉매가 흡착분해 성능을 가질 경우, 플라즈마 촉매에 의해 오존 등의 활성종을 흡착 분해 제거할 수 있다.
-효과-
본 발명에서는, 제1 방전극(35) 및 제2 방전극(41)에 대해 대향전극(36)을 병용하여 피처리가스 중의 먼지 및 피처리성분의 제거를 행한다. 즉, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)은 각각 별개의 대향전극과의 사이에서 방전하는 것이 아니라, 공통의 대향전극(36)과의 사이에서 방전한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 대향전극(36)을 공통화함으로써 이들의 설치면적을 삭감할 수 있어, 가스처리장치의 소형화를 도모할 수 있다.
상기 제4 발명에서는, 골판형인 전극부재(37)의 한 면 쪽 오목부 안쪽에 제1 방전극(35), 다른 면 쪽 오목부의 안쪽에 제2 방전극(41)을 배치한다. 이로써, 골판형 전극부재(37)의 두께 범위 내에서, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41) 양쪽을 배치할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 설치면적을 한층 삭감할 수 있어, 가스처리장치의 소형화를 더욱 도모할 수 있다.
상기 제4 발명에서는, 골판형인 전극부재(37)의 한 면 쪽 오목부 안쪽에 제1 방전극(35), 다른 면 쪽 오목부의 안쪽에 제2 방전극(41)을 배치한다. 이로써, 골판형 전극부재(37)의 두께 범위 내에서, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41) 양쪽을 배치할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 설치면적을 한층 삭감할 수 있어, 가스처리장치의 소형화를 더욱 도모할 수 있다.
상기 제6 발명에 의하면, 제2 방전극(41)의 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전으로 발생하는 플라즈마에 의해 피처리가스 중의 피처리성분이 분해되는 한편, 플라즈마 촉매에 의해 피처리가스 중 피처리성분의 분해를 촉진할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 가스처리장치의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
상기 제7 발명에서는, 제1 방전극(35)의 도중에 제2 방전극(41)이 전기적으로 접속되므로, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 양쪽에 별개로 전압을 인가할 필요가 없게 된다. 이로써, 예를 들어 제1 방전극(35)을 전원에 접속하는 것만으로, 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)의 양쪽에 전압을 인가할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 전압을 인가하기 위한 구성을 간소화할 수 있다.
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상기 제8 발명에 의하면, 광반도체 촉매의 활성화에 의한 플라즈마 방전에 의해 피처리성분의 분해가 촉진되어, 가스처리장치의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 광반도체 촉매는 오염물이 부착되기 어려운 특성을 가지므로, 광반도체 촉매의 표면에 피처리가스 중의 오염물이 부착되어, 이 광반도체 촉매의 활성작용이 저감돼버리는 것을 억제할 수 있다. 따라서 가스처리장치의 처리성능 안정화를 도모할 수 있다.
상기 제9 발명에 의하면, 광반도체 촉매를 전기적 집진부재(33)에 담지시킴으로써, 상술한 광반도체 촉매의 활성작용을 전기적 집진부재(33)에 부여시킬 수 있다. 따라서, 소형인 구성에서, 전기적 집진부재(33)에 의한 먼지의 포집효과와 광반도체 촉매에 의한 분해촉진 효과를 얻을 수 있다.
또한, 전기적 집진부재(33)에 광반도체 촉매를 담지시킴으로써, 전기적 집진부재(33)에 흡착된 냄새성분의 분해효과, 또는 전기적 집진부재(33)의 제균 효과를 얻을 수 있다. 따라서 전기적 집진부재(33)의 장수명화를 도모할 수 있다.
상기 제10 발명에 의하면, 제2 방전극(41)과 대향전극(36)의 하류 쪽에, 광반도체 촉매가 담지된 전기적 집진부재(33) 및 플라즈마 촉매를 배치하여, 광반도체 촉매와 플라즈마 촉매 쌍방을 활성화시킴으로써 피처리성분의 분해작용을 촉진할 수 있도록 한다. 따라서, 가스처리장치의 처리성능을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
여기서 상기 광반도체 촉매와 플라즈마 촉매가 서로 다른 활성특성을 가질 경우에는, 복합된 냄새성분이 포함된 피처리성분을 효과적으로 분해할 수 있다. 따라서 복합 냄새를 포함하는 피처리가스에 대한 가스처리장치의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 플라즈마 촉매가 피처리성분에 대해 흡착성능을 가질 경우, 플라즈마방전에 의해 완전히 분해 제거되지 못한 피처리성분을 플라즈마 촉매에 의해 흡착 제거할 수 있다. 따라서 냄새성분의 농도부하 변동에 추종하는 처리성능을 얻을 수 있어, 이 가스처리장치의 신뢰성 향상을 도모할 수 있다.
그리고 플라즈마 촉매가 플라즈마방전에 의해 오존 등의 활성종에 대해 흡착분해 성능을 가질 경우, 상기 오존 등의 활성종을 플라즈마 촉매에 의해 분해 제거할 수 있다. 따라서 플라즈마방전에 의해 장치 내에 발생한 활성종(부생성물)이 장치 밖으로 방출돼버리는 것을 억제할 수 있어, 이 가스처리장치의 신뢰성 향상을 한층 도모할 수 있다.
도1은 제1 실시형태에 관한 공기정화장치의 분해사시도이다.
도2는 제1 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 주요부 확대사시도이다.
도3은 제1 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 주요부 확대사시도이다.
도4는 제1 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 주요부 확대사시도이다.
도5는 제2 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 주요부 확대사시도이다.
도6은 제3 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 구성을 나타내는 개략도이다.
도7은 제3 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 구성을 나타내는 개략도이다.
도8은 그 밖의 실시형태에 관한 공기정화장치에 있어서 이온화부의 주요부 확대사시도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 본 실시형태에 관한 가스처리장치는, 일반가정이나 소규모 점포 등에서 이용되는 공기정화장치(10)이다.
(제1 실시형태)
도1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 공기정화장치(10)는, 한끝이 개방된 상자형의 케이싱 본체(21)와, 그 개방된 끝단면에 장착되는 전면(前面) 플레이트(22)로 구성되는 케이싱(20)을 구비한다. 케이싱(20)의 전면 플레이트(22) 쪽의 양 측면에는 공기흡입구(23)가 형성된다. 또 케이싱 본체(21)에는, 천장판의 배면판 쪽으로 공기토출구(24)가 형성된다.
케이싱(20) 내에는, 공기흡입구(23)로부터 공기토출구(24)까지 피처리가스인 실내공기가 흐르는 공기통로(25)가 형성된다. 이 공기통로(25)에는, 공기흐름의 상류 쪽에서 차례로, 공기정화를 행하는 각종 기능부품(30)과, 이 공기통로(25)로 실내공기를 유통시키기 위한 원심송풍기(26)가 배치된다.
상기 기능부품(30)에는, 전면 플레이트(22) 쪽에서 차례로, 프리필터(31), 이온화부(32), 정전필터(전기적 집진부재)(33), 그리고 촉매필터(34)가 설치된다. 이온화부(32)에는 저온플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생장치(40)가 일체적으로 설치된다.
상기 프리필터(31)는, 실내공기 중에 포함되는 비교적 큰 먼지를 포집하는 필터이다.
상기 이온화부(32)는, 프리필터(31)를 통과한 실내공기 중에 포함되는 비교적 작은 먼지를 대전시키고, 이 먼지를, 이온화부(32)의 하류 쪽에 배치된 정전필터(33)에 의해 포집하기 위한 것이다.
상기 이온화부(32)에는, 전극부재로서의 음극부재(37)가 설치된다. 이 음극부재(37)는, 금속판을 골판형상으로 가압 성형한 것으로, 케이싱(20) 내에 설치된다. 구체적으로 이 음극부재(37)는, 그 파형이 구형파형의 골판형상으로 형성된다. 바꾸어 말하면, 음극부재(37)에서는 단면이 역'ㄷ'자형이며 상하로 이어지는 기둥형 부분과, 상하로 가늘고 긴 장방형의 판상 부분이 수평방향으로 교대로 복수개씩 형성된다. 그리고 음극부재(37)는, 단면이 역'ㄷ'자형인 기둥형 부분의 개구 쪽이 정전필터(33) 쪽을 향하는 자세, 즉 그 개구 쪽이 공기흐름의 하류 쪽을 향하 는 자세로 설치된다.
상기 음극부재(37)에서, 단면이 역'ㄷ'자형인 기둥형 부분은 대향전극(36)을 구성한다. 이 기둥형 부분에서는, 그 개구 쪽과 직교하는 부분이 한 쌍의 측면부분(37b)을 구성하며, 측면부분(37b)과 직교하고 프리필터(31) 쪽에 위치하는 부분이 전면부분(37a)을 구성한다. 한편, 이 기둥형 부분 사이에 존재하는 장방형상의 부분은, 배면부분(37c)을 구성한다. 도2에 나타내는 바와 같이, 이 배면부분(37c)에는 다수의 공기구멍(50)이 개구된다. 또 측면부분(37b)의 배면부분(37c) 쪽 개소에도, 다수의 공기구멍(50)이 개구된다.
상기 이온화부(32)에는, 제1 방전극인 이온화선(35)이 복수 배치된다. 이 이온화선(35)은 음극부재(37)를 프리필터(31) 쪽에서 볼 때의 오목부 안쪽, 즉 한 쌍의 측면부분(37b)과 배면부분(37c)에 의해 3방향이 둘러싸인 부분의 안쪽에 배치된다. 또 이온화선은, 이온화부(32)의 상단에서 하단까지 팽팽하게 걸쳐지며, 하단에서 대향전극(36)에 걸쳐치도록 설치된다. 각 이온화선(35)은, 각각이 정전필터(33)에 평행한 1매의 가상면 상에 등간격으로 위치한다.
상기 플라즈마 발생장치(40)는, 제2 방전극인 방전전극(41)을 구비함과 더불어, 상기 대향전극(36)을 이온화선(35)과 공유한다.
도2에 나타내는 바와 같이 방전전극(41)은, 음극부재(37)를 정전필터(33) 쪽에서 볼 때의 오목부 안쪽, 즉 전면부분(37a)과 한 쌍의 측면부분(37b)에 의해 3방향이 둘러싸인 부분의 안쪽에 배치된다. 즉 방전전극(41)은 역'ㄷ'자형인 대향전극(36)의 안쪽에 배치된다. 구체적으로 대향전극(36)의 안쪽에는, 단면이 정방형이며 상하로 이어지는 기둥형의 전극유지부재(43)가 설치된다. 전극유지부재(43)의 측면 중 전면부분(37a) 쪽 면에는, 복수의 고정부재(44)가 상하방향으로 등간격으로 장착된다. 각 고정부재(44)에는 방전전극(41)이 설치된다. 즉, 이 방전전극(41)은 고정부재(44)를 통해서 전극유지부재(43)에 유지된다. 방전전극(41)은 선형 내지 막대형의 전극이며, 고정부재(44)로부터 돌출된 부분이 전면부분(37a)과 실질적으로 평행이 되도록 배치된다.
또 전극유지부재(43) 및 고정부재(44)는, 방전전극(41)과 동종의 금속으로 형성된다. 방전전극(41) 및 전극유지부재(43)는 고정부재(44)를 통해 도통된다.
상기 이온화부(32)에는, 이온화선(35)과 대향전극(36) 사이에 전압을 인가하는 고압의 직류전원(45)이 형성된다. 이 직류전원(45)은 플라즈마 발생장치(40)의 전원도 겸한다. 직류전원(45)에 의해 이온화선(35)과 방전전극(41)에 전압을 인가하면, 이온화선(35)의 주위에 이온이 발생하는 동시에, 방전전극(41)의 선단에서 대향전극(36)을 향해 스트리머방전이 발생한다. 이온화선(35)과 방전전극(41)에는 동일 전위의 고전압(예를 들어 5kV)이 인가되지만, 이온화선(35)과 대향전극(36)의 거리를 예를 들어 10㎜로 하고, 방전전극(41)과 대향전극(36)의 거리를 예를 들어 5㎜로 함으로써 전계강도에 차이를 두어, 이온화부(32)에서의 이온발생 작용과 플라즈마 발생장치(40)에서의 스트리머방전 작용을 동시에 일으키도록 한다.
상기 정전필터(33)는, 상기 방전전극(41)과 대향전극(36)으로 구성된 플라즈마 발생장치(40)의 하류 쪽에 배치된다. 정전필터(33)는, 상류 쪽 면에서, 상술한 이온화부(32)에 의해 대전된 비교적 작은 먼지를 포집하는 한편, 하류 쪽 면에는 광반도체 촉매가 담지(擔持)되어 광반도체 촉매층(38)이 형성된다. 광반도체 촉매층(38)의 광반도체 촉매는, 방전전극(41)과 대향전극(36)에서의 방전에 의해 생성되는 저온플라즈마 중의 반응성이 높은 물질(전자, 이온, 오존, 라디칼 등의 활성종)을 더욱 활성화시켜, 실내공기 중의 피처리성분인 유해물질이나 냄새물질의 분해를 촉진시킨다. 여기서 광반도체 촉매는, 예를 들어 이산화티탄이나 산화아연, 혹은 텅스텐산화물이나 황화카드뮴 등이 이용된다.
상기 촉매필터(34)는 정전필터(33)의 하류 쪽에 배치된다. 이 촉매필터(34)는, 예를 들어 벌집구조 기재의 표면에 플라즈마촉매를 담지시킨 것이다. 이 플라즈마 촉매는 상기 광반도체 촉매와 마찬가지로, 방전전극(41)과 대향전극(36)에서의 방전에 의해 생성되는 저온플라즈마 중의 반응성이 높은 물질(전자, 이온, 오존, 라디칼 등의 활성종)을 더욱 활성화시켜, 실내공기 중의 피처리성분인 유해물질이나 냄새물질의 분해를 촉진시킨다. 이 플라즈마 촉매로는, 망간계 촉매나 귀금속계 촉매, 그리고 이들 촉매에 활성탄 등의 흡착제를 첨가한 것이 이용된다.
-운전동작-
다음에 공기정화장치(10)의 운전동작에 대해 설명한다.
공기정화장치(10)의 운전 중에는, 원심송풍기(26)가 기동하여 피처리가스인 실내공기가 케이싱(20) 내의 공기통로(25)를 유통한다. 또 이 상태에서, 이온화부(32) 및 플라즈마 발생장치(40)에 직류전원(45)으로부터 고전압이 인가된다.
실내공기가 케이싱(20) 내에 도입되면, 우선 프리필터(31)에서 비교적 큰 먼지가 제거된다. 프리필터(30)를 통과한 실내공기는 이온화부(32)로 흐른다. 이온화부(32)에서는, 이온화선(35)과 대향전극(35) 사이에서의 방전에 의해 실내공기 중의 비교적 작은 먼지가 대전된다. 이 대전된 먼지를 포함한 실내공기는, 측면부분(37b)이나 배면부분(37c)에 형성된 공기구멍(50)을 통과하여 정전필터(37)로 유입된다. 정전필터(33)에서는 대전된 먼지가 포집된다.
이온화부(32)에 일체적으로 조립된 플라즈마 발생장치(40)에서는, 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이의 스트리머방전에 의해 저온플라즈마가 발생한다. 한편, 방전 중에는, 도2에 점선으로 나타내는 바와 같이, 전면부분(37a)에 반사되어 공기흐름의 하류 쪽으로 향하는 이온풍이 발생한다. 그리고 발생한 저온플라즈마는, 이 이온풍을 타고 이온화부(32)를 통과하여, 실내공기와 함께 하류 쪽으로 흘러간다.
저온플라즈마에는 반응성이 높은 물질(활성종)이 포함돼있다. 그리고 이 반응성이 높은 물질은, 공기통로(25)를 유통하는 실내공기와 접촉하여 실내공기 중의 유해물질이나 냄새물질을 분해한다. 또 상기 활성종이 정전필터(33)에 달하면, 정전필터(33)의 광반도체 촉매층(38)에 담지된 광반도체 촉매에 의해 다시 활성화되어, 실내공기 중의 유해물질이나 냄새성분이 다시 분해된다. 그리고 이 활성종이 촉매필터(34)에 달하면, 이들 물질은 다시 활성화되며, 실내공기 중의 유해물질이나 냄새성분이 다시 분해된다.
이상과 같이 하여 먼지가 제거됨과 더불어 유해물질이나 냄새물질도 제거된 청정한 실내공기는, 원심송풍기(26)로 도입되어, 공기토출구(24)로부터 실내로 토출된다.
-제1 실시형태의 효과-
본 실시형태에서는, 이온화부(32)와 플라즈마 발생장치(40)가 대향전극(36)을 공용한다. 즉 이온화선(35)과 방전전극(41)은 각각 별개의 대향전극과의 사이에서 방전하는 것이 아니라, 공통의 대향전극(36) 사이에서 방전한다. 따라서 본 실시형태에 의하면, 이온화선(35)과 방전전극(41)의 대향전극(36)을 공통화함으로써 이들의 설치면적을 삭감할 수 있어, 공기정화장치(10)의 소형화를 도모할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전으로 발생하는 플라즈마에 의해 실내공기 중의 유해물질 및 냄새물질이 분해되는 한편, 플라즈마촉매에 의해 실내공기 중 유해물질 및 냄새물질의 분해를 촉진시킬 수 있다. 따라서 본 실시형태에 의하면, 공기정화장치(10)의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 단면이 역'ㄷ'자형인 대향전극(36)의 안쪽에 방전전극(41)을 배치하며, 방전에 의해 발생한 이온풍이 대향전극(36)의 밖으로는 확산되지 않고 공기흐름의 하류 쪽으로 흐른다. 이로써 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 이루어지는 방전에 의해 발생하는 플라즈마는, 이 이온풍과 함께 확실하게 촉매필터(34)에 공급된다. 따라서 본 실시형태에 의하면, 실내공기 중 유해물질 및 냄새물질의 분해를 한층 촉진시킬 수 있어, 공기정화장치(10)의 처리성능을 한층 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시형태에 의하면, 대향전극(36)의 하류 쪽에 방전전극(41)을 배치 하므로, 방전전극(41)에 부착하는 실내공기 중 먼지 등의 양을 대폭으로 삭감할 수 있다. 따라서 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이에서 안정된 스트리머방전을 계속하기가 가능해져, 공기정화장치(10)의 처리성능을 계속 유지할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 골판형상의 음극부재(37)에서 한 면 쪽 오목부의 안쪽에 이온화선(35), 다른 면 쪽 오목부의 안쪽에 방전전극(41)을 배치한다. 이로써 골판형상인 음극부재(37)의 두께 범위 내에서, 이온화선(35)과 방전전극(41) 양쪽을 배치할 수 있다. 따라서 본 실시형태에 의하면 이온화선(35) 및 방전전극(41)의 설치면적을 한층 삭감할 수 있어, 공기정화장치(10)의 가일층 소형화를 도모할 수 있다.
또한 본 실시형태에 의하면 정전필터(33)에 광반도체 촉매를 담지시키므로, 플라즈마에 의한 실내공기 중 유해물질 및 냄새물질의 분해를 촉진시킬 수 있다. 따라서 공기정화장치(10)의 처리성능을 향상시킬 수 있다. 또 정전필터(33)에 광반도체 촉매를 일체적으로 설치함으로써, 공기정화장치(10)의 박형화, 소형화를 도모할 수 있다.
그리고 정전필터(33)에 광반도체 촉매를 담지시킴으로써, 정전필터(33)에 흡착된 냄새성분의 분해효과, 또는 정전필터(33)에서의 제균효과를 얻을 수 있다. 따라서 정전필터(33)의 장수명화를 도모할 수 있다.
-제1 실시형태의 변형예-
상기 제1 실시형태의 공기정화장치(10)에 대해, 이온화부(32)의 플라즈마 발생장치(40)의 구성을 변경해도 된다.
우선 도3에 나타내는 바와 같이 제1 변형예에서는, 플라즈마 발생장치(40)의 전극유지부재(43)에 방전전극(41)이 장착된다. 방전전극(41)은 삼각형 판상의 작은 조각으로, 전극유지부재(43)의 전면부분(37a) 쪽 측면에 설치된다. 그리고 전압인가 시에는, 방전전극(41)의 선단으로부터 대향전극(36)을 향해 스트리머방전이 발생한다.
다음에 도4에 나타내는 바와 같이 제2 변형예에서, 플라즈마발생장치(40)의 전극유지부재(43)는, 그 일부에 방전전극(41)이 될 부분을 갖는다. 즉, 방전전극(41)이 전극유지부재(43)에 유지되는 것이 아닌, 전극유지부재(43)의 복수 개소가, 등간격으로 돌기된 방전전극(41)이다.
구체적으로 전극유지부재(43)는, 세로로 가늘고 긴 평판형으로 형성되며, 측면부분(37b)과 평행하게 배치된다. 전극유지부재(43)의 전면부분(37a) 쪽 측면에는 삼각형상의 돌기가 일정간격으로 복수 배치된다. 이 돌기된 부분이 방전전극(41)이다. 그리고 전압인가 시에는, 방전전극(41)의 선단에서 대향전극(36)을 향해 스트리머방전이 발생한다.
(제2 실시형태)
본 발명의 제2 실시형태는, 상기 제1 실시형태에서 이온화부(32)의 구성을 변경한 것이다. 여기서는 본 실시형태에 대해 상기 제1 실시형태와 다른 점을 설명한다.
도5에 나타내는 바와 같이 본 실시형태의 공기정화장치(10)에서는, 이온화부(32)의 전면부분(37a)에 원형의 통풍공(51)이 복수 형성된다. 이 통풍공(51)은 전 극유지부재(43)에 설치되는 각 고정부재(44)의 대략 중간에 위치한다. 프리필터(31)를 통과한 후의 실내공기 일부는, 도5에 실선으로 나타내는 바와 같이 이 통풍공(51)을 통해 이온화부(32)로 유입된다.
한편, 플라즈마 발생장치(40)에서는, 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이의 스트리머방전에 의해 저온플라즈마가 발생한다. 저온플라즈마에 포함되는 활성종은, 이 통풍공(51)을 통과한 실내공기를 타고 공기통로(25) 전체로 확산되면서 촉매필터(34)로 흘러간다. 촉매필터(34)에 있어서, 플라즈마촉매가 한층 활성화되어, 실내공기 중 유해물질이나 냄새물질의 분해가 한층 촉진된다. 따라서 본 실시형태에 의하면, 공기통로(25)를 흐르는 실내공기 중의 유해물질이나 냄새물질을 확실하게 분해할 수 있어, 공기정화장치(10)의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
(제3 실시형태)
본 발명의 제3 실시형태는, 상기 제1 실시형태에서 이온화부(32)의 구성을 변경한 것이다. 여기서는 본 실시형태에 대해 도6을 이용하여 상기 제1 실시형태와 다른 점을 설명한다. 그리고 도6에서 (A)는 평면도, (B)는 공기흐름의 상류 쪽에서 본 것을 나타낸다. 또 이 점은 도7에서도 마찬가지다.
본 실시형태의 공기정화장치(10)에서는 이온화부(32)의 배면부분(37c)에 복수의 절연애자(60)가 설치된다. 이 절연애자(60)는 전기의 도통을 절연시키기 위한 것으로, 음극부재(37)의 상하방향에 등간격으로 설치된다. 각 절연 애자(60)의 프리필터(31) 쪽에는 통전부재(61)가 설치된다. 이 통전부재(61)는 전기를 도통시키기 위한 것이다.
통전부재(61)의 측면 중, 측면부분(37b) 쪽의 면에는 고정부재(44)를 통해서 방전전극(41)이 설치된다. 또 통전부재(61)의 프리필터(31) 쪽에는 이온화선(35)이 배치되며, 이 이온화선(35)은 통전부재(61)에 의해 지지된다. 즉, 상기 이온화선(35)과 방전전극(41)은 통전부재(61)를 통해서 도통된다.
이온화선(35)과 방전전극(41) 중 어느 한쪽에 방전전압을 인가하면, 이온화선(35)과 방전전극(41)이 동일전위가 된다. 그리고 이온화선(35)과 측면부분(37b)의 대향전극(36) 사이에서, 또 방전전극(41)과 측면부분(37b)의 대향전극(36) 사이에서 방전이 이루어진다.
여기서 방전전극(41)과 대향전극(36)의 거리는 이온화선(35)과 대향전극(36)의 거리보다 충분히 짧게 구성되며, 양자의 전계강도에는 차가 생긴다. 이로써 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이에 스트리머방전이 이루어지며, 이에 따라 플라즈마가 발생하여 실내공기 중의 유해물질이나 냄새물질이 분해 제거된다. 또 이온화선(35)과 대향전극(36) 사이의 방전에 의해 실내공기 중 먼지가 대전된다.
-제3 실시형태의 변형예-
상기 제3 실시형태의 공기정화장치(10)에서, 이온화부(32)의 구성을 변경해도 된다. 여기서는 본 변형예에 대해 상기 제3 실시형태와 다른 점을 설명한다.
도7에 나타내는 바와 같이 본 변형예의 공기정화장치(10)에서는, 이온화선(35)의 도중에 복수의 방전전극(41)이 등간격으로 배치된다. 즉 상기 이온화선(35)과 방전전극(41)은 도통된다. 방전전극(41)은 공기흐름의 상류 쪽에서 본 단면이 마름모형이며, 이온화선(35)을 중심으로 대칭이 되도록 형성된다. 그리고 이 온화선(35)과 측면부분(37b)의 대향전극(36) 사이에서, 또 방전전극(41)과 측면부분(37b)의 대향전극(36) 사이에서 방전이 이루어진다.
본 변형예에서는 이온화선(35) 도중에 방전전극(41)이 전기적으로 접속되어, 이온화선(35)과 방전전극(41) 양쪽에 별개로 전압을 인가할 필요가 없게 된다. 이로써, 예를 들어 이온화선(35)을 전원에 접속하는 것만으로, 이온화선(35)과 방전전극(41) 양쪽에 전압을 인가할 수 있다. 따라서 본 변형예에 의하면 전압을 인가하기 위한 구성을 간소화할 수 있다.
(그 밖의 실시형태)
-제1 변형예-
상기 제1 및 제2 실시형태의 공기정화장치(10)에서, 이온화부(32)의 구성을 변경해도 된다.
도8에 나타내는 바와 같이 본 변형예의 공기정화장치(10)에서는, 이온화부(32)의 음극부재(37)에 형성되는 공기구멍(50)이 측면부분(37b)에만 존재한다. 즉 공기구멍(50)은, 배면부분에(37c)에는 존재하지 않는다. 이온화부(32)로 유입된 실내공기는 그 모두가 측면부분(37b)의 공기구명(50)을 통과하여, 역"ㄷ"자형으로 형성된 대향전극(36)의 개구 쪽으로부터 하류 쪽으로 흐른다.
한편 플라즈마 발생장치(40)에서는, 방전전극(41)과 대향전극(36) 사이의 스트리머방전에 의해 저온플라즈마가 발생한다. 저온플라즈마에 포함되는 활성종은, 이 공기구멍(50)을 통과한 실내공기를 타고 공기통로(25) 전체로 확산되면서 촉매필터(34)로 흘러간다. 촉매필터(34)에서 플라즈마촉매가 한층 활성화되어, 실내공 기 중 유해물질이나 냄새물질의 분해가 한층 촉진된다. 따라서 본 변형예에 의하면, 공기통로(25)를 흐르는 실내공기 중의 유해물질이나 냄새물질을 확실하게 분해할 수 있어, 공기정화장치(10)의 처리성능을 향상시킬 수 있다.
그리고 본 변형예에서는, 배면부분(37c)을 구성하는 부분과 전면부분(37a) 및 측면부분(37b)을 구성하는 부분을 별개의 부재로 형성하여, 각 부재를 서로 틈이 나도록 배치해도 된다. 이 경우, 배면부분(37c)을 구성하는 부재가 방해판으로서 작용하므로, 이온화부(32)로 유입된 실내공기는, 전면부분(37a) 및 측면부분(37b)을 구성하는 부재와 배면부분(37c)을 구성하는 부재 사이에 형성되는 틈새를 통해 하류 쪽으로 흐른다.
-제2 변형예-
상기 제1 내지 3 실시형태의 공기정화장치(10)에서, 이온화부(32)의 구성을 변경해도 된다. 본 변형예의 이온화부(32)에서 음극부재(37)의 골판형상은, 구헝파 형상에 한정되지 않고, 정현파형이나 삼각파형 등, 어떤 파형이라도 된다. 상기 음극부재(37)에서는 그 프리필터(31) 쪽의 면에 이온화선(35)이 배치되며, 이 면과 서로 대향하는 촉매필터(34) 쪽의 면에 방전전극(41)이 배치된다. 이온화선(35)은, 음극부재(37)를 프리필터(31) 쪽에서 본 "골짜기"부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다. 한편 방전전극(41)은, 음극부재(37)를 정전필터(33) 쪽에서 본 "골짜기"부분, 즉 오목부의 안쪽에 배치된다.
-제3 변형예-
상기 실시형태에서는, 전기적 집진부재로서 정전필터(33)를 이용하지만, 정 전필터 대신에 집진판(전극판)을 전기적 집진부재로서 이용해도 된다.
-제4 변형예-
또 상기 실시형태에서는, 플라즈마 발생장치(40)의 하류 쪽에, 예를 들어 망간계 촉매나 귀금속계 촉매 등의 플라즈마 촉매가 기재에 담지된 촉매필터(34)를 설치한다. 그러나 플라즈마 발생장치(40)의 하류 쪽에는, 이 촉매필터(34) 대신에, 예를 들어 활성탄이나 제올라이트 등의 흡착제가 기재에 담지된 흡착처리부재를 설치하도록 해도 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명은, 방전을 행하여 공기 중의 먼지나 냄새 등을 제거하는 가스처리장치에 대해 유용하다.
Claims (10)
- 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치이며,대향전극(36)과,상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 복수의 제1 방전극(35)과,대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와,상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 복수의 제2 방전극(41)을 구비하고,상기 제1 방전극(35)과 제2 방전극(41)은 피처리가스의 흐름과 직교하는 면으로서 동일면 상에 배치되어 있는 가스처리장치.
- 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치이며,대향전극(36)과,상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과,대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와,상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고,상기 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이의 방전이 피처리가스의 흐름의 하류측으로부터 상류측을 향해 행해지도록 상기 대향전극(36)이 피처리가스의 흐름의 상류측에 위치하고, 상기 제2 방전극(41)이 피처리가스의 흐름의 하류측에 위치하고 있는 가스처리장치.
- 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치이며,대향전극(36)과,상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과,대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와,상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 대향전극(36)과의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고,대향전극(36)은 단면이 역"ㄷ"자형의 기둥형으로 형성되며, 상기 대향전극(36)의 안쪽에 적어도 제2 방전극(41)이 배치되는 가스처리장치.
- 피처리가스 중의 먼지를 포집함과 더불어, 피처리가스 중의 피처리성분을 분해하는 가스처리장치이며,골판형상으로 형성되어 대향전극(36)을 구성하는 전극부재(37)와,상기 피처리가스 중의 먼지가 대전되도록 상기 전극부재(37)와의 사이에서 방전을 일으키는 제1 방전극(35)과,대전된 상기 피처리가스 중의 먼지를 포집하는 전기적 집진부재(33)와,상기 피처리성분을 분해하기 위한 플라즈마가 발생하도록 상기 전극부재(37)와의 사이에서 방전을 일으키는 제2 방전극(41)을 구비하고,상기 전극부재(37)의 한 면 쪽에 제1 방전극(35)이, 다른 면 쪽에 제2 방전극(41)이 각각 설치되며,상기 제1 방전극(35) 및 제2 방전극(41)은, 각각 골판형상인 상기 전극부재(37)의 오목부 안쪽에 배치되는 가스처리장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 전기적 집진부재(33)가 정전(靜電)필터로 구성되는 가스처리장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 플라즈마 촉매를 구비하는 가스처리장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 방전극(35)은 상기 대향전극(36)을 따라 연장되는 선형으로 형성되고,제2 방전극(41)은 상기 제1 방전극(35)의 도중에 전기적으로 접속됨과 더불어, 상기 대향전극(36)과의 거리가 상기 대향전극(36)과 제1 방전극(35)의 거리보다 짧아지도록 배치되는 가스처리장치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 광반도체 촉매를 구비하는 가스처리장치.
- 제8항에 있어서, 광반도체 촉매는 전기적 집진부재(33)에 담지(擔持)되는 가스처리장치.
- 제6항에 있어서, 플라즈마 촉매는 제2 방전극(41) 및 대향전극(36)의 하류 쪽에 배치되며,전기적 집진부재(33)에는, 제2 방전극(41)과 대향전극(36) 사이에서의 방전에 의해 발생한 플라즈마로 활성화되어 피처리성분의 분해를 촉진하는 광반도체 촉매가 담지되고,상기 전기적 집진부재(33)는, 상기 제2 방전극(41) 및 대향전극(36)과 상기 플라즈마 촉매와의 사이에 배치되는 가스처리장치.
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