KR100712347B1 - 광 간섭을 감소시킨 이미지센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 인접 화소 간의 광 간섭에 의한 이미지 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서, 상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드와, 상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수)과, 상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수)과, 상기 화소 영역의 상기 제M메탈라인 상에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 배치되되, 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 비아 콘택과 동시에 형성된 더미 패턴과, 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하는 이미지센서를 제공한다.

이미지센서, 더미 패턴, 비아 콘택, 메탈라인, 단위 화소, 광 간섭.

Description

광 간섭을 감소시킨 이미지센서{IMAGE SENSOR WITH DECREASED OPTICAL INTERFERENCE BETWEEN ADJACENT PIXEL}

도 1은 4개의 단위 화소가 배열된 이미지센서를 개략적으로 도시한 평면도.

도 2는 단위 화소 및 로직 영역의 일부가 모두 나타나도록 배열된 CMOS 이미지센서를 도시한 단면도.

도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도.

도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도.

도 5는 본 발명의 제3실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

SUB : 기판 Fox : 필드 산화막

PMD : 메탈라인 형성 전 절연막 M1 ∼ M4 : 메탈라인

IMD1 ∼ IMD3 : 메탈라인 간 절연막 PL : 보호막

OCL1, OCL2 : 오버코팅 레이어 CFA : 칼라필터 어레이

ML : 마이크로렌즈 PSL : 보호막

DM : 더미 패턴 ILD : 절연막

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 인접 화소 간의 광 간섭을 방지할 수 있어 광 감도를 향상시킨 이미지센서의 구조에 관한 것이다.

CMOS 이미지센서는 현재 모바일 폰(Mobile phone), PC(Personal Computer)용 카메라(Camera) 및 전자기기 등에서 광범위하게 사용되고 있는 디바이스(Device)이다. CMO 이미지센서는 기존에 이미지센서로 사용되던 CCD(Charge Coupled Device)에 비해 구동방식이 간편하며, 신호 처리 회로(Signal Processing Circuit)를 한 칩에 집적할 수 있어서 SOC(System On Chip)이 가능하므로 모듈의 소형화를 가능하게 한다.

또한, 기존에 셋-업(Set-up)된 CMOS 기술을 호환성 있게 사용할 수 있으므로 제조 단가를 낮출 수 있는 등 많은 장점이 있다.

도 1은 4개의 단위 화소가 배열된 이미지센서를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 1을 참조하면, 그 중앙부에 포토다이오드(PD)를 갖는 4개의 단위 화소 (UP)가 2×2의 형태로 배열되어 있다.

도 2는 단위 화소 및 로직 영역의 일부가 모두 나타나도록 배열된 CMOS 이미지센서를 도시한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(SUB)에 국부적으로 필드 산화막(FOX)이 형성되어 있으며, 기판(SUB) 상에는 트랜스퍼 게이트(도시하지 않음)를 포함한 복수의 게이트전극이 형성되어 있으며, 예컨대, 트랜스퍼 게이트의 일측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 N영 영역(도시하지 않음)과 기판(SUB)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역(도시하지 않음)으로 이루어진 포토다이오드(PD)가 형성되어 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 이 경우 트랜스퍼 게이트의 타측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(N+)의 플로팅 확산영역이 형성된다. 'A'는 단위 화소가 형성되는 화소 배열부를 나타내고, 'B'는 그 주변영역인 로직 영역을 나타낸다. 로직 영역(B)에서는 복수의 트랜지스터(TR) 등이 형성된다.

포토다이오드(PD) 및 트랜지스터(TR)가 형성된 전면에 메탈라인 형성 전 절연막(Pre-Metal Dielectric; 이하 PMD라 함)이 형성되어 있으며, PMD 상에 제1메탈라인(M1)이 형성되어 있다.

제1메탈라인(M1) 상에는 제1메탈라인 간 절연막(Inter-Metal Dielectric-1; 이하 IMD1이라 함)이 형성되어 있으며, IMD1 상에는 제2메탈라인(M2)이 형성되어 있다. 제2메탈라인(M2) 상에는 제2메탈라인 간 절연막(IMD2)이 형성되어 있으며, IMD2 상에는 제3메탈라인(M3)이 형성되어 있다. 제3메탈라인(M3) 상에는 제3메탈라 인 간 절연막(IMD3)이 형성되어 있으며, IMD3 상에는 제4메탈라인(M4)이 형성되어 있다.

제1 및 제2메탈라인(M1, M2)은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로를 접속시키기 위한 것으로, 포토다이오드(PD) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.

아울러, 여기서는 제4메탈라인(M4)이 최종 메탈라인인 것으로 나타나 있으나, 이보다 제5 또는 제6 등 그 이상의 메탈라인을 포함하는 경우도 존재한다.

제4메탈라인(M4) 상에는 하부 구조의 보호(Passivation)를 위한 보호막(Passivation Layer; 이하 PL이라 함)이 형성되어 있으며, PL 상에는 칼라필터 어레이 형성시 공정 마진 확보를 위한 제1오버코팅 레이어(Over Coating Layer-1); 이하 OCL1이라 함)이 형성되어 있으며, OCL1 상에는 각 단위화소 별로 RGB 색상 구현을 위한 칼라필터 어레이(Color Filter Array; 이하 CFA라 함)가 형성되어 있다.

통상의 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다.

여기서, PL은 통상 질화막/산화막의 2중 구조로 이루어진다.

CFA 상에는 마이크로렌즈 형성시 공정 마진 확보를 위한 제2오버코팅 레이어(이하 OCL2라 함)이 형성되어 있으며, OCL2 상에는 마이크로렌즈(Micro-Lens; 이하 ML이라 함)가 형성되어 있다.

ML 상에는 ML이 긁히거나 파손되는 것을 방지하기 위한 보호막(이하 PSL이라 함)이 형성되어 있다. 입사된 빛은 마이크로렌즈(ML)에 의해 포커싱되어 포토다이 오드(PD)로 입사한다.

상기한 구조에서 알 수 있듯이, 화소 배열부(A)의 경우 메탈라인을 M1과 M2만이 형성되고, 그 상부에 위치하는 메탈라인인 M3와 M4는 로직영역에서만 형성된다.

따라서, 'a'와 같이 자신의 마이크로렌즈(ML)을 통과한 빛은 상관이 없으나, 인접 화소의 마이크로렌즈를 통과한 'b'과 같은 빛이 포토다이오드(PD)로 입사함으로써, 광 간섭을 일으킨다.

이러한 광 간섭은 격자 무늬 유발 또는 칼라 왜곡 등의 이미지 특성 열화를 유발한다.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 인접 화소 간의 광 간섭에 의한 이미지 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서, 상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드와, 상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수)과, 상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수)과, 상기 화소 영역의 상기 제M메탈라인 상에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 배치되되, 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 비아 콘택과 동시에 형성된 더미 패턴과, 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하는 이미지센서를 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서, 상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드와, 상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수)과, 상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수)과, 상기 화소 영역에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 절연막을 매개로 상기 제M메탈라인과 접촉된 더미 패턴과, 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하되, 상기 더미 패턴과 상기 절연막은 각각 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 캐패시터의 유전막 및 캐패시터 전극과 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서를 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서, 상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드와, 상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수)과, 상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수)과, 상기 화소 영역의 상기 제M메탈라인 상부에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 배치된 제1더미 패턴과, 상기 제1더미 패턴 상의 제2더미 패턴과, 상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제2더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하되, 상기 1더미 패턴과 제2더미 패턴은 각각 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 메탈라인 및 비아 콘택과 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서를 제공한다.

본 발명은 M2 이외의 메탈라인을 사용하지 않는 이미지센선의 화소배열부에 더미 패턴을 배치함으로써, 인접 화소 간의 광 간섭을 방지한다.

이때, 더미 패턴은 로직 영역의 캐패시터와 비아 콘택 그리고, 추가의 메탈라인과 비아 콘택 형성시 형성할 수 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도이다.

도 3을 참조하면, 고농도의 P형(P++) 영역과 에피층(P-epi)이 적층된 구조를 갖는 기판(SUB)에 국부적으로 필드 산화막(FOX)이 형성되어 있으며, 기판(SUB) 상에는 트랜스퍼 게이트(도시하지 않음)를 포함한 복수의 게이트전극이 형성되어 있으며, 예컨대, 트랜스퍼 게이트의 일측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 깊은 이온주입에 의한 N영 영역(도시하지 않음)과 기판(SUB)의 표면과 접하는 영역에 위치한 P형 영역(도시하지 않음)으로 이루어진 포토다이오드(PD)가 형성되어 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 이 경우 트랜스퍼 게이트의 타측에 얼라인된 기판(SUB)의 표면 하부에 이온주입에 의한 고농도 N형(N+)의 플로팅 확산영역이 형성된다.

포토다이오드(PD) 및 복수의 트랜지스터가 형성된 전면에 메탈라인 형성 전 절연막(이하 PMD라 함)이 형성되어 있으며, PMD 상에 제1메탈라인(M1)이 형성되어 있다.

제1메탈라인(M1) 상에는 제1메탈라인 간 절연막(이하 IMD1이라 함)이 형성되어 있으며, IMD1 상에는 제2메탈라인(M2)이 형성되어 있다. 제2메탈라인(M2) 상에는 제2메탈라인 간 절연막(IMD2)이 형성되어 있다.

IMD2 상에는 로직 영역에 제3메탈라인(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 제3메탈라인 상에는 제3메탈라인 간 절연막(IMD3)이 형성되어 있으며, IMD3 상에는 로직 영역애 제4메탈라인(도시하지 않음)이 형성되어 있다.

제1 및 제2메탈라인(M1, M2)은 전원라인 또는 신호라인과 단위화소 및 로직회로를 접속시키기 위한 것으로, 포토다이오드(PD) 이외의 영역에 빛이 입사하는 것을 방지하기 위한 쉴드의 역할을 동시에 한다.

아울러, 여기서는 제4메탈라인이 최종 메탈라인인 것으로 하였으나, 이보다 제5 또는 제6 등 그 이상의 메탈라인을 포함하는 경우도 존재한다.

제4메탈라인 상에는 하부 구조의 보호를 위한 보호막(이하 PL이라 함)이 형성되어 있으며, PL 상에는 칼라필터 어레이 형성시 공정 마진 확보를 위한 제1오버코팅 레이어(이하 OCL1이라 함)이 형성되어 있으며, OCL1 상에는 각 단위화소 별로 RGB 색상 구현을 위한 칼라필터 어레이(이하 CFA라 함)가 형성되어 있다.

통상은 빛의 3원색인 R(Red)G(Green)B(Blue)를 사용하나, 이외에도 보색인 옐로우(Y; Yellow), 마젠타(Magenta; Mg), 시안(Cyan; Cy)을 사용할 수 있다.

여기서, PL은 통상 질화막/산화막의 2중 구조로 이루어진다.

CFA 상에는 마이크로렌즈 형성시 공정 마진 확보를 위한 제2오버코팅 레이어(이하 OCL2라 함)이 형성되어 있으며, OCL2 상에는 마이크로렌즈(이하 ML이라 함)가 형성되어 있다.

ML 상에는 ML이 긁히거나 파손되는 것을 방지하기 위한 보호막(이하 PSL이라 함)이 형성되어 있다. 입사된 빛은 마이크로렌즈(ML)에 의해 포커싱되어 포토다이오드(PD)로 입사한다.

화소 배열부(A)의 경우 메탈라인을 M1과 M2만이 형성되고, 그 상부에 위치하는 메탈라인은 로직영역에서만 형성되어 있다. 본 발명에서는 도 3에 도시된 바와 같이 화소 배열부에도 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 더미 패턴인 DM이 절연막(ILD)을 매개로 제2메탈라인(M2)과 직접 접촉되도록 배치함으로써, 인접 화소로부터 입사되는 빛을 차단하도록 한다.

더미 패턴(DM)과 절연막(ILD)은 로직 영역에서 제2메탈라인(M2)과 절연막(ILD) 및 더미 패턴(DM)으로 구성된 캐패시터 형성시 동시에 형성이 가능하다.

로직 영역의 경우 제2메탈라인(M2)과 절연막(ILD) 및 더미 패턴(DM)의 적층 구조가 캐패시터로 사용되지만, 화소 배열부에서는 절연막(ILD)이 제2메탈라인(M2)과 더미 패턴(DM) 사이의 절연을 위해 사용된다.

도 3을 참조하면, 'a'와 같이 자신의 마이크로렌즈(ML)를 통해 입사된 빛은 포토다이오드(PD)로 포커싱되는 반면, 'b'와 같이 인접 화소를 통해 입사된 빛은 더미 패턴(DM)에 의해 차단되는 것을 확인할 수 있다.

상기한 더미 패턴(DM)은 여러 가지 형태로 배치할 수 있다.

도 3에서 더미 패턴(DM)이 약 1500Å의 TiN이고, 절연막(ILD)이 600Å의 산화막일 경우 둘이 적층된 높이는 약 2100Å이 된다.

도 4는 본 발명의 제2실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도이다.

도 3과 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였으며, 그 설명을 생략한다.

제2실시 예에서는 도 4에 도시된 바와 같이 화소 배열부에도 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 더미 패턴인 DM이 제2메탈라인(M2)과 직접 접촉되도록 배치함으로써, 인접 화소로부터 입사되는 빛을 차단하도록 한다.

더미 패턴(DM)은 로직 영역에서 제2메탈라인(M2)과 제3메탈라인을 접속시키기 위한 비아 콘택에 해당하며, 로직 영역에서 비아 콘택 형성시 동시에 형성이 가능하다.

즉, 로직 영역의 경우 비아 콘택은 본래의 용도로 사용되지만, 화소 배열부에서는 제3메탈라인과 접속되지 않고 제2메탈라인(M2)을 상부로 확장시킨 형태로 쉴드 역할을 한다.

도 4를 참조하면, 'a'와 같이 자신의 마이크로렌즈(ML)를 통해 입사된 빛은 포토다이오드(PD)로 포커싱되는 반면, 'b'와 같이 인접 화소를 통해 입사된 빛은 더미 패턴(DM)에 의해 차단되는 것을 확인할 수 있다.

도 4에서 더미 패턴(DM)인 바이 콘택은 약 6000Å이다.

도 5는 본 발명의 제3실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 단위 화소를 도시한 단면도이다.

도 3 및 도 4와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하였으며, 그 설명을 생략한다.

제3실시 예에서는 도 5에 도시된 바와 같이 화소 배열부에도 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 더미 패턴인 DM1과 DM2을 제2메탈라인(M2) 상부에 배치함으로써, 인접 화소로부터 입사되는 빛을 차단하도록 한다.

더미 패턴 DM1은 로직 영역에서 제3메탈라인에 해당하고, DM2는 제3메탈라인과 제4메탈라인을 접속시키기 위한 비아 콘택에 해당하며, 이는 로직 영역에서 제3메탈라인 및 비아 콘택 형성시 동시에 형성이 가능하다.

즉, 로직 영역의 경우 제3메탈라인과 비아 콘택은 본래의 용도로 사용되지만, 화소 배열부에서는 DM1과 DM2는 제2메탈라인 및 제4메탈라인과 접속되지 않고 제2메탈라인 상부에서 쉴드 역할을 한다.

도 5를 참조하면, 'a'와 같이 자신의 마이크로렌즈(ML)를 통해 입사된 빛은 포토다이오드(PD)로 포커싱되는 반면, 'b'와 같이 인접 화소를 통해 입사된 빛은 더미 패턴 DM1과 DM2에 의해 차단되는 것을 확인할 수 있다.

상기한 도 3 내지 도 5를 통해 3가지 형태의 실시 예를 살펴 보았으나, 상기한 3가지 형태 이외에 이들이 상호 결합한 형태로도 구현이 가능하다.

예컨대, 제2메탈라인 상에 캐패시터 형태의 더미 패턴이 배치되고 제3메탈라인에 해당하는 더미 패턴이 배치된 형태와, 이때 제3메탈라인에 해당하는 더미패턴에 비아 콘택에 해당하는 더미 패턴이 추가로 배치된 형태 등 다양한 형태로 변형 이 가능하다.

전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 화소 배열부에서 로직 영역에서만 사용하는 메탈라인, 비아 콘택, 캐패시터에 대응하는 더미 패턴을 적어도 하나 이상 배치함으로써, 광 간섭을 억제할 수 있음을 실시 예를 통해 알아보았다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

예컨대, 상기한 본 발명의 실시 예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.

상술한 본 발명은, 인접 화소간의 광 간섭으로 인한 이미지 특성 열화를 방지함으로써, 이미지센서의 수율을 높이는 효과가 있다.

Claims (7)

1. 삭제
2. 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서,

   상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드;

   상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수);

   상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수);

   상기 화소 영역의 상기 제M메탈라인 상에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 배치되되, 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 비아 콘택과 동시에 형성된 더미 패턴; 및

   상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈

   를 포함하는 이미지센서.
3. 삭제
4. 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서,

   상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드;

   상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수);

   상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수);

   상기 화소 영역에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 절연막을 매개로 상기 제M메탈라인과 접촉된 더미 패턴; 및

   상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하되,

   상기 더미 패턴과 상기 절연막은 각각 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 캐패시터의 유전막 및 캐패시터 전극과 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 더미 패턴과 상기 절연막 및 상기 제M메탈라인은 상기 로직 영역에서 캐패시터를 이루는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
6. 삭제
7. 화소 영역과 로직 영역을 구비하는 이미지센서에 있어서,

   상기 화소 영역의 기판에 제공된 포토다이오드;

   상기 화소 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제M메탈라인(M은 1보다 큰 자연수);

   상기 로직 영역의 기판 상에 제공되는 제1 내지 제N메탈라인(N은 M보다 큰 자연수);

   상기 화소 영역의 상기 제M메탈라인 상부에서 상기 포토다이오드와 오버랩되지 않도록 배치된 제1더미 패턴;

   상기 제1더미 패턴 상의 제2더미 패턴; 및

   상기 포토다이오드와 오버랩되도록 상기 제2더미 패턴 상부에 배치된 마이크로렌즈를 포함하되,

   상기 1더미 패턴과 제2더미 패턴은 각각 상기 로직 영역의 해당 높이에 존재하는 메탈라인 및 비아 콘택과 동시에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.

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