KR100549589B1 - 이미지센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000002789 length control Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
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Abstract
본 발명은 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 본 발명의 이미지센서는 반도체 기판에 형성된 적어도 하나이상의 포토 다이오드와, 포토 다이오드 상부에 형성되며 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층 층간 절연막들과, 다층 층간 절연막들 상부에 순차적으로 적층된 광차폐막 및 소자 보호막과, 소자 보호막 상부에 순차적으로 적층된 컬러필터 어레이 및 평탄화막과, 평탄화막 상부에 각 컬러필터에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈를 포함한다. 따라서, 본 발명은 다층 층간 절연막을 하부에서 상부로 갈수록 밀도를 감소시켜 마이크로렌즈와 컬러필터를 통해 입사된 광의 굴절 각도를 줄여서 포토 다이오드에 도달하는 수직 광의 전달율을 증대시킴으로써 포토 다이오드의 집광 효율을 높일 수 있다.
이미지센서, 다층 층간 절연막, 밀도, 굴절율
Description
도 1은 종래 기술에 의한 이미지센서 구조를 나타낸 수직 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 이미지센서 구조를 나타낸 수직 단면도,
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 이미지센서의 다층 층간 절연막내에 다층 배선을 제조하는 과정을 나타낸 실시예,
도 4는 본 발명의 이미지센서의 다층 층간 절연막에서 밀도차이로 인한 굴절율 차이가 다름을 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 필드 절연막 102 : 포토 다이오드
104, 108 : 다층 층간 절연막 106 : 광차폐막
120 : 소자 보호막 122a, 122b, 122c : 컬러필터
124 : 층간 절연막 126 : 평탄화막
128 : 마이크로렌즈
본 발명은 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 포토 다이오드의 집광 효율을 증대시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학적 영상을 전기적인 신호로 바꾸어주는 반도체 소자로서, 그 대표적인 예로서는 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)가 있다. CCD 이미지센서는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하캐리어가 커패시터에 저장되고 저장된 캐리어가 이송되는 소자이다. 더욱이, 씨모스(CMOS) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 어레이로 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 광감도(photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있다. 광감도를 증가시키는 노력중에서도 집광기술이 가장 중요한 기술이다.
한편, CMOS 이미지센서는 크게 광을 감지하는 광 감지회로부와, 감지된 광을 전기적신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로부로 구성된다되는데, 광감도를 높여주기 위하여 광 감지회로부 이외의 영역으로 입사하는 광의 경로를 바꾸어서 광 감지 소자인 포토 다이오드(photo diode)로 모아주는 집광기술에 대해 많이 연구되고 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 이미지센서 구조를 나타낸 수직 단면도로서, 집광에 직접 관련된 종래 CMOS 이미지센서의 주요 구조부분이 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 CMOS 이미지센서는 반도체 기판(미도시함) 상부에 필드 절연막(10)과, 필드 절연막(10) 사이에서 광 활성 영역인 적어도 하나이상의 포토 다이오드(12)와, 필드 절연막(10)과 포토 다이오드(12) 상부를 층간 절연하는 다층의 층간 절연막(14, 18)과, 필드 절연막(10)으로 광이 입사되는 것을 방지하기 위해 층간 절연막(18)내에 금속 등의 광차폐막(light shield layer)(16)이 형성되어 있다. 층간 절연막(18) 상부에는 소자 보호막(20)이 형성되어 있으며, 소자 보호막(20) 상부에 층간 절연막(24)이 형성되어 있다. 이 층간 절연막(24)에 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)의 컬러필터들(22a, 22b, 22c)이 어레이로 형성되어 있으며, 이들 컬러필터 어레이(22a, 22b, 22c) 위에 평탄화막(26)이 형성되어 있다. 각 컬러필터(22a, 22b, 22c)의 대향 위치에 마이크로렌즈(28)가 각각 형성되어 있다.
여기서 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)의 컬러필터들(22a, 22b, 22c)의 재료로는 특정 파장의 빛만을 흡수할 수 있는 색깔로 염색된 포토레지스트가 주로 사용된다. 마이크로렌즈(28)의 재료로는 폴리머 계열의 수지(resin)가 주로 이용된다.
그리고 층간 절연막(14, 18, 24) 및 소자 보호막(20)은 투명 절연물질로서, 통상 실리콘 산화막이 사용된다. 또한 평탄화막(26)은 컬러필터의 거칠음을 보상하기 위하여 포토레지스트가 이용된다.
이와 같은 구조로 이루어진 종래 CMOS 이미지센서는 마이크로렌즈(28)를 통해서 입사된 광이 하부의 적색 컬러필터(22a), 녹색 컬러필터(22b), 청색 컬러필터(22c)를 통해 해당 적색 광, 녹색 광, 청색 광으로 필터링된다. 필터링된 적색, 녹색, 청색 광은 각각 소자 보호막(20) 및 층간 절연막들(18, 14)을 통해서 각 컬러필터에 대향되는 위치의 포토 다이오드(12)에 입사된다. 층간 절연막들(18, 14) 사이에 배치된 광차폐막(16)은 입사된 광이 다른 광 경로로 벗어나지 않도록 차폐하는 역할을 한다.
그런데, 마이크로렌즈(28)와 각 컬러필터(22a, 22b, 22c)를 통해 포토 다이오드(12)까지 입사된 광이 만약 평행으로 입사되지 않고 다른 광 경로로 잘못 입사하게 되면 결국 해당 광 경로의 포토 다이오드(12)에서는 광을 감지할 수 없게 되거나 원하지 않는 인접된 다른 포토 다이오드(12)에 간섭을 주게 된다. 이러한 현상은 CMOS 이미지센서에서 고성능 이미지를 구현하는데 노이즈로 작용하게 된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 다층 층간 절연막을 하부에서 상부로 갈수록 밀도를 증가시켜 마이크로렌즈와 컬러필터를 통해 입사된 광의 굴절 각도를 줄여서 포토 다이오드에 도달하는 수직 광의 전달율을 증대시킴으로써 포토 다이오드의 집광 효율을 크게 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이미지센서 구조에 있어서, 반도체 기판에 형성된 적어도 하나이상의 포토 다이오드와, 포토 다이오드 상부에 형성되며 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층 층간 절연막들과, 다층 층간 절연막들 상부에 순차적으로 적층된 광차폐막 및 소자 보호막과, 소자 보호막 상부에 순차적으로 적층된 컬러필터 어레이 및 평탄화막과, 평탄화막 상부에 각 컬러필터에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 이미지센서의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판에 적어도 하나이상의 포토 다이오드를 제조하는 단계와, 포토 다이오드 상부에 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층 층간 절연막들을 형성하는 단계와, 다층 층간 절연막들 상부에 순차적으로 적층된 광차폐막 및 소자 보호막을 형성하는 단계와, 소자 보호막 상부에 순차적으로 적층된 컬러필터 어레이 및 평탄화막을 형성하는 단계와, 평탄화막 상부에 각 컬러필터에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명에 따른 이미지센서 구조를 나타낸 수직 단면도로서, 집광에 직접 관련된 본 발명의 CMOS 이미지센서의 주요 구조부분이 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 CMOS 이미지센서는 반도체 기판(미도시함) 상부에 필드 절연막(100)과, 필드 절연막(100) 사이에서 광 활성 영역인 적어도 하나이상의 포토 다이오드(102)와, 필드 절연막(100)과 포토 다이오드(102) 상부를 층간 절연하되, 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층의 층간 절연막들(104, 108)과, 필드 절연막(100)으로 광이 입사되는 것을 방지하기 위해 층간 절연막(108)내에 금속 등의 광차폐막(106)이 형성되어 있다. 층간 절연막(108) 상부에는 소자 보호막(120)이 형성되어 있으며, 소자 보호막(120) 상부에 상부의 층간 절연막(124)이 형성되어 있다. 이 층간 절연막(124)에 적색, 녹색, 청색의 컬러필터들(122a, 122b, 122c)이 어레이로 형성되어 있으며, 이들 컬러필터 어레이(122a, 122b, 122c) 위에 평탄화막(126)이 형성되어 있다. 각 컬러필터(122a, 122b, 122c)의 대향 위치에 마이크로렌즈(128)가 각각 형성되어 있다.
여기서 적색, 녹색, 청색의 컬러필터들(122a, 122b, 122c)의 재료로는 특정 파장의 빛만을 흡수할 수 있는 색깔로 염색된 포토레지스트가 주로 사용된다. 마이크로렌즈(128)의 재료로는 폴리머 계열의 수지가 주로 사용된다.
그리고 층간 절연막(104, 108, 124)은 투명 절연물질로서, 통상의 실리콘 산화막이 형성되는데, 그 중에서도 컬러필터 어레이(122a, 122b, 122c) 하부의 층간 절연막(104, 108)은 하부보다 상부쪽 층간 절연막 밀도를 낮추어 제조한다. 이를 위하여 본 발명에서는 증착 공정에 따라 PE-CVD < HDP-CVD < LP-CVD < 열산화 공정 순서로 산화막 밀도가 높아지며 증착 온도가 낮음에 따라 산화막 밀도가 낮아지므로 이러한 증착 공정과 증착 온도를 조절한다. 예를 들어, 상부쪽의 층간 절연막(108) 제조 공정은 PE-CVD 또는 HDP-CVD로 산화막을 증착하고 낮은 온도 대역에서 증착한다. 이에 반하여 하부쪽 층간 절연막(104) 제조 공정은 LP-CVD 또는 열산화 공정으로 산화막을 증착하고 상부쪽 층간 절연막에 비해 높은 온도 대역에서 증착한다. 또는 본 발명은 상부 및 하부 층간 절연막(108, 104) 모두 동일한 증착 공정으로 하고, 증착 온도를 조정하여 하부 층간 절연막(104)보다 상부 층간 절연막(108)이 더 낮은 밀도를 갖도록 할 수 있다.
또한 본 발명은 층간 절연막(104, 108)은 투명 절연물질로서, 통상의 실리콘 산화막으로 형성하는데, 하부보다 상부의 층간 절연막에 갈수록 첨가되는 불순물 농도를 높여서 밀도를 낮출 수도 있다. 예를 들어, 하부의 층간 절연막(104)은 FSG, BPSG, PSG, BSG로 증착하고 상부의 층간 절연막(108)은 USG로 증착할 수도 있다.
한편 미설명된 소자 보호막(120)은 투명 절연물질로서, 통상 실리콘 산화막이 사용되고 평탄화막(126)은 컬러필터의 거칠음을 보상하기 위하여 포토레지스트가 이용된다.
이와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 CMOS 이미지센서는 마이크로렌즈(128)를 통해서 입사된 광이 하부의 적색 컬러필터(122a), 녹색 컬러필터(122b), 청색 컬러필터(122c)를 통해 해당 적색 광, 녹색 광, 청색 광으로 필터링된다. 필터링된 적색, 녹색, 청색 광은 각각 소자 보호막(120) 및 층간 절연막들(108, 104)을 통해서 각 컬러필터에 대향되는 위치의 포토 다이오드(102)에 입사된다.
더욱이 본 발명은 CMOS 이미지센서에 포함되는 다층의 층간 절연막(104, 108)에서 하부의 층간 절연막(104)보다 상부의 층간 절연막(108) 밀도를 낮춘다. 이로 인해 마이크로렌즈(128), 컬러필터(122a, 122b, 122c)를 통과한 적색, 녹색, 청색 광이 하부의 각 포토 다이오드(102)로 입사되기까지 이들 층간 절연막(108, 104)에서 광 굴절 각도가 줄어들면서 광 손실없이 수직 광 경로의 포토 다이오드(102)에 입사된다. 여기서 층간 절연막들(108, 104) 사이에 배치된 광차폐막(106)은 입사된 광이 다른 광 경로로 벗어나지 않도록 차폐하는 역할을 한다.
한편, 본 발명은 도면에 미도시되어 있지만, 다층 층간 절연막(104, 108) 하부에 실리콘 질화막 등으로 BLC(BorderLess Contact) 또는 광감도 조절을 위한 막을 추가 형성한다. 또한 광감도 조절막 하부에 실리콘 산화막으로 버퍼(buffer) 절연막을 추가 형성할 수도 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 본 발명의 CMOS 이미지센서는 다음과 같은 공정에 따라 제조된다.
우선 반도체 기판(미도시됨)에 CMOS 이미지센서의 화소간 전기적인 절연을 위하여 필드 절연막(100)을 형성하고, 필드 절연막(100) 사이에 적어도 하나이상의 포토 다이오드(102)를 형성한다.
그리고 필드 절연막(100) 및 포토 다이오드(102) 상부 전면에 밀도가 큰 하부의 층간 절연막(104)을 증착하고 그 위에 금속 등으로 광 차폐막(106)을 형성한다.
그 다음 광 차폐막(106)이 있는 하부 층간 절연막(104) 전면에 평탄화되며 밀도가 낮은 상부 층간 절연막(108)을 형성한다. 하부 층간 절연막(104)과 상부 층간 절연막(108)의 밀도 차이를 조정하기 위한 증착 공정, 증착 온도, 불순물 농도 등의 방법은 이미 구성 부분에서 설명하였으므로 이에 대한 설명은 생략한다.
그런 다음 상부 층간 절연막(108) 상부 전면에 그 위에 수분이나 스크래치로부터 소자를 보호하기 위하여 평탄화된 소자 보호막(120)을 형성한다.
그리고 평탄화된 소자 보호막(120) 상부에 적색, 녹색, 청색으로 염색된 포토레지스트를 도포하고 현상하여 적색, 녹색, 청색의 컬러필터(122a, 122b, 122c)를 어레이한 후에 컬러필터 어레이(122a, 122b, 122c) 측면에 평탄화된 층간 절연막(124)을 형성한다. 그 결과물 전면에 평탄화 및 초점거리 조절을 위한 평탄화막(126)을 형성한다. 그리고나서 평탄화막(126) 상부에 각 적색, 녹색, 청색의 컬러필터(122a, 122b, 122c)에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈(128)를 형성한다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 이미지센서의 다층 층간 절연막내에 다층 배선을 제조하는 과정을 나타낸 실시예이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(미도시됨)에 CMOS 이미지센서의 화소간 전기적인 절연을 위하여 필드 절연막(200)을 형성하고, 필드 절연막(200) 사이에 적어도 하나이상의 포토 다이오드(202)를 형성한다. 그리고 그 위에 유동성이 큰 제 1층간 절연막(204)으로서 BPSG를 2000Å∼15000Å정도 증착하고 CMP(Chemical Mechanical Polishing)로 그 표면을 연마하여 2000Å∼9000Å정도의 제 1층간 절연막(204)을 평탄화한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 밀도가 높은 제 2층간 절연막(206)으로서 HDP- USG를 300Å∼9000Å정도 증착한 후에, 제 2 및 제 1층간 절연막(206, 204)을 식각하여 콘택홀(208)을 형성한다.
콘택홀(208)에 Ti/TiN 등의 글루층(glue layer)/ 장벽 금속층(barrier metal)(미도시됨)을 증착하고 도 3c에 도시된 바와 같이, 텅스텐 등의 금속을 매립하고 이를 패터닝하여 제 1콘택 및 금속 배선(210, 212)을 형성한다. 그 다음 제 2층간 절연막(206)보다 밀도가 낮은 제 3층간 절연막(214)으로서 HDP-FSG를 9000Å∼40000Å을 증착한 후에 그 표면을 CMP로 평탄화한다.
그런 다음 도 3d에 도시된 바와 같이, 제 3층간 절연막(214)에 비아홀을 형성하고 그 비아홀에 하부의 제 1금속배선(212)과 연결되는 텅스텐 플러그(216) 및 제 2금속 배선(218)을 형성한다.
그 다음 도 3e에 도시된 바와 같이, 제 3층간 절연막(214)보다 밀도가 낮은 제 4층간 절연막(220)으로서 PE-USG을 3000Å∼8000Å정도 증착하고 그 표면을 CMP로 평탄화한다.
이어서 도 3f에 도시된 바와 같이, 제 4층간 절연막(220)에 비아홀을 형성하고 그 비아홀에 하부 제 2금속 배선(218)과 연결되는 텅스텐 플러그(222) 및 제 3금속 배선(224)을 형성한다.
그리고나서 도 3g에 도시된 바와 같이, 제 4층간 절연막(220)보다 밀도가 낮은 제 5층간 절연막(226)으로서 PE-FSG를 500Å∼20000Å정도 증착하고 그 표면을 CMP로 평탄화한 후에 제 5층간 절연막(226)내에 하부 제 3금속 배선(224)과 연결되는 텅스텐 플러그(228) 및 제 4금속 배선(230)을 형성한다.
이상과 같이 도 2의 CMOS 이미지센서의 다층 층간 절연막과 도 3a 내지 도 3g의 다층 금속 배선을 갖는 다층 층간 절연막에서 하부에서부터 상부의 층간 절연막 밀도를 감소시킬 경우 입사광의 굴절각을 낮출 수 있다.
도 4는 본 발명의 이미지센서의 다층 층간 절연막에서 밀도차이로 인한 굴절율 차이가 다름을 설명하기 위한 도면으로서, 동 도면에서 밀도가 n1<n2이며 φ1(입사각)>φ2(굴절각)의 크기를 갖는다. 도 4를 참조하면, 밀도가 낮은 매질(n1)에서 밀도가 큰 매질(n2)로 입사하는 광은 입사각 φ1보다 작은 굴절각 φ2를 갖는다.
따라서 본 발명의 다층 층간 절연막도 상부의 층간 절연막이 밀도가 낮으며 하부로 갈수록 밀도가 높아지므로 입사광의 굴절각이 점차 작아진다. 이로 인해, 마이크로 렌즈 및 컬러필터에서 통과된 광이 하부의 포토 다이오드까지 도달되는 동안, 밀도 차이가 점차 증가되는 다층 층간 절연막에 의해 굴절 각도가 점차 작아져 다른 광 경로로 굴절되지 않고 포토 다이오드에 수직으로 도달하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 다층 층간 절연막을 하부에서 상부로 갈수록 밀도를 감소시켜 마이크로렌즈와 컬러필터를 통해 입사된 광의 굴절 각도를 줄여서 포토 다이오드에 도달하는 수직 광의 전달율을 증대시킴으로써 포토 다이오드의 집광 효율을 크게 향상시킬 수 있으며 이로 인해 다른 광 경로로 굴절되어 손실되는 광을 최소화할 수 있어 이미지 센서의 광 특성을 개선할 수 있다.
한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
Claims (14)
- 이미지센서 구조에 있어서,반도체 기판에 형성된 적어도 하나이상의 포토 다이오드;상기 포토 다이오드 상부에 형성되며 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층 층간 절연막들;상기 다층 층간 절연막들 상부에 순차적으로 적층된 광차폐막 및 소자 보호막;상기 소자 보호막 상부에 순차적으로 적층된 컬러필터 어레이 및 평탄화막;상기 평탄화막 상부에 상기 각 컬러필터에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈를 포함한 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막 하부에 형성된 광감도 조절막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1항에 있어서, 상기 광감도 조절막 하부에 버퍼 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 산화 물질로 형성되며 증착 공정에 따라 PE-CVD < HDP-CVD < LP-CVD < 열산화 공정 순서로 산화막 밀도가 높아지며 증착 온도가 낮음에 따라 산화막 밀도가 낮음에 따라 증착 공정과 증착 온도를 조절하여 하부보다 상부의 층간 절연막의 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 산화 물질로 형성되며 하부보다 상부의 층간 절연막에 첨가되는 불순물 농도를 높여 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 증착 공정과 증착 온도 및 상기 층간 절연막에 첨가되는 불순물 농도를 조절하여 하부보다 상부의 층간 절연막 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제 1항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막, 상기 소자 보호막, 상기 평탄화막에 다층 배선이 수직으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 이미지센서의 제조 방법에 있어서,반도체 기판에 적어도 하나이상의 포토 다이오드를 제조하는 단계;상기 포토 다이오드 상부에 하부보다 상부로 갈수록 밀도가 낮아지도록 적어도 2층이상으로 적층된 다층 층간 절연막들을 형성하는 단계;상기 다층 층간 절연막들 상부에 순차적으로 적층된 광차폐막 및 소자 보호 막을 형성하는 단계;상기 소자 보호막 상부에 순차적으로 적층된 컬러필터 어레이 및 평탄화막을 형성하는 단계;상기 평탄화막 상부에 상기 각 컬러필터에 대향되는 위치에 배열된 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막 하부에 광감도 조절막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 광감도 조절막 하부에 버퍼 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 산화 물질로 형성되며 증착 공정에 따라 PE-CVD < HDP-CVD < LP-CVD < 열산화 공정 순서로 산화막 밀도가 높아지며 증착 온도가 낮음에 따라 산화막 밀도가 낮음에 따라 증착 공정과 증착 온도를 조절하여 하부보다 상부의 층간 절연막의 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 산화 물질로 형성되며 하부보다 상부의 층간 절연막에 첨가되는 불순물 농도를 높여 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막은 증착 공정과 증착 온도 및 상기 층간 절연막에 첨가되는 불순물 농도를 조절하여 하부보다 상부의 층간 절연막 밀도를 낮추는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 다층 층간 절연막, 상기 소자 보호막, 상기 평탄화막을 형성하는 단계에서 다층 배선을 함께 추가 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030067561A KR100549589B1 (ko) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| US10/945,182 US7365298B2 (en) | 2003-09-29 | 2004-09-20 | Image sensor and method for manufacturing the same |
| JP2004280823A JP2005109490A (ja) | 2003-09-29 | 2004-09-28 | イメージセンサー及びその製造方法 |
| CNB2004100959289A CN100438051C (zh) | 2003-09-29 | 2004-09-29 | 图像传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030067561A KR100549589B1 (ko) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050031303A KR20050031303A (ko) | 2005-04-06 |
| KR100549589B1 true KR100549589B1 (ko) | 2006-02-08 |
Family
ID=34374228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030067561A KR100549589B1 (ko) | 2003-09-29 | 2003-09-29 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7365298B2 (ko) |
| JP (1) | JP2005109490A (ko) |
| KR (1) | KR100549589B1 (ko) |
| CN (1) | CN100438051C (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698091B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100720468B1 (ko) | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20070096115A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-10-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 |
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| US9142586B2 (en) | 2009-02-24 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad design for backside illuminated image sensor |
| KR20110008762A (ko) | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 단위 화소 및 이를 포함하는 씨모스 이미지 센서 |
| CN103887316B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-04-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种图像传感器 |
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| TWI502212B (zh) | 2013-01-11 | 2015-10-01 | Pixart Imaging Inc | 光學裝置、使用微透鏡之感光元件及其製作方法 |
| US11393866B2 (en) * | 2019-09-30 | 2022-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an image sensor |
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-
2003
- 2003-09-29 KR KR1020030067561A patent/KR100549589B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-09-20 US US10/945,182 patent/US7365298B2/en active Active
- 2004-09-28 JP JP2004280823A patent/JP2005109490A/ja active Pending
- 2004-09-29 CN CNB2004100959289A patent/CN100438051C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100438051C (zh) | 2008-11-26 |
| JP2005109490A (ja) | 2005-04-21 |
| KR20050031303A (ko) | 2005-04-06 |
| CN1607675A (zh) | 2005-04-20 |
| US20050067554A1 (en) | 2005-03-31 |
| US7365298B2 (en) | 2008-04-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 9 |
|
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Payment date: 20141230 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161229 Year of fee payment: 12 |
|
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Payment date: 20181227 Year of fee payment: 14 |