KR100470772B1 - 이온 조사에 의해 패터닝된 자성 비트 영역을 갖는 자기 기록 매체 - Google Patents
이온 조사에 의해 패터닝된 자성 비트 영역을 갖는 자기 기록 매체 Download PDFInfo
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Abstract
패터닝된 자기 기록 디스크는 실질적으로 화학 조성이 동일한 불연속적인 자성 영역과 비자성 영역으로 패터닝된 자기 기록층을 갖는다. 비자성 영역은 화학적으로 정렬된 L12 결정 구조를 갖고, 자성 영역은 화학적으로 비정렬된 결정 구조를 갖는다. 비강자성인 화학적으로 정렬된 금속간 화합물 FePt3는 이온 조사에 의해 강자성이 부여된다. 이 FePt3 물질은 마스크를 통한 국부 영역의 이온 조사에 의해 패터닝되어 자성 비트로서 작용하는 자성 영역을 생성시킨다. 이온은 마스크중의 개구를 통과하여 마스크중의 구멍의 패턴에 상응하는 선택된 영역에서 화학적으로 정렬된 FePt3에 충돌한다. 이온은 단위 셀중의 Fe 및 Pt 원자의 정렬을 교란시키고, FePt3을 마스크 패턴에 상응하는 자성 영역으로 변환시키고, 이온과 충돌하지 않은 영역은 그들의 화학적으로 정렬된 구조를 보유한다.
Description
본 발명은 일반적으로 자기 기록 매체, 보다 구체적으로는 불연속적인(discrete) 자성 영역 또는 고립지역(island)을 갖는 패터닝된 자기 기록 디스크에 관한 것이다.
하드 디스크 드라이브중의 종래의 자기 기록 디스크는 전형적으로는 기록 매체로서 연속 과립형 자성막, 예를 들어 스퍼터링 침착된 육방정계 기밀 팩킹된(HCP) 코발트-백금(CoPt) 합금을 사용한다. 매체중의 각각의 자성 비트는 다수의 작은 자화 입자들로 구성된다.
자성 매체로서 연속 과립형 막을 제조하려는 시도는 보다 큰 면적 저장 밀도를 향한 경향과 더불어 증가될 것이다. 만족스러운 신호 대 노이즈 비를 유지하면서 자성 비트의 크기를 감소시키려면 예를 들어 입자들의 크기를 감소시킬 필요가 있다. 불행하게도, 약하게 자성적으로 결합된 자성 입자들의 크기를 현저하게 감소시키면 통상의 작동 온도에서 이들의 자화를 불안정하게 만든다. 이러한 기초적인 "초상자성" 한계의 도달을 연기시키고, 연속적인 과립형 매체의 확장과 관련된 다른 어려움을 피하기 위하여, 패터닝된 자성 매체에 대한 관심이 다시 논의되기 시작하였다.
패터닝된 매체로써, 디스크 기판을 덮고 있는 연속 과립형 자성 막은 공간적으로 분리된 불연속적인 자성 영역들 또는 고립지역들의 어레이로 대체될 수 있고, 이들 각각은 단일 자성 비트로서 역할을 한다. 패터닝된 매체를 제조하기 위한 주된 시도는 기판상에 자성층으로부터 자성 물질을 선택적으로 침착시키거나 제거하여 자성 영역을 서로 분리시키고 비자성 물질의 영역으로 둘러싸는데 있다. 기판으로부터 자성 물질을 선택적으로 침착시키거나 제거하기 위한 다양한 기술이 존재한다. 이들 기술중 하나는, 기판을 리소그래픽법으로 패터닝된 레지스트 물질로 덮고, 자성 막을 침착시켜 노출된 기판의 영역들 및 레지스트의 영역들 모두를 덮는 것이다. 레지스트는 고립된 자성 영역의 배열을 잔존시키면서 그를 덮고 있는 자성막을 들어내도록(lift-off) 용해된다. 다른 기술은 우선 자성막을 기판상에 침착시킨 후, 자성막 자체에 레지스트 물질을 패터닝시키는 것이다. 이어서, 레지스트에 의해 보호되지 않은 영역으로부터의 자성 물질을 공지된 공정에 의해 선택적으로 제거할 수 있다. 이러한 유형의 리소그래피 방법으로 사용하여 제조된 패터닝된 자성 매체의 예는 미국 특허 제5,587,223호, 제5,768,075호 및 제5,820,769호에 기재되어 있다.
제조 측면에서 볼 때, 물질의 침착 또는 제거를 요구하는 매체의 패터닝 공정의 바람직하지 않은 양상은 그것이 자성 매체에 대해 잠재적으로 교란적인 공정을 요구한다는 것이다. 큰 영역에 걸쳐 레지스트를 효과적으로 제거하고 미세한 금속 부분을 신뢰성있게 들어내는데 요구되는 공정은 뒤에 남겨진 물질에 손상을 입힐 수 있으므로, 제조 수율을 저하시킨다. 또한, 이들 공정은 표면을 디스크 드라이브의 에어 베이링 슬라이더 상에 지지되어 있는 자기 판독/기록 헤드가 매우 낮은 부상 높이, 통상적으로는 30 나노미터(nm) 미만에서 디스크 표면 위를 부상할 수 있도록 충분히 깨끗한 표면을 유지해야 한다.
자성 물질의 선택적 침착 또는 제거는 피하면서 특별한 형태의 수직 자기 기록 매체를 사용하는 이온-조사 패터닝 기술은 문헌(Chappert et al., "Planar patterned magnetic media obtained by ion irradiation", Science, Vol. 280, 19 June 1998, pp. 1919-1922)에 기술되어 있다. 이 기술에서, 수직 자기 결정성 이방성을 나타내는 Pt-Co-Pt 다층 샌드위치 구조는 리소그래피로 패터닝된 마스크를 통해 이온들이 조사된다. 이온들은 Co와 Pt 원자를 층 계면에서 혼합시키고, 막의 수직 자기 결정성 이방성을 실질적으로 감소시켜 조사되지 않은 디스크의 영역들은 그들의 수직 자기 특성을 유지하고 자성 비트들로서 작용하도록 한다.
박막들로 형성된 FePt 및 CoPt의 화학적으로 정렬된 합금들이 또한 수평 자기 기록 매체로서 제안되어 왔다. 벌크 형태의 FePt 및 CoPt의 화학적으로 정렬된 합금은 정방정계 L10 정렬 상(ordered phase) 물질(CuAu 물질로도 불림)로서 공지되어 있다. 이들은 이들의 높은 자기 결정성 이방성 및 자기 모멘트를 갖는 것으로 널리 알려져 있고, 그 특성 또한 고밀도 자기 기록 매체에 바람직하다. L10 상(phase)의 c-축과 HCP CoPt 합금의 c-축은 모두 용이한 자화축이라는 점에서 서로 유사하다. 정방정계 결정 구조를 갖는 화학적으로 정렬된 Co(또는 Fe) 및 Pt(또는 Pd) 합금의 연속 자성 막을 사용하는 이온-조사 패터닝된 디스크는 1999년 7월 9일자로 출원되어 계류중인 IBM의 특허출원 제09/350,803호에 기재되어 있다. 그 이온들은 막을 비정렬 상태로 만들어, 막중에 보자력(coercivity)이 낮거나 자성적으로 "연성(soft)"이며 자기 결정성 이방성을 갖지 않은 영역들을 생성시켜 디스크중의 조사되지 않은 영역들이 그들의 수평 자기 특성을 유지하고 자성 비트들로서 작용하게 한다.
상기 두 문헌(Chappert et al., 및 IBM)의 이온 조사된 패터닝 디스크의 단점들 중 하나는 불연속적인 자성 영역들을 서로 분리시키는 영역들이 완전하게 비자성이지 않고, 여전히 약간의 자기 특성을 지닌다는 점이다. 따라서, 디스크 드라이브중의 자기 저항 판독 헤드가 이 영역들로부터 노이즈 및(또는) 몇몇 형태의 신호를 검출할 것이다. 또한, 이들 이온 조사 기술에 있어서, 이온 조사전의 디스크는 강자성이어서 디스크의 이온 조사되지 않는 영역들은 자성 비트들로서 작용하는 영역들이 된다. 이는 마스크의 구멍들이 디스크상에 상응하는 비자성 영역들을 생성시키는데 사용되기 때문에 제작하기 곤란한 마스크의 사용을 요구한다.
삭제
요구되는 것은 자성 영역만이 신호의 해독에 기여할 수 있도록 완전하게 비자성인 영역들에 의해 분리된 불연속적인 자성 영역들을 갖고, 구멍들의 마스크 패턴이 자성 비트들로서 작용하는 디스크의 불연속적인 자성 영역에 매칭되는 패터닝 기술에 의해 제조된 패터닝된 자기 기록 디스크이다.
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본 발명은 자기 기록층이 실질적으로 화학 조성이 동일하지만, 비자성 영역들은 화학적으로 정렬된 L12 결정 구조를 갖고 자성 영역들은 화학적으로 비정렬된 결정 구조를 갖는 불연속적인 자성 영역들과 비자성 영역들로 패터닝된 자기 기록 디스크에 관한 것이다. 본 발명은 비강자성인 화학적으로 정렬된 금속간 화합물 FePt3에 이온 조사에 의해 강자성이 부여될 수 있다는 발견에 기초로 한다. 비강자성으로부터 강자성으로의 뚜렷한 변환을 이용하여, 자성 비트들로서 작용하는 자성 영역들을 생성하기 위해 이 FePt3 물질은 마스크를 통해 국부 영역들에 조사하여 패터닝될 수 있다. 이온들은 마스크의 개구들을 통과하고 마스크중의 구멍들의 패턴에 상응하는 선택된 영역들에서 화학적으로 정렬된 FePt3와 충돌한다. 그 이온들은 단위 셀의 Fe 및 Pt 원자의 정렬을 교란시키고, FePt3를 마스크 패턴에 상응하는 자성 영역으로 변환시키고, 막중 이온과 충돌하지 않은 영역은 그들의 화학적으로 정렬된 구조를 유지한다. 패터닝된 매체에 있어서 자성 영역들의 보자력은 FePt3 막의 스퍼터링 침착 동안 Fe의 양을 증가시키거나 제3의 원소, 예를 들어 코발트(Co) 및(또는) 니켈(Ni)을 소량 가하여 3:1의 Pt 대 Fe의 비율을 약간 변화시킬 수 있다. 본 발명의 본질 및 이점에 대한 완전한 이해를 위하여, 하기의 발명의 상세한 설명과 함께 첨부된 도면을 참조할 수 있다.FePt3와 같은 금속간 화합물 XPt3는 도 1a-1b에 도시한 바와 같이 화학적으로 정렬된 상의 L12 구조(AuCu3 구조로도 공지되어 있음) 및 화학적으로 비정렬된 상의 랜덤하게 치환된 면심 입방정계(fcc;face-centered-cubic) 구조를 형성한다. 화학적으로 정렬된 상(도 1a)에서, 단위 셀의 코너들은 금속 X 원자들로 채워지고, 면심들은 보다 큰 Pt 원자들로 채워진다. 도 1a에 도시한 바와 같이, 여기에는 단일 단위 셀에서 코너에는 8개의 Fe 원자들이 존재하고 면들에는 6개의 Pt 원자들이 존재한다. 그러나, 입상물에 있어서는, 각각의 Fe 코너 원자는 8 개의 이웃 셀 코너들과 공유하고, 각각의 Pt 면심 원자들은 단지 2개의 이웃 셀 표면과 공유하여 1:3의 Fe 대 Pt 비율을 유지한다. 화학적으로 비정렬된 상(도 1b)에 있어서, 코너 및 면심 위치들은 일반적으로 Pt 대 X 원자의 비율이 3:1로 Pt 또는 X 원자로 랜덤하게 채워진다.
FePt3의 자기 특성은 화합물이 화학적으로 정렬 또는 비정렬되었는지 여부에 따라 급격하게 변한다. FePt3의 화학적으로 정렬된 L12상은 실온에서 상자성(잔류 자기 모멘트가 없음)이고, 이러한 상(phase)은 저온에서 반강자성(AF)이라는 것은 공지되어 있다. 본 발명은 화학적으로 정렬된 상의 이온 조사에 의해 생성된 FePt3의 화학적으로 비정렬된 상이 Fe에 대해 2 보어 마그네트론(Bohr magnetron, μB)의 원자당 자기 모멘트를 갖는 강자성이라는 발견을 기초로 한다.
정렬된 FePt3 합금 막들은 MgO(110) 및 (100) 기판들 상에 에픽텍셜하게 성장되고, SiN 코팅된 Si 웨이퍼상에 텍스춰링된다. FePt3 막은 1:3 비율로 Fe 및 Pt의 코-스퍼터링(co-sputtering)에 의해 성장된다. 그 기판들은 기판 자체는 다소 차갑지만 침착 동안에는 750 ℃로 가열된 기판 플레이트상에 탑재된다. 화학적으로 정렬된 구조가 존재한다는 증거는 X-선 회절(XRD)에 의해 발견되며, 자성 측정으로부터 추정된다. 그 정렬된 L12 상은 정방정계 점 대칭을 가지므로 평면외(out-of-plane) XRD 스펙트럼은 (110) 및 (330) 피크들이 존재한다는 사실을 나타낸다. 정렬된 FePt3 막들은 SQUID 자성측정법 또는 커(Kerr) 효과 측정법에 의해 측정한 바와 같이 어떠한 실온 강자성도 나타내지 않았다. FePt3 막이 L12 상이라는 사실을 확인하기 위하여, FePt3/Co 이중층이 성장하여 FePt3가 예상된 AF 특성을 갖는지 여부를 결정한다. 170 °K 미만으로 냉각되는 경우, 이중층 구조는 FePt3/Co와 같은 AF/강자성 구조에 대해 예상할 수 있는 바와 같이 교환 바이어스(exchange-biased)된다.
본 발명에서는, FePt3의 화학적으로 정렬된 L12 막이 이온 조사에 의해 강자성이 부여될 수 있음이 밝혀졌다. 도 2는 2×1016 이온/cm2의 조사량으로 700 keV에서 그 정렬된 FePt3 시료의 N+ 이온 조사전 및 조사후의 XRD 스캐닝을 도시한 것이다. 그 정렬된 FePt3(110) 피크는 크기의 2개의 등급(two-orders of magnitude) 만큼 감소되고, (330) 피크는 눈에 띄지 않을 정도(background)로 감소된다. 정렬된 상은 최초 부피의 1 % 미만으로 감소된다. Fe 및 Pt의 화학적 정렬이 교란됨에도 불구하고, 결정학적인 정렬은 유지된다. 자기 이력 루프 곡선 측정은 실온 및 40 °K에서 조사된 FePt3 시료상에서 수행되었다. 그 결과 이온 조사에 의해 야기된 비정렬(disordering)이 막들에 강자성을 부여했음을 나타내는 평면내(in-plane) 자기 잔류가 관찰되었다.
비자성에서 강자성으로 뚜렷한 변환함에 있어서, FePt3 물질은 자성 비트로서 작용하는 자성 영역을 생성하기 위해 국부적인 영역들을 조사하여 패터닝하는데 매우 적절하다. 바람직한 패터닝 방법에 있어서, 스텐실 마스크는 700 keV에서 질소 이온(N+)으로 조사되고, 이온들은 마스크를 통해 선택적으로 투과된다. 그 이온들은 마스크중의 개구를 통과하여 마스크중의 구멍의 패턴에 상응하는 선택된 영역에서 정렬 FePt3와 충돌한다. 그 이온들은 단위 셀의 Fe과 Pt 원자들의 정렬을 교란시키고, FePt3를 마스크 패턴에 상응하는 자성 영역들로 변환시키고, 이온들에 의해 충돌되지 않은 막의 영역들은 그들의 정렬된 구조를 유지한다.
도 3은 막(30)의 자성 영역(44) 및 비자성 영역(42) 및 (46)이 예시되어 있는 공정을 개략적으로 도시한 것이다. FePt3 막(30)은 규소 기판(52)위의 SiN 시드층(50)상에 형성된다. 막(30)은 L12 상에서 화학적 정렬되어 있고, 따라서 규소 스텐실 마스크(60)의 구멍과 정렬되지 않은 영역(42) 및 (46)중에서 비강자성이다. 마스크(60)중의 구멍(56)과 정렬된 막(30)의 영역(44)에서는, 비정렬이 발생하고, 영역(44)은 강자성이 된다. 조사된 이온들은 L12 화학적 정렬을 교란시켜, 결정 구조는 fcc가 되고 Fe 및 Pt 원자들은 fcc 단위 셀의 코너들 및 면심들에서 랜덤하게 분포된다(도 1a 및 1b 참조). 패터닝된 후의 막(30)은 자성 영역과 비자성 영역에서 모두 동일한 화학 조성(FePt3)을 가지며, 두 가지 형태의 영역들에서의 유일한 구조적인 차이는 결정학적인 단위 셀들이다.
스텐실 마스크(60)는 규소와 같은 웨이퍼를 포함하고, 그를 통해 구멍들이 에칭되어 있는 비접촉 마스크이다. 화살표(62)로 나타낸 이온들은 웨이퍼의 구멍들을 통해 투과된다. 규소 스텐실 마스크는 10 ㎛ 두께의 상부 규소층, 0.5 ㎛의 SOI 옥사이드 및 500 ㎛ 두께의 규소 캐리어 기판을 갖는 상용 SOI(silicon-on-insulator) 웨이퍼로부터 제조된다. 스텐실 구멍은 우선 광학 리소그래피에 의해 패터닝된 후, 실뢰성있는 에칭 스톱으로서 작용하는 SOI 옥사이드를 사용하여 SF6-기재 고 종횡비 반응성 이온 에칭법(RIE)에 의해 10 ㎛ 두께의 Si층으로 전달된다. 이어서, 유사한 RIE 공정을 사용하여 캐리어 기판을 통해 후면으로부터 윈도우들이 에칭되고, 잔여 SOI 옥사이드가 습식 HF 에칭법으로 제거된다. 그 결과로 나타나는 규소막은 약 10 ㎛ 두께이며, 1×1 mm 면적을 덮는다. 그 막의 구멍은 다소 불규칙한 형상이지만, 통상 직경이 1 ㎛이고, 그의 영역 전체에 걸쳐 1 내지 10 ㎛의 규칙적인 간격으로 반복된다. 패터닝된 매체를 제조함에 있어서, 이와 같은 두 가지 스텐실 마스크들은 100 nm 범위의 유효 직경을 갖는 구멍을 생성하기 위해 그들의 구멍들은 중첩적으로 정렬될 수 있다. 그러나, 이러한 방식으로 100 nm 이하 범위의 매우 작은 구멍을 갖는 단일 스텐실 마스크를 성형하여 목적하는 면적 밀도를 갖는 패터닝된 매체를 생성시키는 것도 가능하다. 이온 빔 패터닝을 위한 스텐실 마스크들의 용도에 대한 상세한 설명은 문헌(B.D. Terris et al., "Ion-beam patterning of magnetic films using stensil masks", Appl. Phys. Lett., Vol. 75, No. 3, 19 July 1999)에 기술되어 있고, 이는 본 명세서에 참고로 인용된다. 양호한 실시예에 있어서, 그 마스크는 동심 환상 트랙을 갖는 자기 기록 매체를 형성하기 위해 패턴으로 형성된 구멍들을 갖고, 각각의 트랙은 이를 따라 이격된 불연속적인 자성 영역을 가져서 개별적으로 기록가능한 자성 비트로서 작용한다.
700 keV에서 적어도 N+ 이온의 5×1015 이온/cm2의 조사량이 FePt3를 화학적으로 정렬된 강자성상으로 전환시키는데 충분하다는 사실이 실험적으로 측정되었다. 질소 이온을 사용하면서, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe의 이온을 포함하는 다른 이온종을 사용할 수도 있다. 목적하는 화학적으로 정렬된 FePt3의 소망하는 교란을 달성하는데 요구되는 이온 조사 전압 및 조사량은 실험적으로 측정될 수 있다. 도 4는 약 10×10mm의 소영역에 이온 조사된 FePt3 막에 대한 결과를 도시하고 있다. Kerr 회전이 막에 대한 자기 응답으로부터 발생한다는 것은 알려져 있다. 상술한 바와 같이, 성장된 FePt3 막은 비자성을 띄고 있으며, 따라서 필드 사이클링에 따라 어떠한 또는 제한적인 Kerr 효과 또는 히스테리시스를 나타내지는 않는다. 그러나, FePt3 막의 10×10mm 영역에 이온 조사한 후에, 그 이온 조사된 영역에 걸쳐 Kerr 자력계를 사용하여 스캐닝을 실행한 결과 Kerr 회전이 측정되었다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, FePt3 막의 이온 조사된 영역(0~10mm)에서는 Kerr 회전 각도가 증가하지만, 비조사 영역에서는 0으로 감소되었다.
이온 조사를 사용하는 매체의 바람직한 패터닝 방법은 상술한 규소 스텐실 마스크와 같은 비접촉 마스크를 사용하는 것이다. 그러나, 포토레지스트를 AF 결합층상에 형성시킨 후, 패터닝시켜 비자성 영역들로부터 분리되거나 고립된 자성 비트 영역들이 되도록 의도된 FePt3층의 부분들과 정렬된 개구들을 노출시키는 통상의 리소그래피법을 사용하는 것 또한 가능하다.
패터닝된 매체중의 자성 영역들의 보자력을 증가시키는 것이 바람직한 경우, FePt3 막의 스퍼터링 침착 동안 Fe의 양을 증가시키거나 제3의 원소, 예를 들어 코발트(Co) 및(또는) 니켈(Ni)을 소량 가하여 3:1의 Pt 대 Fe의 비율을 약간 변화시킬 수 있다. 예를 들어, Fe(30 내지 15 원자%)-Pt(55 내지 85 원자%) 막이 L12 결정 구조를 갖는다는 사실이 상 다이어그램으로부터 공지되어 있다. 따라서, 이렇게 약간 개질된 FePt3 막은 여전히 실질적으로 L12 화학적 정렬을 가지며, 이온 조사전에 비자성일 수 있다. 또한, L12 화학적으로 정렬된 상이 유지되고, 이온 조사시에 화학적으로 비정렬된 상의 소망하는 강자성 특성이 얻어지는 경우, Pt의 작은 부분들을 팔라듐(Pd)으로 치환하는 것도 가능하다.
본 발명은 양호한 실시예를 참조하여 기술하였으나, 당업자들은 본 발명의 정신, 범위 및 교시를 벗어나지 않고 형태 및 세부사항을 다양하게 변화시킬 수 있음이 이해될 것이다. 따라서, 개시된 발명은 단지 예시적이며 첨부된 특허청구범위로 특정되는 바와 같은 범위로 제한되는 것으로 해석된다.
본 발명에 따라 제조된 패터닝된 자기 기록 디스크는 실질적으로 화학 조성이 동일한 불연속적인 자성 영역과 비자성 영역으로 패터닝된 자기 기록층을 가지며, 비자성 영역은 화학적으로 정렬된 L12 결정 구조를 갖고, 자성 영역은 화학적으로 비정렬된 결정 구조를 갖는다.
도 1a는 FePt3의 화학적으로 정렬된 L12(또는 AuCu3) 구조를 갖는 단위 셀을 개략적으로 나타낸다.
도 1b는 FePt3의 비정렬 면심 입방정계(face centered cubic, fcc) 구조를 갖는 단위 셀을 개략적으로 나타낸다.
도 2는 정렬 FePt3 시료의 N+ 이온 조사전 및 조사후의 X-선 회절(XRD) 스캐닝이다.
도 3은 자성 영역이 비접촉 스텐실 마스크를 통한 이온 조사에 의해 형성된, 화학적으로 정렬된 비자성 FePt3 영역에 의해 분리된 불연속의 화학적으로 정렬된 자성 FePt3 영역을 개략적으로 나타낸다.
도 4는 N+ 이온으로 패터닝된 화학적으로 정렬된 FePt3 시료를 가로지른 자기-광학 Kerr 루퍼 시스템을 사용한 스캐닝이다.
Claims (19)
- 자기 기록 매체에 있어서,기판; 및상기 기판 상에 형성되고 실질적으로 동일한 화학 조성을 갖는 불연속적인 자성 영역들과 비자성 영역들로 패터닝된 막을 포함하고,상기 비자성 영역들은 상기 조성의 화학적으로 정렬된 결정 구조를 갖고, 상기 자성 영역들은 상기 조성의 화학적으로 비정렬된 결정 구조를 갖는, 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서,상기 막의 비자성 영역들은 실질적으로 L12 결정 구조를 갖는, 자기 기록 매체.
- 제2항에 있어서,상기 막은 실질적으로 금속간 화합물 FePt3로 형성되는, 자기 기록 매체.
- 제3항에 있어서,상기 Fe는 상기 막에 약 15 내지 45 원자%의 양으로 존재하는, 자기 기록 매체.
- 제3항에 있어서,상기 막은 Co 및 Ni 중 하나 이상을 추가로 포함하는, 자기 기록 매체.
- 수평 자기 기록을 위한 패터닝된 자기 기록 디스크에 있어서,디스크 기판; 및상기 기판 상에 형성되고 불연속적인 자성 영역들과 비자성 영역들로 패터닝된 금속간 화합물 FePt3로 본질적으로 구성된 막을 포함하고,상기 비자성 영역들은 실질적으로 화학적으로 정렬된 L12 결정 구조를 갖고, 상기 자성 영역들은 화학적으로 비정렬된 면심 입방정계 결정 구조를 갖는, 자기 기록 디스크.
- 제6항에 있어서,상기 Fe는 상기 막에 약 15 내지 45 원자%의 양으로 존재하는, 자기 기록 디스크.
- 제6항에 있어서,상기 막은 Co 및 Ni 중 하나 이상을 추가로 포함하는, 자기 기록 디스크.
- 패터닝된 자기 기록 매체 제조 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계와;상기 기판 상에 화학적으로 정렬된 결정 구조를 갖는 비자성 막을 침착하는 단계; 및상기 비자성 막을 패터닝된 마스크를 통해 유도된 이온들로 조사하는 단계로서, 상기 이온들은 상기 막의 화학적 정렬을 교란시키고, 상기 이온들에 의해 충돌되지 않은 상기 막의 화학적으로 정렬된 비자성 영역들에 의해 서로 분리된 자성 영역들을 생성시키는, 상기 조사 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 비자성 막 침착 단계는, 본질적으로 금속간 화합물 FePt3로 구성된 막을 형성하기 위해 Fe 및 Pt를 침착시키는 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 Fe는 상기 막에 약 15 내지 45 원자%의 양으로 존재하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 비자성 막 침착 단계는, Co 및 Ni 중 하나 이상을 침착하는 단계를 추가로 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 패터닝된 마스크를 통해 이온들을 조사하는 단계는, 패터닝된 비접촉 마스크를 통해 이온들을 조사하는 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 패터닝된 마스크를 통해 이온들을 조사하는 단계는, 상기 비자성 막 위에 포토레지스트 물질층을 침착하는 단계와, 상기 포토레지스트층에 개구들을 한정하기 위해 상기 포토레지스트층을 패터닝하는 단계와, 상기 포토레지스트층의 상기 개구들을 통과한 이온들을 사용하여 상기 비자성 막을 조사하는 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 이온 조사 단계는, N, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe의 이온들로 구성되는 군으로부터 선택된 이온들을 사용하여 조사하는 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 비자성 영역들에 의해 서로 분리된 자성 영역들을 갖는 패터닝된 자기 기록 디스크 제조 방법에 있어서,디스크 기판을 제공하는 단계와;상기 기판 상에 실질적으로 L12 결정 구조를 갖는 실질적으로 화학적으로 정렬된 FePt3의 비자성 막을 스퍼터링 침착하는 단계와;상기 비자성 막 위에 개구들을 갖는 패터닝된 마스크를 위치시키는 단계; 및상기 마스크의 개구들을 통과한 이온들을 사용하여 상기 비자성 막을 조사하는 단계를 포함하고,상기 이온들은 상기 비자성 막의 화학적 정렬을 교란시키며 실질적으로 면심 입방정계 결정 구조를 갖는 FePt3의 자성 영역들을 생성시키고, 상기 자성 영역들은 상기 이온에 의해 충돌되지 않은 상기 막의 화학적으로 정렬된 비자성 영역들에 의해 서로 분리되는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 Fe는 상기 막에 약 15 내지 45 원자%의 양으로 존재하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 비자성 막 스퍼터링 침착 단계는, Co 및 Ni 중 하나 이상을 침착시키는 단계를 추가로 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 이온 조사 단계는, N, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe의 이온들로 구성되는 군으로부터 선택된 이온들을 조사하는 단계를 포함하는, 자기 기록 매체 제조 방법.
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