JP2001023144A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い保磁力、高い矩形比、低い残留磁化と厚
さの積（Ｍrｔ）を有し、熱的に安定した、非常に高い
記録密度を支持できるように書き込める薄い磁性層を有
する磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明の磁気記録媒体は、強磁性ホスト
層と、前記ホスト層上に直接付着された、１〜４０オン
グストロームの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレ
イとを含む磁気記録層を有する。強磁性オーバレイ材料
はＣｏ、ＦｅまたはＮｉあるいはそれらの組合せを含
み、強磁性ホスト層の材料よりもかなり大きな磁気モー
メントを有する。強磁性オーバレイは、橋絡により小さ
い強磁性ホスト粒子を磁気的結合させることにより、そ
の熱安定性を改善する。媒体の熱安定性が高まると、よ
り薄い強磁性ホスト層の使用が可能となり、より小さな
残留磁化と厚さの積（Ｍrｔ）値およびより高い記録密
度が得られる。
さの積（Ｍrｔ）を有し、熱的に安定した、非常に高い
記録密度を支持できるように書き込める薄い磁性層を有
する磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 本発明の磁気記録媒体は、強磁性ホスト
層と、前記ホスト層上に直接付着された、１〜４０オン
グストロームの範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレ
イとを含む磁気記録層を有する。強磁性オーバレイ材料
はＣｏ、ＦｅまたはＮｉあるいはそれらの組合せを含
み、強磁性ホスト層の材料よりもかなり大きな磁気モー
メントを有する。強磁性オーバレイは、橋絡により小さ
い強磁性ホスト粒子を磁気的結合させることにより、そ
の熱安定性を改善する。媒体の熱安定性が高まると、よ
り薄い強磁性ホスト層の使用が可能となり、より小さな
残留磁化と厚さの積（Ｍrｔ）値およびより高い記録密
度が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に磁気記録媒体
に使用される磁気多層構造に関し、詳細には磁気記録デ
ィスクに関する。
に使用される磁気多層構造に関し、詳細には磁気記録デ
ィスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気記録ディスクは、磁気記録
層、通常は結晶性磁性材料の粒子を有する連続薄膜とし
てスパッタ付着されたコバルト（Ｃｏ）合金などの強磁
性合金の層を有する。磁気記録ディスクにおいて高密度
記録を達成するために、粒径を小さくし、保磁力
（Ｈc）を高め、磁気記録層の残留磁化と厚さの積（Ｍr
ｔ）を減らすのが必要なことはよく知られている。した
がって、磁気媒体の磁気記録密度を上げる試みのほとん
どは、磁気層中の磁性体の組成や微細構造を変え、ある
いは低いＭrｔを達成するために磁気層の厚さを減らし
てこれら３つのパラメータに焦点を合わせている。残念
ながら、小さい粒子の極めて薄い磁気記録層は熱的に不
安定となり、小さな粒子の磁気モーメントはその磁化方
向を自発的に切り換えることができ、記録したデータの
損失をもたらす。これは問題となり、ディスク・ドライ
ブの動作温度が高いときは特にそうである。十分小さい
粒径の熱的に不安定な粒子を一般に超常磁性粒子（supe
rparamagnetic grains）と呼ぶ。
層、通常は結晶性磁性材料の粒子を有する連続薄膜とし
てスパッタ付着されたコバルト（Ｃｏ）合金などの強磁
性合金の層を有する。磁気記録ディスクにおいて高密度
記録を達成するために、粒径を小さくし、保磁力
（Ｈc）を高め、磁気記録層の残留磁化と厚さの積（Ｍr
ｔ）を減らすのが必要なことはよく知られている。した
がって、磁気媒体の磁気記録密度を上げる試みのほとん
どは、磁気層中の磁性体の組成や微細構造を変え、ある
いは低いＭrｔを達成するために磁気層の厚さを減らし
てこれら３つのパラメータに焦点を合わせている。残念
ながら、小さい粒子の極めて薄い磁気記録層は熱的に不
安定となり、小さな粒子の磁気モーメントはその磁化方
向を自発的に切り換えることができ、記録したデータの
損失をもたらす。これは問題となり、ディスク・ドライ
ブの動作温度が高いときは特にそうである。十分小さい
粒径の熱的に不安定な粒子を一般に超常磁性粒子（supe
rparamagnetic grains）と呼ぶ。
【０００３】これらの超常磁性粒子は、磁気記録密度を
更に高めるのに深刻な障害となる。従来の媒体のこの制
限は、粒子体積を例えば半分に減らすだけで熱安定性が
数年程度から１分以内に変わることがあることから明ら
かである。
更に高めるのに深刻な障害となる。従来の媒体のこの制
限は、粒子体積を例えば半分に減らすだけで熱安定性が
数年程度から１分以内に変わることがあることから明ら
かである。
【０００４】従来の媒体は、超常磁性限界において壊滅
的で迅速な熱消磁が始まる前でも、増幅率の損失、雑音
の増加、データ・エラー率の増加、解像度の損失など、
手短にいえば、熱駆動消磁プロセスによる磁気記録性能
の全般的損失を示すことがある。この遅いが確実な磁化
減衰は、磁気「粘性」（磁化減衰速度）測定を含むいく
つかの実験的測定方法で特徴付けることができる。従来
の磁気記録媒体は達成できる磁気記録密度に対して重大
な制限を課す顕著な磁化減衰速度を示すことがある。
的で迅速な熱消磁が始まる前でも、増幅率の損失、雑音
の増加、データ・エラー率の増加、解像度の損失など、
手短にいえば、熱駆動消磁プロセスによる磁気記録性能
の全般的損失を示すことがある。この遅いが確実な磁化
減衰は、磁気「粘性」（磁化減衰速度）測定を含むいく
つかの実験的測定方法で特徴付けることができる。従来
の磁気記録媒体は達成できる磁気記録密度に対して重大
な制限を課す顕著な磁化減衰速度を示すことがある。
【０００５】熱で活性化する磁化プロセスを安定させる
ための従来の機構は、媒体の磁気結晶異方性と保磁力を
高めることによるものである。しかしこの手法は、磁気
書き込みヘッドが、書き込みヘッドの磁極片の材料の磁
気モーメント密度によって制限される最大磁場の大きさ
しか発生できないという制限を受ける。高性能媒体の書
き込み可能性は磁気記録密度を上げるのにクリティカル
である。
ための従来の機構は、媒体の磁気結晶異方性と保磁力を
高めることによるものである。しかしこの手法は、磁気
書き込みヘッドが、書き込みヘッドの磁極片の材料の磁
気モーメント密度によって制限される最大磁場の大きさ
しか発生できないという制限を受ける。高性能媒体の書
き込み可能性は磁気記録密度を上げるのにクリティカル
である。
【０００６】Ｊ．チェン（Chen）他はIEEE Trans. Ma
g., Vol. 34, no. 4, pp. 1624-1626,1998において、媒
体中の磁気記録層を熱的に安定させるために「保持層
（keeper layer）」を使うことを記載している。クロム
（Ｃｒ）の分離層（break layer）が保持層と磁性層の
間に積層される。例えば、比較的厚い（５０〜１５０ナ
ノメートル）保持層の付着前に、厚さ約２５オングスト
ロームのＣｒ分離層が磁性層上に付着される。Ｃｒ分離
層は保持層の成長を制御し、磁性層内の粒子間の交換結
合を防ぐために使用される。このように厚い軟磁性保持
層を磁気記録層上に直接付着すると、磁性層内に強い磁
気粒子間結合が生じ、この磁性層が高密度記録に使えな
くなる。この保持層／分離層構造の機能は、隣接する磁
気遷移からの消磁磁場を減らすことである。保持層が記
録雑音の大きな発生源であることが知られている。さら
に、報告されている保持層の構造は厚さ５０〜１５０ｎ
ｍである。記録性能を最適にするために媒体を構成する
各層とオーバレイおよび保護オーバコートの合計厚さを
非常に薄くすることが好ましい。
g., Vol. 34, no. 4, pp. 1624-1626,1998において、媒
体中の磁気記録層を熱的に安定させるために「保持層
（keeper layer）」を使うことを記載している。クロム
（Ｃｒ）の分離層（break layer）が保持層と磁性層の
間に積層される。例えば、比較的厚い（５０〜１５０ナ
ノメートル）保持層の付着前に、厚さ約２５オングスト
ロームのＣｒ分離層が磁性層上に付着される。Ｃｒ分離
層は保持層の成長を制御し、磁性層内の粒子間の交換結
合を防ぐために使用される。このように厚い軟磁性保持
層を磁気記録層上に直接付着すると、磁性層内に強い磁
気粒子間結合が生じ、この磁性層が高密度記録に使えな
くなる。この保持層／分離層構造の機能は、隣接する磁
気遷移からの消磁磁場を減らすことである。保持層が記
録雑音の大きな発生源であることが知られている。さら
に、報告されている保持層の構造は厚さ５０〜１５０ｎ
ｍである。記録性能を最適にするために媒体を構成する
各層とオーバレイおよび保護オーバコートの合計厚さを
非常に薄くすることが好ましい。
【０００７】高い保磁力、高い矩形比（Ｓ*）、低い残
留磁化と厚さの積（Ｍrｔ）を有し、熱的に安定してお
り、非常に高い記録密度を支持できるように書き込める
薄い磁性層を有する磁気記録媒体が求められている。こ
のような媒体は従来のフィルム付着法を使って製作でき
ることが好ましい。
留磁化と厚さの積（Ｍrｔ）を有し、熱的に安定してお
り、非常に高い記録密度を支持できるように書き込める
薄い磁性層を有する磁気記録媒体が求められている。こ
のような媒体は従来のフィルム付着法を使って製作でき
ることが好ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主目的は、より高い熱安定性を示す磁気記録媒体を提供
することである。本発明の磁気媒体は改善された熱安定
性を示すため、より小さい粒子を含むより薄い磁気記録
層を使うことができ、より高い磁気データ記録密度を達
成できる。
主目的は、より高い熱安定性を示す磁気記録媒体を提供
することである。本発明の磁気媒体は改善された熱安定
性を示すため、より小さい粒子を含むより薄い磁気記録
層を使うことができ、より高い磁気データ記録密度を達
成できる。
【０００９】本発明の第２の目的は、これらの磁性層上
に付着された強磁性オーバレイまたはキャップ層を設け
ることにより極めて薄い磁性層の記録特性を改善するこ
とである。強磁性オーバレイは、磁性層中の小さい熱的
に不安定な粒子の有効体積を増大させ、それによって熱
安定性を増大させる。
に付着された強磁性オーバレイまたはキャップ層を設け
ることにより極めて薄い磁性層の記録特性を改善するこ
とである。強磁性オーバレイは、磁性層中の小さい熱的
に不安定な粒子の有効体積を増大させ、それによって熱
安定性を増大させる。
【００１０】本発明の第３の目的は、改善された書き込
み可能性（writeability）を有する磁気記録媒体を提供
することである。
み可能性（writeability）を有する磁気記録媒体を提供
することである。
【００１１】本発明の他の目的は、シャープな磁気遷
移、高いＳ*と低いＭrｔを有する磁気媒体を提供するこ
とである。
移、高いＳ*と低いＭrｔを有する磁気媒体を提供するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の目的および利点
は、強磁性「ホスト」層とホスト層に付着された強磁性
材料の薄いオーバレイまたはキャップ層とを含む磁気記
録層を有する磁気媒体を提供することにより得られる。
強磁性ホスト層は弱く結合されたまたは結合されていな
い粒子を有する粒子層であり、粒子が磁気書き込みヘッ
ドによって生じる局所磁場の存在下で磁化方向を独立に
変更することができる。強磁性オーバレイは、ホスト層
中の強磁性材料の熱安定性と書き込み可能性を高め、ホ
スト層よりもかなり薄く、ホスト層と交換結合されてい
る。強磁性「オーバレイ」とは、強磁性材料の連続層、
強磁性材料のアイランドまたは粒子の分散体という形の
不連続層、あるいは第２の非強磁性材料で分離された第
１の強磁性材料のアイランドまたは粒子を含む多相層の
いずれかである強磁性材料を意味する。強磁性オーバレ
イは材料の不連続なフィルムまたは分散体であるため、
連続被覆を示すフィルム用の付着装置から同じ粒子束で
達成される厚さである「有効厚さ」を用いると便利であ
る。更に、多相材料も強磁性オーバレイと考えられるた
め、オーバレイにおける材料の平均濃度を記述する材料
の有効濃度を用いるのが便利である。強磁性オーバレイ
または強磁性ホスト層のいずれかを連続層と呼ぶ時は、
連続層を不連続層や材料の分散体から区別することが目
的であり、その層が単相材料であることを示唆するもの
ではない。
は、強磁性「ホスト」層とホスト層に付着された強磁性
材料の薄いオーバレイまたはキャップ層とを含む磁気記
録層を有する磁気媒体を提供することにより得られる。
強磁性ホスト層は弱く結合されたまたは結合されていな
い粒子を有する粒子層であり、粒子が磁気書き込みヘッ
ドによって生じる局所磁場の存在下で磁化方向を独立に
変更することができる。強磁性オーバレイは、ホスト層
中の強磁性材料の熱安定性と書き込み可能性を高め、ホ
スト層よりもかなり薄く、ホスト層と交換結合されてい
る。強磁性「オーバレイ」とは、強磁性材料の連続層、
強磁性材料のアイランドまたは粒子の分散体という形の
不連続層、あるいは第２の非強磁性材料で分離された第
１の強磁性材料のアイランドまたは粒子を含む多相層の
いずれかである強磁性材料を意味する。強磁性オーバレ
イは材料の不連続なフィルムまたは分散体であるため、
連続被覆を示すフィルム用の付着装置から同じ粒子束で
達成される厚さである「有効厚さ」を用いると便利であ
る。更に、多相材料も強磁性オーバレイと考えられるた
め、オーバレイにおける材料の平均濃度を記述する材料
の有効濃度を用いるのが便利である。強磁性オーバレイ
または強磁性ホスト層のいずれかを連続層と呼ぶ時は、
連続層を不連続層や材料の分散体から区別することが目
的であり、その層が単相材料であることを示唆するもの
ではない。
【００１３】本発明の磁気媒体は、調製済みの基板に付
着された、好ましくは厚さが１〜３０ｎｍの、少なくと
も１枚のＣｏベースの磁性層を有する。この基板は、ニ
ッケルリンで被覆されたアルミニウム・ディスク素材、
ＮｉＡｌで被覆されたガラス、シリコン、セラミック、
水晶、ＭｇО、シリコン・カーバイドなど任意の適当な
ディスク基板である。基板は、後で付着される強磁性ホ
スト層の所望の結晶配向を達成するために下地層で覆わ
れている。純粋なＣｒが典型的な下地層であるが、下地
層は、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、およびОの元素を含むＣｒ合金
も含むことができる。基板および下地層の選択は、付着
される強磁性ホスト層と、媒体の所期の用途に依存す
る。
着された、好ましくは厚さが１〜３０ｎｍの、少なくと
も１枚のＣｏベースの磁性層を有する。この基板は、ニ
ッケルリンで被覆されたアルミニウム・ディスク素材、
ＮｉＡｌで被覆されたガラス、シリコン、セラミック、
水晶、ＭｇО、シリコン・カーバイドなど任意の適当な
ディスク基板である。基板は、後で付着される強磁性ホ
スト層の所望の結晶配向を達成するために下地層で覆わ
れている。純粋なＣｒが典型的な下地層であるが、下地
層は、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、およびОの元素を含むＣｒ合金
も含むことができる。基板および下地層の選択は、付着
される強磁性ホスト層と、媒体の所期の用途に依存す
る。
【００１４】強磁性ホスト層は連続する磁気記録層であ
ることが好ましいが、分離した（discrete）強磁性領域
および非強磁性領域を形成するための当技術分野で知ら
れた幾つかの方法のいずれかによってパターン化された
パターン化強磁性ホスト層でもよい。好ましい実施形態
においては、強磁性ホスト層はＣｏＣｒ３元または４元
合金であり、Ｃｏは約２０〜８５原子パーセント（ａｔ
％）の範囲であり、Ｃｒは約３０ａｔ％までである。好
ましい実施形態においては、強磁性ホスト層はまた１〜
２０ａｔ％の範囲でＰｔ、ＴａまたはＰｄをも含み、ま
た３〜２５ａｔ％の有効濃度で偏析元素ホウ素（Ｂ）を
も含む。他の偏析材料には、ＳｉおよびＣｏの酸化物
や、磁性粒子と弱く結合したまたは結合していないＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｕを含む幾つかの
遷移金属も含まれる。強磁性ホスト層を形成するために
使われる材料は、約５０〜１０００ｅｍｕ／ｃｍ3の飽
和磁化（ＭS）値を有する。
ることが好ましいが、分離した（discrete）強磁性領域
および非強磁性領域を形成するための当技術分野で知ら
れた幾つかの方法のいずれかによってパターン化された
パターン化強磁性ホスト層でもよい。好ましい実施形態
においては、強磁性ホスト層はＣｏＣｒ３元または４元
合金であり、Ｃｏは約２０〜８５原子パーセント（ａｔ
％）の範囲であり、Ｃｒは約３０ａｔ％までである。好
ましい実施形態においては、強磁性ホスト層はまた１〜
２０ａｔ％の範囲でＰｔ、ＴａまたはＰｄをも含み、ま
た３〜２５ａｔ％の有効濃度で偏析元素ホウ素（Ｂ）を
も含む。他の偏析材料には、ＳｉおよびＣｏの酸化物
や、磁性粒子と弱く結合したまたは結合していないＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｕを含む幾つかの
遷移金属も含まれる。強磁性ホスト層を形成するために
使われる材料は、約５０〜１０００ｅｍｕ／ｃｍ3の飽
和磁化（ＭS）値を有する。
【００１５】Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉから選択された少な
くとも１つの元素を含む薄い強磁性オーバレイまたはキ
ャップ層が、強磁性ホスト層に付着される。このキャッ
プ層は、約５０〜１９００ｅｍｕ／ｃｍ3の飽和磁化
（ＭS）値を有する高モーメントの強磁性材料であるこ
とが好ましい。強磁性オーバレイは、強磁性ホスト層の
材料の磁気モーメントよりもかなり高い（例えば、１．
５倍高い）磁気モーメントを有する材料であることが好
ましい。強磁性オーバレイは、有効厚さが約１〜４０オ
ングストロームの強磁性ホスト層の表面上の強磁性アイ
ランドの分散体であることが好ましい。他の実施形態に
おいては、粒子とも呼ばれる強磁性アイランドは、約１
〜７５ａｔ％の範囲でＰｔおよびＰｄの元素を含み、ま
たは１〜３５ａｔ％の範囲でＣｒを含む。本発明の特定
の実施形態においては、強磁性オーバレイ粒子は、Ｃｏ
О、ＳｉО2を含む非晶質の第２相、またはＢの２元ま
たは３元化合物によって分離される。
くとも１つの元素を含む薄い強磁性オーバレイまたはキ
ャップ層が、強磁性ホスト層に付着される。このキャッ
プ層は、約５０〜１９００ｅｍｕ／ｃｍ3の飽和磁化
（ＭS）値を有する高モーメントの強磁性材料であるこ
とが好ましい。強磁性オーバレイは、強磁性ホスト層の
材料の磁気モーメントよりもかなり高い（例えば、１．
５倍高い）磁気モーメントを有する材料であることが好
ましい。強磁性オーバレイは、有効厚さが約１〜４０オ
ングストロームの強磁性ホスト層の表面上の強磁性アイ
ランドの分散体であることが好ましい。他の実施形態に
おいては、粒子とも呼ばれる強磁性アイランドは、約１
〜７５ａｔ％の範囲でＰｔおよびＰｄの元素を含み、ま
たは１〜３５ａｔ％の範囲でＣｒを含む。本発明の特定
の実施形態においては、強磁性オーバレイ粒子は、Ｃｏ
О、ＳｉО2を含む非晶質の第２相、またはＢの２元ま
たは３元化合物によって分離される。
【００１６】本発明の下地層、強磁性ホスト層および強
磁性オーバレイは、スパッタ、イオン・ビーム付着およ
びレーザ付着を含む種々の方法のいずれによっても付着
される。また、オーバレイおよび強磁性ホスト層の酸化
および劣化を防ぐため、強磁性オーバレイを付着した後
に通常の非晶質カーボン・オーバコートなどの保護オー
バコートを付着することも望ましい。本発明の磁気媒体
は２〜２０ｋОｅの保磁力値を有する。
磁性オーバレイは、スパッタ、イオン・ビーム付着およ
びレーザ付着を含む種々の方法のいずれによっても付着
される。また、オーバレイおよび強磁性ホスト層の酸化
および劣化を防ぐため、強磁性オーバレイを付着した後
に通常の非晶質カーボン・オーバコートなどの保護オー
バコートを付着することも望ましい。本発明の磁気媒体
は２〜２０ｋОｅの保磁力値を有する。
【００１７】一般に、全体で磁気ビットを形成する磁気
層における強磁性合金の多数の粒子を構成する、磁気体
積要素は、磁気読取りヘッドに近いほど、リードバック
信号に対する寄与が大きくなる。本発明では、モーメン
ト密度が最高の磁性材料、すなわちオーバレイの材料が
読取りヘッドに最も近いところに置かれる。例えば、Ｃ
ｏのモーメント密度は、約３００ｅｍｕ／ｃｍ3のモー
メント密度を有する通常の３元または４元Ｃｏ合金のモ
ーメント密度のほぼ５倍になる。すなわち、０．５ｎｍ
というＣｏの極めて薄い層が、通常の３元または４元Ｃ
ｏ合金のほぼ５倍のモーメント密度を有する。したがっ
て、０．５ｎｍというＣｏの極めて薄い層は、通常のＣ
ｏ合金の２．５ｎｍの層に等しいＭrｔを有するだけで
なく、読取りヘッドのずっと近くに磁束源が配置され
る。また、高モーメント密度のオーバレイ材料が書き込
みヘッドの最も近くに置かれるので、書き込みヘッドか
らの磁場は書き込み中にヘッドに最も近い表面で最も強
いことから、書き込み可能性も改善される。さらに、書
き込みヘッドによって印加される磁場が及ぼす磁気トル
クが、強磁性オーバレイの増加したモーメント密度によ
って増幅される。したがって本発明は、最も強い書き込
み磁場の大きさと、媒体の磁気記録層表面の最大磁気ト
ルクとがあいまって書き込みの改善をもたらす。
層における強磁性合金の多数の粒子を構成する、磁気体
積要素は、磁気読取りヘッドに近いほど、リードバック
信号に対する寄与が大きくなる。本発明では、モーメン
ト密度が最高の磁性材料、すなわちオーバレイの材料が
読取りヘッドに最も近いところに置かれる。例えば、Ｃ
ｏのモーメント密度は、約３００ｅｍｕ／ｃｍ3のモー
メント密度を有する通常の３元または４元Ｃｏ合金のモ
ーメント密度のほぼ５倍になる。すなわち、０．５ｎｍ
というＣｏの極めて薄い層が、通常の３元または４元Ｃ
ｏ合金のほぼ５倍のモーメント密度を有する。したがっ
て、０．５ｎｍというＣｏの極めて薄い層は、通常のＣ
ｏ合金の２．５ｎｍの層に等しいＭrｔを有するだけで
なく、読取りヘッドのずっと近くに磁束源が配置され
る。また、高モーメント密度のオーバレイ材料が書き込
みヘッドの最も近くに置かれるので、書き込みヘッドか
らの磁場は書き込み中にヘッドに最も近い表面で最も強
いことから、書き込み可能性も改善される。さらに、書
き込みヘッドによって印加される磁場が及ぼす磁気トル
クが、強磁性オーバレイの増加したモーメント密度によ
って増幅される。したがって本発明は、最も強い書き込
み磁場の大きさと、媒体の磁気記録層表面の最大磁気ト
ルクとがあいまって書き込みの改善をもたらす。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、保持層９を備えた従来技
術の磁気媒体５の断面図である。磁気記録層２が基板３
上に付着される。磁気記録層２の上面に、薄いＣｒ分離
層７が約２５オングストロームの厚さに付着される。分
離層７の上面に、保持層９が付着される。分離層７は、
磁気層２における粒子間結合を防ぐまたは軽減するため
に磁気記録層２上に付着される。軟磁性の保持層９は磁
気層２に記録された磁気遷移により生じる消磁場を低減
する。
術の磁気媒体５の断面図である。磁気記録層２が基板３
上に付着される。磁気記録層２の上面に、薄いＣｒ分離
層７が約２５オングストロームの厚さに付着される。分
離層７の上面に、保持層９が付着される。分離層７は、
磁気層２における粒子間結合を防ぐまたは軽減するため
に磁気記録層２上に付着される。軟磁性の保持層９は磁
気層２に記録された磁気遷移により生じる消磁場を低減
する。
【００１９】図２は、本発明の好ましい実施形態に従っ
て作成された磁気記録ディスク１０の断面図を示す。デ
ィスク１０には基板１１を使用し、この基板はニッケル
リンで覆われたアルミニウムの基板であることが好まし
いが、ガラス、シリコン、セラミック、水晶、ＭｇＯま
たはシリコン・カーバイド基板でもよい。Ｃｒベースの
下地層１３が基板１１上に付着される。強磁性ホスト層
１５は、下地層１３上に付着された連続する強磁性層で
あることが好ましい。強磁性ホスト層は、例えば、ＩＢ
Ｍの米国特許第５０５１２８８号に記載されている積層
タイプの磁気記録層を有する磁気記録ディスクで使用さ
れる１枚または複数枚の強磁性フィルムでもよい。下地
層１３は、ホスト層１５の以後の付着および成長を容易
にするために基板１１上に付着される。特定のＣｒベー
スの下地層の付着が、後で付着される強磁性層の成長プ
ロセスを強化することはよく知られている。通常は純粋
なＣｒが下地層として使用されるが、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉま
たはＯの元素を有する下地層も本発明で使用できる。
て作成された磁気記録ディスク１０の断面図を示す。デ
ィスク１０には基板１１を使用し、この基板はニッケル
リンで覆われたアルミニウムの基板であることが好まし
いが、ガラス、シリコン、セラミック、水晶、ＭｇＯま
たはシリコン・カーバイド基板でもよい。Ｃｒベースの
下地層１３が基板１１上に付着される。強磁性ホスト層
１５は、下地層１３上に付着された連続する強磁性層で
あることが好ましい。強磁性ホスト層は、例えば、ＩＢ
Ｍの米国特許第５０５１２８８号に記載されている積層
タイプの磁気記録層を有する磁気記録ディスクで使用さ
れる１枚または複数枚の強磁性フィルムでもよい。下地
層１３は、ホスト層１５の以後の付着および成長を容易
にするために基板１１上に付着される。特定のＣｒベー
スの下地層の付着が、後で付着される強磁性層の成長プ
ロセスを強化することはよく知られている。通常は純粋
なＣｒが下地層として使用されるが、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉま
たはＯの元素を有する下地層も本発明で使用できる。
【００２０】強磁性ホスト層１５は、５０〜１０００ｅ
ｍｕ／ｃｍ3の飽和磁化値（ＭS）を有する厚さ１〜３０
ｎｍのＣｏＣｒ合金である。好ましい実施形態において
は、強磁性ホスト層１５は１〜２５ａｔ％の範囲でＰ
ｄ、ＴａまたはＰｔの元素も含み、またＣｏＣｒ合金の
粒子に対する偏析材料（segregating）として働く１〜
２０ａｔ％の範囲の有効濃度でＢを含むこともできる。
他の偏析材料にはＣｏОおよびＳｉО2が含まれる。
ｍｕ／ｃｍ3の飽和磁化値（ＭS）を有する厚さ１〜３０
ｎｍのＣｏＣｒ合金である。好ましい実施形態において
は、強磁性ホスト層１５は１〜２５ａｔ％の範囲でＰ
ｄ、ＴａまたはＰｔの元素も含み、またＣｏＣｒ合金の
粒子に対する偏析材料（segregating）として働く１〜
２０ａｔ％の範囲の有効濃度でＢを含むこともできる。
他の偏析材料にはＣｏОおよびＳｉО2が含まれる。
【００２１】Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉのうち少なくとも１
つの元素を含み、１〜４０オングストロームの有効厚さ
を有する薄い強磁性オーバレイ１７が強磁性ホスト層１
５上に付着される。このオーバレイ材料は５０〜１９０
０ｅｍｕ／ｃｍ3のＭS値を有する。このオーバレイ材料
は強磁性ホスト層の材料よりもかなり高いＭS値を有す
る。本発明の他の実施形態においては、強磁性オーバレ
イはまた１〜７５ａｔ％の範囲でＰｔまたはＰｄの元素
も含む。強磁性オーバレイは約１〜３５ａｔ％の範囲で
Ｃｒを含むこともできる。強磁性オーバレイは非強磁性
偏析材料で分離された強磁性材料のアイランドまたは粒
子の分散体でもよい。本発明の強磁性オーバレイととも
に使用される好ましい偏析材料には、Ｂ、ＣｏОおよび
ＳｉО2が含まれる。下地層の表面酸化を防ぐため、強
磁性オーバレイの付着後に通常の炭素オーバコート層１
９を付着するのが有益である。
つの元素を含み、１〜４０オングストロームの有効厚さ
を有する薄い強磁性オーバレイ１７が強磁性ホスト層１
５上に付着される。このオーバレイ材料は５０〜１９０
０ｅｍｕ／ｃｍ3のＭS値を有する。このオーバレイ材料
は強磁性ホスト層の材料よりもかなり高いＭS値を有す
る。本発明の他の実施形態においては、強磁性オーバレ
イはまた１〜７５ａｔ％の範囲でＰｔまたはＰｄの元素
も含む。強磁性オーバレイは約１〜３５ａｔ％の範囲で
Ｃｒを含むこともできる。強磁性オーバレイは非強磁性
偏析材料で分離された強磁性材料のアイランドまたは粒
子の分散体でもよい。本発明の強磁性オーバレイととも
に使用される好ましい偏析材料には、Ｂ、ＣｏОおよび
ＳｉО2が含まれる。下地層の表面酸化を防ぐため、強
磁性オーバレイの付着後に通常の炭素オーバコート層１
９を付着するのが有益である。
【００２２】図３は、強磁性キャップ層およびオーバレ
イによる強磁性ホスト層の部分的被覆を示す本発明の磁
気ディスクの上面図を示す。無地の円は、強磁性ホスト
層の粒子３１および３３、または粒子の集まりを表し、
ハッチング付きの円は、強磁性ホスト材料の表面に付着
された強磁性オーバレイ材料のアイランドまたは粒子３
４を表す。大きい無地の円は、熱的に安定となるのに十
分な体積を有する大きな粒子３１を表し、小さい無地の
円は、強磁性オーバレイ材料がなければ熱的に不安定で
ある小さい粒子３３を表す。強磁性ホスト層粒子３１お
よび３３の表面に強磁性オーバレイ粒子３４を提供する
と、小さい粒子３３はホスト層粒子を互いに橋絡するオ
ーバレイ粒子３４を介して磁気的に結合され、大きく熱
的に安定な粒子３１はほとんどが他の大きな粒子と結合
されないままとなる。したがって、小さい粒子３３の有
効磁気体積は増加し、それによって、その熱安定性が向
上する。
イによる強磁性ホスト層の部分的被覆を示す本発明の磁
気ディスクの上面図を示す。無地の円は、強磁性ホスト
層の粒子３１および３３、または粒子の集まりを表し、
ハッチング付きの円は、強磁性ホスト材料の表面に付着
された強磁性オーバレイ材料のアイランドまたは粒子３
４を表す。大きい無地の円は、熱的に安定となるのに十
分な体積を有する大きな粒子３１を表し、小さい無地の
円は、強磁性オーバレイ材料がなければ熱的に不安定で
ある小さい粒子３３を表す。強磁性ホスト層粒子３１お
よび３３の表面に強磁性オーバレイ粒子３４を提供する
と、小さい粒子３３はホスト層粒子を互いに橋絡するオ
ーバレイ粒子３４を介して磁気的に結合され、大きく熱
的に安定な粒子３１はほとんどが他の大きな粒子と結合
されないままとなる。したがって、小さい粒子３３の有
効磁気体積は増加し、それによって、その熱安定性が向
上する。
【００２３】図４は、図３に示した強磁性ホスト層とキ
ャップ層の部分断面図であり、強磁性ホスト層１５とキ
ャップ層１７を備える磁気記録層の微細構造を示してい
る。強磁性ホスト層１５は物理的に分離されている、好
ましくは非強磁性偏析材料２１で分離された粒子３１、
３３または粒子のグループを含む。粒子の偏析（segreg
ation）は、強磁性ホスト層１５の付着中に１つまたは
複数の元素を含めることによって達成される。好ましい
偏析材料はＢであるが、ＳｉО2、ＣｏО、および磁性
粒子に強く結合しないＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、
Ｗ、Ａｕの遷移金属も粒子偏析材料として有用である。
好ましい実施形態においては、強磁性ホスト層１５はＣ
ｏＰｔＣｒＢで形成され、偏析材料２１として働くＢお
よびＣｒが若干添加される。使用される偏析材料は、強
磁性ホスト層中に、有効ホスト層濃度が１〜２０ａｔ％
の範囲となるように組み込むことが好ましい。偏析材料
２１は、粒子間結合を低減するための絶縁材として働
き、各粒子が互いに独立に振る舞うことを可能とする。
図４はまた、キャップ層１７の粒子３４が小さい粒子３
３を隣接する粒子とどのように磁気的に結合して、有効
磁気体積の増加をもたらすかも示している。偏析をもた
らす非強磁性材料を含むオーバレイの好ましい材料は、
ＣｏＣｒターゲットからスパッタ付着によりホスト層１
５を覆って付着できるＣｏＣｒである。強磁性ＣｏＣｒ
オーバレイが連続フィルムを形成するのに十分な有効厚
さを有する実施形態では、図４に示す不連続オーバレイ
１７と異なり、Ｃｏに富んだアイランドまたは粒子３４
の領域が粒子３４間のＣｒに富んだ領域によって分離さ
れると考えられる。
ャップ層の部分断面図であり、強磁性ホスト層１５とキ
ャップ層１７を備える磁気記録層の微細構造を示してい
る。強磁性ホスト層１５は物理的に分離されている、好
ましくは非強磁性偏析材料２１で分離された粒子３１、
３３または粒子のグループを含む。粒子の偏析（segreg
ation）は、強磁性ホスト層１５の付着中に１つまたは
複数の元素を含めることによって達成される。好ましい
偏析材料はＢであるが、ＳｉО2、ＣｏО、および磁性
粒子に強く結合しないＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、
Ｗ、Ａｕの遷移金属も粒子偏析材料として有用である。
好ましい実施形態においては、強磁性ホスト層１５はＣ
ｏＰｔＣｒＢで形成され、偏析材料２１として働くＢお
よびＣｒが若干添加される。使用される偏析材料は、強
磁性ホスト層中に、有効ホスト層濃度が１〜２０ａｔ％
の範囲となるように組み込むことが好ましい。偏析材料
２１は、粒子間結合を低減するための絶縁材として働
き、各粒子が互いに独立に振る舞うことを可能とする。
図４はまた、キャップ層１７の粒子３４が小さい粒子３
３を隣接する粒子とどのように磁気的に結合して、有効
磁気体積の増加をもたらすかも示している。偏析をもた
らす非強磁性材料を含むオーバレイの好ましい材料は、
ＣｏＣｒターゲットからスパッタ付着によりホスト層１
５を覆って付着できるＣｏＣｒである。強磁性ＣｏＣｒ
オーバレイが連続フィルムを形成するのに十分な有効厚
さを有する実施形態では、図４に示す不連続オーバレイ
１７と異なり、Ｃｏに富んだアイランドまたは粒子３４
の領域が粒子３４間のＣｒに富んだ領域によって分離さ
れると考えられる。
【００２４】図４では、２つの磁気ビットが矢印で表さ
れており、右向きの矢印は一方向への粒子の磁化を表
し、左向きの矢印は反対方向への粒子の磁化を表す。本
発明の好ましい実施形態においては、強磁性ホスト層を
形成する材料の磁気モーメントは強磁性ホスト層におけ
る材料の磁気モーメントの１．５倍以上である。
れており、右向きの矢印は一方向への粒子の磁化を表
し、左向きの矢印は反対方向への粒子の磁化を表す。本
発明の好ましい実施形態においては、強磁性ホスト層を
形成する材料の磁気モーメントは強磁性ホスト層におけ
る材料の磁気モーメントの１．５倍以上である。
【００２５】図５の表に、３つの磁気構造の磁気特性を
示す。行１はＣｏＰｔＣｒＢ強磁性層を備え強磁性オー
バレイのない磁性構造の磁気データを示し、行２はＣｏ
ＰｔＣｒＢホスト層と有効厚さ３オングストロームのＣ
ｏ強磁性オーバレイを備えるた構造の磁気データを示
し、行３はＣｏＰｔＣｒＢ強磁性ホスト層と有効厚さ６
オングストロームのＣｏ強磁性オーバレイを備えた第２
の構造の磁気データを示す。行２および行３のサンプル
は共に改善された保磁力矩形比（Ｓ*）を示し、３オン
グストロームのＣｏ強磁性オーバレイを備えたサンプル
は改善されたＳＮＲを示す。
示す。行１はＣｏＰｔＣｒＢ強磁性層を備え強磁性オー
バレイのない磁性構造の磁気データを示し、行２はＣｏ
ＰｔＣｒＢホスト層と有効厚さ３オングストロームのＣ
ｏ強磁性オーバレイを備えるた構造の磁気データを示
し、行３はＣｏＰｔＣｒＢ強磁性ホスト層と有効厚さ６
オングストロームのＣｏ強磁性オーバレイを備えた第２
の構造の磁気データを示す。行２および行３のサンプル
は共に改善された保磁力矩形比（Ｓ*）を示し、３オン
グストロームのＣｏ強磁性オーバレイを備えたサンプル
は改善されたＳＮＲを示す。
【００２６】図６は、本発明に従って作成したサンプル
で見られる最も顕著な改善、すなわち熱安定性の改善を
示す。図６では、図５の表の３つのサンプルについて、
磁化減衰速度（「粘性」とも呼ばれる）が印加された逆
磁場の関数としてプロットしてある。線４１は強磁性オ
ーバレイなしで作成したサンプルの磁化減衰曲線であ
り、線４２は有効厚さ３オングストロームのＣｏ強磁性
オーバレイを備えたサンプルの磁化減衰曲線であり、線
４３は有効厚さ６オングストロームのＣｏ強磁性オーバ
レイを備えたサンプルの磁化減衰曲線である。これらの
消磁曲線は、Ｃｏオーバレイを備えたサンプルに比べて
熱安定性の明確な改善を示しており、強磁性オーバレイ
が厚くなるに従って大きな改善が得られる。
で見られる最も顕著な改善、すなわち熱安定性の改善を
示す。図６では、図５の表の３つのサンプルについて、
磁化減衰速度（「粘性」とも呼ばれる）が印加された逆
磁場の関数としてプロットしてある。線４１は強磁性オ
ーバレイなしで作成したサンプルの磁化減衰曲線であ
り、線４２は有効厚さ３オングストロームのＣｏ強磁性
オーバレイを備えたサンプルの磁化減衰曲線であり、線
４３は有効厚さ６オングストロームのＣｏ強磁性オーバ
レイを備えたサンプルの磁化減衰曲線である。これらの
消磁曲線は、Ｃｏオーバレイを備えたサンプルに比べて
熱安定性の明確な改善を示しており、強磁性オーバレイ
が厚くなるに従って大きな改善が得られる。
【００２７】図７は、改善された熱安定性および磁気遷
移矩形比を達成するためにパーマロイ（ＮｉＦｅ）強磁
性オーバレイを使用した効果を示す。図７は、ＣｏＰｔ
ＣｒＢ合金の強磁性ホスト層を含む３つの磁気構造につ
いて残留磁化Ｍrと印加磁場の関係をプロットしたもの
である。最初のサンプル（線５１）は強磁性オーバレイ
を備えておらず、第２のサンプル（線５２）はＣｏＰｔ
ＣｒＢ合金の強磁性ホスト層上に有効厚さ１０オングス
トロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備え、第３のサ
ンプル（線５３）はＣｏＰｔＣｒＢ合金の強磁性ホスト
層上に有効厚さ２５オングストロームのＮｉＦｅ強磁性
オーバレイを備えている。これらの曲線は、ＮｉＦｅ強
磁性体オーバレイを含む場合の、残留磁化Ｍrの減少と
保磁力矩形比Ｓ*の改善を示している。さらに、ＮｉＦ
ｅ強磁性オーバレイの厚さを有効厚さ２５オングストロ
ームまで増加させると、引き続きＨcの減少とＳ*の増加
が観察される。Ｓ*は以下の関係式でＭ−Ｈ曲線の勾配
と関係付けられていることに留意されたい。
移矩形比を達成するためにパーマロイ（ＮｉＦｅ）強磁
性オーバレイを使用した効果を示す。図７は、ＣｏＰｔ
ＣｒＢ合金の強磁性ホスト層を含む３つの磁気構造につ
いて残留磁化Ｍrと印加磁場の関係をプロットしたもの
である。最初のサンプル（線５１）は強磁性オーバレイ
を備えておらず、第２のサンプル（線５２）はＣｏＰｔ
ＣｒＢ合金の強磁性ホスト層上に有効厚さ１０オングス
トロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備え、第３のサ
ンプル（線５３）はＣｏＰｔＣｒＢ合金の強磁性ホスト
層上に有効厚さ２５オングストロームのＮｉＦｅ強磁性
オーバレイを備えている。これらの曲線は、ＮｉＦｅ強
磁性体オーバレイを含む場合の、残留磁化Ｍrの減少と
保磁力矩形比Ｓ*の改善を示している。さらに、ＮｉＦ
ｅ強磁性オーバレイの厚さを有効厚さ２５オングストロ
ームまで増加させると、引き続きＨcの減少とＳ*の増加
が観察される。Ｓ*は以下の関係式でＭ−Ｈ曲線の勾配
と関係付けられていることに留意されたい。
【数１】 ｄＭr／ｄＨ-H=Hc＝Ｍr／（Ｈc（１−Ｓ*））
【００２８】図５の表のＣｏオーバレイを備える構造と
は異なり、図７の線５３にそのデータが示されている厚
さ２５オングストロームのＮｉＦｅオーバレイは下地ホ
スト強磁性層全体を覆う連続層である。
は異なり、図７の線５３にそのデータが示されている厚
さ２５オングストロームのＮｉＦｅオーバレイは下地ホ
スト強磁性層全体を覆う連続層である。
【００２９】図８には、図７に関して説明したサンプル
の磁化減衰曲線がプロットしてある。線６１はＮｉＦｅ
強磁性オーバレイのないサンプルに対応し、線６２は有
効厚さ１０オングストロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレ
イを備えたサンプルに対応し、線６３は有効厚さ２５オ
ングストロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備えたサ
ンプルに対応している。ＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備
えたサンプルは、強磁性キャップ層のないサンプルに比
べて改善された熱安定性を示す。
の磁化減衰曲線がプロットしてある。線６１はＮｉＦｅ
強磁性オーバレイのないサンプルに対応し、線６２は有
効厚さ１０オングストロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレ
イを備えたサンプルに対応し、線６３は有効厚さ２５オ
ングストロームのＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備えたサ
ンプルに対応している。ＮｉＦｅ強磁性オーバレイを備
えたサンプルは、強磁性キャップ層のないサンプルに比
べて改善された熱安定性を示す。
【００３０】本発明を好ましい実施形態に関して詳細に
図示し説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱
せずに形態および細部に様々な変更を行えることが当分
野の技術者には理解されよう。例えば、本発明の好まし
い実施形態では、強磁性ホスト層は連続した粒子状磁性
層であるが、上述のキャップ・オーバレイを分離した磁
気ビット領域や分離したトラックを提供するためにパタ
ーン化されているパターン化磁性層上に付着することも
できる。
図示し説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱
せずに形態および細部に様々な変更を行えることが当分
野の技術者には理解されよう。例えば、本発明の好まし
い実施形態では、強磁性ホスト層は連続した粒子状磁性
層であるが、上述のキャップ・オーバレイを分離した磁
気ビット領域や分離したトラックを提供するためにパタ
ーン化されているパターン化磁性層上に付着することも
できる。
【００３１】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３２】（１）ａ）基板と、 ｂ）前記基板上の下地層と、 ｃ）前記下地層上に形成され、約１〜３０ナノメートル
の範囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金のホスト層
と、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイとを含む、磁
気記録媒体。 （２）前記強磁性オーバレイがさらにＰｔおよびＰｄか
らなる群から選択された元素を含む、上記（１）に記載
の記録媒体。 （３）前記強磁性オーバレイがさらにＣｒを含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （４）強磁性オーバレイが、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、および
Ｂからなる群から選択された偏析材料によって偏析され
た強磁性材料の粒子を含む、上記（１）に記載の記録媒
体。 （５）前記強磁性Ｃｏ合金ホスト層がＣｒを含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （６）前記強磁性ホスト層の粒子がさらに、Ｐｄ、Ｔａ
およびＰｔからなる群から選択された元素を含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （７）前記粒状強磁性ホスト層の粒子がＣｏＯ、ＳｉＯ
2、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、ＷおよびＡｕ
からなる群から選択された偏析材料を含む、上記（１）
に記載の記録媒体。 （８）前記強磁性オーバレイの材料が前記強磁性ホスト
層の材料の磁気モーメント密度の少なくとも１．５倍の
磁気モーメント濃度を有する、上記（１）に記載の記録
媒体。 （９）前記強磁性オーバレイがＮｉＦｅ合金の連続フィ
ルムである、上記（１）に記載の記録媒体。 （１０）ａ）ディスク基板と、 ｂ）前記ディスク基板上に付着されたＣｒを含む下地層
と、 ｃ）ＣｏxＣｒyを含むＣｏ合金を含み、２０＜ｘ＜８５
原子パーセント、０＜ｙ＜３０原子パーセント、かつ４
０＜（ｘ＋ｙ）＜９０である粒状強磁性ホスト層と、 ｄ）Ｃｏu、ＦｅvおよびＮｉwからなる群から選択され
た少なくとも１つの元素を含み、０＜ｕ＜１００原子パ
ーセント、０＜ｖ＜１００原子パーセント、０＜ｗ＜１
００原子パーセント、かつ５０＜（ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１０
０原子パーセントであり、１．０〜４０オングストロー
ムの有効厚さを有し、前記ホスト層と接触している強磁
性オーバレイとを備える磁気記録ディスク。 （１１）前記ディスク基板がニッケルリンで被覆された
アルミニウム、ＮｉＡｌで被覆されたガラス、シリコ
ン、セラミック、水晶、ＭｇＯ、およびシリコン・カー
バイドからなる群から選択される、上記（１０）に記載
の記録ディスク。 （１２）前記下地層がさらに、Ｃｏ、Ｖ、ＴｉおよびＯ
からなる群から選択された元素を含む、上記（１０）に
記載の記録ディスク。 （１３）前記強磁性ホスト層が、約１〜３０ナノメート
ルの範囲の厚さである、上記（１０）に記載の記録ディ
スク。 （１４）前記強磁性ホスト層がさらに、Ｐｄz、Ｔａz、
Ｐｔzからなる群から選択された元素を１＜ｚ＜２０原
子パーセントの範囲で含み、４０＜（ｘ＋ｙ＋ｚ）＜１
００原子パーセントである、上記（１０）に記載の記録
ディスク。 （１５）前記強磁性ホスト層の粒子が、ＣｏＯ、ＳｉＯ
2、およびＢからなる群から選択された偏析材料を含
む、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （１６）前記強磁性ホスト層の粒子が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ａｇ、Ｎｂ、ＷおよびＡｕからなる群から選択され
た元素を含む遷移金属偏析材料で偏析されており、前記
遷移金属偏析材料の有効濃度が１〜２０原子パーセント
の範囲である、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （１７）前記オーバレイがＣｏＯ、ＳｉО2およびＢか
らなる群から選択された偏析材料を含む強磁性粒子を含
む粒状オーバレイである、上記（１０）に記載の記録デ
ィスク。 （１８）前記オーバレイがさらに、ＰｔtおよびＰｄtか
らなる群から選択された元素を１＜ｔ＜７５原子パーセ
ントの範囲で含み、７５＜（ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１００
原子パーセントである、上記（１０）に記載の記録ディ
スク。 （１９）前記強磁性オーバレイの粒子がさらに、Ｃｒs
を１＜ｓ＜２５原子パーセントの範囲で含み、７５＜
（ｓ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１００原子パーセントである、上
記（１０）に記載の記録ディスク。 （２０）ディスクの保磁力が２〜２０ｋОｅである、上
記（１０）に記載の記録ディスク。 （２１）前記下地層が２００〜１０００オングストロー
ムの厚さである、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （２２）前記強磁性オーバレイ上に保護炭素オーバコー
トをさらに含む、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （２３）ａ）基板を用意するステップと、 ｂ）前記基板上に下地層を付着するステップと、 ｃ）下地層上に形成され、約１〜３０ナノメートルの範
囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金ホスト層を付着す
るステップと、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイを付着するス
テップとを含む、磁気記録媒体の製造方法。
の範囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金のホスト層
と、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイとを含む、磁
気記録媒体。 （２）前記強磁性オーバレイがさらにＰｔおよびＰｄか
らなる群から選択された元素を含む、上記（１）に記載
の記録媒体。 （３）前記強磁性オーバレイがさらにＣｒを含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （４）強磁性オーバレイが、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、および
Ｂからなる群から選択された偏析材料によって偏析され
た強磁性材料の粒子を含む、上記（１）に記載の記録媒
体。 （５）前記強磁性Ｃｏ合金ホスト層がＣｒを含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （６）前記強磁性ホスト層の粒子がさらに、Ｐｄ、Ｔａ
およびＰｔからなる群から選択された元素を含む、上記
（１）に記載の記録媒体。 （７）前記粒状強磁性ホスト層の粒子がＣｏＯ、ＳｉＯ
2、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、ＷおよびＡｕ
からなる群から選択された偏析材料を含む、上記（１）
に記載の記録媒体。 （８）前記強磁性オーバレイの材料が前記強磁性ホスト
層の材料の磁気モーメント密度の少なくとも１．５倍の
磁気モーメント濃度を有する、上記（１）に記載の記録
媒体。 （９）前記強磁性オーバレイがＮｉＦｅ合金の連続フィ
ルムである、上記（１）に記載の記録媒体。 （１０）ａ）ディスク基板と、 ｂ）前記ディスク基板上に付着されたＣｒを含む下地層
と、 ｃ）ＣｏxＣｒyを含むＣｏ合金を含み、２０＜ｘ＜８５
原子パーセント、０＜ｙ＜３０原子パーセント、かつ４
０＜（ｘ＋ｙ）＜９０である粒状強磁性ホスト層と、 ｄ）Ｃｏu、ＦｅvおよびＮｉwからなる群から選択され
た少なくとも１つの元素を含み、０＜ｕ＜１００原子パ
ーセント、０＜ｖ＜１００原子パーセント、０＜ｗ＜１
００原子パーセント、かつ５０＜（ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１０
０原子パーセントであり、１．０〜４０オングストロー
ムの有効厚さを有し、前記ホスト層と接触している強磁
性オーバレイとを備える磁気記録ディスク。 （１１）前記ディスク基板がニッケルリンで被覆された
アルミニウム、ＮｉＡｌで被覆されたガラス、シリコ
ン、セラミック、水晶、ＭｇＯ、およびシリコン・カー
バイドからなる群から選択される、上記（１０）に記載
の記録ディスク。 （１２）前記下地層がさらに、Ｃｏ、Ｖ、ＴｉおよびＯ
からなる群から選択された元素を含む、上記（１０）に
記載の記録ディスク。 （１３）前記強磁性ホスト層が、約１〜３０ナノメート
ルの範囲の厚さである、上記（１０）に記載の記録ディ
スク。 （１４）前記強磁性ホスト層がさらに、Ｐｄz、Ｔａz、
Ｐｔzからなる群から選択された元素を１＜ｚ＜２０原
子パーセントの範囲で含み、４０＜（ｘ＋ｙ＋ｚ）＜１
００原子パーセントである、上記（１０）に記載の記録
ディスク。 （１５）前記強磁性ホスト層の粒子が、ＣｏＯ、ＳｉＯ
2、およびＢからなる群から選択された偏析材料を含
む、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （１６）前記強磁性ホスト層の粒子が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ａｇ、Ｎｂ、ＷおよびＡｕからなる群から選択され
た元素を含む遷移金属偏析材料で偏析されており、前記
遷移金属偏析材料の有効濃度が１〜２０原子パーセント
の範囲である、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （１７）前記オーバレイがＣｏＯ、ＳｉО2およびＢか
らなる群から選択された偏析材料を含む強磁性粒子を含
む粒状オーバレイである、上記（１０）に記載の記録デ
ィスク。 （１８）前記オーバレイがさらに、ＰｔtおよびＰｄtか
らなる群から選択された元素を１＜ｔ＜７５原子パーセ
ントの範囲で含み、７５＜（ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１００
原子パーセントである、上記（１０）に記載の記録ディ
スク。 （１９）前記強磁性オーバレイの粒子がさらに、Ｃｒs
を１＜ｓ＜２５原子パーセントの範囲で含み、７５＜
（ｓ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１００原子パーセントである、上
記（１０）に記載の記録ディスク。 （２０）ディスクの保磁力が２〜２０ｋОｅである、上
記（１０）に記載の記録ディスク。 （２１）前記下地層が２００〜１０００オングストロー
ムの厚さである、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （２２）前記強磁性オーバレイ上に保護炭素オーバコー
トをさらに含む、上記（１０）に記載の記録ディスク。 （２３）ａ）基板を用意するステップと、 ｂ）前記基板上に下地層を付着するステップと、 ｃ）下地層上に形成され、約１〜３０ナノメートルの範
囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金ホスト層を付着す
るステップと、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイを付着するス
テップとを含む、磁気記録媒体の製造方法。
【図１】磁気記録層に付着された分離層と軟磁性保持層
を備えた従来技術に従って作成した磁気ディスクの断面
図である。
を備えた従来技術に従って作成した磁気ディスクの断面
図である。
【図２】本発明に従って作成した磁気記録ディスクの断
面図である。
面図である。
【図３】強磁性オーバレイ材料による強磁性ホスト層の
部分的カバーを示す本発明による磁気ディスクの上面図
である。
部分的カバーを示す本発明による磁気ディスクの上面図
である。
【図４】強磁性オーバレイ材料のアイランドによるホス
ト強磁性層の小さい粒子の結合を表し、また２つの磁気
ビットを表す、図３に示すディスクの部分断面図であ
る。
ト強磁性層の小さい粒子の結合を表し、また２つの磁気
ビットを表す、図３に示すディスクの部分断面図であ
る。
【図５】ＣｏＰｔＣｒ合金強磁性ホスト層と、異なる厚
さの強磁性Ｃｏオーバレイ材料で作成した３種類の磁気
構造の磁気データを示す表である。
さの強磁性Ｃｏオーバレイ材料で作成した３種類の磁気
構造の磁気データを示す表である。
【図６】図５の表にそのデータを示した磁気構造の、磁
化減衰速度と印加逆磁場の関係を示すグラフである。
化減衰速度と印加逆磁場の関係を示すグラフである。
【図７】ＣｏＰｔＣｒＢ強磁性ホスト層と様々な厚さの
パーマロイ（ＮｉＦｅ）強磁性オーバレイを備えた磁気
構造の、残留磁化と印加磁場の関係を示すグラフであ
る。
パーマロイ（ＮｉＦｅ）強磁性オーバレイを備えた磁気
構造の、残留磁化と印加磁場の関係を示すグラフであ
る。
【図８】図７にそのデータをプロットした同じ磁気構造
の、磁化減衰速度と印加逆磁場の関係を示すグラフであ
る。
の、磁化減衰速度と印加逆磁場の関係を示すグラフであ
る。
２ 磁気記録層 ３ 基板 ５ 磁気記録媒体 ７ 分離層 ９ 保持層 １０ 磁気記録ディスク １１ 基板 １３ 下地層 １５ ホスト層 １７ オーバレイ １９ オーバコート ２１ 偏析材料 ３１ 強磁性ホスト層粒子 ３３ 小さい強磁性ホスト層粒子 ３４ 強磁性オーバレイ粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/28 Ｈ０１Ｆ 10/28 10/30 10/30 41/16 41/16 41/32 41/32 (72)発明者 デービッド・トーマス・マーグリーズ アメリカ合衆国95020 カリフォルニア州 ギルロイ ニュー・アベニュー 10610シ ー (72)発明者 エルネスト・エステバン・マリネロ アメリカ合衆国95070 カリフォルニア州 サラトガ ウッドサイド・ドライブ 12283 (72)発明者 マンフレッド・エルンスト・シャベス アメリカ合衆国95131 カリフォルニア州 サンノゼ バーチメドウ・コート 1508
Claims (23)
- 【請求項１】ａ）基板と、 ｂ）前記基板上の下地層と、 ｃ）前記下地層上に形成され、約１〜３０ナノメートル
の範囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金のホスト層
と、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイとを含む、磁
気記録媒体。 - 【請求項２】前記強磁性オーバレイがさらにＰｔおよび
Ｐｄからなる群から選択された元素を含む、請求項１に
記載の記録媒体。 - 【請求項３】前記強磁性オーバレイがさらにＣｒを含
む、請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項４】強磁性オーバレイが、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、
およびＢからなる群から選択された偏析材料によって偏
析された強磁性材料の粒子を含む、請求項１に記載の記
録媒体。 - 【請求項５】前記強磁性Ｃｏ合金ホスト層がＣｒを含
む、請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項６】前記強磁性ホスト層の粒子がさらに、Ｐ
ｄ、ＴａおよびＰｔからなる群から選択された元素を含
む、請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項７】前記粒状強磁性ホスト層の粒子がＣｏＯ、
ＳｉＯ2、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｗおよ
びＡｕからなる群から選択された偏析材料を含む、請求
項１に記載の記録媒体。 - 【請求項８】前記強磁性オーバレイの材料が前記強磁性
ホスト層の材料の磁気モーメント密度の少なくとも１．
５倍の磁気モーメント濃度を有する、請求項１に記載の
記録媒体。 - 【請求項９】前記強磁性オーバレイがＮｉＦｅ合金の連
続フィルムである、請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項１０】ａ）ディスク基板と、 ｂ）前記ディスク基板上に付着されたＣｒを含む下地層
と、 ｃ）ＣｏxＣｒyを含むＣｏ合金を含み、２０＜ｘ＜８５
原子パーセント、０＜ｙ＜３０原子パーセント、かつ４
０＜（ｘ＋ｙ）＜９０である粒状強磁性ホスト層と、 ｄ）Ｃｏu、ＦｅvおよびＮｉwからなる群から選択され
た少なくとも１つの元素を含み、０＜ｕ＜１００原子パ
ーセント、０＜ｖ＜１００原子パーセント、０＜ｗ＜１
００原子パーセント、かつ５０＜（ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１０
０原子パーセントであり、１．０〜４０オングストロー
ムの有効厚さを有し、前記ホスト層と接触している強磁
性オーバレイとを備える磁気記録ディスク。 - 【請求項１１】前記ディスク基板がニッケルリンで被覆
されたアルミニウム、ＮｉＡｌで被覆されたガラス、シ
リコン、セラミック、水晶、ＭｇＯ、およびシリコン・
カーバイドからなる群から選択される、請求項１０に記
載の記録ディスク。 - 【請求項１２】前記下地層がさらに、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉお
よびＯからなる群から選択された元素を含む、請求項１
０に記載の記録ディスク。 - 【請求項１３】前記強磁性ホスト層が、約１〜３０ナノ
メートルの範囲の厚さである、請求項１０に記載の記録
ディスク。 - 【請求項１４】前記強磁性ホスト層がさらに、Ｐｄz、
Ｔａz、Ｐｔzからなる群から選択された元素を１＜ｚ＜
２０原子パーセントの範囲で含み、４０＜（ｘ＋ｙ＋
ｚ）＜１００原子パーセントである、請求項１０に記載
の記録ディスク。 - 【請求項１５】前記強磁性ホスト層の粒子が、ＣｏＯ、
ＳｉＯ2、およびＢからなる群から選択された偏析材料
を含む、請求項１０に記載の記録ディスク。 - 【請求項１６】前記強磁性ホスト層の粒子が、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｎｂ、ＷおよびＡｕからなる群から選
択された元素を含む遷移金属偏析材料で偏析されてお
り、前記遷移金属偏析材料の有効濃度が１〜２０原子パ
ーセントの範囲である、請求項１０に記載の記録ディス
ク。 - 【請求項１７】前記オーバレイがＣｏＯ、ＳｉО2およ
びＢからなる群から選択された偏析材料を含む強磁性粒
子を含む粒状オーバレイである、請求項１０に記載の記
録ディスク。 - 【請求項１８】前記オーバレイがさらに、Ｐｔtおよび
Ｐｄtからなる群から選択された元素を１＜ｔ＜７５原
子パーセントの範囲で含み、７５＜（ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）
＜１００原子パーセントである、請求項１０に記載の記
録ディスク。 - 【請求項１９】前記強磁性オーバレイの粒子がさらに、
Ｃｒsを１＜ｓ＜２５原子パーセントの範囲で含み、７
５＜（ｓ＋ｕ＋ｖ＋ｗ）＜１００原子パーセントであ
る、請求項１０に記載の記録ディスク。 - 【請求項２０】ディスクの保磁力が２〜２０ｋОｅであ
る、請求項１０に記載の記録ディスク。 - 【請求項２１】前記下地層が２００〜１０００オングス
トロームの厚さである、請求項１０に記載の記録ディス
ク。 - 【請求項２２】前記強磁性オーバレイ上に保護炭素オー
バコートをさらに含む、請求項１０に記載の記録ディス
ク。 - 【請求項２３】ａ）基板を用意するステップと、 ｂ）前記基板上に下地層を付着するステップと、 ｃ）下地層上に形成され、約１〜３０ナノメートルの範
囲の厚さを有する粒状強磁性Ｃｏ合金ホスト層を付着す
るステップと、 ｄ）前記ホスト層上に形成され、これと接触しており、
Ｃｏ、ＦｅおよびＮｉからなる群から選択された少なく
とも１つの元素を含み、約１〜４０オングストロームの
範囲の有効厚さを有する強磁性オーバレイを付着するス
テップとを含む、磁気記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/324606 | 1999-06-02 | ||
| US09/324,606 US6440589B1 (en) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability |
Publications (1)
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| US7732070B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic storage unit |
| JP2012014782A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
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Families Citing this family (30)
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|---|---|---|---|---|
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| US7314675B1 (en) * | 2003-01-30 | 2008-01-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Ms magnetic layer |
| US20040166371A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Berger Andreas Klaus Dieter | Magnetic recording media with write-assist layer |
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| US20050249981A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Heraeus, Inc. | Grain structure for magnetic recording media |
| US20050274221A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
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| US20060078457A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
| US7425377B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-09-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Incoherently-reversing magnetic laminate with exchange coupled ferromagnetic layers |
| JP2006331578A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
| US7736766B2 (en) * | 2006-02-24 | 2010-06-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic storage media with Ag, Au-containing magnetic layers |
| US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
| KR100811704B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-03-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체, 기록 방법, 재생 방법 및 자기 기억장치 |
| KR100811705B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2008-03-11 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 수직 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 |
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| US20080138662A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with multilayer recording structure including intergranular exchange enhancement layer |
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| US7867406B2 (en) * | 2007-12-26 | 2011-01-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Patterned magnetic media having an exchange bridge structure connecting islands |
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Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6326827A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CA1338255C (en) * | 1987-06-30 | 1996-04-23 | Kazuhiko Hayashi | Soft magnetic thin film |
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| US5658659A (en) * | 1994-01-28 | 1997-08-19 | Komag, Inc. | Magnetic alloy and method for manufacturing same |
| US5763071A (en) * | 1996-03-11 | 1998-06-09 | Seagate Technology, Inc. | High areal density magnetic recording medium with dual magnetic layers |
| US5840394A (en) * | 1997-04-02 | 1998-11-24 | Komag, Incorporated | Method of manufacturing a thin film magnetic recording medium having low MrT value and high coercivity |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7732070B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-08 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic storage unit |
| JP2012014782A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Kyocera Kinseki Corp | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
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